JP2007078536A - Failure detection simulation system, failure detection simulation method and program - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、シミュレーションにより回路(集積回路)の故障を検出できるか否かを判定する故障検出シミュレーションシステム、故障検出シミュレーション方法及びプログラムに関する。 The present invention relates to a failure detection simulation system, a failure detection simulation method, and a program for determining whether or not a failure of a circuit (integrated circuit) can be detected by simulation.
故障検出シミュレーションは、故障が含まれた論理回路を想定し、その論理回路に対して所定のテストデータを入力してシミュレーションを行ない論理回路の故障を検出することにより論理回路の設計段階における評価を行なうものである。 Fault detection simulation assumes a logic circuit that contains a fault, inputs predetermined test data to the logic circuit, performs a simulation, and detects the fault in the logic circuit, thereby evaluating the logic circuit at the design stage. To do.
デジタル回路における故障検出シミュレーションにおいては、デジタル回路内に故障を仮定し、デジタル回路を構成するゲートの入出力を定義して、その故障ごとにシミュレーションを実行してその検出結果を得る。故障のモードについては他で定義され、故障ごとにテストパターンを用いて回路シミュレーションが行われる。故障検出できたかどうかの判定は、予め定義された期待値と一致するか否かで判断される(特許文献1)。 In the failure detection simulation in the digital circuit, a failure is assumed in the digital circuit, the input / output of the gate constituting the digital circuit is defined, the simulation is executed for each failure, and the detection result is obtained. The failure mode is defined elsewhere, and circuit simulation is performed using a test pattern for each failure. Whether or not a failure has been detected is determined based on whether or not the failure has been matched with a predefined expected value (Patent Document 1).
アナログ回路に対するテストシミュレーションに関する従来技術としては、例えば、特開2003−121511号公報(特許文献2)に開示される技術がある。当該特許文献2で開示されるICテストプログラム作成装置においては、IC回路の素子の特性値であるパラメータを順次変更しながら回路シミュレーションを実行することにより、テスト条件としてのテスト規格値の最大値と最小値を取得することにより、各素子のバラツキを考慮したテスト条件を自動的に生成するものである。しかしながら、アナログ回路を構成する各素子レベルでの故障を検出するための故障検出シミュレーションについては行なわれていなかった。
As a conventional technique related to a test simulation for an analog circuit, for example, there is a technique disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 2003-121511 (Patent Document 2). In the IC test program creation device disclosed in
不良除去率を向上することができるアナログ故障回路のシミュレーションシステムを、本件の出願人が開発している(特願2003−403045号)。この方法では、アナログ回路を構成する素子に対して、故障状態の特性を示す故障モデルパラメータを適用し、設定された入出力の期待値をテスト条件として回路シミュレーションを実行している。これにより、そのテスト条件で素子の故障を検出できるか否かを判定することができる。 The applicant of the present application has developed an analog failure circuit simulation system capable of improving the defect removal rate (Japanese Patent Application No. 2003-403045). In this method, a failure simulation parameter indicating a failure state characteristic is applied to an element constituting an analog circuit, and a circuit simulation is executed using a set expected value of input / output as a test condition. Thereby, it is possible to determine whether or not an element failure can be detected under the test conditions.
この方法では、回路内の各素子について故障モードにし、実際の選別テストと同等のシミュレーションを行っている。そのため回路内の素子数が多くなると、非常に時間がかかる。すなわち、この方法ではアナログ回路に含まれる素子を順番に故障モードに設定して、テスト項目を変えてシミュレーションを行なっている。そのため、アナログ回路の素子数が増えてしまうとシミュレーションを行なう回数が増えてしまい、計算時間が長くなる。たとえば、1つのIC内部で回路素子(抵抗やトランジスタなど)が1000素子あり、シミュレーションを行うテスト項目が100あった場合に、全素子の故障シミュレーションを行うために10万回のシミュレーションを行う必要がある。仮に1回のシミュレーション時間が30秒としても、300万秒すなわち、1ヶ月以上かかってしまう。このように従来のアナログ回路の故障検出シミュレーションシステムでは素子数が増えると、計算時間が長時間になってしまうという問題点があった。 In this method, each element in the circuit is set to a failure mode, and a simulation equivalent to an actual screening test is performed. Therefore, when the number of elements in the circuit increases, it takes a very long time. That is, in this method, the elements included in the analog circuit are sequentially set to the failure mode, and the simulation is performed by changing the test items. For this reason, if the number of analog circuit elements increases, the number of simulations increases, and the calculation time increases. For example, when there are 1000 circuit elements (resistors, transistors, etc.) in one IC and there are 100 test items to be simulated, it is necessary to perform 100,000 simulations in order to perform failure simulation of all elements. is there. Even if one simulation time is 30 seconds, it takes 3 million seconds, that is, one month or more. As described above, the conventional analog circuit failure detection simulation system has a problem that the calculation time becomes long as the number of elements increases.
本発明にかかる故障検出シミュレーションシステムは、回路の故障を検出できるか否かを判定する故障検出シミュレーションシステムであって、前記回路を表すネットリストから選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータ格納部と、前記回路に対する入出力の期待値をテスト条件として設定するテスト条件設定部と、前記回路に含まれる素子のうち、2つ以上の素子を一つの素子にまとめて前記ネットリストを簡略化して、簡略化ネットリストを生成するネットリスト簡略部と、前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成するシミュレーション回路生成部と、前記テスト条件設定部で設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行し、故障を検出できるか否かを判定する回路シミュレーション実行部とを有するものである。これにより、シミュレーションに対象となる素子数を減少させることができ、シミュレーション時間を短縮することができる。 A failure detection simulation system according to the present invention is a failure detection simulation system for determining whether or not a failure of a circuit can be detected, and is a failure model that indicates characteristics of a failure state for an element selected from a netlist representing the circuit. A parameter storage unit; a test condition setting unit that sets an expected value of input / output to / from the circuit as a test condition; and two or more elements among elements included in the circuit are combined into one element, and the netlist is A simulation for generating a simulation circuit corresponding to a circuit represented by the simplified netlist based on the failure model parameter for the selected element and a netlist simplification unit that simplifies and generates a simplified netlist The test conditions set by the circuit generation unit and the test condition setting unit Run the circuit simulation Zui, and has a determining circuit simulation executing unit whether it can detect a fault. Thereby, the number of elements to be simulated can be reduced, and the simulation time can be shortened.
本発明にかかる故障検出シミュレーション方法は、回路の故障を検出できるか否かを判定する故障検出シミュレーション方法であって、前記回路を表すネットリストから素子を選択し、前記回路に含まれる素子のうち、2つ以上の素子を一つの素子にまとめて前記ネットリストを簡略化して、簡略化ネットリストを生成し、前記簡略化ネットリストに対して入出力の期待値をテスト条件として設定し、前記選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成し、前記設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行し、故障を検出できるか否かを判定するものである。これにより、シミュレーションに対象となる素子数を減少させることができ、シミュレーション時間を短縮することができる。 A failure detection simulation method according to the present invention is a failure detection simulation method for determining whether or not a failure of a circuit can be detected, wherein an element is selected from a netlist representing the circuit, and among the elements included in the circuit Simplifying the netlist by combining two or more elements into one element, generating a simplified netlist, setting an expected input / output value as a test condition for the simplified netlist, A simulation circuit corresponding to the circuit represented by the simplified netlist is generated based on the failure model parameter indicating the characteristic of the failure state for the selected element, and the circuit simulation is executed based on the set test condition Then, it is determined whether or not a failure can be detected. Thereby, the number of elements to be simulated can be reduced, and the simulation time can be shortened.
本発明にかかるプログラムは、回路の故障を検出できるか否かを判定する故障検出シミュレーションをコンピュータに実行させるプログラムであって、前記コンピュータに、前記回路を表すネットリストから素子を選択させ、前記回路に含まれる素子のうち、2つ以上の素子を一つの素子にまとめて前記ネットリストを簡略化して、簡略化ネットリストを生成させ、前記簡略化ネットリストに対して入出力の期待値をテスト条件として設定させ、前記選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成させ、前記設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行し、故障を検出できるか否かを判定させるものである。これにより、シミュレーションに対象となる素子数を減少させることができ、シミュレーション時間を短縮することができる。 A program according to the present invention is a program that causes a computer to execute a failure detection simulation for determining whether or not a circuit failure can be detected, and causes the computer to select an element from a netlist that represents the circuit. The netlist is simplified by combining two or more elements into one element to generate a simplified netlist, and the expected input / output values are tested against the simplified netlist. A simulation circuit corresponding to the circuit represented by the simplified netlist is generated based on a failure model parameter indicating a characteristic of a failure state for the selected element, and the test condition is set. Based on this, a circuit simulation is executed to determine whether or not a failure can be detected. Thereby, the number of elements to be simulated can be reduced, and the simulation time can be shortened.
