JP2007063418A - Polymer, and optical film and image display device using the same - Google Patents

Polymer, and optical film and image display device using the same Download PDF

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JP2007063418A JP2005251477A JP2005251477A JP2007063418A JP 2007063418 A JP2007063418 A JP 2007063418A JP 2005251477 A JP2005251477 A JP 2005251477A JP 2005251477 A JP2005251477 A JP 2005251477A JP 2007063418 A JP2007063418 A JP 2007063418A
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Tatsuhiko Obayashi
達彦 大林
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a polymer having excellent transparency, heat resistance and mechanical characteristics, and suitable for an optical part application; and to provide an optical film using the polymer, and an image display device using the optical film. <P>SOLUTION: The polymer has at least either one of an ester bond and a urethane bond obtained by using a diallylphenol having at least one substituted or nonsubstituted allyl group, and represented by a specific formula having a ring obtained by spiro-bonding two rings, a monocyclic ring or a polycyclic ring as a diol component. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は耐熱性、光学特性、および力学特性に優れた新規なポリマー、および、前記ポリマーを用いて形成された光学フィルムに関するものであり、更には、前記光学フィルムを用いた表示品位に優れた画像表示装置に関するものである。   The present invention relates to a novel polymer excellent in heat resistance, optical properties, and mechanical properties, and an optical film formed using the polymer, and further, excellent display quality using the optical film. The present invention relates to an image display device.

近年、液晶表示素子、有機EL素子等のフラットパネルディスプレイ分野において、耐破損性の向上、軽量化、薄型化の要望から、基板をガラスからプラスチックに置き換えることが検討されている。特に、携帯電話や、電子手帳、ラップトップ型パソコンなど携帯情報端末などの移動型情報通信機器用表示装置の分野では、プラスチック基板に対する強い要望がある。
このプラスチック基板には導電性を必要とするため、プラスチックフィルム上に、酸化インジウム、酸化錫、或いは錫−インジウム合金の酸化物等の半導体膜、金、銀、パラジウム合金の酸化膜等の金属膜、該半導体膜と該金属膜とを組み合わせて形成された膜を透明導電層として設けた透明導電性基板を表示素子の電極基板として用いることが検討されている。
この目的に使用されるプラスチックとしては、耐熱性の非晶ポリマー、例えば変性ポリカーボネート(変性PC)(例えば、特許文献1参照)、ポリエーテルスルホン(PES)(例えば、特許文献2参照)、シクロオレフィンコポリマー(例えば、特許文献3参照)に透明導電層、ガスバリア層を積層したものが知られている。
しかしこのような耐熱性プラスチックを用いてもプラスチック基板として十分な耐熱性が得ることはできなかった。すなわち、これら耐熱性プラスチックを用いたプラスチック基板に導電層を形成させた後、配向膜などの付与のため150℃以上の温度にさらすと、導電性、ガスバリア性が大きく低下するという問題があった。また、アクティブマトリクス型画像素子作製時のTFTを設置する際には、更なる耐熱性が要求される。
In recent years, in the field of flat panel displays such as liquid crystal display elements and organic EL elements, it has been studied to replace a substrate from glass to plastic in order to improve breakage resistance, reduce the weight, and reduce the thickness. In particular, there is a strong demand for plastic substrates in the field of mobile information communication device display devices such as mobile phones, electronic notebooks, laptop computers, and other portable information terminals.
Since this plastic substrate needs conductivity, a metal film such as a semiconductor film such as an oxide of indium oxide, tin oxide or tin-indium alloy, an oxide film of gold, silver or palladium alloy on the plastic film. The use of a transparent conductive substrate provided with a film formed by combining the semiconductor film and the metal film as a transparent conductive layer is used as an electrode substrate of a display element.
Plastics used for this purpose include heat-resistant amorphous polymers such as modified polycarbonate (modified PC) (for example, see Patent Document 1), polyethersulfone (PES) (for example, see Patent Document 2), cycloolefin. A copolymer obtained by laminating a transparent conductive layer and a gas barrier layer on a copolymer (for example, see Patent Document 3) is known.
However, even if such a heat-resistant plastic is used, sufficient heat resistance as a plastic substrate cannot be obtained. That is, when a conductive layer is formed on a plastic substrate using these heat-resistant plastics and then exposed to a temperature of 150 ° C. or higher for providing an alignment film, there is a problem that the conductivity and gas barrier properties are greatly reduced. . Further, when installing a TFT for manufacturing an active matrix image element, further heat resistance is required.

特許文献4には、SiH4を含むガスをプラズマ分解することにより300℃もしくはそれ以下の温度で多結晶シリコン膜を形成する方法が記載されている。また、特許文献5にはエネルギービームを照射して高分子基板上にアモルファスシリコンと多結晶シリコンとが混合された半導体層を形成する方法が記載されている。さらに特許文献6には、熱的バッファ層を設け、パルスレーザビームを照射してプラスチック基板上に多結晶シリコン半導体層を形成する方法が記載されている。これらのように300℃以下でTFT用多結晶シリコン膜を形成する方法は、種々提案されているが、構成や装置が複雑で高コストとなるという問題がある。このため、300℃ないし350℃以上の耐熱性が、プラスチック基板に求められている。 Patent Document 4 describes a method of forming a polycrystalline silicon film at a temperature of 300 ° C. or lower by plasma decomposition of a gas containing SiH 4 . Patent Document 5 describes a method for forming a semiconductor layer in which amorphous silicon and polycrystalline silicon are mixed on a polymer substrate by irradiation with an energy beam. Further, Patent Document 6 describes a method of forming a polycrystalline silicon semiconductor layer on a plastic substrate by providing a thermal buffer layer and irradiating a pulse laser beam. Various methods for forming a polycrystalline silicon film for TFTs at 300 ° C. or lower like these have been proposed, but there is a problem that the configuration and the apparatus are complicated and the cost is high. For this reason, heat resistance of 300 ° C. to 350 ° C. or more is required for plastic substrates.

また、特許文献7には、脂肪族テトラカルボン酸無水物から誘導されるポリイミドを用いた薄膜トランジスタ基板について開示されている。該特許文献7に記載されているポリイミドフィルムは、ガラス転移温度(Tg)315℃および全光線透過率85%と、耐熱性や透明性に優れるが、原料となる脂肪族テトラカルボン酸無水物が高コストである。また高沸点溶媒を用いた高温での製膜が必要であることも製造上好ましくない。   Patent Document 7 discloses a thin film transistor substrate using polyimide derived from an aliphatic tetracarboxylic acid anhydride. The polyimide film described in Patent Document 7 has a glass transition temperature (Tg) of 315 ° C. and a total light transmittance of 85%, and is excellent in heat resistance and transparency. High cost. Further, it is not preferable in production that film formation at a high temperature using a high boiling point solvent is necessary.

特許文献8および9には、9,9−ビス(4−ヒドロキシフェニル)フルオレン(以下、「ビスフェノールフルオレン」とも称する)とイソフタル酸およびテレフタル酸とから誘導されるポリエステルフィルムに関する記載がある。また、特許文献10には、アルキル置換されたビスフェノールフルオレンとイソフタル酸およびテレフタル酸とから誘導されるポリエステルフィルムに関する記載がある。
これらのアルキル置換または無置換のビスフェノールフルオレンとイソフタル酸およびテレフタル酸とから誘導されるポリエステルは安価な原料から合成可能であり、かつガラス転移温度が300℃付近になる。さらに前記文献によればジクロロメタン、シクロヘキサノンなどの低沸点溶剤を用いて透明性、破断伸びに優れた柔軟なフィルムが作製されている。しかしながら、アクティブマトリクス型画像素子作製時のTFT設置工程に対しては必ずしも十分な耐熱性を有しているとはいえず、またプラスチック基板に求められる力学特性の要求に対してもさらなる改良が望まれていた。
Patent Documents 8 and 9 describe a polyester film derived from 9,9-bis (4-hydroxyphenyl) fluorene (hereinafter also referred to as “bisphenolfluorene”), isophthalic acid and terephthalic acid. Patent Document 10 also describes a polyester film derived from alkyl-substituted bisphenolfluorene, isophthalic acid and terephthalic acid.
Polyesters derived from these alkyl-substituted or unsubstituted bisphenolfluorenes and isophthalic acid and terephthalic acid can be synthesized from inexpensive raw materials and have a glass transition temperature of around 300 ° C. Further, according to the above document, a flexible film excellent in transparency and breaking elongation is produced using a low boiling point solvent such as dichloromethane or cyclohexanone. However, it does not necessarily have sufficient heat resistance for the TFT installation process at the time of manufacturing an active matrix type image device, and further improvement is desired for the demand for mechanical properties required for plastic substrates. It was rare.

特許文献11には、ジアリールアセチレンで末端封止されたポリイミド、ポリイミドオリゴマーについて記載されている。該ポリイミドは、低分子量体であるため良好な溶解性が得られる一方で、製膜後の加熱によるアルキニル基の架橋反応により、耐熱性、および力学特性が向上するものである。しかしながら樹脂の着色の点で光学フィルム用途に対しては好ましくなかった。   Patent Document 11 describes a polyimide or polyimide oligomer end-capped with diarylacetylene. Since the polyimide has a low molecular weight, good solubility can be obtained. On the other hand, heat resistance and mechanical properties are improved by a crosslinking reaction of alkynyl groups by heating after film formation. However, it was not preferable for optical film applications in terms of resin coloring.

特許文献12には側鎖にアリル基を有するポリカーボネートが開示されている。しかしながらこれらの化合物は、熱変形開始温度が200℃程度であり、前記ディスプレイ用耐熱基板としては不十分なレベルである。   Patent Document 12 discloses a polycarbonate having an allyl group in the side chain. However, these compounds have a thermal deformation start temperature of about 200 ° C., which is an insufficient level for the heat-resistant substrate for display.

前記の如く、透明性、耐熱性、力学特性を満足する樹脂、およびこれを用いた光学フィルムの開発が強く望まれていた。   As described above, there has been a strong demand for the development of a resin that satisfies transparency, heat resistance, and mechanical properties, and an optical film using the resin.

特開2000−227603号公報(全頁)JP 2000-227603 A (all pages) 特開2000−284717号公報(全頁)JP 2000-284717 A (all pages) 特開2001−150584号公報(全頁)JP 2001-150584 A (all pages) 特開平7−81919号公報(全頁)JP-A-7-81919 (all pages) 特表平10−512104号公報(全頁)Japanese National Patent Publication No. 10-512104 (all pages) 特開平11−102867号公報(全頁)Japanese Patent Laid-Open No. 11-102867 (all pages) 特開2003−168800号公報(全頁)JP 2003-168800 A (all pages) 特開昭57−192432号公報(全頁)JP-A-57-192432 (all pages) 特開平3−28222号公報(全頁)JP-A-3-28222 (all pages) 国際公開第99/18141号パンフレット(全頁)WO99 / 18141 pamphlet (all pages) 米国特許5138028号公報(全頁)US Pat. No. 5,138,028 (all pages) 特開平10−77338(全頁)JP-A-10-77338 (all pages)

本発明が解決しようとする第1の課題は、透明性、耐熱性および力学特性に優れ、光学部品用途に適したポリマーを提供することであり、第2の課題は該ポリマーを用いて形成された透明性、耐熱性および力学特性に優れる光学フィルムを提供することにある。また、第3の課題は該光学フィルムを用い、表示品位に優れた画像表示装置を提供することにある。   The first problem to be solved by the present invention is to provide a polymer that is excellent in transparency, heat resistance and mechanical properties, and is suitable for use in optical parts, and the second problem is formed using the polymer. Another object is to provide an optical film excellent in transparency, heat resistance and mechanical properties. A third problem is to provide an image display device using the optical film and having excellent display quality.

前記課題は、以下の1)〜8)の本発明によって達成された。
1)下記一般式(1)または一般式(2)で表わされる繰り返し単位を少なくとも1種類含有し、エステル結合およびウレタン結合のいずれかを少なくとも有することを特徴とするポリマー。

Figure 2007063418
〔一般式(1)中、αは環構造を表し、2つの環はスピロ結合によって結合している。R1〜R6は水素原子または置換基を表し、R1〜R4の少なくとも1つが置換または無置換のアリル基を表す。R1とR5、R4とR6とは互いに結合して環を形成していてもよい。〕 The above objects have been achieved by the present inventions 1) to 8) below.
1) A polymer comprising at least one repeating unit represented by the following general formula (1) or general formula (2), and having at least one of an ester bond and a urethane bond.
Figure 2007063418
[In the general formula (1), α represents a ring structure, and the two rings are linked by a spiro bond. R 1 to R 6 each represents a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 1 to R 4 represents a substituted or unsubstituted allyl group. R 1 and R 5 , R 4 and R 6 may be bonded to each other to form a ring. ]

Figure 2007063418
〔一般式(2)中、環βは単環式または多環式の環を表す。R1〜R8は水素原子または置換基を表し、R1〜R4の少なくとも1つが置換または無置換のアリル基を表す。R1とR5、R2とR6、R3とR7、R4とR8、R5とR7とは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
Figure 2007063418
[In general formula (2), ring β represents a monocyclic or polycyclic ring. R 1 to R 8 represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 1 to R 4 represents a substituted or unsubstituted allyl group. R 1 and R 5 , R 2 and R 6 , R 3 and R 7 , R 4 and R 8 , and R 5 and R 7 may be bonded to each other to form a ring. ]

2)前記1)に記載のポリマーによって形成されたことを特徴とする光学フィルム。
3)前記1)に記載のポリマーにおけるアリル基が架橋していることを特徴とする前記2)に記載の光学フィルム。
4)全光線透過率80%以上であることを特徴とする前記2)または3)に記載の光学フィルム。
2) An optical film formed of the polymer described in 1) above.
3) The optical film as described in 2) above, wherein allyl groups in the polymer as described in 1) above are crosslinked.
4) The optical film as described in 2) or 3) above, which has a total light transmittance of 80% or more.

5)少なくとも片面にガスバリア層が積層されていることを特徴とする前記2)〜4)のいずれか1つに記載の光学フィルム。
6)少なくとも片面に透明導電層が積層されていることを特徴とする前記2)〜5)のいずれか1つに記載の光学フィルム。
7)前記2)〜6)のいずれか1つに記載の光学フィルムを用いた画像表示装置。
5) The optical film as described in any one of 2) to 4) above, wherein a gas barrier layer is laminated on at least one surface.
6) The optical film as described in any one of 2) to 5) above, wherein a transparent conductive layer is laminated on at least one surface.
7) An image display device using the optical film according to any one of 2) to 6).

本発明によれば、高温で各種機能層を形成可能な耐熱性を有し、かつ優れた透明性などの光学特性とフィルム成形可能な力学特性とを有するポリマー、および、これを用いた光学フィルム、並びに、表示品位に優れた画像表示装置を提供することができる。   According to the present invention, a polymer having heat resistance capable of forming various functional layers at a high temperature and having excellent optical properties such as transparency and mechanical properties capable of forming a film, and an optical film using the same In addition, an image display device excellent in display quality can be provided.

