JP2007096773A - Dielectric device - Google Patents

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修 田久保
Koji Tashiro
浩二 田代
Kazuyoshi Terao
一吉 寺尾
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a dielectric device capable of securing high flexibility in design while being made to be small in size and low in height. <P>SOLUTION: A first opening 41 of a resonation unit Q1 is to be opened in a third outer surface 23 and faced toward a direction of a second outer surface 22 opposing to the third outer surface 23 therefrom. The first opening 41 comprises a first inner conductor 61 therein, and the first inner conductor 61 is to be linked to an outer conductor film 3 in the third outer surface 23. A second opening 51 is to be opened in a first outer surface 21 which is not covered all over its whole surface by the outer conductor film 3, and is to be linked to the first opening 41 at inner portion of the dielectric base substance 1 while providing a second inner conductor 81 therein. The second inner conductor 81 whose one end is located at the first outer surface 21 is to be linked its other end to the first inner conductor 61. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、誘電体共振器、これより構成される誘電体フィルタまたはデュプレクサ等の誘電体装置に関する。   The present invention relates to a dielectric resonator and a dielectric device such as a dielectric filter or a duplexer.

この種の誘電体装置は、準マイクロ波帯、マイクロ波帯、ミリ波帯またはサブミリ波帯等の高周波領域において用いられる。より具体的な適用例としては、衛星通信機器、移動体通信機器、無線通信機器、高周波通信機器またはこれらの通信機器のための基地局等を挙げることができる。   This type of dielectric device is used in a high frequency region such as a quasi-microwave band, a microwave band, a millimeter wave band, or a submillimeter wave band. More specific application examples include satellite communication devices, mobile communication devices, wireless communication devices, high frequency communication devices, or base stations for these communication devices.

従来、携帯電話等に使用されている共振器や誘電体フィルタは、誘電体基体に1つの貫通孔を設けた共振器部分を、複数組み合わせて構成されており、共振器の長さは、通常、自由空間の波長λの1/4を、誘電体基体を構成する材料の比誘電率の平方根で除した長さである。   Conventionally, a resonator or a dielectric filter used for a mobile phone or the like is configured by combining a plurality of resonator portions each having a single through hole in a dielectric base. The length obtained by dividing 1/4 of the wavelength λ of the free space by the square root of the relative dielectric constant of the material constituting the dielectric substrate.

誘電体フィルタを構成する場合、複数の共振器を、別途に準備した結合回路で結合させたり、或いは、略直方体に形成された誘電体基体の一面から、対向する外面に複数の貫通孔を設け、一面を除く外面と貫通孔内部にメタライズを施し、それぞれの貫通孔を共振器部分とする。   When configuring a dielectric filter, a plurality of resonators are coupled with a separately prepared coupling circuit, or a plurality of through holes are provided on one outer surface of a dielectric substrate formed in a substantially rectangular parallelepiped. The metallization is applied to the outer surface except for one surface and the inside of the through hole, and each through hole is used as a resonator portion.

誘電体基体を用いた誘電体フィルタの場合は、共振器部分にキャパシタ等の付加素子を装加したり、メタライズのない一面に導体パターンを形成して、付加要素を構成する。更には誘電体基体そのものに溝や凹部等を設置することにより、電磁界結合分布のバランスを意図的に崩し、電界または磁界により結合させる等の構造が採られている。   In the case of a dielectric filter using a dielectric substrate, an additional element such as a capacitor is added to the resonator portion, or a conductor pattern is formed on one surface without metallization to constitute the additional element. Furthermore, a structure is adopted in which the balance of the electromagnetic field coupling distribution is intentionally broken by coupling grooves by an electric field or a magnetic field by providing grooves or recesses in the dielectric substrate itself.

しかし、従来の共振器及び誘電体フィルタでは、小型化のために、共振器の長さを短くしたい場合、上述のように、別途負荷容量を構成することが必要であり、また共振器に付加素子を装加する構造では、部品点数が多く、小型化に不向きである。   However, in the conventional resonator and dielectric filter, when it is desired to shorten the length of the resonator for miniaturization, it is necessary to separately configure a load capacity as described above, and it is added to the resonator. The structure in which elements are added has a large number of parts and is not suitable for miniaturization.

更に、共振器の一面に導体パターンによりキャパシタ等を形成する構造では、誘電体基体の一面に、複雑で精密な導体パターンを形成する必要があり、小型化及び低背化が進展するにつれて、生産のコストが嵩むとともに、歩留にも悪影響を与える。   Furthermore, in a structure in which a capacitor or the like is formed on one surface of the resonator by using a conductor pattern, it is necessary to form a complicated and precise conductor pattern on one surface of the dielectric substrate. Costs increase and negatively affect yield.

上述した問題点を解決する手段として、特許文献1は、共振部において、第1の孔と、第2の孔とを含む孔構造とし、第1の孔の端部に、第2の孔を交差させた新規な誘電体装置を開示している。第1の孔に備えられた第1の内導体及び第2の孔に備えられた第2の内導体を互いに連続させる。   As means for solving the above-described problems, Patent Document 1 has a hole structure including a first hole and a second hole in a resonance part, and a second hole is provided at an end of the first hole. A novel crossed dielectric device is disclosed. The first inner conductor provided in the first hole and the second inner conductor provided in the second hole are made continuous with each other.

この孔構造を有する誘電体装置によれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。
特許第3329450号公報
According to the dielectric device having this hole structure, the length of the dielectric substrate can be shortened to obtain a desired resonance frequency, and a reduction in size and height can be achieved.
Japanese Patent No. 3329450

本発明の課題は、特許文献1に記載された技術に更に改良を加え、小型化及び低背化された中で、高い設計の自由度を確保し得る誘電体装置を提供することである。   An object of the present invention is to provide a dielectric device capable of ensuring a high degree of freedom in design while further improving the technique described in Patent Document 1 and reducing the size and height.

上述した課題を解決するため、本発明に係る誘電体装置は、まず、誘電体基体と、少なくとも一つの共振部とを含む。前記誘電体基体は、外面に導体膜を備えている。前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでいる。前記第1の孔は、前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かう。第1の孔は、内部に第1の内導体を備え、前記第1の内導体は前記外導体膜に連なっている。前記第2の孔は、前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向しておらず、かつ、前記外導体膜によって被覆されていない外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に連なる。第2の孔は、内部に第2の内導体を備え、前記第2の内導体は、一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連なる。   In order to solve the above-described problem, a dielectric device according to the present invention first includes a dielectric substrate and at least one resonance unit. The dielectric substrate has a conductor film on the outer surface. The resonating part includes a first hole and a second hole. The first hole is provided in the dielectric base, and one end opens on one surface of the outer surface, and extends from the one surface toward the opposing outer surface. The first hole includes a first inner conductor therein, and the first inner conductor is continuous with the outer conductor film. The second hole is provided in the dielectric substrate, opens to an outer surface not facing the one surface and not covered with the outer conductor film, and the first hole is formed inside the dielectric substrate. It continues to the hole. The second hole includes a second inner conductor therein, and one end of the second inner conductor is continuous with the first inner conductor inside the dielectric base.

上述したように、本発明に係る誘電体装置では、共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含み、第1の孔の開口面とは反対側の他端に、第2の孔を交差させた孔構造が得られる。   As described above, in the dielectric device according to the present invention, the resonating unit includes the first hole and the second hole, and the second end is opposite to the opening surface of the first hole. A hole structure in which the holes are crossed is obtained.

この孔構造において、第1の孔に備えられた第1の内導体及び第2の孔に備えられた第2の内導体を互いに連続させる。第1の孔の第1の内導体は、誘電体基体を介して、導体膜と向かい合うから、第1の内導体膜と、導体膜との間には大きな静電容量が発生する。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2の孔の軸方向で見た誘電体基体の長さに対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体の長さを短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。   In this hole structure, the first inner conductor provided in the first hole and the second inner conductor provided in the second hole are made continuous with each other. Since the first inner conductor of the first hole faces the conductor film via the dielectric substrate, a large capacitance is generated between the first inner conductor film and the conductor film. For this reason, the dielectric device according to the present invention resonates at a frequency lower than its electrical length with respect to the length of the dielectric substrate viewed in the axial direction of the second hole. In other words, the length of the dielectric substrate can be shortened to obtain a desired resonance frequency, and a reduction in size and height can be achieved.