本発明によれば、シミュレーションに対象となる素子数を減少させることができ、シミュレーション時間を短縮することができる故障検出シミュレーションシステム、故障検出シミュレーション方法及びプログラムを提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a failure detection simulation system, a failure detection simulation method, and a program capable of reducing the number of elements to be simulated and reducing the simulation time.
以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。 Hereinafter, embodiments to which the present invention can be applied will be described. The following description explains the embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to the following embodiment. For clarity of explanation, the following description is omitted and simplified as appropriate. Further, those skilled in the art will be able to easily change, add, and convert each element of the following embodiments within the scope of the present invention. In addition, what attached | subjected the same code | symbol in each figure has shown the same element, and abbreviate | omits description suitably.
本発明の一実施例による故障検出シミュレーションシステムの構成を図1に示す。本実施例の故障検出シミュレーションシステム10は、ネットリスト20、ネットリスト簡略部25、モデルパラメータ30、シミュレーション回路生成部40、テスト条件設定部50、シミュレーション実行部60、シミュレーション結果出力部70及びシミュレーション制御部80を備えている。故障検出シミュレーションシステム10は外部端末装置100と接続される。
FIG. 1 shows the configuration of a failure detection simulation system according to an embodiment of the present invention. The failure
この故障検出シミュレーションシステム10は、専用のハードウェアによって構成することは勿論として、プログラム制御可能なコンピュータ装置(CPU)上で実行されるソフトウェア(故障検出シミュレーションプログラム)によって実現することも可能である。この故障検出シミュレーションプログラムは、磁気ディスク、半導体メモリその他の記録媒体に格納され、その記録媒体からコンピュータ装置にロードされ、コンピュータ装置の動作を制御することにより、以下に述べる処理を実行する。
The failure
以下、アナログ回路に対する故障検出シミュレーションについて説明する。
ネットリスト20は、故障の検出を行う対象であるアナログ回路(集積回路)の構成(回路の仕様)を表すリストである。ネットリスト20にはアナログ回路を構成する全素子が表されている。ネットリスト20には各素子がパラレル接続されているか、あるいはシリアル接続されているかの情報が含まれている。さらには、各素子の間に分岐点があるかないかの情報も含まれている。
Hereinafter, a failure detection simulation for an analog circuit will be described.
The
ネットリスト簡略部25は、上記のネットリスト20に含まれている2つ以上の素子を1つにまとめる。1つにまとめられる素子の数は1つでもよいし、複数でもよい。これにより、シミュレーションの対象となる素子数を減少することができる。ネットリスト簡略部25によるネットリストの簡略化については後述する。なお、ネットリスト簡略部25によって簡略化されたネットリストを簡略化ネットリストとする。また、ネットリスト簡略部25は1つの簡略化ネットリストのみを生成して下記のシミュレーションを行ってもよく、素子毎に異なる簡略化ネットリストを生成して下記のシミュレーションをおこなってもよい。
The
モデルパラメータ30は、ネットリスト20で表されるアナログ回路に含まれるトランジスタや抵抗、コンデンサ等の各素子の特性を示すパラメータであり、本実施例においては、上記モデルパラメータ30として、素子の標準的な特性を満たす標準モデル(正常品としての特性を有するモデル)を表す標準モデルパラメータと、故障モデル(特性において故障した状態を有するモデル)を表す故障モデルパラメータを用意して格納している。
The
アナログ回路に含まれる素子の種類に応じて、それぞれ異なる標準モデルパラメータ及び故障モデルパラメータが格納されている。すなわち、トランジスタ、抵抗、コンデンサでは異なるモデルパラメータが用意されている。さらに、1つの種類の素子において、特性が異なる素子がある場合、その特性に応じて異なるモデルパラメータが用意される。例えば、回路に設けられている抵抗が、10kΩの抵抗と5kΩの抵抗である場合、それぞれの抵抗値に対応して2種類のモデルパラメータが用意される。すなわち、10kΩ用の標準モデルパラメータ及び故障モデルパラメータ、並びに5kΩ用の標準モデルパラメータ及び故障モデルパラメータが格納される。換言すれば、同じ種類かつ、同じ特性の素子では共通のモデルパラメータが利用される。トランジスタやコンデンサ等の他の素子についても、その特性ごとに異なるモデルパラメータが用意されている。 Different standard model parameters and failure model parameters are stored depending on the types of elements included in the analog circuit. That is, different model parameters are prepared for transistors, resistors, and capacitors. Further, when there are elements having different characteristics in one type of element, different model parameters are prepared according to the characteristics. For example, when the resistors provided in the circuit are a 10 kΩ resistor and a 5 kΩ resistor, two types of model parameters are prepared corresponding to the respective resistance values. That is, the standard model parameter and failure model parameter for 10 kΩ, and the standard model parameter and failure model parameter for 5 kΩ are stored. In other words, common model parameters are used for elements of the same type and the same characteristics. For other elements such as transistors and capacitors, different model parameters are prepared for each characteristic.
シミュレーション回路生成部40は、簡略化ネットリストに表される回路に、モデルパラメータ30に含まれる各素子のパラメータを適用する。これにより、シミュレーション回路生成部40は回路シミュレーションを行うためのシミュレーション回路を生成する。
The simulation
テスト条件設定部50は、故障の検出を行う素子に対する入出力の期待値(電圧、電流値)を含むテスト条件を設定する。これらテスト条件としては、各素子ごとに値を変えた入出力の期待値(ある入力値に対してどのような出力値が得られるだろうといった期待値:以下、テスト項目と称する)が設定される。例えば、テスト条件設定部50は、回路内において故障の検出を行なう対象素子を含むブロックに対する入力の期待値と出力の期待値を設定する。この入出力の期待値は、ICの複数の出荷検査に対応して複数設定されるものを利用する。すなわち、実際の出荷検査における入力信号が入力された場合、対象素子を含むブロックに入力されるであろう入力の期待値と、その入力の期待値によって出力されるであろう出力の期待値が設定される。入出力の期待値は、各素子毎にされる。なお、同じブロックに含まれる素子については、同じ入出力の期待値となってもよい。また、テスト条件には、実際の回路の検出に用いられるテスト治具(例えば、IC検査装置(テスタ))の回路情報が含められる。
The test
シミュレーション実行部60は、上記シミュレーション回路の各素子について、テスト条件(複数のテスト項目)に基づいて集積回路(IC)の出荷検査に相当する内容の回路シミュレーションを実行する。すなわち、出荷検査に用いられる入力信号をアナログ回路に入力し、そのときに出力される出力信号をシミュレーションにより算出する。シミュレーション実行部60は、専用のハードウェアによって構成することも可能あるが、コンピュータ装置上で実行され、実際のテスト治具であるテスタ等を使用したテストをシミュレートするソフトウェア(故障検出シミュレーションプログラム)によって実現することが可能である。
The
このシミュレーション実行部60の構成及び機能については、従来から提供されている、例えば、前述した特許文献2(特開2003−121511号公報)に開示される回路シミュレータと同じであり、その詳細については省略する。
About the structure and function of this
シミュレーション結果出力部70は、シミュレーション回路の各素子に対する検査の結果として、各素子の故障検出率等を含む情報をシミュレーション結果として出力する。このシミュレーション結果は、外部端末装置100に送られる。例えば、シミュレーション結果がテスト条件設定部で設定された出力の期待値から外れた場合に、その素子が故障であるとして判定される。
The simulation
シミュレーション制御部80は、検査対象の素子に対する全ての故障モデルパラメータにおける回路シミュレーションが終了したかどうかを判別する。さらに、シミュレーション制御部80は、シミュレーション実行部60を制御して、下記の処理を行う。シミュレーション制御部80は、検査対象の素子に用意された他の故障モデルパラメータに切り替える。このとき、ネットリスト簡略部25は切り換えられた故障モデルパラメータに対応して、ネットリストを簡略化する。故障モードが切り換えられると、ネットリストは別の構成となるよう簡略化される。すなわち、故障モデルパラメータに応じて簡略化ネットリストの構成が異なる。そして、シミュレーション回路生成部は別の構成となった簡略化ネットリストに対応するシミュレーション回路を生成する。シミュレーション制御部80は、新たに簡略化された簡略化ネットリストに対応するシミュレーション回路及び切り換えられた故障モデルパラメータによる故障モデルでの回路シミュレーションを実行する。なお、シミュレーション制御部80は、故障検出の対象となる素子を選択することもできる。従って、シミュレーション制御部80は、全素子に対して故障検出対象としたか、一部の素子のみを故障検出対象としたかを判別することができる。例えば、設計者によって故障検出の対象となる素子が全素子の中から選択された場合は、シミュレーション制御部80は、選択された素子に対してシミュレーションが行なわれるよう制御する。
The
次いで、上記のように構成される本実施例による故障検出シミュレーションシステム10の動作について説明する
Next, the operation of the failure
まず、故障検出シミュレーションに先立ち、各素子について標準モデルパラメータと故障モデルパラメータを含むモデルパラメータを用意し、モデルパラメータ30として格納する。
First, prior to failure detection simulation, model parameters including standard model parameters and failure model parameters are prepared for each element and stored as
図1の実施例では、NPNトランジスタのモデルパラメータ31と、PNPトランジスタのモデルパラメータ32、抵抗のモデルパラメータ33、コンデンサのモデルパラメータ34を、モデルパラメータ30として格納している。
In the embodiment of FIG. 1, the
ここで、NPNトランジスタと抵抗のモデルパラメータの例を、図2、図3に示す。 Here, examples of model parameters of the NPN transistor and the resistance are shown in FIGS.
