JP2007042710A - 半導体チップ - Google Patents
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Abstract
【課題】 応力測定のためのパターンは、実際に用いられているトランジスタ等の素子と比べ形状が大きく異なっているため、例えば素子分離領域から受ける応力等を加味することは困難であり、実際の電気素子が受けている応力を反映した電気的な補正信号を得ることが困難であるという問題点を有していた。そこで、実際の半導体素子に掛かる外乱の影響を電気的に検出し、応力への変換等を行うことなく外乱を電気的に補正する半導体チップを提供する。
【解決手段】 ゲート長0.25μmのトランジスタを用いた場合には、基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート長を0.25μmとし、更に被修正素子としてのNMOSトランジスタ110のゲート長も0.25μmとする。実素子、基準素子、被修正素子のゲート長を揃えることで短チャネル効果等外乱以外の要素による素子間の特性の差異を抑え、外乱による電気特性の影響のみを抽出し修正する。
【選択図】 図2
【解決手段】 ゲート長0.25μmのトランジスタを用いた場合には、基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート長を0.25μmとし、更に被修正素子としてのNMOSトランジスタ110のゲート長も0.25μmとする。実素子、基準素子、被修正素子のゲート長を揃えることで短チャネル効果等外乱以外の要素による素子間の特性の差異を抑え、外乱による電気特性の影響のみを抽出し修正する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、実装された半導体チップに不均一な分布を持って印加される外乱により生じる電気特性の分布の不均一性を軽減し、前記半導体チップ内での電気特性を自己整合的に揃えられる構造を備えた半導体チップに関する。
上記した、前記半導体チップ内での電気特性を自己整合的に揃えられる半導体チップの構成については特許文献1に示されるように応力測定のための専用パターンを形成し、各前記専用パターンから得られた電気特性をAD変換してプロセッサに入力することで前記半導体チップに与えられる応力を計算し、当該応力に応じて改めて電気特性を計算し、当該計算の結果に基づいて電気特性を補正しうる半導体チップを提供する技術が知られていた。
しかしながら、特許文献1に示された技術では電気特性を応力に変換し、再び電気特性に変換してから補正を行うため両変換に伴う変換誤差が蓄積されるので精密な補正を行うことが困難である。また、応力測定のための前記専用パターンは、実際に用いられているトランジスタやその他の素子と比べ形状が大きく異なっているため、例えば素子分離領域から受ける応力等を加味することは困難であり、実際の電気素子が受けている応力を反映した電気的な補正信号を得ることが困難であるという問題点を有していた。
そこで、本発明では従来のこのような問題を解決し、実際のトランジスタの構造に掛かる外乱の影響を電気的に検出し、応力への変換等を行うことなく外乱を電気的に補正しうる半導体チップを提供することを目的としている。
上記目的を達成するために本発明の半導体チップは、実装された半導体チップに不均一な分布を持って印加される外乱により生じる電気特性の分布の不均一性を軽減するため、前記半導体チップ上で電子素子が形成されている活性領域を複数の領域に分割し各前記領域の内部での前記電気特性の少なくとも一部が前記領域内で一様となるよう制御可能な前記領域から成る単位修正領域と、前記半導体チップの中程に設けられた基準素子と、前記単位修正領域内に位置し、前記基準素子と揃えられた寸法を持つ被修正素子と、前記基準素子と前記被修正素子との前記電気特性とを比較して修正信号を出力するコンパレータと、前記コンパレータから出力された前記修正信号を受けて、前記単位修正領域内にある前記電子素子の特性を修正する修正器とを備えることを特徴とする。
この構成によれば、前記基準素子と、前記単位修正領域内に位置し、前記基準素子と揃えられた寸法を持つ前記被修正素子との特性との比較が行われる。前記電気特性の比較に用いられる前記基準素子と前記被修正素子との寸法は揃えられているため、前記半導体チップに不均一な分布を持って印加される、前記外乱により生じる前記電気特性の差異信号成分以外の副次的な影響は相殺される。従って前記基準素子と前記被修正素子の電気特性との差分を外乱信号として扱うことができる。当該差分の情報を用いて前記半導体チップ内部の単位修正領域の電気特性を修正するため、前記半導体チップ内部での電気特性の均一性に優れた前記半導体チップを提供することができる。
また、上記した本発明の半導体チップでは、前記基準素子は、前記半導体チップで用いられている素子の寸法と関連付けられた寸法を有することを特徴とする。