更に、本発明は、特許文献1とは異なる特徴的構成として、第1の孔に備えられた第1の内導体は外導体膜に連なっており、代わりに、前記第2の孔が、外導体膜によって被覆されていない外面に開口する。このような構造であると、第2の孔の開口する広い外面が開放端面となるので、その面を、特性調整のためのパターン形成領域、又は、電子部品搭載領域として使用することができることとなり、小型化、低背化された中で、高い設計の自由度を確保し得る。   Further, according to the present invention, as a characteristic configuration different from that of Patent Document 1, the first inner conductor provided in the first hole is continuous with the outer conductor film, and instead, the second hole Opening is made on the outer surface not covered with the conductor film. With such a structure, since the wide outer surface where the second hole opens becomes an open end surface, the surface can be used as a pattern formation region for characteristic adjustment or an electronic component mounting region. It is possible to secure a high degree of design freedom in the miniaturization and low profile.

本発明に係る装置は、共振器、発振器、誘電体フィルタまたはDuplexer(デュプレクサ、アンテナ共用器とも称される)を広くカバーする装置として用いることができる。この内、共振器として用いる場合は、一つの共振部で済むことがある。誘電体フィルタまたはデュプレクサに用いる場合は、共振部は複数である。   The device according to the present invention can be used as a device that widely covers a resonator, an oscillator, a dielectric filter, or a duplexer (also referred to as a duplexer or an antenna duplexer). Of these, when used as a resonator, a single resonating unit may be sufficient. When used for a dielectric filter or a duplexer, there are a plurality of resonance parts.

以上述べたように、本発明によれば、特許文献1に記載された技術に更に改良を加え、小型化及び低背化された中で、高い設計の自由度を確保し得る誘電体装置、具体的には、共振器、発振器、誘電体フィルタまたはDuplexerを提供することができる。   As described above, according to the present invention, a dielectric device capable of ensuring a high degree of freedom in design while further improving the technique described in Patent Document 1 and reducing the size and height. Specifically, a resonator, an oscillator, a dielectric filter, or a duplexer can be provided.

本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照して、更に詳しく説明する。但し、本発明の技術的範囲がこれらの図示実施例に限定されないことは言うまでもない。   Other objects, configurations and advantages of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. However, it goes without saying that the technical scope of the present invention is not limited to these illustrated embodiments.

図1は本発明に係る誘電体共振器の斜視図、図2は図1に示した誘電体共振器を背面側から見た斜視図、図3は図1の3−3線に沿った断面図、図4は図3の4−4線に沿った断面図である。図示された誘電共振器は、誘電体基体1と、1つの共振部Q1とを含む。誘電体基体1は、周知の誘電体セラミックスを用いて、第1の外面21〜第6の外面26を有する略六面体状に形成され、第1の外面21を除いて、第2の外面22〜第6の外面26の大部分が外導体膜3によって覆われている。外導体膜3は、一般に、銅または銀等を主成分とし、焼き付け、メッキ等の手段によって形成される。   1 is a perspective view of a dielectric resonator according to the present invention, FIG. 2 is a perspective view of the dielectric resonator shown in FIG. 1 viewed from the back side, and FIG. 3 is a cross-section taken along line 3-3 in FIG. 4 and 4 are cross-sectional views taken along line 4-4 of FIG. The illustrated dielectric resonator includes a dielectric substrate 1 and one resonance part Q1. The dielectric substrate 1 is formed in a substantially hexahedron shape having a first outer surface 21 to a sixth outer surface 26 using a known dielectric ceramic, and the second outer surface 22 to the second outer surface 22 except for the first outer surface 21. Most of the sixth outer surface 26 is covered with the outer conductor film 3. The outer conductor film 3 generally has copper or silver as a main component and is formed by means such as baking or plating.

共振部Q1は、第1の孔41と、第2の孔51とを含む。第1の孔41は、誘電体基体1に設けられ、一端が第3の外面23に開口し、第3の外面23からその対向面となる第2の外面22の方向に向かう。第1の孔41は内部に第1の内導体61を備える。第1の内導体61は、外導体膜3と同様の材料及び手段によって、電極膜として形成される。これとは異なって、第1の内導体61は第1の孔41の一部または全体を埋めるように充填されていてもよい。第1の内部導体61は、第3の外面23において外導体膜3に連続する。この点、特許文献1に記載された先行技術と異なる。   The resonating part Q1 includes a first hole 41 and a second hole 51. The first hole 41 is provided in the dielectric substrate 1, and one end thereof opens to the third outer surface 23, and extends from the third outer surface 23 toward the second outer surface 22 that is an opposing surface thereof. The first hole 41 includes a first inner conductor 61 inside. The first inner conductor 61 is formed as an electrode film by the same material and means as the outer conductor film 3. Unlike this, the first inner conductor 61 may be filled so as to fill a part or the whole of the first hole 41. The first inner conductor 61 is continuous with the outer conductor film 3 on the third outer surface 23. This point is different from the prior art described in Patent Document 1.

第2の孔51も、誘電体基体1に設けられる。第2の孔51は、一端が、外導体膜3によって覆われていない第1の外面21に開口し、第2の孔51は第1の外面21からその対向面である第4の外面24の方向に向かい、誘電体基体1の内部で第1の孔41に連なる。   The second hole 51 is also provided in the dielectric substrate 1. One end of the second hole 51 opens to the first outer surface 21 that is not covered by the outer conductor film 3, and the second hole 51 extends from the first outer surface 21 to the fourth outer surface 24 that is the opposite surface. The first hole 41 is continued inside the dielectric substrate 1.

第2の孔51は、内部に第2の内導体81を備える。この第2の内導体81は、一端が第1の外面21に位置し、他端が第1の内導体61に連続する。第1の外面21は、外導体膜3によって覆われていないので、第2の内導体81は外導体膜3には連続しない。したがって、第1の外面21が、開放端面となる。第2の内導体81は、第1の内導体61と同様の材料及び手段によって形成される。第2の内導体81は、第2の孔51の一部または全体を埋めるように、充填されていてもよい。第2の孔51及びその第2の内導体81が、外導体膜3によって覆われていない第1の外面21に開口している点が、本発明のもう一つの特徴を構成する。   The second hole 51 includes a second inner conductor 81 inside. The second inner conductor 81 has one end located on the first outer surface 21 and the other end continuing to the first inner conductor 61. Since the first outer surface 21 is not covered with the outer conductor film 3, the second inner conductor 81 is not continuous with the outer conductor film 3. Accordingly, the first outer surface 21 is an open end surface. The second inner conductor 81 is formed of the same material and means as the first inner conductor 61. The second inner conductor 81 may be filled so as to fill a part or the whole of the second hole 51. Another feature of the present invention is that the second hole 51 and the second inner conductor 81 open to the first outer surface 21 that is not covered by the outer conductor film 3.

