JP2007072116A - Liquid crystal display - Google Patents

Liquid crystal display Download PDF

Info

Publication number
JP2007072116A
JP2007072116A JP2005258225A JP2005258225A JP2007072116A JP 2007072116 A JP2007072116 A JP 2007072116A JP 2005258225 A JP2005258225 A JP 2005258225A JP 2005258225 A JP2005258225 A JP 2005258225A JP 2007072116 A JP2007072116 A JP 2007072116A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
liquid crystal
colored layer
repair
colored
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005258225A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kiyoshi Shobara
潔 庄原
Chigusa Tago
千種 多胡
Nobuo Imai
信雄 今井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Central Inc
Original Assignee
Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd filed Critical Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd
Priority to JP2005258225A priority Critical patent/JP2007072116A/en
Publication of JP2007072116A publication Critical patent/JP2007072116A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display that can repair pixel defect failures, without impairing reliability. <P>SOLUTION: A color filter layer 21 is partially removed on a first repair cutting portion 26 and a second repair cutting portion 31, where a main TFT 8 and a pixel electrode 17 can be electrically insulated from each other by irradiation with a laser beam. The color filter layer 21 is partially removed on a repair welding portion 38, where a sub-TFT 36 and the pixel electrode 17 are electrically connected through irradiation with a laser beam. Even if the first repair cutting portion 26, the second repair cutting portion 31 and the repair welding portion 38 are irradiated with a laser beam for repairing at pixel display failure, the color filter layer 21 will not be irradiated with the laser beam. This prevents contamination where a liquid crystal layer is eluted by the impurities from the color filter layer 21 into the liquid crystal layer through irradiation with the laser beam. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が介在された液晶表示装置に関する。   The present invention relates to a liquid crystal display device in which liquid crystal is interposed between an array substrate and a counter substrate.

近年、この種の液晶表示装置などの平面表示装置は、薄型、軽量および低消費電力の特長を生かして、パーソナルコンピュータや、ワードプロセッサ、テレビジョンなどの表示装置として、さらに投影型の表示装置として各種分野で利用されている。そして、これら表示装置の中でも、アクティブマトリクス型の液晶表示装置は、アレイ基板上に複数の画素がマトリクス状に設けられており、これら各画素のそれぞれに画素電極と、これら画素電極にスイッチング素子が電気的に接続されて構成されている。そして、このアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、隣接する画素間でクロストークスのない良好な画像を表示できる点から、盛んに研究や開発がされている。   In recent years, flat display devices such as this type of liquid crystal display device have various features as display devices such as personal computers, word processors, and televisions, and also as projection display devices, taking advantage of thinness, light weight, and low power consumption. Used in the field. Among these display devices, an active matrix type liquid crystal display device has a plurality of pixels provided in a matrix on an array substrate, each of which has a pixel electrode and a switching element in each of these pixel electrodes. It is configured to be electrically connected. This active matrix type liquid crystal display device has been actively researched and developed from the viewpoint that it can display a good image without crosstalk between adjacent pixels.

一般に、このアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板とが所定の間隙を介して近接されて配置されており、これらアレイ基板と対向基板との間の間隙に液晶層が介挿されて保持されている。   In general, in this active matrix type liquid crystal display device, an array substrate and a counter substrate are arranged close to each other with a predetermined gap, and a liquid crystal layer is inserted in the gap between the array substrate and the counter substrate. Being held.

そして、この種の液晶表示装置のアレイ基板は、ガラスなどの透明絶縁基板上に、例えば複数本の信号線と走査線とが絶縁膜を介して格子状に配置されており、これら信号線および走査線にて仕切られた矩形状の領域に、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）などの透明導電材料にて構成された画素電極が設けられている。さらに、これら信号線および走査線の各交点には、各画素電極を制御するスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）が設けられている。そして、これら薄膜トランジスタは、ゲート電極が走査線に電気的に接続されたゲート電極と、信号線に電気的に接続されたドレイン電極と、画素電極に電気的に接続されたソース電極とを備えている。また、対向基板には、ガラスなどの透明絶縁基板上にＩＴＯなどにて構成された対向電極が設けられている。   In an array substrate of this type of liquid crystal display device, for example, a plurality of signal lines and scanning lines are arranged in a grid pattern via an insulating film on a transparent insulating substrate such as glass. A pixel electrode made of a transparent conductive material such as ITO (Indium-Tin-Oxide) is provided in a rectangular region partitioned by scanning lines. Furthermore, a thin film transistor (TFT) is provided at each intersection of the signal line and the scanning line as a switching element for controlling each pixel electrode. The thin film transistors each include a gate electrode whose gate electrode is electrically connected to the scanning line, a drain electrode electrically connected to the signal line, and a source electrode electrically connected to the pixel electrode. Yes. The counter substrate is provided with a counter electrode made of ITO or the like on a transparent insulating substrate such as glass.

さらに、これら液晶表示装置においては、カラーフィルタ層をアレイ基板上に形成することにより高い開口率を確保したり、アレイ基板および対向基板のいずれか上にフォトリソグラフィ技術にてスペーサを形成して、これらアレイ基板と対向基板との間の間隔を保ったりしている（例えば、特許文献１参照。）。   Furthermore, in these liquid crystal display devices, a high aperture ratio is ensured by forming a color filter layer on the array substrate, or a spacer is formed by photolithography technology on either the array substrate or the counter substrate, The space | interval between these array substrates and counter substrates is maintained (for example, refer patent document 1).

ところで、この種の液晶表示装置では、アレイ基板を製造するに際して、信号線あるいは走査線の成膜時に異物が付着したり、露光時に異物が混入したりなどして、これら信号線および走査線などの配線のパターン異常あるいは成膜異常、またはこれらの異常に起因した薄膜トランジスタ不良などによる、画素電極の点欠陥や線欠陥などの画素欠陥不良が生じることがある。この画素欠陥不良は、液晶表示装置の大画面化および大容量化に伴い、製造歩留まりを低下させてしまう。   By the way, in this type of liquid crystal display device, when manufacturing an array substrate, foreign matter adheres at the time of film formation of signal lines or scanning lines, or foreign matter enters at the time of exposure. Pixel defect defects such as point defects and line defects of pixel electrodes may occur due to abnormal wiring patterns or film formation, or thin film transistor defects caused by these abnormalities. This defective pixel defect lowers the manufacturing yield as the liquid crystal display device has a larger screen and a larger capacity.

このため、この画素欠陥不良による液晶表示装置中の表示欠陥部を何らかの手段で電気的に接続させたり絶縁させたりして修復してリペアさせる方法が知られている。特に、液晶表示装置を製造した後の点灯検査で画素欠陥不良が発見されるなどの不良に関しては、この液晶表示装置に対する付加価値が高いので、有効なリペア方法が望まれている。   For this reason, there is known a method of repairing and repairing a display defect portion in the liquid crystal display device due to this pixel defect defect by electrically connecting or insulating it by some means. In particular, regarding a defect such as a pixel defect defect found in a lighting inspection after manufacturing the liquid crystal display device, since an added value to the liquid crystal display device is high, an effective repair method is desired.

そして、この種のリペア方法としては、薄膜トランジスタ不良に関しては、アレイ基板上の薄膜トランジスタに並設させて冗長薄膜トランジスタを予め形成しておき、画素欠陥不良となった場合に外部からレーザ光を照射して薄膜トランジスタと画素電極との電気的な接続を絶縁させるとともに、冗長薄膜トランジスタを画素電極に電気的に接続させて、薄膜トランジスタと冗長薄膜トランジスタとを切り替えて、液晶表示装置の画素欠陥不良をリペアして良点化する方法が知られている（例えば、特許文献２参照。）。   As a repair method of this type, regarding a thin film transistor defect, a redundant thin film transistor is formed in advance by arranging in parallel with the thin film transistor on the array substrate, and when a pixel defect is defective, a laser beam is irradiated from the outside. The electrical connection between the thin film transistor and the pixel electrode is insulated, the redundant thin film transistor is electrically connected to the pixel electrode, the thin film transistor and the redundant thin film transistor are switched, and the defective pixel defect of the liquid crystal display device is repaired. There is a known method (for example, see Patent Document 2).

また、この種のリペア方法としては、液晶表示装置の画素欠陥不良が輝点の場合に、この輝点に外部からレーザ光を照射して、この輝点を目立たない滅点にする方法が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
特開２００４−７７７０１号公報 特開２００３−５０４００号公報 特開２００２−３０３８８１号公報 In addition, as a repair method of this type, there is known a method in which when a defective pixel defect of a liquid crystal display device is a bright spot, the bright spot is irradiated with laser light from the outside to make the bright spot inconspicuous. (For example, see Patent Document 3).
JP 2004-77701 A JP 2003-50400 A JP 2002-303881 A

しかしながら、上述の液晶表示装置のリペア方法では、液晶表示装置の製造後の点灯検査で発見された画素欠陥不良を外部からのレーザ光の照射にて電気的に接続したり切断したりしている。したがって、カラーフィルタ層がアレイ基板上に形成されている液晶表示装置の場合には、このアレイ基板上の信号線や走査線などの配線を電気的に接続したり切断したりする際に、これら配線上に積層されているカラーフィルタ層にもダメージを与えてしまうおそれがある。   However, in the above-described method for repairing a liquid crystal display device, pixel defect defects discovered in a lighting inspection after manufacturing the liquid crystal display device are electrically connected or disconnected by external laser light irradiation. . Therefore, in the case of a liquid crystal display device in which the color filter layer is formed on the array substrate, these wiring lines such as signal lines and scanning lines on the array substrate are electrically connected or disconnected. There is also a possibility that the color filter layer laminated on the wiring may be damaged.

したがって、このカラーフィルタ層にダメージを与えてしまった場合には、このカラーフィルタ層内の不純物や、このカラーフィルタ層がレーザ光の照射にて分解されて生成された分解物が液晶中に飛散してしまい、この液晶を汚染してしまうおそれがあるから、液晶表示装置の信頼性を損なってしまうおそれがあるという問題を有している。   Therefore, when the color filter layer is damaged, impurities in the color filter layer and decomposition products generated by the decomposition of the color filter layer by laser light scattering are scattered in the liquid crystal. As a result, the liquid crystal may be contaminated, and thus the reliability of the liquid crystal display device may be impaired.

本発明は、このような点に鑑みなされたもので、信頼性を損なうことなく画素欠陥不良を修復できる液晶表示装置を提供することを目的とする。   SUMMARY An advantage of some aspects of the invention is that it provides a liquid crystal display device that can repair defective pixel defects without impairing reliability.

本発明は、絶縁基板、この絶縁基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素、これら複数の画素のそれぞれに設けられたスイッチング素子、前記複数の画素のそれぞれに設けられ前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極、およびレーザ光の照射によって前記画素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部を備えたアレイ基板と、このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶とを具備し、前記アレイ基板の絶縁可能部に対向する部分を除いて前記複数の画素に対向して積層されたカラーフィルタ層を備えたものである。   The present invention relates to an insulating substrate, a plurality of pixels provided in a matrix on the insulating substrate, a switching element provided in each of the plurality of pixels, and an electrical connection to the switching element provided in each of the plurality of pixels. And an array substrate having an insulative portion that can insulate the electrical connection between the pixel electrode and the switching element by laser light irradiation, and disposed opposite to the array substrate. A counter substrate, and a liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate, and stacked opposite to the plurality of pixels except for a portion facing the insulable portion of the array substrate. A color filter layer is provided.

また、互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層され、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分が除かれて、この第１の着色層の除かれた部分にこの第１の着色層より前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しにくい前記第２の着色層および第３の着色層のいずれか設けられたカラーフィルタ層を備えたものである。   Further, the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored in mutually different colors, each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer. Are stacked corresponding to a plurality of pixels of the array substrate, and the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer of the first colored layer are likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with the laser beam. The portion of the colored layer facing the insulable portion is removed, and the portion where the first colored layer is removed is less likely to contaminate the liquid crystal by irradiation of the laser light than the first colored layer. A color filter layer provided with either the second colored layer or the third colored layer is provided.

さらに、互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層され、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分に、この第１の着色層より前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しにくい前記第２の着色層および第３の着色層のいずれかが積層されたラーフィルタ層を備えたものである。   Further, the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored in mutually different colors, each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer. Are stacked corresponding to a plurality of pixels of the array substrate, and the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer of the first colored layer are likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with the laser beam. Any one of the second colored layer and the third colored layer, which is less likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with the laser beam than the first colored layer, is formed on a portion of the colored layer facing the insulable portion. A laminated filter layer is provided.

また、互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層されたカラーフィルタ層と、このカラーフィルタ層の前記第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分に積層された絶縁層とを備えたものである。   Further, the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored in mutually different colors, each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer. A color filter layer laminated corresponding to a plurality of pixels of the array substrate, and the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer of the color filter layer are irradiated with the laser light. And an insulating layer laminated on a portion of the first colored layer that easily contaminates the liquid crystal, facing the insulable portion.

そして、レーザ光の照射によって画素電極とスイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部に対向する部分を除いて複数の画素に対向させてカラーフィルタ層を積層させた。この結果、画素欠陥不良が生じた画素の絶縁可能部に向けてレーザ光を照射して、この画素の画素電極とスイッチング素子との電気的な接続を絶縁させても、このレーザ光がカラーフィルタ層に照射されない。したがって、このカラーフィルタ層にレーザ光を照射することによって生じるおそれのある液晶の汚染を防止できるから、信頼性を損なうことなく画素欠陥不良を修復できる。   Then, a color filter layer was laminated so as to face a plurality of pixels except for a portion facing an insulable portion where the electrical connection between the pixel electrode and the switching element can be insulated by laser light irradiation. As a result, even if the laser beam is irradiated toward the insulable portion of the pixel in which the pixel defect is defective, and the electrical connection between the pixel electrode of the pixel and the switching element is insulated, the laser beam is not affected by the color filter. The layer is not irradiated. Therefore, since the contamination of the liquid crystal that may be caused by irradiating the color filter layer with laser light can be prevented, the defective pixel defect can be repaired without impairing the reliability.

また、カラーフィルタ層のレーザ光の照射にて液晶を汚染しやすい第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分を除いて、この第１の着色層の除いた部分に第１の着色層よりレーザ光の照射にて液晶を汚染しにくい第２の着色層および第３の着色層のいずれかを設けたり、この第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分に第２の着色層および第３の着色層のいずれかを積層させたり、この第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分に絶縁層を積層させたりして、画素欠陥不良が生じた画素の絶縁可能部にレーザ光を照射して画素欠陥不良を修復しても、このレーザ光の照射による液晶の汚染を防止できるから、信頼性を損なうことなく画素欠陥不良を修復できる。   Further, except for the portion facing the insulable portion of the first colored layer that easily contaminates the liquid crystal by laser light irradiation of the color filter layer, the first colored layer is removed from the first colored layer. Either the second colored layer or the third colored layer that is less likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with laser light is provided, or the second colored layer is provided on the portion of the first colored layer facing the insulable portion And the third colored layer are laminated, or an insulating layer is laminated on a portion facing the insulable part of the first colored layer, so that the insulable part of the pixel in which the pixel defect is defective is formed. Even if the pixel defect defect is repaired by irradiating the laser beam, the contamination of the liquid crystal due to the laser beam irradiation can be prevented, so that the pixel defect defect can be repaired without impairing the reliability.

本発明によれば、レーザ光の照射にて画素電極とスイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部に対向する部分を除いてカラーフィルタ層を複数の画素に対向させて積層させたことにより、画素欠陥不良が生じた画素の絶縁可能部に向けてレーザ光を照射して、この画素の画素電極とスイッチング素子との電気的な接続を絶縁させても、このレーザ光がカラーフィルタ層に照射されなくなるから、このカラーフィルタ層へのレーザ光の照射にて生じ得る液晶の汚染を防止できるので、信頼性を損なうことなく画素欠陥不良を修復できる。   According to the present invention, the color filter layer is laminated so as to face a plurality of pixels except for a portion facing an insulable portion where the electrical connection between the pixel electrode and the switching element can be insulated by laser light irradiation. As a result, even if the laser beam is irradiated toward the insulable portion of the pixel in which the pixel defect is defective and the electrical connection between the pixel electrode of the pixel and the switching element is insulated, the laser beam is not colored. Since the filter layer is not irradiated, the contamination of the liquid crystal that can be caused by the irradiation of the laser light to the color filter layer can be prevented, so that the defective pixel defect can be repaired without impairing the reliability.

また、カラーフィルタ層のレーザ光の照射にて液晶を汚染しやすい第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分を除いて、この第１の着色層の除いた部分に第１の着色層よりレーザ光の照射にて液晶を汚染しにくい第２の着色層および第３の着色層のいずれかを設けたり、この第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分に第２の着色層および第３の着色層のいずれかを積層させたり、この第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分に絶縁層を積層させたりしても、画素欠陥不良が生じた画素の絶縁可能部へのレーザ光の照射にて生じ得る液晶の汚染を防止できるから、信頼性を損なうことなく画素欠陥不良を修復できる。   Further, except for the portion facing the insulable portion of the first colored layer that easily contaminates the liquid crystal by laser light irradiation of the color filter layer, the first colored layer is removed from the first colored layer. Either the second colored layer or the third colored layer that is less likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with laser light is provided, or the second colored layer is provided on the portion of the first colored layer facing the insulable portion Insulating part of a pixel in which a defective pixel has occurred even if one of the third colored layer and the third colored layer are laminated or an insulating layer is laminated on the part facing the insulable part of the first colored layer Since the liquid crystal can be prevented from being contaminated by the irradiation of the laser beam, the defective pixel can be repaired without impairing the reliability.

以下、本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態の構成を図１ないし図９を参照して説明する。   The configuration of the first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described below with reference to FIGS.

図１ないし図９において、１は液晶表示装置で、この液晶表示装置１は、光を透過させる透過型の液晶表示器としての液晶パネルであって、アクティブマトリクス型の矩形平板状のアレイ基板２を備えている。このアレイ基板２は、アクティブマトリクス基板であって、透光性を有する透明絶縁基板としてのガラス基板３を備えている。そして、このガラス基板３の一主面上の全面には、アンダーコート層４が積層されている。   1 to 9, reference numeral 1 denotes a liquid crystal display device. The liquid crystal display device 1 is a liquid crystal panel as a transmissive liquid crystal display device that transmits light, and is an active matrix type rectangular flat plate array substrate 2. It has. The array substrate 2 is an active matrix substrate and includes a glass substrate 3 as a transparent insulating substrate having translucency. An undercoat layer 4 is laminated on the entire main surface of the glass substrate 3.

このアンダーコート層４上には、図１に示すように、複数本の走査線６と複数本の信号線５とが交差して配線されている。ここで、これら複数本の走査線６は、アレイ基板２の横方向に沿って配線されており、このアレイ基板２の縦方向に向けて等間隔に平行に離間されて設けられている。また、複数本の信号線５は、アレイ基板２の縦方向に沿って配線されており、このアレイ基板２の横方向に向けて等間隔に平行に離間されて設けられている。さらに、これら走査線６および信号線５は、アルミニウムなどの金属層にて形成されており、互いに直角に交差して格子状に配設されている。また、これら走査線６および信号線５との間の互いの交点には、層間絶縁膜７が介在されて電気的に絶縁されている。   On the undercoat layer 4, as shown in FIG. 1, a plurality of scanning lines 6 and a plurality of signal lines 5 are crossed and wired. Here, the plurality of scanning lines 6 are wired along the horizontal direction of the array substrate 2, and are provided in parallel at equal intervals in the vertical direction of the array substrate 2. The plurality of signal lines 5 are wired along the vertical direction of the array substrate 2, and are provided in parallel at equal intervals in the horizontal direction of the array substrate 2. Further, the scanning lines 6 and the signal lines 5 are formed of a metal layer such as aluminum, and are arranged in a lattice shape so as to intersect each other at right angles. Further, an interlayer insulating film 7 is interposed between the scanning lines 6 and the signal lines 5 so as to be electrically insulated.

さらに、これら走査線６と信号線５との各交点の近傍には、画素トランジスタである上面視Ｌ字状のメインＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）８がそれぞれ設けられている。これらメインＴＦＴ８は、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）型であるとともにコプラナ型の薄膜トランジスタを各画素16のスイッチング素子として設けられている。さらに、これらメインＴＦＴ８は、半導体層としてのチャネル領域11、ゲート電極12、ソース電極13およびドレイン電極14のそれぞれを有している。そして、これらメインＴＦＴ８のゲート電極12は、走査線６に対して一体的に形成されて電気的に接続されている。また、これらメインＴＦＴ８のドレイン電極14は、信号線５に対して一体的に形成されて電気的に接続されている。   Further, in the vicinity of each intersection of the scanning line 6 and the signal line 5, an L-shaped main TFT (Thin Film Transistor) 8 as a pixel transistor is provided. These main TFTs 8 are of a polysilicon (p-Si) type and a coplanar type thin film transistor is provided as a switching element of each pixel 16. Further, these main TFTs 8 each have a channel region 11, a gate electrode 12, a source electrode 13, and a drain electrode 14 as semiconductor layers. The gate electrodes 12 of these main TFTs 8 are formed integrally with the scanning line 6 and are electrically connected thereto. Further, the drain electrode 14 of the main TFT 8 is integrally formed and electrically connected to the signal line 5.

また、ガラス基板３上における各走査線６間には、複数本のＣＳ（Capacity Support）線としての補助容量線15が配線されている。これら複数本の補助容量線15は、各走査線６に近接して配線されており、各走査線６に対して平行に設けられている。また、これら複数本の補助容量線15は、各信号線５それぞれに対して直角に交差するように配設されている。さらに、これら複数本の補助容量線15と信号線５との各交点は、層間絶縁膜７が介在されて互いに電気的に絶縁されている。   A plurality of auxiliary capacitance lines 15 as CS (Capacity Support) lines are provided between the scanning lines 6 on the glass substrate 3. The plurality of storage capacitor lines 15 are wired close to each scanning line 6 and are provided in parallel to each scanning line 6. The plurality of auxiliary capacitance lines 15 are arranged so as to intersect each signal line 5 at right angles. Further, the intersections of the plurality of auxiliary capacitance lines 15 and the signal lines 5 are electrically insulated from each other with an interlayer insulating film 7 interposed therebetween.

そして、これら複数本の補助容量線15と複数本の信号線５によって矩形状に仕切られた領域のそれぞれには、画素ドットとしての画素16が設けられている。これら複数の画素16は、アレイ基板２の縦方向および横方向のそれぞれに沿ってガラス基板３上にマトリクス状に形成されている。さらに、これら複数の画素16のそれぞれには、これら複数の画素16のそれぞれに対応してメインＴＦＴ８が設けられている。   A pixel 16 as a pixel dot is provided in each of the regions partitioned into a rectangular shape by the plurality of auxiliary capacitance lines 15 and the plurality of signal lines 5. The plurality of pixels 16 are formed in a matrix on the glass substrate 3 along the vertical direction and the horizontal direction of the array substrate 2. Further, each of the plurality of pixels 16 is provided with a main TFT 8 corresponding to each of the plurality of pixels 16.

さらに、これら画素16内の補助容量線15と信号線５とにて形成される矩形状の領域には、この領域を覆うように細長矩形平板状の画素電極17が積層されている。これら画素電極17は、信号線５と補助容量線15とにて形成された升目状の画素開口にほぼ対応して設けられている。すなわち、これら画素電極17は、各画素16に対応してガラス基板４上にマトリクス状に形成されている。また、これら画素電極17は、補助容量線15および信号線５の間に層間絶縁膜７が介在されて、互いに電気的に絶縁されている。さらに、これら画素電極17は、これら画素電極17が設けられている画素16内のメインＴＦＴ８のソース電極13に電気的に接続されて、このメインＴＦＴ８にて制御される。   Further, in a rectangular region formed by the auxiliary capacitance line 15 and the signal line 5 in these pixels 16, a pixel electrode 17 having an elongated rectangular flat plate shape is laminated so as to cover this region. The pixel electrodes 17 are provided substantially corresponding to the cell-like pixel openings formed by the signal lines 5 and the auxiliary capacitance lines 15. That is, these pixel electrodes 17 are formed in a matrix on the glass substrate 4 corresponding to each pixel 16. Further, the pixel electrodes 17 are electrically insulated from each other with an interlayer insulating film 7 interposed between the auxiliary capacitance line 15 and the signal line 5. Further, the pixel electrodes 17 are electrically connected to the source electrode 13 of the main TFT 8 in the pixel 16 in which the pixel electrodes 17 are provided, and are controlled by the main TFT 8.

さらに、これら画素電極17の長手方向の一端部には、補助容量線15上に矩形平板状に突出した延在部18が一体的に形成されている。この延在部18は、アレイ基板２の縦方向に沿った画素電極17の一端部に一体的に形成されており、この画素電極17の幅寸法より小さな幅寸法を有する矩形平板状に形成されている。具体的に、この延在部18は、画素電極17中のメインＴＦＴ８近傍の一端側で補助容量線15に重なる一端側の縁部であるとともに、この画素電極17の信号線５から離間された中間部が、この補助容量線15の幅方向の中央部を越えて延在されて形成されている。   Further, at one end of the pixel electrode 17 in the longitudinal direction, an extending portion 18 protruding in a rectangular flat plate shape is integrally formed on the auxiliary capacitance line 15. The extending portion 18 is formed integrally with one end portion of the pixel electrode 17 along the longitudinal direction of the array substrate 2, and is formed in a rectangular flat plate shape having a width dimension smaller than the width dimension of the pixel electrode 17. ing. Specifically, the extending portion 18 is an edge portion on one end side that overlaps the auxiliary capacitance line 15 on one end side in the vicinity of the main TFT 8 in the pixel electrode 17 and is separated from the signal line 5 of the pixel electrode 17. The intermediate portion is formed so as to extend beyond the central portion of the auxiliary capacitance line 15 in the width direction.

そして、この延在部18には、導電性を有する島状金属パターンとしてのリペア電極19が、このリペア電極19上に積層されたカラーフィルタ層21を介して、このカラーフィルタ層21の下層側に積層されて重ね合わされている。さらに、この延在部18は、カラーフィルタ層21を貫いて貫通したコンタクトホール22を介してリペア電極19に電気的に接続されて互いに導通されている。   In the extended portion 18, a repair electrode 19 as an island-like metal pattern having conductivity is provided on the lower layer side of the color filter layer 21 via the color filter layer 21 laminated on the repair electrode 19. Are stacked on top of each other. Further, the extending portion 18 is electrically connected to the repair electrode 19 through a contact hole 22 penetrating through the color filter layer 21 and is electrically connected to each other.

ここで、リペア電極19は、アルミニウムなどの金属層にて形成されている。そして、このリペア電極19は、このリペア電極19のメインＴＦＴ８近傍側の一端部から画素開口中にＬ字状に延びて突出した配線パターンであるＬ字状延在部23を有している。このＬ字状延在部23は、信号線５の長手方向に沿った長手方向を有する根元側線状部24と、この根元側線状部24の先端部から走査線６の長手方向に向けて直角に折り曲げられてメインＴＦＴ８から離れる方向に向けて延出させた先端側線状部25とを備えている。具体的に、根元側線状部24は、リペア電極19の幅方向のメインＴＦＴ８寄りの一端側から信号線５に沿って直線状に突出している。また、先端側線状部25は、リペア電極19の一端部から離間されており、このリペア電極19の幅方向に沿った長手方向を有している。   Here, the repair electrode 19 is formed of a metal layer such as aluminum. The repair electrode 19 has an L-shaped extending portion 23 which is a wiring pattern protruding from the one end portion of the repair electrode 19 near the main TFT 8 in an L shape into the pixel opening. The L-shaped extending portion 23 has a root-side linear portion 24 having a longitudinal direction along the longitudinal direction of the signal line 5 and a right angle from the distal end portion of the root-side linear portion 24 toward the longitudinal direction of the scanning line 6. And a distal-end-side linear portion 25 that is bent toward the main TFT 8 and extended in a direction away from the main TFT 8. Specifically, the root-side linear portion 24 protrudes linearly along the signal line 5 from one end side near the main TFT 8 in the width direction of the repair electrode 19. Further, the distal end side linear portion 25 is separated from one end portion of the repair electrode 19 and has a longitudinal direction along the width direction of the repair electrode 19.

そして、この先端側線状部25の中間部には、この先端側線状部25の中間部が電気的に絶縁可能、すなわち切断リペア可能な絶縁可能部としての補修部である第１のリペア切断部26が設けられている。この第１のリペア切断部26は、リペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25に設けられている各コンタクトホール28,42間であるとともに、これらコンタクトホール28,42のそれぞれから離間された中間部に設けられている。さらに、この第１のリペア切断部26は、この第１のリペア切断部26への外部からのレーザ光としてのレーザビームの照射によって、リペア電極19の先端側線状部25の中間部を溶解させて、この先端側線状部25の電気的な接続を切断させる。言い換えると、この第１のリペア切断部26は、外部からのレーザビームの照射によって先端側線状部25の中間部を切断させて電気的に絶縁させ、メインＴＦＴ８と画素電極17との電気的な接続を絶縁させる。さらに、この第１のリペア切断部26は、補助容量電極39とリペア電極19との電気的な接続をも断ち切れるように構成されている。よって、この第１のリペア切断部26は、何らかの原因でメインＴＦＴ８が破損してこのメインＴＦＴ８が設けられている画素が画素表示不良である画素欠陥不良となった場合に、外部からレーザビームを照射してこのメインＴＦＴ８による各画素16の画素電極17の制御を不能にさせて、この画素16の画素欠陥不良を補修させてリペアさせる。   And the intermediate part of this front end side linear part 25 is a first repair cutting part which is a repair part as an insulable part that can be electrically insulated, that is, can be cut and repaired. 26 is provided. The first repair cutting portion 26 is between the contact holes 28 and 42 provided in the distal end side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19, and between the contact holes 28 and 42. It is provided in the intermediate part spaced apart from each. Further, the first repair cutting part 26 dissolves the intermediate part of the linear part 25 on the front end side of the repair electrode 19 by irradiating the first repair cutting part 26 with a laser beam as a laser beam from the outside. Thus, the electrical connection of the distal end side linear portion 25 is disconnected. In other words, the first repair cutting portion 26 cuts the middle portion of the tip-side linear portion 25 by external laser beam irradiation to electrically insulate the main TFT 8 and the pixel electrode 17 from each other. Insulate the connection. Further, the first repair cutting unit 26 is configured to cut off the electrical connection between the auxiliary capacitance electrode 39 and the repair electrode 19. Therefore, the first repair cutting unit 26 irradiates the laser beam from the outside when the main TFT 8 is damaged for some reason and the pixel provided with the main TFT 8 becomes a pixel defect which is a pixel display defect. Irradiation is performed to disable control of the pixel electrode 17 of each pixel 16 by the main TFT 8, and the defective pixel defect of the pixel 16 is repaired and repaired.

