JP2007066691A - Assembling substrate of display device, and its manufacturing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、100℃から260℃までの加熱処理における水分またはアウトガスによる有機発光素子の損傷を防ぐための、表示装置の組立基板及びその製造方法に関する。 The present invention relates to an assembly substrate for a display device and a method for manufacturing the same for preventing damage to an organic light emitting element due to moisture or outgas in heat treatment from 100 ° C. to 260 ° C.
図1は、従来技術のOLEDの断面図である。従来技術のOLEDには、ガラス基板10、ガラス基板10に交互に形成された光学波長変換層20及びブラックマトリクス30、光学波長変換層20に形成された有機被膜層40、有機被膜層40に形成された無機バリア層45、並びに無機バリア層45に組み立てられた有機発光素子50がある。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a prior art OLED. In the conventional OLED, the
また、加熱処理における、光学波長変換層20や有機被膜層40からの水分またはアウトガスによる有機発光素子50の損傷を防ぐために、無機バリア層45が有機被膜層40に形成されている。
In addition, an
光学波長変換層20に有機被膜層40を形成した後、有機被膜層40の表面を洗浄必要があるが、洗浄処理において水分またはアウトガスが有機被膜層40の開口部に吸収されやすく、開口部の水分またはアウトガスが他の処理で蒸発し、有機発光素子50に影響を及ぼしやすく、また、有機被膜層40は、有機材料であるため、水分またはアウトガスが有機被膜層40から生成されやすく、有機発光素子50を損傷し、または影響を及ぼしやすい。
After forming the
本発明は、表示装置の組立基板及びその製造方法に関するものであるが、組立基板は、光学波長変換層や無機被膜層に無機バリア層が形成され、加熱処理において光学波長変換層からの水分またはアウトガスによる有機発光素子の損傷を防ぎ、無機被膜層を生成する前の洗浄処理による光学波長変換層の損傷を防ぐ。 The present invention relates to an assembly substrate for a display device and a method for manufacturing the assembly substrate. In the assembly substrate, an inorganic barrier layer is formed on an optical wavelength conversion layer or an inorganic coating layer, and moisture or The organic light emitting device is prevented from being damaged by outgas, and the optical wavelength conversion layer is prevented from being damaged by the cleaning treatment before the inorganic coating layer is formed.
さらに、本発明では、無機材料によって生成された無機被膜層が提供されているため、無機被膜層の構造は非常に簡潔であり、無機被膜は水分またはアウトガスを吸収しにくく、それによって、無機被膜層は、透明基板から生成される水分またはアウトガスによる有機発光素子の損傷を防ぐことができる。 Furthermore, in the present invention, since the inorganic coating layer produced by the inorganic material is provided, the structure of the inorganic coating layer is very simple, and the inorganic coating is difficult to absorb moisture or outgas, thereby the inorganic coating layer. The layer can prevent damage to the organic light emitting device due to moisture or outgas generated from the transparent substrate.
この発明のひとつの面である組立基板には、透明基板、光学波長変換層、及び無機被膜層が含まれており、光学波長変換層は透明基板に形成され、無機被膜層は光学波長変換層を多い、組立基板は有機発光素子を支えるために用いられ、組立基板及び有機発光素子は、表示装置を形成するため一緒に組み立てられている。 The assembly substrate according to one aspect of the present invention includes a transparent substrate, an optical wavelength conversion layer, and an inorganic coating layer. The optical wavelength conversion layer is formed on the transparent substrate, and the inorganic coating layer is the optical wavelength conversion layer. The assembly substrate is used to support the organic light emitting device, and the assembly substrate and the organic light emitting device are assembled together to form a display device.
さらに、組立基板では、加熱処理において光学波長変換層から生成される水分またはアウトガスによる有機発光素子の損傷を防ぐため、無機バリア層が光学波長変換層や無機被膜層に形成されている。 Further, in the assembly substrate, an inorganic barrier layer is formed on the optical wavelength conversion layer or the inorganic coating layer in order to prevent damage to the organic light emitting element due to moisture or outgas generated from the optical wavelength conversion layer in the heat treatment.
この発明のもうひとつの面であるが組立基板の製造方法には、透明基板の提供、透明基板での光学波長変換層の形成、光学波長変換層での無機被膜層の被膜が含まれる。 As another aspect of the present invention, the method for manufacturing an assembly substrate includes providing a transparent substrate, forming an optical wavelength conversion layer on the transparent substrate, and coating an inorganic coating layer on the optical wavelength conversion layer.
