JP2007079219A - Direct drawing device - Google Patents

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勤 宮武
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a direct drawing device capable of further reducing the size of a pixel of an image to be drawn. <P>SOLUTION: A light-emitting pixel array is configured by arranging a plurality of light-emitting pixels that emit light into at least one line. A light-shielding mask having apertures formed and arranged corresponding to the light-emitting pixels in such a manner that a part of light emitting from the light-emitting pixel passes the corresponding aperture and the entire region in each aperture is used to pass the light emitting from the corresponding light-emitting pixel, and that light incident to a region out of the aperture is blocked. A stage holds an exposure object having a photosensitive film formed on the surface. A condensing optical system condenses light beams emitting from the light-emitting pixels and passing the corresponding apertures of the light-shielding mask onto the exposure object held on the stage. A moving mechanism moves one of the exposure object held on the stage and the condensing optical system with respect to the other. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、直接描画装置に関し、特にプリント基板上に形成されたフォトレジスト膜に回路パターンを直接描画することができる直接描画装置に関する。   The present invention relates to a direct drawing apparatus, and more particularly to a direct drawing apparatus that can directly draw a circuit pattern on a photoresist film formed on a printed circuit board.

プリント基板上のフォトレジスト膜に回路パターンを描画する方法として、回路パターンが形成されたフォトマスクを用いた密着露光、縮小投影露光、近接露光等が知られている。プリント基板の少量多品種化が進むと、プリント基板の種類ごとにフォトマスクを作製しなければならない。このため、フォトマスクを用いない直接描画法が注目されている。   Known methods for drawing a circuit pattern on a photoresist film on a printed circuit board include contact exposure, reduced projection exposure, and proximity exposure using a photomask on which a circuit pattern is formed. As the number of printed circuit boards is increased, the photomasks must be manufactured for each type of printed circuit board. For this reason, a direct drawing method that does not use a photomask attracts attention.

下記の特許文献1に開示されているフォトレジストパターン直接描画装置について説明する。アレイ状に配置された端面発光型エレクトロルミネッセンス(EL)素子を有する露光光源が、基板の上方に配置されている。制御回路により、各EL素子の発光をオンオフ制御する。各EL素子から放射された光が、集光光学系により基板上に照射される。   A photoresist pattern direct drawing apparatus disclosed in Patent Document 1 below will be described. An exposure light source having edge-emitting electroluminescence (EL) elements arranged in an array is arranged above the substrate. The light emission of each EL element is on / off controlled by the control circuit. Light emitted from each EL element is irradiated onto the substrate by the condensing optical system.

露光光源及び基板の一方を、EL素子が配列した方向と直交する方向に移動させながら、各EL素子の発光をオンオフ制御することにより、所望のパターンを描画することができる。   A desired pattern can be drawn by controlling on / off of light emission of each EL element while moving one of the exposure light source and the substrate in a direction orthogonal to the direction in which the EL elements are arranged.

下記の特許文献2に、発光ダイオード(LED)アレイチップを用いた電子写真プリンタ用のプリントヘッドが開示されている。発光部が2列に、かつ千鳥状に配置されている。2列に、かつ千鳥状に配置することにより、印刷ドット密度を高くすることができる。   Patent Document 2 below discloses a print head for an electrophotographic printer using a light emitting diode (LED) array chip. The light emitting portions are arranged in two rows and in a staggered manner. By arranging them in two rows and in a staggered manner, the print dot density can be increased.

特開平5−80524号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-80524 特開2000−289250号公報JP 2000-289250 A

LEDアレイを用いた電子写真装置においては、通常、セルフォックレンズアレイにより、露光対象物の表面に各LEDの発光部の正立等倍像を形成する。このため、画像を構成する画素の大きさは、LEDアレイの発光部の大きさに等しくなる。感光膜を感光させる場合には、感光膜の感度と、感光膜表面における正立等倍像の光強度分布に依存するが、一般的に、描画される画像の画素の大きさは、LEDの発光部の大きさと同程度の大きさと考えられる。   In an electrophotographic apparatus using an LED array, an erecting equal-magnification image of the light emitting portion of each LED is usually formed on the surface of an exposure object by a selfoc lens array. For this reason, the size of the pixels constituting the image is equal to the size of the light emitting portion of the LED array. In the case of exposing a photosensitive film, the pixel size of an image to be drawn generally depends on the sensitivity of the photosensitive film and the light intensity distribution of an erect life-size image on the surface of the photosensitive film. The size is considered to be approximately the same as the size of the light emitting portion.

また、LEDアレイの発光部は、その製造上のばらつきにより、設計上の位置からややずれた位置に形成されてしまう場合がある。発光部の位置がずれると、セルフォックレンズアレイで形成される成立等倍像の位置もずれてしまう。このずれは極わずかであるため、通常の電子写真装置においては問題にならない。ところが、プリント基板の回路パターンを形成するための直接描画装置においては、描画される画素の位置ずれが、配線の断線や短絡の原因になる。   In addition, the light emitting portion of the LED array may be formed at a position slightly deviated from the design position due to manufacturing variations. When the position of the light emitting portion is shifted, the position of the formed equal-magnification image formed by the SELFOC lens array is also shifted. Since this deviation is very small, there is no problem in a normal electrophotographic apparatus. However, in a direct drawing apparatus for forming a circuit pattern on a printed circuit board, a positional deviation of pixels to be drawn causes a disconnection or a short circuit of wiring.

本発明の目的は、描画される画像の画素をより小さくすることができる直接描画装置を提供することである。本発明の他の目的は、描画される画像の画素の位置ずれを生じにくくした直接描画装置を提供することである。   The objective of this invention is providing the direct drawing apparatus which can make the pixel of the image drawn smaller. Another object of the present invention is to provide a direct drawing apparatus that is less likely to cause pixel displacement of a drawn image.

本発明の一観点によれば、光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、前記発光画素に対応して開口が形成され、該発光画素から放射された光の一部が、対応する開口を通過し、かつ各開口内の全領域を、対応する発光画素から放射された光が通過するように配置され、開口以外の領域に入射する光を遮光する遮光マスクと、表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、前記発光画素から放射され、前記遮光マスクの対応する開口を通過した光を、前記ステージに保持された露光対象物上に集光させる集光光学系と、前記ステージに保持された露光対象物及び前記集光光学系の一方を他方に対して移動させる移動機構とを有する直接描画装置が提供される。   According to an aspect of the present invention, a light-emitting pixel array in which a plurality of light-emitting pixels that emit light are arranged in at least one column, and an opening is formed corresponding to the light-emitting pixel, and light emitted from the light-emitting pixels A light-shielding mask that partially displaces light that is emitted from the corresponding light-emitting pixel and passes through the corresponding opening, and blocks light incident on areas other than the opening. And a stage for holding an exposure object having a photosensitive film formed on the surface, and light emitted from the light emitting pixels and passing through a corresponding opening of the light shielding mask on the exposure object held on the stage There is provided a direct drawing apparatus having a condensing optical system for condensing and a moving mechanism for moving one of the exposure object held on the stage and the condensing optical system with respect to the other.