さらに、リペア電極19のＬ字状延在部23の折り曲がった交点である根元側線状部24と先端側線状部25との接続部分は、層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜27を貫通したコンタクトホール28とメインＴＦＴ８のソース電極13から延出されたポリシリコン層の配線部29とを介して、このメインＴＦＴ８のソース電極13に電気的に接続されている。ここで、この配線部29は、メインＴＦＴ８のソース電極13に対して一体的に形成されているとともに、信号線５の長手方向に沿った長手方向を有する直線状に形成されている。したがって、画素電極17は、リペア電極19および配線部29を介してメインＴＦＴ８のソース電極13に電気的に接続されている。   Further, the connecting portion between the root-side linear portion 24 and the tip-side linear portion 25 that is the bent intersection of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19 is a contact penetrating the interlayer insulating film 7 and the gate insulating film 27. The hole is electrically connected to the source electrode 13 of the main TFT 8 through the wiring portion 29 of the polysilicon layer extended from the source electrode 13 of the main TFT 8. Here, the wiring portion 29 is formed integrally with the source electrode 13 of the main TFT 8 and is formed in a linear shape having a longitudinal direction along the longitudinal direction of the signal line 5. Accordingly, the pixel electrode 17 is electrically connected to the source electrode 13 of the main TFT 8 via the repair electrode 19 and the wiring portion 29.

そして、この配線部29の走査線６よりリペア電極19側の部分には、この配線部29が電気的に絶縁可能な絶縁可能部としての補修部である第２のリペア切断部31が設けられている。この第２のリペア切断部31は、配線部29の走査線６とリペア電極19の根元側線状部24との間に設けられている。さらに、この第２のリペア切断部31は、第１のリペア切断部26と同様に構成されており、この第２のリペア切断部31への外部からのレーザビームの照射によって、配線部29を溶解させて、この配線部29によるリペア電極19を介した画素電極17とメインＴＦＴ８のソース電極13との電気的な接続を切断して絶縁させる。すなわち、この第２のリペア切断部31は、メインＴＦＴ８とリペア電極19および画素電極17との間の電気的な接続を断ち切れるように構成されている。よって、この第２のリペア切断部31は、何らかの原因でメインＴＦＴ８が破損してこのメインＴＦＴ８が設けられている画素16が画素欠陥不良となった場合に、外部からレーザビームを照射してこのメインＴＦＴ８による各画素16の画素電極17の制御を不能にさせて、この画素16の画素欠陥不良を補修させてリペアさせる。   Further, a second repair cutting portion 31 that is a repairable portion as an insulable portion that can electrically insulate the wiring portion 29 is provided on the portion of the wiring portion 29 closer to the repair electrode 19 than the scanning line 6. ing. The second repair cutting portion 31 is provided between the scanning line 6 of the wiring portion 29 and the root-side linear portion 24 of the repair electrode 19. Further, the second repair cutting unit 31 is configured in the same manner as the first repair cutting unit 26. By irradiating the second repair cutting unit 31 with a laser beam from the outside, the wiring unit 29 is changed. By melting, the electrical connection between the pixel electrode 17 and the source electrode 13 of the main TFT 8 through the repair electrode 19 by the wiring portion 29 is cut and insulated. That is, the second repair cutting section 31 is configured to cut off the electrical connection between the main TFT 8 and the repair electrode 19 and the pixel electrode 17. Therefore, the second repair cutting unit 31 irradiates a laser beam from the outside when the main TFT 8 is damaged for some reason and the pixel 16 provided with the main TFT 8 becomes defective in pixel. The control of the pixel electrode 17 of each pixel 16 by the main TFT 8 is disabled, and the defective pixel defect of the pixel 16 is repaired and repaired.

また、このメインＴＦＴ８のドレイン電極14は、ポリシリコン層にて構成された細長帯状の配線パターンであるポリシリコン配線32に一体的に電気的に接続されている。このポリシリコン配線32は、走査線６の長手方向に沿った長手方向を有し、近接する信号線５側に向けて突出した直線状の根元側配線部33と、この根元側配線部33の先端部に一体的に接続され信号線５下でこの信号線５の長手方向に沿った長手方向を有する直線状の先端側配線部34とを備えている。この先端側配線部34は、信号線５の下方に積層されており、この信号線５の領域下でゲート絶縁膜27および層間絶縁膜７を貫通したコンタクトホール35を介して信号線５に電気的に接続されている。   The drain electrode 14 of the main TFT 8 is electrically connected integrally to a polysilicon wiring 32 which is a strip-like wiring pattern formed of a polysilicon layer. The polysilicon wiring 32 has a longitudinal direction along the longitudinal direction of the scanning line 6, and a linear root-side wiring portion 33 projecting toward the adjacent signal line 5, and the root-side wiring portion 33. And a linear distal end side wiring portion 34 which is integrally connected to the distal end portion and has a longitudinal direction along the longitudinal direction of the signal line 5 under the signal line 5. The leading end wiring portion 34 is stacked below the signal line 5, and is electrically connected to the signal line 5 through a contact hole 35 penetrating the gate insulating film 27 and the interlayer insulating film 7 below the signal line 5. Connected.

さらに、このコンタクトホール35は、メインＴＦＴ８から離れた位置に設けられている。そして、先端側配線部34は、コンタクトホール35から近接する走査線６に向けて信号線５に沿って延出している。さらに、根元側配線部33は、先端側配線部34をメインＴＦＴ８のところで走査線６の長手方向に向けて折り曲げて構成されている。   Further, the contact hole 35 is provided at a position away from the main TFT 8. The distal end side wiring section 34 extends along the signal line 5 from the contact hole 35 toward the adjacent scanning line 6. Further, the root side wiring part 33 is configured by bending the tip side wiring part 34 toward the longitudinal direction of the scanning line 6 at the main TFT 8.

また、メインＴＦＴ８は、トップゲート型の薄膜トランジスタであって、走査線６とこの走査線６の一側縁からメインＴＦＴ８側に向けて直線状に突出した枝状延出部30とで構成された各ゲート電極12が、メインＴＦＴ８のソース電極13とそれぞれ交差して配線されている。さらに、このソース電極13がゲート電極12に重なる部分には、半導体層としての活性層であるチャネル領域11がそれぞれ形成されている。これらチャネル領域11は、ドレイン電極14とソース電極13とのそれぞれに電気的に接続されている。   The main TFT 8 is a top gate type thin film transistor, and is composed of a scanning line 6 and a branch-like extending portion 30 protruding linearly from one side edge of the scanning line 6 toward the main TFT 8 side. Each gate electrode 12 is wired so as to intersect with the source electrode 13 of the main TFT 8. Further, in the portion where the source electrode 13 overlaps the gate electrode 12, a channel region 11 which is an active layer as a semiconductor layer is formed. These channel regions 11 are electrically connected to the drain electrode 14 and the source electrode 13, respectively.

一方、アレイ基板２の各画素16には、メインＴＦＴ８に並列されてサブＴＦＴ36が設けられている。このサブＴＦＴ36は、メインＴＦＴ８と同様に構成されており、各画素16内のメインＴＦＴ８と信号線５との間に設けられている。さらに、このサブＴＦＴ36は、画素電極17に対して機械的に接続されているが、この画素電極17に対して電気的に接続されていない。そして、このサブＴＦＴ36のドレイン電極14は、このドレイン電極14のポリシリコン配線32の先端側配線部34をメインＴＦＴ８側に向けて直角に折り曲げて延出させてコンタクトホール35を介してメインＴＦＴ８のドレイン電極14のポリシリコン配線32の先端側配線部34に一体的に電気的に接続されている。   On the other hand, each pixel 16 of the array substrate 2 is provided with a sub-TFT 36 in parallel with the main TFT 8. The sub-TFT 36 is configured in the same manner as the main TFT 8, and is provided between the main TFT 8 and the signal line 5 in each pixel 16. Further, the sub TFT 36 is mechanically connected to the pixel electrode 17, but is not electrically connected to the pixel electrode 17. The drain electrode 14 of the sub-TFT 36 is formed by bending and extending the distal end side wiring portion 34 of the polysilicon wiring 32 of the drain electrode 14 toward the main TFT 8 side at a right angle to the main TFT 8 through the contact hole 35. The drain electrode 14 is electrically connected integrally to the leading end side wiring portion 34 of the polysilicon wiring 32.

さらに、このサブＴＦＴ36のソース電極13に電気的に接続された配線部29は、リペア電極19のサブＴＦＴ36側の一端縁から一体的に突出した延出部としてのリペア片部37の下方に対向して配線されている。すなわち、このサブＴＦＴ36の配線部29は、層間絶縁膜７にてリペア片部37から電気的に絶縁されており、このリペア片部37に電気的ではなく層間絶縁膜７を介して機械的に接触しているに過ぎない。ここで、これらサブＴＦＴ36の配線部29とリペア電極19のリペア片部37とによってレーザリペア溶接が可能なリペア溶接部38が構成されている。   Further, the wiring portion 29 electrically connected to the source electrode 13 of the sub-TFT 36 is opposed to the lower side of the repair piece portion 37 as an extension portion integrally projecting from one end edge of the repair electrode 19 on the sub-TFT 36 side. Are wired. That is, the wiring portion 29 of the sub-TFT 36 is electrically insulated from the repair piece 37 by the interlayer insulating film 7, and mechanically via the interlayer insulating film 7 instead of being electrically connected to the repair piece 37. They are just touching. Here, a repair weld portion 38 capable of laser repair welding is constituted by the wiring portion 29 of the sub TFT 36 and the repair piece portion 37 of the repair electrode 19.

このリペア溶接部38は、リペア接続部としての補修部であって、外部からのレーザビームの照射によって配線部29をリペア片部37とともに溶融させて、これら配線部29とリペア片部37とを溶接して電気的に接続させる。すなわち、このリペア溶接部38は、何らかの原因でメインＴＦＴ８が破損してこのメインＴＦＴ８が設けられている画素16が画素欠陥不良となった場合に、外部からレーザビームを照射してこのメインＴＦＴ８の代わりにサブＴＦＴ36にて各画素16の画素電極17を制御可能とさせて、この画素16の画素欠陥不良を補修してリペアして防止させる。また、このリペア溶接部38は、リペア接続が可能な領域であって、サブＴＦＴ36の配線部29の走査線６よりリペア電極19側に設けられているとともに、この走査線６のリペア電極19側に沿って設けられている。   This repair welded portion 38 is a repair portion as a repair connecting portion, and melts the wiring portion 29 together with the repair piece portion 37 by irradiation of a laser beam from the outside, and the wiring portion 29 and the repair piece portion 37 are joined together. Weld and make electrical connection. That is, when the main TFT 8 is damaged for some reason and the pixel 16 provided with the main TFT 8 becomes defective in pixel defect, the repair welded portion 38 irradiates a laser beam from the outside to irradiate the main TFT 8. Instead, the pixel electrode 17 of each pixel 16 can be controlled by the sub-TFT 36, and the defective pixel defect of the pixel 16 is repaired and repaired. The repair weld 38 is a region where repair connection is possible, and is provided on the repair electrode 19 side of the scanning line 6 of the wiring part 29 of the sub-TFT 36, and the repair electrode 19 side of the scanning line 6. It is provided along.

さらに、補助容量線15の各信号線５にて挟まれた部分には、矩形平板状のポリシリコンパターンが形成されて補助容量電極39が設けられている。この補助容量電極39は、図２に示すように、ゲート絶縁膜27を介して補助容量線15の下方に積層されている。また、この補助容量電極39は、各画素16内の走査線６側に向けて線状に突出した線状延在部41を有している。この線状延在部41は、補助容量電極39の走査線６側の一側縁からこの走査線６側に向けて垂直に突出しており、各画素開口中に突出している。そして、この線状延在部41の先端部は、ゲート絶縁膜27および層間絶縁膜７を貫通したコンタクトホール42を介してリペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の先端部に重ねられて導通されている。すなわち、この線状延在部41の先端部は、コンタクトホール42を介して先端側線状部25の先端部に電気的に接続されている。よって、補助容量電極39は、リペア電極19を介して画素電極17に電気的に接続されており、このリペア電極19とともに補助容量を形成する。   Further, a rectangular plate-like polysilicon pattern is formed on a portion sandwiched between the signal lines 5 of the auxiliary capacitance line 15 and an auxiliary capacitance electrode 39 is provided. As shown in FIG. 2, the auxiliary capacitance electrode 39 is laminated below the auxiliary capacitance line 15 with the gate insulating film 27 interposed therebetween. The auxiliary capacitance electrode 39 has a linearly extending portion 41 protruding linearly toward the scanning line 6 side in each pixel 16. The linear extending portion 41 protrudes vertically from one side edge of the auxiliary capacitance electrode 39 on the scanning line 6 side toward the scanning line 6 side, and protrudes into each pixel opening. The leading end of the linear extending portion 41 is connected to the leading end side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19 through a contact hole 42 penetrating the gate insulating film 27 and the interlayer insulating film 7. It is superposed on the tip and conducted. That is, the distal end portion of the linear extending portion 41 is electrically connected to the distal end portion of the distal end side linear portion 25 through the contact hole 42. Therefore, the auxiliary capacitance electrode 39 is electrically connected to the pixel electrode 17 via the repair electrode 19, and forms an auxiliary capacitance together with the repair electrode 19.

さらに、アレイ基板２のガラス基板３の周縁には、このガラス基板３上の各画素16を覆うように、遮光膜としての図示しないブラックマトリクスが設けられている。このブラックマトリクスは、アレイ基板２のガラス基板３上の画素16がマトリクス状に配列されて設けられている画素配列領域内には設けられておらず、この画素配列領域の周辺に設けられている。   Further, a black matrix (not shown) as a light shielding film is provided on the periphery of the glass substrate 3 of the array substrate 2 so as to cover each pixel 16 on the glass substrate 3. This black matrix is not provided in the pixel arrangement area where the pixels 16 on the glass substrate 3 of the array substrate 2 are arranged in a matrix, but is provided around the pixel arrangement area. .

一方、図２に示すように、アレイ基板２のアンダーコート層４上には、配線部29、ポリシリコン配線32および補助容量電極39が積層されているとともに、メインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36それぞれのチャネル領域11、ソース電極13およびドレイン電極14が積層されている。ここで、これら配線部29、ポリシリコン配線32、ソース電極13およびドレイン電極14のそれぞれは、アルミニウムなどの同一の金属層で同一工程で同時に形成されている。   On the other hand, as shown in FIG. 2, a wiring portion 29, a polysilicon wiring 32 and an auxiliary capacitance electrode 39 are laminated on the undercoat layer 4 of the array substrate 2, and the channel regions of the main TFT 8 and the sub TFT 36 respectively. 11, the source electrode 13 and the drain electrode 14 are laminated. Here, each of the wiring portion 29, the polysilicon wiring 32, the source electrode 13 and the drain electrode 14 is simultaneously formed in the same process using the same metal layer such as aluminum.

さらに、これら配線部29、ポリシリコン配線32、チャネル領域11、ソース電極13およびドレイン電極14を含むアンダーコート層４上には、ゲート絶縁膜27が積層されて設けられている。そして、このゲート絶縁膜27上のチャネル領域11に対向する位置には、ゲート電極12および走査線６が積層されている。これらゲート電極12および走査線６は、同一材料および同一工程で同時に形成されている。   Further, a gate insulating film 27 is laminated on the undercoat layer 4 including the wiring portion 29, the polysilicon wiring 32, the channel region 11, the source electrode 13 and the drain electrode 14. A gate electrode 12 and a scanning line 6 are stacked at a position on the gate insulating film 27 facing the channel region 11. The gate electrode 12 and the scanning line 6 are formed at the same time using the same material and the same process.

また、これらゲート電極12および走査線６を含むゲート絶縁膜27上には、層間絶縁膜７が積層されて設けられている。そして、この層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜27には、これら層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜27のそれぞれを貫通したコンタクトホール28,35,42がそれぞれ設けられている。このコンタクトホール28は、メインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29に貫通している。また、コンタクトホール35は、ポリシリコン配線32の先端側配線部34に貫通している。さらに、コンタクトホール42は、補助容量電極39の線状延在部41の先端部に貫通している。   An interlayer insulating film 7 is laminated on the gate insulating film 27 including the gate electrode 12 and the scanning line 6. The interlayer insulating film 7 and the gate insulating film 27 are provided with contact holes 28, 35, and 42 that penetrate the interlayer insulating film 7 and the gate insulating film 27, respectively. The contact hole 28 penetrates the wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8. Further, the contact hole 35 penetrates the leading end side wiring portion 34 of the polysilicon wiring 32. Further, the contact hole 42 penetrates the tip end portion of the linearly extending portion 41 of the auxiliary capacitance electrode 39.

そして、コンタクトホール28を含む層間絶縁膜７上にリペア電極19が積層されており、コンタクトホール35を含む層間絶縁膜７上に信号線５が積層されている。したがって、これらリペア電極19および信号線５は、同一材料および同一工程で同時に形成されている。さらに、これらリペア電極19および信号線５を含む層間絶縁膜７上には、カラーフィルタ層21が積層されて設けられている。そして、このカラーフィルタ層21上には、画素電極17が積層されて設けられており、この画素電極17上には、配向膜44が積層されて設けられている。そして、このカラーフィルタ層21は、厚型樹脂膜としての平坦化膜として構成されており、メインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36を含む層間絶縁膜７上に積層されている。さらに、このカラーフィルタ層21には、液晶層43中の液晶組成物の駆動に有害な不純物、例えば芳香族カルボン酸、脂肪酸、アミン類、あるいはこれらをハロゲン類で置換したものなどを含んでいる。   A repair electrode 19 is stacked on the interlayer insulating film 7 including the contact hole 28, and the signal line 5 is stacked on the interlayer insulating film 7 including the contact hole 35. Therefore, the repair electrode 19 and the signal line 5 are simultaneously formed by the same material and the same process. Further, a color filter layer 21 is laminated on the interlayer insulating film 7 including the repair electrode 19 and the signal line 5. A pixel electrode 17 is provided on the color filter layer 21 and a alignment film 44 is provided on the pixel electrode 17. The color filter layer 21 is configured as a planarizing film as a thick resin film, and is laminated on the interlayer insulating film 7 including the main TFT 8 and the sub TFT 36. Further, the color filter layer 21 contains impurities harmful to the driving of the liquid crystal composition in the liquid crystal layer 43, such as aromatic carboxylic acids, fatty acids, amines, or those substituted with halogens. .

ここで、このカラーフィルタ層21は、少なくとも２色以上である１組の色単位、例えば緑（Green:Ｇ）色の第１の着色層である緑色層としての緑色フィルタ部21gと、赤（Red:Ｒ）色の第２の着色層である赤色層としての赤色フィルタ部21rと、青（Blue:Ｂ）色の着色層である第３の青色層としての青色フィルタ部21bとの３つのドットがガラス基板３の縦方向および横方向のそれぞれに向けて繰り返し配置されて構成されている。   Here, the color filter layer 21 includes a green filter portion 21g as a green layer that is a first colored layer of at least two colors, for example, a first colored layer of green (Green: G), and red ( The red filter part 21r as a red layer which is a second colored layer of Red: R) and the blue filter part 21b as a third blue layer which is a blue (Blue: B) colored layer The dots are repeatedly arranged in the vertical direction and the horizontal direction of the glass substrate 3.

すなわち、これら赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bは、互いに異なる色に着色されている。そして、緑色フィルタ部21gは、この緑色フィルタ部21g以外の赤色フィルタ部21rおよび青色フィルタ部21bに比べ、レーザビームの照射にて液晶層43を最も汚染しやすい。言い換えると、これら赤色フィルタ部21rおよび青色フィルタ部21bは、緑色フィルタ部21gに比べ、レーザビームの照射にて液晶層43を汚染しにくい。   That is, the red filter part 21r, the green filter part 21g, and the blue filter part 21b are colored in mutually different colors. The green filter portion 21g is most likely to contaminate the liquid crystal layer 43 by laser beam irradiation, compared to the red filter portion 21r and the blue filter portion 21b other than the green filter portion 21g. In other words, the red filter portion 21r and the blue filter portion 21b are less likely to contaminate the liquid crystal layer 43 by laser beam irradiation than the green filter portion 21g.

そして、これら赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bは、アレイ基板２の各画素16に対応するようにガラス基板３上にマトリクス状に形成されている。すなわち、これら赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bのそれぞれは、アレイ基板２の各画素16の大きさに略等しい平面視矩形状に形成されている。よって、これら複数の赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bは、アレイ基板２に対向基板51を対向させた際に、このアレイ基板２の各画素16に対応して対向するように設けられている。   The red filter portion 21r, the green filter portion 21g, and the blue filter portion 21b are formed in a matrix on the glass substrate 3 so as to correspond to each pixel 16 of the array substrate 2. That is, each of the red filter portion 21r, the green filter portion 21g, and the blue filter portion 21b is formed in a rectangular shape in plan view substantially equal to the size of each pixel 16 of the array substrate 2. Accordingly, when the counter substrate 51 is opposed to the array substrate 2, the plurality of red filter portions 21r, green filter portion 21g, and blue filter portion 21b are opposed to each other corresponding to each pixel 16 of the array substrate 2. Is provided.

さらに、リペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25上には、画素電極17およびカラーフィルタ層21のそれぞれを貫通して、この先端側線状部25を露出させる第１のリペア切断部26が設けられている。そして、この第１のリペア切断部26には、この第１のリペア切断部26上に位置する画素電極17およびカラーフィルタ層21を部分的に除いて貫通させた円筒状の第１の空隙部45が設けられている。この第１の空隙部45は、画素電極17およびカラーフィルタ層21それぞれの第１のリペア切断部26に対向する部分が除かれて構成されている。言い換えると、この第１の空隙部45は、画素電極およびカラーフィルタ層21の第１のリペア切断部26に対向する部分が除去されて設けられている。   Further, on the distal end side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19, the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 are respectively penetrated to expose the distal end side linear portion 25. A repair cutting unit 26 is provided. The first repair cutting portion 26 includes a cylindrical first gap portion that is partially penetrated by removing the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 located on the first repair cutting portion 26. 45 is provided. The first gap 45 is formed by removing a portion of the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 that faces the first repair cut portion 26. In other words, the first gap portion 45 is provided by removing a portion of the pixel electrode and the color filter layer 21 that faces the first repair cut portion 26.

そして、この第１の空隙部45は、アレイ基板２の表面側に向けて垂直に拡開した円筒状に形成されており、第１のリペア切断部26にレーザビームを照射してリペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25を電気的に切断させた際に、カラーフィルタ層21中の不純物が液晶層43に溶出して、この液晶層43を汚染してしまうことを防止する。さらに、この第１の空隙部45は、コンタクトホール28とコンタクトホール42との間の幅寸法より小さな長手寸法を有するとともに、リペア電極19のＬ字状延在部の先端側線状部25の幅寸法より大きな幅寸法を有する平面視矩形状に形成されている。   The first gap 45 is formed in a cylindrical shape that expands vertically toward the surface side of the array substrate 2, and the repair electrode 19 is irradiated with a laser beam on the first repair cutting portion 26. When the tip-side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 is electrically cut, impurities in the color filter layer 21 are eluted into the liquid crystal layer 43 to contaminate the liquid crystal layer 43. To prevent. Further, the first gap portion 45 has a longitudinal dimension smaller than the width dimension between the contact hole 28 and the contact hole 42, and the width of the distal end side linear portion 25 of the L-shaped extending portion of the repair electrode 19. It is formed in a rectangular shape in plan view having a width dimension larger than the dimension.

また、ソース電極13の配線部29上には、配向膜44、画素電極17、カラーフィルタ層21のそれぞれを貫通して配線部29を露出させる第２のリペア切断部31が設けられている。この第２のリペア切断部31には、この第２のリペア切断部31上に位置する、画素電極17およびカラーフィルタ層21を部分的に除いて貫通させた円筒状の第２の空隙部46が設けられている。この第２の空隙部46は、画素電極17およびカラーフィルタ層21の第２のリペア切断部31に対向する部分が除かれて構成されている。   Further, a second repair cutting portion 31 that exposes the wiring portion 29 through each of the alignment film 44, the pixel electrode 17, and the color filter layer 21 is provided on the wiring portion 29 of the source electrode 13. The second repair cutting portion 31 includes a cylindrical second void portion 46 that is located on the second repair cutting portion 31 and penetrates the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 except for a part thereof. Is provided. The second gap 46 is formed by removing a portion of the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 that faces the second repair cut portion 31.

そして、この第２の空隙部46は、第１の空隙部45と同様に、アレイ基板２の表面側に向けて垂直に拡開した円筒状に形成されており、第２のリペア切断部31にレーザビームを照射してメインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29を電気的に切断させた際に、カラーフィルタ層21中の不純物が液晶層43に溶出して、この液晶層43を汚染してしまうことを防止する。さらに、この第２の空隙部46は、リペア電極19と走査線６との間よりも小さな長手寸法を有するとともに、配線部29の幅寸法より大きな幅寸法を有する細長矩形状に形成されている。   Similarly to the first gap 45, the second gap 46 is formed in a cylindrical shape that expands vertically toward the surface side of the array substrate 2, and the second repair cutting portion 31. When the wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8 is electrically cut by irradiating the laser beam to the impurity, impurities in the color filter layer 21 are eluted into the liquid crystal layer 43 to contaminate the liquid crystal layer 43. To prevent it. Further, the second gap portion 46 is formed in an elongated rectangular shape having a longitudinal dimension smaller than that between the repair electrode 19 and the scanning line 6 and having a width dimension larger than the width dimension of the wiring part 29. .

さらに、リペア電極19の線状延在部41上には、画素電極17およびカラーフィルタ層21のそれぞれを貫通して線状延在部41を露出させるリペア溶接部38が設けられている。このリペア溶接部38には、このリペア溶接部38上に位置する画素電極17およびカラーフィルタ層21を部分的に除いて貫通させた円筒状の第３の空隙部47が設けられている。この第３の空隙部47は、画素電極17およびカラーフィルタ層21のリペア溶接部38に対向する部分が除かれて構成されている。そして、この第３の空隙部47は、第１の空隙部45と同様に、アレイ基板２の表面側に向けて垂直に拡開した円筒状に形成されている。   Further, a repair weld 38 is provided on the linear extension 41 of the repair electrode 19 so as to penetrate the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 and expose the linear extension 41. The repair welded portion 38 is provided with a cylindrical third gap portion 47 that is partially penetrated by removing the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 located on the repair welded portion 38. The third gap 47 is configured by removing a portion of the pixel electrode 17 and the color filter layer 21 that faces the repair weld 38. The third gap 47 is formed in a cylindrical shape that expands vertically toward the surface side of the array substrate 2, similarly to the first gap 45.

さらに、この第３の空隙部47は、リペア溶接部38にレーザビームを照射してサブＴＦＴ36のソース電極13をリペア電極19の線状延在部41の先端部に溶接させて電気的に接続させた際に、カラーフィルタ層21中の不純物が液晶層43に溶出して、この液晶層43を汚染してしまうことを防止する。具体的に、この第３の間隙部47は、走査線６よりもリペア電極19側に設けられているとともに、このリペア電極19のリペア片部37の幅寸法より大きな幅寸法を有する矩形状に形成されている。   Further, the third gap 47 is electrically connected by irradiating the repair weld 38 with a laser beam to weld the source electrode 13 of the sub-TFT 36 to the tip of the linear extension 41 of the repair electrode 19. In this case, impurities in the color filter layer 21 are prevented from being eluted into the liquid crystal layer 43 and contaminating the liquid crystal layer 43. Specifically, the third gap portion 47 is provided on the repair electrode 19 side with respect to the scanning line 6 and has a rectangular shape having a width dimension larger than the width dimension of the repair piece portion 37 of the repair electrode 19. Is formed.

一方、アレイ基板２上には、矩形平板状の対向基板51が対向して配設されている。この対向基板51は、矩形平板状の透明絶縁基板としてのガラス基板52を備えており、このガラス基板52の一主面である表面上には、このガラス基板52の表面の略全体に亘って共通電極としての対向電極53が積層されて設けられている。さらに、この対向電極53の表面上には、この対向電極53の表面の略全体を覆って配向膜54が積層されて設けられている。   On the other hand, a rectangular flat plate-like counter substrate 51 is disposed on the array substrate 2 so as to face each other. The counter substrate 51 includes a glass substrate 52 as a rectangular flat transparent insulating substrate. On the surface that is one main surface of the glass substrate 52, the entire surface of the glass substrate 52 is covered. A counter electrode 53 as a common electrode is provided by being laminated. Further, an alignment film 54 is laminated on the surface of the counter electrode 53 so as to cover substantially the entire surface of the counter electrode 53.

