JP2007074552A - Oscillation circuit - Google Patents

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JP2007074552A JP2005261073A JP2005261073A JP2007074552A JP 2007074552 A JP2007074552 A JP 2007074552A JP 2005261073 A JP2005261073 A JP 2005261073A JP 2005261073 A JP2005261073 A JP 2005261073A JP 2007074552 A JP2007074552 A JP 2007074552A
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吉広 澤田
Tamotsu Toyooka
有 豊岡
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an oscillation circuit capable of achieving power consumption reduction while taking environments into account without expanding circuit scale by constructing a means, for supplying a high-speed clock to a system LSI 13, from a little circuits and circuit elements. <P>SOLUTION: An oscillation circuit comprises first and second connecting terminals 9 and 10 to which a resonance circuit 14 or an LSI tester is connected externally; a connecting terminal 11 connected to the system LSI 13; a first serial connection circuit of a first transfer circuit 4 and a first inverter 2 connected between the first and second connecting terminals 9 and 10; a negative feedback resistor 3 connected in parallel to the first serial connecting circuit; a second serial connecting circuit of a second transfer circuit 6 and a second inverter 5 connected between an output terminal of the first inverter 2 and the connecting terminal 11; and a third serial connecting circuit of a third transfer circuit 8 and a third inverter 7 connected between the first connecting terminal 9 and the connecting terminal 11. The first to third transfer circuits 2, 5, 7 are comprised of parallel circuits of complementary MOS transistors wherein complementary TE signal are supplied to gates, and the polarity of complementary TE signals to be supplied to the first and second transfer circuits 2 and 5 and the polarity of a complementary TE signal to be supplied to the third transfer circuit 7 become inverse to each other. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、発振回路に係り、特に、半導体集積回路に搭載され、外部接続端子に選択的にLSIテスタを外部接続した際に、LSIテスタから得られる高速動作クロックによりシステムLSIを駆動させ、システムLSIの高速動作テストを行うことが可能な発振回路に関する。   The present invention relates to an oscillation circuit, and more particularly to a system LSI that is mounted on a semiconductor integrated circuit and is driven by a high-speed operation clock obtained from the LSI tester when an LSI tester is selectively connected to an external connection terminal. The present invention relates to an oscillation circuit capable of performing a high-speed operation test of an LSI.

近年、半導体集積回路によって構成されるシステムLSIにおいては、その動作クロックが高速化されるに伴い、LSIテスタを用いたシステムLSIの高速動作テストが要求されるようになってきた。このようなシステムLSIの高速動作テストに使用される動作クロックは、システムLSIの内部に搭載されている発振回路によって形成されるもので、その発振回路は外部回路接続端子を備えるとともにインバータ回路と負帰還抵抗とを備えており、発振回路の使用時に、外部回路接続端子に水晶振動子を含む共振回路を外部接続すると、発振回路は、この共振回路の共振周波数に依存した発振周波数のクロックを発生し、このクロックがシステムLSIに供給される。   2. Description of the Related Art In recent years, system LSIs composed of semiconductor integrated circuits have been required to perform high-speed operation tests of system LSIs using LSI testers as their operation clock speeds up. An operation clock used for such a high-speed operation test of the system LSI is formed by an oscillation circuit mounted inside the system LSI, and the oscillation circuit has an external circuit connection terminal and is negative with the inverter circuit. When using an oscillation circuit, when an external circuit connection terminal is connected to a resonance circuit including a crystal resonator, the oscillation circuit generates a clock with an oscillation frequency that depends on the resonance frequency of the resonance circuit. This clock is supplied to the system LSI.

このような発振回路は、クロックを安定した状態で発生させることが可能な周波数範囲として数MHzから数10MHz程度までであり、さらに、その上の数100MHzの周波数の高速クロックを安定した状態で発生させるためには、システムLSIに位相同期回路(PLL)を内蔵させ、この発振回路によって形成した数MHzから数10MHz程度の周波数のクロックを位相同期回路に入力させ、位相同期回路において入力周波数の整数倍の周波数の高速クロックを形成させることによって実現している。   Such an oscillation circuit has a frequency range in which a clock can be generated in a stable state from several MHz to several tens of MHz, and further generates a high-speed clock having a frequency of several hundreds of MHz in a stable state. In order to achieve this, a phase synchronization circuit (PLL) is built in the system LSI, a clock having a frequency of several MHz to several tens of MHz formed by this oscillation circuit is input to the phase synchronization circuit, and an integer of the input frequency is input to the phase synchronization circuit. This is realized by forming a high-speed clock having a double frequency.

また、この発振回路の外部回路接続端子にLSIテスタを外部接続したときには、そのLSIテスタの保持性能上、LSIテスタから出力された数100MHzの高速クロックをシステムLSIの内部に直接入力することができるため、このような高速クロックを用いてシステムLSIの高速動作テストを行うことが可能になる。この場合、LSIテスタから出力された数100MHzの高速クロックをシステムLSIに入力しようとしても、システムLSIに搭載されている発振回路は、LSIテスタから出力された高速クロックに対する適応性が低いため、システムLSIを高速クロックで駆動することができず、システムLSIに安定した数100MHzの高速クロックを供給することができない。   Further, when an LSI tester is externally connected to the external circuit connection terminal of the oscillation circuit, a high-speed clock of several hundreds of megahertz output from the LSI tester can be directly input into the system LSI due to the retention performance of the LSI tester. Therefore, it is possible to perform a high-speed operation test of the system LSI using such a high-speed clock. In this case, even if an attempt is made to input a high-speed clock of several hundred MHz output from the LSI tester to the system LSI, the oscillation circuit mounted on the system LSI has low adaptability to the high-speed clock output from the LSI tester. The LSI cannot be driven with a high-speed clock, and a stable high-speed clock of several hundred MHz cannot be supplied to the system LSI.

このため、この種の発振回路においては、システムLSIに安定した数100MHzの高速クロックを供給することができるような駆動手段を別途設けることが考えられており、その一つの例として特開平6−85535号に開示された発振回路がある。   For this reason, in this type of oscillation circuit, it is considered to separately provide a driving means that can supply a stable high-speed clock of several hundreds of MHz to the system LSI. There is an oscillation circuit disclosed in Japanese Patent No. 85535.

ここで、図5は、前記特開平6−85535号に開示の発振回路であって、その要部構成を示す回路図である。   Here, FIG. 5 is an oscillation circuit disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 6-85535, and is a circuit diagram showing a configuration of a main part thereof.

図5に示すように、この発振回路は、外部回路接続端子50、51と、出力端子52と、第1インバータ53と、負帰還抵抗54と、第2インバータ55と、テストイネーブル端子56と、第3インバータ57と、NAND回路58と、NOR回路59と、PMOSトランジスタ60と、NMOSトランジスタ61とからなり、第3インバータ57と、NAND回路58と、NOR回路59と、PMOSトランジスタ60と、NMOSトランジスタ61とからなる回路部分は、トライステート(3状態)バッファ回路62を構成している。また、外部回路接続端子50、51には、選択的に、水晶振動子63と2つの分路コンデンサ64、65からなる共振回路66またはLSIテスタ(図5に図示なし)が外部接続される。   As shown in FIG. 5, the oscillation circuit includes external circuit connection terminals 50 and 51, an output terminal 52, a first inverter 53, a negative feedback resistor 54, a second inverter 55, a test enable terminal 56, The third inverter 57, the NAND circuit 58, the NOR circuit 59, the PMOS transistor 60, and the NMOS transistor 61 are included. The third inverter 57, the NAND circuit 58, the NOR circuit 59, the PMOS transistor 60, and the NMOS transistor are included. A circuit portion including the transistor 61 constitutes a tristate (three state) buffer circuit 62. In addition, a resonance circuit 66 or an LSI tester (not shown in FIG. 5) including a crystal resonator 63 and two shunt capacitors 64 and 65 is selectively connected to the external circuit connection terminals 50 and 51.

この発振回路の動作は、次の通りである。   The operation of this oscillation circuit is as follows.

発振回路の通常動作時には、外部回路接続端子50、51に共振回路66が外部接続され、テストイネーブル端子56にローレベル(L)のイネーブル(EN)信号が入力される。このとき、トライステートバッファ回路62は、ローレベルのイネーブル信号の供給によって、動作停止状態になり、第1インバータ53と負帰還抵抗54と共振回路66とからなる回路部分は、共振回路66の共振周波数に対応した周波数のクロックを発生する発振回路になり、この発振回路から発生したクロックは、第2インバータ55を通して極性反転された状態でシステムLSI内に供給される。   During normal operation of the oscillation circuit, the resonance circuit 66 is externally connected to the external circuit connection terminals 50 and 51, and a low level (L) enable (EN) signal is input to the test enable terminal 56. At this time, the tristate buffer circuit 62 is brought into an operation stop state by the supply of the low level enable signal, and the circuit portion including the first inverter 53, the negative feedback resistor 54, and the resonance circuit 66 is in resonance with the resonance circuit 66. The oscillation circuit generates a clock having a frequency corresponding to the frequency, and the clock generated from the oscillation circuit is supplied into the system LSI in a state where the polarity is inverted through the second inverter 55.

一方、発振回路の高速動作テスト時には、外部回路接続端子50、51にLSIテスタが外部接続され、テストイネーブル端子56にハイレベル(H)のイネーブル(EN)信号が入力される。このとき、LSIテスタは、数100MHzの周波数の高速クロックを発生し、トライステートバッファ回路62は、ハイレベルのイネーブル信号の供給によって、動作状態になるので、LSIテスタから出力された高速クロックは、第1インバータ53と第2インバータ55を通りシステムLSI内に供給されるものと、動作中のトライステートバッファ回路62の駆動によってシステムLSI内に供給されるものとがあり、その中のトライステートバッファ回路62の駆動によるものが優勢であるため、高速クロックが比較的高いレベルでシステムLSI内に供給され、システムLSIの高速動作テストを行うことが可能となる。
特開平6−85535号公報
On the other hand, in a high-speed operation test of the oscillation circuit, an LSI tester is externally connected to the external circuit connection terminals 50 and 51, and a high level (H) enable (EN) signal is input to the test enable terminal 56. At this time, the LSI tester generates a high-speed clock having a frequency of several hundreds of MHz, and the tri-state buffer circuit 62 is activated by the supply of a high-level enable signal. Therefore, the high-speed clock output from the LSI tester is Some are supplied to the system LSI through the first inverter 53 and the second inverter 55, and some are supplied to the system LSI by driving the operating tristate buffer circuit 62. Since driving by the circuit 62 is dominant, a high-speed clock is supplied into the system LSI at a relatively high level, and a high-speed operation test of the system LSI can be performed.
JP-A-6-85535

前記特開平6−85535号に開示の発振回路は、トライステートバッファ回路62からなる高速クロック駆動能力増強手段を設けたことにより、高レベルの高速クロックをシステムLSI内に供給し、システムLSIの高速動作テストを有効に行えるものであるが、高速クロック駆動能力増強手段として、トライステートバッファ回路62、特に、第3インバータ57とNAND回路58とNOR回路59とPMOSトランジスタ60とNMOSトランジスタ61とからなるトライステートバッファ回路62を設けたものであるため、トライステートバッファ回路62を構成するのに必要な複数の回路や回路素子が必要となり、その分、発振回路の回路規模が増大するだけでなく、発振回路の消費電力も増加することになる。   The oscillation circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-85535 is provided with a high-speed clock driving capability enhancement means including a tri-state buffer circuit 62, so that a high-level high-speed clock is supplied into the system LSI. Although the operation test can be performed effectively, it comprises a tri-state buffer circuit 62, in particular, a third inverter 57, a NAND circuit 58, a NOR circuit 59, a PMOS transistor 60, and an NMOS transistor 61 as high-speed clock drive capability enhancing means. Since the tri-state buffer circuit 62 is provided, a plurality of circuits and circuit elements necessary for configuring the tri-state buffer circuit 62 are required, and not only the circuit scale of the oscillation circuit increases, The power consumption of the oscillation circuit will also increase.

また、前記特開平6−85535号に開示の発振回路は、LSIテスタを外部接続したシステムLSIの高速動作テスト時に、LSIテスタから出力された高速クロックをシステムLSI内に供給する際の経路として、第1インバータ53及び第2インバータ55を通してシステムLSI内に供給する経路と、動作中のトライステートバッファ回路62の駆動によってシステムLSI内に供給する経路とが並列的に形成され、それらの経路を高速クロックが伝送するとき、それぞれの経路内にある回路構成が異なっているため、それらの経路を通った高速クロックがシステムLSI内に供給される際に、高速クロックの位相が異なってくる場合が生じ、そのときには安定した高速クロックをシステムLSI内に供給することができなくなり、常時、LSIテスタによる高速動作テストができるとは限らないものである。   In addition, the oscillation circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-85535 is used as a path for supplying a high-speed clock output from the LSI tester into the system LSI during a high-speed operation test of the system LSI to which the LSI tester is externally connected. A path to be supplied into the system LSI through the first inverter 53 and the second inverter 55 and a path to be supplied into the system LSI by driving the operating tristate buffer circuit 62 are formed in parallel. When the clock is transmitted, the circuit configuration in each path is different, so the phase of the high-speed clock may differ when the high-speed clock that passes through these paths is supplied into the system LSI. At that time, a stable high-speed clock cannot be supplied into the system LSI. Time, are those which do not always be a high-speed operation test by the LSI tester.

本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、システムLSI内に高速クロックを供給する高速クロック駆動能力増強手段を少ない回路及び回路素子により構成し、回路規模を増大させず、環境に配慮し、消費電力を達成できる発振回路を提供することにある。   The present invention has been made in view of such a technical background, and an object of the present invention is to configure a high-speed clock driving capability enhancing means for supplying a high-speed clock in a system LSI with a small number of circuits and circuit elements, and to reduce the circuit scale. An object of the present invention is to provide an oscillation circuit that can achieve power consumption in consideration of the environment without being increased.

前記目的を達成するために、本発明による発振回路は、選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、第1及び第2外部回路接続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、この第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、第1インバータの出力端と内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、第1外部回路接続端子と内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性である第1の手段を具備する。   To achieve the above object, an oscillation circuit according to the present invention is connected to a system LSI and first and second external circuit connection terminals to which a resonance circuit or LSI tester including a crystal resonator is selectively connected. A first series connection circuit of an internal connection terminal, a first transmission circuit and a first inverter connected between the first and second external circuit connection terminals, and a negative feedback resistor connected in parallel to the first series connection circuit A second transmission circuit connected between the output terminal of the first inverter and the internal connection terminal, a second series connection circuit of the second inverter, and a second connection circuit connected between the first external circuit connection terminal and the internal connection terminal. 3 transmission circuit and a third series connection circuit of a third inverter, and the first to third transmission circuits are supplied with a controllable complementary test enable signal at the gate. The polarity of the complementary test enable signal supplied to the first and second transmission circuits is opposite to the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit. The first means is provided.

また、前記目的を達成するために、本発明による発振回路は、選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、第1及び第2外部接回路続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、この第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、第1インバータ回路の出力端と内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、第1インバータの出力端と内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストイネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性である第2の手段を具備する。   In order to achieve the above object, an oscillation circuit according to the present invention is connected to a system LSI and first and second external circuit connection terminals to which a resonance circuit or an LSI tester that selectively includes a crystal resonator is externally connected. A first serial connection circuit of a first transmission circuit and a first inverter connected between the internal connection terminal, the first and second external connection circuit connection terminals, and the first serial connection circuit connected in parallel A negative feedback resistor; a second series connection circuit of a second transmission circuit and a second inverter connected between the output terminal of the first inverter circuit and the internal connection terminal; and an output terminal of the first inverter and the internal connection terminal. And a third series connection circuit of a third transmission circuit and a third inverter connected to each other, wherein the first to third transmission circuits each have a complementary test rice that can be controlled by a gate. And the polarity of the complementary test enable signal supplied to the first transmission circuit and the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit. Comprises second means having opposite polarities.

以上、説明したように、本発明の発振回路によれば、システムLSI内に高速クロックを供給する高速クロック駆動能力増強手段を用いるとともに、高速クロック駆動能力増強手段を、使用する論理回路等の回路やその回路を構成するトランジスタ等の回路素子の数が少ない構成にしたので、LSIテスタを用いた高速動作テスト時に、LSIテスタより供給された高速クロックを、高レベルの安定した状態でシステムLSI内に供給して常時高速動作テストを行うことが可能になるとともに、発振回路の回路規模を増大させることがなく、環境に配慮し、発振回路の低消費電力化を達成することができるという効果がある。   As described above, according to the oscillation circuit of the present invention, the high-speed clock driving capability enhancing means for supplying the high-speed clock into the system LSI is used, and the high-speed clock driving capability enhancing means is used as a circuit such as a logic circuit. And the number of circuit elements such as transistors constituting the circuit are small, so the high-speed clock supplied from the LSI tester can be used in the system LSI in a stable state at a high level during the high-speed operation test using the LSI tester. The high-speed operation test can be performed at all times, and the circuit scale of the oscillation circuit is not increased, the environment is considered, and the power consumption of the oscillation circuit can be reduced. is there.

