JP2007108513A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007108513A JP2007108513A JP2005300493A JP2005300493A JP2007108513A JP 2007108513 A JP2007108513 A JP 2007108513A JP 2005300493 A JP2005300493 A JP 2005300493A JP 2005300493 A JP2005300493 A JP 2005300493A JP 2007108513 A JP2007108513 A JP 2007108513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- liquid crystal
- lower electrode
- crystal display
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
【解決手段】液晶表示装置は、薄膜トランジスタおよび蓄積容量を有するTFT基板と、カラーフィルタ基板と、前記基板間に液晶を有し、前記蓄積容量は、下部電極(2、11)と、この下部電極を覆う第1の絶縁膜(3、13A)と、前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜(6、15)と、第2の絶縁膜の上に形成された上部電極(4、18A)を備える。
【選択図】図1
Description
2、12A 下部電極
3、13 第1の絶縁膜
4、18A 上部電極
6、15 第2の絶縁膜
12 金属層
14A 開口
18 金属層
20 絶縁膜
29 ITO膜
31 アルミニウム膜
Claims (5)
- ガラス基板上に、画素ごとに液晶分子の配列を制御する画素電極を制御するための薄膜トランジスタおよび前記画素電極の充電電荷を保持する蓄積容量部を有するTFT基板と、カラーフィルタを有するカラーフィルタ基板と、前記TFT基板と前記カラーフィルタ基板との間に液晶とを有する液晶表示装置において、
前記蓄積容量部は、下部電極と、この下部電極の周縁部およびその外側を覆う第1の絶縁膜と、前記下部電極および前記第1の絶縁膜を覆う第2の絶縁膜と、前記下部電極に対応して第2の絶縁膜の上に形成された上部電極とを備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりも誘電率の高い材料でなることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
- 前記第2の絶縁膜は複数の膜の積層体でなることを特徴とする請求項1または2に記載の液晶表示装置。
- ガラス基板上に、画素ごとに液晶分子の配列を制御する画素電極を制御するための薄膜トランジスタおよび前記画素電極の充電電荷を保持する蓄積容量部を有するTFT基板と、カラーフィルタを有するカラーフィルタ基板と、前記TFT基板と前記カラーフィルタ基板との間に液晶とを有する液晶表示装置の製造方法において、
前記蓄積容量部の形成は、
前記ガラス基板上に第1の金属膜を形成し、これをパターニングして下部電極を得る工程と、
前記下部電極を覆うように第1の絶縁膜を形成し、前記下部電極上でその周縁部に残存するようエッチング除去して前記下部電極を露出させる工程と、
露出した前記下部電極上および前記周縁部に残存した前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を堆積させる工程と、
前記第2の絶縁膜上に第2の金属膜を形成し、これを前記下部電極に対向する形状にパターニングする工程とにより行われることを特徴とする方法。 - 前記第2の絶縁膜は前記第1の絶縁膜よりも薄く形成されることを特徴とする、請求項4に記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005300493A JP2007108513A (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005300493A JP2007108513A (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007108513A true JP2007108513A (ja) | 2007-04-26 |
Family
ID=38034408
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005300493A Pending JP2007108513A (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 液晶表示装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007108513A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049847B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-11-01 | Au Optronics Corporation | Pixel structure of transflective liquid crystal display array substrate and method for fabricating the same |
JP2013235082A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
JP2018205774A (ja) * | 2013-04-19 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339722A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
JPH04336530A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶ディスプレイ |
JPH06138484A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
JPH08160452A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
JP2003241687A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Fujitsu Display Technologies Corp | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
JP2006276118A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
-
2005
- 2005-10-14 JP JP2005300493A patent/JP2007108513A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0339722A (ja) * | 1989-07-06 | 1991-02-20 | Matsushita Electron Corp | 画像表示装置 |
JPH04336530A (ja) * | 1991-05-14 | 1992-11-24 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶ディスプレイ |
JPH06138484A (ja) * | 1992-10-27 | 1994-05-20 | Nec Corp | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
JPH08160452A (ja) * | 1994-12-06 | 1996-06-21 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板 |
JP2003241687A (ja) * | 2002-02-15 | 2003-08-29 | Fujitsu Display Technologies Corp | 薄膜トランジスタ装置及びその製造方法 |
JP2006276118A (ja) * | 2005-03-28 | 2006-10-12 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8049847B2 (en) | 2007-11-02 | 2011-11-01 | Au Optronics Corporation | Pixel structure of transflective liquid crystal display array substrate and method for fabricating the same |
US8134662B2 (en) | 2007-11-02 | 2012-03-13 | Au Optronics Corporation | Pixel structure of transflective liquid crystal display array substrate and method for fabricating the same |
JP2013235082A (ja) * | 2012-05-08 | 2013-11-21 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、電子機器 |
JP2018205774A (ja) * | 2013-04-19 | 2018-12-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7960199B2 (en) | Thin film transistor (TFT) array substrate and fabricating method thereof that protect the TFT and a pixel electrode without a protective film | |
JP4658514B2 (ja) | 薄膜トランジスタ・アレイ基板及びその製造方法 | |
US6218221B1 (en) | Thin film transistor with a multi-metal structure and a method of manufacturing the same | |
JP2738289B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
US8173498B2 (en) | Method for manufacturing an array substrate | |
US20060050190A1 (en) | Liquid crystal display and fabrication method thereof | |
US7098062B2 (en) | Manufacturing method of pixel structure of thin film transistor liquid crystal display | |
US20180090378A1 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same and display device | |
JP2001201768A (ja) | 反射透過複合形薄膜トランジスタ液晶表示装置 | |
US8778710B2 (en) | Display substrate and method of fabricating the same | |
CN110036458B (zh) | 形成结晶半导体层的方法、制造薄膜晶体管的方法、薄膜晶体管和显示设备 | |
JP2001127307A (ja) | 単一のフォトリソグラフィ・ステップでドレインとソースを画定するための自動整合薄膜トランジスタを製造する方法 | |
JP2000284326A (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
US9721978B2 (en) | Thin film transistor device, manufacturing method thereof, and display apparatus | |
US7492418B2 (en) | Liquid crystal display device with particular metal layer configuration of TFT and fabricating method thereof | |
US8093113B2 (en) | Array substrate for LCD and method of fabrication thereof | |
US20020190253A1 (en) | Thin film transistor formed by an etching process with high anisotropy | |
US8203683B2 (en) | Electro-optic device having terminal section and pixel section with particular multilayer structures | |
US20080251790A1 (en) | Pixel, a Storage Capacitor, and a Method for Forming the Same | |
US10631417B2 (en) | Display apparatus and method of manufacturing the same | |
JP2007108513A (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
US7928441B2 (en) | TFT array panel and fabricating method thereof | |
CN110707104B (zh) | 阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板 | |
US20070145436A1 (en) | Thin film transistor substrate of liquid crystal display and method for fabricating same | |
US8476093B2 (en) | Method of manufacturing a display substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070219 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20110415 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20110420 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20110916 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |