JP2007088504A - Substrate heat treatment apparatus - Google Patents

Substrate heat treatment apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2007088504A
JP2007088504A JP2006316784A JP2006316784A JP2007088504A JP 2007088504 A JP2007088504 A JP 2007088504A JP 2006316784 A JP2006316784 A JP 2006316784A JP 2006316784 A JP2006316784 A JP 2006316784A JP 2007088504 A JP2007088504 A JP 2007088504A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
cooling
mounting table
substrate
heat treatment
temperature
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Abandoned
Application number
JP2006316784A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masao Tsuji
雅夫 辻
Yoshimitsu Fukutomi
義光 福▲冨▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd filed Critical Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2006316784A priority Critical patent/JP2007088504A/en
Publication of JP2007088504A publication Critical patent/JP2007088504A/en
Abandoned legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate heat treatment apparatus for simplifying temperature control in cooling. <P>SOLUTION: Operating liquid is heated in a placing stand 1 by a heater 7 so that a substrate W on the placing stand 1 can be heated, and a cooling medium is supplied to a supply pipe 13, and the steam of the operating liquid in the placing stand 1 is cooled so that the substrate W can be cooled. Furthermore, the supply of the cooling medium to the supply pipe 13 is stopped after a temperature decreases to the neighborhood of a cooling temperature, and a temperature decreases in such a status that the cooling medium is not supplied afterwards so that a temperature can be smoothly changed. Therefore, even when the heat pipe-structure placing stand 1 whose thermal capacity is small is installed, temperature control in cooling can be simplified. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、円形の半導体ウエハやガラス基板(以下、単に基板と称する)に対して熱処理を施す基板熱処理装置に係り、特に、載置台の熱容量を小さくするためにヒートパイプ構造を採用した装置に関する。   The present invention relates to a substrate heat treatment apparatus that heat-treats a circular semiconductor wafer or glass substrate (hereinafter simply referred to as a substrate), and more particularly to an apparatus that employs a heat pipe structure to reduce the heat capacity of a mounting table. .

従来、この種の装置として、例えば、ヒートパイプ構造の載置台と、この載置台に付設されたヒータと、載置台に付設された冷却プレートと、この冷却プレートに冷却媒体を供給する供給配管とを備えたものが挙げられる。   Conventionally, as this type of apparatus, for example, a mounting table having a heat pipe structure, a heater attached to the mounting table, a cooling plate attached to the mounting table, and a supply pipe for supplying a cooling medium to the cooling plate, Are provided.

このような構成の基板熱処理装置は、載置台の熱容量が小さくなっているので、ヒータによる加熱や冷却が急速に行えるとともに温度の面内均一性を高めることができるようになっている。   In the substrate heat treatment apparatus having such a configuration, since the heat capacity of the mounting table is small, heating and cooling by the heater can be rapidly performed, and the in-plane uniformity of temperature can be enhanced.

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
すなわち、従来の装置では、載置台を冷却する際に供給配管に冷却媒体を流通させると、熱容量の小さな載置台が冷え過ぎることが多く、ヒータによる加熱と冷却プレートによる冷却を交互に頻繁に行う必要が生じて、冷却時における温度制御が複雑になるという問題がある。
However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
That is, in the conventional apparatus, when the cooling medium is circulated through the supply pipe when the mounting table is cooled, the mounting table having a small heat capacity is often too cold, and heating by the heater and cooling by the cooling plate are frequently performed alternately. There is a problem that temperature control during cooling is complicated due to necessity.

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、冷却時の温度制御を簡単化することができる基板熱処理装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a substrate heat treatment apparatus that can simplify temperature control during cooling.

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の発明は、ヒートパイプ構造の載置台を備え、この載置台に基板を載置して熱処理を施す基板熱処理装置において、前記載置台内で作動液を加熱する加熱手段と、前記載置台に付設されて前記載置台内の作動液の蒸気を冷却する冷却手段と、前記冷却手段に冷却媒体を供給する供給配管と、を備えていることを特徴とするものである。
In order to achieve such an object, the present invention has the following configuration.
That is, the invention described in claim 1 is a substrate heat treatment apparatus that includes a mounting table having a heat pipe structure and places a substrate on the mounting table for heat treatment, and heating means for heating the working fluid in the mounting table. And a cooling means attached to the mounting table for cooling the vapor of the working fluid in the mounting table, and a supply pipe for supplying a cooling medium to the cooling means. .