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1及び図2は、本発明による発振回路の第1の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、図1は外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態、図2は外部回路接続端子間にLSIテスタが外部接続されたときの状態を示すものである。   FIG. 1 and FIG. 2 relate to the first embodiment of the oscillation circuit according to the present invention, and are circuit diagrams showing the configuration of the main part thereof. FIG. 1 shows that a resonance circuit is externally connected between external circuit connection terminals. FIG. 2 shows a state when the LSI tester is externally connected between the external circuit connection terminals.

図1及び図2において、発振回路1は、第1インバータ2と、負帰還抵抗3と、第1トランスミッション回路4と、第2インバータ5と、第2トランスミッション回路6と、第3インバータ7と、第3トランスミッション回路8と、第1外部回路接続端子9と、第2外部回路接続端子10と、出力端子11と、相補テストエネーブル信号発生回路12とからなっており、全体が出力端子11に接続されるシステムLSI13とともに集積回路化されている。また、この発振回路1に外部接続される回路として、共振回路14が第1及び第2外部回路接続端子9、10に選択的に外部接続され(図1)、LSIテスタ15が第1及び第2外部回路接続端子9、10に選択的に外部接続される。   1 and 2, the oscillation circuit 1 includes a first inverter 2, a negative feedback resistor 3, a first transmission circuit 4, a second inverter 5, a second transmission circuit 6, a third inverter 7, A third transmission circuit 8, a first external circuit connection terminal 9, a second external circuit connection terminal 10, an output terminal 11, and a complementary test enable signal generation circuit 12 are formed. It is integrated with the system LSI 13 to be connected. As a circuit externally connected to the oscillation circuit 1, the resonance circuit 14 is selectively externally connected to the first and second external circuit connection terminals 9 and 10 (FIG. 1), and the LSI tester 15 is connected to the first and second external circuits. 2 Externally connected to the external circuit connection terminals 9 and 10 selectively.

この場合、第1トランスミッション回路4は、並列接続されたPMOSトランジスタ4(1)とNMOSトランジスタ4(2)からなり、第2トランスミッション回路6は、並列接続されたPMOSトランジスタ6(1)とNMOSトランジスタ6(2)からなり、第3トランスミッション回路8は、並列接続されたPMOSトランジスタ8(1)とMOSトランジスタ8(2)からなる。相補テストエネーブル信号発生回路12は、テストエネーブル信号入力端子12(1)と第4インバータ12(2)と同相テストエネーブル信号出力端子12(3)と反転テストエネーブル信号出力端子12(4)とからなっている。また、共振回路14は、水晶振動子14(1)と第1分路コンデンサ14(2)と第2分路コンデンサ14(3)とからなっている。   In this case, the first transmission circuit 4 includes a PMOS transistor 4 (1) and an NMOS transistor 4 (2) connected in parallel, and the second transmission circuit 6 includes a PMOS transistor 6 (1) and an NMOS transistor connected in parallel. 6 (2), and the third transmission circuit 8 includes a PMOS transistor 8 (1) and a MOS transistor 8 (2) connected in parallel. The complementary test enable signal generation circuit 12 includes a test enable signal input terminal 12 (1), a fourth inverter 12 (2), an in-phase test enable signal output terminal 12 (3), and an inverted test enable signal output terminal 12 ( 4). The resonance circuit 14 includes a crystal resonator 14 (1), a first shunt capacitor 14 (2), and a second shunt capacitor 14 (3).

そして、第1インバータ2と第1トランスミッション回路4は、直列接続されて第1直列接続回路を構成し、この第1直列接続回路に並列に負帰還抵抗3が接続され、第1直列接続回路の一端(入力端)が第1外部回路接続端子9に、第1直列接続回路の他端(出力端)が第2外部回路接続端子10にそれぞれ接続される。第2インバータ5と第2トランスミッション回路6は、直列接続されて第2直列接続回路を構成し、第2直列接続回路の一端(入力端)が第2外部回路接続端子10に、第2直列接続回路の他端(出力端)が出力端子11にそれぞれ接続される。第3インバータ7と第3トランスミッション回路8は、直列接続されて第3直列接続回路を構成し、第3直列接続回路の一端(入力端)が第1外部回路接続端子9に、第3直列接続回路の他端(出力端)が出力端子11にそれぞれ接続される。また、相補テストエネーブル信号発生回路12において、テストエネーブル信号入力端子12(1)は、直接同相テストエネーブル信号出力端子12(3)に接続されるとともに、第4インバータ12(2)を通して反転テストエネーブル信号出力端子12(4)に接続される。   The first inverter 2 and the first transmission circuit 4 are connected in series to form a first series connection circuit, and the negative feedback resistor 3 is connected in parallel to the first series connection circuit. One end (input end) is connected to the first external circuit connection terminal 9, and the other end (output end) of the first series connection circuit is connected to the second external circuit connection terminal 10. The second inverter 5 and the second transmission circuit 6 are connected in series to form a second series connection circuit, and one end (input end) of the second series connection circuit is connected to the second external circuit connection terminal 10 in the second series connection. The other end (output end) of the circuit is connected to the output terminal 11. The third inverter 7 and the third transmission circuit 8 are connected in series to form a third series connection circuit, and one end (input end) of the third series connection circuit is connected to the first external circuit connection terminal 9 in the third series connection. The other end (output end) of the circuit is connected to the output terminal 11. In the complementary test enable signal generation circuit 12, the test enable signal input terminal 12 (1) is directly connected to the in-phase test enable signal output terminal 12 (3) and through the fourth inverter 12 (2). Inverted test enable signal output terminal 12 (4) is connected.