図2は、NPNトランジスタのモデルパラメータ31を示している。NPNトランジスタのモデルパラメータは標準モデルパラメータと、オープン状態の故障を表す故障モデルパラメータ及びNPNトランジスタのショート状態の故障を表す故障モデルパラメータを含んでいる。また、図3は抵抗のモデルパラメータ33を示している。抵抗のモデルパラメータ33は、標準モデルパラメータと、オープン状態の故障を表す故障モデルパラメータ及び抵抗のショート状態の故障を表す故障モデルパラメータを含んでいる。このように、各モデルパラメータは標準モデルパラメータとオープン状態の故障を表す故障モデルパラメータと抵抗のショート状態の故障を表す故障モデルパラメータとの3種類のモデルパラメータを備えている。なお、オープン状態の故障モデルパラメータをオープンモデルパラメータとし、ショート状態の故障モデルパラメータをショートモデルパラメータとする。
FIG. 2 shows
各素子の故障モデルパラメータについては、各素子ごとに少なくとも1種類以上設定する。また、故障モデルパラメータとしては、素子の製造過程において発生する特性のバラツキの範囲を大きく超えた値(オープン状態やショート状態を示す値)が設定される。 At least one type of failure model parameter for each element is set for each element. Further, as the failure model parameter, a value (a value indicating an open state or a short state) that greatly exceeds the range of the characteristic variation that occurs in the manufacturing process of the element is set.
また、図4と図5に、上述したNPNトランジスタの、故障モデル(オープンとショート)と標準モデルにおける静特性である、Ic−Vce特性とVbe−Ic特性を示す。図2に示す故障モデルパラメータと標準モデルパラメータによる各モデルにおける静特性が示されている。 4 and 5 show the Ic-Vce characteristic and Vbe-Ic characteristic, which are static characteristics in the failure model (open and short) and the standard model, of the NPN transistor described above. Static characteristics in each model according to the failure model parameter and the standard model parameter shown in FIG. 2 are shown.
上記においては、トランジスタと抵抗についてのモデルパラメータの内容例を示したが、PNPトランジスタのモデルパラメータ32及びコンデンサのモデルパラメータ34についても、上記と同様に、標準モデルパラメータと2種類の故障モデルパラメータを含むものとする。
In the above, the example of the contents of the model parameters for the transistor and the resistor has been shown. However, for the
故障検出シミュレーションシステム10の処理内容を、図6のフローチャートに従って
説明する。
The processing contents of the failure
ネットリスト20で示される回路から故障モードにする素子を選択する(ステップ101)。ここでは、ネットリスト20に含まれるNPNトランジスタ、抵抗等の素子から特定の素子が選択される。ここで、故障モードにすると選択された素子を対象素子とする。すなわち、この対象素子が故障モードとされて、下記の説明のようにシミュレーションが実行される。すなわち、対象素子について故障を検出できるか否かがシミュレーションで判定される。通常、ネットリスト20に含まれる複数の素子から1つの素子が対象素子となる。なお、同時に2つ以上の素子を対象素子としてもよい。
An element to be set in the failure mode is selected from the circuit shown in the netlist 20 (step 101). Here, a specific element is selected from elements such as NPN transistors and resistors included in the
故障検出を行なうためのテスト条件を設定する(ステップ102)。ここでは、各素子ごとに用意された複数のテスト項目(入出力の期待値)を含むテスト条件が設定される。テスト項目については、複数の入力値と出力値の組み合わせが用意される。テスト条件としては、例えば100項目といった数のテスト項目が設定される。以下、例として100項目のテスト項目が設定されたとして説明する。 Test conditions for detecting a failure are set (step 102). Here, a test condition including a plurality of test items (input / output expected values) prepared for each element is set. For test items, a combination of a plurality of input values and output values is prepared. As test conditions, a number of test items such as 100 items are set. Hereinafter, description will be made assuming that 100 test items are set as an example.
テスト条件が設定されたら、ネットリスト簡略部25でネットリストを簡略化する(ステップ103)。まず、ステップ101で選択された対象素子をオープンモデルとするか、ショートモデルとするかを選択する。ここでは、対象素子をオープンモデルとする場合について説明する。選択された故障モデル(ここでは、オープンモデル)で、対象素子について他の素子とまとめられるかどうかを判定する。まとめられる場合は、他の素子とまとめられ、1つの素子となる。すなわち、故障モードにすると選択された対象素子を含む2つ以上の素子を合成して、1つの素子とする。さらに、選択された素子以外の素子でまとめられるものをまとめる。これによりシミュレーションでパラメータが適用される素子数を減少させることができ、ネットリストを簡略化することができる。よって、計算時間を短縮することができる。
When the test conditions are set, the net
次に、簡略化ネットリストの各素子にモデルパラメータを適用する(ステップ104)。例えば、シミュレーション回路生成部40で、ステップ101で選択された対象素子に対してモデルパラメータ30の中から当該素子の選択された故障モデルパラメータを適用する。ここでは、対象素子に対してオープンモデルパラメータが適用される。さらに、対象素子が他の素子とまとめられた場合、そのまとめられた素子にまとめられる前の対象素子の故障モデルパラメータを適用する。対象素子と異なる素子のうち、2つ以上の素子がまとめられた素子については、まとめられる前の素子のうち1つの素子の標準モデルパラメータが適用される。他の素子とまとめられなかった素子については、その素子のモデルパラメータが適用される。これにより、当該素子の故障モードを示すシミュレーション回路が生成される。
Next, model parameters are applied to each element of the simplified netlist (step 104). For example, the simulation
例えば、図8に示す標準モデルで表される回路の抵抗に対して、オープンモデルパラメータを適用することにより、図9に示すような故障モデルのシミュレーション回路が生成される。 For example, a failure model simulation circuit as shown in FIG. 9 is generated by applying open model parameters to the resistance of the circuit represented by the standard model shown in FIG.
上記故障モデルのシミュレーション回路に対して、設定されたテスト条件に従って集積回路(IC)の出荷検査に相当する内容の回路シミュレーションを実行する(ステップ105)。 A circuit simulation having the contents corresponding to the shipping inspection of the integrated circuit (IC) is executed on the failure model simulation circuit in accordance with the set test conditions (step 105).
このテスト条件に基づく回路シミュレーションは、図7に示すフローチャートに従って実行される。 The circuit simulation based on this test condition is executed according to the flowchart shown in FIG.
まず、テスト条件に含まれる1つ目のテスト項目について期待値に適合した結果が得られるかどうかのテストが実行される(ステップ201)。すなわち、テスト項目に含まれる入力値をシミュレーション回路に入力し、その回路からの出力を算出する。 First, a test is performed to determine whether a result that matches the expected value is obtained for the first test item included in the test condition (step 201). That is, an input value included in a test item is input to a simulation circuit, and an output from the circuit is calculated.
テストの結果、当該テスト項目において故障が検出されたか(テスト項目の期待値に適合しない結果となったか)、未検出(テスト項目の期待値に適合した結果となったか)かが判定され記録される(ステップ202)。回路シミュレーションに際しては、テスト条件として設定されたテスト項目(期待値)に対して、期待値に適合しない結果(期待値で示される許容範囲以外の結果)が得られた場合には故障検出となり、期待値に適合した結果(期待値で示される許容範囲内の結果)が得られた場合には故障未検出との判定がなされる。すなわち、シミュレーション結果が期待値で示される許容範囲以外になる場合、そのテスト項目の入力値に対応する実検査で故障を検出することができると判定され、期待値で示される許容範囲内になる場合、そのテスト項目の入力値に対応する実検査で故障を検出することができないと判定される。 As a result of the test, it is determined and recorded whether a failure is detected in the test item (whether the result does not match the expected value of the test item) or not detected (whether the result matches the expected value of the test item). (Step 202). In circuit simulation, if a test item (expected value) set as a test condition results in a result that does not match the expected value (result outside the allowable range indicated by the expected value), failure detection is performed. If a result that conforms to the expected value (result within the allowable range indicated by the expected value) is obtained, it is determined that no failure has been detected. That is, when the simulation result is outside the allowable range indicated by the expected value, it is determined that a failure can be detected by the actual inspection corresponding to the input value of the test item, and is within the allowable range indicated by the expected value. In this case, it is determined that a failure cannot be detected by an actual inspection corresponding to the input value of the test item.