[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、加熱手段が載置台内で作動液を加熱することで載置台上の基板を加熱し、供給配管に冷却媒体を供給して載置台内の作動液の蒸気を冷却することによって基板を冷却する。したがって、冷却時の温度制御を簡単化することができる。   [Operation / Effect] According to the invention described in claim 1, the heating means heats the working liquid in the mounting table to heat the substrate on the mounting table, and supplies the cooling medium to the supply pipe to mount the mounting table. The substrate is cooled by cooling the vapor of the working fluid inside. Therefore, temperature control during cooling can be simplified.

また、本発明において、前記載置台は、基板を載置する載置面の下部に内部空間を有する偏平部と、偏平部の下面に形成され、前記内部空間に連通した作動液室と、を有することを備えていることが好ましい(請求項2)。   Further, in the present invention, the mounting table includes a flat portion having an internal space below the mounting surface on which the substrate is mounted, and a hydraulic fluid chamber formed on the lower surface of the flat portion and communicating with the internal space. It is preferable to have it (claim 2).

また、本発明において、前記冷却手段は、前記載置台の下面に付設されていることが好ましい(請求項3)。   Moreover, in this invention, it is preferable that the said cooling means is attached to the lower surface of the mounting base mentioned above (Claim 3).

また、本発明において、前記作動液室は、二つであり、前記載置台の中央部を挟んで配設されているとともに、前記冷却手段は、前記二つの作動液室によって挟まれている位置に取り付けられていることが好ましい(請求項4)。   Further, in the present invention, there are two hydraulic fluid chambers, which are disposed with the central portion of the mounting table interposed therebetween, and the cooling means is positioned between the two hydraulic fluid chambers. It is preferable that it is attached to (Claim 4).

本発明に係る基板熱処理装置によれば、加熱手段が載置台内で作動液を加熱することで加熱された載置台上の基板を、供給配管に冷却媒体を供給して載置台内の作動液の蒸気を冷却することによって冷却する。したがって、冷却時の温度制御を簡単化することができる。   According to the substrate heat treatment apparatus according to the present invention, the heating unit heats the working liquid in the mounting table, the substrate on the mounting table is heated, the cooling medium is supplied to the supply pipe, and the working liquid in the mounting table is supplied. Cool by cooling the steam. Therefore, temperature control during cooling can be simplified.

以下、図面を参照してこの発明の一実施例を説明する。
図1は実施例に係る基板熱処理装置の概略構成を示した図であり、図2は載置台の平面図であり、図3は冷却プレートの平面図である。
An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
FIG. 1 is a diagram illustrating a schematic configuration of a substrate heat treatment apparatus according to an embodiment, FIG. 2 is a plan view of a mounting table, and FIG. 3 is a plan view of a cooling plate.

載置台1は、ヒートパイプ構造を採用して熱容量を極めて小さくしつつ、温度分布の面内均一性を高めたものであり、その上面に当たる載置面1aには基板Wが載置される。載置面1aには図示しない金属製の小球が複数個はめ込まれており、基板Wを点接触の状態で支持して熱処理ムラを防止するようになっているが、小球を省略して基板Wを面接触の状態で支持するようにしてもよい。   The mounting table 1 employs a heat pipe structure to increase the in-plane uniformity of the temperature distribution while making the heat capacity extremely small, and the substrate W is mounted on the mounting surface 1a corresponding to the upper surface thereof. A plurality of metal small spheres (not shown) are fitted on the mounting surface 1a, and the substrate W is supported in a point contact state to prevent heat treatment unevenness, but the small spheres are omitted. The substrate W may be supported in a surface contact state.

載置台1の上部にある扁平部3は、その内部に空洞が形成されている。その内部空間3aは、ヒートパイプ構造のために減圧されており、縦方向の強度を補うように複数本の柱3bが立設されている。   The flat part 3 in the upper part of the mounting table 1 has a cavity formed therein. The internal space 3a is decompressed due to the heat pipe structure, and a plurality of pillars 3b are erected so as to supplement the strength in the vertical direction.

