JP2007074552A - Oscillation circuit - Google Patents
Oscillation circuit Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007074552A JP2007074552A JP2005261073A JP2005261073A JP2007074552A JP 2007074552 A JP2007074552 A JP 2007074552A JP 2005261073 A JP2005261073 A JP 2005261073A JP 2005261073 A JP2005261073 A JP 2005261073A JP 2007074552 A JP2007074552 A JP 2007074552A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- inverter
- transmission
- supplied
- enable signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
Description
本発明は、発振回路に係り、特に、半導体集積回路に搭載され、外部接続端子に選択的にLSIテスタを外部接続した際に、LSIテスタから得られる高速動作クロックによりシステムLSIを駆動させ、システムLSIの高速動作テストを行うことが可能な発振回路に関する。 The present invention relates to an oscillation circuit, and more particularly to a system LSI that is mounted on a semiconductor integrated circuit and is driven by a high-speed operation clock obtained from the LSI tester when an LSI tester is selectively connected to an external connection terminal. The present invention relates to an oscillation circuit capable of performing a high-speed operation test of an LSI.
近年、半導体集積回路によって構成されるシステムLSIにおいては、その動作クロックが高速化されるに伴い、LSIテスタを用いたシステムLSIの高速動作テストが要求されるようになってきた。このようなシステムLSIの高速動作テストに使用される動作クロックは、システムLSIの内部に搭載されている発振回路によって形成されるもので、その発振回路は外部回路接続端子を備えるとともにインバータ回路と負帰還抵抗とを備えており、発振回路の使用時に、外部回路接続端子に水晶振動子を含む共振回路を外部接続すると、発振回路は、この共振回路の共振周波数に依存した発振周波数のクロックを発生し、このクロックがシステムLSIに供給される。 2. Description of the Related Art In recent years, system LSIs composed of semiconductor integrated circuits have been required to perform high-speed operation tests of system LSIs using LSI testers as their operation clock speeds up. An operation clock used for such a high-speed operation test of the system LSI is formed by an oscillation circuit mounted inside the system LSI, and the oscillation circuit has an external circuit connection terminal and is negative with the inverter circuit. When using an oscillation circuit, when an external circuit connection terminal is connected to a resonance circuit including a crystal resonator, the oscillation circuit generates a clock with an oscillation frequency that depends on the resonance frequency of the resonance circuit. This clock is supplied to the system LSI.
このような発振回路は、クロックを安定した状態で発生させることが可能な周波数範囲として数MHzから数10MHz程度までであり、さらに、その上の数100MHzの周波数の高速クロックを安定した状態で発生させるためには、システムLSIに位相同期回路(PLL)を内蔵させ、この発振回路によって形成した数MHzから数10MHz程度の周波数のクロックを位相同期回路に入力させ、位相同期回路において入力周波数の整数倍の周波数の高速クロックを形成させることによって実現している。 Such an oscillation circuit has a frequency range in which a clock can be generated in a stable state from several MHz to several tens of MHz, and further generates a high-speed clock having a frequency of several hundreds of MHz in a stable state. In order to achieve this, a phase synchronization circuit (PLL) is built in the system LSI, a clock having a frequency of several MHz to several tens of MHz formed by this oscillation circuit is input to the phase synchronization circuit, and an integer of the input frequency is input to the phase synchronization circuit. This is realized by forming a high-speed clock having a double frequency.
また、この発振回路の外部回路接続端子にLSIテスタを外部接続したときには、そのLSIテスタの保持性能上、LSIテスタから出力された数100MHzの高速クロックをシステムLSIの内部に直接入力することができるため、このような高速クロックを用いてシステムLSIの高速動作テストを行うことが可能になる。この場合、LSIテスタから出力された数100MHzの高速クロックをシステムLSIに入力しようとしても、システムLSIに搭載されている発振回路は、LSIテスタから出力された高速クロックに対する適応性が低いため、システムLSIを高速クロックで駆動することができず、システムLSIに安定した数100MHzの高速クロックを供給することができない。 Further, when an LSI tester is externally connected to the external circuit connection terminal of the oscillation circuit, a high-speed clock of several hundreds of megahertz output from the LSI tester can be directly input into the system LSI due to the retention performance of the LSI tester. Therefore, it is possible to perform a high-speed operation test of the system LSI using such a high-speed clock. In this case, even if an attempt is made to input a high-speed clock of several hundred MHz output from the LSI tester to the system LSI, the oscillation circuit mounted on the system LSI has low adaptability to the high-speed clock output from the LSI tester. The LSI cannot be driven with a high-speed clock, and a stable high-speed clock of several hundred MHz cannot be supplied to the system LSI.