以下に本発明のポリマー、フィルムおよび画像表示装置について詳しく説明する。   The polymer, film and image display device of the present invention will be described in detail below.

(ポリマー)
本発明のポリマーは、下記一般式(1)で表わされるスピロ構造または一般式(2)で表わされるカルド構造を繰り返し単位として少なくとも1種類含有し、エステル結合(−CO−O−)およびウレタン結合(−NH−COO−)のいずれかを少なくとも有することを特徴とする。即ち、本発明におけるポリマーは、下記の繰り返し単位を含有する(アリル基を含有する)、架橋性のポリエステルまたはポリウレタンである。
これらのポリマーは高耐熱性、高弾性率かつ高い引張り破壊応力を有する化合物であり、製造プロセスにおいて種々の加熱操作が要求され、かつ屈曲させても破壊しにくいといった性能が要求される有機EL素子等の基板材料として好適である。
(polymer)
The polymer of the present invention contains at least one spiro structure represented by the following general formula (1) or a cardo structure represented by the general formula (2) as a repeating unit, and includes an ester bond (—CO—O—) and a urethane bond. It has at least one of (-NH-COO-). That is, the polymer in the present invention is a crosslinkable polyester or polyurethane containing the following repeating unit (containing an allyl group).
These polymers are compounds with high heat resistance, high elastic modulus, and high tensile fracture stress, and various heating operations are required in the manufacturing process, and the organic EL elements are required to be resistant to fracture even when bent. It is suitable as a substrate material.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

一般式(1)中、αは環構造を表し、2つの環はスピロ結合によって結合している。前記環構造としては、5員または6員環であることが好ましい。R1〜R6は水素原子または置換基を表し、R1〜R4の少なくとも1つが置換または無置換のアリル基を表す。前記アリル基の置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素など)、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基など)、アリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、ナフチル基など)が好ましい。これらの置換基は置換可能ないずれの位置に置換していてもよく、複数置換していてもよい。前記アリル基としては無置換のアリル基が特に好ましい。
またR1〜R4のうちの2つ以上が置換または無置換のアリル基であることが好ましく、少なくともR1およびR3が置換または無置換のアリル基であることが好ましい。R1〜R6がアリル基以外の置換基を表す場合、該置換基としてはハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素など)、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、t−ブチル基、トリフルオロメチル基など)、アリール基(例えば、フェニル基、4―クロロフェニル基、4−メトキシフェニル基、ナフチル基など)などが挙げられ、R1とR5、R4とR6とは互いに結合して環を形成していてもよい。R1〜R6がアリル基以外の置換基を表す場合、水素原子を表すことが特に好ましい。
In general formula (1), α represents a ring structure, and the two rings are connected by a spiro bond. The ring structure is preferably a 5-membered or 6-membered ring. R 1 to R 6 each represents a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 1 to R 4 represents a substituted or unsubstituted allyl group. Examples of the substituent for the allyl group include a halogen atom (for example, fluorine, chlorine, bromine, etc.), an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, etc.), an aryl group (for example, phenyl group, 4- Chlorophenyl group, naphthyl group, etc.) are preferred. These substituents may be substituted at any substitutable position, and may be substituted in plural. As the allyl group, an unsubstituted allyl group is particularly preferable.
Two or more of R 1 to R 4 are preferably substituted or unsubstituted allyl groups, and at least R 1 and R 3 are preferably substituted or unsubstituted allyl groups. When R 1 to R 6 represent a substituent other than an allyl group, examples of the substituent include a halogen atom (eg, fluorine, chlorine, bromine), an alkyl group (eg, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, Trifluoromethyl group, etc.), aryl groups (eg, phenyl group, 4-chlorophenyl group, 4-methoxyphenyl group, naphthyl group, etc.) and the like, and R 1 and R 5 , R 4 and R 6 are bonded to each other. To form a ring. When R 1 to R 6 represent a substituent other than an allyl group, it is particularly preferable to represent a hydrogen atom.

一般式(1)で表わされる構造として特に好ましくは、一般式(3)〜(5)で表わされる構造が挙げられる。   Particularly preferred examples of the structure represented by the general formula (1) include structures represented by the general formulas (3) to (5).

Figure 2007063418
Figure 2007063418

一般式(3)中、R1〜R6は一般式(1)と同じ意味を表す。R7〜R14はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。また、R1とR5、R4とR6とは互いに結合して環を形成していてもよい。R7〜R14の好ましい例としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、フェニル基であり、特に好ましくは水素原子またはメチル基である。 In General Formula (3), R 1 to R 6 represent the same meaning as in General Formula (1). R 7 to R 14 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 5 , R 4 and R 6 may be bonded to each other to form a ring. Preferable examples of R 7 to R 14 are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group, more preferably a hydrogen atom, a methyl group, and a phenyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

一般式(4)中、R1〜R6は一般式(1)と同じ意味を表す。R7〜R10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。また、R1とR5、R4とR6とは互いに結合して環を形成していてもよい。R7〜R10の好ましい例としては、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、フェニル基であり、特に好ましくは水素原子またはメチル基である。 In general formula (4), R 1 to R 6 represent the same meaning as in general formula (1). R 7 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 5 , R 4 and R 6 may be bonded to each other to form a ring. Preferable examples of R 7 to R 10 are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group, more preferably a hydrogen atom, a methyl group, and a phenyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

一般式(5)中、R1〜R6は一般式(1)と同じ意味を表す。R7〜R10はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。また、R1とR5、R4とR6とは互いに結合して環を形成していてもよい。R7〜R10の好ましい例は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基であり、より好ましくは水素原子、メチル基、フェニル基であり、特に好ましくは水素原子またはメチル基である。 In general formula (5), R < 1 > -R < 6 > represents the same meaning as general formula (1). R 7 to R 10 each independently represents a hydrogen atom or a substituent. R 1 and R 5 , R 4 and R 6 may be bonded to each other to form a ring. Preferable examples of R 7 to R 10 are a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, and an aryl group, more preferably a hydrogen atom, a methyl group, and a phenyl group, and particularly preferably a hydrogen atom or a methyl group.

次に一般式(2)について説明する。   Next, general formula (2) will be described.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

一般式(2)中、環βは単環式または多環式の環を表す。R1〜R8は置換基を表す。これら各置換基は同じであっても異なっていてもよい。また、R1〜R4の少なくとも1つが置換または無置換のアリル基を表す。 In general formula (2), ring β represents a monocyclic or polycyclic ring. R 1 to R 8 represent a substituent. Each of these substituents may be the same or different. Further, at least one of R 1 to R 4 represents a substituted or unsubstituted allyl group.

前記アリル基の置換基としては、ハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素など)、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、n−プロピル基など)、アリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、ナフチル基など)が好ましい。これらの置換基は置換可能ないずれの位置に置換していてもよく、複数置換していてもよい。前記アリル基としては無置換のアリル基が特に好ましい。またR1〜R4のうちの2つ以上が置換または無置換のアリル基であることが好ましく、少なくともR1およびR3が置換または無置換のアリル基であることが好ましい。R1〜R8がアリル基以外の置換基を表す場合、置換基としてはハロゲン原子(例えば、フッ素、塩素、臭素など)、アルキル基(例えば、メチル基、エチル基、t−ブチル基、トリフルオロメチル基など)、アリール基(例えば、フェニル基、4−クロロフェニル基、4−メトキシフェニル基、ナフチル基など)などが挙げられ、R1とR5、R2とR6、R3とR7、R4とR8、R5とR7はそれぞれ互いに結合して環を形成していてもよい。R1〜R8がアリル基以外の置換基を表す場合、水素原子を表すことが特に好ましい。 Examples of the substituent for the allyl group include a halogen atom (for example, fluorine, chlorine, bromine, etc.), an alkyl group (for example, methyl group, ethyl group, n-propyl group, etc.), an aryl group (for example, phenyl group, 4- Chlorophenyl group, naphthyl group, etc.) are preferred. These substituents may be substituted at any substitutable position, and may be substituted in plural. As the allyl group, an unsubstituted allyl group is particularly preferable. Two or more of R 1 to R 4 are preferably substituted or unsubstituted allyl groups, and at least R 1 and R 3 are preferably substituted or unsubstituted allyl groups. When R 1 to R 8 represent a substituent other than an allyl group, examples of the substituent include a halogen atom (for example, fluorine, chlorine, bromine, etc.), an alkyl group (for example, a methyl group, an ethyl group, a t-butyl group, a tri group). A fluoromethyl group), an aryl group (for example, a phenyl group, a 4-chlorophenyl group, a 4-methoxyphenyl group, a naphthyl group, etc.), R 1 and R 5 , R 2 and R 6 , R 3 and R 7 , R 4 and R 8 , R 5 and R 7 may be bonded to each other to form a ring. When R 1 to R 8 represent a substituent other than an allyl group, it is particularly preferable to represent a hydrogen atom.

一般式(2)で表わされる構造のうち特に好ましくは、下記一般式(6)で表わされる構造である。   Of the structure represented by the general formula (2), a structure represented by the following general formula (6) is particularly preferable.

Figure 2007063418
〔一般式(6)中、R1〜R8は一般式(2)と同じ意味を表す。〕
Figure 2007063418
[In General Formula (6), R 1 to R 8 represent the same meaning as in General Formula (2). ]

以下に本発明のポリマーとして有用なアリル基含有ポリエステルおよびポリウレタンの好ましい具体例(例示化合物P−1〜P−39)を挙げるが、本発明はこれに限定されるものではない。   Preferred specific examples (exemplary compounds P-1 to P-39) of the allyl group-containing polyester and polyurethane useful as the polymer of the present invention are listed below, but the present invention is not limited thereto.

Figure 2007063418
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Figure 2007063418
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Figure 2007063418
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アリル基を含有する本発明のポリマーは、単独で用いてもよく、複数種混合して用いてもよい。さらに、溶解性、透明性、力学特性等種々の観点から一般式(1)または(2)で表される繰り返し構造を含まない任意のモノマーをコモノマーとして用いることもできる。   The polymer of the present invention containing an allyl group may be used alone or as a mixture of two or more. Furthermore, an arbitrary monomer that does not include the repeating structure represented by the general formula (1) or (2) can be used as a comonomer from various viewpoints such as solubility, transparency, and mechanical properties.

本発明に用いられる前記ポリマーの好ましい分子量は重量平均分子量で1000〜50万、より好ましくは5千〜30万、特に好ましくは、1万〜20万である。分子量が低すぎる場合、フィルム成形が難しくなったり、力学特性が低下することがある。分子量が高すぎる場合、合成上分子量のコントロールが難しかったり、溶液の粘度が高すぎて取扱いが難しくなることがある。なお、分子量は対応する粘度を目安にすることもできる。   The polymer preferably used in the present invention has a weight average molecular weight of 1,000 to 500,000, more preferably 5,000 to 300,000, and particularly preferably 10,000 to 200,000. If the molecular weight is too low, film formation may be difficult and mechanical properties may be deteriorated. If the molecular weight is too high, it may be difficult to control the molecular weight in the synthesis, or the solution may be too viscous to be handled. The molecular weight can be based on the corresponding viscosity.

本発明のポリマーにおいてはアリル基の導入量を増やすことにより、樹脂の耐熱性および力学特性を向上させることができる反面、架橋反応性基の導入量が多すぎると、硬化収縮が問題になる場合がある。架橋反応性基の最適な導入量は樹脂の構造によって異なるが、一般的にはポリマー中に導入される架橋反応性基の量は、10-4〜10mmol/gであることが好ましく、10-3〜2mmol/gであることがより好ましく10-2〜1mmol/gであることが特に好ましい。 In the polymer of the present invention, by increasing the amount of allyl groups introduced, the heat resistance and mechanical properties of the resin can be improved. On the other hand, if the amount of crosslinking reactive groups introduced is too large, curing shrinkage becomes a problem. There is. Optimum introduction amount of crosslinkable groups and the structure of the resin, the amount of the crosslinking reactive group is generally introduced into the polymer is preferably 10 -4 ~10mmol / g, 10 - It is more preferably 3 to 2 mmol / g, and particularly preferably 10 −2 to 1 mmol / g.

アリル基を含有する一般式(1)または(2)の構造を含むビスフェノール誘導体である本発明のポリマーは、特開2004−137200号公報に記載の方法に準じて、対応するビスフェノール誘導体にアリルハライドを作用させ水酸基をアリル化した後、加熱してクライゼン転位反応を行うことにより合成することができる。   According to the method described in JP-A-2004-137200, the polymer of the present invention, which is a bisphenol derivative containing an allyl group and having the structure of the general formula (1) or (2), is converted to the corresponding bisphenol derivative with allyl halide. Can be synthesized by heating to perform a Claisen rearrangement reaction.

本発明のポリマーがポリエステルである場合、本発明のポリマー(本発明のポリエステル)は、アリル基を含有する一般式(1)または(2)の構造を含むビスフェノール化合物および必要に応じて他のビスフェノール化合物と、ジカルボン酸誘導体と、を重縮合させて得ることができる。
前記重縮合方法としては、ジカルボン酸クロライドとビスフェノールとを有機塩基の存在下、ポリマーが可溶となる有機溶媒系で反応させる脱塩酸均一重合法;ジカルボン酸クロライドとビスフェノールとをアルカリ水溶液と水非混和性有機溶媒との2相系で反応させる界面重縮合法などの公知の方法を利用することができる。
When the polymer of the present invention is a polyester, the polymer of the present invention (the polyester of the present invention) is a bisphenol compound containing a structure of the general formula (1) or (2) containing an allyl group and optionally other bisphenols. It can be obtained by polycondensation of a compound and a dicarboxylic acid derivative.
The polycondensation method includes a dehydrochlorination homogeneous polymerization method in which dicarboxylic acid chloride and bisphenol are reacted in an organic solvent system in which the polymer is soluble in the presence of an organic base; A known method such as an interfacial polycondensation method for reacting in a two-phase system with a miscible organic solvent can be used.

本発明のポリエステルは前記いずれの合成法によっても合成することができるが、特に界面重縮合法が簡便で好ましい。界面重縮合反応においては、アルカリ水溶液に溶解させたビスフェノール化合物と水非混和性有機溶媒(代表的にはジクロロメタンなど)に溶解させたジカルボン酸クロライドとを短時間で混合する方法が一般的であるが、ビスフェノール化合物のアルカリ水溶液に対する溶解度が低い場合がある。また、2,6−ナフタレンジカルボン酸クロライドのように水非混和性有機溶媒に対する溶解度が低いジカルボンクロライドにおいて、公知の方法ではポリエステルを合成できない場合がある。この場合、予め水、水非混和性有機溶媒、ビスフェノール化合物、ジカルボン酸クロライドをスラリー状混合撹拌しておき、高濃度のアルカリ水溶液を徐々に添加していく方法が高分子量化に有効である。   The polyester of the present invention can be synthesized by any of the synthesis methods described above, but the interfacial polycondensation method is particularly simple and preferred. In the interfacial polycondensation reaction, a method is generally used in which a bisphenol compound dissolved in an alkaline aqueous solution and a dicarboxylic acid chloride dissolved in a water-immiscible organic solvent (typically dichloromethane) are mixed in a short time. However, the solubility of the bisphenol compound in an alkaline aqueous solution may be low. In addition, in a dicarboxylic chloride having low solubility in a water-immiscible organic solvent such as 2,6-naphthalenedicarboxylic acid chloride, there are cases where a polyester cannot be synthesized by a known method. In this case, a method in which water, a water-immiscible organic solvent, a bisphenol compound, and a dicarboxylic acid chloride are mixed and stirred in a slurry state and a high-concentration alkaline aqueous solution is gradually added is effective for increasing the molecular weight.

本発明のポリマーの分子量を調節する方法としては、重合時に一官能の物質を添加して行うことができる。ここでいう分子量調節剤として用いられる一官能物質としては、フェノール、クレゾール、p−tert−ブチルフェノールなどの一価フェノール類;安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメートなどの一価酸クロライド類;メタノール、エタノール、nープロパノール、イソプロパノール、nーブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールなどの一価のアルコール類;酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酸、p−tert−ブチル安息香酸、p−メトキシフェニル酢酸などの一価のカルボン酸などが挙げられる。   As a method for adjusting the molecular weight of the polymer of the present invention, a monofunctional substance can be added during polymerization. Examples of monofunctional substances used as molecular weight regulators here include monohydric phenols such as phenol, cresol, and p-tert-butylphenol; monohydric acid chlorides such as benzoic acid chloride, methanesulfonyl chloride, and phenyl chloroformate. Monohydric alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, isopropanol, n-butanol, pentanol, hexanol, dodecyl alcohol, stearyl alcohol, benzyl alcohol, phenethyl alcohol; acetic acid, propionic acid, octanoic acid, cyclohexanecarboxylic acid, benzoic acid And monovalent carboxylic acids such as acid, toluic acid, phenyl acid, p-tert-butylbenzoic acid, and p-methoxyphenylacetic acid.

本発明のポリマーのカルボキシル価は300μmol/g以下であることが好ましく、さらに好ましくは30μmol/g以下であり、特に好ましくは10μmol/g以下である。カルボキシル価が高すぎると、耐アーク放電性や誘電率など電気特性に影響を与えたり、溶剤に溶解して調製したポリマー溶液の保存安定性にも影響したり、溶液キャスト法により得られるキャストフィルムの表面特性に影響を与える場合がある。本発明のポリマーのカルボキシル価は、電位差滴定装置を利用した中和滴定など公知の方法で測定することができる。   The carboxyl value of the polymer of the present invention is preferably 300 μmol / g or less, more preferably 30 μmol / g or less, and particularly preferably 10 μmol / g or less. If the carboxyl value is too high, it may affect electrical properties such as arc discharge resistance and dielectric constant, or may affect the storage stability of polymer solutions prepared by dissolving in a solvent, or a cast film obtained by the solution casting method. May affect the surface properties of the. The carboxyl value of the polymer of the present invention can be measured by a known method such as neutralization titration using a potentiometric titrator.

本発明のポリマーがポリウレタンである場合、本発明のポリマー(本発明のポリウレタン)も公知の製造方法に従って合成することができ、例えば、ビスフェノール化合物とジイソシアネート化合物との重付加法、ビスフェノール化合物とジカルバミン酸クロライドとの重縮合法が好ましい。前記ジイソシアネート化合物はジカルバミン酸クロライドの脱塩化水素反応によって合成することができる。また、前記ジカルバミン酸クロライドはジアミン化合物にホスゲンを作用させて合成することができる。
本発明では、アリル基を有する前記ビスフェノールを用いて重合反応を行なうことが好ましい。
When the polymer of the present invention is a polyurethane, the polymer of the present invention (the polyurethane of the present invention) can also be synthesized according to a known production method. For example, a polyaddition method of a bisphenol compound and a diisocyanate compound, a bisphenol compound and a dicarbamic acid A polycondensation method with chloride is preferred. The diisocyanate compound can be synthesized by dehydrochlorination of dicarbamic acid chloride. The dicarbamic acid chloride can be synthesized by allowing phosgene to act on a diamine compound.
In the present invention, the polymerization reaction is preferably performed using the bisphenol having an allyl group.

本発明のポリマー中の残留アルカリ金属量およびハロゲン量は、50ppm以下であることが好ましく、特に好ましくは10ppm以下である。残留アルカリ金属量およびハロゲン量が高すぎると、上述した電気特性が低下する傾向にあり、さらにはフィルムの表面特性にも悪影響を与え、また導電膜、半導体膜等を付与した機能性フィルムの性能低下を引き起こす場合があるので、好ましくない。ポリマー中の残留アルカリ金属量およびハロゲン量は、イオンクロマトグラフ分析法、原子吸光法、プラズマ発光分光分析法など公知の方法を利用して定量することができる。   The amount of residual alkali metal and halogen in the polymer of the present invention is preferably 50 ppm or less, particularly preferably 10 ppm or less. If the residual alkali metal amount and the halogen amount are too high, the above-mentioned electrical characteristics tend to be reduced, and the surface characteristics of the film are also adversely affected, and the performance of the functional film provided with a conductive film, a semiconductor film, etc. Since it may cause a decrease, it is not preferable. The amount of residual alkali metal and halogen in the polymer can be quantified using a known method such as ion chromatography analysis, atomic absorption spectrometry, or plasma emission spectrometry.

また、本発明のポリマー中に残留する第4級アンモニウム塩や第4級ホスホニウム塩などの触媒の量は200ppm未満であることが好ましく、より好ましくは100ppm未満である。残留する触媒量が高すぎると上述した電気特性が低下する傾向にあり、さらにはフィルムの表面特性にも悪影響を与え、また導電膜、半導体膜等を付与した機能性フィルムの性能低下を引き起こす場合があるので、好ましくない。本発明のポリマー中に残留する第4級アンモニウム塩、第4級ホスホニウム塩などの触媒はHPLC、ガスクロマトグラフ法などを利用して定量できる。   The amount of catalyst such as quaternary ammonium salt or quaternary phosphonium salt remaining in the polymer of the present invention is preferably less than 200 ppm, more preferably less than 100 ppm. When the amount of the remaining catalyst is too high, the above-mentioned electrical characteristics tend to be lowered, and further, the surface characteristics of the film are adversely affected, and the performance of the functional film provided with a conductive film, a semiconductor film, etc. is deteriorated. This is not preferable. Catalysts such as quaternary ammonium salts and quaternary phosphonium salts remaining in the polymer of the present invention can be quantified using HPLC, gas chromatography, or the like.

さらに本発明のポリマー中に残留するフェノールモノマー、ジカルボン酸、ジカルボン酸クロライド、ジアミン、ジイソシアネート等のモノマー由来の残存成分の量は3000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは500ppm以下であり、さらに好ましくは100ppm以下である。残留するモノマー成分の量が多すぎると上述した電気特性が低下する傾向にあり、さらにはフィルムの表面特性にも悪影響を与え、また導電膜、半導体膜等を付与した機能性フィルムの性能低下を引き起こす場合があるので、好ましくない。例えば、フィルム上に透明導電膜を形成する際、製膜時の加熱やプラズマの影響により、残留するモノマー成分由来のガスが発生したり、熱分解等が生じることにより、透明導電膜中に結晶粒塊が生じたり、また「抜け」と呼ばれるようなコーティングされない部分が生じ、透明導電膜の低抵抗化が阻害されるなどの悪影響を及ぼすため好ましくない。ポリマーおよびそのフィルム中に残留するモノマー量は、HPLCや核磁気共鳴法など公知の方法で分析することができる。   Furthermore, the amount of residual components derived from monomers such as phenol monomer, dicarboxylic acid, dicarboxylic acid chloride, diamine, diisocyanate remaining in the polymer of the present invention is preferably 3000 ppm or less, more preferably 500 ppm or less, still more preferably Is 100 ppm or less. If the amount of the remaining monomer component is too large, the above-mentioned electrical characteristics tend to be lowered, and the surface characteristics of the film are also adversely affected, and the performance of the functional film provided with a conductive film, a semiconductor film, etc. is deteriorated. Since it may cause, it is not preferable. For example, when a transparent conductive film is formed on a film, a gas derived from the remaining monomer component is generated due to the influence of heating or plasma during film formation, or thermal decomposition occurs. This is not preferable because an agglomeration occurs, or an uncoated portion called “missing” is generated, which adversely affects the lowering of the resistance of the transparent conductive film. The amount of monomer remaining in the polymer and its film can be analyzed by a known method such as HPLC or nuclear magnetic resonance.

本発明のポリエステルおよびポリウレタン、即ち、本発明のポリマーに導入されるアリル基は、ポリマーの有機溶剤への溶解性を高めることができると共に、製膜後に架橋反応を行うことによって耐熱性を向上させることができる。該架橋反応は、加熱、紫外線、赤外線、電子線、またはマイクロ波照射等により行なうことができる。この際、必ずしも重合開始剤を添加しなくてもよいが、迅速かつ効率よく架橋反応を行なう目的から重合開始剤を添加してもよい。前記重合開始剤としては、熱重合開始剤や光重合開始剤が挙げられる。   The polyester and polyurethane of the present invention, that is, the allyl group introduced into the polymer of the present invention, can increase the solubility of the polymer in an organic solvent and improve the heat resistance by performing a crosslinking reaction after film formation. be able to. The crosslinking reaction can be performed by heating, ultraviolet rays, infrared rays, electron beams, microwave irradiation, or the like. At this time, it is not always necessary to add a polymerization initiator, but a polymerization initiator may be added for the purpose of carrying out a crosslinking reaction quickly and efficiently. Examples of the polymerization initiator include a thermal polymerization initiator and a photopolymerization initiator.

前記熱重合開始剤としては、有機あるいは無機過酸化物、有機アゾおよびジアゾ化合物等を用いることができる。
具体的には、有機過酸化物として過酸化ベンゾイル、過酸化ハロゲンベンゾイル、過酸化ラウロイル、過酸化アセチル、過酸化ジブチル、クメンヒドロぺルオキシド、ブチルヒドロぺルオキシド、無機過酸化物として、過酸化水素、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム等、アゾ化合物として2−アゾ−ビス−イソブチロニトリル、2−アゾ−ビス−プロピオニトリル、2−アゾ−ビス−シクロヘキサンジニトリル等、ジアゾ化合物としてジアゾアミノベンゼン、p−ニトロベンゼンジアゾニウム等を挙げることができる。
As the thermal polymerization initiator, organic or inorganic peroxides, organic azo, diazo compounds, and the like can be used.
Specifically, benzoyl peroxide, halogen benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, acetyl peroxide, dibutyl peroxide, cumene hydroperoxide, butyl hydroperoxide as organic peroxides, hydrogen peroxide, peroxides as inorganic peroxides. Ammonium sulfate, potassium persulfate, etc., 2-azo-bis-isobutyronitrile, 2-azo-bis-propionitrile, 2-azo-bis-cyclohexanedinitrile, etc. as diazo compounds, diazoaminobenzene, p -Nitrobenzenediazonium etc. can be mentioned.

光の作用で(ラジカル)重合を開始する光重合開始剤としては、アセトフェノン類、ベンゾイン類、ベンゾフェノン類、ホスフィンオキシド類、ケタール類、アントラキノン類、チオキサントン類、アゾ化合物、過酸化物類、2,3−ジアルキルジオン化合物類、ジスルフィド化合物類、フルオロアミン化合物類や芳香族スルホニウム類が挙げられる。前記アセトフェノン類の例には、2,2−ジエトキシアセトフェノン、p−ジメチルアセトフェノン、1−ヒドロキシジメチルフェニルケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−4−メチルチオ−2−モルフォリノプロピオフェノンおよび2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノンが含まれる。また、前記ベンゾイン類の例には、ベンゾインベンゼンスルホン酸エステル、ベンゾイントルエンスルホン酸エステル、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテルおよびベンゾインイソプロピルエーテルが含まれる。前記ベンゾフェノン類の例には、ベンゾフェノン、2,4−ジクロロベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノンおよびp−クロロベンゾフェノンが含まれる。前記ホスフィンオキシド類の例には、2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキシドが含まれる。これらの光重合開始剤と併用して増感色素も好ましく用いることができる。   Photopolymerization initiators that initiate (radical) polymerization by the action of light include acetophenones, benzoins, benzophenones, phosphine oxides, ketals, anthraquinones, thioxanthones, azo compounds, peroxides, 2, Examples include 3-dialkyldione compounds, disulfide compounds, fluoroamine compounds, and aromatic sulfoniums. Examples of the acetophenones include 2,2-diethoxyacetophenone, p-dimethylacetophenone, 1-hydroxydimethylphenyl ketone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-methyl-4-methylthio-2-morpholinopropiophenone and 2-Benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butanone is included. Examples of the benzoins include benzoin benzene sulfonate, benzoin toluene sulfonate, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether and benzoin isopropyl ether. Examples of the benzophenones include benzophenone, 2,4-dichlorobenzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone and p-chlorobenzophenone. Examples of the phosphine oxides include 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide. Sensitizing dyes can also be preferably used in combination with these photopolymerization initiators.

熱または光の作用によってラジカル重合を開始する重合開始剤の添加量としては、炭素−炭素二重結合の重合を開始できる量であればよいが、一般的にはポリマーの全固形分に対して0.1〜15質量%が好ましく、より好ましくは0.5〜10質量%であり、特に好ましくは2〜5質量%の場合である。   The addition amount of the polymerization initiator that initiates radical polymerization by the action of heat or light may be an amount that can initiate the polymerization of the carbon-carbon double bond, but is generally based on the total solid content of the polymer. 0.1-15 mass% is preferable, More preferably, it is 0.5-10 mass%, Especially preferably, it is the case of 2-5 mass%.

本発明のポリマーを架橋させるために本発明の光学フィルムに紫外線を照射する場合には通常1〜2000mJ/cm2の紫外線エネルギー密度で行なわれ、好ましくは10〜1000mJ/cm2、より好ましくは50〜750mJ/cm2で行なわれる。高強度の紫外線を短時間で照射するとフィルムの劣化を生じる場合があり、このような場合には低強度の紫外線を長時間かけて照射することもできる。ここで、「本発明の光学フィルム」とは、本発明のポリマーを用いて形成されるフィルムを意味する。
また、本発明の光学フィルムに電子線を照射する場合には2〜10MeV程度の強度が好ましい。
In the case of irradiation with ultraviolet light to the optical film of the present invention to crosslink the polymer of the present invention is usually performed with UV light energy density of 1 to 2,000 mJ / cm 2, preferably 10~1000mJ / cm 2, more preferably 50 Performed at ˜750 mJ / cm 2 . When high-intensity ultraviolet rays are irradiated in a short time, the film may be deteriorated. In such a case, low-intensity ultraviolet rays can be irradiated for a long time. Here, the “optical film of the present invention” means a film formed using the polymer of the present invention.
Moreover, when irradiating the optical film of this invention with an electron beam, the intensity | strength of about 2-10 MeV is preferable.

