JP2007095825A - Vacuum treatment device and its impurity monitoring method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a vacuum treatment device for monitoring impurities in a film forming chamber without deteriorating production efficiency, and to provide an impurity monitoring method. <P>SOLUTION: The vacuum treatment device includes a common carrier chamber 4 for vacuum discharge; a plurality of film forming chambers 2 for vacuum discharge where a substrate is carried in/out via the common carrier chamber 4 and each one of a plurality of partitioning valves 3; and a partial pressure vacuum gauge 5 arranged in the common carrier chamber 4. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は真空処理装置に関し、特に共通搬送チャンバと、複数の製膜チャンバとを有する真空処理装置に関する。   The present invention relates to a vacuum processing apparatus, and more particularly to a vacuum processing apparatus having a common transfer chamber and a plurality of film forming chambers.

共通搬送チャンバと、その共通搬送チャンバから基板が搬入されて製膜等の処理を行う複数の製膜チャンバと、を備えた真空処理装置が知られている。共通搬送チャンバと各製膜チャンバとは、仕切り弁を介して接続されている。共通搬送チャンバ内は、常時、真空引きされている。一方、基板が搬入された製膜チャンバは仕切り弁が閉の状態で、真空引きされるとともに製膜用のガスを供給された状態で製膜が行われる。製膜時に、良好な膜質を得るためには、製膜チャンバ内の不純物の濃度を監視することが重要である。   There is known a vacuum processing apparatus including a common transfer chamber and a plurality of film forming chambers in which a substrate is transferred from the common transfer chamber and performs processing such as film formation. The common transfer chamber and each film forming chamber are connected via a gate valve. The common transfer chamber is always evacuated. On the other hand, the film forming chamber into which the substrate has been loaded is vacuum-evacuated while the gate valve is closed, and the film is formed while the film forming gas is supplied. In order to obtain good film quality during film formation, it is important to monitor the concentration of impurities in the film formation chamber.

製膜チャンバ内の不純物濃度を監視するために、分圧真空計を用いて製膜チャンバ内の不純物ガスの分圧を測定する方法が知られている。この場合、分圧真空計は、測定対象領域である製膜チャンバ内に設置されて、製膜チャンバ内の分圧が直接測定される。   In order to monitor the impurity concentration in the film forming chamber, a method of measuring the partial pressure of the impurity gas in the film forming chamber using a partial pressure vacuum gauge is known. In this case, the partial pressure gauge is installed in the film forming chamber which is the measurement target region, and the partial pressure in the film forming chamber is directly measured.

分圧真空計によって製膜チャンバ内の分圧を測定する場合には、製膜（生産）を中断して、製膜チャンバ内の圧力を高真空状態に維持して測定する必要がある。これは、製膜時には製膜用のガスが製膜チャンバ内に供給されており、製膜チャンバ内の圧力が、分圧真空計が測定可能な圧力よりも高い圧力になっているからである。よって、生産の流れを中断させないで、製膜チャンバ内の不純物を監視する技術が望まれる。   When measuring the partial pressure in the film forming chamber using a partial pressure gauge, it is necessary to stop the film forming (production) and measure the pressure in the film forming chamber while maintaining the high vacuum state. This is because the film-forming gas is supplied into the film-forming chamber during film formation, and the pressure in the film-forming chamber is higher than the pressure that can be measured by the partial pressure gauge. . Therefore, a technique for monitoring impurities in the film forming chamber without interrupting the production flow is desired.

また、分圧真空計の測定子は、粉、不純物、腐食性ガスなどの影響により耐久性が失われる。よって、分圧真空計の耐久性低下を抑え、分圧真空計に係るコストを低減させる技術が望まれる。   Moreover, the durability of the probe of the partial pressure gauge is lost due to the influence of powder, impurities, corrosive gas, and the like. Therefore, a technique is desired that suppresses a decrease in the durability of the partial pressure gauge and reduces the cost associated with the partial pressure gauge.

上記と関連して、特許文献１は、真空排気可能な処理容器と、前記処理容器内に処理ガスを導入する為のガス導入手段と、前記処理容器内のガス分圧に対応するガス量信号をガス種別ごとに出力するガス量検出器であって、外部から与えられる感度補正信号に応じて検出感度が設定され、設定された検出感度でガス量信号を生成し出力する前記ガス量検出器と、前記ガス量検出器から出力されたガス量信号を受信し、前記処理ガスに含まれるガスから選ばれた一つの基準ガスに対応するガス量信号の大きさが目標値に近づくように、前記ガス量検出器に対して感度補正信号を送出する制御手段とを有する真空処理装置、を開示している。   In relation to the above, Patent Document 1 discloses a processing container capable of being evacuated, a gas introduction means for introducing a processing gas into the processing container, and a gas amount signal corresponding to a gas partial pressure in the processing container. Gas amount detector for outputting a gas amount signal for each gas type, wherein a detection sensitivity is set according to a sensitivity correction signal given from the outside, and a gas amount signal is generated and output with the set detection sensitivity And receiving the gas amount signal output from the gas amount detector, so that the magnitude of the gas amount signal corresponding to one reference gas selected from the gases included in the processing gas approaches the target value, A vacuum processing apparatus having control means for sending a sensitivity correction signal to the gas amount detector is disclosed.

しかしながら上述の技術では、分圧真空計の耐久性低下を抑え、分圧真空計に係るコストを低減させることについては、何らの記載もない。
特開平９−３２４２６８号 公報 However, in the above-described technique, there is no description about reducing the durability of the partial pressure gauge and reducing the cost related to the partial pressure gauge.
Japanese Patent Laid-Open No. 9-324268

即ち、本発明の目的は、生産効率を低下させないで、製膜チャンバ内の不純物を監視する装置、方法を提供することにある。   That is, an object of the present invention is to provide an apparatus and a method for monitoring impurities in a film forming chamber without reducing production efficiency.

本発明の他の目的は、分圧真空計に係るコストを低減させる技術を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide a technique for reducing the cost associated with the partial pressure gauge.

更に、本発明の他の目的は、分圧真空計の耐久性低下を抑制させる技術を提供することにある。   Furthermore, the other object of this invention is to provide the technique which suppresses the durable fall of a partial pressure gauge.

その課題を解決するための手段が、下記のように表現される。その表現中に現れる技術的事項には、括弧（）つきで、番号、記号等が添記されている。その番号、記号等は、本発明の実施の複数の形態又は複数の実施例のうちの少なくとも１つの実施の形態又は複数の実施例を構成する技術的事項、特に、その実施の形態又は実施例に対応する図面に表現されている技術的事項に付せられている参照番号、参照記号等に一致している。このような参照番号、参照記号は、請求項記載の技術的事項と実施の形態又は実施例の技術的事項との対応・橋渡しを明確にしている。このような対応・橋渡しは、請求項記載の技術的事項が実施の形態又は実施例の技術的事項に限定されて解釈されることを意味しない。   Means for solving the problem is expressed as follows. Technical matters appearing in the expression are appended with numbers, symbols, etc. in parentheses. The numbers, symbols, and the like are technical matters constituting at least one embodiment or a plurality of embodiments of the present invention or a plurality of embodiments, in particular, the embodiments or examples. This corresponds to the reference numbers, reference symbols, and the like attached to the technical matters expressed in the drawings corresponding to. Such reference numbers and reference symbols clarify the correspondence and bridging between the technical matters described in the claims and the technical matters of the embodiments or examples. Such correspondence or bridging does not mean that the technical matters described in the claims are interpreted as being limited to the technical matters of the embodiments or examples.

本発明に係る真空処理装置（１）は、
真空排気可能な共通搬送チャンバ（４）と、
真空排気可能であり、共通搬送チャンバ（４）と複数の仕切り弁（３）の各々を介して基板が搬入出可能に設けられた複数の製膜チャンバ（２）と、
共通搬送チャンバ（４）内に設けられた分圧真空計（５）と、
を備える。
共通搬送チャンバ（４）内に分圧真空計（５）を設けることで、仕切り弁（３）が開になったときに製膜チャンバ（２）から共通搬送チャンバ（４）へのガスの流入による圧力変化を検知することができる。これを利用して、間接的に製膜チャンバ（２）の圧力を検知し、不純物濃度を監視することができる。
仕切り弁（３）が開になった際に測定を行うので、測定のために仕切り弁を閉にして、測定対象の製膜チャンバ（２）内を高真空排気状態にする必要はない。すなわち、測定のために生産ラインの稼動を中断させる必要はない。
また、分圧真空計（５）を各製膜チャンバ（２）に設ける必要は無く、共通搬送チャンバ（４）内に一個の分圧真空計（５）を設けるだけでよい。よって、分圧真空計（５）を多数用意する必要は無く、分圧真空計（５）に係るコストを抑制することができる。
更に、共通搬送チャンバ（４）内は製膜チャンバ（２）内と比較して、分圧真空計（５）の測定子にダメージを与える粉などの不純物や腐食性膜ガスなどの残留が少ない。よって、製膜チャンバ（２）内に分圧真空計（５）を設ける場合よりも、分圧真空計（５）の寿命が延長される。 The vacuum processing apparatus (1) according to the present invention comprises:
A common transfer chamber (4) capable of being evacuated;
A plurality of film-forming chambers (2) that can be evacuated and provided so that a substrate can be carried in and out via each of a common transfer chamber (4) and a plurality of gate valves (3);
A partial pressure gauge (5) provided in the common transfer chamber (4);
Is provided.
By providing a partial pressure gauge (5) in the common transfer chamber (4), gas flows into the common transfer chamber (4) from the film forming chamber (2) when the gate valve (3) is opened. It is possible to detect a change in pressure due to. By utilizing this, the pressure in the film forming chamber (2) can be indirectly detected to monitor the impurity concentration.
Since the measurement is performed when the gate valve (3) is opened, it is not necessary to close the gate valve for measurement and place the film forming chamber (2) to be measured in a high vacuum state. That is, it is not necessary to interrupt the operation of the production line for measurement.
Moreover, it is not necessary to provide the partial pressure vacuum gauge (5) in each film forming chamber (2), and it is only necessary to provide one partial pressure vacuum gauge (5) in the common transfer chamber (4). Therefore, it is not necessary to prepare a large number of partial pressure gauges (5), and the cost related to the partial pressure gauges (5) can be suppressed.
Furthermore, in the common transfer chamber (4), there is less residue of impurities such as powder and corrosive film gas that damage the probe of the partial pressure vacuum gauge (5) compared to the film forming chamber (2). . Therefore, the lifetime of the partial pressure gauge (5) is extended as compared with the case where the partial pressure gauge (5) is provided in the film forming chamber (2).

