JP2007034321A - Display device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a display device having a video signal driving circuit which can apply less deteriorating video signals to drain wiring while reducing the number of output pins of a driver IC and is reduced in electric power consumption. <P>SOLUTION: The video signals are outputted by time sharing from a drain driver used for the video signal driving circuit and are distributed by a distribution circuit to the corresponding drain wiring. Two distribution control signals common to another distribution circuit at each one switch used for the distribution circuit are used to raise the voltage of the gates of the switch in two stages to the distribution control signal or above, and the voltage of the gate of the switch is made sufficiently higher than the voltage amplitude of the video signal and the video signal is outputted to the drain wiring. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、アクティブマトリクス型の表示装置に関する。   The present invention relates to an active matrix display device.

アクティブマトリクス型の表示装置としては、例えば液晶表示装置が知られている。   As an active matrix display device, for example, a liquid crystal display device is known.

このようなアクティブマトリクス型の表示装置の一例としては、基板上にx方向に延在しy方向に並設される複数のゲート配線と、このゲート配線に交差するようにy方向に延在しx方向に並設されるドレイン配線とが形成されてマトリクスを構成したものが知られている。そして、このマトリクスに対応してゲート配線とドレイン配線とに接続されたアクティブ素子を有する画素がマトリクス状に配置されている。ゲート配線には走査駆動回路から走査信号が印加され、これによって画素のアクティブ素子がオンされる。一方、ドレイン配線には映像信号駆動回路から映像信号が印加され、オンとなったアクティブ素子を介して映像信号が画素に書き込まれ、その信号に応じて表示が行われる。液晶表示装置の場合はアクティブ素子には薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を用い、映像信号は画素電極に書き込まれるのが一般的である。   As an example of such an active matrix display device, a plurality of gate wirings extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction on the substrate, and extending in the y direction so as to intersect the gate wirings. It is known that a drain wiring lined up in the x direction is formed to form a matrix. In correspondence with this matrix, pixels having active elements connected to the gate wiring and the drain wiring are arranged in a matrix. A scanning signal is applied to the gate wiring from the scanning driving circuit, thereby turning on the active element of the pixel. On the other hand, a video signal is applied to the drain wiring from the video signal driving circuit, and the video signal is written into the pixel through the active element that is turned on, and display is performed according to the signal. In the case of a liquid crystal display device, a thin film transistor (TFT) is generally used as an active element, and a video signal is generally written to a pixel electrode.

ここで、薄膜トランジスタの半導体層に非晶質シリコン(アモルファスシリコン、a−Si)を用いる場合には、走査駆動回路や映像信号駆動回路を別部品のドライバICとして設けているが、薄膜トランジスタの半導体層に多結晶シリコン(ポリシリコン、p−Si)を用いる場合には、走査駆動回路と映像信号駆動回路の全部又は一部を別部品ではなく画素が形成された表示パネルの基板上に一体形成するものが知られている。   Here, when amorphous silicon (amorphous silicon, a-Si) is used for the semiconductor layer of the thin film transistor, the scanning drive circuit and the video signal drive circuit are provided as separate driver ICs. In the case of using polycrystalline silicon (polysilicon, p-Si), all or part of the scanning drive circuit and the video signal drive circuit are integrally formed on a substrate of a display panel on which pixels are formed, not separate components. Things are known.

図21は、従来の走査駆動回路の一例を示した図である。走査駆動回路300は、シフトレジスタ301、レベルシフタ302、バッファ303を有している。そして、これらはポリシリコン薄膜トランジスタを用いて基板上に一体形成されている。そして、シフトレジスタ301の各段の出力はそれぞれレベルシフタ302によりレベル変換され、バッファ303を介してそれぞれ各行のゲート配線GLn,GLn+1,…に走査信号として印加される。このレベルシフタ302は、CMOS(相補型)回路により構成されている。CMOS回路とはPチャネルMOSトランジスタ(以下、単にPMOSという)とNチャネルMOSトランジスタ(以下、単にNMOSという)の両者が混在した回路である。   FIG. 21 is a diagram showing an example of a conventional scan driving circuit. The scan driving circuit 300 includes a shift register 301, a level shifter 302, and a buffer 303. These are integrally formed on the substrate using polysilicon thin film transistors. The output of each stage of the shift register 301 is level-converted by the level shifter 302, and is applied as a scanning signal to the gate wirings GLn, GLn + 1,. The level shifter 302 is composed of a CMOS (complementary) circuit. A CMOS circuit is a circuit in which both a P-channel MOS transistor (hereinafter simply referred to as PMOS) and an N-channel MOS transistor (hereinafter simply referred to as NMOS) are mixed.

この従来技術に関連する文献としては、例えば特許文献1がある。この文献には、ポリシリコン薄膜トランジスタを用いて、走査駆動回路に相当する垂直ドライバと映像信号駆動回路に相当する水平ドライバとを基板に一体形成した駆動回路一体型液晶表示装置が記載されている。そして、垂直ドライバはシフトレジスタとレベルシフト回路とバッファとから構成されている。このレベルシフト回路はCMOSラッチセルとCMOSインバータを有したCMOS回路となっている。   As a document related to this prior art, for example, there is Patent Document 1. This document describes a driving circuit integrated liquid crystal display device in which a vertical driver corresponding to a scanning driving circuit and a horizontal driver corresponding to a video signal driving circuit are integrally formed on a substrate using polysilicon thin film transistors. The vertical driver includes a shift register, a level shift circuit, and a buffer. This level shift circuit is a CMOS circuit having a CMOS latch cell and a CMOS inverter.

また、これ以外に走査駆動回路について関連する文献としては特許文献2がある。この文献では、アクティブマトリクス用のゲート線(ゲート配線)側の駆動回路とデータ線(ドレイン配線)側の駆動回路を基板内に作り込んだ(一体形成した)ものが記載されている。走査駆動回路はCMOS回路ではなく、使われている薄膜トランジスタはNチャネルまたはPチャネルの何れか一方のみのポリシリコン薄膜トランジスタで構成されている。また、レベルシフト回路やバッファを用いていない。シフトレジスタはシフトレジスタセルで構成され、シフトレジスタセルは4つのトランジスタと1つのブートストラップ容量より構成される。   In addition to this, there is Patent Document 2 as a document related to the scan drive circuit. In this document, a driver circuit on the side of a gate line (gate wiring) for an active matrix and a driver circuit on the side of a data line (drain wiring) are formed (integrated) in a substrate. The scanning drive circuit is not a CMOS circuit, and the thin film transistor used is composed of only one of N-channel and P-channel polysilicon thin film transistors. Also, no level shift circuit or buffer is used. The shift register is composed of a shift register cell, and the shift register cell is composed of four transistors and one bootstrap capacitor.

また、先程説明した特許文献2には、データ線側駆動回路にブートストラップ動作を行うシフトレジスタを用いた例が記載されている。シフトレジスタセルはブートストラップ容量と3つのトランジスタで構成されている。シフトレジスタセルからの出力はサンプルホールドトランジスタのゲートに入力される。このゲート入力にはブートストラップ動作によりクロック信号の2倍近い振幅で印加されるので高速でスイッチングされる。   Patent Document 2 described above describes an example in which a shift register that performs a bootstrap operation is used in the data line side driving circuit. The shift register cell includes a bootstrap capacitor and three transistors. The output from the shift register cell is input to the gate of the sample and hold transistor. Since this gate input is applied with an amplitude nearly twice that of the clock signal by a bootstrap operation, it is switched at a high speed.

これ以外に、特許文献3には、映像信号駆動回路の一例として、相補型(CMOS)薄膜トランジスタによるゲート選択回路によって薄膜トランジスタよりなるアナログスイッチのゲートを順次選択する様に構成された薄膜走査回路において、前記アナログスイッチのゲートに前記薄膜トランジスタと同一構造のMOS型キャパシタの第1の電極を接続し、前記薄膜走査回路の内部端子の一つに該MOS型キャパシタの第2の電極を接続したものが記載されている。ゲート選択回路は相補型TFTを用いたロジック回路で、例えばシフトレジスタなどである。尚、このゲート選択回路のゲートとはアクティブマトリクスパネルのゲート配線のゲートを意味するのではなく、映像信号駆動回路の中のアナログスイッチのゲートを選択するという意味のゲートである。したがって、このゲート選択回路は走査信号駆動回路ではなく映像信号駆動回路に用いられている。このような構成により、アナログスイッチのゲートはMOS型キャパシタのブートストラップ効果によって電源電圧の2倍近くまで持ち上げられ、アナログスイッチの負荷駆動能力が増大される。そして、これによりオンされたアナログスイッチを介して映像信号が映像信号線(ドレイン配線に相当する)に印加される。   In addition to this, in Patent Document 3, as an example of a video signal driving circuit, in a thin film scanning circuit configured to sequentially select gates of analog switches made of thin film transistors by a gate selection circuit made of complementary (CMOS) thin film transistors, The first electrode of the MOS capacitor having the same structure as the thin film transistor is connected to the gate of the analog switch, and the second electrode of the MOS capacitor is connected to one of the internal terminals of the thin film scanning circuit. Has been. The gate selection circuit is a logic circuit using complementary TFTs, such as a shift register. Note that the gate of this gate selection circuit does not mean the gate of the gate wiring of the active matrix panel, but the gate of the analog switch in the video signal driving circuit. Therefore, this gate selection circuit is used not in the scanning signal driving circuit but in the video signal driving circuit. With such a configuration, the gate of the analog switch is raised to nearly twice the power supply voltage by the bootstrap effect of the MOS capacitor, and the load driving capability of the analog switch is increased. Then, the video signal is applied to the video signal line (corresponding to the drain wiring) through the analog switch that is turned on.

その他の映像信号駆動回路の例としては、特許文献4がある。この文献では、映像信号駆動回路は、映像信号を転送するためのスイッチと、このスイッチを駆動する回路で構成されている。このスイッチを駆動する回路は、シフトレジスタと、このシフトレジスタの出力を昇圧する昇圧手段を有している。そして、この昇圧手段はトランジスタと容量素子とダイオードを用いて形成されている。このような構成により、シフトレジスタ内及び昇圧回路内の各トランジスタに印加される電源電圧は7Vという低電圧のまま、12.3Vという高電圧を発生することができ、11V振幅の信号(映像信号)を扱うことができる。尚、この昇圧手段は1つのスイッチに対してシフトレジスタ出力の2つ以上を利用するとともに、複数のスイッチで同じシフトレジスタ出力を一部共用している。また、薄膜トランジスタはNMOS又はPMOSが用いられている。また、この文献にはアクティブ素子や転送用のスイッチ更にはシフトレジスタ及び昇圧手段は望ましくは半導体集積回路として同一基体上(同一基板上)に一体的に作製されることが記載されている。   As another example of the video signal driving circuit, there is Patent Document 4. In this document, the video signal driving circuit is composed of a switch for transferring a video signal and a circuit for driving the switch. The circuit for driving the switch has a shift register and boosting means for boosting the output of the shift register. The boosting means is formed using a transistor, a capacitive element, and a diode. With such a configuration, the power supply voltage applied to each transistor in the shift register and the booster circuit can generate a high voltage of 12.3 V while maintaining a low voltage of 7 V, and an 11 V amplitude signal (video signal) ). This boosting means uses two or more of the shift register outputs for one switch, and a plurality of switches share a part of the same shift register output. Further, NMOS or PMOS is used for the thin film transistor. This document also describes that the active element, the transfer switch, the shift register, and the boosting means are desirably fabricated integrally on the same substrate (on the same substrate) as a semiconductor integrated circuit.

更に他の映像信号駆動回路の例としては、特許文献5がある。この文献では、映像信号駆動回路は、LCDパネルの外部回路としてテープキャリア上に配置されたドライバICと、LCDパネル上に形成された時分割スイッチにより構成されている。ドライバICからは画素信号(映像信号)が時分割数(この文献では3)に対応した時系列の信号として出力される。そして、この時系列の画素信号は、時分割スイッチによって時分割でサンプリングされて対応する信号ライン(この文献ではR,G,Bに対応するドレイン配線)に供給される。これにより、ドレイン配線の本数よりもドライバICの出力ピン数を減らすことができる。時分割スイッチにはアナログスイッチが用いられる。1組の時分割スイッチはPchMOSトランジスタ3個とNchMOSトランジスタ3個のCMOS構成のトランスミッションスイッチからなり、LCDパネルと同一基板上にポリシリコンTFTによって形成されている。これらは、3本の選択信号とこれら3本の選択信号の反転信号からなる合計6本の制御ラインによって制御される。   As another example of the video signal driving circuit, there is Patent Document 5. In this document, the video signal driving circuit is composed of a driver IC disposed on a tape carrier as an external circuit of the LCD panel, and a time division switch formed on the LCD panel. A pixel signal (video signal) is output from the driver IC as a time-series signal corresponding to the number of time divisions (3 in this document). The time-series pixel signals are sampled in a time division manner by a time division switch and supplied to corresponding signal lines (drain wirings corresponding to R, G, and B in this document). Thereby, the number of output pins of the driver IC can be reduced more than the number of drain wirings. An analog switch is used as the time division switch. One set of time-division switches is composed of a transmission switch having a CMOS configuration of three PchMOS transistors and three NchMOS transistors, and is formed of polysilicon TFTs on the same substrate as the LCD panel. These are controlled by a total of six control lines comprising three selection signals and inverted signals of these three selection signals.

特開2000−305504号公報JP 2000-305504 A 特開平5−243577号公報Japanese Patent Laid-Open No. 5-243777 特開昭62−66291号公報JP-A-62-66291 特開平5−281517号公報JP-A-5-281517 特開2000−275611号公報JP 2000-275611 A

しかし、これらの文献に記載された装置では次のような問題がある。   However, the apparatuses described in these documents have the following problems.

まず、走査駆動回路に関して、図21や特許文献1では、レベルシフト回路にCMOS回路を使用しているため、製造工程においてPMOSとNMOSを両方とも形成する必要があるためプロセス数が増加してしまう。特許文献2のゲート側の駆動回路では、シフトレジスタにブートストラップ容量を用いることでCMOS回路やレベルシフト回路やバッファを不要としているが、ゲート線(ゲート配線)には走査信号として一度電圧が上昇してから更にもう一段階電圧が上昇するような信号が印加されることになる。   First, regarding the scan drive circuit, in FIG. 21 and Patent Document 1, since a CMOS circuit is used for the level shift circuit, it is necessary to form both PMOS and NMOS in the manufacturing process, which increases the number of processes. . In the gate side drive circuit of Patent Document 2, a CMOS circuit, a level shift circuit, and a buffer are unnecessary by using a bootstrap capacitor in the shift register, but the voltage once rises as a scanning signal on the gate line (gate wiring). Then, a signal that further increases the voltage by one step is applied.

また、映像信号駆動回路に関して、特許文献5には、時分割スイッチを用いた例が記載されているが、CMOS構成であるため製造プロセス数が多くなってしまう。尚、この文献にはPMOSあるいはNMOS構成のトランスミッションスイッチを用いることも可能であると記載されているが、具体的な構成例は記載されておらず、おそらくこの場合は6本の制御ラインではなく3本の制御ラインで制御するものと思われる。しかし、PMOSあるいはNMOS構成、すなわち、単チャネル構成とした場合、時分割スイッチに用いられるアナログスイッチのゲートに入力される制御ラインの電圧と映像信号の電圧が近い場合には、トランジスタの抵抗によってスイッチの前後で映像信号の電圧が変化してしまうという問題がある。   Further, regarding the video signal driving circuit, Patent Document 5 describes an example using a time division switch, but the number of manufacturing processes increases because of the CMOS configuration. In this document, it is described that it is possible to use a PMOS or NMOS transmission switch, but a specific configuration example is not described. It seems to be controlled by three control lines. However, in the case of a PMOS or NMOS configuration, that is, a single channel configuration, if the voltage of the control line inputted to the gate of the analog switch used for the time division switch is close to the voltage of the video signal, the switch is made by the transistor resistance There is a problem that the voltage of the video signal changes before and after.

尚、映像信号駆動回路については特許文献2、特許文献3及び特許文献4には映像信号駆動回路でアナログスイッチをオンする際にブートストラップ効果を利用した例が記載されているが、時分割スイッチについては記載がなく、また、シフトレジスタの使用を前提としており、時分割スイッチとの組み合わせについても考慮されていない。   As for the video signal drive circuit, Patent Document 2, Patent Document 3 and Patent Document 4 describe an example using a bootstrap effect when an analog switch is turned on in the video signal drive circuit. Is not described, and it is premised on the use of a shift register, and the combination with a time division switch is not considered.

本発明の第1の目的は、消費電力の低減を図りつつ走査信号の波形の設計自由度が高い走査駆動回路を有する表示装置を提供することである。   A first object of the present invention is to provide a display device having a scan driving circuit with a high degree of freedom in designing a waveform of a scan signal while reducing power consumption.

本発明の第2の目的は、ドライバICの出力ピン数を減らしつつ劣化の少ない映像信号をドレイン配線に印加できる消費電力の少ない映像信号駆動回路を有する表示装置を提供することである。   A second object of the present invention is to provide a display device having a video signal driving circuit with low power consumption that can apply a video signal with little deterioration to the drain wiring while reducing the number of output pins of the driver IC.

本発明の第3の目的は、製造プロセス数の少ない表示装置を提供することである。   A third object of the present invention is to provide a display device with a small number of manufacturing processes.

本発明の第1の目的を達成するために、走査駆動回路に用いられるシフトレジスタを走査信号の電圧振幅よりも低電圧で駆動するとともに、シフトレジスタの各段に対応して昇圧回路を設け、この昇圧回路にシフトレジスタ出力とは別の信号として他の昇圧回路と共通な共通走査信号を入力し、シフトレジスタ出力により選択されている期間にこの共通走査信号から走査信号を選択してそれぞれのゲート配線に出力するようにした。   To achieve the first object of the present invention, the shift register used in the scan drive circuit is driven at a voltage lower than the voltage amplitude of the scan signal, and a booster circuit is provided corresponding to each stage of the shift register, A common scanning signal common to other boosting circuits is input to the boosting circuit as a signal different from the shift register output, and the scanning signal is selected from the common scanning signal in a period selected by the shift register output. Output to the gate wiring.

本発明の第2の目的を達成するために、映像信号駆動回路に用いられるドレインドライバから映像信号を時分割で出力するとともに、これを分配回路で対応するドレイン配線に分配するようにし、この分配回路に用いられるスイッチ1つあたりについて他の分配回路と共通な2本の分配制御信号を用いてスイッチのゲートの電圧を2段階で分配制御信号以上に上昇させ、スイッチのゲートの電圧を映像信号の電圧振幅よりも十分大きくして映像信号をドレイン配線に出力するようにした。   In order to achieve the second object of the present invention, a video signal is output in a time-sharing manner from a drain driver used in a video signal driving circuit, and is distributed to a corresponding drain wiring by a distribution circuit. For each switch used in the circuit, the voltage of the switch gate is raised to a level higher than the distribution control signal in two steps by using two common distribution control signals with other distribution circuits, and the switch gate voltage is changed to the video signal. The video signal is output to the drain wiring by making it sufficiently larger than the voltage amplitude.

本発明の第3の目的を達成するために、駆動回路のうち基板上に一体形成された部分に用いられている薄膜トランジスタのチャネルを画素の薄膜トランジスタと同じにした単チャネル構成とした。   In order to achieve the third object of the present invention, the channel of the thin film transistor used in the portion of the driving circuit integrally formed on the substrate is the same as the thin film transistor of the pixel.

本発明の第1の目的を達成する表示装置の代表的な構成を列挙すると次の通りである。尚、単チャネル構成の場合は本発明の第3の目的を達成することができる。   A typical configuration of a display device that achieves the first object of the present invention is listed as follows. In the case of the single channel configuration, the third object of the present invention can be achieved.

(1)、基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記基板上に形成され前記複数のゲート配線と交差する複数のドレイン配線と、
前記ゲート配線と前記ドレイン配線とに接続された薄膜トランジスタを有する複数の画素と、
前記基板上に形成され前記ゲート配線に走査信号を印加する走査駆動回路と、
前記走査駆動回路に必要な信号を供給する制御回路とを備えた表示装置であって、
前記走査駆動回路は、前記複数のゲート配線のそれぞれに対応する複数段の出力を出すシフトレジスタと、前記シフトレジスタの複数段の出力のうちの1つが入力され前記走査信号をそれぞれ対応する前記ゲート配線に出力する複数の駆動部とを有し、
前記シフトレジスタ出力よりも電圧振幅が大きい複数の前記走査信号の列である共通走査信号が前記制御回路から2以上の前記駆動部に共通に入力され、
前記駆動部は、前記駆動部に入力された前記シフトレジスタの出力と前記共通走査信号とが入力され、前記共通走査信号の複数の走査信号の列のうち前記シフトレジスタの出力が入力された期間に入力されたものを選択して前記シフトレジスタ出力よりも電圧振幅が大きい走査信号を前記対応するゲート配線に出力する昇圧回路を有することを特徴とする。
(1) a substrate;
A plurality of gate wirings formed on the substrate;
A plurality of drain wirings formed on the substrate and intersecting the plurality of gate wirings;
A plurality of pixels having thin film transistors connected to the gate wiring and the drain wiring;
A scan driving circuit formed on the substrate and applying a scan signal to the gate wiring;
A display device comprising a control circuit for supplying signals necessary for the scan driving circuit,
The scan driving circuit includes: a shift register that outputs a plurality of stages corresponding to each of the plurality of gate wirings; and one of the plurality of stages of outputs of the shift register that receives the scanning signal A plurality of drive units that output to the wiring,
A common scanning signal, which is a row of a plurality of scanning signals having a voltage amplitude larger than that of the shift register output, is commonly input from the control circuit to the two or more driving units
The drive unit receives the output of the shift register and the common scanning signal input to the driving unit, and a period during which the output of the shift register is input among a plurality of scanning signal columns of the common scanning signal And a step-up circuit that selects a signal input to the output and outputs a scanning signal having a voltage amplitude larger than that of the shift register output to the corresponding gate wiring.

(2)、(1)において、前記駆動部は1つ以上の薄膜トランジスタを有して前記基板上に一体形成され、
前記画素及び前記駆動部に用いられている薄膜トランジスタは単チャネルであることを特徴とする。
(2) In (1), the driving unit has one or more thin film transistors and is integrally formed on the substrate,
The thin film transistor used for the pixel and the driver is a single channel.

(3)、(2)において、前記昇圧回路は、ゲート電極と第1電極と第2電極とを有する第1及び第2の薄膜トランジスタと、第1電極及び第2電極を有する容量素子とを有し、
前記第1の薄膜トランジスタのゲート電極は直流電圧信号に接続され、
前記第1の薄膜トランジスタの第1電極は前記シフトレジスタの出力に接続され、
前記第1の薄膜トランジスタの第2電極は前記第2の薄膜トランジスタのゲート電極と前記容量素子の第1電極とに接続され、
前記第2の薄膜トランジスタの第1電極は前記共通走査信号に接続され、
前記第2の薄膜トランジスタの第2電極は前記容量素子の第2電極と前記ゲート配線に接続されていることを特徴とする。
In (3) and (2), the booster circuit includes first and second thin film transistors having a gate electrode, a first electrode, and a second electrode, and a capacitor having a first electrode and a second electrode. And
A gate electrode of the first thin film transistor is connected to a DC voltage signal;
A first electrode of the first thin film transistor is connected to an output of the shift register;
A second electrode of the first thin film transistor is connected to a gate electrode of the second thin film transistor and a first electrode of the capacitor;
A first electrode of the second thin film transistor is connected to the common scanning signal;
The second electrode of the second thin film transistor is connected to the second electrode of the capacitor and the gate wiring.

(4)、(2)又は(3)において、前記シフトレジスタは1つ以上の薄膜トランジスタを有して前記基板上に一体形成され、
前記画素、前記駆動部及び前記シフトレジスタに用いられている薄膜トランジスタは単チャネルであることを特徴とする。
In (4), (2), or (3), the shift register includes one or more thin film transistors and is integrally formed on the substrate.
The thin film transistors used for the pixel, the driver, and the shift register are single-channel.

(5)、(1)から(4)の何れかにおいて、前記駆動部は、前記昇圧回路に前記シフトレジスタからの出力が入力されていない期間に前記ゲート配線に前記画素の薄膜トランジスタのオフ電位を印加するリセット回路を有することを特徴とする。   (5) In any one of (1) to (4), the drive unit applies an off potential of the thin film transistor of the pixel to the gate wiring during a period in which the output from the shift register is not input to the booster circuit. It has a reset circuit to apply.

(6)、(5)において、前記リセット回路は、前記シフトレジスタからの出力を反転する反転回路を有することを特徴とする。   (6) In (5), the reset circuit includes an inverting circuit for inverting the output from the shift register.

(7)、(1)から(6)の何れかにおいて、前記駆動部は、前記昇圧回路の動作の停止又は許可を切り替える切替スイッチ回路を有することを特徴とする。   (7) In any one of (1) to (6), the drive unit includes a changeover switch circuit that switches between stop and permission of the operation of the booster circuit.

(8)、(7)において、前記切替スイッチ回路は、第1及び第2の切替スイッチ信号が入力され、前記第1の切替スイッチ信号に接地電位が入力され前記第2の切替スイッチ信号に直流電圧信号が入力されている期間は前記昇圧回路の動作を停止させ、前記第1の切替スイッチ信号に直流電圧信号が入力され前記第2の切替スイッチ信号に接地電位が入力された時には前記昇圧回路の動作を許可する回路であることを特徴とする。   (8) In (7), the first and second changeover switch signals are input to the changeover switch circuit, a ground potential is input to the first changeover switch signal, and a direct current is applied to the second changeover switch signal. The operation of the booster circuit is stopped during a period in which the voltage signal is input, and when the DC voltage signal is input to the first changeover switch signal and the ground potential is input to the second changeover switch signal, the booster circuit It is a circuit that permits the operation of

(9)、(7)又は(8)において、前記制御回路は、表示を開始する前に前記切替スイッチ回路を制御して前記昇圧回路の動作を停止させた状態で前記シフトクロックを制御して少なくとも一巡の走査を行った後、前記昇圧回路の動作を許可し、表示を開始することを特徴とする。   In (9), (7) or (8), the control circuit controls the shift clock in a state in which the operation of the booster circuit is stopped by controlling the changeover switch circuit before starting the display. After at least one round of scanning, the operation of the booster circuit is permitted and display is started.

(10)、(1)から(9)の何れかにおいて、前記共通走査信号は、第1の共通走査信号配線によって伝えられる第1の共通走査信号と、第2の共通走査信号配線によって伝えられ前記第1の共通走査信号とは位相が異なる第2の共通走査信号とを有し、
前記昇圧回路は、前記第1の共通走査信号が共通に入力される第1のグループと、前記第2の共通走査信号が共通に入力され前記第1のグループに属さない第2のグループに分けられていることを特徴とする。
In any one of (10), (1) to (9), the common scanning signal is transmitted by the first common scanning signal wiring and the second common scanning signal wiring transmitted by the first common scanning signal wiring. A second common scanning signal having a phase different from that of the first common scanning signal;
The booster circuit is divided into a first group in which the first common scanning signal is input in common and a second group in which the second common scanning signal is input in common and does not belong to the first group. It is characterized by being.

(11)、(10)において、奇数行目の前記ゲート配線に対応する前記昇圧回路が前記第1のグループに属し、
偶数行目の前記ゲート配線に対応する前記昇圧回路が前記第2のグループに属することを特徴とする。
(11) In (10), the booster circuit corresponding to the gate wiring in the odd-numbered row belongs to the first group,
The booster circuit corresponding to the gate wiring in the even-numbered row belongs to the second group.

(12)、(1)から(11)の何れかにおいて、前記基板に対向配置される対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする。
(12) In any one of (1) to (11), a counter substrate disposed to face the substrate;
And a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.

本発明の第2の目的を達成する表示装置の代表的な構成を列挙すると次の通りである。尚、単チャネル構成の場合は本発明の第3の目的を達成することができる。   A typical configuration of the display device that achieves the second object of the present invention is listed as follows. In the case of the single channel configuration, the third object of the present invention can be achieved.

(13)、基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記基板上に形成され前記複数のゲート配線と交差する複数のドレイン配線と、
前記ゲート配線と前記ドレイン配線とに接続された薄膜トランジスタを有する複数の画素と、
前記ドレイン配線に映像信号を印加する映像信号駆動回路と、
前記映像信号駆動回路に必要な信号を供給する制御回路とを備えた表示装置であって、
前記映像信号駆動回路は、2以上の前記ドレイン配線に印加する映像信号を時分割で共通映像信号配線に出力するドレインドライバと、前記共通映像信号配線に時分割で出力された映像信号を対応するドレイン配線に分配する前記基板上に一体形成された分配回路とを有し、
前記分配回路は、1本の共通映像信号配線に対応するドレイン配線の本数の2倍の本数の分配制御信号が入力されて分配の制御がなされ、
前記分配回路は、前記画素の薄膜トランジスタと同じチャネルであるn型の薄膜トランジスタであって、それぞれの第1電極が前記共通映像信号配線に接続され、それぞれの第2電極が対応するドレイン配線に接続され、それぞれのゲート電極の電圧が前記分配制御信号のうちのそれぞれ対応する2本に基づいて制御される複数の薄膜トランジスタを有し、
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧は前記分配制御信号の前記対応する2本のうち1本目に基づいて第1の電圧まで上昇され、2本目に基づいて前記第1の電圧よりも高い第2の電圧まで上昇され、前記第2の電圧は前記映像信号の電圧の最大値と前記薄膜トランジスタの閾値電圧との和よりも大きく、かつ、前記分配制御信号の電圧よりも大きい電圧に制御され、
前記分配制御信号は2本以上の共通映像信号配線の分配に共通に用いられていることを特徴とする。
(13) a substrate;
A plurality of gate wirings formed on the substrate;
A plurality of drain wirings formed on the substrate and intersecting the plurality of gate wirings;
A plurality of pixels having thin film transistors connected to the gate wiring and the drain wiring;
A video signal driving circuit for applying a video signal to the drain wiring;
A display device comprising a control circuit for supplying a necessary signal to the video signal driving circuit,
The video signal driving circuit corresponds to a drain driver that outputs a video signal applied to two or more of the drain wirings to the common video signal wiring in a time division manner, and a video signal output to the common video signal wirings in a time division manner. A distribution circuit integrally formed on the substrate for distributing to the drain wiring;
The distribution circuit receives distribution control signals twice as many as the number of drain wirings corresponding to one common video signal wiring, and performs distribution control.
The distribution circuit is an n-type thin film transistor that is the same channel as the thin film transistor of the pixel, and each first electrode is connected to the common video signal line, and each second electrode is connected to a corresponding drain line. A plurality of thin film transistors in which the voltage of each gate electrode is controlled based on two corresponding ones of the distribution control signals,
The voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is increased to the first voltage based on the first of the two corresponding ones of the distribution control signals, and is higher than the first voltage based on the second. The second voltage is controlled to a voltage that is greater than the sum of the maximum value of the voltage of the video signal and the threshold voltage of the thin film transistor, and greater than the voltage of the distribution control signal,
The distribution control signal is commonly used for distribution of two or more common video signal lines.

(14)、(13)において、前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以上になっている期間の50%よりも長いことを特徴とする。   (14) In (13), the period in which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is longer than 50% of the period in which the voltage is higher than the first voltage. It is characterized by.

(15)、(14)において、前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以上になっている期間の75%以上の長さであることを特徴とする。   (15) In (14), the period in which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is 75% or more of the period in which the voltage is equal to or higher than the first voltage. It is characterized by being.

(16)、(13)から(15)の何れかにおいて、前記分配回路は、1本の前記共通映像信号配線から赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する前記ドレイン配線へ分配する回路であることを特徴とする。   (16) In any one of (13) to (15), the distribution circuit is a circuit that distributes from one common video signal wiring to the drain wiring corresponding to each of red, green, and blue pixels. It is characterized by being.

(17)、(13)から(16)の何れかにおいて、前記基板に対向配置される対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする。
(17) In any one of (13) to (16), a counter substrate disposed to face the substrate;
And a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.

