JP2007107922A - Rotation detection device - Google Patents

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  • Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a rotation detection device capable of maintaining properly its sensing sensitivity, even when placed in an environment having a temperature change. <P>SOLUTION: In this rotation detection device, a sensor chip 11 having a magnetic resistance element is disposed integrally with a tongue part 21 of a case body 20 in the state where a feeding terminal T1 and an output terminal T2 are connected to a lead frame 13, and a magnet 30 for applying a bias magnetic field to the magnetic resistance element is formed cylindrically and inserted in the state covering the tongue part 21 of the case body 20 together with the sensor chip 11. The device has a structure for protecting the tongue part 21 and the magnet 30 from an external atmosphere together with the sensor chip 11 by bonding a bottomed cylindrical cap member 40 to the case body 20. The base end face 32 of the magnet 30 is bonded to an adjusting member 50 for adjusting the magnet 30 position in the direction wherein a relative distance between the magnetic resistance element and the magnet 30 tip is shortened following a temperature rise, namely, in the direction wherein a resistance change rate of the magnetic resistance element is increased. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、例えば車載されるエンジンの回転検出や一般機械における各種被検出回転体の回転検出に用いられる回転検出装置に関し、特に磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用してそれら被検出回転体の回転情報を検出する回転検出装置に関する。   The present invention relates to a rotation detection device used for detecting rotation of an engine mounted on a vehicle or rotation detection of various detected rotating bodies in a general machine, and in particular, using a change in resistance value of a magnetoresistive element, The present invention relates to a rotation detection device that detects rotation information.

従来、このように磁気抵抗素子の抵抗値変化を利用して回転検出を行う回転検出装置としては、例えば特許文献１あるいは特許文献２に記載されている装置が知られている。図９に、これら特許文献１あるいは特許文献２に記載されている回転検出装置も含めて、例えばエンジンのクランク角センサ等の回転検出用として従来一般に用いられている回転検出装置の平面構造を示す。   Conventionally, as a rotation detection device that performs rotation detection using the resistance value change of the magnetoresistive element as described above, for example, a device described in Patent Document 1 or Patent Document 2 is known. FIG. 9 shows a planar structure of a rotation detection device that is conventionally used for detecting rotation of, for example, an engine crank angle sensor, including the rotation detection device described in Patent Document 1 or Patent Document 2. .

同図９に示されるように、この回転検出装置では、磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２からなる磁気抵抗素子対１と磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４からなる磁気抵抗素子対２とを備えるセンサチップ１０１が、被検出対象であるロータＲＴと対向するように配設されている。上記センサチップ１０１はその処理回路とともに集積回路化され、モールド樹脂１０２にて一体にモールドされている。具体的には、上記センサチップ１０１は、上記モールド樹脂１０２の内部で図示しないリードフレームの一端に搭載され、その他端から給電端子Ｔ１、出力端子Ｔ２およびＧＮＤ（接地）端子Ｔ３といった各端子がそれぞれ外部へと引き出される構造となっている。また、上記センサチップ１０１の近傍には、モールド樹脂１０２を囲繞するように、上記磁気抵抗素子対１および２にバイアス磁界を付与する磁石（バイアス磁石）３０が配設されている。上記磁石３０は、その長手方向に中空部３１を有する中空円筒状に形成されており、その中空部３１に、上記センサチップ１０１を内蔵するモールド樹脂１０２が挿入されるかたちとなる。   As shown in FIG. 9, in this rotation detection device, a sensor chip 101 including a magnetoresistive element pair 1 composed of magnetoresistive elements MRE1 and MRE2 and a magnetoresistive element pair 2 composed of magnetoresistive elements MRE3 and MRE4 is provided. It arrange | positions so that the rotor RT which is a to-be-detected object may be opposed. The sensor chip 101 is integrated with the processing circuit, and is integrally molded with a mold resin 102. Specifically, the sensor chip 101 is mounted on one end of a lead frame (not shown) inside the mold resin 102, and terminals such as a power supply terminal T1, an output terminal T2, and a GND (ground) terminal T3 are provided from the other end. It is structured to be pulled out to the outside. A magnet (bias magnet) 30 for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element pairs 1 and 2 is disposed in the vicinity of the sensor chip 101 so as to surround the mold resin 102. The magnet 30 is formed in a hollow cylindrical shape having a hollow portion 31 in the longitudinal direction, and the mold resin 102 containing the sensor chip 101 is inserted into the hollow portion 31.

また、こうした構成からなる回転検出装置の実用に際しては一般に、上記センサチップ１０１等をモールドしたモールド樹脂１０２と磁石３０とを適宜のケース部材に収容し、同装置全体を納めた状態でエンジン等に搭載される。図１０に、このような構造を有してエンジン等に搭載される回転検出装置についてその一例を示す。なお、この図１０において、先の図９に示した各要素と機能的に同一の要素については、便宜上、それぞれ同一の符号を付して示している。   Further, in practical use of the rotation detection device having such a configuration, generally, the mold resin 102 obtained by molding the sensor chip 101 or the like and the magnet 30 are accommodated in an appropriate case member, and the entire device is accommodated in an engine or the like. Installed. FIG. 10 shows an example of a rotation detection device having such a structure and mounted on an engine or the like. In FIG. 10, elements that are functionally the same as those shown in FIG. 9 are given the same reference numerals for the sake of convenience.

図１０に示されるように、この回転検出装置では、モールド樹脂１０２および磁石３０が有底筒状のキャップ部材４０に収容されるとともに、センサ本体となるハウジング樹脂１２０と一体に形成されている。このハウジング樹脂１２０は、例えばエンジン本体との接続に用いられるフランジ１２３を備えるとともに、このフランジ１２３から延設される部分には外部の電子制御装置等とのワイヤリングによる接続コネクタとして機能するコネクタ部１２４を備えている。また、上記各端子Ｔ１〜Ｔ３は、このハウジング樹脂１２０内に一体に設けられて上記コネクタとしての端子をも兼ねる金属ターミナル１００ａ〜１００ｃにそれぞれ電気的に接続されている。   As shown in FIG. 10, in this rotation detection device, the mold resin 102 and the magnet 30 are accommodated in a bottomed cylindrical cap member 40 and are integrally formed with a housing resin 120 serving as a sensor body. The housing resin 120 includes a flange 123 used for connection with, for example, an engine body, and a connector portion 124 that functions as a connection connector by wiring with an external electronic control unit or the like at a portion extending from the flange 123. It has. The terminals T1 to T3 are electrically connected to metal terminals 100a to 100c that are integrally provided in the housing resin 120 and also serve as terminals as the connector.

次に、上記センサチップ１０１の上記処理回路をも含めた電気的な構成について、図１１に示す等価回路を併せ参照して説明する。
この図１１に示されるように、磁気抵抗素子対１および２は、電気的にはそれぞれ２つの磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２、あるいは磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４が各々直列接続されたハーフブリッジとして構成されている。そして、磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２の中点電位Ｖａが磁気抵抗素子対１の出力とされ、磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４の中点電位Ｖｂが磁気抵抗素子対２の出力とされる。これら２つの出力は、それぞれ差動増幅器１２ａに入力され、上記中点電位Ｖａと中点電位Ｖｂとの差動出力がさらに比較器１２ｂに入力される。この比較器１２ｂは、所定の閾値電圧Ｖｔｈに基づいて上記差動増幅出力の２値化処理を行う部分であり、この２値化された信号（パルス信号）が出力端子Ｔ２から出力される。このように、上記回転検出装置では磁気抵抗素子対１および２の差動出力と、所定の閾値電圧Ｖｔｈとの交点でセンサ出力の論理レベルが切り替わることに基づいて、ロータＲＴの回転角度等の検出が行われている。 Next, an electrical configuration including the processing circuit of the sensor chip 101 will be described with reference to an equivalent circuit shown in FIG.
As shown in FIG. 11, magnetoresistive element pairs 1 and 2 are electrically configured as half bridges in which two magnetoresistive elements MRE1 and MRE2 or magnetoresistive elements MRE3 and MRE4 are connected in series, respectively. ing. The midpoint potential Va of the magnetoresistive elements MRE1 and MRE2 is the output of the magnetoresistive element pair 1, and the midpoint potential Vb of the magnetoresistive elements MRE3 and MRE4 is the output of the magnetoresistive element pair 2. These two outputs are respectively input to the differential amplifier 12a, and the differential output between the midpoint potential Va and the midpoint potential Vb is further input to the comparator 12b. The comparator 12b is a portion that performs binarization processing of the differential amplification output based on a predetermined threshold voltage Vth, and the binarized signal (pulse signal) is output from the output terminal T2. As described above, in the rotation detection device, based on the fact that the logic level of the sensor output is switched at the intersection of the differential output of the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the predetermined threshold voltage Vth, the rotation angle of the rotor RT, etc. Detection is taking place.

一方、この回転検出装置では、先の図１０にその詳細を示すように、上記キャップ部材４０の内底面４３に上記磁石３０の先端面３３が当接されており、この内底面４３に形成された突起部４５に上記センサチップ１０１が内蔵されたモールド樹脂１０２の先端部が当接されている。そして、これらの当接によって、磁気抵抗素子対１および２と磁石３０との距離であるＭ（ＭＲＥ）−Ｍ（Ｍａｇｎｅｔ）距離ｄが決定されている。すなわちこの回転検出装置においては、上記キャップ部材４０の内底面４３に設けられた上記突起部４５の突出長を通じてロータＲＴとの関係も含めた上記磁気ベクトルの振れ角、換言すれば当該回転検出装置としてのセンシング感度の最適化が図られるようになっている。
特開２００１−１１６８１５号公報 特許第３１０２２６８号公報 On the other hand, in this rotation detection device, as shown in detail in FIG. 10, the tip surface 33 of the magnet 30 is in contact with the inner bottom surface 43 of the cap member 40, and is formed on the inner bottom surface 43. The tip of the mold resin 102 in which the sensor chip 101 is built is in contact with the protruding portion 45. The abutment determines a M (MRE) -M (Magnet) distance d, which is the distance between the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the magnet 30. That is, in this rotation detection device, the deflection angle of the magnetic vector including the relationship with the rotor RT through the protruding length of the protrusion 45 provided on the inner bottom surface 43 of the cap member 40, in other words, the rotation detection device. As a result, the sensing sensitivity can be optimized.
JP 2001-116815 A Japanese Patent No. 312268

一般に、回転検出装置に用いられている上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４をはじめとする検出素子や、上記センサチップ１０１とともに集積化される各種処理回路等は、その電気的特性が温度依存性を有するものが多い。このため、例えば回転検出装置が高温環境下におかれて温度が上昇すると、磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４により感知される抵抗値変化は小さくなり、上述した差動増幅信号の出力の振幅も小さくなる。そしてこの場合、上述した差動増幅信号と閾値電圧Ｖｔｈとの交点にばらつきが生じることとなり、ひいてはロータの回転角度等の検出感度の低下も避けられないものとなる。なお従来の回転検出装置では、上述のように磁気抵抗素子対１および２と磁石３０との距離であるＭ（ＭＲＥ）−Ｍ（Ｍａｇｎｅｔ）距離ｄを高精度に調整することにより、回転検出装置としてのセンシング感度の最適化が図られてはいる。しかしながら、こうしたＭ−Ｍ距離の調整は、それら磁石３０とセンサチップ１０１が内蔵されたモールド樹脂１０２との組付け時、すなわち室温において行われるため、上述した温度変化に伴って生じる検出感度の低下が無視できない実情にある。   In general, detection elements such as the magnetoresistive elements MRE1 to MRE4 used in the rotation detection device, various processing circuits integrated with the sensor chip 101, and the like have electrical characteristics that are temperature dependent. There are many things. For this reason, for example, when the rotation detection device is placed in a high temperature environment and the temperature rises, the resistance value change sensed by the magnetoresistive elements MRE1 to MRE4 becomes small, and the amplitude of the output of the differential amplification signal described above also becomes small. . In this case, the intersection between the differential amplification signal and the threshold voltage Vth described above varies, and a decrease in detection sensitivity such as the rotation angle of the rotor is unavoidable. In the conventional rotation detection device, the M (MRE) -M (Magnet) distance d that is the distance between the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the magnet 30 is adjusted with high accuracy as described above. As a result, the sensing sensitivity is optimized. However, such adjustment of the MM distance is performed at the time of assembling the magnet 30 and the mold resin 102 in which the sensor chip 101 is built, that is, at room temperature, so that the detection sensitivity is reduced due to the temperature change described above. Is in fact that cannot be ignored.