この構成によれば、前記基準素子の寸法が前記半導体チップで用いられている素子の寸法と対応付けられているため、前記基準素子から出力される信号が実際の回路で用いられている前記素子の外乱に対する挙動と同等な応答が得られる。従って、前記基準素子の前記外乱に対する応答と、前記半導体チップ内部で使われている前記素子の前記外乱に対する応答とを対応付けて扱えるため、電気特性の均一性が更に優れた前記半導体チップを提供することができる。
また、上記した本発明の半導体チップでは、前記基準素子は、前記半導体チップの中程に位置することを特徴とする。
この構成によれば、前記半導体チップ上に印加される外乱に対して平均して空間的な偏りが小さい前記半導体チップの中程に前記基準素子を配置して前記被修正素子の電気特性を修正するので、前記半導体チップの中程以外の位置に前記基準素子を配置した場合と比べ前記基準素子との空間的な偏差が小さい状態で前記被修正素子の電気特性の修正を行うことができる。
また、上記した本発明の半導体チップでは、前記被修正素子は、前記単位修正領域の中程に位置することを特徴とする。
この構成によれば、空間的な偏りが小さい前記単位修正領域の中程に前記被修正素子が位置することで、空間的な偏差が小さい状態で前記被修正素子の電気特性を出力することができる。
また、上記した本発明の半導体チップは、前記基準素子及び前記被修正素子はMOSトランジスタであることができる。
また、上記した本発明の半導体チップでは、前記修正器は、被修正用のMOSトランジスタに並列に挿入される修正用のMOSトランジスタの入切を制御して前記MOSトランジスタの飽和電流の値を修正し、消費電流の変動を抑える機器であることを特徴とする。
この構成によれば、前記被修正用のMOSトランジスタの飽和電流の値が外乱により変動した場合に、前記MOSトランジスタの飽和電流の値を調整するように前記修正用のMOSトランジスタの入切を制御するので消費電流の変動が抑えられるため、消費電流の余裕を小さく抑えることができ、低消費電力で動作させることができる。
また、上記した本発明の半導体チップは、前記半導体チップ上の前記活性領域が、全て内に凸状の角を有する四辺形の平面形状を有する前記半導体チップを用い、前記四辺形は第1の辺と対向する前記第1の辺と長さが揃えられた第2の辺と、前記第1の辺に隣接し、互いに対向する長さが揃えられた第3の辺と第4の辺を備え前記第1の辺と対向する前記第2の辺との向きは揃えられて配置され、同時に前記第3の辺と前記第4の辺との向きは揃えられて配置されており、前記第1の辺と前記第2の辺を共に第1の分割数を用いて、前記第1の辺を前記第1の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第1の端点群と、前記第2の辺を前記第2の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第2の端点群とを形成し、且つ前記第3の辺と前記第4の辺を共に第2の分割数を用いて、前記第3の辺を前記第3の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第3の端点群と、前記第4の辺を分割するよう形成された第4の端点群とを形成し、前記第1の端点群と前記第2の端点群とを前記第3の辺側から近い方の側から端点同士を順次線分で結び、前記四辺形の前記第1の辺と前記第2の辺も含めて第1の線分群を形成し、前記第3の端点群と前記第4の端点群とを前記第1の辺側から近い方の側から端点同士を順次線分で結び、前記四辺形の前記第3の辺と前記第4の辺も含めて第2の線分群を形成し、前記第1の線分群と前記第2の線分群とが交わる、又は接触する点を端点として得られた形状の各々を前記単位修正領域として用いることを特徴とする。
この構成によれば、前記単位修正領域として用いる構造を、前記第1の辺と、前記第2の辺とに形成された前記第1の端点群と前記第2の端点群とを前記第3の辺側から近い方の端点同士を順次線分で結び前記第1の線分群を形成し、且つ前記第3の辺と、前記第4の辺とに形成された前記第3の端点群と前記第4の端点群とを前記第1の辺側から近い方の端点同士を順次線分で結び前記第2の線分群を形成することで形成するため、上記したように前記半導体チップ上の活性領域を隙間や重なり等なく互いに同等の面積を持つ形状に分割でき、前記単位修正領域を前記半導体チップ上の前記活性領域内でむらなく配置することができる。
また、上記した本発明の半導体チップは、前記単位修正領域中に前記電気特性が外乱に対して敏感な領域が存在する場合に、前記単位修正領域を更に分割して、且つ前記敏感な領域と隣接するように前記被修正素子を配置することを特徴とする。
この構成によれば、上記した前記半導体チップの全面を互いに同等の面積を持つ四辺形に分割することに加え、前記電気特性が外乱に対して敏感な領域を更に分割し、且つ前記敏感な領域と隣接するように前記被修正素子を配置するので、前記電気特性が外乱に対して敏感な領域に対して個別に対処することができる。