本発明の他の観点によると、光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、前記発光画素から放射された光が入射する位置に配置されたセルフォックレンズアレイと、前記セルフォックレンズアレイを透過した光が入射する位置に、前記発光画素に対応して配置されたマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイであって、該マイクロレンズは、対応する発光画素から放射されて前記セルフォックレンズアレイを通過した光を、前記ステージに保持された露光対象物の表面に集光する前記マイクロレンズアレイと、前記ステージに保持された露光対象物及び前記発光画素アレイの一方を他方に対して移動させる移動機構とを有する直接描画装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a light emitting pixel array in which a plurality of light emitting pixels that emit light are arranged in at least one column, a stage that holds an exposure target having a photosensitive film formed on a surface thereof, and the light emitting pixels A microlens array including a selfoc lens array disposed at a position where emitted light is incident and a microlens disposed corresponding to the light emitting pixel at a position where light transmitted through the selfoc lens array is incident Wherein the microlens condenses the light emitted from the corresponding light emitting pixels and passed through the selfoc lens array on the surface of the exposure object held on the stage; and Provided is a direct drawing apparatus having an exposure object held on a stage and a moving mechanism for moving one of the light emitting pixel arrays with respect to the other. It is.

本発明のさらに他の観点によると、光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、前記発光画素の各々から放射された光を、前記ステージに保持された露光対象物上に集光させる集光光学系と、前記ステージに保持された露光対象物及び前記集光光学系の一方を他方に対して移動させる移動機構と、前記複数の発光画素から放射された光の複数の集光領域の相対位置を計測する集光位置検出手段とを有する直接描画装置が提供される。   According to still another aspect of the present invention, a light-emitting pixel array in which a plurality of light-emitting pixels that emit light are arranged in at least one row, a stage that holds an exposure target having a photosensitive film formed on a surface thereof, and the light-emitting pixels A condensing optical system for condensing the light emitted from each of the exposure object held on the stage, and one of the exposure object and the condensing optical system held on the stage with respect to the other There is provided a direct drawing apparatus having a moving mechanism for moving the light and a condensing position detecting means for measuring relative positions of a plurality of condensing regions of light emitted from the plurality of light emitting pixels.

開口により、実効的な発光画素の大きさが制限され、描画される画像の画素を小さくすることができる。さらに、開口により、実効的な発光画素の位置が画定されるため、発光画素の位置のばらつきによる画像の乱れを防止することができる。マイクロレンズにより、露光対象物上に形成される集光領域を小さくすることができる。これにより、描画される画像の画素を小さくすることが可能になる。発光画素から放射された光の集光領域の相対位置を計測することにより、描画時に、発光のタイミングをずらすことによって、位置ずれを補償することができる。   The effective light-emitting pixel size is limited by the opening, and the pixel of the drawn image can be reduced. Furthermore, since the effective light emitting pixel position is defined by the opening, it is possible to prevent image disturbance due to variations in the light emitting pixel position. With the microlens, a condensing region formed on the exposure object can be reduced. This makes it possible to reduce the pixels of the rendered image. By measuring the relative position of the condensing region of the light emitted from the light emitting pixels, it is possible to compensate for the positional deviation by shifting the timing of light emission during drawing.

図1A及び図1Bに、それぞれ第1の実施例による直接描画装置の正面図及び平面図を示す。基台1の上に、XYステージ2が取り付けられている。XYステージ2の上に、露光対象物であるプリント基板10が保持されている。プリント基板10の表面には、紫外光により感光するドライフィルムレジスト(DFレジスト)やソルダーレジストからなる感光膜が設けられている。XYステージ2に保持されたプリント基板10の表面に平行な面をXY面とするXYZ直交座標系を定義する。   1A and 1B show a front view and a plan view of a direct drawing apparatus according to the first embodiment, respectively. An XY stage 2 is attached on the base 1. On the XY stage 2, a printed circuit board 10 that is an object to be exposed is held. A photosensitive film made of a dry film resist (DF resist) or a solder resist that is exposed to ultraviolet light is provided on the surface of the printed circuit board 10. An XYZ orthogonal coordinate system is defined in which a plane parallel to the surface of the printed circuit board 10 held on the XY stage 2 is an XY plane.

XYステージ2は、移動機構8によりX軸方向及びY軸方向に移動することができる。移動機構8は、制御装置4により制御される。XYステージ2に保持されたプリント基板10の上方に、露光光源3が配置されている。露光光源3は、Y軸に平行な方向に並んだ多数の発光ダイオード(LED)を含む。LEDの各々は、波長350nm〜410nmの範囲の紫外光を放射する。LEDの各々の発光部から放射された光が、XYステージ2に保持された露光対象物10の表面の所定の位置に入射する。光の入射する領域を「集光領域」と呼ぶこととする。集光領域は、露光対象物10の表面において、Y軸に平行な方向に配列する。露光光源3の詳細な構造については、後に図2A及び図2Bを参照して説明する。   The XY stage 2 can be moved in the X-axis direction and the Y-axis direction by the moving mechanism 8. The moving mechanism 8 is controlled by the control device 4. An exposure light source 3 is disposed above the printed circuit board 10 held on the XY stage 2. The exposure light source 3 includes a number of light emitting diodes (LEDs) arranged in a direction parallel to the Y axis. Each of the LEDs emits ultraviolet light having a wavelength in the range of 350 nm to 410 nm. Light emitted from each light emitting portion of the LED is incident on a predetermined position on the surface of the exposure object 10 held on the XY stage 2. A region where light enters is referred to as a “condensing region”. The condensing region is arranged in a direction parallel to the Y axis on the surface of the exposure object 10. The detailed structure of the exposure light source 3 will be described later with reference to FIGS. 2A and 2B.

