JP2007033973A - Exposure head and exposure apparatus - Google Patents
Exposure head and exposure apparatus Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007033973A JP2007033973A JP2005218484A JP2005218484A JP2007033973A JP 2007033973 A JP2007033973 A JP 2007033973A JP 2005218484 A JP2005218484 A JP 2005218484A JP 2005218484 A JP2005218484 A JP 2005218484A JP 2007033973 A JP2007033973 A JP 2007033973A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- microlenses
- photosensitive material
- exposure head
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
- G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70325—Resolution enhancement techniques not otherwise provided for, e.g. darkfield imaging, interfering beams, spatial frequency multiplication, nearfield lenses or solid immersion lenses
- G03F7/70333—Focus drilling, i.e. increase in depth of focus for exposure by modulating focus during exposure [FLEX]
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Printers Or Recording Devices Using Electromagnetic And Radiation Means (AREA)
Abstract
Description
本発明は露光ヘッドおよび露光装置に関し、特に、制御信号に応じて光を変調する空間光変調素子を有し、感光材料に対して相対的に移動して該感光材料を露光する露光ヘッドと、該露光ヘッドを備えた露光装置に関するものである。 The present invention relates to an exposure head and an exposure apparatus, and in particular, an exposure head that includes a spatial light modulation element that modulates light according to a control signal, moves relative to the photosensitive material, and exposes the photosensitive material; The present invention relates to an exposure apparatus provided with the exposure head.
従来、画像データに基づいて空間光変調素子により変調された光を用いて感光材料を露光する露光ヘッド、および該露光ヘッドを走査させて該感光材料上に画像パターンを形成する露光装置が種々知られている。空間光変調素子は、照射された光を各々制御信号に応じて変調する多数の画素部が並設されてなるものであり、その一例としてDMD(デジタル・マイクロミラー・デバイス)が挙げられる。DMDは、制御信号に応じて反射面の角度を変化させる多数のマイクロミラーが、シリコン等の半導体基板上に2次元状に配列されてなるミラーデバイスである。 Conventionally, various exposure heads for exposing a photosensitive material using light modulated by a spatial light modulator based on image data, and exposure apparatuses for forming an image pattern on the photosensitive material by scanning the exposure head are known. It has been. The spatial light modulation element is formed by arranging a large number of pixel units for modulating irradiated light according to control signals, and one example thereof is a DMD (digital micromirror device). The DMD is a mirror device in which a large number of micromirrors that change the angle of a reflecting surface according to a control signal are two-dimensionally arranged on a semiconductor substrate such as silicon.
特許文献1および特許文献2には、DMDを空間光変調素子として用い、空間光変調素子で変調された光の光路に、空間光変調素子の各画素部にそれぞれ対応して各画素部からの光を集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイを配置した構成の露光装置が記載されている。さらに特許文献2には、走査方向に対してDMDを傾斜させて配置し、1つの走査線上を重ねて露光(多重露光)することにより、画像むらの低減を図ると共に、走査時の走査線の間隔を密にして解像度の向上を図る技術が記載されている。
ところで、上記のようなマイクロレンズアレイを用いた露光装置では、DMDで変調された光をマイクロレンズアレイのマイクロレンズでドット状に成形し、その光を感光材料に投影して露光している。このときの分解能RはマイクロレンズのNA(開口数)に依存し、下式(1)で表される。
R=k1×λ/NA (1)
ここで、k1:定数、 λ:波長、 NA=n×sinθ、 n:屈折率
θ:像点から射出瞳の半径に対して張る角度
式(1)からわかるように、レンズ形状を制御して分解能を向上させるには、NAを大きくする必要がある。一方、焦点深度Zは下式(2)で表される。
Z=k2×λ/NA2 (2)
式(2)からわかるように、NAが大きいほど、焦点深度は浅い。
By the way, in an exposure apparatus using a microlens array as described above, light modulated by DMD is formed into dots by a microlens of the microlens array, and the light is projected onto a photosensitive material for exposure. The resolution R at this time depends on the NA (numerical aperture) of the microlens and is expressed by the following equation (1).
R = k1 × λ / NA (1)
Here, k1: constant, λ: wavelength, NA = n × sin θ, n: refractive index θ: an angle formula extending from the image point to the radius of the exit pupil (1), the lens shape is controlled. In order to improve the resolution, it is necessary to increase the NA. On the other hand, the focal depth Z is expressed by the following equation (2).
Z = k2 × λ / NA 2 (2)
As can be seen from equation (2), the greater the NA, the shallower the focal depth.