扁平部3の下面には、凹部を有する二つの作動液室5が、平面視で中央部を挟む形で設けられている。これらの作動液室5には、加熱手段に相当するヒータ7が内蔵されているとともに作動液9が貯留されている。作動液9としては、例えば、水が例示される。   On the lower surface of the flat portion 3, two hydraulic fluid chambers 5 having recesses are provided so as to sandwich the central portion in plan view. In these hydraulic fluid chambers 5, a heater 7 corresponding to a heating unit is built in and hydraulic fluid 9 is stored. Examples of the working fluid 9 include water.

また、作動液室5と扁平部3の内部空間3a とは連通しており、載置台1はヒートパイプ構造となっている。すなわち、作動液9の蒸気が内部空間3aを移動したり蒸発潜熱の授受を行うことによって熱移動を行うのである。   Further, the hydraulic fluid chamber 5 communicates with the internal space 3a of the flat portion 3, and the mounting table 1 has a heat pipe structure. That is, the vapor of the working fluid 9 moves through the internal space 3a or transfers the latent heat of vaporization.

平面視における扁平部3の中央部、つまり二つの作動液室5によって挟まれている位置には、本発明における冷却手段に相当する冷却プレート11が取り付けられている。   A cooling plate 11 corresponding to the cooling means in the present invention is attached to a central portion of the flat portion 3 in plan view, that is, a position sandwiched between the two hydraulic fluid chambers 5.

この冷却プレート11は、例えば、熱伝導率が高い二枚の金属板を張り合わせてなり、それらの合わせ面には流路11aが削設されている。流路11aは、流路長を極力長くするために蛇行して形成されているととともに、冷却プレート11の中央部に形成された流入口11bと、その横に形成された流出口11cとに連通している。   The cooling plate 11 is formed, for example, by bonding two metal plates having high thermal conductivity, and a flow path 11a is cut off on the mating surface. The flow path 11a is meandered in order to make the flow path length as long as possible, and has an inlet 11b formed at the center of the cooling plate 11 and an outlet 11c formed beside it. Communicate.

載置台1aの中央部は周辺部に比較して熱が放射されにくいが、このように冷却プレート11を中央部に設けることにより冷却効率を高めることができる。したがって、効率的に吸熱を行うことができて急冷処理が可能となっている。   Although heat is less likely to be radiated in the central portion of the mounting table 1a than in the peripheral portion, the cooling efficiency can be improved by providing the cooling plate 11 in the central portion in this way. Therefore, heat can be efficiently absorbed and a rapid cooling process is possible.

上述した冷却プレート11の流入口11b には供給配管13が取り付けられている一方、流出口11c には排出配管15が取り付けられている。供給配管13と排出配管15とは、熱交換器17に接続されている。   A supply pipe 13 is attached to the inlet 11b of the cooling plate 11 described above, while a discharge pipe 15 is attached to the outlet 11c. The supply pipe 13 and the discharge pipe 15 are connected to the heat exchanger 17.

熱交換器17は、冷却媒体を貯留するとともに冷却水供給配管19によって冷却媒体を冷却温度Tにまで冷却するためのタンク21と、供給配管13に連通接続された送出配管22に対して冷却媒体をタンク21から送り出すポンプ23と、排出配管15を通って排出された冷却媒体をタンク21に導く回収配管25と、ポンプ23から送り出された冷却媒体の圧力が一定値を越えると、送出配管22と回収配管25とをバイパスするための逃がし弁27とを備えている。   The heat exchanger 17 stores the cooling medium and cools the cooling medium to the tank 21 for cooling the cooling medium to the cooling temperature T by the cooling water supply pipe 19 and the delivery pipe 22 connected to the supply pipe 13. When the pressure of the cooling medium sent out from the pump 23 exceeds a certain value, the pump 23 that sends out the refrigerant from the tank 21, the recovery pipe 25 that guides the cooling medium discharged through the discharge pipe 15 to the tank 21, and the sending pipe 22 And a relief valve 27 for bypassing the recovery pipe 25.

なお、近年におけるエキシマレーザ対応の加熱処理では、加熱温度が70〜150℃の範囲で設定されることが多い。そのため冷却媒体としては、フッ素樹脂系オイルが好ましく、具体的にはパーフルオロポリエーテルが好ましい。より具体的には、GALDEN HT200(イタリア アウジモント社(AUSIMONT)) という商品名で商品化されている冷却媒体が挙げられる。   In recent heat treatment for excimer laser, the heating temperature is often set in the range of 70 to 150 ° C. Therefore, a fluororesin oil is preferable as the cooling medium, and specifically perfluoropolyether is preferable. More specifically, a cooling medium commercialized under the trade name GALDEN HT200 (AUSIMONT, Italy) may be mentioned.