その後、テスト条件として設定されている全てのテスト項目についてテスト実行されたかを判定する。(ステップ203)。全テスト項目についてシミュレーションが終了していなければ、次のテスト項目に切り替えて(ステップ204)、ステップ201のテストを実行する。 Thereafter, it is determined whether or not the test has been executed for all test items set as test conditions. (Step 203). If the simulation has not been completed for all the test items, the test is switched to the next test item (step 204) and the test of step 201 is executed.
例えば、テスト項目が100項目ある場合には、100項目に対するテストを繰り返し実行し、ステップ203で全てのテスト項目についてテストが終了した場合に当該故障モデルに対するテスト実行が終了する。これにより、テスト対象の故障モデルに対する全てのテスト項目について、故障検出か未検出かのテスト結果が記録される。 For example, when there are 100 test items, the test for 100 items is repeatedly executed, and when the test is completed for all the test items in step 203, the test execution for the failure model is completed. As a result, for all test items for the failure model to be tested, a test result indicating whether the failure is detected or not detected is recorded.
ステップ104で適用されたモデルパラメータに対するステップ105の回路シミュレーションが終了した場合、対象素子の全ての故障モデル(故障モデルパラメータ)に対する回路シミュレーションが終了したかどうかを判定する(ステップ106)。全故障モデルに対する回路シミュレーションが終了していない場合には、検査対象の素子に用意された他の故障モデルパラメータに切り替える(ステップ107)。 When the circuit simulation of step 105 for the model parameter applied in step 104 is completed, it is determined whether or not the circuit simulation for all the failure models (failure model parameters) of the target element is completed (step 106). If the circuit simulation for all the fault models has not been completed, the circuit is switched to another fault model parameter prepared for the element to be inspected (step 107).
具体的には、オープンモデルパラメータからショートモデルパラメータに切り換えれる。そして、ショートモデルパラメータに対してネットリストの簡略化(ステップ103)、モデルパラメータの適用(ステップ104)及び故障検査シミュレーションの実行(ステップ105)の処理を行なう。例えば、図9に示すような抵抗の故障モデル(オープンモデル)のシミュレーション回路についてシミュレーションが終了した場合には、当該抵抗について他の故障モデルパラメータ(ショートモデル)に切り替えることにより、図10に示すような故障モデル(ショートモデル)のシミュレーション回路を生成し、故障検査ための回路シミュレーションを実行する。 Specifically, the open model parameter can be switched to the short model parameter. Then, the net list is simplified (step 103), the model parameter is applied (step 104), and the fault inspection simulation is executed (step 105) for the short model parameters. For example, when the simulation is completed for the resistance fault model (open model) simulation circuit as shown in FIG. 9, the resistance is switched to another fault model parameter (short model) as shown in FIG. A fault model (short model) simulation circuit is generated, and a circuit simulation for fault inspection is executed.
対象素子に対する全ての故障モデルパラメータにおける回路シミュレーションが終了するまで、回路シミュレーションを繰り返し実行する。故障モデルパラメータにオープンモデルパラメータ及びショートモデルパラメータが用意されている場合、オープン状態及びショート状態について故障モデルの回路シミュレーションを行なう。 The circuit simulation is repeatedly executed until the circuit simulation for all the failure model parameters for the target element is completed. When an open model parameter and a short model parameter are prepared as the failure model parameter, a circuit simulation of the failure model is performed for the open state and the short state.
検査対象の素子に対する全て(オープンモデル及びショートモデル)の故障モデルパラメータにおける回路シミュレーション(故障検査)がすれば、ネットリスト20の集積回路に含まれる全ての素子に対する回路シミュレーションが終了したかを判別する(ステップ108)する。
If circuit simulation (failure inspection) is performed on all (open model and short model) failure model parameters for the element to be inspected, it is determined whether the circuit simulation for all elements included in the integrated circuit of the
図11に、検査対象の素子(NPNトランジスタ)の故障モデルであるオープンモデルとショートモデルに対して、テスト1〜テスト100のテスト項目について回路シミュレーションを実行した場合のテスト結果の例を示す。ここでは、シミュレーションで故障が検出された場合に○印を、故障が未検出の場合に×印を付けている。
FIG. 11 shows an example of a test result when a circuit simulation is executed for the test items of
図11において、オープンモデルについてテスト3のテスト項目で故障未検出、ショートモデルについてテスト1のテスト項目で故障未検出であることを示している。また、テスト項目毎に、全ての故障モデルで故障が検出されたかどうかを示す評価が総合評価として示されている。
FIG. 11 shows that no failure is detected in the test item of the
また、それぞれの故障モデルについての故障検出率と、総合評価における故障検出率が示されている。ここでの故障検出率(%)は、(故障が検出されたテスト項目数/全テスト項目数)×100で示される。 In addition, the failure detection rate for each failure model and the failure detection rate in comprehensive evaluation are shown. The failure detection rate (%) here is represented by (number of test items in which failure is detected / total number of test items) × 100.
両故障モデルについてテスト3とテスト1のテスト項目だけで故障未検出である場合、オープンモデルとショートモデルに対する故障検出率(=(故障が検出されたテスト項目数/全テスト項目数)×100)はそれぞれ99/100で、99%となる。例えば、100項目のうち10項目で故障未検出であれば、故障検出率は90%となる。
When failure is not detected only in the test items of
オープンモデルとショートモデルを含む総合評価での素子(NPNトランジスタ)の故障検出率は、98/100で98%となる。この素子の故障検出率が100%となれば、全て有効なテスト項目であることが検証される。 The failure detection rate of the element (NPN transistor) in comprehensive evaluation including the open model and the short model is 98% at 98/100. If the failure detection rate of this element is 100%, all the test items are verified.
図11に示すテスト結果において、総合評価として×印(故障未検出)で示されるテスト項目は、何れかの故障モデルについて故障を検出できない項目であるため、有効なテスト項目ではないと判断される。従って、図11に示すテスト結果に基づいて、テスト条件に含まれる複数のテスト項目から有効でないテスト項目(図11の場合、テスト1とテスト3)を排除して98項目の有効なテスト項目を新たなテスト条件として設定して回路シミュレーションを行えば、図12に示すようなテスト結果が得られることになる。
In the test results shown in FIG. 11, the test items indicated by crosses (failure not detected) as comprehensive evaluations are items that cannot detect a failure for any failure model, and thus are determined not to be effective test items. . Therefore, based on the test results shown in FIG. 11, test items that are not valid (
以上のテスト結果より、出荷テストの効率化とテスト品質の向上を実現できるテスト条件の検証が可能となる。また、テスト結果は、テスト条件として設定する有効なテスト項目の範囲を探るうえで極めて役に立つ。すなわち、有効でないテスト項目に対応する実検査を実行する必要がなくなるため、検査を簡略化することができる。このように、シミュレーションによって、有効なテスト項目か否かを判定することにより、実検査を簡略化することができる。 From the above test results, it is possible to verify the test conditions that can improve the efficiency of the shipping test and improve the test quality. In addition, the test results are extremely useful in finding the range of valid test items set as test conditions. In other words, it is not necessary to perform an actual inspection corresponding to an invalid test item, so that the inspection can be simplified. In this way, the actual inspection can be simplified by determining whether or not the test item is valid by simulation.
ステップ108で、全ての素子に対する回路シミュレーションが終了していない場合には、新たな素子を選択し(ステップ101)、さらに当該素子について設定されている他のテスト条件を設定する(ステップ102)ことで、ステップ103からステップ107
の処理を繰り返す。
If the circuit simulation has not been completed for all the elements in step 108, a new element is selected (step 101), and other test conditions set for the element are set (step 102). Step 103 to Step 107
Repeat the process.
ステップ108で、ネットリスト20の集積回路に含まれる全ての素子に対する回路シミュレーションが終了した場合、素子ごとに図11に示すようなテスト結果がシミュレーション結果として出力される(ステップ109)。これにより、アナログ回路に対する故障検出シミュレーションが終了する。
When the circuit simulation for all the elements included in the integrated circuit of the
次にネットリストの簡略化について図13を用いて詳細に説明する。図13(a)は簡略化を行なう前のネットリストに対応する回路構成を示す図であり、図13(b)は図3(a)に示すネットリストを簡略化した簡略化ネットリストに対応する回路構成を示す図である。図13(a)に示すように13個の素子からなる回路を図13(b)に示すように8素子からなる回路に簡略化することができる。 Next, simplification of the netlist will be described in detail with reference to FIG. FIG. 13A is a diagram showing a circuit configuration corresponding to the net list before simplification, and FIG. 13B corresponds to a simplified net list obtained by simplifying the net list shown in FIG. It is a figure which shows the circuit structure to perform. A circuit composed of 13 elements as shown in FIG. 13 (a) can be simplified to a circuit composed of 8 elements as shown in FIG. 13 (b).