XYステージ2の上面に、2個の集光位置検出器6が固定されている。集光位置検出器6は、露光光源3のLEDから放射された光を受光することにより、実際に光が入射する位置を計測することができる。集光位置検出器6として、例えば4分割フォトディテクタを用いることができる。   Two condensing position detectors 6 are fixed on the upper surface of the XY stage 2. The condensing position detector 6 can measure the position where light is actually incident by receiving the light emitted from the LED of the exposure light source 3. As the condensing position detector 6, for example, a quadrant photodetector can be used.

XYステージ2の上方に、2個のCCDカメラ7が配置されている。CCDカメラ7は、露光対象物10に形成されている位置合せ用のマークを観察することにより、露光対象物10の位置を検出する。さらに、集光位置検出器6をCCDカメラ7の視野内に配置することにより、集光位置検出器6の位置を計測することができる。   Two CCD cameras 7 are arranged above the XY stage 2. The CCD camera 7 detects the position of the exposure object 10 by observing the alignment mark formed on the exposure object 10. Furthermore, the position of the condensing position detector 6 can be measured by arranging the condensing position detector 6 in the field of view of the CCD camera 7.

集光位置検出器6及びCCDカメラ7による検出結果が、制御装置4に入力される。制御装置4は、集光位置検出器6及びCCDカメラ7から入力された検出結果、及び予め与えられている画像データに基づいて、移動機構8を制御するとともに、露光光源3を構成する複数のLEDの発光のタイミング制御を行う。   Detection results by the condensing position detector 6 and the CCD camera 7 are input to the control device 4. The control device 4 controls the moving mechanism 8 on the basis of the detection results input from the condensing position detector 6 and the CCD camera 7 and image data given in advance, and a plurality of components constituting the exposure light source 3. LED light emission timing control is performed.

冷却装置5が、露光光源3に熱的に結合しており、露光光源3を冷却する。冷却装置5内に冷媒の流路が形成されている。冷媒導入路5aから、冷却装置5内の流路に冷媒が導入され、流路を流れた冷媒が、冷媒排出路5bを通って排出される。   A cooling device 5 is thermally coupled to the exposure light source 3 and cools the exposure light source 3. A coolant channel is formed in the cooling device 5. The refrigerant is introduced from the refrigerant introduction path 5a into the flow path in the cooling device 5, and the refrigerant flowing through the flow path is discharged through the refrigerant discharge path 5b.

図2Aに、露光光源3及び露光対象物10の部分断面図を示す。露光光源3は、発光画素アレイ30、遮光マスク32、及び集光光学系34を含んで構成される。発光画素アレイ30は、Y軸に平行な仮想直線に沿って配置された多数の発光画素31を含む。発光画素31の各々は、例えば、LEDで構成され、その発光波長は紫外域である。   FIG. 2A shows a partial cross-sectional view of the exposure light source 3 and the exposure object 10. The exposure light source 3 includes a light emitting pixel array 30, a light shielding mask 32, and a condensing optical system 34. The light emitting pixel array 30 includes a large number of light emitting pixels 31 arranged along a virtual straight line parallel to the Y axis. Each of the light emitting pixels 31 is constituted by, for example, an LED, and the light emission wavelength is in the ultraviolet region.

発光画素31から放射された光の経路上に、遮光マスク32が配置されている。遮光マスク32には、発光画素31に対応した開口33が形成されている。   A light shielding mask 32 is disposed on the path of light emitted from the light emitting pixels 31. An opening 33 corresponding to the light emitting pixel 31 is formed in the light shielding mask 32.

図2Bに、発光画素31と開口33との位置関係を示す。Z軸に平行な視線で見たとき、開口33は発光画素31よりも小さく、開口33の各々は、対応する発光画素31に内包される位置に配置されている。発光画素31から放射された光の一部が、その発光画素31に対応する開口33を通過し、残りの成分は、遮光マスク32により遮光される。また、開口33内の全領域を、対応する発光画素31から放射された光が通過する。   FIG. 2B shows the positional relationship between the light emitting pixels 31 and the openings 33. When viewed from a line of sight parallel to the Z axis, the opening 33 is smaller than the light emitting pixel 31, and each of the openings 33 is disposed at a position included in the corresponding light emitting pixel 31. A part of the light emitted from the light emitting pixel 31 passes through the opening 33 corresponding to the light emitting pixel 31, and the remaining components are shielded by the light shielding mask 32. Further, the light emitted from the corresponding light emitting pixel 31 passes through the entire area in the opening 33.

図2Aに戻って説明を続ける。集光光学系34が、遮光マスク32と露光対象物10との間に配置されている。集光光学系34は、遮光マスク32に形成された開口33の正立等倍像を、露光対象物10の表面に形成する。開口33が正方形である場合、その大きさによっては、解像限界により頂点が丸みを帯び、円形に近い像が形成される場合がある。集光光学系34として、例えばZ軸に平行な中心軸を持つ多数のセルフォックレンズがXY面に平行な面に沿って2次元的に配置されたセルフォックレンズアレイを用いることができる。   Returning to FIG. 2A, the description will be continued. A condensing optical system 34 is disposed between the light shielding mask 32 and the exposure target 10. The condensing optical system 34 forms an erecting equal-magnification image of the opening 33 formed in the light shielding mask 32 on the surface of the exposure object 10. When the opening 33 is a square, depending on the size, the vertex may be rounded due to the resolution limit, and an image close to a circle may be formed. As the condensing optical system 34, for example, a Selfoc lens array in which a number of Selfoc lenses having a central axis parallel to the Z axis are two-dimensionally arranged along a plane parallel to the XY plane can be used.

露光対象物10は、樹脂製のコア基板10A、銅箔10B、及び感光膜10Cがこの順番に積層された積層構造を有する。感光膜10Cは、例えばDFレジスト、ソルダーレジスト等で形成される。感光膜10Cのうち、開口33の等倍像が形成された領域が感光し、潜像が形成される。   The exposure object 10 has a laminated structure in which a resin core substrate 10A, a copper foil 10B, and a photosensitive film 10C are laminated in this order. The photosensitive film 10C is formed of, for example, a DF resist or a solder resist. In the photosensitive film 10C, the area where the equal-size image of the opening 33 is formed is exposed to form a latent image.

図1A及び図1Bに示したXYステージ2をX軸方向に移動させながら、描画すべき画像データに基づいて発光画素31を発光させることにより、感光膜10Cに、描画すべき画像の潜像を形成することができる。潜像が形成された感光膜10Cを現像することにより、感光膜10Cからなる画像(パターン)が形成される。   While moving the XY stage 2 shown in FIGS. 1A and 1B in the X-axis direction, the light emitting pixels 31 emit light based on the image data to be drawn, whereby a latent image of the image to be drawn is formed on the photosensitive film 10C. Can be formed. By developing the photosensitive film 10C on which the latent image is formed, an image (pattern) made of the photosensitive film 10C is formed.