以下、本発明に係る半導体チップの一実施形態について、図面を参照して説明する。
<半導体チップの構成>
図1は、本発明に係る半導体チップの構成を示す概略平面図である。トランジスタのゲート長は、例えば0.25μmが用いられる。
図1は、本発明に係る半導体チップの構成を示す概略平面図である。トランジスタのゲート長は、例えば0.25μmが用いられる。
半導体チップ100の表面に位置する四辺形としての長方形の活性領域101を構成する長方形の辺102、103、104、105は略等間隔で3分割されている。共に対向する長方形の辺102、103上に与えられた分割点同士を長方形の辺104に近い方から順次線分で結ぶことで第1の線分群106を形成し、同様に共に対向する長方形の辺104、105上に与えられた分割点同士を長方形の辺102に近い方から順次線分で結ぶことで第2の線分群107は形成される。そして、第1の線分群106及び第2の線分群107とが交わる、又は接触する点を端点として形成される四辺形群を単位修正領域108として用いている。本実施形態では、長方形の活性領域101を略9等分するように単位修正領域108は形成されている。
各単位修正領域108の中央部近傍には、被修正素子としてのPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110が形成されている。なお、9等分された中央の領域では、被修正素子と兼任する形で基準素子としてPMOSトランジスタ111、NMOSトランジスタ112が形成されている。被修正素子としてのPMOSトランジスタ109の寸法は基準素子としてのPMOSトランジスタ109の寸法と同一となるよう構成される。被修正素子としてのNMOSトランジスタ110にの寸法についても同様に基準素子としてのNMOSトランジスタ112の寸法と同一となるよう構成されている。
上記した構成を有する半導体チップ100はパッケージ上や、モールド中に実装される。実装を行う際には、半導体チップ100は実装を行う際に発生した機械的な応力等の外乱を受ける。そのため半導体チップ100中には不均一に印加される実装に起因する外乱の影響により発生した電気特性の不均一性が生じている。
<外乱修正回路の構成>
図2は、基準素子としてのNMOSトランジスタの出力により制御される外乱修正回路の等価回路図である。本実施形態では、各トランジスタのゲート長を0.25μmとしているので基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート長も0.25μmとして短チャネル効果等の影響を実際に用いられているトランジスタと合わせるよう設定している。また本実施形態では、ゲート幅が100μm程度の幅広いゲート幅を持つトランジスタの特性を修正しているので、基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート幅は狭チャネル効果の影響が避けられて、且つ消費電流を抑えられるよう1μmで形成している。なお、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110の寸法も基準素子としてのNMOSトランジスタ112と同様にゲート長0.25μm、ゲート幅1μmの寸法で形成されている。
図2は、基準素子としてのNMOSトランジスタの出力により制御される外乱修正回路の等価回路図である。本実施形態では、各トランジスタのゲート長を0.25μmとしているので基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート長も0.25μmとして短チャネル効果等の影響を実際に用いられているトランジスタと合わせるよう設定している。また本実施形態では、ゲート幅が100μm程度の幅広いゲート幅を持つトランジスタの特性を修正しているので、基準素子としてのNMOSトランジスタ112のゲート幅は狭チャネル効果の影響が避けられて、且つ消費電流を抑えられるよう1μmで形成している。なお、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110の寸法も基準素子としてのNMOSトランジスタ112と同様にゲート長0.25μm、ゲート幅1μmの寸法で形成されている。
基準素子としてのNMOSトランジスタ112のオン電流は2.5V駆動で約500μAである。基準素子としてのNMOSトランジスタ112には抵抗値2kΩの電流−電圧変換用抵抗113が接続されている。また、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110にも抵抗値2kΩの電流−電圧変換用抵抗114が接続されている。
基準素子としてのNMOSトランジスタ112と電流−電圧変換用抵抗113との接続部115からはNMOS用基準電圧が出力され、同様に被修正素子としてのNMOSトランジスタ110と電流−電圧変換用抵抗114との接続部116からはNMOS用被修正電圧が出力される。