このため、この種の発振回路においては、システムLSIに安定した数100MHzの高速クロックを供給することができるような駆動手段を別途設けることが考えられており、その一つの例として特開平6−85535号に開示された発振回路がある。 For this reason, in this type of oscillation circuit, it is considered to separately provide a driving means that can supply a stable high-speed clock of several hundreds of MHz to the system LSI. There is an oscillation circuit disclosed in Japanese Patent No. 85535.
ここで、図5は、前記特開平6−85535号に開示の発振回路であって、その要部構成を示す回路図である。 Here, FIG. 5 is an oscillation circuit disclosed in the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 6-85535, and is a circuit diagram showing a configuration of a main part thereof.
図5に示すように、この発振回路は、外部回路接続端子50、51と、出力端子52と、第1インバータ53と、負帰還抵抗54と、第2インバータ55と、テストイネーブル端子56と、第3インバータ57と、NAND回路58と、NOR回路59と、PMOSトランジスタ60と、NMOSトランジスタ61とからなり、第3インバータ57と、NAND回路58と、NOR回路59と、PMOSトランジスタ60と、NMOSトランジスタ61とからなる回路部分は、トライステート(3状態)バッファ回路62を構成している。また、外部回路接続端子50、51には、選択的に、水晶振動子63と2つの分路コンデンサ64、65からなる共振回路66またはLSIテスタ(図5に図示なし)が外部接続される。
As shown in FIG. 5, the oscillation circuit includes external
この発振回路の動作は、次の通りである。 The operation of this oscillation circuit is as follows.
発振回路の通常動作時には、外部回路接続端子50、51に共振回路66が外部接続され、テストイネーブル端子56にローレベル(L)のイネーブル(EN)信号が入力される。このとき、トライステートバッファ回路62は、ローレベルのイネーブル信号の供給によって、動作停止状態になり、第1インバータ53と負帰還抵抗54と共振回路66とからなる回路部分は、共振回路66の共振周波数に対応した周波数のクロックを発生する発振回路になり、この発振回路から発生したクロックは、第2インバータ55を通して極性反転された状態でシステムLSI内に供給される。
During normal operation of the oscillation circuit, the
一方、発振回路の高速動作テスト時には、外部回路接続端子50、51にLSIテスタが外部接続され、テストイネーブル端子56にハイレベル(H)のイネーブル(EN)信号が入力される。このとき、LSIテスタは、数100MHzの周波数の高速クロックを発生し、トライステートバッファ回路62は、ハイレベルのイネーブル信号の供給によって、動作状態になるので、LSIテスタから出力された高速クロックは、第1インバータ53と第2インバータ55を通りシステムLSI内に供給されるものと、動作中のトライステートバッファ回路62の駆動によってシステムLSI内に供給されるものとがあり、その中のトライステートバッファ回路62の駆動によるものが優勢であるため、高速クロックが比較的高いレベルでシステムLSI内に供給され、システムLSIの高速動作テストを行うことが可能となる。
前記特開平6−85535号に開示の発振回路は、トライステートバッファ回路62からなる高速クロック駆動能力増強手段を設けたことにより、高レベルの高速クロックをシステムLSI内に供給し、システムLSIの高速動作テストを有効に行えるものであるが、高速クロック駆動能力増強手段として、トライステートバッファ回路62、特に、第3インバータ57とNAND回路58とNOR回路59とPMOSトランジスタ60とNMOSトランジスタ61とからなるトライステートバッファ回路62を設けたものであるため、トライステートバッファ回路62を構成するのに必要な複数の回路や回路素子が必要となり、その分、発振回路の回路規模が増大するだけでなく、発振回路の消費電力も増加することになる。
The oscillation circuit disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-85535 is provided with a high-speed clock driving capability enhancement means including a tri-state
また、前記特開平6−85535号に開示の発振回路は、LSIテスタを外部接続したシステムLSIの高速動作テスト時に、LSIテスタから出力された高速クロックをシステムLSI内に供給する際の経路として、第1インバータ53及び第2インバータ55を通してシステムLSI内に供給する経路と、動作中のトライステートバッファ回路62の駆動によってシステムLSI内に供給する経路とが並列的に形成され、それらの経路を高速クロックが伝送するとき、それぞれの経路内にある回路構成が異なっているため、それらの経路を通った高速クロックがシステムLSI内に供給される際に、高速クロックの位相が異なってくる場合が生じ、そのときには安定した高速クロックをシステムLSI内に供給することができなくなり、常時、LSIテスタによる高速動作テストができるとは限らないものである。
In addition, the oscillation circuit disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 6-85535 is used as a path for supplying a high-speed clock output from the LSI tester into the system LSI during a high-speed operation test of the system LSI to which the LSI tester is externally connected. A path to be supplied into the system LSI through the
本発明は、このような技術的背景に鑑みてなされたもので、その目的は、システムLSI内に高速クロックを供給する高速クロック駆動能力増強手段を少ない回路及び回路素子により構成し、回路規模を増大させず、環境に配慮し、消費電力を達成できる発振回路を提供することにある。 The present invention has been made in view of such a technical background, and an object of the present invention is to configure a high-speed clock driving capability enhancing means for supplying a high-speed clock in a system LSI with a small number of circuits and circuit elements, and to reduce the circuit scale. An object of the present invention is to provide an oscillation circuit that can achieve power consumption in consideration of the environment without being increased.