さらに、組立基板の製造方法には、光学波長変換層や無機被膜層での無機バリア層の形成が含まれ、さらに、光学波長変換層に無機バリア層を形成した後で、有機発光素子を無機バリア層に組み立てて、表示装置を形成することができることに加え、組立基板の製造方法には、光学波長変換層や無機バリア層を無機被膜層で覆った後の平坦化処理が含まれる。 Furthermore, the manufacturing method of the assembly substrate includes the formation of an inorganic barrier layer with an optical wavelength conversion layer or an inorganic coating layer. Further, after the inorganic barrier layer is formed on the optical wavelength conversion layer, the organic light-emitting element is made inorganic. In addition to being able to be assembled with the barrier layer to form a display device, the manufacturing method of the assembly substrate includes a planarization treatment after covering the optical wavelength conversion layer or the inorganic barrier layer with the inorganic coating layer.
前述の一般的な説明と後述の詳細説明は、典型的なものであり、本発明をより理解できるように提供されているものであるが、本発明のその他の利点及び特徴については、以下の説明、図面及び請求項によって明白なものとなる。 The foregoing general description and the following detailed description are exemplary and are provided to provide a further understanding of the invention. Other advantages and features of the invention are described below. It will be apparent from the description, drawings, and claims.
図2は、本発明の実施例1のOLED(有機ELディスプレイ)の断面図であるが、OLED1aには、透明基板10a、光学波長変換層20a、無機被膜層40a、及び有機発光素子50aが含まれ、光学波長変換層20aは透明基板10aに形成され、無機被膜層40aは光学波長変換層20aを覆い、有機発光素子50aは無機被膜層40aに配置され、また、透明基板10aはガラス、石英またはプラスチック材料で形成することができ、透明基板10aには、TFT(薄膜トランジスタ)などのアクティブマトリクスまたは単純マトリクス方式があり、さらに有機発光素子50aは、OLED(有機発光ダイオード)またはPLED(ポリマー発光ダイオード)とすることができる。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the OLED (organic EL display) of Example 1 of the present invention. The OLED 1a includes a
さらに、無機被膜層40aは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化チタン、窒化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化鉛、酸化ホウ素、酸化カルシウム、SiOxCiHj、SiNyCiHj、SiOxNyCiHjを含むグループから選ばれた材料によって生成され、無機被膜層40aには、光学波長変換層20aの水分またはアウトガスが加熱処理において有機発光素子50aに広がることを防ぐのに完璧な1μmから50μmの厚みがあり、無機被膜層40aは多層構造であり、また、有機発光素子50aは無機被膜層40aの平坦な表面に簡単に形成され、光学波長変換層20aは、カラーフィルター(CF)層、色変換媒体(CCM)層、またはカラーフィルター層及び色変換媒体層の組み合わせとすることができ、有機発光素子50aは、白または青とすることができ、さらに、OLEDの表示効果を確実にするため、無機被膜層40aには、80%を上回る透過率がある。
Furthermore, the
図3は、本発明の実施例2のOLED1bの断面図であるが、光学波長変換層20bの水分またはアウトガスによる有機発光素子50bの損傷を防ぎ、無機被膜層40bの生成前の洗浄処理による光学波長変換層20bの損傷を防ぐため、CVD(化学気相成長法)またはPVD(物理気相成長法)の方法によって、無機バリア層35bを光学波長変換層20bに形成することができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the OLED 1b according to the second embodiment of the present invention. The OLED 1b according to the second embodiment of the present invention prevents damage to the organic
図4は、本発明の実施例3のOLED1cの断面図であるが、光学波長変換層20cに無機バリア層35cを形成する以外に、CVDまたはPVDの方法によって無機被膜層40cに無機バリア層45cを形成することができ、無機バリア層35c、40cは、光学波長変換層20cの水分またはアウトガスにより有機発光素子50cの損傷を防ぐことができるだけでなく、素子パターンの作成におけるエッチング液による透明電極の損傷を防ぐこともできるが、無機バリア層(35b、35c、または45c)従来技術のバリア層45の厚みより薄く、言い換えれば、無機バリア層(35b、35c、または45c)の厚みは、500×10−10mから5000×10−10mで従来技術と同じ効果をもち、また、無機バリア層(35b、35c、または45c)は多層構造とすることができる。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the
図5Aから5Cは、それぞれ本発明の実施例1のOLED製造の3つの断面図、図6は、本発明の実施例1の組立基板の製造方法のフローチャートで、 本発明のディスプレイ用の組立基板の製造方法では、TFTアレイのあるガラス基板または明基板10a(S100)、透明基板10aでの光学波長変換層20aの形成(S102)が提供され、また光学波長変換層20aのパターンは、ブラックマトリクス30aによって分離され、光学波長変換層20aを無機被膜層40aで覆っており(S104)、さらには、無機被膜層40aは、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸化チタン、窒化チタン、酸化ジルコニウム、窒化ジルコニウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化スズ、酸化インジウム、酸化鉛、酸化ホウ素、酸化カルシウム、SiOxCiHj、SiNyCiHj、SiOxNyCiHjを含むグループから選ばれた材料によって生成されており、無機被膜層40aは、CVD、PVD、またはSOG(スピンオンガラス)の方法によって形成することができ、無機被膜層40aは多層構造であり、さらに、該方法には、無機被膜層40aでの有機発光素子50aの組立が含まれている。
