JP2007086373A - Permanent pattern forming method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a permanent pattern forming method by which permanent patterns such as a protective film, an insulating film and a solder resist pattern can be efficiently formed with high definition, by forming a desired drawn pattern with few jags on a surface of a photosensitive layer to be exposed without reducing exposure speed, in a pattern forming method in which exposure is performed for drawing by inclining a light modulating means. <P>SOLUTION: The permanent pattern forming method includes exposing a photosensitive layer, wherein at least one of array pitch (a), tilt angle (b), drawing pitch (c) and phase difference (d) of drawn pixels is set so that at least one of jag pitch and jag amplitude of jags produced by reproduction with drawn pixels formed by imaging sections becomes a predetermined value or less, and the exposure is performed under modulation control of the imaging sections based on pattern information at predetermined timing. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、感光層の被露光面に沿った所定の走査方向へ相対移動される露光ヘッドを用い、前記感光層に対し、パターン情報に基づいて露光し、パッケージ基板を含むプリント配線基板分野、あるいは、半導体分野における高精細な永久パターン(保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン)を効率よく形成する永久パターン形成方法に関する。   The present invention uses an exposure head that is relatively moved in a predetermined scanning direction along an exposed surface of a photosensitive layer, exposes the photosensitive layer based on pattern information, and includes a printed wiring board including a package substrate, Alternatively, the present invention relates to a permanent pattern forming method for efficiently forming a high-definition permanent pattern (a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern) in the semiconductor field.

従来より、光変調手段として、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)等の空間光変調素子を利用し、パターン情報(画像データ)に応じて変調された光ビームで描画パターン(画像)を形成するように露光を行う露光装置が種々提案されている。
前記DMDは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数のマイクロミラーをシリコン等の半導体基板上に二次元状に配列したミラーデバイスであり、このDMDを備えた露光ヘッドを被露光面に沿った走査方向に相対移動させることで、所望の範囲に対する露光が行われる。
Conventionally, as a light modulation means, a spatial light modulation element such as a digital micromirror device (DMD) is used to form a drawing pattern (image) with a light beam modulated in accordance with pattern information (image data). Various exposure apparatuses for performing exposure have been proposed.
The DMD is a mirror device in which a number of micromirrors that change the angle of the reflecting surface in accordance with a control signal are two-dimensionally arranged on a semiconductor substrate such as silicon, and an exposure head equipped with this DMD is placed on an exposed surface. By performing relative movement in the scanning direction along the line, exposure to a desired range is performed.

一般に、DMDのマイクロミラーは、各行の並び方向と各列の並び方向とが直交するように配列されている。このようなDMDを、走査方向に対して傾斜させて配置することにより、走査線の間隔が密になり、解像度を上げることができる。   In general, the DMD micromirrors are arranged so that the arrangement direction of each row and the arrangement direction of each column are orthogonal to each other. By arranging such a DMD so as to be inclined with respect to the scanning direction, the interval between the scanning lines becomes close and the resolution can be increased.

例えば、特許文献1には、複数の光弁を備えたサブ領域(空間光変調素子:イメージ源)へと光を導く照明システムにおいて、前記サブ領域を走査線上への投影に対して傾斜させることにより、解像度を高められることが記載されている。
この方法によれば、走査方向と直交する方向の解像度を高めることができる。また、走査方向の解像度は、通常、走査速度と空間光変調素子の変調速度によって決定されるため、露光速度(走査速度)を遅くするか、若しくは、空間光変調素子の変調速度を速めることで解像度を高めることが可能である。
For example, in Patent Document 1, in an illumination system that guides light to a sub-region (spatial light modulation element: image source) having a plurality of light valves, the sub-region is inclined with respect to the projection on the scanning line. Describes that the resolution can be increased.
According to this method, the resolution in the direction orthogonal to the scanning direction can be increased. Further, since the resolution in the scanning direction is usually determined by the scanning speed and the modulation speed of the spatial light modulation element, the exposure speed (scanning speed) is decreased or the modulation speed of the spatial light modulation element is increased. It is possible to increase the resolution.

ところで、形成される描画パターンの解像度を高めるために、前記特許文献1の方法のように、前記光照射手段(空間光変調素子)を傾斜させて描画を行うと、描画パターンによっては、無視できないジャギーが発生してしまうおそれがある。
例えば、走査方向又はそれと直交する方向に延在する直線状の描画パターンを形成する場合、前記空間光変調素子によって形成される各描画画素の位置と、描画パターンの所望の描画位置との間のずれがジャギーとして認められることがある。
すなわち、離散的な多数の画素の集合によって構成された描画パターンは、描素部に対応した離散的な描画画素により再現されるため、再現された画像の端部には、ギザギザ状のジャギーが発生したり、パターン情報に基づく描画パターンの線幅の精度が低下する等の不具合が発生したりするおそれがある。このような描画パターンで感光層を露光し、その後現像等を行うことによりレジストパターン等を形成した場合、高精細なパターンが得られないという問題がある。
By the way, in order to increase the resolution of the formed drawing pattern, when drawing is performed with the light irradiation means (spatial light modulation element) tilted as in the method of Patent Document 1, some drawing patterns cannot be ignored. There is a risk of jaggy.
For example, when forming a linear drawing pattern extending in the scanning direction or a direction orthogonal to the scanning direction, the position between each drawing pixel formed by the spatial light modulator and a desired drawing position of the drawing pattern Misalignment may be recognized as jaggy.
That is, a drawing pattern constituted by a set of a large number of discrete pixels is reproduced by discrete drawing pixels corresponding to the pixel part, and therefore, jagged jaggy is formed at the edge of the reproduced image. There is a risk that such a problem may occur that the line width of the drawing pattern based on the pattern information is reduced. When a resist pattern or the like is formed by exposing the photosensitive layer with such a drawing pattern and then performing development or the like, there is a problem that a high-definition pattern cannot be obtained.

よって、露光速度を低下させることなく、ジャギーが低減された所望の描画パターンを被露光面上に形成することにより、保護膜、絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能な永久パターン形成方法は未だ提供されておらず、更なる改良開発が望まれているのが現状である。   Therefore, by forming a desired drawing pattern with reduced jaggies on the exposed surface without reducing the exposure speed, a permanent pattern such as a protective film, an insulating film, and a solder resist pattern can be formed with high definition and A permanent pattern forming method that can be formed efficiently has not been provided yet, and the present situation is that further improved development is desired.

特表2001−500628号公報Special table 2001-500628 gazette

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、前記光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うパターン形成方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、保護膜、絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能な永久パターン形成方法を提供することを目的とする。   This invention is made | formed in view of this present condition, and makes it a subject to solve the said various problems in the past and to achieve the following objectives. That is, the present invention provides a pattern forming method in which exposure is performed by tilting the light modulation means to perform drawing, and the generation of jaggies on the exposed surface of the photosensitive layer is suppressed without reducing the exposure speed. It is an object of the present invention to provide a permanent pattern forming method capable of forming a permanent pattern such as a protective film, an insulating film, and a solder resist pattern with high definition and efficiency by forming a drawing pattern.

前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
<1> バインダーと、重合性化合物と、光重合開始系化合物と、熱架橋剤と、を少なくとも含む感光性組成物で基材の表面に形成された感光層に対し、
光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行うことを少なくとも含み、
前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法である。該<1>に記載の永久パターン形成方法においては、前記感光層に対し、光変調手段を備えた露光ヘッドを前記感光層の被露光面上に沿った所定の走査方向へ相対移動して、前記パターン情報に基づいて露光が行われ、該露光が、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、(a)配列ピッチ、(b)傾斜角度、(c)描画ピッチ、及び(d)位相差の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報にしたがって前記各描素部を所定のタイミングで変調制御して行われるため、単位面積当たりの描画画素数を増加させる等の手段を講じることなく、また、露光速度(描画速度)を低下させることなく、最適な描画条件を設定し、ジャギーの発生を抑制した描画パターン(画像)を描画することができる。この結果、前記感光層への露光が高精細に行われ、その後、前記感光層を現像することにより、高精細なパターンが形成される。
<2> 光変調手段が、空間光変調素子である前記<1>に記載の永久パターン形成方法である。
<3> 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である前記<1>から<2>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
Means for solving the problems are as follows. That is,
<1> For the photosensitive layer formed on the surface of the substrate with a photosensitive composition containing at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiation system compound, and a thermal crosslinking agent,
A light irradiating means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged picture elements that receive and emit light from the light irradiating means, and according to the pattern information, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling a picture element portion, wherein the exposure head is arranged such that a column direction of the picture element portion forms a predetermined inclination angle with respect to a scanning direction of the exposure head. And performing exposure by moving the exposure head relative to the scanning direction,
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude generated by being reproduced by the drawing pixel formed by the picture element portion is equal to or less than a predetermined value,
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
The permanent pattern forming method is characterized in that at least one of the above is set, and the picture element portion is subjected to modulation control at a predetermined timing based on the pattern information, exposed, and developed. In the permanent pattern forming method according to <1>, an exposure head provided with a light modulation unit is relatively moved with respect to the photosensitive layer in a predetermined scanning direction along the exposed surface of the photosensitive layer, Exposure is performed based on the pattern information, and (a) an arrangement pitch, (b) an inclination angle, (c) a drawing pitch, so that at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude is equal to or less than a predetermined value. And (d) means for setting at least one of the phase differences and performing modulation control on each pixel part at a predetermined timing in accordance with the pattern information, thereby increasing the number of drawing pixels per unit area. It is possible to set an optimal drawing condition and draw a drawing pattern (image) that suppresses the occurrence of jaggies without reducing the exposure speed (drawing speed). As a result, the photosensitive layer is exposed with high definition, and then the photosensitive layer is developed to form a high-definition pattern.
<2> The permanent pattern forming method according to <1>, wherein the light modulation unit is a spatial light modulation element.
<3> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <2>, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD).

<4> 感光層の形成が、感光性組成物を基材の表面に塗布し、乾燥することにより行われる前記<1>から<3>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<4>に記載の永久パターン形成方法においては、前記感光性組成物が前記基材の表面に塗布され、乾燥される。その結果、前記感光層が前記基材上に形成される。
<5> 感光層の形成が、支持体と該支持体上に感光性組成物が積層されてなる感光層とを有する感光性フィルムを、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層することにより行われる前記<1>から<4>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。該<5>に記載の永久パターン形成方法においては、前記支持体と該支持体上に感光性組成物が積層されてなる感光層とを有する前記感光性フィルムが、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において前記基材の表面に積層される。その結果、前記感光層が前記基材上に転写されて形成される。
<6> バインダーがエポキシアクリレート化合物の少なくとも1種、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種の少なくともいずれかを含む前記<1>から<5>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<7> バインダーが無水マレイン酸共重合体の無水物基に対して0.1〜1.2当量の1級アミン化合物を反応させて得られる共重合体である前記<1>から<5>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<8> バインダーが(a)無水マレイン酸と、(b)芳香族ビニル単量体と、(c)ビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体と、からなる共重合体の無水物基に対して0.1〜1.0当量の1級アミン化合物を反応させて得られる前記<1>から<5>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<9> 熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である前記<1>から<8>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<10> メラミン誘導体が、アルキル化メチロールメラミンである前記<9>に記載の永久パターン形成方法である。
<11> 重合性化合物が、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む前記<1>から<10>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<12> 重合性化合物が、エチレンオキサイド基及びプロピレンオキサイド基の少なくともいずれかを有するモノマーを含む前記<1>から<11>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<13> 感光性組成物が、増感剤を含む前記<1>から<12>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<14> 増感剤が、縮環系化合物、並びに、少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物から選択される少なくとも1種である前記<13>に記載の永久パターン形成方法である。
<4> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <3>, wherein the formation of the photosensitive layer is performed by applying the photosensitive composition to the surface of the substrate and drying. In the permanent pattern forming method according to <4>, the photosensitive composition is applied to the surface of the substrate and dried. As a result, the photosensitive layer is formed on the substrate.
<5> The formation of the photosensitive layer is carried out by subjecting a photosensitive film having a support and a photosensitive layer formed by laminating the photosensitive composition on the support to the base material under at least one of heating and pressurization. The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <4>, wherein the method is performed by laminating on a surface. In the method for forming a permanent pattern according to <5>, the photosensitive film having the support and a photosensitive layer obtained by laminating a photosensitive composition on the support is at least either heated or pressurized. It is laminated | stacked on the surface of the said base material under this. As a result, the photosensitive layer is formed by being transferred onto the substrate.
<6> The above <1> to <5>, wherein the binder includes at least one of an epoxy acrylate compound and at least one of a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in a side chain. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<7> From the above <1> to <5>, wherein the binder is a copolymer obtained by reacting 0.1 to 1.2 equivalents of a primary amine compound with respect to the anhydride group of the maleic anhydride copolymer. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<8> The binder is (a) maleic anhydride, (b) an aromatic vinyl monomer, and (c) a vinyl monomer, and the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer <1> to <5 obtained by reacting 0.1 to 1.0 equivalent of a primary amine compound with an anhydride group of a copolymer consisting of a vinyl monomer having a temperature of less than 80 ° C. The permanent pattern forming method according to any one of the above.
<9> From the above <1>, wherein the thermal crosslinking agent is at least one selected from an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. The permanent pattern forming method according to any one of 8>.
<10> The method for forming a permanent pattern according to <9>, wherein the melamine derivative is an alkylated methylol melamine.
<11> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <10>, wherein the polymerizable compound includes a monomer having at least one of a urethane group and an aryl group.
<12> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <11>, wherein the polymerizable compound includes a monomer having at least one of an ethylene oxide group and a propylene oxide group.
<13> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <12>, wherein the photosensitive composition contains a sensitizer.
<14> The above <13, wherein the sensitizer is at least one selected from a condensed ring compound and an amine compound substituted with at least two aromatic hydrocarbon rings or aromatic heterocyclic rings. > Is a method for forming a permanent pattern.

<15> 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である前記<5>から<14>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<16> 支持体が、長尺状である前記<5>から<15>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<17> 感光性フィルムが、長尺状であり、ロール状に巻かれてなる前記<5>から<16>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<18> 感光性フィルムが、感光層上に保護フィルムを有してなる前記<5>から<17>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<19> 感光層の厚みが、3〜100μmである前記<1>から<18>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<20> 基材が、配線形成済みのプリント配線基板である前記<1>から<19>のいずれかに記載の永久パターン形成方法。該<20>に記載の永久パターン形成方法においては、前記基材が配線形成済みのプリント配線基板であるので、該永久パターン形成方法を利用することにより、半導体や部品の多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの高密度実装が可能である。
<15> The method for forming a permanent pattern according to any one of <5> to <14>, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent.
<16> The method for forming a permanent pattern according to any one of <5> to <15>, wherein the support has a long shape.
<17> The method for forming a permanent pattern according to any one of <5> to <16>, wherein the photosensitive film has a long shape and is wound in a roll shape.
<18> The method for forming a permanent pattern according to any one of <5> to <17>, wherein the photosensitive film has a protective film on the photosensitive layer.
<19> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <18>, wherein the photosensitive layer has a thickness of 3 to 100 μm.
<20> The permanent pattern forming method according to any one of <1> to <19>, wherein the base material is a printed wiring board on which wiring has been formed. In the permanent pattern forming method according to <20>, since the base material is a printed wiring board on which wiring has been formed, by using the permanent pattern forming method, a multilayer wiring board or build-up of a semiconductor or a component can be used. High-density mounting on a wiring board or the like is possible.

<21> 露光が、描画画素群回転手段、描画倍率変更手段、描画タイミング変更手段、移動速度変更手段、及び位相差変更手段の少なくともいずれかを備えた露光装置を用いて行われる前記<1>から<20>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<22> 描画画素群回転手段により、露光ヘッドの全体、及び光変調手段のいずれかを回転させ、傾斜角度(b)を変更する前記<1>から<21>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<23> 描画倍率変更手段により、感光層の被露光面上に形成される描画画素の描画倍率を変更し、配列ピッチ(a)、及び描画ピッチ(c)のいずれかを調整する前記<1>から<21>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<24> 描画タイミング変更手段により、描素部による感光層の被露光面上への描画タイミングを変更し、描画ピッチ(c)を調整する前記<1>から<21>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<25> 移動速度変更手段により、感光層の被露光面に対する露光ヘッドの相対移動速度を変更し、描画ピッチ(c)を調整する前記<1>から<21>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<26> 位相差変更手段により、隣接する描素部の変調制御のタイミングの位相差を変更し、位相差(d)を変更する前記<1>から<21>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<21> The exposure is performed using an exposure apparatus including at least one of a drawing pixel group rotating unit, a drawing magnification changing unit, a drawing timing changing unit, a moving speed changing unit, and a phase difference changing unit. To <20>.
<22> The permanent pattern according to any one of <1> to <21>, wherein either the entire exposure head or the light modulation unit is rotated by the drawing pixel group rotating unit to change the tilt angle (b). It is a forming method.
<23> The drawing magnification changing unit changes the drawing magnification of the drawing pixels formed on the exposed surface of the photosensitive layer, and adjusts either the arrangement pitch (a) or the drawing pitch (c). > To <21>. The method for forming a permanent pattern according to any one of <21>.
<24> The method according to any one of <1> to <21>, wherein the drawing timing changing unit changes the drawing timing of the photosensitive layer on the exposed surface of the photosensitive layer by the drawing unit and adjusts the drawing pitch (c). This is a permanent pattern forming method.
<25> The permanent pattern according to any one of <1> to <21>, wherein the moving speed changing unit changes the relative moving speed of the exposure head with respect to the exposed surface of the photosensitive layer to adjust the drawing pitch (c). It is a forming method.
<26> The permanent pattern according to any one of <1> to <21>, wherein the phase difference changing unit changes the phase difference of the modulation control timing of adjacent pixel parts to change the phase difference (d). It is a forming method.

<27> ジャギーピッチ及びジャギー振幅の所定値が、感光層の被露光面に形成される描画画素のドット径である前記<1>から<26>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<28> 複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群において、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを個別に設定する前記<1>から<27>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<29> 複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群で生じるジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかの平均値が所定値以下となるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<27>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<30> 描画パターンに応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<29>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<31> 描画パターンの走査方向に対する傾斜角度に応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<30>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<32> 走査方向と直交、又は略直交する方向の描画パターンにおいて生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかが、所定値以下になるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する前記<1>から<31>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<27> The permanent pattern forming method according to any one of <1> to <26>, wherein the predetermined values of the jaggy pitch and the jaggy amplitude are a dot diameter of a drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer. .
<28> A plurality of drawing pixel groups each having a plurality of picture element portions, and in each of the picture element portion groups, an arrangement pitch (a), an inclination angle (b), a drawing pitch (c), and a phase difference (d) The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <27>, wherein at least one of the above is individually set.
<29> An arrangement pitch (a) having a plurality of drawing pixel groups each including a plurality of picture element portions, and an average value of any one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in each of the picture element portions is equal to or less than a predetermined value. The permanent pattern forming method according to any one of <1> to <27>, wherein at least one of tilt angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d) is set.
<30> Any one of <1> to <29> in which at least one of the arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), and the phase difference (d) is set according to the drawing pattern This is a method for forming a permanent pattern as described above.
<31> According to the inclination angle of the drawing pattern with respect to the scanning direction, at least one of the arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), and the phase difference (d) is set <1>. To <30>.
<32> The arrangement pitch (a), the inclination angle (b), and the drawing so that any one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in the drawing pattern orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction is equal to or less than a predetermined value. The permanent pattern forming method according to any one of <1> to <31>, wherein at least one of pitch (c) and phase difference (d) is set.

<33> 配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の調整が、
前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点の
(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、
(f)前記制御点列の並び方向、
(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び
(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、
の少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御することにより行われる前記<1>から<32>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<34> 制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求め、
該相関関係に基づいて前記(e)〜(h)のいずれかを設定、又は変更する前記<33>に記載の永久パターン形成方法である。
<35> ジャギーの形状が許容範囲内となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、選択条件として規定する前記<33>から<34>のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
<36> ジャギーの形状が許容範囲外となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、禁止条件として規定する前記<33>から<34>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<37> 描画パターンの方向に対応して、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める前記<33>から<35>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<38> 描画パターンの方向が、前記描画パターンの所定の領域内に含まれる前記描画パターンの代表的な方向である前記<37>に記載の永久パターン形成方法である。
<39> 描画パターンの代表的な方向が、描画パターンの所定の領域内に含まれ、走査方向と直交又は略直交する方向である前記<38>に記載の永久パターン形成方法である。
<40> 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める前記<34>から<35>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<41> 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかを設定、又は変更する前記<40>に記載の永久パターン形成方法である。
<33> Adjustment of arrangement pitch (a), inclination angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d)
(E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, the control point defined as the center point of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit,
(F) the arrangement direction of the control point sequence;
(G) a pitch of the control points with respect to the scanning direction, and (h) a phase difference of the control points adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction,
The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <32>, wherein the method is performed by controlling at least one of the method so that jaggy of a drawing pattern is reduced.
<34> At least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude Find the correlation with the shape of the jaggy defined by
The permanent pattern forming method according to <33>, wherein any one of (e) to (h) is set or changed based on the correlation.
<35> At least one of the pitch (e) of the control point sequence in which the jaggy shape falls within the allowable range, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The permanent pattern forming method according to any one of <33> to <34>, wherein the condition is defined as a selection condition.
<36> At least one of the pitch (e) of the control point sequence where the jaggy shape is outside the allowable range, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The method for forming a permanent pattern according to any one of <33> to <34>, wherein the condition is defined as a prohibition condition.
<37> Corresponding to the direction of the drawing pattern, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) The permanent pattern forming method according to any one of <33> to <35>, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of a jaggy pitch and a jaggy amplitude is obtained.
<38> The method for forming a permanent pattern according to <37>, wherein the direction of the drawing pattern is a representative direction of the drawing pattern included in a predetermined region of the drawing pattern.
<39> The permanent pattern forming method according to <38>, wherein a representative direction of the drawing pattern is included in a predetermined region of the drawing pattern and is a direction orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction.
<40> At least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) for each drawing pattern in the predetermined region. The permanent pattern forming method according to any one of <34> to <35>, wherein the correlation between the shape and the shape of the jaggy defined by at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude is obtained.
<41> At least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) for each drawing pattern in the predetermined region. It is a permanent pattern formation method as described in said <40> which sets or changes these.

<42> 制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を、
制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかから求めた計算値に基づいて求める前記<34>から<41>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<43> あらかじめ設定した制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)による描画パターンから、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を計測して求める前記<34>から<41>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<42> At least one of the pitch (e), the arrangement direction (f) of the control point sequence, the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude Correlation with the shape of jaggy defined by
Said <34 calculated | required based on the calculated value calculated | required from at least any one of the pitch (e) of a control point row | line | column, the arrangement direction (f), the pitch (g) with respect to the said scanning direction of the said control point, and a phase difference (h). > To <41>.
<43> The pitch of the control point sequence from the pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the drawing pattern based on the phase difference (h). (E) Jagged shape defined by at least one of the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude. The method for forming a permanent pattern according to any one of <34> to <41>, wherein the correlation is obtained by measuring a correlation with the pattern.

<44> 光照射手段が、半導体レーザ素子から発せられたレーザ光を出射する前記<1>から<43>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<45> 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である前記<1>から<44>に記載の永久パターン形成方法である。
<46> 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバーと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバーに結合させる集合光学系とを有する前記<1>から<45>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<47> レーザ光の波長が395〜415nmである前記<44>から<46>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<44> The permanent pattern forming method according to any one of <1> to <43>, wherein the light irradiation unit emits laser light emitted from a semiconductor laser element.
<45> The method for forming a permanent pattern according to <1> to <44>, wherein the light irradiation unit can synthesize and irradiate two or more lights.
<46> The above <1>, wherein the light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that condenses the laser beams emitted from the plurality of lasers and couples the laser beams to the multimode optical fiber. > To <45>.
<47> The method for forming a permanent pattern according to any one of <44> to <46>, wherein the wavelength of the laser beam is 395 to 415 nm.

<48> 現像が行われた後、感光層に対して硬化処理を行う前記<1>から<47>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<49> 硬化処理が、全面露光処理及び120〜200℃で行われる全面加熱処理の少なくともいずれかである前記<48>に記載の永久パターン形成方法である。
<50> 保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する前記<1>から<49>のいずれかに記載の永久パターン形成方法である。
<48> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <47>, wherein the photosensitive layer is subjected to a curing treatment after development.
<49> The permanent pattern forming method according to <48>, wherein the curing treatment is at least one of a whole surface exposure treatment and a whole surface heat treatment performed at 120 to 200 ° C.
<50> The method for forming a permanent pattern according to any one of <1> to <49>, wherein at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern is formed.

本発明によると、従来における問題を解決することができ、前記光変調手段を傾斜させて描画を行う露光を行うパターン形成方法において、露光速度を低下させることなく、感光層の被露光面上にジャギーの発生が抑制された所望の描画パターンを形成することにより、保護膜、絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能な永久パターン形成方法を提供することができる。   According to the present invention, a conventional problem can be solved, and in the pattern forming method for performing exposure by drawing the light modulation means while tilting the light modulation means, on the exposed surface of the photosensitive layer without reducing the exposure speed. To provide a permanent pattern forming method capable of forming a permanent pattern such as a protective film, an insulating film, and a solder resist pattern with high definition and efficiency by forming a desired drawing pattern in which generation of jaggies is suppressed. Can do.

(永久パターン形成方法)
本発明の永久パターン形成方法は、露光工程と現像工程とを少なくとも含み、好ましくは硬化処理工程を含み、更に必要に応じて適宜選択したその他の工程を含む。
(Permanent pattern forming method)
The permanent pattern forming method of the present invention includes at least an exposure step and a development step, preferably includes a curing treatment step, and further includes other steps appropriately selected as necessary.

[露光工程]
前記露光工程は、前記感光層に対し、光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行う工程である。
[Exposure process]
In the exposing step, the photosensitive layer is irradiated with light, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged pixels that receive and emit light from the light irradiating means. An exposure head having a light modulation means capable of controlling the drawing unit according to pattern information, wherein a column direction of the drawing unit is inclined at a predetermined inclination with respect to a scanning direction of the exposure head. This is a step of performing exposure by using an exposure head arranged at an angle and moving the exposure head relatively in the scanning direction.

前記露光は、前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して行われる。
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, the exposure is performed so that at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude of jaggy generated by being reproduced by the drawing pixels formed by the picture element portion is a predetermined value or less.
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
Is set, and the pixel part is modulated and controlled at a predetermined timing based on the pattern information.

本発明の永久パターン形成方法の露光工程に係る露光装置の一例について、以下、図面を参照しながら説明する。前記露光工程における露光方法は、前記露光装置の説明を通じて明らかにする。   Hereinafter, an example of an exposure apparatus related to the exposure process of the permanent pattern forming method of the present invention will be described with reference to the drawings. The exposure method in the exposure step will be clarified through the description of the exposure apparatus.

<露光装置の構成>
<<露光装置の外観>>
図1は、本発明の実施形態に係る描画装置であるフラットベッドタイプの露光装置10を示す。
露光装置10は、複数の脚部12によって支持された変形の極めて小さい定盤14を備え、この定盤14上には、2本のガイドレール16を介して露光ステージ18が矢印方向に往復移動可能に設置されている。なお、露光ステージ18には、前記感光層を、被処理基材上に積層してなる積層体(以下、「感光材料」ということがある)であるシートフイルムFの貼着された基板が吸着保持される。
<Configuration of exposure apparatus>
<< Appearance of exposure apparatus >>
FIG. 1 shows an exposure apparatus 10 of a flat bed type that is a drawing apparatus according to an embodiment of the present invention.
The exposure apparatus 10 includes a surface plate 14 that is supported by a plurality of legs 12 and is extremely small in deformation. On the surface plate 14, an exposure stage 18 reciprocates in the direction of an arrow via two guide rails 16. It is installed as possible. The exposure stage 18 adsorbs a substrate on which a sheet film F, which is a laminate (hereinafter sometimes referred to as “photosensitive material”), in which the photosensitive layer is laminated on a substrate to be processed. Retained.

定盤14の中央部には、ガイドレール16を跨ぐようにして門型のコラム20が設置されている。このコラム20の一方の側部には、シートフイルムFに記録されたアラインメントマークを検出するカメラ22a、22bが固定され、他方の側部には、シートフイルムFに対して描画パターン(画像)を形成する複数の露光ヘッド24a〜24j(描画ヘッド)が位置決め保持されたスキャナ26が固定されている。   A gate-shaped column 20 is installed at the center of the surface plate 14 so as to straddle the guide rail 16. Cameras 22 a and 22 b for detecting alignment marks recorded on the sheet film F are fixed to one side of the column 20, and a drawing pattern (image) for the sheet film F is fixed to the other side. A scanner 26 in which a plurality of exposure heads 24a to 24j (drawing heads) to be formed is positioned and held is fixed.

図2に、各露光ヘッド24a〜24jの構成を示す。
露光ヘッド24a〜24jには、例えば、前記光照射手段としての光源ユニット28を構成する複数の半導体レーザから出力されたレーザビームLが、合波されて光ファイバ30を介して導入される。レーザビームLが導入された光ファイバ30の出射端には、ロッドレンズ32、反射ミラー34、及びデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)36が順に配列されている。
FIG. 2 shows the configuration of each of the exposure heads 24a to 24j.
For example, laser beams L output from a plurality of semiconductor lasers constituting the light source unit 28 serving as the light irradiation unit are combined and introduced into the exposure heads 24 a to 24 j through the optical fiber 30. A rod lens 32, a reflection mirror 34, and a digital micromirror device (DMD) 36 are arranged in order at the exit end of the optical fiber 30 into which the laser beam L is introduced.

DMD36は、図3に示すように、SRAMセル(メモリセル)38の上に格子状に配列された多数のマイクロミラー40(描画素子)を揺動可能な状態で配置したものであり、各マイクロミラー40の表面には、アルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。SRAMセル38に描画データに従ったデジタル信号が書き込まれると、その信号の状態に応じて、図4及び図5に示すように、各マイクロミラー40が対角線を中心とする所定方向に傾斜する。
図4は、マイクロミラー40がオン状態の方向に傾斜した場合を示し、図5は、マイクロミラー40がオフ状態の方向に傾斜した場合を示す。従って、制御ユニット42から供給されるパターン情報(描画データ)に基づく変調信号でDMD36の各マイクロミラー40の傾きを制御することにより、描画データに応じてレーザビームLを選択的にシートフイルムFに導き、所望の描画パターン(画像)を描画することができる。
As shown in FIG. 3, the DMD 36 includes a large number of micromirrors 40 (drawing elements) arranged in a lattice on an SRAM cell (memory cell) 38 in a swingable state. A material having high reflectivity such as aluminum is deposited on the surface of the mirror 40. When a digital signal according to the drawing data is written in the SRAM cell 38, each micromirror 40 is inclined in a predetermined direction centered on a diagonal line as shown in FIGS. 4 and 5 according to the state of the signal.
4 shows a case where the micromirror 40 is tilted in the direction of the on state, and FIG. 5 shows a case where the micromirror 40 is tilted in the direction of the off state. Therefore, by controlling the inclination of each micromirror 40 of the DMD 36 with the modulation signal based on the pattern information (drawing data) supplied from the control unit 42, the laser beam L is selectively transferred to the sheet film F according to the drawing data. Thus, a desired drawing pattern (image) can be drawn.

オン状態のマイクロミラー40によって反射されたレーザビームLの射出方向には、拡大光学系である第1結像光学レンズ44及び46、DMD36の各マイクロミラー40に対応して多数のレンズを配設したマイクロレンズアレー48、ズーム光学系である第2結像光学レンズ50及び52が順に配列されている。
なお、マイクロレンズアレー48の前後には、迷光を除去するとともに、レーザビームLを所定の径に調整するためのマイクロアパーチャアレー54、56が配設される。
In the emission direction of the laser beam L reflected by the micromirror 40 in the on state, a large number of lenses are arranged corresponding to the first imaging optical lenses 44 and 46 that are the magnifying optical system and each micromirror 40 of the DMD 36. The microlens array 48 and the second imaging optical lenses 50 and 52, which are a zoom optical system, are sequentially arranged.
Before and after the micro lens array 48, micro aperture arrays 54 and 56 for removing stray light and adjusting the laser beam L to a predetermined diameter are disposed.

以上のように構成される露光ヘッド24a〜24jは、図6に示すように、シートフイルムFの走査方向(露光ステージ18の移動方向)と直交する方向に2列で千鳥状に配列される。
各露光ヘッド24a〜24jに組み込まれるDMD36は、図7に示すように、高い解像度を実現すべく、走査方向に対して所定角度傾斜した状態に設定される。すなわち、DMD36をシートフイルムFの走査方向に対して傾斜させることにより、DMD36を構成するマイクロミラー40の走査方向と直交する方向に対する間隔が狭くなり、これによって、走査方向と直交する方向に対する解像度を高くすることができる。
なお、露光ヘッド24a〜24j間の継ぎ目が生じることのないよう、各露光ヘッド24a〜24jによる露光エリア58a〜58jが走査方向と直交する方向に重畳するように設定される。
As shown in FIG. 6, the exposure heads 24 a to 24 j configured as described above are arranged in a staggered pattern in two rows in a direction orthogonal to the scanning direction of the sheet film F (the moving direction of the exposure stage 18).
As shown in FIG. 7, the DMD 36 incorporated in each of the exposure heads 24a to 24j is set in a state inclined at a predetermined angle with respect to the scanning direction in order to achieve a high resolution. That is, by inclining the DMD 36 with respect to the scanning direction of the sheet film F, the interval with respect to the direction orthogonal to the scanning direction of the micromirrors 40 constituting the DMD 36 is narrowed, thereby reducing the resolution with respect to the direction orthogonal to the scanning direction. Can be high.
It should be noted that the exposure areas 58a to 58j by the exposure heads 24a to 24j are set so as to overlap in a direction orthogonal to the scanning direction so that a joint between the exposure heads 24a to 24j does not occur.

図8は、露光装置10の制御回路の要部構成ブロック図である。露光装置10を制御する制御ユニット42(制御手段)は、エンコーダ62により検出した露光ステージ18の位置データに基づいて同期信号を生成する同期信号生成部64と、生成された同期信号に基づいて露光ステージ18を走査方向に移動させる露光ステージ駆動部66と、シートフイルムFに描画される描画パターン(画像)の描画データを記憶する描画データ記憶部68と、同期信号及び描画データに基づいてDMD36のSRAMセル38を変調制御し、マイクロミラー40を駆動するDMD変調部70とを備える。   FIG. 8 is a block diagram of the main part of the control circuit of the exposure apparatus 10. A control unit 42 (control means) that controls the exposure apparatus 10 includes a synchronization signal generator 64 that generates a synchronization signal based on the position data of the exposure stage 18 detected by the encoder 62, and exposure based on the generated synchronization signal. An exposure stage driving unit 66 that moves the stage 18 in the scanning direction, a drawing data storage unit 68 that stores drawing data of a drawing pattern (image) drawn on the sheet film F, and the DMD 36 based on the synchronization signal and the drawing data. A DMD modulation unit 70 that controls the modulation of the SRAM cell 38 and drives the micromirror 40 is provided.

また、制御ユニット42は、同期信号生成部64により生成される同期信号を調整する周波数変更部72(描画タイミング変更手段)、位相差変更部74(位相差変更手段)及び移動速度変更部75(移動速度変更手段)を備えることが好ましい。   The control unit 42 also adjusts the synchronization signal generated by the synchronization signal generation unit 64, such as a frequency changing unit 72 (drawing timing changing unit), a phase difference changing unit 74 (phase difference changing unit), and a moving speed changing unit 75 ( It is preferable that a moving speed changing means is provided.

前記描画タイミング変更手段としての周波数変更部72は、DMD36を構成するマイクロミラー40の走査方向に対するオンオフ制御のタイミングを決定する周波数を変更して同期信号生成部64に供給し、シートフイルムFに描画される画素の走査方向の間隔を調整する。
前記位相差変更手段としての位相差変更部74は、走査方向と略直交する方向に隣接して配列されたマイクロミラー40のオンオフ制御のタイミングの位相差を変更して同期信号生成部64に供給し、シートフイルムFに描画される画素の走査方向に対する位相差を調整する。
前記移動速度変更手段としての移動速度変更部75は、露光ステージ18の移動速度を変更して同期信号生成部64に供給することで露光ステージ18の移動速度を調整する。
The frequency changing unit 72 serving as the drawing timing changing unit changes the frequency for determining the on / off control timing with respect to the scanning direction of the micromirror 40 constituting the DMD 36 and supplies the same to the synchronization signal generating unit 64 for drawing on the sheet film F. The interval in the scanning direction of the pixels to be adjusted is adjusted.
The phase difference changing unit 74 as the phase difference changing unit changes the phase difference of the on / off control timings of the micromirrors 40 arranged adjacent to each other in a direction substantially orthogonal to the scanning direction and supplies the same to the synchronization signal generating unit 64. Then, the phase difference of the pixels drawn on the sheet film F with respect to the scanning direction is adjusted.
The moving speed changing unit 75 as the moving speed changing unit adjusts the moving speed of the exposure stage 18 by changing the moving speed of the exposure stage 18 and supplying the changed moving speed to the synchronization signal generating unit 64.

さらに、制御ユニット42には、必要に応じて、露光ヘッド回転駆動部76(描画画素群回転手段)、及び光学倍率変更部78(描画倍率変更手段)を配設することが好ましい。   Further, the control unit 42 is preferably provided with an exposure head rotation driving unit 76 (drawing pixel group rotating unit) and an optical magnification changing unit 78 (drawing magnification changing unit) as necessary.

前記描画画素群回転手段としての露光ヘッド回転駆動部76は、露光ヘッド24a〜24jをレーザビームLの光軸の回りに所定角度回転させ、シートフイルムF上に形成される画素配列の走査方向に対する傾斜角度を調整する。なお、露光ヘッド24a〜24jの一部の光学部材を回転させることによって、画素配列の傾斜角度を調整するようにしてもよい。
前記描画倍率変更手段としての光学倍率変更部78は、露光ヘッド24a〜24jの第2結像光学レンズ50、52により構成されるズーム光学系79を制御して光学倍率を変更し、隣接するマイクロミラー40によりシートフイルムF上に形成される画素の配列ピッチ又は同一のマイクロミラー40による描画ピッチを調整する。
The exposure head rotation driving unit 76 serving as the drawing pixel group rotating unit rotates the exposure heads 24a to 24j by a predetermined angle around the optical axis of the laser beam L, and the scanning direction of the pixel array formed on the sheet film F is changed. Adjust the tilt angle. Note that the inclination angle of the pixel array may be adjusted by rotating some of the optical members of the exposure heads 24a to 24j.
The optical magnification changing unit 78 as the drawing magnification changing means controls the zoom optical system 79 constituted by the second imaging optical lenses 50 and 52 of the exposure heads 24a to 24j to change the optical magnification, and the adjacent micro The arrangement pitch of pixels formed on the sheet film F by the mirror 40 or the drawing pitch by the same micromirror 40 is adjusted.

<<露光装置の動作>>
露光装置10は、基本的には以上のように構成されるものであり、以下に、該露光装置を用いて露光を行う際の動作について説明する。
露光ステージ18にシートフイルムFを吸着保持させた後、制御ユニット42は、露光ステージ駆動部66を駆動し、露光ステージ18を定盤14のガイドレール16に沿って一方の方向に移動させる。露光ステージ18がコラム20間を通過する際、カメラ22a、22bがシートフイルムFの所定位置に記録されているアライメントマークを読み取る。制御ユニット42は、読み取ったアライメントマークの位置データに基づき、シートフイルムFの位置補正データを算出する。
<< Operation of exposure apparatus >>
The exposure apparatus 10 is basically configured as described above, and the operation when performing exposure using the exposure apparatus will be described below.
After the sheet film F is sucked and held on the exposure stage 18, the control unit 42 drives the exposure stage drive unit 66 to move the exposure stage 18 in one direction along the guide rail 16 of the surface plate 14. When the exposure stage 18 passes between the columns 20, the cameras 22 a and 22 b read the alignment marks recorded at predetermined positions on the sheet film F. The control unit 42 calculates the position correction data of the sheet film F based on the read position data of the alignment mark.

位置補正データが算出された後、制御ユニット42は、露光ステージ18を他方の方向に移動させ、スキャナ26によりシートフイルムFに対する描画パターン(画像)の露光を開始する。   After the position correction data is calculated, the control unit 42 moves the exposure stage 18 in the other direction, and starts exposure of the drawing pattern (image) on the sheet film F by the scanner 26.

すなわち、前記光照射手段としての光源ユニット28から出力されたレーザビームLは、光ファイバ30を介して各露光ヘッド24a〜24jに導入される。導入されたレーザビームLは、ロッドレンズ32から反射ミラー34を介してDMD36に入射する。   That is, the laser beam L output from the light source unit 28 as the light irradiating means is introduced into each exposure head 24 a to 24 j via the optical fiber 30. The introduced laser beam L enters the DMD 36 from the rod lens 32 via the reflection mirror 34.

一方、描画データ記憶部68から読み出され、位置補正データにより補正された描画データ(パターン情報)は、DMD変調部70において、同期信号生成部64から供給される同期信号に従ったタイミングで変調されてDMD36に供給される。この結果、DMD36を構成する各マイクロミラー40が描画データに従い同期信号に応じたタイミングでオンオフ制御される。   On the other hand, the drawing data (pattern information) read from the drawing data storage unit 68 and corrected by the position correction data is modulated by the DMD modulation unit 70 at a timing according to the synchronization signal supplied from the synchronization signal generation unit 64. And supplied to the DMD 36. As a result, each micromirror 40 constituting the DMD 36 is on / off controlled at a timing according to the synchronization signal according to the drawing data.

図4及び図5に示すように、DMD36を構成する各マイクロミラー40により所望の方向に選択的に反射されたレーザビームLは、第1結像光学レンズ44及び46によって拡大された後、マイクロアパーチャアレー54、マイクロレンズアレー48、マイクロアパーチャアレー56を介して所定の径に調整され、次いで、光学倍率変更部78を構成する第2結像光学レンズ50及び52により所定の倍率に調整されてシートフイルムFに導かれる。   As shown in FIGS. 4 and 5, the laser beam L selectively reflected in the desired direction by each micromirror 40 constituting the DMD 36 is expanded by the first imaging optical lenses 44 and 46, and then microscopically reflected. It is adjusted to a predetermined diameter via the aperture array 54, the microlens array 48, and the microaperture array 56, and then adjusted to a predetermined magnification by the second imaging optical lenses 50 and 52 constituting the optical magnification changing unit 78. Guided to the sheet film F.

この場合、露光ステージ18は、定盤14に沿って移動し、シートフイルムFには、露光ステージ18の移動方向と直交する方向に配列される複数の露光ヘッド24a〜24jにより所望の二次元パターン(以下、「二次元画像」という)が描画される。   In this case, the exposure stage 18 moves along the surface plate 14, and a desired two-dimensional pattern is formed on the sheet film F by a plurality of exposure heads 24a to 24j arranged in a direction orthogonal to the moving direction of the exposure stage 18. (Hereinafter referred to as “two-dimensional image”) is drawn.

ところで、前記のようにしてシートフイルムF上に描画される二次元画像は、DMD36を構成するマイクロミラー40に基づく離散的な多数の画素の集合によって構成されている。この場合、描画前のオリジナル画像は、シートフイルムF上の離散的な描画点にマッピングされて再現されるため、前記オリジナル画像と描画点の配置との関係で、描素部に対応したピクセルからなる再現画像において、該画像の端部がギザギザ状となった状態であるジャギーが発生する、あるいは、前記オリジナル画像の線幅の精度が低下する等の不具合が発生するおそれがある。   By the way, the two-dimensional image drawn on the sheet film F as described above is constituted by a set of a large number of discrete pixels based on the micromirrors 40 constituting the DMD 36. In this case, the original image before drawing is reproduced by being mapped to discrete drawing points on the sheet film F, and therefore, from the pixel corresponding to the pixel part, depending on the relationship between the original image and the arrangement of the drawing points. In such a reproduced image, there is a risk that a jaggy having a jagged end portion of the image may occur, or a defect such as a decrease in line width accuracy of the original image may occur.

本発明の永久パターン形成方法における前記露光方法は、シートフイルム(積層体)F上に形成される描画画素の配置を調整することにより、ジャギーの発生を抑制し、適切な描画パターンの形成を可能とするものである。
前記描画画素の配置を規定するパラメータとしては、(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、の4つが挙げられ、これらの少なくともいずれかを設定し、前記描素部を所定のタイミングで変調制御することにより、ジャギーの発生を抑制することができる。
前記(a)〜(d)のパラメータを調整する方法としては、前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として制御点を規定し、該制御点の(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、(f)前記制御点列の並び方向、(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、の4つが挙げられ、これらの少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御する方法が挙げられる。
以下、その一例として、1つのDMD36によって生じるジャギーを抑制する場合について説明する。
The exposure method in the permanent pattern forming method of the present invention can suppress the occurrence of jaggies and adjust the arrangement of the drawing pixels formed on the sheet film (laminate) F, thereby forming an appropriate drawing pattern. It is what.
The parameters that define the arrangement of the drawing pixels include (a) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent pixel parts, and (b) a two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels. An inclination angle with respect to the scanning direction, (c) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction. Of at least one of them, and by setting at least one of these and controlling the modulation of the picture element portion at a predetermined timing, the occurrence of jaggy can be suppressed.
As a method of adjusting the parameters (a) to (d), a control point is defined as a center point of a drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit. (E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, (f) the arrangement direction of the control point sequence, (g) the pitch of the control point with respect to the scanning direction, and (h) the scanning direction. And a phase difference with respect to the scanning direction of the control points adjacent to each other in a direction substantially perpendicular to the scanning direction, and a method of controlling at least one of them so that the jaggy of the drawing pattern is reduced.
Hereinafter, as an example, a case where jaggy caused by one DMD 36 is suppressed will be described.

図9は、1つのDMD36を構成する多数のマイクロミラー40の配列を模式的に示した図である。
図9において、シートフイルムFの走査方向をy、走査方向yと直交する方向をxとし、略走査方向yに沿って配列されるマイクロミラー40の列をスワス77と定義する。この場合、スワス77は、描画される画像のx方向に対する解像度を高めるため、x方向に対して所定の角度θs(以下、スワス傾斜角度θs(≠90゜)という)に設定される。なお、スワス77上で隣接する2つのマイクロミラー40をDMD画素A、Bとする。
FIG. 9 is a diagram schematically showing the arrangement of a large number of micromirrors 40 constituting one DMD 36.
In FIG. 9, the scanning direction of the sheet film F is defined as y, the direction orthogonal to the scanning direction y is defined as x, and the row of micromirrors 40 arranged substantially along the scanning direction y is defined as a swath 77. In this case, the swath 77 is set to a predetermined angle θs with respect to the x direction (hereinafter referred to as a swath inclination angle θs (≠ 90 °)) in order to increase the resolution of the drawn image in the x direction. Two micromirrors 40 adjacent on the swath 77 are designated as DMD pixels A and B.