本発明に係る真空処理装置（１）は、
更に、
複数の仕切り弁（３）の開閉動作を制御する制御装置（１２）と、
異常状態の発生を知らせる警報装置（１３）と、
を備え、
制御装置（１２）は、複数の仕切り弁（３）のうちの一が閉から開になった後に分圧真空計（５）によって測定された分圧と、一の仕切り弁（３）が開になる前に測定された分圧と、に基いて、一の仕切り弁（３）に接続した一の製膜チャンバ（２）内の不純物濃度が正常か異常かを判断し、異常である場合には警報装置（１３）を駆動させる。
仕切り弁（３）の閉開前後の分圧を利用することで、製膜チャンバ（２）内の分圧を監視することができる。異常時に警報装置（１３）を駆動させることで、看視者に対して、異常の発生を迅速に通知することができる。 The vacuum processing apparatus (1) according to the present invention comprises:
Furthermore,
A control device (12) for controlling the opening and closing operations of the plurality of gate valves (3);
An alarm device (13) for notifying the occurrence of an abnormal condition;
With
The control device (12) includes a partial pressure measured by the partial pressure gauge (5) after one of the plurality of gate valves (3) is opened from the closed state, and one gate valve (3) is opened. If the concentration of impurities in one film-forming chamber (2) connected to one gate valve (3) is normal or abnormal based on the partial pressure measured before The alarm device (13) is driven.
By utilizing the partial pressure before and after the gate valve (3) is closed and opened, the partial pressure in the film forming chamber (2) can be monitored. By driving the alarm device (13) at the time of abnormality, it is possible to quickly notify the viewer of the occurrence of the abnormality.

本発明に係る真空処理装置（１）において、
制御装置（１２）は、一の仕切り弁（３）が開になる前の所定の期間における分圧の平均値と、開になった後の所定の期間における分圧の平均値と、に基いてその不純物濃度が正常か異常かを判断する。
仕切り弁（３）の開閉前後の分圧を、所定の期間の平均値で判断することにより、正常か異常かの判断をより正確に判断することができる。 In the vacuum processing apparatus (1) according to the present invention,
The control device (12) is based on the average value of the partial pressure in a predetermined period before the one gate valve (3) is opened and the average value of the partial pressure in the predetermined period after the gate valve (3) is opened. And determine whether the impurity concentration is normal or abnormal.
By determining the partial pressure before and after the gate valve (3) is opened / closed based on the average value over a predetermined period, it is possible to more accurately determine whether it is normal or abnormal.

本発明に係る真空処理装置（１）において、
その開になった後の所定の期間は、開になってから９０秒後より後の６０秒間の期間である。
仕切り弁（３）が開になった直後の９０秒間は、共通搬送チャンバ（４）と製膜チャンバ（３）間でのガスの移動量が大きく、分圧真空計（５）の測定が正確に行われない傾向にある。よって、仕切り弁（３）の開放後の分圧は、解放後９０秒から所定の期間で行われることで、製膜チャンバ（２）内の不純物の監視精度が向上する。 In the vacuum processing apparatus (1) according to the present invention,
The predetermined period after the opening is a period of 60 seconds after 90 seconds after the opening.
During the 90 seconds immediately after the gate valve (3) is opened, the amount of gas movement between the common transfer chamber (4) and the film forming chamber (3) is large, and the measurement of the partial pressure vacuum gauge (5) is accurate. There is a tendency not to be done. Therefore, the partial pressure after the gate valve (3) is opened is performed for a predetermined period from 90 seconds after the release, thereby improving the monitoring accuracy of impurities in the film forming chamber (2).

本発明に係る真空処理装置（１）において、
分圧真空計（５）は、共通搬送チャンバ（４）内における、H2O、N2、O2、HC、He、CH4、H2及びArからなる集合から選ばれる少なくとも一の物質の分圧、及び全圧を測定する。 In the vacuum processing apparatus (1) according to the present invention,
The partial pressure vacuum gauge (5) includes at least one substance selected from the group consisting of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, CH 4 , H 2 and Ar in the common transfer chamber (4). Measure partial pressure and total pressure.

本発明に係る真空処理装置（１）は、
更に、
不純物を低温状態で固体化させてトラップする少なくとも一のパネル（８、９）を備え、共通搬送チャンバ（４）内を排気するように設けられたクライオポンプ（７）と、
パネル（８、９）の温度を測定するパネル温度センサ（１０、１１）と、
パネル温度センサ（１０、１１）が測定した温度データに基いて、パネル（８、９）の温度の経時変化が正常であるかを監視するクライオポンプ監視部（１４）と、
を備える。
クライオポンプに備えられたパネル（８、９）は不純物をトラップしていくに従って温度が向上していく。不純物濃度が大きい場合には、パネルの温度もより向上していく為に、パネル（８、９）の温度の経時変化を監視することで、製膜チャンバ（２）内の不純物の存在状態が許容範囲であるか、異常であるかを間接的に知ることができる。 The vacuum processing apparatus (1) according to the present invention comprises:
Furthermore,
A cryopump (7) provided with at least one panel (8, 9) for solidifying and trapping impurities in a low temperature state and provided to exhaust the inside of the common transfer chamber (4);
Panel temperature sensors (10, 11) for measuring the temperature of the panels (8, 9);
A cryopump monitoring unit (14) for monitoring whether the temporal change of the temperature of the panels (8, 9) is normal based on the temperature data measured by the panel temperature sensors (10, 11);
Is provided.
The temperature of the panels (8, 9) provided in the cryopump increases as impurities are trapped. When the impurity concentration is high, the temperature of the panel is further improved. Therefore, by monitoring the temporal change of the temperature of the panel (8, 9), the state of the presence of impurities in the film forming chamber (2) can be confirmed. It is possible to know indirectly whether it is within an allowable range or abnormal.

本発明に係る真空処理装置（１）において、
クライオポンプ監視部（１４）が、パネル（８、９）の温度の経時変化が異常であると判断した場合に、分圧真空計（５）が測定を開始する。
クライオポンプ監視部（１４）により、共通搬送チャンバ（４）及び製膜チャンバ（２）の全体の不純物の存在状態を判断し、異常である場合にのみ分圧真空計（５）を用いて、各製膜チャンバ（２）の不純物を監視することで、分圧真空計（５）を稼動させている時間を少なくすることができる。分圧真空計（５）の稼動時間を少なくすることは、分圧真空計（５）の測定子の耐久性定価を抑制できる。 In the vacuum processing apparatus (1) according to the present invention,
When the cryopump monitoring unit (14) determines that the temporal change in temperature of the panels (8, 9) is abnormal, the partial pressure gauge (5) starts measurement.
The cryopump monitoring unit (14) determines the presence of impurities in the entire common transfer chamber (4) and film forming chamber (2), and uses the partial pressure vacuum gauge (5) only when abnormal, By monitoring impurities in each film forming chamber (2), the time during which the partial pressure vacuum gauge (5) is operated can be reduced. Reducing the operating time of the partial pressure gauge (5) can suppress the durability price of the probe of the partial pressure gauge (5).

本発明に係る真空処理装置（１）において、
少なくとも一のパネル（８、９）は、Ｈ２Ｏを固体化させてトラップするために低温状態である８０Ｋパネル（９）と、８０Ｋパネル（９）よりも更に低温状態で維持されることでＨ２Ｏ以外の不純物を固体化させてトラップする１５Ｋパネル（１５）と、を備える。 In the vacuum processing apparatus (1) according to the present invention,
At least one of the panels (8, 9) is maintained at a lower temperature than the 80K panel (9) and the 80K panel (9) which is in a low temperature state to solidify and trap H 2 O. A 15K panel (15) for solidifying and trapping impurities other than H 2 O.