図示実施例において、第2の孔51は、内径D2の実質的な円形状であり、第1の孔41は、図1で見て、横方向の内径D11が、縦方向の内径D12よりも大きい略長方形状の孔形を有する。横方向の内径D11は第2の孔51の内径D2よりも大きい。従って、第2の孔51の他端は、第1の孔41の横幅内で、第1の孔41に連なることになる。第1の孔41は、隅部が円弧状であることが好ましい。この図の場合、D11>D12で示しているが、D11≦D12にすることも可能である。この図では、更に、第1の孔41は、第2の孔51との連接領域から、距離X1だけ奥行き方向に突出している(図3参照)。また、第2の孔51が開口している第1の外面21と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対向している面24と第1の孔41との距離d1より長い(図3参照)。即ち、d0>d1である。   In the illustrated embodiment, the second hole 51 has a substantially circular shape with an inner diameter D2, and the first hole 41 has a horizontal inner diameter D11 that is larger than a vertical inner diameter D12 as viewed in FIG. It has a large, substantially rectangular hole shape. The inner diameter D11 in the lateral direction is larger than the inner diameter D2 of the second hole 51. Therefore, the other end of the second hole 51 is connected to the first hole 41 within the lateral width of the first hole 41. As for the 1st hole 41, it is preferred that a corner is circular. In this figure, D11> D12, but it is also possible to satisfy D11 ≦ D12. In this figure, the first hole 41 further protrudes in the depth direction by a distance X1 from the connection region with the second hole 51 (see FIG. 3). Further, the distance d0 between the first outer surface 21 in which the second hole 51 is open and the first hole 41 is equal to the distance between the surface 24 facing the second hole 51 and the first hole 41. It is longer than the distance d1 (see FIG. 3). That is, d0> d1.

第1の孔41の内面に備えられた第1の内導体61と、第2の外面22、第4の外面24〜第6の外面26に設けられた外導体膜3との間には、厚みd1〜d4の誘電体層71〜74が存在する(図3、図4参照)。更に、第2の外面22には、外導体膜3との間にギャップg21を隔てて、端子11が備えられている。端子11は誘電体層72を介して、第1の内導体61と静電容量C02によって結合している。   Between the first inner conductor 61 provided on the inner surface of the first hole 41 and the outer conductor film 3 provided on the second outer surface 22, the fourth outer surface 24 to the sixth outer surface 26, There are dielectric layers 71 to 74 having thicknesses d1 to d4 (see FIGS. 3 and 4). Further, the terminal 11 is provided on the second outer surface 22 with a gap g21 between the outer conductor film 3 and the second outer surface 22. The terminal 11 is coupled to the first inner conductor 61 by a capacitance C02 through the dielectric layer 72.

上述したように、共振部Q1において、第1の孔41は、一端が第3の外面23に開口し、外導体膜3に連続するとともに、第3の外面23からその対向する第2の外面22に向かう。第2の孔51は、一端が、外導体膜3によって覆われていない第1の外面21に開口し、第1の外面21からその対向する第4の外面24の方向に向かい、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔41に連なる。   As described above, in the resonance part Q1, the first hole 41 has one end opened to the third outer surface 23, continuous with the outer conductor film 3, and the second outer surface facing the third outer surface 23. Head to 22. One end of the second hole 51 opens to the first outer surface 21 that is not covered by the outer conductor film 3, and extends from the first outer surface 21 toward the opposing fourth outer surface 24, and the other end. The dielectric substrate 1 is continuous with the first hole 41 inside the dielectric substrate 1.

この孔構造において、第1の内導体61及び第2の内導体81を互いに連続させてあるから、第1の孔41及び第2の孔51は、1つの電気回路を構成する。第1の内導体61は、誘電体層71〜74を介して、第2の外面22、面24〜第6の外面26上の外導体膜3と向き合う。従って、第1の内導体61と外導体膜3との間には、容量性結合が発生する。   In this hole structure, since the first inner conductor 61 and the second inner conductor 81 are continuous with each other, the first hole 41 and the second hole 51 constitute one electric circuit. The first inner conductor 61 faces the outer conductor film 3 on the second outer surface 22 and the surface 24 to the sixth outer surface 26 via the dielectric layers 71 to 74. Accordingly, capacitive coupling occurs between the first inner conductor 61 and the outer conductor film 3.

第1の孔41は、複数備えることもできる。この場合、第1の孔41のそれぞれは、異なる面に開口し、それぞれに備えられた第1の内導体を、誘電体基体1の内部で第2の内導体81に連続させる。例えば、図1〜図4に示した実施例において、第2の孔51と交差する方向から、1つまたは複数の第1の孔41を設けて、第2の孔51の端部と交差させ、それぞれの内導体を、図1〜図4に示した態様で、第2の内導体81に連続させる。図1乃至図4の実施例では、六面体状の誘電体基体1を用いているので、第3の外面23、第2の外面22、及び第4の外面24〜第6の外面26を利用して、上述した第1の孔41の追加構造を実現できる。   A plurality of the first holes 41 can be provided. In this case, each of the first holes 41 opens on a different surface, and the first inner conductor provided in each of the first holes 41 is continuous with the second inner conductor 81 inside the dielectric substrate 1. For example, in the embodiment shown in FIG. 1 to FIG. 4, one or a plurality of first holes 41 are provided from the direction intersecting with the second holes 51 and intersected with the end portions of the second holes 51. The respective inner conductors are made to be continuous with the second inner conductor 81 in the manner shown in FIGS. In the embodiment of FIGS. 1 to 4, the hexahedral dielectric substrate 1 is used, and therefore the third outer surface 23, the second outer surface 22, and the fourth outer surface 24 to the sixth outer surface 26 are used. Thus, the additional structure of the first hole 41 described above can be realized.

上述したように、第1の孔41に備えられた第1の内導体61は、誘電体基体1による誘電体層71、73、74を介して、外導体膜3と向かい合うから、第1の内導体膜61と、外導体膜3との間には大きな静電容量が発生する。このため、本発明に係る誘電体装置は、第2の孔51の軸方向で見た誘電体基体1の長さL1に対して、その電気長より低い周波数で共振する。換言すれば、所望の共振周波数を得るのに誘電体基体1の長さL1を短縮し、小型化及び低背化を達成することができる。   As described above, the first inner conductor 61 provided in the first hole 41 faces the outer conductor film 3 through the dielectric layers 71, 73, and 74 of the dielectric substrate 1. A large capacitance is generated between the inner conductor film 61 and the outer conductor film 3. For this reason, the dielectric device according to the present invention resonates at a frequency lower than the electrical length with respect to the length L1 of the dielectric substrate 1 viewed in the axial direction of the second hole 51. In other words, in order to obtain a desired resonance frequency, the length L1 of the dielectric substrate 1 can be shortened, and a reduction in size and height can be achieved.

また、第2の孔51が開口している第1の外面21と、第1の孔41との距離d0が、第2の孔51に対向している面24と第1の孔41との距離(厚み)d1より長くなっていて、d0>d1を満たす実施例の場合、距離(厚み)d1の寸法に応じた静電容量を取得できる。   Further, the distance d0 between the first outer surface 21 in which the second hole 51 is open and the first hole 41 is equal to the distance between the surface 24 facing the second hole 51 and the first hole 41. In the case of an embodiment that is longer than the distance (thickness) d1 and satisfies d0> d1, a capacitance according to the dimension of the distance (thickness) d1 can be acquired.

更に、本発明に係る誘電体装置の構造的特徴として、第1の孔41に備えられた第1の内導体61は外導体膜3に連なっており、第2の孔51が、外導体膜3によって被覆されていない第1の外面21に開口する。第2の内導体81の端部も、当然、外導体膜3によって被覆されていない第1の外面21に位置し、外導体膜3から分離されることになる。このような構造であると、第2の孔51の開口する広い第1の外面21が、開放端面となるので、その面を、特性調整のためのパターン形成領域、又は、電子部品搭載領域として使用することができることとなり、小型化、低背化された中で、高い設計の自由度を確保し得る。   Further, as a structural feature of the dielectric device according to the present invention, the first inner conductor 61 provided in the first hole 41 is continuous with the outer conductor film 3, and the second hole 51 is formed in the outer conductor film. 3 opens to the first outer surface 21 not covered by 3. The end portion of the second inner conductor 81 is naturally located on the first outer surface 21 not covered with the outer conductor film 3 and is separated from the outer conductor film 3. With such a structure, the wide first outer surface 21 where the second hole 51 opens serves as an open end surface, so that the surface is used as a pattern formation region for characteristic adjustment or an electronic component mounting region. It can be used, and a high degree of freedom in design can be ensured in the miniaturization and low profile.