この発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、たとえ温度変化を伴う環境におかれる場合であれ、そのセンシング感度を適正に維持することのできる回転検出装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a rotation detection device capable of appropriately maintaining the sensing sensitivity even in an environment with a temperature change. .

こうした目的を達成するため、請求項１に記載の回転検出装置では、磁気抵抗素子を有するセンサチップと、該センサチップの前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とを備え、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記磁石から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子を通じて感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置として、前記センサチップはその給電端子および出力端子がリードフレームに接続された状態で非磁性体材料からなるケース本体の舌部に一体に配設されるとともに、前記磁石は筒状に形成されて前記センサチップ共々前記ケース本体の舌部を覆う態様で挿入され、有底筒状の非磁性体材料からなるキャップ部材が前記ケース本体の舌部導出面を塞ぐ態様で同キャップ部材の開口端が前記ケース本体に接合されることによって前記センサチップ共々前記舌部および前記磁石が外部雰囲気から保護される構造を有し、前記磁石の少なくとも一方端は、温度の上昇に伴って前記磁気抵抗素子と磁石先端との相対距離が短縮される方向に同磁石の位置を調整する調整部材に接合される構造とした。   In order to achieve such an object, the rotation detection device according to claim 1 includes a sensor chip having a magnetoresistive element and a magnet for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element of the sensor chip. As a rotation detecting device for detecting a rotation mode of the rotor by sensing a change in a magnetic vector generated in cooperation with a bias magnetic field applied from the magnet when the rotor rotates in the vicinity through the magnetoresistive element, The sensor chip is integrally disposed on the tongue of the case body made of a non-magnetic material in a state where the power supply terminal and the output terminal are connected to the lead frame, and the magnet is formed in a cylindrical shape and the sensor chip A cap member made of a non-magnetic material having a bottomed cylindrical shape is inserted so as to cover the tongue portion of the case body, and the tongue portion of the case body is led out. The opening end of the cap member is joined to the case body so as to block the tongue, and the sensor chip and the magnet are protected from the external atmosphere together with at least one end of the magnet. The structure is joined to an adjustment member that adjusts the position of the magnet in such a direction that the relative distance between the magnetoresistive element and the magnet tip decreases as the temperature rises.

このように磁気抵抗素子を用いてロータの回転検出を行う回転検出装置では、磁気抵抗素子により感知される抵抗変化率が、上述したＭ−Ｍ距離に依存して２つの極大値（ピーク）を有するかたちで変化することが知られている（例えば特許文献２参照）。そして、回転検出装置のセンサとして検出可能な抵抗変化率は「０．２％」以上であり、同センサとしての検出感度を上げるためには、上記抵抗変化率がより極大値に近づくようにＭ−Ｍ距離を設定することが望ましい。一方、こうした抵抗変化率は、磁気抵抗素子とロータの歯との距離（エアギャップ）や磁石の形状等の諸条件によってその極大値（ピーク）の位置がシフトするため、上記望ましいＭ−Ｍ距離もこれら条件に応じて変化することとなる。しかしながら、これらを一般的に見た場合、エアギャップが「１．１ｍｍ」〜「３．１ｍｍ」の範囲では、上記Ｍ−Ｍ距離を抵抗変化率の極大値のひとつである「０ｍｍ」近傍の値に、換言すれば同Ｍ−Ｍ距離が短縮されるように調整することが望ましいといった結論に至る。すなわち、こうしたかたちでＭ−Ｍ距離の調整が図られることにより、結果的にほぼ全てのエアギャップ範囲において、確実に磁気抵抗素子の抵抗変化率が拡大されるようになる。   Thus, in the rotation detection device that detects the rotation of the rotor using the magnetoresistive element, the resistance change rate sensed by the magnetoresistive element has two maximum values (peaks) depending on the MM distance described above. It is known to change depending on how it is held (see, for example, Patent Document 2). The rate of change in resistance that can be detected as a sensor of the rotation detection device is “0.2%” or more. In order to increase the detection sensitivity of the sensor, M is set so that the rate of change in resistance approaches a maximum value. It is desirable to set a -M distance. On the other hand, since the position of the maximum value (peak) is shifted depending on various conditions such as the distance (air gap) between the magnetoresistive element and the rotor teeth and the shape of the magnet, the resistance change rate is desirable MM distance. Will also change according to these conditions. However, when these are generally seen, when the air gap is in the range of “1.1 mm” to “3.1 mm”, the MM distance is in the vicinity of “0 mm” which is one of the maximum values of the resistance change rate. In other words, it is concluded that it is desirable to adjust so that the MM distance is shortened. That is, by adjusting the MM distance in this manner, the resistance change rate of the magnetoresistive element is surely expanded in almost all air gap ranges.

この点、回転検出装置としての上記構造によれば、例えば車載エンジンや一般機械等に搭載されて高温環境下におかれる場合であれ、温度上昇に伴う上記調整部材の寸法変化を利用して、該調整部材と接合される磁石と上記磁気抵抗素子との相対距離、すなわち上述したＭ−Ｍ距離を磁気抵抗素子の抵抗変化率が拡大される方向に変化させることができるようになる。そしてこれにより、回転検出装置としての検出感度も、温度変化による影響が抑制されるかたちで高く維持されるようになる。また、上記Ｍ−Ｍ距離の調整は、上記回転検出装置を構成するセンサチップ、ケース本体、磁石およびキャップ部材といった各部品が一体に組み付けられた状態でいわば自動的に行われるため、その実現も容易である。   In this regard, according to the structure as the rotation detection device, for example, when mounted in an in-vehicle engine or a general machine and placed in a high temperature environment, using the dimensional change of the adjustment member accompanying a temperature rise, The relative distance between the magnet joined to the adjusting member and the magnetoresistive element, that is, the MM distance described above can be changed in the direction in which the rate of change in resistance of the magnetoresistive element is increased. As a result, the detection sensitivity as the rotation detection device is also maintained high in such a manner that the influence of the temperature change is suppressed. In addition, the adjustment of the MM distance is automatically performed in a state where the parts such as the sensor chip, the case main body, the magnet, and the cap member constituting the rotation detecting device are integrally assembled, so that the realization is also realized. Easy.

またこの場合、請求項２に記載の発明によるように、前記調整部材は、前記ケース本体よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料によって形成されることとすれば、上記調整部材としての材料選択の自由度、並びにその配設にかかる自由度が高められるようになる。   In this case, as in the invention described in claim 2, if the adjustment member is formed of a nonmagnetic material having a larger linear expansion coefficient than the case main body, the material selection as the adjustment member is performed. As well as the degree of freedom of the arrangement, the degree of freedom of the arrangement can be increased.

なお、この請求項２に記載の構造に関しては、例えば請求項３に記載の発明によるように、
（イ）前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されている前提のもとに、前記調整部材を前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間に介装する構造。
あるいは請求項４に記載の発明によるように、
（ロ）同じく前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されている前提のもとに、前記調整部材として前記キャップ部材そのものを用い、同キャップ部材の内底面の一部に前記磁石の先端面を接合する構造。
等々が有効である。 As for the structure according to claim 2, for example, according to the invention according to claim 3,
(A) On the premise that the sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet, the adjustment member is connected to the tongue portion lead-out surface of the case body. A structure interposed between the base end face of the magnet.
Alternatively, as in the invention according to claim 4,
(B) Similarly, the cap member itself is used as the adjustment member on the premise that the sensor chip is disposed on the tongue of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet. The structure which joins the front end surface of the said magnet to a part of inner bottom face of a cap member.
Etc. are effective.

これらの構造はいずれも、磁気抵抗素子が磁石先端から突き出すかたちで配設される、いわば上記Ｍ−Ｍ距離が正の値をとる場合に有効な構造であり、特に上記（イ）の構造では、上記調整部材と上記ケース本体との線膨張差により、温度が上昇したときには調整部材の方がより大きく寸法変化して上記Ｍ−Ｍ距離の短縮、すなわち磁気抵抗素子における抵抗変化率の拡大が図られるようになる。また、上記（ロ）の構造では、上記調整部材であるキャップ部材と上記ケース本体との線膨張差により、温度が上昇したときにはキャップ部材の方がより大きく寸法変化して、やはり上記Ｍ−Ｍ距離の短縮が図られるようになる。しかもこの場合、上記調整部材がキャップ部材そのものとして形成されることから、部品数の増加や各部品の組付け工数等の変更を伴うことなく、より容易に上記請求項１にかかる構造の実現を図ることが可能となる。   All of these structures are effective when the magnetoresistive element is arranged in a protruding manner from the tip of the magnet, that is, when the MM distance takes a positive value. When the temperature rises due to the difference in linear expansion between the adjusting member and the case main body, the adjusting member changes in size more greatly, shortening the MM distance, that is, increasing the resistance change rate in the magnetoresistive element. Become figured. In the structure (b), when the temperature rises due to a difference in linear expansion between the cap member serving as the adjustment member and the case body, the cap member undergoes a larger dimensional change, and again the MM. The distance can be shortened. Moreover, in this case, since the adjustment member is formed as the cap member itself, the structure according to claim 1 can be more easily realized without increasing the number of parts or changing the number of assembling steps of each part. It becomes possible to plan.

一方、請求項１に記載の構造に関しては、例えば請求項５に記載の発明によるように、前記調整部材を、前記ケース本体および前記キャップ部材よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料によって形成することもできる。この場合には、これらケース本体とキャップ部材とで同一の材料を使用することができるようになるため、上記調整部材としての材料選択の自由度、並びにその配設にかかる自由度がさらに高められることともなる。   On the other hand, regarding the structure according to claim 1, for example, as in the invention according to claim 5, the adjustment member is formed of a nonmagnetic material having a larger linear expansion coefficient than the case main body and the cap member. You can also In this case, since the same material can be used for the case main body and the cap member, the degree of freedom in selecting the material as the adjusting member and the degree of freedom in the arrangement thereof are further increased. It will be also.

そしてこの場合には、例えば請求項６に記載の発明によるように、前記磁気抵抗素子が前記磁石先端の内側に収まる態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されている前提のもとに、前記調整部材を前記キャップ部材の内底面と前記磁石の先端面との間に介装する構造が有効である。すなわちこの場合、上記Ｍ−Ｍ距離が負の値をとることとなるため、上記調整部材と上記キャップ部材との線膨張差および上記調整部材と上記ケース本体との線膨張差により、温度が上昇したときには、調整部材のより大きな寸法変化を通じて同Ｍ−Ｍ距離の短縮を図ることができるようになる。   In this case, for example, according to the invention described in claim 6, it is assumed that the sensor chip is disposed on the tongue of the case body so that the magnetoresistive element fits inside the tip of the magnet. Basically, a structure in which the adjustment member is interposed between the inner bottom surface of the cap member and the tip end surface of the magnet is effective. That is, in this case, since the MM distance takes a negative value, the temperature rises due to the difference in linear expansion between the adjustment member and the cap member and the difference in linear expansion between the adjustment member and the case body. In this case, the MM distance can be shortened through a larger dimensional change of the adjustment member.