ところで、冷却媒体として水を用いた場合は、基板Wの加熱温度が水の沸点を超えることがあるので、水蒸気爆発などの恐れがあって供給配管13や排出配管15、冷却プレート11などに、それに耐えうるだけの強度をもたせる必要がある。すると必然的に載置台1の熱容量が大きくなって降温性能が低下するという問題がある。しかし、このパーフルオロポリエーテルは沸点が200℃程度あるので、水同様に液漏れしたとしても人体に対して安全でありながら、そのような問題が生じない。   By the way, when water is used as the cooling medium, the heating temperature of the substrate W may exceed the boiling point of water, so there is a risk of steam explosion, and the supply pipe 13, the discharge pipe 15, the cooling plate 11, etc. It must be strong enough to withstand it. Then, there is a problem that the heat capacity of the mounting table 1 is inevitably increased and the temperature lowering performance is lowered. However, since this perfluoropolyether has a boiling point of about 200 ° C., even if it leaks like water, it does not cause such a problem while being safe for the human body.

供給配管13と送出配管22との間には、電磁開閉弁29が配備されている。この電磁開閉弁29はコントローラ31によって開閉が制御される。   An electromagnetic on-off valve 29 is provided between the supply pipe 13 and the delivery pipe 22. The electromagnetic on / off valve 29 is controlled to be opened and closed by a controller 31.

コントローラ31は、載置面1aにおける基板Wの温度が測定可能なように載置台1に埋設された温度計33からの温度情報に基づいて、ヒータ7に交流電源を接続するための電源スイッチ35をオンオフ制御する。   The controller 31 is a power switch 35 for connecting an AC power source to the heater 7 based on temperature information from a thermometer 33 embedded in the mounting table 1 so that the temperature of the substrate W on the mounting surface 1a can be measured. ON / OFF control.

次に、図4のフローチャートを参照しながら、上述した構成の基板熱処理装置による処理の流れについて説明する。なお、この例では、載置台1の載置面1aの温度を冷却媒体を使って基板を加熱するための新たな設定温度に下降させる場合を例に採って説明することにする。   Next, the flow of processing by the substrate heat treatment apparatus having the above-described configuration will be described with reference to the flowchart of FIG. In this example, the case where the temperature of the mounting surface 1a of the mounting table 1 is lowered to a new set temperature for heating the substrate using a cooling medium will be described as an example.

なお、ポンプ23は常時作動しており、冷却配管19にも冷却水が常時循環している。また、初期状態においては、電磁開閉弁29は閉止された状態である。したがって、冷却媒体は、逃がし弁27と回収配管25を通ってタンク21に戻され、冷却水によって冷却された状態となっている。   The pump 23 is always operating, and the cooling water is constantly circulated through the cooling pipe 19. In the initial state, the electromagnetic on-off valve 29 is closed. Therefore, the cooling medium is returned to the tank 21 through the relief valve 27 and the recovery pipe 25 and is cooled by the cooling water.

ステップS1
コントローラ31は、電源スイッチ35をオンにしてヒータ7に通電し、所定の加熱温度にまで載置面1aを加熱する。この基板熱処理装置では、載置台1がヒートパイプ構造となっているので、速やかに加熱温度にまで載置面1aの温度が上昇する。
Step S1
The controller 31 turns on the power switch 35 to energize the heater 7 and heats the mounting surface 1a to a predetermined heating temperature. In this substrate heat treatment apparatus, since the mounting table 1 has a heat pipe structure, the temperature of the mounting surface 1a quickly rises to the heating temperature.

ステップS2
載置面1aが加熱温度に達したことを確認した後、図示しない搬送ロボットを使ったりあるいは人手により基板Wを載置面1aに載置する。この時点から基板Wに対する加熱処理が施される。
Step S2
After confirming that the placement surface 1a has reached the heating temperature, the substrate W is placed on the placement surface 1a using a transfer robot (not shown) or manually. From this point, the substrate W is subjected to heat treatment.