前記熱重合による架橋反応は、通常、50〜(Tg+50℃)以下の温度で行なわれ、好ましくは50〜300℃、より好ましくは70〜250℃で行なわれる。紫外線等の照射による架橋反応は、通常0〜50℃、好ましくは20〜40℃で行なわれる。
いずれの架橋反応の場合も、反応時間は1分〜50時間が好ましく、2分〜25時間がより好ましく、5分〜10時間が特に好ましい。
The crosslinking reaction by the thermal polymerization is usually performed at a temperature of 50 to (Tg + 50 ° C.) or less, preferably 50 to 300 ° C., more preferably 70 to 250 ° C. The crosslinking reaction by irradiation with ultraviolet rays or the like is usually performed at 0 to 50 ° C, preferably 20 to 40 ° C.
In any crosslinking reaction, the reaction time is preferably 1 minute to 50 hours, more preferably 2 minutes to 25 hours, and particularly preferably 5 minutes to 10 hours.

本発明のポリマーのガラス転移温度は150℃以上であることが好ましく、180℃以上であることがさらに好ましく、200℃以上が特に好ましい。
さらに架橋反応後のポリマーのガラス転移温度は250℃以上であることが好ましく、300℃以上であることがさらに好ましく、350℃以上が特に好ましい。
本発明のポリマーの架橋反応後のガラス転位移温度が250℃以上であると、フィルム上へのアモルファスシリコン半導体層の設置が可能になる。
また、本発明のポリマーのガラス転移温度の上限は特に限定はないが、延伸操作を行なう場合には、ガラス転移温度が高すぎと困難であり、溶媒を含ませた形態でのウエット延伸を想定してもポリマーのガラス転移温度は400℃以下が好ましく、より好ましくは350℃以下の場合である。
The glass transition temperature of the polymer of the present invention is preferably 150 ° C. or higher, more preferably 180 ° C. or higher, and particularly preferably 200 ° C. or higher.
Furthermore, the glass transition temperature of the polymer after the crosslinking reaction is preferably 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher, and particularly preferably 350 ° C. or higher.
When the glass transition temperature after the crosslinking reaction of the polymer of the present invention is 250 ° C. or higher, it becomes possible to install an amorphous silicon semiconductor layer on the film.
Further, the upper limit of the glass transition temperature of the polymer of the present invention is not particularly limited. However, when the stretching operation is performed, it is difficult if the glass transition temperature is too high, and wet stretching in a form containing a solvent is assumed. Even so, the glass transition temperature of the polymer is preferably 400 ° C. or lower, more preferably 350 ° C. or lower.

[光学フィルム]
次に本発明の光学フィルムについて説明する。
本発明の光学フィルムは、上述の本発明のポリマーからなる光学フィルムである。なお、本発明で用いる光学フィルムとは厚みが10〜700μmの範囲であり、420nmにおける光線透過率が40%以上であり全光透過率が60%以上のフィルムを意味する。
[Optical film]
Next, the optical film of the present invention will be described.
The optical film of the present invention is an optical film comprising the above-described polymer of the present invention. The optical film used in the present invention means a film having a thickness in the range of 10 to 700 μm, a light transmittance at 420 nm of 40% or more, and a total light transmittance of 60% or more.

本発明の光学フィルムにおいては本発明の効果を損なわない範囲で本発明のポリマー以外のポリマーを含んでいてもよい。また、本発明のポリマー以外に適宜架橋反応性樹脂を添加してもよい。前記架橋反応性樹脂の種類としては熱硬化性樹脂、放射線硬化樹脂のいずれも種々の公知のものを特に制限なく用いることができる。   The optical film of the present invention may contain a polymer other than the polymer of the present invention as long as the effects of the present invention are not impaired. In addition to the polymer of the present invention, a crosslinking reactive resin may be appropriately added. As the kind of the cross-linking reactive resin, various known ones can be used without particular limitation for both the thermosetting resin and the radiation curable resin.

前記熱硬化性樹脂の例としては、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、フラン樹脂、ビスマレイミド樹脂、シアネート樹脂などが挙げられる。その他架橋方法としては共有結合を形成する反応であれば特に制限なく用いることができ、ポリアルコール化合物とポリイソシアネート化合物とを用いて、ウレタン結合を形成するような室温で反応が進行する系も特に制限なく使用できる。ただし、このような系は製膜前のポットライフが問題になる場合が多く、通常、製膜直前にポリイソシアネート化合物を添加するような2液混合型として用いられる。一方で1液型として用いる場合、架橋反応に携わる官能基を保護しておくことが有効であり、ブロックタイプ硬化剤として市販もされている。市販されているブロックタイプ硬化剤としては、三井武田ケミカル(株)製「B−882N」、日本ポリウレタン工業(株)製「コロネート2513」(以上ブロックポリイソシアネート)、三井サイテック(株)製「サイメル303」(メチル化メラミン樹脂)などが知られている。また、エポキシ樹脂の硬化剤として用いることのできるポリカルボン酸を保護した下記B−1のようなブロック化カルボン酸も知られている。   Examples of the thermosetting resin include phenol resin, urea resin, melamine resin, unsaturated polyester resin, epoxy resin, silicone resin, diallyl phthalate resin, furan resin, bismaleimide resin, cyanate resin and the like. Any other crosslinking method can be used without particular limitation as long as it is a reaction that forms a covalent bond, and a system in which the reaction proceeds at room temperature using a polyalcohol compound and a polyisocyanate compound to form a urethane bond, in particular. Can be used without limitation. However, such a system often has a problem of pot life before film formation, and is usually used as a two-component mixed type in which a polyisocyanate compound is added immediately before film formation. On the other hand, when used as a one-component type, it is effective to protect the functional group involved in the crosslinking reaction, and it is also commercially available as a block type curing agent. Commercially available block type curing agents include “B-882N” manufactured by Mitsui Takeda Chemical Co., Ltd., “Coronate 2513” (block polyisocyanate) manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., and “Cymel manufactured by Mitsui Cytec Co., Ltd.” 303 "(methylated melamine resin) and the like are known. Further, a blocked carboxylic acid such as the following B-1 that protects a polycarboxylic acid that can be used as a curing agent for an epoxy resin is also known.

Figure 2007063418
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前記放射線硬化樹脂は、ラジカル硬化性樹脂とカチオン硬化性樹脂とに大別される。前記ラジカル硬化性樹脂の硬化性成分としては分子内に複数個のラジカル重合性基を有する化合物が用いられる。代表的な例としては、分子内に2〜6個のアクリル酸エステル基を有する多官能アクリレートモノマーと称される化合物やウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、エポキシアクリレートと称される分子内に複数個のアクリル酸エステル基を有する化合物が用いられる。
前記カチオン硬化性樹脂の硬化性成分としては分子内に複数個のカチオン重合性基を有する化合物が用いられ、代表的な硬化方法として紫外線の照射により酸を発生する光酸発生剤を添加し、紫外線を照射して硬化する方法が挙げられる。カチオン重合性化合物の例としては、エポキシ基などの開環重合性基を含む化合物やビニルエーテル基を含む化合物を挙げることができる。
The radiation curable resins are roughly classified into radical curable resins and cationic curable resins. As the curable component of the radical curable resin, a compound having a plurality of radical polymerizable groups in the molecule is used. Typical examples include compounds called polyfunctional acrylate monomers having 2 to 6 acrylate groups in the molecule, and a plurality of acrylics in the molecule called urethane acrylate, polyester acrylate, and epoxy acrylate. A compound having an acid ester group is used.
As the curable component of the cationic curable resin, a compound having a plurality of cationic polymerizable groups in the molecule is used, and as a typical curing method, a photoacid generator that generates an acid by irradiation with ultraviolet rays is added, A method of curing by irradiating with ultraviolet rays is mentioned. Examples of the cationically polymerizable compound include a compound containing a ring-opening polymerizable group such as an epoxy group and a compound containing a vinyl ether group.

本発明の光学フィルムにおいてはその製造過程において、前記で挙げた熱硬化性樹脂、放射線硬化樹脂のそれぞれ複数種を混合して用いてもよく、熱硬化性樹脂と放射線硬化樹脂とを併用してもよい。また、架橋性樹脂と架橋性基を有さないポリマーとを混合して用いてもよい。   In the optical film of the present invention, in the production process, plural kinds of the thermosetting resin and the radiation curable resin mentioned above may be mixed and used, and the thermosetting resin and the radiation curable resin are used in combination. Also good. Further, a crosslinkable resin and a polymer having no crosslinkable group may be mixed and used.

本発明の光学フィルムには、金属の酸化物および/または金属の複合酸化物、およびゾルゲル反応により得た金属酸化物を含有することができる。この場合、前記で挙げた架橋樹脂と同様に、耐熱性や耐溶剤性を付与することができる。さらに必要により本発明の効果を損なわない範囲で、可塑剤、染顔料、帯電防止剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、無機微粒子、剥離促進剤、レベリング剤、および潤滑剤などの樹脂改質剤を添加してもよい。   The optical film of the present invention may contain a metal oxide and / or a metal complex oxide and a metal oxide obtained by a sol-gel reaction. In this case, heat resistance and solvent resistance can be imparted in the same manner as the above-mentioned crosslinked resins. Furthermore, resin modifiers such as plasticizers, dyes / pigments, antistatic agents, ultraviolet absorbers, antioxidants, inorganic fine particles, peeling accelerators, leveling agents, and lubricants as long as the effects of the present invention are not impaired as necessary. May be added.

本発明のポリマーをフィルムまたはシート形状に成形する方法としては公知の方法が採用できるが、溶液流延法が好ましい方法として挙げられる。前記溶液流延法における流延および乾燥方法については、米国特許2336310号明細書、米国特許2367603号明細書、米国特許2492078号明細書、米国特許2492977号明細書、米国特許2492978号明細書、米国特許2607704号明細書、米国特許2739069号明細書、米国特許2739070号明細書、英国特許640731号明細書、英国特許736892号明細書、特公昭45ー4554号公報、特公昭49−5614号公報、特開昭60−176834号公報、特開昭60−203430号公報、特開昭62−115035号公報に記載がある。溶液流延法にて製造する製造装置の例としては特開2002−189126号公報の段落[0061]〜[0068]に記載の製造装置、図1、図2などが例として挙げられるが本発明はこれらに限定されるものではない。   As a method for forming the polymer of the present invention into a film or sheet shape, a known method can be adopted, and a solution casting method is preferable. The casting and drying methods in the solution casting method are described in US Pat. No. 2,336,310, US Pat. No. 2,367,603, US Pat. No. 2,429,078, US Pat. No. 2,429,297, US Pat. No. 2,429,978, US Japanese Patent No. 2607704, US Patent 2739069, US Patent 2739070, British Patent 640731, British Patent 736892, Japanese Examined Patent Publication No. 45-4554, Japanese Examined Patent Publication No. 49-5614, These are described in JP-A-60-176834, JP-A-60-203430, and JP-A-62-115035. Examples of the manufacturing apparatus manufactured by the solution casting method include the manufacturing apparatus described in paragraphs [0061] to [0068] of Japanese Patent Laid-Open No. 2002-189126, FIGS. 1 and 2, and the like. Is not limited to these.

溶液流延法においては、本発明のポリマーやこれと併用するポリマーを溶媒に溶解する。使用する溶媒は前記ポリマーを溶解するものであればいずれの溶媒を用いても構わないが、特に25℃において前記ポリマーを固形分濃度10質量%以上溶解できる溶媒が好ましい。また、使用する溶媒の沸点は200℃以下のものが好ましく、さらに好ましくは150℃以下のものである。沸点が高い場合、溶媒の乾燥が不十分となり、フィルム中に残存する恐れがある。また、本発明に用いられるポリマーの溶解性を損なわない範囲で貧溶媒を混合することも可能である。この場合、溶液流延後の剥ぎ取りや乾燥速度の観点で有利になる場合がある。   In the solution casting method, the polymer of the present invention and the polymer used in combination with the polymer are dissolved in a solvent. Any solvent may be used as long as it dissolves the polymer, but a solvent capable of dissolving the polymer at a solid content concentration of 10% by mass or more at 25 ° C. is particularly preferable. The solvent used preferably has a boiling point of 200 ° C. or lower, more preferably 150 ° C. or lower. When the boiling point is high, the solvent may be insufficiently dried and may remain in the film. Moreover, it is also possible to mix a poor solvent in the range which does not impair the solubility of the polymer used for this invention. In this case, it may be advantageous from the viewpoint of stripping after the casting of the solution and the drying speed.

本発明に用いることができる溶媒としては、例えば、塩化メチレン、クロロホルム、テトラヒドロフラン、1,4−ジオキサン、ベンゼン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、アニソール、γ−ブチロラクトン、ベンジルアルコール、イソホロン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、1,2−ジクロロエタン、1,1,2,2−テトラクロロエタン、酢酸エチル、アセトン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ジメチルホルムアミド、メタノール、エタノール等が挙げられる。但し、本発明はこれらに限定されるものではない。また、溶媒は2種以上を混合して用いてもよく、乾燥性と溶解性との両立の観点からむしろ混合溶媒が好ましい。また、混合溶媒とすることで、本発明の光学フィルムの透明性を向上させることができる場合もある。   Examples of the solvent that can be used in the present invention include methylene chloride, chloroform, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, benzene, cyclohexane, toluene, xylene, anisole, γ-butyrolactone, benzyl alcohol, isophorone, cyclohexanone, and cyclopentanone. 1,2-dichloroethane, 1,1,2,2-tetrachloroethane, ethyl acetate, acetone, chlorobenzene, dichlorobenzene, dimethylformamide, methanol, ethanol and the like. However, the present invention is not limited to these. Also, two or more solvents may be used as a mixture, and a mixed solvent is preferable from the viewpoint of achieving both dryness and solubility. Moreover, the transparency of the optical film of the present invention may be improved by using a mixed solvent.

溶液流延に用いられる溶液中のポリマー濃度は5〜60質量%、好ましくは10〜40質量%、さらに好ましくは10〜30質量%である。ポリマーの濃度が低すぎると粘度が低く厚さの調節が困難となる場合があり、高すぎると製膜性が悪くムラが大きくなる場合がある。また、溶液流延前に必要に応じてろ過することで本発明の光学フィルムの透過率やフィルム内の不純物を低減させる事が可能となる。   The polymer concentration in the solution used for solution casting is 5 to 60% by mass, preferably 10 to 40% by mass, and more preferably 10 to 30% by mass. If the concentration of the polymer is too low, the viscosity may be low and it may be difficult to adjust the thickness, and if it is too high, the film forming property may be poor and unevenness may be increased. Moreover, the transmittance | permeability of the optical film of this invention and the impurity in a film can be reduced by filtering as needed before solution casting.