また一方、請求項１に記載の構造に関しては、例えば請求項７に記載の発明によるように、
（ハ）前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されている前提のもとに、前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間には非磁性体材料からなる第１の調整部材を、また前記キャップ部材の内底面と前記磁石先端との間には非磁性体材料からなる第２の調整部材をそれぞれ介装し、前記第１の調整部材の線膨張係数がα１、前記第２の調整部材の線膨張係数がα２であるとき、それら線膨張係数を「α１＞α２」なる関係に設定する構造。
あるいは請求項８に記載の発明によるように、
（ニ）前記磁気抵抗素子が前記磁石先端の内側に収まる態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されている前提のもとに、前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間には非磁性体材料からなる第１の調整部材を、また前記キャップ部材の内底面と前記磁石先端との間には非磁性体材料からなる第２の調整部材をそれぞれ介装し、前記第１の調整部材の線膨張係数がα１、前記第２の調整部材の線膨張係数がα２であるとき、それら線膨張係数を「α１＜α２」なる関係に設定する構造。
等々の構造を採用することもできる。 On the other hand, regarding the structure according to claim 1, for example, according to the invention according to claim 7,
(C) Based on the premise that the sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet, a base portion of the tongue portion of the case body and the base of the magnet A first adjustment member made of a nonmagnetic material is interposed between the end surfaces, and a second adjustment member made of a nonmagnetic material is interposed between the inner bottom surface of the cap member and the tip of the magnet. When the linear expansion coefficient of the first adjustment member is α1 and the linear expansion coefficient of the second adjustment member is α2, the linear expansion coefficient is set to a relationship of “α1> α2”.
Alternatively, as in the invention according to claim 8,
(D) The tongue lead-out surface of the case main body and the magnet on the premise that the sensor chip is disposed on the tongue of the case main body so that the magnetoresistive element fits inside the tip of the magnet. A first adjusting member made of a non-magnetic material is provided between the base end surface of the cap member, and a second adjusting member made of a non-magnetic material is provided between the inner bottom surface of the cap member and the tip of the magnet. And a structure in which when the linear expansion coefficient of the first adjustment member is α1 and the linear expansion coefficient of the second adjustment member is α2, the linear expansion coefficient is set to a relationship of “α1 <α2”.
And so on.

ちなみに、上記（ハ）の構造では、上記Ｍ−Ｍ距離が正の値をとるときに、上記第１の調整部材と第２の調整部材との線膨張差により、温度が上昇したときには、上記第１の調整部材のより大きな寸法変化を通じて同Ｍ−Ｍ距離の短縮を図ることができるようになる。また、上記（ニ）の構造では、上記Ｍ−Ｍ距離が負の値をとるときに、やはり上記第１の調整部材と第２の調整部材との線膨張差により、温度が上昇したときには、上記第２の調整部材のより大きな寸法変化を通じて同Ｍ−Ｍ距離の短縮を図ることができるようになる。なお、上記（ハ）および（ニ）の構造においては、上記キャップ部材が、上記第１および第２の調整部材の線膨張係数を吸収し得る線膨張係数に設定されることが望ましい。   Incidentally, in the structure (c), when the MM distance takes a positive value, when the temperature rises due to the difference in linear expansion between the first adjustment member and the second adjustment member, The MM distance can be shortened through a larger dimensional change of the first adjustment member. In the structure (d), when the MM distance takes a negative value, when the temperature rises due to the difference in linear expansion between the first adjustment member and the second adjustment member, The MM distance can be shortened through a larger dimensional change of the second adjustment member. In the structures (c) and (d), the cap member is desirably set to a linear expansion coefficient that can absorb the linear expansion coefficients of the first and second adjustment members.

また、上記請求項２〜８のいずれかに記載の構造において、請求項９に記載の発明によるように、前記非磁性体材料としてポリアミド樹脂を用い、同樹脂に含まれるガラス繊維の含有率および形状および大きさおよびガラス繊維の種類の少なくとも１つを通じて前記線膨張係数を調整することとすれば、所望の線膨張係数を有する調整部材を容易に得ることができるようになる。   Further, in the structure according to any one of claims 2 to 8, as in the invention according to claim 9, a polyamide resin is used as the non-magnetic material, and the content of glass fibers contained in the resin and If the linear expansion coefficient is adjusted through at least one of shape and size and glass fiber type, an adjustment member having a desired linear expansion coefficient can be easily obtained.

また、上記請求項１に記載の構造においては、例えば請求項１０に記載の発明によるように、
（ホ）前記調整部材としてバイメタルを採用する構造。
あるいは請求項１１に記載の発明によるように、
（ヘ）前記調整部材として形状記憶合金を採用する構造。
等々も有効である。 Further, in the structure according to claim 1, for example, according to the invention according to claim 10,
(E) A structure that employs a bimetal as the adjusting member.
Or, according to the invention of claim 11,
(F) A structure employing a shape memory alloy as the adjusting member.
And so on.

これら（ホ）あるいは（ヘ）のいずれの構造によっても、温度の上昇に伴う調整部材としての形状変化を利用して、Ｍ−Ｍ距離についての上述した調整を図ることができるようになる。   With either of these structures (e) or (f), the above-described adjustment of the MM distance can be achieved by utilizing the shape change as the adjusting member accompanying the rise in temperature.

また、これら請求項１〜１１のいずれかに記載の構造において、請求項１２に記載の発明によるように、前記ケース本体の舌部には前記センサチップによる検出信号を電気的に処理するとともに、調整用のデータを記憶する不揮発性メモリを有する処理回路チップを併せて配設することとし、この不揮発性メモリに記憶されている調整用のデータに基づいて前記センサチップによる検出信号の出力波形を調整する構成とすれば、当該回転検出装置による検出信号としてより適正に調整された出力波形に対して、上述したＭ−Ｍ距離の温度変化に伴う自動補正が施されることとなり、同回転検出装置としてのさらなるセンシング感度の向上が期待できるようになる。   Further, in the structure according to any one of the first to eleventh aspects, as in the invention according to the twelfth aspect, the tongue of the case body electrically processes a detection signal from the sensor chip, A processing circuit chip having a nonvolatile memory for storing adjustment data is also provided, and an output waveform of a detection signal from the sensor chip is based on the adjustment data stored in the nonvolatile memory. If the configuration is adjusted, the output waveform that is more appropriately adjusted as a detection signal by the rotation detection device is subjected to the automatic correction according to the temperature change of the MM distance, and the rotation detection is performed. Further improvement in sensing sensitivity as a device can be expected.

（第１の実施の形態）
以下、この発明にかかる回転検出装置の第１の実施の形態について、図１〜図４を参照して説明する。なお、先の図９〜図１１に示した従来の回転検出装置の各要素と機能的に同一の要素については、便宜上、それぞれ同一の符号を付して示すこととする。 (First embodiment)
Hereinafter, a first embodiment of a rotation detection device according to the present invention will be described with reference to FIGS. Elements that are functionally the same as those of the conventional rotation detection apparatus shown in FIGS. 9 to 11 are denoted by the same reference numerals for the sake of convenience.

図１は、この実施の形態にかかる回転検出装置が、先の図１０に例示した装置と同様、例えば車載エンジンのクランク角センサ等の回転検出用に用いられる回転検出装置に適用される場合について、その一部断面側面構造を模式的に示したものである。また、図２は図１のＡ−Ａに沿った断面構造を模式的に示したものである。   FIG. 1 shows a case where the rotation detection device according to this embodiment is applied to a rotation detection device used for rotation detection, such as a crank angle sensor of an in-vehicle engine, as in the device illustrated in FIG. The partial cross-sectional side structure is schematically shown. FIG. 2 schematically shows a cross-sectional structure along AA in FIG.

これら図１および図２に併せ示すように、この実施の形態にかかる回転検出装置は、ベアチップからなるセンシングチップ１０および磁石（バイアス磁石）３０がケース本体２０およびキャップ部材４０により構成されるハウジング内に密閉されて外部雰囲気から保護される構造となっている。   As shown in FIGS. 1 and 2, the rotation detection device according to this embodiment includes a sensing chip 10 and a magnet (bias magnet) 30 formed of a bare chip in a housing in which a case body 20 and a cap member 40 are formed. It is sealed and protected from the external atmosphere.

このうち、上記センシングチップ１０は、磁気抵抗素子対１および２を有するセンサチップ１１と、集積回路化されてこれら磁気抵抗素子対１および２により検出される信号の各種処理を行う処理回路チップ１２とから構成されている。   Among them, the sensing chip 10 includes a sensor chip 11 having magnetoresistive element pairs 1 and 2, and a processing circuit chip 12 that is integrated into a circuit and performs various processing of signals detected by the magnetoresistive element pairs 1 and 2. It consists of and.

また、上記ケース本体２０は、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂等の非磁性体材料からなり、その側壁に例えばエンジン本体と締結されるフランジ２３を備えるとともに、上記フランジ２３から延設される部分には外部の電子制御装置などと接続されるコネクタ部２４を備えている。また、このケース本体２０は上記キャップ部材４０の内方に突出する態様で延設される板状の舌部２１を備えている。この舌部２１には、リードフレーム１３をはじめ、センサチップ１１や処理回路チップ１２の実装面が一体に鋳込まれている。そしてこの舌部２１に、これらセンサチップ１１および処理回路チップ１２が上記リードフレーム１３と電気的に接続されるかたちでそれぞれ実装（搭載）されている。具体的には、上記センサチップ１１と処理回路チップ１２とはボンディングワイヤＷ１によって、また上記処理回路チップ１２とリードフレーム１３の一端とはボンディングワイヤＷ２によってそれぞれ電気的に接続されている。なおこの実施の形態において、上記リードフレーム１３は、上記コネクタ部２４の端子をもかねる金属ターミナルの一部として形成されており、これら金属ターミナルがそれぞれ、センシングチップ１０の給電端子Ｔ１、出力端子Ｔ２、およびＧＮＤ（接地）端子Ｔ３となる。   The case body 20 is made of a non-magnetic material such as PPS (polyphenylene sulfide) resin, and includes a flange 23 fastened to the engine body on the side wall thereof, and a portion extending from the flange 23. Includes a connector portion 24 connected to an external electronic control device or the like. Further, the case body 20 includes a plate-like tongue portion 21 extending in a manner protruding inward of the cap member 40. The tongue 21 is integrally molded with the mounting surface of the sensor chip 11 and the processing circuit chip 12 as well as the lead frame 13. The sensor chip 11 and the processing circuit chip 12 are mounted (mounted) on the tongue 21 in such a manner as to be electrically connected to the lead frame 13. Specifically, the sensor chip 11 and the processing circuit chip 12 are electrically connected by a bonding wire W1, and the processing circuit chip 12 and one end of the lead frame 13 are electrically connected by a bonding wire W2. In this embodiment, the lead frame 13 is formed as a part of a metal terminal that also serves as a terminal of the connector portion 24, and these metal terminals are the power feeding terminal T1 and the output terminal T2 of the sensing chip 10, respectively. And GND (ground) terminal T3.

一方、上記磁石３０は、例えば円柱の長手方向内部に四角形状の中空部３１を有する筒状に形成されており、上記センシングチップ１０共々、ケース本体２０の舌部２１を覆う態様で挿入されている。この磁石３０は、センサチップ１１に組み込まれている上記磁気抵抗素子対１および２に対してバイアス磁界を付与するものであり、先の図９等に例示したロータの回転時にこのバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化が上記磁気抵抗素子対１および２の抵抗値変化として感知される。   On the other hand, the magnet 30 is formed, for example, in a cylindrical shape having a rectangular hollow portion 31 inside the longitudinal direction of the cylinder, and is inserted in a manner covering the tongue portion 21 of the case body 20 together with the sensing chip 10. Yes. The magnet 30 applies a bias magnetic field to the magnetoresistive element pairs 1 and 2 incorporated in the sensor chip 11, and cooperates with the bias magnetic field when the rotor illustrated in FIG. The change in the magnetic vector caused by the action is detected as a change in the resistance value of the magnetoresistive element pair 1 and 2.