図10は、図9に示すように、DMD36により形成され、シートフイルムF上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点(以下、「アドレス格子点」という)と、前記パターン情報に基づく所望の描画パターン(以下、「オリジナル画像」という)との関係を模式的に示した図である。図9において、前記アドレス格子点は、実線丸及び点線丸で示され、前記オリジナル画像80は直線状の描画パターンとして示されている。
この場合、オリジナル画像80は、実線丸で示される複数のアドレス格子点によって再現される。なお、レーザビームLは、各アドレス格子点を中心とする所定のビーム径(ドット径)で画素を形成する。従って、シートフイルムF上に実際に形成される画像は、外郭線82で示すように、実線で示すアドレス格子点の輪郭よりも広がった画像となる。
FIG. 10 shows a control point (hereinafter referred to as an “address grid point”) defined by the DMD 36 and defined as the center point of the drawing pixel formed on the sheet film F, as shown in FIG. FIG. 6 is a diagram schematically showing a relationship with a desired drawing pattern (hereinafter referred to as “original image”). In FIG. 9, the address lattice points are indicated by solid circles and dotted circles, and the original image 80 is indicated as a linear drawing pattern.
In this case, the original image 80 is reproduced by a plurality of address lattice points indicated by solid line circles. The laser beam L forms pixels with a predetermined beam diameter (dot diameter) centering on each address lattice point. Accordingly, the image actually formed on the sheet film F is an image that is wider than the outline of the address lattice points indicated by the solid line, as indicated by the outline line 82.

アドレス格子点の並びには、図10に示すように、格子点列1、格子点列2、及び格子点列3の3種類がある。各格子点列を特徴づけるパラメータとしては、格子点列1〜3のx方向に対する傾斜角度θgi(i=1〜3)、格子点列1〜3を構成するアドレス格子点の格子点ピッチpgi(i=1〜3)、及び、格子点列1〜3の列ピッチdgi(i=1〜3)がある。   As shown in FIG. 10, there are three types of address lattice points, lattice point sequence 1, lattice point sequence 2, and lattice point sequence 3. The parameters characterizing each grid point sequence include the inclination angle θgi (i = 1 to 3) of the grid point sequence 1 to 3 with respect to the x direction, and the grid point pitch pgi ( i = 1 to 3) and the row pitch dgi (i = 1 to 3) of the lattice point rows 1 to 3.

これらのパラメータは、スワス77上での隣接するDMD画素A、B(図9参照)によりシートフイルムF上に形成されるアドレス格子点(以下、アドレス格子点A、Bとも言う。)の配列ピッチps(制御点列のピッチ(e))、スワス傾斜角度θs(制御点列の並び方向(f))(ただし、x方向を基準として反時計回りを+とする。)、各アドレス格子点のy方向に対する描画ピッチpy(制御点の走査方向に対するピッチ(g))により決定される。以下、これらのパラメータ間の関係を説明する。   These parameters are the arrangement pitch of address lattice points (hereinafter also referred to as address lattice points A and B) formed on the sheet film F by the adjacent DMD pixels A and B (see FIG. 9) on the swath 77. ps (pitch of control point sequence (e)), swath inclination angle θs (arrangement direction of control point sequence (f)) (however, counterclockwise with respect to the x direction as +), and each address lattice point It is determined by the drawing pitch py with respect to the y direction (pitch (g) with respect to the scanning direction of the control point). Hereinafter, the relationship between these parameters will be described.

<(I)傾斜角度θgi(i=1〜3)>
図11に示す3つの隣接するアドレス格子点A、B′、B″を考える。格子点列3の傾斜角度θg3は、
θg3=90゜ 式(1)
である。また、格子点列1、2の傾斜角度θg1、θg2については、
N1=integer(ps・sinθs/py)
(integerは、切り捨て演算を表す。)
N2=N1+1
とすると、アドレス格子点Aに対するアドレス格子点B′、B″のy方向の距離Δy1、
Δy2(前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差(h))は、
Δyi=ps・sinθs−py・N1 (i=1、2)
となる。また、アドレス格子点A、B′、B″のx方向の描画ピッチpxは、
px=ps・cosθs
であるから、
tanθgi=Δyi/py (i=1、2) 式(2)
となる。従って、格子点列1〜3の傾斜角度θg1、θg2は、
θgi=tan-1{(ps・sinθs−py・Ni)/(ps・cosθs)}
(i=1、2) 式(3)
として求まる。
<(I) Inclination angle θgi (i = 1 to 3)>
Consider three adjacent address grid points A, B ′, B ″ shown in FIG. 11. The tilt angle θg3 of the grid point array 3 is:
θg3 = 90 ° Formula (1)
It is. In addition, regarding the inclination angles θg1 and θg2 of the grid points 1 and 2,
N1 = integer (ps · sin θs / py)
(Integer represents a truncation operation.)
N2 = N1 + 1
Then, the distance Δy1 in the y direction of the address grid points B ′ and B ″ with respect to the address grid point A,
Δy2 (the phase difference (h) of the control point adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction) is
Δyi = ps · sin θs−py · N1 (i = 1, 2)
It becomes. Further, the drawing pitch px in the x direction of the address lattice points A, B ′, B ″ is
px = ps · cos θs
Because
tan θgi = Δyi / py (i = 1, 2) Equation (2)
It becomes. Therefore, the inclination angles θg1 and θg2 of the lattice point rows 1 to 3 are
θgi = tan −1 {(ps · sin θs−py · Ni) / (ps · cos θs)}
(I = 1, 2) Formula (3)
It is obtained as

<(II)格子点ピッチpgi(i=1〜3)>
格子点列3は、y方向に配列されたアドレス格子点で構成されるから、
pg3=py 式(4)
である。また、
pgi=px/cosθgi (i=1、2) 式(5)
である。
<(II) Lattice point pitch pgi (i = 1 to 3)>
Since the lattice point sequence 3 is composed of address lattice points arranged in the y direction,
pg3 = py Formula (4)
It is. Also,
pgi = px / cos θgi (i = 1, 2) Equation (5)
It is.

<(III)列ピッチdgi(i=1〜3)>
格子点列3の列ピッチdg3は、
dg3=px 式(6)
である。また、
dgi=py・cosθgi (i=1、2) 式(7)
である。
<(III) row pitch dgi (i = 1 to 3)>
The row pitch dg3 of the lattice point row 3 is
dg3 = px equation (6)
It is. Also,
dgi = py · cos θgi (i = 1, 2) Equation (7)
It is.

一方、オリジナル画像80をアドレス格子点によって再現した際に発生するジャギーは、格子点列1〜3によって発生するため、上記で求めた格子点列1〜3のパラメータ及びオリジナル画像80のx方向に対する傾斜角度θLを用いて定義することができる。
この場合、ジャギーは、ジャギーピッチpj1〜pj3、及びジャギー振幅aj1〜aj3により規定される。
On the other hand, jaggies that are generated when the original image 80 is reproduced by the address lattice points are generated by the lattice point sequences 1 to 3, and therefore, the parameters of the lattice point sequences 1 to 3 obtained above and the x direction of the original image 80 are determined. It can be defined using the inclination angle θL.
In this case, jaggy is defined by jaggy pitches pj1 to pj3 and jaggy amplitudes aj1 to aj3.

<(IV)ジャギーピッチpji(i=1〜3)>
ジャギーピッチpjiは、格子点列1〜3の列ピッチdgiと、格子点列1〜3の傾斜角度θgi及びオリジナル画像80の傾斜角度θLの差(θgi−θL)とにより決定される。
この場合、各格子点列1〜3上にアドレス格子点が連続的に形成されるものと仮定して、平均値としてのジャギーピッチpjiは、
pji=dgi/sin(θgi−θL) (i=1〜3) 式(8)
となる。
<(IV) Jaggy pitch pji (i = 1 to 3)>
The jaggy pitch pji is determined by the row pitch dgi of the lattice point rows 1 to 3 and the difference between the inclination angle θgi of the lattice point rows 1 to 3 and the inclination angle θL of the original image 80 (θgi−θL).
In this case, assuming that address lattice points are continuously formed on each lattice point sequence 1 to 3, the jaggy pitch pji as an average value is
pji = dgi / sin (θgi−θL) (i = 1 to 3) Equation (8)
It becomes.

<(V)ジャギー振幅aji(i=1〜3)>
図12は、格子点列1とオリジナル画像80との間で発生するジャギーの説明図である。この場合、オリジナル画像80の境界と格子点列1との交点間の距離がジャギーピッチpj1となる。
また、ジャギー振幅aj1は、格子点列1及び格子点列2と、格子点列1及び格子点列3との間でそれぞれ定義できる。これらのジャギー振幅aj1のうち、小さい方を代表値としてのジャギー振幅aj1に選択すると、図12に示す関係から、
aj1=pj1・tanθ′1・tanθ′2/(tanθ′2−tanθ′1)
(θ′1=θg1−θL)
となる。従って、ジャギー振幅ajiは、
aji=pji・tanθ′i・tanθ′k/(tanθ′k−tanθ′i)
(i=1〜3、θ′i=θgi−θL、k=1〜3、i≠k)
式(9)
である。なお、θ′kは、選択されたジャギー振幅ajiの小さい格子点列とオリジナル画像80とのなす角度である。
<(V) Jaggy amplitude aji (i = 1 to 3)>
FIG. 12 is an explanatory diagram of jaggy that occurs between the grid point sequence 1 and the original image 80. In this case, the distance between the intersections of the boundary of the original image 80 and the grid point row 1 is the jaggy pitch pj1.
Further, the jaggy amplitude aj1 can be defined between the lattice point sequence 1 and the lattice point sequence 2, and the lattice point sequence 1 and the lattice point sequence 3. When the smaller one of these jaggy amplitudes aj1 is selected as the jaggy amplitude aj1 as a representative value, from the relationship shown in FIG.
aj1 = pj1 · tan θ′1 · tan θ′2 / (tan θ′2−tan θ′1)
(Θ′1 = θg1−θL)
It becomes. Therefore, the jaggy amplitude aji is
aji = pji · tan θ′i · tan θ′k / (tan θ′k−tan θ′i)
(I = 1 to 3, θ′i = θgi−θL, k = 1 to 3, i ≠ k)
Formula (9)
It is. Θ′k is an angle formed by the selected lattice point sequence having a small jaggy amplitude aji and the original image 80.

シートフイルムF上に再現される描画パターンにおけるジャギーは、ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiがともにある程度大きい場合に視認される。
描画パターンを構成する各画素は、図10に示すアドレス格子点を中心として、レーザビームLのビーム径に基づく所定の径で描画されるため、ジャギーピッチpjiが小さい場合には、ジャギー振幅ajiが大きくてもジャギーが視認されることはない。従って、ジャギーの視認を低下させるためには、ジャギーピッチpji又はジャギー振幅ajiのいずれかが所定値以下となるように、パラメータを設定すればよいことになる。
なお、前記ジャギーピッチ及びジャギー振幅の所定値としては、感光層の被露光面に形成される描画画素のドット径、すなわち、レーザビームLのビーム径とすることができる。
Jaggy in the drawing pattern reproduced on the sheet film F is visually recognized when both the jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji are large to some extent.
Since each pixel constituting the drawing pattern is drawn with a predetermined diameter based on the beam diameter of the laser beam L with the address lattice point shown in FIG. 10 as the center, when the jaggy pitch pji is small, the jaggy amplitude aji is Even if it is large, no jaggy is visible. Therefore, in order to reduce the visibility of jaggy, it is only necessary to set parameters so that either the jaggy pitch pji or the jaggy amplitude aji is equal to or less than a predetermined value.
The predetermined values of the jaggy pitch and the jaggy amplitude can be the dot diameter of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer, that is, the beam diameter of the laser beam L.

ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiは、式(1)〜(9)から、オリジナル画像80のx方向に対する傾斜角度θL、スワス傾斜角度θs、スワス77上での隣接するDMDにより形成される描画画素A及びBの配列ピッチps、アドレス格子点のy方向に対する描画ピッチpyの各パラメータによって決定される。
従って、これらのパラメータに対応する(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差の各パラメータを調整することにより、ジャギーの発生を抑制し、ジャギーを低減させた画像を再現することができる。なお、各パラメータは、個別に調整して設定してもよく、複数のパラメータを同時に調整してもよい。
The jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji are obtained from the equations (1) to (9), and the drawing pixel A formed by the DMD adjacent on the inclination angle θL, swath inclination angle θs, and swath 77 with respect to the x direction of the original image 80. And the arrangement pitch ps of B and the drawing pitch py with respect to the y direction of the address lattice points.
Accordingly, (a) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions corresponding to these parameters, and (b) a two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction. An inclination angle, (c) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction. By adjusting each parameter, it is possible to suppress the occurrence of jaggy and reproduce an image with reduced jaggy. Each parameter may be individually adjusted and set, or a plurality of parameters may be adjusted simultaneously.

この場合、傾斜角度θL、すなわち、複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度(b)は、シートフイルムFに形成するオリジナル画像80によって予め決まっている。
スワス傾斜角度θsは、露光ヘッド24a〜24jに組み込まれたDMD36の傾斜角度によって決定されるが、この傾斜角度は、露光ヘッド回転駆動部76により露光ヘッド24a〜24jを光軸の回りに所定角度回転させて調整することができる。なお、露光ヘッド24a〜24jの一部の光学部材、例えば、マイクロレンズアレー48、マイクロアパーチャアレー54、56を回転させることで前記傾斜角度を調整することもできる。また、光学像を回転させるダブプリズム等の像回転素子を配設し、この像回転素子を回転させて前記傾斜角度を調整することもできる。像回転素子は、第2結像光学レンズ50、52の後に配置することができる。また、第2結像光学レンズ50、52を配設することなく、マイクロレンズアレー48により直接シートフイルムF上にレーザビームLを結像させるような装置構成の場合、像回転素子をマイクロレンズアレー48の後に配置することができる。
In this case, the inclination angle θL, that is, the inclination angle (b) of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of drawing pixels with respect to the scanning direction is determined in advance by the original image 80 formed on the sheet film F.
The swath tilt angle θs is determined by the tilt angle of the DMD 36 incorporated in the exposure heads 24a to 24j. This tilt angle is determined by the exposure head rotation drive unit 76 by moving the exposure heads 24a to 24j around the optical axis by a predetermined angle. It can be adjusted by rotating. Note that the tilt angle can be adjusted by rotating some of the optical members of the exposure heads 24a to 24j, for example, the microlens array 48 and the microaperture arrays 54 and 56. It is also possible to arrange an image rotating element such as a Dove prism for rotating the optical image and adjust the tilt angle by rotating the image rotating element. The image rotation element can be disposed after the second imaging optical lenses 50 and 52. In the case of an apparatus configuration in which the laser beam L is directly imaged on the sheet film F by the microlens array 48 without providing the second imaging optical lenses 50 and 52, the image rotation element is connected to the microlens array. 48 can be placed after.

配列ピッチps、すなわち、隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ(a)は、DMD36を構成するマイクロミラー40の間隔に依存しているが、光学倍率変更部78によりズーム光学系79を構成する第2結像光学レンズ50、52の位置を変更させることで、シートフイルムF上での配列ピッチpsを調整することができる。
描画ピッチpy、すなわち、前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ(c)は、同期信号生成部64により生成される同期信号の出力タイミングを周波数変更部72からの周波数変更信号によって調整し、あるいは、移動速度変更部75からの移動速度変更信号を同期信号生成部64に供給して同期信号の出力タイミングを変更し、露光ステージ駆動部66により露光ステージ18のy方向への移動速度を変更することで調整することができる。
The arrangement pitch ps, that is, the arrangement pitch (a) of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions depends on the interval between the micromirrors 40 constituting the DMD 36, but is zoomed by the optical magnification changing unit 78. The arrangement pitch ps on the sheet film F can be adjusted by changing the positions of the second imaging optical lenses 50 and 52 constituting the optical system 79.
The drawing pitch py, that is, the drawing pitch (c) of the drawing pixels with respect to the scanning direction is adjusted by the frequency change signal from the frequency changing unit 72 by adjusting the output timing of the synchronizing signal generated by the synchronizing signal generating unit 64, or Then, the moving speed change signal from the moving speed changing unit 75 is supplied to the synchronization signal generating unit 64 to change the output timing of the synchronizing signal, and the exposure stage driving unit 66 changes the moving speed of the exposure stage 18 in the y direction. Can be adjusted.

なお、傾斜角度θLがy方向の位置によって変化するオリジナル画像80に対しては、スワス傾斜角度θsをオリジナル画像80の傾斜角度θLに応じて迅速に変更することは困難であるため、例えば、周波数変更部72によって描画ピッチpyを変更するのが適当である。   For the original image 80 in which the inclination angle θL changes depending on the position in the y direction, it is difficult to quickly change the swath inclination angle θs according to the inclination angle θL of the original image 80. It is appropriate to change the drawing pitch py by the changing unit 72.

さらに、ジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiは、例えば、図10において、DMDにより形成される描画画素A及びBを同時に描画するのではなく、位相差変更部74によってy方向に対するDMD画素A及びBの描画タイミングを所定時間ずらすことにより、DMD画素Aのx方向に隣接して形成されるDMD画素B′、B″の位相差Δyi、すなわち、前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差(d)を変更し、この結果として傾斜角度θgiを変更して調整することもできる。   Further, the jaggy pitch pji and the jaggy amplitude aji, for example, in FIG. 10, do not draw the drawing pixels A and B formed by DMD at the same time, but instead of drawing the DMD pixels A and B in the y direction by the phase difference changing unit 74. By shifting the drawing timing by a predetermined time, the phase difference Δyi between the DMD pixels B ′ and B ″ formed adjacent to the DMD pixel A in the x direction, that is, adjacent to the scanning direction is formed. The phase difference (d) of the drawing position of the drawing pixel with respect to the scanning direction can be changed, and as a result, the inclination angle θgi can be changed and adjusted.

図13〜図15及び図16〜図18は、各パラメータを所定の値に設定し、前記式(8)及び式(9)に従って、各格子点列1〜3のジャギーピッチpji及びジャギー振幅ajiを計算した結果を示している。
なお、格子点列間で生じるジャギー振幅については、小さい方の値の絶対値を選択するものとする。また、ジャギーピッチpjiの許容範囲を−5μm〜+5μm、ジャギー振幅ajiの許容範囲を−1μm〜+1μmとする。
FIGS. 13 to 15 and FIGS. 16 to 18 show that the respective parameters are set to predetermined values, and the jaggy pitches pji and the jaggy amplitudes aji of the respective lattice point sequences 1 to 3 are set according to the equations (8) and (9). The calculation result is shown.
Note that the absolute value of the smaller value is selected for the jaggy amplitude generated between grid point sequences. Further, the allowable range of the jaggy pitch pji is -5 μm to +5 μm, and the allowable range of the jaggy amplitude aji is −1 μm to +1 μm.

図13に示す格子点列1では、オリジナル画像80の傾斜角度θL=0゜〜55゜の範囲で許容されないジャギーが発生し、図14に示す格子点列2では、オリジナル画像80の傾斜角度θL=110゜〜135゜の範囲で許容されないジャギーが発生し、図15に示す格子点列3では、ジャギーが発生しないことが予測される。この場合、例えば、オリジナル画像80に傾斜角度15゜前後の直線が含まれていると、この直線に格子点列1に起因する許容できないジャギーが発生するおそれがある。   In the grid point sequence 1 shown in FIG. 13, an unacceptable jaggy occurs in the range of the tilt angle θL = 0 ° to 55 ° of the original image 80, and in the grid point sequence 2 shown in FIG. An unacceptable jaggy occurs in the range of 110 ° to 135 °, and it is predicted that no jaggy occurs in the lattice point array 3 shown in FIG. In this case, for example, if the original image 80 includes a straight line having an inclination angle of about 15 °, there is a possibility that an unacceptable jaggy due to the grid point sequence 1 may occur on the straight line.

これに対して、パラメータを変更した図16〜図18に示す格子点列1〜3では、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、従って、良好な描画パターンが得られることが期待される。   On the other hand, in the grid point sequences 1 to 3 shown in FIGS. 16 to 18 in which the parameters are changed, jaggies do not occur before and after the inclination angle 15 ° of the original image 80, and therefore, good drawing is achieved. It is expected that a pattern will be obtained.

以上、1つのDMD36によって生じるジャギーを抑制する場合について説明したが、複数の露光ヘッド24a〜24jを構成する各DMD36に対し、同様の調整を行うことができることは勿論である。すなわち、複数の描素部からなる描画画素群を複数有し、前記各描素部群で生じるジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかの平均値が所定値以下となるように調整することができる。
この場合、露光ヘッド24a〜24jの各DMD毎に個別に各パラメータの調整を行ってもよいが、描画される画像全体としてジャギーを低減させるため、各露光ヘッド24a〜24jによって生じるジャギーのジャギーピッチ又はジャギー振幅の平均値が所定値以下となるように、例えば、露光ステージ18の移動速度を調整するようにしてもよい。
As described above, the case of suppressing jaggy caused by one DMD 36 has been described, but it is needless to say that the same adjustment can be performed on each DMD 36 constituting the plurality of exposure heads 24a to 24j. In other words, a plurality of drawing pixel groups each having a plurality of picture element portions can be provided, and the average value of any one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in each picture element portion group can be adjusted to be a predetermined value or less.
In this case, each parameter may be adjusted individually for each DMD of the exposure heads 24a to 24j. However, in order to reduce jaggies in the entire drawn image, the jaggy pitch of the jaggy generated by each exposure head 24a to 24j. Alternatively, for example, the moving speed of the exposure stage 18 may be adjusted so that the average value of the jaggy amplitude is not more than a predetermined value.

また、各パラメータは、オリジナル画像80のパターン、例えば、各オリジナル画像80のy方向に対する傾斜角度θLに応じて設定又は変更するようにしてもよい。
特に、オリジナル画像80のパターンがジャギーの目立ち易いx方向又はx方向に近い方向に延在するライン状のパターンである場合、このパターンに対するジャギーが最も低減されるようにパラメータを調整すると好適である。
Each parameter may be set or changed according to the pattern of the original image 80, for example, the inclination angle θL with respect to the y direction of each original image 80.
In particular, when the pattern of the original image 80 is a line pattern extending in the x direction or the direction close to the x direction in which jaggy is conspicuous, it is preferable to adjust the parameters so that the jaggy with respect to this pattern is reduced most. .

また、ジャギーピッチ又はジャギー振幅によって規定されるオリジナル画像80のジャギーの形状と、ジャギーを調整するための各パラメータとの相関関係を求めておき、この相関関係に基づいて最適なパラメータを設定し、あるいは、パラメータが既に設定されている場合には、そのパラメータを変更することにより、適切な画像を容易に得ることが可能となる。   In addition, the correlation between the jaggy shape of the original image 80 defined by the jaggy pitch or the jaggy amplitude and each parameter for adjusting the jaggy is obtained, and an optimum parameter is set based on this correlation. Alternatively, if a parameter has already been set, an appropriate image can be easily obtained by changing the parameter.

また、前記ジャギーの形状を許容範囲内とすることのできる各パラメータの条件を選択条件として求めておき、オリジナル画像80に応じた所望のパラメータを選択して設定し、あるいは、前記ジャギーの形状を許容範囲外とする各パラメータの条件を禁止条件として求めておき、オリジナル画像80に応じて当該パラメータの選択を禁止するようにすることもできる。
なお、許容範囲としては、任意の範囲を設定することができるが、例えば、形成されるパターンの線幅精度やエッジラフネスを基準として設定することができる。
In addition, a condition for each parameter capable of keeping the shape of the jaggy within an allowable range is obtained as a selection condition, and a desired parameter corresponding to the original image 80 is selected and set, or the shape of the jaggy is determined. It is also possible to obtain a parameter condition outside the allowable range as a prohibition condition, and prohibit the selection of the parameter according to the original image 80.
As an allowable range, an arbitrary range can be set. For example, the allowable range can be set based on the line width accuracy and edge roughness of the pattern to be formed.

オリジナル画像80と前記(e)〜(h)の各パラメータとの相関関係は、オリジナル画像80を構成するパターンの方向、例えば、オリジナル画像80の所定の領域内における支配的なパターンの方向、平均値、方向のヒストグラムが最大となる方向等を選択して求めることができる。なお、オリジナル画像80を複数の領域に分割し、各領域毎に前記相関関係を求め、各領域毎にジャギーを低減することのできるパラメータを設定するようにしてもよい。   The correlation between the original image 80 and each of the parameters (e) to (h) indicates the direction of the pattern constituting the original image 80, for example, the direction of the dominant pattern in a predetermined region of the original image 80, the average The direction in which the histogram of values and directions becomes maximum can be selected and obtained. The original image 80 may be divided into a plurality of regions, the correlation is obtained for each region, and a parameter capable of reducing jaggy is set for each region.

さらに、ジャギーを低減させるためのパラメータは、初期パラメータを設定した状態で画像を描画し、その画像から、各パラメータとジャギー形状等との相関関係を計測し、最適なパラメータを探索して設定することも可能である。
すなわち、あらかじめ設定した制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)による描画パターンから、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を計測して求めることができる。
Furthermore, parameters for reducing jaggies are set by drawing an image with initial parameters set, measuring the correlation between each parameter and the jaggy shape, etc., and searching for the optimum parameters. It is also possible.
That is, the control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch of the control points with respect to the scanning direction (g), and the drawing pattern based on the phase difference (h), the pitch of the control point sequence ( e) at least one of the alignment direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and the jaggy shape defined by at least one of the jaggy pitch and the jaggy amplitude; Can be obtained by measuring the correlation.

上述の露光方法においては、マイクロミラー40を直交する格子上に配列したDMD36を使用し、これを傾斜させて露光を行う形態について説明したが、傾斜角度θsで交差する格子上にマイクロミラー40を配列したDMDを使用すれば、DMDを傾斜させることなく露光ヘッド24a〜24jに組み込んでジャギーの抑制された画像を形成することができる。   In the above-described exposure method, the DMD 36 in which the micromirrors 40 are arranged on orthogonal grids is used, and the exposure is performed by inclining them. If the arranged DMDs are used, the DMDs can be incorporated into the exposure heads 24a to 24j without tilting to form an image in which jaggies are suppressed.

また、上述の露光方法において、前記光変調手段としては、反射型空間光変調素子であるDMD36を用いた場合について説明したが、前記DMD以外の前記光変調手段として、透過型空間光変調素子(LCD)を使用することもできる。例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM:Spacial Light Modulator)や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)や液晶光シャッタ(FLC)等の液晶シャッターアレイ等、MEMSタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。
さらに、グレーティングライトバルブ(GLV:Grating Light Valve)を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。これらの反射型空間光変調素子(GLV)や透過型空間光変調素子(LCD)を使用する構成においては、前記光照射手段として、レーザの他にランプ等を光源として使用することができる。
In the above-described exposure method, the DMD 36 that is a reflective spatial light modulator is used as the light modulator. However, as the light modulator other than the DMD, a transmissive spatial light modulator ( LCD) can also be used. For example, a liquid crystal shutter such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulator (SLM), an optical element (PLZT element) that modulates transmitted light by an electro-optic effect, or a liquid crystal shutter (FLC). It is also possible to use a spatial light modulation element other than the MEMS type, such as an array. Note that MEMS is a general term for micro systems that integrate micro-sized sensors, actuators, and control circuits based on micro-machining technology based on IC manufacturing processes, and MEMS-type spatial light modulators have an electrostatic force. It means a spatial light modulation element that is driven by the electromechanical operation used.
Further, a plurality of grating light valves (GLVs) arranged in a two-dimensional shape can be used. In the configuration using these reflective spatial light modulation elements (GLV) and transmissive spatial light modulation elements (LCD), a lamp or the like can be used as a light source in addition to a laser as the light irradiation means.

また、上述の露光方法において、前記光照射手段としては、半導体レーザを光源とする態様について説明したが、前記半導体レーザ以外に、例えば、固体レーザ、紫外LD、赤外LD等を用いることもできる。さらに、複数の発光点が二次元状に配列された光源(例えば、LDアレイ、有機ELアレイ等)を使用することもできる。   In the above-described exposure method, the light irradiation means has been described with respect to a mode in which a semiconductor laser is used as a light source. However, in addition to the semiconductor laser, for example, a solid laser, ultraviolet LD, infrared LD, or the like can be used. . Furthermore, a light source (for example, an LD array, an organic EL array, etc.) in which a plurality of light emitting points are arranged two-dimensionally can also be used.

前記露光装置としては、フラットベッドタイプの露光装置10を例に挙げたが、フラットベッドタイプ以外の露光装置であってもよく、例えば、感光材料がドラムの外周面に巻きつけられるアウタードラムタイプの露光装置、感光材料がシリンダの内周面に装着されるインナードラムタイプの露光装置であってもよい。   As the exposure apparatus, the flat bed type exposure apparatus 10 is taken as an example, but an exposure apparatus other than the flat bed type may be used. For example, an outer drum type in which a photosensitive material is wound around the outer peripheral surface of the drum. The exposure apparatus may be an inner drum type exposure apparatus in which a photosensitive material is mounted on the inner peripheral surface of the cylinder.

〔積層体〕
前記露光の対象としては、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤と、熱架橋剤とを少なくとも含む感光性組成物で基材の表面に形成された感光層を有する積層体である限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記感光層としては、前記感光性組成物を基材の表面に塗布し、乾燥することにより形成される第1の態様の感光層、及び支持体と該支持体上に感光性組成物が積層されてなる感光層とを有する感光性フィルムを、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層することにより形成される第2の態様の感光層が挙げられる。
[Laminate]
As long as the object of the exposure is a laminate having a photosensitive layer formed on the surface of the substrate with a photosensitive composition containing at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a thermal crosslinking agent. There is no particular limitation, and it can be appropriately selected according to the purpose.
As the photosensitive layer, the photosensitive composition of the first aspect formed by applying the photosensitive composition to the surface of a substrate and drying, and the support and the photosensitive composition are laminated on the support. The photosensitive layer of the 2nd aspect formed by laminating | stacking the photosensitive film which has the formed photosensitive layer on the surface of a base material under at least any one of a heating and pressurization is mentioned.

〔基材〕
前記基材としては、特に制限はなく、公知の材料の中から表面平滑性の高いものから凸凹のある表面を有するものまで適宜選択することができ、板状の基材(基板)が好ましく、具体的には、公知のプリント配線板形成用基板(例えば、銅張積層板)、ガラス板(例えば、ソーダガラス板等)、合成樹脂性のフィルム、紙、金属板などが挙げられるが、これらの中でも、プリント配線板形成用基板が好ましく、多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの半導体等の高密度実装化が可能となる点で、該プリント配線板形成用基板が配線形成済みであるのが特に好ましい。
〔Base material〕
The base material is not particularly limited, and can be appropriately selected from known materials having high surface smoothness to those having an uneven surface. A plate-shaped base material (substrate) is preferable, Specific examples include known printed wiring board forming substrates (for example, copper-clad laminates), glass plates (for example, soda glass plates), synthetic resin films, paper, metal plates, and the like. Among them, the printed wiring board forming substrate is preferable, and the printed wiring board forming substrate has already been formed in that it enables high-density mounting of a semiconductor or the like on a multilayer wiring board or a build-up wiring board. Is particularly preferred.

〔感光性組成物〕
前記感光性組成物としては、バインダーと、重合性化合物と、光重合開始剤と、熱架橋剤とを少なくとも含み、増感剤を含むことが好ましく、更に必要に応じて、着色顔料、体質顔料、熱重合禁止剤、界面活性剤などのその他の成分を含む。
[Photosensitive composition]
The photosensitive composition contains at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiator, and a thermal crosslinking agent, and preferably contains a sensitizer, and if necessary, a coloring pigment or an extender pigment. , And other components such as a thermal polymerization inhibitor and a surfactant.

<バインダー>
前記バインダーとしては、例えば、アルカリ性水溶液に対して膨潤性であるのが好ましく、アルカリ性水溶液に対して可溶性であるのがより好ましい。
アルカリ性水溶液に対して膨潤性又は溶解性を示すバインダーとしては、例えば、酸性基を有するものが好適に挙げられる。
<Binder>
For example, the binder is preferably swellable in an alkaline aqueous solution, and more preferably soluble in an alkaline aqueous solution.
As the binder exhibiting swellability or solubility with respect to the alkaline aqueous solution, for example, those having an acidic group are preferably exemplified.

前記バインダーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開昭51−131706号、特開昭52−94388号、特開昭64−62375号、特開平2−97513号、特開平3−289656号、特開平61−243869号、特開2002−296776号などの各公報に記載の酸性基を有するエポキシアクリレート化合物、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体、エポキシアクリレート化合物と側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体、無水マレイン酸共重合体などが挙げられる。   The binder is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, JP-A Nos. 51-131706, 52-94388, 64-62375, and JP-A-2 -97513, JP-A-3-289656, JP-A-61-2243869, JP-A-2002-296976, etc., an epoxy acrylate compound having an acidic group, and a (meth) acryloyl group in the side chain and Examples thereof include a vinyl copolymer having an acidic group, an epoxy acrylate compound and a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in the side chain, and a maleic anhydride copolymer.

前記エポキシアクリレート化合物とは、エポキシ化合物由来の骨格を有し、かつ分子中にエチレン性不飽和二重結合とカルボキシル基を含有する化合物である。このような化合物は、例えば、多官能エポキシ化合物とカルボキシル基含有モノマーとを反応させ、更に多塩基酸無水物を付加させる方法などで得られる。   The epoxy acrylate compound is a compound having a skeleton derived from an epoxy compound and containing an ethylenically unsaturated double bond and a carboxyl group in the molecule. Such a compound can be obtained by, for example, a method of reacting a polyfunctional epoxy compound with a carboxyl group-containing monomer and further adding a polybasic acid anhydride.

前記多官能エポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビスフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000;ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化フェノールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(例えばテトラグリシジルジアミノジフェニルメタン等)、ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、ジシクロペンタジエン骨格を有するエポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等);フェノール、o−クレゾール、ナフトール等のフェノール化合物と、フェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合反応により得られるポリフェノール化合物とエピクロルヒドリンとの反応物;フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物;4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの;トリグリシジルイソシアヌレート等の複素環を有するエポキシ樹脂;グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂;フェノール及びクレゾールから選択される1種とp−ヒドロキシベンズアルデヒド縮合体をグリシジルエーテル化したエポキシ樹脂;ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂;、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂、などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the polyfunctional epoxy compound include a bixylenol type or bisphenol type epoxy resin (“YX4000; manufactured by Japan Epoxy Resin Co., Ltd.”) or a mixture thereof, a heterocyclic epoxy resin having an isocyanurate skeleton (“TEPIC; NISSAN CHEMICAL INDUSTRY CO., LTD. "ALALDITE PT810; Ciba Specialty Chemicals" etc.), bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac Type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated phenol novolak type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin (eg, tetraglycidyldiaminodiphenylmethane), hydantoin Epoxy resin, alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolac type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy resin ( “ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.”, “HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink and Chemicals”, etc.), epoxy resins having a dicyclopentadiene skeleton (“HP -7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. "); polyphenol compounds obtained by condensation reaction of phenolic compounds such as phenol, o-cresol, naphthol and aromatic aldehydes having phenolic hydroxyl groups and epi Reaction product of lorhydrin; reaction product of polyphenol compound obtained by addition reaction of phenol compound and diolefin compound such as divinylbenzene or dicyclopentadiene and epichlorohydrin; ring-opening polymer of 4-vinylcyclohexene-1-oxide Epoxidized with peracetic acid, etc .; epoxy resin having a heterocyclic ring such as triglycidyl isocyanurate; glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin (“CP-50S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation”), cyclohexyl Copolymerized epoxy resin of maleimide and glycidyl methacrylate; epoxy resin obtained by glycidyl etherification of one kind selected from phenol and cresol and p-hydroxybenzaldehyde condensate; bis (glycidyloxyphenyl) fluorene Type epoxy resin; bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resin; and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

またカルボキシル基含有モノマーの例としては、例えば(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、ソルビン酸、α−シアノ桂皮酸、アクリル酸ダイマー;この他、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等の水酸基を有する単量体と無水マレイン酸、無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物等の環状酸無水物との付加反応物;ハロゲン含有カルボン酸化合物との反応生成物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート、などが挙げられる。さらに、市販品としては、東亜合成化学工業(株)製のアロニックスM−5300、M−5400、M−5500およびM−5600、新中村化学工業(株)製のNKエステルCB−1およびCBX−1、共栄社油脂化学工業(株)製のHOA−MPおよびHOA−MS、大阪有機化学工業(株)製のビスコート#2100などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。   Examples of the carboxyl group-containing monomer include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, sorbic acid, α-cyanocinnamic acid. Acrylic acid dimer; In addition, addition reaction product of a monomer having a hydroxyl group such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate and a cyclic acid anhydride such as maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride; The reaction product with a halogen-containing carboxylic acid compound, ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like can be mentioned. Furthermore, commercially available products include Aronix M-5300, M-5400, M-5500 and M-5600 manufactured by Toa Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., NK Esters CB-1 and CBX- manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd. 1. Kyoeisha Yushi Chemical Co., Ltd. HOA-MP and HOA-MS, Osaka Organic Chemical Industry Co., Ltd. biscoat # 2100, etc. can be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

また、多塩基酸無水物としては、例えば、無水コハク酸、無水メチルコハク酸、無水2,3−ジメチルコハク酸、無水2,2−ジメチルコハク酸、無水エチルコハク酸、無水ドデセニルコハク酸、無水ノネニルコハク酸、無水マレイン酸、無水メチルマレイン酸、無水2,3−ジメチルマレイン酸、無水2−クロロマレイン酸、無水2,3−ジクロロマレイン酸、無水ブロモマレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無水シスアコット酸、無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、テトラクロロ無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、無水クロレンド酸および5−(2,5−ジオキソテトラヒドロフリル)−3−メチル−3−シクロヘキセン−1,2−ジカルボン酸無水物などの二塩基酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、3,3′,4,4′−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の多塩基酸無水物なども使用できる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
それぞれを順次反応させて、エポキシアクリレートを得るが、それらを反応させる比率は、多官能エポキシ化合物のエポキシ基1当量に対して、カルボキシル基含有モノマーのカルボキシル基0.8〜1.2当量、好ましくは、0.9〜1.1当量であり、多塩基酸無水物0.1〜1.0当量、好ましくは、0.3〜1.0当量である。
Examples of the polybasic acid anhydride include succinic anhydride, methyl succinic anhydride, 2,3-dimethyl succinic anhydride, 2,2-dimethyl succinic anhydride, ethyl succinic anhydride, dodecenyl succinic anhydride, nonenyl succinic anhydride, Maleic anhydride, methylmaleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, 2-chloromaleic anhydride, 2,3-dichloromaleic anhydride, bromomaleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, cisaccot anhydride , Phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, tetrachlorophthalic anhydride, tetrabromophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, endomethylenetetrahydrophthalic anhydride, methylendomethylenetetrahydro Phthalic anhydride, Hydrochlorendic acid and dibasic acid anhydrides such as 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride Polybasic acid anhydrides such as 3,3 ′, 4,4′-benzophenonetetracarboxylic acid can also be used. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.
Each of them is reacted in order to obtain an epoxy acrylate, and the ratio of reacting them is preferably 0.8 to 1.2 equivalents of carboxyl groups of the carboxyl group-containing monomer with respect to 1 equivalent of epoxy groups of the polyfunctional epoxy compound. Is 0.9-1.1 equivalent, 0.1-1.0 equivalent of polybasic acid anhydride, preferably 0.3-1.0 equivalent.

また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレート(カルボキシル基を有してはいない化合物)に酸無水物を付加させて得られる化合物なども前記エポキシアクリレートとして利用できる。   Further, compounds obtained by adding an acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton (a compound having no carboxyl group) described in JP-A-5-70528 can also be used as the epoxy acrylate.

前記エポキシアクリレート化合物の分子量は、1,000〜100,000が好ましく、2,000〜50,000がより好ましい。該分子量が1,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、100,000を超えると、現像性が劣化することがある。また樹脂の合成も困難となる。   The molecular weight of the epoxy acrylate compound is preferably 1,000 to 100,000, and more preferably 2,000 to 50,000. When the molecular weight is less than 1,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and the film quality may become brittle or the surface hardness may deteriorate after curing of the photosensitive layer described later. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate. Also, synthesis of the resin becomes difficult.

また、特開平6−295060号公報記載の酸性基、二重結合等の重合可能な基を少なくとも1つ有するアクリル樹脂も用いることができる。具体的には、分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合、例えば、(メタ)アクリレート基又は(メタ)アクリルアミド基等のアクリル基、カルボン酸のビニルエステル、ビニルエーテル、アリルエーテル等の各種重合性二重結合を用いることができる。より具体的には、酸性基としてカルボキシル基を含有するアクリル樹脂に、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、桂皮酸等の不飽和脂肪酸のグリシジルエステルや、同一分子中にシクロヘキセンオキシド等のエポキシ基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物等のエポキシ基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物などが挙げられる。また、酸性基及び水酸基を含有するアクリル樹脂に、イソシアナートエチル(メタ)アクリレート等のイソシアネート基含有の重合性化合物を付加させて得られる化合物、無水物基を含有するアクリル樹脂に、ヒドロキシアルキル(メタ)アクリレート等の水酸基を含有する重合性化合物を付加させて得られる化合物なども挙げられる。   An acrylic resin having at least one polymerizable group such as an acidic group or a double bond described in JP-A-6-295060 can also be used. Specifically, at least one polymerizable double bond in the molecule, for example, an acrylic group such as a (meth) acrylate group or (meth) acrylamide group, various polymerizations such as vinyl ester of carboxylic acid, vinyl ether, allyl ether Sex double bonds can be used. More specifically, acrylic resins containing carboxyl groups as acidic groups, glycidyl esters of unsaturated fatty acids such as glycidyl acrylate, glycidyl methacrylate, cinnamic acid, and epoxy groups such as cyclohexene oxide in the same molecule (meth) Examples thereof include compounds obtained by adding an epoxy group-containing polymerizable compound such as a compound having an acryloyl group. In addition, a compound obtained by adding an isocyanate group-containing polymerizable compound such as isocyanate ethyl (meth) acrylate to an acrylic resin containing an acidic group and a hydroxyl group, an acrylic resin containing an anhydride group, a hydroxyalkyl ( Examples thereof include compounds obtained by adding a polymerizable compound containing a hydroxyl group such as (meth) acrylate.

さらに、前記バインダーとしては、側鎖に(メタ)アクリロイル基、及び酸性基を有するビニル共重合体を用いることができ、具体的には、例えば(1)酸性基を有するビニルモノマー、(2)必要に応じて後述する高分子反応に利用可能な官能基を有するビニルモノマー、及び(3)必要に応じてその他の共重合可能なビニルモノマーのビニル(共)重合で得られた(共)重合体を合成し、更に(4)該(共)重合体中の酸性基、又は高分子反応に利用可能な官能基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物とを高分子反応させることによって得られる。   Furthermore, as the binder, a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in the side chain can be used. Specifically, for example, (1) a vinyl monomer having an acidic group, (2) (Co) heavy obtained by vinyl (co) polymerization of a vinyl monomer having a functional group that can be used in the polymer reaction described later, if necessary, and (3) other copolymerizable vinyl monomers as necessary And (4) a (meth) acryloyl group and a functional group having reactivity with at least one of an acidic group in the (co) polymer or a functional group available for polymer reaction. It is obtained by polymer-reacting with a compound having it.

前記(1)酸性基を有するビニルモノマーの酸性基としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、カルボキシル基、スルホン酸基、リン酸基などが挙げられ、これらの中でもカルボキシル基が好ましい。カルボキシル基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、マレイン酸モノアルキルエステル、フマル酸、イタコン酸、クロトン酸、桂皮酸、アクリル酸ダイマー、水酸基を有する単量体(例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート等)と環状無水物(例えば、無水マレイン酸や無水フタル酸、シクロヘキサンジカルボン酸無水物)との付加反応物、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、共重合性やコスト、溶解性などの観点から(メタ)アクリル酸が特に好ましい。またこれらのモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
また、カルボキシル基の前駆体として無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸等の無水物を有するモノマーを用いてもよい。
There is no restriction | limiting in particular as an acidic group of the vinyl monomer which has said (1) acidic group, According to the objective, it can select suitably, For example, a carboxyl group, a sulfonic acid group, a phosphoric acid group etc. are mentioned, These Among these, a carboxyl group is preferable. Examples of the vinyl monomer having a carboxyl group include (meth) acrylic acid, vinyl benzoic acid, maleic acid, maleic acid monoalkyl ester, fumaric acid, itaconic acid, crotonic acid, cinnamic acid, acrylic acid dimer, and a monomer having a hydroxyl group. An addition reaction product of a monomer (for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate) and a cyclic anhydride (for example, maleic anhydride, phthalic anhydride, cyclohexanedicarboxylic anhydride), ω-carboxy-polycaprolactone mono ( And (meth) acrylate. Among these, (meth) acrylic acid is particularly preferable from the viewpoints of copolymerizability, cost, solubility, and the like. Moreover, these monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Moreover, you may use the monomer which has anhydrides, such as maleic anhydride, itaconic anhydride, and citraconic anhydride, as a precursor of a carboxyl group.

前記(2)の高分子反応に利用可能な官能基を有するビニルモノマーにおける、高分子反応に利用可能な官能基としては水酸基、アミノ基、イソシアネート基、エポキシ基、酸ハライド基、活性ハライド基、などが挙げられる。また前述(1)のカルボシキル基や酸無水物基も利用可能な官能基として挙げられる。   In the vinyl monomer having a functional group usable for the polymer reaction of (2), the functional group usable for the polymer reaction is a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, an epoxy group, an acid halide group, an active halide group, Etc. Moreover, the carboxyl group and acid anhydride group of the above-mentioned (1) are also mentioned as usable functional groups.

前記水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、下記構造式(1)〜(9)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the following structural formulas (1) to (9).

但し、前記構造式(1)〜(9)中、R´は水素原子又はメチル基を表し、n、n、及びnは、それぞれ1以上の整数を表す。 In the structural formulas (1) to (9), R ′ represents a hydrogen atom or a methyl group, and n 1 , n 2 , and n 3 each represents an integer of 1 or more.

前記アミノ基を有するビニルモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミン、アミノエチルメタクリレート、などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having an amino group include vinyl benzylamine and aminoethyl methacrylate.

前記イソシアネート基を有するモノマーとしては、例えば、下記構造式(10)〜(12)で表される化合物が挙げられる。   Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the following structural formulas (10) to (12).

但し、前記構造式(10)〜(12)中、R´は水素原子又はメチル基を表す。   However, in said structural formula (10)-(12), R 'represents a hydrogen atom or a methyl group.

