JP2007059681A - Printed circuit board and its manufacturing method - Google Patents

Printed circuit board and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2007059681A
JP2007059681A JP2005244158A JP2005244158A JP2007059681A JP 2007059681 A JP2007059681 A JP 2007059681A JP 2005244158 A JP2005244158 A JP 2005244158A JP 2005244158 A JP2005244158 A JP 2005244158A JP 2007059681 A JP2007059681 A JP 2007059681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermetallic compound
circuit board
layer
compound layer
printed circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2005244158A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yuuji Kuri
裕二 久里
Toronron Tan
トロンロン タン
Akira Tanaka
明 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005244158A priority Critical patent/JP2007059681A/en
Publication of JP2007059681A publication Critical patent/JP2007059681A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a printed circuit board which can suppress the generation of an intermetallic compound in a solder-joined part and can suppress the melting out of Cu from a wiring circuit of the printed circuit board, and also to provide a method for manufacturing the circuit board. <P>SOLUTION: The printed circuit board comprises a wiring circuit which mainly constitutes of a substrate 100, a metal foil layer 101 formed on the substrate 100, a first plated layer 102 formed on the metal foil layer 101, a second plated layer 103 formed on the first plated layer 102, and an intermetallic compound layer 104 formed on the second plated layer 103 and containing Co and/or Ni by a predetermined amount. With such an arrangement, mechanical strength or thermal fatigue resistance at a solder-jointed part can be improved. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、配線回路を備えるプリント基板に関し、特に、配線回路におけるはんだ接合部において、優れた機械的強度や熱的強度を維持することができるプリント基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a printed circuit board provided with a wiring circuit, and more particularly to a printed circuit board capable of maintaining excellent mechanical strength and thermal strength at a solder joint in the wiring circuit and a method for manufacturing the same.

電子機器装置などに用いられる電子回路は、プリント基板における配線回路に電子部品をはんだ付けして作製される。また、この従来のプリント基板における配線回路は、主にCuによって形成されている。このプリント基板への電子部品のはんだ付けは、例えば、ウェーブはんだ装置などによって行われている。   An electronic circuit used for an electronic device is manufactured by soldering an electronic component to a wiring circuit on a printed board. Moreover, the wiring circuit in this conventional printed circuit board is mainly formed of Cu. The soldering of the electronic component to the printed board is performed by, for example, a wave soldering device.

また、はんだにおいては、従来は、SnとPbを含んだ合金が使用されていたが、近年、環境的配慮からPbを含まないPbフリーのはんだが使用されるようになってきたる。また、同様に、メッキにおいても、Pbフリーのメッキが使用されるようになってきた。このような背景のもと、Snを主成分とするPbフリーのはんだやメッキに対して、従来のPbを含んだSnを主成分とする合金を用いた場合と同等の機械的性質や物理的性質が要求されている。   Conventionally, an alloy containing Sn and Pb has been used for solder. However, in recent years, Pb-free solder not containing Pb has been used for environmental considerations. Similarly, Pb-free plating has been used for plating. Against this background, mechanical properties and physical properties equivalent to those obtained when using an alloy containing Sn as a main component and containing Pb as opposed to Pb-free solder and plating containing Sn as the main component are used. Nature is required.

例えば、Sn−Ag−Cu合金において、はんだ強度、熱疲労強度などの機械的性質を確保するために、Sn−3.0重量%Ag−0.5重量%Cuなどの合金が用いられている。このようなSn−Ag−Cu合金では、Sn中のCu固溶量が0.006重量%程度の(βSn)デンドライトの凝固前方にCuが濃縮し、(βSn)とη(CuSn:Sn43.5〜45.5原子%)の共晶組織、初晶η、または、(βSn)およびηの共晶組織が形成される。これらの共晶組織である金属間化合物は、機械的強度が低く、冷却するとクラックを生じることがあった。そのため、これらの金属間化合物の生成を抑制することにより、耐熱疲労性を向上させたはんだが開示されている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−307187号公報
For example, in a Sn-Ag-Cu alloy, an alloy such as Sn-3.0 wt% Ag-0.5 wt% Cu is used in order to ensure mechanical properties such as solder strength and thermal fatigue strength. . In such a Sn—Ag—Cu alloy, Cu is concentrated in the front of solidification of (βSn) dendrite whose Cu solid solution amount is about 0.006 wt%, and (βSn) and η (Cu 6 Sn 5 : Sn 43.5-45.5 atomic%) eutectic structure, primary crystal η, or (βSn) and η eutectic structure. These intermetallic compounds, which are eutectic structures, have low mechanical strength and sometimes crack when cooled. Therefore, a solder whose thermal fatigue resistance is improved by suppressing the formation of these intermetallic compounds is disclosed (for example, see Patent Document 1).
JP 2002-307187 A

しかしながら、上記したような従来の、例えば、Sn−Ag−Cu合金からなるはんだを用いて、表面実装部品や挿入実装部品をプリント基板に実装させた場合、プリント基板の配線には、Cuが用いられているため、前述したようにSnとCuの金属間化合物が接合部界面に生成し、接合部における機械的強度が低下し、冷却するとクラックを生じるなどの問題があった。   However, when using a conventional solder as described above, for example, a solder made of an Sn—Ag—Cu alloy and mounting a surface mounting component or an insertion mounting component on a printed board, Cu is used for wiring on the printed board. Therefore, as described above, an intermetallic compound of Sn and Cu is generated at the interface of the joint, the mechanical strength at the joint is reduced, and there is a problem that a crack occurs when cooled.

また、これらの金属間化合物の生成を抑制するはんだを用いて、ウェーブはんだ装置などで表面実装部品や挿入実装部品をプリント基板にはんだ付けする場合、プリント基板の配線回路を構成するCuが溶出し、ウェーブはんだ装置の溶融はんだ槽内に混入することがある。これによって、溶融はんだ槽内のCuの濃度が変化し、均一なはんだ組成を維持することができないなどの問題があった。   In addition, when soldering surface-mounted components and insertion-mounted components to a printed circuit board using a wave soldering device, etc., with the use of solder that suppresses the formation of these intermetallic compounds, Cu constituting the printed circuit board's wiring circuit is eluted. In some cases, it may be mixed in the molten solder bath of the wave soldering apparatus. As a result, the Cu concentration in the molten solder bath changes, and there is a problem that a uniform solder composition cannot be maintained.

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、はんだ接合部における金属間化合物の生成を抑制することができるとともに、プリント基板の配線回路からのCuの溶出を抑制することができるプリント基板およびその製造方法を提供すること目的とする。   Therefore, the present invention has been made to solve the above-described problems, and can suppress the generation of intermetallic compounds at the solder joints and suppress the elution of Cu from the printed circuit board wiring circuit. An object of the present invention is to provide a printed circuit board that can be manufactured and a method for manufacturing the same.