そして、対向基板51の配向膜54をアレイ基板２の配向膜44に対向させた状態で、これらアレイ基板２および対向基板51が、図示しないスペーサを介してシール材にてシールされて組み合わされている。ここで、このスペーサは、アレイ基板２のガラス基板３上に設けられており、これらアレイ基板２と対向基板51との間の間隔を保持する。また、シール材は、アレイ基板２のガラス基板３上のブラックマトリクスを周縁するように設けられており、これらアレイ基板２と対向基板51とを液密にシールさせる。さらに、これらアレイ基板２の配向膜44と対向基板51の配向膜54との間の空隙中には、液晶材料としての液晶組成物が封入されて挟持されて光変調層として液晶層43が設けられている。   Then, with the alignment film 54 of the counter substrate 51 facing the alignment film 44 of the array substrate 2, the array substrate 2 and the counter substrate 51 are sealed and combined with a sealing material via a spacer (not shown). Yes. Here, the spacer is provided on the glass substrate 3 of the array substrate 2, and maintains a space between the array substrate 2 and the counter substrate 51. The sealing material is provided so as to surround the black matrix on the glass substrate 3 of the array substrate 2, and seals the array substrate 2 and the counter substrate 51 in a liquid-tight manner. Further, a liquid crystal composition as a liquid crystal material is sealed and sandwiched in a gap between the alignment film 44 of the array substrate 2 and the alignment film 54 of the counter substrate 51 to provide a liquid crystal layer 43 as a light modulation layer. It has been.

さらに、これらアレイ基板２の他主面である外面と対向基板51の他主面である外面とのそれぞれには、これらアレイ基板２および対向基板51それぞれの外面を略覆うように矩形平板状の偏光板55,56がそれぞれ積層されて取り付けられている。   Further, the outer surface which is the other main surface of the array substrate 2 and the outer surface which is the other main surface of the counter substrate 51 are each formed in a rectangular flat plate shape so as to substantially cover the outer surfaces of the array substrate 2 and the counter substrate 51. Polarizers 55 and 56 are stacked and attached.

次に、上記第１の実施の形態の液晶表示装置の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described.

まず、第１のパターニングとして、ガラス基板３上にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法にて酸化シリコン膜および窒化シリコン膜をそれぞれ成膜して２層膜を堆積させて不純物の拡散を防ぐアンダーコート層４を形成する。   First, as a first patterning, an undercoat for preventing diffusion of impurities by depositing a silicon oxide film and a silicon nitride film on a glass substrate 3 by a plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method and depositing a two-layer film. Layer 4 is formed.

次いで、このアンダーコート層４上に、プラズマＣＶＤ法にて非晶質シリコン膜としてのアモルファスシリコン膜を、例えば５０ｎｍの膜厚で堆積させる。   Next, an amorphous silicon film as an amorphous silicon film is deposited on the undercoat layer 4 by a plasma CVD method to a thickness of, for example, 50 nm.

この後、このアモルファスシリコン膜を堆積させたガラス基板３ごと図示しない炉中に入れて、このガラス基板３上のアモルファスシリコン膜をアニールしてから脱水素処理した後、このアモルファスシリコン膜の全面に、例えばエキシマレーザビームを照射して、このアモルファスシリコン膜を溶融および結晶化させて多結晶シリコン膜としてのポリシリコン膜とする。   Thereafter, the glass substrate 3 on which the amorphous silicon film is deposited is placed in a furnace (not shown), the amorphous silicon film on the glass substrate 3 is annealed and then dehydrogenated, and then the entire surface of the amorphous silicon film is formed. For example, by irradiating an excimer laser beam, the amorphous silicon film is melted and crystallized to form a polysilicon film as a polycrystalline silicon film.

さらに、このポリシリコン膜をパターニングして、メインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36それぞれのチャネル領域11と、これらメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36それぞれのソース電極13およびドレイン電極14の配線となる配線部29と、補助容量線15に重なるように配置されるポリシリコン配線32とのそれぞれを形成する。   Further, this polysilicon film is patterned to form a channel region 11 for each of the main TFT 8 and the sub-TFT 36, a wiring portion 29 serving as a wiring for the source electrode 13 and the drain electrode 14 for each of the main TFT 8 and the sub-TFT 36, Each of the polysilicon wirings 32 arranged so as to overlap with 15 is formed.

次いで、第２のパターニングとして、これらチャネル領域11、配線部29およびポリシリコン配線32を含むアンダーコート層４上に、プラズマＣＶＤ法にて酸化シリコン膜の一層膜を積層させて、例えば１００ｎｍの膜厚のゲート絶縁膜27を形成する。   Next, as the second patterning, a single layer of a silicon oxide film is laminated on the undercoat layer 4 including the channel region 11, the wiring portion 29, and the polysilicon wiring 32 by a plasma CVD method, for example, a film having a thickness of 100 nm. A thick gate insulating film 27 is formed.

この後、このゲート絶縁膜27上にスパッタ法にて、例えば３００ｎｍの膜厚のモリブデン−タングステン合金膜（ＭｏＷ膜）を堆積させた後、このモリブデン−タングステン合金膜をパターニングして、例えば７６８本の走査線６、これら走査線６の延在部であるゲート電極12、およびこれら走査線６と同数の補助容量線15のそれぞれを形成する。   Thereafter, a molybdenum-tungsten alloy film (MoW film) having a thickness of, for example, 300 nm is deposited on the gate insulating film 27 by sputtering, and then this molybdenum-tungsten alloy film is patterned to obtain, for example, 768 lines. Each of the scanning lines 6, the gate electrode 12 that is an extension of the scanning lines 6, and the same number of auxiliary capacitance lines 15 as the scanning lines 6 are formed.

さらに、第３のパターニングとして、これら走査線６およびゲート電極12それぞれをマスクとして、図示しないイオン注入装置を用いて、配線部29の所定領域に不純物を高濃度にドーピングして、これら配線部29が走査線６のゲート電極12に重なる部分にチャネル領域11を形成し、コプラナ型のメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36のそれぞれを作製する。   Further, as the third patterning, a predetermined region of the wiring portion 29 is doped with an impurity at a high concentration by using an ion implantation apparatus (not shown) using each of the scanning line 6 and the gate electrode 12 as a mask. The channel region 11 is formed in the portion of the scanning line 6 that overlaps the gate electrode 12, and each of the coplanar main TFT 8 and the sub TFT 36 is fabricated.

次いで、第４のパターニングとして、これらメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36を含むゲート絶縁膜27上に、プラズマＣＶＤ法にて、例えば６００ｎｍの酸化シリコン膜を堆積させて層間絶縁膜７を形成する。   Next, as a fourth patterning, an interlayer insulating film 7 is formed by depositing, for example, a 600 nm silicon oxide film on the gate insulating film 27 including the main TFT 8 and the sub TFT 36 by plasma CVD.

この後、この層間絶縁膜７をパターニングして、信号線５をポリシリコン配線32に導通させるコンタクトホール35を形成する。同時に、リペア電極19のＬ字状延在部23を積層させる領域中に、配線部29の先端部およびリペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の先端部を露出させるコンタクトホール28,42をそれぞれ形成する。   Thereafter, the interlayer insulating film 7 is patterned to form a contact hole 35 for conducting the signal line 5 to the polysilicon wiring 32. At the same time, in the region where the L-shaped extension portion 23 of the repair electrode 19 is laminated, the tip portion of the wiring portion 29 and the tip portion of the tip-side linear portion 25 of the L-shaped extension portion 23 of the repair electrode 19 are exposed. Contact holes 28 and 42 are formed, respectively.

さらに、第５のパターニングとして、層間絶縁膜７上にスパッタリングにて、例えばアルミニウム金属層が上下のモリブデン（Ｍｏ）層により挟まれた三層金属膜（Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ膜）を堆積させる。このとき、この三層金属膜は、例えば２５ｎｍの膜厚のモリブデン（Ｍｏ）層と、２５０ｎｍの膜厚のアルミニウム（Ａｌ）層と、５０ｎｍの膜厚のモリブデン（Ｍｏ）層とを順に積層させて構成されている。   Further, as the fifth patterning, a three-layer metal film (Mo / Al / Mo film) in which, for example, an aluminum metal layer is sandwiched between upper and lower molybdenum (Mo) layers is deposited on the interlayer insulating film 7 by sputtering. At this time, the three-layer metal film is formed by sequentially laminating, for example, a molybdenum (Mo) layer having a thickness of 25 nm, an aluminum (Al) layer having a thickness of 250 nm, and a molybdenum (Mo) layer having a thickness of 50 nm. Configured.

この後、この三層金属膜をパターニングして、例えば１０２４×３本の信号線５と、補助容量線15に重なり合うように配置されるリペア電極19とのそれぞれを作製する。   Thereafter, this three-layer metal film is patterned to produce, for example, 1024 × 3 signal lines 5 and repair electrodes 19 arranged so as to overlap the auxiliary capacitance lines 15.

次いで、第６のパターニングとして、これら信号線５およびリペア電極19を含む層間絶縁膜７上の全面に、赤色の顔料を分散させて赤色に着色された紫外線硬化型アクリル樹脂レジスト、例えばＣＲＹ−Ｓ６２３Ｃ（製品名：富士フィルムアーチ株式会社製）を図示しないスピンナにて所望の膜厚となるように塗布してから、パターンを形成したい部分に光が照射されるフォトマスクを介して、例えば３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ２のレーザビームを照射して露光してフォトリソグラフィする。 Next, as a sixth patterning, an ultraviolet curable acrylic resin resist, for example, CRY-S623C, which is colored red by dispersing a red pigment on the entire surface of the interlayer insulating film 7 including the signal line 5 and the repair electrode 19. (Product name: manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.) is applied with a spinner (not shown) so as to have a desired film thickness. Exposure is performed by irradiating a laser beam having a wavelength of 100 mJ / cm 2 and photolithography is performed.

この後、この露光された紫外線硬化型アクリル樹脂レジストをｐＨ１１．５の水酸化カリウム（ＫＯＨ）の１％水溶液で２０秒間現像して、赤色フィルタ部21rを形成する。さらに、この赤色フィルタ部21rを形成する場合と同様にフォトリソグラフィして、例えばＣＧＹ−Ｓ６２４Ｄ（富士フィルムアーチ株式会社製）を用いて緑色フィルタ部21gを形成するとともに、例えばＣＢＹ−Ｓ６２５Ｃ（富士フィルムアーチ株式会社製）を用いて青色フィルタ部21bを形成して、アレイ基板２の層間絶縁膜７上にカラーフィルタ層21を形成する。   Thereafter, the exposed ultraviolet curable acrylic resin resist is developed with a 1% aqueous solution of potassium hydroxide (KOH) having a pH of 11.5 for 20 seconds to form a red filter portion 21r. Further, photolithography is performed in the same manner as in the case of forming the red filter portion 21r, and the green filter portion 21g is formed using, for example, CGY-S624D (manufactured by Fuji Film Arch Co., Ltd.), and for example, CBY-S625C (Fuji Film). A blue filter portion 21 b is formed using Arch Corporation, and a color filter layer 21 is formed on the interlayer insulating film 7 of the array substrate 2.

このとき、図１ないし図４に示すように、第１のリペア切断部26上、第２のリペア切断部31上およびリペア溶接部38上それぞれのカラーフィルタ層21が除かれて第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれが形成されるように、このカラーフィルタ層21をパターニングさせて、例えば３．０μｍの膜厚で画素開口ごとに塗り分けられたストライプ状の着色パターンを備えた透光性を有するカラーフィルタ層21を形成する。さらに、このカラーフィルタ層21には、上述の露光の際に、リペア電極19に対応してコンタクトホール22が形成されている。   At this time, as shown in FIGS. 1 to 4, the color filter layers 21 on the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 are removed, and the first gap is removed. The color filter layer 21 is patterned so that each of the portion 45, the second gap portion 46, and the third gap portion 47 is formed, and is applied to each pixel opening with a film thickness of, for example, 3.0 μm. A transparent color filter layer 21 having a striped colored pattern is formed. Further, a contact hole 22 is formed in the color filter layer 21 corresponding to the repair electrode 19 in the above-described exposure.

次いで、第７のパターニングとして、第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47を除いたカラーフィルタ層21上に、例えば１５０ｎｍの膜厚のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層を透明導電層として堆積させた後、この透明導電層をパターニングして画素電極17および延在部18のそれぞれを形成する。   Next, as a seventh patterning, ITO (Indium Tin Oxide) with a film thickness of, for example, 150 nm is formed on the color filter layer 21 excluding the first gap 45, the second gap 46, and the third gap 47. After the layer is deposited as a transparent conductive layer, the transparent conductive layer is patterned to form the pixel electrode 17 and the extension 18 respectively.

この後、これら画素電極17および延在部18を含むカラーフィルタ層21上の全面に配向膜44を積層させてアレイ基板２を作製する。   Thereafter, the alignment substrate 44 is laminated on the entire surface of the color filter layer 21 including the pixel electrodes 17 and the extending portions 18 to produce the array substrate 2.

さらに、このアレイ基板２の配向膜44に対向基板51の配向膜54を対向させて、これらアレイ基板２および対向基板51の周縁をシール材にてシールして、これらアレイ基板２と対向基板51とを組み合わせる。   Furthermore, the alignment film 54 of the counter substrate 51 is made to face the alignment film 44 of the array substrate 2, and the peripheral edges of the array substrate 2 and the counter substrate 51 are sealed with a sealing material. And combine.

この後、これらアレイ基板２と対向基板51との間に液晶組成物を注入して封止して、これらアレイ基板２と対向基板51との間に液晶層43を形成させて液晶表示装置１を作製する。   Thereafter, a liquid crystal composition is injected between the array substrate 2 and the counter substrate 51 and sealed, and a liquid crystal layer 43 is formed between the array substrate 2 and the counter substrate 51 to thereby form the liquid crystal display device 1. Is made.

次に、上記第１の実施の形態の液晶表示装置の点灯検査およびリペア方法について説明する。   Next, a lighting inspection and repair method for the liquid crystal display device according to the first embodiment will be described.

まず、図５に示すように、液晶表示装置１の点灯検査にて欠陥が生じた画素16を検出する。次いで、この液晶表示装置１中の画素欠陥不良が生じている画素16を特定できた場合には、図６および図７に示すように、この画素欠陥不良が生じている画素16中のメインＴＦＴ８の第１のリペア切断部26および第２のリペア切断部31のそれぞれにレーザビームを照射して、リペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の中間部を上方に向けて拡開したテーパ状に切断するとともに、メインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29を同様に切断して、このメインＴＦＴ８のソース電極13と画素電極17との電気的な接続を絶縁させる。   First, as shown in FIG. 5, a pixel 16 having a defect is detected in the lighting inspection of the liquid crystal display device 1. Next, when the pixel 16 having the defective pixel defect in the liquid crystal display device 1 can be identified, as shown in FIGS. 6 and 7, the main TFT 8 in the pixel 16 having the defective pixel defect is formed. Each of the first repair cutting part 26 and the second repair cutting part 31 is irradiated with a laser beam, and the intermediate part of the distal end side linear part 25 of the L-shaped extension part 23 of the repair electrode 19 is directed upward. The wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8 is cut in the same manner, and the electrical connection between the source electrode 13 of the main TFT 8 and the pixel electrode 17 is insulated.