さらに、図1及び図2には図示されていないが、PMOSトランジスタ4(1)、6(1)及びNMOSトランジスタ8(2)の各ゲートは、テストエネーブル信号入力端子12(1)に接続され、NMOSトランジスタ4(2)、6(2)及びPMOSトランジスタ8(1)の各ゲートは、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)に接続される。なお、共振回路14は、水晶振動子14(1)の一端が第1外部回路接続端子9に接続されるとともに第1分路コンデンサ14(2)を通して接地接続され、水晶振動子14(1)の他端が第2外部回路接続端子10に接続されるとともに第2分路コンデンサ14(3)を通して接地接続される。   Further, although not shown in FIGS. 1 and 2, the gates of the PMOS transistors 4 (1) and 6 (1) and the NMOS transistor 8 (2) are connected to the test enable signal input terminal 12 (1). The gates of the NMOS transistors 4 (2), 6 (2) and the PMOS transistor 8 (1) are connected to the inverted test enable signal output terminal 12 (4). The resonance circuit 14 has one end of the crystal resonator 14 (1) connected to the first external circuit connection terminal 9 and grounded through the first shunt capacitor 14 (2). Are connected to the second external circuit connection terminal 10 and grounded through the second shunt capacitor 14 (3).

前記構成を備えた第1の実施の形態による発振回路は、次のように動作する。   The oscillation circuit according to the first embodiment having the above configuration operates as follows.

この発振回路の通常動作時には、図1に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に共振回路14が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にハイレベル(H)のテストイネーブル(TE)信号が供給される。この通常動作時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたハイレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたローレベル(L)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオン状態になり、第3トランスミッション回路8がオフ状態になる。   During normal operation of this oscillation circuit, as shown in FIG. 1, a resonance circuit 14 is connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10, and the complementary test enable signal generation circuit 12 A high level (H) test enable (TE) signal is supplied to the test enable signal input terminal 12 (1). During this normal operation, the high level test enable signal output from the in-phase test enable signal output terminal 12 (3) is supplied to the PMOS transistors 4 (1) and 6 (1) of the first and second transmission circuits 4 and 6, respectively. ) And the NMOS transistor 8 (2) of the third transmission circuit 8, and the low level (L) inverted test enable (TEN) signal output from the inverted test enable signal output terminal 12 (4) is supplied. The NMOS transistors 4 (2), 6 (2) of the first and second transmission circuits 4 and 6 and the PMOS transistor 8 (1) of the third transmission circuit 8 are supplied to the first and second transmission circuits 4 and 6, respectively. 6 are turned on, and the third transmission circuit 8 is turned off.

そして、オン状態にある第1トランスミッション回路4と第1インバータ2とからなる第1直列接続回路は、その帰還路に負帰還抵抗3と共振回路14が接続されるので、共振回路14の共振周波数に依存した周波数で発振し、通常速度のクロックを発生する。この通常速度のクロックは、オン状態にある第2トランスミッション回路6を通して第2インバータ5に入力され、第2インバータ5において反転出力されたクロックは、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。このとき、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路で発生した通常速度のクロックが第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路に供給されても、この時点に第3トランスミッション回路8がオフ状態になっているので、通常速度のクロックが第3直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で通常速度のクロックを供給することができる。   In the first series connection circuit composed of the first transmission circuit 4 and the first inverter 2 in the on state, the negative feedback resistor 3 and the resonance circuit 14 are connected to the feedback path. It oscillates at a frequency that depends on and generates a normal-speed clock. The normal speed clock is input to the second inverter 5 through the second transmission circuit 6 in the ON state, and the clock inverted and output from the second inverter 5 is supplied to the system LSI 13 through the output terminal 11. At this time, even if the normal speed clock generated in the first series connection circuit composed of the first transmission circuit 4 and the first inverter 2 is supplied to the third series connection circuit composed of the third transmission circuit 8 and the third inverter 7. At this time, the third transmission circuit 8 is in the OFF state, so that the normal speed clock is not supplied from the third series connection circuit to the system LSI 13 through the output terminal 11, thereby stabilizing the system LSI 13. In this state, a normal speed clock can be supplied.

また、この発振回路のLSIテスタ15による高速動作テスト時には、図2に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間にLSIテスタ15が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にローレベル(L)のテストイネーブル(TEN)信号が供給される。この高速動作テスト時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたローレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたハイレベル(H)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオフ状態になり、第3トランスミッション回路8がオン状態になる。   Further, at the time of a high-speed operation test by the LSI tester 15 of this oscillation circuit, as shown in FIG. 2, the LSI tester 15 is connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10 so that the complementary test is performed. A low level (L) test enable (TEN) signal is supplied to the test enable signal input terminal 12 (1) of the enable signal generation circuit 12. In this high-speed operation test, the low-level test enable signal output from the common-mode test enable signal output terminal 12 (3) is supplied to the PMOS transistors 4 (1) and 6 (1) of the first and second transmission circuits 4 and 6, respectively. 1) and a high level (H) inverted test enable (TEN) signal supplied to the NMOS transistor 8 (2) of the third transmission circuit 8 and output from the inverted test enable signal output terminal 12 (4), respectively. Are supplied to the NMOS transistors 4 (2), 6 (2) of the first and second transmission circuits 4, 6 and the PMOS transistor 8 (1) of the third transmission circuit 8, respectively, thereby providing the first and second transmission circuits. 4 and 6 are turned off, and the third transmission circuit 8 is turned on. It made.