また、上記キャップ部材４０は有底筒状に形成されており、例えばＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂等の非磁性体材料からなる。そして、このキャップ部材４０は、上記ケース本体２０の舌部２１が導出される舌部導出面２２を塞ぐ態様で同キャップ部材４０の開口端４１が上記ケース本体２０に接合されて一体に組み付けられることで、上記センシングチップ１０共々、舌部２１および磁石３０を外部雰囲気から保護する。   The cap member 40 is formed in a bottomed cylindrical shape, and is made of a nonmagnetic material such as PPS (polyphenylene sulfide) resin. The cap member 40 is assembled integrally by joining the opening end 41 of the cap member 40 to the case body 20 in such a manner as to close the tongue lead-out surface 22 from which the tongue 21 of the case body 20 is led out. Thus, the tongue 21 and the magnet 30 are protected from the external atmosphere together with the sensing chip 10.

図３は、上記センシングチップ１０の内部の等価回路の一例を示したものであり、以下、この図３を参照して、上記回転検出装置の電気的な構成、主に信号処理回路の構成について説明する。   FIG. 3 shows an example of an equivalent circuit inside the sensing chip 10. Hereinafter, referring to FIG. 3, the electrical configuration of the rotation detection device, mainly the configuration of the signal processing circuit, will be described. explain.

図３に示されるように、そして上述のように、センシングチップ１０はセンサチップ１１とその処理回路である処理回路チップ１２とを備えて構成される。このうち、センサチップ１１は、上述のように磁気抵抗素子対１および２を備え、これら磁気抵抗素子対１および２は、電気的にはそれぞれ磁気抵抗素子ＭＲＥ１およびＭＲＥ２、あるいは磁気抵抗素子ＭＲＥ３およびＭＲＥ４が各々直列接続されたハーフブリッジとして構成されている。そして、磁気抵抗素子ＭＲＥ１とＭＲＥ３との共通接続部には定電圧「＋Ｖ」が印加され、磁気抵抗素子ＭＲＥ２とＭＲＥ４の共通接続部は接地されている。   As shown in FIG. 3 and as described above, the sensing chip 10 includes a sensor chip 11 and a processing circuit chip 12 that is a processing circuit thereof. Among these, the sensor chip 11 includes the magnetoresistive element pairs 1 and 2 as described above, and these magnetoresistive element pairs 1 and 2 are electrically connected to the magnetoresistive elements MRE1 and MRE2 or the magnetoresistive elements MRE3 and MRE3, respectively. Each MRE 4 is configured as a half bridge connected in series. A constant voltage “+ V” is applied to the common connection between the magnetoresistive elements MRE1 and MRE3, and the common connection between the magnetoresistive elements MRE2 and MRE4 is grounded.

ここで、上記ブリッジ接続されている磁気抵抗素子対１の中点電位Ｖａと磁気抵抗素子対２の中点電位Ｖｂとはそれぞれ処理回路チップ１２内の差動増幅器１２ａに入力される。そして、この差動増幅器１２ａの出力である上記中点電位Ｖａと中点電位Ｖｂとの差動増幅出力はさらに比較器１２ｂを通じて２値化処理される。こうして２値化処理された２値化信号（パルス信号）が、当該回転検出装置による回転検出信号として上記出力端子Ｔ２を介してから出力される。なお、この比較器１２ｂでは、上記定電圧「＋Ｖ」の抵抗Ｒ１およびＲ２による分圧電圧である閾値電圧Ｖｔｈを基準として上記差動増幅出力の２値化が行われる。   Here, the midpoint potential Va of the magnetoresistive element pair 1 and the midpoint potential Vb of the magnetoresistive element pair 2 that are bridge-connected are input to the differential amplifier 12a in the processing circuit chip 12, respectively. The differential amplification output of the midpoint potential Va and the midpoint potential Vb, which is the output of the differential amplifier 12a, is further binarized through the comparator 12b. The binarized signal (pulse signal) binarized in this way is output as a rotation detection signal from the rotation detection device via the output terminal T2. In the comparator 12b, the differential amplification output is binarized on the basis of the threshold voltage Vth that is a voltage divided by the resistors R1 and R2 of the constant voltage “+ V”.

また、この実施の形態においては、上記処理回路チップ１２は、例えばＥＰＲＯＭ等の不揮発性メモリを内部に有して構成されるメモリ回路１２ｃを備えている。このメモリ回路１２ｃは、上記不揮発性メモリに記憶されている調整用のデータをＤ／Ａ（デジタル／アナログ）変換、もしくはデコードした信号をここでは例えば上記差動増幅器１２ａに与えてそのオフセット調整等を行う回路である。ちなみに、この調整用のデータとしては、
ａ．処理回路チップ１２中に組み込まれる差動増幅器１２ａのオフセット調整のためのデータ。
ｂ．処理回路チップ１２中に組み込まれる比較器１２ｂの閾値電圧Ｖｔｈを調整するためのデータ。
ｃ．処理回路チップ１２中に組み込まれる回路全体の温度補償を行うためのデータ。
等々があるが、図３では便宜上、上記ｂ．や上記ｃ．のデータに基づく調整に関してはそのための詳細な図示を割愛している。 Further, in this embodiment, the processing circuit chip 12 includes a memory circuit 12c configured to have a nonvolatile memory such as an EPROM therein. This memory circuit 12c is a signal obtained by D / A (digital / analog) conversion of the adjustment data stored in the non-volatile memory, or a signal obtained by decoding the data, for example, to the differential amplifier 12a to adjust the offset thereof. It is a circuit which performs. By the way, as data for this adjustment,
a. Data for offset adjustment of the differential amplifier 12a incorporated in the processing circuit chip 12.
b. Data for adjusting the threshold voltage Vth of the comparator 12b incorporated in the processing circuit chip 12.
c. Data for performing temperature compensation of the entire circuit incorporated in the processing circuit chip 12.
However, in FIG. Or c. The detailed illustration for the adjustment based on the data is omitted.

なお、このメモリ回路１２ｃでは、例えば図３に例示するようなクロックによる電圧変調信号が上記調整用のデータとしてデータ用端子Ｔ４（図３、図２）に印加されることにより、これをクロック成分とデータ成分とに復調してそのデータ内容（デジタル信号）を上記不揮発性メモリの該当するアドレスに書き込む。そして、この書き込んだデータを上述のようにＤ／Ａ変換やデコードして生成した信号に基づき、上記差動増幅器１２ａのオフセット調整や比較器１２ｂの閾値調整、温度補償等を行うこととなる。処理回路チップ１２においてこのような調整や温度補償を行うことで、上記磁気抵抗素子ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４と磁石３０やロータ（図９、図１０）との位置関係に応じて定まる検出精度が改善されるようになる。   In the memory circuit 12c, for example, a voltage modulation signal based on a clock as illustrated in FIG. 3 is applied to the data terminal T4 (FIGS. 3 and 2) as the adjustment data, and this is converted into a clock component. And the data content (digital signal) are written into the corresponding addresses of the nonvolatile memory. Based on the signal generated by D / A conversion or decoding of the written data as described above, offset adjustment of the differential amplifier 12a, threshold adjustment of the comparator 12b, temperature compensation, and the like are performed. By performing such adjustment and temperature compensation in the processing circuit chip 12, the detection accuracy determined according to the positional relationship between the magnetoresistive elements MRE1 to MRE4 and the magnet 30 and the rotor (FIGS. 9 and 10) is improved. It becomes like this.

一方、この実施の形態にかかる回転検出装置では、先の図１および図２に示されるように、磁石３０の上記ケース本体２０と対向する基端面３２と、ケース本体２０の上記舌部導出面２２との間に調整部材５０が介装されている。この調整部材５０は、上記ケース本体２０よりも線膨張係数の大きい例えばＰＡ６６（ポリアミド６６）樹脂等の非磁性体材料からなる。具体的には、ケース本体２０は上述のようにＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂からなり、その線膨張係数は例えば「２０×１０−６／℃」であり、これに対し上記調整部材５０としては、その線膨張係数が例えば「８０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用いている。そして、これらケース本体２０および調整部材５０は、磁石３０およびキャップ部材４０共々、室温（例えば２５℃）付近で一体に組付けられ、この組付け時に上記磁気抵抗素子対１および２と上記磁石３０の先端との距離であるＭ−Ｍ距離ｄが設定されて、これら磁石３０と磁気抵抗素子対１および２との相対位置が位置決めされる。 On the other hand, in the rotation detection device according to this embodiment, as shown in FIGS. 1 and 2, the base end surface 32 of the magnet 30 facing the case body 20 and the tongue portion lead-out surface of the case body 20 are provided. An adjustment member 50 is interposed between the control member 50 and the motor 22. The adjusting member 50 is made of a non-magnetic material such as PA66 (polyamide 66) resin having a larger linear expansion coefficient than the case body 20. Specifically, the case main body 20 is made of PPS (polyphenylene sulfide) resin as described above, and its linear expansion coefficient is, for example, “20 × 10 −6 / ° C.”. A polyamide resin (PA66) having a linear expansion coefficient of, for example, “80 × 10 −6 / ° C.” is used. The case body 20 and the adjustment member 50 are assembled together at a room temperature (for example, 25 ° C.) together with the magnet 30 and the cap member 40, and the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the magnet 30 are assembled at the time of this assembly. The MM distance d, which is the distance from the tip of the magnet, is set, and the relative positions of the magnet 30 and the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are positioned.

そして、この実施の形態にかかる回転検出装置では、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３から突き出す態様で上記センサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されており、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが例えば「＋０．５ｍｍ」に設定された状態で上述の調整等を通じた最適化が図られているとする。ここで、通常であれば、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「１５０℃」まで上昇したとすると、上記磁気抵抗素子対１および２自体の温度特性によりその抵抗変化率が低下し、ひいては検出感度が低下する。しかしこの実施の形態にあっては、上記調整部材５０と上記ケース本体２０の舌部２１との上述した線膨張差により、調整部材５０は長さＬ１が舌部２１の寸法変化に対しより大きく変化する。これにより、この調整部材５０に接合されている磁石３０がキャップ部材４０の内底面４３側に移動し、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように、すなわち「０ｍｍ」に近づくように変化するようになる。   In the rotation detection device according to this embodiment, the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 in such a manner that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 protrude from the tip surface 33 of the magnet 30. It is assumed that optimization is performed through the above-described adjustment in a state where the MM distance d is set to “+0.5 mm”, for example. Here, normally, assuming that the rotation detection device is placed in a high temperature environment during use and the temperature of the entire device rises to, for example, “150 ° C.”, the temperature characteristics of the magnetoresistive element pairs 1 and 2 themselves. As a result, the rate of change in resistance decreases, and as a result, the detection sensitivity decreases. However, in this embodiment, the adjustment member 50 has a length L1 larger than the dimensional change of the tongue portion 21 due to the above-described linear expansion difference between the adjustment member 50 and the tongue portion 21 of the case body 20. Change. As a result, the magnet 30 joined to the adjustment member 50 moves toward the inner bottom surface 43 of the cap member 40, and changes so that the MM distance d is shortened, that is, approaches "0 mm". It becomes like this.