開口33の等倍像は、Y軸方向に離散的に分布する。このため、X軸方向に1回移動させただけでは、Y軸方向に連続するパターンを描画することができない。露光対象物10をY軸方向に、開口33のY軸方向に関する寸法分だけ移動させ、その位置でX軸方向に移動させながら、2回目の描画を行う。Y軸方向への移動と、X軸方向へ移動させながらの描画とを繰り返すことにより、Y軸方向に連続したパターンを描画することができる。   The equal-magnification image of the opening 33 is distributed discretely in the Y-axis direction. For this reason, it is not possible to draw a continuous pattern in the Y-axis direction only by moving it once in the X-axis direction. The exposure object 10 is moved in the Y-axis direction by the size of the opening 33 in the Y-axis direction, and the second drawing is performed while moving the exposure object 10 in the X-axis direction at that position. By repeating the movement in the Y-axis direction and the drawing while moving in the X-axis direction, a pattern continuous in the Y-axis direction can be drawn.

第1の実施例では、露光対象物10の表面における画素(ドット)の大きさは、遮光マスク32に形成されている開口33の大きさにより決定される。開口33が発光画素31よりも小さいため、遮光マスク32を配置しない場合に比べて、描画される画像の画素を小さくすることができる。これにより、画像のドット密度を高めることが可能になる。   In the first embodiment, the size of the pixel (dot) on the surface of the exposure object 10 is determined by the size of the opening 33 formed in the light shielding mask 32. Since the opening 33 is smaller than the light emitting pixel 31, the pixel of the image drawn can be made small compared with the case where the light shielding mask 32 is not disposed. This makes it possible to increase the dot density of the image.

図3に、第2の実施例による直接描画装置の発光画素と遮光マスクとの位置関係を示す。第2の実施例では、4個の発光画素アレイ30a〜30dが配置されている。発光画素アレイ30a〜30dは、それぞれY軸方向にピッチPで配列した複数の発光画素31a〜31dを含む。発光画素アレイ30a〜30dは、X軸方向にこの順番に配置されている。   FIG. 3 shows the positional relationship between the light emitting pixels and the light shielding mask of the direct drawing apparatus according to the second embodiment. In the second embodiment, four light emitting pixel arrays 30a to 30d are arranged. Each of the light emitting pixel arrays 30a to 30d includes a plurality of light emitting pixels 31a to 31d arranged at a pitch P in the Y-axis direction. The light emitting pixel arrays 30a to 30d are arranged in this order in the X-axis direction.

2行目〜4行目の発光画素アレイ30b〜30dの発光画素31b〜31dは、それぞれ1行目の発光画素アレイ30aの発光画素31aを、Y軸方向にピッチPの1/4、2/4、及び3/4だけ変位させた位置に配置されている。   The light emitting pixels 31b to 31d of the light emitting pixel arrays 30b to 30d in the second row to the fourth row respectively correspond to the light emitting pixels 31a of the light emitting pixel array 30a in the first row by 1/4 of the pitch P in the Y-axis direction. It is arranged at a position displaced by 4 and 3/4.

第2の実施例では、図2Aに示した遮光マスク32に代えて、開口が2次元的に分布する大きな遮光マスク32aが配置されている。第2の実施例の遮光マスク32aには、1行目の発光画素31aに対応する位置に、開口33aが形成されている。2行目〜4行目の発光画素31b〜31dについても、同様に、開口33b〜33dが形成されている。Z軸に平行な視線で見たとき、開口33a〜33dの各々は、対応する発光画素31a〜31dに内包される。各行の発光画素に対応する開口33a〜33dは、Y軸方向にピッチPで配列している。   In the second embodiment, instead of the light shielding mask 32 shown in FIG. 2A, a large light shielding mask 32a in which openings are two-dimensionally distributed is arranged. In the light shielding mask 32a of the second embodiment, an opening 33a is formed at a position corresponding to the light emitting pixel 31a in the first row. Similarly, the openings 33b to 33d are formed in the light emitting pixels 31b to 31d in the second to fourth rows. When viewed with a line of sight parallel to the Z-axis, each of the openings 33a to 33d is included in the corresponding light emitting pixel 31a to 31d. The openings 33a to 33d corresponding to the light emitting pixels in each row are arranged at a pitch P in the Y-axis direction.

2行目〜4行目の開口33b〜33dは、それぞれ1行目の開口33aを、Y軸方向にピッチPの1/4、2/4、及び3/4だけ変位させた位置に形成されている。開口33a〜33dの各々は、X軸方向及びY軸方向に平行な辺を持つ正方形であり、一辺の長さはピッチPの1/4である。開口30a〜30dは、全体としてY軸方向に隙間なく分布することになる。   The openings 33b to 33d in the second to fourth rows are formed at positions where the openings 33a in the first row are displaced by 1/4, 2/4, and 3/4 of the pitch P in the Y-axis direction, respectively. ing. Each of the openings 33a to 33d is a square having sides parallel to the X-axis direction and the Y-axis direction, and the length of one side is 1/4 of the pitch P. The openings 30a to 30d are distributed without gaps in the Y-axis direction as a whole.

このため、開口33a〜33dの像が、露光対象物10の表面上において、Y軸方向に関して隙間無く分布する。開口33a〜33dの像の外周の露光量が、図2Aに示した感光膜10Cが現像されるしきい値に等しい場合、すなわち、開口33a〜33dの像によって感光し、現像されるパターンの寸法が、開口33a〜33dの寸法とほぼ同一である場合は、露光対象物10をX軸方向に移動させながら、描画を行うことにより、Y軸方向に連続するパターンを形成することができる。   For this reason, the images of the openings 33a to 33d are distributed on the surface of the exposure object 10 with no gap in the Y-axis direction. When the exposure amount on the outer periphery of the image of the openings 33a to 33d is equal to the threshold value at which the photosensitive film 10C shown in FIG. 2A is developed, that is, the dimension of the pattern that is exposed and developed by the images of the openings 33a to 33d. However, when the dimensions of the openings 33a to 33d are substantially the same, a pattern continuous in the Y-axis direction can be formed by performing drawing while moving the exposure object 10 in the X-axis direction.