基準素子としてのNMOSトランジスタ112が接続されている接続部115はコンパレータ117の反転入力端119に接続され、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110が接続されている接続部116はコンパレータ117の非反転入力端118に接続されている。
コンパレータ117の出力端120はスイッチ回路121に接続され修正用のNMOSトランジスタ123のゲート124に加わる電圧が入力部122からの入力と同じとするか、あるいは接地電位とするかをコンパレータ117の出力に応じて切り替える。
修正用のNMOSトランジスタ123はゲート長0.25μm、ゲート幅20μmで出力段NMOSトランジスタ125と並列に入るよう電気的に接続されるよう配置されており、ソース同士、ドレイン同士は電気的に接続され、共通のドレイン126、共通のソース127として周辺回路と接続される。
なお、コンパレータ117の内部では、+0.1V程度のオフセットが反転入力端119側に加えられている。被修正素子としてのNMOSトランジスタ110と接続された接続部116と基準素子としてのNMOSトランジスタ112が接続されている接続部115の電位差が+0.1V以上となった場合にコンパレータ117の出力端120の電位は「高」、+0.1V未満の場合は「低」がコンパレータ117の出力端120から出力される。
<外乱修正回路の動作>
再度図2を用いて、外乱修正回路の動作について説明する。
再度図2を用いて、外乱修正回路の動作について説明する。
基準素子としてのNMOSトランジスタ112のオン電流値は約500μAであるので、抵抗値2kΩの電流−電圧変換用抵抗113との接続部115には、およそ1Vの電圧が発生している。被修正素子としてのNMOSトランジスタ110にも抵抗値2kΩの電流−電圧変換用抵抗114が接続されているので、やはりおよそ1Vの電圧が発生している。応力等の外乱が半導体チップ100に印加されていない状態では、コンパレータ117の内部で反転入力端119側に印加された0.1V程度のオフセット電圧の影響により、コンパレータ117の出力は「低」で保たれている。
出力端120の電位が「低」の状態では、スイッチ回路121に用いられているNMOSトランジスタ128は「切」、PMOSトランジスタ129は「入」の状態となり、入力部122から与えられた信号が修正用のNMOSトランジスタ123のゲート124に伝わるよう動作する。
ここで、実装を行う際に発生した応力等に起因する外乱が半導体チップ100に加えられ、外乱の分布が発生すると、外乱の向き、強さ等の影響により、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110のオン電流値が変動する。特に、オン電流値が増える場合には消費電力が大きくなるため、携帯用機器等消費電力が重要となる機器に対しての応用上大きな問題となる。
被修正素子としてのNMOSトランジスタ110のオン電流値と基準素子としてのNMOSトランジスタ112のオン電流値の差が+10%(500μA×10%=50μA)を超えると、コンパレータ117に設定したオフセット電圧0.1V(50μA×2kΩ=0.1V)を超えるため、コンパレータ117の出力端120の電位は、「高」に変わる。
出力端120の電位が「高」の状態では、スイッチ回路121に用いられているNMOSトランジスタ128は「入」、PMOSトランジスタ129は「切」の状態となり、入力部122から与えられた信号は修正用のNMOSトランジスタ123のゲート124は接地された状態となり、NMOSトランジスタ123は電気的に切断された状態となり、応力等に起因する外乱による消費電力の増加を抑えることができる。
なお、本実施形態では基準素子、被修正素子ともにNMOSトランジスタを用いた場合の例について説明したが、P型トランジスタを用いた場合でも同様の構成を用いることができるため、説明を省略する。
ここで、NMOSトランジスタに本実施形態を適用した場合には、スイッチングを行う場合、「高」から「低」に変わる場合に外乱の影響を抑えて、消費電力を抑えながら半導体チップ100内で優れた均一性を有する過渡応答特性を実現することができる。また、PMOSトランジスタに本実施形態を適用した場合には、スイッチングを行う場合、「低」から「高」に変わる場合に外乱の影響を抑えて、消費電力を抑えながら半導体チップ100内で均一性に優れた過渡応答特性を実現することができる。また、NMOSトランジスタ、PMOSトランジスタ共に本実施形態を適用したCMOSトランジスタの場合には、「高」から「低」及び、「低」から「高」への両方の場合に外乱の影響を抑えて、消費電力を抑えながら半導体チップ100内で均一性に優れた過渡応答特性を実現することができる。
<実施形態の効果>
次に、本実施形態を用いた場合の効果について説明する。