図13(a)に示すように2つの5kΩの抵抗が並列(パラレル)に接続されている箇所Aは、図13(b)に示すように1つの2.5kΩの抵抗23として表すことができる。また、2つの5kΩの抵抗が直列(シリアル)に接続されている箇所Bは、図13(b)に示すように1つの10kΩの抵抗24として表すことができる。電流増幅率が1倍のトランジスタが並列に接続されている箇所Cは、図13(b)に示すように電流増幅率が2倍のトランジスタとして表すことができる。このようにパラレル接続されている素子及びシリアル接続されている素子をそれぞれ1つにまとめることによって、ネットリストに含まれる素子数を13から8に減少させることができる。これにより、シミュレーション時間を短縮することができる。
A location A where two 5 kΩ resistors are connected in parallel as shown in FIG. 13A can be represented as one 2.5
ここでは、同じ種類の素子を一つにまとめる。すなわち、複数の抵抗がシリアル接続又はパラレル接続されている場合、その複数の抵抗を一つにまとめる。抵抗がコンデンサー又はトランジスタと接続されている場合、それについては素子をまとめない。コンデンサー及びトランジスタについても、同じ種類の素子を一つにまとめる。2つ以上の素子を一つにまとめた場合、まとめられた素子のモデルパラメータについてはまとめられる前のものを用いることができる。すなわち、2つ以上の素子のうちの一つの素子のモデルパラメータがまとめられた素子のモデルパラメータとして用いられる。具体的には、まとめられる前の素子のうち、大きなパラメータを有する素子のモデルパラメータを用いる。例えば、5kΩと10kΩの抵抗をまとめた場合、10kΩの抵抗のモデルパラメータを用いる。コンデンサーについても同様に容量の大きい素子のモデルパラメータを用いる。トランジスタについても同様に、電流増幅率(hFE)又はコレクタ電流が大きいトランジスタのモデルパラメータを用いる。対象素子をまとめた場合、まとめられた素子にはまとめられる前の対象素子の故障モデルパラメータが用いられる。これにより、モデルパラメータを増やすことなくシミュレーションを行なうことができる。 Here, the same kind of elements are combined into one. That is, when a plurality of resistors are serially connected or connected in parallel, the plurality of resistors are combined into one. If a resistor is connected to a capacitor or transistor, do not group the elements for that. For capacitors and transistors, the same kind of elements are combined into one. When two or more elements are combined into one, the model parameters of the combined elements can be the same as before being combined. That is, the model parameter of one element out of two or more elements is used as a model parameter of the element. Specifically, model parameters of elements having large parameters among elements before being combined are used. For example, when the resistances of 5 kΩ and 10 kΩ are combined, the model parameter of the resistance of 10 kΩ is used. Similarly, the model parameters of the element having a large capacity are used for the capacitor. Similarly, a transistor model parameter having a large current amplification factor (h FE ) or collector current is used for the transistor. When the target elements are grouped, the failure model parameters of the target elements before being grouped are used for the grouped elements. As a result, simulation can be performed without increasing model parameters.
ただし、上記の簡略化では、シミュレーション結果が変わってしてしまうことがある。これについて、以下に説明する。例えば、図13(a)の箇所Aに示す抵抗のうちの1つの抵抗21がショート状態となった場合について考える。抵抗21がショート状態となった場合、パラレル接続された箇所Aについてはシミュレーション結果は変わらないはずである。すなわち、パラレル接続された5kΩの抵抗のうちの1つがショートした場合、箇所A全体が導通する。一方、図13(b)に示した、まとめられた2.5kΩの抵抗23がショートすれば、箇所A'全体が導通する。よって、同じシミュレーション結果が得られる。
However, the above simplification may change the simulation result. This will be described below. For example, consider a case where one of the
一方、シリアル接続された箇所Bについては、抵抗22がショート状態となると、シミュレーション結果が変わってしまう。すなわち、図13(a)の箇所Bの抵抗22がショートすると、シリアル接続されたもう一方の抵抗により箇所B全体の抵抗は5kΩとなる。しかしながら、図13(b)に示す簡略化されたネットリストでは、10kΩの抵抗がショートしてしまうと、箇所B'全体が導通する。このように、シリアル接続では、ショート状態のシミュレーション結果が異なってしまう。
On the other hand, for the serially connected portion B, the simulation result changes when the
したがって、シリアル接続された素子をショート状態とするシミュレーションを行なう場合、その素子については他の素子とまとめないようにする。これにより、シミュレーション結果が変わるのを防ぐことができるため、精度良くシミュレーションすることができる。具体的には、図13(a)に示す抵抗21に対してショートモデルパラメータが適用される場合、パラレルに接続されている2つの10kΩの抵抗をまとめて抵抗23とする。一方、図13(a)に示す抵抗22に対してショートモデルパラメータが適用される場合、シリアルに接続されている2つの抵抗をまとめないようにする。これにより、精度の高いシミュレーションを実行することができる。
Therefore, when a simulation is performed in which a serially connected element is short-circuited, the element is not combined with other elements. As a result, it is possible to prevent the simulation result from changing, so that the simulation can be performed with high accuracy. Specifically, when the short model parameter is applied to the
なお、故障の対象とならない素子については、シリアル接続された素子及びパラレル接続された素子をそれぞれまとめる。すなわち、箇所Aの素子を対象素子とする場合、箇所A以外の素子でまとめられる素子をまとめる。対象素子以外をまとめることにより、短時間でシミュレーションを実行することができる。 In addition, about the element which is not made into the object of a failure, the element connected in serial and the element connected in parallel are put together, respectively. That is, when the element at the location A is the target element, the elements that are grouped together with elements other than the location A are collected. A simulation can be executed in a short time by gathering elements other than the target element.
まとめられる素子は2つに限らず、3つ以上の素子をまとめることができる。すなわち、パラレル接続される素子が3つ以上ある場合、それらの3つの素子をまとめて1つの素子としてもよい。また、シリアル接続される素子が3つ以上ある場合、シリアル接続される素子とパラレル素子が複合している場合についても、1つにまとめることができる。このとき、ショートモデルパラメータが適用される対象素子とシリアル接続されている素子については、対象素子とまとめないようにする。 The number of elements to be combined is not limited to two, and three or more elements can be combined. That is, when there are three or more elements connected in parallel, these three elements may be combined into one element. Further, when there are three or more serially connected elements, the case where the serially connected elements and the parallel elements are combined can be combined into one. At this time, an element serially connected to the target element to which the short model parameter is applied is not put together with the target element.
次にオープンモデルパラメータが素子に適用される場合について考える。抵抗21がオープン状態となると、パラレル接続されている抵抗があるため、箇所A全体の抵抗は5kΩとなる。一方、簡略化されたネットリストにおいて、抵抗23がオープン状態となると箇所A'全体が絶縁状態となる。つまり、パラレル接続された素子にオープンモデルパラメータを適用するとシミュレーション結果が異なってしまう。一方、シリアル接続された抵抗22がオープン状態となると、箇所B全体は絶縁状態となる。簡略化されたネットリストにおいて、抵抗24がオープン状態となると箇所B'全体が絶縁状態となる。したがって、同じシミュレーション結果が得られる。
Next, consider the case where open model parameters are applied to the device. When the
従って、パラレル接続された素子をオープン状態とするシミュレーションを行なう場合、その素子については他の素子とまとめないようにする。すなわち、箇所Bの素子を対象素子とする場合、箇所B以外の素子でまとめられる素子をまとめる。これにより、シミュレーション結果が変わるのを防ぐことができるため、精度良くシミュレーションすることができる。 Therefore, when a simulation is performed in which an element connected in parallel is opened, the element is not put together with other elements. That is, when the element at the location B is the target element, the elements that are grouped together with the elements other than the location B are collected. As a result, it is possible to prevent the simulation result from changing, so that the simulation can be performed with high accuracy.
このように、対象素子に適用する故障モデルパラメータをオープンモデルパラメータ又はショートモデルパラメータのどちらにするかによって、素子のまとめた方を変える。具体的にはオープンモデルパラメータを適用するとき、対象素子とパラレル接続された素子とをまとめず、それ以外の素子をまとめる。一方、ショートモデルパラメータを適用するとき、対象素子とシリアル接続された素子とをまとめず、それ以外の素子をまとめる。これにより、精度の高いシミュレーションを短時間で行なうことができる。 In this way, depending on whether the failure model parameter applied to the target element is an open model parameter or a short model parameter, the grouping of the elements is changed. Specifically, when the open model parameter is applied, the target element and the elements connected in parallel are not grouped, but the other elements are grouped. On the other hand, when the short model parameter is applied, the target element and the serially connected elements are not collected, but other elements are collected. Thereby, a highly accurate simulation can be performed in a short time.