以上より、露光波長が一定の場合、分解能向上のためにNAを大きくすると、焦点深度が浅くなる。焦点深度が浅いと、感光材料に入射する光の光軸方向の微小な位置ズレにより生じる露光面でのボケ量が大きくなり、感光材料に形成されるパターンの鮮鋭度が劣化するという問題が起こる。特に感光層が厚い基板の場合は、上記位置ズレの問題が大きくなる。上記問題はオートフォーカス機構を付加することにより解決できるが、基板の検出機構、制御機構等が別途必要となり、構造が複雑化し、コストアップする等の新たな問題が発生する。 From the above, when the exposure wavelength is constant, increasing the NA to improve the resolution decreases the depth of focus. If the depth of focus is shallow, the amount of blur on the exposure surface caused by a slight positional shift in the optical axis direction of light incident on the photosensitive material increases, and the sharpness of the pattern formed on the photosensitive material deteriorates. . In particular, in the case of a substrate having a thick photosensitive layer, the problem of the positional deviation becomes large. Although the above problem can be solved by adding an autofocus mechanism, a substrate detection mechanism, a control mechanism, and the like are separately required, resulting in new problems such as a complicated structure and increased cost.
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、高い解像度を維持しつつ、複雑な構成を用いることなく、実質的に深い焦点深度を有する露光ヘッドおよび該露光ヘッドを備えた露光装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an exposure head having a substantially deep depth of focus and a exposure apparatus including the exposure head without using a complicated configuration while maintaining high resolution. The purpose is to do.
本発明の露光ヘッドは、照射された光を各々制御信号に応じて変調する画素部が多数並設されてなる空間光変調素子を備え、感光材料に対して相対移動して前記感光材料の同一位置を複数の前記画素部からの光により多重露光する露光ヘッドにおいて、前記空間光変調素子と前記感光材料との間の光路に、前記空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイが配置され、前記同一位置の多重露光に用いられる前記マイクロレンズのうち少なくとも2つのマイクロレンズの焦点距離が異なることを特徴とするものである。 An exposure head according to the present invention includes a spatial light modulation element in which a large number of pixel portions for modulating irradiated light according to a control signal are arranged in parallel, and moves relative to the photosensitive material so that the same photosensitive material is used. In an exposure head that performs multiple exposure with light from a plurality of the pixel units, the light from each pixel unit of the spatial light modulator is condensed on an optical path between the spatial light modulator and the photosensitive material. A microlens array in which microlenses are arranged in an array is disposed, and at least two of the microlenses used for multiple exposure at the same position have different focal lengths. .
前記同一位置の多重露光に用いられる前記マイクロレンズのうち少なくとも3つのマイクロレンズの焦点距離が異なり、焦点距離が近い該マイクロレンズ同士の焦点距離の差が、該マイクロレンズの焦点距離が短いほど小さくなるように設定してもよい。 Among the microlenses used for the multiple exposure at the same position, the focal lengths of at least three microlenses are different, and the difference in focal length between the microlenses having short focal lengths becomes smaller as the focal length of the microlenses is shorter. You may set so that.
あるいは、前記同一位置の多重露光に用いられる前記マイクロレンズのうち少なくとも3つのマイクロレンズの焦点距離が異なり、焦点距離が近い該マイクロレンズ同士の焦点距離の差が、該マイクロレンズの焦点距離が長いほど小さくなるように設定してもよい。 Alternatively, the focal lengths of at least three microlenses among the microlenses used for the multiple exposure at the same position are different, and the difference in focal length between the microlenses having short focal lengths is long. You may set so that it may become so small.
ここで、焦点距離が異なるとは、一方が合焦のときには他方が合焦せず、一方が非合焦のときに他方が合焦する程度に、光軸方向に近接して異なることを意味する。 Here, the different focal lengths mean that the other is not in focus when one is in focus, and is close to the optical axis direction so that the other is in focus when one is out of focus. To do.
本発明の露光装置は、前記露光ヘッドと、前記露光ヘッドを前記感光材料に対して相対移動させる移動手段とを備えたことを特徴とするものである。 The exposure apparatus of the present invention comprises the exposure head and moving means for moving the exposure head relative to the photosensitive material.