次に、本実施形態を用いた場合の効果について説明する。
(1)被修正素子としてのNMOSトランジスタ110、PMOSトランジスタ109の寸法は基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111との寸法と同一となるよう構成されているので、外乱により生じる前記電気特性の差異信号成分以外の副次的な影響、例えば短チャネル効果等は相殺される。
従って基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111の特性と、被修正素子としてのPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110との電気特性との差分は純粋に外乱信号として扱うことができるため半導体チップ100上での外乱信号に対する電気特性の補正が成され、電気特性の均一性に優れた半導体チップ100を提供することができる。
(2)前記各トランジスタのゲート長を0.25μmと揃えて基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111のゲート長を共に0.25μmとすることで、短チャネル効果等実際の素子で生じている現象を基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111にも発生させることで、個別の素子固有の誤差信号を相殺させる。このようにデバイス特性に敏感な素子寸法を予め織り込んでいくことで、半導体チップ100上での外乱信号に対する電気特性の補正がより精密に成され、電気特性の均一性に優れた半導体チップ100を提供することができる。
(3)半導体チップ100上に印加される外乱に対して空間的な偏りが小さい半導体チップ100の中程に基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111を配置して被修正素子としてのPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110の電気特性を修正している。従って、半導体チップ100の中程以外の位置に基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111を配置した場合と比べ前記基準素子NMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111との空間的な偏りが小さい状態で前記被修正素子としてのPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110の電気特性の修正を行うことができる。
(4)単位修正領域108の中程に配置された被修正素子としてのPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110から得られた空間的な偏りが小さい出力と、基準素子としてのNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111からの出力とを比較することで、単位修正領域108の中での空間的な偏りが小さい位置からの信号を用いて電気特性の修正を行うことができる。
(5)他の素子と比べ外乱に敏感な基準素子としてNMOSトランジスタ112、PMOSトランジスタ111を用い、前記被修正素子としてPMOSトランジスタ109、NMOSトランジスタ110を用いるので、他の素子を基準素子及び被修正素子に用いた場合と比べ外乱の影響を精密に処理することができる。
(6)<半導体チップの構成>で記載したように、半導体チップ100の活性領域101を隙間や重なり等なく互いに同等の面積を持つ形状に分割できるため、単位修正領域108を半導体チップ100上の活性領域101内でむらなく配置することができる。
<変形例>
本実施形態では、一つのコンパレータ117を用いて2段階の切り替えを行う実施形態について説明したが、これは例えば複数のコンパレータを用いて多段階の出力制御を行うことができる。図3は、オフセット量を変えたコンパレータを複数用い、補正用トランジスタを多段化した例である。このように多段に切り替えを行うことで、外乱の分布による影響を抑えることができる。また、同様の補正をPMOSトランジスタ、CMOSトランジスタで行うことも可能である。
本実施形態では、一つのコンパレータ117を用いて2段階の切り替えを行う実施形態について説明したが、これは例えば複数のコンパレータを用いて多段階の出力制御を行うことができる。図3は、オフセット量を変えたコンパレータを複数用い、補正用トランジスタを多段化した例である。このように多段に切り替えを行うことで、外乱の分布による影響を抑えることができる。また、同様の補正をPMOSトランジスタ、CMOSトランジスタで行うことも可能である。