具体的には、レーザ蒸散加工法（Zapping法）にて、図４に示すように、第１のリペア切断部26下のリペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の中間部を完全に除去するとともに、図２に示すように、第２のリペア切断部31下の層間絶縁膜７およびゲート絶縁膜27および配線部29を完全に除去する。この際のレーザビームのパルス幅は、これらリペア電極19および配線部29を溶融切断するために、例えば１０ｎｓ以下と短く設定する。   Specifically, as shown in FIG. 4, the tip side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19 under the first repair cutting portion 26 is formed by a laser transpiration processing method (Zapping method). The intermediate portion is completely removed and, as shown in FIG. 2, the interlayer insulating film 7, the gate insulating film 27, and the wiring portion 29 under the second repair cutting portion 31 are completely removed. The pulse width of the laser beam at this time is set as short as, for example, 10 ns or less in order to melt and cut the repair electrode 19 and the wiring portion 29.

次いで、図１に示すように、画素欠陥不良が生じている画素16中の画素電極17に機械的に接続されているサブＴＦＴ36を選択して、図８および図９に示すように、このサブＴＦＴ36のリペア溶接部38に向けて図示しないレーザリペア装置からパルスレーザ光としてレーザビームを照射させて、このサブＴＦＴ38の配線部29とリペア電極19のリペア片部37とを溶接して電気的に接続させて、メインＴＦＴ８から電気的に切り離された画素電極17とサブＴＦＴ36とを選択的に電気的に接続させる。   Next, as shown in FIG. 1, the sub-TFT 36 mechanically connected to the pixel electrode 17 in the pixel 16 in which the pixel defect is defective is selected, and this sub-TFT is selected as shown in FIGS. A laser beam is irradiated as a pulsed laser beam from a laser repair device (not shown) toward the repair welding portion 38 of the TFT 36, and the wiring portion 29 of the sub-TFT 38 and the repair piece portion 37 of the repair electrode 19 are welded electrically. The pixel electrode 17 and the sub-TFT 36 that are electrically disconnected from the main TFT 8 are selectively electrically connected.

具体的には、図３に示すように、層間絶縁膜７を介してリペア電極19のリペア片部37とサブＴＦＴ36の配線部29とをレーザビームで溶融接続させて、メインＴＦＴ８とサブＴＦＴ36とを切り替えて、このサブＴＦＴ36にて画素電極17を制御できるようにして、この画素電極17が設けられている画素16の画素欠陥不良を良点化させる。このとき、この際のレーザビームのパルス幅もまた、例えば１０ｎｓ以下と短く設定する。   Specifically, as shown in FIG. 3, the repair piece portion 37 of the repair electrode 19 and the wiring portion 29 of the sub-TFT 36 are melt-connected by a laser beam via the interlayer insulating film 7, and the main TFT 8 and the sub-TFT 36 are connected. Are switched so that the pixel electrode 17 can be controlled by the sub-TFT 36, and the pixel defect defect of the pixel 16 provided with the pixel electrode 17 is improved. At this time, the pulse width of the laser beam at this time is also set to be as short as 10 ns or less, for example.

さらに、レーザビームの照射による液晶表示装置１中の画素16のリペアには、図示しない半導体レーザ（Leser Diode:ＬＤ）を励起光源として使用した音響光学（Acousto-Optic:ＡＯ）−Ｑスイッチ動作のネオジムイオン（Ｎｄ＋３）ＹＡＧレーザや、ＹＬＦレーザの基本波長、第二高調波、紫外光である第三高調光あるいは第四高調光などを用いる。ここで、このＹＡＧレーザとは、イットリウム（Yttrium）・アルミニウム（Aluminium）・ガーネット（Garnet）レーザである。また、ＹＬＦレーザとは、イットリウム・リチウム・フッ化物レーザである。このとき、この半導体レーザをクリプトン・アークランプに変えて用いることもできる。 Further, the repair of the pixel 16 in the liquid crystal display device 1 by the irradiation of the laser beam is an acousto-optic (AO) -Q switch operation using a semiconductor laser (Leser Diode: LD) (not shown) as an excitation light source. A neodymium ion (Nd +3 ) YAG laser, a fundamental wavelength of a YLF laser, a second harmonic, a third harmonic or a fourth harmonic which is ultraviolet light, or the like is used. Here, this YAG laser is an yttrium, aluminum, garnet laser. The YLF laser is an yttrium / lithium / fluoride laser. At this time, this semiconductor laser can be used instead of the krypton arc lamp.

一方、リペア溶接部38に照射させるレーザビームとしては、図示しないレーザ装置を用いて超音波Ｑスイッチにて変調させたパルス状に発振するレーザ光を用いる。また、第１のリペア切断部26および第２のリペア切断部31に照射させて層間絶縁膜７、ゲート絶縁膜27、配線部29およびリペア電極19を除去する際には、例えば上述したレーザビームのエネルギレベルを異ならせて、より簡便に効率良く実施できるレベルのレーザビームとする。   On the other hand, as the laser beam irradiated to the repair weld 38, a laser beam oscillated in a pulse shape modulated by an ultrasonic Q switch using a laser device (not shown) is used. When removing the interlayer insulating film 7, the gate insulating film 27, the wiring portion 29, and the repair electrode 19 by irradiating the first repair cutting portion 26 and the second repair cutting portion 31, for example, the laser beam described above is used. Thus, the laser beam has a level that can be carried out more simply and efficiently.

さらに、画素電極17上または、この画素電極17に近接した位置にレーザビームを照射してリペアする場合には、この画素電極17がＩＴＯなどの透明電極であるので、ＹＬＦレーザの第３高調波などの紫外線領域のレーザビームを用いることが好ましい。これに対し、この画素電極17がアルミニウム系金属などの金属膜にて構成された反射型電極の場合には、ＹＬＦレーザの第２の高調波を用いることができる。   Further, when repairing is performed by irradiating a laser beam on the pixel electrode 17 or a position close to the pixel electrode 17, since the pixel electrode 17 is a transparent electrode such as ITO, the third harmonic of the YLF laser is used. It is preferable to use a laser beam in the ultraviolet region. On the other hand, when the pixel electrode 17 is a reflective electrode made of a metal film such as an aluminum-based metal, the second harmonic of the YLF laser can be used.

また、これらレーザビームの光源としては、ＹＬＦレーザあるいはＹＡＧレーザを用いと、上述した範囲のエネルギレベルを容易に得ることができるので好ましい。ところが、これらＹＬＦレーザあるいはＹＡＧレーザ以外に、炭酸ガスレーザや、その他のレーザを用いることもできる。   Further, it is preferable to use a YLF laser or a YAG laser as the light source of these laser beams because the energy level in the above-mentioned range can be easily obtained. However, other than these YLF laser or YAG laser, a carbon dioxide gas laser or other lasers can also be used.

上述したように、上記第１の実施の形態によれば、一般に、アレイ基板２上のカラーフィルタ層21には、液晶層43中の液晶組成物の駆動に有害な多くの不純物が含まれており、このカラーフィルタ層21が通常配向膜44にて被膜されて、このカラーフィルタ層21から液晶層43中への不純物の溶出や飛散が防止されている。そして、このカラーフィルタ層21中の不純物が液晶層43中に溶出や飛散した場合には、液晶表示装置１に大幅な表示劣化を引き起こさせてしまう。   As described above, according to the first embodiment, generally, the color filter layer 21 on the array substrate 2 contains many impurities harmful to the driving of the liquid crystal composition in the liquid crystal layer 43. In addition, the color filter layer 21 is usually coated with an alignment film 44 to prevent the elution and scattering of impurities from the color filter layer 21 into the liquid crystal layer 43. When impurities in the color filter layer 21 are eluted or scattered in the liquid crystal layer 43, the liquid crystal display device 1 is caused to cause a significant display deterioration.

さらに、液晶表示装置１の点灯検査で検出された画素表示不良は、リペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の中間部を切断させる第１のリペア切断部26と、メインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29を電気的に切断させる第２のリペア切断部31と、サブＴＦＴ36の配線部29とリペア電極19のリペア片部37とを溶接して電気的に接続させるリペア溶接部38とのそれぞれに、外部からレーザビームを照射させてリペアする必要がある。   Further, the pixel display failure detected by the lighting inspection of the liquid crystal display device 1 includes a first repair cutting portion 26 that cuts an intermediate portion of the tip-side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19; The second repair cutting portion 31 that electrically cuts the wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8 and the wiring portion 29 of the sub TFT 36 and the repair piece portion 37 of the repair electrode 19 are welded and electrically connected. It is necessary to repair each of the repair welds 38 by irradiating a laser beam from the outside.

特に、カラーフィルタ層21がアレイ基板２上に設けられている高開口率設計の液晶表示装置１の場合には、この液晶表示装置１にレーザビームを照射してリペアする際に、このレーザビームがカラーフィルタ層21へと照射されてしまい、このカラーフィルタ層21に多少なりとも物理的および化学的なダメージを与えてしまう。具体的には、このレーザビームのカラーフィルタ層21への照射によって、このカラーフィルタ層21中の不純物やレーザビーム照射によって生成された分解物が液晶層43中へ飛散たり溶出したりしてにじみでてしまい、この液晶層43を汚染してしまうから、液晶表示装置１の信頼性を著しく損なわせてしまう。   In particular, in the case of the liquid crystal display device 1 having a high aperture ratio design in which the color filter layer 21 is provided on the array substrate 2, the laser beam is applied when the liquid crystal display device 1 is repaired by irradiating the laser beam. Will be irradiated to the color filter layer 21, and the color filter layer 21 will be physically and chemically damaged to some extent. Specifically, the color filter layer 21 is irradiated with this laser beam, and the impurities in the color filter layer 21 and the decomposition products generated by the laser beam irradiation are scattered or eluted into the liquid crystal layer 43. As a result, the liquid crystal layer 43 is contaminated, and the reliability of the liquid crystal display device 1 is significantly impaired.

このとき、このレーザビームの照射条件を弱くして、カラーフィルタ層21のダメージをできるだけ少なくするような調整も可能であるが、リペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の中間部や、メインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29などのリペア配線を効率良く切断して、カラーフィルタ層21に全く影響を与えないようにすることは容易でない。   At this time, it is possible to adjust the laser beam irradiation condition so as to reduce the damage of the color filter layer 21 as much as possible. However, the tip-side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19 is possible. It is not easy to cut the repair wiring such as the intermediate portion of the TFT and the wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8 efficiently so as not to affect the color filter layer 21 at all.

そこで、外部からのレーザビームの照射によってリペア電極19のＬ字状延在部23の先端側線状部25の中間部を切断させる第１のリペア切断部26上のカラーフィルタ層21に第１の空隙部45を設けて、このカラーフィルタ層21の第１のリペア切断部26に対向する部分を除去した。同様に、外部からのレーザビームの照射によってメインＴＦＴ８のソース電極13の配線部29を電気的に切断させる第２のリペア切断部31上のカラーフィルタ層21に第２の空隙部46を設けて、このカラーフィルタ層21の第２のリペア切断部31に対向する部分を除去した。さらに、外部からのレーザビームの照射によってサブＴＦＴ36の配線部29とリペア電極19のリペア片部37とを溶接して電気的に接続させるリペア溶接部38上のカラーフィルタ層21に第３の空隙部47を設けて、このカラーフィルタ層21のリペア溶接部38に対向する部分を除去した。   Therefore, the first color filter layer 21 on the first repair cutting portion 26 that cuts the intermediate portion of the tip-side linear portion 25 of the L-shaped extending portion 23 of the repair electrode 19 by irradiation with a laser beam from the outside is applied to the first color filter layer 21. A space 45 was provided to remove a portion of the color filter layer 21 facing the first repair cut portion 26. Similarly, a second gap portion 46 is provided in the color filter layer 21 on the second repair cutting portion 31 that electrically cuts the wiring portion 29 of the source electrode 13 of the main TFT 8 by external laser beam irradiation. The portion of the color filter layer 21 that faces the second repair cut portion 31 was removed. Further, a third gap is formed in the color filter layer 21 on the repair weld portion 38 where the wiring portion 29 of the sub-TFT 36 and the repair piece portion 37 of the repair electrode 19 are welded and electrically connected by external laser beam irradiation. A portion 47 was provided, and a portion of the color filter layer 21 facing the repair weld 38 was removed.

この結果、何らかの原因でＴＦＴ不良や、液晶表示装置１自体が弾性を有することに基づく折り曲げなどにてメインＴＦＴ８が破損し、このメインＴＦＴ８が設けられている画素16に点欠陥や線欠陥などが生じて画素表示不良となった場合に、この画素表示不良となった画素16中の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれに向けて外部からレーザビームを照射する。そして、この画素16内のメインＴＦＴ８と画素電極17との電気的な接続を切断させるとともに、この画素電極17にサブＴＦＴ36を電気的に接続させて、このサブＴＦＴ36にて画素電極17を制御できるようにして、この画素電極17が設けられている画素16の画素表示不良をリペアさせて、液晶表示装置１中の不良個所をリペアしても、このリペアの際に用いるレーザビームが、カラーフィルタ層21の第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれを介して第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれへと入射される。よって、このレーザビームがカラーフィルタ層21へ直接照射されないから、このレーザビームによるリペアの際にカラーフィルタ層21にダメージが発生しない。   As a result, the main TFT 8 is damaged due to a TFT defect for some reason or the bending due to the elasticity of the liquid crystal display device 1 itself, and the pixel 16 provided with the main TFT 8 has a point defect or a line defect. When a pixel display failure occurs, a laser is externally applied to each of the first repair cutting portion 26, the second repair cutting portion 31 and the repair welding portion 38 in the pixel 16 which has the pixel display failure. Irradiate the beam. Then, the electrical connection between the main TFT 8 and the pixel electrode 17 in the pixel 16 is disconnected, and the sub-TFT 36 is electrically connected to the pixel electrode 17 so that the pixel electrode 17 can be controlled by the sub-TFT 36. In this way, even if the pixel display defect of the pixel 16 provided with the pixel electrode 17 is repaired and the defective part in the liquid crystal display device 1 is repaired, the laser beam used in the repair is replaced with the color filter. Each of the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 through the first gap portion 45, the second gap portion 46 and the third gap portion 47 of the layer 21, respectively. It is incident on. Therefore, since the laser beam is not directly applied to the color filter layer 21, the color filter layer 21 is not damaged during the repair by the laser beam.

したがって、このレーザビームがカラーフィルタ層21に照射されることによって、このカラーフィルタ層21中の不純物や分解物が液晶層43中に溶出したり飛散したりして、この液晶層43を汚染してしまうことを確実に防止して回避できるから、この液晶層43の汚染による保持特性低下などに基づくむらの発生を確実に防止できる。このため、液晶表示装置１の信頼性を損なわせることなく、この液晶表示装置１の各画素16の画素欠陥不良を確実にリペアできる。   Therefore, when the color filter layer 21 is irradiated with this laser beam, impurities and decomposition products in the color filter layer 21 are eluted or scattered in the liquid crystal layer 43, thereby contaminating the liquid crystal layer 43. Therefore, it is possible to reliably prevent the occurrence of unevenness due to a decrease in retention characteristics due to contamination of the liquid crystal layer 43. For this reason, it is possible to reliably repair defective pixels of each pixel 16 of the liquid crystal display device 1 without impairing the reliability of the liquid crystal display device 1.