上記目的を達成するために、本発明のプリント基板は、配線回路パターンを備えるプリント基板であって、前記配線回路パターンが、基板上に形成された金属箔層と、前記金属箔層上に形成されたメッキ層と、前記メッキ層上に形成された金属間化合物層とから構成されていることを特徴とする。   In order to achieve the above object, the printed circuit board of the present invention is a printed circuit board having a wiring circuit pattern, and the wiring circuit pattern is formed on the metal foil layer formed on the substrate and the metal foil layer. And an intermetallic compound layer formed on the plating layer.

このプリント基板によれば、配線回路パターンの表面層を金属間化合物層で形成することで、はんだ接合部の界面に生成する金属間化合物(例えば、CuSn)の生成を抑制することができる。これによって、金属間化合物層とはんだとの間に形成されるはんだ接合部における機械的強度や耐熱疲労性を向上させることができる。 According to this printed board, the formation of the intermetallic compound (for example, Cu 6 Sn 5 ) generated at the interface of the solder joint can be suppressed by forming the surface layer of the wiring circuit pattern with the intermetallic compound layer. it can. As a result, the mechanical strength and heat fatigue resistance of the solder joint formed between the intermetallic compound layer and the solder can be improved.

本発明のプリント基板の製造方法は、基板上に形成された金属箔層をエッチング処理して所定の導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、前記形成された導体パターンの金属箔層上にメッキ層を形成するメッキ層形成工程と、前記メッキ層上に金属間化合物層を形成する金属間化合物層形成工程とを具備することを特徴とする。   The printed circuit board manufacturing method of the present invention includes a conductor pattern forming step of forming a predetermined conductor pattern by etching a metal foil layer formed on the substrate, and plating on the metal foil layer of the formed conductor pattern. A plating layer forming step of forming a layer; and an intermetallic compound layer forming step of forming an intermetallic compound layer on the plating layer.

このプリント基板の製造方法によれば、金属間化合物層形成工程において、メッキ層上に金属間化合物層を形成することができる。これによって、金属間化合物層とはんだとの間に形成されるはんだ接合部の界面に生成する金属間化合物(例えば、CuSn)の生成を抑制することができる。 According to this printed circuit board manufacturing method, the intermetallic compound layer can be formed on the plating layer in the intermetallic compound layer forming step. Thus, the intermetallic compound generated at the interface of the solder joint formed between the intermetallic compound layer and the solder (e.g., Cu 6 Sn 5) can be suppressed generation of.

本発明では、はんだ接合部における金属間化合物の生成を抑制することができるとともに、プリント基板の配線回路からのCuの溶出を抑制することができるプリント基板およびその製造方法を提供することができる。   In this invention, while being able to suppress the production | generation of the intermetallic compound in a solder joint part, the printed circuit board which can suppress elution of Cu from the wiring circuit of a printed circuit board, and its manufacturing method can be provided.

以下、本発明の一実施の形態のプリント基板10について、図を参照して説明する。   Hereinafter, a printed circuit board 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、片面に配線回路が形成されたプリント基板10の断面図である。また、図2は、スルーホールを有して両面に配線回路が形成されたプリント基板20の断面図である。   FIG. 1 is a cross-sectional view of a printed circuit board 10 having a wiring circuit formed on one side. FIG. 2 is a cross-sectional view of the printed board 20 having through-holes and wiring circuits formed on both sides.

図1および図2に示すように、プリント基板10、20における配線回路部は、基板100と、この基板100上に形成された金属箔層101と、この金属箔層101上に形成された第1のメッキ層102と、この第1のメッキ層102上に形成された第2のメッキ層103と、この第2のメッキ層103上に形成された金属間化合物層104とから主に構成されている。また、スルーホール110を有するプリント基板20において、基板100を貫通して形成されたスルーホール110の内周面には、第3のメッキ層111が形成され、この第3のメッキ層上に、第1のメッキ層102が形成されている。   As shown in FIG. 1 and FIG. 2, the printed circuit board 10, 20 has a wiring circuit section including a substrate 100, a metal foil layer 101 formed on the substrate 100, and a first layer formed on the metal foil layer 101. 1 plating layer 102, a second plating layer 103 formed on the first plating layer 102, and an intermetallic compound layer 104 formed on the second plating layer 103. ing. Further, in the printed circuit board 20 having the through hole 110, a third plating layer 111 is formed on the inner peripheral surface of the through hole 110 formed through the substrate 100, and on the third plating layer, A first plating layer 102 is formed.

基板100は、電気絶縁性を有する基材であって、例えば、PET(ポリエチレンテレフタレート)、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンスルフィド、PBT(ポリブチレンテレフタレート)、ポリアリレート、シリコン樹脂、ジアリルフタレート、ポリイミドなどで構成される。   The substrate 100 is a base material having electrical insulation, and includes, for example, PET (polyethylene terephthalate), phenol resin, urea resin, melamine resin, polytetrafluoroethylene, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyethersulfone, polyphenylene sulfide. , PBT (polybutylene terephthalate), polyarylate, silicon resin, diallyl phthalate, polyimide and the like.

金属箔層101は、Cu(銅)箔などで構成されている。また、第1のメッキ層102および第2のメッキ層103は、電解Cuメッキによって形成され、第1のメッキ層102の厚さは、10〜24μm程度に形成される。また、メッキ層の厚さをさらに厚く形成する場合には、電解Cuメッキによって、第1のメッキ層102上にさらに第2のメッキ層103を形成する。この場合、メッキ層の厚さ、つまり第1のメッキ層102と第2のメッキ層103との合計の厚さは、20〜40μm程度となる。なお、電解Cuメッキを施す時間の調整により、厚さが70〜80μm程度のメッキ層を形成することもできる。したがって、図1および図2には、第2のメッキ層103を有するプリント基板10、20の一例が示されているが、第2のメッキ層103を有しない構成でもよい。また、第3のメッキ層111は、無電解Cuメッキによって、0.3μm程度の厚さに形成される。   The metal foil layer 101 is made of Cu (copper) foil or the like. The first plating layer 102 and the second plating layer 103 are formed by electrolytic Cu plating, and the thickness of the first plating layer 102 is formed to about 10 to 24 μm. When the plating layer is formed to be thicker, the second plating layer 103 is further formed on the first plating layer 102 by electrolytic Cu plating. In this case, the thickness of the plating layer, that is, the total thickness of the first plating layer 102 and the second plating layer 103 is about 20 to 40 μm. A plating layer having a thickness of about 70 to 80 μm can be formed by adjusting the time for performing electrolytic Cu plating. Accordingly, FIGS. 1 and 2 show an example of the printed circuit boards 10 and 20 having the second plating layer 103, but a configuration without the second plating layer 103 may be used. The third plating layer 111 is formed to a thickness of about 0.3 μm by electroless Cu plating.