本発明に係る不純物監視方法は、
真空排気可能な共通搬送チャンバ（４）と、真空排気可能であり、共通搬送チャンバ（４）と複数の仕切り弁（３）の各々を介して基板が搬入出可能に設けられた複数の製膜チャンバ（２）と、を備える真空処理装置（１）において、
複数の仕切り弁（３）のうちの一が開になる前に共通搬送チャンバ（４）内の分圧を測定する開放前分圧測定ステップ（ステップＳ３０）と、
一の仕切り弁（３）を開にするステップ（ステップＳ４０）と、
一の仕切り弁（３）が開になった後の共通搬送チャンバ（４）内の分圧を測定する開放後分圧測定ステップ（ステップＳ５０）と、
を備える。 The impurity monitoring method according to the present invention includes:
A common transfer chamber (4) that can be evacuated, and a plurality of films that can be evacuated and can be loaded and unloaded through each of the common transfer chamber (4) and the plurality of gate valves (3). A vacuum processing apparatus (1) comprising a chamber (2),
A pre-opening partial pressure measuring step (step S30) for measuring a partial pressure in the common transfer chamber (4) before one of the plurality of gate valves (3) is opened;
Opening one gate valve (3) (step S40);
A post-opening partial pressure measuring step (step S50) for measuring the partial pressure in the common transfer chamber (4) after the one gate valve (3) is opened;
Is provided.

本発明に係る不純物監視方法において、
真空処理装置（１）は、更に、異常状態の発生を知らせる警報装置（１３）、を備え、
更に、
開放前分圧測定ステップ（Ｓ３０）及び開放後分圧測定ステップ（Ｓ５０）において測定された分圧に基いて、一の仕切り弁（３）に接続した一の製膜チャンバ（２）内の不純物濃度が正常か異常かを判断する分圧判断ステップ（ステップＳ６０）と、
分圧判断ステップ（Ｓ６０）において、異常と判断された場合に、警報装置（１３）を駆動させるステップ（ステップＳ７０）と、
を備える。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
The vacuum processing apparatus (1) further includes an alarm device (13) for notifying the occurrence of an abnormal state,
Furthermore,
Impurities in one film forming chamber (2) connected to one gate valve (3) based on the partial pressure measured in the partial pressure measurement step before opening (S30) and the partial pressure measurement step after opening (S50) A partial pressure determining step (step S60) for determining whether the concentration is normal or abnormal;
A step (step S70) of driving the alarm device (13) when it is determined that there is an abnormality in the partial pressure determination step (S60);
Is provided.

本発明に係る不純物監視方法において、
開放前分圧測定ステップ（Ｓ３０）では、一の仕切り弁（３）が開になる前の所定の期間の分圧を測定し、
開放後分圧測定ステップ（Ｓ５０）では、一の仕切り弁（３）が開になった後の所定の期間の分圧を測定し、
分圧判断ステップ（Ｓ６０）は、
開放前分圧測定ステップ（Ｓ３０）において測定された所定の期間の分圧の平均値を算出する開放前平均分圧算出ステップ（ステップＳ６１）と、
開放後分圧測定ステップ（Ｓ５０）において測定された所定の期間の分圧の平均値を算出する開放後平均分圧算出ステップ（ステップＳ６２）と、
開放前平均分圧算出ステップ（Ｓ６１）及び開放後平均分圧算出ステップ（Ｓ６２）で算出された分圧の平均値の差、が所定の範囲内に収まっているか否かを判断し、所定の範囲内に収まっていない場合には、不純物の濃度が異常であると判断するステップ（ステップＳ６３）と、
を備える。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
In the partial pressure measurement step before opening (S30), the partial pressure in a predetermined period before the one gate valve (3) is opened is measured,
In the partial pressure measurement step after opening (S50), the partial pressure in a predetermined period after the one gate valve (3) is opened is measured,
The partial pressure judgment step (S60)
A pre-opening average partial pressure calculating step (step S61) for calculating an average value of partial pressures for a predetermined period measured in the pre-opening partial pressure measuring step (S30);
A post-opening average partial pressure calculating step (step S62) for calculating an average value of the partial pressures for a predetermined period measured in the post-opening partial pressure measuring step (S50);
It is determined whether or not the difference between the average values of the partial pressures calculated in the pre-opening average partial pressure calculating step (S61) and the post-opening average partial pressure calculating step (S62) is within a predetermined range. If not within the range, the step of determining that the impurity concentration is abnormal (step S63);
Is provided.

本発明に係る不純物監視方法において、
開放後分圧測定ステップ（Ｓ５０）における所定の期間は、一の仕切り弁（３）が開になってから９０秒後から１５０秒後までの６０秒間の期間である。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
The predetermined period in the partial pressure measurement step after opening (S50) is a period of 60 seconds from 90 seconds to 150 seconds after the one gate valve (3) is opened.

本発明に係る不純物監視方法において、
分圧真空計（５）は、共通搬送チャンバ（４）内における、H2O、N2、O2、HC、He、CH4、H2及びArからなる集合から選ばれる少なくとも一の物質の分圧、及び全圧を測定する。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
The partial pressure vacuum gauge (5) includes at least one substance selected from the group consisting of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, CH 4 , H 2 and Ar in the common transfer chamber (4). Measure partial pressure and total pressure.

本発明に係る不純物監視方法において、
真空処理装置（１）は、更に、不純物を低温状態で固体化させてトラップする少なくとも一のパネル（８、９）を有し、共通搬送チャンバ（４）内を排気するように設けられたクライオポンプ（７）、を備え、
パネル（８、９）の温度を測定するステップ（ステップＳ１０）と、
測定されたパネル（８、９）の温度に基いて、パネル（８、９）の温度の経時変化が正常であるか否かを判断するパネル温度判断ステップ（ステップＳ２０）と、
を備える。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
The vacuum processing apparatus (1) further includes at least one panel (8, 9) that solidifies and traps impurities in a low temperature state, and is provided with a cryostat provided to exhaust the inside of the common transfer chamber (4). A pump (7),
Measuring the temperature of the panels (8, 9) (step S10);
A panel temperature determining step (step S20) for determining whether or not the temporal change of the temperature of the panel (8, 9) is normal based on the measured temperature of the panel (8, 9);
Is provided.

本発明に係る不純物監視方法において、
パネル温度判断ステップ（Ｓ２０）において、異常と判断された場合において、開放前分圧測定ステップ（Ｓ３０）が実施される。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
When it is determined that there is an abnormality in the panel temperature determination step (S20), a pre-opening partial pressure measurement step (S30) is performed.

本発明に係る不純物監視方法において、
少なくとも一のパネル（８、９）は、Ｈ２Ｏを固体化させてトラップするために低温状態である８０Ｋパネル（９）と、８０Ｋパネル（９）よりも更に低温状態で維持されることでＨ２Ｏ以外の不純物を固体化させてトラップする１５Ｋパネル（８）と、を備える。 In the impurity monitoring method according to the present invention,
At least one of the panels (8, 9) is maintained at a lower temperature than the 80K panel (9) and the 80K panel (9) which is in a low temperature state to solidify and trap H 2 O. 15K panel (8) which solidifies and traps impurities other than H 2 O.

本発明に依れば、生産効率を低下させないで、製膜チャンバ内の不純物を監視することのできる真空処理装置及び不純物監視方法が提供される。   According to the present invention, there is provided a vacuum processing apparatus and an impurity monitoring method capable of monitoring impurities in a film forming chamber without reducing production efficiency.

更に、本発明に依れば、分圧真空計に係るコストを低減させた真空処理装置及び不純物監視方法が提供される。   Furthermore, according to the present invention, there are provided a vacuum processing apparatus and an impurity monitoring method that reduce the cost associated with a partial pressure gauge.

更に、本発明に依れば、分圧真空計の耐久性低下を抑制した真空処理装置及び不純物監視方法が提供される。   Furthermore, according to the present invention, there are provided a vacuum processing apparatus and an impurity monitoring method in which a decrease in durability of the partial pressure gauge is suppressed.

（第１の実施形態）
（構成）
図１は本実施の形態に係る真空処理装置１の概略構成を示す図である。真空処理装置１は、基板の搬入、搬出が行われるロードロックチャンバ６、基板に対して製膜が行われる複数の製膜チャンバ２、基板が各製膜チャンバ２及びロードロックチャンバ６間で移動する際に通過する一の共通搬送チャンバ４、共通搬送チャンバ４内を排気するクライオポンプ７、真空処理装置１の動作を制御する制御装置１２、異常時に警報を発して監視員に異常の通知を行う警報装置１３、及び共通搬送チャンバ４と各製膜チャンバ３の間に設けられた仕切り弁３を備えている。このような真空処理装置１は、太陽電池パネルの製造での、シリコン半導体層を製膜する工程に用いるのに好適である。シリコン半導体層の製膜工程では、基板がロードロックチャンバ６より共通搬送チャンバ４へ搬入され、更に各製膜チャンバ２へ搬入されて、ｐ層、i層、及びn層が順次製膜される。 (First embodiment)
(Constitution)
FIG. 1 is a diagram showing a schematic configuration of a vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment. The vacuum processing apparatus 1 includes a load lock chamber 6 in which a substrate is carried in and out, a plurality of film forming chambers 2 in which a substrate is formed, and the substrate moves between each film forming chamber 2 and the load lock chamber 6. One common transfer chamber 4 that passes when the operation is performed, a cryopump 7 that exhausts the inside of the common transfer chamber 4, a control device 12 that controls the operation of the vacuum processing device 1, an alarm in the event of an abnormality and a notice of the abnormality to the monitor The alarm device 13 to perform and the gate valve 3 provided between the common conveyance chamber 4 and each film forming chamber 3 are provided. Such a vacuum processing apparatus 1 is suitable for use in a step of forming a silicon semiconductor layer in the manufacture of a solar cell panel. In the silicon semiconductor layer deposition step, the substrate is transferred from the load lock chamber 6 to the common transfer chamber 4 and further transferred to the respective deposition chambers 2 to sequentially form the p layer, the i layer, and the n layer. .