(18)、基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記基板上に形成され前記複数のゲート配線と交差する複数のドレイン配線と、
前記ゲート配線と前記ドレイン配線とに接続された薄膜トランジスタを有する複数の画素と、
前記ドレイン配線に映像信号を印加する映像信号駆動回路と、
前記映像信号駆動回路に必要な信号を供給する制御回路とを備えた表示装置であって、
前記映像信号駆動回路は、2以上の前記ドレイン配線に印加する映像信号を時分割で共通映像信号配線に出力するドレインドライバと、前記共通映像信号配線に時分割で出力された映像信号を対応するドレイン配線に分配する前記基板上に一体形成された分配回路とを有し、
前記分配回路は、1本の共通映像信号配線に対応するドレイン配線の本数の2倍の本数の分配制御信号が入力されて分配の制御がなされ、
前記分配回路は、前記画素の薄膜トランジスタと同じチャネルであるp型の薄膜トランジスタであって、それぞれの第1電極が前記共通映像信号配線に接続され、それぞれの第2電極が対応するドレイン配線に接続され、それぞれのゲート電極の電圧が前記分配制御信号のうちのそれぞれ対応する2本に基づいて制御される複数の薄膜トランジスタを有し、
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧は前記分配制御信号の前記対応する2本のうち1本目に基づいて第1の電圧まで下降され、2本目に基づいて前記第1の電圧よりも低い第2の電圧まで下降され、前記第2の電圧は前記映像信号の電圧の最小値と前記薄膜トランジスタの閾値電圧との和よりも小さく、かつ、前記分配制御信号の電圧よりも小さい電圧に制御され、
前記分配制御信号は2本以上の共通映像信号配線の分配に共通に用いられていることを特徴とする。
(18) a substrate;
A plurality of gate wirings formed on the substrate;
A plurality of drain wirings formed on the substrate and intersecting the plurality of gate wirings;
A plurality of pixels having thin film transistors connected to the gate wiring and the drain wiring;
A video signal driving circuit for applying a video signal to the drain wiring;
A display device comprising a control circuit for supplying a necessary signal to the video signal driving circuit,
The video signal driving circuit corresponds to a drain driver that outputs a video signal applied to two or more of the drain wirings to the common video signal wiring in a time division manner, and a video signal output to the common video signal wirings in a time division manner. A distribution circuit integrally formed on the substrate for distributing to the drain wiring;
The distribution circuit receives distribution control signals twice as many as the number of drain wirings corresponding to one common video signal wiring, and performs distribution control.
The distribution circuit is a p-type thin film transistor that has the same channel as the thin film transistor of the pixel, and each first electrode is connected to the common video signal line, and each second electrode is connected to a corresponding drain line. A plurality of thin film transistors in which the voltage of each gate electrode is controlled based on two corresponding ones of the distribution control signals,
The voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is lowered to the first voltage based on the first of the two corresponding ones of the distribution control signals, and is lower than the first voltage based on the second. The second voltage is controlled to a voltage smaller than the sum of the minimum value of the video signal voltage and the threshold voltage of the thin film transistor and smaller than the voltage of the distribution control signal,
The distribution control signal is commonly used for distribution of two or more common video signal lines.

(19)、(18)において、前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以下になっている期間の50%よりも長いことを特徴とする。   (19) In (18), the period in which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is longer than 50% of the period in which the voltage is not more than the first voltage. It is characterized by.

(20)、(18)において、前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以下になっている期間の75%以上の長さであることを特徴とする。   (20) In (18), the period in which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is 75% or more of the period in which the voltage is not more than the first voltage. It is characterized by being.

(21)、(18)から(20)の何れかにおいて、前記分配回路は、1本の前記共通映像信号配線から赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する前記ドレイン配線へ分配する回路であることを特徴とする。   (21) In any one of (18) to (20), the distribution circuit is a circuit that distributes from one common video signal wiring to the drain wiring corresponding to each of red, green, and blue pixels. It is characterized by being.

(22)、(18)から(21)の何れかにおいて、前記基板に対向配置される対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする。
(22) In any one of (18) to (21), a counter substrate disposed to face the substrate;
And a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.

尚、本発明は以上に列挙した構成及び後述する実施例に限定されることなく、本発明の技術思想を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。また、上記した目的以外の課題や構成や効果については実施例などの明細書全体において明らかにされる。   Note that the present invention is not limited to the above-described configurations and examples described later, and various modifications can be made without departing from the technical idea of the present invention. Further, problems, configurations, and effects other than the above-described object will be clarified in the entire specification such as examples.

以上説明してきたように、本発明の走査駆動回路によれば、消費電力の低減を図りつつ走査信号の波形の設計自由度が高い走査駆動回路を有する表示装置を提供することができる。   As described above, according to the scan drive circuit of the present invention, it is possible to provide a display device having a scan drive circuit with a high degree of freedom in designing the waveform of a scan signal while reducing power consumption.

また、本発明の映像信号駆動回路によれば、ドライバICの出力ピン数を減らしつつ劣化の少ない映像信号をドレイン配線に印加できる消費電力の少ない映像信号駆動回路を有する表示装置を提供することができる。   Further, according to the video signal driving circuit of the present invention, it is possible to provide a display device having a video signal driving circuit with low power consumption that can apply a video signal with little deterioration to the drain wiring while reducing the number of output pins of the driver IC. it can.

さらに、単チャネル構成とすることで、製造プロセス数の少ない表示装置を提供することができる。   Furthermore, with a single channel configuration, a display device with a small number of manufacturing processes can be provided.

以下、実施例及び図面を用いて本発明について説明する。本発明による表示装置の一例として、液晶表示装置を例に説明をする。   Hereinafter, the present invention will be described with reference to examples and drawings. A liquid crystal display device will be described as an example of the display device according to the present invention.

[全体構成の説明]
図1は、本発明による表示装置に用いられる表示パネルの一例を示す平面図である。
[Description of overall configuration]
FIG. 1 is a plan view showing an example of a display panel used in a display device according to the present invention.

SUB1は基板、SUB2は対向基板であり、ガラスやプラスチックなどを好適とする。ARは図示しない画素がマトリクス状に配置されている表示領域で、この表示領域AR以外の場所は額縁領域と呼ばれる。   SUB1 is a substrate, and SUB2 is a counter substrate, and glass, plastic, or the like is preferable. AR is a display area in which pixels (not shown) are arranged in a matrix, and a place other than the display area AR is called a frame area.

基板SUB1上には図示しないゲート配線GLに走査信号を印加する走査駆動回路10と、図示しないドレイン配線DLに映像信号を印加する映像信号回路201とを有している。基板SUB1上には外部と接続されるゲート側の接続端子Tgが形成され、走査駆動回路10へ制御信号及び電源を供給している。また、基板SUB1上には外部と接続されるドレイン側の接続端子Tdが形成され、映像信号回路201に映像信号や制御信号や電源を供給している。接続端子Tdは複数本の引き出し配線が一ヶ所に束ねられて形成されている。また、基板SUB1上には図示しないドレイン配線DLの断線を検査する検査回路CCが形成されている。   On the substrate SUB1, a scanning drive circuit 10 for applying a scanning signal to a gate wiring GL (not shown) and a video signal circuit 201 for applying a video signal to a drain wiring DL (not shown) are provided. A gate-side connection terminal Tg connected to the outside is formed on the substrate SUB1, and supplies a control signal and power to the scan driving circuit 10. Further, a drain-side connection terminal Td connected to the outside is formed on the substrate SUB1, and supplies a video signal, a control signal, and power to the video signal circuit 201. The connection terminal Td is formed by bundling a plurality of lead wires at one place. An inspection circuit CC for inspecting disconnection of the drain wiring DL (not shown) is formed on the substrate SUB1.

基板SUB1と対向基板SUB2は、間に図示しない液晶層LCを挟持して表示領域ARを囲むように例えばエポキシ樹脂などで形成されたシールSLにより貼り合わされている。この液晶層LCは封入口INJより封入されて例えばエポキシ樹脂などで封止されている。対向基板SUB2は基板SUB1よりも小さくなっており、基板SUB1の突き出た部分で接続端子Td,Tgにより外部と接続される。   The substrate SUB1 and the counter substrate SUB2 are bonded to each other with a seal SL formed of, for example, an epoxy resin so as to surround the display area AR with a liquid crystal layer LC (not shown) interposed therebetween. The liquid crystal layer LC is sealed from the sealing opening INJ and sealed with, for example, an epoxy resin. The counter substrate SUB2 is smaller than the substrate SUB1, and is connected to the outside by connection terminals Td and Tg at the protruding portion of the substrate SUB1.

図2は、本発明による表示装置の一例を示す図であり、表示パネルに回路基板を接続した一例を示す平面図である。   FIG. 2 is a diagram showing an example of the display device according to the present invention, and is a plan view showing an example in which a circuit board is connected to the display panel.

回路基板PCB1は、電源SCC、タイミングコントローラTCON、パソコンなどの外部と接続され電源や信号が供給されるコネクタ部CJを有している。そして、この回路基板PCB1は、ゲート側のフレキシブル基板GFPCを介して表示パネルのゲート側の接続端子Tgと接続されており、表示パネルのドレイン側の接続端子TgとはテープキャリアパッケージTCPを介して接続されている。このテープキャリアパッケージTCPには、駆動用ICチップであるドレインドライバ200がテープ・オートメイティド・ボンディング法(TAB)により実装されている。映像信号駆動回路20は、このドレインドライバ200と映像信号回路201を有している。   The circuit board PCB1 has a connector portion CJ that is connected to the outside of a power source SCC, a timing controller TCON, a personal computer, etc., and is supplied with power and signals. The circuit board PCB1 is connected to the connection terminal Tg on the gate side of the display panel via the flexible substrate GFPC on the gate side, and connected to the connection terminal Tg on the drain side of the display panel via the tape carrier package TCP. It is connected. On this tape carrier package TCP, a drain driver 200 which is a driving IC chip is mounted by a tape automated bonding method (TAB). The video signal driving circuit 20 includes the drain driver 200 and the video signal circuit 201.

図3は、本発明による表示装置の等価回路の一例を示す図である。   FIG. 3 is a diagram showing an example of an equivalent circuit of the display device according to the present invention.

表示領域ARには、基板SUB1上に、図の左右方向に延在し上下方向に並設される複数のゲート配線GL(GL1,GL2,…)と、このゲート配線GLに交差するように図の上下方向に延在し左右方向に並設されるドレイン配線DL(DL1,DL2,DL3,…)とが形成されてマトリクスを構成している。そして、このマトリクスに対応して画素がマトリクス状に配置されている。ゲート配線GLは走査駆動回路10に接続されており、ドレイン配線DLは映像信号駆動回路20の映像信号回路201に接続されている。各画素は、アクティブ素子として薄膜トランジスタTFTを有しており、ゲート電極がゲート配線GLに、ドレイン電極がドレイン配線DLに、ソース電極が図示しない画素電極に接続されている。この薄膜トランジスタTFTは、本実施例においてはポリシリコン薄膜トランジスタとし、n型のTFTとした。   In the display area AR, a plurality of gate wirings GL (GL1, GL2,...) Extending in the horizontal direction in the figure and arranged in parallel in the vertical direction on the substrate SUB1 and the gate wiring GL are crossed. The drain wirings DL (DL1, DL2, DL3,...) Extending in the vertical direction and juxtaposed in the horizontal direction are formed to form a matrix. Then, pixels are arranged in a matrix corresponding to this matrix. The gate line GL is connected to the scanning drive circuit 10, and the drain line DL is connected to the video signal circuit 201 of the video signal drive circuit 20. Each pixel has a thin film transistor TFT as an active element, the gate electrode is connected to the gate wiring GL, the drain electrode is connected to the drain wiring DL, and the source electrode is connected to a pixel electrode (not shown). In this embodiment, the thin film transistor TFT is a polysilicon thin film transistor, which is an n-type TFT.

また、基板SUB1上には共通電極配線CL(CL1,CL2,…)が形成されている。そして、各画素は図示しない対向電極を有しており、この共通電極配線CLに接続されている。そして、画素電極と対向電極とが図示しない液晶層CLを介して液晶容量Clcを形成している。また、共通電極配線CLは画素電極との間で保持容量Cstgを形成しており、これによって画素電極に書き込まれた映像信号の電位を比較的長く保持する役割を果たす。   Further, common electrode lines CL (CL1, CL2,...) Are formed on the substrate SUB1. Each pixel has a counter electrode (not shown) and is connected to the common electrode line CL. The pixel electrode and the counter electrode form a liquid crystal capacitor Clc through a liquid crystal layer CL (not shown). The common electrode line CL forms a storage capacitor Cstg with the pixel electrode, thereby holding the potential of the video signal written in the pixel electrode relatively long.

R,G,Bはそれぞれ赤、緑、青の画素に相当し、図の縦方向に同じ色の画素が並べられ、図の横方向にはR,G,B,R,G,B,・・・と繰り返されてストライプ状に配置されている。そして、これらの色を実現するために、対向基板SUB2には対応する赤、緑、青の図示しないカラーフィルタがストライプ状に形成されている。   R, G, and B correspond to red, green, and blue pixels, respectively, and pixels of the same color are arranged in the vertical direction of the figure, and R, G, B, R, G, B,. .. Repeatedly arranged in stripes. In order to realize these colors, corresponding color filters (not shown) of red, green, and blue are formed in stripes on the counter substrate SUB2.

ゲート配線GLには走査駆動回路10により1行目のゲート配線GL1から最下行のゲート配線まで順に走査信号が印加され、これによって走査された行の画素の薄膜トランジスタTFTがオンされる。一方、ドレイン配線DLには映像信号駆動回路20から映像信号が印加され、オンとなった薄膜トランジスタTFTを介して映像信号が画素電極に書き込まれる。共通電極配線CLにはコモン電位が印加されており、画素電極と対向電極との間の電位差によって画素内に面内方向の横電界が発生し、これによって液晶層LCの液晶が駆動されることにより、表示パネルに入射して液晶層LCを通った光が表示パネルから出射される量を制御して表示が行われる。このような横電界を利用した表示方式は横電界スイッチング(IPS:In−Plane Switching)方式と呼ばれている。   A scanning signal is sequentially applied to the gate wiring GL from the gate wiring GL1 in the first row to the gate wiring in the lowermost row by the scanning driving circuit 10, and thereby the thin film transistor TFT of the pixel in the scanned row is turned on. On the other hand, a video signal is applied from the video signal driving circuit 20 to the drain wiring DL, and the video signal is written into the pixel electrode via the thin film transistor TFT which is turned on. A common potential is applied to the common electrode wiring CL, and a lateral electric field in the in-plane direction is generated in the pixel due to a potential difference between the pixel electrode and the counter electrode, and thereby the liquid crystal of the liquid crystal layer LC is driven. Thus, display is performed by controlling the amount of light that enters the display panel and passes through the liquid crystal layer LC and is emitted from the display panel. A display method using such a horizontal electric field is called a horizontal electric field switching (IPS: In-Plane Switching) method.

尚、本実施例ではIPS方式を例に説明しているが、共通電極配線CLと対向電極を基板SUB1側に形成するかわりに対向基板SUB2側に対向電極を形成した縦電界方式の液晶表示装置としても良い。   In this embodiment, the IPS mode is described as an example. However, instead of forming the common electrode wiring CL and the counter electrode on the substrate SUB1 side, a vertical electric field type liquid crystal display device in which the counter electrode is formed on the counter substrate SUB2 side. It is also good.

また、本実施例では走査駆動回路10から遠くなるにつれて走査信号が遅延したり波形がなまったりするのを低減するためにゲート配線GLには図の左右両方に設けられた走査駆動回路10の両方から走査信号が印加される構成としているが、これに限らず片側だけとしても良い。   Further, in this embodiment, both the scanning drive circuits 10 provided on both the left and right sides of the figure are provided on the gate wiring GL in order to reduce the delay of the scanning signal and the waveform being lost as the distance from the scanning drive circuit 10 increases. However, the present invention is not limited to this, and only one side may be used.

走査駆動回路10や映像信号駆動回路20のドレインドライバ200や映像信号回路201や共通電極配線CLに必要な信号(電源や制御信号)は電源回路SCC及びタイミングコントローラTCONから供給されている。   Signals (power supply and control signal) necessary for the scan driver circuit 10, the drain driver 200 of the video signal drive circuit 20, the video signal circuit 201, and the common electrode wiring CL are supplied from the power supply circuit SCC and the timing controller TCON.