多段化する場合には図3に示すように同じゲート幅を持った修正用のNMOSトランジスタ123a〜123xを必ずしも用いる必要はなく、例えばAD変換を行った後論理回路を用いて相異なるゲート幅を持つ修正用のNMOSトランジスタを切り替え或いは複数選択して実効ゲート幅を制御するようにしても良い。この場合、均一なゲート幅で修正を行う場合と比べて少ない修正用のNMOSトランジスタを用いて幅広い範囲の修正が可能となる。また、同様の補正をPMOSやCMOSで行うことが可能である。
また、コンパレータ117にはヒステリシス特性を有するものを用いて良く、閾値近傍でのコンパレータ117の暴れを効果的に抑制することができる。
また、本実施形態では、図1に示すように半導体チップ100の活性領域101を9等分した例について説明したが、これは16等分その他の分割を行っても良い。なお、偶数個に分けた場合には、活性領域101の中央に基準素子を置いて、その他全ての領域を単位修正領域として上記した処置を行うことができる。
また、本実施形態では、単位修正領域をほぼ均等の大きさに分けて形成したが、更に図4に示すように外乱による電気特性の変動が他の領域に比べ部分的に敏感な領域を有する場合、当該領域を別途分割して処理する工程を加えても良い。図4は、電気特性が他の領域に比べ敏感に作用する領域を再区分して単位修正領域を追加した際の平面図である。単位修正領域108a中には他の単位修正領域108同様、被修正素子としてのPMOSトランジスタ109a、NMOSトランジスタ110aが形成されている。このように単位修正領域の寸法の分布を状況に応じ振り分けることで、電気特性の変動が他の領域に比べ敏感な領域を有する半導体チップに対しても電気特性の分布の不均一性をより精密に軽減することができる。
<変形例の効果>
上記したようにオフセット量を変えたコンパレータを複数用い、補正用トランジスタを多段用いて切り替えを行うことで、外乱の分布による影響を抑えることができる。また、同様の補正をPMOSトランジスタ、CMOSトランジスタで行うことも可能である。
上記したようにオフセット量を変えたコンパレータを複数用い、補正用トランジスタを多段用いて切り替えを行うことで、外乱の分布による影響を抑えることができる。また、同様の補正をPMOSトランジスタ、CMOSトランジスタで行うことも可能である。
また、多段化する場合に修正用の同じゲート幅を持ったNMOSトランジスタのみを用いる必要はなく、例えばAD変換を行った後論理回路を用いて相異なるゲート幅を持つ修正用のNMOSトランジスタを切り替え或いは複数選択して実効ゲート幅を制御するようにしても良く、均一なゲート幅で修正を行う場合と比べて少ない修正用のNMOSトランジスタを用いて幅広い範囲の修正が可能となる。また、同様の補正をPMOSやCMOSで行うことが可能である。
また、上記したように、コンパレータ117にヒステリシス特性を有するものを用いることで、閾値近傍でのコンパレータ117の暴れを効果的に抑制することができる。
また、単位修正領域の寸法の分布を状況に応じ振り分けることで、電気特性の変動が部分的に他の領域に比べ敏感な領域を有する半導体チップに対しても電気特性の分布の不均一性をより精密に軽減することができる。
<発明以外の技術的思想>
次に、前記実施形態及び変形例から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について、それらの効果とともに以下に記載する。
次に、前記実施形態及び変形例から把握できる請求項に記載した発明以外の技術的思想について、それらの効果とともに以下に記載する。
半導体チップの中程に位置する定電流源に流れる電流値と前記半導体チップの周辺部に位置する定電流源に流れる電流値を揃えたことを特徴とする半導体チップ。
図5に示すように、被修正素子としてのNMOSトランジスタ110に流れる電流の値と、基準素子としてのNMOSトランジスタ112に流れる電流の値とを電流−電圧変換用抵抗113、114にて電圧に変換して差動増幅器501に入力し、入力電圧の差分をNMOSトランジスタ502に印加することで、NMOSトランジスタ502に流れる電流の値を調整する。被修正素子としてのNMOSトランジスタ110の電流値が増えるように外乱が与えられた場合、オペアンプ503の反転入力端子508に印加される電圧が上昇し、オペアンプ503の出力端子510から出力される電位は低下する。従ってNMOSトランジスタ502に流れる電流量が減少するので外乱の影響を抑制することができる。NMOSトランジスタ502を例えば差動増幅器の電流源として用いることで、外乱が印加されてもスルーレート等の電気的特性を均等に制御しうる半導体チップが得られる。