共通搬送チャンバ４内は、常時高真空状態が保たれている。共通搬送チャンバ内には分圧真空計５が備えられている。分圧真空計５の設置場所は、共通搬送チャンバ内の側面か、天井部分に備えられていることが、分圧真空計５の耐久性抑制の観点から好ましい。共通搬送チャンバ４内では基板の搬入に伴なって不純物が侵入する場合が多い。基板は、床面に配置された台車などによって搬入される為に、不純物の侵入も床面側の方が多くなり易い。よって、共通搬送チャンバ４内における不純物の濃度は、床面の方が側面や天井部分より高くなる傾向にある。分圧真空計５が側面又は天井部分に備えられていることで、床面に備えられている場合と比較して、不純物の影響受けずらく、より耐久性低下が抑制される。   A high vacuum state is always maintained in the common transfer chamber 4. A partial pressure gauge 5 is provided in the common transfer chamber. It is preferable from the viewpoint of suppressing the durability of the partial pressure gauge 5 that the partial pressure gauge 5 is installed on the side surface in the common transfer chamber or on the ceiling. In the common transfer chamber 4, impurities often enter as the substrate is transferred. Since the substrate is carried in by a cart or the like disposed on the floor surface, the intrusion of impurities tends to increase more on the floor surface side. Therefore, the concentration of impurities in the common transfer chamber 4 tends to be higher on the floor surface than on the side surface or ceiling portion. Since the partial pressure gauge 5 is provided on the side surface or the ceiling portion, it is less affected by impurities than the case where the partial pressure gauge 5 is provided on the floor surface, and the durability is further reduced.

分圧真空計５は、共通搬送室内の全圧と、H2O、N2、O2、HC、He、H2、CH4及びArガスの分圧とを測定する。分圧真空計５は常時測定をしており、測定した各ガスの分圧データを制御装置１２へ通知する。 The partial pressure gauge 5 measures the total pressure in the common transfer chamber and the partial pressures of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, H 2 , CH 4 and Ar gas. The partial pressure gauge 5 constantly measures and notifies the controller 12 of the measured partial pressure data of each gas.

ロードロックチャンバ６は仕切り弁３を介して共通搬送チャンバと接続している。常圧である外部からロードロックチャンバ６内へ基板が搬入されると、ロードロックチャンバ６内で真空引きが行われ、その後に仕切り弁が開かれて共通搬送チャンバ内へと基板が搬入される。尚、基板を真空処理室１から外部へ搬出する際には、ロードロックチャンバ６において搬入時とは逆の動作が行われる。   The load lock chamber 6 is connected to the common transfer chamber via the gate valve 3. When a substrate is carried into the load lock chamber 6 from the outside under normal pressure, vacuuming is performed in the load lock chamber 6, and then the gate valve is opened to carry the substrate into the common transfer chamber. . Note that when the substrate is unloaded from the vacuum processing chamber 1, an operation opposite to that at the loading time is performed in the load lock chamber 6.

クライオポンプ７は、仕切り弁３を介して共通搬送チャンバ４と接続している。クライオポンプ７は、水分を吸着する為の８０Ｋパネル９と、水分以外の不純物ガスを吸着する為の１５Ｋパネル８と、を備えている。共通搬送チャンバ４内の水分は、低温状態の８０Ｋパネル９で固体化されて、８０Ｋパネル９にトラップされることによって排気される。共通搬送チャンバ４内の不純物ガスも、水分と同様に、８０Ｋパネルより更に低温状態の１５Ｋパネルで固体化されて、１５Ｋパネルにトラップされる。これにより、共通搬送チャンバ４内の不純物ガスが排気される。このようにして、クライオポンプ７によって、共通搬送チャンバ４内は常時高真空状態が保たれている。   The cryopump 7 is connected to the common transfer chamber 4 via the gate valve 3. The cryopump 7 includes an 80K panel 9 for adsorbing moisture and a 15K panel 8 for adsorbing impurity gases other than moisture. The moisture in the common transfer chamber 4 is solidified by the 80K panel 9 in a low temperature state and exhausted by being trapped by the 80K panel 9. The impurity gas in the common transfer chamber 4 is also solidified by the 15K panel at a lower temperature than the 80K panel and trapped on the 15K panel, like the moisture. Thereby, the impurity gas in the common transfer chamber 4 is exhausted. Thus, the cryopump 7 always maintains a high vacuum state in the common transfer chamber 4.

各製膜チャンバ２、ロードロックチャンバ６及びクライオポンプ７を共通搬送チャンバ７とつなぐ仕切り弁３は、制御装置１２によって基板の開閉される。仕切り弁３が閉の状態では、製膜チャンバ２内が密閉されるようになっている。   The gate valve 3 that connects each film forming chamber 2, the load lock chamber 6 and the cryopump 7 to the common transfer chamber 7 is opened and closed by the control device 12. When the gate valve 3 is closed, the film forming chamber 2 is hermetically sealed.

各製膜チャンバ２は、真空排気装置（図示せず）と、ガス導入装置（図示せず）とを備えており、真空排気装置によって真空形成可能となっている。製膜チャンバ２内では、基板が搬入されるとガス導入装置によって製膜用のガスが所定の流量で導入され、基板に対しての製膜が行われる。製膜処理が実行された製膜チャンバ２では、ガスが供給されている為に内部の圧力は共通搬送チャンバ４と比較して高くなる。   Each film forming chamber 2 includes a vacuum evacuation device (not shown) and a gas introduction device (not shown), and can form a vacuum by the vacuum evacuation device. In the film forming chamber 2, when a substrate is carried in, a gas for forming a film is introduced at a predetermined flow rate by a gas introduction device, and film formation on the substrate is performed. In the film forming chamber 2 in which the film forming process is performed, the internal pressure becomes higher than that in the common transfer chamber 4 because the gas is supplied.

制御装置１２は、コンピュータにより形成される。真空処理装置１の各装置の動作を制御する。制御装置１２は、分圧真空計５から通知された分圧データを時系列的に記憶部（図示せず）に記憶する。また、制御装置１２は各仕切り弁３の開閉動作を制御し、基板の移動に合わせて仕切り弁３の開閉を行う。また、制御装置１２は、仕切り弁３が開になった前後で、記憶部に記憶された分圧の時系列データを参照して、製膜チャンバ２内の不純物濃度が正常であるか異常であるかの判断を行う。製膜チャンバ２内の不純物濃度が異常であると判断した場合には、制御装置１２は警報装置１３を駆動する機能を実現する。これらの制御装置１２の処理は制御装置１２にインストールされたコンピュータプログラムによって実現される。   The control device 12 is formed by a computer. The operation of each apparatus of the vacuum processing apparatus 1 is controlled. The control device 12 stores the partial pressure data notified from the partial pressure gauge 5 in a storage unit (not shown) in time series. Further, the control device 12 controls the opening / closing operation of each gate valve 3, and opens / closes the gate valve 3 in accordance with the movement of the substrate. In addition, the control device 12 refers to the time series data of the partial pressure stored in the storage unit before and after the gate valve 3 is opened, and the impurity concentration in the film forming chamber 2 is normal or abnormal. Judge whether there is. When it is determined that the impurity concentration in the film forming chamber 2 is abnormal, the control device 12 realizes a function of driving the alarm device 13. These processes of the control device 12 are realized by a computer program installed in the control device 12.

警報装置１３は、制御装置１２の指示により動作する。警報装置１３は駆動されると、監視員に対して異常の発生を通知する。警報装置１３としては、ベル、パトロールランプ等が例示される。   The alarm device 13 operates according to an instruction from the control device 12. When the alarm device 13 is driven, the alarm device 13 is notified of the occurrence of an abnormality. Examples of the alarm device 13 include a bell and a patrol lamp.

（動作）
上述のような構成を有する真空処理装置１は、以下のように動作して各製膜チャンバ２内の不純物の監視を行う。図５は本実施の形態に係る不純物監視方法のフローチャートを示している。本実施の形態に係る不純物監視方法は、仕切り弁開放前の分圧を測定するステップ（ステップＳ３０）、仕切り弁３を開放するステップ（ステップＳ４０）、仕切り弁開放後の分圧を測定するステップ（ステップＳ５０）、分圧が正常か異常かを判断するステップ（ステップＳ６０）、及び異常であった場合に警報装置を駆動させるステップ（ステップＳ７０）を備えている。各ステップの詳細について下記に記載する。 (Operation)
The vacuum processing apparatus 1 having the above-described configuration operates as follows to monitor impurities in each film forming chamber 2. FIG. 5 shows a flowchart of the impurity monitoring method according to the present embodiment. The impurity monitoring method according to the present embodiment includes a step of measuring a partial pressure before the gate valve is opened (step S30), a step of opening the gate valve 3 (step S40), and a step of measuring the partial pressure after the gate valve is opened. (Step S50), a step of determining whether the partial pressure is normal or abnormal (Step S60), and a step of driving the alarm device when it is abnormal (Step S70). Details of each step are described below.