金属間化合物層104は、導電性を有する、例えば、Sn−Cu−CoやSn−Cu−Niの3元金属間化合物などで構成される。この金属間化合物層104は、第2のメッキ層103上に、例えば、無電解メッキや電解メッキなどの湿式メッキ、または真空蒸着やスパッタリングなどの乾式メッキなどによって形成される。Sn−Cu−Coの3元金属間化合物で構成され場合、金属間化合物層104の原子比は、Sn:Cu:Co=40.5:57:2.5のほぼ一定値となる。一方、Sn−Cu−Niの3元金属間化合物で構成され場合、金属間化合物層104の原子比は、Sn:Cu:Ni=40.5:57:2.5のほぼ一定値となる。   The intermetallic compound layer 104 is made of, for example, Sn—Cu—Co or Sn—Cu—Ni ternary intermetallic compound. The intermetallic compound layer 104 is formed on the second plating layer 103 by, for example, wet plating such as electroless plating or electrolytic plating, or dry plating such as vacuum deposition or sputtering. When the ternary intermetallic compound of Sn—Cu—Co is used, the atomic ratio of the intermetallic compound layer 104 is a substantially constant value of Sn: Cu: Co = 40.5: 57: 2.5. On the other hand, when composed of a ternary intermetallic compound of Sn—Cu—Ni, the atomic ratio of the intermetallic compound layer 104 is a substantially constant value of Sn: Cu: Ni = 40.5: 57: 2.5.

また、金属間化合物層104におけるCo(コバルト)またはNi(ニッケル)の含有率は、0.05〜1.0重量%である。CoまたはNiの含有率をこの範囲に設定するのは、0.05重量%よりも小さい場合には、この配線回路とはんだとの界面における金属間化合物(CuSn)の成長を抑制する効果が望めず、クラックや剥離の発生が助長されることがあるからである。また、1.0重量%を超える場合には、第2のメッキ層103上に金属間化合物層104を形成する際のぬれ性が悪くなり、金属間化合物層104の厚さの不均一や下地の露出などをもたらすことがあるからである。なお、上記した含有率の範囲で、CoとNiとの双方を含有してもよい。また、Coおよび/またはNiの含有率のさらに好ましい範囲は、0.3〜0.7重量%である。 The content of Co (cobalt) or Ni (nickel) in the intermetallic compound layer 104 is 0.05 to 1.0% by weight. The content ratio of Co or Ni is set within this range when the content of Co or Ni is less than 0.05% by weight, the growth of the intermetallic compound (Cu 6 Sn 5 ) at the interface between the wiring circuit and the solder is suppressed. This is because the effect cannot be expected and the occurrence of cracks and peeling may be promoted. On the other hand, when the content exceeds 1.0% by weight, the wettability when forming the intermetallic compound layer 104 on the second plating layer 103 is deteriorated, and the thickness of the intermetallic compound layer 104 is not uniform. This is because it may lead to exposure of the image. In addition, you may contain both Co and Ni in the range of the above-mentioned content rate. A more preferable range of the content of Co and / or Ni is 0.3 to 0.7% by weight.

さらに、金属間化合物層104の厚さは、0.5〜2.0μmの範囲に形成される。ここで、金属間化合物層104の厚さをこの範囲に設定したのは、0.5μmよりも薄く形成することは製作上困難であり、2.0μmを超えると、金属間化合物層104とのはんだ接合部における機械的強度や耐熱疲労性が低下するからである。また、金属間化合物層104の厚さのさらに好ましい範囲は、1〜2μmである。   Furthermore, the thickness of the intermetallic compound layer 104 is formed in the range of 0.5 to 2.0 μm. Here, the thickness of the intermetallic compound layer 104 is set within this range. It is difficult to manufacture the intermetallic compound layer 104 to be thinner than 0.5 μm, and when the thickness exceeds 2.0 μm, This is because the mechanical strength and heat fatigue resistance at the solder joints are reduced. A more preferable range of the thickness of the intermetallic compound layer 104 is 1 to 2 μm.

また、金属間化合物層104は、金属間化合物層104の表面側に向かって、Coおよび/またはNiの含有率が高くなるように、濃度傾斜組成を有して形成されてもよい。例えば、金属間化合物層104の厚さ方向の中心で、Coの含有量を0.5とすると、金属間化合物層104の表面では、Coの含有量が1となるように濃度傾斜組成を有して金属間化合物層104が形成される。なお、金属間化合物層104の表面側に向かうCoおよび/またはNiの含有率の変化の割合は、これに限られるものではなく、金属間化合物層104の表面側に向かって、Coおよび/またはNiの含有率が徐々に高くなるように構成されていればよい。このように、濃度傾斜組成を有する金属間化合物層104を形成する場合には、真空蒸着やスパッタリングなどによって金属間化合物層104が形成されるのが好適である。   Further, the intermetallic compound layer 104 may be formed with a concentration gradient composition so that the Co and / or Ni content increases toward the surface of the intermetallic compound layer 104. For example, assuming that the Co content is 0.5 at the center of the intermetallic compound layer 104 in the thickness direction, the surface of the intermetallic compound layer 104 has a concentration gradient composition so that the Co content becomes 1. Thus, the intermetallic compound layer 104 is formed. Note that the rate of change in the content ratio of Co and / or Ni toward the surface side of the intermetallic compound layer 104 is not limited to this, and Co and / or toward the surface side of the intermetallic compound layer 104 is not limited thereto. What is necessary is just to be comprised so that the content rate of Ni may become high gradually. Thus, when forming the intermetallic compound layer 104 having a concentration gradient composition, it is preferable to form the intermetallic compound layer 104 by vacuum deposition, sputtering, or the like.

次に、プリント基板の製造方法について、図3A〜図3Iを参照して説明する。なお、プリント基板10およびプリント基板20の製造方法は、基本的な工程は同じであるので、ここでは、プリント基板20の製造方法について主に説明する。   Next, a method for manufacturing a printed circuit board will be described with reference to FIGS. 3A to 3I. In addition, since the basic process is the same as the manufacturing method of the printed circuit board 10 and the printed circuit board 20, here, the manufacturing method of the printed circuit board 20 is mainly demonstrated.

図3A〜図3Iは、各製造工程におけるプリント基板の断面を模式的に示す図である。   3A to 3I are diagrams schematically showing a cross section of the printed circuit board in each manufacturing process.