前記目的を達成するために、本発明による発振回路は、選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、第1及び第2外部回路接続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、この第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、第1インバータの出力端と内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、第1外部回路接続端子と内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性である第1の手段を具備する。 To achieve the above object, an oscillation circuit according to the present invention is connected to a system LSI and first and second external circuit connection terminals to which a resonance circuit or LSI tester including a crystal resonator is selectively connected. A first series connection circuit of an internal connection terminal, a first transmission circuit and a first inverter connected between the first and second external circuit connection terminals, and a negative feedback resistor connected in parallel to the first series connection circuit A second transmission circuit connected between the output terminal of the first inverter and the internal connection terminal, a second series connection circuit of the second inverter, and a second connection circuit connected between the first external circuit connection terminal and the internal connection terminal. 3 transmission circuit and a third series connection circuit of a third inverter, and the first to third transmission circuits are supplied with a controllable complementary test enable signal at the gate. The polarity of the complementary test enable signal supplied to the first and second transmission circuits is opposite to the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit. The first means is provided.
また、前記目的を達成するために、本発明による発振回路は、選択的に水晶振動子を含む共振回路またはLSIテスタが外部接続される第1及び第2外部回路接続端子と、システムLSIに接続される内部接続端子と、第1及び第2外部接回路続端子間に接続された第1トランスミッション回路と第1インバータとの第1直列接続回路と、この第1直列接続回路に並列接続された負帰還抵抗と、第1インバータ回路の出力端と内部接続端子間に接続された第2トランスミッション回路と第2インバータとの第2直列接続回路と、第1インバータの出力端と内部接続端子間に接続された第3トランスミッション回路と第3インバータとの第3直列接続回路とを備え、第1乃至第3トランスミッション回路は、ゲートに制御可能な相補テストイネーブル信号が供給されるPMOSトランジスタ及びNMOSトランジスタの並列回路からなり、第1及び第2トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性と第3トランスミッション回路に供給される相補テストイネーブル信号の極性とは互いに逆極性である第2の手段を具備する。 In order to achieve the above object, an oscillation circuit according to the present invention is connected to a system LSI and first and second external circuit connection terminals to which a resonance circuit or an LSI tester that selectively includes a crystal resonator is externally connected. A first serial connection circuit of a first transmission circuit and a first inverter connected between the internal connection terminal, the first and second external connection circuit connection terminals, and the first serial connection circuit connected in parallel A negative feedback resistor; a second series connection circuit of a second transmission circuit and a second inverter connected between the output terminal of the first inverter circuit and the internal connection terminal; and an output terminal of the first inverter and the internal connection terminal. And a third series connection circuit of a third transmission circuit and a third inverter connected to each other, wherein the first to third transmission circuits each have a complementary test rice that can be controlled by a gate. And the polarity of the complementary test enable signal supplied to the first transmission circuit and the polarity of the complementary test enable signal supplied to the third transmission circuit. Comprises second means having opposite polarities.