前記溶液の流延方法は特に限定されないが、例えば、バーコーター、Tダイ、バー付きTダイ、ドクターブレード、ロールコート、ダイコート等を用いて平板、またはロール上に流延することができる。   The method for casting the solution is not particularly limited. For example, the solution can be cast on a flat plate or a roll using a bar coater, a T die, a T die with a bar, a doctor blade, a roll coat, a die coat, or the like.

溶媒を乾燥する温度は、使用する溶媒の沸点によって異なるが、2段階に分けて乾燥することが好ましい。これによって、光学的に等方性を有した光学フィルムを得ることができる。第一段階としては30〜100℃で溶媒の質量濃度が10%以下になる、より好ましくは5%以下になるまで乾燥する。次いで、第二段階として平板またはロールからフィルムを剥がし、60℃以上、樹脂のガラス転移温度以下の範囲で乾燥する。
平板またはロールからフィルムを剥がす際、第一段階の乾燥終了直後に剥がしても、いったん冷却してから剥がしてもよい。
The temperature at which the solvent is dried varies depending on the boiling point of the solvent used, but it is preferable to dry the solvent in two stages. Thereby, an optical film having optical isotropy can be obtained. As a first step, drying is performed at 30 to 100 ° C. until the solvent has a mass concentration of 10% or less, more preferably 5% or less. Next, as a second step, the film is peeled off from the flat plate or roll and dried in the range of 60 ° C. or higher and the glass transition temperature of the resin or lower.
When peeling a film from a flat plate or a roll, it may be peeled off immediately after completion of drying in the first stage, or may be peeled off after being cooled.

本発明の光学フィルムは加熱乾燥が不足すれば残留溶媒量が多く、また極度に加熱しすぎるとポリマーの熱分解を引き起こし、残留するモノマー量が多くなる。さらに急激な加熱乾燥は含有溶媒の急速な気化を生じ、フィルムに気泡等の欠陥を生じさせる。このため、本発明の光学フィルム中に残留する溶媒量は2000ppm以下であることが好ましく、より好ましくは1000ppm以下であり、特に好ましくは100ppm以下である。残留する溶媒量が多すぎると、フィルム表面の特性が悪化し表面処理等に悪影響を及ぼしたり、導電膜、半導体膜等を付与した機能性フィルムの性能低下を引き起こす場合があるので、好ましくない。本発明のポリマーフィルム中に残留する溶媒量はガスクロマトグラフィーなど公知の方法を利用して定量することができる。   If the optical film of the present invention is insufficiently dried by heating, the amount of residual solvent is large, and if it is excessively heated, the polymer is thermally decomposed and the amount of residual monomer increases. Furthermore, rapid drying by heating causes rapid vaporization of the contained solvent, and causes defects such as bubbles in the film. For this reason, the amount of the solvent remaining in the optical film of the present invention is preferably 2000 ppm or less, more preferably 1000 ppm or less, and particularly preferably 100 ppm or less. If the amount of the remaining solvent is too large, the characteristics of the film surface are deteriorated, which may adversely affect the surface treatment or the like, and may cause a decrease in performance of the functional film provided with a conductive film, a semiconductor film or the like. The amount of the solvent remaining in the polymer film of the present invention can be quantified using a known method such as gas chromatography.

本発明の光学フィルムは回転ドラムもしくはバンド上への溶液流延、剥ぎ取り、乾燥を連続的に行い、ロール状に巻取り製造する方法が好ましい。このように、本発明の光学フィルムを機械的に搬送する場合など、フィルムの力学強度が高いことが好ましい。好ましい力学強度は、搬送装置にもより一概に言えないが、目安としてフィルムの引張試験から得られる破断応力、破断伸度を用いることができる。好ましい破断応力は50MPa以上、より好ましくは80MPa以上、さらに好ましくは100MPa以上である。破断伸度はサンプル作製条件などによっても変動するため、信頼性が低いが、好ましくは5%以上、より好ましくは10%以上、さらに好ましくは15%以上である。   The optical film of the present invention is preferably a method in which a solution is cast on a rotating drum or band, peeled off, and dried continuously, and wound into a roll. Thus, when the optical film of this invention is conveyed mechanically, it is preferable that the mechanical strength of a film is high. The preferable mechanical strength cannot be generally specified for the conveying device, but the breaking stress and breaking elongation obtained from the tensile test of the film can be used as a guide. A preferable breaking stress is 50 MPa or more, more preferably 80 MPa or more, and further preferably 100 MPa or more. Since the elongation at break varies depending on the sample preparation conditions and the like, the reliability is low, but is preferably 5% or more, more preferably 10% or more, and further preferably 15% or more.

本発明の光学フィルムは延伸されていてもよい。フィルムを延伸することにより耐折強度など機械的強度が改善され、取扱性が向上する利点がある。特に延伸方向のオリエンテーションリリースストレス(ASTMD1504、以下「ORS」と略記する)が0.3〜3GPaであるものは機械的強度が改善され好ましい。ORSは延伸フィルムまたはシートに凍結されている、延伸により生じた内部応力である。   The optical film of the present invention may be stretched. By stretching the film, mechanical strength such as folding strength is improved, and there is an advantage that handling property is improved. In particular, those having an orientation release stress in the stretching direction (ASTMD1504, hereinafter abbreviated as “ORS”) of 0.3 to 3 GPa are preferred because the mechanical strength is improved. ORS is the internal stress caused by stretching that is frozen in a stretched film or sheet.

前記延伸は、公知の方法が使用できるが、本発明のポリマーが300℃以上のガラス転移温度を有する場合、単なる加熱のみでの延伸は難しいものとなるため、溶媒を含んだ状態での延伸が可能である。この場合、乾燥途中過程で延伸を行うことが好ましく、例えば溶媒を含んだ状態のガラス転移温度(Tg)より10℃高い温度から、50℃高い温度の間の温度で、ロール一軸延伸法、テンター一軸延伸法、同時二軸延伸法、逐次二軸延伸法、インフレーション法により延伸できる。延伸倍率は1.1〜3.5倍が好ましく用いられる。   For the stretching, a known method can be used. However, when the polymer of the present invention has a glass transition temperature of 300 ° C. or higher, stretching by mere heating becomes difficult. Is possible. In this case, it is preferable to perform stretching in the course of drying. For example, the roll uniaxial stretching method and the tenter are performed at a temperature between 10 ° C. and 50 ° C. higher than the glass transition temperature (Tg) in the state containing the solvent. The film can be stretched by a uniaxial stretching method, a simultaneous biaxial stretching method, a sequential biaxial stretching method, or an inflation method. The draw ratio is preferably 1.1 to 3.5 times.

本発明の光学フィルムの厚みは、特に規定されないが30μm〜700μmが好ましく、より好ましくは40μm〜200μmであり、さらに好ましくは50μm〜150μmである。さらにいずれの場合もヘイズは3%以下が好ましく、より好ましくは2%以下であり、さらに好ましくは1%以下である。また、全光線透過率は70%以上が好ましく、より好ましくは80%以上であり、さらに好ましくは85%以上である。   The thickness of the optical film of the present invention is not particularly limited, but is preferably 30 μm to 700 μm, more preferably 40 μm to 200 μm, and further preferably 50 μm to 150 μm. Further, in any case, the haze is preferably 3% or less, more preferably 2% or less, and further preferably 1% or less. Further, the total light transmittance is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, and further preferably 85% or more.

本発明の光学フィルムの耐熱温度は高い方が好ましく、DSC測定によるガラス転移温度(Tg)またはTMAによる熱変形開始温度を目安にすることができる。この場合、好ましいガラス転移温度または熱変形開始温度は250℃以上、より好ましくは300℃以上、特に好ましくは330℃以上である。なお、本発明の光学フィルムを本発明のポリマーのみを用いて溶液流延法により作製する場合、乾燥が十分であれば、用いたポリマーのTgと光学フィルムのTgとの差はほとんどなく、測定誤差範囲内である。   The heat resistant temperature of the optical film of the present invention is preferably high, and the glass transition temperature (Tg) by DSC measurement or the thermal deformation start temperature by TMA can be used as a guide. In this case, the preferable glass transition temperature or thermal deformation start temperature is 250 ° C. or higher, more preferably 300 ° C. or higher, and particularly preferably 330 ° C. or higher. When the optical film of the present invention is produced by the solution casting method using only the polymer of the present invention, if the drying is sufficient, there is almost no difference between the Tg of the polymer used and the Tg of the optical film. Within the error range.

本発明の光学フィルムの表面には用途に応じて他の層、あるいは部品との密着性を高めるためにフィルム基板表面上にケン化、コロナ処理、火炎処理、グロー放電処理等の処理を行うことができる。さらに、フィルム表面に接着層、アンカー層を設けてもよい。また、表面平滑化のため平滑化層、耐傷性付与のためのハードコート層、反射防止光線透過率向上のための反射防止層、耐光性を高めるための紫外線吸収層、フィルムの搬送性を改良させるための表面粗面化層など目的に応じて種々の公知の機能性層を付与することができる。   The surface of the optical film of the present invention is subjected to saponification, corona treatment, flame treatment, glow discharge treatment, etc. on the surface of the film substrate in order to enhance the adhesion with other layers or components depending on the application. Can do. Furthermore, an adhesive layer and an anchor layer may be provided on the film surface. Also, smoothing layer for surface smoothing, hard coat layer for imparting scratch resistance, anti-reflection layer for improving anti-reflection light transmittance, ultraviolet absorbing layer for enhancing light resistance, improved film transportability Various known functional layers can be provided depending on the purpose, such as a surface roughening layer.

本発明の光学フィルムは透明導電層を設置することができる。透明導電層としては、公知の金属膜、金属酸化物膜等が適用できるが、中でも、透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましい。例えば、不純物としてスズ、テルル、カドミウム、モリブテン、タングステン、フッ素、亜鉛、ゲルマニウム等を添加した酸化インジウム、酸化カドミウムおよび酸化スズ;不純物としてアルミニウムを添加した酸化亜鉛、酸化チタン等の金属酸化物膜が挙げられる。中でも酸化スズから主としてなり、酸化亜鉛を2〜15重量%含有した酸化インジウムの薄膜が、透明性、導電性が優れており、好ましく用いられる。   The optical film of the present invention can be provided with a transparent conductive layer. As the transparent conductive layer, known metal films, metal oxide films, and the like can be applied. Among these, metal oxide films are preferable from the viewpoint of transparency, conductivity, and mechanical properties. For example, indium oxide, cadmium oxide and tin oxide to which tin, tellurium, cadmium, molybdenum, tungsten, fluorine, zinc, germanium and the like are added as impurities; metal oxide films such as zinc oxide and titanium oxide to which aluminum is added as impurities Can be mentioned. Among them, an indium oxide thin film mainly composed of tin oxide and containing 2 to 15% by weight of zinc oxide is excellent in transparency and conductivity, and is preferably used.

これら透明導電層の製膜方法は、目的の薄膜を形成できる方法であれば、いかなる方法でもよい。前記製膜方法としては、例えば、スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法などが適しており、特許第3400324号公報、特開2002−322561号公報、特開2002−361774号公報に記載の方法で製膜する事ができる。
中でも、特に優れた導電性・透明性が得られるという観点から、スパッタリング法が好ましい。
The method for forming these transparent conductive layers may be any method as long as the target thin film can be formed. As the film forming method, for example, a vapor deposition method for forming a film by depositing a material from a gas phase such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, an ion plating method, and a plasma CVD method is suitable. Films can be formed by the methods described in Japanese Patent No. 3400324, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-322561, and Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-361774.
Among these, the sputtering method is preferable from the viewpoint that particularly excellent conductivity and transparency can be obtained.

このようなスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法の好ましい真空度は0.133mPa〜6.65Pa、より好ましくは0.665mPa〜1.33Paである。このような透明導電層を設ける前に、プラズマ処理(逆スパッタ)、コロナ処理のように基材フィルムに表面処理を加えることが好ましい。また透明導電層を設けている間に50℃〜200℃に昇温してもよい。   A preferable degree of vacuum of such a sputtering method, a vacuum deposition method, an ion plating method, and a plasma CVD method is 0.133 mPa to 6.65 Pa, more preferably 0.665 mPa to 1.33 Pa. Before providing such a transparent conductive layer, it is preferable to subject the base film to a surface treatment such as plasma treatment (reverse sputtering) or corona treatment. Moreover, you may heat up to 50 to 200 degreeC during providing the transparent conductive layer.

このようにして得られた透明導電層の膜厚は20nm〜500nmが好ましく、より好ましくは50nm〜300nmが好ましい。
また、このようにして得られた透明導電層の25℃・相対湿度60%で測定した表面電気抵抗は0.1Ω/□〜200Ω/□が好ましく、より好ましくは0.1Ω/□〜100Ω/□であり、さらに好ましくは0.5Ω/□〜60Ω/□である。さらに光透過性は80%以上、より好ましくは83%以上、さらに好ましくは85%以上である。
The thickness of the transparent conductive layer thus obtained is preferably 20 nm to 500 nm, more preferably 50 nm to 300 nm.
Further, the surface electrical resistance measured at 25 ° C. and 60% relative humidity of the transparent conductive layer thus obtained is preferably 0.1Ω / □ to 200Ω / □, more preferably 0.1Ω / □ to 100Ω / □. □, more preferably 0.5Ω / □ to 60Ω / □. Further, the light transmittance is 80% or more, more preferably 83% or more, and still more preferably 85% or more.

本発明の光学フィルムにはガス透過性を抑制するために、ガスバリア層を設けることも好ましい。好ましい前記ガスバリア層としては、例えば、珪素、アルミニウム、マグネシウム、亜鉛、ジルコニウム、チタン、イットリウム、タンタルからなる群から選ばれる1種または2種以上の金属を主成分とする金属酸化物、珪素、アルミニウム、ホウ素の金属窒化物またはこれらの混合物を挙げることができる。この中でも、ガスバリア性、透明性、表面平滑性、屈曲性、膜応力、コスト等の点から珪素原子数に対する酸素原子数の割合が1.5〜2.0の珪素酸化物を主成分とする金属酸化物が良好である。これら無機のガスバリア層は例えばスパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、プラズマCVD法等の気相中より材料を堆積させて膜形成する気相堆積法により作製することができる。なかでも、特に優れたガスバリア性が得られるという観点から、スパッタリング法が好ましい。またガスバリア層を設けている間に50℃〜200℃に昇温してもよい。   In order to suppress gas permeability, the optical film of the present invention is preferably provided with a gas barrier layer. As the preferable gas barrier layer, for example, a metal oxide mainly composed of one or more metals selected from the group consisting of silicon, aluminum, magnesium, zinc, zirconium, titanium, yttrium, and tantalum, silicon, aluminum , Boron metal nitrides or mixtures thereof. Among these, the main component is silicon oxide having a ratio of the number of oxygen atoms to the number of silicon atoms of 1.5 to 2.0 in terms of gas barrier properties, transparency, surface smoothness, flexibility, film stress, cost, and the like. Metal oxide is good. These inorganic gas barrier layers can be produced by vapor deposition such as sputtering, vacuum deposition, ion plating, plasma CVD, etc., in which a material is deposited in the vapor phase to form a film. Of these, the sputtering method is preferred from the viewpoint that particularly excellent gas barrier properties can be obtained. Further, the temperature may be raised to 50 ° C. to 200 ° C. while the gas barrier layer is provided.