まず、両面に金属箔層101が形成された基板100の所定の位置にスルーホール140を形成する(図3A)。   First, the through hole 140 is formed at a predetermined position of the substrate 100 having the metal foil layer 101 formed on both sides (FIG. 3A).

続いて、形成する導体パターンに対応して、金属箔層101上にレジスト150を印刷する(図3B)。   Subsequently, a resist 150 is printed on the metal foil layer 101 corresponding to the conductor pattern to be formed (FIG. 3B).

続いて、エッチング処理を施し、導体パターンを形成し(図3C)、レジストを洗浄して除去する(図3D)。   Subsequently, an etching process is performed to form a conductor pattern (FIG. 3C), and the resist is washed and removed (FIG. 3D).

続いて、基板100に形成されたスルーホール140の内周面に、無電解Cuメッキを施し、第3のメッキ層111を形成する(図3E)。   Subsequently, electroless Cu plating is applied to the inner peripheral surface of the through hole 140 formed in the substrate 100 to form a third plating layer 111 (FIG. 3E).

続いて、導体パターンを形成する金属箔層101の間隙に、電気絶縁性のフィルム151を転写し、剥き出しになっている基板100の表面を覆う(図3F)。   Subsequently, the electrically insulating film 151 is transferred to the gap between the metal foil layers 101 forming the conductor pattern, and the exposed surface of the substrate 100 is covered (FIG. 3F).

続いて、電解メッキを施し、導体パターンを形成する金属箔層101および第3のメッキ層111上に、第1のメッキ層102を形成する(図3G)。メッキ層の厚さをさらに厚く形成する場合には、さらに、電解メッキを施し、第1のメッキ層102上に、第2のメッキ層103を形成する(図3G)。   Subsequently, electrolytic plating is performed to form the first plating layer 102 on the metal foil layer 101 and the third plating layer 111 that form the conductor pattern (FIG. 3G). When the plating layer is formed to be thicker, electrolytic plating is further performed to form the second plating layer 103 on the first plating layer 102 (FIG. 3G).

続いて、真空蒸着により、第2のメッキ層103上に、金属間化合物層104を形成する(図3H)。なお、ここでは、真空蒸着によって金属間化合物層104を形成する一例を示したが、スパッタリングなどによって金属間化合物層104を形成してもよい。   Subsequently, an intermetallic compound layer 104 is formed on the second plating layer 103 by vacuum deposition (FIG. 3H). Note that, here, an example in which the intermetallic compound layer 104 is formed by vacuum deposition is shown, but the intermetallic compound layer 104 may be formed by sputtering or the like.

続いて、フィルム151を除去して、表面に金属間化合物層104が形成された配線回路を備えるプリント基板20が得られる(図3I)。   Subsequently, the film 151 is removed to obtain the printed circuit board 20 including the wiring circuit having the intermetallic compound layer 104 formed on the surface (FIG. 3I).

ここで、金属間化合物層104を形成する真空蒸着装置において、CuとSnとCoとの金属間化合物層104を形成する場合には、真空蒸着装置には、蒸発源Cu、蒸発源Sn、蒸発源Coが備えられる。また、CuとSnとNiとの金属間化合物層104を形成する場合には、真空蒸着装置には、蒸発源Cu、蒸発源Sn、蒸発源Niが備えられる。さらに、CuとSnとCoとNiとの金属間化合物層104を形成する場合には、真空蒸着装置には、蒸発源Cu、蒸発源Sn、蒸発源Co、蒸発源Niが備えられる。そして、真空蒸着装置における各蒸発源からの蒸発量を調整することで、金属間化合物層104を構成する各成分の含有率を調整することができる。例えば、金属間化合物層104の表面に向かってCoの含有率を高める場合には、金属間化合物層104の形成工程において、徐々にCoの濃度が高くなるように、各蒸発源からの蒸発量が調整される。   Here, in the vacuum deposition apparatus for forming the intermetallic compound layer 104, when the intermetallic compound layer 104 of Cu, Sn, and Co is formed, the vacuum deposition apparatus includes the evaporation source Cu, the evaporation source Sn, and the evaporation. A source Co is provided. Moreover, when forming the intermetallic compound layer 104 of Cu, Sn, and Ni, the vacuum evaporation apparatus includes an evaporation source Cu, an evaporation source Sn, and an evaporation source Ni. Furthermore, when forming the intermetallic compound layer 104 of Cu, Sn, Co, and Ni, the vacuum evaporation apparatus includes an evaporation source Cu, an evaporation source Sn, an evaporation source Co, and an evaporation source Ni. And the content rate of each component which comprises the intermetallic compound layer 104 can be adjusted by adjusting the evaporation amount from each evaporation source in a vacuum evaporation system. For example, when the Co content is increased toward the surface of the intermetallic compound layer 104, the amount of evaporation from each evaporation source is increased so that the Co concentration gradually increases in the intermetallic compound layer 104 formation step. Is adjusted.

さらに、金属間化合物層104の表面側に向かって、Coおよび/またはNiの含有率が高くなるように、濃度傾斜組成を有して金属間化合物層104を形成する場合においても、上記したように、真空蒸着装置における各蒸発源からの蒸発量を調整することで、濃度傾斜組成を有する金属間化合物層104を形成することができる。   Furthermore, as described above, when the intermetallic compound layer 104 is formed with a concentration gradient composition so that the Co and / or Ni content increases toward the surface side of the intermetallic compound layer 104. In addition, the intermetallic compound layer 104 having a concentration gradient composition can be formed by adjusting the amount of evaporation from each evaporation source in the vacuum deposition apparatus.

なお、片面に配線回路が形成されたプリント基板10を製造する場合には、上記したスルーホールを有して両面に配線回路が形成されたプリント基板20の製造方法における図3Aのスルーホール140を形成する工程、および図3Eのスルーホール140の内周面にメッキ層111を形成する工程を除いて、他の製造工程はプリント基板20を製造する工程と同じである。また、上記したプリント基板10、20を製造する工程は、一例を示したものであり、この工程に限られるものではない。   When the printed circuit board 10 having the wiring circuit formed on one side is manufactured, the through hole 140 in FIG. 3A in the method for manufacturing the printed circuit board 20 having the above-described through hole and the wiring circuit formed on both surfaces is formed. Except for the step of forming and the step of forming the plating layer 111 on the inner peripheral surface of the through hole 140 in FIG. 3E, the other manufacturing steps are the same as the steps for manufacturing the printed circuit board 20. Moreover, the process of manufacturing the printed circuit boards 10 and 20 described above is an example, and is not limited to this process.