以上、説明したように、本発明の発振回路によれば、システムLSI内に高速クロックを供給する高速クロック駆動能力増強手段を用いるとともに、高速クロック駆動能力増強手段を、使用する論理回路等の回路やその回路を構成するトランジスタ等の回路素子の数が少ない構成にしたので、LSIテスタを用いた高速動作テスト時に、LSIテスタより供給された高速クロックを、高レベルの安定した状態でシステムLSI内に供給して常時高速動作テストを行うことが可能になるとともに、発振回路の回路規模を増大させることがなく、環境に配慮し、発振回路の低消費電力化を達成することができるという効果がある。 As described above, according to the oscillation circuit of the present invention, the high-speed clock driving capability enhancing means for supplying the high-speed clock into the system LSI is used, and the high-speed clock driving capability enhancing means is used as a circuit such as a logic circuit. And the number of circuit elements such as transistors constituting the circuit are small, so the high-speed clock supplied from the LSI tester can be used in the system LSI in a stable state at a high level during the high-speed operation test using the LSI tester. The high-speed operation test can be performed at all times, and the circuit scale of the oscillation circuit is not increased, the environment is considered, and the power consumption of the oscillation circuit can be reduced. is there.
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
図1及び図2は、本発明による発振回路の第1の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、図1は外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態、図2は外部回路接続端子間にLSIテスタが外部接続されたときの状態を示すものである。 FIG. 1 and FIG. 2 relate to the first embodiment of the oscillation circuit according to the present invention, and are circuit diagrams showing the configuration of the main part thereof. FIG. 1 shows that a resonance circuit is externally connected between external circuit connection terminals. FIG. 2 shows a state when the LSI tester is externally connected between the external circuit connection terminals.
図1及び図2において、発振回路1は、第1インバータ2と、負帰還抵抗3と、第1トランスミッション回路4と、第2インバータ5と、第2トランスミッション回路6と、第3インバータ7と、第3トランスミッション回路8と、第1外部回路接続端子9と、第2外部回路接続端子10と、出力端子11と、相補テストエネーブル信号発生回路12とからなっており、全体が出力端子11に接続されるシステムLSI13とともに集積回路化されている。また、この発振回路1に外部接続される回路として、共振回路14が第1及び第2外部回路接続端子9、10に選択的に外部接続され(図1)、LSIテスタ15が第1及び第2外部回路接続端子9、10に選択的に外部接続される。
1 and 2, the
この場合、第1トランスミッション回路4は、並列接続されたPMOSトランジスタ4(1)とNMOSトランジスタ4(2)からなり、第2トランスミッション回路6は、並列接続されたPMOSトランジスタ6(1)とNMOSトランジスタ6(2)からなり、第3トランスミッション回路8は、並列接続されたPMOSトランジスタ8(1)とMOSトランジスタ8(2)からなる。相補テストエネーブル信号発生回路12は、テストエネーブル信号入力端子12(1)と第4インバータ12(2)と同相テストエネーブル信号出力端子12(3)と反転テストエネーブル信号出力端子12(4)とからなっている。また、共振回路14は、水晶振動子14(1)と第1分路コンデンサ14(2)と第2分路コンデンサ14(3)とからなっている。
In this case, the
そして、第1インバータ2と第1トランスミッション回路4は、直列接続されて第1直列接続回路を構成し、この第1直列接続回路に並列に負帰還抵抗3が接続され、第1直列接続回路の一端(入力端)が第1外部回路接続端子9に、第1直列接続回路の他端(出力端)が第2外部回路接続端子10にそれぞれ接続される。第2インバータ5と第2トランスミッション回路6は、直列接続されて第2直列接続回路を構成し、第2直列接続回路の一端(入力端)が第2外部回路接続端子10に、第2直列接続回路の他端(出力端)が出力端子11にそれぞれ接続される。第3インバータ7と第3トランスミッション回路8は、直列接続されて第3直列接続回路を構成し、第3直列接続回路の一端(入力端)が第1外部回路接続端子9に、第3直列接続回路の他端(出力端)が出力端子11にそれぞれ接続される。また、相補テストエネーブル信号発生回路12において、テストエネーブル信号入力端子12(1)は、直接同相テストエネーブル信号出力端子12(3)に接続されるとともに、第4インバータ12(2)を通して反転テストエネーブル信号出力端子12(4)に接続される。
The
さらに、図1及び図2には図示されていないが、PMOSトランジスタ4(1)、6(1)及びNMOSトランジスタ8(2)の各ゲートは、テストエネーブル信号入力端子12(1)に接続され、NMOSトランジスタ4(2)、6(2)及びPMOSトランジスタ8(1)の各ゲートは、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)に接続される。なお、共振回路14は、水晶振動子14(1)の一端が第1外部回路接続端子9に接続されるとともに第1分路コンデンサ14(2)を通して接地接続され、水晶振動子14(1)の他端が第2外部回路接続端子10に接続されるとともに第2分路コンデンサ14(3)を通して接地接続される。