前記エポキシ基を有するビニルモノマーとしては、例えば、グリシジル(メタ)アクリレート、下記構造式(13)で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having an epoxy group include glycidyl (meth) acrylate and a compound represented by the following structural formula (13).

但し、前記構造式(13)中、R´は、水素原子及びメチル基のいずれかを表す。 However, in said structural formula (13), R 'represents either a hydrogen atom or a methyl group.

前記酸ハライド基を有するビニルモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸クロリド、などが挙げられる。
前記活性ハライド基を有するビニルモノマーとしては、例えば、クロロメチルスチレン、などが挙げられる。
また、前記各モノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the vinyl monomer having an acid halide group include (meth) acrylic acid chloride.
Examples of the vinyl monomer having an active halide group include chloromethylstyrene.
Moreover, each said monomer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記(3)の必要に応じて用いられるその他の共重合可能なモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、(メタ)アクリル酸エステル類、クロトン酸エステル類、ビニルエステル類、マレイン酸ジエステル類、フマル酸ジエステル類、イタコン酸ジエステル類、(メタ)アクリルアミド類、ビニルエーテル類、ビニルアルコールのエステル類、スチレン類(例えば、スチレン、スチレン誘導体等)、(メタ)アクリロニトリル、ビニル基が置換した複素環式基(例えば、ビニルピリジン、ビニルピロリドン、ビニルカルバゾール等)、N−ビニルホルムアミド、N−ビニルアセトアミド、N−ビニルイミダゾール、ビニルカプロラクトン、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン酸、リン酸モノ(2―アクリロイルオキシエチルエステル)、リン酸モノ(1−メチル−2―アクリロイルオキシエチルエステル)、官能基(例えば、ウレタン基、ウレア基、スルホンアミド基、イミド基)を有するビニルモノマーなどが挙げられる。   The other copolymerizable monomer used as necessary in (3) is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include (meth) acrylic acid esters and crotonic acid. Esters, vinyl esters, maleic diesters, fumaric diesters, itaconic diesters, (meth) acrylamides, vinyl ethers, vinyl alcohol esters, styrenes (eg, styrene, styrene derivatives, etc.), (Meth) acrylonitrile, heterocyclic groups substituted with vinyl groups (for example, vinylpyridine, vinylpyrrolidone, vinylcarbazole, etc.), N-vinylformamide, N-vinylacetamide, N-vinylimidazole, vinylcaprolactone, 2-acrylamide-2 -Methylpropanesulfonic acid, Vinyl monomers having mono (2-acryloyloxyethyl ester) acid, mono (1-methyl-2-acryloyloxyethyl ester) phosphate, and functional groups (eg, urethane group, urea group, sulfonamide group, imide group) Etc.

前記(メタ)アクリル酸エステル類としては、例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−プロピル(メタ)アクリレート、イソプロピル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、イソブチル(メタ)アクリレート、t−ブチル(メタ)アクリレート、n−ヘキシル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、t−ブチルシクロヘキシル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、t−オクチル(メタ)アクリレート、ドデシル(メタ)アクリレート、オクタデシル(メタ)アクリレート、アセトキシエチル(メタ)アクリレート、フェニル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−(2−メトキシエトキシ)エチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノフェニルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノエチルエーテル(メタ)アクリレート、β−フェノキシエトキシエチルアクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニル(メタ)アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル(メタ)アクリレート、トリフロロエチル(メタ)アクリレート、オクタフロロペンチル(メタ)アクリレート、パーフロロオクチルエチル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニル(メタ)アクリレート、トリブロモフェニルオキシエチル(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylic acid esters include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, and isobutyl (meth) ) Acrylate, t-butyl (meth) acrylate, n-hexyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, t-butylcyclohexyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, t-octyl (meth) acrylate, Dodecyl (meth) acrylate, octadecyl (meth) acrylate, acetoxyethyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate 2- (2-methoxyethoxy) ethyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, diethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, diethylene glycol monophenyl ether (meth) acrylate, triethylene Glycol monomethyl ether (meth) acrylate, triethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monomethyl ether (meth) acrylate, polyethylene glycol monoethyl ether (meth) acrylate, β-phenoxyethoxyethyl acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol ( (Meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dis Clopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, trifluoroethyl (meth) acrylate, octafluoropentyl (meth) acrylate, perfluorooctylethyl (meth) acrylate, tribromophenyl (meth) acrylate, And tribromophenyloxyethyl (meth) acrylate.

前記クロトン酸エステル類としては、例えば、クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシルなどが挙げられる。   Examples of the crotonic acid esters include butyl crotonate and hexyl crotonate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ビニルアセテート、ビニルプロピオネート、ビニルブチレート、ビニルメトキシアセテート、安息香酸ビニルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include vinyl acetate, vinyl propionate, vinyl butyrate, vinyl methoxyacetate, vinyl benzoate, and the like.

前記マレイン酸ジエステル類としては、例えば、マレイン酸ジメチル、マレイン酸ジエチル、マレイン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the maleic acid diesters include dimethyl maleate, diethyl maleate, and dibutyl maleate.

前記フマル酸ジエステル類としては、例えば、フマル酸ジメチル、フマル酸ジエチル、フマル酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the fumaric acid diesters include dimethyl fumarate, diethyl fumarate, dibutyl fumarate and the like.

前記イタコン酸ジエステル類としては、例えば、イタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン酸ジブチルなどが挙げられる。   Examples of the itaconic acid diesters include dimethyl itaconate, diethyl itaconate, and dibutyl itaconate.

前記(メタ)アクリルアミド類としては、例えば、(メタ)アクリルアミド、N−メチル(メタ)アクリルアミド、N−エチル(メタ)アクリルアミド、N−プロピル(メタ)アクリルアミド、N−イソプロピル(メタ)アクリルアミド、N−n−ブチルアクリル(メタ)アミド、N−t−ブチル(メタ)アクリルアミド、N−シクロヘキシル(メタ)アクリルアミド、N−(2−メトキシエチル)(メタ)アクリルアミド、N,N−ジメチル(メタ)アクリルアミド、N,N−ジエチル(メタ)アクリルアミド、N−フェニル(メタ)アクリルアミド、N−ベンジル(メタ)アクリルアミド、(メタ)アクリロイルモルホリン、ジアセトンアクリルアミドなどが挙げられる。   Examples of the (meth) acrylamides include (meth) acrylamide, N-methyl (meth) acrylamide, N-ethyl (meth) acrylamide, N-propyl (meth) acrylamide, N-isopropyl (meth) acrylamide, N- n-butylacryl (meth) amide, Nt-butyl (meth) acrylamide, N-cyclohexyl (meth) acrylamide, N- (2-methoxyethyl) (meth) acrylamide, N, N-dimethyl (meth) acrylamide, Examples thereof include N, N-diethyl (meth) acrylamide, N-phenyl (meth) acrylamide, N-benzyl (meth) acrylamide, (meth) acryloylmorpholine, diacetone acrylamide and the like.

前記スチレン類としては、例えば、前記スチレン、前記スチレン誘導体(例えば、メチルスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、メトキシスチレン、ブトキシスチレン、アセトキシスチレン、クロロスチレン、ジクロロスチレン、ブロモスチレン、酸性物質により脱保護可能な基(例えば、t−Boc等)で保護されたヒドロキシスチレン、ビニル安息香酸メチル、α−メチルスチレン等)、などが挙げられる。   Examples of the styrenes include the styrene, the styrene derivatives (for example, methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, isopropylstyrene, butylstyrene, methoxystyrene, butoxystyrene, acetoxystyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, Bromostyrene, hydroxystyrene protected with a group deprotectable by an acidic substance (for example, t-Boc and the like), methyl vinylbenzoate, α-methylstyrene, and the like).

前記ビニルエーテル類としては、例えば、メチルビニルエーテル、ブチルビニルエーテル、ヘキシルビニルエーテル、メトキシエチルビニルエーテルなどが挙げられる。   Examples of the vinyl ethers include methyl vinyl ether, butyl vinyl ether, hexyl vinyl ether, and methoxyethyl vinyl ether.

前記官能基としてウレタン基又はウレア基を有するビニルモノマーの合成方法としては、例えば、イソシアナート基と水酸基又はアミノ基の付加反応が挙げられ、具体的には、イソシアナート基を有するモノマーと、水酸基を1個含有する化合物又は1級若しくは2級アミノ基を1個有する化合物との付加反応、水酸基を有するモノマー又は1級若しくは2級アミノ基を有するモノマーと、モノイソシアネートとの付加反応が挙げられる。   Examples of the method for synthesizing a vinyl monomer having a urethane group or a urea group as the functional group include an addition reaction of an isocyanate group and a hydroxyl group or an amino group. Specifically, a monomer having an isocyanate group, and a hydroxyl group An addition reaction with a compound containing 1 or a compound having one primary or secondary amino group, an addition reaction between a monomer having a hydroxyl group or a monomer having a primary or secondary amino group, and a monoisocyanate. .

前記イソシアナート基を有するモノマーとしては、例えば、前述の(2)に示したものと同様に、前記構造式(10)〜(12)で表される化合物が挙げられる。
前記モノイソシアネートとしては、例えば、シクロヘキシルイソシアネート、n−ブチルイソシアネート、トルイルイソシアネート、ベンジルイソシアネート、フェニルイソシアネート等が挙げられる。
前記水酸基を有するモノマーとしては、例えば、前述の(2)に示したものと同様に、前記構造式(1)〜(9)で表される化合物が挙げられる。
Examples of the monomer having an isocyanate group include compounds represented by the structural formulas (10) to (12), as in the above-described (2).
Examples of the monoisocyanate include cyclohexyl isocyanate, n-butyl isocyanate, toluyl isocyanate, benzyl isocyanate, and phenyl isocyanate.
Examples of the monomer having a hydroxyl group include compounds represented by the structural formulas (1) to (9) in the same manner as shown in (2) above.

前記水酸基を1個含有する化合物としては、例えば、アルコール類(例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、i−プロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、t−ブタノール、n−ヘキサノール、2−エチルヘキサノール、n−デカノール、n−ドデカノール、n−オクタデカノール、シクロペンタノール、シクロへキサノール、ベンジルアルコール、フェニルエチルアルコール等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、ナフトール等)、更に置換基を含むものとして、フロロエタノール、トリフロロエタノール、メトキシエタノール、フェノキシエタノール、クロロフェノール、ジクロロフェノール、メトキシフェノール、アセトキシフェノール等が挙げられる。   Examples of the compound containing one hydroxyl group include alcohols (for example, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-hexanol, 2-ethylhexanol). , N-decanol, n-dodecanol, n-octadecanol, cyclopentanol, cyclohexanol, benzyl alcohol, phenylethyl alcohol, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, naphthol, etc.), and further containing substituents Examples thereof include fluoroethanol, trifluoroethanol, methoxyethanol, phenoxyethanol, chlorophenol, dichlorophenol, methoxyphenol, acetoxyphenol, and the like.

前記1級又は2級アミノ基を有するモノマーとしては、例えば、ビニルベンジルアミンなどが挙げられる。   Examples of the monomer having a primary or secondary amino group include vinylbenzylamine.

前記1級又は2級アミノ基を1個含有する化合物としては、例えば、アルキルアミン(メチルアミン、エチルアミン、n−プロピルアミン、i−プロピルアミン、n−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、t−ブチルアミン、ヘキシルアミン、2−エチルヘキシルアミン、デシルアミン、ドデシルアミン、オクタデシルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジブチルアミン、ジオクチルアミン)、環状アルキルアミン(シクロペンチルアミン、シクロへキシルアミン等)、アラルキルアミン(ベンジルアミン、フェネチルアミン等)、アリールアミン(アニリン、トルイルアミン、キシリルアミン、ナフチルアミン等)、更にこれらの組合せ(N−メチル−N−ベンジルアミン等)、更に置換基を含むアミン(トリフロロエチルアミン、ヘキサフロロイソプロピルアミン、メトキシアニリン、メトキシプロピルアミン等)などが挙げられる。   Examples of the compound containing one primary or secondary amino group include alkylamines (methylamine, ethylamine, n-propylamine, i-propylamine, n-butylamine, sec-butylamine, t-butylamine, hexyl). Amine, 2-ethylhexylamine, decylamine, dodecylamine, octadecylamine, dimethylamine, diethylamine, dibutylamine, dioctylamine), cyclic alkylamine (cyclopentylamine, cyclohexylamine, etc.), aralkylamine (benzylamine, phenethylamine, etc.), Arylamines (aniline, toluylamine, xylylamine, naphthylamine, etc.), combinations thereof (N-methyl-N-benzylamine, etc.), and amines containing further substituents (trifluoroethylamino) , Hexafluoro isopropyl amine, methoxyaniline, methoxypropylamine and the like) and the like.

また、これらのモノマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
これらをビニル(共)重合させることにより酸性基、酸無水物基および必要に応じて水酸基、アミノ基、イソシアネート基、エポキシ基、酸ハライド基、活性ハライド基などを含有する(共)重合体が得られる。前記ビニル(共)重合体は、それぞれ相当するモノマーを公知の方法により常法に従って共重合させることで調製することができる。例えば、前記モノマーを適当な溶媒中に溶解し、ここにラジカル重合開始剤を添加して溶液中で重合させる方法(溶液重合法)を利用することにより調製することができる。また、水性媒体中に前記モノマーを分散させた状態でいわゆる乳化重合等で重合を利用することにより調製することができる。
このようにして得られた(共)重合体に対して、前記(4)として、これらの共重合体中の酸性基、および必要に応じて水酸基、アミノ基、イソシアネート基、グリシジル基、酸ハライド基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物とを高分子反応させることによって得られる。
Moreover, these monomers may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
By vinyl (co) polymerizing these, an (co) polymer containing an acid group, an acid anhydride group and, if necessary, a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, an epoxy group, an acid halide group, an active halide group, etc. can get. The vinyl (co) polymer can be prepared by copolymerizing corresponding monomers according to a conventional method according to a conventional method. For example, it can be prepared by using a method (solution polymerization method) in which the monomer is dissolved in a suitable solvent and a radical polymerization initiator is added thereto to polymerize in a solution. Moreover, it can prepare by utilizing superposition | polymerization by what is called emulsion polymerization etc. in the state which disperse | distributed the said monomer in the aqueous medium.
With respect to the (co) polymer thus obtained, as the above (4), an acidic group in these copolymers and, if necessary, a hydroxyl group, an amino group, an isocyanate group, a glycidyl group, an acid halide It is obtained by polymer-reacting a functional group having reactivity with at least one of the groups and a compound having a (meth) acryloyl group.

前記該(4)の(共)重合体中の酸性基、又は高分子反応に利用可能な官能基の少なくとも1種に対して反応性を有する官能基と(メタ)アクリロイル基を有する化合物としては、前述の(2)に示した化合物などが利用できる。
これらの高分子反応を行なう場合の官能基の組合せの例としては、例えば、酸性基(カルボキシル基など)を有する共重合体とエポキシ基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体とエポキシ基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体とイソシアネート基を有するビニルモノマーの組合せ、水酸基を有する共重合体とイソシアネート基を有するビニルモノマーの組合せ、水酸基を有する共重合体と酸ハライド基を有するビニルモノマーの組合せ、アミノ基を有する共重合体と活性ハライド基を有するビニルモノマーの組合わせ、酸無水物基を有する共重合体と水酸基を有するビニルモノマーの組合せ、イソシアネート基を有する共重合体とアミノ基を有するビニルモノマーの組合せ、イソシアネート基を有する共重合体と水酸基を有するビニルモノマーの組合せ、活性ハライド基を有する共重合体とアミノ基を有するビニルモノマーの組合わせ、などが挙げられる。またこれらの組合せは2種以上を併用しても構わない。
As the compound having a (meth) acryloyl group and a functional group reactive to at least one of the acidic group in the (co) polymer of the above (4) or a functional group available for polymer reaction The compounds shown in (2) above can be used.
Examples of combinations of functional groups for performing these polymer reactions include, for example, a copolymer having an acidic group (such as a carboxyl group) and a vinyl monomer having an epoxy group, and a copolymer having an amino group Combination of vinyl monomer having epoxy group, combination of copolymer having amino group and vinyl monomer having isocyanate group, combination of copolymer having hydroxyl group and vinyl monomer having isocyanate group, copolymer having hydroxyl group and acid Combination of vinyl monomer having halide group, combination of copolymer having amino group and vinyl monomer having active halide group, combination of copolymer having acid anhydride group and vinyl monomer having hydroxyl group, having isocyanate group Combination of copolymer and vinyl monomer having amino group, isocyanate Combinations of vinyl monomer having a copolymer and a hydroxyl group with the combination of the vinyl monomer having a copolymer and an amino group having an active halide groups, and the like. Two or more of these combinations may be used in combination.

前記バインダーの市販品としては、例えば、「カネカレジンAXE;鐘淵化学工業(株)製」、「サイクロマー(CYCLOMER) A−200;ダイセル化学工業(株)製」、「サイクロマー(CYCLOMER) M−200;ダイセル化学工業(株)製」、「SPCP1X、SPCP2X、SPCP3X;昭和高分子(株)製」などを用いることができる。
更に、特開昭50−59315号公報記載のヒドロキシアルキルアクリレート又はヒドロキシアルキルメタクリレートとポリカルボン酸無水物及びエピハロヒドリンのいずれかとの反応物などを用いることができる。
Examples of commercially available binders include “Kaneka Resin AX; manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd.”, “CYCLOMER A-200; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd.”, and “CYCLOMER M”. -200; manufactured by Daicel Chemical Industries, Ltd. "," SPCP1X, SPCP2X, SPCP3X; manufactured by Showa Polymer Co., Ltd. "can be used.
Furthermore, a reaction product of hydroxyalkyl acrylate or hydroxyalkyl methacrylate described in JP-A No. 50-59315 and any of polycarboxylic acid anhydride and epihalohydrin can be used.

また、特開平5−70528号公報記載のフルオレン骨格を有するエポキシアクリレートに酸無水物を付加させて得られる化合物、特開平11−288087号公報記載のポリアミド(イミド)樹脂、特開平2−097502号公報や特開平11−282155号公報記載のポリイミド前駆体などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を混合して使用してもよい。   Further, a compound obtained by adding an acid anhydride to an epoxy acrylate having a fluorene skeleton described in JP-A-5-70528, a polyamide (imide) resin described in JP-A-11-288087, and JP-A-2-097502 Polyimide precursors described in Japanese Patent Laid-Open No. 11-282155, and the like can be used. These may be used individually by 1 type, and 2 or more types may be mixed and used for them.

前記アクリル樹脂、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート、ポリアミド(イミド)、アミド基含有スチレン/酸無水物共重合体、あるいは、ポリイミド前駆体などのバインダーの分子量は、3,000〜500,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましい。該分子量が3,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、500,000を超えると、現像性が劣化することがある。   The molecular weight of the acrylic resin, epoxy acrylate having a fluorene skeleton, polyamide (imide), amide group-containing styrene / acid anhydride copolymer, or polyimide precursor is preferably 3,000 to 500,000, 5,000-100,000 are more preferable. When the molecular weight is less than 3,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and after curing of the photosensitive layer described later, the film quality may become brittle or the surface hardness may be deteriorated. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate.

前記バインダーとしては、無水マレイン酸共重合体の無水物基に対して1級アミン化合物を1種以上反応させて得られる共重合体も利用できる。該共重合体は下記構造式(14)で表される、マレイン酸ハーフアミド構造を有するマレアミド酸ユニットBと、前記マレイン酸ハーフアミド構造を有しないユニットAと、を少なくとも含むマレアミド酸系共重合体であるのが好ましい。
前記ユニットAは1種であってもよいし、2種以上であってもよい。例えば、前記ユニットBが1種であるとすると、前記ユニットAが1種である場合には、前記マレアミド酸系共重合体が2元共重合体を意味することになり、前記ユニットAが2種である場合には、前記マレアミド酸系共重合体が3元共重合体を意味することになる。
前記ユニットAとしては、置換基を有していてもよいアリール基と、後述するビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体(c)との組合せが好適に挙げられる。
As the binder, a copolymer obtained by reacting one or more primary amine compounds with an anhydride group of a maleic anhydride copolymer can also be used. The copolymer is a maleamic acid-based copolymer having at least a maleamic acid unit B having a maleic acid half amide structure and a unit A not having the maleic acid half amide structure, represented by the following structural formula (14). It is preferably a coalescence.
The unit A may be one type or two or more types. For example, assuming that the unit B is one type, when the unit A is one type, the maleamic acid-based copolymer means a binary copolymer, and the unit A is 2 When it is a seed, the maleamic acid-based copolymer means a terpolymer.
The unit A is an aryl group which may have a substituent and a vinyl monomer described later, and the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer is less than 80 ° C. A combination with the vinyl monomer (c) is preferred.

ただし、前記構造式(14)中、R93及びR94は水素原子及び低級アルキル基のいずれかを表す。x及びyは繰り返し単位のモル分率を表し、例えば、前記ユニットAが1種の場合、xは85〜50モル%であり、yは15〜50モル%である。 However, in said structural formula (14), R93 and R94 represent either a hydrogen atom or a lower alkyl group. x and y represent the mole fraction of the repeating unit. For example, when the unit A is one, x is 85 to 50 mol%, and y is 15 to 50 mol%.

前記構造式(14)中、R91としては、例えば、(−COOR95)、(−CONR9697)、置換基を有していてもよいアリール基、(−OCOR98)、(−OR99)、(−COR100)などの置換基が挙げられる。ここで、前記R95〜R100は、水素原子(−H)、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基及びアラルキル基のいずれかを表す。該アルキル基、アリール基及びアラルキル基は、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。
前記R95〜R100としては、例えば、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、n−ブチル、i−ブチル、sec−ブチル、t−ブチル、ペンチル、アリル、n−ヘキシル、シクロへキシル、2−エチルヘキシル、ドデシル、メトキシエチル、フェニル、メチルフェニル、メトキシフェニル、ベンジル、フェネチル、ナフチル、クロロフェニルなどが挙げられる。
前記R91の具体例としては、例えば、フェニル、α−メチルフェニル、2−メチルフェニル、3−メチルフェニル、4−メチルフェニル、2,4−ジメチルフェニル等のベンゼン誘導体;n−プロピルオキシカルボニル、n−ブチルオキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、n−ブチルオキシカルボニル、n−ヘキシルオキシカルボニル、2−エチルヘキシルオキシカルボニル、メチルオキシカルボニルなどが挙げられる。
In the structural formula (14), as R 91 , for example, (—COOR 95 ), (—CONR 96 R 97 ), an aryl group which may have a substituent, (—OCOR 98 ), (—OR 99 ), (—COR 100 ) and the like. Wherein said R 95 to R 100 is a hydrogen atom (-H), which may have a substituent alkyl group, an aryl group and aralkyl group. The alkyl group, aryl group and aralkyl group may have a cyclic structure or a branched structure.
Examples of R 95 to R 100 include methyl, ethyl, n-propyl, i-propyl, n-butyl, i-butyl, sec-butyl, t-butyl, pentyl, allyl, n-hexyl, and cyclohexyl. 2-ethylhexyl, dodecyl, methoxyethyl, phenyl, methylphenyl, methoxyphenyl, benzyl, phenethyl, naphthyl, chlorophenyl and the like.
Specific examples of R 91 include, for example, benzene derivatives such as phenyl, α-methylphenyl, 2-methylphenyl, 3-methylphenyl, 4-methylphenyl, 2,4-dimethylphenyl; n-propyloxycarbonyl, Examples include n-butyloxycarbonyl, pentyloxycarbonyl, hexyloxycarbonyl, n-butyloxycarbonyl, n-hexyloxycarbonyl, 2-ethylhexyloxycarbonyl, methyloxycarbonyl and the like.

前記R92としては、置換基を有していてもよいアルキル基、アリール基、アラルキル基などが挙げられる。これらは、環状構造又は分岐構造を有していてもよい。前記R92の具体例としては、例えば、ベンジル、フェネチル、3−フェニル−1−プロピル、4−フェニル−1−ブチル、5−フェニル−1−ペンチル、6−フェニル−1−ヘキシル、α−メチルベンジル、2−メチルベンジル、3−メチルベンジル、4−メチルベンジル、2−(p−トリル)エチル、β―メチルフェネチル、1−メチル−3−フェニルプロピル、2−クロロベンジル、3−クロロベンジル、4−クロロベンジル、2−フロロベンジル、3−フロロベンジル、4−フロロベンジル、4−ブロモフェネチル、2−(2−クロロフェニル)エチル、2−(3−クロロフェニル)エチル、2−(4−クロロフェニル)エチル、2−(2−フロロフェニル)エチル、2−(3−フロロフェニル)エチル、2−(4−フロロフェニル)エチル、4−フロロ−α,α−ジメチルフェネチル、2−メトキシベンジル、3−メトキシベンジル、4−メトキシベンジル、2−エトキシベンジル、2−メトキシフェネチル、3−メトキシフェネチル、4−メトキシフェネチル、メチル、エチル、プロピル、i−プロピル、ブチル、t−ブチル、sec−ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ラウリル、フェニル、1−ナフチル、メトキシメチル、2−メトキシエチル、2−エトキシエチル、3−メトキシプロピル、2−ブトキシエチル、2−シクロへキシルオキシエチル、3−エトキシプロピル、3−プロポキシプロピル、3−イソプロポキシプロピルアミンなどが挙げられる。 Examples of R 92 include an alkyl group, an aryl group, and an aralkyl group that may have a substituent. These may have a cyclic structure or a branched structure. Specific examples of R 92 include, for example, benzyl, phenethyl, 3-phenyl-1-propyl, 4-phenyl-1-butyl, 5-phenyl-1-pentyl, 6-phenyl-1-hexyl, and α-methyl. Benzyl, 2-methylbenzyl, 3-methylbenzyl, 4-methylbenzyl, 2- (p-tolyl) ethyl, β-methylphenethyl, 1-methyl-3-phenylpropyl, 2-chlorobenzyl, 3-chlorobenzyl, 4-chlorobenzyl, 2-fluorobenzyl, 3-fluorobenzyl, 4-fluorobenzyl, 4-bromophenethyl, 2- (2-chlorophenyl) ethyl, 2- (3-chlorophenyl) ethyl, 2- (4-chlorophenyl) Ethyl, 2- (2-fluorophenyl) ethyl, 2- (3-fluorophenyl) ethyl, 2- (4-fluorophenyl) Ethyl, 4-fluoro-α, α-dimethylphenethyl, 2-methoxybenzyl, 3-methoxybenzyl, 4-methoxybenzyl, 2-ethoxybenzyl, 2-methoxyphenethyl, 3-methoxyphenethyl, 4-methoxyphenethyl, methyl, Ethyl, propyl, i-propyl, butyl, t-butyl, sec-butyl, pentyl, hexyl, cyclohexyl, heptyl, octyl, lauryl, phenyl, 1-naphthyl, methoxymethyl, 2-methoxyethyl, 2-ethoxyethyl, 3 -Methoxypropyl, 2-butoxyethyl, 2-cyclohexyloxyethyl, 3-ethoxypropyl, 3-propoxypropyl, 3-isopropoxypropylamine and the like.

前記バインダーは、特に、(a)無水マレイン酸と、(b)芳香族ビニル単量体と、(c)ビニル単量体であって、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体と、からなる共重合体の無水物基に対して1級アミン化合物を反応させて得られる共重合体であるのが好ましい。該(a)成分と、該(b)成分と、からなる共重合体では、後述する感光層の高い表面硬度を得ることはできるものの、ラミネート性の確保が困難になることがある。また、該(a)成分と、該(c)成分と、からなる共重合体では、ラミネート性は確保することができるものの、前記表面硬度の確保が困難になることがある。   The binder is, in particular, (a) maleic anhydride, (b) an aromatic vinyl monomer, and (c) a vinyl monomer, the glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of the vinyl monomer. ) Is preferably a copolymer obtained by reacting a primary amine compound with an anhydride group of a copolymer comprising a vinyl monomer having a temperature of less than 80 ° C. A copolymer comprising the component (a) and the component (b) can obtain a high surface hardness of the photosensitive layer described later, but it may be difficult to ensure laminating properties. Moreover, in the copolymer which consists of this (a) component and this (c) component, although lamination property can be ensured, it may become difficult to ensure the said surface hardness.

−−(b)芳香族ビニル単量体−−
前記芳香族ビニル単量体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光性組成物を用いて形成される感光層の表面硬度を高くすることができる点で、ホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃以上である化合物が好ましく、100℃以上である化合物がより好ましい。
前記芳香族ビニル単量体の具体例としては、例えば、スチレン(ホモポリマーのTg=100℃)、α−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=168℃)、2−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=136℃)、3−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=97℃)、4−メチルスチレン(ホモポリマーのTg=93℃)、2,4−ジメチルスチレン(ホモポリマーのTg=112℃)などのスチレン誘導体が好適に挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-(B) Aromatic vinyl monomer-
The aromatic vinyl monomer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, the surface hardness of the photosensitive layer formed using the photosensitive composition can be increased. Thus, a compound having a glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of 80 ° C. or higher is preferable, and a compound of 100 ° C. or higher is more preferable.
Specific examples of the aromatic vinyl monomer include, for example, styrene (homopolymer Tg = 100 ° C.), α-methylstyrene (homopolymer Tg = 168 ° C.), 2-methylstyrene (homopolymer Tg = 136 ° C.), 3-methylstyrene (homopolymer Tg = 97 ° C.), 4-methylstyrene (homopolymer Tg = 93 ° C.), 2,4-dimethylstyrene (homopolymer Tg = 112 ° C.) Preferred examples include derivatives. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

−−(c)ビニル単量体−−
前記ビニル単量体は、該ビニル単量体のホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であることが必要であり、40℃以下が好ましく、0℃以下がより好ましい。
前記ビニル単量体としては、例えば、n−プロピルアクリレート(ホモポリマーのTg=−37℃)、n−ブチルアクリレート(ホモポリマーのTg=−54℃)、ペンチルアクリレート、あるいはヘキシルアクリレート(ホモポリマーのTg=−57℃)、n−ブチルメタクリレート(ホモポリマーのTg=−24℃)、n−ヘキシルメタクリレート(ホモポリマーのTg=−5℃)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-(C) Vinyl monomer--
The vinyl monomer is required to have a glass transition temperature (Tg) of a homopolymer of the vinyl monomer of less than 80 ° C., preferably 40 ° C. or less, and more preferably 0 ° C. or less.
Examples of the vinyl monomer include n-propyl acrylate (homopolymer Tg = −37 ° C.), n-butyl acrylate (homopolymer Tg = −54 ° C.), pentyl acrylate, or hexyl acrylate (homopolymer acrylate). Tg = −57 ° C.), n-butyl methacrylate (Tg of homopolymer = −24 ° C.), n-hexyl methacrylate (Tg of homopolymer = −5 ° C.), and the like. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together.

−−1級アミン化合物−−
前記1級アミン化合物としては、例えば、ベンジルアミン、フェネチルアミン、3−フェニル−1−プロピルアミン、4−フェニル−1−ブチルアミン、5−フェニル−1−ペンチルアミン、6−フェニル−1−ヘキシルアミン、α−メチルベンジルアミン、2−メチルベンジルアミン、3−メチルベンジルアミン、4−メチルベンジルアミン、2−(p−トリル)エチルアミン、β−メチルフェネチルアミン、1−メチル−3−フェニルプロピルアミン、2−クロロベンジルアミン、3−クロロベンジルアミン、4−クロロベンジルアミン、2−フロロベンジルアミン、3−フロロベンジルアミン、4−フロロベンジルアミン、4−ブロモフェネチルアミン、2−(2−クロロフェニル)エチルアミン、2−(3−クロロフェニル)エチルアミン、2−(4−クロロフェニル)エチルアミン、2−(2−フロロフェニル)エチルアミン、2−(3−フロロフェニル)エチルアミン、2−(4−フロロフェニル)エチルアミン、4−フロロ−α,α−ジメチルフェネチルアミン、2−メトキシベンジルアミン、3−メトキシベンジルアミン、4−メトキシベンジルアミン、2−エトキシベンジルアミン、2−メトキシフェネチルアミン、3−メトキシフェネチルアミン、4−メトキシフェネチルアミン、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、1−プロピルアミン、ブチルアミン、t−ブチルアミン、sec−ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、ラウリルアミン、アニリン、オクチルアニリン、アニシジン、4−クロルアニリン、1−ナフチルアミン、メトキシメチルアミン、2−メトキシエチルアミン、2−エトキシエチルアミン、3−メトキシプロピルアミン、2−ブトキシエチルアミン、2−シクロヘキシルオキシエチルアミン、3−エトキシプロピルアミン、3−プロポキシプロピルアミン、3−イソプロポキシプロピルアミンなどが挙げられる。これらの中でも、ベンジルアミン、フェネチルアミンが特に好ましい。
前記1級アミン化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
-Primary amine compound-
Examples of the primary amine compound include benzylamine, phenethylamine, 3-phenyl-1-propylamine, 4-phenyl-1-butylamine, 5-phenyl-1-pentylamine, 6-phenyl-1-hexylamine, α-methylbenzylamine, 2-methylbenzylamine, 3-methylbenzylamine, 4-methylbenzylamine, 2- (p-tolyl) ethylamine, β-methylphenethylamine, 1-methyl-3-phenylpropylamine, 2-chloro Benzylamine, 3-chlorobenzylamine, 4-chlorobenzylamine, 2-fluorobenzylamine, 3-fluorobenzylamine, 4-fluorobenzylamine, 4-bromophenethylamine, 2- (2-chlorophenyl) ethylamine, 2- ( 3-Chlorophenyl) ethyla Min, 2- (4-chlorophenyl) ethylamine, 2- (2-fluorophenyl) ethylamine, 2- (3-fluorophenyl) ethylamine, 2- (4-fluorophenyl) ethylamine, 4-fluoro-α, α-dimethyl Phenethylamine, 2-methoxybenzylamine, 3-methoxybenzylamine, 4-methoxybenzylamine, 2-ethoxybenzylamine, 2-methoxyphenethylamine, 3-methoxyphenethylamine, 4-methoxyphenethylamine, methylamine, ethylamine, propylamine, 1 -Propylamine, butylamine, t-butylamine, sec-butylamine, pentylamine, hexylamine, cyclohexylamine, heptylamine, octylamine, laurylamine, aniline, octylaniline, anisi Gin, 4-chloroaniline, 1-naphthylamine, methoxymethylamine, 2-methoxyethylamine, 2-ethoxyethylamine, 3-methoxypropylamine, 2-butoxyethylamine, 2-cyclohexyloxyethylamine, 3-ethoxypropylamine, 3- Examples thereof include propoxypropylamine and 3-isopropoxypropylamine. Among these, benzylamine and phenethylamine are particularly preferable.
The said primary amine compound may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記1級アミン化合物の反応量としては、前記無水物基に対して0.1〜1.2当量であることが必要であり、0.1〜1.0当量が好ましい。該反応量が1.2当量を超えると、前記1級アミン化合物を1種以上反応させた場合に、溶解性が著しく悪化することがある。   The reaction amount of the primary amine compound needs to be 0.1 to 1.2 equivalents relative to the anhydride group, and preferably 0.1 to 1.0 equivalents. When the reaction amount exceeds 1.2 equivalents, the solubility may be significantly deteriorated when one or more primary amine compounds are reacted.

前記(a)無水マレイン酸の前記バインダーにおける含有量は、15〜50mol%が好ましく、20〜45mol%がより好ましく、20〜40mol%が特に好ましい。該含有量が15mol%未満であると、アルカリ現像性の付与ができず、50mol%を超えると、耐アルカリ性が劣化し、また、前記共重合体の合成が困難になり、正常な永久パターンの形成を行うことができないことがある。また、この場合における、前記(b)芳香族ビニル単量体、及び(c)ホモポリマーのガラス転移温度(Tg)が80℃未満であるビニル単量体の前記バインダーにおける含有量は、それぞれ20〜60mol%、15〜40mol%が好ましい。該含有量が該数値範囲を満たす場合には、表面硬度及びラミネート性の両立を図ることができる。   The content of the (a) maleic anhydride in the binder is preferably 15 to 50 mol%, more preferably 20 to 45 mol%, particularly preferably 20 to 40 mol%. When the content is less than 15 mol%, alkali developability cannot be imparted, and when it exceeds 50 mol%, alkali resistance deteriorates and synthesis of the copolymer becomes difficult, resulting in a normal permanent pattern. Formation may not be possible. In this case, the content of (b) the aromatic vinyl monomer and (c) the vinyl monomer having a glass transition temperature (Tg) of the homopolymer of less than 80 ° C. in the binder is 20 respectively. -60 mol% and 15-40 mol% are preferable. When the content satisfies the numerical range, both surface hardness and laminating properties can be achieved.

前記アクリル樹脂、フルオレン骨格を有するエポキシアクリレート、ポリアミド(イミド)、前記無水マレイン酸共重合体の無水物基に1級アミン化合物を反応させた化合物、あるいは、ポリイミド前駆体などのバインダーの分子量は、3,000〜500,000が好ましく、5,000〜100,000がより好ましい。該分子量が3,000未満であると、感光層表面のタック性が強くなることがあり、後述する感光層の硬化後において、膜質が脆くなる、あるいは、表面硬度が劣化することがあり、500,000を超えると、現像性が劣化することがある。   The molecular weight of the acrylic resin, epoxy acrylate having a fluorene skeleton, polyamide (imide), a compound obtained by reacting an anhydride group of the maleic anhydride copolymer with a primary amine compound, or a binder such as a polyimide precursor, 3,000 to 500,000 are preferable, and 5,000 to 100,000 are more preferable. When the molecular weight is less than 3,000, the tackiness of the surface of the photosensitive layer may become strong, and after curing of the photosensitive layer described later, the film quality may become brittle or the surface hardness may be deteriorated. If it exceeds 1,000, developability may deteriorate.

前記バインダーの前記感光性組成物の固形分中の固形分含有量は、5〜80質量%が好ましく、10〜70質量%がより好ましい。該固形分含有量が、5質量%未満であると、感光層の膜強度が弱くなりやすく、該感光層の表面のタック性が悪化することがあり、50質量%を超えると、露光感度が低下することがある。   5-80 mass% is preferable and, as for solid content in solid content of the said photosensitive composition of the said binder, 10-70 mass% is more preferable. When the solid content is less than 5% by mass, the film strength of the photosensitive layer tends to be weak, and the tackiness of the surface of the photosensitive layer may be deteriorated. When it exceeds 50% by mass, the exposure sensitivity is increased. May decrease.

<重合性化合物>
前記重合性化合物としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、ウレタン基及びアリール基の少なくともいずれかを有するモノマー又はオリゴマーが好適に挙げられる。また、これらは、重合性基を2種以上有することが好ましい。
<Polymerizable compound>
There is no restriction | limiting in particular as said polymeric compound, Although it can select suitably according to the objective, For example, the monomer or oligomer which has at least any one of a urethane group and an aryl group is mentioned suitably. Moreover, it is preferable that these have 2 or more types of polymeric groups.

前記重合性基としては、例えば、エチレン性不飽和結合(例えば、(メタ)アクリロイル基、(メタ)アクリルアミド基、スチリル基、ビニルエステルやビニルエーテル等のビニル基、アリルエーテルやアリルエステル等のアリル基など)、重合可能な環状エーテル基(例えば、エポキシ基、オキセタン基等)などが挙げられ、これらの中でもエチレン性不飽和結合が好ましい。   Examples of the polymerizable group include an ethylenically unsaturated bond (for example, (meth) acryloyl group, (meth) acrylamide group, styryl group, vinyl group such as vinyl ester and vinyl ether, allyl group such as allyl ether and allyl ester). Etc.) and a polymerizable cyclic ether group (for example, epoxy group, oxetane group, etc.) and the like. Among these, an ethylenically unsaturated bond is preferable.

−−ウレタン基を有するモノマー−−
前記ウレタン基を有するモノマーとしては、ウレタン基を有する限り、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、特公昭48−41708、特開昭51−37193、特公平5−50737、特公平7−7208、特開2001−154346、特開2001−356476号公報等に記載されている化合物などが挙げられ、例えば、分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物と分子中に水酸基を有するビニルモノマーとの付加物などが挙げられる。
--Monomer having urethane group--
The monomer having a urethane group is not particularly limited as long as it has a urethane group, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, JP-B-48-41708, JP-A-51-37193, JP-B-5 -50737, Japanese Patent Publication No. 7-7208, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-154346, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-356476, and the like. For example, a polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule And an adduct of a vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule.

前記分子中に2個以上のイソシアネート基を有するポリイソシアネート化合物としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシレンジイソシアネート、トルエンジイソシアネート、フェニレンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、ジフェニルジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、3,3’ジメチル−4,4’−ジフェニルジイソシアネート等のジイソシアネート;該ジイソシアネートを更に2官能アルコールとの重付加物(この場合も両末端はイソシアネート基);該ジイソシアネートのビュレット体やイソシアヌレート等の3量体;該ジイソシアネート若しくはジイソシアネート類と、トリメチロールプロパン、ペンタエリトリトール、グリセリン等の多官能アルコール、又はこれらのエチレンオキシド付加物等の得られる他官能アルコールとの付加体などが挙げられる。   Examples of the polyisocyanate compound having two or more isocyanate groups in the molecule include hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, xylene diisocyanate, toluene diisocyanate, phenylene diisocyanate, norbornene diisocyanate, diphenyl diisocyanate, diphenylmethane diisocyanate, A diisocyanate such as 3,3′dimethyl-4,4′-diphenyl diisocyanate; a polyaddition product of the diisocyanate with a bifunctional alcohol (in this case, both ends are isocyanate groups); a burette or isocyanurate of the diisocyanate; Trimer; the diisocyanate or diisocyanates and trimethylolpropane, pe Taeritoritoru, polyfunctional alcohols such as glycerin, or the like adducts of other functional alcohol obtained of such these ethylene oxide adducts and the like.

前記分子中に水酸基を有するビニルモノマーとしては、例えば、2−ヒドロキシエチル(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシプロピル(メタ)アクリレート、4−ヒドロキシブチル(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ジブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、テトラブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、オクタブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリブチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。また、エチレンオキシドとプロピレンオキシドの共重合体(ランダム、ブロック等)などの異なるアルキレンオキシド部を有するジオール体の片末端(メタ)アクリレート体などが挙げられる。   Examples of the vinyl monomer having a hydroxyl group in the molecule include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) acrylate, diethylene glycol mono (meth) acrylate, and triethylene. Glycol mono (meth) acrylate, tetraethylene glycol mono (meth) acrylate, octaethylene glycol mono (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, dipropylene glycol mono (meth) acrylate, tripropylene glycol mono (meth) acrylate , Tetrapropylene glycol mono (meth) acrylate, octapropylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) Chryrate, dibutylene glycol mono (meth) acrylate, tributylene glycol mono (meth) acrylate, tetrabutylene glycol mono (meth) acrylate, octabutylene glycol mono (meth) acrylate, polybutylene glycol mono (meth) acrylate, trimethylolpropane Examples include di (meth) acrylate and pentaerythritol tri (meth) acrylate. Moreover, the one terminal (meth) acrylate body of the diol body which has different alkylene oxide parts, such as a copolymer (random, a block, etc.) of ethylene oxide and propylene oxide, etc. are mentioned.

また、前記ウレタン基を有するモノマーとしては、トリ((メタ)アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、ジ(メタ)アクリル化イソシアヌレート、エチレンオキシド変性イソシアヌル酸のトリ(メタ)アクリレート等のイソシアヌレート環を有する化合物が挙げられる。これらの中でも、下記構造式(15)、又は構造式(16)で表される化合物が好ましく、テント性の観点から、前記構造式(16)で示される化合物を少なくとも含むことが特に好ましい。また、これらの化合物は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   In addition, examples of the monomer having a urethane group include compounds having an isocyanurate ring such as tri ((meth) acryloyloxyethyl) isocyanurate, di (meth) acrylated isocyanurate, and tri (meth) acrylate of ethylene oxide-modified isocyanuric acid. Is mentioned. Among these, the compound represented by the following structural formula (15) or the structural formula (16) is preferable, and at least the compound represented by the structural formula (16) is particularly preferable from the viewpoint of tent properties. Moreover, these compounds may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

前記構造式(15)及び(16)中、R´〜R´は、それぞれ水素原子又はメチル基を表す。X〜Xは、アルキレンオキサイドを表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。 In the structural formulas (15) and (16), R ′ 1 to R ′ 3 each represent a hydrogen atom or a methyl group. X 1 to X 3 represents an alkylene oxide, may be alone or in combination of two or more thereof.

前記アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらの組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。   Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, and a group in which these are combined (may be combined in any of random or block). Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a combination thereof is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(15)及び(16)中、m〜mは、1〜60の整数を表し、2〜30が好ましく、4〜15がより好ましい。 In structural formulas (15) and (16), m 4 to m 6 represent an integer of 1 to 60, preferably 2 to 30, and more preferably 4 to 15.

前記構造式(15)及び(16)中、Y及びYは、炭素原子数2〜30の2価の有機基を表し、例えば、アルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基(−CO−)、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、イミノ基(−NH−)、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、スルホニル基(−SO−)又はこれらを組み合わせた基などが好適に挙げられ、これらの中でも、アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基が好ましい。 In the structural formulas (15) and (16), Y 1 and Y 2 represent a divalent organic group having 2 to 30 carbon atoms, for example, an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a carbonyl group. (—CO—), an oxygen atom (—O—), a sulfur atom (—S—), an imino group (—NH—), a substituted imino group in which the hydrogen atom of the imino group is substituted with a monovalent hydrocarbon group, Preferred examples include a sulfonyl group (—SO 2 —) or a combination thereof, and among these, an alkylene group, an arylene group, or a combination thereof is preferable.

前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよく、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、イソプロピレン基、ブチレン基、イソブチレン基、ペンチレン基、ネオペンチレン基、ヘキシレン基、トリメチルヘキシレン基、シクロへキシレン基、ヘプチレン基、オクチレン基、2−エチルヘキシレン基、ノニレン基、デシレン基、ドデシレン基、オクタデシレン基、又は下記に示すいずれかの基などが好適に挙げられる。   The alkylene group may have a branched structure or a cyclic structure, for example, methylene group, ethylene group, propylene group, isopropylene group, butylene group, isobutylene group, pentylene group, neopentylene group, hexylene group, trimethyl hexene. Preferable examples include a xylene group, a cyclohexylene group, a heptylene group, an octylene group, a 2-ethylhexylene group, a nonylene group, a decylene group, a dodecylene group, an octadecylene group, or any of the groups shown below.

前記アリーレン基としては、炭化水素基で置換されていてもよく、例えば、フェニレン基、トリレン基、ジフェニレン基、ナフチレン基、又は下記に示す基などが好適に挙げられる。   The arylene group may be substituted with a hydrocarbon group, and examples thereof include a phenylene group, a tolylene group, a diphenylene group, a naphthylene group, and the groups shown below.