（ステップＳ３０）
全ての仕切り弁３が閉である状態において、分圧真空計５が、制御装置１２からの指示によって、共通搬送チャンバ４内の圧力を測定する。測定は、共通搬送チャンバ４内の全圧と、H2O、N2、O2、HC、He、CH4、H2及びArガスの分圧と、に対して行われる。分圧真空計５は、測定したデータを制御装置１２に通知する。測定は所定の期間（１分間）の間に連続して行われる。制御装置１２は、取得した分圧についてのデータを、測定時間と対応付けて図示しない記憶部に格納する。 (Step S30)
In a state where all the gate valves 3 are closed, the partial pressure gauge 5 measures the pressure in the common transfer chamber 4 according to an instruction from the control device 12. The measurement is performed for the total pressure in the common transfer chamber 4 and the partial pressures of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, CH 4 , H 2 and Ar gas. The partial pressure gauge 5 notifies the control device 12 of the measured data. The measurement is continuously performed for a predetermined period (1 minute). The control device 12 stores the acquired data on the partial pressure in a storage unit (not shown) in association with the measurement time.

（ステップＳ４０）
続いて、制御装置１２が、不純物監視の監視対象となる製膜チャンバ２と共通搬送チャンバ５とをつなぐ仕切り弁３を閉から開にするように制御する。 (Step S40)
Subsequently, the control device 12 performs control so that the gate valve 3 that connects the film forming chamber 2 and the common transfer chamber 5 to be monitored by the impurity monitoring is opened from the closed state.

（ステップＳ５０）
仕切り弁３が開となってから９０秒後に、制御装置１２からの指示によって分圧真空計５が再び共通搬送チャンバ４内の圧力の測定を開始する。分圧真空計５は、測定したデータを制御装置１２に再び通知する。測定は、所定の期間（１分間）の間に連続して行われる。制御装置１２は、取得した分圧についてのデータを、測定時間と対応付けて図示しない記憶部に格納する。 (Step S50)
90 seconds after the gate valve 3 is opened, the partial pressure gauge 5 starts measuring the pressure in the common transfer chamber 4 again according to an instruction from the control device 12. The partial pressure gauge 5 notifies the control device 12 of the measured data again. The measurement is continuously performed for a predetermined period (1 minute). The control device 12 stores the acquired data on the partial pressure in a storage unit (not shown) in association with the measurement time.

尚、上述のステップＳ３０〜Ｓ５０において、分圧真空計５が圧力を測定する期間は、仕切り弁が開になる前の所定の期間、及び開になった後の所定の期間としたが、分圧真空計５が仕切り弁３が開になる時間も含めて、常時測定を行っていてもよい。図３は、ステップＳ３０〜Ｓ５０までの処理によって、記憶部に格納されたデータの内容を概念的に示すグラフである。図３に示される様に、記憶部には、時刻における各ガスの分圧と、全圧とが記憶されている。   In steps S30 to S50 described above, the period during which the partial pressure gauge 5 measures the pressure is a predetermined period before the gate valve is opened and a predetermined period after the gate valve is opened. The pressure gauge 5 may always perform measurement including the time when the gate valve 3 is opened. FIG. 3 is a graph conceptually showing the contents of the data stored in the storage unit by the processing from steps S30 to S50. As shown in FIG. 3, the partial pressure and total pressure of each gas at the time are stored in the storage unit.

（ステップＳ６０、６１）
ステップＳ５０の後に、制御装置１２は、記憶部に格納された分圧のデータに基いて、仕切り弁３の開放前の平均分圧を算出する。開放前の平均分圧は、仕切り弁３が開になる前の所定の期間（１分間）における、各ガスの分圧、及び全圧の平均値である。 (Steps S60, 61)
After step S50, the control device 12 calculates the average partial pressure before the gate valve 3 is opened based on the partial pressure data stored in the storage unit. The average partial pressure before opening is an average value of the partial pressure of each gas and the total pressure in a predetermined period (one minute) before the gate valve 3 is opened.

（ステップＳ６２）
更に、制御装置１２は、記憶部に格納された分圧のデータに基いて、仕切り弁３の開放後の平均分圧を算出する。開放後の平均分圧は、仕切り弁３が開になる前の所定の期間（１分間）における、各ガスの分圧、及び全圧の平均値である。 (Step S62)
Furthermore, the control device 12 calculates the average partial pressure after the gate valve 3 is opened based on the partial pressure data stored in the storage unit. The average partial pressure after opening is an average value of the partial pressure and total pressure of each gas in a predetermined period (one minute) before the gate valve 3 is opened.

（ステップＳ６３）
更に、制御装置１２は、各ガス、及び全圧について、開放後の平均分圧と開放前の平均分圧との差を計算する。制御装置１２は、各ガス、及び全圧について、その差が所定の範囲内であるか否かを判断する。その差が所定の範囲内であった場合には、特にアクションを起こさない。一方、その差が所定の範囲外であった場合には、次のステップＳ７０へと進む。 (Step S63)
Furthermore, the control device 12 calculates the difference between the average partial pressure after opening and the average partial pressure before opening for each gas and the total pressure. The control device 12 determines whether or not the difference is within a predetermined range for each gas and the total pressure. If the difference is within a predetermined range, no action is taken. On the other hand, if the difference is outside the predetermined range, the process proceeds to the next step S70.

仕切り弁３が開になると、より圧力の高い製膜チャンバ２から、ガスが共通搬送チャンバ４内に流れ込む。よって、４仕切り弁３の開放前と開放後の分圧の差は、仕切り弁３が開放されたことによって、監視対象の製膜チャンバ２内部から共通搬送チャンバ４内へどれだけのガスが移動したかを示している。開放前と開放後の分圧の差が所定の範囲内であるかどうかを監視することによって、製膜チャンバ２内部の各ガスの濃度が適正な範囲であるかどうかを監視することができる。開放前と開放後の分圧の差を、平均分圧で判断することにより、より精度よく不純物濃度の監視を行うことができる。更に、仕切り弁３が開になってから９０秒間は、共通搬送チャンバ４内の圧力は安定していない。よって、仕切り弁が開放されてから９０秒後からのデータを用いることにより、更に精度よく不純物濃度の監視を行うことができる。   When the gate valve 3 is opened, gas flows into the common transfer chamber 4 from the film forming chamber 2 with higher pressure. Therefore, the difference in partial pressure before and after the opening of the four gate valves 3 is determined by how much gas moves from the inside of the film forming chamber 2 to be monitored into the common transfer chamber 4 when the gate valve 3 is opened. It shows how. By monitoring whether the difference in partial pressure before opening and after opening is within a predetermined range, it is possible to monitor whether the concentration of each gas in the film forming chamber 2 is within an appropriate range. By determining the difference between the partial pressure before opening and after opening based on the average partial pressure, the impurity concentration can be monitored more accurately. Furthermore, the pressure in the common transfer chamber 4 is not stable for 90 seconds after the gate valve 3 is opened. Therefore, the impurity concentration can be monitored with higher accuracy by using data from 90 seconds after the gate valve is opened.

（ステップＳ７０）
ステップＳ６３において、開放前と開放後における平均分圧の差が、所定の範囲外であった場合には、制御装置１２が警報装置１３を駆動する。これにより、警報装置１３の駆動により、監視者に対して異常が通知される。 (Step S70)
In step S63, if the difference in average partial pressure before and after opening is outside the predetermined range, the control device 12 drives the alarm device 13. Thereby, the abnormality is notified to the supervisor by driving the alarm device 13.

（作用・効果）
本実施の形態に依れば、分圧真空計５に係るコストが抑制される。即ち、製膜チャンバ２内部は、製膜時において製膜用のガスが導入されるので圧力が高くなる。分圧真空計５は、高圧力下で測定を行うと、測定子が損傷する可能性が高くなる。また、測定可能な圧力にも限界があり、高圧力下では正確な測定を行うことは困難である。よって、製膜チャンバ２内に直接分圧真空計５を設置した場合には、仕切り弁３を閉じた状態において製膜チャンバ２内を高真空排気状態とし、分圧真空計５が測定可能な低圧条件を作り出す必要がある。これに対し、本実施の形態によれば、常時圧力の低い状態に保たれている共通搬送チャンバ４内部の圧力変化を利用する為に、製膜チャンバ２内を敢えて高真空排気状態にする必要はない。また、仕切り弁３の開放するタイミングは、基板が製膜チャンバ２内へ搬入されるタイミングに合わせればよく、生産ラインの稼動を停止する必要がない。 (Action / Effect)
According to the present embodiment, the cost related to the partial pressure vacuum gauge 5 is suppressed. That is, the pressure in the film forming chamber 2 is increased because a film forming gas is introduced during film formation. When the partial pressure gauge 5 performs measurement under a high pressure, the probe is likely to be damaged. In addition, there is a limit to the pressure that can be measured, and it is difficult to perform accurate measurement under high pressure. Therefore, when the partial pressure vacuum gauge 5 is directly installed in the film forming chamber 2, the inside of the film forming chamber 2 is brought into a high vacuum exhaust state with the gate valve 3 closed, and the partial pressure vacuum gauge 5 can measure. Need to produce low pressure conditions. On the other hand, according to the present embodiment, in order to use the pressure change inside the common transfer chamber 4 that is always kept at a low pressure state, the inside of the film forming chamber 2 needs to be in a high vacuum exhaust state. There is no. Moreover, the opening timing of the gate valve 3 may be matched with the timing when the substrate is carried into the film forming chamber 2, and it is not necessary to stop the operation of the production line.

また、設置される分圧真空計５は、共通搬送チャンバ４内部に１個あるだけで、複数の製膜チャンバ２内の監視を行うことができる。よって、分圧真空計５を直接、各製膜チャンバ２内に設置する場合のように、分圧真空計５を複数個、用意する必要はなく、コストが低減される。   Further, only one partial pressure vacuum gauge 5 is provided in the common transfer chamber 4, and the inside of the plurality of film forming chambers 2 can be monitored. Therefore, it is not necessary to prepare a plurality of partial pressure gauges 5 as in the case where the partial pressure gauges 5 are directly installed in the respective film forming chambers 2, and the cost is reduced.