上記した一実施の形態のプリント基板10、20によれば、配線回路パターンの表面層を、CuとSnとCoとの金属間化合物層、CuとSnとNiとの金属間化合物層、またはCuとSnとCoとNiとの金属間化合物層で形成することで、金属間化合物層104とはんだとの間に形成されるはんだ接合部の界面に生成する金属間化合物(例えば、CuSn)の生成を抑制することができる。これによって、はんだ接合部における機械的強度や耐熱疲労性を向上させることができ、はんだ接合において高い信頼性を得ることができる。 According to the printed circuit boards 10 and 20 of one embodiment described above, the surface layer of the wiring circuit pattern is formed of an intermetallic compound layer of Cu, Sn, and Co, an intermetallic compound layer of Cu, Sn, and Ni, or Cu And an intermetallic compound (for example, Cu 6 Sn 5) formed at the interface of the solder joint formed between the intermetallic compound layer 104 and the solder. ) Can be suppressed. Thereby, the mechanical strength and heat fatigue resistance in the solder joint can be improved, and high reliability can be obtained in the solder joint.

また、配線回路パターンの表面層が、上記した金属間化合物層104で形成されるため、例えば、ウェーブはんだ付け装置によってはんだ付けする場合において、配線回路パターンからのCuの溶出を抑制することができるので、ウェーブはんだ付け装置の溶融はんだ炉内におけるCuの濃度を一定に維持することが可能となる。   In addition, since the surface layer of the wiring circuit pattern is formed of the above-described intermetallic compound layer 104, elution of Cu from the wiring circuit pattern can be suppressed, for example, when soldering with a wave soldering apparatus. Therefore, the Cu concentration in the molten solder furnace of the wave soldering apparatus can be kept constant.

さらに、金属間化合物層104の表面側に向かって、連続的にCoおよび/またはNiの含有率が高くなるように、濃度傾斜組成を有して形成することで、金属間化合物層104と第2のメッキ層103との密着性を高めて機械的特性を向上させ、さらに実装部品などがはんだ付けされる表面側においては、はんだ接合部の界面におけるCuSnなどの金属間化合物の成長を抑制することができる。 Further, the intermetallic compound layer 104 and the second metal layer 104 are formed so as to have a concentration gradient composition so that the Co and / or Ni content continuously increases toward the surface side of the intermetallic compound layer 104. In the surface side on which the mounted parts are soldered, the growth of intermetallic compounds such as Cu 6 Sn 5 at the interface of the solder joints is improved by improving the adhesion with the plated layer 103 of 2 Can be suppressed.

(実施例)
次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
(Example)
Next, specific examples of the present invention will be described.

(ピール強度試験)
ここでは、プリント基板の金属間化合物層におけるCoおよび/またはNiの含有率を本発明の所定の範囲(0.05〜1重量%)に設定することにより、配線回路の表面の金属間化合物層104と、この金属間化合物層104に接合される導電部材とのはんだ接合部における機械的強度が向上されることを、ピール強度試験結果に基づいて説明する。さらに、金属間化合物層の厚さを本発明の所定の範囲(0.5〜2μm)に設定することにより、配線回路の表面の金属間化合物層104と、この金属間化合物層104に接合される導電部材とのはんだ接合部における機械的強度が向上されることを、ピール強度試験結果に基づいて説明する。
(Peel strength test)
Here, by setting the content of Co and / or Ni in the intermetallic compound layer of the printed circuit board to the predetermined range (0.05 to 1% by weight) of the present invention, the intermetallic compound layer on the surface of the wiring circuit is obtained. It will be described based on the peel strength test results that the mechanical strength at the solder joint between 104 and the conductive member joined to the intermetallic compound layer 104 is improved. Furthermore, by setting the thickness of the intermetallic compound layer to a predetermined range (0.5 to 2 μm) of the present invention, the intermetallic compound layer 104 on the surface of the wiring circuit is bonded to the intermetallic compound layer 104. The fact that the mechanical strength at the solder joint with the conductive member is improved will be described based on the peel strength test result.

まず、金属間化合物層のCoの含有率とピール強度の関係について説明する。   First, the relationship between the Co content of the intermetallic compound layer and the peel strength will be described.

図4は、ピール強度試験方法の概要を説明するための図である。ここでは、表面に金属間化合物層が形成された配線回路200に、QFP(Quad Flat Package)201の4辺に配設された外部入出力用のリード202をはんだ接合した。ここで、金属間化合物層は、(CuSn)Coからなる金属間化合物で形成され、その厚さは1μmであった。また、はんだには、Sn−3.0Ag−0.5Cuからなる成分のはんだを使用し、はんだ接合部におけるはんだの厚さは、20μmであった。また、リード202は、鉄とNiの合金からなるピン数が240ピンの部材である。 FIG. 4 is a diagram for explaining the outline of the peel strength test method. Here, external input / output leads 202 disposed on four sides of a QFP (Quad Flat Package) 201 are soldered to a wiring circuit 200 having an intermetallic compound layer formed on the surface. Here, the intermetallic compound layer was formed of an intermetallic compound made of (Cu 6 Sn 5 ) Co, and the thickness thereof was 1 μm. Moreover, the solder of the component which consists of Sn-3.0Ag-0.5Cu was used for the solder, and the thickness of the solder in a solder joint part was 20 micrometers. The lead 202 is a member having 240 pins made of an alloy of iron and Ni.

そして、図4に示すように、基板203を45度傾けて、リード202と基板203との間にフック204を挿入し、リード202にフック204を引っ掛け、フック204を上方に10mm/分の速度で引張り、ピール強度試験を実施した。なお、ピール強度試験は、QFPを対象とするJIS Z 3198の規定に基づいて実施された。   Then, as shown in FIG. 4, the substrate 203 is inclined 45 degrees, the hook 204 is inserted between the lead 202 and the substrate 203, the hook 204 is hooked on the lead 202, and the hook 204 is moved upward at a speed of 10 mm / min. And peel strength test was conducted. The peel strength test was performed based on the provisions of JIS Z 3198 for QFP.

図5には、試験結果であるCoの含有率(重量%)とピール強度(N)の関係を示す。なお、図5には、複数回同じ試験を行ったときにおけるデータのばらつきの範囲も示している。   FIG. 5 shows the relationship between the Co content (% by weight) and the peel strength (N) as a test result. FIG. 5 also shows a range of data variation when the same test is performed a plurality of times.

図5に示すように、ピール強度は、Coの含有率が、0.05〜1重量%の範囲で高い値を示すことがわかった。さらに、この範囲内でも、Coの含有率が0.3〜0.7重量%の範囲で特に高い値を示すことがわかった。   As shown in FIG. 5, it was found that the peel strength showed a high value when the Co content was in the range of 0.05 to 1% by weight. Furthermore, even within this range, it was found that the Co content was particularly high in the range of 0.3 to 0.7% by weight.