ドレイン配線DLは検査回路CCに接続されており、基板SUB1上に設けられた検査端子CPADを利用してドレイン配線DLの断線の検査が可能となっている。   The drain wiring DL is connected to the inspection circuit CC, and the disconnection of the drain wiring DL can be inspected using the inspection terminal CPAD provided on the substrate SUB1.

[第1の実施例]
図4は、本発明による表示装置の第1の実施例における走査駆動回路の構成の一例を説明する図である。
[First embodiment]
FIG. 4 is a diagram for explaining an example of the configuration of the scan driving circuit in the first embodiment of the display device according to the present invention.

本実施例に用いられる走査駆動回路10は、シフトレジスタ100と駆動部DRVを備えている。シフトレジスタ100は複数段の出力V1(V1n,V1n+1,…)を有しており、図示しないシフトレジスタスタートパルスVINを受けた後、図示しないクロックCK1,CK2に同期してn番目,n+1番目,…の出力V1n,V1n+1,…に順次出力を出す。そして、これらの出力V1n,V1n+1,…は、それぞれ対応するn番目,n+1番目,…の駆動部DRVn,DRVn+1,…に入力され、それぞれの駆動部DRVn,DRVn+1,…から対応するn番目,n+1番目,…のゲート配線GLn,GLn+1,…に走査信号を印加することで走査を行う。   The scan drive circuit 10 used in this embodiment includes a shift register 100 and a drive unit DRV. The shift register 100 has a plurality of stages of outputs V1 (V1n, V1n + 1,...). After receiving a shift register start pulse VIN (not shown), the shift register 100 is synchronized with clocks CK1 and CK2 (not shown). Are sequentially output to outputs V1n, V1n + 1,. These outputs V1n, V1n + 1,... Are respectively input to the corresponding nth, n + 1th,... Drive units DRVn, DRVn + 1,. The scanning is performed by applying a scanning signal to the gate wirings GLn, GLn + 1,.

ここで、駆動部DRVnは、昇圧回路101を有している。この昇圧回路101には、シフトレジスタ出力V1nと、このシフトレジスタ出力V1nよりも電圧振幅が大きい複数の走査信号の列である共通走査信号V5とが入力されている。また、この共通制御信号V5は、他の駆動部DRVn+1などにも共通に入力されるようになっている。昇圧回路101は、スイッチ103を有している。このスイッチ103はシフトレジスタ出力V1nによって制御され、共通走査信号V5の複数の走査信号の列のうちシフトレジスタ出力V1nが入力された期間に入力されたものを選択して走査信号を対応するゲート配線GLnに出力する。この走査信号はシフトレジスタ出力V1nよりも電圧振幅が大きい信号となっている。したがって、シフトレジスタ100の駆動電圧は走査信号の電圧振幅よりも低くなっているため消費電力の低減ができる。   Here, the drive unit DRVn has a booster circuit 101. The booster circuit 101 is supplied with a shift register output V1n and a common scanning signal V5 which is a column of a plurality of scanning signals having a voltage amplitude larger than that of the shift register output V1n. The common control signal V5 is also input in common to other drive units DRVn + 1. The booster circuit 101 has a switch 103. The switch 103 is controlled by the shift register output V1n, and selects a signal input during a period in which the shift register output V1n is input from among a plurality of scanning signal columns of the common scanning signal V5, and selects the scanning signal corresponding to the gate wiring. Output to GLn. This scanning signal has a larger voltage amplitude than the shift register output V1n. Therefore, since the drive voltage of the shift register 100 is lower than the voltage amplitude of the scanning signal, power consumption can be reduced.

また、駆動部DRVnはリセット回路102を有している。このリセット回路102は、シフトレジスタ出力V1nが入力され、その反転信号V4を出力する反転回路105を有している。また、リセット回路102には、ゲート配線GLに接続された画素の薄膜トランジスタTFTのオフ電位VSが入力される。そして、リセット回路102は反転信号V4により制御されるスイッチ104を有しており、このスイッチ104を介して対応するゲート配線GLnにオフ電位VSを出力する。このように、昇圧回路101のスイッチ103とリセット回路102のスイッチ104は排他制御され、リセット回路102は昇圧回路101にシフトレジスタ出力V1nが入力されていない期間に、対応するゲート配線GLnに画素の薄膜トランジスタTFTのオフ電位VSを印加する。このように、走査していない期間にゲート配線GLnがフローティングとなるのを防いでいる。これにより、フローティングの場合に生ずるドレイン配線DLの電圧変動によるゲート配線GLnの電圧の変化を低減でき、画質に与える影響を低減できる。尚、このオフ電位VSは他の駆動部DRVn+1などにも共通に入力されるようになっている。   The drive unit DRVn has a reset circuit 102. The reset circuit 102 has an inverting circuit 105 that receives the shift register output V1n and outputs an inverted signal V4 thereof. Further, the reset circuit 102 receives the off potential VS of the thin film transistor TFT of the pixel connected to the gate wiring GL. The reset circuit 102 has a switch 104 controlled by the inversion signal V4, and outputs the off potential VS to the corresponding gate wiring GLn via the switch 104. In this manner, the switch 103 of the booster circuit 101 and the switch 104 of the reset circuit 102 are exclusively controlled, and the reset circuit 102 is connected to the corresponding gate wiring GLn during the period when the shift register output V1n is not input to the booster circuit 101. An off potential VS of the thin film transistor TFT is applied. In this way, the gate wiring GLn is prevented from floating during a period not being scanned. Thereby, the change in the voltage of the gate wiring GLn due to the voltage fluctuation of the drain wiring DL that occurs in the floating state can be reduced, and the influence on the image quality can be reduced. The off-potential VS is input in common to other drive units DRVn + 1.

本実施例では反転信号V4をリセット回路102の中の反転回路105により生成しているが、これに限らず、別途生成された反転信号V4を駆動部DRVnに入力する構成としても良い。   In this embodiment, the inversion signal V4 is generated by the inversion circuit 105 in the reset circuit 102. However, the present invention is not limited to this, and the inversion signal V4 generated separately may be input to the drive unit DRVn.

以上、駆動部DRVnを例に説明したが、他の駆動部DRVn+1なども駆動部DRVnと同様の構成となっている。   The drive unit DRVn has been described above as an example, but the other drive units DRVn + 1 and the like have the same configuration as the drive unit DRVn.

尚、これらの動作に必要な信号である電源や制御信号は、電源SCC及びタイミングコントローラTCONから供給され、これら電源回路SCC及びタイミングコントローラTCONは制御回路の役割を果たす。本実施例では、シフトクロックスタートパルスVIN、クロックCK1,CK2、共通走査信号V5及びオフ電位VSが制御回路から供給される。   Note that the power and control signals necessary for these operations are supplied from the power SCC and the timing controller TCON, and the power circuit SCC and the timing controller TCON serve as a control circuit. In this embodiment, the shift clock start pulse VIN, the clocks CK1 and CK2, the common scanning signal V5, and the off potential VS are supplied from the control circuit.

次に、具体的な回路構成の例について説明する。   Next, an example of a specific circuit configuration will be described.

図5は、本発明の第1の実施例における駆動部の回路構成の一例を説明する図である。図6は、図5の駆動部の回路の動作の一例を説明する波形図である。図7は、図5の駆動部の中のリセット回路の動作の一例を説明する波形図である。   FIG. 5 is a diagram for explaining an example of the circuit configuration of the drive unit in the first embodiment of the present invention. FIG. 6 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the circuit of the drive unit in FIG. FIG. 7 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the reset circuit in the drive unit of FIG.

ここでは、代表としてn番目の駆動部DRVnを例に説明する。   Here, the n-th drive unit DRVn will be described as an example.

駆動部DRVnのうち、昇圧回路101はトランジスタTR4,TR5と、容量素子C2とを有している。また、リセット回路102は、トランジスタTR1,TR2,TR3,TR6と容量素子C1とを有している。また、それ以外に、駆動部DRVnはトランジスタTR7,TR8,TR9を有している。駆動部DRVnに用いられているトランジスタTR1〜TR9はn型のポリシリコン薄膜トランジスタであり、基板SUB1上に一体に形成されている。これらは画素の薄膜トランジスタTFTと同じ導電型であるため、画素と駆動部DRVのトランジスタは単チャネルとなっている。従って、少ない製造プロセス数で製造することができる。尚、シフトレジスタ100をCMOS回路で構成する場合にはシフトレジスタ100を基板SUB1上に一体形成するのではなく別部品として設ければ基板SUB1上は単チャネル構成となるため製造プロセス数が少なくて済む。トランジスタTR1〜TR9はゲート電極と第1電極と第2電極とを有しており、本実施例では閾値を2Vと仮定して説明する。また、トランジスタの寄生容量などは無視して考える。また、本明細書においては電圧などについて具体的に数値を上げて説明しているが、あくまでこれは一例であり、技術思想を逸脱しない範囲で適宜変更が可能である。   Of the drive unit DRVn, the booster circuit 101 includes transistors TR4 and TR5 and a capacitive element C2. The reset circuit 102 includes transistors TR1, TR2, TR3, TR6 and a capacitor element C1. In addition, the drive section DRVn includes transistors TR7, TR8, TR9. The transistors TR1 to TR9 used in the drive unit DRVn are n-type polysilicon thin film transistors and are integrally formed on the substrate SUB1. Since these have the same conductivity type as the thin film transistor TFT of the pixel, the pixel and the transistor of the drive unit DRV are single channel. Therefore, it can be manufactured with a small number of manufacturing processes. When the shift register 100 is constituted by a CMOS circuit, if the shift register 100 is not formed integrally on the substrate SUB1, but provided as a separate part, the substrate SUB1 has a single channel structure, so the number of manufacturing processes is small. That's it. The transistors TR1 to TR9 each have a gate electrode, a first electrode, and a second electrode. In this embodiment, the description will be made assuming that the threshold is 2V. In addition, the transistor parasitic capacitance is ignored. Further, in the present specification, the voltage and the like are described with specific numerical values raised, but this is merely an example, and can be appropriately changed without departing from the technical idea.

電圧V3はトランジスタTR1のゲート電極の電圧を示し、電圧V6はトランジスタTR5のゲート電極の電圧を示す。駆動部出力V7は駆動部DRVnの出力であり、これが走査信号として対応するゲート配線GLnに印加される。   The voltage V3 indicates the voltage of the gate electrode of the transistor TR1, and the voltage V6 indicates the voltage of the gate electrode of the transistor TR5. The drive unit output V7 is an output of the drive unit DRVn, and this is applied as a scanning signal to the corresponding gate wiring GLn.

n番目のシフトレジスタ出力V1nは、図6に示すようにタイミングT1で0V(Low)から10V(High)に変化し、タイミングT4で再び0Vに戻る。このタイミングT1からタイミングT4の期間がシフトレジスタ100の出力の期間となる。   As shown in FIG. 6, the n-th shift register output V1n changes from 0V (Low) to 10V (High) at timing T1, and returns to 0V again at timing T4. The period from the timing T1 to the timing T4 is an output period of the shift register 100.

リセット回路102に入力されるオフ出力VSは0Vである。リセット回路102に入力されるクロックV2は0V(Low)と10V(High)の値を持つ。駆動部DRVnに入力される切替スイッチ信号VB1は10V、切替スイッチ信号VB2は0Vであり、これらの詳細は後述する。共通走査信号V5は0V(Low)と20V(High)の値を持つ走査信号の列であり、その電圧振幅は20Vとなっておりシフトレジスタの動作電圧よりも大きくなっている。これらのオフ出力VS、クロックV2、切替スイッチ信号VB1,VB2、共通走査信号V5は制御回路により供給され、他の駆動部DRVn+1などにも共通に入力されている。   The off output VS input to the reset circuit 102 is 0V. The clock V2 input to the reset circuit 102 has values of 0V (Low) and 10V (High). The changeover switch signal VB1 input to the drive unit DRVn is 10V, and the changeover switch signal VB2 is 0V. Details thereof will be described later. The common scanning signal V5 is a row of scanning signals having values of 0 V (Low) and 20 V (High), and the voltage amplitude thereof is 20 V, which is larger than the operating voltage of the shift register. These off output VS, clock V2, changeover switch signals VB1 and VB2, and common scanning signal V5 are supplied by the control circuit, and are also input in common to other drive units DRVn + 1.

はじめに、昇圧回路101の動作について説明する。昇圧回路101は、シフトレジスタ出力V1nが入力されている期間だけ動作を行う。   First, the operation of the booster circuit 101 will be described. The booster circuit 101 operates only during the period when the shift register output V1n is input.

切替スイッチ信号VB1は10VであるためトランジスタTR7はオンである。また、切替スイッチ信号VB2は0VであるためトランジスタTR9はオフである。   Since the changeover switch signal VB1 is 10V, the transistor TR7 is on. Further, since the changeover switch signal VB2 is 0V, the transistor TR9 is off.

タイミングT1において、シフトレジスタ出力V1nが0Vから10Vになると、後述するようにリセット回路102において反転信号V4が6V(High)から0V(Low)になる。このとき、トランジスタTR6がオフになる。したがって、この期間は駆動部出力V7は昇圧回路101の出力となる。トランジスタTR4のゲート電極には切替スイッチ信号VB1が接続されており、10Vとなっている。シフトレジスタ出力V1nはトランジスタTR4の第1電極に接続されている。ここで、トランジスタTR4の第2電極はトランジスタTR5のゲート電極と容量素子C2の第1電極に接続されており、その電圧V6はトランジスタTR4の閾値2Vだけ小さくなるので電圧V6=10V−2V=8Vで飽和する。これにより、トランジスタTR5はオンになる。トランジスタTR5の第1電極は共通走査信号V5に接続されており、第2電極は容量素子C2の第2電極とn番目のゲート配線GLnに接続されている。したがって、トランジスタTR5の第2電極の出力が駆動部出力V7となる。タイミングT1では共通走査信号V5は0Vなので、駆動部出力V7=共通走査信号V5=0Vとなる。   When the shift register output V1n is changed from 0V to 10V at the timing T1, the reset signal V4 is changed from 6V (High) to 0V (Low) in the reset circuit 102 as described later. At this time, the transistor TR6 is turned off. Therefore, during this period, the drive unit output V7 becomes the output of the booster circuit 101. The changeover switch signal VB1 is connected to the gate electrode of the transistor TR4, which is 10V. The shift register output V1n is connected to the first electrode of the transistor TR4. Here, the second electrode of the transistor TR4 is connected to the gate electrode of the transistor TR5 and the first electrode of the capacitor C2, and the voltage V6 is reduced by the threshold 2V of the transistor TR4, so the voltage V6 = 10V-2V = 8V. Saturates at. Thereby, the transistor TR5 is turned on. The first electrode of the transistor TR5 is connected to the common scanning signal V5, and the second electrode is connected to the second electrode of the capacitor C2 and the nth gate line GLn. Therefore, the output of the second electrode of the transistor TR5 becomes the drive unit output V7. Since the common scanning signal V5 is 0V at the timing T1, the drive unit output V7 = the common scanning signal V5 = 0V.

タイミングT2では、共通走査信号V5が0Vから20Vに変化する。このとき、トランジスタTR5はオン状態なので、駆動部出力V7も上昇する。すると、容量素子C2によりトランジスタTR5のゲート電極の電圧V6も一緒に上昇する。トランジスタTR5のゲート電極の電圧V6が上昇したことによりトランジスタTR5はさらに高い電圧を駆動部出力V7に出力できるようになる。これにより容量素子C2を介してさらにゲート電極の電圧V6が上昇する。このようなブートストラップ動作が短時間の間に起こり、最終的に電圧V6=8V+20V=28Vに、駆動部出力V7=20Vになる。   At timing T2, the common scanning signal V5 changes from 0V to 20V. At this time, since the transistor TR5 is on, the drive unit output V7 also rises. Then, the voltage V6 of the gate electrode of the transistor TR5 also rises by the capacitive element C2. As the voltage V6 of the gate electrode of the transistor TR5 increases, the transistor TR5 can output a higher voltage to the drive unit output V7. As a result, the voltage V6 of the gate electrode further rises through the capacitive element C2. Such a bootstrap operation occurs in a short time, and finally the voltage V6 = 8V + 20V = 28V and the drive unit output V7 = 20V.