5A to 5C are three cross-sectional views of manufacturing the OLED according to the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a flowchart of the manufacturing method of the assembled substrate according to the first embodiment of the present invention. In this manufacturing method, the formation of the optical
さらに、無機被膜層40aには、1μmから50μmの厚みがあり、無機被膜層40aが20℃から300℃までの温度及び0.0005トルから1atmまでの圧力で光学波長変換層を覆う。
Further, the
また、該方法には、光学波長変換層や無機被膜層での無機バリア層の形成が含まれ、さらに、光学波長変換層に無機バリア層を形成した後に表示装置を形成するために、無機バリア層に有機発光素子を組み立てることができ、該方法には、光学波長変換層または無機バリア層を無機被膜層で覆った後の平坦化処理が含まれる。 The method also includes the formation of an inorganic barrier layer with an optical wavelength conversion layer or an inorganic coating layer, and further, an inorganic barrier layer is formed to form a display device after the inorganic barrier layer is formed on the optical wavelength conversion layer. An organic light emitting device can be assembled in the layer, and the method includes a planarization treatment after covering the optical wavelength conversion layer or the inorganic barrier layer with the inorganic coating layer.
まとめると、無機バリア層(35b、35c、または45c)は、加熱処理における光学波長変換層(20a、20b、または20c)からの水分またはアウトガスによる有機発光素子(50a、50b、または50c)の損傷を防ぎ、無機被膜層(40a、40b、または40c)の形成後の洗浄処理による光学波長変換層 (20a、20b、または20c)の損傷を防ぐために提供されている。 In summary, the inorganic barrier layer (35b, 35c, or 45c) can damage the organic light emitting device (50a, 50b, or 50c) due to moisture or outgas from the optical wavelength conversion layer (20a, 20b, or 20c) in the heat treatment. It is provided to prevent damage to the optical wavelength conversion layer (20a, 20b, or 20c) due to the cleaning treatment after the formation of the inorganic coating layer (40a, 40b, or 40c).
さらに、無機被膜層(40a、40b、または40c)は無機材料によって生成されているため、無機被膜層(40a、40b、または40c)の構造は非常に簡潔であり、無機被膜(40a、40b、または40c)は水分またはアウトガスを吸収しにくく、それによって、無機被膜層(40a、40b、または40c)は、透明基板(10a、10b、または10c)から生成される水分またはアウトガスによる有機発光素子(50a、50b、または50c)の損傷を防ぐことができる。 Furthermore, since the inorganic coating layer (40a, 40b, or 40c) is made of an inorganic material, the structure of the inorganic coating layer (40a, 40b, or 40c) is very simple, and the inorganic coating layer (40a, 40b, 40c, Or 40c) hardly absorbs moisture or outgas, so that the inorganic coating layer (40a, 40b, or 40c) is an organic light-emitting device (moisture or outgas generated from the transparent substrate (10a, 10b, or 10c)). Damage to 50a, 50b, or 50c) can be prevented.
本発明について、最良の実施例をいくつか挙げて説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、前述の説明でも、様々な置き換えや変更が提案されており、この技術の通常の技能を有するものによってその他の形態も行うことができるため、すべてのこれらの置き換え及び変更は、別紙の特許請求の範囲の各請求項に定義された範囲に含まれるものである。 Although the present invention has been described with reference to some of the best embodiments, the present invention is not limited thereto, and various replacements and modifications have been proposed in the above description, and the ordinary skill of this technology is described. All such substitutions and modifications are intended to be included within the scope of the appended claims as defined by the appended claims.
本発明の様々な目的及び利点は、詳細な説明を読む際に、以下の添付図面と組み合わせることにより、より理解を深めることができる。
1 OLED
10 基板
20 光学波長変換層
30 ブラックマトリクス
40 被膜層
45 バリア層
50 有機発光素子
1a、1b、1c OLED
10a、10b、10c 基板
30a、30b、30c ブラックマトリクス
20a、20b、20c 光学波長変換層
35b、35c 無機バリア層
45c 無機バリア層
40a、40b、40c 無機被膜層
50a、50b、50c 有機発光素子
1 OLED
DESCRIPTION OF
10a, 10b,
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JP2015062197A (en) * | 2007-06-28 | 2015-04-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Light-emitting device |
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2005
- 2005-08-31 JP JP2005251024A patent/JP2007066691A/en active Pending
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080812 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090407 |