100…半導体チップ、101…四辺形としての長方形の活性領域、102…長方形の辺、103…長方形の辺、104…長方形の辺、105…長方形の辺、106…第1の線分群、107…第2の線分群、108…単位修正領域、108a…単位修正領域、109…被修正素子としてのPMOSトランジスタ、109a…被修正素子としてのPMOSトランジスタ、110…被修正素子としてのNMOSトランジスタ、110a…被修正素子としてのNMOSトランジスタ、111…基準素子としてのPMOSトランジスタ、112…基準素子としてのNMOSトランジスタ、113…電流−電圧変換用抵抗、114…電流−電圧変換用抵抗、115…接続部、116…接続部、117…コンパレータ、118…非反転入力端、119…反転入力端、120…出力端、121…スイッチ回路、121a…スイッチ回路、121b…スイッチ回路、121x…スイッチ回路、122…入力部、123…修正用のNMOSトランジスタ、123a…修正用のNMOSトランジスタ、123b…修正用のNMOSトランジスタ、123x…NMOSトランジスタ、124…ゲート、125…出力段NMOSトランジスタ、126…ドレイン、127…ソース、128…NMOSトランジスタ、129…PMOSトランジスタ、501…差動増幅器、502…NMOSトランジスタ、503…オペアンプ、508…反転入力端子。
Claims (8)
- 実装された半導体チップに不均一な分布を持って印加される外乱により生じる電気特性の分布の不均一性を軽減するため、前記半導体チップ上で電子素子が形成されている活性領域を複数の領域に分割し、各前記領域の内部での前記電気特性の少なくとも一部が前記領域内で一様となるよう制御可能な前記領域から成る単位修正領域と、
前記半導体チップの中程に設けられた基準素子と、
前記単位修正領域内に位置し、前記基準素子と揃えられた寸法を持つ被修正素子と、
前記基準素子と前記被修正素子との前記電気特性とを比較して修正信号を出力するコンパレータと、
前記コンパレータから出力された前記修正信号を受けて、前記単位修正領域内にある前記電子素子の特性を修正する修正器とを備えることを特徴とする半導体チップ。 - 前記基準素子は、前記半導体チップで用いられている素子の寸法と関連付けられた寸法を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記基準素子は、前記半導体チップの中程に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記被修正素子は、前記単位修正領域の中程に位置することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
- 前記基準素子及び前記被修正素子はMOSトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載に半導体チップ。
- 前記修正器は、被修正用のMOSトランジスタに並列に挿入される修正用のMOSトランジスタの入切を制御して前記被修正用のMOSトランジスタの飽和電流の値を修正し、消費電流の変動を抑える機器であることを特徴とする請求項1に記載に半導体チップ。
- 前記半導体チップ上の前記活性領域が、全て内に凸状の角を有する四辺形の平面形状を有する前記半導体チップを用い、
前記四辺形は第1の辺と対向する前記第1の辺と長さが揃えられた第2の辺と、前記第1の辺に隣接し、互いに対向する長さが揃えられた第3の辺と第4の辺を備え前記第1の辺と対向する前記第2の辺との向きは揃えられて配置され、同時に前記第3の辺と前記第4の辺との向きは揃えられて配置されており、
前記第1の辺と前記第2の辺を共に第1の分割数を用いて、前記第1の辺を前記第1の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第1の端点群と、前記第2の辺を前記第2の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第2の端点群とを形成し、
且つ前記第3の辺と前記第4の辺を共に第2の分割数を用いて、前記第3の辺を前記第3の辺の長さを揃えて分割するよう形成された第3の端点群と、前記第4の辺を分割するよう形成された第4の端点群とを形成し、
前記第1の端点群と前記第2の端点群とを前記第3の辺側から近い方の側から端点同士を順次線分で結び、前記四辺形の前記第1の辺と前記第2の辺も含めて第1の線分群を形成し、
前記第3の端点群と前記第4の端点群とを前記第1の辺側から近い方の側から端点同士を順次線分で結び、前記四辺形の前記第3の辺と前記第4の辺も含めて第2の線分群を形成し、
前記第1の線分群と前記第2の線分群とが交わる、又は接触する点を端点として得られた形状の各々を前記単位修正領域として用いることを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。 - 前記単位修正領域中に前記電気特性が外乱に対して敏感な領域が存在する場合に、前記単位修正領域を更に分割して、且つ前記敏感な領域と隣接するように前記被修正素子を配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体チップ。
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