上記したピール強度試験結果から、本発明のCoの含有率の範囲(0.05〜1重量%)において、高いピール強度が得られることが明らかとなった。   From the above peel strength test results, it was revealed that high peel strength can be obtained in the range of Co content (0.05 to 1% by weight) of the present invention.

なお、ここでは、Coの含有率とピール強度の関係を示したが、Niの含有率とピール強度の関係もこれと同様であった。さらに、CoとNiの双方を含有する場合も、この本発明の含有率の範囲(0.05〜1重量%)において、高いピール強度が得られた。   Although the relationship between the Co content and the peel strength is shown here, the relationship between the Ni content and the peel strength is the same. Further, when both Co and Ni were contained, high peel strength was obtained in the content range of the present invention (0.05 to 1% by weight).

次に、金属間化合物層の厚さとピール強度の関係について説明する。   Next, the relationship between the thickness of the intermetallic compound layer and the peel strength will be described.

ここで、金属間化合物層は、(CuSn)Coからなる金属間化合物で形成され、金属間化合物の厚さを変えて、ピール強度の測定を実施した。なお、他の測定対象物の構成およびピール強度試験の試験方法は、上記した金属間化合物層のCoの含有率とピール強度の関係で説明したものと同じである。 Here, the intermetallic compound layer was formed of an intermetallic compound made of (Cu 6 Sn 5 ) Co, and the peel strength was measured by changing the thickness of the intermetallic compound. In addition, the structure of the other measurement object and the test method of the peel strength test are the same as those described in relation to the Co content of the intermetallic compound layer and the peel strength.

図6には、試験結果である金属間化合物層の厚さ(μm)とピール強度(N)の関係を示す。なお、図6には、複数回同じ試験を行ったときにおけるデータのばらつきの範囲も示している。   FIG. 6 shows the relationship between the thickness (μm) of the intermetallic compound layer and the peel strength (N) as a test result. FIG. 6 also shows the range of data variation when the same test is performed a plurality of times.

図6に示すように、ピール強度は、金属間化合物層の厚さが、0.5〜2μmの範囲で高い値を示すことがわかった。さらに、この範囲内でも、金属間化合物層の厚さが1〜2μmの範囲で特に高い値を示すことがわかった。   As shown in FIG. 6, it was found that the peel strength showed a high value when the thickness of the intermetallic compound layer was in the range of 0.5 to 2 μm. Furthermore, even within this range, it was found that the intermetallic compound layer showed a particularly high value in the range of 1 to 2 μm.

上記した金属間化合物層の厚さに関するピール強度試験結果から、本発明の金属間化合物層の厚さの範囲(0.5〜2μm)において、高いピール強度が得られることが明らかとなった。   From the peel strength test results regarding the thickness of the intermetallic compound layer described above, it was revealed that high peel strength can be obtained in the thickness range (0.5 to 2 μm) of the intermetallic compound layer of the present invention.

なお、ここでは、Coを含有した金属間化合物層の厚さとピール強度の関係を示したが、Niを含有した金属間化合物層の厚さとピール強度の関係もこれと同様であった。さらに、CoとNiの双方を含有する場合も、この本発明の金属間化合物層の厚さの範囲(0.5〜2μm)において、高いピール強度が得られた。   Here, the relationship between the thickness of the intermetallic compound layer containing Co and the peel strength is shown, but the relationship between the thickness of the intermetallic compound layer containing Ni and the peel strength is the same. Further, when both Co and Ni were contained, high peel strength was obtained in the thickness range (0.5 to 2 μm) of the intermetallic compound layer of the present invention.

(金属間化合物の成長速度測定)
ここでは、プリント基板における配線回路の表面に、(CuSn)からなる金属間化合物層、または(CuSn)Coからなる金属間化合物層を形成し、それぞれ金属間化合物層上に、Sn−3.0Ag−0.5Cuからなるはんだを接合した。そして、はんだが接合されたプリント基板を、各温度条件に晒したときの金属間化合物層の成長速度を測定した。
(Measurement of growth rate of intermetallic compounds)
Here, the surface of the wiring circuit in a printed circuit board, (Cu 6 Sn 5) intermetallic compound layer made of, or (Cu 6 Sn 5) form an intermetallic compound layer made of Co, respectively intermetallic compound layer The solder which consists of Sn-3.0Ag-0.5Cu was joined. And the growth rate of the intermetallic compound layer when the printed circuit board with which solder was joined was exposed to each temperature condition was measured.

測定開始前の金属間化合物層の厚さは、双方ともに1μmとした。また、はんだ接合部におけるはんだの厚さは、双方ともに100μmであった。温度条件は、70、100、135、170℃で行った。   The thickness of the intermetallic compound layer before the start of measurement was 1 μm for both. Moreover, the thickness of the solder in a solder joint part was 100 micrometers in both. The temperature conditions were 70, 100, 135, and 170 ° C.

図7には、測定結果である時間(日)と金属間化合物層の厚さ(μm)の関係を示す。なお、(CuSn)Coからなる金属間化合物層においては、金属間化合物層が最も成長する条件である170℃の温度条件における測定結果のみを図7に示している。 FIG. 7 shows the relationship between the measurement result time (days) and the intermetallic compound layer thickness (μm). Also shows in (Cu 6 Sn 5) intermetallic compound layer made of Co, only the measurement results at a temperature of 170 ° C. intermetallic compound layer is most growing conditions in FIG.

図7に示すように、(CuSn)なる金属間化合物層の場合、金属間化合物層の厚さは、時間とともに増加し、その増加率は、温度が高いほど顕著であることがわかった。一方、(CuSn)Coらなる金属間化合物層の場合、時間による金属間化合物層のさの増加はほとんどないことがわかった。 As shown in FIG. 7, in the case of an intermetallic compound layer made of (Cu 6 Sn 5 ), it is found that the thickness of the intermetallic compound layer increases with time, and the increase rate becomes more remarkable as the temperature increases. It was. On the other hand, in the case of an intermetallic compound layer such as (Cu 6 Sn 5 ) Co, it was found that there was almost no increase in the size of the intermetallic compound layer with time.

ここで、金属間化合物は、例えば、相対的にSnよりも約2倍程度の硬さを有している。そして、一般的に、硬さが増加すると脆くなる傾向にあり、さらに、金属間化合物の厚さが増加することで、その傾向が顕著になる。しかしながら、上記した結果から明らかなように、所定の含有率でCoを含有することで、金属間化合物層の成長を抑制することができ、はんだ接合部における機械的特性などの向上を図ることが可能であることが明らかとなった。   Here, the intermetallic compound has, for example, a hardness that is about twice that of Sn. And generally, when hardness increases, it tends to become brittle, and further, the tendency becomes remarkable as the thickness of the intermetallic compound increases. However, as is apparent from the above results, by containing Co at a predetermined content rate, growth of the intermetallic compound layer can be suppressed, and mechanical characteristics and the like at the solder joint can be improved. It became clear that it was possible.