なお、参考のため、パラレル接続のまとめ方及びシリアル接続のまとめ方を紹介する。図14(a)はパラレル接続の素子をまとめる前及びまとめた後の素子を示す図であり、図14(b)は図14(a)に示す素子をショート状態としたものを示す図である。図15(a)はシリアル素子をまとめる前及びまとめた後の素子を示す図であり、図15(b)は図15(a)に示す素子をオープン状態としたものを示す図である。図14には抵抗、トランジスタ及びコンデンサがそれぞれ示されている。図15には抵抗及びコンデンサがそれぞれ示されている。図14に示すように素子をまとめた後にショート状態としても、ショート状態とした後に素子をまとめたものと回路的な動作は変わらない。図15に示すよう、素子をまとめた後にオープン状態としても、素子をオープン状態としてからまとめたものと回路的な動作は変わらない。したがって、シミュレーション時間を短縮するため素子をまとめた場合でも、精度よくシミュレーションを行なうことができる。 For reference, we will introduce how to organize parallel connections and serial connections. 14A is a diagram showing elements before and after the parallel connection elements are assembled, and FIG. 14B is a diagram showing the element shown in FIG. 14A in a short state. . FIG. 15A is a diagram showing elements before and after the serial elements are grouped, and FIG. 15B is a diagram showing the elements shown in FIG. 15A in an open state. FIG. 14 shows resistors, transistors, and capacitors, respectively. FIG. 15 shows a resistor and a capacitor, respectively. As shown in FIG. 14, even if the elements are put together into a short state, the circuit operation is not different from the case where the elements are put together after being put into a short state. As shown in FIG. 15, even if the elements are put in an open state after being put together, the circuit operation is not different from that in which the elements are put in an open state. Therefore, even when the elements are combined to shorten the simulation time, the simulation can be performed with high accuracy.
このように、パラレル接続されている素子はまとめてから素子にショートモードパラメータを適用しても、素子にショートモデルパラメータを適用してから素子をまとめても結果が同じとなる。したがって、図13(a)に示す抵抗21にショートモデルパラメータと適用しようとした場合、その回路を図16に示すようにまとめることができる。図16では、図13(a)の箇所Aに対応する抵抗がショート状態となる。対象素子とまとめられた素子についての故障モデルパラメータはまとめられる前の対象素子の故障モデルパラメータと同一の故障モデルパラメータを用いることができる。
As described above, even if the short mode parameter is applied to the elements after the elements connected in parallel are combined and the elements are combined after the short model parameter is applied to the elements, the result is the same. Therefore, when the short model parameter is applied to the
また、シリアル接続されている素子をまとめてから素子にオープンモデルパラメータを適用しても、素子にオープンモデルパラメータを適用してから素子をまとめても結果が同じとなる。したがって、図13(a)に示す抵抗22にオープンモデルパラメータと適用しようとした場合、その回路は図17に示すようにまとめることができる。図17では、点線で示された抵抗がオープン状態となっている。対象素子とまとめられた素子についての故障モデルパラメータはまとめられる前の対象素子の故障モデルパラメータと同一の故障モデルパラメータを用いることができる。このように、素子をまとめることにより、故障検出率の精度を劣化させることなく、シミュレーションが収束するまでの時間を短縮することができる。
In addition, even if the open model parameters are applied to the elements after collecting the serially connected elements, the results are the same whether the elements are combined after the open model parameters are applied to the elements. Therefore, when an open model parameter is applied to the
次に、素子をまとめてネットリストを簡略化する手順について図18を用いて説明する図18はネットリストを簡略化するステップ103の手順を示すフローチャートである。ステップ101で故障モードにすると選択された素子についてのテスト条件をステップ102で設定する。そして、その対象素子をオープン故障とするか又はショート故障とするかを選択する(ステップ301)。対象素子をショート故障とする場合、対象素子とパラレル接続されている素子とを一つにまとめる(ステップ302)。なお、対象素子とパラレル接続されている素子がない場合、すなわち、対象素子がシリアル接続しかされていない場合及び対象素子と接続されている素子がない場合、対象素子はそのままとなる。対象素子をオープン故障とする場合、対象素子とシリアル接続されている素子とを一つにまとめる(ステップ303)。なお、対象素子とシリアル接続されている素子がない場合、すなわち、対象素子がパラレル接続しかされていない場合及び対象素子と接続されている素子がない場合、対象素子はそのままとなる。ネットリストには各素子に対して、パラレル接続されているかシリアル接続されているかの情報が含まれているため、対象素子を適切にまとめることができる。 Next, a procedure for simplifying the net list by grouping elements will be described with reference to FIG. 18. FIG. 18 is a flowchart showing the procedure of step 103 for simplifying the net list. When the failure mode is set at step 101, the test condition for the selected element is set at step 102. Then, it is selected whether the target element is an open fault or a short fault (step 301). When the target element is short-circuited, the target element and the elements connected in parallel are grouped together (step 302). When there is no element connected in parallel with the target element, that is, when the target element is only connected in serial and when there is no element connected to the target element, the target element remains as it is. When the target element is an open failure, the target element and the serially connected elements are grouped together (step 303). When there is no element serially connected to the target element, that is, when the target element is only connected in parallel or when there is no element connected to the target element, the target element remains as it is. Since the netlist includes information on whether each element is connected in parallel or serially, the target elements can be appropriately collected.
次に、対象素子以外の素子をまとめるため、その他の素子をネットリスト検索する(ステップ304)。ネットリストには各素子に対して、パラレル接続されているかシリアル接続されているかの情報が含まれているため検索することができる。そして、ステップ304の検索結果に基づいて、パラレル接続があるか否かを判定する(ステップ305)。同じ種類の素子がパラレル接続されている場合、その複数の素子を一つにまとめる(ステップ306)。パラレル接続された素子がない場合、又はパラレル接続された素子をまとめると、ステップ304の検索結果に基づきシリアル接続があるか否かを判定する(ステップ307)。同じ種類の素子がシリアル接続されている場合、それらを一つにまとめる(ステップ308)。その後、一つでもシリアル接続された素子があったか及び一つでもパラレル接続があったか否かを判定する(ステップ309)。対象素子以外で一つでもシリアル接続又はパラレル接続された素子があり、その素子がまとめられた場合、ステップ304からの処理を繰り返し行なう。まとめることができる素子を全てまとめ終わったらネットリストの簡略化を終了する。なお、シリアル接続されている素子とパラレル接続されている素子とで、まとめられる順番は反対でもよい。このようにして、ネットリストの簡略化を行なうことで、よりシミュレーションを実行する際の素子数を減少することができ、計算時間を短縮することが可能になる。 Next, in order to collect elements other than the target element, a netlist search is performed for other elements (step 304). Since the netlist includes information on whether each element is connected in parallel or serially, it can be searched. Then, based on the search result of step 304, it is determined whether or not there is a parallel connection (step 305). If the same type of elements are connected in parallel, the plurality of elements are combined into one (step 306). When there are no parallel-connected elements or when the parallel-connected elements are grouped, it is determined whether there is a serial connection based on the search result of step 304 (step 307). If the same type of elements are serially connected, they are grouped together (step 308). Thereafter, it is determined whether there is at least one serially connected element and whether there is at least one parallel connection (step 309). If there is at least one element connected in serial or parallel connection other than the target element, and the elements are collected, the processing from step 304 is repeated. When all the elements that can be grouped are collected, the simplification of the netlist is finished. Note that the order in which the serially connected elements and the parallel connected elements are grouped may be reversed. In this way, by simplifying the net list, the number of elements when executing the simulation can be further reduced, and the calculation time can be shortened.
このような手順で簡略化されたネットリストに対応する回路構成について図19を用いて説明する。図19(a)は簡略化する前のネットリストに対応する回路構成を示す図であり、図19(b)〜図19(d)は図19(a)に示すネットリストに対応する回路構成を図19に示すフローチャートにしたがって簡略化しているときの回路構成を示している。図19では説明の簡略化のため、回路を構成する素子として抵抗のみを示している。 A circuit configuration corresponding to a netlist simplified by such a procedure will be described with reference to FIG. 19A is a diagram showing a circuit configuration corresponding to the net list before simplification, and FIGS. 19B to 19D are circuit configurations corresponding to the net list shown in FIG. 19A. FIG. 20 shows a circuit configuration when the above is simplified according to the flowchart shown in FIG. In FIG. 19, only a resistor is shown as an element constituting the circuit for simplification of description.