前記これらを組み合わせた基としては、例えば、キシリレン基などが挙げられる。   Examples of the group in which these are combined include a xylylene group.

前記アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを組み合わせた基としては、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。   The alkylene group, arylene group, or a combination thereof may further have a substituent. Examples of the substituent include a halogen atom (for example, fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, iodine). Atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group, propionyl group), acyloxy group (for example, , Acetoxy group, butyryloxy group), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group), aryloxycarbonyl group (for example, phenoxycarbonyl group) and the like.

前記構造式(15)及び(16)中、nは3〜6の整数を表し、重合性モノマーを合成するための原料供給性などの観点から、3、4又は6が好ましい。 In the structural formulas (15) and (16), n 6 represents an integer of 3 to 6, and 3, 4 or 6 is preferable from the viewpoint of raw material supply for synthesizing a polymerizable monomer.

前記構造式(15)及び(16)中、Zはn価(3価〜6価)の連結基を表し、例えば、下記に示すいずれかの基などが挙げられる。 In the structural formulas (15) and (16), Z 1 represents an n-valent (trivalent to hexavalent) linking group, and examples thereof include any of the groups shown below.

但し、Xはアルキレンオキサイドを表す。mは、1〜20の整数を表す。nは、3〜6の整数を表す。Aは、n価(3価〜6価)の有機基を表す。 However, X 4 represents an alkylene oxide. m 7 represents an integer of 1 to 20. n 7 represents an integer of 3 to 6. A 2 represents an n 7 valent (trivalent to 6 valent) organic group.

前記Aとしては、例えば、3価〜6価の脂肪族基、3価〜6価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、アルケニレン基、アルキニレン基、カルボニル基、酸素原子、硫黄原子、イミノ基、イミノ基の水素原子が1価の炭化水素基で置換された置換イミノ基、又はスルホニル基とを組み合わせた基が好ましく、3価〜6価の脂肪族基、3価〜6価の芳香族基、又はこれらとアルキレン基、アリーレン基、酸素原子とを組み合わせた基がより好ましく、3価〜6価の脂肪族基、3価〜6価の脂肪族基とアルキレン基、酸素原子とを組み合わせた基が特に好ましい。 Examples of A 2 include a trivalent to hexavalent aliphatic group, a trivalent to hexavalent aromatic group, and an alkylene group, an arylene group, an alkenylene group, an alkynylene group, a carbonyl group, an oxygen atom, and sulfur. A group in which an atom, an imino group, a substituted imino group in which a hydrogen atom of an imino group is substituted with a monovalent hydrocarbon group, or a combination with a sulfonyl group is preferable, a trivalent to hexavalent aliphatic group, a trivalent to 6 A valent aromatic group or a group obtained by combining these with an alkylene group, an arylene group or an oxygen atom is more preferred, a trivalent to hexavalent aliphatic group, a trivalent to hexavalent aliphatic group and an alkylene group, oxygen A group in combination with an atom is particularly preferred.

前記Aの炭素原子数としては、例えば、1〜100の整数が好ましく、1〜50の整数がより好ましく、3〜30の整数が特に好ましい。 As the number of carbon atoms of A 2, for example, preferably an integer of 1 to 100, more preferably an integer of 1 to 50, particularly preferably an integer of 3 to 30.

前記n価(3価〜6価)の脂肪族基としては、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記脂肪族基の炭素原子数としては、例えば、1〜30の整数が好ましく、1〜20の整数がより好ましく、3〜10の整数が特に好ましい。
前記芳香族基の炭素原子数としては、6〜100の整数が好ましく、6〜50の整数がより好ましく、6〜30の整数が特に好ましい。
The n 7- valent (trivalent to 6-valent) aliphatic group may have a branched structure or a cyclic structure.
As a carbon atom number of the said aliphatic group, the integer of 1-30 is preferable, for example, the integer of 1-20 is more preferable, and the integer of 3-10 is especially preferable.
The number of carbon atoms of the aromatic group is preferably an integer of 6 to 100, more preferably an integer of 6 to 50, and particularly preferably an integer of 6 to 30.

前記n価(3価〜6価)の脂肪族基、又は芳香族基は、更に置換基を有していてもよく、該置換基としては、例えば、ヒドロキシル基、ハロゲン原子(例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子)、アリール基、アルコキシ基(例えば、メトキシ基、エトキシ基、2−エトキシエトキシ基)、アリールオキシ基(例えば、フェノキシ基)、アシル基(例えば、アセチル基、プロピオニル基)、アシルオキシ基(例えば、アセトキシ基、ブチリルオキシ基)、アルコキシカルボニル基(例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基)、アリールオキシカルボニル基(例えば、フェノキシカルボニル基)などが挙げられる。 The n 7- valent (trivalent to 6-valent) aliphatic group or aromatic group may further have a substituent. Examples of the substituent include a hydroxyl group and a halogen atom (for example, fluorine). Atom, chlorine atom, bromine atom, iodine atom), aryl group, alkoxy group (for example, methoxy group, ethoxy group, 2-ethoxyethoxy group), aryloxy group (for example, phenoxy group), acyl group (for example, acetyl group) , Propionyl group), acyloxy group (for example, acetoxy group, butyryloxy group), alkoxycarbonyl group (for example, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group), aryloxycarbonyl group (for example, phenoxycarbonyl group) and the like.

前記アルキレン基は、分岐構造又は環状構造を有していてもよい。
前記アルキレン基の炭素原子数としては、例えば、1〜18の整数が好ましく、1〜10の整数がより好ましい。
The alkylene group may have a branched structure or a cyclic structure.
As a carbon atom number of the said alkylene group, the integer of 1-18 is preferable, for example, and the integer of 1-10 is more preferable.

前記アリーレン基は、炭化水素基で更に置換されていてもよい。
前記アリーレン基の炭素原子数としては、6〜18の整数が好ましく、6〜10の整数がより好ましい。
The arylene group may be further substituted with a hydrocarbon group.
As the number of carbon atoms of the arylene group, an integer of 6 to 18 is preferable, and an integer of 6 to 10 is more preferable.

前記置換イミノ基の1価の炭化水素基の炭素原子数としては、1〜18の整数が好ましく、1〜10の整数がより好ましい。   As a carbon atom number of the monovalent hydrocarbon group of the said substituted imino group, the integer of 1-18 is preferable and the integer of 1-10 is more preferable.

前記Aの好ましい例は以下の通りである。 Preferred examples of A 2 are as follows.

前記構造式(15)及び(16)で表される化合物としては、例えば下記構造式(17)〜(36)で表される化合物などが挙げられる。   Examples of the compounds represented by the structural formulas (15) and (16) include compounds represented by the following structural formulas (17) to (36).

但し、前記構造式(17)〜(36)中、n、n、n10、及びmは、1〜60を意味し、lは、1〜20を意味し、Rは、水素原子又はメチル基を表す。 However, the structural formula (17) ~ (36), n 8, n 9, n 10, and m 8 refers to 1 to 60, l refers to 1 to 20, R is a hydrogen atom Or represents a methyl group.

−−アリール基を有するモノマー−−
前記アリール基を有するモノマーとしては、アリール基を有する限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物及び多価アミノアルコール化合物の少なくともいずれかと不飽和カルボン酸とのエステル又はアミドなどが挙げられる。
--Monomer having an aryl group--
The monomer having an aryl group is not particularly limited as long as it has an aryl group, and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, a polyhydric alcohol compound having a aryl group, a polyvalent amine compound, and a polyvalent Examples thereof include esters or amides of at least one of amino alcohol compounds and unsaturated carboxylic acid.

前記アリール基を有する多価アルコール化合物、多価アミン化合物又は多価アミノアルコール化合物としては、例えば、ポリスチレンオキサイド、キシリレンジオール、ジ−(β−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン、1,5−ジヒドロキシ−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン、2、2−ジフェニル−1,3−プロパンジオール、ヒドロキシベンジルアルコール、ヒドロキシエチルレゾルシノール、1−フェニル−1,2−エタンジオール、2,3,5,6−テトラメチル−p−キシレン−α,α’−ジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−1,4−ブタンジオール、1,1,4,4−テトラフェニル−2−ブチン−1,4−ジオール、1,1’−ビ−2−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン、1,1’−メチレン−ジ−2−ナフトール、1,2,4−ベンゼントリオール、ビフェノール、2,2’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ブタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)シクロヘキサン、ビス(ヒドロキシフェニル)メタン、カテコール、4−クロルレゾルシノール、ハイドロキノン、ヒドロキシベンジルアルコール、メチルハイドロキノン、メチレン−2,4,6−トリヒドロキシベンゾエート、フロログリシノール、ピロガロール、レゾルシノール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、α−(1−アミノエチル)−p−ヒドロキシベンジルアルコール、3−アミノ−4−ヒドロキシフェニルスルホンなどが挙げられる。また、この他、キシリレンビス(メタ)アクリルアミド、ノボラック型エポキシ樹脂やビスフェノールAジグリシジルエーテル等のグリシジル化合物にα、β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、フタル酸やトリメリット酸などと分子中に水酸基を含有するビニルモノマーから得られるエステル化物、フタル酸ジアリル、トリメリット酸トリアリル、ベンゼンジスルホン酸ジアリル、重合性モノマーとしてカチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ビスフェノールAジビニルエーテル)、エポキシ化合物(例えば、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールAジグリシジルエーテル等)、ビニルエステル類(例えば、ジビニルフタレート、ジビニルテレフタレート、ジビニルベンゼン−1,3−ジスルホネート等)、スチレン化合物(例えば、ジビニルベンゼン、p−アリルスチレン、p−イソプロペンスチレン等)が挙げられる。これらの中でも下記構造式(37)で表される化合物が好ましい。   Examples of the polyhydric alcohol compound, polyamine compound or polyhydric amino alcohol compound having an aryl group include polystyrene oxide, xylylene diol, di- (β-hydroxyethoxy) benzene, 1,5-dihydroxy-1, 2,3,4-tetrahydronaphthalene, 2,2-diphenyl-1,3-propanediol, hydroxybenzyl alcohol, hydroxyethyl resorcinol, 1-phenyl-1,2-ethanediol, 2,3,5,6-tetra Methyl-p-xylene-α, α′-diol, 1,1,4,4-tetraphenyl-1,4-butanediol, 1,1,4,4-tetraphenyl-2-butyne-1,4- Diol, 1,1′-bi-2-naphthol, dihydroxynaphthalene, 1,1′-methylene-di-2-naphth 1,2,4-benzenetriol, biphenol, 2,2′-bis (4-hydroxyphenyl) butane, 1,1-bis (4-hydroxyphenyl) cyclohexane, bis (hydroxyphenyl) methane, catechol, 4-chlororesorcinol, hydroquinone, hydroxybenzyl alcohol, methyl hydroquinone, methylene-2,4,6-trihydroxybenzoate, phloroglicinol, pyrogallol, resorcinol, α- (1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, α -(1-aminoethyl) -p-hydroxybenzyl alcohol, 3-amino-4-hydroxyphenylsulfone and the like can be mentioned. In addition, compounds obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl compounds such as xylylene bis (meth) acrylamide, novolac epoxy resin and bisphenol A diglycidyl ether, phthalic acid, trimellitic acid, etc. Esterified products obtained from vinyl monomers containing hydroxyl groups in the molecule, diallyl phthalate, triallyl trimellitic acid, diallyl benzenedisulfonate, cationically polymerizable divinyl ethers (for example, bisphenol A divinyl ether), epoxy as a polymerizable monomer Compound (for example, novolac type epoxy resin, bisphenol A diglycidyl ether, etc.), vinyl ester (for example, divinyl phthalate, divinyl terephthalate, divinylbenzene-1,3-disulfonate, etc.), styrene Compounds such as divinylbenzene, p-allylstyrene, p-isopropenestyrene, and the like. Among these, the compound represented by the following structural formula (37) is preferable.

前記構造式(37)中、R´、R´は、水素原子又はアルキル基を表す。 In the structural formula (37), R ′ 4 and R ′ 5 represent a hydrogen atom or an alkyl group.

前記構造式(37)中、X及びXは、アルキレンオキサイド基を表し、1種単独でもよく、2種以上を併用してもよい。該アルキレンオキサイド基としては、例えば、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、ペンチレンオキサイド基、ヘキシレンオキサイド基、これらを組み合わせた基(ランダム、ブロックのいずれに組み合わされてもよい)、などが好適に挙げられ、これらの中でも、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基、ブチレンオキサイド基、又はこれらを組み合わせた基が好ましく、エチレンオキサイド基、プロピレンオキサイド基がより好ましい。 In the structural formula (37), X 5 and X 6 represents an alkylene oxide group may be singly or in combination of two or more thereof. Examples of the alkylene oxide group include an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, a pentylene oxide group, a hexylene oxide group, a group in which these are combined (which may be combined in any of random and block), Among these, an ethylene oxide group, a propylene oxide group, a butylene oxide group, or a group combining these is preferable, and an ethylene oxide group and a propylene oxide group are more preferable.

前記構造式(37)中、m、m10は、1〜60の整数が好ましく、2〜30の整数がより好ましく、4〜15の整数が特に好ましい。 In the structural formula (37), m 9 and m 10 are preferably an integer of 1 to 60, more preferably an integer of 2 to 30, and particularly preferably an integer of 4 to 15.

前記構造式(37)中、Tは、2価の連結基を表し、例えば、メチレン、エチレン、MeCMe、CFCCF、CO、SOなどが挙げられる。 In the structural formula (37), T represents a divalent linking group, and examples thereof include methylene, ethylene, MeCMe, CF 3 CCF 3 , CO, and SO 2 .

前記構造式(37)中、Ar、Arは、置換基を有していてもよいアリール基を表し、例えば、フェニレン、ナフチレンなどが挙げられる。前記置換基としては、例えば、アルキル基、アリール基、アラルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基、又はこれらの組合せなどが挙げられる。 In the structural formula (37), Ar 1 and Ar 2 represent an aryl group which may have a substituent, and examples thereof include phenylene and naphthylene. Examples of the substituent include an alkyl group, an aryl group, an aralkyl group, a halogen group, an alkoxy group, or a combination thereof.

前記アリール基を有するモノマーの具体例としては、2,2−ビス〔4−(3−(メタ)アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシエトキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換しさせたエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリエトキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカエトキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカエトキシ)フェニル)プロパン等)、2,2−ビス〔4−((メタ)アクリルオキシプロポキシ)フェニル〕プロパン、フェノール性のOH基1個に置換させたエトキシ基の数が2から20である2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシポリプロポキシ)フェニル)プロパン(例えば、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシジプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシテトラプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシデカプロポキシ)フェニル)プロパン、2,2−ビス(4−((メタ)アクリロイルオキシペンタデカプロポキシ)フェニル)プロパン等)、又はこれらの化合物のポリエーテル部位として同一分子中にポリエチレンオキシド骨格とポリプロピレンオキシド骨格の両方を含む化合物(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等、又は、市販品として、新中村化学工業社製、BPE−200、BPE−500、BPE−1000)、ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物などが挙げられる。なお、これらは、ビスフェノールA骨格に由来する部分をビスフェノールF又はビスフェノールS等に変更した化合物であってもよい。   Specific examples of the monomer having an aryl group include 2,2-bis [4- (3- (meth) acryloxy-2-hydroxypropoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4-((meth)). (Acryloxyethoxy) phenyl] propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolyethoxy) phenyl) propane having 2 to 20 ethoxy groups substituted with one phenolic OH group (For example, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydiethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetraethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((Meth) acryloyloxypentaethoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecae) Xyl) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecaethoxy) phenyl) propane), 2,2-bis [4-((meth) acryloxypropoxy) phenyl] propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypolypropoxy) phenyl) propane (e.g. 2,2-bis (2) having 2 to 20 ethoxy groups substituted with one phenolic OH group 4-((meth) acryloyloxydipropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxytetrapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxy) Pentapropoxy) phenyl) propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxydecapropoxy) pheny ) Propane, 2,2-bis (4-((meth) acryloyloxypentadecapropoxy) phenyl) propane, or the like, or both the polyethylene oxide skeleton and the polypropylene oxide skeleton in the same molecule as the polyether moiety Compounds (for example, compounds described in WO01 / 98832 etc., or commercially available, Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., BPE-200, BPE-500, BPE-1000), bisphenol skeleton and urethane group Examples thereof include a polymerizable compound. These compounds may be compounds obtained by changing the part derived from the bisphenol A skeleton to bisphenol F or bisphenol S.

前記ビスフェノール骨格とウレタン基とを有する重合性化合物としては、例えば、ビスフェノールとエチレンオキシド又はプロピレンオキシド等の付加物、重付加物として得られる末端に水酸基を有する化合物にイソシアネート基と重合性基とを有する化合物(例えば、2−イソシアネートエチル(メタ)アクリレート、α、α−ジメチル−ビニルベンジルイソシアネート等)などが挙げられる。   Examples of the polymerizable compound having a bisphenol skeleton and a urethane group include an isocyanate group and a polymerizable group in a compound having a hydroxyl group at the terminal obtained as an adduct such as bisphenol and ethylene oxide or propylene oxide, or a polyaddition product. Examples thereof include compounds (for example, 2-isocyanatoethyl (meth) acrylate, α, α-dimethyl-vinylbenzyl isocyanate, etc.).

−−その他の重合性モノマー−−
前記感光性組成物中には、該感光性組成物を用いて形成する感光層の特性を悪化させない範囲で、前記ウレタン基を含有するモノマー、アリール基を有するモノマー以外の重合性モノマーを併用してもよい。
-Other polymerizable monomers-
In the photosensitive composition, a polymerizable monomer other than the monomer containing the urethane group and the monomer having an aryl group is used in a range that does not deteriorate the characteristics of the photosensitive layer formed using the photosensitive composition. May be.

前記ウレタン基を含有するモノマー、芳香環を含有するモノマー以外の重合性モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸(例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸等)と脂肪族多価アルコール化合物とのエステル、不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミドなどが挙げられる。   Examples of the polymerizable monomer other than the monomer containing a urethane group and the monomer containing an aromatic ring include unsaturated carboxylic acids (for example, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.) And an ester of an aliphatic polyhydric alcohol compound and an amide of an unsaturated carboxylic acid and a polyvalent amine compound.

前記不飽和カルボン酸と脂肪族多価アルコール化合物とのエステルのモノマーとしては、例えば、(メタ)アクリル酸エステルとして、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレン基の数が2〜18であるポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ノナエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラデカエチレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレン基の数が2から18であるポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート(例えば、ジプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、テトラプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ドデカプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート等)、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレンオキシド変性ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ((メタ)アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリメチロールエタントリ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、テトラメチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,5−ベンタンジオール(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ソルビトールトリ(メタ)アクリレート、ソルビトールテトラ(メタ)アクリレート、ソルビトールペンタ(メタ)アクリレート、ソルビトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジメチロールジシクロペンタンジ(メタ)アクリレート、トリシクロデカンジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコール変性トリメチロールプロパンジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート(例えば、WO01/98832号公報に記載の化合物等)、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドの少なくともいずれかを付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステル、ポリブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセリンジ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、キシレノールジ(メタ)アクリレートなどが挙げられる。   Examples of the monomer of the ester of the unsaturated carboxylic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include (meth) acrylic acid ester, ethylene glycol di (meth) acrylate, and polyethylene glycol having 2 to 18 ethylene groups. Di (meth) acrylate (for example, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, tetraethylene glycol di (meth) acrylate, nonaethylene glycol di (meth) acrylate, dodecaethylene glycol di (meth) acrylate , Tetradecaethylene glycol di (meth) acrylate, etc.), propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate having 2 to 18 propylene groups (for example, , Dipropylene glycol di (meth) acrylate, tripropylene glycol di (meth) acrylate, tetrapropylene glycol di (meth) acrylate, dodecapropylene glycol di (meth) acrylate, etc.), neopentyl glycol di (meth) acrylate, ethylene oxide modified Neopentyl glycol di (meth) acrylate, propylene oxide modified neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri ((meth) acryloyloxypropyl) ) Ether, trimethylolethane tri (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,3-butanediol (Meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, tetramethylene glycol di (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,5-bentanediol (meth) acrylate, pentaerythritol di (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, di Pentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, sorbitol tri (meth) acrylate, sorbitol tetra (meth) acrylate, sorbitol penta (meth) acrylate Rate, sorbitol hexa (meth) acrylate, dimethylol dicyclopentane di (meth) acrylate, tricyclodecane di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol modified trimethylolpropane di (meth) acrylate A di (meth) acrylate of an alkylene glycol chain having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain (for example, a compound described in WO01 / 98832), at least one of ethylene oxide and propylene oxide Trimethylolpropane tri (meth) acrylate, polybutylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, glycerol tri (meth) acrylate Examples include relate and xylenol di (meth) acrylate.

前記(メタ)アクリル酸エステル類の中でも、その入手の容易さ等の観点から、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコール鎖/プロピレングリコール鎖を少なくとも各々一つずつ有するアルキレングリコール鎖のジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ペンタエリトリトールジ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリトリトールヘキサ(メタ)アクリレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、ジグリセリンジ(メタ)アクリレート、1,3−プロパンジオールジ(メタ)アクリレート、1,2,4−ブタントリオールトリ(メタ)アクリレート、1,4−シクロヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、1,5−ペンタンジオール(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、エチレンオキサイド付加したトリメチロールプロパンのトリ(メタ)アクリル酸エステルなどが好ましい。   Among the (meth) acrylic acid esters, ethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meta) from the viewpoint of easy availability. ) Acrylate, di (meth) acrylate of alkylene glycol chain each having at least one ethylene glycol chain / propylene glycol chain, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol triacrylate, penta Erythritol di (meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, glycerin tri (Meth) acrylate, diglycerin di (meth) acrylate, 1,3-propanediol di (meth) acrylate, 1,2,4-butanetriol tri (meth) acrylate, 1,4-cyclohexanediol di (meth) acrylate, 1, Preference is given to 5-pentanediol (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate added with ethylene oxide, and the like.

前記イタコン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イタコン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイタコネート、プロピレングリコールジイタコネート、1,3−ブタンジオールジイタコネート、1,4ーブタンジオールジイタコネート、テトラメチレングリコールジイタコネート、ペンタエリトリトールジイタコネート、及びソルビトールテトライタコネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (itaconic acid ester) of the itaconic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol diitaconate, propylene glycol diitaconate, 1,3-butanediol diitaconate, 1,4- Examples include butanediol diitaconate, tetramethylene glycol diitaconate, pentaerythritol diitaconate, and sorbitol tetritaconate.

前記クロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(クロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジクロトネート、テトラメチレングリコールジクロトネート、ペンタエリトリトールジクロトネート、ソルビトールテトラジクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester (crotonate ester) of the crotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound include ethylene glycol dicrotonate, tetramethylene glycol dicrotonate, pentaerythritol dicrotonate, and sorbitol tetradicrotonate. Can be mentioned.

前記イソクロトン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(イソクロトン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジイソクロトネート、ペンタエリトリトールジイソクロトネート、ソルビトールテトライソクロトネートなどが挙げられる。   Examples of the ester of the isocrotonic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (isocrotonate ester) include ethylene glycol diisocrotonate, pentaerythritol diisocrotonate, sorbitol tetraisocrotonate, and the like.

前記マレイン酸と前記脂肪族多価アルコール化合物とのエステル(マレイン酸エステル)としては、例えば、エチレングリコールジマレート、トリエチレングリコールジマレート、ペンタエリトリトールジマレート、ソルビトールテトラマレートなどが挙げられる。   Examples of the ester of maleic acid and the aliphatic polyhydric alcohol compound (maleic acid ester) include ethylene glycol dimaleate, triethylene glycol dimaleate, pentaerythritol dimaleate, and sorbitol tetramaleate.

前記多価アミン化合物と前記不飽和カルボン酸類から誘導されるアミドとしては、例えば、メチレンビス(メタ)アクリルアミド、エチレンビス(メタ)アクリルアミド、1,6−ヘキサメチレンビス(メタ)アクリルアミド、オクタメチレンビス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミントリス(メタ)アクリルアミド、ジエチレントリアミンビス(メタ)アクリルアミド、などが挙げられる。   Examples of the amide derived from the polyvalent amine compound and the unsaturated carboxylic acid include methylene bis (meth) acrylamide, ethylene bis (meth) acrylamide, 1,6-hexamethylene bis (meth) acrylamide, and octamethylene bis ( And (meth) acrylamide, diethylenetriamine tris (meth) acrylamide, and diethylenetriamine bis (meth) acrylamide.

また、上記以外にも、前記重合性モノマーとして、例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等のグリシジル基含有化合物にα,β−不飽和カルボン酸を付加して得られる化合物、特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号各公報に記載されているようなポリエステルアクリレートやポリエステル(メタ)アクリレートオリゴマー類、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテルなど)と(メタ)アクリル酸を反応させたエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート、日本接着協会誌vol.20、No.7、300〜308ページ(1984年)に記載の光硬化性モノマー及びオリゴマー、アリルエステル(例えば、フタル酸ジアリル、アジピン酸ジアリル、マロン酸ジアリル、ジアリルアミド(例えば、ジアリルアセトアミド等)、カチオン重合性のジビニルエーテル類(例えば、ブタンジオール−1,4−ジビニルエーテル、シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテル、エチレングリコールジビニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテル、ジプロピレングリコールジビニルエーテル、ヘキサンジオールジビニルエーテル、トリメチロールプロパントリビニルエーテル、ペンタエリトリトールテトラビニルエーテル、グリセリントリビニルエーテル等)、エポキシ化合物(例えば、ブタンジオール−1,4−ジグリシジルエーテル、シクロヘキサンジメタノールグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、ジプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリトリトールテトラグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル等)、オキセタン類(例えば、1,4−ビス〔(3−エチルー3−オキセタニルメトキシ)メチル〕ベンゼン等)、エポキシ化合物、オキセタン類(例えば、WO01/22165号公報に記載の化合物)、N−β−ヒドロキシエチル−β−(メタクリルアミド)エチルアクリレート、N,N−ビス(β−メタクリロキシエチル)アクリルアミド、アリルメタクリレート等の異なったエチレン性不飽和二重結合を2個以上有する化合物などが挙げられる。   In addition to the above, as the polymerizable monomer, for example, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, Compound obtained by adding α, β-unsaturated carboxylic acid to glycidyl group-containing compound such as hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, Polyester acrylate and polyester (meth) acrylate as described in JP-B-6183, JP-B-49-43191 and JP-B-52-30490. Rate oligomers, epoxy compounds (eg, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene glycol diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether , Pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc.) and (meth) acrylic acid and other polyfunctional acrylates and methacrylates such as epoxy acrylates, Journal of Japan Adhesion Association Vol. 20, No. 7, 300-308 Photocurable monomers and oligomers and allyl esters described in page (1984) (eg diallyl phthalate, diallyl adipate, malonic acid) Allyl, diallylamide (eg, diallylacetamide), cationically polymerizable divinyl ethers (eg, butanediol-1,4-divinyl ether, cyclohexanedimethanol divinyl ether, ethylene glycol divinyl ether, diethylene glycol divinyl ether, dipropylene glycol) Divinyl ether, hexanediol divinyl ether, trimethylolpropane trivinyl ether, pentaerythritol tetravinyl ether, glycerin trivinyl ether, etc.), epoxy compounds (eg, butanediol-1,4-diglycidyl ether, cyclohexanedimethanol glycidyl ether, ethylene glycol di) Glycidyl ether, diethylene glycol diglycidyl ether, dipropylene group Recall diglycidyl ether, hexanediol diglycidyl ether, trimethylolpropane triglycidyl ether, pentaerythritol tetraglycidyl ether, glycerin triglycidyl ether, etc.), oxetanes (for example, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) ) Methyl] benzene, etc.), epoxy compounds, oxetanes (for example, compounds described in WO01 / 22165), N-β-hydroxyethyl-β- (methacrylamide) ethyl acrylate, N, N-bis (β- And compounds having two or more different ethylenically unsaturated double bonds, such as methacryloxyethyl) acrylamide and allyl methacrylate.

前記ビニルエステル類としては、例えば、ジビニルサクシネート、ジビニルアジペートなどが挙げられる。   Examples of the vinyl esters include divinyl succinate and divinyl adipate.

これらの多官能モノマー又はオリゴマーは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。   These polyfunctional monomers or oligomers may be used alone or in combination of two or more.

前記重合性モノマーは、必要に応じて、分子内に重合性基を1個含有する重合性化合物(単官能モノマー)を併用してもよい。
前記単官能モノマーとしては、例えば、前記バインダーの原料として例示した化合物、特開平6−236031号公報に記載されている2塩基のモノ((メタ)アクリロイルオキシアルキルエステル)モノ(ハロヒドロキシアルキルエステル)等の単官能モノマー(例えば、γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−メタクリロイルオキシエチル−o−フタレート等)、特許2744643号公報、WO00/52529号パンフレット、特許2548016号公報等に記載の化合物が挙げられる。
If necessary, the polymerizable monomer may be used in combination with a polymerizable compound (monofunctional monomer) containing one polymerizable group in the molecule.
Examples of the monofunctional monomer include the compounds exemplified as the raw material of the binder, and the dibasic mono ((meth) acryloyloxyalkyl ester) mono (halohydroxyalkyl ester) described in JP-A-6-236031. Monofunctional monomers such as γ-chloro-β-hydroxypropyl-β′-methacryloyloxyethyl-o-phthalate, etc., compounds described in Japanese Patent No. 2744443, WO00 / 52529 pamphlet, Japanese Patent No. 2548016, etc. Is mentioned.

また、前記重合性化合物としては、分子中に少なくとも1個の付加重合可能な基を有し、沸点が常圧で100℃以上である化合物が好ましく、例えば、上記のモノマーの中でも、(メタ)アクリル基を有するモノマーから選択される少なくとも1種が好適に挙げられる。   The polymerizable compound is preferably a compound having at least one addition-polymerizable group in the molecule and having a boiling point of 100 ° C. or higher at normal pressure. For example, among the above monomers, (meth) Preferable examples include at least one selected from monomers having an acrylic group.

前記(メタ)アクリル基を有するモノマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリエチレングリコールモノ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート等の単官能アクリレートや単官能メタクリレート;ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールエタントリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパンジアクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレート、ヘキサンジオールジ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(アクリロイルオキシプロピル)エーテル、トリ(アクリロイルオキシエチル)イソシアヌレート、トリ(アクリロイルオキシエチル)シアヌレート、グリセリントリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンやグリセリン、ビスフェノール等の多官能アルコールに、エチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加反応した後で(メタ)アクリレート化したもの、特公昭48−41708号、特公昭50−6034号、特開昭51−37193号等の各公報に記載されているウレタンアクリレート類;特開昭48−64183号、特公昭49−43191号、特公昭52−30490号等の各公報に記載されているポリエステルアクリレート類;エポキシ樹脂と(メタ)アクリル酸の反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能アクリレートやメタクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ(メタ)アクリレートが特に好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as a monomer which has the said (meth) acryl group, According to the objective, it can select suitably, For example, polyethyleneglycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) ) Monofunctional acrylates and monofunctional methacrylates such as acrylates; polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, trimethylolethane triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane diacrylate, neopentylglycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (Meth) acrylate, dipentaerythritol penta (meth) acrylate, hexanediol di (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (acryloyloxypropyl) ether, tri (acryloyloxyethyl) isocyanurate, tri (acryloyloxyethyl) cyanurate, glycerin Poly (functional) alcohols such as tri (meth) acrylate, trimethylolpropane, glycerin, bisphenol, etc., which are subjected to addition reaction with ethylene oxide and propylene oxide, and converted to (meth) acrylate, Japanese Patent Publication No. 48-41708, Japanese Patent Publication No. 50- Urethane acrylates described in JP-A-6034, JP-A-51-37193, etc .; JP-A-48-64183, JP-B-49-43191, JP-B-52-30 Polyester acrylates described in each publication of such 90 No.; and epoxy resin and (meth) polyfunctional acrylates or methacrylates such as epoxy acrylates which are reaction products of acrylic acid. Among these, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, and dipentaerythritol penta (meth) acrylate are particularly preferable.

前記重合性化合物の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、5〜50質量%が好ましく、10〜40質量%がより好ましい。該固形分含有量が5質量%未満であると、現像性の悪化、露光感度の低下などの問題を生ずることがあり、50質量%を超えると、感光層の粘着性が強くなりすぎることがあり、好ましくない。
また、重合性化合物中に前記重合性基を2個以上有する多官能モノマーの含有量としては、5〜100質量%が好ましく、20〜100質量%がより好ましく、40〜100質量%が特に好ましい。
5-50 mass% is preferable and, as for solid content in the said photosensitive composition solid content of the said polymeric compound, 10-40 mass% is more preferable. If the solid content is less than 5% by mass, problems such as deterioration of developability and reduction in exposure sensitivity may occur, and if it exceeds 50% by mass, the adhesiveness of the photosensitive layer may become too strong. Yes, not preferred.
Moreover, as content of the polyfunctional monomer which has 2 or more of the said polymeric groups in a polymeric compound, 5-100 mass% is preferable, 20-100 mass% is more preferable, 40-100 mass% is especially preferable. .

<光重合開始系化合物>
前記光重合開始系化合物は、光重合開始剤(ラジカル発生剤、及び水素供与体等)、及び増感剤を含んでなる。
前記光重合開始剤としては、前記重合性化合物の重合を開始する能力を有する限り、特に制限はなく、公知の光重合開始剤の中から適宜選択することができるが、例えば、紫外線領域から可視の光線に対して感光性を有するものが好ましく、光励起された前記増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよく、モノマーの種類に応じてカチオン重合を開始させるような開始剤であってもよい。
また、前記光重合開始剤は、約300〜800nm(より好ましくは330〜500nm)の範囲内に少なくとも約50の分子吸光係数を有する成分を少なくとも1種含有していることが好ましい。
<Photopolymerization initiation compound>
The photopolymerization initiating compound comprises a photopolymerization initiator (such as a radical generator and a hydrogen donor) and a sensitizer.
The photopolymerization initiator is not particularly limited as long as it has the ability to initiate polymerization of the polymerizable compound, and can be appropriately selected from known photopolymerization initiators. For example, it is visible from the ultraviolet region. It is preferable to have photosensitivity to the light of the above, and may be an activator that generates an active radical by causing some action with the photosensitized sensitizer, and initiates cationic polymerization according to the type of monomer. Such an initiator may be used.
The photopolymerization initiator preferably contains at least one component having a molecular extinction coefficient of at least about 50 within a range of about 300 to 800 nm (more preferably 330 to 500 nm).

<<光重合開始剤>>
前記光重合開始剤としては、例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体(例えば、トリアジン骨格を有するもの、オキサジアゾール骨格を有するもの等)、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、メタロセン類、及びアシルホスフィンオキシド化合物などが挙げられる。
<< photopolymerization initiator >>
Examples of the photopolymerization initiator include halogenated hydrocarbon derivatives (for example, those having a triazine skeleton, those having an oxadiazole skeleton), hexaarylbiimidazoles, oxime derivatives, organic peroxides, thio compounds, Examples include ketone compounds, aromatic onium salts, metallocenes, and acylphosphine oxide compounds.

前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物としては、例えば、若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物、英国特許1388492号明細書記載の化合物、特開昭53−133428号公報記載の化合物、独国特許3337024号明細書記載の化合物、F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物、特開昭62−58241号公報記載の化合物、特開平5−281728号公報記載の化合物、特開平5−34920号公報記載化合物などが挙げられ、オキサジアゾール骨格を有する化合物としては、例えば、米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物などが挙げられる。   Examples of the halogenated hydrocarbon compound having a triazine skeleton include those described in Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. Japan, 42, 2924 (1969), a compound described in British Patent 1388492, a compound described in JP-A-53-133428, a compound described in German Patent 3337024, F.I. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964), compounds described in JP-A-62-258241, compounds described in JP-A-5-281728, compounds described in JP-A-5-34920, and the like. Examples of the compound having an azole skeleton include compounds described in US Pat. No. 4,221,976.

前記若林ら著、Bull.Chem.Soc.Japan,42、2924(1969)記載の化合物としては、例えば、2−フェニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−クロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−トリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,4−ジクロルフェニル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−メチル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−n−ノニル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(α,α,β−トリクロルエチル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Wakabayashi et al., Bull. Chem. Soc. As a compound described in Japan, 42, 2924 (1969), for example, 2-phenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -4,6 -Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-tolyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxyphenyl)- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,4-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2, 4,6-tris (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-methyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2-n-nonyl-4,6- Bis (trichloromethyl) 1,3,5-triazine, and 2-(alpha, alpha, beta-trichloroethyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記英国特許1388492号明細書記載の化合物としては、例えば、2−スチリル−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メチルスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−メトキシスチリル)−4−アミノ−6−トリクロルメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。
前記特開昭53−133428号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−メトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−エトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−〔4−(2−エトキシエチル)−ナフト−1−イル〕−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4,7−ジメトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(アセナフト−5−イル)−4,6−ビス(トリクロルメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。
Examples of the compound described in the British Patent 1388492 include 2-styryl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methylstyryl) -4,6- Bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-methoxystyryl)- 4-amino-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine and the like can be mentioned.
Examples of the compounds described in JP-A-53-133428 include 2- (4-methoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2 -(4-Ethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- [4- (2-ethoxyethyl) -naphth-1-yl]- 4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4,7-dimethoxy-naphth-1-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2- (acenaphtho-5-yl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記独国特許3337024号明細書記載の化合物としては、例えば、2−(4−スチリルフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシスチリル)フェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(1−ナフチルビニレンフェニル)−4、6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−クロロスチリルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−チオフェン−3−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−フラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−(4−ベンゾフラン−2−ビニレンフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in the specification of German Patent 3333724 include 2- (4-styrylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4 -Methoxystyryl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (1-naphthylvinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5 -Triazine, 2-chlorostyrylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-thiophen-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl)- 1,3,5-triazine, 2- (4-thiophene-3-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4-furan-2 Vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, and 2- (4-benzofuran-2-vinylenephenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3 5-triazine etc. are mentioned.

前記F.C.Schaefer等によるJ.Org.Chem.;29、1527(1964)記載の化合物としては、例えば、2−メチル−4,6−ビス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(トリブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2,4,6−トリス(ジブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、2−アミノ−4−メチル−6−トリ(ブロモメチル)−1,3,5−トリアジン、及び2−メトキシ−4−メチル−6−トリクロロメチル−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   F. above. C. J. Schaefer et al. Org. Chem. 29, 1527 (1964) include, for example, 2-methyl-4,6-bis (tribromomethyl) -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (tribromomethyl); -1,3,5-triazine, 2,4,6-tris (dibromomethyl) -1,3,5-triazine, 2-amino-4-methyl-6-tri (bromomethyl) -1,3,5- Examples include triazine and 2-methoxy-4-methyl-6-trichloromethyl-1,3,5-triazine.

前記特開昭62−58241号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−フェニルエチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−ナフチル−1−エチニルフェニル−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−トリルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−メトキシフェニル)エチニルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−イソプロピルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(4−(4−エチルフェニルエチニル)フェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compounds described in JP-A-62-258241 include 2- (4-phenylethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- Naphthyl-1-ethynylphenyl-4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-tolylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1 , 3,5-triazine, 2- (4- (4-methoxyphenyl) ethynylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-isopropylphenyl) Ethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (4- (4-ethylphenylethynyl) phenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) Le) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−281728号公報記載の化合物としては、例えば、2−(4−トリフルオロメチルフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジフルオロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジクロロフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジン、2−(2,6−ジブロモフェニル)−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-281728 include 2- (4-trifluoromethylphenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2, 6-difluorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine, 2- (2,6-dichlorophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5- Examples include triazine, 2- (2,6-dibromophenyl) -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine.

前記特開平5−34920号公報記載化合物としては、例えば、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−[4−(N,N−ジエトキシカルボニルメチルアミノ)−3−ブロモフェニル]−1,3,5−トリアジン、米国特許第4239850号明細書に記載されているトリハロメチル−s−トリアジン化合物、更に2,4,6−トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロロフェニル)−4,6−ビス(トリブロモメチル)−s−トリアジンなどが挙げられる。   Examples of the compound described in JP-A-5-34920 include 2,4-bis (trichloromethyl) -6- [4- (N, N-diethoxycarbonylmethylamino) -3-bromophenyl] -1, 3,5-triazine, trihalomethyl-s-triazine compounds described in US Pat. No. 4,239,850, 2,4,6-tris (trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-chlorophenyl) Examples include -4,6-bis (tribromomethyl) -s-triazine.

前記米国特許第4212976号明細書に記載されている化合物としては、例えば、2−トリクロロメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロロフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−フェニル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−(2−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール;2−トリクロロメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−クロルスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−メトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(1−ナフチル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(4−n−ブトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリブロモメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾールなどが挙げられる。   Examples of the compound described in US Pat. No. 4,221,976 include 2-trichloromethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorophenyl). -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (2-naphthyl) -1,3 , 4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-phenyl-1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5- (2-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole 2-trichloromethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (4-chlorostyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichl Romethyl-5- (4-methoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5- (1-naphthyl) -1,3,4-oxadiazole, 2-trichloromethyl-5 -(4-n-butoxystyryl) -1,3,4-oxadiazole, 2-tribromomethyl-5-styryl-1,3,4-oxadiazole and the like.

前記ヘキサアリールビイミダゾールとしては、例えば、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(o−フロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−ブロモフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラ(3−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2′−ビス(2−クロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラ(4−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2′−ビス(4−メトキシフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−ニトロフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−メチルフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、2,2′−ビス(2−トリフルオロメチルフェニル)−4,4′,5,5′−テトラフェニルビイミダゾール、WO00/52529号公報に記載の化合物などが挙げられる。   Examples of the hexaarylbiimidazole include 2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (o-fluorophenyl)- 4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-bromophenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis ( 2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4', 5,5'-tetra (3-methoxyphenyl) ) Biimidazole, 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetra (4-methoxyphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (4-methoxyphenyl) -4 , 4 ', , 5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-nitrophenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-methylphenyl) -4,4', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2-Trifluoromethylphenyl) -4,4 ', 5,5'-tetraphenylbiimidazole, compounds described in WO00 / 52529, and the like.

前記ビイミダゾール類は、例えば、Bull.Chem.Soc.Japan,33,565(1960)、及びJ.Org.Chem,36(16)2262(1971)に開示されている方法により容易に合成することができる。   The biimidazoles are described in, for example, Bull. Chem. Soc. Japan, 33, 565 (1960); Org. It can be easily synthesized by the method disclosed in Chem, 36 (16) 2262 (1971).

前記オキシム誘導体としては、例えば、3−ベンゾイロキシイミノブタン−2−オン、3−アセトキシイミノブタン−2−オン、3−プロピオニルオキシイミノブタン−2−オン、2−アセトキシイミノペンタン−3−オン、2−アセトキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オン、2−ベンゾイロキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オン、3−(4−トルエンスルホニルオキシ)イミノブタン−2−オン、及び2−エトキシカルボニルオキシイミノ−1−フェニルプロパン−1−オンなどが挙げられる。   Examples of the oxime derivative include 3-benzoyloxyiminobutan-2-one, 3-acetoxyiminobutane-2-one, 3-propionyloxyiminobutan-2-one, and 2-acetoxyiminopentane-3-one. 2-acetoxyimino-1-phenylpropan-1-one, 2-benzoyloxyimino-1-phenylpropan-1-one, 3- (4-toluenesulfonyloxy) iminobutan-2-one, and 2-ethoxy And carbonyloxyimino-1-phenylpropan-1-one.

前記ケトン化合物としては、例えば、ベンゾフェノン、2−メチルベンゾフェノン、3−メチルベンゾフェノン、4−メチルベンゾフェノン、4−メトキシベンゾフェノン、2−クロロベンゾフェノン、4−クロロベンゾフェノン、4−ブロモベンゾフェノン、2−カルボキシベンゾフェノン、2−エトキシカルボニルベンゾルフェノン、ベンゾフェノンテトラカルボン酸又はそのテトラメチルエステル、4,4’−ビス(ジアルキルアミノ)ベンゾフェノン類(例えば、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビスジシクロヘキシルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジヒドロキシエチルアミノ)ベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、4,4’−ジメトキシベンゾフェノン、4−ジメチルアミノベンゾフェノン、4−ジメチルアミノアセトフェノン、ベンジル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−メチルアントラキノン、フェナントラキノン、キサントン、チオキサントン、2−クロル−チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、フルオレノン、2−ベンジル−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルホリノ−1−プロパノン、2−ヒドロキシー2−メチル−〔4−(1−メチルビニル)フェニル〕プロパノールオリゴマー、ベンゾイン、ベンゾインエーテル類(例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル、ベンジルジメチルケタール)、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドンなどが挙げられる。   Examples of the ketone compound include benzophenone, 2-methylbenzophenone, 3-methylbenzophenone, 4-methylbenzophenone, 4-methoxybenzophenone, 2-chlorobenzophenone, 4-chlorobenzophenone, 4-bromobenzophenone, 2-carboxybenzophenone, 2-ethoxycarbonylbenzolphenone, benzophenonetetracarboxylic acid or tetramethyl ester thereof, 4,4′-bis (dialkylamino) benzophenone (for example, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′- Bisdicyclohexylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (dihydroxyethylamino) benzophenone, 4-methoxy-4′-dimethylamino Nzophenone, 4,4'-dimethoxybenzophenone, 4-dimethylaminobenzophenone, 4-dimethylaminoacetophenone, benzyl, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-methylanthraquinone, phenanthraquinone, xanthone, thioxanthone, 2-chloro -Thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, fluorenone, 2-benzyl-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -1-butanone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino -1-propanone, 2-hydroxy-2-methyl- [4- (1-methylvinyl) phenyl] propanol oligomer, benzoin, benzoin ethers (for example, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, In propyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin phenyl ether, benzyl dimethyl ketal), acridone, chloro acridone, N- methyl acridone, N- butyl acridone, N- butyl - such as chloro acrylic pyrrolidone.

前記メタロセン類としては、例えば、ビス(η−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)−ビス(2,6−ジフロロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウム、η−シクロペンタジエニル−η−クメニル−アイアン(1+)−ヘキサフロロホスフェート(1−)、特開昭53−133428号公報、特公昭57−1819号公報、同57−6096号公報、及び米国特許第3615455号明細書に記載された化合物などが挙げられる。 Examples of the metallocenes include bis (η 5 -2,4-cyclopentadien-1-yl) -bis (2,6-difluoro-3- (1H-pyrrol-1-yl) -phenyl) titanium, 5 -cyclopentadienyl-η 6 -cumenyl-iron (1 +)-hexafluorophosphate (1-), JP-A-53-133428, JP-B-57-1819, JP-A-57-6096, and Examples thereof include compounds described in US Pat. No. 3,615,455.