なお、ここでは、Coを含有した金属間化合物層における、時間と金属間化合物層の厚さの関係を示したが、Niを含有した金属間化合物層における、時間と金属間化合物層の厚さの関係もこれと同様であった。さらに、CoとNiの双方を含有する金属間化合物層における、時間と金属間化合物層の厚さの関係もこれと同様であった。   Here, the relationship between the time and the thickness of the intermetallic compound layer in the intermetallic compound layer containing Co is shown. However, the time and the thickness of the intermetallic compound layer in the intermetallic compound layer containing Ni are shown. The relationship was similar. Further, in the intermetallic compound layer containing both Co and Ni, the relationship between the time and the thickness of the intermetallic compound layer was the same.

(配線回路からのCuの溶出量の測定)
ウェーブはんだ装置などで表面実装部品や挿入実装部品をプリント基板にはんだ付けする場合、プリント基板の配線回路を構成するCuが溶出し、ウェーブはんだ装置の溶融はんだ槽内に混入することがある。
(Measurement of Cu elution amount from wiring circuit)
When a surface mounting component or an insertion mounting component is soldered to a printed circuit board with a wave soldering device or the like, Cu constituting the wiring circuit of the printed circuit board may be eluted and mixed into the molten solder tank of the wave soldering device.

ここでは、配線回路をCuにより構成したプリント基板と、配線回路の表面に(CuSn)Coからなる金属間化合物層を形成したプリント基板を用い、それぞれの配線回路に、ウェーブはんだ装置によって所定の表面実装部品などをはんだ付けしたときの溶融はんだ槽内のCuの含有率の時間的変化を測定した。なお、はんだには、Sn−3.0Ag−0.5Cuからなる合金を用い、溶融はんだ槽内の初期状態におけるCuの含有率を0.5重量%とした。また、溶融はんだ槽内のはんだの温度を250℃とした。 Here, a printed circuit board in which the wiring circuit is made of Cu, and a printed circuit board in which an intermetallic compound layer made of (Cu 6 Sn 5 ) Co is formed on the surface of the wiring circuit are used. The temporal change of the Cu content in the molten solder bath when a predetermined surface-mounted component or the like was soldered was measured. In addition, the alloy which consists of Sn-3.0Ag-0.5Cu was used for the solder, and the content rate of Cu in the initial state in a molten solder tank was 0.5 weight%. The temperature of the solder in the molten solder bath was 250 ° C.

図8には、測定結果である時間(月)とCuの含有率(重量%)の関係を示す。図8に示すように、Cuからなる配線回路を用いる場合、Cuの含有率は、時間とともに増加することがわかった。一方、(CuSn)Coからなる金属間化合物層を表面に備える配線回路を用いる場合、使用から1月間は、若干Cuの含有率が増加するが、その後におけるCuの含有率の増加はほとんどないことがわかった。さらに、(CuSn)Coからなる金属間化合物層を表面に備える配線回路を用いる場合の使用から1月間におけるCuの含有率の増加は、20%程度であるのに対して、Cuからなる配線回路を用いる場合の使用から1月間におけるCuの含有率の増加は、約70%であり、その増加が大きいことがわかった。 FIG. 8 shows the relationship between the measurement result time (month) and the Cu content (wt%). As shown in FIG. 8, when using the wiring circuit which consists of Cu, it turned out that the content rate of Cu increases with time. On the other hand, when using a wiring circuit having an intermetallic compound layer made of (Cu 6 Sn 5 ) Co on the surface, the Cu content slightly increases for one month after use, but the increase in Cu content thereafter I found almost no. Furthermore, the increase in the Cu content in one month from the use in the case of using a wiring circuit having an intermetallic compound layer made of (Cu 6 Sn 5 ) Co on the surface is about 20%, whereas from Cu From the use in the case of using a wiring circuit, the increase in the Cu content in one month was about 70%, and it was found that the increase was large.

上記した測定結果から、所定の含有率でCoを含有することで、プリント基板の配線回路からのCuの溶出を抑制することができることがわかった。これによって、はんだ付け装置として、例えばウェーブはんだ装置を用いた場合でも、ウェーブはんだ装置の溶融はんだ槽内のCuの濃度をほぼ一定に維持することができるので、均一なはんだ組成を維持することができることがわかった。   From the measurement results described above, it was found that by containing Co at a predetermined content, elution of Cu from the wiring circuit of the printed circuit board can be suppressed. Accordingly, even when a wave soldering device is used as a soldering device, for example, the Cu concentration in the molten solder bath of the wave soldering device can be maintained almost constant, so that a uniform solder composition can be maintained. I knew it was possible.

なお、ここでは、Coを含有した金属間化合物層を表面に備える配線回路について、プリント基板の配線回路からのCuの溶出を抑制する効果があることを示したが、Niを含有した金属間化合物層またはCoとNiの双方を含有する金属間化合物層を表面に備える配線回路についても、同様の結果が得られた。   In addition, although it showed here that it was effective in suppressing the elution of Cu from the wiring circuit of a printed circuit board about the wiring circuit which has the intermetallic compound layer containing Co on the surface, the intermetallic compound containing Ni Similar results were obtained for a wiring circuit having a surface or an intermetallic compound layer containing both Co and Ni on the surface.

本発明の一実施の形態の片面に配線回路が形成されたプリント基板の断面図。Sectional drawing of the printed circuit board in which the wiring circuit was formed in the single side | surface of one embodiment of this invention. 本発明の一実施の形態のスルーホールを有して両面に配線回路が形成されたプリント基板の断面図。Sectional drawing of the printed circuit board which has the through hole of one embodiment of this invention, and the wiring circuit was formed in both surfaces. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. プリント基板の製造工程を説明するためのプリント基板の断面。The cross section of the printed circuit board for demonstrating the manufacturing process of a printed circuit board. ピール強度試験方法の概要を説明するための図。The figure for demonstrating the outline | summary of the peel strength test method. Coの含有率とピール強度の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the content rate of Co, and peel strength. 金属間化合物層の厚さとピール強度の関係を示す図。The figure which shows the relationship between the thickness of an intermetallic compound layer, and peel strength. 時間と金属間化合物層の厚さの関係を示す図。The figure which shows the relationship between time and the thickness of an intermetallic compound layer. 時間とCuの含有率の関係を示す図。The figure which shows the relationship between time and the content rate of Cu.