図19(a)に示す抵抗26をショートモードとする場合について説明する。ステップ101で選択された抵抗26をステップ301でショート故障にすると選択する。抵抗26はシリアル接続されているため、ここでのステップ302では素子を一つにまとめることができない。その他の素子をネットリスト検索する(ステップ304)。検索結果により、シリアル接続されている箇所C及び箇所Dの抵抗をそれぞれ一つにまとめる(ステップ307及びステップ308)。これにより、図19(b)に示す回路構成となる。シリアル接続されている箇所C,Dがあったため(ステップ309)、ステップ304〜ステップ308の処理を実行する。すなわち、再度検索を行ない(ステップ304)、図19(b)においてパラレル接続箇所Eを一つにまとめる(ステップ305及びステップ306)。これにより、図19(c)に示す回路構成となる。さらに、シリアル接続されている箇所Fの2つの抵抗を一つにまとめる(ステップ307及びステップ308)。これにより、図19(d)に示す回路構成となる。このようにして、7素子から構成される回路構成のネットリストを3素子から構成される回路構成の簡略化ネットリストにすることができる。よって、計算時間を短縮することができる。
A case where the
なお、シリアル接続されている素子の途中でノードが分かれている場合、そのノードまでで素子をまとめるようにする。すなわち、図20(a)に示すように抵抗と抵抗の間に分岐点がある場合、その分岐点までの素子を一つの素子としてまとめる。例えば、図20(a)に示す回路構成のネットリストは図20(b)に示すように簡略化される。ここでは、抵抗27をショート故障とする場合について示している。なお、図19及び図20では、抵抗のみについて示したが、コンデンサーやトランジスタについても同様にまとめることができる。
If nodes are divided in the middle of serially connected elements, the elements are grouped up to that node. That is, as shown in FIG. 20A, when there is a branch point between the resistors, the elements up to the branch point are combined as one element. For example, the net list having the circuit configuration shown in FIG. 20A is simplified as shown in FIG. Here, a case where the
同じ機能の回路を同じネットリストに変換することで、ネットリストの違いによる故障シミュレーション結果に違いをなくすことができる。アレイ状に配置された素子を用いて回路設計する場合に、同じ機能の回路でも使う素子や回路図の記述の仕方によってネットリストが異なる。したがって、同じ機能の回路でも故障検出率が異なる場合がある。そこで、アレイ上に配置された素子を用いる場合は、パラレル接続された素子及びシリアル接続された素子をそれぞれまとめることで、ネットリストを同じにする。これにより、同じ機能の回路は同じ故障検出率となるよう、回路を同じネットリストに変換する。アレイ上に配置された素子が用いられているか否かは、たとえば、素子名から判断することができる。したがって、ネットリスト簡略部で故障対象素子がアレイ上に配置された素子か否かを判断し、それに応じてネットリストを簡略化すればよい。 By converting circuits having the same function into the same netlist, it is possible to eliminate the difference in the failure simulation result due to the difference in the netlist. When designing a circuit using elements arranged in an array, the netlist differs depending on the elements used in the circuit having the same function and the way of describing the circuit diagram. Therefore, the failure detection rate may be different even for circuits having the same function. Therefore, when using elements arranged on the array, the netlists are made the same by grouping the elements connected in parallel and the elements connected in serial. As a result, the circuits having the same function are converted into the same netlist so that the same fault detection rate is obtained. Whether or not an element arranged on the array is used can be determined from the element name, for example. Therefore, the netlist simplification unit may determine whether the failure target element is an element arranged on the array and simplify the netlist accordingly.
例えば、図21(a)に示す回路と図21(b)に示す回路は同じ機能を示す。この2つの回路を図19に示す手順でまとめていくと、図21(c)に示す回路構成のネットリストとなる。したがって、図21(a)〜図21(c)の回路は同じ機能を有している。このように、異なる構成で同じ機能の回路を同じネットリストにすることで、故障検出率を同じにすることができる。よって、精度よくシミュレーションを行なうことができる。 For example, the circuit shown in FIG. 21A and the circuit shown in FIG. 21B show the same function. When these two circuits are put together in the procedure shown in FIG. 19, a net list having the circuit configuration shown in FIG. 21C is obtained. Therefore, the circuits of FIGS. 21A to 21C have the same function. In this way, by making circuits having the same function and different configurations into the same netlist, the failure detection rate can be made the same. Therefore, simulation can be performed with high accuracy.
さらに、アレイ状に配置された素子をを用いているため、図21(c)の回路構成を図21(a)や図21(b)に示す回路図でしか描くことができない場合がある。この場合、素子をまとめて簡略化する前にシミュレーションを行なうと、故障を検出することができないと判定する場合がある。例えば、図21(a)では1kΩの抵抗のショート故障を検出することができないと判定し、図21(b)では10kΩのオープン故障を検出することができないと判定してしまう。この場合、図21(c)に示すように素子をまとめて同じ回路構成のネットリストとすることで、オープン故障及びショート故障を検出することができると判定することができる。これにより、回路図の描き方による故障検出率の違いを防ぐことができる。 Furthermore, since elements arranged in an array are used, the circuit configuration of FIG. 21C may be drawn only with the circuit diagrams shown in FIGS. 21A and 21B. In this case, if a simulation is performed before the elements are simplified together, it may be determined that a failure cannot be detected. For example, in FIG. 21A, it is determined that a 1 kΩ resistance short-circuit failure cannot be detected, and in FIG. 21B, it is determined that a 10 kΩ open failure cannot be detected. In this case, as shown in FIG. 21C, it can be determined that the open fault and the short fault can be detected by grouping the elements into a netlist having the same circuit configuration. Thereby, it is possible to prevent a difference in failure detection rate depending on how to draw a circuit diagram.
シミュレーション結果として得られる他のテスト結果の例について、以下に説明する。 Examples of other test results obtained as simulation results will be described below.
図22に示すシミュレーション結果の例においては、図11のように、各素子のテスト項目毎の結果ではなく、No.1〜No.10の10個のNPNトランジスタについて、故障モードパラメータA(例えば、オープンモデル)と故障モードパラメータB(例えば、ショートモデル)毎に故障が検出されたかどうかを示している。 In the example of the simulation result shown in FIG. 22, as shown in FIG. 1-No. For 10 ten NPN transistors, whether or not a failure is detected for each failure mode parameter A (for example, open model) and failure mode parameter B (for example, short model) is shown.
このシミュレーション結果では、それぞれのNPNトランジスタ(素子)について、テスト条件として設定された全てのテスト項目に対して、1つでもテスト項目に適合しない結果(期待値で示される許容範囲以外の結果)が得られた場合には、故障検出とし、全てのテスト項目に適合した結果(期待値で示される許容範囲内の結果)が得られた場合には故障未検出としている。 In this simulation result, for each NPN transistor (element), for all the test items set as test conditions, even one result that does not match the test item (result other than the allowable range indicated by the expected value) is obtained. If it is obtained, the failure is detected, and if a result (a result within the allowable range indicated by the expected value) conforming to all the test items is obtained, the failure is not detected.
ここで、○印は故障検出、×印は故障未検出を示しており、No.1のトランジスタでは、故障モデルパラメータAについては故障検出とされたが、故障モデルパラメータBについては故障未検出であることを示している。 Here, a circle indicates that a failure has been detected and a cross indicates that a failure has not been detected. In the transistor No. 1, the failure model parameter A is detected as a failure, but the failure model parameter B is not detected as a failure.
また、各トランジスタ毎の総合評価として、全ての故障モデルパラメータで故障が検出されたかどうかが示されている。例えば、No.1のトランジスタでは、故障モデルパラメータAについては故障が検出されたが、故障モデルパラメータBについては故障が未検出であるので、故障未検出との総合評価がなされている。
In addition, as a comprehensive evaluation for each transistor, whether or not a failure is detected in all failure model parameters is shown. For example, no. In the
このシミュレーション結果において、No.1〜No.10の10個のNPNトランジ
スタについて、故障モデルパラメータAに対する故障検出率は、No.3のトランジスタ
で故障未検出であるため、9/10(90%)となり、故障モデルパラメータBに対する
故障検出率は、No.1のトランジスタで故障未検出であるため、9/10(90%)と
なる。
In this simulation result, no. 1-No. For ten NPN transistors of ten, the failure detection rate for the failure model parameter A is No. Since no failure is detected in the transistor No. 3, the failure detection rate for the failure model parameter B is 9/10 (90%). Since no failure is detected in one transistor, it is 9/10 (90%).
また、各トランジスタの総合評価における故障検出率は、8/10(80%)となる。 Moreover, the failure detection rate in the comprehensive evaluation of each transistor is 8/10 (80%).
なお、素子ごとに図22に示すようなシミュレーション結果が出力されると共に、検査対象の回路全体としての故障検出率を出力するようにしてもよい。回路全体の故障検出率は、総合評価として故障検出された素子数/全素子数で算出される。 Note that a simulation result as shown in FIG. 22 may be output for each element, and a failure detection rate for the entire circuit to be inspected may be output. The failure detection rate of the entire circuit is calculated as the total number of elements in which failure is detected / total number of elements as a comprehensive evaluation.
例えば、集積回路が10個のトランジスタと20個の抵抗からなる場合、トランジスタの総合評価として故障検出された数が10個中8で、抵抗の総合評価として故障検出された数が20個中13であるなら、回路全体としての故障検出率は、8/10と13/20の分母と分子を足した21/30(70%)となる。 For example, when the integrated circuit is composed of 10 transistors and 20 resistors, the number of faults detected as an overall evaluation of the transistor is 8 out of 10 and the number of faults detected as an overall evaluation of the resistance is 13 out of 20. If so, the failure detection rate of the entire circuit is 21/30 (70%), which is the sum of the denominators of 8/10 and 13/20 and the numerator.