図４は、例えば先の特許文献２の記載をもとに、こうした回転検出装置におけるＭ−Ｍ距離と磁気抵抗素子の抵抗変化率との関係を示したものであり、一例としてエアギャップが「１．１ｍｍ」に設定される場合について示したものである。この図４に実線で示されるように、磁気抵抗素子により感知される抵抗変化率は、Ｍ−Ｍ距離に依存して２つの極大値（ピーク）を有するかたちで変化する。なお、上記ピーク間の抵抗変化率の小さい領域は、磁気抵抗素子としての抵抗値変化が不安定な領域であって、当該回転検出装置の使用に際しても信頼のおけない領域となっている。また一般に、こうした回転検出装置による回転検出には、磁気抵抗素子の抵抗変化率が「０．２％」以上である必要がある。そして、磁気抵抗素子のこうした抵抗変化率は温度の上昇に伴って低下（下方にシフト）し、例えば「１５０℃」における抵抗変化率は同図４に点線で示されるようになる。すなわち、室温付近におけるＭ−Ｍ距離が「＋０．５ｍｍ」である場合には、抵抗変化率は室温では点ａに対応する変化率であるのに対して、温度が上昇した「１５０℃」においては点ｂに対応する変化率まで低下するようになる。しかしこの実施の形態にあっては、温度の上昇に伴い上記調整部材５０が上述の態様で寸法変化することによってＭ−Ｍ距離が「＋０．３ｍｍ」となり、抵抗変化率も点ｃに対応する変化率に維持されるようになる。このように、温度の上昇に伴って、磁石３０と磁気抵抗素子対１および２との相対位置（Ｍ−Ｍ距離ｄ）がいわば自動調整されることで、磁気抵抗素子としての抵抗変化率が補償されるようになり、ひいては回転検出装置としてのセンシング感度も高く維持されるようになる。   FIG. 4 shows the relationship between the MM distance and the resistance change rate of the magnetoresistive element in such a rotation detection device, for example, based on the description in the above-mentioned Patent Document 2. As an example, the air gap is “ This shows the case where it is set to “1.1 mm”. As shown by a solid line in FIG. 4, the resistance change rate sensed by the magnetoresistive element changes depending on the MM distance in a form having two maximum values (peaks). The region where the rate of change in resistance between the peaks is small is a region where the change in resistance value as a magnetoresistive element is unstable, and is an unreliable region even when the rotation detection device is used. Further, generally, for the rotation detection by such a rotation detection device, the resistance change rate of the magnetoresistive element needs to be “0.2%” or more. Then, such a resistance change rate of the magnetoresistive element decreases (shifts downward) as the temperature increases, and for example, the resistance change rate at “150 ° C.” is shown by a dotted line in FIG. That is, when the MM distance in the vicinity of room temperature is “+0.5 mm”, the resistance change rate is a change rate corresponding to the point a at room temperature, whereas at “150 ° C.” where the temperature has increased. Decreases to the rate of change corresponding to point b. However, in this embodiment, the MM distance becomes “+0.3 mm” by the dimensional change of the adjusting member 50 in the above-described manner as the temperature rises, and the resistance change rate also corresponds to the point c. The rate of change will be maintained. Thus, as the temperature rises, the relative position (MM distance d) between the magnet 30 and the magnetoresistive element pair 1 and 2 is automatically adjusted, so that the rate of change in resistance as the magnetoresistive element is increased. As a result, the sensing sensitivity as a rotation detecting device is maintained high.

なお、こうした抵抗変化率は、磁気抵抗素子とロータの歯との距離（エアギャップ）や磁石の形状等の諸条件によってその極大値（ピーク）の位置がシフトするため、上記望ましいＭ−Ｍ距離もこれら条件に応じて変化する。しかしながら、これらを一般的に見た場合、エアギャップが「１．１ｍｍ」〜「３．１ｍｍ」の範囲では、上記Ｍ−Ｍ距離を抵抗変化率の極大値のひとつである「０ｍｍ」近傍の値に、換言すれば同Ｍ−Ｍ距離が短縮されるように調整することが望ましい。すなわち、こうしたかたちでＭ−Ｍ距離の調整が図られることにより、結果的にほぼ全てのエアギャップ範囲において、確実に磁気抵抗素子の抵抗変化率が拡大（補償）されるようになる。   In addition, since the position of the maximum value (peak) shifts depending on various conditions such as the distance (air gap) between the magnetoresistive element and the teeth of the rotor and the shape of the magnet, such a resistance change rate is desirable MM distance. Varies depending on these conditions. However, when these are generally seen, when the air gap is in the range of “1.1 mm” to “3.1 mm”, the MM distance is in the vicinity of “0 mm” which is one of the maximum values of the resistance change rate. In other words, it is desirable to adjust so that the MM distance is shortened. That is, by adjusting the MM distance in this manner, the resistance change rate of the magnetoresistive element is reliably expanded (compensated) as a result in almost all air gap ranges.

以上説明したように、この実施の形態にかかる回転検出装置によれば、以下に列記するような優れた効果が得られるようになる。
（１）磁気抵抗素子対１および２が磁石３０の先端面３３から突き出す態様でセンサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されるときに、調整部材５０を上記ケース本体２０の舌部導出面２２と磁石３０の基端面３２との間に介装することとした。これにより、調整部材５０とケース本体２０との線膨張差により温度が上昇したときに上記調整部材５０の方がより大きく寸法変化することで、上記Ｍ−Ｍ距離の短縮、すなわち磁気抵抗素子における抵抗変化率の拡大（補償）が図られるようになる。また、上記Ｍ−Ｍ距離の調整は、回転検出装置を構成するセンサチップ１１、ケース本体２０、磁石３０およびキャップ部材４０といった各部品が一体に組み付けられた状態でいわば自動的に行われるため、その実現も容易である。 As described above, according to the rotation detection device according to this embodiment, the excellent effects listed below can be obtained.
(1) When the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 in such a manner that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 protrude from the tip surface 33 of the magnet 30, the adjustment member 50 is attached to the tongue of the case body 20. It was decided to interpose between the part lead-out surface 22 and the base end surface 32 of the magnet 30. Thereby, when the temperature rises due to a difference in linear expansion between the adjustment member 50 and the case body 20, the adjustment member 50 changes in size more greatly, thereby shortening the MM distance, that is, in the magnetoresistive element. The resistance change rate can be expanded (compensated). Further, the adjustment of the MM distance is automatically performed in a state where the parts such as the sensor chip 11, the case body 20, the magnet 30, and the cap member 40 that constitute the rotation detecting device are integrally assembled. This is easy to realize.

（２）上記調整部材５０として、ケース本体２０よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料であるポリアミド樹脂を用いることとした。これにより、上記調整部材５０としての材料選択の自由度、並びにその配設にかかる自由度が高められるようになる。   (2) As the adjusting member 50, a polyamide resin, which is a nonmagnetic material having a larger linear expansion coefficient than the case body 20, is used. Thereby, the freedom degree of material selection as the said adjustment member 50 and the freedom degree concerning the arrangement | positioning come to be raised.

（３）ケース本体２０の舌部２１には上記センサチップ１１による検出信号を電気的に処理するとともに、調整用のデータを記憶するための不揮発性メモリを内蔵して構成されるメモリ回路１２ｃを有する処理回路チップ１２を併せて配設することとした。これにより、上記メモリ回路１２ｃに記憶されている調整用のデータに基づいて上記センサチップ１１による検出信号の出力波形が調整されるとともに、こうして適正に調整された出力波形に対して上述したＭ−Ｍ距離の温度変化に伴う自動補正が施されることとなり、同回転検出装置としてのさらなるセンシング感度の向上が期待できるようになる。   (3) The tongue portion 21 of the case body 20 is provided with a memory circuit 12c configured to electrically process a detection signal from the sensor chip 11 and incorporate a nonvolatile memory for storing adjustment data. The processing circuit chip 12 having the same is arranged. As a result, the output waveform of the detection signal from the sensor chip 11 is adjusted based on the adjustment data stored in the memory circuit 12c, and the above-described M− is applied to the output waveform adjusted appropriately. Automatic correction accompanying the temperature change of the M distance is performed, and further improvement in sensing sensitivity as the same rotation detection device can be expected.

（４）センシングチップ１０、特に上記センサチップ１１が、上記ケース本体２０の舌部２１にいわゆるベアチップの状態で実装されることとした。このように、センサチップ１１としてベアチップ構造を採用したことで、上記舌部２１上での実装位置を高精度に位置決めすることができる。また、従来の回転検出装置のように、このセンサチップ１１を樹脂モールドした場合には、モールド時の内部応力による応力歪みも無視できない。この点、この実施の形態のように、同センサチップ１１をベアチップとして舌部２１上に実装するようにしたことで、このような応力歪みに起因するセンシング特性への影響も回避されるようになる。   (4) The sensing chip 10, particularly the sensor chip 11, is mounted on the tongue 21 of the case body 20 in a so-called bare chip state. Thus, by adopting the bare chip structure as the sensor chip 11, the mounting position on the tongue portion 21 can be positioned with high accuracy. Further, when the sensor chip 11 is resin-molded as in a conventional rotation detection device, stress distortion due to internal stress during molding cannot be ignored. In this regard, as in this embodiment, the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 as a bare chip so that the influence on the sensing characteristics due to such stress distortion is also avoided. Become.

（５）こうしてセンサチップ１１をベアチップとして舌部２１に実装しつつも、同センシングチップ１０や磁石３０は舌部２１と共々、ケース本体２０およびキャップ部材４０により密閉された状態におかれるため、外部雰囲気との遮断性も好適に確保されるようになる。   (5) Since the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 as a bare chip in this way, the sensing chip 10 and the magnet 30 are sealed with the case body 20 and the cap member 40 together with the tongue portion 21. The barrier property with respect to the external atmosphere is also suitably secured.

（第２の実施の形態）
次に、この発明にかかる回転検出装置の第２の実施の形態について、図５を参照して説明する。この実施の形態にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の第１の実施の形態と同様であるが、この回転検出装置は、前記調整部材、並びにその配設態様が第１の実施の形態とは異なる装置として構成されている。 (Second Embodiment)
Next, a second embodiment of the rotation detection device according to the present invention will be described with reference to FIG. The rotation detection device according to this embodiment also has the same basic configuration as the rotation detection device as in the first embodiment, but the rotation detection device includes the adjustment member and its arrangement. The configuration is configured as an apparatus different from that of the first embodiment.

すなわち、第１の実施の形態では、磁石３０の基端面３２と、ケース本体２０の舌部導出面２２との間に調整部材が介装されることとしたが、この第２の実施の形態では、図５に示すように、調整部材をキャップ部材４０ａそのものとして形成するようにしている。このキャップ部材４０ａも、先の第１の実施の形態にかかる装置と同様、有底筒状に形成されており、その内底面４３が磁石３０の先端面３３と当接して、磁石３０を覆うかたちで配設されている。そして、この実施の形態においては、上記キャップ部材４０ａの内底面４３のうち、該磁石３０と当接する部分が選択的に肉厚に形成されるとともに、この内底面４３の中央には凹部４４が形成されている。そして、キャップ部材４０ａは例えばＰＡ６６（ポリアミド６６）樹脂等の上記ケース本体２０よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料からなっている。具体的には、ケース本体２０は、先の第１の実施の形態と同様、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂からなり、その線膨張係数は例えば「２０×１０−６／℃」であり、これに対しキャップ部材４０ａとしては、その線膨張係数が例えば「８０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用いている。そして、これらケース本体２０およびキャップ部材４０は、磁石３０共々、室温（例えば２５℃）付近で一体に組み付けられ、この組付け時に上記磁気抵抗素子対１および２と上記磁石３０の先端との距離であるＭ−Ｍ距離ｄが設定されて、これら磁石３０と磁気抵抗素子対１および２との相対位置が位置決めされる。 That is, in the first embodiment, the adjustment member is interposed between the base end surface 32 of the magnet 30 and the tongue portion lead-out surface 22 of the case body 20, but this second embodiment. Then, as shown in FIG. 5, the adjustment member is formed as the cap member 40a itself. The cap member 40 a is also formed in a bottomed cylindrical shape, like the device according to the first embodiment, and the inner bottom surface 43 abuts on the tip surface 33 of the magnet 30 to cover the magnet 30. It is arranged in the form. In this embodiment, a portion of the inner bottom surface 43 of the cap member 40a that comes into contact with the magnet 30 is selectively formed thick, and a recess 44 is formed at the center of the inner bottom surface 43. Is formed. The cap member 40a is made of a nonmagnetic material having a larger linear expansion coefficient than the case body 20, such as PA66 (polyamide 66) resin. Specifically, the case body 20 is made of a PPS (polyphenylene sulfide) resin, as in the first embodiment, and its linear expansion coefficient is, for example, “20 × 10 −6 / ° C.”. On the other hand, as the cap member 40a, a polyamide resin (PA66) having a linear expansion coefficient of, for example, “80 × 10 −6 / ° C.” is used. The case body 20 and the cap member 40 are integrally assembled together with the magnet 30 at room temperature (for example, 25 ° C.), and the distance between the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the tip of the magnet 30 is assembling. Is set, and the relative position between the magnet 30 and the magnetoresistive element pairs 1 and 2 is determined.