この高速動作テスト時に第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に外部接続されたLSIテスタ15は、高速クロックを発生し、第1及び第2外部回路接続端子9、10を通して高速クロックが発振回路1に供給される。このとき、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路は、第3トランスミッション回路8がオン状態になっているので、第1外部回路接続端子9から第3直列接続回路に供給された高速クロックは、第3インバータ7において反転された後、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。一方、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路は、第1トランスミッション回路4がオフ状態になっており、また、第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路も、第2トランスミッション回路6がオフ状態になっているので、高速クロックが第1直列接続回路及び第2直列接続回路に供給されたとしても、第1トランスミッション回路4及び第2トランスミッション回路6でそれぞれ遮断され、高速クロックが第2直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で高レベルの高速クロックを供給することができる。   The LSI tester 15 externally connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10 during the high-speed operation test generates a high-speed clock and passes through the first and second external circuit connection terminals 9 and 10. A high-speed clock is supplied to the oscillation circuit 1. At this time, since the third transmission circuit 8 is in an ON state, the third series connection circuit including the third transmission circuit 8 and the third inverter 7 is changed from the first external circuit connection terminal 9 to the third series connection circuit. The supplied high-speed clock is inverted by the third inverter 7 and then supplied to the system LSI 13 through the output terminal 11. On the other hand, in the first series connection circuit including the first transmission circuit 4 and the first inverter 2, the first transmission circuit 4 is in the OFF state, and the second transmission circuit 6 and the second inverter 5 are the second. Since the second transmission circuit 6 is also in the OFF state in the series connection circuit, even if the high-speed clock is supplied to the first series connection circuit and the second series connection circuit, the first transmission circuit 4 and the second transmission circuit 6, the high-speed clock is not supplied from the second series connection circuit to the system LSI 13 through the output terminal 11, so that a high-level high-speed clock can be supplied to the system LSI 13 in a stable state. .

次に、図3及び図4は、本発明による発振回路の第2の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、図3は外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態、図4は外部回路接続端子間にLSIテスタが外部接続されたときの状態を示すものである。   Next, FIG. 3 and FIG. 4 relate to the second embodiment of the oscillation circuit according to the present invention, and are circuit diagrams showing the configuration of the main part thereof. FIG. FIG. 4 shows a state when the LSI tester is externally connected between the external circuit connection terminals.

図3及び図4に図示された第2の実施の形態による発振回路1(以下、これを前者回路という)と、図1及び図2に図示された第1の実施の形態による発振回路1(以下、これを後者回路という)との構成の違いは、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路の接続箇所が異なっている点にあるもので、後者回路は、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路が第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路及び第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路を橋絡するように、すなわち、第3直列接続回路が、第1直列接続回路と第2直列接続回路との直列接続回路に並列接続されるように形成されているのに対し、前者回路は、第3直列接続回路が第2直列接続回路だけを橋絡するように、すなわち、第3直列接続回路が、第2直列接続回路に並列接続されるように形成されている点だけであって、それ以外の構成については前者回路と後者回路との間に違いはない。   The oscillation circuit 1 according to the second embodiment shown in FIGS. 3 and 4 (hereinafter referred to as the former circuit) and the oscillation circuit 1 according to the first embodiment shown in FIGS. Hereinafter, this is referred to as the latter circuit) in that the third transmission circuit 8 and the third series connection circuit composed of the third inverter 7 are connected at different points. A third series connection circuit composed of three transmission circuits 8 and a third inverter 7 is a first series connection circuit composed of the first transmission circuit 4 and the first inverter 2, and a second series composed of the second transmission circuit 6 and the second inverter 5. It is formed so as to bridge the connection circuit, that is, the third series connection circuit is connected in parallel to the series connection circuit of the first series connection circuit and the second series connection circuit. On the other hand, the former circuit is formed such that the third series connection circuit bridges only the second series connection circuit, that is, the third series connection circuit is connected in parallel to the second series connection circuit. However, there is no difference between the former circuit and the latter circuit in other configurations.

このため、図3及び図4に図示された構成要素については、図1及び図2に図示された同じ構成要素に対して同じ符号を付け、第2の実施の形態による発振回路1の構成については、これ以上の説明は省略する。   For this reason, the components shown in FIGS. 3 and 4 are given the same reference numerals to the same components shown in FIGS. 1 and 2, and the configuration of the oscillation circuit 1 according to the second embodiment is described. Will not be described any further.

前記構成を備えた第2の実施の形態による発振回路1(前者回路)の動作は、基本的に既に説明した第1の実施の形態による発振回路1(後者回路)の動作と同じであるが、前者回路と後者回路とは、その回路構成が若干異なっており、それによって部分的に動作が異なっているところもあるので、ここでは説明が重複するとしても、前者回路の動作について詳細に説明する。   The operation of the oscillation circuit 1 (the former circuit) according to the second embodiment having the above configuration is basically the same as the operation of the oscillation circuit 1 (the latter circuit) according to the first embodiment already described. The former circuit and the latter circuit have slightly different circuit configurations, and there are some differences in the operation. Therefore, even if the description is duplicated here, the operation of the former circuit will be described in detail. To do.