前記アシルホスフィンオキシド化合物としては、例えば、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルホスフィンオキシド、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフェニルホスフィンオキシド、LucirinTPOなどが挙げられる。   Examples of the acylphosphine oxide compound include bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphenylphosphine oxide, Lucirin TPO. Etc.

また、上記以外の光重合開始剤として、アクリジン誘導体(例えば、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン等)、N−フェニルグリシン等、ポリハロゲン化合物(例えば、四臭化炭素、フェニルトリブロモメチルスルホン、フェニルトリクロロメチルケトン等)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、7−ベンゾトリアゾール−2−イルクマリン、また、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号公報等に記載のクマリン化合物など)、アミン類(例えば、4−ジメチルアミノ安息香酸エチル、4−ジメチルアミノ安息香酸n−ブチル、4−ジメチルアミノ安息香酸フェネチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−フタルイミドエチル、4−ジメチルアミノ安息香酸2−メタクリロイルオキシエチル、ペンタメチレンビス(4−ジメチルアミノベンゾエート)、3−ジメチルアミノ安息香酸のフェネチル、ペンタメチレンエステル、4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、2−クロル−4−ジメチルアミノベンズアルデヒド、4−ジメチルアミノベンジルアルコール、エチル(4−ジメチルアミノベンゾイル)アセテート、4−ピペリジノアセトフェノン、4−ジメチルアミノベンゾイン、N,N−ジメチル−4−トルイジン、N,N−ジエチル−3−フェネチジン、トリベンジルアミン、ジベンジルフェニルアミン、N−メチル−N−フェニルベンジルアミン、4−ブロム−N,N−ジメチルアニリン、トリドデシルアミン、アミノフルオラン類(ODB,ODBII等)、クリスタルバイオレットラクトン、ロイコクリスタルバイオレット等)などが挙げられる。   Further, as photopolymerization initiators other than the above, acridine derivatives (for example, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane, etc.), N-phenylglycine, Carbon tetrabromide, phenyltribromomethylsulfone, phenyltrichloromethylketone, etc.), coumarins (eg, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) ) Coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- (2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5 , 7-di-n-propoxycoumarin), 3,3′-carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxycoumarin, 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5,7-dipropoxycoumarin, 7-benzotriazol-2-ylcoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206 , Coumarin compounds described in JP-A No. 2002-363207, JP-A No. 2002-363208, JP-A No. 2002-363209, etc.), amines (for example, ethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-dimethylaminobenzoate) N-butyl acid, phenethyl 4-dimethylaminobenzoate, 4-Dimethylaminobenzoic acid 2-phthalimidoethyl, 4-dimethylaminobenzoic acid 2-methacryloyloxyethyl, pentamethylenebis (4-dimethylaminobenzoate), phenethyl of 3-dimethylaminobenzoic acid, pentamethylene ester, 4-dimethyl Aminobenzaldehyde, 2-chloro-4-dimethylaminobenzaldehyde, 4-dimethylaminobenzyl alcohol, ethyl (4-dimethylaminobenzoyl) acetate, 4-piperidinoacetophenone, 4-dimethylaminobenzoin, N, N-dimethyl-4 -Toluidine, N, N-diethyl-3-phenetidine, tribenzylamine, dibenzylphenylamine, N-methyl-N-phenylbenzylamine, 4-bromo-N, N-dimethylaniline, tridodecylami And aminofluoranes (ODB, ODBII, etc.), crystal violet lactone, leuco crystal violet, etc.).

更に、米国特許第2367660号明細書に記載されているビシナルポリケタルドニル化合物、米国特許第2448828号明細書に記載されているアシロインエーテル化合物、米国特許第2722512号明細書に記載されているα−炭化水素で置換された芳香族アシロイン化合物、米国特許第3046127号明細書及び同第2951758号明細書に記載の多核キノン化合物、特開2002−229194号公報に記載の有機ホウ素化合物、ラジカル発生剤、トリアリールスルホニウム塩(例えば、ヘキサフロロアンチモンやヘキサフロロホスフェートとの塩)、ホスホニウム塩化合物(例えば、(フェニルチオフェニル)ジフェニルスルホニウム塩等)(カチオン重合開始剤として有効)、WO01/71428号公報記載のオニウム塩化合物などが挙げられる。   Further, vicinal polyketaldonyl compounds described in US Pat. No. 2,367,660, acyloin ether compounds described in US Pat. No. 2,448,828, and US Pat. No. 2,722,512 are described. An aromatic acyloin compound substituted with α-hydrocarbon, a polynuclear quinone compound described in US Pat. Nos. 3,046,127 and 2,951,758, an organoboron compound described in JP-A-2002-229194, and a radical Generator, triarylsulfonium salt (for example, salt with hexafluoroantimony or hexafluorophosphate), phosphonium salt compound (for example, (phenylthiophenyl) diphenylsulfonium salt, etc.) (effective as a cationic polymerization initiator), WO01 / 71428 Onion A salt compounds.

前記光重合開始剤は、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
前記光重合開始剤の特に好ましい例としては、後述する露光において、波長が405nmのレーザ光に対応可能である、前記ホスフィンオキサイド類、前記α−アミノアルキルケトン類、前記トリアジン骨格を有するハロゲン化炭化水素化合物と後述する増感剤としてのアミン化合物とを組合せた複合光開始剤、ヘキサアリールビイミダゾール化合物、あるいは、チタノセンなどが挙げられる。
The said photoinitiator may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
Particularly preferred examples of the photopolymerization initiator include halogenated carbonization having the phosphine oxides, the α-aminoalkyl ketones, and the triazine skeleton, which can handle laser light having a wavelength of 405 nm in the later-described exposure. Examples include a composite photoinitiator, a hexaarylbiimidazole compound, or titanocene, which is a combination of a hydrogen compound and an amine compound as a sensitizer described later.

前記光重合開始剤の前記感光性組成物における含有量としては、0.1〜30質量%が好ましく、0.5〜20質量%がより好ましく、0.5〜15質量%が特に好ましい。   As content in the said photosensitive composition of the said photoinitiator, 0.1-30 mass% is preferable, 0.5-20 mass% is more preferable, 0.5-15 mass% is especially preferable.

<<増感剤>>
前記感光層への露光における露光感度や感光波長を調整する目的で、前記光重合開始剤に加えて、増感剤を添加することが可能である。
前記増感剤は、後述する光照射手段としての可視光線や紫外光レーザ及び可視光レーザなどにより適宜選択することができる。
前記増感剤は、活性エネルギー線により励起状態となり、他の物質(例えば、ラジカル発生剤、酸発生剤等)と相互作用(例えば、エネルギー移動、電子移動等)することにより、ラジカルや酸等の有用基を発生することが可能である。
<< Sensitizer >>
In order to adjust the exposure sensitivity and the photosensitive wavelength in exposure to the photosensitive layer, it is possible to add a sensitizer in addition to the photopolymerization initiator.
The sensitizer can be appropriately selected by a visible light, an ultraviolet laser, a visible light laser, or the like as a light irradiation means described later.
The sensitizer is excited by active energy rays and interacts with other substances (for example, radical generator, acid generator, etc.) (for example, energy transfer, electron transfer, etc.), thereby generating radicals, acids, etc. It is possible to generate a useful group of

前記光重合開始剤と前記増感剤との組合せとしては、例えば、特開2001−305734号公報に記載の電子移動型開始系[(1)電子供与型開始剤及び増感色素、(2)電子受容型開始剤及び増感色素、(3)電子供与型開始剤、増感色素及び電子受容型開始剤(三元開始系)]などの組合せが挙げられる。   Examples of the combination of the photopolymerization initiator and the sensitizer include, for example, an electron transfer start system described in JP-A-2001-305734 [(1) an electron donating initiator and a sensitizing dye, (2) A combination of an electron-accepting initiator and a sensitizing dye, (3) an electron-donating initiator, a sensitizing dye and an electron-accepting initiator (ternary initiation system)], and the like.

前記増感剤としては、特に制限はなく、公知の増感剤の中から適宜選択することができるが、例えば、公知の多核芳香族類(例えば、ピレン、ペリレン、トリフェニレン)、キサンテン類(例えば、フルオレセイン、エオシン、エリスロシン、ローダミンB、ローズベンガル)、シアニン類(例えば、インドカルボシアニン、チアカルボシアニン、オキサカルボシアニン)、メロシアニン類(例えば、メロシアニン、カルボメロシアニン)、チアジン類(例えば、チオニン、メチレンブルー、トルイジンブルー)、アクリジン類(例えば、アクリジンオレンジ、クロロフラビン、アクリフラビン、9−フェニルアクリジン、1,7−ビス(9,9’−アクリジニル)ヘプタン)、アントラキノン類(例えば、アントラキノン)、スクアリウム類(例えば、スクアリウム)、アクリドン類(例えば、アクリドン、クロロアクリドン、N−メチルアクリドン、N−ブチルアクリドン、N−ブチル−クロロアクリドン(例えば、2−クロロ−10−ブチルアクリドン等)など)、クマリン類(例えば、3−(2−ベンゾフロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−ベンゾフロイル)−7−(1−ピロリジニル)クマリン、3−ベンゾイル−7−ジエチルアミノクマリン、3−(2−メトキシベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジメチルアミノベンゾイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3,3’−カルボニルビス(5,7−ジ−n−プロポキシクマリン)、3,3’−カルボニルビス(7−ジエチルアミノクマリン)、3−ベンゾイル−7−メトキシクマリン、3−(2−フロイル)−7−ジエチルアミノクマリン、3−(4−ジエチルアミノシンナモイル)−7−ジエチルアミノクマリン、7−メトキシ−3−(3−ピリジルカルボニル)クマリン、3−ベンゾイル−5,7−ジプロポキシクマリン、特開平5−19475号、特開平7−271028号、特開2002−363206号、特開2002−363207号、特開2002−363208号、特開2002−363209号等の各公報に記載のクマリン化合物など)、及びチオキサントン化合物(チオキサントン、イソプロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン、QuantacureQTX等)などがあげられ、が挙げられ、これらの中でも、芳香族環や複素環が縮環した化合物(縮環系化合物)、並びに、少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物が好ましい。   The sensitizer is not particularly limited and may be appropriately selected from known sensitizers. For example, known polynuclear aromatics (for example, pyrene, perylene, triphenylene), xanthenes (for example, , Fluorescein, eosin, erythrosine, rhodamine B, rose bengal), cyanines (eg, indocarbocyanine, thiacarbocyanine, oxacarbocyanine), merocyanines (eg, merocyanine, carbomerocyanine), thiazines (eg, thionine, Methylene blue, toluidine blue), acridines (eg acridine orange, chloroflavin, acriflavine, 9-phenylacridine, 1,7-bis (9,9′-acridinyl) heptane), anthraquinones (eg anthraquinone), squalium (Eg, squalium), acridones (eg, acridone, chloroacridone, N-methylacridone, N-butylacridone, N-butyl-chloroacridone (eg, 2-chloro-10-butylacridone) Etc.), coumarins (for example, 3- (2-benzofuroyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (2-benzofuroyl) -7- (1-pyrrolidinyl) coumarin, 3-benzoyl-7-diethylaminocoumarin, 3- ( 2-methoxybenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-dimethylaminobenzoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3,3′-carbonylbis (5,7-di-n-propoxycoumarin), 3,3 ′ -Carbonylbis (7-diethylaminocoumarin), 3-benzoyl-7-methoxy bear 3- (2-furoyl) -7-diethylaminocoumarin, 3- (4-diethylaminocinnamoyl) -7-diethylaminocoumarin, 7-methoxy-3- (3-pyridylcarbonyl) coumarin, 3-benzoyl-5 7-dipropoxycoumarin, JP-A-5-19475, JP-A-7-271028, JP-A-2002-363206, JP-A-2002-363207, JP-A-2002-363208, JP-A-2002-363209, etc. And the like, and thioxanthone compounds (thioxanthone, isopropylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 1-chloro-4-propyloxythioxanthone, Quantacure QTX, etc.) and the like. , Aromatic rings and compounds Compounds rings are condensed (fused ring compounds), as well as amine compounds substituted with either of at least two aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocyclic rings are preferred.

前記縮環系化合物の中でも、ヘテロ縮環系ケトン化合物(アクリドン系化合物、チオキサントン系化合物、クマリン系化合物等)、及びアクリジン系化合物がより好ましい。前記ヘテロ縮環系ケトン化合物の中でも、アクリドン化合物及びチオキサントン化合物が特に好ましい。   Among the condensed ring compounds, hetero-fused ketone compounds (acridone compounds, thioxanthone compounds, coumarin compounds, etc.) and acridine compounds are more preferable. Among the hetero-fused ketone compounds, an acridone compound and a thioxanthone compound are particularly preferable.

前記少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物は、330〜450nmの波長域の光に対して吸収極大を有する増感剤であることが好ましく、例えば、ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、及びカルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノ−ベンゼン系化合物、並びに、少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等のジ置換アミノ−ベンゼンを部分構造として有する化合物が挙げられる。   The amine compound substituted with any one of the at least two aromatic hydrocarbon rings and the aromatic heterocyclic ring is preferably a sensitizer having an absorption maximum with respect to light in a wavelength region of 330 to 450 nm, For example, a disubstituted aminobenzophenone compound, a disubstituted amino-benzene compound having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom at the para position relative to an amino group on the benzene ring, Disubstituted amino-benzene compounds having a substituent containing a sulfonylimino group at the carbon atom at the position, disubstituted amino-benzene compounds having a carbostyryl skeleton, and at least two aromatic rings on the nitrogen atom Examples thereof include compounds having a di-substituted amino-benzene as a partial structure, such as a compound having a bonded structure.

〔ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物〕
前記ジ置換アミノベンゾフェノン系化合物としては、下記一般式(I)で表される化合物が好ましい。
[Disubstituted aminobenzophenone compounds]
As the di-substituted aminobenzophenone compound, a compound represented by the following general formula (I) is preferable.

ただし、前記一般式(I)中、R、R、R、及びRは、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R、R、R、R、及びR〜R12は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。RとR、RとR、RとR、RとR、RとR、及びRとRは、それぞれ独立して、含窒素複素環を形成していてもよい。 In the general formula (I), R 1, R 2, R 5, and R 6 each independently represent any one of an aliphatic group and an aromatic group, R 3, R 4, R 7 , R 8 , and R 9 to R 12 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 1 and R 2 , R 5 and R 6 , R 1 and R 3 , R 2 and R 4 , R 5 and R 7 , and R 6 and R 8 each independently form a nitrogen-containing heterocycle. It may be.

なお、前記一般式(I)中、前記脂肪族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基を表し、前記芳香族基は、それぞれ置換基を有していてもよいアリール基、複素環(ヘテロ環)基を表し、前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基を表す。   In the general formula (I), the aliphatic group represents an alkyl group, an alkenyl group, or an alkynyl group that may have a substituent, and the aromatic group has a substituent. Represents an aryl group or a heterocyclic (heterocyclic) group, and the monovalent substituent may be a halogen atom, an amino group which may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, or a thiol group. , A thioether group, a silyl group, a nitro group, a cyano group, and an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, and a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記芳香族基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、中でも、フェニル基、ナフチル基が特に好ましい。
また、これらの芳香族基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものなどを挙げることができる。
Examples of the aromatic group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include phenyl Groups, naphthyl groups, anthryl groups, phenanthryl groups, indenyl groups, acenaphthenyl groups, and fluorenyl groups. Among them, phenyl groups and naphthyl groups are particularly preferable.
In addition, these aromatic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

また、前記複素環(ヘテロ環)基としては、ピロール環基、フラン環基、チオフェン環基、ベンゾピロール環基、ベンゾフラン環基、ベンゾチオフェン環基、ピラゾール環基、イソキサゾール環基、イソチアゾール環基、インダゾール環基、ベンゾイソキサゾール環基、ベンゾイソチアゾール環基、イミダゾール環基、オキサゾール環基、チアゾール環基、ベンズイミダゾール環基、ベンズオキサゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、キノリン環基、イソキノリン環基、ピリダジン環基、ピリミジン環基、ピラジン環基、フタラジン環基、キナゾリン環基、キノキサリン環基、アシリジン環基、フェナントリジン環基、カルバゾール環基、プリン環基、ピラン環基、ピペリジン環基、ピペラジン環基、モルホリン環基、インドール環基、インドリジン環基、クロメン環基、シンノリン環基、アクリジン環基、フェノチアジン環基、テトラゾール環基、トリアジン環基等が挙げられ、中でも、フラン環基、チオフェン環基、イミダゾール環基、チアゾール環基、ベンゾチアゾール環基、ピリジン環基、インドール環基、アクリジン環基が特に好ましい。
また、これらの複素環基は置換基を有していてもよく、そのような置換基としては、水素原子を除く1価の非金属原子団からなる基が挙げられる。例えば、後述のアルキル基、置換アルキル基、又は置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
The heterocyclic (heterocyclic) group includes a pyrrole ring group, a furan ring group, a thiophene ring group, a benzopyrrole ring group, a benzofuran ring group, a benzothiophene ring group, a pyrazole ring group, an isoxazole ring group, and an isothiazole ring. Group, indazole ring group, benzisoxazole ring group, benzoisothiazole ring group, imidazole ring group, oxazole ring group, thiazole ring group, benzimidazole ring group, benzoxazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, Quinoline ring group, isoquinoline ring group, pyridazine ring group, pyrimidine ring group, pyrazine ring group, phthalazine ring group, quinazoline ring group, quinoxaline ring group, acylidine ring group, phenanthridine ring group, carbazole ring group, purine ring group, Pyran ring group, piperidine ring group, piperazine ring group, morpholine ring group, India Ring group, indolizine ring group, chromene ring group, cinnoline ring group, acridine ring group, phenothiazine ring group, tetrazole ring group, triazine ring group, etc., among which furan ring group, thiophene ring group, imidazole ring group , Thiazole ring group, benzothiazole ring group, pyridine ring group, indole ring group, and acridine ring group are particularly preferable.
Moreover, these heterocyclic groups may have a substituent, and examples of such a substituent include a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. For example, what was shown as a substituent in the below-mentioned alkyl group, a substituted alkyl group, or a substituted alkyl group can be mentioned.

前記1価の置換基としては、ハロゲン原子、置換基を有しても良いアミノ基、アルコキシカルボニル基、水酸基、エーテル基、チオール基、チオエーテル基、シリル基、ニトロ基、シアノ基、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   Examples of the monovalent substituent include a halogen atom, an amino group that may have a substituent, an alkoxycarbonyl group, a hydroxyl group, an ether group, a thiol group, a thioether group, a silyl group, a nitro group, and a cyano group. An alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group or a heterocyclic group which may have a hydrogen atom is preferred.

また、前記非金属原子からなる1価の置換基としては、それぞれ置換基を有していてもよいアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基が好ましい。   In addition, the monovalent substituent composed of the nonmetal atom is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, an aryl group, or a heterocyclic group, each of which may have a substituent.

前記置換基を有していてもよいアルキル基としては、炭素原子数が1から20までの直鎖状、分岐状、および環状のアルキル基を挙げることができ、その具体例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、エイコシル基、イソプロピル基、イソブチル基、s−ブチル基、t−ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、1−メチルブチル基、イソヘキシル基、2−エチルヘキシル基、2−メチルヘキシル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、2−ノルボルニル基を挙げることができる。これらの中では、炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状、並びに炭素原子数5から10までの環状のアルキル基がより好ましい。   Examples of the alkyl group that may have a substituent include linear, branched, and cyclic alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms. Specific examples thereof include a methyl group. , Ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, tridecyl, hexadecyl, octadecyl, eicosyl, isopropyl, isobutyl A group, s-butyl group, t-butyl group, isopentyl group, neopentyl group, 1-methylbutyl group, isohexyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclohexyl group, cyclopentyl group, 2-norbornyl group Can do. Of these, linear alkyl groups having 1 to 12 carbon atoms, branched alkyl groups having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkyl groups having 5 to 10 carbon atoms are more preferable.

前記置換基を有していてもよいアルキル基の置換基としては、水素原子を除く一価の非金属原子からなる置換基が挙げられ、好ましい例としては、ハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、ヒドロキシル基、アルコキシ基、アリーロキシ基、メルカプト基、アルキルチオ基、アリールチオ基、アルキルジチオ基、アリールジチオ基、アミノ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、アシルチオ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、スルホ基(−SOH)及びその共役塩基基(スルホナト基と称す)、アルコキシスルホニル基、アリーロキシスルホニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィイナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N,N−ジアリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基(−PO)およびその共役塩基基(ホスホナト基と称す)、ジアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))「alkyl=アルキル基、以下同」、ジアリールホスホノ基(−PO(aryl))「aryl=アリール基、以下同」、アルキルアリールホスホノ基(−PO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノ基(−PO(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナト基と称す)、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナト基と称す)、ホスホノオキシ基(−OPO)及びその共役塩基基(ホスホナトオキシ基と称す)、ジアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))、ジアリールホスホノオキシ基(−OPO3(aryl))、アルキルアリールホスホノオキシ基(−OPO(alkyl)(aryl))、モノアルキルホスホノオキシ基(−OPOH(alkyl))及びその共役塩基基(アルキルホスホナトオキシ基と称す)、モノアリールホスホノオキシ基(−OPOH(aryl))及びその共役塩基基(アリールホスホナトオキシ基と称す)、シアノ基、ニトロ基、アリール基、アルケニル基、アルキニル基、ヘテロ環基、シリル基等が挙げられる。 Examples of the substituent of the alkyl group which may have a substituent include a substituent composed of a monovalent non-metal atom excluding a hydrogen atom. Preferred examples include halogen atoms (—F, —Br, -Cl, -I), hydroxyl group, alkoxy group, aryloxy group, mercapto group, alkylthio group, arylthio group, alkyldithio group, aryldithio group, amino group, N-alkylamino group, N, N-dialkylamino group, N-arylamino group, N, N-diarylamino group, N-alkyl-N-arylamino group, acyloxy group, carbamoyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, N, N-dialkyl Carbamoyloxy group, N, N-diarylcarbamoyloxy group, N-alkyl-N-arylcal Moyloxy group, alkylsulfoxy group, arylsulfoxy group, acylthio group, acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkyl Ureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N -Alkylureido group, N'-alkyl-N-arylureido group, N ', N'-dialkyl-N-alkylureido group, N', N'-dialkyl-N-arylureido group, N'-aryl-N -Alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N ', N'-diaryl-N-alkylureido group, N', N'-diary Ru-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxycarbonylamino group N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group, formyl group, Acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl- N-arylcarbamoyl group, al Killsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl group, arylsulfonyl group, sulfo group (—SO 3 H) and its conjugate base group (referred to as sulfonate group), alkoxysulfonyl group, aryloxysulfonyl group, sulfinamoyl group, N— Alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfamoyl group, N-arylsulfamoyl group, N, N-diarylsulfamoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group (-PO 3 H 2) and its conjugated base group (a phosphonato And referred), a dialkyl phosphono group (-PO 3 (alkyl) 2) "alkyl = alkyl group, hereinafter the" diarylphosphono group (-PO 3 (aryl) 2) "aryl = aryl group, hereinafter the same", An alkylarylphosphono group (—PO 3 (alkyl) (aryl)), a monoalkylphosphono group (—PO 3 (alkyl)) and a conjugate base group thereof (referred to as an alkylphosphonate group), a monoarylphosphono group ( -PO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonate group), phosphonooxy group (—OPO 3 H 2 ) and its conjugate base group (referred to as phosphonatoxy group), dialkylphosphonooxy group (— OPO 3 H (alkyl) 2) , diaryl phosphono group (-OPO 3 (aryl) 2) , alkylaryl Phosphonooxy group (-OPO 3 (alkyl) (aryl)), monoalkyl phosphono group (-OPO 3 H (alkyl)) and (referred to as alkylphosphonato group) a conjugate base group thereof, monoarylphosphono group (—OPO 3 H (aryl)) and its conjugate base group (referred to as arylphosphonatoxy group), cyano group, nitro group, aryl group, alkenyl group, alkynyl group, heterocyclic group, silyl group and the like.

これらの置換基におけるアルキル基の具体例としては、前述のアルキル基が挙げられ、前記置換基におけるアリール基の具体例としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、クロロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、フェノキシフェニル基、アセトキシフェニル基、ベンゾイロキシフェニル基、メチルチオフェニル基、フェニルチオフェニル基、メチルアミノフェニル基、ジメチルアミノフェニル基、アセチルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、エトキシフェニルカルボニル基、フェノキシカルボニルフェニル基、N−フェニルカルバモイルフェニル基、シアノフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基等が挙げられる。   Specific examples of the alkyl group in these substituents include the above-described alkyl groups, and specific examples of the aryl group in the substituent include a phenyl group, a biphenyl group, a naphthyl group, a tolyl group, a xylyl group, and a mesityl group. , Cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, chloromethylphenyl group, hydroxyphenyl group, methoxyphenyl group, ethoxyphenyl group, phenoxyphenyl group, acetoxyphenyl group, benzoyloxyphenyl group, methylthiophenyl group, phenylthiophenyl group , Methylaminophenyl group, dimethylaminophenyl group, acetylaminophenyl group, carboxyphenyl group, methoxycarbonylphenyl group, ethoxyphenylcarbonyl group, phenoxycarbonylphenyl group, N-phenylcarbamoylpheny Group, cyanophenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, phosphonophenyl group, phosphate Hona preparative phenyl group.

また、前記置換基におけるアルケニル基の例としては、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、シンナミル基、2−クロロ−1−エテニル基等が挙げられ、前記置換基におけるアルキニル基の例としては、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基等が挙げられる。
前記置換基におけるヘテロ環基としては、例えば、ピリジル基、ピペリジニル基、などが挙げられる。
前記置換基におけるシリル基としてはトリメチルシリル基等が挙げられる。
前記置換基にはアシル基(R01CO−)を含んでいてもよく、該アシル基としては、該R01が、例えば、水素原子、上記のアルキル基、アリール基のものなどが挙げられる。
Examples of the alkenyl group in the substituent include a vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, cinnamyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, and the like. Examples of the alkynyl group in the substituent Examples thereof include an ethynyl group, a 1-propynyl group, a 1-butynyl group, and a trimethylsilylethynyl group.
Examples of the heterocyclic group in the substituent include a pyridyl group and a piperidinyl group.
Examples of the silyl group in the substituent include a trimethylsilyl group.
The substituent may contain an acyl group (R 01 CO—), and examples of the acyl group include those in which R 01 is a hydrogen atom, the above alkyl group, or an aryl group.

アシル基(R01CO−)のR01としては、水素原子、並びに前記アルキル基、アリール基を挙げることができる。これらの置換基の内、さらにより好ましいものとしてはハロゲン原子(−F、−Br、−Cl、−I)、アルコキシ基、アリーロキシ基、アルキルチオ基、アリールチオ基、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、アシルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、アシルアミノ基、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N−アルキル−N−アリールカルバモイル基、スルホ基、スルホナト基、スルファモイル基、N−アルキルスルファモイル基、N,N−ジアルキルスルファモイル基、N−アリールスルファモイル基、N−アルキル−N−アリールスルファモイル基、ホスホノ基、ホスホナト基、ジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、アルキルホスホナト基、モノアリールホスホノ基、アリールホスホナト基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基、アリール基、アルケニル基が挙げられる。 Examples of R 01 of the acyl group (R 01 CO—) include a hydrogen atom, and the alkyl group and aryl group. Among these substituents, halogen atoms (—F, —Br, —Cl, —I), alkoxy groups, aryloxy groups, alkylthio groups, arylthio groups, N-alkylamino groups, N, N are more preferable. -Dialkylamino group, acyloxy group, N-alkylcarbamoyloxy group, N-arylcarbamoyloxy group, acylamino group, formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group Group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N-alkyl-N-arylcarbamoyl group, sulfo group, sulfonate group, sulfamoyl group, N-alkylsulfamoyl group, N, N-dialkylsulfa group Moyl group, N-arylsulfur Amoyl group, N-alkyl-N-arylsulfamoyl group, phosphono group, phosphonato group, dialkylphosphono group, diarylphosphono group, monoalkylphosphono group, alkylphosphonato group, monoarylphosphono group, arylphospho Examples thereof include a nato group, a phosphonooxy group, a phosphonatooxy group, an aryl group, and an alkenyl group.

一方、置換アルキル基におけるアルキレン基としては前述の炭素数1から20までのアルキル基上の水素原子のいずれか1つを除し、2価の有機残基としたものを挙げることができ、好ましくは炭素原子数1から12までの直鎖状、炭素原子数3から12までの分岐状ならびに炭素原子数5から10までの環状のアルキレン基を挙げることができる。このような置換基とアルキレン基を組み合わせることで得られる置換アルキル基の、好ましい具体例としては、クロロメチル基、ブロモメチル基、2−クロロエチル基、トリフルオロメチル基、メトキシメチル基、イソプロポキシメチル基、ブトキシメチル基、s−ブトキシブチル基、メトキシエトキシエチル基、アリルオキシメチル基、フェノキシメチル基、メチルチオメチル基、トリルチオメチル基、ピリジルメチル基、テトラメチルピペリジニルメチル基、N−アセチルテトラメチルピペリジニルメチル基、トリメチルシリルメチル基、メトキシエチル基、エチルアミノエチル基、ジエチルアミノプロピル基、モルホリノプロピル基、アセチルオキシメチル基、ベンゾイルオキシメチル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシエチル基、N−フェニルカルバモイルオキシエチル基、アセチルアミノエチル基、N−メチルベンゾイルアミノプロピル基、2−オキソエチル基、2−オキソプロピル基、カルボキシプロピル基、メトキシカルボニルエチル基、アリルオキシカルボニルブチル基、クロロフェノキシカルボニルメチル基、カルバモイルメチル基、N−メチルカルバモイルエチル基、N,N−ジプロピルカルバモイルメチル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルエチル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルメチル基、スルホブチル基、スルホナトブチル基、スルファモイルブチル基、N−エチルスルファモイルメチル基、N,N−ジプロピルスルファモイルプロピル基、N−トリルスルファモイルプロピル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルオクチル基、ホスホノブチル基、ホスホナトヘキシル基、ジエチルホスホノブチル基、ジフェニルホスホノプロピル基、メチルホスホノブチル基、メチルホスホナトブチル基、トリルホスホノヘキシル基、トリルホスホナトヘキシル基、ホスホノオキシプロピル基、ホスホナトオキシブチル基、ベンジル基、フェネチル基、α−メチルベンジル基、1−メチル−1−フェニルエチル基、p−メチルベンジル基、シンナミル基、アリル基、1−プロペニルメチル基、2−ブテニル基、2−メチルアリル基、2−メチルプロペニルメチル基、2−プロピニル基、2−ブチニル基、3−ブチニル基等が挙げられる。   On the other hand, examples of the alkylene group in the substituted alkyl group include divalent organic residues obtained by removing any one of the hydrogen atoms on the alkyl group having 1 to 20 carbon atoms. Can include linear alkylene groups having 1 to 12 carbon atoms, branched chains having 3 to 12 carbon atoms, and cyclic alkylene groups having 5 to 10 carbon atoms. Preferable specific examples of the substituted alkyl group obtained by combining such a substituent and an alkylene group include a chloromethyl group, a bromomethyl group, a 2-chloroethyl group, a trifluoromethyl group, a methoxymethyl group, and an isopropoxymethyl group. , Butoxymethyl group, s-butoxybutyl group, methoxyethoxyethyl group, allyloxymethyl group, phenoxymethyl group, methylthiomethyl group, tolylthiomethyl group, pyridylmethyl group, tetramethylpiperidinylmethyl group, N-acetyltetra Methylpiperidinylmethyl group, trimethylsilylmethyl group, methoxyethyl group, ethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group, morpholinopropyl group, acetyloxymethyl group, benzoyloxymethyl group, N-cyclohexylcarbamoyloxyethyl Group, N-phenylcarbamoyloxyethyl group, acetylaminoethyl group, N-methylbenzoylaminopropyl group, 2-oxoethyl group, 2-oxopropyl group, carboxypropyl group, methoxycarbonylethyl group, allyloxycarbonylbutyl group, chloro Phenoxycarbonylmethyl group, carbamoylmethyl group, N-methylcarbamoylethyl group, N, N-dipropylcarbamoylmethyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylethyl group, N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylmethyl group, Sulfobutyl group, sulfonatobutyl group, sulfamoylbutyl group, N-ethylsulfamoylmethyl group, N, N-dipropylsulfamoylpropyl group, N-tolylsulfamoylpropyl group, N-methyl-N- (phosphonov Nyl) sulfamoyloctyl group, phosphonobutyl group, phosphonatohexyl group, diethylphosphonobutyl group, diphenylphosphonopropyl group, methylphosphonobutyl group, methylphosphonatobutyl group, tolylphosphonohexyl group, tolylphosphonatohexyl Group, phosphonooxypropyl group, phosphonatoxybutyl group, benzyl group, phenethyl group, α-methylbenzyl group, 1-methyl-1-phenylethyl group, p-methylbenzyl group, cinnamyl group, allyl group, 1- Examples include a propenylmethyl group, a 2-butenyl group, a 2-methylallyl group, a 2-methylpropenylmethyl group, a 2-propynyl group, a 2-butynyl group, and a 3-butynyl group.

前記アリール基としては、1個から3個のベンゼン環が縮合環を形成したもの、ベンゼン環と5員不飽和環が縮合環を形成したものを挙げることができ、具体例としては、フェニル基、ナフチル基、アントリル基、フェナントリル基、インデニル基、アセナフテニル基、フルオレニル基を挙げることができ、これらのなかでは、フェニル基、ナフチル基がより好ましい。
前記置換アリール基としては、前述のアリール基の環形成炭素原子上に置換基として、水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基を有するものが用いられる。好ましい置換基の例としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびに、先に置換アルキル基における置換基として示したものを挙げることができる。
Examples of the aryl group include those in which 1 to 3 benzene rings form a condensed ring, and those in which a benzene ring and a 5-membered unsaturated ring form a condensed ring. Specific examples include a phenyl group , A naphthyl group, an anthryl group, a phenanthryl group, an indenyl group, an acenaphthenyl group, and a fluorenyl group. Among these, a phenyl group and a naphthyl group are more preferable.
As the substituted aryl group, those having a group consisting of a monovalent non-metallic atomic group excluding a hydrogen atom as a substituent on the ring-forming carbon atom of the aforementioned aryl group are used. Examples of preferred substituents include the alkyl groups, substituted alkyl groups, and those previously shown as substituents in the substituted alkyl group.

前記置換アリール基の好ましい具体例としては、ビフェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、クメニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基、クロロメチルフェニル基、トリフルオロメチルフェニル基、ヒドロキシフェニル基、メトキシフェニル基、メトキシエトキシフェニル基、アリルオキシフェニル基、フェノキシフェニル基、メチルチオフェニル基、トリルチオフェニル基、エチルアミノフェニル基、ジエチルアミノフェニル基、モルホリノフェニル基、アセチルオキシフェニル基、ベンゾイルオキシフェニル基、N−シクロヘキシルカルバモイルオキシフェニル基、N−フェニルカルバモイルオキシフェニル基、アセチルアミノフェニル基、N−メチルベンゾイルアミノフェニル基、カルボキシフェニル基、メトキシカルボニルフェニル基、アリルオキシカルボニルフェニル基、クロロフェノキシカルボニルフェニル基、カルバモイルフェニル基、N−メチルカルバモイルフェニル基、N,N−ジプロピルカルバモイルフェニル基、N−(メトキシフェニル)カルバモイルフェニル基、N−メチル−N−(スルホフェニル)カルバモイルフェニル基、スルホフェニル基、スルホナトフェニル基、スルファモイルフェニル基、N−エチルスルファモイルフェニル基、N,N−ジプロピルスルファモイルフェニル基、N−トリルスルファモイルフェニル基、N−メチル−N−(ホスホノフェニル)スルファモイルフェニル基、ホスホノフェニル基、ホスホナトフェニル基、ジエチルホスホノフェニル基、ジフェニルホスホノフェニル基、メチルホスホノフェニル基、メチルホスホナトフェニル基、トリルホスホノフェニル基、トリルホスホナトフェニル基、アリルフェニル基、1−プロペニルメチルフェニル基、2−ブテニルフェニル基、2−メチルアリルフェニル基、2−メチルプロペニルフェニル基、2−プロピニルフェニル基、2−ブチニルフェニル基、3−ブチニルフェニル基等を挙げることができる。   Preferred examples of the substituted aryl group include biphenyl group, tolyl group, xylyl group, mesityl group, cumenyl group, chlorophenyl group, bromophenyl group, fluorophenyl group, chloromethylphenyl group, trifluoromethylphenyl group, hydroxyphenyl. Group, methoxyphenyl group, methoxyethoxyphenyl group, allyloxyphenyl group, phenoxyphenyl group, methylthiophenyl group, tolylthiophenyl group, ethylaminophenyl group, diethylaminophenyl group, morpholinophenyl group, acetyloxyphenyl group, benzoyloxyphenyl Group, N-cyclohexylcarbamoyloxyphenyl group, N-phenylcarbamoyloxyphenyl group, acetylaminophenyl group, N-methylbenzoylaminophenyl group, Nyl group, methoxycarbonylphenyl group, allyloxycarbonylphenyl group, chlorophenoxycarbonylphenyl group, carbamoylphenyl group, N-methylcarbamoylphenyl group, N, N-dipropylcarbamoylphenyl group, N- (methoxyphenyl) carbamoylphenyl group N-methyl-N- (sulfophenyl) carbamoylphenyl group, sulfophenyl group, sulfonatophenyl group, sulfamoylphenyl group, N-ethylsulfamoylphenyl group, N, N-dipropylsulfamoylphenyl group, N-tolylsulfamoylphenyl group, N-methyl-N- (phosphonophenyl) sulfamoylphenyl group, phosphonophenyl group, phosphonatophenyl group, diethylphosphonophenyl group, diphenylphosphonophenyl group, methyl Phosphonophenyl group, methylphosphonatophenyl group, tolylphosphonophenyl group, tolylphosphonatophenyl group, allylphenyl group, 1-propenylmethylphenyl group, 2-butenylphenyl group, 2-methylallylphenyl group, 2- Examples thereof include a methylpropenylphenyl group, a 2-propynylphenyl group, a 2-butynylphenyl group, and a 3-butynylphenyl group.

前記アルケニル基、前記置換アルケニル基、前記アルキニル基、及び前記置換アルキニル基(−C(R02)=C(R03)(R04)、及び−C≡C(R05))としては、R02、R03、R04、R05が一価の非金属原子からなる基のものが使用できる。
02、R03、R04、R05としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、置換アルキル基、アリール基、及び置換アリール基が好ましく、これらの具体例としては、前述の例として示したものを挙げることができる。これらの中でも、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1から10までの直鎖状、分岐状、環状のアルキル基がより好ましい。
具体的には、ビニル基、1−プロペニル基、1−ブテニル基、1−ペンテニル基、1−ヘキセニル基、1−オクテニル基、1−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−プロペニル基、2−メチル−1−ブテニル基、2−フェニル−1−エテニル基、2−クロロ−1−エテニル基、エチニル基、1−プロピニル基、1−ブチニル基、フェニルエチニル基等が挙げられる。
ヘテロ環基としては、置換アルキル基の置換基として例示したピリジル基等が挙げられる。
Examples of the alkenyl group, the substituted alkenyl group, the alkynyl group, and the substituted alkynyl group (-C (R 02 ) = C (R 03 ) (R 04 ) and -C≡C (R 05 )) include R A group in which 02 , R 03 , R 04 and R 05 are monovalent non-metallic atoms can be used.
R 02 , R 03 , R 04 , and R 05 are preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, and a substituted aryl group, and specific examples thereof are shown in the above examples. Things can be mentioned. Among these, a hydrogen atom, a halogen atom, and a linear, branched, or cyclic alkyl group having 1 to 10 carbon atoms are more preferable.
Specifically, vinyl group, 1-propenyl group, 1-butenyl group, 1-pentenyl group, 1-hexenyl group, 1-octenyl group, 1-methyl-1-propenyl group, 2-methyl-1-propenyl group 2-methyl-1-butenyl group, 2-phenyl-1-ethenyl group, 2-chloro-1-ethenyl group, ethynyl group, 1-propynyl group, 1-butynyl group, phenylethynyl group and the like.
Examples of the heterocyclic group include the pyridyl group exemplified as the substituent of the substituted alkyl group.

上記置換オキシ基(R06O−)としては、R06が水素原子を除く一価の非金属原子からなる基であるものを用いることができる。好ましい置換オキシ基としては、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、カルバモイルオキシ基、N−アルキルカルバモイルオキシ基、N−アリールカルバモイルオキシ基、N,N−ジアルキルカルバモイルオキシ基、N,N−ジアリールカルバモイルオキシ基、N−アルキル−N−アリールカルバモイルオキシ基、アルキルスルホキシ基、アリールスルホキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、ならびにアリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基ならびに、アリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。また、アシルオキシ基におけるアシル基(R07CO−)としては、R07が、先の例として挙げたアルキル基、置換アルキル基、アリール基ならびに置換アリール基のものを挙げることができる。これらの置換基の中では、アルコキシ基、アリーロキシ基、アシルオキシ基、アリールスルホキシ基がより好ましい。好ましい置換オキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブチルオキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、ドデシルオキシ基、ベンジルオキシ基、アリルオキシ基、フェネチルオキシ基、カルボキシエチルオキシ基、メトキシカルボニルエチルオキシ基、エトキシカルボニルエチルオキシ基、メトキシエトキシ基、フェノキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、モルホリノエトキシ基、モルホリノプロピルオキシ基、アリロキシエトキシエトキシ基、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、メシチルオキシ基、メシチルオキシ基、クメニルオキシ基、メトキシフェニルオキシ基、エトキシフェニルオキシ基、クロロフェニルオキシ基、ブロモフェニルオキシ基、アセチルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、ナフチルオキシ基、フェニルスルホニルオキシ基、ホスホノオキシ基、ホスホナトオキシ基等が挙げられる。 As the substituted oxy group (R 06 O—), a group in which R 06 is a group composed of a monovalent nonmetallic atom excluding a hydrogen atom can be used. Preferred substituted oxy groups include alkoxy groups, aryloxy groups, acyloxy groups, carbamoyloxy groups, N-alkylcarbamoyloxy groups, N-arylcarbamoyloxy groups, N, N-dialkylcarbamoyloxy groups, N, N-diarylcarbamoyloxy groups. Groups, N-alkyl-N-arylcarbamoyloxy groups, alkylsulfoxy groups, arylsulfoxy groups, phosphonooxy groups, and phosphonatoxy groups. Examples of the alkyl group and aryl group in these include the alkyl groups, substituted alkyl groups, aryl groups, and substituted aryl groups described above. Examples of the acyl group (R 07 CO—) in the acyloxy group include those in which R 07 is an alkyl group, a substituted alkyl group, an aryl group, or a substituted aryl group mentioned above. Among these substituents, an alkoxy group, an aryloxy group, an acyloxy group, and an arylsulfoxy group are more preferable. Specific examples of preferred substituted oxy groups include methoxy, ethoxy, propyloxy, isopropyloxy, butyloxy, pentyloxy, hexyloxy, dodecyloxy, benzyloxy, allyloxy, phenethyloxy, Carboxyethyloxy group, methoxycarbonylethyloxy group, ethoxycarbonylethyloxy group, methoxyethoxy group, phenoxyethoxy group, methoxyethoxyethoxy group, ethoxyethoxyethoxy group, morpholinoethoxy group, morpholinopropyloxy group, allyloxyethoxyethoxy group, Phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, mesityloxy group, mesityloxy group, cumenyloxy group, methoxyphenyloxy group, ethoxyphenyloxy group, chlorophenyl Alkoxy group, bromophenyl group, acetyloxy group, benzoyloxy group, naphthyloxy group, a phenylsulfonyloxy group, a phosphonooxy group, phosphonatoxy group, and the like.

アミド基も含む置換アミノ基(R08NH−、(R09)(R010)N−)としては、R08、R09、R010が水素原子を除く一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。なおR09とR010とは結合して環を形成してもよい。置換アミノ基の好ましい例としては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、N,N−ジアリールアミノ基、N−アルキル−N−アリールアミノ基、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基、ウレイド基、N’−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキルウレイド基、N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N−アルキルウレイド基、N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリールウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアルキル−N’−アリールウレイド基、N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アリール−N−アリールウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アルキルウレイド基、N’,N’−ジアリール−N−アリールウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アルキルウレイド基、N’−アルキル−N’−アリール−N−アリールウレイド基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アルキル−N−アリーロキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アルコキシカルボニルアミノ基、N−アリール−N−アリーロキシカルボニルアミノ基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができ、アシルアミノ基、N−アルキルアシルアミノ基、N−アリールアシルアミノ基おけるアシル基(R07CO−)のR07は前述のとおりである。これらの内、より好ましいものとしては、N−アルキルアミノ基、N,N−ジアルキルアミノ基、N−アリールアミノ基、アシルアミノ基が挙げられる。好ましい置換アミノ基の具体例としては、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、モルホリノ基、ピペリジノ基、ピロリジノ基、フェニルアミノ基、ベンゾイルアミノ基、アセチルアミノ基等が挙げられる。 As the substituted amino group (R 08 NH—, (R 09 ) (R 010 ) N—) including an amide group, R 08 , R 09 , and R 010 are a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group excluding a hydrogen atom. Can be used. R 09 and R 010 may be bonded to form a ring. Preferred examples of the substituted amino group include an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, an N, N-diarylamino group, an N-alkyl-N-arylamino group, an acylamino group, N-alkylacylamino group, N-arylacylamino group, ureido group, N′-alkylureido group, N ′, N′-dialkylureido group, N′-arylureido group, N ′, N′-diarylureido group N′-alkyl-N′-arylureido group, N-alkylureido group, N-arylureido group, N′-alkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-arylureido group, N ′, N′-dialkyl-N-alkylureido group, N ′, '-Dialkyl-N'-arylureido group, N'-aryl-N-alkylureido group, N'-aryl-N-arylureido group, N', N'-diaryl-N-alkylureido group, N ', N′-diaryl-N-arylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-alkylureido group, N′-alkyl-N′-aryl-N-arylureido group, alkoxycarbonylamino group, aryloxy A carbonylamino group, an N-alkyl-N-alkoxycarbonylamino group, an N-alkyl-N-aryloxycarbonylamino group, an N-aryl-N-alkoxycarbonylamino group, and an N-aryl-N-aryloxycarbonylamino group. Can be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group, such as acylamino group, N-alkylacylamino group, and N-arylacylamino. R 07 groups definitive acyl group (R 07 CO-) are as described above. Of these, more preferred are an N-alkylamino group, an N, N-dialkylamino group, an N-arylamino group, and an acylamino group. Specific examples of preferred substituted amino groups include methylamino group, ethylamino group, diethylamino group, morpholino group, piperidino group, pyrrolidino group, phenylamino group, benzoylamino group, acetylamino group and the like.