このようにして得られたガスバリア層の膜厚は10nm〜300nmが好ましく、より好ましくは30nm〜200nmが好ましい。
このようなガスバリア層は透明導電層と同じ側、反対側いずれに設けてもよいが、反対側に設けるほうがより好ましい。
The film thickness of the gas barrier layer thus obtained is preferably 10 nm to 300 nm, more preferably 30 nm to 200 nm.
Such a gas barrier layer may be provided on the same side as the transparent conductive layer or on the opposite side, but it is more preferable to provide it on the opposite side.

また、このようにして得られたガスバリア層を有するフィルム(ガスバリアフィルム)のバリア性は、40℃・相対湿度90%で測定した水蒸気透過度が5g/m2・day以下が好ましく、より好ましくは1g/m2・day以下、さらに好ましくは0.5g/m2・day以下である。40℃・相対湿度90%で測定した酸素透過度は1ml/m2・day以下が好ましく、より好ましくは0.7ml/m2・day以下であり、さらに好ましくは0.5ml/m2・day以下である。 Further, the barrier property of the film having the gas barrier layer thus obtained (gas barrier film) is preferably 5 g / m 2 · day or less, more preferably water vapor permeability measured at 40 ° C. and 90% relative humidity. 1 g / m 2 · day or less, more preferably 0.5 g / m 2 · day or less. The oxygen permeability measured at 40 ° C. and 90% relative humidity is preferably 1 ml / m 2 · day or less, more preferably 0.7 ml / m 2 · day or less, and even more preferably 0.5 ml / m 2 · day. It is as follows.

本発明の光学フィルムには、バリア性を向上させる目的で、これと隣接して欠陥補償層を設けるのが特に望ましい。前記欠陥補償層としては、(1)米国特許第6171663号明細書、特開2003−94572号公報記載のようにゾルゲル法を用いて作製した無機酸化物層を利用する方法、(2)米国特許第6413645号,64163645号各明細書記載のように有機物層を利用する方法、また、これらの欠陥補償層は、前記公報等に記載のように真空下で蒸着後、紫外線または電子線で硬化させる方法、或いは、塗布した後、加熱、電子線、紫外線等で硬化させることで作製することができる。
塗布方式で作製する場合には、従来用いられる種々の塗布方法、例えば、スプレーコート、スピンコート、バーコート等の方法を用いることができる。
In the optical film of the present invention, it is particularly desirable to provide a defect compensation layer adjacent to the optical film for the purpose of improving barrier properties. As the defect compensation layer, (1) a method using an inorganic oxide layer produced by using a sol-gel method as described in US Pat. No. 6,171,663 and JP-A-2003-94572, (2) US patent A method using an organic material layer as described in each specification of Nos. 6413645 and 64163645, and these defect compensation layers are hardened with ultraviolet rays or electron beams after being deposited under vacuum as described in the above publications. It can be produced by a method, or after being applied and cured by heating, electron beam, ultraviolet rays or the like.
When the coating method is used, various conventionally used coating methods such as spray coating, spin coating, and bar coating can be used.

本発明の光学フィルムは薄膜トランジスタ(TFT)表示素子用基板として用いることができる。TFTアレイの作製方法は特表平10−512104号公報に記載の方法等が挙げられる。さらにこれらの基板はカラー表示のためのカラーフィルターを有していてもよい。カラーフィルターはいかなる方法を用いて作製されてもよいが、好ましくはフォトリソグラフィー手法が好ましい。   The optical film of the present invention can be used as a substrate for a thin film transistor (TFT) display element. Examples of the method for producing the TFT array include the method described in JP-T-10-512104. Further, these substrates may have a color filter for color display. The color filter may be produced using any method, but a photolithography technique is preferable.

本発明の光学フィルムは必要に応じて各種機能層を設けた上で画像表示装置に用いることができる。ここで、画像表示装置としては特に限定されず、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンス(EL)、蛍光表示管、発光ダイオードなどフラットパネルディスプレイなど従来知られているものを用いることができる。また、本発明の光学フィルムを用いて表示品質に優れたフラットパネルディスプレイを作製することができる。フラットパネルディスプレイとしては液晶、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンス(EL)、蛍光表示管、発光ダイオードなどが挙げられ、これら以外にも従来ガラス基板が用いられてきたディスプレイ方式のガラス基板に代わる基板として用いることができる。さらに、本発明の光学フィルムは太陽電池、タッチパネルなどの用途にも利用可能である。前記タッチパネルは、特開平5−127822号公報、特開2002−48913号公報等に記載のものに応用することができる。   The optical film of the present invention can be used in an image display device after providing various functional layers as necessary. Here, it does not specifically limit as an image display apparatus, Conventionally well-known things, such as flat panel displays, such as a liquid crystal display device, a plasma display, electroluminescence (EL), a fluorescent display tube, and a light emitting diode, can be used. Moreover, the flat panel display excellent in display quality can be produced using the optical film of this invention. Flat panel displays include liquid crystals, plasma displays, electroluminescence (EL), fluorescent display tubes, light emitting diodes, etc. In addition to these, they should be used as substrates instead of display-type glass substrates that have conventionally used glass substrates. Can do. Furthermore, the optical film of the present invention can also be used for applications such as solar cells and touch panels. The touch panel can be applied to those described in JP-A-5-127822, JP-A-2002-48913, and the like.

本発明の光学フィルムを液晶表示用途などに使用する場合には、光学的均一性を達成するために本発明のポリマーが非晶性ポリマーであることが好ましい。また、複屈折が小さい方が好ましく、特に面内レタデーション(Re)が50nm以下であることが好ましく、より好ましくは30nm以下、さらに好ましくは15nm以下である。本発明のポリマーのみを用いて複屈折の小さい光学フィルムを得るためには、溶液流延時の溶媒および乾燥条件を適宜調節することで可能となる。また、必要に応じて延伸して調節することもできる。さらに、レタデーション(Re)、およびその波長分散を制御する目的で固有複屈折の符号が異なる樹脂を組み合わせたり、波長分散の大きい(あるいは小さい)樹脂を組み合わせたりすることができる。また、本発明の光学フィルムはレターデーション(Re)の制御を行ったり、ガス透過性や力学特性の改良を行ったりする目的で異種樹脂の積層等を好適に用いることができる。また、公知の位相差板を併用して位相差補償を行うこともできる。
なお、ここでいうReは、フィルムを25℃・相対湿度60%にて24時間調湿後、自動複屈折計(KOBRA−21ADH:王子計測機器(株)製)を用いて25℃・相対湿度60%において測定した値である。ReはKOBRA 21ADH(王子計測機器(株)製)において波長λnm(通常はλ=590±5nm)の光をフィルム法線方向に入射させて測定する。
When the optical film of the present invention is used for a liquid crystal display application or the like, the polymer of the present invention is preferably an amorphous polymer in order to achieve optical uniformity. Further, it is preferable that the birefringence is small, and in particular, the in-plane retardation (Re) is preferably 50 nm or less, more preferably 30 nm or less, and further preferably 15 nm or less. In order to obtain an optical film having a small birefringence by using only the polymer of the present invention, it is possible to appropriately adjust the solvent and the drying conditions during solution casting. Moreover, it can also extend | stretch and adjust as needed. Further, for the purpose of controlling retardation (Re) and its wavelength dispersion, resins having different intrinsic birefringence signs can be combined, or resins having a large (or small) wavelength dispersion can be combined. In addition, the optical film of the present invention can be suitably used for the purpose of controlling retardation (Re) and improving gas permeability and mechanical properties, etc. Further, phase difference compensation can be performed by using a known retardation plate in combination.
In addition, Re mentioned here is 25 ° C./relative humidity using an automatic birefringence meter (KOBRA-21ADH: manufactured by Oji Scientific Instruments) after conditioning the film for 24 hours at 25 ° C./60% relative humidity. It is a value measured at 60%. Re is measured by making light of wavelength λnm (normally λ = 590 ± 5 nm) incident in the normal direction of the film in KOBRA 21ADH (manufactured by Oji Scientific Instruments).

反射型液晶表示装置は、下から順に、下基板、反射電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、透明電極、上基板、λ/4板、そして偏光膜からなる。このうち本発明の光学フィルムは光学特性の調節によりλ/4板、偏光膜用保護フィルムとして用いてもよいが、その耐熱性の観点から基板(上下各基板)としての利用が好ましく、さらには透明性の観点から透明電極および配向膜付上基板として使用することが好ましい。また、必要に応じてガスバリア層、TFTなどを設けることもできる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を反射電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。   The reflective liquid crystal display device includes, in order from the bottom, a lower substrate, a reflective electrode, a lower alignment film, a liquid crystal layer, an upper alignment film, a transparent electrode, an upper substrate, a λ / 4 plate, and a polarizing film. Of these, the optical film of the present invention may be used as a λ / 4 plate or a protective film for a polarizing film by adjusting optical properties, but is preferably used as a substrate (upper and lower substrates) from the viewpoint of heat resistance. From the viewpoint of transparency, it is preferable to use it as a transparent electrode and an upper substrate with an alignment film. Moreover, a gas barrier layer, TFT, etc. can also be provided as needed. In the case of color display, it is preferable to further provide a color filter layer between the reflective electrode and the lower alignment film, or between the upper alignment film and the transparent electrode.

透過型液晶表示装置は、下から順に、バックライト、偏光板、λ/4板、下透明電極、下配向膜、液晶層、上配向膜、上透明電極、上基板、λ/4板、そして偏光膜からなる。このうち本発明の光学フィルムは光学特性の調節によりλ/4板、偏光膜用保護フィルムとして用いてもよいが、その耐熱性の観点から基板(上下各基板)としての利用が好ましく、透明電極および配向膜付基板として使用することが好ましい。また、必要に応じてガスバリア層、TFTなどを設けることもできる。カラー表示の場合には、さらにカラーフィルター層を下透明電極と下配向膜との間、または上配向膜と透明電極との間に設けることが好ましい。   The transmissive liquid crystal display device includes, in order from the bottom, a backlight, a polarizing plate, a λ / 4 plate, a lower transparent electrode, a lower alignment film, a liquid crystal layer, an upper alignment film, an upper transparent electrode, an upper substrate, a λ / 4 plate, and It consists of a polarizing film. Of these, the optical film of the present invention may be used as a λ / 4 plate or a protective film for a polarizing film by adjusting optical properties, but is preferably used as a substrate (upper and lower substrates) from the viewpoint of heat resistance, and transparent electrodes It is preferable to use it as a substrate with an alignment film. Moreover, a gas barrier layer, TFT, etc. can also be provided as needed. In the case of color display, it is preferable to further provide a color filter layer between the lower transparent electrode and the lower alignment film, or between the upper alignment film and the transparent electrode.

液晶セルは特に限定されないが、TN(Twisted Nematic)、IPS(In−P1ane Switching)、FLC(Ferroelectric Liquid Crysta1)、AFLC(Anti−ferroelectric Liquid Crystal)、OCB(Optica1ly Compensated Bend)、STN(Super Twisted Nematic)、VA(Vertically Aligned)およぴ、HAN(Hybrid Aligned Nematic)のような様々な表示モードが提案されている。また、前記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明の偏光光学フィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。   The liquid crystal cell is not particularly limited. ), VA (Vertically Aligned) and HAN (Hybrid Aligned Nematic) have been proposed. There has also been proposed a display mode in which the display mode is orientation-divided. The polarizing optical film of the present invention is effective in any display mode liquid crystal display device. Further, it is effective in any of a transmissive type, a reflective type, and a transflective liquid crystal display device.

これらは特開平2−176625号公報、特公平7−69536号公報、MVA(SID97,Digest of tech. Papers(予稿集)28(1997)845)、SID99, Digest of tech. Papers (予稿集)30(1999)206、特開平11−258605号公報、SURVAIVAL(月刊ディスプレイ、第6巻、第3号(1999)14)、PVA(Asia Display 98,Proc. of the−18th−Inter. Display res. Conf.(予稿集)(1998)383)、Para−A(LCD/PDP Iternational`99)、DDVA(SID98, Digest of tech. Papers(予稿集)29(1998)838)、EOC(SID98, Digest of tech. Papers(予稿集)29(1998)319)、PSHA(SID98, Digest of tech. Papers(予稿集)29(1998)1081)、RFFMH(Asia Display 98, Proc. of the−18th−Inter. Display res. Conf. (予稿集)(1998)375)、HMD(SID98, Digest of tech. Papers (予稿集)29(1998)702)、特開平10−123478号公報、国際公開W09848320号公報、特許第3022477号公報、および国際公開第00/65384号パンフレット等に記載されている。   JP-A-2-176625, JP-B-7-69536, MVA (SID97, Digest of tech. Papers (Preliminary Collection) 28 (1997) 845), SID99, Digest of tech. Papers (Preliminary Collection) 30 (1999) 206, JP-A-11-258605, SURVAIVAL (Monthly Display, Vol. 6, No. 3 (1999) 14), PVA (Asia Display 98, Proc. Of the-18th-Inter. Display res. Conf. (Preliminary Collection (1998) 383), Para-A (LCD / PDP Iternational`99), DDVA (SID98, Digest of tech. Papers (Preliminary Collection) 29 (1998) 838), EOC (SID98, Digest of tech Papers 29 (1998) 319), PSHA (SID98, Digest of tech. Papers 29 (1998) 1081), RFFMH (Asia Display 98, Proc. Of the-18th-Inter.Display res Conf. (Preliminary Proceedings) (1998) 375), HMD (SID98, Digest of tech. Papers (Preliminary Proceedings) 29 (1998) 702), JP-A-10-123478, International Publication No. W09848320, Patent No. 3022477 And International Publication No. 00/65384 Pamphlet It has been described in an equal.