開口33a〜33dの像の外周の露光量が、現像のしきい値よりも小さい場合には、現像されるパターンが開口33a〜33dよりも小さくなる。このような場合、開口33a〜33dが、全体として、Y軸方向に関してやや重りながら分布するように、開口33a〜33dをやや大きくすればよい。このように、開口33a〜33dを大きくすることにより、開口33a〜33dの各々によって形成されるパターンを、Y軸方向に隙間なく配置することができる。   When the exposure amount on the outer periphery of the image of the openings 33a to 33d is smaller than the development threshold value, the developed pattern is smaller than the openings 33a to 33d. In such a case, the openings 33a to 33d may be slightly enlarged so that the openings 33a to 33d are distributed with a slight weight in the Y-axis direction as a whole. Thus, by increasing the openings 33a to 33d, the patterns formed by the openings 33a to 33d can be arranged without gaps in the Y-axis direction.

第2の実施例では、発光画素31a〜31d、及び開口33a〜33dが、4行に配置されている場合を示したが、2行、3行、または5行以上に配置してもよい。この場合も、開口によって感光膜10Cに形成されるパターンが、全体としてY軸方向に隙間なく分布するように、発光画素及び開口を配置すればよい。   In the second embodiment, the case where the light emitting pixels 31a to 31d and the openings 33a to 33d are arranged in four rows is shown, but they may be arranged in two rows, three rows, or five rows or more. Also in this case, the light emitting pixels and the openings may be arranged so that the pattern formed on the photosensitive film 10C by the openings is distributed without gaps in the Y-axis direction as a whole.

図4に、第3の実施例による露光光源3及び露光対象物10の断面図を示す。第3の実施例では、図2Aに示した第1の実施例の遮光マスク32が取り除かれ、その代わりに、集光光学系34と露光対象物10との間に、マイクロレンズアレイ40が配置されている。マイクロレンズアレイ40は、発光画素31に対応する位置に配置されたマイクロレンズ41を有する。   FIG. 4 shows a cross-sectional view of the exposure light source 3 and the exposure object 10 according to the third embodiment. In the third embodiment, the light shielding mask 32 of the first embodiment shown in FIG. 2A is removed, and a microlens array 40 is disposed between the condensing optical system 34 and the exposure object 10 instead. Has been. The microlens array 40 includes microlenses 41 arranged at positions corresponding to the light emitting pixels 31.

発光画素31から放射された光は、集光光学系34で集光された後、さらに対応するマイクロレンズ41で集光される。これにより、露光対象物10の表面に、発光画素31よりも小さな像が形成される。このため、感光膜10Cに描画される画像を構成する画素(描画画像の画素)が、発光画素31よりも小さくなる。   The light emitted from the light emitting pixels 31 is collected by the condensing optical system 34 and then collected by the corresponding microlens 41. As a result, an image smaller than the light emitting pixel 31 is formed on the surface of the exposure object 10. For this reason, the pixels constituting the image drawn on the photosensitive film 10 </ b> C (pixels of the drawn image) are smaller than the light emitting pixels 31.

次に、描画方法について説明する。露光対象物10をX軸方向へ移動させながら描画を行った後、露光対象物10を、描画画像の画素のY軸方向に関する寸法分だけY軸方向に変位させる。この状態で、さらにX軸方向へ移動させながら描画を行う。このように、露光対象物をX軸方向へ移動させながら描画を行う工程と、Y軸方向への変位とを交互に繰り返すことにより、Y軸方向に連続するパターンを含む画像を形成することができる。   Next, a drawing method will be described. After drawing while moving the exposure target object 10 in the X-axis direction, the exposure target object 10 is displaced in the Y-axis direction by the size of the pixel of the drawn image in the Y-axis direction. In this state, drawing is performed while further moving in the X-axis direction. In this way, an image including a pattern continuous in the Y-axis direction can be formed by alternately repeating the drawing process while moving the exposure object in the X-axis direction and the displacement in the Y-axis direction. it can.

露光対象物10の表面に、発光画素31の等倍像を形成する場合に比べて、よりドット密度の高い画像を形成することができる。   An image with a higher dot density can be formed on the surface of the exposure object 10 than in the case where an equal-magnification image of the light emitting pixels 31 is formed.

図5に、第4の実施例による直接描画装置の発光画素と遮光マスクとの位置関係を示す。図2Bに示した第1の実施例では、発光画素31が、Y軸方向に等ピッチで1列に配列している場合を示した。ところが、製造工程におけるばらつきにより、発光画素31の位置にばらつきが生じる場合がある。図5に示した第4の実施例では、発光画素31が、設計上の位置からX軸方向及びY軸方向にずれた位置に配置されている。   FIG. 5 shows the positional relationship between the light emitting pixels and the light shielding mask of the direct drawing apparatus according to the fourth embodiment. In the first embodiment shown in FIG. 2B, the case where the light emitting pixels 31 are arranged in a line at an equal pitch in the Y-axis direction is shown. However, there may be variations in the position of the light emitting pixels 31 due to variations in the manufacturing process. In the fourth embodiment shown in FIG. 5, the light emitting pixels 31 are arranged at positions shifted from the designed positions in the X-axis direction and the Y-axis direction.

遮光マスク32の開口33の位置は、ほとんどばらつかない。発光画素31の位置が設計上の位置からずれたとしても、Z軸に平行な視線で見たとき、開口33が、対応する発光画素31に内包される。   The position of the opening 33 of the light shielding mask 32 hardly varies. Even when the position of the light emitting pixel 31 is deviated from the design position, the opening 33 is included in the corresponding light emitting pixel 31 when viewed from a line of sight parallel to the Z axis.

図2A及び図2Bを参照して説明したように、集光光学系34は、露光対象物10の表面に開口33の正立等倍像を形成する。このため、発光画素31の位置にばらつきがあったとしても、露光対象物10の表面における像の位置はばらつかない。このため、発光画素31の位置のばらつきに起因する画像の乱れを防止することができる。   As described with reference to FIGS. 2A and 2B, the condensing optical system 34 forms an erecting equal-magnification image of the opening 33 on the surface of the exposure target 10. For this reason, even if the position of the light emitting pixel 31 varies, the position of the image on the surface of the exposure object 10 does not vary. For this reason, it is possible to prevent image disturbance due to variations in the positions of the light emitting pixels 31.