そして、この実施の形態にかかる回転検出装置でも、先の第１の実施の形態と同様、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３から突き出す態様で上記センサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されており、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが例えば「＋０．５ｍｍ」に設定された状態でその最適化が図られているとする。すなわち、例えば上記ケース本体２０とキャップ部材４０ａとの接合面から磁気抵抗素子対１および２までの長さＬ２が「２０．０ｍｍ」に、また上記接合面から磁石３０の先端と接合するキャップ部材４０ａの内底面４３までの長さＬ３が「１９．５ｍｍ」にそれぞれ設定されている。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「１５０℃」まで上昇したとすると、上記キャップ部材４０ａと上記ケース本体２０の舌部２１との線膨張差により、キャップ部材４０ａは舌部２１の寸法変化に対しより大きく変化する。具体的には、上記長さＬ３が「１９．６９５ｍｍ」と変化するのに対して、上記長さＬ２は「２０．０５ｍｍ」と変化し、このキャップ部材４０ａに接合されている磁石３０がキャップ部材４０の内底面４３側に移動し、上記Ｍ−Ｍ距離ｄは「＋０．３５５ｍｍ」に変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように、すなわち「０ｍｍ」に近づくように自動調整されることで、磁気抵抗素子としての抵抗変化率が補償されるようになり、ひいては回転検出装置としてのセンシング感度も高く維持されるようになる。   In the rotation detection device according to this embodiment as well, the sensor chip 11 is in the form in which the magnetoresistive element pairs 1 and 2 protrude from the tip surface 33 of the magnet 30 as in the first embodiment. It is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 and is optimized in a state where the MM distance d is set to, for example, “+0.5 mm”. That is, for example, the length L2 from the joint surface of the case body 20 and the cap member 40a to the magnetoresistive element pairs 1 and 2 is “20.0 mm”, and the cap member is joined to the tip of the magnet 30 from the joint surface. The length L3 to the inner bottom surface 43 of 40a is set to “19.5 mm”. Here, assuming that the rotation detection device is placed in a high temperature environment during use and the temperature of the entire device rises to, for example, “150 ° C.”, the linear expansion between the cap member 40 a and the tongue portion 21 of the case body 20 is performed. Due to the difference, the cap member 40 a changes more greatly with respect to the dimensional change of the tongue portion 21. Specifically, the length L3 changes to “19.695 mm”, whereas the length L2 changes to “20.05 mm”, and the magnet 30 joined to the cap member 40a has a cap. It moves to the inner bottom surface 43 side of the member 40, and the MM distance d changes to “+0.355 mm”. Even with such a structure, the rate of change in resistance as a magnetoresistive element is automatically adjusted so that the MM distance d is shortened, that is, close to “0 mm” as the temperature rises. Is compensated, and as a result, the sensing sensitivity of the rotation detecting device is also maintained high.

以上説明したように、この第２の実施の形態にかかる回転検出装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（５）の効果と同様、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。   As described above, the rotation detection device according to the second embodiment can obtain the same effects as the effects (1) to (5) according to the first embodiment, or an effect similar thereto. In addition, the following effects can be obtained.

（６）調整部材としてキャップ部材４０ａそのものを用い、同キャップ部材４０ａの内底面４３の一部を磁石３０の先端面３３を接合することとした。これにより、部品数の増加や上記回転検出装置にかかる各部品の組付け工数等の大きな変更を伴うことなく、容易にその実現を図ることが可能となる。   (6) The cap member 40a itself is used as the adjustment member, and the tip surface 33 of the magnet 30 is joined to a part of the inner bottom surface 43 of the cap member 40a. As a result, it is possible to easily realize this without increasing the number of parts or making a major change in the number of assembling steps of each part relating to the rotation detection device.

（第３の実施の形態）
次に、この発明にかかる回転検出装置の第３の実施の形態について、図６を参照して説明する。この実施の形態にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の各実施の形態と同様であるが、この回転検出装置も、前記調整部材の形状、並びに配設態様が上記各実施の形態とは異なる装置として構成されている。 (Third embodiment)
Next, a third embodiment of the rotation detecting apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The rotation detection device according to this embodiment also has the same basic configuration as the rotation detection device, but the rotation detection device also has the shape and arrangement of the adjustment member. The aspect is configured as an apparatus different from each of the above embodiments.

すなわち、第１の実施の形態では、磁石３０の基端面３２と、ケース本体２０の舌部導出面２２との間に調整部材が介装されることとしたが、この第３の実施の形態では、図６に示すように、調整部材６０を上記キャップ部材４０の内底面４３と上記磁石３０の先端面３３との間に介装するようにしている。そして、この調整部材６０は上記ケース本体２０およびキャップ部材４０よりも線膨張係数の大きい材料からなる。具体的には、ケース本体２０およびキャップ部材４０は、先の第１の実施の形態と同様、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂からなり、その線膨張係数は例えば「２０×１０−６／℃」であるのに対し、調整部材６０としては、その線膨張係数が例えば「８０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用いている。そして、これらケース本体２０、キャップ部材４０および調整部材６０は、磁石３０共々、室温（例えば２５℃）付近で一体に組付けられ、この組付け時に上記磁気抵抗素子対１および２と上記磁石３０の先端との距離であるＭ−Ｍ距離ｄが設定されて、これら磁石３０と磁気抵抗素子対１および２との相対位置が位置決めされる。 That is, in the first embodiment, the adjustment member is interposed between the base end surface 32 of the magnet 30 and the tongue portion lead-out surface 22 of the case body 20, but this third embodiment. Then, as shown in FIG. 6, the adjustment member 60 is interposed between the inner bottom surface 43 of the cap member 40 and the tip surface 33 of the magnet 30. The adjusting member 60 is made of a material having a larger linear expansion coefficient than the case body 20 and the cap member 40. Specifically, the case main body 20 and the cap member 40 are made of PPS (polyphenylene sulfide) resin as in the first embodiment, and the linear expansion coefficient thereof is, for example, “20 × 10 −6 / ° C.”. On the other hand, as the adjustment member 60, a polyamide resin (PA66) having a linear expansion coefficient of, for example, “80 × 10 −6 / ° C.” is used. The case body 20, the cap member 40 and the adjustment member 60 are integrally assembled together with the magnet 30 near room temperature (for example, 25 ° C.), and at the time of the assembly, the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the magnet 30 are assembled. The MM distance d, which is the distance from the tip of the magnet, is set, and the relative positions of the magnet 30 and the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are positioned.

そして、この実施の形態にかかる回転検出装置では、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３の内側に収まる態様で上記センサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に配設されており、このＭ−Ｍ距離ｄが例えば「−０．５ｍｍ」に設定された状態でその最適化が図られているとする。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「１５０℃」まで上昇したとすると、上記調整部材６０と上記ケース本体２０の舌部２１との線膨張差、および上記調整部材６０と上記キャップ部材４０との線膨張差により、調整部材６０の長さＬ４が舌部２１の寸法変化に対しより大きく変化する。これにより、この調整部材６０に接合されている磁石３０がケース本体２０側に移動し、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように、すなわち「０ｍｍ」に近づくように変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように自動調整されることで、磁気抵抗素子としての抵抗変化率が補償されるようになり、ひいては回転検出装置としてのセンシング感度も高く維持されるようになる。   In the rotation detection device according to this embodiment, the sensor chip 11 is arranged on the tongue portion 21 of the case body 20 so that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are accommodated inside the tip surface 33 of the magnet 30. It is assumed that the MM distance d is optimized with the MM distance d set to, for example, “−0.5 mm”. Here, assuming that the rotation detection device is placed in a high temperature environment during use and the temperature of the entire device rises to, for example, “150 ° C.”, the linear expansion between the adjustment member 60 and the tongue portion 21 of the case body 20 is performed. Due to the difference and the difference in linear expansion between the adjustment member 60 and the cap member 40, the length L4 of the adjustment member 60 changes more greatly with respect to the dimensional change of the tongue portion 21. As a result, the magnet 30 joined to the adjusting member 60 moves to the case body 20 side, and changes so that the MM distance d is shortened, that is, approaches “0 mm”. Even with such a structure, as the temperature rises, the MM distance d is automatically adjusted so as to be shortened, so that the rate of change in resistance as a magnetoresistive element is compensated. Sensing sensitivity as a rotation detecting device is also maintained high.

以上説明したように、この第３の実施の形態にかかる回転検出装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（５）の効果と同様、もしくはそれに準じた効果が得られるとともに、さらに以下のような効果が得られるようになる。   As described above, the rotation detection device according to the third embodiment also obtains the same effects as the effects (1) to (5) of the previous first embodiment or an equivalent thereto. In addition, the following effects can be obtained.

（７）磁気抵抗素子対１および２が磁石３０の先端面３３の内側に収まる態様でセンサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されるときに、調整部材６０を上記キャップ部材４０の内底面４３と上記磁石３０の先端面３３との間に介装することとした。これにより、調整部材６０とキャップ部材４０との線膨張差、および調整部材６０とケース本体２０との線膨張差により温度が上昇したときに上記調整部材６０のほうが大きく寸法変化することで、上記Ｍ−Ｍ距離の短縮、すなわち磁気抵抗素子における抵抗変化率の拡大が図られるようになる。   (7) When the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 in such a manner that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are accommodated inside the front end surface 33 of the magnet 30, the adjustment member 60 is moved to the cap member 40. Between the inner bottom surface 43 and the tip surface 33 of the magnet 30. Thereby, when the temperature rises due to a difference in linear expansion between the adjustment member 60 and the cap member 40 and a difference in linear expansion between the adjustment member 60 and the case body 20, the adjustment member 60 changes in size more greatly. The MM distance can be shortened, that is, the resistance change rate in the magnetoresistive element can be increased.

（８）調整部材６０として、ケース本体２０およびキャップ部材４０よりも線膨張係数の大きい材料を用いることとした。これにより、ケース本体２０とキャップ部材４０とで同一の材料を使用することができるようになるため、調整部材６０としての材料選択の自由度、並びにその配設にかかる自由度がさらに高められるようになる。   (8) As the adjustment member 60, a material having a larger linear expansion coefficient than the case main body 20 and the cap member 40 is used. As a result, the same material can be used for the case main body 20 and the cap member 40, so that the degree of freedom in selecting the material as the adjusting member 60 and the degree of freedom in its arrangement are further enhanced. become.

（第４の実施の形態）
次に、この発明にかかる回転検出装置の第４の実施の形態について、図７を参照して説明する。この実施の形態にかかる回転検出装置も、回転検出装置としての基本的な部分の構成は先の各実施の形態と同様であるが、この回転検出装置は、２つの調整部材を用いて前記Ｍ−Ｍ距離を調整する装置として構成されている。 (Fourth embodiment)
Next, a fourth embodiment of the rotation detecting apparatus according to the present invention will be described with reference to FIG. The rotation detection device according to this embodiment also has the same basic configuration as the rotation detection device as in each of the previous embodiments. It is configured as a device that adjusts the -M distance.

