JP2007043187A - 半導体装置の製造方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
自然酸化膜の増大を抑制しつつ、更にパーティクルの発生を抑制し、半導体装置の品質の向上を図る。
【解決手段】
基板10を処理する反応炉1,4と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具8と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室6と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記予備室内で基板を前記基板保持具に装填した後に、一旦前記予備室を真空引きする時の雰囲気圧力より高く、且つ大気圧より低く制御する制御手段19とを具備する。
【選択図】 図1
Description
5 反応室
6 予備室
8 ボート
10 ウェーハ
11 第1ガス導入ライン
12 第2ガス導入ライン
13 第1排気ライン
14 第2排気ライン
17 第1圧力検知器
18 第2圧力検知器
19 圧力制御部
20 第1流量制御器
21 第2流量制御器
23 排気ポンプ
Claims (10)
- 反応炉に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填した後、一旦前記予備室を真空引きし、その後基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記真空引きした時の圧力より高く、且つ大気圧より低くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 反応炉に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填した後、基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入後に於ける温度リカバリ時の前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 反応炉に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填した後、一旦前記予備室を真空引きし、その後基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記真空引きした時の圧力より高く、且つ大気圧より低くし、前記基板保持具を前記基板処理温度に保持された前記反応炉に装入した後の温度リカバリ時の前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 反応炉に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填する工程と、基板が装填された前記基板保持具を前記反応炉に装入する工程と、炉内温度を昇温する工程と炉内温度を降温する工程とを含み前記反応炉内で基板を処理する工程とを有し、前記炉内温度を昇温する工程及び前記炉内温度を降温する工程では、前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 反応炉に隣接した予備室内で基板を基板保持具に装填する工程と、前記予備室を一旦真空引きする工程と、基板が装填された前記基板保持具を前記反応炉に装入する工程と、炉内温度を昇温する工程と炉内温度を降温する工程とを含み前記反応炉内で基板を処理する工程とを有し、前記基板保持具を前記反応炉に装入する工程では、前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記予備室を真空引きした時の圧力より高く、且つ大気圧より低くし、前記炉内温度を昇温する工程及び前記炉内温度を降温する工程では、前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記予備室内で基板を前記基板保持具に装填した後に、一旦前記予備室を真空引きする時の雰囲気圧力より高く、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
- 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、基板が装填された前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入した後の温度リカバリ時の前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
- 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、前記予備室内で基板を前記基板保持具に装填した後に、一旦前記予備室を真空引きし、前記基板保持具を基板処理温度に保持された前記反応炉に装入し、装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を真空引きする時の圧力より高く、且つ大気圧より低く制御すると共に、前記基板保持具を前記基板処理温度に保持された前記反応炉に装入した後の温度リカバリ時の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
- 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、基板が装填された前記基板保持具を前記反応炉に装入した後に於ける炉内温度の昇温時及び炉内温度の降温時の前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
- 基板を処理する反応炉と、該反応炉内で基板を支持する基板保持具と、前記反応炉に連設し前記基板保持具を収納する予備室と、該予備室と前記反応炉間で前記基板保持具を入出炉する炉入出手段と、基板が装填された前記基板保持具を前記反応炉に装入する際の前記予備室及び前記反応炉の雰囲気圧力を前記予備室内で基板を前記基板保持具に装填した後に、一旦予備室を真空引きする時の圧力より高く、且つ大気圧より低く制御すると共に、前記基板保持具を前記反応炉に装入した後に於ける炉内温度の昇温時及び炉内温度の降温時の前記反応炉の雰囲気圧力を1300Pa以上、且つ大気圧より低く制御する制御手段とを具備することを特徴とする基板処理装置。
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