図5は誘電体共振器の別の実施例を示す斜視図、図6は図5の6−6線断面図である。図において、図1乃至図4に現れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明はできるだけ省略する。図5及び図6に示した実施例では、第1の孔41は、第3の外面23−第2の外面22の間で貫通している。端子11は、第2の孔51に備えられた第2の内導体81と、誘電体基体1を介して対向すべく、第2の外面22に設けられている。図5及び図6に示した実施例に示した誘電体共振器の場合も、第2の孔51及び第2の内導体81の開口する第1の外面21は外導体膜3によって覆われておらず、したがって、小型化及び低背化された中で、第1の外面21の平面積を利用し、パターン形成、電子部品の実装などが可能であり、高い設計の自由度を確保できる。   FIG. 5 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric resonator, and FIG. 6 is a sectional view taken along line 6-6 of FIG. In the figure, the same components as those shown in FIGS. 1 to 4 are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted as much as possible. In the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the first hole 41 penetrates between the third outer surface 23 and the second outer surface 22. The terminal 11 is provided on the second outer surface 22 so as to face the second inner conductor 81 provided in the second hole 51 via the dielectric substrate 1. Also in the case of the dielectric resonator shown in the embodiment shown in FIGS. 5 and 6, the first outer surface 21 where the second hole 51 and the second inner conductor 81 open is covered with the outer conductor film 3. Therefore, while the size and the height are reduced, the plane area of the first outer surface 21 can be used to form a pattern, mount an electronic component, and the like, and a high degree of design freedom can be secured.

図7は本発明に係る誘電体フィルタの実施例を示す斜視図、図8は図7に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図、図9は図7の9−9線断面図である。これらの図は、端子11が、第2の外面22及び第4の外面24に跨って、連続する導体膜によって構成されている。   7 is a perspective view showing an embodiment of the dielectric filter according to the present invention, FIG. 8 is a perspective view of the dielectric filter shown in FIG. 7 as viewed from the back side, and FIG. 9 is a sectional view taken along line 9-9 of FIG. It is. In these drawings, the terminal 11 is formed of a continuous conductor film straddling the second outer surface 22 and the fourth outer surface 24.

図10は本発明に係る誘電体フィルタの実施例を示す斜視図、図11は図10に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図、図12は図10の12−12線断面図、図13は図12の13−13線断面図である。これらの図は、2つの共振部Q1、Q2を有する誘電体フィルタの例を示している。共振部Q1、Q2のそれぞれは、誘電体基体1を共用して一体化されている。   10 is a perspective view showing an embodiment of a dielectric filter according to the present invention, FIG. 11 is a perspective view of the dielectric filter shown in FIG. 10 as seen from the back side, and FIG. 12 is a sectional view taken along line 12-12 in FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line 13-13 of FIG. These drawings show an example of a dielectric filter having two resonance parts Q1 and Q2. Each of the resonance parts Q1 and Q2 is integrated by sharing the dielectric substrate 1.

共振部Q1は第1の孔41と、第2の孔51とを含んでいる。第1の孔41及び第2の孔51は、先に図示され、かつ、説明された何れの構造も、採用することができる。第1の孔41は、一端が第3の外面23に開口し、第3の外面23から、第2の外面22の方向に向かう。第1の孔41は内部に第1の内導体61を備える。第1の内部導体61は、第3の外面23において外導体膜3に連なる。   The resonating part Q <b> 1 includes a first hole 41 and a second hole 51. The first hole 41 and the second hole 51 can employ any of the structures shown and described above. One end of the first hole 41 opens in the third outer surface 23, and extends from the third outer surface 23 toward the second outer surface 22. The first hole 41 includes a first inner conductor 61 inside. The first inner conductor 61 is continuous with the outer conductor film 3 on the third outer surface 23.

また、第2の孔51は、一端が、第3の外面23と対向しない第1の外面21に開口し、他端が誘電体基体1の内部で第1の孔41の他端に連なる。第2の孔51に備えられた第2の内導体81は、一端が、外導体膜3によって覆われていない第1の外面21に開口し、他端が誘電体基体1の内部で第1の内導体61に連続する。   The second hole 51 has one end opened to the first outer surface 21 that does not face the third outer surface 23, and the other end connected to the other end of the first hole 41 inside the dielectric substrate 1. One end of the second inner conductor 81 provided in the second hole 51 opens to the first outer surface 21 that is not covered by the outer conductor film 3, and the other end is the first inside the dielectric substrate 1. The inner conductor 61 is continuous.

共振部Q2は、共振部Q1と実質的に同一の構造であり、第1の孔42と、第2の孔52とを含んでいる。第1の孔42及び第2の孔52は、図1〜図6に図示され、かつ、説明された何れかの構造を採用することができる。   The resonance part Q2 has substantially the same structure as the resonance part Q1, and includes a first hole 42 and a second hole 52. The first hole 42 and the second hole 52 may employ any of the structures shown and described in FIGS.

図10〜図13に示した誘電体フィルタにおいて、共振部Q2は、共振部Q1と同じ構造であるから、その作用、利点については、共振部Q1に関する説明を、共振部Q2についても採用できる。誘電体フィルタ全体としての作用は、更に、共振部Q1と共振部Q2との間の結合を考慮すればよい。   In the dielectric filter shown in FIGS. 10 to 13, since the resonance part Q2 has the same structure as that of the resonance part Q1, the description of the resonance part Q1 can be applied to the resonance part Q2 with respect to its function and advantage. The action of the dielectric filter as a whole may further take into account the coupling between the resonance part Q1 and the resonance part Q2.

共振部Q1と共振部Q2との間の結合が、容量性結合になるか、誘導性結合になるかは、共振部Q1、Q2を構成する第1の孔41、42の内導体61、62の間に形成される容量と、第1の孔41、42の内導体61、62と外導体膜3の間に形成される容量の相対関係に依る。前者が強い場合、Q1、Q2は容量性結合が支配的に、後者が強い場合は誘導性結合が支配的になる。   Whether the coupling between the resonance part Q1 and the resonance part Q2 is capacitive coupling or inductive coupling determines whether the inner conductors 61 and 62 of the first holes 41 and 42 constituting the resonance parts Q1 and Q2 are used. And the capacitance formed between the inner conductors 61 and 62 of the first holes 41 and 42 and the outer conductor film 3. When the former is strong, capacitive coupling is dominant in Q1 and Q2, and when the latter is strong, inductive coupling is dominant.

更に、本発明は、その特徴的構成として、第1の孔41、42に備えられた第1の内導体61、62は外導体膜3に連なっており、代わりに、第2の孔51、52が、外導体膜3によって被覆されていない第1の外面21に開口する。このような構造であると、第2の孔51、52の開口する広い第1の外面21が開放端面となるので、その面を、特性調整のための導体パターン811、821を形成する領域、又は、電子部品(図示しない)を搭載する領域として使用することができることとなり、小型化、低背化された中で、高い設計の自由度を確保し得る。   Further, according to the present invention, as a characteristic configuration, the first inner conductors 61 and 62 provided in the first holes 41 and 42 are connected to the outer conductor film 3. 52 opens in the first outer surface 21 not covered with the outer conductor film 3. With such a structure, since the wide first outer surface 21 in which the second holes 51 and 52 are opened becomes an open end surface, the surface is a region where conductor patterns 811 and 821 for characteristic adjustment are formed, Alternatively, it can be used as an area for mounting electronic components (not shown), and a high degree of freedom in design can be ensured while being downsized and reduced in height.

また、図11、図13を参照すると、誘電体基体1の第2の外面22には、入出力端子となる第1の端子11及び第2の端子12が備えられている。第1の端子11は、第1の孔41と、厚さd21の誘電体層72を介して対向する位置に設けられ、外導体膜3から絶縁ギャップg21によって電気的に絶縁されている。   Referring to FIGS. 11 and 13, the second outer surface 22 of the dielectric substrate 1 is provided with a first terminal 11 and a second terminal 12 that serve as input / output terminals. The first terminal 11 is provided at a position facing the first hole 41 via the dielectric layer 72 having a thickness d21, and is electrically insulated from the outer conductor film 3 by the insulating gap g21.