タイミングT3では、共通走査信号V5が20Vから0Vに変化する。このとき、トランジスタTR5はオン状態なので、駆動部出力V7=0Vになる。電圧V6についても28Vから8Vに戻る。   At timing T3, the common scanning signal V5 changes from 20V to 0V. At this time, since the transistor TR5 is in the on state, the drive unit output V7 = 0V. The voltage V6 also returns from 28V to 8V.

タイミングT4では、シフトレジスタ出力V1nは0Vになる。トランジスタTR4はオン状態なので電圧V6=シフトレジスタ出力V1n=0Vとなる。これによりトランジスタTR5はオフとなる。   At timing T4, the shift register output V1n becomes 0V. Since the transistor TR4 is in the on state, the voltage V6 = shift register output V1n = 0V. Thereby, the transistor TR5 is turned off.

タイミングT1より前やタイミングT4より後では、シフトレジスタ出力V1nは0Vであるため、トランジスタTR5はオフ状態である。従って、この期間にも共通走査信号TR5が20Vになる期間があるが、昇圧回路101は動作せず、ゲート配線GLnには走査信号は出力されない。   Before the timing T1 and after the timing T4, the shift register output V1n is 0 V, so that the transistor TR5 is in an off state. Accordingly, although there is a period during which the common scanning signal TR5 is 20 V in this period, the booster circuit 101 does not operate and no scanning signal is output to the gate wiring GLn.

このような構成により、共通走査信号V5の中からシフトレジスタ出力V1nが入力された期間に入力されたものを選択して走査信号を対応するゲート配線GLnに出力する。これにより、シフトレジスタ100の駆動電圧は走査信号の電圧振幅よりも低くなっているため消費電力の低減ができる。また、共通走査信号V5をシフトレジスタ出力V1nとは別に用意しているため、シフトレジスタ出力の波形に依存せずに例えばその長さや電圧振幅などを自由に変更できるため、シフトレジスタを設計し直す必要がなくなるなど、設計自由度が高い。   With this configuration, the common scan signal V5 selected during the period when the shift register output V1n is input is selected and the scan signal is output to the corresponding gate line GLn. Accordingly, since the drive voltage of the shift register 100 is lower than the voltage amplitude of the scanning signal, power consumption can be reduced. In addition, since the common scanning signal V5 is prepared separately from the shift register output V1n, the length, voltage amplitude, etc. can be freely changed without depending on the waveform of the shift register output, so that the shift register is redesigned. There is a high degree of freedom in design, such as no longer necessary.

また、波形のなまりなど多少の劣化は発生するもののその程度は小さく、共通走査信号V5とほぼ同じ電圧振幅を持ったほぼ同じ波形の走査信号をゲート配線GLnに出力できる。図21のようなCMOS回路を用いたレベルシフタ302の場合には波形のなまりが生ずるためにバッファ303でなまりを取る必要があるが、本実施例の構成によればレベルシフタ302は不要であり、波形のなまりも少ないためバッファ303が不要となる。また、ブートストラップのための容量素子C2を駆動部出力V7に接続しているため、自分自身の出力でブートストラップ動作が行われる。   Further, although some deterioration such as a rounded waveform occurs, the degree thereof is small, and a scanning signal having substantially the same voltage amplitude as that of the common scanning signal V5 can be output to the gate line GLn. In the case of the level shifter 302 using the CMOS circuit as shown in FIG. 21, since rounding of the waveform occurs, it is necessary to remove rounding by the buffer 303. However, according to the configuration of this embodiment, the level shifter 302 is unnecessary and the waveform Since there is little rounding, the buffer 303 becomes unnecessary. Further, since the capacitor C2 for bootstrapping is connected to the drive unit output V7, the bootstrap operation is performed with its own output.

次に、リセット回路102の動作について説明する。   Next, the operation of the reset circuit 102 will be described.

タイミングT1では、図7に示すようにシフトレジスタ出力V1nが0Vから10Vになり、クロックV2が0Vから10Vになる。この時、トランジスタTR2がオンになり、反転信号V4=オフ電位VS=0Vとなる。電圧V3は容量素子C1によりクロックV2に同期して上昇するが、トランジスタTR1により構成されたダイオードによって電圧V3は反転信号V4から閾値の2V分だけ高くなった2Vで飽和し、トランジスタTR1はオフ状態となる。   At the timing T1, as shown in FIG. 7, the shift register output V1n is changed from 0V to 10V, and the clock V2 is changed from 0V to 10V. At this time, the transistor TR2 is turned on, and the inverted signal V4 = off potential VS = 0V. The voltage V3 rises in synchronization with the clock V2 by the capacitive element C1, but the voltage V3 is saturated by 2V which is higher than the inverted signal V4 by the threshold 2V by the diode constituted by the transistor TR1, and the transistor TR1 is in the off state. It becomes.

タイミングT5では、クロックV2が10Vから0Vに変化する。この時、容量素子C1により電圧V3も下降し、−2Vよりも小さくなる。すると、ダイオードを構成するトランジスタTR3がオン状態となり、電圧V3=オフ電圧VS−閾値2V=0V−2V=−2Vで飽和し、トランジスタTR3はオフ状態となる。   At timing T5, the clock V2 changes from 10V to 0V. At this time, the voltage V3 also drops due to the capacitive element C1, and becomes smaller than -2V. Then, the transistor TR3 constituting the diode is turned on, and is saturated with the voltage V3 = off voltage VS−threshold 2V = 0V−2V = −2V, and the transistor TR3 is turned off.

タイミングT4では、シフトレジスタ出力V1nは10Vから0Vになり、クロックV2が0Vから10Vに変化する。この時、トランジスタTR2はオフ状態になる。また、容量素子C1により、クロックV2に同期して電圧V3が−2Vから10V分上昇し、8Vになる。すると、ダイオードを構成するトランジスタTR1がオン状態になり、反転信号V4は閾値の2V分だけ下がった6Vで飽和し、トランジスタTR1はオフ状態となる。尚、タイミングT1より前についても反転信号V4は6Vになっている。   At timing T4, the shift register output V1n changes from 10V to 0V, and the clock V2 changes from 0V to 10V. At this time, the transistor TR2 is turned off. Further, due to the capacitive element C1, the voltage V3 rises by 10V from −2V to 8V in synchronization with the clock V2. Then, the transistor TR1 constituting the diode is turned on, the inverted signal V4 is saturated at 6V that is lowered by 2V of the threshold value, and the transistor TR1 is turned off. The inversion signal V4 is 6V before the timing T1.

タイミングT6では、クロックV2が10Vから0Vに変化する。この時、容量素子C1により電圧V3は10Vだけ下降して−2Vとなる。この時、ダイオードを構成するトランジスタTR1はオフ状態のままで、トランジスタTR2もオフ状態であるため、反転信号V4は6Vのまま変化しない。   At timing T6, the clock V2 changes from 10V to 0V. At this time, the voltage V3 drops by 10V to −2V by the capacitive element C1. At this time, the transistor TR1 forming the diode remains in the off state and the transistor TR2 is also in the off state, so that the inverted signal V4 remains 6V.

以上の動作により、シフトレジスタ出力V1nから反転信号V4が生成され、シフトレジスタ出力V1nがあるときは反転信号V4は0Vに、シフトレジスタ出力V1nがないときは反転信号V4は6Vになる。反転信号V4が6Vの時は、トランジスタTR6がオン状態となり、トランジスタTR7もオン状態であるので駆動部出力V7にはオフ電位VSが出力され0Vとなる。このようにして、昇圧回路101のトランジスタTR5とリセット回路102のトランジスタTR6とは排他制御され、昇圧回路101が動作していない間はリセット回路102からオフ電位VSを出力することでゲート配線GLnがフローティングにならないようにしている。   Through the above operation, the inverted signal V4 is generated from the shift register output V1n. When the shift register output V1n is present, the inverted signal V4 is 0V, and when there is no shift register output V1n, the inverted signal V4 is 6V. When the inversion signal V4 is 6V, the transistor TR6 is turned on and the transistor TR7 is also turned on, so the off potential VS is output to the drive unit output V7 and becomes 0V. In this way, the transistor TR5 of the booster circuit 101 and the transistor TR6 of the reset circuit 102 are exclusively controlled. While the booster circuit 101 is not operating, the reset circuit 102 outputs the off potential VS, whereby the gate wiring GLn is I try not to float.

次に、切替スイッチ回路について説明する。   Next, the changeover switch circuit will be described.

図8は、本発明の第1の実施例における駆動部の切替スイッチ回路の回路構成の一例を説明する図である。図9は、図8の駆動部の回路の動作の一例を説明する波形図である。   FIG. 8 is a diagram illustrating an example of the circuit configuration of the changeover switch circuit of the drive unit according to the first embodiment of the present invention. FIG. 9 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the circuit of the drive unit of FIG.

図8に示すように、駆動部DRVnは切替スイッチ回路106を有している。図8に示した回路は図5に示した回路と同じであり、切替スイッチ回路106に相当する部分を囲って示しただけである。切替スイッチ回路106は、トランジスタTR4,TR6,TR7、TR8,TR9を有している。この中で、トランジスタTR4は昇圧回路101と共有されており、トランジスタTR6はリセット回路102と共有されている。   As shown in FIG. 8, the drive unit DRVn has a changeover switch circuit 106. The circuit shown in FIG. 8 is the same as the circuit shown in FIG. 5, and only the part corresponding to the changeover switch circuit 106 is shown. The changeover switch circuit 106 includes transistors TR4, TR6, TR7, TR8, and TR9. Among them, the transistor TR4 is shared with the booster circuit 101, and the transistor TR6 is shared with the reset circuit 102.

次に、図9を用いて切替スイッチ回路の動作について説明する。   Next, the operation of the changeover switch circuit will be described with reference to FIG.

図9に示すように、タイミングT7より前では切替スイッチ信号VB1は接地電位の0Vで、切替スイッチ信号VB2は直流電圧信号の10Vとなっている。このタイミングT7より前の期間が昇圧回路101の動作を停止させるOFF期間である。一方、タイミングT7以後は切替スイッチ信号VB1は直流電圧信号の10Vで、切替スイッチ信号VB2は接地電位の0Vとなっている。このタイミングT7以降の期間が昇圧回路101の動作を許可するON期間である。   As shown in FIG. 9, before the timing T7, the changeover switch signal VB1 is 0V of the ground potential, and the changeover switch signal VB2 is 10V of the DC voltage signal. A period before the timing T7 is an OFF period in which the operation of the booster circuit 101 is stopped. On the other hand, after the timing T7, the changeover switch signal VB1 is a DC voltage signal of 10V, and the changeover switch signal VB2 is a ground potential of 0V. A period after the timing T7 is an ON period in which the operation of the booster circuit 101 is permitted.

OFF期間では、切替スイッチ信号VB1が0Vである。従って、トランジスタTR4はオフ状態である。これにより、タイミングT1でシフトレジスタ出力V1nが入力されても電圧V6は変化せず、トランジスタTR5はオフ状態のままである。また、トランジスタTR7についても切替スイッチ信号VB1が0Vであるためオフ状態となる。また、切替スイッチ信号VB2は10Vであるため、トランジスタTR9がオン状態になる。すると、タイミングT4で反転信号V4が6Vになった時、トランジスタTR8がオン状態となり、電圧V6はオフ電位VSに等しい0Vとなる。これによって、トランジスタTR5はオフ状態が維持され、共通制御信号V5の出力は駆動部出力V7に出力されない。このように、OFF期間では昇圧回路101の動作が停止される。また、トランジスタTR5,TR7ともにオフ状態であることから駆動部出力V7はフローティングとなる。   In the OFF period, the changeover switch signal VB1 is 0V. Accordingly, the transistor TR4 is in an off state. Accordingly, even when the shift register output V1n is input at the timing T1, the voltage V6 does not change, and the transistor TR5 remains in the off state. The transistor TR7 is also turned off because the changeover switch signal VB1 is 0V. Further, since the changeover switch signal VB2 is 10V, the transistor TR9 is turned on. Then, when the inverted signal V4 becomes 6V at timing T4, the transistor TR8 is turned on, and the voltage V6 becomes 0V which is equal to the off potential VS. As a result, the transistor TR5 is maintained in the OFF state, and the output of the common control signal V5 is not output to the drive unit output V7. Thus, the operation of the booster circuit 101 is stopped in the OFF period. Since both the transistors TR5 and TR7 are in the off state, the drive unit output V7 is in a floating state.

一方、ON期間では、昇圧回路101の動作が許可され、図5から図7を用いて説明した通りの動作を行う。   On the other hand, in the ON period, the operation of the booster circuit 101 is permitted, and the operation as described with reference to FIGS. 5 to 7 is performed.

このような切替スイッチ回路106を用いると、次のような利点がある。すなわち、電源投入直後はシフトレジスタ100の出力が不安定であり、1番目の出力以外の場所からも出力が開始される場合がある。これは1ヶ所だけに限られず、複数の出力端子から出力が出てしまう場合もある。しかし、表示を開始する前に切替スイッチ回路106によって昇圧回路101の動作を停止させた状態でシフトレジスタ100を一巡以上走査を行えば、このような異常な出力はなくなる。その後、切替スイッチ回路106により昇圧回路101の動作を許可し、表示を開始すればよい。   Use of such a changeover switch circuit 106 has the following advantages. That is, immediately after the power is turned on, the output of the shift register 100 is unstable, and the output may be started from a place other than the first output. This is not limited to only one location, and there are cases where outputs are output from a plurality of output terminals. However, if the shift register 100 is scanned once or more in a state where the operation of the booster circuit 101 is stopped by the changeover switch circuit 106 before the display is started, such an abnormal output is eliminated. Thereafter, the operation of the booster circuit 101 may be permitted by the changeover switch circuit 106 and display may be started.

また、このような切替スイッチ回路106を用いると、走査駆動回路10を図3に示したように2つ設けた場合に、切替スイッチ回路により片側の走査駆動回路10のみOFF期間にし、もう片側の走査駆動回路10のみON期間にして駆動することも可能となる。この場合、OFF期間になっている走査駆動回路の出力はフローティングとなっているので動作に影響を及ぼさない。これにより、片側の走査駆動回路10に問題が発生してももう片側の走査駆動回路10により駆動が可能であるため歩留まりが向上する。   Further, when such a changeover switch circuit 106 is used, when two scanning drive circuits 10 are provided as shown in FIG. 3, only one side of the scan drive circuit 10 is turned off by the changeover switch circuit, and the other side is provided. Only the scanning drive circuit 10 can be driven in the ON period. In this case, the output of the scanning drive circuit in the OFF period is in a floating state and thus does not affect the operation. Thereby, even if a problem occurs in the scanning drive circuit 10 on one side, the drive can be performed by the scanning drive circuit 10 on the other side, so that the yield is improved.

次に、走査駆動回路10全体の動作について説明する。   Next, the operation of the entire scan driving circuit 10 will be described.

図10は、本発明の第1の実施例における走査駆動回路の動作の一例を説明する波形図である。   FIG. 10 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the scan driving circuit in the first embodiment of the present invention.

シフトレジスタスタートパルスVINは、10Vの電圧振幅を持っている。クロックCK1,CK2は10Vの電圧振幅を持ち、互いに逆位相となっており、このクロックCK1,CK2に同期してシフトレジスタ100のシフト動作が行われる。n番目のシフトレジスタ出力V1nとn+1番目のシフトレジスタ出力V1n+1は10Vの電圧振幅で、両者は時間的に重ならないようになっている。尚、シフトレジスタ100からは後述するように時間的に重なった出力を取り出すことは可能であるが、本実施例では取り出していない。   The shift register start pulse VIN has a voltage amplitude of 10V. The clocks CK1 and CK2 have a voltage amplitude of 10V and have opposite phases, and the shift operation of the shift register 100 is performed in synchronization with the clocks CK1 and CK2. The nth shift register output V1n and the (n + 1) th shift register output V1n + 1 have a voltage amplitude of 10V, and they do not overlap in time. Although it is possible to take out temporally overlapped outputs from the shift register 100 as will be described later, they are not taken out in this embodiment.