ステップS3
所定時間だけ基板Wを載置面1aに載置して、所定の加熱処理を施した後、図示しない搬送ロボットにより基板Wを搬出し、コントローラ31は電源スイッチ35をオフにしてヒータ7への通電を終了する。
Step S3
After the substrate W is placed on the placement surface 1a for a predetermined time and subjected to a predetermined heat treatment, the substrate W is unloaded by a transfer robot (not shown), and the controller 31 turns off the power switch 35 and supplies it to the heater 7. End energization.

ステップS4
コントローラ31は、次に、基板Wを新たな設定温度で処理するため、載置台1の載置面1aの温度を新たな設定温度にするために電磁開閉弁29を開放する。
Step S4
Next, in order to process the substrate W at a new set temperature, the controller 31 opens the electromagnetic on-off valve 29 in order to set the temperature of the mounting surface 1a of the mounting table 1 to a new set temperature.

これにより冷却媒体が送出配管22に送り込まれ、冷却媒体の圧力が低下して自動的に逃がし弁27が閉止する。つまり、逃がし弁27によって形成されていたバイパスが閉じることになる。その結果、熱交換器17からの冷却媒体は、供給配管13を通って冷却プレート11内に供給され、載置台1の下面中央部から全体を冷却するように作用する。   As a result, the cooling medium is fed into the delivery pipe 22, the pressure of the cooling medium decreases, and the relief valve 27 is automatically closed. That is, the bypass formed by the relief valve 27 is closed. As a result, the cooling medium from the heat exchanger 17 is supplied into the cooling plate 11 through the supply pipe 13 and acts to cool the whole from the center of the lower surface of the mounting table 1.

ステップS5
コントローラ31は、温度計33の温度情報を監視しており、温度が新たな設定温度としての冷却温度Tに近づいたか否かによって処理を分岐する。
Step S5
The controller 31 monitors the temperature information of the thermometer 33 and branches the process depending on whether or not the temperature has approached the cooling temperature T as a new set temperature.

具体的には、温度情報から得られた載置面1aの温度が、冷却温度Tに対して偏差Ta(例えば、2℃)内にはいるまでステップS5を繰り返し実行し、偏差Ta内にはいったらステップS6に処理を移行する。   Specifically, step S5 is repeatedly executed until the temperature of the mounting surface 1a obtained from the temperature information is within a deviation Ta (for example, 2 ° C.) with respect to the cooling temperature T, and is within the deviation Ta. Then, the process proceeds to step S6.

ステップS6
載置面1aの温度が冷却温度Tの偏差Ta内にはいると、コントローラ31は電磁開閉弁29を閉止する。これにより冷却媒体の冷却プレート11への供給が停止され、後は自然放熱によって冷却温度Tにまで載置面1aの温度が低下してゆくことになる。
Step S6
When the temperature of the mounting surface 1 a falls within the deviation Ta of the cooling temperature T, the controller 31 closes the electromagnetic on-off valve 29. As a result, the supply of the cooling medium to the cooling plate 11 is stopped, and thereafter, the temperature of the mounting surface 1a is lowered to the cooling temperature T by natural heat dissipation.

ところで電磁開閉弁29が閉止されたことにより、送出配管22内の圧力が高まって逃がし弁27が自動的に開放される。これにより再びバイパスが形成され、冷却媒体がタンク21に循環させられて冷却温度Tにまで冷却される。   By the way, when the electromagnetic on-off valve 29 is closed, the pressure in the delivery pipe 22 is increased and the relief valve 27 is automatically opened. Thus, a bypass is formed again, and the cooling medium is circulated through the tank 21 and cooled to the cooling temperature T.

このように冷却媒体の供給を停止させた際に、冷却媒体を熱交換器17の内部で循環させることにより冷却媒体の吸熱を継続することができるので、次に冷却が必要となったときでも急冷に対処することができるようになっているのである。   In this way, when the supply of the cooling medium is stopped, the cooling medium can continue to absorb heat by circulating the cooling medium inside the heat exchanger 17, so that the next time cooling is necessary. It can cope with rapid cooling.