Further, although not shown in FIGS. 1 and 2, the gates of the PMOS transistors 4 (1) and 6 (1) and the NMOS transistor 8 (2) are connected to the test enable signal input terminal 12 (1). The gates of the NMOS transistors 4 (2), 6 (2) and the PMOS transistor 8 (1) are connected to the inverted test enable signal output terminal 12 (4). The
前記構成を備えた第1の実施の形態による発振回路は、次のように動作する。 The oscillation circuit according to the first embodiment having the above configuration operates as follows.
この発振回路の通常動作時には、図1に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に共振回路14が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にハイレベル(H)のテストイネーブル(TE)信号が供給される。この通常動作時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたハイレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたローレベル(L)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオン状態になり、第3トランスミッション回路8がオフ状態になる。
During normal operation of this oscillation circuit, as shown in FIG. 1, a
そして、オン状態にある第1トランスミッション回路4と第1インバータ2とからなる第1直列接続回路は、その帰還路に負帰還抵抗3と共振回路14が接続されるので、共振回路14の共振周波数に依存した周波数で発振し、通常速度のクロックを発生する。この通常速度のクロックは、オン状態にある第2トランスミッション回路6を通して第2インバータ5に入力され、第2インバータ5において反転出力されたクロックは、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。このとき、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路で発生した通常速度のクロックが第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路に供給されても、この時点に第3トランスミッション回路8がオフ状態になっているので、通常速度のクロックが第3直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で通常速度のクロックを供給することができる。
In the first series connection circuit composed of the
また、この発振回路のLSIテスタ15による高速動作テスト時には、図2に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間にLSIテスタ15が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にローレベル(L)のテストイネーブル(TEN)信号が供給される。この高速動作テスト時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたローレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたハイレベル(H)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオフ状態になり、第3トランスミッション回路8がオン状態になる。
Further, at the time of a high-speed operation test by the
この高速動作テスト時に第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に外部接続されたLSIテスタ15は、高速クロックを発生し、第1及び第2外部回路接続端子9、10を通して高速クロックが発振回路1に供給される。このとき、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路は、第3トランスミッション回路8がオン状態になっているので、第1外部回路接続端子9から第3直列接続回路に供給された高速クロックは、第3インバータ7において反転された後、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。一方、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路は、第1トランスミッション回路4がオフ状態になっており、また、第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路も、第2トランスミッション回路6がオフ状態になっているので、高速クロックが第1直列接続回路及び第2直列接続回路に供給されたとしても、第1トランスミッション回路4及び第2トランスミッション回路6でそれぞれ遮断され、高速クロックが第2直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で高レベルの高速クロックを供給することができる。
The
次に、図3及び図4は、本発明による発振回路の第2の実施の形態に係るもので、その要部構成を示す回路図であり、図3は外部回路接続端子間に共振回路が外部接続されたときの状態、図4は外部回路接続端子間にLSIテスタが外部接続されたときの状態を示すものである。 Next, FIG. 3 and FIG. 4 relate to the second embodiment of the oscillation circuit according to the present invention, and are circuit diagrams showing the configuration of the main part thereof. FIG. FIG. 4 shows a state when the LSI tester is externally connected between the external circuit connection terminals.