共通走査信号V5はシフトレジスタ出力V1よりも大きな電圧振幅を持ち、20Vである。これは、ある特定のn行目のゲート配線GLnに対して走査信号が印加されてから次に同じn行目に印加されるまでの間にも共通走査信号V5には走査信号の列が印加されているが、n行目のゲート配線GLnにはシフトレジスタ出力V1nが入っている期間のものだけが選択されて出力されている。次のn+1行目のゲート配線GLn+1についても同様である。このようにして、1行目から順に走査が行われる。   The common scanning signal V5 has a larger voltage amplitude than the shift register output V1, and is 20V. This is because the column of the scanning signal is applied to the common scanning signal V5 even after the scanning signal is applied to the gate wiring GLn of a specific n-th row until the next n-th row. However, only the gate wiring GLn in the period in which the shift register output V1n is input is selected and output. The same applies to the gate wiring GLn + 1 in the next n + 1 row. In this way, scanning is performed sequentially from the first line.

[第2の実施例]
図11は、本発明の第2の実施例におけるシフトレジスタの回路構成の一例を説明する図である。図12は、図11に示したシフトレジスタの動作の一例を説明する波形図である。
[Second Embodiment]
FIG. 11 is a diagram for explaining an example of the circuit configuration of the shift register in the second embodiment of the present invention. FIG. 12 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the shift register shown in FIG.

本実施例において、第1の実施例と特に異なる点は、シフトレジスタ100の構成とその出力V1の波形である。第1の実施例と同様の部分については重複説明を省略する。   This embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the shift register 100 and the waveform of its output V1. A duplicate description of the same parts as in the first embodiment is omitted.

図11において、シフトレジスタ100は、ダイオードを構成するトランジスタTR10と、トランジスタTR11と、容量素子C3とを有している。また、他にもトランジスタやポンプアップ回路107を有している。これらのトランジスタTR10,TR11などはn型のポリシリコン薄膜トランジスタであり、画素及び駆動部と同じ導電型の単チャネル構成となっている。そして、このシフトレジスタ100は基板SUB1上に一体形成されており、単チャネル構成であるため製造プロセスが少なくて済む。   In FIG. 11, the shift register 100 includes a transistor TR10, a transistor TR11, and a capacitor C3 that form a diode. In addition, a transistor and a pump-up circuit 107 are provided. These transistors TR10, TR11, etc. are n-type polysilicon thin film transistors, and have the same conductivity type single channel configuration as the pixels and the drive section. The shift register 100 is integrally formed on the substrate SUB1 and has a single channel configuration, so that the manufacturing process can be reduced.

次に、図12を用いて本実施例の動作を説明する。   Next, the operation of this embodiment will be described with reference to FIG.

6V振幅のシフトレジスタスタートパルスVINが最初のダイオードを構成するトランジスタTR10に入力されると、出力V1nは6Vから閾値2Vだけ下がった4Vとなる。この時、トランジスタTR11がオン状態になる。そして、6V振幅のクロックCK1の立ち上がりに同期して、トランジスタTR11の第2電極の電位が上昇する。これに伴い、容量素子C3を介してブートストラップ動作により出力V1nが10Vまで上昇する。そして、クロックCK1の立ち下がりに同期してトランジスタTR11がオフの状態となり、出力V1nは0Vになる。   When the 6V amplitude shift register start pulse VIN is input to the transistor TR10 that constitutes the first diode, the output V1n becomes 4V, which is lower than 6V by the threshold 2V. At this time, the transistor TR11 is turned on. Then, the potential of the second electrode of the transistor TR11 rises in synchronization with the rise of the 6V amplitude clock CK1. Along with this, the output V1n rises to 10V by the bootstrap operation through the capacitive element C3. Then, the transistor TR11 is turned off in synchronization with the falling of the clock CK1, and the output V1n becomes 0V.

次にクロックCK2の立ち上がりに同期して次の段へのシフトが起こる。   Next, a shift to the next stage occurs in synchronization with the rising edge of the clock CK2.

更にその後クロックCK1の立ち上がりに同期して次の段へのシフトが起こり、出力V1n+1への出力が開始される。   Further, a shift to the next stage occurs in synchronization with the rising edge of the clock CK1, and output to the output V1n + 1 is started.

これらの出力V1n,V1n+1を用いて第1の実施例と同様にゲート配線GLへの走査信号の印加が行える。このように、シフトレジスタ出力の波形に依存せずに共通走査信号V5の波形とほぼ同じ走査信号を印加できる。   By using these outputs V1n and V1n + 1, a scanning signal can be applied to the gate wiring GL as in the first embodiment. In this way, a scan signal substantially the same as the waveform of the common scan signal V5 can be applied without depending on the waveform of the shift register output.

本実施例によれば、シフトレジスタ100を動作させるクロックCK1,CK2が第1の実施例よりも小さい6Vでも、シフトレジスタ出力V1は最大で第1の実施例と同じ10Vが得られる。したがって、第1の実施例よりも更に消費電力の低減を図ることができる。   According to the present embodiment, even when the clocks CK1 and CK2 for operating the shift register 100 are 6V, which is smaller than that of the first embodiment, the shift register output V1 is 10V which is the same as the first embodiment. Therefore, the power consumption can be further reduced as compared with the first embodiment.

[第3の実施例]
図13は、本発明の第3の実施例における走査駆動回路の構成の一例を説明する図である。図14は、図13の走査駆動回路の動作の一例を説明する波形図である。
[Third embodiment]
FIG. 13 is a diagram for explaining an example of the configuration of the scan driving circuit in the third embodiment of the present invention. FIG. 14 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the scan drive circuit of FIG.

本実施例において図4に示した第1の実施例と特に異なる点は、共通走査信号V5に代えて共通走査信号V51,V52の2種類を設け、昇圧回路101を2つのグループに分けた点である。尚、これまでに説明した各実施例と同様の部分については重複説明を省略する。   This embodiment is particularly different from the first embodiment shown in FIG. 4 in that two types of common scanning signals V51 and V52 are provided in place of the common scanning signal V5, and the booster circuit 101 is divided into two groups. It is. In addition, duplication description is abbreviate | omitted about the part similar to each Example demonstrated so far.

第1の共通走査信号V51は図4に示した共通走査信号V5と同じである。そして、第2の共通走査信号V52は、第1の共通走査信号V51と位相が異なる波形となっている。本実施例では、位相が180度ずれた例で説明する。   The first common scanning signal V51 is the same as the common scanning signal V5 shown in FIG. The second common scanning signal V52 has a waveform having a phase different from that of the first common scanning signal V51. In the present embodiment, an example in which the phase is shifted by 180 degrees will be described.

シフトレジスタ100の奇数番目の出力V1(2n−1)は対応する駆動部DRV(2n−1)に入力されている。そして、昇圧回路101は第1の共通走査信号V51を使って動作し、ゲート配線GL(2n−1)に走査信号を出力する。そして、他の奇数番目の出力V1(2n+1)などについても同様に第1の共通走査信号V51を使って動作し、対応するゲート配線GL(2n+1)などに走査信号を印加する。   The odd-numbered output V1 (2n-1) of the shift register 100 is input to the corresponding drive unit DRV (2n-1). The booster circuit 101 operates using the first common scanning signal V51 and outputs a scanning signal to the gate wiring GL (2n−1). The other odd-numbered outputs V1 (2n + 1) and the like are similarly operated using the first common scanning signal V51, and a scanning signal is applied to the corresponding gate wiring GL (2n + 1) and the like.

一方、シフトレジスタ100の偶数番目の出力V1(2n)は対応する駆動部DRV(2n)に入力されている。そして、昇圧回路101は第2の共通走査信号V52を使って動作し、ゲート配線GL(2n)に走査信号を出力する。そして、図示しないが他の偶数番目の出力V1(2n+2)などについても同様に第2の共通走査信号V52を使って動作し、対応するゲート配線GL(2n+2)などに走査信号を印加する。   On the other hand, the even-numbered output V1 (2n) of the shift register 100 is input to the corresponding drive unit DRV (2n). The booster circuit 101 operates using the second common scanning signal V52 and outputs a scanning signal to the gate line GL (2n). Although not shown, other even-numbered outputs V1 (2n + 2) and the like are similarly operated using the second common scanning signal V52, and the scanning signal is applied to the corresponding gate wiring GL (2n + 2) and the like.

このように、それぞれの駆動部DRVの昇圧回路101は、第1の共通走査信号V51が共通に入力される第1のグループと、第2の共通走査信号V52が共通に入力され第1のグループに属さない第2のグループに分けられている。本実施例では、奇数行目のゲート配線GLに対応する昇圧回路101が第1のグループに属し、偶数行目のゲート配線GLに対応する昇圧回路が第2のグループに属している。   As described above, the booster circuit 101 of each drive unit DRV has the first group to which the first common scanning signal V51 is commonly input and the first group to which the second common scanning signal V52 is commonly input. It is divided into the second group which does not belong to. In this embodiment, the booster circuit 101 corresponding to the odd-numbered gate wiring GL belongs to the first group, and the booster circuit corresponding to the even-numbered gate wiring GL belongs to the second group.

このとき、シフトレジスタ出力V1(2n−1),V1(2n),V1(2n+1)は図14に示すようにそれぞれ一部が時間的に重なるような出力となっている。これは、第1の実施例では使っていなかったシフトレジスタ100の出力を引き出して使っている。しかし、このような場合でも対応するゲート配線GL(2n−1),GL(2n),GL(2n+1)には走査信号の印加ができる。   At this time, the shift register outputs V1 (2n-1), V1 (2n), and V1 (2n + 1) are outputs that partially overlap each other as shown in FIG. This uses the output of the shift register 100 that was not used in the first embodiment. However, even in such a case, a scanning signal can be applied to the corresponding gate wirings GL (2n-1), GL (2n), and GL (2n + 1).

本実施例により、第1の実施例と比較してシフトレジスタに使われているトランジスタの数が同じでも共通走査信号を1本増やすだけで2倍の行数のゲート配線GLの走査が可能になる。   According to this embodiment, even when the number of transistors used in the shift register is the same as that in the first embodiment, it is possible to scan the gate wiring GL having twice the number of rows by increasing one common scanning signal. Become.

[第4の実施例]
図15は、本発明の第4の実施例におけるシフトレジスタの回路構成の一例を説明する図である。図16は、図15に示したシフトレジスタの動作の一例を説明する波形図である。
[Fourth embodiment]
FIG. 15 is a diagram for explaining an example of the circuit configuration of the shift register in the fourth embodiment of the present invention. FIG. 16 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the shift register shown in FIG.

本実施例は、図13で示した第3の実施例と図11で示した第2の実施例とを組み合わせた実施例に相当する。但し、図11で示した第2の実施例と特に異なる点は、図11に示すシフトレジスタ100では使われていなかった場所から、図15に示すように出力V1(2n)を取り出している点である。これにより、シフトレジスタ100に使われているトランジスタの数が同じであっても2倍の本数のゲート配線GLの走査が可能になる。また、シフトレジスタ100、駆動部DRV、画素の全てが単チャネル構成なので基板SUB1上に走査駆動回路10を一体形成した場合に製造プロセス数が少なくて済む。また、シフトレジスタ100の駆動電圧が小さいので消費電力も低減できる。その他、これまでに説明した各実施例と同様の部分については重複説明を省略する。   This embodiment corresponds to an embodiment in which the third embodiment shown in FIG. 13 and the second embodiment shown in FIG. 11 are combined. However, the difference from the second embodiment shown in FIG. 11 is that the output V1 (2n) is taken out from a location not used in the shift register 100 shown in FIG. 11 as shown in FIG. It is. Thereby, even when the number of transistors used in the shift register 100 is the same, it is possible to scan twice as many gate wirings GL. In addition, since all of the shift register 100, the drive unit DRV, and the pixels have a single channel configuration, the number of manufacturing processes can be reduced when the scan drive circuit 10 is integrally formed on the substrate SUB1. Further, since the drive voltage of the shift register 100 is small, power consumption can be reduced. In addition, redundant description of the same parts as those of the embodiments described so far will be omitted.

[第5の実施例]
次に、映像信号駆動回路20について説明する。
[Fifth embodiment]
Next, the video signal driving circuit 20 will be described.

図17は、本発明による表示装置の第5の実施例における映像信号駆動回路の構成の一例を説明する図である。   FIG. 17 is a diagram for explaining an example of the configuration of the video signal driving circuit in the fifth embodiment of the display device according to the present invention.

本実施例における映像信号駆動回路20は、時分割方式を用いている。   The video signal drive circuit 20 in this embodiment uses a time division method.

映像信号駆動回路20は、ドレインドライバ200と、映像信号回路201とを有している。ドレインドライバ200は、1または2以上の駆動用ICチップであり、テープ・オートメイティド・ボンディング法(TAB)により実装されている。但し、これに限らず、基板SUB1上にICチップを実装する方式としてもよいし、基板SUB1以外の場所、例えば回路基板PCB1上や、フレキシブル回路基板(FPC)などに実装する方式としても良い。一方、映像信号回路201は、基板SUB1上に一体形成されている。そして、映像信号回路201は、分配回路202を有している。ドレイン配線DL(DL1,DL2,DL3,DL4,…)は、隣り合う3本で1組になっており、それぞれの分配回路202に接続されている。このドレイン配線DLの1組には、赤(R)、緑(G)、青(B)それぞれに対応するドレイン配線DLが1本ずつ含まれている。   The video signal drive circuit 20 includes a drain driver 200 and a video signal circuit 201. The drain driver 200 is one or more driving IC chips, and is mounted by a tape automated bonding method (TAB). However, the present invention is not limited to this, and a method of mounting an IC chip on the substrate SUB1 may be used, or a method of mounting on a place other than the substrate SUB1, for example, on the circuit board PCB1 or a flexible circuit board (FPC). On the other hand, the video signal circuit 201 is integrally formed on the substrate SUB1. The video signal circuit 201 has a distribution circuit 202. The drain wirings DL (DL1, DL2, DL3, DL4,...) Form a set of three adjacent lines, and are connected to each distribution circuit 202. One set of drain wirings DL includes one drain wiring DL corresponding to each of red (R), green (G), and blue (B).

ドレインドライバ200のそれぞれの出力は、共通映像信号配線CVL(CVL1,CVL2,…)を介してそれぞれ分配回路202に入力される。ドレインドライバ200は、1番目の出力端子から、ゲート配線GLを1行走査する1水平期間の間に赤(R)、緑(G)、青(B)の3画素のそれぞれに対する映像信号を時分割で1番目の共通映像信号配線CVL1に出力する。そして、分配回路202は、この時分割で出力された映像信号を対応するR、G、Bそれぞれのドレイン配線DL1、DL2、DL3に分配する。同様に、ドレインドライバ200の2番目の出力端子からは2番目の共通映像信号配線CVL2に映像信号が時分割で出力され、分配回路202により次のドレイン配線の組DL4、DL5、DL6に分配される。3番目以降のドレインドライバ200の出力についても同様である。   Each output of the drain driver 200 is input to the distribution circuit 202 via the common video signal wiring CVL (CVL1, CVL2,...). The drain driver 200 outputs video signals from the first output terminal to each of the three pixels of red (R), green (G), and blue (B) during one horizontal period of scanning the gate wiring GL for one row. The divided signal is output to the first common video signal line CVL1. Then, the distribution circuit 202 distributes the video signal output in this time division to the corresponding R, G, B drain wirings DL1, DL2, DL3. Similarly, the video signal is output from the second output terminal of the drain driver 200 to the second common video signal line CVL2 in a time-sharing manner, and is distributed to the next set of drain lines DL4, DL5, DL6 by the distribution circuit 202. The The same applies to the outputs of the third and subsequent drain drivers 200.

本実施例ではドレイン配線DLを3本で1組にしているが、2本以上を1組にすればよい。そして、ドレインドライバ200は、この1組に含まれている2本以上のドレイン配線DLに印加する映像信号を時分割で共通映像信号配線CVLに出力し、分配回路202は、共通映像信号配線CVLに時分割で出力された映像信号を対応するドレイン配線DLに分配する。   In this embodiment, three drain wirings DL are used as one set, but two or more may be used as one set. The drain driver 200 outputs video signals applied to two or more drain wirings DL included in the set to the common video signal wiring CVL in a time division manner, and the distribution circuit 202 outputs the common video signal wiring CVL. The video signal output in a time division manner is distributed to the corresponding drain wiring DL.

図18は、図17における分配回路の一例を説明する図である。図19は、図18に示した回路の動作の一例を説明する波形図である。   FIG. 18 is a diagram illustrating an example of the distribution circuit in FIG. FIG. 19 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the circuit shown in FIG.