すなわち、第４の実施の形態では、図７に示されるように、上記ケース本体２０の舌部導出面２２と上記磁石３０の基端面３２との間に第１の調整部材５１を、また上記キャップ部材４０の内底面４３と上記磁石３０の先端面３３との間に第２の調整部材６１をそれぞれ介装するようにしている。そして、これら調整部材５１および６１も、先の第１の実施の形態と同様、例えばＰＡ６６（ポリアミド６６）樹脂からなるが、この実施の形態では、それぞれにガラス繊維が含まれており、その含有率および形状および大きさおよびガラス繊維の種類の少なくとも１つを通じてそれらの線膨張係数が調整されている。具体的には、調整部材５１としてはその線膨張係数が例えば「１１０×１０−６／℃」あるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用い、調整部材６１としてはその線膨張係数が例えば「８０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用いている。また、ケース本体２０は、先の第１の実施の形態と同様、ＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）樹脂からなり、その線膨張係数は例えば「２０×１０−６／℃」であるが、キャップ部材４０は、やはりポリアミド樹脂（ＰＡ６６）からなって、上記調整部材５１および６１の線膨張係数を吸収し得る線膨張係数に設定されているとする。そして、これらケース本体２０、調整部材５１および６１は磁石３０およびキャップ部材４０共々、室温（例えば２５℃）付近で一体に組み付けられ、この組付け時に上記磁気抵抗素子対１および２と上記磁石３０の先端との距離であるＭ−Ｍ距離ｄが設定されて、これら磁石３０と磁気抵抗素子対１および２との相対位置が位置決めされる。 That is, in the fourth embodiment, as shown in FIG. 7, the first adjustment member 51 is disposed between the tongue lead-out surface 22 of the case body 20 and the base end surface 32 of the magnet 30. A second adjustment member 61 is interposed between the inner bottom surface 43 of the cap member 40 and the tip surface 33 of the magnet 30. And these adjustment members 51 and 61 are also made of, for example, PA66 (polyamide 66) resin, as in the first embodiment, but in this embodiment, glass fibers are included in each, and the inclusion thereof Their linear expansion coefficients are adjusted through at least one of rate, shape and size and glass fiber type. Specifically, a polyamide resin (PA66) having a linear expansion coefficient of, for example, “110 × 10 −6 / ° C.” is used as the adjustment member 51, and a linear expansion coefficient of, for example, “80 × 10 − Polyamide resin (PA66) that is “ 6 / ° C.” is used. The case body 20 is made of a PPS (polyphenylene sulfide) resin as in the first embodiment, and its linear expansion coefficient is, for example, “20 × 10 −6 / ° C.”. Also, it is assumed that the linear expansion coefficient is made of polyamide resin (PA66) and can absorb the linear expansion coefficients of the adjusting members 51 and 61. The case body 20 and the adjustment members 51 and 61 are assembled together at a room temperature (for example, 25 ° C.) together with the magnet 30 and the cap member 40. At the time of the assembly, the magnetoresistive element pairs 1 and 2 and the magnet 30 are assembled. The MM distance d, which is the distance from the tip of the magnet, is set, and the relative positions of the magnet 30 and the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are positioned.

そして、この実施の形態にかかる回転検出装置でも、先の第１の実施の形態と同様、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３から突き出す態様で上記センサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されており、このＭ−Ｍ距離ｄが例えば「＋０．５ｍｍ」に設定された状態でその最適化が図られているとする。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「１５０℃」まで上昇したとすると、上記調整部材５１と調整部材６１との線膨張差により、調整部材５１の長さＬ５が調整部材６１の長さＬ６の寸法変化に対しより大きく変化する。これにより、これら調整部材５１および６１に接合されている磁石３０がキャップ部材４０の内底面４３側に移動し、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように、すなわち「０ｍｍ」に近づくように変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように自動調整されることで、磁気抵抗素子としての抵抗変化率が補償されるようになり、ひいては回転検出装置としてのセンシング感度も高く維持されるようになる。   In the rotation detection device according to this embodiment as well, the sensor chip 11 is in the form in which the magnetoresistive element pairs 1 and 2 protrude from the tip surface 33 of the magnet 30 as in the first embodiment. It is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 and is optimized in a state where the MM distance d is set to, for example, “+0.5 mm”. Here, when the rotation detection device is placed in a high temperature environment when used, and the temperature of the entire device rises to, for example, “150 ° C.”, the adjustment member 51 and the adjustment member 61 cause a difference in linear expansion. The length L5 of 51 changes more greatly with respect to the dimensional change of the length L6 of the adjusting member 61. As a result, the magnet 30 joined to the adjusting members 51 and 61 moves toward the inner bottom surface 43 side of the cap member 40 so that the MM distance d is shortened, that is, approaches “0 mm”. To change. Even with such a structure, as the temperature rises, the MM distance d is automatically adjusted so as to be shortened, so that the rate of change in resistance as a magnetoresistive element is compensated. Sensing sensitivity as a rotation detecting device is also maintained high.

以上説明したように、この第４の実施の形態にかかる回転検出装置によっても、先の第１の実施の形態による前記（１）〜（５）の効果と同様、もしくはそれに準じた効果が得られるようになる。   As described above, the rotation detection device according to the fourth embodiment also obtains the same or similar effects as the effects (1) to (5) of the previous first embodiment. Be able to.

（変形例）
上記第４の実施の形態にかかる回転検出装置では、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３から突き出す態様でセンサチップ１１が上記ケース本体２０の舌部２１に搭載されることとした。これに代えて図８に示すように、上記磁気抵抗素子対１および２が上記磁石３０の先端面３３の内側に収まる態様で上記センサチップ１１が搭載される装置に適用してもよい。この場合、第１の調整部材５２の線膨張係数は第２の調整部材６２の線膨張係数よりも小さくなるように設定する必要がある。具体的には、調整部材５２としてはその線膨張係数が例えば「８０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用い、調整部材６２としてはその線膨張係数が例えば「１１０×１０−６／℃」であるポリアミド樹脂（ＰＡ６６）を用いている。また、キャップ部材４０もポリアミド樹脂（ＰＡ６６）からなって、これら調整部材５２および６２の線膨張係数を吸収し得る線膨張係数に設定されることは上記第４の実施の形態と同様である。そして、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが例えば「−０．５ｍｍ」に設定されている状態でその最適化が図られているとする。ここで、回転検出装置がその使用に際して高温環境下におかれ、装置全体の温度が例えば「１５０℃」まで上昇したとすると、上記調整部材５２と調整部材６２との線膨張差により調整部材６２の長さＬ６が調整部材５２の長さＬ５の寸法変化に対しより大きく変化する。これにより、これら調整部材５２および６２に接合されている磁石３０がケース本体２０側に移動し、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されるように、すなわち「０ｍｍ」に近づくように変化するようになる。このような構造によっても、温度の上昇に伴って、上記Ｍ−Ｍ距離ｄが短縮されることで、上記と同様の効果が得られるようになる。 (Modification)
In the rotation detection device according to the fourth embodiment, the sensor chip 11 is mounted on the tongue portion 21 of the case body 20 in such a manner that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 protrude from the tip surface 33 of the magnet 30. It was decided. Instead of this, as shown in FIG. 8, the magnetoresistive element pairs 1 and 2 may be applied to a device in which the sensor chip 11 is mounted in such a manner that the magnetoresistive element pairs 1 and 2 are accommodated inside the tip surface 33 of the magnet 30. In this case, it is necessary to set the linear expansion coefficient of the first adjustment member 52 to be smaller than the linear expansion coefficient of the second adjustment member 62. Specifically, a polyamide resin (PA66) having a linear expansion coefficient of, for example, “80 × 10 −6 / ° C.” is used as the adjustment member 52, and a linear expansion coefficient of, for example, “110 × 10 6 ” is used as the adjustment member 62. Polyamide resin (PA66) which is “ −6 / ° C.” is used. The cap member 40 is also made of polyamide resin (PA66), and is set to a linear expansion coefficient that can absorb the linear expansion coefficients of the adjusting members 52 and 62, as in the fourth embodiment. Then, it is assumed that the MM distance d is optimized in a state where, for example, “−0.5 mm” is set. Here, assuming that the rotation detection device is placed in a high temperature environment during use and the temperature of the entire device rises to, for example, “150 ° C.”, the adjustment member 62 is caused by the difference in linear expansion between the adjustment member 52 and the adjustment member 62. The length L6 of the adjusting member 52 changes more greatly with respect to the dimensional change of the adjusting member 52. As a result, the magnet 30 joined to the adjusting members 52 and 62 moves to the case body 20 side, and the MM distance d is shortened, that is, changed so as to approach “0 mm”. Become. Even with such a structure, the same effect as described above can be obtained by shortening the MM distance d as the temperature rises.

（その他の実施の形態）
その他、上記各実施の形態、ならびに上記変形例に共通して変更可能な要素としては以下のようなものがある。 (Other embodiments)
In addition, there are the following elements that can be changed in common with each of the above embodiments and the above modification.

・上記第１〜第３の実施の形態では、調整部材として、ＰＡ６６（ポリアミド６６）樹脂を用いることとしたが、これに代えて上記第４の実施の形態および変形例と同様、樹脂中にガラス繊維を含有するようにしてもよい。上記樹脂中に含有されるガラス繊維の含有率、形状、大きさあるいはガラス繊維の種類の少なくとも１つを変更することによって、所望の線膨張係数を有する調整部材が得られるようになる。   In the first to third embodiments, PA66 (polyamide 66) resin is used as the adjustment member, but instead of this, in the resin as in the fourth embodiment and the modification example, You may make it contain glass fiber. An adjustment member having a desired linear expansion coefficient can be obtained by changing at least one of the content, shape, size, and type of glass fiber contained in the resin.

・上記各実施の形態およびその変形例では、調整部材としてＰＡ６６（ポリアミド６６）樹脂を用いることとしたが、その他樹脂やセラミックス等の非磁性体材料を用いてもよいし、磁性体材料を用いてもよい。ただし、上記調整部材（５０〜５２、６０〜６２）として磁性体材料を用いる場合には、磁石３０から磁気抵抗素子に付与されるバイアス磁界に影響を及ぼさない領域にて用いることが望ましい。   In each of the above-described embodiments and modifications thereof, PA66 (polyamide 66) resin is used as the adjustment member. However, other nonmagnetic materials such as resin and ceramics may be used, and magnetic materials are used. May be. However, when a magnetic material is used as the adjusting member (50 to 52, 60 to 62), it is desirable to use it in a region that does not affect the bias magnetic field applied from the magnet 30 to the magnetoresistive element.

・上記調整部材として温度の上昇に伴って形状変化するバイメタルや形状記憶合金を用いることも可能である。要は、回転検出装置の磁気検出に影響を及ぼさない範囲内で、温度の上昇に伴って寸法変化する部材であれば、調整部材として採用することができる。   -It is also possible to use a bimetal or a shape memory alloy whose shape changes as the temperature rises as the adjusting member. In short, any member that changes its dimensions as the temperature rises within a range that does not affect the magnetic detection of the rotation detection device can be employed as the adjustment member.

・上記各実施の形態およびその変形例では、調整部材が少なくともケース本体２０よりも線膨張係数の大きい材料からなることとした。しかしながら、温度の上昇に伴うこれら各部材間の線膨張差による寸法変化を利用して磁気抵抗素子と磁石３０先端との相対距離（Ｍ−Ｍ距離ｄ）の短縮を図ることが可能であれば、調整部材の線膨張係数は上記範囲内に限定されない。   In each of the above embodiments and the modifications thereof, the adjustment member is made of a material having a coefficient of linear expansion larger than that of the case body 20 at least. However, if it is possible to shorten the relative distance (MM distance d) between the magnetoresistive element and the tip of the magnet 30 by using a dimensional change due to a difference in linear expansion between these members as the temperature rises. The linear expansion coefficient of the adjusting member is not limited to the above range.