本発明の光学フィルムは必要に応じてガスバリア層、TFTを設け、透明電極付基板として有機EL表示用途に使用できる。
有機EL表示素子としての具体的な層構成としては、陽極/発光層/透明陰極、陽極/発光層/電子輸送層/透明陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/透明陰極、陽極/正孔輸送層/発光層/透明陰極、陽極/発光層/電子輸送層/電子注入層/透明陰極、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/透明陰極等が挙げられる。
The optical film of the present invention is provided with a gas barrier layer and TFT as necessary, and can be used as a substrate with a transparent electrode for organic EL display applications.
As a specific layer structure as the organic EL display element, anode / light emitting layer / transparent cathode, anode / light emitting layer / electron transport layer / transparent cathode, anode / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / transparent cathode , Anode / hole transport layer / light emitting layer / transparent cathode, anode / light emitting layer / electron transport layer / electron injection layer / transparent cathode, anode / hole injection layer / hole transport layer / light emitting layer / electron transport layer / electron Examples include injection layer / transparent cathode.

本発明の光学フィルムが使用できる有機EL素子は、前記陽極と前記陰極との間に直流(必要に応じて交流成分を含んでもよい)電圧(通常2ボルト〜40ボルト)、または直流電流を印加することにより、発光を得ることができる。
これら発光素子の駆動については、特開平2−148687号公報、同6−301355号公報、同5−29080号公報、同7−134558号公報、同8−234685号公報、同8−241047号公報、米国特許5828429号明細書、同6023308号明細書、日本特許第2784615号公報等に記載の方法を利用することができる。
The organic EL element in which the optical film of the present invention can be used applies a direct current (which may contain an alternating current component as necessary) voltage (usually 2 to 40 volts) or a direct current between the anode and the cathode. By doing so, light emission can be obtained.
The driving of these light emitting elements is disclosed in JP-A-2-148687, JP-A-6-301355, JP-A-5-29080, JP-A-7-134558, JP-A-8-234665, and JP-A-8-241047. U.S. Pat. Nos. 5,828,429, 6,023,308, and Japanese Patent No. 2,784,615 can be used.

以下、合成例、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが本発明はこれらに限定されるものではない。   EXAMPLES Hereinafter, although a synthesis example and an Example are given and this invention is demonstrated further more concretely, this invention is not limited to these.

[合成例1]
1.例示化合物P−32の合成
(1)4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアリルフェノール(III)の合成

Figure 2007063418
[Synthesis Example 1]
1. Synthesis of Exemplary Compound P-32 (1) Synthesis of 4,4 ′-(9-fluorenylidene) diallylphenol (III)
Figure 2007063418

前記化合物(I)(商品名:BPFL、JFEケミカル(株)製)35g、アリルブロマイド29g、炭酸カリウム22gおよびアセトン300mlを混合し、30時間加熱還流し、TLCにてほぼ反応が完結したことを確認した。室温まで冷却後、濾過、濃縮して残渣にトルエン400mlを加え各200mlの水で2回洗浄した。その後、有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させた後濃縮し化合物(II)の粗結晶を43g得た。
次いで化合物(II)の粗結晶42gとN,N−ジエチルアニリン84gとを混合し、窒素下200℃で18時間加熱攪拌した。N,N―ジエチルアニリンを2.67×10-3MPaで減圧下留去したのちアセトン50mlを加え、さらに60℃に加熱したのち冷却して、再結晶を行なった。結晶を濾過し乾燥させるとによって前記4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアリルフェノール(III)を36.45g得た。生成物(4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアリルフェノール(III)について400MHz1HNMRによって同定した。
1HNMR(CDCl3)、δ(ppm):3.25(d,4H)、4.89(s,2H)、5.09(dd,4H)、5.85〜6.00(m,2H)、6.61(d,2H)、6.89(dd,2H)、6.95(d,2H)、7.18〜7.40(m,6H)、7.71(d,2H)
It was confirmed that 35 g of Compound (I) (trade name: BPFL, manufactured by JFE Chemical Co., Ltd.), 29 g of allyl bromide, 22 g of potassium carbonate and 300 ml of acetone were mixed, heated to reflux for 30 hours, and the reaction was almost complete by TLC. confirmed. After cooling to room temperature, the mixture was filtered and concentrated, and 400 ml of toluene was added to the residue and washed twice with 200 ml of water. Thereafter, the organic layer was dried over sodium sulfate and then concentrated to obtain 43 g of compound (II) crude crystals.
Next, 42 g of the crude crystal of compound (II) and 84 g of N, N-diethylaniline were mixed and heated and stirred at 200 ° C. for 18 hours under nitrogen. N, N-diethylaniline was distilled off under reduced pressure at 2.67 × 10 −3 MPa, 50 ml of acetone was added, and the mixture was further heated to 60 ° C. and then cooled for recrystallization. The crystals were filtered and dried to obtain 36.45 g of the 4,4 ′-(9-fluorenylidene) diallylphenol (III). The product (4,4 ′-(9-fluorenylidene) diallylphenol (III) was identified by 400 MHz 1 HNMR.
1 HNMR (CDCl 3 ), δ (ppm): 3.25 (d, 4H), 4.89 (s, 2H), 5.09 (dd, 4H), 5.85 to 6.00 (m, 2H) ), 6.61 (d, 2H), 6.89 (dd, 2H), 6.95 (d, 2H), 7.18-7.40 (m, 6H), 7.71 (d, 2H)

(2)例示化合物P−32の合成
1Lの三口フラスコ中に、前記4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアリルフェノール(III)21.1g、ハイドロサルファイトナトリウム0.15g、テトラブチルアンモニウムクロライド694.8mg、塩化メチレン163ml、および蒸留水188mlを加え、窒素気流下室温で攪拌した。さらに2,6−ナフタレンジカルボン酸クロライド6.33gおよびテレフタル酸クロライド5.1gを塩化メチレン75mlに溶解した溶液を添加した。次いで、該混合液中に2N水酸化ナトリウム水溶液52.5mlを蒸留水22.5mlで希釈したアルカリ水溶液を室温下1時間かけて滴下した。滴下終了後、2時間攪拌を続け、その後酢酸0.9gおよび塩化メチレン100mlを添加した。得られた溶液から有機層を分離しメタノール2Lに添加して析出したポリマーをデカンテーションにより分離した。さらに得られたポリマーを塩化メチレン250mlに溶解し、メタノール1Lに再沈澱させることにより、例示化合物P−32の26.3gを得た。
得られた例示化合物P−32をGPC(THF溶媒)で測定した結果、重量平均分子量21600、数平均分子量10100であった。また、TMA8310(理学電気株式会社製、Thermo Plusシリーズ)で測定した熱変形開始温度は214℃であった。
(2) Synthesis of Exemplified Compound P-32 In a 1 L three-necked flask, 21.1 g of 4,4 ′-(9-fluorenylidene) diallylphenol (III), 0.15 g of hydrosulfite sodium, tetrabutylammonium chloride 694 .8 mg, 163 ml of methylene chloride, and 188 ml of distilled water were added and stirred at room temperature under a nitrogen stream. Further, a solution prepared by dissolving 6.33 g of 2,6-naphthalenedicarboxylic acid chloride and 5.1 g of terephthalic acid chloride in 75 ml of methylene chloride was added. Next, an alkaline aqueous solution obtained by diluting 52.5 ml of a 2N aqueous sodium hydroxide solution with 22.5 ml of distilled water was dropped into the mixed solution at room temperature over 1 hour. After completion of the dropwise addition, stirring was continued for 2 hours, and then 0.9 g of acetic acid and 100 ml of methylene chloride were added. The organic layer was separated from the obtained solution, added to 2 L of methanol, and the precipitated polymer was separated by decantation. Furthermore, 26.3 g of exemplary compound P-32 was obtained by melt | dissolving the obtained polymer in 250 ml of methylene chloride, and reprecipitating in 1 L of methanol.
As a result of measuring the obtained exemplary compound P-32 with GPC (THF solvent), the weight average molecular weight was 21,600 and the number average molecular weight was 10100. Further, the thermal deformation start temperature measured with TMA8310 (Thermo Electric series, Thermo Plus series) was 214 ° C.

[合成例2]
1.例示化合物P−25の合成
ピペラジン660mmol、テトラブチルアンモニウムクロライド33mmol、ジクロロメタン2227ml、および、水2475mlを攪拌装置を備えた反応容器中に投入し、窒素気流下、水浴中300rpmで撹拌を行った。30分後、前記4,4’−(9−フルオレニリデン)ジアリルフェノール(III)からトリホスゲンを用いて合成したビスクロロホルメート体660mmolを743mlのジクロロメタンに溶解した溶液と、2規定水酸化ナトリウム水溶液693mlを132mlの水で希釈した溶液とを1時間かけて同時に別々の滴下装置を用いて滴下した。滴下終了後165mlの水およびジクロロメタンでそれぞれ洗い流した。その後3時間撹拌を継続した後、ジクロロメタン1Lを添加し、有機層を分離した。さらに12規定塩酸水6.6mlを水2.5Lで希釈した溶液を添加し有機層を洗浄した。さらに水2.5Lで2回洗浄を行った後、分離した有機層にジクロロメタン1Lを添加し、希釈した後、激しく撹拌した25Lのメタノール中に1時間かけて投入した。メタノール中、得られた白色沈殿を濾取し乾燥させ、前記例示化合物P−25を240g得た。
得られた例示化合物P−25の分子量をGPC(クロロホルム溶媒)で測定した結果、重量平均分子量150000、数平均分子量70000であった。また、TMA8310(理学電気株式会社製、Thermo Plusシリーズ)で測定した熱変形開始温度は190℃であった。
本発明の他の化合物も前記と同様にして合成できる。
[Synthesis Example 2]
1. Synthesis of Exemplified Compound P-25 Piperazine (660 mmol), tetrabutylammonium chloride (33 mmol), dichloromethane (2227 ml) and water (2475 ml) were charged into a reaction vessel equipped with a stirrer and stirred in a water bath at 300 rpm in a nitrogen stream. After 30 minutes, a solution obtained by dissolving 660 mmol of bischloroformate synthesized from the 4,4 ′-(9-fluorenylidene) diallylphenol (III) using triphosgene in 743 ml of dichloromethane and 693 ml of 2N aqueous sodium hydroxide solution The solution diluted with 132 ml of water was added dropwise using a separate dropping device simultaneously over 1 hour. After completion of the dropwise addition, each was washed with 165 ml of water and dichloromethane. Thereafter, stirring was continued for 3 hours, and then 1 L of dichloromethane was added to separate the organic layer. Further, a solution obtained by diluting 6.6 ml of 12N hydrochloric acid with 2.5 L of water was added to wash the organic layer. After further washing twice with 2.5 L of water, 1 L of dichloromethane was added to the separated organic layer, diluted, and then poured into 25 L of methanol that was vigorously stirred over 1 hour. The obtained white precipitate in methanol was collected by filtration and dried to obtain 240 g of the exemplified compound P-25.
As a result of measuring the molecular weight of the obtained exemplary compound P-25 with GPC (chloroform solvent), the weight average molecular weight was 150,000 and the number average molecular weight was 70000. Further, the thermal deformation start temperature measured with TMA8310 (Thermo Plus series, Thermo Plus series) was 190 ° C.
Other compounds of the present invention can be synthesized in the same manner as described above.

[比較合成例1]
1.比較化合物X−1の合成
特開昭57−192432号公報実施例1に記載の合成法に準じて下記比較化合物X−1を合成した。数平均分子量は30000、熱変形開始温度は293℃であった。
[Comparative Synthesis Example 1]
1. Synthesis of Comparative Compound X-1 The following comparative compound X-1 was synthesized according to the synthesis method described in Example 1 of JP-A-57-192432. The number average molecular weight was 30000, and the thermal deformation start temperature was 293 ° C.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

[比較合成例2]
2.比較化合物X−2の合成
特開平10−77338号公報実施例1に記載の合成法に準じて下記比較化合物X−2を合成した。数平均分子量は30000であった。
[Comparative Synthesis Example 2]
2. Synthesis of Comparative Compound X-2 The following Comparative Compound X-2 was synthesized according to the synthesis method described in Example 1 of JP-A-10-77338. The number average molecular weight was 30000.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

[実施例1]
<特性値の測定方法>
本実施例において重量平均分子量、膜厚、熱変形開始温度、フィルムの全光線透過率、およびフィルムの力学特性(破断応力)は下記に従って測定した。
[Example 1]
<Measurement method of characteristic value>
In this example, the weight average molecular weight, film thickness, thermal deformation start temperature, total light transmittance of the film, and mechanical properties (breaking stress) of the film were measured as follows.

(重量平均分子量)
テトラヒドロフランを溶媒とするポリスチレン換算GPC測定により、を用いて、ポリスチレンの分子量標準品と比較して重量平均分子量を求めた。また測定装置には、GPC(東ソー(株)製、HLC−8120GPC)を用いた。
(膜厚)
ダイヤル式厚さゲージ(アンリツ(株)製、K402B)により測定した。
(熱変形開始温度)
TMA8310(理学電気株式会社製、Thermo Plusシリーズ)で測定した(窒素中、昇温温度10℃/分)
(Weight average molecular weight)
By GPC measurement in terms of polystyrene using tetrahydrofuran as a solvent, the weight average molecular weight was determined by using and comparing with a molecular weight standard product of polystyrene. In addition, GPC (manufactured by Tosoh Corporation, HLC-8120GPC) was used as a measuring apparatus.
(Film thickness)
It measured with the dial-type thickness gauge (Anritsu Co., Ltd. product, K402B).
(Thermal deformation start temperature)
Measured with TMA8310 (manufactured by Rigaku Corporation, Thermo Plus series) (in nitrogen, temperature rising temperature 10 ° C./min)

(フィルムの全光線透過率)
ヘイズメーター(スガ試験機(株)社製、HGM−2DP)を用いて測定した。
(フィルムの破断応力)
フィルムサンプル(1.0cmx5.0cm片)を作製し、引張速度3mm/分の条件下、テンシロン(東洋ボールドウィン(株)製、テンシロン RTM−25)にて測定した。測定は3サンプル行い、その平均値を求めた(サンプルは25℃、相対湿度60%で一晩放置後使用した。またチャック間距離は3cmとした。)。
(Total light transmittance of film)
It measured using the haze meter (Suga Test Instruments Co., Ltd. product, HGM-2DP).
(Break stress of film)
A film sample (1.0 cm × 5.0 cm piece) was prepared and measured with Tensilon (manufactured by Toyo Baldwin Co., Ltd., Tensilon RTM-25) under a tensile speed of 3 mm / min. Three samples were measured and the average value was obtained (the sample was used after standing overnight at 25 ° C. and a relative humidity of 60%. The distance between chucks was 3 cm).