（第２の実施形態）
（構成）
図２は本実施の形態に係る真空処理装置１の概略構成を示す図である。本実施の形態に係る真空処理装置１は、第１の実施の形態に対して、クライオポンプ７に設けられたバネル（８、９）の温度を測定する温度センサ（１０、１１）、及びクライオポンプ７の状態を監視するクライオポンプ監視部１４が追加されている。これ以外の構成は第１の実施形態と同様であるので、説明は省略される。 (Second Embodiment)
(Constitution)
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment. Compared to the first embodiment, the vacuum processing apparatus 1 according to the present embodiment includes a temperature sensor (10, 11) that measures the temperature of a panel (8, 9) provided in the cryopump 7, and a cryosensor. A cryopump monitoring unit 14 for monitoring the state of the pump 7 is added. Since the configuration other than this is the same as that of the first embodiment, description thereof is omitted.

温度センサ（１０、１１）は、８０Ｋパネル９の温度を測定する８０Ｋパネル用温度センサ１１及び１５Ｋパネル８の温度を測定する１５Ｋパネル用温度センサ１０である。これらの温度センサとしては、熱電対などを用いることができる。８０Ｋパネル用温度センサ１１及び１５Ｋパネル用温度センサ１０は、パネルの温度を測定し、結果をクライオポンプ監視部１４に通知する。   The temperature sensors (10, 11) are the 80 K panel temperature sensor 11 that measures the temperature of the 80 K panel 9 and the 15 K panel temperature sensor 10 that measures the temperature of the 15 K panel 8. A thermocouple or the like can be used as these temperature sensors. The 80K panel temperature sensor 11 and the 15K panel temperature sensor 10 measure the temperature of the panel and notify the cryopump monitoring unit 14 of the result.

クライオポンプ監視部１４はコンピュータから構成される。クライオポンプ監視部１４は、コンピュータにインストールされたプログラムによって、その機能を実現する。クライオポンプ監視部１４は、８０Ｋパネル用温度センサ１１及び１５Ｋパネル用温度センサ１０の測定結果を、時刻情報と対応付けて図示しない記憶部に格納する。更に、クライオポンプ監視部１４は、記憶部に格納されたデータに基いて、クライオポンプ７の状態が正常であるか異常であるかを判断する機能を実現する。尚、クライオポンプ監視部１４は制御装置１２と共通であってもよい。すなわち、制御装置１２内にインストールされたプログラムによって、その機能が実現されてもよい。   The cryopump monitoring unit 14 includes a computer. The cryopump monitoring unit 14 realizes its function by a program installed in the computer. The cryopump monitoring unit 14 stores the measurement results of the 80K panel temperature sensor 11 and the 15K panel temperature sensor 10 in association with time information in a storage unit (not shown). Further, the cryopump monitoring unit 14 realizes a function of determining whether the state of the cryopump 7 is normal or abnormal based on the data stored in the storage unit. The cryopump monitoring unit 14 may be shared with the control device 12. That is, the function may be realized by a program installed in the control device 12.

クライオポンプ７は、第１の実施の形態と同様に、仕切り弁３を介して共通搬送チャンバ４と接続している。クライオポンプ７は、水分を吸着する為の８０Ｋパネル９と、水分以外の不純物ガスを吸着する為の１５Ｋパネル８と、を備えている。共通搬送チャンバ４内の水分は、低温状態の８０Ｋパネル９で固体化されて、８０Ｋパネル９にトラップされることによって排気される。共通搬送チャンバ４内の不純物ガスも、水分と同様に、８０Ｋパネルより更に低温状態の１５Ｋパネルで固体化されて、１５Ｋパネルにトラップされる。これにより、共通搬送チャンバ４内の不純物ガスが排気される。このようにして、クライオポンプ７によって、共通搬送チャンバ４内は常時高真空状態が保たれている。１５Ｋパネル８及び８０Ｋパネルは、不純物ガス又は水をトラップするに従い、温度が上昇していく。温度が所定の温度を超えると、再生処理が行われる。再生処理は、温度を上げることによって、トラップした水又は不純物を気体に戻し、パネルから剥離させる処理である。再生処理が実施された１５Ｋパネル８又は８０Ｋパネルは、再び使用することができる。また、記憶部には、再生処理が行われた時刻が格納されている。   The cryopump 7 is connected to the common transfer chamber 4 via the gate valve 3 as in the first embodiment. The cryopump 7 includes an 80K panel 9 for adsorbing moisture and a 15K panel 8 for adsorbing impurity gases other than moisture. The moisture in the common transfer chamber 4 is solidified by the 80K panel 9 in a low temperature state and exhausted by being trapped by the 80K panel 9. The impurity gas in the common transfer chamber 4 is also solidified by the 15K panel at a lower temperature than the 80K panel and trapped on the 15K panel, like the moisture. Thereby, the impurity gas in the common transfer chamber 4 is exhausted. Thus, the cryopump 7 always maintains a high vacuum state in the common transfer chamber 4. The temperature of the 15K panel 8 and 80K panel rises as the impurity gas or water is trapped. When the temperature exceeds a predetermined temperature, a regeneration process is performed. The regeneration process is a process in which trapped water or impurities are returned to a gas by raising the temperature and are peeled off from the panel. The 15K panel 8 or 80K panel on which the reproduction process has been performed can be used again. In addition, the time when the reproduction process is performed is stored in the storage unit.

（動作）
上述の構成を有する真空処理装置１の動作方法について、下記に説明する。図７は、本実施の形態に係る不純物監視方法の動作の流れを示すフローチャートである。本実施の形態に係る不純物監視方法は、第１の実施形態に係るステップＳ３０の前に、パネルの温度を測定するステップ（ステップＳ１０）及びパネルの温度の挙動を判断するステップ（ステップＳ２０）が追加される。尚、ステップＳ２０以降の動作は、第１の実施の形態と同様であるので、説明は省略される。 (Operation)
An operation method of the vacuum processing apparatus 1 having the above-described configuration will be described below. FIG. 7 is a flowchart showing a flow of operations of the impurity monitoring method according to the present embodiment. In the impurity monitoring method according to the present embodiment, the step of measuring the panel temperature (step S10) and the step of determining the behavior of the panel temperature (step S20) are performed before step S30 according to the first embodiment. Added. The operations after step S20 are the same as those in the first embodiment, and thus description thereof is omitted.

（ステップＳ１０）
１５Ｋパネル用温度センサ１０及び８０Ｋパネル用温度センサ１１が、夫々、１５Ｋパネル１０及び８０Ｋパネル９の温度を測定する。測定は常時行われており、１５Ｋパネル用温度センサ１０及び８０Ｋパネル用温度センサ１１は、測定したデータをクライオポンプ監視部１４に通知する。クライオポンプ監視部１４は、取得した温度データを、時刻と対応付けて記憶部に格納する。 (Step S10)
The 15K panel temperature sensor 10 and the 80K panel temperature sensor 11 measure the temperatures of the 15K panel 10 and the 80K panel 9, respectively. The measurement is always performed, and the 15K panel temperature sensor 10 and the 80K panel temperature sensor 11 notify the cryopump monitoring unit 14 of the measured data. The cryopump monitoring unit 14 stores the acquired temperature data in the storage unit in association with the time.

（ステップＳ２０）
続いて、クライオポンプ監視部１４は、記憶部を参照して、現在の１５Ｋパネル１０及び８０Ｋパネル９の温度が、各パネルに対して予め設定された管理温度よりも低いか否かの監視を行う。１５Ｋパネル１０又は８０Ｋパネル９の温度が管理温度よりも高い場合には、クライオポンプ監視部１４が、再生処理が行われてから管理温度を超えるまでの時間を算出する。再生処理が行われてから管理温度を超えるまでの時間が、予め定められた所定の時間よりも長い場合には、クライオポンプ７に備えられたパネルの交換時期である旨を監視者に対して報知するのみで、これ以外のアクションは行わない。一方、予め定められた所定の時間よりも低い場合にはステップＳ３０へと進んで、分圧真空計５が測定を開始する。ステップＳ３０以降は、第１の実施形態の動作と同様である。 (Step S20)
Subsequently, the cryopump monitoring unit 14 refers to the storage unit and monitors whether the current temperatures of the 15K panel 10 and the 80K panel 9 are lower than the management temperature set in advance for each panel. Do. When the temperature of the 15K panel 10 or the 80K panel 9 is higher than the management temperature, the cryopump monitoring unit 14 calculates the time until the management temperature is exceeded after the regeneration process is performed. If the time from the regeneration process to the temperature exceeding the control temperature is longer than a predetermined time, the monitor is informed that it is time to replace the panel provided in the cryopump 7. It only informs and does not perform any other actions. On the other hand, when the time is shorter than the predetermined time, the process proceeds to step S30, where the partial pressure gauge 5 starts measurement. Step S30 and subsequent steps are the same as those in the first embodiment.