この発明にかかる回転検出装置の第１の実施の形態について、その全体構造を模式的に示す一部断面側面図。The partial cross section side view which shows typically the whole structure about 1st Embodiment of the rotation detection apparatus concerning this invention. 図１のＡ−Ａ線に沿った断面構造を示す模式的に示す断面図。FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing a cross-sectional structure along the line AA in FIG. 1. 同実施の形態にかかる回転検出装置を構成するセンシングチップ内部の等価回路を示す回路図。The circuit diagram which shows the equivalent circuit inside the sensing chip which comprises the rotation detection apparatus concerning the embodiment. 回転検出装置における磁気抵抗素子対と磁石との距離に対する抵抗変化率の関係を示すグラフ。The graph which shows the relationship of the resistance change rate with respect to the distance of a magnetoresistive element pair and a magnet in a rotation detection apparatus. この発明にかかる回転検出装置の第２の実施の形態について、その全体構造を模式的に示す一部断面側面図。The partial cross section side view which shows typically the whole structure about 2nd Embodiment of the rotation detection apparatus concerning this invention. この発明にかかる回転検出装置の第３の実施の形態について、その全体構造を模式的に示す一部断面側面図。The partial cross section side view which shows typically the whole structure about 3rd Embodiment of the rotation detection apparatus concerning this invention. この発明にかかる回転検出装置の第４の実施の形態について、その全体構造を模式的に示す一部断面側面図。The partial cross section side view which shows typically the whole structure about 4th Embodiment of the rotation detection apparatus concerning this invention. 同第４の実施の形態の変形例について、その全体構造を示す一部断面側面図。The partial cross section side view which shows the whole structure about the modification of the same 4th Embodiment. 従来の回転検出装置の平面構造を、被検出回転体との関係も含めてその概要を模式的に示す平面図。The top view which shows typically the outline | summary including the relationship with a to-be-detected rotation body about the planar structure of the conventional rotation detection apparatus. 同従来の回転検出装置の一例についてその断面構造を模式的に示す断面図。Sectional drawing which shows typically the cross-sectional structure about an example of the same conventional rotation detection apparatus. 同従来の回転検出装置について、そのセンシングチップ内部の等価回路の一例を示す回路図。The circuit diagram which shows an example of the equivalent circuit inside the sensing chip | tip about the conventional rotation detection apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

１、２…磁気抵抗素子対、１０…センシングチップ、１１…センサチップ、１２…処理回路チップ、１２ａ…差動増幅器、１２ｂ…比較器、１２ｃ…メモリ回路、１３…リードフレーム、２０…ケース本体、２１…舌部、２２…舌部導出面、２３…フランジ、２４…コネクタ部、３０…磁石、３１…中空部、３２…基端面、３３…先端面、４０、４０ａ…キャップ部材、４１…開口端、４３…内底面、４４…凹部、４５…突起部、５０〜５２、６０〜６２…調整部材、１０１…センサチップ、１０２…モールド樹脂、１２０…ハウジング樹脂、１２３…フランジ、１２４…コネクタ部、１００ａ〜１００ｃ…金属ターミナル、Ｔ１…給電端子、Ｔ２…出力端子、Ｔ３…ＧＮＤ（接地）端子、Ｔ４…データ用端子、Ｗ１、Ｗ２…ボンディングワイヤ、ＭＲＥ１〜ＭＲＥ４…磁気抵抗素子、ＲＴ…ロータ。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 1, 2 ... Magnetoresistive element pair, 10 ... Sensing chip, 11 ... Sensor chip, 12 ... Processing circuit chip, 12a ... Differential amplifier, 12b ... Comparator, 12c ... Memory circuit, 13 ... Lead frame, 20 ... Case body , 21 ... tongue part, 22 ... tongue part derivation surface, 23 ... flange, 24 ... connector part, 30 ... magnet, 31 ... hollow part, 32 ... proximal end face, 33 ... distal end face, 40, 40a ... cap member, 41 ... Open end, 43 ... inner bottom surface, 44 ... recess, 45 ... protrusion, 50 to 52, 60 to 62 ... adjustment member, 101 ... sensor chip, 102 ... mold resin, 120 ... housing resin, 123 ... flange, 124 ... connector Part, 100a to 100c ... metal terminal, T1 ... feed terminal, T2 ... output terminal, T3 ... GND (ground) terminal, T4 ... data terminal, W1, W2 ... bonding wire Ya, MRE1~MRE4 ... magneto-resistive element, RT ... rotor.

Claims (12)

磁気抵抗素子を有するセンサチップと、該センサチップの前記磁気抵抗素子にバイアス磁界を付与する磁石とを備え、前記センサチップの近傍にてロータが回転するときに前記磁石から付与されるバイアス磁界と協働して生じる磁気ベクトルの変化を前記磁気抵抗素子を通じて感知して前記ロータの回転態様を検出する回転検出装置において、
前記センサチップはその給電端子および出力端子がリードフレームに接続された状態で非磁性体材料からなるケース本体の舌部に一体に配設されるとともに、前記磁石は筒状に形成されて前記センサチップ共々前記ケース本体の舌部を覆う態様で挿入され、有底筒状の非磁性体材料からなるキャップ部材が前記ケース本体の舌部導出面を塞ぐ態様で同キャップ部材の開口端が前記ケース本体に接合されることによって前記センサチップ共々前記舌部および前記磁石が外部雰囲気から保護される構造を有し、前記磁石の少なくとも一方端は、温度の上昇に伴って前記磁気抵抗素子と磁石先端との相対距離が短縮される方向に同磁石の位置を調整する調整部材に接合されてなる
ことを特徴とする回転検出装置。 A sensor chip having a magnetoresistive element; and a magnet for applying a bias magnetic field to the magnetoresistive element of the sensor chip; and a bias magnetic field applied from the magnet when a rotor rotates in the vicinity of the sensor chip; In a rotation detection device for detecting a rotation mode of the rotor by sensing a change of a magnetic vector generated in cooperation through the magnetoresistive element,
The sensor chip is integrally disposed on a tongue portion of a case body made of a non-magnetic material in a state where the power supply terminal and the output terminal are connected to a lead frame, and the magnet is formed in a cylindrical shape and the sensor A cap member made of a non-magnetic material with a bottomed cylindrical shape is inserted in a manner that covers the tongue portion of the case body together with the chip, and the opening end of the cap member is closed to the case body The tongue and the magnet together with the sensor chip are protected from the external atmosphere by being joined to the main body, and at least one end of the magnet has the magnetoresistive element and the tip of the magnet as the temperature rises The rotation detecting device is joined to an adjustment member that adjusts the position of the magnet in a direction in which the relative distance between the magnet and the magnet is shortened. 前記調整部材は、前記ケース本体よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料によって形成されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The rotation detection device according to claim 1, wherein the adjustment member is made of a nonmagnetic material having a linear expansion coefficient larger than that of the case body. 前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記調整部材は前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間に介装されてなる
請求項２に記載の回転検出装置。 The sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet, and the adjustment member is between the tongue lead-out surface of the case body and the base end surface of the magnet. The rotation detection device according to claim 2, wherein the rotation detection device is interposed. 前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記調整部材は前記キャップ部材として形成され、同キャップ部材の内底面の一部に前記磁石の先端面が接合されてなる
請求項２に記載の回転検出装置。 The sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet, the adjustment member is formed as the cap member, and is formed on a part of the inner bottom surface of the cap member. The rotation detection device according to claim 2, wherein tip ends of the magnets are joined. 前記調整部材は、前記ケース本体および前記キャップ部材よりも線膨張係数の大きい非磁性体材料によって形成されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The rotation detection device according to claim 1, wherein the adjustment member is formed of a nonmagnetic material having a larger linear expansion coefficient than the case main body and the cap member. 前記磁気抵抗素子が前記磁石先端の内側に収まる態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記調整部材は前記キャップ部材の内底面と前記磁石の先端面との間に介装されてなる
請求項５に記載の回転検出装置。 The sensor chip is disposed on the tongue of the case body so that the magnetoresistive element fits inside the tip of the magnet, and the adjustment member is between the inner bottom surface of the cap member and the tip surface of the magnet. The rotation detection device according to claim 5, wherein the rotation detection device is interposed between the rotation detection device and the rotation detection device. 前記磁気抵抗素子が前記磁石先端から突き出す態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間には非磁性体材料からなる第１の調整部材が介装されるとともに、前記キャップ部材の内底面と前記磁石先端面との間には非磁性体材料からなる第２の調整部材がそれぞれ介装されてなり、前記第１の調整部材の線膨張係数をα１、前記第２の調整部材の線膨張係数をα２とするとき、それら線膨張係数が「α１＞α２」なる関係に設定されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element protrudes from the tip of the magnet, and is nonmagnetic between the tongue portion lead-out surface of the case body and the base end surface of the magnet. A first adjustment member made of a body material is interposed, and a second adjustment member made of a nonmagnetic material is interposed between the inner bottom surface of the cap member and the magnet tip surface. 2. When the linear expansion coefficient of the first adjustment member is α1 and the linear expansion coefficient of the second adjustment member is α2, the linear expansion coefficient is set to a relationship of “α1> α2”. The rotation detection device described in 1. 前記磁気抵抗素子が前記磁石先端の内側に収まる態様で前記センサチップが前記ケース本体の舌部に配設されてなり、前記ケース本体の舌部導出面と前記磁石の基端面との間には非磁性体材料からなる第１の調整部材が介装されるとともに、前記キャップ部材の内底面と前記磁石先端面との間には非磁性体材料からなる第２の調整部材が介装されてなり、前記第１の調整部材の線膨張係数をα１、前記第２の調整部材の線膨張係数をα２とするとき、それら線膨張係数が「α１＜α２」なる関係に設定されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The sensor chip is disposed on the tongue portion of the case body in such a manner that the magnetoresistive element fits inside the tip of the magnet, and between the tongue lead-out surface of the case body and the base end surface of the magnet A first adjustment member made of a nonmagnetic material is interposed, and a second adjustment member made of a nonmagnetic material is interposed between the inner bottom surface of the cap member and the magnet tip surface. When the linear expansion coefficient of the first adjustment member is α1 and the linear expansion coefficient of the second adjustment member is α2, the linear expansion coefficient is set to a relationship of “α1 <α2”. The rotation detection device according to 1. 前記非磁性体材料はポリアミド樹脂からなり、ガラス繊維の含有率および形状および大きさおよびガラス繊維の種類の少なくとも１つを通じて前記線膨張係数が調整されてなる
請求項２〜８のいずれか一項に記載の回転検出装置。 The non-magnetic material is made of a polyamide resin, and the linear expansion coefficient is adjusted through at least one of the content rate, shape and size of glass fiber and the type of glass fiber. The rotation detection device described in 1. 前記調整部材は、バイメタルによって形成されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The rotation detection device according to claim 1, wherein the adjustment member is formed of bimetal. 前記調整部材は、形状記憶合金によって形成されてなる
請求項１に記載の回転検出装置。 The rotation detection device according to claim 1, wherein the adjustment member is formed of a shape memory alloy. 前記ケース本体の舌部には前記センサチップによる検出信号を電気的に処理するとともに調整用のデータを記憶する不揮発性メモリを有する処理回路チップが配設されてなり、前記不揮発性メモリに記憶されている調整用のデータに基づいて前記センサチップによる検出信号の出力波形を調整する
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の回転検出装置。 A processing circuit chip having a non-volatile memory for electrically processing detection signals from the sensor chip and storing adjustment data is disposed on the tongue of the case body, and is stored in the non-volatile memory. The rotation detection device according to any one of claims 1 to 11, wherein an output waveform of a detection signal from the sensor chip is adjusted based on adjustment data being adjusted.
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