図6に、第5の実施例による直接描画装置の発光画素と遮光マスクとの位置関係を示す。第6の実施例では、複数の発光画素31jが、仮想直線45の両側に配置されている。第1の側の発光画素31jは、仮想直線45に平行な方向に配列し、反対の第2の側の発光画素31jは、仮想直線45に関して第1の側の発光画素31jの線対称の位置に配置されている。発光画素アレイ30jは、仮想直線45がY軸に対して斜めになるように配置されている。   FIG. 6 shows the positional relationship between the light emitting pixels and the light shielding mask of the direct drawing apparatus according to the fifth embodiment. In the sixth embodiment, a plurality of light emitting pixels 31j are arranged on both sides of the virtual straight line 45. The first side light emitting pixels 31j are arranged in a direction parallel to the virtual straight line 45, and the opposite second side light emitting pixel 31j is a line-symmetrical position of the first side light emitting pixels 31j with respect to the virtual straight line 45. Is arranged. The light emitting pixel array 30j is arranged so that the virtual straight line 45 is inclined with respect to the Y axis.

遮光マスク32jの開口33jが、発光画素33jに対応して形成されている。第1の側の相互に隣り合う第1の開口33j1と第2の開口33j2、及び第1の開口33j1の対称の位置に配置された第2の側の第3の開口33j3に着目する。第1の開口33j1と第3の開口33j3との、Y軸方向に関する中心間の距離Py1と、第3の開口33j3と第2の開口33j2との、Y軸方向の中心間の距離Py2とが等しくなるように、仮想直線45がY軸に対して傾いている。   An opening 33j of the light shielding mask 32j is formed corresponding to the light emitting pixel 33j. Attention is paid to the first opening 33j1 and the second opening 33j2 that are adjacent to each other on the first side, and the third opening 33j3 on the second side that is disposed at a symmetrical position of the first opening 33j1. The distance Py1 between the centers of the first opening 33j1 and the third opening 33j3 in the Y-axis direction and the distance Py2 between the centers of the third opening 33j3 and the second opening 33j2 in the Y-axis direction are The virtual straight line 45 is inclined with respect to the Y axis so as to be equal.

中心間の距離Py1とPy2とが等しいため、露光対象物10をX軸方向に移動させながら描画することにより、画像を構成する画素をY軸方向に均等に分布させることができる。発光画素及び開口が1列に配列している場合に比べて、Y軸方向に関する画素密度を高めることができる。   Since the distances Py1 and Py2 between the centers are equal, the pixels constituting the image can be evenly distributed in the Y-axis direction by drawing while moving the exposure object 10 in the X-axis direction. Compared with the case where the light emitting pixels and the openings are arranged in a line, the pixel density in the Y-axis direction can be increased.

第1の開口33j1によって感光膜10Cに形成されたパターンと、第3の開口33j3によって感光膜10Cに形成されるパターンとが、Y軸方向に関して重なるか、または接するようにこれらの開口を配置すると、図3に示した第2の実施例の場合のように、X軸方向に移動させながら1回の描画を行うことにより、Y軸方向に連続するパターンを含む画像を形成することができる。   When these openings are arranged so that the pattern formed on the photosensitive film 10C by the first opening 33j1 and the pattern formed on the photosensitive film 10C by the third opening 33j3 overlap or contact each other in the Y-axis direction. As in the case of the second embodiment shown in FIG. 3, by performing drawing once while moving in the X-axis direction, an image including a pattern continuous in the Y-axis direction can be formed.

次に、図7及び図8を参照して、第6の実施例による直接描画装置について説明する。なお、必要に応じて図1A、図1B、及び図4を参照する。第6の実施例では、図4に示した第3の実施例による露光光源3と同一の構造の光源が用いられる。   Next, a direct drawing apparatus according to the sixth embodiment will be described with reference to FIGS. In addition, FIG. 1A, FIG. 1B, and FIG. 4 are referred as needed. In the sixth embodiment, a light source having the same structure as that of the exposure light source 3 according to the third embodiment shown in FIG. 4 is used.

図7に、4分割フォトディテクタで構成された集光位置検出器6の概略平面図を示す。集光位置検出器6の上面に、UV直交座標系を定義する。UV直交座標系の第1〜第4象限に、それぞれ第1〜第4の受光領域50a〜50dが配置されている。第1〜第4の受光領域50a〜50dの各々は、例えば正方形である。第1〜第4の受光領域50a〜50dは、U軸及びV軸に関して線対象であり、かつ原点52に関して4回回転対称性を持つ。U軸またはV軸を挟んで相互に隣り合う受光領域の間隔をWとする。第1〜第4の受光領域50a〜50dは、独立に受光量を計測することができる。集光位置検出器6は、その上面が、露光対象物10の表面と同じ高さになり、かつU軸がX軸に平行になり、V軸がY軸に平行になるように、XYステージ2に固定されている。   FIG. 7 shows a schematic plan view of the condensing position detector 6 composed of a four-divided photodetector. A UV orthogonal coordinate system is defined on the upper surface of the condensing position detector 6. First to fourth light receiving regions 50a to 50d are arranged in the first to fourth quadrants of the UV orthogonal coordinate system, respectively. Each of the first to fourth light receiving regions 50a to 50d is, for example, a square. The first to fourth light receiving regions 50 a to 50 d are line targets with respect to the U axis and the V axis, and have four-fold rotational symmetry with respect to the origin 52. The interval between the light receiving regions adjacent to each other across the U axis or the V axis is defined as W. The first to fourth light receiving regions 50a to 50d can measure the amount of received light independently. The condensing position detector 6 has an XY stage whose upper surface is the same height as the surface of the exposure object 10, the U axis is parallel to the X axis, and the V axis is parallel to the Y axis. 2 is fixed.

集光位置検出器6を、図4に示した1つの発光画素31の直下に配置すると、集光位置検出器6の上面の一部に、発光画素31から放射された光が入射し、ほぼ円形の集光領域51が形成される。集光領域51の中心が、UV座標の原点52に一致するとき、第1〜第4の受光領域50a〜50dで計測される光量はすべて等しくなる。集光領域51の中心が原点52からずれると、第1〜第4の受光領域50a〜50dで計測される光量にばらつきが生ずる。第1〜第4の受光領域50a〜50dのうち少なくとも3個の受光領域で光量が計測された場合、計測された光量に基づいて、集光領域51のずれの大きさとずれの方向とを求めることができる。   When the condensing position detector 6 is disposed immediately below the one light emitting pixel 31 shown in FIG. 4, the light emitted from the light emitting pixel 31 is incident on a part of the upper surface of the condensing position detector 6. A circular condensing region 51 is formed. When the center of the condensing area 51 coincides with the origin 52 of the UV coordinates, the light amounts measured in the first to fourth light receiving areas 50a to 50d are all equal. When the center of the condensing area 51 is deviated from the origin 52, the amount of light measured in the first to fourth light receiving areas 50a to 50d varies. When the light amount is measured in at least three light receiving regions among the first to fourth light receiving regions 50a to 50d, the magnitude of the shift and the direction of the shift of the light collecting region 51 are obtained based on the measured light amounts. be able to.