上述したような基板熱処理装置では、冷却温度T付近にまで温度が低下した後は供給配管13への冷却媒体の供給を停止させるようにしたので、その後は冷却媒体が供給されない状態での温度低下となって緩やかな温度変化とすることができる。したがって、熱容量が小さなヒートパイプ構造の載置台1を備えていても冷却時における温度制御を簡単化できる。   In the substrate heat treatment apparatus as described above, since the supply of the cooling medium to the supply pipe 13 is stopped after the temperature is lowered to around the cooling temperature T, the temperature is lowered after the cooling medium is not supplied. Thus, the temperature can be changed gradually. Therefore, even if the mounting table 1 having a heat pipe structure with a small heat capacity is provided, temperature control during cooling can be simplified.

なお、本発明は、次のように変形実施が可能である。   The present invention can be modified as follows.

(1)冷却プレート11は載置台1の下面中央部だけでなく、周辺部にも設けるようにしてもよい。また、周辺部が肉厚となっていて中央部よりも温度が低下しにくい場合には、周辺部だけに冷却プレートを設けるようにしてもよい。   (1) The cooling plate 11 may be provided not only in the central portion of the lower surface of the mounting table 1 but also in the peripheral portion. Further, when the peripheral portion is thick and the temperature is less likely to decrease than the central portion, a cooling plate may be provided only in the peripheral portion.

(2)冷却プレート11に代えて、冷却パイプを採用し、この冷却パイプを載置台1の下面に沿って配備するようにしてもよい。   (2) Instead of the cooling plate 11, a cooling pipe may be adopted, and the cooling pipe may be provided along the lower surface of the mounting table 1.

(3)ヒートパイプ構造としては、上述した実施例の形態だけに限定されるものではなく、例えば、柱状を呈するヒートパイプを載置台1の扁平部3内に複数本立設して構成してもよい。特に、冷却時にプレート表面温度を高精度に温調する場合には、減圧された内部空間の内壁面にガラス繊維などのウィック材を貼った構造にするのが好ましい。   (3) The heat pipe structure is not limited to the form of the above-described embodiment. For example, a plurality of columnar heat pipes may be erected in the flat portion 3 of the mounting table 1. Good. In particular, when the plate surface temperature is controlled with high accuracy during cooling, a structure in which a wick material such as glass fiber is attached to the inner wall surface of the decompressed internal space is preferable.

(4)冷却媒体としては、さらにエチレングリコール、窒素、空気、ヘリウム等も選択可能である。   (4) As the cooling medium, ethylene glycol, nitrogen, air, helium or the like can be further selected.

(5)上記実施例では、載置台1の載置面1aの温度を、基板を加熱するための新たな設定温度に下降させる場合として説明したが、本願発明は、例えば、この載置台1によって基板Wを加熱した後、載置台1の載置面1aの温度を所定の冷却温度まで冷却し、基板Wをそのまま冷却する場合にも適用可能である。   (5) In the above embodiment, the temperature of the mounting surface 1a of the mounting table 1 has been described as being lowered to a new set temperature for heating the substrate. The present invention is also applicable to the case where the temperature of the mounting surface 1a of the mounting table 1 is cooled to a predetermined cooling temperature after the substrate W is heated, and the substrate W is cooled as it is.

実施例に係る基板熱処理装置の概略構成図である。It is a schematic block diagram of the substrate heat processing apparatus which concerns on an Example. 載置台の平面図である。It is a top view of a mounting base. 冷却プレートの平面図である。It is a top view of a cooling plate. 動作説明に供するフローチャートである。It is a flowchart with which operation | movement description is provided.

符号の説明Explanation of symbols

W … 基板
1 … 載置台
11 … 冷却プレート
13 … 供給配管
15 … 排出配管
17 … 熱交換器
19 … 冷却配管
21 … タンク
25 … 回収配管
27 … 逃がし弁
29 … 電磁開閉弁
31 … コントローラ
W ... Substrate 1 ... Mounting table 11 ... Cooling plate 13 ... Supply piping 15 ... Discharge piping 17 ... Heat exchanger 19 ... Cooling piping 21 ... Tank 25 ... Recovery piping 27 ... Relief valve 29 ... Electromagnetic on-off valve 31 ... Controller

Claims (4)