この発振回路の通常動作時には、図3に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に共振回路14が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にハイレベル(H)のテストイネーブル(TE)信号が供給される。そして、この通常動作時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたハイレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたローレベル(L)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオン状態になり、第3トランスミッション回路8がオフ状態になる。   During normal operation of this oscillation circuit, as shown in FIG. 3, a resonance circuit 14 is connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10, and the complementary test enable signal generation circuit 12 A high level (H) test enable (TE) signal is supplied to the test enable signal input terminal 12 (1). During this normal operation, the high level test enable signal output from the common-mode test enable signal output terminal 12 (3) is supplied to the PMOS transistors 4 (1), 6 of the first and second transmission circuits 4, 6. (1) and the low level (L) inverted test enable (TEN) supplied to the NMOS transistor 8 (2) of the third transmission circuit 8 and output from the inverted test enable signal output terminal 12 (4), respectively. Signals are supplied to the NMOS transistors 4 (2), 6 (2) of the first and second transmission circuits 4, 6 and the PMOS transistor 8 (1) of the third transmission circuit 8, respectively, whereby the first and second transmissions are transmitted. Circuits 4 and 6 are turned on and third transmission circuit 8 is turned off To become.

そして、オン状態にある第1トランスミッション回路4と第1インバータ2とからなる第1直列接続回路は、その帰還路に負帰還抵抗3と共振回路14が接続されるので、共振回路14の共振周波数に依存した周波数で発振し、通常速度のクロックを発生する。この通常速度のクロックは、オン状態にある第2トランスミッション回路6を通して第2インバータ5に入力され、第2インバータ5において反転出力されたクロックは、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。このとき、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路で発生した通常速度のクロックが第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路に供給されても、この時点に第3トランスミッション回路8がオフ状態になっているので、通常速度のクロックが第3直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で通常速度のクロックを供給することができる。   In the first series connection circuit composed of the first transmission circuit 4 and the first inverter 2 in the on state, the negative feedback resistor 3 and the resonance circuit 14 are connected to the feedback path. It oscillates at a frequency that depends on and generates a normal-speed clock. The normal speed clock is input to the second inverter 5 through the second transmission circuit 6 in the ON state, and the clock inverted and output from the second inverter 5 is supplied to the system LSI 13 through the output terminal 11. At this time, even if the normal speed clock generated in the first series connection circuit composed of the first transmission circuit 4 and the first inverter 2 is supplied to the third series connection circuit composed of the third transmission circuit 8 and the third inverter 7. At this time, the third transmission circuit 8 is in the OFF state, so that the normal speed clock is not supplied from the third series connection circuit to the system LSI 13 through the output terminal 11, thereby stabilizing the system LSI 13. In this state, a normal speed clock can be supplied.

また、この発振回路のLSIテスタ15による高速動作テスト時には、図4に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間にLSIテスタ15が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にローレベル(L)のテストイネーブル(TEN)信号が供給される。この高速動作テスト時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたローレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたハイレベル(H)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオフ状態になり、第3トランスミッション回路8がオン状態になる。   In the high-speed operation test of the oscillation circuit by the LSI tester 15, as shown in FIG. 4, the LSI tester 15 is connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10, so that the complementary test is performed. A low level (L) test enable (TEN) signal is supplied to the test enable signal input terminal 12 (1) of the enable signal generation circuit 12. In this high-speed operation test, the low-level test enable signal output from the common-mode test enable signal output terminal 12 (3) is supplied to the PMOS transistors 4 (1) and 6 (1) of the first and second transmission circuits 4 and 6, respectively. 1) and a high level (H) inverted test enable (TEN) signal supplied to the NMOS transistor 8 (2) of the third transmission circuit 8 and output from the inverted test enable signal output terminal 12 (4), respectively. Are supplied to the NMOS transistors 4 (2), 6 (2) of the first and second transmission circuits 4, 6 and the PMOS transistor 8 (1) of the third transmission circuit 8, respectively, thereby providing the first and second transmission circuits. 4 and 6 are turned off, and the third transmission circuit 8 is turned on. It made.

この高速動作テスト時に第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に外部接続されたLSIテスタ15は、高速クロックを発生し、第1及び第2外部回路接続端子9、10を通して高速クロックが発振回路1に供給される。このとき、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路は、第3トランスミッション回路8がオン状態になっているので、第2外部回路接続端子10を通して第3直列接続回路に供給された高速クロックは、第3インバータ7において反転された後、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。一方、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路は、第1トランスミッション回路4がオフ状態になっており、また、第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路も、第2トランスミッション回路6がオフ状態になっているので、高速クロックが第1直列接続回路及び第2直列接続回路に供給されたとしても、第1トランスミッション回路4及び第2トランスミッション回路6でそれぞれ遮断され、高速クロックが第2直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で高レベルの高速クロックを供給することができる。   The LSI tester 15 externally connected between the first external circuit connection terminal 9 and the second external circuit connection terminal 10 during the high-speed operation test generates a high-speed clock and passes through the first and second external circuit connection terminals 9 and 10. A high-speed clock is supplied to the oscillation circuit 1. At this time, since the third transmission circuit 8 is in the ON state, the third series connection circuit including the third transmission circuit 8 and the third inverter 7 is connected to the third series connection circuit through the second external circuit connection terminal 10. The supplied high-speed clock is inverted by the third inverter 7 and then supplied to the system LSI 13 through the output terminal 11. On the other hand, in the first series connection circuit including the first transmission circuit 4 and the first inverter 2, the first transmission circuit 4 is in the OFF state, and the second transmission circuit 6 and the second inverter 5 are the second. Since the second transmission circuit 6 is also in the OFF state in the series connection circuit, even if the high-speed clock is supplied to the first series connection circuit and the second series connection circuit, the first transmission circuit 4 and the second transmission circuit 6, the high-speed clock is not supplied from the second series connection circuit to the system LSI 13 through the output terminal 11, so that a high-level high-speed clock can be supplied to the system LSI 13 in a stable state. .