<光学フィルム試料(試料101〜109)の作製>
下記表1に記載の本発明のポリマーおよび比較ポリマーをジクロロメタンに溶解した後、溶液粘度が500〜1500mPa・s以下の範囲になる濃度で溶解した。また、本発明のポリマーまたは比較ポリマーX−2を含む溶液にはさらに全固形分の2質量%に相当する2−アゾービスーイソブチロニトリルを添加した。
得られた溶液を5μmのフィルターを通してろ過した後、ドクターブレードを用いてガラス基板上に流延した。流延後、室温で2時間、60℃で2時間乾燥させ、その後窒素雰囲気下150℃で4時間加熱した。加熱後、フィルムをガラス基板より剥離し光学フィルム試料(試料101〜109)を得た。
得られた光学フィルム試料の熱変形開始温度、膜厚、全光線透過率、破断応力を測定した。表1に結果を示す。
<Preparation of optical film samples (samples 101 to 109)>
The polymer of the present invention and the comparative polymer described in Table 1 below were dissolved in dichloromethane, and then dissolved at a concentration such that the solution viscosity was 500 to 1500 mPa · s or less. Further, 2-azo-bis-isobutyronitrile corresponding to 2% by mass of the total solid content was further added to the solution containing the polymer of the present invention or the comparative polymer X-2.
The obtained solution was filtered through a 5 μm filter and then cast on a glass substrate using a doctor blade. After casting, it was dried at room temperature for 2 hours and at 60 ° C. for 2 hours, and then heated at 150 ° C. for 4 hours in a nitrogen atmosphere. After heating, the film was peeled from the glass substrate to obtain optical film samples (samples 101 to 109).
The thermal deformation start temperature, film thickness, total light transmittance, and breaking stress of the obtained optical film sample were measured. Table 1 shows the results.

Figure 2007063418
Figure 2007063418

表1から、本発明の光学フィルムは、熱変形開始温度が高く、耐熱性に優れることがわかる。また破断点応力が大きく、優れた力学特性を有していることがわかる。   From Table 1, it can be seen that the optical film of the present invention has a high thermal deformation start temperature and is excellent in heat resistance. It can also be seen that the stress at break is large and has excellent mechanical properties.

[実施例2]
<有機EL素子試料の作製>
(ガスバリア層の設置)
前記で作製した本発明の光学フィルム試料101〜107および比較例の光学フィルム試料108、109の両面にDCマグネトロンスパッタリング法により、Siをターゲットとし500Paの真空下で、Ar雰囲気下、酸素を導入し、圧力を0.1Paとして出力5kWでスパッタリングした。得られたガスバリア層の膜厚は60nmであった。ガスバリア層を形成した光学フィルム試料の40℃、相対湿度90%における水蒸気透過度は0.1 g/m2・day以下であり、40℃、相対湿度90%における酸素透過度は0.1ml/m2・day以下であった。
[Example 2]
<Preparation of organic EL element sample>
(Installation of gas barrier layer)
On both surfaces of the optical film samples 101 to 107 of the present invention prepared above and the optical film samples 108 and 109 of the comparative example, oxygen was introduced under an Ar atmosphere under a vacuum of 500 Pa using Si as a target by a DC magnetron sputtering method. The sputtering was performed at an output of 5 kW at a pressure of 0.1 Pa. The film thickness of the obtained gas barrier layer was 60 nm. The optical film sample on which the gas barrier layer is formed has a water vapor transmission rate of 0.1 g / m 2 · day or less at 40 ° C. and a relative humidity of 90%, and an oxygen transmission rate of 0.1 ml / m 2 at 40 ° C. and a relative humidity of 90%. m 2 · day or less.

(透明導電層の設置)
ガスバリア層を設置した光学フィルム試料を100℃に加熱しながら、ITO(In23 95質量%、Sn02 5質量%)をターゲットとしDCマグネトロンスパッタリング法により、0.665Paの真空下で、Ar雰囲気下、出力5kWで140nmの厚みのITO膜からなる透明導電層を、片面に設けた。透明導電層を設置した光学フィルム試料の25℃、相対湿度60%における表面電気抵抗は30Ω/□であった。
(Installation of transparent conductive layer)
While heating the optical film sample provided with the gas barrier layer to 100 ° C., ITO (In 2 O 3 95% by mass, SnO 2 5% by mass) is used as a target and DC magnetron sputtering is performed under a vacuum of 0.665 Pa. A transparent conductive layer made of an ITO film having an output of 5 kW and a thickness of 140 nm was provided on one side in an atmosphere. The surface electrical resistance at 25 ° C. and 60% relative humidity of the optical film sample provided with the transparent conductive layer was 30Ω / □.

(透明導電層付光学フィルムの加熱処理)
前記で得られた透明導電層を設置した光学フィルム試料を、TFT設置を想定して300℃、1hの加熱処理を行った。
(Heat treatment of optical film with transparent conductive layer)
The optical film sample provided with the transparent conductive layer obtained above was subjected to heat treatment at 300 ° C. for 1 h assuming TFT installation.

(有機EL素子の作製)
前記で加熱処理を行った透明導電層を設置した光学フィルム試料の透明電極層より、アルミニウムのリ−ド線を結線し、積層構造体を形成した。本発明の光学フィルム試料101〜107から得られた透明導電層を設置した光学フィルム試料は変形が認められなかったのに対して、比較例の光学フィルム試料109から得られた透明導電層を設置した光学フィルム試料は変形が激しく、有機EL素子の作製は行わなかった。尚、比較例の光学フィルム試料108から得られた透明導電層を設置した光学フィルム試料も若干の変形が見られたが、顕著ではなかったため、有機EL素子の作製を行った。
透明電極の表面に、ポリエチレンジオキシチオフェン・ポリスチレンスルホン酸の水性分散液(BAYER社製、Baytron P:固形分1.3質量%)をスピンコートした後、150℃で2時間真空乾燥し、厚さ100nmのホール輸送性有機薄膜層を形成した。これを基板Xとした。
一方、厚さ188μmのポリエーテルスルホン(住友ベークライト(株)製、スミライトFS−1300)からなる仮支持体の片面上に、下記組成を有する発光性有機薄膜層用塗布液を、スピンコーターを用いて塗布し、室温で乾燥することにより、厚さ13nmの発光性有機薄膜層を仮支持体上に形成した。これを転写材料Yとした。
(Production of organic EL element)
The aluminum lead wire was connected from the transparent electrode layer of the optical film sample provided with the transparent conductive layer subjected to the heat treatment as described above to form a laminated structure. The optical film sample provided with the transparent conductive layer obtained from the optical film samples 101 to 107 of the present invention was not deformed, whereas the transparent conductive layer obtained from the optical film sample 109 of the comparative example was provided. The optical film sample was severely deformed, and no organic EL device was produced. In addition, although the optical film sample which installed the transparent conductive layer obtained from the optical film sample 108 of the comparative example also showed some deformation | transformation, since it was not remarkable, the organic EL element was produced.
The surface of the transparent electrode was spin-coated with an aqueous dispersion of polyethylene dioxythiophene / polystyrene sulfonic acid (BAYER, Baytron P: solid content 1.3 mass%), and then vacuum-dried at 150 ° C. for 2 hours to obtain a thick A hole-transporting organic thin film layer having a thickness of 100 nm was formed. This was designated as substrate X.
On the other hand, using a spin coater, a coating solution for a light-emitting organic thin film layer having the following composition was formed on one side of a temporary support made of polyethersulfone having a thickness of 188 μm (Sumilite FS-1300, manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.). By coating and drying at room temperature, a light-emitting organic thin film layer having a thickness of 13 nm was formed on the temporary support. This was designated as transfer material Y.

〔組成〕
・ポリビニルカルバゾール(Mw=63000、アルドリッチ社製):40質量部
・トリス(2−フェニルピリジン)イリジウム錯体(オルトメタル化錯体):1質量部
・ジクロロエタン:3200質量部
〔composition〕
Polyvinylcarbazole (Mw = 63000, manufactured by Aldrich): 40 parts by mass Tris (2-phenylpyridine) iridium complex (orthometalated complex): 1 part by mass Dichloroethane: 3200 parts by mass

基板Xの有機薄膜層の上面に転写材料Yの発光性有機薄膜層側を重ね、一対の熱ローラーを用い160℃、0.3MPa、0.05m/minで加熱・加圧し、仮支持体を引き剥がすことにより、基板Xの上面に発光性有機薄膜層を形成した。これを基板XYとした。   The luminescent organic thin film layer side of the transfer material Y is superimposed on the upper surface of the organic thin film layer of the substrate X, heated and pressurized at 160 ° C., 0.3 MPa, 0.05 m / min using a pair of heat rollers, and the temporary support is attached. By peeling off, a light-emitting organic thin film layer was formed on the upper surface of the substrate X. This was designated as substrate XY.

また、25mm角に裁断した厚さ50imのポリイミドフィルム(UPILEX−50S、宇部興産製)片面上に、パターニングした蒸着用のマスク(発光面積が5mmラ5mmとなるマスク)を設置し、約0.1mPaの減圧雰囲気中でAlを蒸着し、膜厚0.3imの電極を形成した。Al23ターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリングにより、Al23をAl層と同パターンで蒸着し、膜厚3nmとした。Al電極よりアルミニウムのリード線を結線し、積層構造体を形成した。得られた積層構造体の上に下記組成を有する電子輸送性有機薄膜層用塗布液をスピンコーター塗布機を用いて塗布し、80℃で2時間真空乾燥することにより、厚さ15nmの電子輸送性有機薄膜層をLiF上に形成した。これを基板Zとした。 In addition, a patterned deposition mask (a mask with a light emission area of 5 mm and 5 mm) is placed on one side of a polyimide film (UPILEX-50S, manufactured by Ube Industries) having a thickness of 50 im that is cut into 25 mm square. Al was evaporated in a reduced pressure atmosphere of 1 mPa to form an electrode having a thickness of 0.3 im. Using an Al 2 O 3 target by DC magnetron sputtering, the Al 2 O 3 was deposited in the same pattern as the Al layer and the thickness of 3 nm. An aluminum lead wire was connected from the Al electrode to form a laminated structure. A coating solution for an electron transporting organic thin film layer having the following composition is coated on the obtained laminated structure using a spin coater coating machine, and vacuum dried at 80 ° C. for 2 hours, thereby transporting an electron having a thickness of 15 nm. An organic thin film layer was formed on LiF. This was designated as substrate Z.

〔組成〕
・ポリビニルブチラール2000L(Mw=2000、電気化学工業社製):10質量部
・1−ブタノール:3500質量部
・下記構造を有する電子輸送性化合物:20質量部
〔composition〕
-Polyvinyl butyral 2000L (Mw = 2000, manufactured by Denki Kagaku Kogyo): 10 parts by mass-1-butanol: 3500 parts by mass-Electron transporting compound having the following structure: 20 parts by mass

Figure 2007063418
Figure 2007063418

基板XYと基板Zとを用い、電極同士が発光性有機薄膜層を挟んで対面するように重ね合せ、一対の熱ローラーを用い160℃、0.3MPa、0.05m/minで加熱・加圧し、貼り合せ、有機EL素子試料201〜208を得た。   Using substrate XY and substrate Z, the electrodes are stacked so that the electrodes face each other with the light-emitting organic thin film layer sandwiched between them, and heated and pressed at 160 ° C., 0.3 MPa, 0.05 m / min using a pair of heat rollers. Then, organic EL element samples 201 to 208 were obtained.

得られた有機EL素子試料201〜208をソースメジャーユニット2400型(東洋テクニカ(株)製)を用いて、直流電圧を有機EL素子に印加した。若干変形の見られた比較試料208は発光が確認できなかったが、本発明の試料201〜207は、発光することを確認した。   A direct voltage was applied to the organic EL elements of the obtained organic EL element samples 201 to 208 using a source measure unit 2400 type (manufactured by Toyo Technica Co., Ltd.). The comparative sample 208, which was slightly deformed, could not be confirmed to emit light, but the samples 201 to 207 of the present invention were confirmed to emit light.

前記実施例より、本発明の光学フィルムは、耐熱性、透明性、力学特性に優れ、ガスバリア層、透明導電層を積層可能でTFT工程を想定した加熱処理を行っても有機EL素子用基板フィルムとして機能することが明らかとなった。   From the above examples, the optical film of the present invention is excellent in heat resistance, transparency, and mechanical properties, and can be laminated with a gas barrier layer and a transparent conductive layer. It became clear to function as.

以上からわかるように、本発明のポリマーおよびそれより得られる光学フィルムは、透明性、耐熱性、力学特性に優れている。さらに、本発明の光学フィルムはガスバリア層、透明導電層を積層可能で、表示品位に優れた有機ELディスプレイを提供可能である。   As can be seen from the above, the polymer of the present invention and the optical film obtained therefrom are excellent in transparency, heat resistance and mechanical properties. Furthermore, the optical film of the present invention can be laminated with a gas barrier layer and a transparent conductive layer, and can provide an organic EL display excellent in display quality.

Claims (7)

下記一般式(1)または一般式(2)で表わされる繰り返し単位を少なくとも1種類含有し、エステル結合およびウレタン結合のいずれかを少なくとも有することを特徴とするポリマー。
Figure 2007063418
Figure 2007063418
〔一般式(2)中、環βは単環式または多環式の環を表す。R1〜R8は水素原子または置換基を表し、R1〜R4の少なくとも1つが置換または無置換のアリル基を表す。R1とR5、R2とR6、R3とR7、R4とR8、R5とR7とは互いに結合して環を形成していてもよい。〕
A polymer comprising at least one repeating unit represented by the following general formula (1) or general formula (2) and having at least one of an ester bond and a urethane bond.
Figure 2007063418
Figure 2007063418
[In general formula (2), ring β represents a monocyclic or polycyclic ring. R 1 to R 8 represent a hydrogen atom or a substituent, and at least one of R 1 to R 4 represents a substituted or unsubstituted allyl group. R 1 and R 5 , R 2 and R 6 , R 3 and R 7 , R 4 and R 8 , and R 5 and R 7 may be bonded to each other to form a ring. ]
請求項1に記載のポリマーによって形成されたことを特徴とする光学フィルム。   An optical film formed of the polymer according to claim 1. 請求項1に記載のポリマーにおけるアリル基が架橋していることを特徴とする請求項2に記載の光学フィルム。   The optical film according to claim 2, wherein allyl groups in the polymer according to claim 1 are crosslinked. 全光線透過率が80%以上であることを特徴とする請求項2または3に記載の光学フィルム。   The optical film according to claim 2 or 3, wherein the total light transmittance is 80% or more. 少なくとも片面にガスバリア層が積層されていることを特徴とする請求項2〜4のいずれか一項に記載の光学フィルム。   The optical film according to any one of claims 2 to 4, wherein a gas barrier layer is laminated on at least one surface. 少なくとも片面に透明導電層が積層されていることを特徴とする請求項2〜5のいずれか一項に記載の光学フィルム。   The optical film according to claim 2, wherein a transparent conductive layer is laminated on at least one side. 請求項2〜6のいずれか一項に記載の光学フィルムを用いた画像表示装置。   The image display apparatus using the optical film as described in any one of Claims 2-6.
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