集光領域51のずれを検出するために、集光位置検出器6として、間隔Wが少なくとも集光領域51の直径よりも狭いものを用いる必要がある。また、ずれの検出精度を高めるために、間隔Wが、集光領域51の直径の50%以下のものを使用することが好ましい。   In order to detect the deviation of the light collection region 51, it is necessary to use a light collection position detector 6 having a distance W that is at least narrower than the diameter of the light collection region 51. Further, in order to increase the detection accuracy of the deviation, it is preferable to use a space W that is 50% or less of the diameter of the light collection region 51.

図1Aに示した制御装置4の機能について説明する。制御装置4には、描画すべき画像データが記憶されている。XYステージ2を制御して、集光位置検出器6を1つの発光画素31の直下に配置させる。その発光画素31を発光させ、集光位置検出器6による受光量の計測結果を受信する。この計測結果から、当該発光画素31から放射された光の集光領域の中心位置を計測することができる。   The function of the control device 4 shown in FIG. 1A will be described. The control device 4 stores image data to be drawn. By controlling the XY stage 2, the condensing position detector 6 is arranged immediately below one light emitting pixel 31. The light emitting pixel 31 is caused to emit light, and the measurement result of the received light amount by the condensing position detector 6 is received. From this measurement result, the center position of the light condensing region of the light emitted from the light emitting pixel 31 can be measured.

図8に、複数の発光画素31から放射された光の集光領域51の相対位置の一例を示す。複数の発光画素31のうち1つの発光画素を基準発光画素とする。この基準発光画素から放射された光の集光領域51(0)の中心のX軸方向に関する位置55を、X方向基準位置と呼ぶこととする。   FIG. 8 shows an example of the relative position of the light collection region 51 of the light emitted from the plurality of light emitting pixels 31. One light emitting pixel among the plurality of light emitting pixels 31 is set as a reference light emitting pixel. The position 55 in the X-axis direction at the center of the condensing region 51 (0) of the light emitted from the reference light emitting pixel is referred to as an X-direction reference position.

基準発光画素以外の発光画素31から放射された光の集光領域51(1)、51(2)、・・・の中心の、X方向基準位置55からのずれ量D1、D2、・・・を求め、記憶する。XYステージ2をX軸方向に移動させながら、発光画素31を発光させて描画を行う際に、描画すべき画像データに基づいて、かつ、ずれ量D1、D2、・・・を補償するように発光画素31の発光タイミングを制御する。   Deviations D1, D2,... From the X-direction reference position 55 at the center of the condensing areas 51 (1), 51 (2),. Ask and remember. When the XY stage 2 is moved in the X-axis direction and the light emitting pixel 31 emits light to perform drawing, the shift amounts D1, D2,... Are compensated based on the image data to be drawn. The light emission timing of the light emitting pixel 31 is controlled.

集光領域51の、X軸方向へのずれ量D1、D2、・・・を補償し、X軸方向に関して歪のない画像を形成することができる。例えば、Y軸に平行な直線パターンが曲線になってしまうことを防止できる。   It is possible to compensate for the shift amounts D1, D2,... In the X-axis direction of the condensing region 51, and to form an image without distortion in the X-axis direction. For example, a straight line pattern parallel to the Y axis can be prevented from becoming a curve.

第6の実施例では、発光画素31の集光領域51が、設計上の位置からY軸方向にずれている場合には、そのずれを補正することができない。ただし、X軸方向に平行な直線パターンは、同一の発光画素31を発光させることにより形成されるため、描画されたパターンが曲線になってしまうことが防止される。   In the sixth embodiment, when the condensing region 51 of the light-emitting pixel 31 is shifted in the Y-axis direction from the designed position, the shift cannot be corrected. However, since the linear pattern parallel to the X-axis direction is formed by causing the same light emitting pixel 31 to emit light, the drawn pattern is prevented from becoming a curve.

上記実施例では、露光対象物10を露光光源3に対して移動させたが、露光光源3を露光対象物10に対して移動させてもよい。   In the above embodiment, the exposure object 10 is moved with respect to the exposure light source 3, but the exposure light source 3 may be moved with respect to the exposure object 10.

以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。   Although the present invention has been described with reference to the embodiments, the present invention is not limited thereto. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications, improvements, combinations, and the like can be made.

図1Aは、第1の実施例による直接描画装置の正面図であり、図1Bは、その平面図である。FIG. 1A is a front view of a direct drawing apparatus according to the first embodiment, and FIG. 1B is a plan view thereof. 図2Aは、第1の実施例による直接描画装置の露光光源及び露光対象物の断面図であり、図2Bは、発光画素と開口との位置関係を示す図である。FIG. 2A is a sectional view of an exposure light source and an exposure object of the direct drawing apparatus according to the first embodiment, and FIG. 2B is a diagram showing a positional relationship between the light emitting pixels and the openings. 第2の実施例による直接描画装置の発光画素と開口との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the light emission pixel and opening of a direct drawing apparatus by a 2nd Example. 第3の実施例による直接描画装置の露光光源及び露光対象物の断面図である。It is sectional drawing of the exposure light source and exposure target object of the direct drawing apparatus by a 3rd Example. 第4の実施例による直接描画装置の発光画素と開口との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the light emission pixel and opening of a direct drawing apparatus by a 4th Example. 第5の実施例による直接描画装置の発光画素と開口との位置関係を示す図である。It is a figure which shows the positional relationship of the light emission pixel and opening of a direct drawing apparatus by a 5th Example. 第6の実施例による直接描画装置の集光位置検出器の平面図である。It is a top view of the condensing position detector of the direct drawing apparatus by a 6th Example. 第6の実施例による直接描画装置の集光領域の配置の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of arrangement | positioning of the condensing area | region of the direct drawing apparatus by 6th Example.