図3及び図4に図示された第2の実施の形態による発振回路1(以下、これを前者回路という)と、図1及び図2に図示された第1の実施の形態による発振回路1(以下、これを後者回路という)との構成の違いは、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路の接続箇所が異なっている点にあるもので、後者回路は、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路が第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路及び第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路を橋絡するように、すなわち、第3直列接続回路が、第1直列接続回路と第2直列接続回路との直列接続回路に並列接続されるように形成されているのに対し、前者回路は、第3直列接続回路が第2直列接続回路だけを橋絡するように、すなわち、第3直列接続回路が、第2直列接続回路に並列接続されるように形成されている点だけであって、それ以外の構成については前者回路と後者回路との間に違いはない。
The
このため、図3及び図4に図示された構成要素については、図1及び図2に図示された同じ構成要素に対して同じ符号を付け、第2の実施の形態による発振回路1の構成については、これ以上の説明は省略する。
For this reason, the components shown in FIGS. 3 and 4 are given the same reference numerals to the same components shown in FIGS. 1 and 2, and the configuration of the
前記構成を備えた第2の実施の形態による発振回路1(前者回路)の動作は、基本的に既に説明した第1の実施の形態による発振回路1(後者回路)の動作と同じであるが、前者回路と後者回路とは、その回路構成が若干異なっており、それによって部分的に動作が異なっているところもあるので、ここでは説明が重複するとしても、前者回路の動作について詳細に説明する。 The operation of the oscillation circuit 1 (the former circuit) according to the second embodiment having the above configuration is basically the same as the operation of the oscillation circuit 1 (the latter circuit) according to the first embodiment already described. The former circuit and the latter circuit have slightly different circuit configurations, and there are some differences in the operation. Therefore, even if the description is duplicated here, the operation of the former circuit will be described in detail. To do.
この発振回路の通常動作時には、図3に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に共振回路14が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にハイレベル(H)のテストイネーブル(TE)信号が供給される。そして、この通常動作時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたハイレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたローレベル(L)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオン状態になり、第3トランスミッション回路8がオフ状態になる。
During normal operation of this oscillation circuit, as shown in FIG. 3, a
そして、オン状態にある第1トランスミッション回路4と第1インバータ2とからなる第1直列接続回路は、その帰還路に負帰還抵抗3と共振回路14が接続されるので、共振回路14の共振周波数に依存した周波数で発振し、通常速度のクロックを発生する。この通常速度のクロックは、オン状態にある第2トランスミッション回路6を通して第2インバータ5に入力され、第2インバータ5において反転出力されたクロックは、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。このとき、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路で発生した通常速度のクロックが第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路に供給されても、この時点に第3トランスミッション回路8がオフ状態になっているので、通常速度のクロックが第3直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で通常速度のクロックを供給することができる。
In the first series connection circuit composed of the
また、この発振回路のLSIテスタ15による高速動作テスト時には、図4に図示されるように、第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間にLSIテスタ15が接続され、相補テストエネーブル信号発生回路12のテストエネーブル信号入力端子12(1)にローレベル(L)のテストイネーブル(TEN)信号が供給される。この高速動作テスト時においては、同相テストエネーブル信号出力端子12(3)から出力されたローレベルのテストイネーブル信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のPMOSトランジスタ4(1)、6(1)と第3トランスミッション回路8のNMOSトランジスタ8(2)にそれぞれ供給され、また、反転テストエネーブル信号出力端子12(4)から出力されたハイレベル(H)の反転テストイネーブル(TEN)信号が第1及び第2トランスミッション回路4、6のNMOSトランジスタ4(2)、6(2)と第3トランスミッション回路8のPMOSトランジスタ8(1)にそれぞれ供給され、それによって第1及び第2トランスミッション回路4、6がオフ状態になり、第3トランスミッション回路8がオン状態になる。
In the high-speed operation test of the oscillation circuit by the