（作用・効果）
図４は、記憶部が格納する、１５Ｋパネル１０の温度と時刻との対応関係を概念的に示す図である。８０Ｋパネル９についても同様のグラフが格納される。再生処理が行われてから、１５Ｋパネル１０が水以外の不純物を低温状態で固体化させてトラップする。時刻が経過すると、１５Ｋパネル１０がトラップしている不純物の量が増加する。１５Ｋパネル１０がトラップしている不純物の量が増加すると、１５Ｋパネル１０の温度が上昇していく。再生処理が実行されてから、１５Ｋパネル１０の温度が管理温度を超えるまでの時間が短いことは、１５Ｋパネル１０がトラップする不純物の量が、単位時間当たりで多いことを示す。即ち、共通搬送チャンバ４内の不純物濃度が高いことを示す。よって、１５Ｋパネル１０の温度が管理温度を超えるまでの時間に基いて、共通搬送チャンバ４内の不純物濃度を監視することができる。８０Ｋパネル９についても、同様に、共通搬送チャンバ４内の水分の濃度を監視することができる。 (Action / Effect)
FIG. 4 is a diagram conceptually showing the correspondence between the temperature of the 15K panel 10 and the time stored in the storage unit. A similar graph is stored for the 80K panel 9 as well. After the regeneration process is performed, the 15K panel 10 solidifies and traps impurities other than water in a low temperature state. As time elapses, the amount of impurities trapped by the 15K panel 10 increases. As the amount of impurities trapped by the 15K panel 10 increases, the temperature of the 15K panel 10 increases. A short time from when the regeneration process is performed until the temperature of the 15K panel 10 exceeds the control temperature indicates that the amount of impurities trapped by the 15K panel 10 is large per unit time. That is, the impurity concentration in the common transfer chamber 4 is high. Therefore, the impurity concentration in the common transfer chamber 4 can be monitored based on the time until the temperature of the 15K panel 10 exceeds the control temperature. Similarly, for the 80K panel 9, the concentration of moisture in the common transfer chamber 4 can be monitored.

上述のように、１５Ｋパネル１０及び８０Ｋパネル９の温度にもとづいて、共通搬送チャンバ４内の不純物濃度を監視し、異常がある場合のみに、ステップＳ３０以降の分圧真空計５を用いた監視を行うことで、分圧真空計５を常時動作させる必要がない。よって、分圧真空計５の耐久性低下を抑制することができる。   As described above, the impurity concentration in the common transfer chamber 4 is monitored based on the temperatures of the 15K panel 10 and the 80K panel 9, and monitoring is performed using the partial pressure gauge 5 after step S30 only when there is an abnormality. It is not necessary to operate the partial pressure gauge 5 constantly. Therefore, it is possible to suppress a decrease in durability of the partial pressure gauge 5.

第１の実施の形態に係る真空処理装置１の概略構成図を示す。The schematic block diagram of the vacuum processing apparatus 1 which concerns on 1st Embodiment is shown. 第２の実施の形態に係る真空処理装置１の概略構成図を示す。The schematic block diagram of the vacuum processing apparatus 1 which concerns on 2nd Embodiment is shown. 制御装置１２が、記憶部に格納する各分圧、全圧と、時刻との関係を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relationship between each partial pressure and the total pressure which the control apparatus 12 stores in a memory | storage part, and time. クライオポンプ監視部１４が、記憶部に格納する、パネルの温度と時刻との関係を示す概念図である。It is a conceptual diagram which shows the relationship between the temperature of a panel and time which the cryopump monitoring part 14 stores in a memory | storage part. 第１の実施の形態に係る不純物監視方法の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of the impurity monitoring method which concerns on 1st Embodiment. ステップＳ６０の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of step S60. 第２の実施の形態に係る不純物監視方法の動作の流れを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the flow of operation | movement of the impurity monitoring method which concerns on 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１ 真空処理装置
２ 製膜チャンバ
３ 仕切り弁
４ 共通搬送チャンバ
５ 分圧真空計
６ ロードロックチャンバ
７ クライオポンプ
８ １５Ｋパネル
９ ８０Ｋパネル
１０ １５Ｋパネル用温度センサ
１１ ８０Ｋパネル用温度センサ
１２ 制御装置
１３ 警報装置
１４ クライオポンプ監視部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Vacuum processing apparatus 2 Film forming chamber 3 Gate valve 4 Common conveyance chamber 5 Partial pressure vacuum gauge 6 Load lock chamber 7 Cryo pump 8 15K panel 9 80K panel 10 15K panel temperature sensor 11 80K panel temperature sensor 12 Controller 13 Alarm Equipment 14 Cryopump monitoring unit

Claims (16)