本発明による発振回路の第1の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態を示すものである。FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of the oscillation circuit according to the first embodiment of the present invention, and shows a state when a resonance circuit is externally connected between external circuit connection terminals. 本発明による発振回路の第1の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、外部回路接続端子間にLSIテスタ外部接続されたときの状態を示すものである。FIG. 2 is a circuit diagram showing a main configuration of the oscillation circuit according to the first embodiment of the present invention, and shows a state when external connection is made between LSI circuit testers between external circuit connection terminals. 本発明による発振回路の第2の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態を示すものである。FIG. 7 is a circuit diagram showing a main configuration of an oscillation circuit according to a second embodiment of the present invention, and shows a state when a resonance circuit is externally connected between external circuit connection terminals. 本発明による発振回路の第2の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、外部回路接続端子間にLSIテスタ外部接続されたときの状態を示すものである。FIG. 7 is a circuit diagram showing a main configuration of an oscillation circuit according to a second embodiment of the present invention, and shows a state when an LSI tester is externally connected between external circuit connection terminals. 既知の発振回路であって、その要部構成を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a main part configuration of a known oscillation circuit.

符号の説明Explanation of symbols

1 発振回路
2 第1インバータ
3 負帰還抵抗
4 第1トランスミッション回路
4(1)、6(1)、8(1) PMOSトランジスタ
4(2)、6(2)、8(2) NMOSトランジスタ
5 第2インバータ
6 第2トランスミッション回路
7 第3インバータ
8 第3トランスミッション回路
9 第1外部回路接続端子
10 第2外部回路接続端子
11 出力端子
12 相補テストエネーブル信号発生回路
12(1) テストエネーブル信号入力端子
12(2) 第4インバータ
12(3) 同相テストエネーブル信号出力端子
12(4) 反転テストエネーブル信号出力端子を通して接地接続され、水晶振動子14(1)の他端が第2外部回路接続端子10に接続されるとともに第2分路コンデンサ14(3)
13 システムLSI
14 共振回路
14(1) 水晶振動子
14(2) 第1分路コンデンサ
14(3) 第2分路コンデンサ
15 LSIテスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Oscillation circuit 2 1st inverter 3 Negative feedback resistance 4 1st transmission circuit 4 (1), 6 (1), 8 (1) PMOS transistor 4 (2), 6 (2), 8 (2) NMOS transistor 5 1st 2 inverter 6 second transmission circuit 7 third inverter 8 third transmission circuit 9 first external circuit connection terminal 10 second external circuit connection terminal 11 output terminal 12 complementary test enable signal generation circuit 12 (1) test enable signal input Terminal 12 (2) Fourth inverter 12 (3) In-phase test enable signal output terminal 12 (4) Grounded through the inverted test enable signal output terminal, and the other end of the crystal unit 14 (1) is the second external circuit. Connected to the connection terminal 10 and the second shunt capacitor 14 (3)
13 System LSI
14 Resonant circuit 14 (1) Crystal resonator 14 (2) First shunt capacitor 14 (3) Second shunt capacitor 15 LSI tester

Claims (4)

選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、前記第1及び第2外部回路接続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、前記第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、前記第1インバータの出力端と前記内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、前記第1外部回路接続端子と前記内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、前記第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストイネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、前記第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と前記第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性であることを特徴とする発振回路。 First and second external circuit connection terminals to which a resonance circuit or LSI tester including a crystal resonator is selectively connected externally, an internal connection terminal connected to a system LSI, and the first and second external circuit connection terminals A first series connection circuit of a first transmission circuit and a first inverter connected in between; a negative feedback resistor connected in parallel to the first series connection circuit; an output terminal of the first inverter and the internal connection terminal A second serial connection circuit of a second transmission circuit and a second inverter connected between each other, and a third transmission circuit and a third inverter connected between the first external circuit connection terminal and the internal connection terminal. The first to third transmission circuits each include a PMOS transistor to which a controllable complementary test enable signal is supplied to a gate. The polarity of the complementary test enable signal supplied to the first and second transmission circuits and the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit are opposite to each other. An oscillation circuit characterized by being. 前記発振回路は、半導体集積回路に搭載されているものであることを特徴とする請求項1に記載の発振回路。 The oscillation circuit according to claim 1, wherein the oscillation circuit is mounted on a semiconductor integrated circuit. 選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、前記第1及び第2外部接回路続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、前記第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、前記第1インバータの出力端と前記内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、前記第1インバータの出力端と前記内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、前記第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストイネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、前記第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と前記第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性であることを特徴とする発振回路。 First and second external circuit connection terminals to which a resonant circuit or LSI tester including a crystal resonator is selectively connected externally, an internal connection terminal connected to a system LSI, and the first and second external connection circuits A first series connection circuit of a first transmission circuit and a first inverter connected between the terminals, a negative feedback resistor connected in parallel to the first series connection circuit, an output terminal of the first inverter, and the internal connection A second transmission circuit connected between terminals and a second series connection circuit of the second inverter; a third transmission circuit connected between the output terminal of the first inverter and the internal connection terminal; and a third inverter. A third serial connection circuit, and the first to third transmission circuits each include a PMOS transistor to which a controllable complementary test enable signal is supplied to a gate. The polarity of the complementary test enable signal supplied to the first and second transmission circuits is opposite to the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit. An oscillation circuit characterized by being. 前記発振回路は、半導体集積回路に搭載されているものであることを特徴とする請求項3に記載の発振回路。
The oscillation circuit according to claim 3, wherein the oscillation circuit is mounted on a semiconductor integrated circuit.
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