具体的には、液晶表示装置１の点灯検査にて検出された点欠点などの画素表示不良をリペアでき、温度が５０℃で湿度が８０％の高温高湿通電試験１０００時間や、この通電試験を室温で連続通電時間を２０００時間としても、第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38に表示不良などが発生せず、また、これら第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38にてリペアした画素16も問題なく表示されて良好であった。   Specifically, pixel display defects such as point defects detected in the lighting inspection of the liquid crystal display device 1 can be repaired, and a high-temperature and high-humidity energization test at a temperature of 50 ° C. and a humidity of 80% can be performed for 1000 hours. Even if the continuous energization time is 2000 hours at room temperature, display failure or the like does not occur in the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38, and these first repair cutting parts 26. The pixel 16 repaired in the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38 was also displayed without problems and was good.

よって、カラーフィルタ層21がアレイ基板２上に設けられた高開口率設計の液晶表示装置１であっても、この液晶表示装置１を液晶注入後にレーザリペア処理しても、この液晶表示装置１の信頼性が劣化しないので、この液晶表示装置１の信頼性を維持しつつ歩留まりを確実に向上できる。言い換えると、信頼性の良好な液晶表示装置１を歩留まり良く作製できる。   Therefore, even if the liquid crystal display device 1 has a high aperture ratio design in which the color filter layer 21 is provided on the array substrate 2, even if the liquid crystal display device 1 is subjected to laser repair processing after liquid crystal injection, the liquid crystal display device 1 Therefore, the yield can be reliably improved while maintaining the reliability of the liquid crystal display device 1. In other words, the liquid crystal display device 1 with good reliability can be manufactured with high yield.

なお、上記第１の実施の形態では、液晶表示装置１のアレイ基板２上の各画素16中の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれが対向する部分のカラーフィルタ層21を部分的に除去して第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれを形成して、画素表示不良のリペアの際に液晶層43がカラーフィルタ層21中の不純物や分解物で汚染されないように構成したが、図１０ないし図１３に示す第２の実施の形態のように、信頼性が余り良くない緑色フィルタ部21gが積層されている画素16中の第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47中に緑色フィルタ部21g以外の赤色フィルタ部21rあるいは青色フィルタ部21bを選択的に配置させる構成とすることもできる。   In the first embodiment, the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38 in each pixel 16 on the array substrate 2 of the liquid crystal display device 1 are opposed to each other. The part of the color filter layer 21 to be removed is partially removed to form each of the first gap 45, the second gap 46, and the third gap 47, and the liquid crystal is repaired when the pixel display defect is repaired. Although the layer 43 is configured not to be contaminated by impurities or decomposition products in the color filter layer 21, a green filter portion 21g having a low reliability is provided as in the second embodiment shown in FIGS. A red filter portion 21r or a blue filter portion 21b other than the green filter portion 21g is selectively disposed in the first gap portion 45, the second gap portion 46, and the third gap portion 47 in the stacked pixel 16. It can also be set as the structure to make.

ここで、このカラーフィルタ層21中の緑色フィルタ部21gに分散させた緑色の顔料には、このカラーフィルタ層21中の赤色フィルタ部21rに分散させた赤色の顔料や青色フィルタ部21bに分散させた青色の顔料に比べると、液晶層43中の液晶組成物の駆動に有害な不純物が多く含まれているとともに、熱や光によって分解されて有害な不純物が生成されやすい傾向がある。さらに、この緑色フィルタ部21gに分散させた緑色の顔料を生成して、通常の信頼性試験に耐え得るレベルまで、この緑色の顔料中の不純物を取り除くことは容易でない。   Here, the green pigment dispersed in the green filter portion 21g in the color filter layer 21 is dispersed in the red pigment or the blue filter portion 21b dispersed in the red filter portion 21r in the color filter layer 21. Compared to the blue pigment, there are many impurities harmful to the driving of the liquid crystal composition in the liquid crystal layer 43, and there is a tendency that harmful impurities are easily generated by being decomposed by heat or light. Furthermore, it is not easy to generate a green pigment dispersed in the green filter portion 21g and remove impurities in the green pigment to a level that can withstand a normal reliability test.

そこで、このカラーフィルタ層21中の緑色フィルタ部21gが積層された画素16内の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれが対向する部分の緑色フィルタ部21gを部分的に除去して第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれを形成し、この緑色フィルタ部21gに設けられた第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47内に赤色フィルタ部21rあるいは青色フィルタ部21bを選択的に配置させる構成とした。この結果、これら赤色フィルタ部21rおよび青色フィルタ部21bは、緑色フィルタ部21gよりもレーザビームの照射による液晶層43への不純物の溶出や飛散が少ないので、レーザビームを照射させて画素表示不良をリペアさせた際に、液晶層43が汚染されにくくなる。   Therefore, the green filter in a portion where each of the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 in the pixel 16 in which the green filter portion 21g in the color filter layer 21 is laminated is opposed. The portion 21g is partially removed to form the first gap 45, the second gap 46, and the third gap 47, and the first gap 45 provided in the green filter portion 21g. The red filter portion 21r or the blue filter portion 21b is selectively arranged in the second gap portion 46 and the third gap portion 47. As a result, the red filter portion 21r and the blue filter portion 21b have less elution and scattering of impurities into the liquid crystal layer 43 due to the laser beam irradiation than the green filter portion 21g. When repaired, the liquid crystal layer 43 is less likely to be contaminated.

したがって、液晶表示装置１の信頼性を損なわせることなく、この液晶表示装置１の各画素16の画素欠陥不良を確実にリペアできるので、上記第１の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。具体的に、この液晶表示装置１の点灯検査にて検出された画素表示不良が生じた画素16にレーザビームを照射してリペアした後に、温度が５０℃で湿度が８０％の高温高湿通電試験および室温連続通電信頼性試験をした結果、リペアした画素16に表示不良など生じることなく良好な表示を得ることができた。   Therefore, since it is possible to reliably repair defective pixels of each pixel 16 of the liquid crystal display device 1 without impairing the reliability of the liquid crystal display device 1, the same effects as those of the first embodiment can be obtained. Can do. Specifically, after repairing the pixel 16 in which the pixel display defect detected in the lighting inspection of the liquid crystal display device 1 has been repaired by irradiating the laser beam, high temperature and high humidity energization with a temperature of 50 ° C. and a humidity of 80% is performed. As a result of the test and the room temperature continuous energization reliability test, it was possible to obtain a good display without causing a display defect in the repaired pixel 16.

なお、上記第２の実施の形態では、カラーフィルタ層21の緑色フィルタ部21gに設けた第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれ内に赤色フィルタ部21gあるいは青色フィルタ部21bを選択的に配置させたが、これら第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３の空隙部47のそれぞれ内に、図示しない透明な絶縁層を選択的に配置させても、上記第２の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。   In the second embodiment, the red filter portion is provided in each of the first gap portion 45, the second gap portion 46, and the third gap portion 47 provided in the green filter portion 21g of the color filter layer 21. 21g or blue filter portion 21b is selectively disposed, but a transparent insulating layer (not shown) is selectively placed in each of the first gap portion 45, the second gap portion 46, and the third gap portion 47. Even if it arrange | positions to this, there can exist an effect similar to the said 2nd Embodiment.

さらに、図１４ないし図１７に示す第３の実施の形態のように、カラーフィルタ層21の緑色フィルタ部21gの第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38それぞれに対向する部分上に、この緑色フィルタ部21gとは異なる赤色フィルタ部21rあるいは青色フィルタ部21bを選択的に重ねて積層させて第２のフィルタ部61を形成し、この第２のフィルタ部61にてレーザビームの照射による緑色フィルタ部21gから溶出する不純物による液晶層43の汚染を防止することもできる。   Furthermore, as in the third embodiment shown in FIGS. 14 to 17, the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 of the green filter portion 21g of the color filter layer 21, respectively. A red filter portion 21r or a blue filter portion 21b, which is different from the green filter portion 21g, is selectively overlapped and laminated on the portion opposite to the green filter portion 21g to form the second filter portion 61. It is also possible to prevent contamination of the liquid crystal layer 43 due to impurities eluted from the green filter portion 21g due to laser beam irradiation.

このとき、この緑色フィルタ部21g上に積層されている第２のフィルタ部61は、第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38それぞれに対応した円筒状に形成されている。さらに、これら第２のフィルタ部61を含むカラーフィルタ層21上に画素電極17が積層されており、この画素電極17上に配向膜44が積層されている。したがって、これら第２のフィルタ部61の上端面および外周面のそれぞれが画素電極17にて覆われている。   At this time, the second filter part 61 laminated on the green filter part 21g is formed in a cylindrical shape corresponding to each of the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38. Has been. Further, the pixel electrode 17 is laminated on the color filter layer 21 including the second filter portion 61, and the alignment film 44 is laminated on the pixel electrode 17. Therefore, each of the upper end surface and the outer peripheral surface of the second filter portion 61 is covered with the pixel electrode 17.

この結果、これら第２のフィルタ部61によってレーザビームの照射による緑色フィルタ部21gから溶出する不純物による液晶層43の汚染を防止できるから、上記第２の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。具体的に、この液晶表示装置１の点灯検査にて検出された画素表示不良が生じた画素16にレーザビームを照射してリペアした後、温度が５０℃で湿度が８０％の高温高湿通電試験および室温連続通電信頼性試験をした結果、リペアした画素16に表示不良など生じることなく良好な表示を得ることができた。   As a result, the second filter unit 61 can prevent the liquid crystal layer 43 from being contaminated by impurities eluted from the green filter unit 21g due to the laser beam irradiation, and thus has the same effect as the second embodiment. Can do. Specifically, after repairing the pixel 16 in which the pixel display defect detected in the lighting inspection of the liquid crystal display device 1 has been repaired by irradiating a laser beam, high temperature and high humidity energization with a temperature of 50 ° C. and a humidity of 80% is performed. As a result of the test and the room temperature continuous energization reliability test, it was possible to obtain a good display without causing a display defect in the repaired pixel 16.

さらに、図１８および図１９に示す第４の実施の形態のように、対向基板51のガラス基板52上にカラーフィルタ層21を積層させるとともに、このカラーフィルタ層21の緑色フィルタ部21gが対向する画素16内の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38上のそれぞれに、透明あるいは黒色の円筒状の絶縁層62を選択的に積層させて配置させる構成とすることもできる。これら絶縁層62は、アレイ基板２の配向膜44上に積層されており、このアレイ基板２の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれより大きな外形寸法を有する断面円形状に形成されている。   Further, as in the fourth embodiment shown in FIGS. 18 and 19, the color filter layer 21 is laminated on the glass substrate 52 of the counter substrate 51, and the green filter portion 21g of the color filter layer 21 is opposed to the color filter layer 21. A structure in which a transparent or black cylindrical insulating layer 62 is selectively laminated and disposed on each of the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38 in the pixel 16; You can also These insulating layers 62 are stacked on the alignment film 44 of the array substrate 2 and have larger outer shapes than the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 of the array substrate 2, respectively. It is formed in a circular cross section having dimensions.

すなわち、これら絶縁層62は、第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38それぞれより大きく形成されており、これら第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれが平面視で絶縁層62にて覆っている。さらに、これら絶縁層62は、アレイ基板２と対向基板51との間隔を保持する図示しないスペーサと同じ材料で同一工程で同時に形成されている。さらに、これら絶縁層62は、図示しないハーフトーンマスクなどによってスペーサより低く形成されている。さらに、対向基板51のカラーフィルタ層21上に対向電極53が積層され、この対向電極53上に配向膜54が積層されている。   That is, these insulating layers 62 are formed larger than the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31 and the repair welding part 38, respectively, and the first repair cutting part 26 and the second repair cutting part are formed. Each of the portion 31 and the repair weld 38 is covered with an insulating layer 62 in plan view. Further, these insulating layers 62 are simultaneously formed in the same process using the same material as a spacer (not shown) that maintains the distance between the array substrate 2 and the counter substrate 51. Further, these insulating layers 62 are formed lower than the spacers by a halftone mask (not shown). Further, a counter electrode 53 is stacked on the color filter layer 21 of the counter substrate 51, and an alignment film 54 is stacked on the counter electrode 53.

したがって、これら絶縁層62を緑色フィルタ部21gが積層される画素16内の第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38上のそれぞれに重ねて積層させたことにより、これら絶縁層62によってレーザビームの照射による緑色フィルタ部21gから溶出する不純物による液晶層43の汚染を防止できるから、上記第３の実施の形態と同様の作用効果を奏することができる。   Therefore, these insulating layers 62 are stacked on the first repair cut portion 26, the second repair cut portion 31 and the repair weld portion 38 in the pixel 16 where the green filter portion 21g is stacked. Since these insulating layers 62 can prevent the liquid crystal layer 43 from being contaminated by impurities eluted from the green filter portion 21g due to laser beam irradiation, the same operational effects as those of the third embodiment can be obtained.

なお、上記各実施の形態では、液晶表示装置１の各画素16内のメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36のそれぞれをポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）を半導体層に用いた薄膜トランジスタとしたが、これらメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36のそれぞれをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を半導体層に用いた薄膜トランジスタとすることもできる。   In each of the above embodiments, the main TFT 8 and the sub TFT 36 in each pixel 16 of the liquid crystal display device 1 are thin film transistors using polysilicon (p-Si) as a semiconductor layer. Each of the TFTs 36 may be a thin film transistor using amorphous silicon (a-Si) as a semiconductor layer.

さらに、カラーフィルタ層21の赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bのそれぞれをインクジェット法で塗り分けることもできる。具体的には、無色透明なアクリル系樹脂などにて構成された、例えば３μｍの膜厚の感光性の硬化性樹脂液をガラス基板３上に均一に塗布した後に、図示しないマスクパターンを用いて露光などすることによって、第１の空隙部45、第２の空隙部46および第３空隙部47を備えたカラーフィルタ層21を形成する。   Furthermore, each of the red filter portion 21r, the green filter portion 21g, and the blue filter portion 21b of the color filter layer 21 can be separately applied by an inkjet method. Specifically, after a photosensitive curable resin liquid having a film thickness of, for example, 3 μm composed of a colorless and transparent acrylic resin is uniformly applied on the glass substrate 3, a mask pattern (not shown) is used. By performing exposure or the like, the color filter layer 21 including the first gap portion 45, the second gap portion 46, and the third gap portion 47 is formed.