置換スルホニル基(R011−SO2−)としては、R011が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。より好ましい例としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を挙げることができる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。このような、置換スルホニル基の具体例としては、ブチルスルホニル基、フェニルスルホニル基、クロロフェニルスルホニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfonyl group (R 011 —SO 2 —), those in which R 011 is a group composed of a monovalent nonmetallic atomic group can be used. More preferable examples include an alkylsulfonyl group and an arylsulfonyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Specific examples of such a substituted sulfonyl group include a butylsulfonyl group, a phenylsulfonyl group, a chlorophenylsulfonyl group, and the like.

スルホナト基(−SO )は前述のとおり、スルホ基(−SOH)の共役塩基陰イオン基を意味し、通常は対陽イオンとともに使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the sulfonate group (—SO 3 ) means a conjugated base anion group of the sulfo group (—SO 3 H), and is usually preferably used together with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換カルボニル基(R013−CO−)としては、R013が一価の非金属原子からなる基のものを使用できる。置換カルボニル基の好ましい例としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基、N,N−ジアリールカルバモイル基、N−アルキル−N’−アリールカルバモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい置換カルボニル基としては、ホルミル基、アシル基、カルボキシル基、アルコキシカルボニル基、アリーロキシカルボニル基、カルバモイル基、N−アルキルカルバモイル基、N,N−ジアルキルカルバモイル基、N−アリールカルバモイル基が挙げられ、さらにより好ましいものとしては、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基ならびにアリーロキシカルボニル基が挙げられる。好ましい置換カルボニル基の具体例としては、ホルミル基、アセチル基、ベンゾイル基、カルボキシル基、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、アリルオキシカルボニル基、ジメチルアミノフェニルエテニルカルボニル基、メトキシカルボニルメトキシカルボニル基、N−メチルカルバモイル基、N−フェニルカルバモイル基、N,N−ジエチルカルバモイル基、モルホリノカルボニル基等が挙げられる。 As the substituted carbonyl group (R 013 —CO—), a group in which R 013 is a monovalent nonmetallic atom can be used. Preferred examples of the substituted carbonyl group include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-arylcarbamoyl group, N, N-diarylcarbamoyl group, N-alkyl-N′-arylcarbamoyl group may be mentioned. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Among these, more preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acyl group, carboxyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, carbamoyl group, N-alkylcarbamoyl group, N, N-dialkylcarbamoyl group, N-ary. A rucarbamoyl group can be mentioned, and even more preferred are a formyl group, an acyl group, an alkoxycarbonyl group and an aryloxycarbonyl group. Specific examples of preferred substituted carbonyl groups include formyl group, acetyl group, benzoyl group, carboxyl group, methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, allyloxycarbonyl group, dimethylaminophenylethenylcarbonyl group, methoxycarbonylmethoxycarbonyl group, N -Methylcarbamoyl group, N-phenylcarbamoyl group, N, N-diethylcarbamoyl group, morpholinocarbonyl group and the like.

置換スルフィニル基(R014−SO−)としてはR014が一価の非金属原子団からなる基のものを使用できる。好ましい例としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、スルフィナモイル基、N−アルキルスルフィナモイル基、N,N−ジアルキルスルフィナモイル基、N−アリールスルフィナモイル基、N,N−ジアリールスルフィナモイル基、N−アルキル−N−アリールスルフィナモイル基が挙げられる。これらにおけるアルキル基、アリール基としては前述のアルキル基、置換アルキル基、ならびにアリール基、置換アリール基として示したものを挙げることができる。これらの内、より好ましい例としてはアルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基が挙げられる。このような置換スルフィニル基の具体例としては、ヘキシルスルフィニル基、ベンジルスルフィニル基、トリルスルフィニル基等が挙げられる。 As the substituted sulfinyl group (R 014 —SO—), a group in which R 014 is a monovalent nonmetallic atomic group can be used. Preferable examples include alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, sulfinamoyl group, N-alkylsulfinamoyl group, N, N-dialkylsulfinamoyl group, N-arylsulfinamoyl group, N, N-diarylsulfinamoyl. Group, N-alkyl-N-arylsulfinamoyl group. Examples of the alkyl group and aryl group in these include those described above as the alkyl group, substituted alkyl group, aryl group, and substituted aryl group. Of these, more preferred examples include an alkylsulfinyl group and an arylsulfinyl group. Specific examples of such a substituted sulfinyl group include a hexylsulfinyl group, a benzylsulfinyl group, and a tolylsulfinyl group.

置換ホスホノ基とはホスホノ基上の水酸基の一つもしくは二つが他の有機オキソ基によって置換されたものを意味し、好ましい例としては、前述のジアルキルホスホノ基、ジアリールホスホノ基、アルキルアリールホスホノ基、モノアルキルホスホノ基、モノアリールホスホノ基が挙げられる。これらの中ではジアルキルホスホノ基、ならびにジアリールホスホノ基がより好ましい。このような具体例としては、ジエチルホスホノ基、ジブチルホスホノ基、ジフェニルホスホノ基等が挙げられる。   The substituted phosphono group means a group in which one or two hydroxyl groups on the phosphono group are substituted with other organic oxo groups, and preferred examples thereof include the above-mentioned dialkylphosphono group, diarylphosphono group, alkylarylphospho group. Group, monoalkylphosphono group and monoarylphosphono group. Of these, dialkylphosphono groups and diarylphosphono groups are more preferred. Specific examples thereof include a diethyl phosphono group, a dibutyl phosphono group, a diphenyl phosphono group, and the like.

ホスホナト基(−PO 、−PO)とは前述のとおり、ホスホノ基(−PO)の、酸第一解離もしくは、酸第二解離に由来する共役塩基陰イオン基を意味する。通常は対陽イオンと共に使用されるのが好ましい。このような対陽イオンとしては、一般に知られるもの、すなわち、種々のオニウム類(アンモニウム類、スルホニウム類、ホスホニウム類、ヨードニウム類、アジニウム類等)、ならびに金属イオン類(Na、K、Ca2+、Zn2+等)が挙げられる。 As described above, the phosphonate group (—PO 3 H 2 , —PO 3 H ) is a conjugate base anion derived from the acid first dissociation or acid second dissociation of the phosphono group (—PO 3 H 2 ). Means group. Usually, it is preferable to use it with a counter cation. Examples of such counter cations include those generally known, that is, various oniums (ammoniums, sulfoniums, phosphoniums, iodoniums, aziniums, etc.), and metal ions (Na + , K + , Ca). 2+ , Zn 2+ and the like).

置換ホスホナト基とは前述の置換ホスホノ基の内、水酸基を一つ有機オキソ基に置換したものの共役塩基陰イオン基であり、具体例としては、前述のモノアルキルホスホノ基(−POH(alkyl))、モノアリールホスホノ基(−POH(aryl))の共役塩基が挙げられる。 Of the substituents phosphonato group foregoing substituted phosphono group, but was replaced a hydroxyl group on one organic oxo group is the conjugate base anion group, as specific examples, the aforementioned monoalkyl phosphono group (-PO 3 H ( alkyl)), and a conjugate base of a monoarylphosphono group (—PO 3 H (aryl)).

前記一般式(I)で表される化合物の具体例としては、例えば、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、及び、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (I) include, for example, 4,4′-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4′-bis (diethylamino) benzophenone, and structural formulas shown below. And the like.

〔ジ置換アミノ−ベンゼン系化合物<1>〕
前記ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物としては、前記複素環基が、窒素原子、酸素原子、及び硫黄原子を含む5員環又は6員環であるものが好ましく、縮合ベンゼン環を有する5員環がより好ましく、例えば、下記一般式(II)で表される化合物が挙げられる。
[Disubstituted amino-benzene compound <1>]
As a disubstituted amino-benzene compound having a heterocyclic group as a substituent at a para carbon atom with respect to an amino group on the benzene ring, the heterocyclic group contains a nitrogen atom, an oxygen atom, and a sulfur atom. A 5-membered ring or a 6-membered ring is preferable, and a 5-membered ring having a condensed benzene ring is more preferable, and examples thereof include compounds represented by the following general formula (II).

ただし、前記一般式(II)中、R21及びR22は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R23〜R30は、それぞれ独立して、水素原子及び1価の置換基のいずれかを表し、Xは、酸素原子、硫黄原子、ジアルキルメチレン基、イミノ基、及び脂肪族基若しくは芳香族基が置換したイミノ基のいずれかを表す。R21とR22、R21とR23、及びR22とR24は、それぞれ独立して、含窒素複素環を形成していてもよく、複素環に縮合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。 However, in said general formula (II), R <21> and R < 22 > respectively independently represents either an aliphatic group and an aromatic group, and R < 23 > -R < 30 > respectively independently represents a hydrogen atom and X represents any of monovalent substituents, and X represents any of an oxygen atom, a sulfur atom, a dialkylmethylene group, an imino group, and an imino group substituted with an aliphatic group or an aromatic group. R 21 and R 22 , R 21 and R 23 , and R 22 and R 24 may each independently form a nitrogen-containing heterocyclic ring, and the benzene ring condensed to the heterocyclic ring has a substituent. It may be.

なお、前記一般式(II)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。   In the general formula (II), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).

前記一般式(II)で表される化合物の具体例としては、例えば、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾ〔4,5〕ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾ〔6,7〕ベンゾオキサゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾチアゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾチアゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ベンゾイミダゾール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ベンゾイミダゾール、2−(p−ジメチルアミノフェニル)−3,3−ジメチル−3H−インドール、2−(p−ジエチルアミノフェニル)−3,3−ジメチル−3H−インドール、及び、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (II) include, for example, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzoxazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl). ) Benzo [4,5] benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzo [6,7] benzoxazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) benzothiazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzothiazole 2- (p-dimethylaminophenyl) benzimidazole, 2- (p-diethylaminophenyl) benzimidazole, 2- (p-dimethylaminophenyl) -3,3-dimethyl-3H-indole, 2- (p-diethylamino) Phenyl) -3,3-dimethyl-3H-indole and below And compounds represented by the structural formulas shown below.

一方、ベンゼン環上のアミノ基に対してパラ位の炭素原子に複素環基を置換基として有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物の中でも、前記一般式(II)で表される化合物以外の化合物としては、例えば、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ピリジン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ピリジン、2−(p−ジメチルアミノフェニル)キノリン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)キノリン、2−(p−ジメチルアミノフェニル)ピリミジン、2−(p−ジエチルアミノフェニル)ピリミジン、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−オキサジアゾール、2,5−ビス(p−ジエチルアミノフェニル)−1,3,4−チアジアゾール等が挙げられる。   On the other hand, among di-substituted amino-benzene compounds having a heterocyclic group as a substituent at a carbon atom para to the amino group on the benzene ring, compounds other than the compound represented by the general formula (II) Are, for example, 2- (p-dimethylaminophenyl) pyridine, 2- (p-diethylaminophenyl) pyridine, 2- (p-dimethylaminophenyl) quinoline, 2- (p-diethylaminophenyl) quinoline, 2- (p -Dimethylaminophenyl) pyrimidine, 2- (p-diethylaminophenyl) pyrimidine, 2,5-bis (p-diethylaminophenyl) -1,3,4-oxadiazole, 2,5-bis (p-diethylaminophenyl) -1,3,4-thiadiazole and the like.

〔ジ置換アミノ−ベンゼン系化合物<2>〕
前記ベンゼン環上のアミノ基に対し、パラ位の炭素原子にスルホニルイミノ基を含む置換基を有するジ置換アミノ−ベンゼン系化合物としては、例えば、下記一般式(III)で表される化合物が好ましい。
[Disubstituted amino-benzene compound <2>]
As the disubstituted amino-benzene compound having a substituent containing a sulfonylimino group at the para-position carbon atom with respect to the amino group on the benzene ring, for example, a compound represented by the following general formula (III) is preferable. .

ただし、前記一般式(III)中、R31及びR32は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R33〜R37は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表し、R38は、一価の置換基を表す。R31とR32、R31とR33、及びR32とR34は、それぞれ独立して、含窒素複素環を形成していてもよい。 However, in said general formula (III), R <31> and R <32 > respectively independently represents either an aliphatic group or an aromatic group, R < 33 > -R < 37 > respectively independently represents a hydrogen atom and represents any monovalent substituent, R 38 represents a monovalent substituent. R 31 and R 32 , R 31 and R 33 , and R 32 and R 34 may each independently form a nitrogen-containing heterocycle.

なお、前記一般式(III)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。   In the general formula (III), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).

前記一般式(III)で表される化合物の具体例としては、例えば、下記に示す構造式で表される化合物等が挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (III) include, for example, compounds represented by the structural formulas shown below.

〔ジ置換アミノ−ベンゼン系化合物<3>〕
前記カルボスチリル骨格を形成したジ置換アミノ−ベンゼン系化合物としては、例えば、下記一般式(IV)で表される化合物が好ましい。
[Disubstituted amino-benzene compound <3>]
As the disubstituted amino-benzene compound having the carbostyryl skeleton, for example, a compound represented by the following general formula (IV) is preferable.

ただし、前記一般式(IV)中、R41及びR42は、それぞれ独立して、脂肪族基及び芳香族基のいずれかを表し、R43〜R47は、それぞれ独立して、水素原子及び一価の置換基を表し、Yは、酸素原子及びNR48のいずれかを表し、R48は、水素原子及び一価の置換基のいずれかを表す。R41とR42、R41とR43、及びR42とR44は、それぞれ独立して、含窒素複素環を形成していてもよい。 However, the general formula (IV), R 41 and R 42 each independently represent any one of an aliphatic group and an aromatic group, R 43 to R 47 are each independently a hydrogen atom, and A monovalent substituent is represented, Y represents an oxygen atom or NR 48 , and R 48 represents a hydrogen atom or a monovalent substituent. R 41 and R 42 , R 41 and R 43 , and R 42 and R 44 may each independently form a nitrogen-containing heterocycle.

なお、前記一般式(IV)中、前記脂肪族基、前記芳香族基、及び前記1価の置換基としては、上述の一般式(I)における例として示したものを挙げることができる。   In the general formula (IV), examples of the aliphatic group, the aromatic group, and the monovalent substituent include those shown as examples in the general formula (I).

前記一般式(IV)で表される化合物の具体例としては、例えば、特開2004−212958号公報に記載の化合物、クマリン化合物(例えば、クマリン−1、クマリン−152、クマリン−307、クマリン−106、クマリン−340等)などが挙げられる。   Specific examples of the compound represented by the general formula (IV) include, for example, compounds described in JP-A No. 2004-221958, coumarin compounds (for example, coumarin-1, coumarin-152, coumarin-307, coumarin- 106, Coumarin-340, etc.).

前記一般式(I)〜(IV)で表される前記増感剤の中でも、前記一般式(I)、(III)及び(IV)で表される化合物が好ましい。
また、前記増感剤としては、下記一般式(V)〜(VII)で表される少なくとも2個の芳香族環が窒素原子に結合した構造を有する化合物等がより好ましい。
Among the sensitizers represented by the general formulas (I) to (IV), the compounds represented by the general formulas (I), (III) and (IV) are preferable.
The sensitizer is more preferably a compound having a structure in which at least two aromatic rings represented by the following general formulas (V) to (VII) are bonded to a nitrogen atom.

ただし、前記一般式(V)〜(VII)中、環A〜Gは、それぞれ独立に芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかを基本骨格とするものであり、環Aと環B、環Dと環E、環Fと環Gは互いに結合してNを含む結合環を形成していても良い。
前記一般式(VI)中、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを含む連結基を表し、連結基LとNとは、該芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで結合しており、nは2以上の整数を表す。
前記一般式(VII)中、Rは、置換基を有していても良いアルキル基を表す。
なお、環A〜G及び連結基Lは、置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。
However, in the general formulas (V) to (VII), the rings A to G each independently have an aromatic hydrocarbon ring or an aromatic heterocyclic ring as a basic skeleton, and the rings A and B Ring D and Ring E, Ring F and Ring G may be bonded to each other to form a bond ring containing N.
In the general formula (VI), the linking group L represents a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and the linking groups L and N represent the aromatic hydrocarbon ring and aromatic group. And n represents an integer of 2 or more.
In the general formula (VII), R represents an alkyl group which may have a substituent.
Rings A to G and linking group L may have a substituent, and these substituents may be bonded to each other to form a ring.

前記一般式(V)〜(VII)において、環A〜Gで表される芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、アズレン環、フルオレン環、アセナフチレン環、及びインデン環などが挙げられ、これらの中でもベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
また、環A〜Gで表される芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、オキサゾール環、イソオキサゾール環、チアゾール環、イソチアゾール環、イミダゾール環、ピラゾール環、フラザン環、トリアゾール環、ピラン環、チアジゾール環、オキサジアゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環などが挙げられ、これらの中でもフラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環が好ましく、フラン環、チオフェン環、ピロール環がより好ましい。
In the general formulas (V) to (VII), the aromatic hydrocarbon rings represented by rings A to G include a benzene ring, a naphthalene ring, an anthracene ring, a phenanthrene ring, an azulene ring, a fluorene ring, an acenaphthylene ring, and Indene ring and the like can be mentioned, and among these, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
Examples of the aromatic heterocycle represented by rings A to G include furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, oxazole ring, isoxazole ring, thiazole ring, isothiazole ring, imidazole ring, pyrazole ring, furazane ring, triazole. Ring, pyran ring, thiadizole ring, oxadiazole ring, pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, etc., among which furan ring, thiophene ring, pyrrole ring, pyridine ring, oxazole ring, thiazole ring A furan ring, a thiophene ring, and a pyrrole ring are more preferable.

また、環A、環B、環D、環E、環F、環G、及び連結基Lに含まれる環は互いに結合してNを含む縮合環を結合していても良く、この場合、各環が結合するN原子を含むカルバゾール環を形成する例が挙げられる。カルバゾール環を形成する場合は、A〜Gの環のいずれかが例外的に環構造ではなく、任意の置換基であっても良いが、その場合の該置換基としては、置換基を有していても良いアルキル基が好ましい。   Rings included in ring A, ring B, ring D, ring E, ring F, ring G, and linking group L may be bonded to each other to form a condensed ring containing N. In this case, An example is given of forming a carbazole ring containing an N atom to which the ring is attached. When a carbazole ring is formed, any of the rings A to G is exceptionally not a ring structure and may be an arbitrary substituent. In this case, the substituent has a substituent. An alkyl group which may be present is preferred.

環A〜Gはいずれも任意の箇所に任意の置換基を有していても良く、これらの置換基同士が互いに結合して環を形成していても良い。
前記一般式(VI)において、連結基Lは、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを1個乃至2個以上含む連結基であり、Nは、該連結基Lの芳香族炭化水素環又は芳香族複素環と直接結合している。
Rings A to G may have arbitrary substituents at arbitrary positions, and these substituents may be bonded to each other to form a ring.
In the general formula (VI), the linking group L is a linking group containing at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, and N is an aromatic group of the linking group L. It is directly bonded to a hydrocarbon ring or aromatic heterocycle.

連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環、芳香族複素環としては、環A〜Gの芳香族炭化水素環、芳香族複素環として例示したものと同様のものが挙げられる。
連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環が好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
また、連結基Lに含まれる芳香族複素環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール環、ピリジン環、オキサゾール環、チアゾール環、チアジゾール環、オキサジアゾール環が好ましく、フラン環、チオフェン環、ピロール環がより好ましい。
Examples of the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocyclic ring contained in the linking group L include the same as those exemplified as the aromatic hydrocarbon ring and aromatic heterocyclic ring of rings A to G.
As the aromatic hydrocarbon ring contained in the linking group L, a benzene ring, a naphthalene ring and an anthracene ring are preferable, and a benzene ring is more preferable.
The aromatic heterocyclic ring contained in the linking group L is preferably a furan ring, a thiophene ring, a pyrrole ring, a pyridine ring, an oxazole ring, a thiazole ring, a thiadizole ring, or an oxadiazole ring, a furan ring, a thiophene ring, or a pyrrole. A ring is more preferred.

連結基Lが、芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを2個以上含む場合、これらの環は直接連結していても良く、また、2価以上の連結基(なお、この連結基は、2価以上の基に限らず、2価以上の原子を含む)を介して結合しても良い。この場合、2価以上の連結基としては公知のものが挙げられ、例えば、下記式(a)で表されるアルキレン基、下記式(b)で表されるアセチレン基、アミン基、O原子、S原子、ケトン基、チオケトン基、−C(=O)O−、アミド基、Se、Te、P、As、Sb、Bi、Si、Bなどの金属原子、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基(不飽和複素環基)、非芳香族複素環基(飽和複素環基)、及びこれらの任意の組み合わせなどが挙げられる。   When the linking group L contains two or more of at least one of an aromatic hydrocarbon ring and an aromatic heterocyclic ring, these rings may be directly connected, or a divalent or higher valent linking group ( The linking group is not limited to a divalent or higher valent group but may include a divalent or higher valent atom). In this case, examples of the divalent or higher valent linking group include known alkylene groups such as an alkylene group represented by the following formula (a), an acetylene group represented by the following formula (b), an amine group, an O atom, S atom, ketone group, thioketone group, -C (= O) O-, amide group, Se, Te, P, As, Sb, Bi, Si, B and other metal atoms, aromatic hydrocarbon ring group, aromatic Examples include a heterocyclic group (unsaturated heterocyclic group), a non-aromatic heterocyclic group (saturated heterocyclic group), and any combination thereof.

ただし、前記式(a)及び(b)中、mは、1以上の整数を表す。 However, in said formula (a) and (b), m represents an integer greater than or equal to 1.

連結基Lに含まれる芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかの間に挟まれ得る連結基としては、下記式(a)で表されるアルキレン基、下記式(b)で表されるアセチレン基、アミン基、O原子、S原子、ケトン基、−C(=O)O−、アミド基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基、−C=N−、−C=N−N=、飽和もしくは不飽和の複素環基が好ましく、炭素数が1〜3のアルキレン基、−OCHO−、−OCHCHO−、−O−、ケトン基、ベンゼン環基、フラン環基、チオフェン環基、ピロール環基がより好ましい。 Examples of the linking group that can be sandwiched between at least one of the aromatic hydrocarbon ring and the aromatic heterocycle included in the linking group L include an alkylene group represented by the following formula (a) and a formula represented by the following formula (b). Acetylene group, amine group, O atom, S atom, ketone group, -C (= O) O-, amide group, aromatic hydrocarbon ring group, aromatic heterocyclic group, -C = N-, -C = N—N =, a saturated or unsaturated heterocyclic group is preferred, an alkylene group having 1 to 3 carbon atoms, —OCH 2 O—, —OCH 2 CH 2 O—, —O—, a ketone group, a benzene ring A group, a furan ring group, a thiophene ring group, and a pyrrole ring group are more preferable.

また、前記一般式(XII)において、nは、2〜5であることが好ましい。   Moreover, in the said general formula (XII), it is preferable that n is 2-5.

連結基Lにおいては、芳香族炭化水素環あるいは芳香族複素環と不飽和連結基の組み合せの調整により、350〜430nmの波長域に吸収極大および適度な吸収をもたせることが望ましい。
連結基Lに含まれる環、環同士を連結する連結基は任意の箇所に任意の置換基を有していても良く、これらの置換基が互いに連結して環を形成していても良い。
In the linking group L, it is desirable to provide an absorption maximum and appropriate absorption in the wavelength region of 350 to 430 nm by adjusting the combination of the aromatic hydrocarbon ring or aromatic heterocyclic ring and the unsaturated linking group.
The ring contained in the linking group L and the linking group that connects the rings may have an arbitrary substituent at an arbitrary position, and these substituents may be connected to each other to form a ring.

環A〜G及び連結基Lが有し得る任意の置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子;水酸基;ニトロ基;シアノ基;1価の有機基などが挙げられ、1価の有機基としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso−ブチル基、tert−ブチル基、アミル基、tert−アミル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、tert−オクチル基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、アダマンチル基等の炭素数3〜18のシクロアルキル基;ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニル基;シクロペンテニル基、シクロヘキセニル基等の炭素数3〜18のシクロアルケニル基;メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、アミルオキシ基、tert−アミルオキシ基、n−ヘキシルオキシ基、n−ヘプチルオキシ基、n−オクチルオキシ基、tert−オクチルオキシ基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルコキシ基;メチルチオ基、エチルチオ基、n−プロピルチオ基、iso−プロピルチオ基、n−ブチルチオ基、sec−ブチルチオ基、tert−ブチルチオ基、アミルチオ基、tert−アミルチオ基、n−ヘキシルチオ基、n−ヘプチルチオ基、n−オクチルチオ基、tert−オクチルチオ基等の炭素数1〜18の直鎖又は分岐のアルキルチオ基;フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基等の炭素数6〜18のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等の炭素数7〜18のアラルキル基;ビニルオキシ基、プロペニルオキシ基、ヘキセニルオキシ基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニルオキシ基;ビニルチオ基、プロペニルチオ基、ヘキセニルチオ基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニルチオ基;−COR51で表されるアシル基;カルボキシル基;−OCOR52で表されるアシルオキシ基;−NR5354で表されるアミノ基;−NHCOR55で表されるアシルアミノ基;−NHCOOR56で表されるカーバメート基;−CONR5758で表されるカルバモイル基;−COOR59で表されるカルボン酸エステル基;−SONR6061で表されるスルファモイル基;−SO62で表されるスルホン酸エステル基;−C=NR63で表される基;−C=N−NR6465で表される基;2−チエニル基、2−ピリジル基、フリル基、オキサゾリル基、ベンゾキサゾリル基、チアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、モルホリノ基、ピロリジニル基、テトラヒドロチオフェンジオキサイド基等の飽和もしくは不飽和の複素環基などが挙げられる。 Examples of the optional substituent that the rings A to G and the linking group L may have include a halogen atom such as a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, and an iodine atom; a hydroxyl group; a nitro group; a cyano group; Examples of the monovalent organic group include methyl group, ethyl group, n-propyl group, iso-propyl group, n-butyl group, iso-butyl group, tert-butyl group, amyl group, tert-amyl group, a linear or branched alkyl group having 1 to 18 carbon atoms such as n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, tert-octyl group; cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, adamantyl group A cycloalkyl group having 3 to 18 carbon atoms such as a straight chain or branched alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms such as a vinyl group, a propenyl group or a hexenyl group; a cyclopentenyl A cycloalkenyl group having 3 to 18 carbon atoms such as cyclohexenyl group; methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, iso-propoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group, amyloxy group, a linear or branched alkoxy group having 1 to 18 carbon atoms such as a tert-amyloxy group, an n-hexyloxy group, an n-heptyloxy group, an n-octyloxy group, a tert-octyloxy group; a methylthio group, an ethylthio group, n-propylthio group, iso-propylthio group, n-butylthio group, sec-butylthio group, tert-butylthio group, amylthio group, tert-amylthio group, n-hexylthio group, n-heptylthio group, n-octylthio group, tert- C1-C18 linear or branched alkyl such as octylthio group O group; aryl group having 6 to 18 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, xylyl group and mesityl group; aralkyl group having 7 to 18 carbon atoms such as benzyl group and phenethyl group; vinyloxy group, propenyloxy group, hexenyloxy Table with -COR 51; alkenylthio group linear or branched 2 to 18 carbon atoms such as vinylthio group, propenylthio group, hexenyl thio group; a straight-chain or branched alkenyloxy group having 2 to 18 carbon atoms group Carboxyl group; acyloxy group represented by —OCOR 52 ; amino group represented by —NR 53 R 54 ; acylamino group represented by —NHCOR 55 ; carbamate group represented by —NHCOOR 56 ; A carbamoyl group represented by —CONR 57 R 58 ; a carboxylic acid ester group represented by —COOR 59 ; —SO 3 Sulfamoyl groups represented by NR 60 R 61; -SO 3 sulfonic acid represented by R 62 ester group; -C = group represented by NR 63; -C = N-NR 64 group represented by R 65 A saturated or unsaturated heterocyclic group such as a 2-thienyl group, a 2-pyridyl group, a furyl group, an oxazolyl group, a benzoxazolyl group, a thiazolyl group, a benzothiazolyl group, a morpholino group, a pyrrolidinyl group, or a tetrahydrothiophene dioxide group. It is done.

なお、R51〜R65は、それぞれ独立に水素原子、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアリール基、又は置換されていても良いアラルキル基を表す。これらの置換基群において、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アラルキル基、アルケニルオキシ基、及びアルケニルチオ基は、更に置換基で置換されていても良い。 R 51 to R 65 are each independently a hydrogen atom, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted alkenyl group, an optionally substituted aryl group, or an optionally substituted aralkyl. Represents a group. In these substituent groups, the alkyl group, cycloalkyl group, alkenyl group, cycloalkenyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryl group, aralkyl group, alkenyloxy group, and alkenylthio group are further substituted with a substituent. May be.

これらの置換基の、環A〜G、連結基Lにおける置換位置には特に制限はなく、また、複数の置換基を有する場合、これらは同種のものであっても良く、異なるものであっても良い。
環A〜G、連結基Lは、無置換であるか、或いは、置換基としてハロゲン原子、シアノ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアラルキル基、置換されていても良いアルケニルオキシ基、置換されていても良いアルケニルチオ基、置換されていても良いアミノ基、置換されていても良いアシル基、カルボキシル基、−C=NR63で表される基、−C=N−NR6465で表される基、飽和もしくは不飽和の複素環基で置換されていることが好ましい。置換基を有する場合の置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていても良いアルキル基、置換されていても良いシクロアルキル基、置換されていても良いアルケニル基、置換されていても良いアルコキシ基、置換されていても良いアリール基、置換されていても良いアラルキル基、置換されていても良いアミノ基、−C=NR63で表される基、−C=N−NR6465で表される基、飽和もしくは不飽和の複素環基が好ましい。
There are no particular restrictions on the substitution positions of these substituents in the rings A to G and the linking group L, and when there are a plurality of substituents, these may be the same or different. Also good.
Rings A to G and linking group L are unsubstituted or substituted as a halogen atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, or a substituted group. An alkenyl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, an aryl group which may be substituted, an aralkyl group which may be substituted, an alkenyloxy group which may be substituted, an alkenylthio which may be substituted Group, optionally substituted amino group, optionally substituted acyl group, carboxyl group, group represented by —C═NR 63 , group represented by —C═N—NR 64 R 65 , saturated Alternatively, it is preferably substituted with an unsaturated heterocyclic group. In the case of having a substituent, examples of the substituent include a halogen atom, a cyano group, an optionally substituted alkyl group, an optionally substituted cycloalkyl group, an optionally substituted alkenyl group, and an optionally substituted group. A good alkoxy group, an optionally substituted aryl group, an optionally substituted aralkyl group, an optionally substituted amino group, a group represented by —C═NR 63 , —C═N—NR 64 R; A group represented by 65 , a saturated or unsaturated heterocyclic group is preferred.

環A〜G、及び連結基Lが有し得る上記の任意の置換基が、更に任意の置換基で置換されている場合、該置換基としては、メトキシ基、エトキシ基、n−プロポキシ基、iso−プロポキシ基、n−ブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等の炭素数1〜10のアルコキシ基;メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、プロポキシメトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、メトキシブトキシ基等の炭素数2〜12のアルコキシアルコキシ基;メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシメトキシ基、エトキシメトキシメトキシ基、エトキシエトキシメトキシ基等の炭素数3〜15のアルコキシアルコキシアルコキシ基;フェニル基、トリル基、キシリル基等の炭素数6〜12のアリール基(これらは置換基で更に置換されていても良い。);フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等の炭素数6〜12のアリールオキシ基;ビニルオキシ基、アリルオキシ基等の炭素数2〜12のアルケニルオキシ基;アセチル基、プロピオニル基などのアシル基;シアノ基;ニトロ基;ヒドロキシル基;テトラヒドロフリル基;アミノ基;N,N−ジメチルアミノ基、N,N−ジエチルアミノ基等の炭素数1〜10のアルキルアミノ基;メチルスルホニルアミノ基、エチルスルホニルアミノ基、n−プロピルスルホニルアミノ基等の炭素数1〜6のアルキルスルホニルアミノ基;フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n−プロポキシカルボニル基、iso−プロポキシカルボニル基、n−ブトキシカルボニル基等の炭素数2〜7のアルコキシカルボニル基;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、n−プロピルカルボニルオキシ基、iso−プロピルカルボニルオキシ基、n−ブチルカルボニルオキシ基等の炭素数2〜7のアルキルカルボニルオキシ基;メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、n−プロポキシカルボニルオキシ基、iso−プロポキシカルボニルオキシ基、n−ブトキシカルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基などの炭素数2〜7のアルコキシカルボニルオキシ基;ビニル基、プロペニル基、ヘキセニル基等の炭素数2〜18の直鎖又は分岐のアルケニル基;等が好ましい。   When the above optional substituents that the rings A to G and the linking group L may have are further substituted with arbitrary substituents, the substituents include methoxy group, ethoxy group, n-propoxy group, C1-C10 alkoxy groups such as iso-propoxy group, n-butoxy group, sec-butoxy group, tert-butoxy group; methoxymethoxy group, ethoxymethoxy group, propoxymethoxy group, ethoxyethoxy group, propoxyethoxy group, C2-C12 alkoxyalkoxy groups such as methoxybutoxy group; C3-C15 alkoxyalkoxyalkoxy such as methoxymethoxymethoxy group, methoxymethoxyethoxy group, methoxyethoxymethoxy group, ethoxymethoxymethoxy group, and ethoxyethoxymethoxy group Group: 6 carbon atoms such as phenyl group, tolyl group, xylyl group 12 aryl groups (these may be further substituted with a substituent); aryloxy groups having 6 to 12 carbon atoms such as phenoxy group, tolyloxy group, xylyloxy group, naphthyloxy group; vinyloxy group, allyloxy group, etc. C2-C12 alkenyloxy group; acyl group such as acetyl group, propionyl group; cyano group; nitro group; hydroxyl group; tetrahydrofuryl group; amino group; N, N-dimethylamino group, N, N-diethylamino An alkylamino group having 1 to 10 carbon atoms such as a group; an alkylsulfonylamino group having 1 to 6 carbon atoms such as a methylsulfonylamino group, an ethylsulfonylamino group and an n-propylsulfonylamino group; a fluorine atom, a chlorine atom and a bromine atom Halogen atoms such as methoxycarbonyl group, ethoxycarbonyl group, n-propo A C2-C7 alkoxycarbonyl group such as a sicarbonyl group, iso-propoxycarbonyl group, n-butoxycarbonyl group; methylcarbonyloxy group, ethylcarbonyloxy group, n-propylcarbonyloxy group, iso-propylcarbonyloxy group An alkylcarbonyloxy group having 2 to 7 carbon atoms such as n-butylcarbonyloxy group; methoxycarbonyloxy group, ethoxycarbonyloxy group, n-propoxycarbonyloxy group, iso-propoxycarbonyloxy group, n-butoxycarbonyloxy group And an alkoxycarbonyloxy group having 2 to 7 carbon atoms such as tert-butoxycarbonyloxy group; a linear or branched alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms such as vinyl group, propenyl group and hexenyl group;

前記一般式(V)〜(VII)で表される増感剤は、390〜430nmの波長域に適度な吸収を有し、330〜450nmの波長域に吸収極大をもつことが好ましく、350〜430nmの波長域に吸収極大をもつことがより好ましい。そのために、分子中に4個以上の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを有することが好ましく、5個以上の芳香族炭化水素環及び芳香族複素環の少なくともいずれかを有することがより好ましい。   The sensitizers represented by the general formulas (V) to (VII) preferably have an appropriate absorption in the wavelength range of 390 to 430 nm, and preferably have an absorption maximum in the wavelength range of 330 to 450 nm. More preferably, it has an absorption maximum in the wavelength region of 430 nm. Therefore, the molecule preferably has at least one of four or more aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles, and has at least one of five or more aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocycles. It is more preferable.

前記一般式(V)〜(VII)で表される化合物の具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではない。   Specific examples of the compounds represented by the general formulas (V) to (VII) are shown below, but are not limited thereto.

ただし、前記式(V−l)中、R71、R72、R73は、それぞれ独立に、以下の基のいずれかを表す。 However, in said formula (Vl), R71 , R72 , R73 represents either of the following groups each independently.

ただし、前記式(VI−g)において、結合位置は、末端の2つのフェニル基、又は末端の2つのトリル基のうちのいずれか2つのベンゼン環上である。 However, in the formula (VI-g), the bonding position is on any two benzene rings of the two terminal phenyl groups or the two terminal tolyl groups.

ただし、前記式(VI−j)において、R81、R82、R83は、それぞれ独立に、以下の基のいずれかを表す。 However, in said formula (VI-j), R <81> , R < 82 > , R <83> represents either of the following groups each independently.

前記増感剤は、1種を単独で用いても良く、2種以上を併用しても良い。
前記増感剤の配合量としては、前記感光性組成物全固形分中0.01〜4質量%が好ましく、0.02〜2質量%がより好ましく、0.05〜1質量%が特に好ましい。
前記含有量が、0.01質量%未満となると、感度が低下することがあり、4質量%を超えると、パターンの形状が悪化することがある。
The said sensitizer may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
The blending amount of the sensitizer is preferably 0.01 to 4% by mass, more preferably 0.02 to 2% by mass, and particularly preferably 0.05 to 1% by mass in the total solid content of the photosensitive composition. .
When the content is less than 0.01% by mass, the sensitivity may decrease, and when the content exceeds 4% by mass, the shape of the pattern may be deteriorated.

<熱架橋剤>
前記熱架橋剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、前記感光層の硬化後の膜強度を改良するために、現像性等に悪影響を与えない範囲で、例えば、1分子内に少なくとも2つのオキシラン基を有するエポキシ化合物、1分子内に少なくとも2つのオキセタニル基を有するオキセタン化合物を用いることができる。
前記1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有するエポキシ化合物としては、例えば、ビキシレノール型もしくはビフェノール型エポキシ樹脂(「YX4000ジャパンエポキシレジン社製」等)又はこれらの混合物、イソシアヌレート骨格等を有する複素環式エポキシ樹脂(「TEPIC;日産化学工業社製」、「アラルダイトPT810;チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製」等)、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、水添ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾ−ルノボラック型エポキシ樹脂、ハロゲン化エポキシ樹脂(例えば低臭素化エポキシ樹脂、高ハロゲン化エポキシ樹脂、臭素化フェノールノボラック型エポキシ樹脂など)、アリル基含有ビスフェノールA型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジフェニルジメタノール型エポキシ樹脂、フェノールビフェニレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂(「HP−7200,HP−7200H;大日本インキ化学工業社製」等)、グリシジルアミン型エポキシ樹脂(ジアミノジフェニルメタン型エポキシ樹脂、ジグリシジルアニリン、トリグリシジルアミノフェノール等)、グリジジルエステル型エポキシ樹脂(フタル酸ジグリシジルエステル、アジピン酸ジグリシジルエステル、ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル、ダイマー酸ジグリシジルエステル等)ヒダントイン型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3’、4’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシルメチル)アジペート、ジシクロペンタジエンジエポキシド、「GT−300、GT−400、ZEHPE3150;ダイセル化学工業製」等、)、イミド型脂環式エポキシ樹脂、トリヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、ビスフェノールAノボラック型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂、グリシジルフタレート樹脂、テトラグリシジルキシレノイルエタン樹脂、ナフタレン基含有エポキシ樹脂(ナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、4官能ナフタレン型エポキシ樹脂、市販品としては「ESN−190,ESN−360;新日鉄化学社製」、「HP−4032,EXA−4750,EXA−4700;大日本インキ化学工業社製」等)、フェノール化合物とジビニルベンゼンやジシクロペンタジエン等のジオレフィン化合物との付加反応によって得られるポリフェノール化合物と、エピクロルヒドリンとの反応物、4−ビニルシクロヘキセン−1−オキサイドの開環重合物を過酢酸等でエポキシ化したもの、線状含リン構造を有するエポキシ樹脂、環状含リン構造を有するエポキシ樹脂、α―メチルスチルベン型液晶エポキシ樹脂、ジベンゾイルオキシベンゼン型液晶エポキシ樹脂、アゾフェニル型液晶エポキシ樹脂、アゾメチンフェニル型液晶エポキシ樹脂、ビナフチル型液晶エポキシ樹脂、アジン型エポキシ樹脂、グリシジルメタアクリレート共重合系エポキシ樹脂(「CP−50S,CP−50M;日本油脂社製」等)、シクロヘキシルマレイミドとグリシジルメタアクリレートとの共重合エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)フルオレン型エポキシ樹脂、ビス(グリシジルオキシフェニル)アダマンタン型エポキシ樹脂などが挙げられるが、これらに限られるものではない。これらのエポキシ樹脂は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。
<Thermal crosslinking agent>
The thermal crosslinking agent is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose.For example, in order to improve the film strength after curing of the photosensitive layer, it does not adversely affect developability, for example, An epoxy compound having at least two oxirane groups in one molecule and an oxetane compound having at least two oxetanyl groups in one molecule can be used.
Examples of the epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule include, for example, a bixylenol type or biphenol type epoxy resin (“YX4000 Japan Epoxy Resin” etc.) or a mixture thereof, a complex having an isocyanurate skeleton, etc. Cyclic epoxy resins ("TEPIC; manufactured by Nissan Chemical Industries", "Araldite PT810; manufactured by Ciba Specialty Chemicals"), bisphenol A type epoxy resin, novolac type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, hydrogenated bisphenol A type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, halogenated epoxy resin (for example, low brominated epoxy resin, high halogenated epoxy resin, odor Phenol novolac type epoxy resin), allyl group-containing bisphenol A type epoxy resin, trisphenol methane type epoxy resin, diphenyldimethanol type epoxy resin, phenol biphenylene type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin ("HP-7200, HP-7200H; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), glycidylamine type epoxy resin (diaminodiphenylmethane type epoxy resin, diglycidylaniline, triglycidylaminophenol, etc.), glycidyl ester type epoxy resin (phthalic acid diglycidyl ester) Adipic acid diglycidyl ester, hexahydrophthalic acid diglycidyl ester, dimer acid diglycidyl ester, etc.) hydantoin type epoxy resin, alicyclic epoxy resin (3,4 Poxycyclohexylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexanecarboxylate, bis (3,4-epoxycyclohexylmethyl) adipate, dicyclopentadiene diepoxide, “GT-300, GT-400, ZEHPE3150; manufactured by Daicel Chemical Industries”, etc. )), Imide type alicyclic epoxy resin, trihydroxyphenylmethane type epoxy resin, bisphenol A novolak type epoxy resin, tetraphenylolethane type epoxy resin, glycidyl phthalate resin, tetraglycidyl xylenoyl ethane resin, naphthalene group-containing epoxy Resin (naphthol aralkyl type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, tetrafunctional naphthalene type epoxy resin, commercially available products such as “ESN-190, ESN-360; manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.” HP-4032, EXA-4750, EXA-4700; manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), polyphenol compounds obtained by addition reaction of phenol compounds with diolefin compounds such as divinylbenzene and dicyclopentadiene, and epichlorohydrin A reaction product of 4-vinylcyclohexene-1-oxide obtained by epoxidation with peracetic acid, an epoxy resin having a linear phosphorus-containing structure, an epoxy resin having a cyclic phosphorus-containing structure, α-methylstilbene Type liquid crystal epoxy resin, dibenzoyloxybenzene type liquid crystal epoxy resin, azophenyl type liquid crystal epoxy resin, azomethine phenyl type liquid crystal epoxy resin, binaphthyl type liquid crystal epoxy resin, azine type epoxy resin, glycidyl methacrylate copolymer epoxy resin ("CP- 5 0S, CP-50M; manufactured by NOF Corporation, etc.), copolymerized epoxy resin of cyclohexylmaleimide and glycidyl methacrylate, bis (glycidyloxyphenyl) fluorene type epoxy resin, bis (glycidyloxyphenyl) adamantane type epoxy resin, etc. Although it is mentioned, it is not restricted to these. These epoxy resins may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

また、1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有する前記エポキシ化合物以外に、β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも1分子中に2つ含むエポキシ化合物を用いることが出来、β位がアルキル基で置換されたエポキシ基(より具体的には、β−アルキル置換グリシジル基など)を含む化合物が特に好ましい。
前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を少なくとも含むエポキシ化合物は、1分子中に含まれる2個以上のエポキシ基のすべてがβ−アルキル置換グリシジル基であってもよく、少なくとも1個のエポキシ基がβ−アルキル置換グリシジル基であってもよい。
In addition to the epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule, an epoxy compound containing at least two epoxy groups having an alkyl group at the β-position can be used, and the β-position is an alkyl group. Particularly preferred is a compound containing an epoxy group substituted with a (specifically, a β-alkyl-substituted glycidyl group or the like).
In the epoxy compound containing at least an epoxy group having an alkyl group at the β-position, all of two or more epoxy groups contained in one molecule may be a β-alkyl-substituted glycidyl group, and at least one epoxy group May be a β-alkyl-substituted glycidyl group.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、室温における保存安定性の観点から、前記感光性組成物中に含まれる前記エポキシ化合物全量中における、全エポキシ基中のβ−アルキル置換グリシジル基の割合が、30%以上であるのが好ましく、40%以上であるのがより好ましく、50%以上であるのが特に好ましい。
前記β−アルキル置換グリシジル基としては、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルグリシジル基、β−エチルグリシジル基、β−プロピルグリシジル基、β−ブチルグリシジル基、などが挙げられ、これらの中でも、前記感光性樹脂組成物の保存安定性を向上させる観点、及び合成の容易性の観点から、β−メチルグリシジル基が好ましい。
From the viewpoint of storage stability at room temperature, the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position is substituted with β-alkyl in all epoxy groups in the total amount of the epoxy compound contained in the photosensitive composition. The proportion of glycidyl groups is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, and particularly preferably 50% or more.
The β-alkyl-substituted glycidyl group is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include β-methylglycidyl group, β-ethylglycidyl group, β-propylglycidyl group, β-butylglycidyl group. Among these, a β-methylglycidyl group is preferred from the viewpoint of improving the storage stability of the photosensitive resin composition and the ease of synthesis.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、多価フェノール化合物とβ−アルキルエピハロヒドリンとから誘導されたエポキシ化合物が好ましい。   As the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position, for example, an epoxy compound derived from a polyhydric phenol compound and a β-alkylepihalohydrin is preferable.

前記β−アルキルエピハロヒドリンとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、β−メチルエピクロロヒドリン、β−メチルエピブロモヒドリン、β−メチルエピフロロヒドリン等のβ−メチルエピハロヒドリン;β−エチルエピクロロヒドリン、β−エチルエピブロモヒドリン、β−エチルエピフロロヒドリン等のβ−エチルエピハロヒドリン;β−プロピルエピクロロヒドリン、β−プロピルエピブロモヒドリン、β−プロピルエピフロロヒドリン等のβ−プロピルエピハロヒドリン;β−ブチルエピクロロヒドリン、β−ブチルエピブロモヒドリン、β−ブチルエピフロロヒドリン等のβ−ブチルエピハロヒドリン;などが挙げられる。これらの中でも、前記多価フェノールとの反応性及び流動性の観点から、β−メチルエピハロヒドリンが好ましい。   The β-alkylepihalohydrin is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, β-methylepichlorohydrin, β-methylepibromohydrin, β-methylepifluorohydrin, etc. Β-methyl epihalohydrin, β-ethyl epichlorohydrin, β-ethyl epibromohydrin, β-ethyl epihalohydrin, such as β-ethyl epihalohydrin, β-propyl epichlorohydrin, β-propyl epibromohydrin Β-propyl epihalohydrin such as phosphorus and β-propyl epifluorohydrin; β-butyl epihalohydrin such as β-butyl epichlorohydrin, β-butyl epibromohydrin, β-butyl epifluorohydrin; . Among these, β-methylepihalohydrin is preferable from the viewpoint of reactivity with the polyhydric phenol and fluidity.

前記多価フェノール化合物としては、1分子中に2以上の芳香族性水酸基を含有する化合物であれば、特に制限は無く、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS等のビスフェノール化合物、ビフェノール、テトラメチルビフェノール等のビフェノール化合物、ジヒドロキシナフタレン、ビナフトール等のナフトール化合物、フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物等のフェノールノボラック樹脂、クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物、ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物、フェノールと炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノールとホルムアルデヒドとの共重縮合物、フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物などが挙げられる。これらの中でも、例えば、流動性及び保存安定性を向上させる目的で選択する場合には、前記ビスフェノール化合物が好ましい。   The polyhydric phenol compound is not particularly limited as long as it is a compound containing two or more aromatic hydroxyl groups in one molecule, and can be appropriately selected according to the purpose. For example, bisphenol A, bisphenol F Bisphenol compounds such as bisphenol S, biphenol compounds such as biphenol and tetramethylbiphenol, naphthol compounds such as dihydroxynaphthalene and binaphthol, phenol novolac resins such as phenol-formaldehyde polycondensates, cresol-formaldehyde polycondensates 1 1-10 monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, xylenol-formaldehyde polycondensate and the like, and C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate, bisphenol A-formalde De polycondensates such bisphenol compounds of - formaldehyde polycondensates, phenol and copolycondensates of monoalkyl-substituted phenol and formaldehyde having 1 to 10 carbon atoms, and phenolic compounds and polyaddition products of divinylbenzene. Among these, when selecting for the purpose of improving fluidity | liquidity and storage stability, the said bisphenol compound is preferable, for example.

前記β位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールAのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールFのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビスフェノールSのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、テトラメチルビフェノールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビフェノール化合物のジ−β−アルキルグリシジルエーテル;ジヒドロキシナフタレンのジ−β−アルキルグリシジルエーテル、ビナフトールのジ−β−アルキルグリシジルエーテル等のナフトール化合物のβ−アルキルグリシジルエーテル;フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;クレゾール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のモノアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;キシレノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等の炭素数1〜10のジアルキル置換フェノール−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;ビスフェノールA−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル等のビスフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;フェノール化合物とジビニルベンゼンの重付加物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテル;などが挙げられる。
これらの中でも、下記構造式(i)で表されるビスフェノール化合物、及びこれとエピクロロフドリンなどから得られる重合体から誘導されるβ−アルキルグリシジルエーテル、及び下記構造式(ii)で表されるフェノール化合物−ホルムアルデヒド重縮合物のポリ−β−アルキルグリシジルエーテルが好ましい。
Examples of the epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position include di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A, di-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol F, and di-β-alkyl glycidyl of bisphenol S. Di-β-alkyl glycidyl ethers of bisphenol compounds such as ethers; di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols such as di-β-alkyl glycidyl ethers of biphenols and di-β-alkyl glycidyl ethers of tetramethylbiphenol; Β-alkyl glycidyl ethers of naphthol compounds such as di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol, di-β-alkyl glycidyl ethers of binaphthol; poly- of phenol-formaldehyde polycondensates β-alkyl glycidyl ether; poly-β-alkyl glycidyl ether of monoalkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate having 1 to 10 carbon atoms such as poly-β-alkyl glycidyl ether of cresol-formaldehyde polycondensate; xylenol-formaldehyde C1-C10 dialkyl-substituted phenol-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether such as poly-β-alkyl glycidyl ether of condensate; poly-β-alkyl glycidyl ether of bisphenol A-formaldehyde polycondensate Bisphenol compound-formaldehyde polycondensate poly-β-alkyl glycidyl ether; phenol compound-divinylbenzene polyaddition product poly-β-alkyl glycidyl ether; The
Among these, a bisphenol compound represented by the following structural formula (i), a β-alkyl glycidyl ether derived from a polymer obtained from the bisphenol compound and epichlorohydrin, and the following structural formula (ii) Poly-β-alkyl glycidyl ethers of phenol compound-formaldehyde polycondensates are preferred.

ただし、前記構造式(i)中、R”は水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、n11は0〜20の整数を表す。
ただし、前記構造式(ii)中、R”は水素原子及び炭素数1〜6のアルキル基のいずれかを表し、R´は水素原子、及びCHのいずれかを表し、nは0〜20の整数を表す。
これらβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物は、1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。また1分子中に少なくとも2つのオキシラン環を有するエポキシ化合物、及びβ位にアルキル基を有するエポキシ基を含むエポキシ化合物を併用することも可能である。
In the Structural Formula (i), R "represents any of an alkyl group having 1 to 6 carbon hydrogen and carbon, n 11 represents an integer of 0 to 20.
In the Structural Formula (ii), R "represents any of an alkyl group having 1 to 6 carbon hydrogen and carbon, R'represents either hydrogen atoms, and CH 3, n is 0 to 20 Represents an integer.
These epoxy compounds containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position may be used alone or in combination of two or more. It is also possible to use together an epoxy compound having at least two oxirane rings in one molecule and an epoxy compound containing an epoxy group having an alkyl group at the β-position.

前記オキセタン化合物としては、例えば、ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]エーテル、1,4−ビス[(3−メチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、1,4−ビス[(3−エチル−3−オキセタニルメトキシ)メチル]ベンゼン、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルアクリレート、(3−メチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート、(3−エチル−3−オキセタニル)メチルメタクリレート又はこれらのオリゴマーあるいは共重合体等の多官能オキセタン類の他、オキセタン基を有する化合物と、ノボラック樹脂、ポリ(p−ヒドロキシスチレン)、カルド型ビスフェノール類、カリックスアレーン類、カリックスレゾルシンアレーン類、シルセスキオキサン等の水酸基を有する樹脂など、とのエーテル化合物が挙げられ、この他、オキセタン環を有する不飽和モノマーとアルキル(メタ)アクリレートとの共重合体なども挙げられる。   Examples of the oxetane compound include bis [(3-methyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] ether, 1,4-bis [(3-methyl -3-Oxetanylmethoxy) methyl] benzene, 1,4-bis [(3-ethyl-3-oxetanylmethoxy) methyl] benzene, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl acrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) In addition to polyfunctional oxetanes such as methyl acrylate, (3-methyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, (3-ethyl-3-oxetanyl) methyl methacrylate, oligomers or copolymers thereof, and compounds having an oxetane group , Novolac resin, poly (p-hydroxystyrene), potassium Bisphenols, calixarenes, calixresorcinarenes, ether compounds with hydroxyl group resins such as silsesquioxane, etc. In addition, unsaturated monomers having an oxetane ring and alkyl (meth) acrylates And a copolymer thereof.

また、前記エポキシ化合物や前記オキセタン化合物の熱硬化を促進するため、例えば、アミン化合物(例えば、ジシアンジアミド、ベンジルジメチルアミン、4−(ジメチルアミノ)−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メトキシ−N,N−ジメチルベンジルアミン、4−メチル−N,N−ジメチルベンジルアミン等)、4級アンモニウム塩化合物(例えば、トリエチルベンジルアンモニウムクロリド等)、ブロックイソシアネート化合物(例えば、ジメチルアミン等)、イミダゾール誘導体二環式アミジン化合物及びその塩(例えば、イミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、4−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−(2−シアノエチル)−2−エチル−4−メチルイミダゾール等)、リン化合物(例えば、トリフェニルホスフィン等)、グアナミン化合物(例えば、メラミン、グアナミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン等)、S−トリアジン誘導体(例えば、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン、2−ビニル−2,4−ジアミノ−S−トリアジン、2−ビニル−4,6−ジアミノ−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、2,4−ジアミノ−6−メタクリロイルオキシエチル−S−トリアジン・イソシアヌル酸付加物等)などを用いることができる。これらは1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。なお、前記エポキシ樹脂化合物や前記オキセタン化合物の硬化触媒、あるいは、これらとカルボキシル基の反応を促進することができるものであれば、特に制限はなく、上記以外の熱硬化を促進可能な化合物を用いてもよい。   Further, in order to promote the thermal curing of the epoxy compound or the oxetane compound, for example, an amine compound (for example, dicyandiamide, benzyldimethylamine, 4- (dimethylamino) -N, N-dimethylbenzylamine, 4-methoxy-N , N-dimethylbenzylamine, 4-methyl-N, N-dimethylbenzylamine, etc.), quaternary ammonium salt compounds (eg, triethylbenzylammonium chloride, etc.), blocked isocyanate compounds (eg, dimethylamine, etc.), imidazole derivatives Cyclic amidine compounds and salts thereof (for example, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 4-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenyl) Midazole, 1- (2-cyanoethyl) -2-ethyl-4-methylimidazole, etc.), phosphorus compounds (eg triphenylphosphine etc.), guanamine compounds (eg melamine, guanamine, acetoguanamine, benzoguanamine etc.), S- Triazine derivatives (for example, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine, 2-vinyl-2,4-diamino-S-triazine, 2-vinyl-4,6-diamino-S-triazine isocyanuric An acid adduct, 2,4-diamino-6-methacryloyloxyethyl-S-triazine / isocyanuric acid adduct, etc.) can be used. These may be used alone or in combination of two or more. The epoxy resin compound or the oxetane compound is a curing catalyst, or any compound that can accelerate the reaction between the epoxy resin compound and the oxetane compound and a carboxyl group. May be.

前記エポキシ化合物、前記オキセタン化合物、及びこれらとカルボン酸との熱硬化を促進可能な化合物の前記感光性組成物中の固形分含有量は、通常0.01〜15質量%である。   Solid content in the said photosensitive composition of the said epoxy compound, the said oxetane compound, and the compound which can accelerate | stimulate thermosetting with these and carboxylic acid is 0.01-15 mass% normally.

また、前記熱架橋剤としては、特開平5−9407号公報記載のポリイソシアネート化合物を用いることができ、該ポリイソシアネート化合物は、少なくとも2つのイソシアネート基を含む脂肪族、環式脂肪族又は芳香族基置換脂肪族化合物から誘導されていてもよい。具体的には、2官能イソシアネート(例えば、1,3−フェニレンジイソシアネートと1,4−フェニレンジイソシアネートとの混合物、2,4−及び2,6−トルエンジイソシアネート、1,3−及び1,4−キシリレンジイソシアネート、ビス(4−イソシアネート−フェニル)メタン、ビス(4−イソシアネートシクロヘキシル)メタン、イソフォロンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート等)、該2官能イソシアネートと、トリメチロールプロパン、ペンタリスルトール、グリセリン等との多官能アルコール;該多官能アルコールのアルキレンオキサイド付加体と、前記2官能イソシアネートとの付加体;ヘキサメチレンジイソシアネート、ヘキサメチレン−1,6−ジイソシアネート及びその誘導体等の環式三量体;などが挙げられる。   Further, as the thermal crosslinking agent, a polyisocyanate compound described in JP-A-5-9407 can be used, and the polyisocyanate compound is aliphatic, cycloaliphatic or aromatic containing at least two isocyanate groups. It may be derived from a group-substituted aliphatic compound. Specifically, bifunctional isocyanate (for example, a mixture of 1,3-phenylene diisocyanate and 1,4-phenylene diisocyanate, 2,4- and 2,6-toluene diisocyanate, 1,3- and 1,4-xylylene). Diisocyanate, bis (4-isocyanate-phenyl) methane, bis (4-isocyanatocyclohexyl) methane, isophorone diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, trimethylhexamethylene diisocyanate, etc.), the bifunctional isocyanate, trimethylolpropane, pentalithol tol Polyfunctional alcohols such as glycerin; alkylene oxide adducts of the polyfunctional alcohols and adducts of the bifunctional isocyanates; hexamethylene diisocyanate, hexamethylene-1,6-di Isocyanate and cyclic trimers thereof derivatives; and the like.

更に、前記感光性組成物を用いて形成してなる感光層を有する前記感光層の保存性を向上させることを目的として、前記ポリイソシアネート及びその誘導体のイソシアネート基にブロック剤を反応させて得られる化合物を用いてもよい。
前記イソシアネート基ブロック剤としては、アルコール類(例えば、イソプロパノール、tert−ブタノール等)、ラクタム類(例えば、ε−カプロラクタム等)、フェノール類(例えば、フェノール、クレゾール、p−tert−ブチルフェノール、p−sec−ブチルフェノール、p−sec−アミルフェノール、p−オクチルフェノール、p−ノニルフェノール等)、複素環式ヒドロキシル化合物(例えば、3−ヒドロキシピリジン、8−ヒドロキシキノリン等)、活性メチレン化合物(例えば、ジアルキルマロネート、メチルエチルケトキシム、アセチルアセトン、アルキルアセトアセテートオキシム、アセトオキシム、シクロヘキサノンオキシム等)などが挙げられる。これらの他、特開平6−295060号公報記載の分子内に少なくとも1つの重合可能な二重結合及び少なくとも1つのブロックイソシアネート基のいずれかを有する化合物などを用いることができる。
Furthermore, it is obtained by reacting a blocking agent with the isocyanate group of the polyisocyanate and its derivative for the purpose of improving the storage stability of the photosensitive layer having a photosensitive layer formed using the photosensitive composition. A compound may be used.
Examples of the isocyanate group blocking agent include alcohols (eg, isopropanol, tert-butanol, etc.), lactams (eg, ε-caprolactam, etc.), phenols (eg, phenol, cresol, p-tert-butylphenol, p-sec). -Butylphenol, p-sec-amylphenol, p-octylphenol, p-nonylphenol, etc.), heterocyclic hydroxyl compounds (eg, 3-hydroxypyridine, 8-hydroxyquinoline, etc.), active methylene compounds (eg, dialkyl malonate, Methyl ethyl ketoxime, acetylacetone, alkyl acetoacetate oxime, acetoxime, cyclohexanone oxime, etc.). In addition to these, compounds having at least one polymerizable double bond and at least one blocked isocyanate group in the molecule described in JP-A-6-295060 can be used.

また、前記熱架橋剤として、メラミン誘導体を用いることができる。該メラミン誘導体としては、例えば、メチロールメラミン、アルキル化メチロールメラミン(メチロール基を、メチル、エチル、ブチルなどでエーテル化した化合物)などが挙げられる。これらは1種単独で使用してもよいし、2種以上を併用してもよい。これらの中でも、保存安定性が良好で、感光層の表面硬度あるいは硬化膜の膜強度自体の向上に有効である点で、アルキル化メチロールメラミンが好ましく、ヘキサメチル化メチロールメラミンが特に好ましい。   Moreover, a melamine derivative can be used as the thermal crosslinking agent. Examples of the melamine derivative include methylol melamine, alkylated methylol melamine (a compound obtained by etherifying a methylol group with methyl, ethyl, butyl, or the like). These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, alkylated methylol melamine is preferable and hexamethylated methylol melamine is particularly preferable in that it has good storage stability and is effective in improving the surface hardness of the photosensitive layer or the film strength itself of the cured film.

前記感光性組成物中の前記熱架橋剤の固形分含有量は、1〜50質量%が好ましく、3〜30質量%がより好ましい。該固形分含有量が1質量%未満であると、硬化膜の膜強度の向上が認められず、50質量%を超えると、現像性の低下や露光感度の低下を生ずることがある。   1-50 mass% is preferable and, as for solid content content of the said thermal crosslinking agent in the said photosensitive composition, 3-30 mass% is more preferable. When the solid content is less than 1% by mass, improvement in the film strength of the cured film is not recognized, and when it exceeds 50% by mass, developability and exposure sensitivity may be deteriorated.

<その他の成分>
前記その他の成分としては、例えば、熱重合禁止剤、可塑剤、着色剤(着色顔料あるいは染料)、体質顔料、などが挙げられ、更に基材表面への密着促進剤及びその他の助剤類(例えば、導電性粒子、充填剤、消泡剤、難燃剤、レベリング剤、剥離促進剤、酸化防止剤、香料、表面張力調整剤、連鎖移動剤など)を併用してもよい。これらの成分を適宜含有させることにより、目的とする感光性組成物あるいは後述する感光性フィルムの安定性、写真性、膜物性などの性質を調整することができる。
<Other ingredients>
Examples of the other components include thermal polymerization inhibitors, plasticizers, colorants (color pigments or dyes), extender pigments, and the like, and further adhesion promoters to the substrate surface and other auxiliary agents ( For example, conductive particles, fillers, antifoaming agents, flame retardants, leveling agents, peeling accelerators, antioxidants, fragrances, surface tension modifiers, chain transfer agents, etc.) may be used in combination. By appropriately containing these components, properties such as stability, photographic properties, film physical properties, etc. of the intended photosensitive composition or the photosensitive film described later can be adjusted.

<<熱重合禁止剤>>
前記熱重合禁止剤は、前記重合性化合物の熱的な重合又は経時的な重合を防止するために添加してもよい。
前記熱重合禁止剤としては、例えば、4−メトキシフェノール、ハイドロキノン、アルキルまたはアリール置換ハイドロキノン、t−ブチルカテコール、ピロガロール、2−ヒドロキシベンゾフェノン、4−メトキシ−2−ヒドロキシベンゾフェノン、塩化第一銅、フェノチアジン、クロラニル、ナフチルアミン、β−ナフトール、2,6−ジ−t−ブチル−4−クレゾール、2,2’−メチレンビス(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、ピリジン、ニトロベンゼン、ジニトロベンゼン、ピクリン酸、4−トルイジン、メチレンブルー、銅と有機キレート剤反応物、サリチル酸メチル、及びフェノチアジン、ニトロソ化合物、ニトロソ化合物とAlとのキレート等が挙げられる。
<< Thermal polymerization inhibitor >>
The thermal polymerization inhibitor may be added to prevent thermal polymerization or temporal polymerization of the polymerizable compound.
Examples of the thermal polymerization inhibitor include 4-methoxyphenol, hydroquinone, alkyl or aryl-substituted hydroquinone, t-butylcatechol, pyrogallol, 2-hydroxybenzophenone, 4-methoxy-2-hydroxybenzophenone, cuprous chloride, phenothiazine. , Chloranil, naphthylamine, β-naphthol, 2,6-di-tert-butyl-4-cresol, 2,2′-methylenebis (4-methyl-6-tert-butylphenol), pyridine, nitrobenzene, dinitrobenzene, picric acid 4-toluidine, methylene blue, copper and organic chelating agent reactant, methyl salicylate, phenothiazine, nitroso compound, chelate of nitroso compound and Al, and the like.

前記熱重合禁止剤の含有量としては、前記重合性化合物に対して0.001〜5質量%が好ましく、0.005〜2質量%がより好ましく、0.01〜1質量%が特に好ましい。該含有量が、0.001質量%未満であると、保存時の安定性が低下することがあり、5質量%を超えると、活性エネルギー線に対する感度が低下することがある。   As content of the said thermal-polymerization inhibitor, 0.001-5 mass% is preferable with respect to the said polymeric compound, 0.005-2 mass% is more preferable, 0.01-1 mass% is especially preferable. When the content is less than 0.001% by mass, stability during storage may be lowered, and when it exceeds 5% by mass, sensitivity to active energy rays may be lowered.

<<着色顔料>>
前記着色顔料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ビクトリア・ピュアーブルーBO(C.I.42595)、オーラミン(C.I.41000)、ファット・ブラックHB(C.I.26150)、モノライト・エローGT(C.I.ピグメント・エロー12)、パーマネント・エローGR(C.I.ピグメント・エロー17)、パーマネント・エローHR(C.I.ピグメント・エロー83)、パーマネント・カーミンFBB(C.I.ピグメント・レッド146)、ホスターバームレッドESB(C.I.ピグメント・バイオレット19)、パーマネント・ルビーFBH(C.I.ピグメント・レッド11)ファステル・ピンクBスプラ(C.I.ピグメント・レッド81)モナストラル・ファースト・ブルー(C.I.ピグメント・ブルー15)、モノライト・ファースト・ブラックB(C.I.ピグメント・ブラック1)、カーボン、C.I.ピグメント・レッド97、C.I.ピグメント・レッド122、C.I.ピグメント・レッド149、C.I.ピグメント・レッド168、C.I.ピグメント・レッド177、C.I.ピグメント・レッド180、C.I.ピグメント・レッド192、C.I.ピグメント・レッド215、C.I.ピグメント・グリーン7、C.I.ピグメント・グリーン36、C.I.ピグメント・ブルー15:1、C.I.ピグメント・ブルー15:4、C.I.ピグメント・ブルー15:6、C.I.ピグメント・ブルー22、C.I.ピグメント・ブルー60、C.I.ピグメント・ブルー64などが挙げられる。これらは1種単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。また、必要に応じて、公知の染料の中から、適宜選択した染料を使用することができる。
<< Coloring pigment >>
There is no restriction | limiting in particular as said coloring pigment, According to the objective, it can select suitably, For example, Victoria pure blue BO (CI. 42595), auramine (CI. 41000), fat black HB (CI. 26150), Monolite Yellow GT (CI Pigment Yellow 12), Permanent Yellow GR (CI Pigment Yellow 17), Permanent Yellow HR (CI Pigment Yellow HR). Yellow 83), Permanent Carmine FBB (CI Pigment Red 146), Hoster Balm Red ESB (CI Pigment Violet 19), Permanent Ruby FBH (CI Pigment Red 11) Fastel Pink B Supra (CI Pigment Red 81) Monastral Fa Strike Blue (C.I. Pigment Blue 15), mono Light Fast Black B (C.I. Pigment Black 1), carbon, C. I. Pigment red 97, C.I. I. Pigment red 122, C.I. I. Pigment red 149, C.I. I. Pigment red 168, C.I. I. Pigment red 177, C.I. I. Pigment red 180, C.I. I. Pigment red 192, C.I. I. Pigment red 215, C.I. I. Pigment green 7, C.I. I. Pigment green 36, C.I. I. Pigment blue 15: 1, C.I. I. Pigment blue 15: 4, C.I. I. Pigment blue 15: 6, C.I. I. Pigment blue 22, C.I. I. Pigment blue 60, C.I. I. Pigment blue 64 and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, the dye suitably selected from well-known dye can be used as needed.

前記着色顔料の前記感光性組成物固形分中の固形分含有量は、永久パターン形成の際の感光層の露光感度、解像性などを考慮して決めることができ、前記着色顔料の種類により異なるが、一般的には0.05〜10質量%が好ましく、0.1〜5質量%がより好ましい。   The solid content in the photosensitive composition solid content of the color pigment can be determined in consideration of the exposure sensitivity, resolution, etc. of the photosensitive layer at the time of permanent pattern formation, depending on the type of the color pigment. Generally, 0.05 to 10% by mass is preferable, and 0.1 to 5% by mass is more preferable.

<<体質顔料>>
前記感光性組成物には、必要に応じて、永久パターンの表面硬度の向上、あるいは線膨張係数を低く抑えること、あるいは、硬化膜自体の誘電率や誘電正接を低く抑えることを目的として、無機顔料や有機微粒子を添加することができる。
前記無機顔料としては、特に制限はなく、公知のものの中から適宜選択することができ、例えば、カオリン、硫酸バリウム、チタン酸バリウム、酸化ケイ素粉、微粉状酸化ケイ素、気相法シリカ、無定形シリカ、結晶性シリカ、溶融シリカ、球状シリカ、タルク、クレー、炭酸マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム、マイカなどが挙げられる。
前記無機顔料の平均粒径は、10μm未満が好ましく、3μm以下がより好ましい。該平均粒径が10μm以上であると、光錯乱により解像度が劣化することがある。
前記有機微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、架橋ポリスチレン樹脂などが挙げられる。また、平均粒径1〜5μm、吸油量100〜200m/g程度のシリカ、架橋樹脂からなる球状多孔質微粒子などを用いることができる。
<< External pigment >>
If necessary, the photosensitive composition may be inorganic for the purpose of improving the surface hardness of the permanent pattern or keeping the linear expansion coefficient low, or keeping the dielectric constant or dielectric loss tangent of the cured film low. Pigments and organic fine particles can be added.
The inorganic pigment is not particularly limited and may be appropriately selected from known ones. For example, kaolin, barium sulfate, barium titanate, silicon oxide powder, finely divided silicon oxide, vapor phase method silica, amorphous Examples thereof include silica, crystalline silica, fused silica, spherical silica, talc, clay, magnesium carbonate, calcium carbonate, aluminum oxide, aluminum hydroxide, and mica.
The average particle diameter of the inorganic pigment is preferably less than 10 μm, and more preferably 3 μm or less. When the average particle size is 10 μm or more, resolution may be deteriorated due to light scattering.
There is no restriction | limiting in particular as said organic fine particle, According to the objective, it can select suitably, For example, a melamine resin, a benzoguanamine resin, a crosslinked polystyrene resin etc. are mentioned. Further, silica having an average particle diameter of 1 to 5 μm and an oil absorption of about 100 to 200 m 2 / g, spherical porous fine particles made of a crosslinked resin, and the like can be used.

前記体質顔料の添加量は、5〜60質量%が好ましい。該添加量が5質量%未満であると、十分に線膨張係数を低下させることができないことがあり、60質量%を超えると、感光層表面に硬化膜を形成した場合に、該硬化膜の膜質が脆くなり、永久パターンを用いて配線を形成する場合において、配線の保護膜としての機能が損なわれることがある。   The amount of the extender is preferably 5 to 60% by mass. When the addition amount is less than 5% by mass, the linear expansion coefficient may not be sufficiently reduced. When the addition amount exceeds 60% by mass, when the cured film is formed on the photosensitive layer surface, The film quality becomes fragile, and when a wiring is formed using a permanent pattern, the function of the wiring as a protective film may be impaired.

−密着促進剤−
各層間の密着性、又は感光層と基材との密着性を向上させるために、各層に公知のいわゆる密着促進剤を用いることができる。
-Adhesion promoter-
In order to improve the adhesion between the layers or the adhesion between the photosensitive layer and the substrate, a known so-called adhesion promoter can be used for each layer.

前記密着促進剤としては、例えば、特開平5−11439号公報、特開平5−341532号公報、及び特開平6−43638号公報などに記載の密着促進剤が好適挙げられる。具体的には、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、2−メルカプトベンズイミダゾール、2−メルカプトベンズオキサゾール、2−メルカプトベンズチアゾール、3−モルホリノメチル−1−フェニル−トリアゾール−2−チオン、3−モルホリノメチル−5−フェニル−オキサジアゾール−2−チオン、5−アミノ−3−モルホリノメチル−チアジアゾール−2−チオン、及び2−メルカプト−5−メチルチオ−チアジアゾール、トリアゾール、テトラゾール、ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、アミノ基含有ベンゾトリアゾール、シランカップリング剤などが挙げられる。   Preferred examples of the adhesion promoter include adhesion promoters described in JP-A-5-11439, JP-A-5-341532, JP-A-6-43638, and the like. Specifically, benzimidazole, benzoxazole, benzthiazole, 2-mercaptobenzimidazole, 2-mercaptobenzoxazole, 2-mercaptobenzthiazole, 3-morpholinomethyl-1-phenyl-triazole-2-thione, 3-morpholino Methyl-5-phenyl-oxadiazole-2-thione, 5-amino-3-morpholinomethyl-thiadiazole-2-thione, and 2-mercapto-5-methylthio-thiadiazole, triazole, tetrazole, benzotriazole, carboxybenzotriazole Amino group-containing benzotriazole, silane coupling agents, and the like.

前記密着促進剤の含有量としては、前記感光性組成物中の全成分に対して0.001質量%〜20質量%が好ましく、0.01〜10質量%がより好ましく、0.1質量%〜5質量%が特に好ましい。   As content of the said adhesion promoter, 0.001 mass%-20 mass% are preferable with respect to all the components in the said photosensitive composition, 0.01-10 mass% is more preferable, 0.1 mass% ˜5% by weight is particularly preferred.

前記感光層の形成方法としては、第1の態様として、前記感光性組成物を前記基材の表面に塗布し、乾燥する方法が挙げられ、第2の態様として、感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層する方法が挙げられる。   Examples of the method for forming the photosensitive layer include a method in which the photosensitive composition is applied to the surface of the substrate and dried, as a first aspect, and a photosensitive film is heated and applied as a second aspect. The method of laminating | stacking on the surface of a base material under at least any one of pressure is mentioned.

前記第1の態様の感光層の形成方法は、前記基材上に、前記感光性組成物を塗布及び乾燥して感光層を形成する。
前記塗布及び乾燥の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記基材の表面に、前記感光性組成物を、水又は溶剤に溶解、乳化又は分散させて感光性組成物溶液を調製し、該溶液を直接塗布し、乾燥させることにより積層する方法が挙げられる。
In the method for forming a photosensitive layer according to the first aspect, a photosensitive layer is formed by applying and drying the photosensitive composition on the substrate.
The method for coating and drying is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, the photosensitive composition is dissolved, emulsified or dispersed on the surface of the base material in water or a solvent. And a method of laminating by preparing a photosensitive composition solution, applying the solution directly, and drying the solution.

前記感光性組成物溶液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、sec−ブタノール、n−ヘキサノール等のアルコール類;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジイソブチルケトンなどのケトン類;酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸−n−アミル、硫酸メチル、プロピオン酸エチル、フタル酸ジメチル、安息香酸エチル、及びメトキシプロピルアセテートなどのエステル類;トルエン、キシレン、ベンゼン、エチルベンゼンなどの芳香族炭化水素類;四塩化炭素、トリクロロエチレン、クロロホルム、1,1,1−トリクロロエタン、塩化メチレン、モノクロロベンゼンなどのハロゲン化炭化水素類;テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、1−メトキシ−2−プロパノールなどのエーテル類;ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホオキサイド、スルホランなどが挙げられる。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。また、公知の界面活性剤を添加してもよい。   There is no restriction | limiting in particular as a solvent of the said photosensitive composition solution, According to the objective, it can select suitably, For example, methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, sec-butanol, n-hexanol Alcohols such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, diisobutyl ketone, etc .; ethyl acetate, butyl acetate, n-amyl acetate, methyl sulfate, ethyl propionate, dimethyl phthalate, ethyl benzoate, and Esters such as methoxypropyl acetate; aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, benzene, ethylbenzene; carbon tetrachloride, trichloroethylene, chloroform, 1,1,1-trichloroethane, methylene chloride, monochlorobenzene Halogenated hydrocarbons of: ethers such as tetrahydrofuran, diethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, 1-methoxy-2-propanol; dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, sulfolane, etc. . These may be used alone or in combination of two or more. Moreover, you may add a well-known surfactant.

前記塗布の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、スピンコーター、スリットスピンコーター、ロールコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて、前記基材に直接塗布する方法が挙げられる。
前記乾燥の条件としては、各成分、溶媒の種類、使用割合等によっても異なるが、通常60〜110℃の温度で30秒間〜15分間程度である。
The coating method is not particularly limited and can be appropriately selected depending on the purpose. For example, using a spin coater, a slit spin coater, a roll coater, a die coater, a curtain coater, etc. The method of apply | coating is mentioned.
The drying conditions vary depending on each component, the type of solvent, the use ratio, and the like, but are usually about 60 to 110 ° C. for about 30 seconds to 15 minutes.

前記感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、3〜100μmが好ましく、5〜70μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, For example, 3-100 micrometers is preferable and 5-70 micrometers is more preferable.

前記第2の態様の感光層の形成方法は、前記基材の表面に支持体と該支持体上に感光性組成物が積層されてなる感光層とを有する感光性フィルムを加熱及び加圧の少なくともいずれかを行いながら積層する。なお、前記感光性フィルムが後述する保護フィルムを有する場合には、該保護フィルムを剥離し、前記基材に前記感光層が重なるようにして積層するのが好ましい。   In the method for forming a photosensitive layer according to the second aspect, a photosensitive film having a support on the surface of the substrate and a photosensitive layer in which a photosensitive composition is laminated on the support is heated and pressurized. Laminate while doing at least one. In addition, when the said photosensitive film has a protective film mentioned later, it is preferable to peel this protective film and to laminate | stack so that the said photosensitive layer may overlap with the said base material.

〔感光性フィルム〕
前記感光性フィルムは、少なくとも支持体と、感光層とを有してなり、好ましくは保護フィルムを有してなり、更に必要に応じて、クッション層、酸素遮断層(PC層)などのその他の層を有してなる。
前記感光性フィルムの形態としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記支持体上に、前記感光層、前記保護膜フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記PC層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態、前記支持体上に、前記クッション層、前記PC層、前記感光層、前記保護フィルムをこの順に有してなる形態などが挙げられる。なお、前記感光層は、単層であってもよいし、複数層であってもよい。
[Photosensitive film]
The photosensitive film has at least a support and a photosensitive layer, preferably a protective film, and, if necessary, other layers such as a cushion layer and an oxygen barrier layer (PC layer). Having a layer.
The form of the photosensitive film is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the purpose. For example, the photosensitive layer and the protective film are provided in this order on the support, On the support, the PC layer, the photosensitive layer, and the protective film are arranged in this order. On the support, the cushion layer, the PC layer, the photosensitive layer, and the protective film are arranged in this order. The form which has is mentioned. The photosensitive layer may be a single layer or a plurality of layers.

<支持体>
前記支持体としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記感光層を剥離可能であり、かつ光の透過性が良好であるのが好ましく、更に表面の平滑性が良好であるのがより好ましい。
<Support>
The support is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. However, it is preferable that the photosensitive layer can be peeled off and the light transmittance is good, and the surface smoothness is further improved. Is more preferable.

前記支持体は、合成樹脂製で、かつ透明であるものが好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、三酢酸セルロース、二酢酸セルロース、ポリ(メタ)アクリル酸アルキルエステル、ポリ(メタ)アクリル酸エステル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリカーボネート、ポリスチレン、セロファン、ポリ塩化ビニリデン共重合体、ポリアミド、ポリイミド、塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体、ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフルオロエチレン、セルロース系フィルム、ナイロンフィルム等の各種のプラスチックフィルムが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましい。これらは、1種単独で使用してもよく、2種以上を併用してもよい。
なお、前記支持体としては、例えば、特開平4−208940号公報、特開平5−80503号公報、特開平5−173320号公報、特開平5−72724号公報などに記載の支持体を用いることもできる。
The support is preferably made of a synthetic resin and transparent, for example, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polypropylene, polyethylene, cellulose triacetate, cellulose diacetate, poly (meth) acrylic acid alkyl ester, poly ( (Meth) acrylic acid ester copolymer, polyvinyl chloride, polyvinyl alcohol, polycarbonate, polystyrene, cellophane, polyvinylidene chloride copolymer, polyamide, polyimide, vinyl chloride / vinyl acetate copolymer, polytetrafluoroethylene, polytrifluoro Various plastic films such as ethylene, cellulose-based film, nylon film and the like can be mentioned, and among these, polyethylene terephthalate is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more.
As the support, for example, the support described in JP-A-4-208940, JP-A-5-80503, JP-A-5-173320, JP-A-5-72724, or the like is used. You can also.

前記支持体の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、4〜300μmが好ましく、5〜175μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, For example, 4-300 micrometers is preferable and 5-175 micrometers is more preferable.

前記支持体の形状としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、長尺状が好ましい。前記長尺状の支持体の長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m〜20000mの長さのものが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as a shape of the said support body, Although it can select suitably according to the objective, A long shape is preferable. There is no restriction | limiting in particular as the length of the said elongate support body, For example, the thing of length 10m-20000m is mentioned.

−感光性フィルムにおける感光層−
前記感光性フィルムにおける感光層は、前記感光性組成物により形成される。
前記感光層の前記感光性フィルムにおいて設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、前記支持体上に積層される。
-Photosensitive layer in photosensitive film-
The photosensitive layer in the photosensitive film is formed of the photosensitive composition.
There is no restriction | limiting in particular as a location provided in the said photosensitive film of the said photosensitive layer, Although it can select suitably according to the objective, Usually, it laminates | stacks on the said support body.

前記感光性フィルムにおける感光層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、3〜100μmが好ましく、5〜70μmがより好ましい。   There is no restriction | limiting in particular as the thickness of the photosensitive layer in the said photosensitive film, Although it can select suitably according to the objective, For example, 3-100 micrometers is preferable and 5-70 micrometers is more preferable.

前記感光性フィルムにおける感光層の形成は、前記基材への前記感光性組成物溶液の塗布及び乾燥(前記第1の態様の感光層の形成方法)と同様な方法で行うことができ、例えば、該感光性組成物溶液をスピンコーター、スリットスピンコーター、ロールコーター、ダイコーター、カーテンコーターなどを用いて塗布する方法が挙げられる。   Formation of the photosensitive layer in the photosensitive film can be performed by the same method as the application of the photosensitive composition solution to the substrate and drying (method for forming the photosensitive layer of the first aspect), for example, And a method of applying the photosensitive composition solution using a spin coater, a slit spin coater, a roll coater, a die coater, a curtain coater, or the like.

<保護フィルム>
前記保護フィルムは、前記感光層の汚れや損傷を防止し、保護する機能を有する。
前記保護フィルムの前記感光性フィルムにおいて設けられる箇所としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、通常、前記感光層上に設けられる。
前記保護フィルムとしては、例えば、前記支持体に使用されるもの、シリコーン紙、ポリエチレン、ポリプロピレンがラミネートされた紙、ポリオレフィン又はポリテトラフルオルエチレンシート、などが挙げられ、これらの中でも、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが好ましい。
前記保護フィルムの厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、5〜100μmが好ましく、8〜30μmがより好ましい。
前記保護フィルムを用いる場合、前記感光層及び前記支持体の接着力Aと、前記感光層及び保護フィルムの接着力Bとが、接着力A>接着力Bの関係であることが好ましい。
前記支持体と保護フィルムとの組合せ(支持体/保護フィルム)としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレン、ポリ塩化ビニル/セロフアン、ポリイミド/ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート/ポリエチレンテレフタレートなどが挙げられる。また、支持体及び保護フィルムの少なくともいずれかを表面処理することにより、上述のような接着力の関係を満たすことができる。前記支持体の表面処理は、前記感光層との接着力を高めるために施されてもよく、例えば、下塗層の塗設、コロナ放電処理、火炎処理、紫外線照射処理、高周波照射処理、グロー放電照射処理、活性プラズマ照射処理、レーザ光線照射処理などを挙げることができる。
<Protective film>
The protective film has a function of preventing and protecting the photosensitive layer from being stained and damaged.
There is no restriction | limiting in particular as a location provided in the said photosensitive film of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, Usually, it is provided on the said photosensitive layer.
Examples of the protective film include those used for the support, silicone paper, polyethylene, paper laminated with polypropylene, polyolefin or polytetrafluoroethylene sheet, etc. Among these, polyethylene film, Polypropylene film is preferred.
There is no restriction | limiting in particular as thickness of the said protective film, Although it can select suitably according to the objective, For example, 5-100 micrometers is preferable and 8-30 micrometers is more preferable.
When the protective film is used, it is preferable that the adhesive force A between the photosensitive layer and the support and the adhesive force B between the photosensitive layer and the protective film satisfy the relationship of adhesive force A> adhesive force B.
Examples of the combination of the support and the protective film (support / protective film) include polyethylene terephthalate / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene, polyvinyl chloride / cellophane, polyimide / polypropylene, polyethylene terephthalate / polyethylene terephthalate, and the like. . Moreover, the relationship of the above adhesive forces can be satisfy | filled by surface-treating at least any one of a support body and a protective film. The surface treatment of the support may be performed in order to increase the adhesive force with the photosensitive layer. For example, coating of a primer layer, corona discharge treatment, flame treatment, ultraviolet irradiation treatment, high frequency irradiation treatment, glow treatment Examples thereof include a discharge irradiation process, an active plasma irradiation process, and a laser beam irradiation process.

また、前記支持体と前記保護フィルムとの静摩擦係数としては、0.3〜1.4が好ましく、0.5〜1.2がより好ましい。
前記静摩擦係数が、0.3未満であると、滑り過ぎるため、ロール状にした場合に巻ズレが発生することがあり、1.4を超えると、良好なロール状に巻くことが困難となることがある。
Moreover, as a static friction coefficient of the said support body and the said protective film, 0.3-1.4 are preferable and 0.5-1.2 are more preferable.
When the coefficient of static friction is less than 0.3, slipping is excessive, so that winding deviation may occur when the roll is formed. Sometimes.

前記感光性フィルムは、例えば、円筒状の巻芯に巻き取って、長尺状でロール状に巻かれて保管されるのが好ましい。前記長尺状の感光性フィルムの長さとしては、特に制限はなく、例えば、10m〜20,000mの範囲から適宜選択することができる。また、ユーザーが使いやすいようにスリット加工し、100m〜1,000mの範囲の長尺体をロール状にしてもよい。なお、この場合には、前記支持体が一番外側になるように巻き取られるのが好ましい。また、前記ロール状の感光性フィルムをシート状にスリットしてもよい。保管の際、端面の保護、エッジフュージョンを防止する観点から、端面にはセパレーター(特に防湿性のもの、乾燥剤入りのもの)を設置するのが好ましく、また梱包も透湿性の低い素材を用いるのが好ましい。   The photosensitive film is preferably stored, for example, wound around a cylindrical core, wound in a long roll shape. There is no restriction | limiting in particular as the length of the said elongate photosensitive film, For example, it can select suitably from the range of 10m-20,000m. Further, slitting may be performed so that the user can easily use, and a long body in the range of 100 m to 1,000 m may be formed into a roll. In this case, it is preferable that the support is wound up so as to be the outermost side. Moreover, you may slit the said roll-shaped photosensitive film in a sheet form. When storing, from the viewpoint of protecting the end face and preventing edge fusion, it is preferable to install a separator (particularly moisture-proof and containing a desiccant) on the end face, and use a low moisture-permeable material for packaging. Is preferred.

前記保護フィルムは、前記保護フィルムと前記感光層との接着性を調整するために表面処理してもよい。前記表面処理は、例えば、前記保護フィルムの表面に、ポリオルガノシロキサン、弗素化ポリオレフィン、ポリフルオロエチレン、ポリビニルアルコール等のポリマーからなる下塗層を形成させる。該下塗層の形成は、前記ポリマーの塗布液を前記保護フィルムの表面に塗布した後、30〜150℃(特に50〜120℃)で1〜30分間乾燥させることにより形成させることができる。
また、前記感光層、前記支持体、前記保護フィルムの他に、クッション層、酸素遮断層(PC層)、剥離層、接着層、光吸収層、表面保護層などの層を有してもよい。
前記クッション層は、常温ではタック性が無く、真空・加熱条件で積層した場合に溶融し、流動する層である。
前記PC層は、通常ポリビニルアルコールを主成分として形成された0.5〜5μm程度の被膜である。
The protective film may be surface-treated in order to adjust the adhesion between the protective film and the photosensitive layer. In the surface treatment, for example, an undercoat layer made of a polymer such as polyorganosiloxane, fluorinated polyolefin, polyfluoroethylene, or polyvinyl alcohol is formed on the surface of the protective film. The undercoat layer can be formed by applying the polymer coating solution to the surface of the protective film and then drying at 30 to 150 ° C. (especially 50 to 120 ° C.) for 1 to 30 minutes.
In addition to the photosensitive layer, the support, and the protective film, a cushion layer, an oxygen blocking layer (PC layer), a release layer, an adhesive layer, a light absorption layer, a surface protective layer, and the like may be included. .
The cushion layer is a layer that has no tackiness at room temperature and melts and flows when laminated under vacuum and heating conditions.
The PC layer is usually a coating of about 0.5 to 5 μm formed mainly of polyvinyl alcohol.

前記加熱温度としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、70〜130℃が好ましく、80〜110℃がより好ましい。
前記加圧の圧力としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、0.01〜1.0MPaが好ましく、0.05〜1.0MPaがより好ましい。
There is no restriction | limiting in particular as said heating temperature, Although it can select suitably according to the objective, For example, 70-130 degreeC is preferable and 80-110 degreeC is more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as a pressure of the said pressurization, Although it can select suitably according to the objective, For example, 0.01-1.0 MPa is preferable and 0.05-1.0 MPa is more preferable.

前記加熱及び加圧の少なくともいずれかを行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ヒートプレス、ヒートロールラミネーター(例えば、大成ラミネータ社製、VP−II)、真空ラミネーター(例えば、名機製作所製、MVLP500)などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs at least any one of the said heating and pressurization, According to the objective, it can select suitably, For example, heat press, a heat roll laminator (For example, Taisei Laminator company make, VP-II) ), A vacuum laminator (for example, MVLP500, manufactured by Meiki Seisakusho) and the like are preferable.

前記感光性フィルムは、プリント配線板、カラーフィルタや柱材、リブ材、スペーサー、隔壁などのディスプレイ用部材、ホログラム、マイクロマシン、プルーフなどの永久パターン形成用として広く用いることができ、本発明の永久パターン形成方法に好適に用いることができる。
特に、前記感光性フィルムは、該フィルムの厚みが均一であるため、永久パターンの形成に際し、前記基材への積層がより精細に行われる。
The photosensitive film can be widely used for forming a permanent pattern such as a printed wiring board, a color filter, a pillar material, a rib material, a spacer, a display member such as a partition, a hologram, a micromachine, a proof, and the like. It can be suitably used for a pattern forming method.
In particular, since the photosensitive film has a uniform thickness, the film is more precisely laminated on the substrate when a permanent pattern is formed.

なお、前記第2の態様の感光層の形成方法により形成された感光層を有する積層体への露光としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記支持体、クッション層及びPC層を介して前記感光層を露光してもよく、前記支持体を剥離した後、前記クッション層及びPC層を介して前記感光層を露光してもよく、前記支持体及びクッション層を剥離した後、前記PC層を介して前記感光層を露光してもよく、前記支持体、クッション層及びPC層を剥離した後、前記感光層を露光してもよい。   In addition, there is no restriction | limiting in particular as exposure to the laminated body which has the photosensitive layer formed by the formation method of the photosensitive layer of the said 2nd aspect, According to the objective, it can select suitably, For example, the said support body The photosensitive layer may be exposed through the cushion layer and the PC layer, and after the support is peeled off, the photosensitive layer may be exposed through the cushion layer and the PC layer. After peeling off the cushion layer, the photosensitive layer may be exposed through the PC layer, or after peeling off the support, cushion layer, and PC layer, the photosensitive layer may be exposed.