1番目の共通映像信号配線CVL1から3本のドレイン配線DL1,DL2,DL3に分配する分配回路202に着目して説明をする。1番目のゲート配線GL1に走査信号が印加されている間に、ドレインドライバ200は、共通映像信号配線CVL1に対して、赤、緑、青の画素のそれぞれに対応する映像信号R1、G1、B1を時分割で出力する。本実施例では、映像信号の最大の電圧振幅は12Vとして説明する。   Description will be made by paying attention to the distribution circuit 202 that distributes the first common video signal line CVL1 to the three drain lines DL1, DL2, and DL3. While the scanning signal is applied to the first gate line GL1, the drain driver 200 applies video signals R1, G1, and B1 corresponding to the red, green, and blue pixels to the common video signal line CVL1, respectively. Are output in time division. In this embodiment, the maximum voltage amplitude of the video signal is assumed to be 12V.

分配回路202は、1本の共通映像信号配線CVL1に対応するドレイン配線DL1、DL2、DL3の本数(3本)の2倍の本数(6本)の分配制御信号V21〜V26が入力されて分配の制御がなされる。本実施例では、分配制御信号の電圧振幅は10Vとした。   The distribution circuit 202 receives the distribution control signals V21 to V26 twice as many as the number (6) of the drain wirings DL1, DL2, and DL3 (3) corresponding to one common video signal wiring CVL1. Is controlled. In this embodiment, the voltage amplitude of the distribution control signal is 10V.

分配回路202は、スイッチの役割を果たすトランジスタTR24、TR25、TR26を有している。これらは、それぞれの第1電極が共通映像信号配線CVL1に接続され、それぞれの第2電極が対応するドレイン配線DL1、DL2、DL3に接続され、それぞれのゲート電極の電圧が分配制御信号V21〜V26のうちのそれぞれ対応する2本に基づいて制御される。   The distribution circuit 202 includes transistors TR24, TR25, and TR26 that serve as switches. In each of these, the first electrodes are connected to the common video signal wiring CVL1, the second electrodes are connected to the corresponding drain wirings DL1, DL2, and DL3, and the voltages of the respective gate electrodes are distributed control signals V21 to V26. Are controlled on the basis of two corresponding to each of the two.

ドレイン配線DL1への分配は、トランジスタTR24と、2本の分配制御信号V21、V22と、トランジスタTR21と、容量素子C21とにより制御される。   Distribution to the drain wiring DL1 is controlled by the transistor TR24, the two distribution control signals V21 and V22, the transistor TR21, and the capacitive element C21.

トランジスタTR24のゲート電極には、映像信号の電圧振幅よりも十分大きな電圧を入力する必要がある。もしこれが小さい場合には、トランジスタTR24のオン抵抗によりドレイン緯線DL1に対して正しい映像信号が印加できなくなってしまう。分配制御信号が十分大きな電圧を持つ信号であればドレイン配線DLの1本に対して1本の分配制御信号だけを用い、それをそのままトランジスタTR24のゲート電極に入力すれば良いが、本実施例では映像信号の最大の電圧振幅とトランジスタTR24の閾値電圧との和と等しいかそれよりも小さい電圧振幅を持つ分配制御信号を用いて制御するために、次のような工夫をしている。   It is necessary to input a voltage sufficiently larger than the voltage amplitude of the video signal to the gate electrode of the transistor TR24. If this is small, a correct video signal cannot be applied to the drain latitude line DL1 due to the ON resistance of the transistor TR24. If the distribution control signal is a signal having a sufficiently large voltage, it is sufficient to use only one distribution control signal for one drain wiring DL and input it directly to the gate electrode of the transistor TR24. Then, in order to control using a distribution control signal having a voltage amplitude equal to or smaller than the sum of the maximum voltage amplitude of the video signal and the threshold voltage of the transistor TR24, the following measures are taken.

トランジスタTR21は、ゲート電極に直流電圧信号VB3が入力され、第1電極に分配制御信号V21が入力される。容量素子C21の第1電極は分配制御信号V22と接続され、第2電極はトランジスタTR21の第2電極及びトランジスタTR24のゲート電極と接続される。尚、本実施例では直流電圧信号VB3は分配制御信号V21〜V26と同じ10Vを用いた。   In the transistor TR21, the DC voltage signal VB3 is input to the gate electrode, and the distribution control signal V21 is input to the first electrode. The first electrode of the capacitive element C21 is connected to the distribution control signal V22, and the second electrode is connected to the second electrode of the transistor TR21 and the gate electrode of the transistor TR24. In this embodiment, the DC voltage signal VB3 is 10 V which is the same as the distribution control signals V21 to V26.

初めに、分配制御信号V21が入力されると、トランジスタTR24のゲート電極の電圧V27は10Vから閾値の2Vを引いた8Vとなる。次に、タイミングT21で分配制御信号V22が入力されると、容量素子C21を介して電圧V27が更に上昇し、現在の8Vからさらに10V上昇して18Vとなる。この時、トランジスタTR21はオフ状態となる。ここで、トランジスタTR24はゲート電極は18Vであり、映像信号R1の最大の電圧振幅である12VにトランジスタTR24の閾値電圧2Vを足した14Vよりも十分大きいため、映像信号R1はドレイン配線DL1に印加されることになる。分配制御信号V22が0Vになると、容量素子C21を介して電圧V27は8Vに戻り、タイミングT22で分配制御信号V21が0Vになった時に電圧V27は0Vになり、トランジスタTR24はオフになる。   First, when the distribution control signal V21 is inputted, the voltage V27 of the gate electrode of the transistor TR24 becomes 8V obtained by subtracting the threshold value 2V from 10V. Next, when the distribution control signal V22 is input at the timing T21, the voltage V27 further increases via the capacitive element C21, and further increases by 10V from the current 8V to 18V. At this time, the transistor TR21 is turned off. Here, since the gate electrode of the transistor TR24 is 18V and is sufficiently larger than 14V obtained by adding the threshold voltage 2V of the transistor TR24 to 12V which is the maximum voltage amplitude of the video signal R1, the video signal R1 is applied to the drain wiring DL1. Will be. When the distribution control signal V22 becomes 0V, the voltage V27 returns to 8V via the capacitive element C21. When the distribution control signal V21 becomes 0V at the timing T22, the voltage V27 becomes 0V and the transistor TR24 is turned off.

このように、トランジスタTR24のゲート電極の電圧は対応する分配制御信号V21、V22の2本のうち1本目に基づいて第1の電圧8Vまで上昇され、2本目に基づいて第1の電圧よりも高い第2の電圧18Vまで上昇されており、この第2の電圧は映像信号R1の電圧の最大値とトランジスタTR24の閾値電圧との和よりも大きく、かつ、分配制御信号V21、V22の電圧よりも大きい電圧に制御されている。   As described above, the voltage of the gate electrode of the transistor TR24 is raised to the first voltage 8V based on the first of the two distribution control signals V21 and V22, and is higher than the first voltage based on the second. The voltage is raised to a high second voltage 18V, which is greater than the sum of the maximum value of the voltage of the video signal R1 and the threshold voltage of the transistor TR24, and is higher than the voltages of the distribution control signals V21 and V22. Even a large voltage is controlled.

ドレイン配線DL2、DL3への分配についてもドレイン配線DL1と同様に制御されている。ここで、トランジスタTR24に対応するのはそれぞれトランジスタTR25、TR26であり、トランジスタTR21に対応するのはそれぞれトランジスタTR22、TR23であり、容量素子C21に対応するのはそれぞれ容量素子C22、C23であり、分配制御信号V21に対応するのはそれぞれ分配制御信号V23、V25であり、分配制御信号V22に対応するのはそれぞれ分配制御信号V24、V26である。そして、ドレインドライバ200の時分割に対応して分配制御信号V21〜V26のタイミングをずらして分配を行っている。直流電圧信号VB3は共通に用いられる。   Distribution to the drain wirings DL2 and DL3 is also controlled in the same manner as the drain wiring DL1. Here, the transistors TR24 correspond to the transistors TR25 and TR26, the transistors TR21 correspond to the transistors TR22 and TR23, respectively, and the capacitors C21 correspond to the capacitors C22 and C23, respectively. The distribution control signal V21 corresponds to the distribution control signals V23 and V25, respectively, and the distribution control signal V22 corresponds to the distribution control signals V24 and V26, respectively. Then, distribution is performed by shifting the timings of the distribution control signals V21 to V26 corresponding to the time division of the drain driver 200. The DC voltage signal VB3 is used in common.

尚、2番目の共通映像信号配線CVL2やそれ以降の共通映像信号配線CVLについても同様である。ここで、分配制御信号V21〜V26は、2以上の共通映像信号配線CVLに対応する分配回路に対して共通に用いられる。   The same applies to the second common video signal wiring CVL2 and the subsequent common video signal wiring CVL. Here, the distribution control signals V21 to V26 are used in common for distribution circuits corresponding to two or more common video signal lines CVL.

トランジスタTR21〜TR26は、ポリシリコン薄膜トランジスタで基板SUB1上に一体形成され、その導電型は画素に用いられている薄膜トランジスタTFTと同じにしてある。従って、単チャネル構成であるため製造プロセス数が少なくて済む。   The transistors TR21 to TR26 are polysilicon thin film transistors that are integrally formed on the substrate SUB1 and have the same conductivity type as the thin film transistors TFT used in the pixels. Therefore, the number of manufacturing processes can be reduced because of the single channel configuration.

尚、具体的な電圧の値については本発明の技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。回路構成並びに分配制御信号V21〜V26の波形についても図18及び図19に示した例に限定されず適宜変更が可能である。   In addition, about the value of a specific voltage, it can change suitably in the range which does not deviate from the technical idea of this invention. The circuit configuration and the waveforms of the distribution control signals V21 to V26 are not limited to the examples shown in FIGS. 18 and 19 and can be changed as appropriate.

本実施例では1つの走査信号が印加されている間に3画素分の映像信号を時分割で書き込む必要があるため、高速性が要求される。そこで、第1の電圧である8V以上になっている期間を選択期間TSと定義し、第2の電圧である18Vになっている期間をブートストラップ期間TBSと定義すると、ブートストラップ期間TBSは選択期間TSの50%よりも長い方が望ましく、75%以上であることがさらに望ましい。   In this embodiment, since it is necessary to write video signals for three pixels in a time division manner while one scanning signal is being applied, high speed is required. Therefore, if the period during which the first voltage is 8V or more is defined as the selection period TS and the period during which the second voltage is 18V is defined as the bootstrap period TBS, the bootstrap period TBS is selected. It is desirable that the period TS be longer than 50%, and more desirably 75% or more.

尚、本実施例は、第1〜第4の実施例と組み合わせても良いし、単体で用いても良い。逆に、第1〜第4の実施例は、単体で用いても良いし、本実施例と組み合わせても良い。   This embodiment may be combined with the first to fourth embodiments or may be used alone. Conversely, the first to fourth embodiments may be used alone or in combination with the present embodiment.

[第6の実施例]
図20は、本発明による表示装置の一例を示す展開斜視図である。
[Sixth embodiment]
FIG. 20 is an exploded perspective view showing an example of a display device according to the present invention.

液晶表示パネルPNLは、第1〜第5の実施例の何れか1つ、あるいは2つ以上の組み合わせのものを用いている。液晶表示パネルPNLは、透過型、あるいは半透過型の液晶表示パネルを用いている。液晶表示パネルPNLの表示面側には、表示窓LCWを有する例えば金属製のシールドケースSHDが配置されている。液晶表示パネルPNLの背面にはバックライトユニットBLUが配置されている。バックライトユニットBLUは、光拡散板SPB、導光体LCB、反射板RM、バックライト光源BL、インバータ回路基板PCB2がバックライトケースLCAに収容されている。インバータ回路基板PCBはバックライト光源BLに電源を供給する。そして、導光体LCBの側面に配置されたバックライト光源からの光は、光拡散板SPB、導光体LCB、反射板RMにより面状の光源となって液晶表示パネルPNLを背面から照射する。   The liquid crystal display panel PNL uses one of the first to fifth embodiments, or a combination of two or more. The liquid crystal display panel PNL uses a transmissive or transflective liquid crystal display panel. On the display surface side of the liquid crystal display panel PNL, for example, a metal shield case SHD having a display window LCW is disposed. A backlight unit BLU is disposed on the back surface of the liquid crystal display panel PNL. In the backlight unit BLU, the light diffusion plate SPB, the light guide LCB, the reflection plate RM, the backlight light source BL, and the inverter circuit board PCB2 are accommodated in the backlight case LCA. The inverter circuit board PCB supplies power to the backlight light source BL. And the light from the backlight light source arrange | positioned at the side surface of the light guide LCB becomes a planar light source by the light diffusing plate SPB, the light guide LCB, and the reflection plate RM, and irradiates the liquid crystal display panel PNL from the back. .

液晶表示モジュールMDLは、シールドケースSHD、液晶表示パネルPNL、バックライトユニットBLUが図に示したような配置で重ねられ、シールドケースSHDに設けられた爪とフックによって全体が固定される。   In the liquid crystal display module MDL, the shield case SHD, the liquid crystal display panel PNL, and the backlight unit BLU are stacked in the arrangement as shown in the figure, and the whole is fixed by claws and hooks provided in the shield case SHD.

尚、液晶表示モジュールMDLの構成及びバックライトユニットBLUの構成はこれに限られず、さらにプリズムシートを用いるなど、適宜変更が可能である。また、本実施例ではサイドライト型のバックライトユニットBLUを例に説明したが、導光体LCBを用いずにバックライト光源を複数本液晶表示パネルPNLの背面に並べた直下型のバックライトユニットBLUを用いても良い。また、液晶表示パネルPNLに反射型の液晶表示パネルを用い、バックライトユニットBLUのかわりに液晶表示パネルPNLを表示面側から照射するフロントライトユニットを用いても良い。   The configuration of the liquid crystal display module MDL and the configuration of the backlight unit BLU are not limited to this, and can be changed as appropriate, such as using a prism sheet. Further, in this embodiment, the side light type backlight unit BLU has been described as an example, but a direct type backlight unit in which a plurality of backlight light sources are arranged on the back surface of the liquid crystal display panel PNL without using the light guide LCB. A BLU may be used. In addition, a reflective liquid crystal display panel may be used as the liquid crystal display panel PNL, and a front light unit that irradiates the liquid crystal display panel PNL from the display surface side may be used instead of the backlight unit BLU.

以上の各実施例においては、n型の薄膜トランジスタを用いた例を説明してきたが、p型の薄膜トランジスタで各回路を構成するようにしても良い。この場合は、回路構成や波形は適宜変更される。   In each of the above embodiments, an example in which an n-type thin film transistor is used has been described. However, each circuit may be configured by a p-type thin film transistor. In this case, the circuit configuration and waveform are changed as appropriate.

例えば、第5の実施例に関して言えば、図19において、トランジスタTR24のゲート電極の電圧V27はオフ状態では最も高く、分配制御信号の対応する2本であるV21、V22のうち1本目に基づいて第1の電圧まで下降され、2本目に基づいて第1の電圧よりも低い第2の電圧まで下降される。映像信号の電圧が最小値を取る場合に最も低いオン電圧が必要となるため、この第2の電圧は映像信号の電圧の最小値と薄膜トランジスタの閾値電圧(この場合は例えば−2V)との和よりも小さく、かつ、分配制御信号V21、V22の電圧よりも小さい電圧に制御される。これにより、トランジスタTR24の十分なスイッチングが可能となる。選択期間TSは第1の電圧以下になっている期間として定義され、ブートストラップ期間TBSは第2の電圧になっている期間と定義される。その他にも必要に応じて変更が加えられるがその内容は明らかと思われるため説明を省略する。   For example, regarding the fifth embodiment, in FIG. 19, the voltage V27 of the gate electrode of the transistor TR24 is the highest in the OFF state, and is based on the first of the two V21 and V22 corresponding to the distribution control signal. The voltage is lowered to the first voltage, and is lowered to a second voltage lower than the first voltage based on the second voltage. Since the lowest on-voltage is required when the voltage of the video signal takes the minimum value, this second voltage is the sum of the minimum value of the voltage of the video signal and the threshold voltage of the thin film transistor (in this case, for example -2V). And a voltage smaller than the voltages of the distribution control signals V21 and V22. As a result, the transistor TR24 can be sufficiently switched. The selection period TS is defined as a period that is lower than the first voltage, and the bootstrap period TBS is defined as a period that is the second voltage. Other changes may be made as necessary, but the contents are apparent and will not be described.