ヒートパイプ構造の載置台を備え、この載置台に基板を載置して熱処理を施す基板熱処理装置において、
前記載置台内で作動液を加熱する加熱手段と、
前記載置台に付設されて前記載置台内の作動液の蒸気を冷却する冷却手段と、
前記冷却手段に冷却媒体を供給する供給配管と、
を備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
In a substrate heat treatment apparatus that includes a mounting table of a heat pipe structure and mounts a substrate on the mounting table and performs heat treatment,
Heating means for heating the working fluid in the mounting table,
A cooling means attached to the mounting table for cooling the vapor of the working fluid in the mounting table;
A supply pipe for supplying a cooling medium to the cooling means;
A substrate heat treatment apparatus comprising:
請求項1に記載の基板熱処理装置において、
前記載置台は、基板を載置する載置面の下部に内部空間を有する偏平部と、偏平部の下面に形成され、前記内部空間に連通した作動液室と、を有することを備えていることを特徴とする基板熱処理装置。
The substrate heat treatment apparatus according to claim 1,
The mounting table includes a flat portion having an internal space below the mounting surface on which the substrate is mounted, and a hydraulic fluid chamber formed on the lower surface of the flat portion and communicating with the internal space. A substrate heat treatment apparatus.
請求項1または2に記載の基板熱処理装置において、
前記冷却手段は、前記載置台の下面に付設されていることを特徴とする基板熱処理装置。
The substrate heat treatment apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate heat treatment apparatus, wherein the cooling means is attached to the lower surface of the mounting table.
請求項2または3に記載の基板熱処理装置において、
前記作動液室は、二つであり、前記載置台の中央部を挟んで配設されているとともに、
前記冷却手段は、前記二つの作動液室によって挟まれている位置に取り付けられていることを特徴とする基板熱処理装置。
The substrate heat treatment apparatus according to claim 2 or 3,
The hydraulic fluid chamber has two, and is disposed with the central portion of the mounting table interposed therebetween,
The substrate heat treatment apparatus, wherein the cooling means is attached at a position sandwiched between the two hydraulic fluid chambers.
JP2006316784A 2006-11-24 2006-11-24 Substrate heat treatment apparatus Abandoned JP2007088504A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006316784A JP2007088504A (en) 2006-11-24 2006-11-24 Substrate heat treatment apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006316784A JP2007088504A (en) 2006-11-24 2006-11-24 Substrate heat treatment apparatus

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000130321A Division JP3979764B2 (en) 2000-04-28 2000-04-28 Substrate heat treatment equipment

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007088504A true JP2007088504A (en) 2007-04-05

Family

ID=37975094

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006316784A Abandoned JP2007088504A (en) 2006-11-24 2006-11-24 Substrate heat treatment apparatus

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007088504A (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09327827A (en) * 1996-04-11 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp Uniformly heating device
JPH11283896A (en) * 1998-03-31 1999-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate heat-treatment device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09327827A (en) * 1996-04-11 1997-12-22 Mitsubishi Electric Corp Uniformly heating device
JPH11283896A (en) * 1998-03-31 1999-10-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Substrate heat-treatment device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101672859B1 (en) Temperature control system and temperature control method for substrate mounting table
JP5170981B2 (en) Hot isostatic press
JP2018159540A (en) System and method about thermoelectric heat exchange system
US8652370B2 (en) Hot isostatic pressing method and apparatus
JP2015521272A5 (en)
JP2001044176A (en) Treatment apparatus and temperature control therefor
CN102597596A (en) Heat transfer device
JP3979764B2 (en) Substrate heat treatment equipment
KR101259858B1 (en) Heat exchanging device
JP4628898B2 (en) Heating and cooling device
CN219553732U (en) Immersed battery energy storage system
JP2007088504A (en) Substrate heat treatment apparatus
US6736150B2 (en) Fluid heating system for processing semiconductor materials
KR100528334B1 (en) Baking system
JP2008116065A (en) Hot water storage type water heater
CN102760680B (en) Chuck assembly applicable to semiconductor substrate processing device
JPH11283896A (en) Substrate heat-treatment device
JP3061067U (en) Heat exchange equipment
JP4022459B2 (en) Cooler additional heat device
KR101426884B1 (en) Controlling method and system for temperature of gas chiller for semiconductor and LCD manufacturing process
KR102314119B1 (en) Moving type steam cavity cooling system
JP3542548B2 (en) Fluid temperature controller
JP2013024478A (en) Cooling device, electronic equipment and electric vehicle with cooling device mounted thereon
KR101713715B1 (en) Cooling system
JP2005126809A (en) Method for cooling high-temperature metal

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101109

A762 Written abandonment of application

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A762

Effective date: 20101222