上述した故障検出の回路シミュレーションにおいて、設定したテスト条件(に含まれるテスト項目)が適切(有効なテスト項目)であれば、故障モデルでの故障検出率は100パーセントとなるはずである。故障検出率が100パーセントに達しない場合には、設定したテスト条件に不適切な値(情報)が含まれていることを意味する。従って、アナログ回路(集積回路)の出荷テストに先立って、本実施例の故障検出シミュレーションシステムによる故障検出を実行すれば、故障検出率を100パーセントに近づけるためのテスト条件の検証が可能となり、その結果得られたテスト条件によって実際のアナログ回路のテスト(出荷検査)を行うことで、実際の不良除去率を向上させることができるようになる。 In the circuit simulation for failure detection described above, if the set test conditions (test items included in) are appropriate (effective test items), the failure detection rate in the failure model should be 100%. If the failure detection rate does not reach 100%, it means that an inappropriate value (information) is included in the set test condition. Therefore, if the failure detection by the failure detection simulation system of this embodiment is executed prior to the shipping test of the analog circuit (integrated circuit), it becomes possible to verify the test conditions for bringing the failure detection rate close to 100%. By performing an actual analog circuit test (shipment inspection) under the test conditions obtained as a result, the actual defect removal rate can be improved.
以上好ましい実施例をあげて本発明を説明したが、本発明は必ずしも上記実施例に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内において様々に変形して実施することがで
きる。例えば、上述した実施の形態では、アナログ回路の故障検出シミュレーションの例を示しているが、ネットリストが素子レベルで表されていればデジタル回路の故障検出シミュレーションに対しても適用することが可能である。
Although the present invention has been described with reference to the preferred embodiments, the present invention is not necessarily limited to the above embodiments, and various modifications can be made within the scope of the technical idea. For example, in the above-described embodiment, an example of failure detection simulation of an analog circuit is shown. However, if the netlist is expressed at the element level, it can be applied to failure detection simulation of a digital circuit. is there.
10 故障検出シミュレーションシステム
20 ネットリスト
21〜24 抵抗
25 ネットリスト簡略部
26、27 抵抗
30 モデルパラメータ
40 シミュレーション回路生成部
50 テスト条件設定部
60 シミュレーション実行部
70 シミュレーション結果出力部
80 シミュレーション制御部
100 外部端末装置
DESCRIPTION OF
Claims (12)
前記回路を表すネットリストから選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータ格納部と、
前記回路に対する入出力の期待値をテスト条件として設定するテスト条件設定部と、
前記回路に含まれる素子のうち2つ以上の素子を一つの素子にまとめて、前記ネットリストを簡略化し、簡略化ネットリストを生成するネットリスト簡略部と、
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成するシミュレーション回路生成部と、
前記テスト条件設定部で設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行し、故障を検出できるか否かを判定する回路シミュレーション実行部とを有する故障検出シミュレーションシステム。 A failure detection simulation system for determining whether or not a circuit failure can be detected,
A fault model parameter storage unit indicating characteristics of a fault state for an element selected from a netlist representing the circuit;
A test condition setting unit for setting an expected value of input / output to the circuit as a test condition;
A netlist simplification unit that combines two or more elements included in the circuit into one element, simplifies the netlist, and generates a simplified netlist;
A simulation circuit generating unit that generates a simulation circuit corresponding to the circuit represented by the simplified netlist based on the failure model parameter for the selected element;
A failure detection simulation system comprising: a circuit simulation executing unit that executes a circuit simulation based on the test condition set by the test condition setting unit and determines whether or not a failure can be detected.
前記選択された素子以外の複数の素子を一つにまとめた素子に対して、まとめられる前の素子の前記標準モデルパラメータが適用されている請求項1に記載の故障検出シミュレーションシステム。 Further comprising standard model parameters indicating standard characteristics of elements other than the selected element;
The failure detection simulation system according to claim 1, wherein the standard model parameter of the element before being combined is applied to an element in which a plurality of elements other than the selected element are combined into one.
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがオープン状態を示すオープンモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがシリアル接続されている場合に、前記選択された素子とシリアル接続された他の素子とを一つの素子にまとめ、
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがショート状態を示すショートモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがパラレル接続されている場合に、前記選択された素子とパラレル接続された他の素子とを一つの素子にまとめることを特徴とする請求項1記載の故障検出シミュレーションシステム。 The netlist simplification part is
When the failure model parameter for the selected element is an open model parameter indicating an open state, and the selected element and another element are serially connected, the selected element is serially connected. Combine other elements into one element,
When the failure model parameter for the selected element is a short model parameter indicating a short-circuit state, and the selected element and another element are connected in parallel, the selected element is connected in parallel. 2. The fault detection simulation system according to claim 1, wherein other elements are combined into one element.
前記回路を表すネットリストから素子を選択し、
前記回路に含まれる素子のうち、2つ以上の素子を一つの素子にまとめて前記ネットリストを簡略化して、簡略化ネットリストを生成し、
前記簡略化ネットリストに対して入出力の期待値をテスト条件として設定し
前記選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成し、
前記設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行し、故障を検出できるか否かを判定する故障検出シミュレーション方法。 A fault detection simulation method for determining whether or not a circuit fault can be detected,
Select an element from the netlist representing the circuit,
Among the elements included in the circuit, two or more elements are combined into one element to simplify the netlist, and a simplified netlist is generated.
Corresponding to the circuit represented by the simplified netlist based on the failure model parameter indicating the characteristic of the failure state for the selected element, setting the input / output expected value for the simplified netlist as a test condition Generate a simulation circuit to
A fault detection simulation method for executing a circuit simulation based on the set test condition and determining whether or not a fault can be detected.
前記選択された素子以外の複数の素子を一つにまとめた素子に対して、まとめられる前の素子の前記標準モデルパラメータが適用されている請求項5に記載の故障検出シミュレーション方法。 Standard model parameters indicating standard characteristics of elements other than the selected element are provided,
The failure detection simulation method according to claim 5, wherein the standard model parameter of the element before being combined is applied to an element in which a plurality of elements other than the selected element are combined into one.
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがオープン状態を示すオープンモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがシリアル接続されている場合に、前記選択された素子とシリアル接続された他の素子とを一つの素子にまとめ、
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがショート状態を示すショートモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがパラレル接続されている場合に、前記選択された素子とパラレル接続された他の素子とを一つの素子にまとめることを特徴とする請求項5記載の故障検出シミュレーション方法。 The netlist simplification part is
When the failure model parameter for the selected element is an open model parameter indicating an open state, and the selected element and another element are serially connected, the selected element is serially connected. Combine other elements into one element,
When the failure model parameter for the selected element is a short model parameter indicating a short-circuit state, and the selected element and another element are connected in parallel, the selected element is connected in parallel. 6. The fault detection simulation method according to claim 5, wherein other elements are combined into one element.
前記コンピュータに、
前記回路を表すネットリストから素子を選択させ、
前記回路に含まれる素子のうち、2つ以上の素子を一つの素子にまとめて前記ネットリストを簡略化して、簡略化ネットリストを生成させ、
前記簡略化ネットリストに対して入出力の期待値をテスト条件として設定させ、
前記選択された素子に対する故障状態の特性を示す故障モデルパラメータに基づいて、前記簡略化ネットリストで表される回路に対応するシミュレーション回路を生成させ、
前記設定されたテスト条件に基づいて回路シミュレーションを実行することにより、故障を検出できるか否かを判定させるプログラム。 A program for causing a computer to execute a failure detection simulation for determining whether or not a circuit failure can be detected,
In the computer,
Select an element from the netlist representing the circuit,
Among the elements included in the circuit, two or more elements are combined into one element, the netlist is simplified, and a simplified netlist is generated.
The expected value of input / output is set as a test condition for the simplified netlist,
Generating a simulation circuit corresponding to the circuit represented by the simplified netlist based on a failure model parameter indicating characteristics of a failure state for the selected element;
A program for determining whether or not a failure can be detected by executing a circuit simulation based on the set test conditions.
前記一つにまとめられた素子に、まとめられる前の素子の標準的な特性を示す標準モデルパラメータが適用されている請求項9に記載のプログラム。 A plurality of elements other than the selected element are combined into one element to generate the simplified netlist,
The program according to claim 9, wherein a standard model parameter indicating a standard characteristic of an element before being combined is applied to the combined element.
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがオープン状態を示すオープンモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがシリアル接続されている場合に、前記選択された素子とシリアル接続された他の素子とを一つの素子にまとめ、
前記選択された素子に対する前記故障モデルパラメータがショート状態を示すショートモデルパラメータであり、且つ前記選択された素子と他の素子とがパラレル接続されている場合に、前記選択された素子とパラレル接続された他の素子とを一つの素子にまとめることを特徴とする請求項9記載のプログラム。 The netlist simplification part is
When the failure model parameter for the selected element is an open model parameter indicating an open state, and the selected element and another element are serially connected, the selected element is serially connected. Combine other elements into one element,
When the failure model parameter for the selected element is a short model parameter indicating a short-circuit state, and the selected element and another element are connected in parallel, the selected element is connected in parallel. The program according to claim 9, wherein other elements are combined into one element.
The program according to claim 9, 10 or 11, wherein the failure model parameter of the selected element is applied to an element in which the selected element and another element are combined.
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