第2の端子12は、第1の孔42と、厚さd22の誘電体層75を介して対向する位置に設けられ、外導体膜3から絶縁ギャップg22によって電気的に絶縁されている。   The second terminal 12 is provided at a position facing the first hole 42 via the dielectric layer 75 having a thickness d22, and is electrically insulated from the outer conductor film 3 by the insulating gap g22.

第1及び第2の端子11、12と、第1の孔41、42の第1の内導体61、62との間には、その間の誘電体層の厚さ、その誘電率及び面積によって定まる結合容量が発生する。第1及び第2の端子11、12は、第1の孔41、42の第1の内導体61、62と重なることは必須ではない。部分的に対向し、または、対向しない位置に設けてあってもよい。また、絶縁ギャップg21、g22は一つのギャップとして連続させてもよい。   The distance between the first and second terminals 11 and 12 and the first inner conductors 61 and 62 of the first holes 41 and 42 is determined by the thickness of the dielectric layer therebetween, the dielectric constant and the area thereof. A coupling capacity is generated. It is not essential that the first and second terminals 11 and 12 overlap the first inner conductors 61 and 62 of the first holes 41 and 42. You may provide in the position which opposes partially or does not oppose. The insulating gaps g21 and g22 may be continued as one gap.

図14は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。図14に示した実施例の特徴は、第1及び第2の端子11、12が、第1の外面21に近接した位置に配置され、第2の孔51、52と重なり、その第2の内導体81、82と電気的に結合している点にある。図14に示した誘電体共振器の場合も、第2の孔51及び第2の内導体81、82の開口する第1の外面21は外導体膜3によって覆われておらず、したがって、小型化及び低背化された中で、第1の外面21の平面積を利用して、導体パターンを形成し、又は、電子部品を実装するなどが可能であり、高い設計の自由度を確保できる。   FIG. 14 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric filter according to the present invention. The feature of the embodiment shown in FIG. 14 is that the first and second terminals 11 and 12 are arranged at positions close to the first outer surface 21, overlap the second holes 51 and 52, and the second terminals This is in the point of being electrically coupled to the inner conductors 81 and 82. In the case of the dielectric resonator shown in FIG. 14 as well, the first outer surface 21 in which the second hole 51 and the second inner conductors 81 and 82 are opened is not covered with the outer conductor film 3, and therefore, the small size is small. With the reduction in height and height, it is possible to form a conductor pattern or mount an electronic component using the plane area of the first outer surface 21, and to ensure a high degree of design freedom. .

図15は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。図15に示した実施例の特徴は、第1及び第2の端子11、12が、第1の外面21に近接した位置に配置され、第2の孔51、52と重なり、孔内に形成された第2の内導体81、82と電気的に結合している点と、第1の孔41、42が、第3の外面23−第2の外面22の間で貫通している点にある。図15に示した誘電体共振器の場合も、第2の孔51、52及び第2の内導体81、82の開口する第1の外面21は外導体膜3によって覆われておらず、したがって、小型化及び低背化された中で、第1の外面21の平面積を利用して、パターンを形成し、又は、電子部品を実装することなどが可能であり、高い設計の自由度を確保できる。   FIG. 15 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric filter according to the present invention. The feature of the embodiment shown in FIG. 15 is that the first and second terminals 11 and 12 are arranged at positions close to the first outer surface 21, overlap the second holes 51 and 52, and are formed in the holes. The second inner conductors 81 and 82 are electrically coupled to each other, and the first holes 41 and 42 penetrate between the third outer surface 23 and the second outer surface 22. is there. Also in the case of the dielectric resonator shown in FIG. 15, the first outer surface 21 in which the second holes 51 and 52 and the second inner conductors 81 and 82 are opened is not covered with the outer conductor film 3. It is possible to form a pattern or mount an electronic component by utilizing the plane area of the first outer surface 21 while being reduced in size and height, and has a high degree of design freedom. It can be secured.

次に、図10〜図13、図14及び図15に図示した各実施例の周波数減衰特性について、図16〜図20を参照して説明する。まず、図16は、図10〜図13に示した構造を持つ誘電体フィルタの周波数減衰特性を示し、図17は特許文献1に記載された誘電体フィルタの周波数減衰特性を示している。特許文献1に記載された誘電体フィルタは、図10〜図13の図示を借用して説明すると、第1の孔41、42に形成された第1の内導体61、62が、第3の外面23において、外導体膜3からギャップによって隔てられ、第2の孔51、52に備えられた第2の内導体81、82が、第1の外面21で、外導体膜3と連なっている構造を有するものである。   Next, the frequency attenuation characteristics of the embodiments shown in FIGS. 10 to 13, 14 and 15 will be described with reference to FIGS. First, FIG. 16 shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric filter having the structure shown in FIGS. 10 to 13, and FIG. 17 shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric filter described in Patent Document 1. The dielectric filter described in Patent Document 1 will be described by borrowing the illustration of FIGS. 10 to 13, and the first inner conductors 61 and 62 formed in the first holes 41 and 42 are the third ones. On the outer surface 23, the second inner conductors 81 and 82 separated from the outer conductor film 3 by the gap and provided in the second holes 51 and 52 are connected to the outer conductor film 3 on the first outer surface 21. It has a structure.

図16と図17とを比較すると、本発明に係る誘電体フィルタの場合、通過帯域よりも高周波側の3600〜4100(MHz)の周波数領域において、明確な減衰極が現れる。   When comparing FIG. 16 with FIG. 17, in the case of the dielectric filter according to the present invention, a clear attenuation pole appears in the frequency region of 3600 to 4100 (MHz) on the higher frequency side than the pass band.

次に、図18は、図10〜図13に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性(曲線A1)と、図14に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性(曲線B1)とを、比較して示す図である。曲線A1、B1で示される周波数減衰特性は、減衰極の若干のシフトが認められるだけである。   Next, FIG. 18 compares the frequency attenuation characteristic (curve A1) of the dielectric filter shown in FIGS. 10 to 13 with the frequency attenuation characteristic (curve B1) of the dielectric filter shown in FIG. FIG. In the frequency attenuation characteristics shown by the curves A1 and B1, only a slight shift of the attenuation pole is recognized.

図19は、図14に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性を示し、図20は図15に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性を示している。図20をみると、通過周波数帯域(4100MHz前後)のごく近傍に、低域側減衰極が現れていることが分かる。したがって、低域側遮断の用途には、図15の構造が適しているといえる。   19 shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric filter shown in FIG. 14, and FIG. 20 shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric filter shown in FIG. As can be seen from FIG. 20, a low-frequency attenuation pole appears in the very vicinity of the pass frequency band (around 4100 MHz). Therefore, it can be said that the structure shown in FIG.

図21は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。図21に示した実施例の特徴は、誘電体基体1の第1の外面21に凹部101を有することである。凹部101の内部には、共振部Q1、Q2を構成する第2の孔51、52が含まれている。   FIG. 21 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric filter according to the present invention. A feature of the embodiment shown in FIG. 21 is that the first outer surface 21 of the dielectric substrate 1 has a recess 101. The recess 101 includes second holes 51 and 52 constituting the resonance parts Q1 and Q2.

図21の実施例によれば、凹部101のディメンション選定により、共振部Q1と共振部Q2との間の結合特性及び各共振周波数を調整することができる。   According to the embodiment of FIG. 21, the coupling characteristics between the resonance part Q1 and the resonance part Q2 and each resonance frequency can be adjusted by selecting the dimension of the recess 101.