この後、この無色透明なカラーフィルタ層21を焼成してプリベークしてからパターン露光および熱処理して、信号線５の幅方向の中央部、走査線６の幅方向の中央部、第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38のそれぞれを、インクが吸収されにくくなるように疎水化させる。この結果、隣接する画素16間での染料の混色を防止できるとともに、これら第１のリペア切断部26、第２のリペア切断部31およびリペア溶接部38上の色が除去されるようになる。   Thereafter, the colorless and transparent color filter layer 21 is baked and pre-baked, and then subjected to pattern exposure and heat treatment, so that the central portion in the width direction of the signal line 5, the central portion in the width direction of the scanning line 6, and the first repair. Each of the cutting part 26, the second repair cutting part 31, and the repair welding part 38 is hydrophobized so that the ink is hardly absorbed. As a result, color mixing of the dyes between the adjacent pixels 16 can be prevented, and the colors on the first repair cutting part 26, the second repair cutting part 31, and the repair welding part 38 are removed.

次いで、インクジェット法にて、無色透明なカラーフィルタ層21の所定領域ごとの疎水化されていない個所に、赤色（Red:Ｒ）、緑色（Green:Ｇ）および青色（Blue:Ｂ）の各色の染色を吐出させて着色してから乾燥させた後に熱処理して、このカラーフィルタ層21を完全に硬化させて、赤色フィルタ部21r、緑色フィルタ部21gおよび青色フィルタ部21bのそれぞれが形成されたカラーフィルタ層21とする。このとき、予め顔料が分散された樹脂をインクジェット法にて順次塗布することもできる。   Next, in the ink-jet method, red (Red: R), green (Green: G), and blue (Blue: B) colors are placed on the non-hydrophobic portions of the colorless and transparent color filter layer 21 for each predetermined region. The color filter layer 21 is completely cured by discharging the dyeing, coloring, drying, and heat treatment to completely form the red filter part 21r, the green filter part 21g, and the blue filter part 21b. The filter layer 21 is used. At this time, a resin in which a pigment is dispersed in advance can be sequentially applied by an ink jet method.

さらに、液晶表示装置１のアレイ基板２上の各画素16に設けられているメインＴＦＴ８およびサブＴＦＴ36としては、トップゲート型や、ボトムゲート型、コプラナ型であっても対応させて用いることができる。   Further, as the main TFT 8 and the sub TFT 36 provided in each pixel 16 on the array substrate 2 of the liquid crystal display device 1, even a top gate type, a bottom gate type, and a coplanar type can be used correspondingly. .

本発明の液晶表示装置の第１の実施の形態の一部を示す説明平面図である。FIG. 3 is an explanatory plan view showing a part of the first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. 図１中のａ−ａ断面図である。It is aa sectional drawing in FIG. 図１中のｂ−ｂ断面図である。It is bb sectional drawing in FIG. 図１中のｃ−ｃ断面図である。It is cc sectional drawing in FIG. 同上液晶表示装置のリペア前の状態を示す説明図であるIt is explanatory drawing which shows the state before repair of a liquid crystal display device same as the above. 同上液晶表示装置のメインＴＦＴを走査線から電気的に切断した状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which cut | disconnected the main TFT of the liquid crystal display device same as the above from the scanning line. 同上液晶表示装置の絶縁可能部を電気的に切断して絶縁させた状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which electrically insulated and insulated the liquid crystal display device same as the above. 同上液晶表示装置のサブＴＦＴを走査線に電気的に接続させた状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which connected the sub TFT of the liquid crystal display device same as the above to the scanning line. 同上液晶表示装置のサブＴＦＴのリペア溶接部を溶接して電気的に接続させる状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the state which welds the repair welding part of the sub TFT of a liquid crystal display device same as the above, and is electrically connected. 本発明の液晶表示装置の第２の実施の形態の一部を示す説明平面図である。It is an explanatory top view which shows a part of 2nd Embodiment of the liquid crystal display device of this invention. 図１０中のｄ−ｄ断面図である。It is dd sectional drawing in FIG. 図１０中のｅ−ｅ断面図である。It is ee sectional drawing in FIG. 図１０中のｆ−ｆ断面図である。It is ff sectional drawing in FIG. 本発明の液晶表示装置の第３の実施の形態の一部を示す説明平面図である。It is an explanatory top view which shows a part of 3rd Embodiment of the liquid crystal display device of this invention. 図１４中のｇ−ｇ断面図である。It is gg sectional drawing in FIG. 図１４中のｈ−ｈ断面図である。It is hh sectional drawing in FIG. 図１４中のｉ−ｉ断面図である。It is ii sectional drawing in FIG. 本発明の液晶表示装置の第４の実施の形態の一部を示す説明平面図である。It is an explanatory top view which shows a part of 4th Embodiment of the liquid crystal display device of this invention. 同上液晶表示装置の一部を示す説明断面図である。It is explanatory sectional drawing which shows a part of liquid crystal display device same as the above.

符号の説明Explanation of symbols

１ 液晶表示装置
２ アレイ基板
３ 絶縁基板としてのガラス基板
８ スイッチング素子としてのメインＴＦＴ
16 画素
17 画素電極
21 カラーフィルタ層
21g 第１の着色層としての緑色層である緑色フィルタ部
21r 第２の着色層としての赤色層である赤色フィルタ部
21b 第３の着色層としての青色層である青色フィルタ部
26 絶縁可能部としての第１のリペア切断部
31 絶縁可能部としての第２のリペア切断部
43 液晶としての液晶層
51 対向基板
62 絶縁層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Liquid crystal display device 2 Array substrate 3 Glass substrate as an insulating substrate 8 Main TFT as a switching element
16 pixels
17 Pixel electrode
21 Color filter layer
21g Green filter part which is a green layer as the first colored layer
21r Red filter part which is a red layer as the second colored layer
21b Blue filter portion which is a blue layer as a third colored layer
26 First repair cutting part as an isolatable part
31 Second repair cutting part as insulable part
43 Liquid crystal layer as liquid crystal
51 Counter substrate
62 Insulation layer

Claims (7)

絶縁基板、この絶縁基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素、これら複数の画素のそれぞれに設けられたスイッチング素子、前記複数の画素のそれぞれに設けられ前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極、およびレーザ光の照射によって前記画素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶とを具備し、
前記アレイ基板の絶縁可能部に対向する部分を除いて前記複数の画素に対向して積層されたカラーフィルタ層を備えた
ことを特徴とした液晶表示装置。 Insulating substrate, a plurality of pixels provided in a matrix on the insulating substrate, a switching element provided in each of the plurality of pixels, and electrically connected to the switching element provided in each of the plurality of pixels An array substrate including a pixel electrode and an insulable portion capable of insulating electrical connection between the pixel electrode and the switching element by irradiation of laser light;
A counter substrate disposed to face the array substrate;
A liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate;
A liquid crystal display device comprising: a color filter layer laminated to face the plurality of pixels except for a portion facing the insulating portion of the array substrate. カラーフィルタ層の除かれた部分に設けられた絶縁層を備えた
ことを特徴とした請求項１記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 1, further comprising an insulating layer provided in a portion where the color filter layer is removed. カラーフィルタ層は、互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を備え、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のうちレーザ光の照射にて液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の絶縁可能部に対向する部分が除かれている
ことを特徴とした請求項１または２記載の液晶表示装置。 The color filter layer includes a first colored layer, a second colored layer, and a third colored layer that are colored in mutually different colors, and the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer. 3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a portion of the first colored layer that is likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with laser light is opposed to the insulating portion. 絶縁基板、この絶縁基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素、これら複数の画素のそれぞれに設けられたスイッチング素子、前記複数の画素のそれぞれに設けられ前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極、およびレーザ光の照射によって前記画素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶とを具備し、
互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層され、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分が除かれて、この第１の着色層の除かれた部分にこの第１の着色層より前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しにくい前記第２の着色層および第３の着色層のいずれかが設けられたカラーフィルタ層を備えた
ことを特徴とした液晶表示装置。 Insulating substrate, a plurality of pixels provided in a matrix on the insulating substrate, a switching element provided in each of the plurality of pixels, and electrically connected to the switching element provided in each of the plurality of pixels An array substrate including a pixel electrode and an insulable portion capable of insulating electrical connection between the pixel electrode and the switching element by irradiation of laser light;
A counter substrate disposed to face the array substrate;
A liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate;
The first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored differently from each other, and each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer is the above-mentioned The first coloration which is laminated corresponding to a plurality of pixels of the array substrate, and the liquid crystal is easily contaminated by the laser light irradiation among the first coloration layer, the second coloration layer and the third coloration layer. A portion of the layer facing the insulable portion is removed, and the second colored layer is less likely to contaminate the liquid crystal by irradiation of the laser light to the removed portion of the first colored layer. A liquid crystal display device comprising: a color filter layer provided with any one of the colored layer and the third colored layer. 絶縁基板、この絶縁基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素、これら複数の画素のそれぞれに設けられたスイッチング素子、前記複数の画素のそれぞれに設けられ前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極、およびレーザ光の照射によって前記画素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶とを具備し、
互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層され、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分に、この第１の着色層より前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しにくい前記第２の着色層および第３の着色層のいずれかが積層されたラーフィルタ層を備えた
ことを特徴とした液晶表示装置。 Insulating substrate, a plurality of pixels provided in a matrix on the insulating substrate, a switching element provided in each of the plurality of pixels, and electrically connected to the switching element provided in each of the plurality of pixels An array substrate including a pixel electrode and an insulable portion capable of insulating electrical connection between the pixel electrode and the switching element by irradiation of laser light;
A counter substrate disposed to face the array substrate;
A liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate;
The first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored differently from each other, and each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer is the above-mentioned The first coloration which is laminated corresponding to a plurality of pixels of the array substrate, and the liquid crystal is easily contaminated by the laser light irradiation among the first coloration layer, the second coloration layer and the third coloration layer. One of the second colored layer and the third colored layer, which is less likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with the laser light from the first colored layer, is laminated on a portion of the layer facing the insulable portion. A liquid crystal display device comprising a filter layer. 絶縁基板、この絶縁基板上にマトリクス状に設けられた複数の画素、これら複数の画素のそれぞれに設けられたスイッチング素子、前記複数の画素のそれぞれに設けられ前記スイッチング素子に電気的に接続された画素電極、およびレーザ光の照射によって前記画素電極と前記スイッチング素子との電気的な接続が絶縁可能な絶縁可能部を備えたアレイ基板と、
このアレイ基板に対向して配設された対向基板と、
この対向基板と前記アレイ基板との間に介在された液晶とを具備し、
互いに異なる色に着色された第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層を有し、これら第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層のそれぞれが前記アレイ基板の複数の画素に対応して積層されたカラーフィルタ層と、
このカラーフィルタ層の前記第１の着色層、第２の着色層および第３の着色層うち前記レーザ光の照射にて前記液晶を汚染しやすい前記第１の着色層の前記絶縁可能部に対向する部分に積層された絶縁層とを備えた
ことを特徴とした液晶表示装置。 Insulating substrate, a plurality of pixels provided in a matrix on the insulating substrate, a switching element provided in each of the plurality of pixels, and electrically connected to the switching element provided in each of the plurality of pixels An array substrate including a pixel electrode and an insulable portion capable of insulating electrical connection between the pixel electrode and the switching element by irradiation of laser light;
A counter substrate disposed to face the array substrate;
A liquid crystal interposed between the counter substrate and the array substrate;
The first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer that are colored differently from each other, and each of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer is the above-mentioned A color filter layer laminated corresponding to a plurality of pixels of the array substrate;
Of the first colored layer, the second colored layer, and the third colored layer of the color filter layer, facing the insulating portion of the first colored layer that is likely to contaminate the liquid crystal when irradiated with the laser beam. A liquid crystal display device comprising: an insulating layer stacked on a portion to be covered. 第１の着色層は、緑色に着色された緑色層で、
第２の着色層は、赤色に着色された赤色層で、
第３の着色層は、青色に着色された青色層である
ことを特徴とした請求項３ないし６いずれか記載の液晶表示装置。 The first colored layer is a green layer colored green,
The second colored layer is a red layer colored red,
The liquid crystal display device according to claim 3, wherein the third colored layer is a blue layer colored blue.
JP2005258225A 2005-09-06 2005-09-06 Liquid crystal display Pending JP2007072116A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005258225A JP2007072116A (en) 2005-09-06 2005-09-06 Liquid crystal display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005258225A JP2007072116A (en) 2005-09-06 2005-09-06 Liquid crystal display

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007072116A true JP2007072116A (en) 2007-03-22

Family

ID=37933618

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005258225A Pending JP2007072116A (en) 2005-09-06 2005-09-06 Liquid crystal display

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007072116A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009300826A (en) * 2008-06-16 2009-12-24 V Technology Co Ltd Wiring disconnection correction method
WO2012160610A1 (en) * 2011-05-26 2012-11-29 パナソニック株式会社 Display panel and manufacturing method for same
US8330918B2 (en) 2010-03-03 2012-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display and liquid crystal display thereof
US8704309B2 (en) 2011-05-26 2014-04-22 Panasonic Corporation Display panel and method of manufacturing the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009300826A (en) * 2008-06-16 2009-12-24 V Technology Co Ltd Wiring disconnection correction method
US8330918B2 (en) 2010-03-03 2012-12-11 Samsung Display Co., Ltd. Method of manufacturing a liquid crystal display and liquid crystal display thereof
WO2012160610A1 (en) * 2011-05-26 2012-11-29 パナソニック株式会社 Display panel and manufacturing method for same
US8704309B2 (en) 2011-05-26 2014-04-22 Panasonic Corporation Display panel and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5190625B2 (en) Liquid crystal display device and defective pixel repair method thereof
TWI415239B (en) Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof, and array substrate and manufacturing method thereof
JP4636820B2 (en) Thin film transistor array panel and method of repairing liquid crystal display device including the same
JP4622532B2 (en) Display device and display device defect repair method
US8274621B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
US20080220553A1 (en) Method of producing liquid crystal display device including forming an align mark in an insulating mother substrate
JP2008501127A (en) Display device substrate, method for correcting the same, method for correcting the display device, and liquid crystal display device
KR20160059530A (en) Method of manufacturing display substrate, repair method of display substrate and display substrate repaired by the method
JP4439546B2 (en) Array substrate for display device and manufacturing method thereof
US20040141098A1 (en) Display device and manufacturing method thereof
JP2007072116A (en) Liquid crystal display
KR102383446B1 (en) Repair method of display substrate and display substrate repaired by the method
JP6512834B2 (en) Display device and member for display device for manufacturing display device
JP4173332B2 (en) Display device, pixel repair method for display device, and method for manufacturing display device
US8351016B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP4340459B2 (en) Manufacturing method of display device
JP2009151098A (en) Flat-panel display device, array substrate, and its manufacturing method
US20090230398A1 (en) Thin-film transistor substrate and method of repairing the same
JPH11119253A (en) Active matrix type liquid crystal display device and its defect correcting method
US8228480B2 (en) Display device and manufacturing method of display device
JP2009151094A (en) Display device
JP4954395B2 (en) Method for repairing disconnection of display device
JP2007241183A (en) Display device and repairing method for display device
JP2007052286A (en) Semiconductor element, liquid crystal display device, and method for repairing the same
JP2005092154A (en) Active substrate, display device, and its manufacturing method