〔現像工程〕
前記現像工程は、前記露光工程により前記感光層を露光し、該感光層の露光した領域を硬化させた後、未硬化領域を除去することにより現像し、永久パターンを形成する工程である。
[Development process]
The developing step is a step of forming a permanent pattern by exposing the photosensitive layer by the exposing step, curing the exposed region of the photosensitive layer, and then developing by removing the uncured region.

前記未硬化領域の除去方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、現像液を用いて除去する方法などが挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as the removal method of the said unhardened area | region, According to the objective, it can select suitably, For example, the method etc. which remove using a developing solution are mentioned.

前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、アルカリ金属又はアルカリ土類金属の水酸化物若しくは炭酸塩、炭酸水素塩、アンモニア水、4級アンモニウム塩の水溶液などが好適に挙げられる。これらの中でも、炭酸ナトリウム水溶液が特に好ましい。   The developer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. Examples thereof include alkali metal or alkaline earth metal hydroxides or carbonates, bicarbonates, aqueous ammonia, and quaternary ammonium. A salt aqueous solution is preferred. Among these, an aqueous sodium carbonate solution is particularly preferable.

前記現像液は、界面活性剤、消泡剤、有機塩基(例えば、ベンジルアミン、エチレンジアミン、エタノールアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、ジエチレントリアミン、トリエチレンペンタミン、モルホリン、トリエタノールアミン等)や、現像を促進させるため有機溶剤(例えば、アルコール類、ケトン類、エステル類、エーテル類、アミド類、ラクトン類等)などと併用してもよい。また、前記現像液は、水又はアルカリ水溶液と有機溶剤を混合した水系現像液であってもよく、有機溶剤単独であってもよい。   The developer includes a surfactant, an antifoaming agent, an organic base (for example, benzylamine, ethylenediamine, ethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, diethylenetriamine, triethylenepentamine, morpholine, triethanolamine, etc.) May be used in combination with an organic solvent (for example, alcohols, ketones, esters, ethers, amides, lactones, etc.). The developer may be an aqueous developer obtained by mixing water or an aqueous alkali solution and an organic solvent, or may be an organic solvent alone.

〔硬化処理工程〕
前記硬化処理工程は、前記現像工程が行われた後、形成された永久パターンにおける感光層に対して硬化処理を行う工程である。
[Curing process]
The curing treatment step is a step of performing a curing treatment on the photosensitive layer in the formed permanent pattern after the development step is performed.

前記硬化処理としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、全面露光処理、全面加熱処理などが好適に挙げられる。   There is no restriction | limiting in particular as said hardening process, Although it can select suitably according to the objective, For example, a whole surface exposure process, a whole surface heat processing, etc. are mentioned suitably.

前記全面露光処理の方法としては、例えば、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を露光する方法が挙げられる。該全面露光により、前記感光層を形成する感光性組成物中の樹脂の硬化が促進され、前記永久パターンの表面が硬化される。
前記全面露光を行う装置としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、超高圧水銀灯などのUV露光機が好適に挙げられる。
Examples of the entire surface exposure processing method include a method of exposing the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the developing step. The entire surface exposure accelerates the curing of the resin in the photosensitive composition forming the photosensitive layer, and the surface of the permanent pattern is cured.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface exposure, Although it can select suitably according to the objective, For example, UV exposure machines, such as an ultrahigh pressure mercury lamp, are mentioned suitably.

前記全面加熱処理の方法としては、前記現像工程の後に、前記永久パターンが形成された前記積層体上の全面を加熱する方法が挙げられる。該全面加熱により、前記永久パターンの表面の膜強度が高められる。
前記全面加熱における加熱温度としては、120〜250℃が好ましく、120〜200℃がより好ましい。該加熱温度が120℃未満であると、加熱処理による膜強度の向上が得られないことがあり、250℃を超えると、前記感光性組成物中の樹脂の分解が生じ、膜質が弱く脆くなることがある。
前記全面加熱における加熱時間としては、10〜120分が好ましく、15〜60分がより好ましい。
前記全面加熱を行う装置としては、特に制限はなく、公知の装置の中から、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ドライオーブン、ホットプレート、IRヒーターなどが挙げられる。
Examples of the entire surface heat treatment method include a method of heating the entire surface of the laminate on which the permanent pattern is formed after the developing step. By heating the entire surface, the film strength of the surface of the permanent pattern is increased.
As heating temperature in the said whole surface heating, 120-250 degreeC is preferable and 120-200 degreeC is more preferable. When the heating temperature is less than 120 ° C., the film strength may not be improved by heat treatment. When the heating temperature exceeds 250 ° C., the resin in the photosensitive composition is decomposed, and the film quality is weak and brittle. Sometimes.
As heating time in the said whole surface heating, 10 to 120 minutes are preferable and 15 to 60 minutes are more preferable.
There is no restriction | limiting in particular as an apparatus which performs the said whole surface heating, According to the objective, it can select suitably from well-known apparatuses, For example, a dry oven, a hot plate, IR heater etc. are mentioned.

なお、前記基材が多層配線基板などのプリント配線板である場合には、該プリント配線板上に本発明の永久パターンを形成し、更に、以下のように半田付けを行うことができる。
即ち、前記現像工程により、前記永久パターンである硬化層が形成され、前記プリント配線板の表面に金属層が露出される。該プリント配線板の表面に露出した金属層の部位に対して金メッキを行った後、半田付けを行う。そして、半田付けを行った部位に、半導体や部品などを実装する。このとき、前記硬化層による永久パターンが、保護膜、絶縁膜(層間絶縁膜)、あるいはソルダーレジストとしての機能を発揮し、外部からの衝撃や隣同士の電極の導通が防止される。
When the substrate is a printed wiring board such as a multilayer wiring board, the permanent pattern of the present invention can be formed on the printed wiring board, and further soldered as follows.
That is, the development step forms a hardened layer that is the permanent pattern, and the metal layer is exposed on the surface of the printed wiring board. Gold plating is performed on the portion of the metal layer exposed on the surface of the printed wiring board, and then soldering is performed. Then, a semiconductor or a component is mounted on the soldered portion. At this time, the permanent pattern by the hardened layer functions as a protective film, an insulating film (interlayer insulating film), or a solder resist, and prevents external impact and conduction between adjacent electrodes.

本発明の永久パターン形成方法においては、保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成するのが好ましい。
前記永久パターン形成方法により形成された前記永久パターンは、配線を外部からの衝撃や曲げから保護することができ、特に、前記層間絶縁膜である場合には、例えば、多層配線基板やビルドアップ配線基板などへの半導体や部品の高密度実装に有用である。
In the permanent pattern forming method of the present invention, it is preferable to form at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern.
The permanent pattern formed by the permanent pattern forming method can protect the wiring from external impact and bending, and particularly in the case of the interlayer insulating film, for example, a multilayer wiring board or a build-up wiring It is useful for high-density mounting of semiconductors and components on a substrate.

本発明の永久パターン形成方法は、感光層上に結像させる像の歪みを抑制することにより、永久パターンを高精細に、かつ、効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができ、特に高精細な永久パターンの形成に好適に使用することができる。   Since the permanent pattern forming method of the present invention can form a permanent pattern with high definition and efficiency by suppressing distortion of an image formed on the photosensitive layer, high-definition exposure is required. In particular, it can be suitably used for forming high-definition permanent patterns.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

(実施例1)
−感光性組成物の調製−
下記組成に基づいて、感光性組成物(溶液)を調製した。
〔感光性組成物溶液の組成〕
・フェニルグリシン 0.2質量部
・硫酸バリウム(堺化学工業社製、B30)分散液 63質量部
・エポキシアクリレート化合物:バインダー
(PR−300、濃度67%、昭和高分子(株)製) 24.5質量部
・側鎖に(メタ)アクリロイル基及びカルボキシル基を有するビニル共重合体:バイン
ダー(SPC−2X、濃度60%、昭和高分子(株)製) 13.8質量部
・下記構造式(38)で表されるエポキシ化合物:熱架橋剤 16.7質量部
・ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート:重合性化合物 5.5質量部
・IRGACURE369(チバ・スペシャルティ・ケミカルズ社製) 2.0質量部
・1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン(下記構造式(39)) 0.2質量部
・ハイドロキノンモノメチルエーテル 0.056質量部
・ジシアンジアミド 0.4質量部
・2MA−OK(四国化成工業(株)製) 0.3質量部
・フタロシアニングリーン 0.42質量部
・F780F(大日本インキ(株)製の30質量%濃度品 メチルエチルケトン溶液)
0.066質量部
・メチルエチルケトン 60.0質量部
なお、上記硫酸バリウム分散液は、硫酸バリウム(堺化学社製、B30)22質量部と、上記PR−300のジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート67質量%溶液12質量部と、メチルエチルケトン29質量部と、を予め混合した後、モーターミルM−200(アイガー社製)で、直径1.0mmのジルコニアビーズを用い、周速9m/sにて3.5時間分散して調製した。
Example 1
-Preparation of photosensitive composition-
A photosensitive composition (solution) was prepared based on the following composition.
[Composition of photosensitive composition solution]
-Phenylglycine 0.2 mass part-Barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., B30) dispersion 63 mass parts-Epoxy acrylate compound: Binder (PR-300, concentration 67%, Showa Polymer Co., Ltd.) 24. 5 parts by mass-Vinyl copolymer having (meth) acryloyl group and carboxyl group in side chain: Binder (SPC-2X, concentration 60%, Showa Polymer Co., Ltd.) 13.8 parts by mass-Structural formula ( 38) Epoxy compound: Thermal crosslinking agent 16.7 parts by mass Dipentaerythritol hexaacrylate: Polymerizable compound 5.5 parts by mass IRGACURE 369 (Ciba Specialty Chemicals) 2.0 parts by mass 1 -Chloro-4-propyloxythioxanthone (the following structural formula (39)) 0.2 part by mass-hydroquinone monomethyl ether 56 parts by mass, dicyandiamide 0.4 parts by mass, 2 MA-OK (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.) 0.3 parts by mass, phthalocyanine green 0.42 parts by mass, F780F (manufactured by Dainippon Ink Co., Ltd.) 30% by mass Concentration product methyl ethyl ketone solution)
0.066 parts by mass
-Methyl ethyl ketone 60.0 parts by mass The barium sulfate dispersion is composed of 22 parts by mass of barium sulfate (manufactured by Sakai Chemical Co., Ltd., B30), 12 parts by mass of a 67% by mass solution of the above-mentioned PR-300 diethylene glycol monomethyl ether acetate, and methyl ethyl ketone. 29 parts by mass was mixed in advance, and then dispersed with a motor mill M-200 (manufactured by Eiger) using zirconia beads having a diameter of 1.0 mm at a peripheral speed of 9 m / s for 3.5 hours.

−感光性フィルムの製造−
得られた感光性組成物溶液を、前記支持体としての厚み16μmのPET(ポリエチレンテレフタレート)フィルム上に、塗布し、乾燥させて、膜厚35μmの感光層を形成した。次いで、該感光層の上に、前記保護フィルムとしての厚み20μmのポリプロピレンフィルムをラミネートで積層し、感光性フィルムを製造した。
-Production of photosensitive film-
The obtained photosensitive composition solution was applied onto a PET (polyethylene terephthalate) film having a thickness of 16 μm as the support and dried to form a photosensitive layer having a thickness of 35 μm. Next, a 20 μm-thick polypropylene film as the protective film was laminated on the photosensitive layer with a laminate to produce a photosensitive film.

−永久パターンの形成−
−−感光性積層体の調製−−
次に、前記基材として、配線形成済みの銅張積層板(スルーホールなし、銅厚み12μm)の表面に化学研磨処理を施して調製した。該銅張積層板上に、前記感光性フィルムの感光層が前記銅張積層板に接するようにして、前記感光性フィルムにおける保護フィルムを剥がしながら、真空ラミネーター(ニチゴーモートン(株)製、VP130)を用いて積層させ、前記銅張積層板と、前記感光層と、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)とがこの順に積層された感光性積層体を調製した。
圧着条件は、真空引き時間40秒、圧着温度70℃、圧着圧力0.2MPa、加圧時間10秒とした。
-Formation of permanent pattern-
--- Preparation of photosensitive laminate--
Next, as the base material, a surface of a copper-clad laminate (no through hole, copper thickness 12 μm) on which wiring was formed was prepared by chemical polishing treatment. A vacuum laminator (VP130, manufactured by Nichigo Morton Co., Ltd.) was peeled off the protective film on the photosensitive film so that the photosensitive layer of the photosensitive film was in contact with the copper-clad laminate. The photosensitive laminate was prepared by laminating the copper-clad laminate, the photosensitive layer, and the polyethylene terephthalate film (support) in this order.
The pressure bonding conditions were a vacuum drawing time of 40 seconds, a pressure bonding temperature of 70 ° C., a pressure bonding pressure of 0.2 MPa, and a pressure application time of 10 seconds.

前記感光性フィルム、及び積層体を用い、下記の方法により前記感光層の露光感度、解像度を測定し、形成されたパターンのジャギーの有無、エッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。   Using the photosensitive film and the laminate, the exposure sensitivity and resolution of the photosensitive layer were measured by the following methods, and the formed pattern was evaluated for jaggy and edge roughness. The results are shown in Table 1.

<露光感度の測定>
−最短現像時間の測定−
前記積層体を、室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、前記感光層に現像処理を行った。前記現像処理は、銅張積層板上の前記感光層の全面にアルカリ現像液として、1質量%炭酸ナトリウム水溶液を用い、30℃にてシャワーすることによって行い、前記感光層が完全に除去されるまでの所要時間を測定し、これを最短現像時間とした。
この結果、前記最短現像時間は、20秒であった。
<Measurement of exposure sensitivity>
-Measurement of the shortest development time-
The laminate was allowed to stand at room temperature for 10 minutes, and then the polyethylene terephthalate film (support) was peeled off from the laminate, and the photosensitive layer was developed. The development process is performed by showering the entire surface of the photosensitive layer on the copper-clad laminate with a 1% by weight sodium carbonate aqueous solution as an alkaline developer at 30 ° C., and the photosensitive layer is completely removed. The time required until this time was measured, and this was taken as the shortest development time.
As a result, the shortest development time was 20 seconds.

−露光感度の測定−
前記積層体における感光層に対し、前記ポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)側から、下記の露光装置を用いて、0.1mJ/cmから21/2倍間隔で100mJ/cmまでの光エネルギー量の異なる光を照射して露光し、前記感光層の一部の領域を硬化させた。室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、銅張積層板上の感光層の全面に、炭酸ナトリウム水溶液(30℃、1質量%)を上記の方法により求めた最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去して、残った硬化領域の厚みを測定した。次いで、光の照射量と、硬化層の厚さとの関係をプロットして感度曲線を得た。こうして得た感度曲線から硬化領域の厚さが露光前と同じ厚みとなった時の光エネルギー量を、感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量とした。このようにして求めた前記感光層を硬化させるために必要な光エネルギー量(露光感度)を表1に示す。
-Measurement of exposure sensitivity-
The photosensitive layer in the laminate, from the polyethylene terephthalate film (support) side, using the following exposure device, light energy from 0.1 mJ / cm 2 to 100 mJ / cm 2 at 2 1/2 times the interval The exposure was performed by irradiating different amounts of light, and a part of the photosensitive layer was cured. After standing at room temperature for 10 minutes, the polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the laminate, and an aqueous sodium carbonate solution (30 ° C., 1% by mass) is applied to the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate. Spraying was performed twice as long as the shortest development time determined by the above method, and the uncured area was dissolved and removed, and the thickness of the remaining cured area was measured. Subsequently, the relationship between the light irradiation amount and the thickness of the cured layer was plotted to obtain a sensitivity curve. From the sensitivity curve thus obtained, the amount of light energy when the thickness of the cured region was the same as that before exposure was determined as the amount of light energy necessary for curing the photosensitive layer. Table 1 shows the amount of light energy (exposure sensitivity) required to cure the photosensitive layer thus obtained.

<<露光装置>>
前記露光装置として、図2に示した構成の露光ヘッドを備え、図1に示す外観のフラットベットタイプの露光装置を用いた。制御ユニット42は、図8に示す制御回路を有する。前記露光ヘッドは、前記光照射手段として半導体レーザ光源と、前記光変調手段として図3に概略図を示したDMD36において、マイクロミラー40が、主走査方向に1024個配列され、副走査方向に768組配列された内、1024個×256列のみを駆動するように制御したDMD36を備えている。
該露光ヘッドを、走査方向に対し、前記DMDの列方向が15°となるように配置し、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行った。
<< Exposure equipment >>
As the exposure apparatus, the flat bed type exposure apparatus having the appearance shown in FIG. 1 and the exposure head having the configuration shown in FIG. 2 was used. The control unit 42 has a control circuit shown in FIG. In the exposure head, a semiconductor laser light source as the light irradiating means, and 1024 micromirrors 40 are arranged in the main scanning direction in the DMD 36 schematically shown in FIG. 3 as the light modulating means, and 768 in the sub scanning direction. A DMD 36 controlled so as to drive only 1024 × 256 rows among the array is provided.
The exposure head was arranged so that the DMD column direction was 15 ° with respect to the scanning direction, and exposure was performed by moving the exposure head relative to the scanning direction.

各パラメータを図16に示した値と同様に設定して、露光を行った。このとき、図16から明らかなとおり、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、良好な描画パターンが得られることが期待される。   Each parameter was set in the same manner as the values shown in FIG. 16, and exposure was performed. At this time, as apparent from FIG. 16, it is expected that no jaggy occurs before and after the inclination angle of 15 ° of the original image 80 and a good drawing pattern is obtained.

<解像度の測定>
上記と同様の方法により前記積層体を調製し、室温(23℃、55%RH)にて10分間静置した。得られた前記積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)上から、前記パターン形成装置を用いて、ライン/スペース=1/1で、ライン幅5〜20μmまでは1μ刻みで各線幅の露光を行い、ライン幅20〜50μmまでは5μm刻みで各線幅の露光を行った。この際の露光量は、前記露光感度の測定で求めた、前記感光層を効果させるために必用な光エネルギー量である。
露光後、室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、前記銅張積層板上の前記感光層の全面に、前記現像液として炭酸ナトリウム水溶液(30℃、1質量%)をスプレー圧0.15MPaにて前記の方法により求めた最短現像時間の2倍スプレーし、未硬化領域を溶解除去した。
このようにして得られた硬化樹脂パターン付き銅張積層板の表面を光学顕微鏡で観察し、硬化樹脂パターンのラインにツマリ、ヨレ等の異常のない最小のライン幅を測定し、これを解像度とした。該解像度は、数値が小さいほど良好である。結果を表1に示す。
<Measurement of resolution>
The laminate was prepared by the same method as above, and allowed to stand at room temperature (23 ° C., 55% RH) for 10 minutes. From the obtained polyethylene terephthalate film (support) of the laminate, using the pattern forming device, line / space = 1/1, and line widths of 5 to 20 μm are exposed in increments of 1 μm. Each line width was exposed in 5 μm increments until the line width was 20-50 μm. The exposure amount at this time is the amount of light energy necessary for effecting the photosensitive layer, obtained by measuring the exposure sensitivity.
After exposure, after standing at room temperature for 10 minutes, the polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the laminate, and an aqueous sodium carbonate solution (as a developer) is applied to the entire surface of the photosensitive layer on the copper clad laminate. 30 ° C., 1% by mass) was sprayed at a spray pressure of 0.15 MPa twice the shortest development time determined by the above method to dissolve and remove uncured regions.
The surface of the copper-clad laminate with the cured resin pattern thus obtained was observed with an optical microscope, and the minimum line width without any abnormalities such as tsumari and twist was measured on the cured resin pattern line. did. The resolution is better as the numerical value is smaller. The results are shown in Table 1.

−永久パターンの形成及び評価−
前記積層体のポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)上から、前記露光感度の測定で求めた露光感度の2倍の露光量で2×10cmの領域を全面露光し、室温にて10分間静置した後、前記積層体からポリエチレンテレフタレートフィルム(支持体)を剥がし取り、前記現像液として1質量%炭酸ソーダ水溶液を用い、30℃にて前述の最短現像時間の2倍の時間スプレーし、未硬化の領域を溶解除去した後、水洗し、乾燥させてパターンを形成した。
前記パターンが形成された前記積層体の全面に対し、150℃で60分間加熱処理を施し、前記パターンを硬化し、膜強度を高め、永久パターンを得た。得られた永久パターンを目視で観察したところ、表面に気泡は認められなかった。
前記永久パターンについて、JIS K−5400に基づいて鉛筆硬度を測定した結果、5H以上であった。
また、前記永久パターンが形成されたプリント配線基板に対し、常法に従い金メッキを行った後、水溶性フラックス処理を行った。次いで、260℃に設定された半田槽に5秒間にわたり3回浸漬し、フラックスを水洗で除去した。フラックス除去後、前記永久パターンを目視にて観察したところ、硬化膜の剥がれ、ふくれ、変色は認められなかった。
-Formation and evaluation of permanent patterns-
After exposing the entire area of 2 × 10 cm from the polyethylene terephthalate film (support) of the laminate to the exposure sensitivity determined by the measurement of the exposure sensitivity, and leaving it at room temperature for 10 minutes. The polyethylene terephthalate film (support) is peeled off from the laminate, and a 1% by weight sodium carbonate aqueous solution is used as the developer, and sprayed at 30 ° C. for twice the shortest development time as described above. Was dissolved and removed, washed with water, and dried to form a pattern.
The entire surface of the laminate on which the pattern was formed was subjected to heat treatment at 150 ° C. for 60 minutes to cure the pattern, increase the film strength, and obtain a permanent pattern. When the obtained permanent pattern was visually observed, no bubbles were observed on the surface.
As a result of measuring the pencil hardness based on JIS K-5400, the permanent pattern was 5H or more.
The printed wiring board on which the permanent pattern was formed was subjected to gold plating according to a conventional method and then subjected to a water-soluble flux treatment. Subsequently, it was immersed three times in a solder bath set at 260 ° C. for 5 seconds, and the flux was removed by washing with water. When the permanent pattern was visually observed after removing the flux, no peeling, blistering, or discoloration of the cured film was observed.

<ジャギーの有無>
前記積層体に、前記露光装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように照射して露光し、前記解像度の測定と同様にして永久パターンを形成した。
形成された永久パターンのうち、ライン幅40μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、ジャギーの有無を評価した。ジャギーピッチpjiの許容範囲は−5μm〜+5μm、ジャギー振幅ajiの許容範囲を−1μm〜+1μmとし、許容範囲を外れたものについて、ジャギー有りとして評価した。
<With or without jaggy>
Using the exposure apparatus, the laminate was exposed to light so that a horizontal line pattern in a direction orthogonal to the scanning direction of the exposure head was formed, and a permanent pattern was formed in the same manner as the resolution measurement. .
Among the formed permanent patterns, arbitrary five portions of a line having a line width of 40 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×) to evaluate the presence or absence of jaggies. . The allowable range of the jaggy pitch pji was −5 μm to +5 μm, the allowable range of the jaggy amplitude aji was −1 μm to +1 μm, and those outside the allowable range were evaluated as having jaggy.

<エッジラフネス>
前記感光層に、前記露光装置を用いて、前記露光ヘッドの走査方向と直交する方向の横線パターンが形成されるように露光し、前記解像度の測定と同様にして永久パターンを形成した。
形成された永久パターンのうち、ライン幅40μmのラインの任意の5箇所について、レーザ顕微鏡(VK−9500、キーエンス(株)製;対物レンズ50倍)を用いて観察し、視野内のエッジ位置のうち、最も膨らんだ箇所(山頂部)と、最もくびれた箇所(谷底部)との差を絶対値として求め、観察した5箇所の平均値を算出し、これをエッジラフネスとした。該エッジラフネスは、値が小さい程、良好な性能を示すため好ましい。
<Edge roughness>
The photosensitive layer was exposed using the exposure apparatus such that a horizontal line pattern in a direction perpendicular to the scanning direction of the exposure head was formed, and a permanent pattern was formed in the same manner as the resolution measurement.
Among the formed permanent patterns, arbitrary five points of a line having a line width of 40 μm were observed using a laser microscope (VK-9500, manufactured by Keyence Corporation; objective lens 50 ×), and the edge position in the field of view was observed. Among them, the difference between the most swollen part (mountain peak) and the most constricted part (valley bottom) was obtained as an absolute value, and the average value of the five observed points was calculated, and this was used as edge roughness. The edge roughness is preferably as the value is small because it exhibits good performance.

(実施例2)
実施例1において、露光装置における前記各パラメータを、図18に示した値と同様に設定して露光を行った以外は、実施例1と同様にして永久パターンを形成し、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、このとき、図18から明らかなとおり、オリジナル画像80の傾斜角度15゜の前後でいずれもジャギーが発生することがなく、良好な描画パターンが得られることが期待される。
(Example 2)
In Example 1, a permanent pattern is formed in the same manner as in Example 1 except that exposure is performed by setting the parameters in the exposure apparatus in the same manner as the values shown in FIG. , And edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
At this time, as is apparent from FIG. 18, it is expected that no jaggy occurs before and after an inclination angle of 15 ° of the original image 80 and a good drawing pattern is obtained.

(実施例3)
実施例1において、感光性組成物中の1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン0.2質量部を、2−クロロ−10−ブチルアクリドン(下記構造式(40))0.25質量部に代えた以外は、実施例1と同様にして、感光性組成物を調製した。得られた感光性組成物を用い、実施例1と同様にして前記感光性フィルム、及び前記積層体を製造し、永久パターンを形成し、実施例1と同様にして前記感光層の露光感度、解像度を測定し、形成された永久パターンのジャギーの有無、エッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
(Example 3)
In Example 1, 0.2 part by mass of 1-chloro-4-propyloxythioxanthone in the photosensitive composition was changed to 0.25 part by mass of 2-chloro-10-butylacridone (the following structural formula (40)). The photosensitive composition was prepared like Example 1 except having replaced. Using the obtained photosensitive composition, the photosensitive film and the laminate were produced in the same manner as in Example 1, and a permanent pattern was formed, and the exposure sensitivity of the photosensitive layer in the same manner as in Example 1, The resolution was measured, and the formed permanent pattern was evaluated for the presence or absence of jaggies and the edge roughness. The results are shown in Table 1.

(実施例4)
実施例1において、感光性組成物中の1−クロロ−4−プロピルオキシチオキサントン0.2質量部を、下記構造式(41)で表されるジ置換アミノ−ベンゼン化合物0.2質量部に代えた以外は、実施例1と同様にして、感光性組成物を調製した。得られた感光性組成物を用い、実施例1と同様にして前記感光性フィルム、及び前記積層体を製造し、永久パターンを形成し、実施例1と同様にして前記感光層の露光感度、解像度を測定し、形成された永久パターンのジャギーの有無、エッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
Example 4
In Example 1, 0.2 part by mass of 1-chloro-4-propyloxythioxanthone in the photosensitive composition is replaced with 0.2 part by mass of the disubstituted amino-benzene compound represented by the following structural formula (41). A photosensitive composition was prepared in the same manner as in Example 1 except that. Using the obtained photosensitive composition, the photosensitive film and the laminate were produced in the same manner as in Example 1, and a permanent pattern was formed, and the exposure sensitivity of the photosensitive layer in the same manner as in Example 1, The resolution was measured, and the formed permanent pattern was evaluated for the presence or absence of jaggies and the edge roughness. The results are shown in Table 1.

(比較例1)
実施例1において、各パラメータの設定及び変更を行わずに露光を行った以外は、実施例1と同様にして、感光性フィルム、及び積層体を調製し、永久パターンを形成し、露光感度、解像度、ジャギーの有無、及びエッジラフネスを評価した。結果を表1に示す。
なお、最短現像時間は20秒であった。
(Comparative Example 1)
In Example 1, except that exposure was performed without setting and changing each parameter, a photosensitive film and a laminate were prepared in the same manner as in Example 1, a permanent pattern was formed, exposure sensitivity, The resolution, presence / absence of jaggies, and edge roughness were evaluated. The results are shown in Table 1.
The shortest development time was 20 seconds.

表1の結果から、比較例1の永久パターンと比較して、本発明の永久パターン形成方法により形成された実施例1〜4の永久パターンは、ジャギーが抑制され、エッジラフネスも小さく、高精細であることがわかった。また、実施例1〜4の永久パターンを形成する露光工程において、露光速度を低下させることなく所望のパターンを形成できたことから、本発明の永久パターン形成方法は、効率よく高精細なパターンが形成できることがわかった。   From the results shown in Table 1, compared with the permanent pattern of Comparative Example 1, the permanent patterns of Examples 1 to 4 formed by the permanent pattern forming method of the present invention have reduced jaggy, small edge roughness, and high definition. I found out that In addition, in the exposure process for forming the permanent pattern of Examples 1 to 4, a desired pattern could be formed without reducing the exposure speed. It was found that it can be formed.

本発明の永久パターン形成方法は、露光速度を低下させることなく、ジャギーが低減された所望の描画パターンを被露光面上に形成することにより、保護膜、絶縁膜、及びソルダーレジストパターンなどの永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能な永久パターンを高精細に、かつ効率よく形成可能であるため、高精細な露光が必要とされる各種パターンの形成などに好適に使用することができ、特に高精細な保護膜、絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの形成に好適に使用することができる。   In the permanent pattern forming method of the present invention, a desired drawing pattern with reduced jaggies is formed on an exposed surface without reducing the exposure speed, so that a permanent film such as a protective film, an insulating film, and a solder resist pattern is formed. Permanent patterns that can form patterns with high definition and efficiency can be formed with high definition and efficiency, so they can be used suitably for the formation of various patterns that require high-definition exposure. In particular, it can be suitably used for forming a high-definition protective film, insulating film, and solder resist pattern.

図1は、露光装置の外観斜視図である。FIG. 1 is an external perspective view of the exposure apparatus. 図2は、露光装置における露光ヘッドの概略構成図である。FIG. 2 is a schematic block diagram of an exposure head in the exposure apparatus. 図3は、光変調手段としてのデジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)の構成を示す部分拡大図である。FIG. 3 is a partially enlarged view showing a configuration of a digital micromirror device (DMD) as a light modulation means. 図4は、図3に示すDMDを構成するマイクロミラーがオン状態に設定されている場合の説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram when the micromirrors constituting the DMD shown in FIG. 3 are set to the on state. 図5は、図3に示すDMDを構成するマイクロミラーがオフ状態に設定されている場合の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram when the micromirrors constituting the DMD shown in FIG. 3 are set in the OFF state. 図6は、露光装置における露光ヘッドと、露光ステージに位置決めされたシートフイルム(感光層の被露光面)との関係説明図である。FIG. 6 is a diagram illustrating the relationship between the exposure head in the exposure apparatus and the sheet film (exposed surface of the photosensitive layer) positioned on the exposure stage. 図7は、露光装置における露光ヘッドと、シートフイルム(感光層の被露光面)上の露光エリアとの関係説明図である。FIG. 7 is a diagram for explaining the relationship between the exposure head in the exposure apparatus and the exposure area on the sheet film (the exposed surface of the photosensitive layer). 図8は、露光装置の制御回路ブロック図である。FIG. 8 is a block diagram of the control circuit of the exposure apparatus. 図9は、露光装置における露光ヘッドに使用されるDMDを構成するマイクロミラーの配列状態の説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram of an arrangement state of micromirrors constituting a DMD used for an exposure head in the exposure apparatus. 図10は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図11は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 11 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図12は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのパラメータの説明図である。FIG. 12 is an explanatory diagram of parameters of a drawing pattern formed by the exposure head. 図13は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図14は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 14 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図15は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 15 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図16は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 16 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図17は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 17 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head. 図18は、露光ヘッドにより形成される描画パターンのジャギーピッチ及びジャギー振幅の計算結果説明図である。FIG. 18 is an explanatory diagram of calculation results of jaggy pitch and jaggy amplitude of a drawing pattern formed by the exposure head.

符号の説明Explanation of symbols

10 露光装置
18 露光ステージ
24a〜24j 露光ヘッド
26 スキャナ
28 光源ユニット
36 DMD
38 SRAMセル
40 マイクロミラー
42 制御ユニット
48 マイクロレンズアレー
58a〜58j 露光エリア
64 同期信号生成部
66 露光ステージ駆動部
68 描画データ記憶部
70 DMD変調部
72 周波数変更部
74 位相差変更部
75 移動速度変更部
76 露光ヘッド回転駆動部
77 スワス
78 光学倍率変更部
79 ズーム光学系
80 オリジナル画像
F シートフイルム(積層体)
L レーザビーム
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Exposure apparatus 18 Exposure stage 24a-24j Exposure head 26 Scanner 28 Light source unit 36 DMD
38 SRAM cell 40 Micro mirror 42 Control unit 48 Micro lens array 58a to 58j Exposure area 64 Sync signal generation unit 66 Exposure stage drive unit 68 Drawing data storage unit 70 DMD modulation unit 72 Frequency change unit 74 Phase difference change unit 75 Movement speed change Section 76 Exposure head rotation drive section 77 Swath 78 Optical magnification changing section 79 Zoom optical system 80 Original image F Sheet film (laminate)
L Laser beam

Claims (36)

バインダーと、重合性化合物と、光重合開始系化合物と、熱架橋剤と、を少なくとも含む感光性組成物で基材の表面に形成された感光層に対し、
光照射手段、及び前記光照射手段からの光を受光し出射するn個(ただし、nは2以上の自然数)の2次元状に配列された描素部を有し、パターン情報に応じて前記描素部を制御可能な光変調手段を備えた露光ヘッドであって、該露光ヘッドの走査方向に対し、前記描素部の列方向が所定の傾斜角度をなすように配置された露光ヘッドを用い、該露光ヘッドを走査方向に相対的に移動させて露光を行うことを少なくとも含み、
前記パターン情報に対応する描画パターンにおいて、前記描素部により形成された描画画素で再現されることにより生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかが所定値以下となるよう、
(a)隣接する前記描素部により形成される前記描画画素の配列ピッチ、
(b)複数の前記描画画素からなる二次元状の描画画素群の前記走査方向に対する傾斜角度、
(c)前記走査方向に対する前記描画画素の描画ピッチ、及び
(d)前記走査方向と略直交する方向に隣接して形成される前記描画画素の前記走査方向に対する描画位置の位相差、
の少なくともいずれかを設定し、前記パターン情報に基づいて前記描素部を所定のタイミングで変調制御して露光し、現像することを特徴とする永久パターン形成方法。
For the photosensitive layer formed on the surface of the substrate with a photosensitive composition containing at least a binder, a polymerizable compound, a photopolymerization initiation compound, and a thermal crosslinking agent,
A light irradiating means, and n (where n is a natural number of 2 or more) two-dimensionally arranged picture elements that receive and emit light from the light irradiating means, and according to the pattern information, An exposure head provided with a light modulation means capable of controlling a picture element portion, wherein the exposure head is arranged such that a column direction of the picture element portion forms a predetermined inclination angle with respect to a scanning direction of the exposure head. And performing exposure by moving the exposure head relative to the scanning direction,
In the drawing pattern corresponding to the pattern information, at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude generated by being reproduced by the drawing pixel formed by the picture element portion is equal to or less than a predetermined value,
(A) an arrangement pitch of the drawing pixels formed by the adjacent picture element portions;
(B) an inclination angle of the two-dimensional drawing pixel group composed of a plurality of the drawing pixels with respect to the scanning direction;
(C) a drawing pitch of the drawing pixels with respect to the scanning direction, and (d) a phase difference of a drawing position with respect to the scanning direction of the drawing pixels formed adjacent to a direction substantially orthogonal to the scanning direction,
A permanent pattern forming method characterized in that at least one of the above is set, the picture element portion is subjected to modulation control at a predetermined timing based on the pattern information, exposed, and developed.
光変調手段が、空間光変調素子である請求項1に記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein the light modulation means is a spatial light modulation element. 空間光変調素子が、デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)である請求項1から2のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein the spatial light modulation element is a digital micromirror device (DMD). 感光層の形成が、感光性組成物を基材の表面に塗布し、乾燥することにより行われる請求項1から3のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The method for forming a permanent pattern according to any one of claims 1 to 3, wherein the photosensitive layer is formed by applying the photosensitive composition to the surface of the substrate and drying. 感光層の形成が、支持体と該支持体上に感光性組成物が積層されてなる感光層とを有する感光性フィルムを、加熱及び加圧の少なくともいずれかの下において基材の表面に積層することにより行われる請求項1から3のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The photosensitive layer is formed by laminating a photosensitive film having a support and a photosensitive layer formed by laminating a photosensitive composition on the support on the surface of the substrate under at least one of heating and pressing. The permanent pattern formation method according to claim 1, wherein the permanent pattern formation method is performed. バインダーがエポキシアクリレート化合物の少なくとも1種、並びに、側鎖に(メタ)アクリロイル基及び酸性基を有するビニル共重合体の少なくとも1種の少なくともいずれかを含む請求項1から5のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The binder according to any one of claims 1 to 5, wherein the binder contains at least one of an epoxy acrylate compound and at least one of a vinyl copolymer having a (meth) acryloyl group and an acidic group in a side chain. Permanent pattern forming method. 熱架橋剤が、エポキシ化合物、オキセタン化合物、ポリイソシアネート化合物、ポリイソシアネート化合物にブロック剤を反応させて得られる化合物、及びメラミン誘導体から選択される少なくとも1種である請求項1から6のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The thermal crosslinking agent is at least one selected from an epoxy compound, an oxetane compound, a polyisocyanate compound, a compound obtained by reacting a polyisocyanate compound with a blocking agent, and a melamine derivative. The permanent pattern formation method as described. 感光性組成物が、増感剤を含む請求項1から7のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method in any one of Claim 1 to 7 in which a photosensitive composition contains a sensitizer. 増感剤が、縮環系化合物、並びに、少なくとも2つの芳香族炭化水素環及び芳香族複素環のいずれかで置換されたアミン系化合物から選択される少なくとも1種である請求項8に記載の永久パターン形成方法。   The sensitizer is at least one selected from a condensed ring compound and an amine compound substituted with at least two aromatic hydrocarbon rings and aromatic heterocyclic rings. Permanent pattern forming method. 支持体が、合成樹脂を含み、かつ透明である請求項5から9のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 5, wherein the support includes a synthetic resin and is transparent. 支持体が、長尺状である請求項5から10のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 5, wherein the support has a long shape. 感光性フィルムが、長尺状であり、ロール状に巻かれてなる請求項5から11のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The method for forming a permanent pattern according to claim 5, wherein the photosensitive film has a long shape and is wound in a roll shape. 感光性フィルムが、感光層上に保護フィルムを有してなる請求項5から12のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method in any one of Claim 5 to 12 in which a photosensitive film has a protective film on a photosensitive layer. 感光層の厚みが、3〜100μmである請求項1から13のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The method for forming a permanent pattern according to claim 1, wherein the photosensitive layer has a thickness of 3 to 100 μm. 基材が、配線形成済みのプリント配線基板である請求項1から14のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein the base material is a printed wiring board on which wiring has been formed. 露光が、描画画素群回転手段、描画倍率変更手段、描画タイミング変更手段、移動速度変更手段、及び位相差変更手段の少なくともいずれかを備えた露光装置を用いて行われる請求項1から15のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   16. The exposure according to claim 1, wherein the exposure is performed using an exposure apparatus including at least one of a drawing pixel group rotating unit, a drawing magnification changing unit, a drawing timing changing unit, a moving speed changing unit, and a phase difference changing unit. A method for forming a permanent pattern according to claim 1. 描画画素群回転手段により、露光ヘッドの全体、及び光変調手段のいずれかを回転させ、傾斜角度(b)を変更する請求項1から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to any one of claims 1 to 16, wherein the tilt angle (b) is changed by rotating either the entire exposure head or the light modulating means by the drawing pixel group rotating means. 描画倍率変更手段により、感光層の被露光面上に形成される描画画素の描画倍率を変更し、配列ピッチ(a)、及び描画ピッチ(c)のいずれかを調整する請求項1から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The drawing magnification changing means changes the drawing magnification of the drawing pixels formed on the exposed surface of the photosensitive layer, and adjusts either the arrangement pitch (a) or the drawing pitch (c). The permanent pattern formation method in any one. 描画タイミング変更手段により、描素部による感光層の被露光面上への描画タイミングを変更し、描画ピッチ(c)を調整する請求項1から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method according to any one of claims 1 to 16, wherein the drawing timing changing means adjusts the drawing pitch (c) by changing the drawing timing on the exposed surface of the photosensitive layer by the drawing portion. 移動速度変更手段により、感光層の被露光面に対する露光ヘッドの相対移動速度を変更し、描画ピッチ(c)を調整する請求項1から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to any one of claims 1 to 16, wherein the moving pitch changing means adjusts the drawing pitch (c) by changing the relative moving speed of the exposure head with respect to the exposed surface of the photosensitive layer. 位相差変更手段により、隣接する描素部の変調制御のタイミングの位相差を変更し、位相差(d)を変更する請求項1から16のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to any one of claims 1 to 16, wherein the phase difference changing means changes the phase difference of the modulation control timing of adjacent picture element portions to change the phase difference (d). 描画パターンに応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から21のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern according to any one of claims 1 to 21, wherein at least one of an arrangement pitch (a), an inclination angle (b), a drawing pitch (c), and a phase difference (d) is set according to the drawing pattern. Forming method. 描画パターンの走査方向に対する傾斜角度に応じて、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から22のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   23. Any one of the arrangement pitch (a), the inclination angle (b), the drawing pitch (c), and the phase difference (d) is set according to the inclination angle of the drawing pattern with respect to the scanning direction. A method for forming a permanent pattern according to claim 1. 走査方向と直交、又は略直交する方向の描画パターンにおいて生じるジャギーのジャギーピッチ及びジャギー振幅のいずれかが、所定値以下になるよう、配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の少なくともいずれかを設定する請求項1から23のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The arrangement pitch (a), the inclination angle (b), and the drawing pitch (c) so that any one of the jaggy jaggy pitch and the jaggy amplitude generated in the drawing pattern orthogonal or substantially orthogonal to the scanning direction is equal to or less than a predetermined value. ) And a phase difference (d) are set. The permanent pattern forming method according to any one of claims 1 to 23. 配列ピッチ(a)、傾斜角度(b)、描画ピッチ(c)、及び位相差(d)の調整が、
前記描素部により前記感光層の被露光面上に形成される描画画素の中心点として規定される制御点の
(e)前記制御点の略走査方向に沿った制御点列のピッチ、
(f)前記制御点列の並び方向、
(g)前記制御点の前記走査方向に対するピッチ、及び
(h)前記走査方向と略直交する方向に隣接する前記制御点の前記走査方向に対する位相差、
の少なくともいずれかを、描画パターンのジャギーが低減されるように制御することにより行われる請求項1から24のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
Adjustment of arrangement pitch (a), inclination angle (b), drawing pitch (c), and phase difference (d)
(E) the pitch of the control point sequence along the substantially scanning direction of the control point, the control point defined as the center point of the drawing pixel formed on the exposed surface of the photosensitive layer by the picture element unit,
(F) the arrangement direction of the control point sequence;
(G) a pitch of the control points with respect to the scanning direction, and (h) a phase difference of the control points adjacent to the direction substantially orthogonal to the scanning direction with respect to the scanning direction,
The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein the permanent pattern forming method is performed by controlling at least one of the method so as to reduce jaggy of a drawing pattern.
制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求め、
該相関関係に基づいて前記(e)〜(h)のいずれかを設定、又は変更する請求項25に記載の永久パターン形成方法。
Defined by at least one of pitch (e), arrangement direction (f) of control point sequence, pitch (g) of control point with respect to scanning direction, and phase difference (h), and at least one of jaggy pitch and jaggy amplitude Find the correlation with the shape of the jaggy
The permanent pattern forming method according to claim 25, wherein any one of (e) to (h) is set or changed based on the correlation.
ジャギーの形状が許容範囲内となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、選択条件として規定する請求項25から26のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) at which the jaggy shape falls within the allowable range is set. 27. The permanent pattern forming method according to claim 25, wherein the permanent pattern forming method is defined as a selection condition. ジャギーの形状が許容範囲外となる制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかの条件を、禁止条件として規定する請求項25から26のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The control point sequence pitch (e), the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h) at which the jaggy shape falls outside the allowable range is set. 27. The permanent pattern forming method according to claim 25, which is defined as a prohibition condition. 描画パターンの方向に対応して、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める請求項25から28のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   Corresponding to the direction of the drawing pattern, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control point with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), and the jaggy pitch 29. The permanent pattern forming method according to claim 25, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of the amplitude and the jaggy amplitude is obtained. 所定の領域内の描画パターン毎に、制御点列のピッチ(e)、並び方向(f)、前記制御点の前記走査方向に対するピッチ(g)、及び位相差(h)の少なくともいずれかと、ジャギーピッチ及びジャギー振幅の少なくともいずれかにより規定されるジャギーの形状との相関関係を求める請求項26から27のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   For each drawing pattern in a predetermined region, at least one of the pitch (e) of the control point sequence, the arrangement direction (f), the pitch (g) of the control points with respect to the scanning direction, and the phase difference (h), jaggy 28. The permanent pattern forming method according to claim 26, wherein a correlation with a jaggy shape defined by at least one of pitch and jaggy amplitude is obtained. 光照射手段が、2以上の光を合成して照射可能である請求項1から30のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method according to any one of claims 1 to 30, wherein the light irradiation means can synthesize and irradiate two or more lights. 光照射手段が、複数のレーザと、マルチモード光ファイバーと、該複数のレーザからそれぞれ照射されたレーザ光を集光して前記マルチモード光ファイバーに結合させる集合光学系とを有する請求項1から31のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   32. The light irradiation means includes a plurality of lasers, a multimode optical fiber, and a collective optical system that condenses the laser beams emitted from the plurality of lasers and couples them to the multimode optical fiber. The permanent pattern formation method in any one. レーザ光の波長が395〜415nmである請求項32に記載の永久パターン形成方法。   The method for forming a permanent pattern according to claim 32, wherein the wavelength of the laser beam is 395 to 415 nm. 現像が行われた後、感光層に対して硬化処理を行う請求項1から33のいずれかに記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein after the development, the photosensitive layer is subjected to a curing process. 硬化処理が、全面露光処理及び120〜200℃で行われる全面加熱処理の少なくともいずれかである請求項34に記載の永久パターン形成方法。   The permanent pattern formation method according to claim 34, wherein the curing process is at least one of an entire surface exposure process and an entire surface heat treatment performed at 120 to 200 ° C. 保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターンの少なくともいずれかを形成する請求項1から35のいずれかに記載の永久パターン形成方法。
36. The permanent pattern forming method according to claim 1, wherein at least one of a protective film, an interlayer insulating film, and a solder resist pattern is formed.
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