図22は本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図、図23は図22の23−23線断面図である。図示実施例において、第1の孔41は、大径部411と、小径部412とを含んでいる。大径部411は第3の外面23に開口し、小径部412は大径部411の下方に連なる。第1の孔42も、大径部421と、小径部422とを含んでおり、大径部421は第3の外面23に開口し、小径部422は大径部421の下方に連なる。   22 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric filter according to the present invention, and FIG. 23 is a sectional view taken along line 23-23 of FIG. In the illustrated embodiment, the first hole 41 includes a large diameter portion 411 and a small diameter portion 412. The large diameter portion 411 opens in the third outer surface 23, and the small diameter portion 412 continues below the large diameter portion 411. The first hole 42 also includes a large diameter portion 421 and a small diameter portion 422, the large diameter portion 421 opens to the third outer surface 23, and the small diameter portion 422 is continuous below the large diameter portion 421.

図22、図23に示した実施例の場合、大径部(411、421)、(511、521)の孔径選定により、共振部Q1と共振部Q2との間の結合特性及び各共振周波数を調整することができる。   In the case of the embodiments shown in FIGS. 22 and 23, the coupling characteristics and the resonance frequencies between the resonance part Q1 and the resonance part Q2 are selected by selecting the hole diameters of the large diameter parts (411, 421), (511, 521). Can be adjusted.

図24は3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタを示す斜視図、図25は図24に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図、図26は図24の26−26線断面図、図27は図26の27−27線断面図である。   24 is a perspective view showing a dielectric filter having three resonance parts Q1, Q2, and Q3, FIG. 25 is a perspective view of the dielectric filter shown in FIG. 24 as viewed from the back side, and FIG. 26 is a sectional view taken along line 26, and FIG. 27 is a sectional view taken along line 27-27 in FIG.

共振部Q1、Q2、Q3のそれぞれは、誘電体基体1を共用して一体化されている。誘電体基体1は、第1の外面21を除いて、面の大部分が外導体膜3によって覆われている。   Each of the resonating parts Q1, Q2, and Q3 is integrated with the dielectric substrate 1 in common. The dielectric substrate 1 is covered with the outer conductor film 3 for most of the surface except for the first outer surface 21.

共振部Q1は第1の孔41と第2の孔51とを含む。共振部Q2は第1の孔42と第2の孔52とを含む。共振部Q3は第1の孔43と第2の孔53とを含む。第1の孔41〜43及び第2の孔51〜53の個別的構造、及び、相対関係は、既に説明した通りである。   The resonating part Q1 includes a first hole 41 and a second hole 51. The resonance part Q <b> 2 includes a first hole 42 and a second hole 52. The resonance part Q3 includes a first hole 43 and a second hole 53. The individual structures and relative relationships of the first holes 41 to 43 and the second holes 51 to 53 are as described above.

実施例において、共振部Q1、Q3の間に位置する共振部Q2は、第1の孔42の深さが共振部Q1、Q3よりも浅く、且、誘電体層71の厚みd12が共振部Q1、Q3における誘電体層71の厚みd11、d13よりも大きい。従って、共振部Q2の静電容量は、共振部Q1、Q3の静電容量よりも小さくなる。   In the embodiment, in the resonance part Q2 located between the resonance parts Q1 and Q3, the depth of the first hole 42 is shallower than the resonance parts Q1 and Q3, and the thickness d12 of the dielectric layer 71 is the resonance part Q1. , Larger than the thicknesses d11 and d13 of the dielectric layer 71 in Q3. Therefore, the capacitance of the resonance part Q2 is smaller than the capacitances of the resonance parts Q1 and Q3.

第1の端子11は、第2の外面22において、第1の孔41に対応する位置に、絶縁ギャップg21によって、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されている。   The first terminal 11 is disposed on the second outer surface 22 at a position corresponding to the first hole 41 while being electrically insulated from the outer conductor film 3 by the insulating gap g21.

第2の端子12は、第2の外面22において、第3の孔43と対応する位置に、絶縁ギャップg22によって、外導体膜3から電気絶縁した状態で配置されている。   The second terminal 12 is disposed on the second outer surface 22 at a position corresponding to the third hole 43 while being electrically insulated from the outer conductor film 3 by the insulating gap g22.

図28は3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図、図29はその横断面図である。図28、図29に示した実施例の基本的構造は、図24〜図27に示した実施例と同様であるが、共振部Q1〜Q3を構成する第1の孔41〜43が縦長になっている点で、異なる。   FIG. 28 is a perspective view showing another embodiment of the dielectric filter having three resonating portions Q1, Q2, and Q3, and FIG. 29 is a cross-sectional view thereof. The basic structure of the embodiment shown in FIGS. 28 and 29 is the same as that of the embodiment shown in FIGS. 24 to 27, but the first holes 41 to 43 constituting the resonance parts Q1 to Q3 are vertically long. Is different.

図21〜図29に図示した誘電体共振器のいずれも、第2の孔51、52、53及び第2の内導体81、82、82の開口する第1の外面21は外導体膜3によって覆われておらず、したがって、小型化及び低背化された中で、第1の外面21の平面積を利用し、パターン形成、電子部品の実装などが可能であり、高い設計の自由度を確保できる。   In any of the dielectric resonators illustrated in FIGS. 21 to 29, the first outer surface 21 in which the second holes 51, 52, 53 and the second inner conductors 81, 82, 82 are opened is formed by the outer conductor film 3. It is not covered. Therefore, it is possible to form a pattern, mount an electronic component, etc. by using the plane area of the first outer surface 21 while being reduced in size and height, and has a high degree of design freedom. It can be secured.

本発明に係る誘電体装置は、誘電体共振器、誘電体フィルタまたはデュプレクサを広くカバーする装置として用いることができる。この内、誘電体共振器及び誘電体フィルタについては、これまで、図1〜図29を参照して詳細に説明した。紙面の都合上、これらについての説明は、以上に留めるが、より多くの共振部を備え得ること、及び、図示され、かつ、説明された各実施例の組み合わせが多数存在し得ること等は自明である。   The dielectric device according to the present invention can be used as a device that covers a wide range of dielectric resonators, dielectric filters, or duplexers. Among these, the dielectric resonator and the dielectric filter have been described in detail with reference to FIGS. For the sake of space, the description of these is given above. However, it is obvious that more resonating parts can be provided, and that there can be many combinations of the illustrated and described embodiments. It is.

次に、本発明に係る誘電体装置のもう一つの重要な適用例であるデュプレクサについて説明する。   Next, a duplexer which is another important application example of the dielectric device according to the present invention will be described.

図30は本発明に係るデュプレクサの斜視図、図31は図30に示したデュプレクサを背面側からみた斜視図、図32は図30の32−32線に沿った断面図である。図示されたデュプレクサは6つの共振部Q1〜Q6を有する。共振部Q1〜Q6のそれぞれは、誘電体基体1を共用して一体化されている。誘電体基体1は、第1の外面21となる一面を除いて、面の大部分が外導体膜3によって覆われている。   30 is a perspective view of the duplexer according to the present invention, FIG. 31 is a perspective view of the duplexer shown in FIG. 30 as viewed from the back side, and FIG. 32 is a cross-sectional view taken along line 32-32 of FIG. The illustrated duplexer has six resonance parts Q1 to Q6. Each of the resonating parts Q1 to Q6 is integrated by sharing the dielectric substrate 1. The dielectric substrate 1 is covered with the outer conductor film 3 in most of the surface except for one surface which becomes the first outer surface 21.

共振部Q1〜Q6の内、共振部Q1は、第1の孔41と第2の孔51との組み合わせ、共振部Q2は第1の孔42と第2の孔52との組み合わせ、共振部Q3は第1の孔43と第2の孔53との組み合わせを、それぞれ含む。共振部Q4は第1の孔44と第2の孔54との組み合わせ、共振部Q5は第1の孔45と第2の孔55との組み合わせ、共振部Q6は第1の孔46と第2の孔56との組み合わせを、それぞれ含む。   Among the resonating parts Q1 to Q6, the resonating part Q1 is a combination of the first hole 41 and the second hole 51, the resonating part Q2 is a combination of the first hole 42 and the second hole 52, and the resonating part Q3. Includes combinations of the first hole 43 and the second hole 53, respectively. The resonance part Q4 is a combination of the first hole 44 and the second hole 54, the resonance part Q5 is a combination of the first hole 45 and the second hole 55, and the resonance part Q6 is a combination of the first hole 46 and the second hole 55. Each of the combinations with the holes 56 is included.