本発明の露光ヘッドでは、焦点距離が異なる複数のマイクロレンズを経由した光により同一位置を多重露光しており、これらの光には、露光すべき点に合焦したもの、光軸方向に合焦位置がわずかにずれたもの、の両方が含まれる。一方、個々のマイクロレンズの合焦位置では光パワー密度が高く、合焦位置から離隔するにつれて光パワー密度は小さくなる。合焦位置における高い光パワー密度で感光材料が感光してパターン形成されるように露光量を設定しておけば、露光すべき点に合焦した光によってのみパターン形成され、合焦していない光によってはパターン形成されない。よって、分解能向上のためにマイクロレンズのNAを大きくして個々のマイクロレンズの焦点深度が浅くなったとしても、結果として、解像度が高く、実質的に焦点深度が深い露光が可能となる。 In the exposure head of the present invention, the same position is subjected to multiple exposure with light passing through a plurality of microlenses having different focal lengths, and these lights are focused on the point to be exposed and aligned in the optical axis direction. Both of which the focus position is slightly shifted are included. On the other hand, the optical power density is high at the focusing position of each microlens, and the optical power density decreases as the distance from the focusing position increases. If the exposure amount is set so that the photosensitive material is exposed and patterned at a high light power density at the in-focus position, the pattern is formed only by the light focused on the point to be exposed and is not in focus. Patterns are not formed by light. Therefore, even if the NA of the microlens is increased to improve the resolution and the depth of focus of each microlens becomes shallow, as a result, exposure with a high resolution and a substantially deep depth of focus becomes possible.
焦点距離の異なるレンズを得るには、例えば屈折型レンズの場合には、単純にレンズの曲率が異なるよう形成すればよく、簡単に実現できる。これにより、本発明では、簡単な方法で実質的に深い焦点深度を得ることができる。 In order to obtain lenses having different focal lengths, for example, in the case of a refractive lens, it is sufficient to simply form the lenses with different curvatures, which can be easily realized. Thereby, in the present invention, a substantially deep depth of focus can be obtained by a simple method.
マイクロレンズを最も単純な平凸球面レンズで構成し、そのアパーチャ径を一定にした場合には、焦点距離が短いレンズほど焦点深度が浅くなる。一方、感光剤の厚み方向の任意の位置に必ず合焦させるには、この任意の位置がいずれかのマイクロレンズの焦点深度の範囲に入る必要がある。すなわち、厚み方向の全範囲がいずれかのマイクロレンズの焦点深度の範囲でカバーされている必要がある。そこで、同一位置の多重露光に用いられるマイクロレンズのうち少なくとも3つのマイクロレンズの焦点距離が異なる場合には、焦点距離が近いマイクロレンズ同士の焦点距離の差が、該マイクロレンズの焦点距離が短いほど小さくなるように設定しておけば、効率良く厚み方向の全範囲をいずれかのマイクロレンズの焦点深度の範囲でカバーできる。 When the microlens is composed of the simplest plano-convex spherical lens and the aperture diameter is constant, the focal depth becomes shallower as the lens has a shorter focal length. On the other hand, in order to always focus on an arbitrary position in the thickness direction of the photosensitive agent, the arbitrary position needs to fall within the range of the focal depth of any microlens. That is, the entire range in the thickness direction needs to be covered by the range of the focal depth of any microlens. Therefore, when the focal lengths of at least three microlenses among the microlenses used for multiple exposure at the same position are different, the focal length difference between the microlenses having short focal lengths is short. If it is set so as to be smaller, the entire range in the thickness direction can be efficiently covered with the range of the focal depth of any microlens.
一方、感光材料による露光光の吸収量は、感光材料の深い部分ほど大きい。そこで、焦点距離が近いマイクロレンズ同士の焦点距離の差が、マイクロレンズの焦点距離が長いほど小さくなるように設定すれば、上記感光材料の吸収による光量低下を補うことができる。 On the other hand, the amount of exposure light absorbed by the photosensitive material increases as the photosensitive material becomes deeper. Therefore, if the difference in focal length between microlenses with close focal lengths is set to be smaller as the focal length of the microlenses is longer, it is possible to compensate for a reduction in light amount due to absorption of the photosensitive material.
以下、図面を参照して、本発明の一実施形態による露光ヘッドおよび露光装置について説明する。本実施形態の露光ヘッドおよび露光装置は、異なる焦点距離を有するマイクロレンズを経由した光を用いて多重露光するものであるが、まず、本実施形態の露光装置の全体の構成について説明する。図1は、本実施形態の露光装置の概略構成を示す斜視図である。 Hereinafter, an exposure head and an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. The exposure head and the exposure apparatus of this embodiment perform multiple exposure using light passing through microlenses having different focal lengths. First, the overall configuration of the exposure apparatus of this embodiment will be described. FIG. 1 is a perspective view showing a schematic configuration of the exposure apparatus of the present embodiment.