真空排気可能な共通搬送チャンバと、
真空排気可能であり、前記共通搬送チャンバと複数の仕切り弁の各々を介して基板が搬入出可能に設けられた複数の製膜チャンバと、
前記共通搬送チャンバ内に設けられた分圧真空計と、
を具備した
真空処理装置。 A common transfer chamber that can be evacuated;
A plurality of film forming chambers capable of being evacuated and provided so that a substrate can be carried in and out via each of the common transfer chamber and the plurality of gate valves;
A partial pressure gauge provided in the common transfer chamber;
A vacuum processing apparatus comprising: 請求項１に記載された真空処理装置であって、
更に、
前記複数の仕切り弁の開閉動作を制御する制御装置と、
異常状態の発生を知らせる警報装置
を具備し、
前記制御装置は、前記複数の仕切り弁のうちの一が閉から開になった後に前記分圧真空計によって測定された分圧と、前記一の仕切り弁が開になる前に測定された分圧と、に基いて、前記一の仕切り弁に接続した前記一の製膜チャンバ内の不純物濃度が正常か異常かを判断し、異常である場合には前記警報装置を駆動させる
真空処理装置。 The vacuum processing apparatus according to claim 1,
Furthermore,
A control device for controlling opening and closing operations of the plurality of gate valves;
Equipped with an alarm device to notify the occurrence of abnormal conditions,
The control device includes: a partial pressure measured by the partial pressure gauge after one of the plurality of gate valves is opened from a closed state; and a minute measured before the one gate valve is opened. A vacuum processing apparatus that determines whether the impurity concentration in the one film forming chamber connected to the one gate valve is normal or abnormal based on the pressure, and drives the alarm device if abnormal. 請求項２に記載された真空処理装置であって、
前記制御装置は、前記一の仕切り弁が開になる前の所定の期間における分圧の平均値と、開になった後の所定の期間における分圧の平均値と、に基いて前記不純物濃度が正常か異常かを判断する
真空処理装置。 A vacuum processing apparatus according to claim 2,
The control device is configured to determine the impurity concentration based on an average value of partial pressure in a predetermined period before the one gate valve is opened and an average value of partial pressure in a predetermined period after the one gate valve is opened. Is a vacuum processing device that determines whether or not a product is normal or abnormal. 請求項３に記載された真空処理装置であって、
前記開になった後の所定の期間は、開になってから９０秒後より後ろの６０秒間の期間である
真空処理装置。 The vacuum processing apparatus according to claim 3,
The vacuum processing apparatus, wherein the predetermined period after opening is a period of 60 seconds after 90 seconds after opening. 請求項１乃至４のいずれかに記載された真空処理装置であって、
前記分圧真空計は、前記搬送チャンバ内における、H2O、N2、O2、HC、He、CH4、H2及びArからなる集合から選ばれる少なくとも一の物質の分圧、及び全圧を測定する
真空処理装置。 A vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 4,
The partial pressure gauge is a partial pressure of at least one substance selected from the group consisting of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, CH 4 , H 2 and Ar in the transfer chamber, and the total Vacuum processing device that measures pressure. 請求項１乃至５のいずれかに記載された真空処理装置であって、
更に、
不純物を低温状態で固体化させてトラップする少なくとも一のパネルを備え、前記共通搬送チャンバ内を排気するように設けられたクライオポンプと、
前記パネルの温度を測定するパネル温度センサと、
前記パネル温度センサが測定した温度データに基いて、前記パネルの温度の経時変化が正常であるかを監視するクライオポンプ監視部と、
を具備した
真空処理装置。 A vacuum processing apparatus according to any one of claims 1 to 5,
Furthermore,
A cryopump comprising at least one panel for solidifying and trapping impurities in a low temperature state, and evacuating the common transfer chamber;
A panel temperature sensor for measuring the temperature of the panel;
Based on the temperature data measured by the panel temperature sensor, a cryopump monitoring unit that monitors whether the temporal change of the temperature of the panel is normal,
A vacuum processing apparatus comprising: 請求項６に記載された真空処理装置であって、
前記クライオポンプ監視部が、前記パネルの温度の経時変化が異常であると判断した場合に、前記分圧真空計が測定を開始する
真空処理装置。 The vacuum processing apparatus according to claim 6,
The vacuum processing apparatus in which the partial pressure gauge starts measurement when the cryopump monitoring unit determines that the change in temperature of the panel with time is abnormal. 請求項６又は７に記載された真空処理装置であって、
前記少なくとも一のパネルは、Ｈ２Ｏを固体化させてトラップするために低温状態である８０Ｋパネルと、前記８０Ｋパネルよりも更に低温状態で維持されることでＨ２Ｏ以外の不純物を固体化させてトラップする１５Ｋパネルと、を備える
真空処理装置。 The vacuum processing apparatus according to claim 6 or 7,
In order to solidify and trap H 2 O, the at least one panel solidifies impurities other than H 2 O by being maintained at a lower temperature than the 80K panel which is in a low temperature state and the 80K panel. And a 15K panel for trapping. 真空排気可能な共通搬送チャンバと、真空排気可能であり、前記共通搬送チャンバと複数の仕切り弁の各々を介して基板が搬入出可能に設けられた複数の製膜チャンバと、を備える真空処理装置において、
前記複数の仕切り弁のうちの一が開になる前に前記共通搬送チャンバ内の分圧を測定する開放前分圧測定ステップと、
前記一の仕切り弁が開になるステップと、
前記一の仕切り弁が開になった後の前記共通搬送チャンバ内の分圧を測定する開放後分圧測定ステップと、
を具備した
不純物監視方法。 A vacuum processing apparatus comprising: a common transfer chamber capable of being evacuated; and a plurality of film forming chambers capable of being evacuated and provided with the common transfer chamber and a plurality of gate valves through which a substrate can be loaded and unloaded. In
A pre-opening partial pressure measuring step for measuring a partial pressure in the common transfer chamber before one of the plurality of gate valves is opened;
Opening the one gate valve;
A post-opening partial pressure measuring step for measuring a partial pressure in the common transfer chamber after the one gate valve is opened;
Impurity monitoring method comprising: 請求項９に記載された不純物監視方法であって、
前記真空処理装置は、更に、異常状態の発生を知らせる警報装置、を備え、
前記開放前分圧測定ステップ及び前記開放後分圧測定ステップにおいて測定された分圧に基いて、前記一の仕切り弁に接続した前記一の製膜チャンバ内の不純物濃度が正常か異常かを判断する分圧判断ステップと、
前記分圧判断ステップにおいて、異常と判断された場合に、警報装置を駆動させるステップと、
を具備した
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to claim 9, comprising:
The vacuum processing apparatus further includes an alarm device that notifies the occurrence of an abnormal condition,
Based on the partial pressure measured in the pre-opening partial pressure measuring step and the post-opening partial pressure measuring step, it is determined whether the impurity concentration in the one film forming chamber connected to the one gate valve is normal or abnormal. A partial pressure judgment step to be performed;
In the partial pressure determination step, when it is determined as abnormal, a step of driving an alarm device;
Impurity monitoring method comprising: 請求項１０に記載された不純物監視方法であって、
前記開放前分圧測定ステップでは、前記一の仕切り弁が開になる前の所定の期間の分圧を測定し、
前記開放後分圧測定ステップでは、前記一の仕切り弁が開になった後の所定の期間の分圧を測定し、
前記分圧判断ステップは、
前記開放前分圧測定ステップにおいて測定された所定の期間の分圧の平均値を算出する開放前平均分圧算出ステップと、
前記開放後分圧測定ステップにおいて測定された所定の期間の分圧の平均値を算出する開放後平均分圧算出ステップと、
前記開放前平均分圧算出ステップ及び前記開放後平均分圧算出ステップで算出された分圧の平均値の差、が所定の範囲内に収まっているか否かを判断し、所定の範囲内に収まっていない場合には、不純物の濃度が異常であると判断するステップと、
を備える
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to claim 10, comprising:
In the partial pressure measurement before opening, the partial pressure of a predetermined period before the one gate valve is opened is measured,
In the partial pressure measurement step after opening, the partial pressure in a predetermined period after the one gate valve is opened is measured,
The partial pressure judgment step includes
A pre-opening average partial pressure calculating step for calculating an average value of partial pressures for a predetermined period measured in the pre-opening partial pressure measuring step;
A post-opening average partial pressure calculating step for calculating an average value of the partial pressure for a predetermined period measured in the post-opening partial pressure measuring step;
It is determined whether or not the difference between the average values of the partial pressures calculated in the pre-opening average partial pressure calculation step and the post-opening average partial pressure calculation step is within a predetermined range, and is within the predetermined range. If not, the step of determining that the impurity concentration is abnormal,
Impurity monitoring method comprising: 請求項１１に記載された不純物監視方法であって、
前記開放後分圧測定ステップにおける所定の期間は、前記一の仕切り弁が開になってから９０秒後より後の６０秒間の期間である
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to claim 11, comprising:
The impurity monitoring method, wherein the predetermined period in the partial pressure measurement step after opening is a period of 60 seconds after 90 seconds after the one gate valve is opened. 請求項９乃至１２のいずれかに記載された不純物監視方法であって、
前記分圧真空計は、前記搬送チャンバ内における、H2O、N2、O2、HC、He、CH4、H2及びArからなる集合から選ばれる少なくとも一の物質の分圧、及び全圧を測定する
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to any one of claims 9 to 12,
The partial pressure gauge is a partial pressure of at least one substance selected from the group consisting of H 2 O, N 2 , O 2 , HC, He, CH 4 , H 2 and Ar in the transfer chamber, and the total Impurity monitoring method for measuring pressure. 請求項９乃至１３のいずれかに記載された不純物監視方法であって、
前記真空処理装置は、更に、不純物を低温状態で固体化させてトラップする少なくとも一のパネルを有し、前記共通搬送チャンバ内を排気するように設けられたクライオポンプ、を備え、
前記パネルの温度を測定するステップと、
測定された前記パネルの温度に基いて、前記パネルの温度の経時変化が正常であるか否かを判断するパネル温度判断ステップと、
を具備した
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to any one of claims 9 to 13,
The vacuum processing apparatus further includes a cryopump having at least one panel that solidifies and traps impurities in a low temperature state, and is provided to exhaust the inside of the common transfer chamber,
Measuring the temperature of the panel;
A panel temperature determining step for determining whether or not the temporal change of the temperature of the panel is normal based on the measured temperature of the panel;
Impurity monitoring method comprising: 請求項１４に記載された不純物監視方法であって、
前記パネル温度判断ステップにおいて、異常と判断された場合において、前記開放前分圧測定ステップが実施される
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to claim 14, comprising:
An impurity monitoring method in which the pre-opening partial pressure measurement step is performed when an abnormality is determined in the panel temperature determination step. 請求項１４又は１５に記載された不純物監視方法であって、
前記少なくとも一のパネルは、Ｈ２Ｏを固体化させてトラップするために低温状態である８０Ｋパネルと、前記８０Ｋパネルよりも更に低温状態で維持されることでＨ２Ｏ以外の不純物を固体化させてトラップする１５Ｋパネルと、を備える
不純物監視方法。 The impurity monitoring method according to claim 14 or 15,
In order to solidify and trap H 2 O, the at least one panel solidifies impurities other than H 2 O by being maintained at a lower temperature than the 80K panel which is in a low temperature state and the 80K panel. An impurity monitoring method comprising: a 15K panel that traps and traps.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040559A (en) * 2009-08-11 2011-02-24 Ulvac Japan Ltd Process monitoring device, deposition apparatus, and process monitoring method
JP2013510323A (en) * 2009-11-09 2013-03-21 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド Vacuum quality measurement system

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61130485A (en) * 1984-11-28 1986-06-18 Mitsubishi Electric Corp Vacuum monitor device
JPH0845856A (en) * 1994-07-26 1996-02-16 Hitachi Ltd Reduced pressure treatment method and apparatus
JPH08210252A (en) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd Cryopump and manufacturing device of semiconductor
JPH09324268A (en) * 1996-06-07 1997-12-16 Fujitsu Ltd Vacuum treating device
JP2000195805A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic device manufacturing device and control of manufacture thereof
JP2000216102A (en) * 1999-01-25 2000-08-04 Ulvac Japan Ltd Epitaxial growth chamber and method for transferring substrate
JP2002110653A (en) * 2000-10-03 2002-04-12 Rohm Co Ltd Cleanliness managing method in chamber and process device
JP2002237511A (en) * 2001-02-08 2002-08-23 Hitachi Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004281832A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of carrying semiconductor substrate therein
JP2004335572A (en) * 2003-05-01 2004-11-25 Seiko Epson Corp Coater, system for forming thin film, process for fabricating semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61130485A (en) * 1984-11-28 1986-06-18 Mitsubishi Electric Corp Vacuum monitor device
JPH0845856A (en) * 1994-07-26 1996-02-16 Hitachi Ltd Reduced pressure treatment method and apparatus
JPH08210252A (en) * 1995-02-03 1996-08-20 Hitachi Ltd Cryopump and manufacturing device of semiconductor
JPH09324268A (en) * 1996-06-07 1997-12-16 Fujitsu Ltd Vacuum treating device
JP2000195805A (en) * 1998-12-25 2000-07-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electronic device manufacturing device and control of manufacture thereof
JP2000216102A (en) * 1999-01-25 2000-08-04 Ulvac Japan Ltd Epitaxial growth chamber and method for transferring substrate
JP2002110653A (en) * 2000-10-03 2002-04-12 Rohm Co Ltd Cleanliness managing method in chamber and process device
JP2002237511A (en) * 2001-02-08 2002-08-23 Hitachi Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004281832A (en) * 2003-03-18 2004-10-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd Semiconductor manufacturing apparatus and method of carrying semiconductor substrate therein
JP2004335572A (en) * 2003-05-01 2004-11-25 Seiko Epson Corp Coater, system for forming thin film, process for fabricating semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011040559A (en) * 2009-08-11 2011-02-24 Ulvac Japan Ltd Process monitoring device, deposition apparatus, and process monitoring method
JP2013510323A (en) * 2009-11-09 2013-03-21 ブルックス オートメーション インコーポレイテッド Vacuum quality measurement system
JP2015172594A (en) * 2009-11-09 2015-10-01 エム ケー エス インストルメンツインコーポレーテッドＭｋｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ vacuum quality measurement system
US9322738B2 (en) 2009-11-09 2016-04-26 Mks Instruments, Inc. Vacuum quality measurement system
KR101824560B1 (en) * 2009-11-09 2018-03-14 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 Gas analyzer, gas analyzing method and gas analyzing system

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