第1の孔(41〜46)と第2の孔(51〜56)の個別的構造、及び、相対関係の詳細は、図1〜図15を参照して説明した通りである。第1の孔(41〜46)は、第1の内導体(61〜66)を有し、第2の孔(51〜56)は第2の内導体(81〜86)を有する。   The individual structures of the first holes (41 to 46) and the second holes (51 to 56) and the details of the relative relationship are as described with reference to FIGS. The first holes (41 to 46) have first inner conductors (61 to 66), and the second holes (51 to 56) have second inner conductors (81 to 86).

デュプレクサは、アンテナ共用器として用いられるので、共振部Q1〜Q3、及び、共振部Q4〜Q6の何れか一方が送信用、他方が受信用となる。送信周波数と受信周波数は互いに異なるので、共振部Q1〜Q3の共振特性と、共振部Q4〜Q6の共振特性とは、互いに異ならせる。   Since the duplexer is used as an antenna duplexer, one of the resonance units Q1 to Q3 and the resonance units Q4 to Q6 is for transmission and the other is for reception. Since the transmission frequency and the reception frequency are different from each other, the resonance characteristics of the resonance parts Q1 to Q3 and the resonance characteristics of the resonance parts Q4 to Q6 are different from each other.

送信側の共振部Q1〜Q3のうち、共振部Q1に含まれる第1の孔41には、第2の外面22に設けられた第1の端子11が、誘電体基体1による誘電体層を介して、結合されている。   Among the resonance parts Q1 to Q3 on the transmission side, in the first hole 41 included in the resonance part Q1, the first terminal 11 provided on the second outer surface 22 has a dielectric layer formed by the dielectric substrate 1. Are connected through.

共振部Q4〜Q6のうち、共振部Q6に含まれる第1の孔46には、誘電体基体1の第2の外面22に設けられた第3の端子13が、誘電体基体1による誘電体層を介して、結合されている。この場合の容量結合の詳細も、既に説明した通りである。   Among the resonance portions Q4 to Q6, the third terminal 13 provided on the second outer surface 22 of the dielectric substrate 1 is provided in the first hole 46 included in the resonance portion Q6. Combined through layers. The details of capacitive coupling in this case are also as already described.

更に、中間の共振部Q3、Q4の第1の孔43、44に対しては、第2の外面22の側において、アンテナ接続用の第2の端子12が接続される。   Furthermore, the second terminal 12 for antenna connection is connected to the first holes 43 and 44 of the intermediate resonance portions Q3 and Q4 on the second outer surface 22 side.

第1乃至第3の端子11〜13は、第2の外面22において、絶縁ギャップg21〜g23によって外導体膜3から電気絶縁した状態で、配置されている。第1乃至第3の端子11〜13は実装基板上に面付けするために用いることができる。   The first to third terminals 11 to 13 are arranged on the second outer surface 22 in a state of being electrically insulated from the outer conductor film 3 by the insulating gaps g21 to g23. The first to third terminals 11 to 13 can be used for imposing on the mounting substrate.

共振部Q1〜Q3は、第1の孔41〜43が縦長であり、共振部Q4〜Q6の第1の孔44〜46は横長である。共振部Q1〜Q3の第1の孔41〜43は、共振部Q4〜Q6の第1の孔44〜46よりも、外導体膜3に対する距離が小さい。従って、共振部Q1〜Q3は、誘導性結合を示し、共振部Q4〜Q6は、容量性結合を示す。   In the resonance parts Q1 to Q3, the first holes 41 to 43 are vertically long, and the first holes 44 to 46 of the resonance parts Q4 to Q6 are horizontally long. The first holes 41 to 43 of the resonance parts Q1 to Q3 are smaller in distance to the outer conductor film 3 than the first holes 44 to 46 of the resonance parts Q4 to Q6. Accordingly, the resonating parts Q1 to Q3 show inductive coupling, and the resonating parts Q4 to Q6 show capacitive coupling.

図示は省略するが、デュプレクサについても、誘電体共振器または誘電体フィルタで例示した各種の構造(図1乃至図15参照)を適用することができることは勿論である。   Although illustration is omitted, it is needless to say that various structures (see FIGS. 1 to 15) exemplified for the dielectric resonator or the dielectric filter can be applied to the duplexer.

本発明は以上の具体例に限定されるものではない。複数の共振部Q1〜Q6を形成する誘電体基体1では、第1の外面21以外の面から形成する第1の孔41〜46は必ずしも同一の側面から形成されている必要はない。入出力端子や調整の都合に合わせて適当な側面に設置してもよい。また、第1の外面21と対向する第4の外面24を、外導体膜3によって覆わない構造とすることにより、λ/2型の誘電体共振装置を得ることができる。   The present invention is not limited to the above specific examples. In the dielectric substrate 1 that forms the plurality of resonance portions Q1 to Q6, the first holes 41 to 46 formed from a surface other than the first outer surface 21 do not necessarily have to be formed from the same side surface. You may install in a suitable side surface according to the convenience of input / output terminal and adjustment. Further, by configuring the fourth outer surface 24 facing the first outer surface 21 so as not to be covered with the outer conductor film 3, a λ / 2 type dielectric resonator can be obtained.

本発明に係る誘電体共振器の斜視図である。1 is a perspective view of a dielectric resonator according to the present invention. 図1に示した誘電体共振器を背面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the dielectric resonator shown in FIG. 1 from the back side. 図1の3−3線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line 3-3 in FIG. 1. 図3の4−4線断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line 4-4 of FIG. 誘電体共振器の別の実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another Example of a dielectric resonator. 図5の6−6線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line 6-6 of FIG. 本発明に係る誘電体フィルタの実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the Example of the dielectric material filter based on this invention. 図7に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the dielectric filter shown in FIG. 7 from the back side. 図7の9−9線断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line 9-9 in FIG. 7. 本発明に係る誘電体フィルタの実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the Example of the dielectric material filter based on this invention. 図10に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the dielectric material filter shown in FIG. 10 from the back side. 図10の12−12線断面図である。12 is a sectional view taken along line 12-12 of FIG. 図12の13−13線断面図である。FIG. 13 is a sectional view taken along line 13-13 of FIG. 本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another Example of the dielectric material filter based on this invention. 本発明に係る誘電体フィルタの更に別の実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another Example of the dielectric material filter based on this invention. 図10〜図13に示した構造を持つ誘電体フィルタの周波数減衰特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric material filter which has the structure shown in FIGS. 特許文献1に記載された誘電体フィルタの周波数減衰特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric material filter described in patent document 1. FIG. 図10〜図13に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性(曲線A1)と、図14に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性(曲線B1)とを、比較して示す図である。It is a figure which compares and shows the frequency attenuation characteristic (curve A1) of the dielectric filter shown in FIGS. 10-13, and the frequency attenuation characteristic (curve B1) of the dielectric filter shown in FIG. 図14に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric material filter shown in FIG. 図15に示した誘電体フィルタの周波数減衰特性を示す図である。It is a figure which shows the frequency attenuation characteristic of the dielectric material filter shown in FIG. 本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。。It is a perspective view which shows another Example of the dielectric material filter based on this invention. . 本発明に係る誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another Example of the dielectric material filter based on this invention. 図22の23−23線断面図である。FIG. 23 is a cross-sectional view taken along line 23-23 in FIG. 22. 3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタを示す斜視図である。It is a perspective view which shows the dielectric filter which has three resonance parts Q1, Q2, and Q3. 図24に示した誘電体フィルタを背面側から見た斜視図である。It is the perspective view which looked at the dielectric material filter shown in FIG. 24 from the back side. 図24の26−26線断面図、図27は図26の27−27線断面図である。26 is a sectional view taken along line 26-26 in FIG. 24, and FIG. 27 is a sectional view taken along line 27-27 in FIG. 図26の27−27線断面図である。FIG. 27 is a sectional view taken along line 27-27 in FIG. 26. 3つの共振部Q1、Q2、Q3を有する誘電体フィルタの別の実施例を示す斜視図である。It is a perspective view which shows another Example of the dielectric filter which has three resonance parts Q1, Q2, and Q3. 図28に示した誘電体フィルタの横断面図である。It is a cross-sectional view of the dielectric filter shown in FIG. 本発明に係るデュプレクサの斜視図である。1 is a perspective view of a duplexer according to the present invention. 図30に示したデュプレクサを背面側からみた斜視図である。It is the perspective view which looked at the duplexer shown in FIG. 30 from the back side. 図30の32−32線に沿った断面図である。FIG. 32 is a cross-sectional view taken along line 32-32 of FIG. 30.