符号の説明Explanation of symbols

1 基台
2 XYステージ
3 露光光源
4 制御装置
5 冷却装置
6 集光位置検出器
7 CCDカメラ
8 移動機構
10 露光対象物
30 発光画素アレイ
31 発光画素
32 遮光マスク
33 開口
34 集光光学系
40 マイクロレンズアレイ
41 マイクロレンズ
45 仮想直線
50a〜50d 受光領域
51 集光領域
52 原点
55 X方向基準位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Base 2 XY stage 3 Exposure light source 4 Control apparatus 5 Cooling apparatus 6 Condensing position detector 7 CCD camera 8 Moving mechanism 10 Exposure target object 30 Light emitting pixel array 31 Light emitting pixel 32 Light shielding mask 33 Aperture 34 Condensing optical system 40 Micro Lens array 41 Micro lens 45 Virtual straight lines 50a to 50d Light receiving area 51 Condensing area 52 Origin 55 X-direction reference position

Claims (6)

光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、
前記発光画素に対応して開口が形成され、該発光画素から放射された光の一部が、対応する開口を通過し、かつ各開口内の全領域を、対応する発光画素から放射された光が通過するように配置され、開口以外の領域に入射する光を遮光する遮光マスクと、
表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、
前記発光画素から放射され、前記遮光マスクの対応する開口を通過した光を、前記ステージに保持された露光対象物上に集光させる集光光学系と、
前記ステージに保持された露光対象物及び前記集光光学系の一方を他方に対して移動させる移動機構と
を有する直接描画装置。
A light emitting pixel array in which a plurality of light emitting pixels emitting light are arranged in at least one column;
An opening is formed corresponding to the light emitting pixel, a part of the light emitted from the light emitting pixel passes through the corresponding opening, and the entire area within each opening is emitted from the corresponding light emitting pixel. A light shielding mask that shields light incident on a region other than the opening,
A stage for holding an exposure object having a photosensitive film formed on the surface;
A condensing optical system for condensing the light emitted from the light emitting pixels and passing through the corresponding opening of the light shielding mask onto the exposure target held on the stage;
A direct drawing apparatus having an exposure object held on the stage and a moving mechanism for moving one of the condensing optical system with respect to the other.
前記集光光学系がセルフォックレンズアレイを含み、前記遮光マスクの開口の正立等倍像を、前記ステージに保持された露光対象物の表面に形成する請求項1に記載の直接描画装置。   The direct drawing apparatus according to claim 1, wherein the condensing optical system includes a Selfoc lens array, and an erecting equal-magnification image of the opening of the light shielding mask is formed on a surface of an exposure target held on the stage. 前記発光画素が、紫外光を放射する発光ダイオードの発光部により構成されている請求項1または2に記載の直接描画装置。   The direct drawing apparatus according to claim 1, wherein the light emitting pixel is configured by a light emitting portion of a light emitting diode that emits ultraviolet light. 光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、
表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、
前記発光画素から放射された光が入射する位置に配置されたセルフォックレンズアレイと、
前記セルフォックレンズアレイを透過した光が入射する位置に、前記発光画素に対応して配置されたマイクロレンズを含むマイクロレンズアレイであって、該マイクロレンズは、対応する発光画素から放射されて前記セルフォックレンズアレイを通過した光を、前記ステージに保持された露光対象物の表面に集光する前記マイクロレンズアレイと、
前記ステージに保持された露光対象物及び前記発光画素アレイの一方を他方に対して移動させる移動機構と
を有する直接描画装置。
A light emitting pixel array in which a plurality of light emitting pixels emitting light are arranged in at least one column;
A stage for holding an exposure object having a photosensitive film formed on the surface;
A selfoc lens array disposed at a position where light emitted from the light emitting pixels is incident;
A microlens array including a microlens arranged corresponding to the light emitting pixel at a position where light transmitted through the selfoc lens array is incident, the microlens being emitted from the corresponding light emitting pixel and The microlens array for condensing the light that has passed through the selfoc lens array on the surface of the exposure object held on the stage;
A direct drawing apparatus comprising: an exposure object held on the stage; and a moving mechanism for moving one of the light emitting pixel array with respect to the other.
光を放射する複数の発光画素が少なくとも1列に並んだ発光画素アレイと、
表面に感光膜が形成された露光対象物を保持するステージと、
前記発光画素の各々から放射された光を、前記ステージに保持された露光対象物上に集光させる集光光学系と、
前記ステージに保持された露光対象物及び前記集光光学系の一方を他方に対して移動させる移動機構と、
前記複数の発光画素から放射された光の複数の集光領域の相対位置を計測する集光位置検出手段と
を有する直接描画装置。
A light emitting pixel array in which a plurality of light emitting pixels emitting light are arranged in at least one column;
A stage for holding an exposure object having a photosensitive film formed on the surface;
A condensing optical system for condensing the light emitted from each of the light emitting pixels onto an exposure object held on the stage;
A moving mechanism for moving one of the exposure object held on the stage and the condensing optical system with respect to the other;
A direct drawing apparatus comprising: condensing position detecting means for measuring relative positions of a plurality of condensing areas of light emitted from the plurality of light emitting pixels.
さらに、前記ステージに保持された露光対象物及び前記集光光学系の一方を他方に対して第1の方向に移動させながら、前記集光位置検出手段により検出された複数の集光領域の該第1の方向に関する相対的なずれ量、及び描画すべき画像データに基づいて、前記発光画素の発光タイミングを制御する制御装置を有する請求項5に記載の直接描画装置。   Further, while moving one of the exposure object held on the stage and the condensing optical system in the first direction with respect to the other, the plurality of condensing regions detected by the condensing position detecting means The direct drawing apparatus according to claim 5, further comprising a control device that controls a light emission timing of the light emitting pixel based on a relative shift amount with respect to the first direction and image data to be drawn.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109550A (en) * 2007-10-26 2009-05-21 Adtec Engineeng Co Ltd Direct writing exposure apparatus
WO2013140499A1 (en) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure head and exposure device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009109550A (en) * 2007-10-26 2009-05-21 Adtec Engineeng Co Ltd Direct writing exposure apparatus
WO2013140499A1 (en) * 2012-03-19 2013-09-26 株式会社ブイ・テクノロジー Exposure head and exposure device
CN104169798A (en) * 2012-03-19 2014-11-26 株式会社V技术 Exposure head and exposure device
US9513563B2 (en) 2012-03-19 2016-12-06 V Technology Co., Ltd. Exposure head and exposure device
TWI588617B (en) * 2012-03-19 2017-06-21 V科技股份有限公司 Exposure head and exposure apparatus

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