符号の説明Explanation of symbols

10…プリント基板、100…基板、101…金属箔層、102…第1のメッキ層、103…第2のメッキ層、104…金属間化合物層。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Printed circuit board, 100 ... Board | substrate, 101 ... Metal foil layer, 102 ... 1st plating layer, 103 ... 2nd plating layer, 104 ... Intermetallic compound layer.

Claims (9)

配線回路パターンを備えるプリント基板であって、
前記配線回路パターンが、
基板上に形成された金属箔層と、
前記金属箔層上に形成されたメッキ層と、
前記メッキ層上に形成された金属間化合物層と
から構成されていることを特徴とするプリント基板。
A printed circuit board provided with a wiring circuit pattern,
The wiring circuit pattern is
A metal foil layer formed on the substrate;
A plating layer formed on the metal foil layer;
A printed circuit board comprising: an intermetallic compound layer formed on the plating layer.
前記金属間化合物層が、Cuと、Cuと金属間化合物を形成する成分とからなることを特徴とする請求項1記載のプリント基板。   The printed circuit board according to claim 1, wherein the intermetallic compound layer includes Cu and a component that forms an intermetallic compound with Cu. 前記金属間化合物層が、CuとSnとCoとの金属間化合物、CuとSnとNiとの金属間化合物、またはCuとSnとCoとNiとの金属間化合物で形成されていることを特徴とする請求項1または2記載のプリント基板。   The intermetallic compound layer is formed of an intermetallic compound of Cu, Sn, and Co, an intermetallic compound of Cu, Sn, and Ni, or an intermetallic compound of Cu, Sn, Co, and Ni. The printed circuit board according to claim 1 or 2. 前記金属間化合物におけるCoおよび/またはNiの含有率が、0.05重量%〜1重量%であることを特徴とする請求項3記載のプリント基板。   The printed circuit board according to claim 3, wherein the content of Co and / or Ni in the intermetallic compound is 0.05 wt% to 1 wt%. 前記金属間化合物層の厚さが、0.5μm〜2μmであることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項記載のプリント基板。   The printed circuit board according to claim 1, wherein the intermetallic compound layer has a thickness of 0.5 μm to 2 μm. 前記金属間化合物層が、湿式メッキまたは乾式メッキにより形成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項記載のプリント基板。   The printed circuit board according to claim 1, wherein the intermetallic compound layer is formed by wet plating or dry plating. 前記金属間化合物層が、前記金属間化合物層の表面側に向かって、Coおよび/またはNiの含有率を高めた濃度傾斜組成により形成されていることを特徴とする請求項3または4記載のプリント基板。   The said intermetallic compound layer is formed by the density | concentration gradient composition which raised the content rate of Co and / or Ni toward the surface side of the said intermetallic compound layer, The Claim 3 or 4 characterized by the above-mentioned. Printed board. 基板上に形成された金属箔層をエッチング処理して所定の導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、
前記形成された導体パターンの金属箔層上にメッキ層を形成するメッキ層形成工程と、
前記メッキ層上に金属間化合物層を形成する金属間化合物層形成工程と
を具備することを特徴とするプリント基板の製造方法。
A conductor pattern forming step of forming a predetermined conductor pattern by etching the metal foil layer formed on the substrate;
A plating layer forming step of forming a plating layer on the metal foil layer of the formed conductor pattern;
And a step of forming an intermetallic compound layer on the plating layer.
前記金属間化合物層形成工程において、
前記金属間化合物層の表面側に向かって、前記金属間化合物層に含有されるCoおよび/またはNiの含有率を高めた濃度傾斜組成により前記金属間化合物層を形成することを特徴とする請求項8記載のプリント基板の製造方法。
In the intermetallic compound layer forming step,
The intermetallic compound layer is formed with a concentration gradient composition in which the content of Co and / or Ni contained in the intermetallic compound layer is increased toward the surface side of the intermetallic compound layer. Item 9. A printed circuit board manufacturing method according to Item 8.
JP2005244158A 2005-08-25 2005-08-25 Printed circuit board and its manufacturing method Withdrawn JP2007059681A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005244158A JP2007059681A (en) 2005-08-25 2005-08-25 Printed circuit board and its manufacturing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005244158A JP2007059681A (en) 2005-08-25 2005-08-25 Printed circuit board and its manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007059681A true JP2007059681A (en) 2007-03-08

Family

ID=37922900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005244158A Withdrawn JP2007059681A (en) 2005-08-25 2005-08-25 Printed circuit board and its manufacturing method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007059681A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033172A (en) * 2012-11-02 2014-02-20 Tanigurogumi:Kk Component with electrode corrosion preventive layer, and method of manufacturing the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014033172A (en) * 2012-11-02 2014-02-20 Tanigurogumi:Kk Component with electrode corrosion preventive layer, and method of manufacturing the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5679216B2 (en) Manufacturing method of electrical parts
US7632112B2 (en) Electrical contact component, coaxial connector, and electrical circuit device including the same
JP2007123883A (en) Method of forming plating layer of print circuit board and print circuit board manufactured by the method
JP4873332B2 (en) Lead frame and manufacturing method thereof, method of improving fatigue characteristics, electronic component and electronic device using the same
JP2001110666A (en) Electronic component, and manufacturing method thereof
WO2014115858A1 (en) Wiring substrate and method for manufacturing same
JP2008042071A (en) Electroless plating method
JPH05327187A (en) Printed circuit board and manufacture thereof
JP2013012739A (en) Electric joining terminal structure and method for preparing the same
TW201250883A (en) METHOD FOR MANUFACTURING Sn ALLOY BUMP
JP2007059681A (en) Printed circuit board and its manufacturing method
JP2008147375A (en) Semiconductor device, circuit wiring board, and method of manufacturing the semiconductor device
JP5019596B2 (en) Printed wiring board and printed circuit board
JP4345742B2 (en) Wiring board and manufacturing method thereof
US8246765B2 (en) Method for inhibiting growth of tin whiskers
JP2010116603A (en) Sn OR Sn ALLOY PLATING FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
JP2005286323A (en) Wiring substrate, wiring substrate with solder member, and manufacturing method of the same
JP6459656B2 (en) Joining member and electronic component mounting method using the same
JP5241246B2 (en) Plating layer and method for forming the same
JP4324032B2 (en) Flexible printed circuit board having component mounting portion and electrolytic plating method
JP2008280595A (en) Tin-based plating film, and method of producing the same
KR102579479B1 (en) Connecting Pin
KR102579478B1 (en) Metal pin for conductive connection
JP4856745B2 (en) Conductor for flexible substrate, method for producing the same, and flexible substrate
JP2010147245A (en) Method of manufacturing electronic component

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20081104