また、以上の各実施例において、シフトレジスタ100の具体的な回路の例を挙げて説明してきたが、これに限られない。本明細書におけるシフトレジスタ100は、順次走査出力を行う回路であればどのような回路もこのシフトレジスタという言葉に含まれるものとする。   Further, in each of the above embodiments, a specific circuit example of the shift register 100 has been described, but the present invention is not limited to this. The shift register 100 in this specification includes any circuit as long as it performs sequential scanning output.

また、液晶表示装置を例に本発明の表示装置を説明してきたが、これに限られず、例えば有機EL表示装置などの他の型式の表示装置に適用することも可能である。   Further, the display device of the present invention has been described by taking a liquid crystal display device as an example.

本発明による表示装置に用いられる表示パネルの一例を示す平面図である。It is a top view which shows an example of the display panel used for the display apparatus by this invention. 本発明による表示装置の一例を示す図であり、表示パネルに回路基板を接続した一例を示す平面図である。It is a figure which shows an example of the display apparatus by this invention, and is a top view which shows an example which connected the circuit board to the display panel. 本発明による表示装置の等価回路の一例を示す図である。It is a figure which shows an example of the equivalent circuit of the display apparatus by this invention. 本発明による表示装置の第1の実施例における走査駆動回路の構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of a structure of the scanning drive circuit in the 1st Example of the display apparatus by this invention. 本発明の第1の実施例における駆動部の回路構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the circuit structure of the drive part in 1st Example of this invention. 図5の駆動部の回路の動作の一例を説明する波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the circuit of the drive unit in FIG. 5. 図5の駆動部の中のリセット回路の動作の一例を説明する波形図である。FIG. 6 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the reset circuit in the drive unit of FIG. 5. 本発明の第1の実施例における駆動部の切替スイッチ回路の回路構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the circuit structure of the changeover switch circuit of the drive part in 1st Example of this invention. 図8の駆動部の回路の動作の一例を説明する波形図である。FIG. 9 is a waveform diagram for explaining an example of the operation of the circuit of the drive unit in FIG. 8. 本発明の第1の実施例における走査駆動回路の動作の一例を説明する波形図である。It is a wave form diagram explaining an example of operation | movement of the scanning drive circuit in 1st Example of this invention. 本発明の第2の実施例におけるシフトレジスタの回路構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the circuit structure of the shift register in the 2nd Example of this invention. 図11に示したシフトレジスタの動作の一例を説明する波形図である。FIG. 12 is a waveform diagram illustrating an example of operation of the shift register illustrated in FIG. 11. 本発明の第3の実施例における走査駆動回路の構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of a structure of the scanning drive circuit in the 3rd Example of this invention. 図13の走査駆動回路の動作の一例を説明する波形図である。FIG. 14 is a waveform diagram illustrating an example of the operation of the scan drive circuit of FIG. 13. 本発明の第4の実施例におけるシフトレジスタの回路構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the circuit structure of the shift register in the 4th Example of this invention. 図15に示したシフトレジスタの動作の一例を説明する波形図である。FIG. 16 is a waveform diagram illustrating an example of the operation of the shift register illustrated in FIG. 15. 本発明による表示装置の第5の実施例における映像信号駆動回路の構成の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of a structure of the video signal drive circuit in the 5th Example of the display apparatus by this invention. 図17における分配回路の一例を説明する図である。It is a figure explaining an example of the distribution circuit in FIG. 図18に示した回路の動作の一例を説明する波形図である。It is a wave form diagram explaining an example of operation | movement of the circuit shown in FIG. 本発明による表示装置の一例を示す展開斜視図である。It is an expansion | deployment perspective view which shows an example of the display apparatus by this invention. 従来の走査駆動回路の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the conventional scanning drive circuit.

符号の説明Explanation of symbols

10…走査駆動回路、20…映像信号駆動回路、100…シフトレジスタ、101…昇圧回路、102…リセット回路、103…スイッチ、104…スイッチ、105…反転回路、106…切替スイッチ回路、107…ポンプアップ回路、200…ドレインドライバ、201…映像信号回路、202…分配回路、300…走査駆動回路、301…シフトレジスタ、302…レベルシフタ、303…バッファ、AR…表示領域、BL…バックライト光源、BLU…バックライトユニット、C1〜C3,C21〜C23…容量素子、Clc…液晶容量、Cstg…保持容量、CC…検査回路、CJ…コネクタ接続部、CK1,CK2…クロック、CL…共通電極配線、CPAD…検査端子、CVL…共通映像信号配線、DL…ドレイン配線、DRV,DRVn,DRVn+1…駆動部、GFPC…フレキシブル基板、GL…ゲート配線、INJ…封入口、LCA…バックライトケース、LCB…導光体、LCW…表示窓、MDL…液晶表示モジュール、PCB1…回路基板、PCB2…インバータ回路基板、PNL…液晶表示パネル、R1,G1,B1…映像信号、RM…反射板、SCC…電源、SHD…シールドケース、SL…シール、SPB…光拡散板、SUB1…基板、SUB2…対向基板、T1〜T7,T21〜T26…タイミング、Td,Tg…接続端子、TBS…ブートストラップ期間、TCON…タイミングコントローラ、TCP…テープキャリアパッケージ、TFT…薄膜トランジスタ、TR1〜TR11,TR21〜26…トランジスタ、TS…選択期間、V1…シフトレジスタ出力、V2…クロック、V3,V6,V27〜V29…電圧、V4…反転信号、V5,V51,V52…共通走査信号、V7…駆動部出力、V21〜V26…分配制御信号、VB1,VB2…切替スイッチ信号、VB3…直流電圧信号、VIN…シフトレジスタスタートパルス、VS…オフ電位。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Scanning drive circuit, 20 ... Video signal drive circuit, 100 ... Shift register, 101 ... Boosting circuit, 102 ... Reset circuit, 103 ... Switch, 104 ... Switch, 105 ... Inversion circuit, 106 ... Changeover switch circuit, 107 ... Pump Up circuit, 200 ... Drain driver, 201 ... Video signal circuit, 202 ... Distribution circuit, 300 ... Scanning drive circuit, 301 ... Shift register, 302 ... Level shifter, 303 ... Buffer, AR ... Display area, BL ... Backlight light source, BLU ... Backlight unit, C1 to C3, C21 to C23 ... Capacitor element, Clc ... Liquid crystal capacitor, Cstg ... Holding capacitor, CC ... Inspection circuit, CJ ... Connector connection, CK1, CK2 ... Clock, CL ... Common electrode wiring, CPAD ... inspection terminal, CVL ... common video signal wiring, DL ... drain wiring, DR , DRVn, DRVn + 1 ... driving unit, GFPC ... flexible substrate, GL ... gate wiring, INJ ... enclosing port, LCA ... backlight case, LCB ... light guide, LCW ... display window, MDL ... liquid crystal display module, PCB1 ... circuit board , PCB2 ... inverter circuit board, PNL ... liquid crystal display panel, R1, G1, B1 ... video signal, RM ... reflector, SCC ... power supply, SHD ... shield case, SL ... seal, SPB ... light diffusion plate, SUB1 ... substrate, SUB2 ... counter substrate, T1 to T7, T21 to T26 ... timing, Td, Tg ... connection terminal, TBS ... bootstrap period, TCON ... timing controller, TCP ... tape carrier package, TFT ... thin film transistor, TR1 to TR11, TR21 to 26 ... Transistor, TS ... Selection period, V1 ... Sh Register output, V2, clock, V3, V6, V27 to V29 ... voltage, V4 ... inverted signal, V5, V51, V52 ... common scanning signal, V7 ... driver output, V21-V26 ... distribution control signal, VB1, VB2 ... Changeover switch signal, VB3 ... DC voltage signal, VIN ... shift register start pulse, VS ... off potential.

Claims (10)

基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記基板上に形成され前記複数のゲート配線と交差する複数のドレイン配線と、
前記ゲート配線と前記ドレイン配線とに接続された薄膜トランジスタを有する複数の画素と、
前記ドレイン配線に映像信号を印加する映像信号駆動回路と、
前記映像信号駆動回路に必要な信号を供給する制御回路とを備えた表示装置であって、
前記映像信号駆動回路は、2以上の前記ドレイン配線に印加する映像信号を時分割で共通映像信号配線に出力するドレインドライバと、前記共通映像信号配線に時分割で出力された映像信号を対応するドレイン配線に分配する前記基板上に一体形成された分配回路とを有し、
前記分配回路は、1本の共通映像信号配線に対応するドレイン配線の本数の2倍の本数の分配制御信号が入力されて分配の制御がなされ、
前記分配回路は、前記画素の薄膜トランジスタと同じチャネルであるn型の薄膜トランジスタであって、それぞれの第1電極が前記共通映像信号配線に接続され、それぞれの第2電極が対応するドレイン配線に接続され、それぞれのゲート電極の電圧が前記分配制御信号のうちのそれぞれ対応する2本に基づいて制御される複数の薄膜トランジスタを有し、
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧は前記分配制御信号の前記対応する2本のうち1本目に基づいて第1の電圧まで上昇され、2本目に基づいて前記第1の電圧よりも高い第2の電圧まで上昇され、前記第2の電圧は前記映像信号の電圧の最大値と前記薄膜トランジスタの閾値電圧との和よりも大きく、かつ、前記分配制御信号の電圧よりも大きい電圧に制御され、
前記分配制御信号は2本以上の共通映像信号配線の分配に共通に用いられていることを特徴とする表示装置。
A substrate,
A plurality of gate wirings formed on the substrate;
A plurality of drain wirings formed on the substrate and intersecting the plurality of gate wirings;
A plurality of pixels having thin film transistors connected to the gate wiring and the drain wiring;
A video signal driving circuit for applying a video signal to the drain wiring;
A display device comprising a control circuit for supplying a necessary signal to the video signal driving circuit,
The video signal driving circuit corresponds to a drain driver that outputs a video signal applied to two or more of the drain wirings to the common video signal wiring in a time division manner, and a video signal output to the common video signal wirings in a time division manner. A distribution circuit integrally formed on the substrate for distributing to the drain wiring;
The distribution circuit receives distribution control signals twice as many as the number of drain wirings corresponding to one common video signal wiring, and performs distribution control.
The distribution circuit is an n-type thin film transistor that is the same channel as the thin film transistor of the pixel, and each first electrode is connected to the common video signal line, and each second electrode is connected to a corresponding drain line. A plurality of thin film transistors in which the voltage of each gate electrode is controlled based on two corresponding ones of the distribution control signals,
The voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is increased to the first voltage based on the first of the two corresponding ones of the distribution control signals, and is higher than the first voltage based on the second. The second voltage is controlled to a voltage that is greater than the sum of the maximum value of the voltage of the video signal and the threshold voltage of the thin film transistor, and greater than the voltage of the distribution control signal,
The display device according to claim 1, wherein the distribution control signal is commonly used for distributing two or more common video signal lines.
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以上になっている期間の50%よりも長いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The period during which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is longer than 50% of the period during which the voltage is equal to or higher than the first voltage. Display device. 前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以上になっている期間の75%以上の長さであることを特徴とする請求項1に記載の表示装置。   The period in which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is 75% or more of the period in which the voltage is higher than the first voltage. The display device according to 1. 前記分配回路は、1本の前記共通映像信号配線から赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する前記ドレイン配線へ分配する回路であることを特徴とする請求項1から3の何れかに記載の表示装置。   4. The distribution circuit according to claim 1, wherein the distribution circuit is a circuit that distributes the common video signal wiring to the drain wiring corresponding to each of red, green, and blue pixels. Display device. 前記基板に対向配置される対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする請求項1から4の何れかに記載の表示装置。
A counter substrate disposed opposite to the substrate;
The display device according to claim 1, further comprising a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.
基板と、
前記基板上に形成された複数のゲート配線と、
前記基板上に形成され前記複数のゲート配線と交差する複数のドレイン配線と、
前記ゲート配線と前記ドレイン配線とに接続された薄膜トランジスタを有する複数の画素と、
前記ドレイン配線に映像信号を印加する映像信号駆動回路と、
前記映像信号駆動回路に必要な信号を供給する制御回路とを備えた表示装置であって、
前記映像信号駆動回路は、2以上の前記ドレイン配線に印加する映像信号を時分割で共通映像信号配線に出力するドレインドライバと、前記共通映像信号配線に時分割で出力された映像信号を対応するドレイン配線に分配する前記基板上に一体形成された分配回路とを有し、
前記分配回路は、1本の共通映像信号配線に対応するドレイン配線の本数の2倍の本数の分配制御信号が入力されて分配の制御がなされ、
前記分配回路は、前記画素の薄膜トランジスタと同じチャネルであるp型の薄膜トランジスタであって、それぞれの第1電極が前記共通映像信号配線に接続され、それぞれの第2電極が対応するドレイン配線に接続され、それぞれのゲート電極の電圧が前記分配制御信号のうちのそれぞれ対応する2本に基づいて制御される複数の薄膜トランジスタを有し、
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧は前記分配制御信号の前記対応する2本のうち1本目に基づいて第1の電圧まで下降され、2本目に基づいて前記第1の電圧よりも低い第2の電圧まで下降され、前記第2の電圧は前記映像信号の電圧の最小値と前記薄膜トランジスタの閾値電圧との和よりも小さく、かつ、前記分配制御信号の電圧よりも小さい電圧に制御され、
前記分配制御信号は2本以上の共通映像信号配線の分配に共通に用いられていることを特徴とする表示装置。
A substrate,
A plurality of gate wirings formed on the substrate;
A plurality of drain wirings formed on the substrate and intersecting the plurality of gate wirings;
A plurality of pixels having thin film transistors connected to the gate wiring and the drain wiring;
A video signal driving circuit for applying a video signal to the drain wiring;
A display device comprising a control circuit for supplying a necessary signal to the video signal driving circuit,
The video signal driving circuit corresponds to a drain driver that outputs a video signal applied to two or more of the drain wirings to the common video signal wiring in a time division manner, and a video signal output to the common video signal wirings in a time division manner. A distribution circuit integrally formed on the substrate for distributing to the drain wiring;
The distribution circuit receives distribution control signals twice as many as the number of drain wirings corresponding to one common video signal wiring, and performs distribution control.
The distribution circuit is a p-type thin film transistor that has the same channel as the thin film transistor of the pixel, and each first electrode is connected to the common video signal line, and each second electrode is connected to a corresponding drain line. A plurality of thin film transistors in which the voltage of each gate electrode is controlled based on two corresponding ones of the distribution control signals,
The voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is lowered to the first voltage based on the first of the two corresponding ones of the distribution control signals, and is lower than the first voltage based on the second. The second voltage is controlled to a voltage smaller than the sum of the minimum value of the video signal voltage and the threshold voltage of the thin film transistor and smaller than the voltage of the distribution control signal,
The display device according to claim 1, wherein the distribution control signal is commonly used for distributing two or more common video signal lines.
前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以下になっている期間の50%よりも長いことを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The period during which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is longer than 50% of the period during which the voltage is equal to or lower than the first voltage. Display device. 前記分配回路の薄膜トランジスタのゲート電極の電圧が前記第2の電圧となっている期間は、前記第1の電圧以下になっている期間の75%以上の長さであることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。   The period during which the voltage of the gate electrode of the thin film transistor of the distribution circuit is the second voltage is 75% or more of the period during which the voltage is lower than the first voltage. 6. The display device according to 6. 前記分配回路は、1本の前記共通映像信号配線から赤、緑、青のそれぞれの画素に対応する前記ドレイン配線へ分配する回路であることを特徴とする請求項6から8の何れかに記載の表示装置。   9. The distribution circuit according to claim 6, wherein the distribution circuit is a circuit that distributes the common video signal wiring to the drain wiring corresponding to each of red, green, and blue pixels. Display device. 前記基板に対向配置される対向基板と、
前記基板と前記対向基板との間に挟持される液晶層とを備えることを特徴とする請求項6から9の何れかに記載の表示装置。
A counter substrate disposed opposite to the substrate;
The display device according to claim 6, further comprising a liquid crystal layer sandwiched between the substrate and the counter substrate.
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