この高速動作テスト時に第1外部回路接続端子9と第2外部回路接続端子10間に外部接続されたLSIテスタ15は、高速クロックを発生し、第1及び第2外部回路接続端子9、10を通して高速クロックが発振回路1に供給される。このとき、第3トランスミッション回路8と第3インバータ7からなる第3直列接続回路は、第3トランスミッション回路8がオン状態になっているので、第2外部回路接続端子10を通して第3直列接続回路に供給された高速クロックは、第3インバータ7において反転された後、出力端子11を通してシステムLSI13に供給される。一方、第1トランスミッション回路4と第1インバータ2からなる第1直列接続回路は、第1トランスミッション回路4がオフ状態になっており、また、第2トランスミッション回路6と第2インバータ5からなる第2直列接続回路も、第2トランスミッション回路6がオフ状態になっているので、高速クロックが第1直列接続回路及び第2直列接続回路に供給されたとしても、第1トランスミッション回路4及び第2トランスミッション回路6でそれぞれ遮断され、高速クロックが第2直列接続回路から出力端子11を通してシステムLSI13に供給されることがなく、これによりシステムLSI13には安定した状態で高レベルの高速クロックを供給することができる。
The
1 発振回路
2 第1インバータ
3 負帰還抵抗
4 第1トランスミッション回路
4(1)、6(1)、8(1) PMOSトランジスタ
4(2)、6(2)、8(2) NMOSトランジスタ
5 第2インバータ
6 第2トランスミッション回路
7 第3インバータ
8 第3トランスミッション回路
9 第1外部回路接続端子
10 第2外部回路接続端子
11 出力端子
12 相補テストエネーブル信号発生回路
12(1) テストエネーブル信号入力端子
12(2) 第4インバータ
12(3) 同相テストエネーブル信号出力端子
12(4) 反転テストエネーブル信号出力端子を通して接地接続され、水晶振動子14(1)の他端が第2外部回路接続端子10に接続されるとともに第2分路コンデンサ14(3)
13 システムLSI
14 共振回路
14(1) 水晶振動子
14(2) 第1分路コンデンサ
14(3) 第2分路コンデンサ
15 LSIテスタ
DESCRIPTION OF
13 System LSI
14 Resonant circuit 14 (1) Crystal resonator 14 (2) First shunt capacitor 14 (3)
Claims (4)
The oscillation circuit according to claim 3, wherein the oscillation circuit is mounted on a semiconductor integrated circuit.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261073A JP2007074552A (en) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | Oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005261073A JP2007074552A (en) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | Oscillation circuit |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007074552A true JP2007074552A (en) | 2007-03-22 |
Family
ID=37935590
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005261073A Pending JP2007074552A (en) | 2005-09-08 | 2005-09-08 | Oscillation circuit |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007074552A (en) |
-
2005
- 2005-09-08 JP JP2005261073A patent/JP2007074552A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7358786B2 (en) | Control signal generator, latch circuit, flip flop and method for controlling operations of the flip-flop | |
US7743297B2 (en) | Electronic circuit and integrated circuit including scan testing circuit, and power consumption reducing method used for integrated circuit | |
JP2004072426A (en) | Master slave flip flop circuit | |
JP2006135960A (en) | High-speed and low-power clock gated logic circuit | |
US20090309641A1 (en) | Dual mode edge triggered flip-flop | |
JP3653170B2 (en) | Latch circuit and flip-flop circuit | |
US6798249B2 (en) | Circuit for asynchronous reset in current mode logic circuits | |
JPH11186882A (en) | D flip-flop | |
CN114567297B (en) | D-flip-flop, processor and computing device including the same | |
JPH098612A (en) | Latch circuit | |
JP2005303464A (en) | Flip-flop | |
JP2004187198A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2005323295A (en) | Latch circuit and flip-flop circuit | |
TW202141330A (en) | Scan output flip-flop | |
JP3513376B2 (en) | Flip-flop circuit | |
JP2004064557A (en) | Flip-flop circuit and shift register | |
JP2008172779A (en) | High speed flip-flop | |
US20060214717A1 (en) | Low amplitude differential output circuit and serial transmission interface using the same | |
JPH09312553A (en) | Logic circuit | |
JP2004336123A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
JP2007074552A (en) | Oscillation circuit | |
US20100122133A1 (en) | Latch circuit including data input terminal and scan data input terminal, and semiconductor device and control method | |
JP2004080172A (en) | D type flip-flop and electronic circuit | |
US7463063B2 (en) | Semiconductor device | |
JP3589577B2 (en) | Semiconductor device |