符号の説明Explanation of symbols

1 誘電体基体
21〜26 外面
3 外導体膜
41〜46 第1の孔
51〜56 第2の孔
1 Dielectric substrate 21-26 External surface
3 Outer conductor film 41-46 1st hole 51-56 2nd hole

Claims (14)

誘電体基体と、少なくとも一つの共振部とを含む誘電体装置であって、
前記誘電体基体は、外面に導体膜を備えており、
前記共振部は、第1の孔と、第2の孔とを含んでおり、
前記第1の孔は、
前記誘電体基体に設けられ、一端が前記外面の一面に開口し、前記一面からその対向する外面の方向に向かい、内部に第1の内導体を備え、前記第1の内導体は前記外導体膜に連なっており、
前記第2の孔は、
前記誘電体基体に設けられ、前記一面と対向しておらず、かつ、前記外導体膜によって被覆されていない外面に開口し、前記誘電体基体の内部で前記第1の孔に連なり、内部に第2の内導体を備え、
前記第2の内導体は、一端が前記誘電体基体の内部で前記第1の内導体に連なる、
誘電体装置。
A dielectric device including a dielectric substrate and at least one resonance part,
The dielectric substrate has a conductor film on the outer surface,
The resonating part includes a first hole and a second hole,
The first hole is
Provided on the dielectric base, one end is open on one surface of the outer surface, and is directed from the one surface toward the opposite outer surface, and includes a first inner conductor therein, and the first inner conductor is the outer conductor. Connected to the membrane,
The second hole is
Provided on the dielectric base, open to an outer surface not facing the one surface and not covered with the outer conductor film, connected to the first hole inside the dielectric base, Comprising a second inner conductor;
The second inner conductor has one end connected to the first inner conductor inside the dielectric substrate.
Dielectric device.
請求項1に記載された誘電体装置であって、
前記第1の孔は、他端部が、前記第2の孔との連接領域から、奥行き方向に突出しており、
前記誘電体基体の外面に備えられた端子を有し、前記端子は、前記誘電体基体を介して、前記第1の孔の前記他端部に備えられた前記第1の内導体と電気的に結合されている、
誘電体装置。
The dielectric device according to claim 1, comprising:
The other end of the first hole protrudes in the depth direction from the connection region with the second hole,
A terminal provided on an outer surface of the dielectric substrate, the terminal being electrically connected to the first inner conductor provided at the other end of the first hole via the dielectric substrate; Bound to the
Dielectric device.
請求項1又は2に記載された誘電体装置であって、前記共振部は複数であり、前記共振部のそれぞれは、前記誘電体基体を介して、互いに電気的に結合されている誘電体装置。   3. The dielectric device according to claim 1, wherein the resonance unit includes a plurality of resonance units, and each of the resonance units is electrically coupled to each other via the dielectric substrate. . 請求項1乃至3の何れかに記載された誘電体装置であって、
前記端子は、第1の端子と、第2の端子とを含んでおり、
前記第1の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共振部の少なくとも一つと電気的に結合し、
前記第2の端子は、前記誘電体基体に備えられ、前記共振部の他の少なくとも一つと電気的に結合している、
誘電体装置。
A dielectric device according to any one of claims 1 to 3, wherein
The terminals include a first terminal and a second terminal,
The first terminal is provided on the dielectric base, and is electrically coupled to at least one of the resonating units,
The second terminal is provided on the dielectric base and is electrically coupled to at least one other of the resonance unit,
Dielectric device.
請求項4に記載された誘電体装置であって、前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気的に結合している誘電体装置。   5. The dielectric device according to claim 4, wherein the first terminal is provided on the outer surface of the dielectric base, and is electrically connected to the first inner conductor via the dielectric base. Bonding dielectric device. 請求項4に記載された誘電体装置であって、前記第1の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気的に結合している装置。   5. The dielectric device according to claim 4, wherein the first terminal is provided on the outer surface of the dielectric substrate, and is electrically connected to the second inner conductor via the dielectric substrate. Joining device. 請求項4に記載された誘電体装置であって、前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第1の内導体と電気的に結合している装置。   5. The dielectric device according to claim 4, wherein the second terminal is provided on the outer surface of the dielectric substrate, and is electrically connected to the first inner conductor via the dielectric substrate. Joining device. 請求項4に記載された誘電体装置であって、前記第2の端子は、前記誘電体基体の前記外面に備えられ、前記誘電体基体を介して、前記第2の内導体と電気的に結合している誘電体装置。   5. The dielectric device according to claim 4, wherein the second terminal is provided on the outer surface of the dielectric substrate, and is electrically connected to the second inner conductor via the dielectric substrate. Bonding dielectric device. 請求項3に記載された誘電体装置であって、前記複数の共振部は、ステップ状の凹部を含んでおり、前記凹部は、前記第2の孔が開口する外面に形成され、その内部に複数の前記第2の孔を共通に含む誘電体装置。   4. The dielectric device according to claim 3, wherein the plurality of resonating portions include step-shaped recesses, and the recesses are formed on an outer surface where the second hole is opened, and are formed therein. A dielectric device including a plurality of the second holes in common. 請求項1乃至9の何れかに記載された誘電体装置であって、前記第1の孔は、大径部と、小径部とを含み、前記大径部は前記一面に開口し、前記小径部は前記大径部に連なる誘電体装置。   10. The dielectric device according to claim 1, wherein the first hole includes a large-diameter portion and a small-diameter portion, and the large-diameter portion opens on the one surface, and the small-diameter portion is formed. The part is a dielectric device connected to the large diameter part. 請求項1乃至8の何れかに記載された誘電体装置であって、前記第2の孔は、大径部と、小径部とを含み、前記大径部は、前記第2の孔が開口する面に開口し、前記小径部は前記大径部に連なる誘電体装置。   9. The dielectric device according to claim 1, wherein the second hole includes a large-diameter portion and a small-diameter portion, and the large-diameter portion is open to the second hole. A dielectric device which opens to a surface to be connected and the small diameter portion is continuous with the large diameter portion. 請求項3に記載された誘電体装置であって、誘電体フィルタである誘電体装置。   The dielectric device according to claim 3, wherein the dielectric device is a dielectric filter. 請求項3に記載された誘電体装置であって、デュプレクサである誘電体装置。   The dielectric device according to claim 3, wherein the dielectric device is a duplexer. 請求項13に記載された誘電体装置であって、3つ以上の共振部と、第1乃至第3の端子とを含み、前記第1の端子は、前記共振部の少なくとも一つに電気的に結合し、前記第2の端子は、前記共振部の他の少なくとも一つに電気的に結合し、前記第3の端子は、前記共振部の残りの少なくとも一つに電気的に結合されている誘電体装置。

14. The dielectric device according to claim 13, further comprising three or more resonating parts and first to third terminals, wherein the first terminal is electrically connected to at least one of the resonating parts. And the second terminal is electrically coupled to at least one other of the resonating unit, and the third terminal is electrically coupled to at least one of the remaining resonating units. Dielectric device.

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