本実施形態の露光装置100は、図1に示すように、感光材料150を表面に吸着して保持する平板状の移動手段としてのステージ152を備えている。そして、4本の脚部154に支持された厚い板状の設置台156の上面には、ステージ移動方向に沿って延びた2本のガイド158が設置されている。ステージ152は、その長手方向がステージ移動方向を向くように配置されると共に、ガイド158によって往復移動可能に支持されている。なお、この露光装置には、副走査手段としてのステージ152をガイド158に沿って駆動する図示しないステージ駆動装置が設けられている。
As shown in FIG. 1, the
設置台156の中央部には、ステージ152の移動経路を跨ぐようにコの字状のゲート160が設けられている。コの字状のゲート160の端部の各々は、設置台156の両側面に固定されている。このゲート160を挟んで一方の側にはスキャナ162が設けられ、他方の側には感光材料150の先端および後端を検知する複数(例えば2個)のセンサ164が設けられている。スキャナ162およびセンサ164はゲート160に各々取り付けられて、ステージ152の移動経路の上方に固定配置されている。よって、ステージ152の移動に伴い、感光材料150に対し、スキャナ162およびセンサ164は相対的に移動する。なお、スキャナ162およびセンサ164は、これらを制御する図示しないコントローラに接続されている。
A U-shaped
スキャナ162は、図2および図3(B)に示すように、m行n列(例えば2行4列)の略マトリックス状に配列された複数(例えば8個)の露光ヘッド166を備えている。なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドを示す場合は、露光ヘッド166mnと表記する。
As shown in FIGS. 2 and 3B, the
露光ヘッド166で露光される領域である露光エリア168は、図2に示すように、短辺が副走査方向に沿った矩形状であり、副走査方向に対し、所定の傾斜角θで傾斜している。そして、ステージ152の移動に伴い、感光材料150には露光ヘッド166ごとに帯状の露光済み領域170が形成される。なお、図1及び図2に示すように、副走査方向は、ステージ移動方向とは向きが反対である。なお、以下において、m行目のn列目に配列された個々の露光ヘッドによる露光エリアを示す場合は、露光エリア168mnと表記する。
As shown in FIG. 2, the
また、図3(A)および(B)に示すように、帯状の露光済み領域170のそれぞれが、隣接する露光済み領域170と部分的に重なるように、ライン状に配列された各行の露光ヘッド166の各々は、その配列方向に所定間隔ずらして配置されている。このため、1行目の露光エリア16811と露光エリア16812との間の露光できない部分は、2行目の露光エリア16821により露光することができる。
Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, the exposure heads in the respective rows arranged in a line so that each of the strip-shaped exposed
各露光ヘッド166は、図4および図5に示すように、入射された光ビームを画像データに応じて各画素部ごとに変調する空間光変調素子として、デジタル・マイクロミラー・デバイス(以下、DMDという)50を備えている。このDMD50は、データ処理部とミラー駆動制御部とを備えた図示しないコントローラに接続されている。このコントローラのデータ処理部では、入力された画像データに基づいて、各露光ヘッド166ごとにDMD50の制御すべき領域内の各マイクロミラーを駆動制御する制御信号を生成する。また、ミラー駆動制御部では、画像データ処理部で生成した制御信号に基づいて、各露光ヘッド166ごとにDMD50の各マイクロミラーの反射面の角度を制御する。なお、反射面の角度の制御に付いては後述する。
As shown in FIGS. 4 and 5, each
DMD50の光入射側には、光ファイバの出射端部(発光点)が露光エリア168の長辺方向と対応する方向に沿って一列に配列されたレーザ出射部68を備えたファイバアレイ光源66、ファイバアレイ光源66から出射されたレーザ光を補正してDMD上に集光させるレンズ系67、レンズ系67を透過したレーザ光をDMD50に向けて反射するミラー69がこの順に配置されている。なお、図4では、レンズ系67を概略的に示してある。
On the light incident side of the
上記レンズ系67は、図5に詳しく示すように、ファイバアレイ光源66から出射した照明光としてのレーザ光Bを集光する集光レンズ71、この集光レンズ71を通過した光の光路に挿入されたロッド状オプティカルインテグレータ(以下、ロッドインテグレータという)72、およびこのロッドインテグレータ72の光出射側に配置されたコリメータレンズ74から構成されている。集光レンズ71、ロッドインテグレータ72およびコリメータレンズ74は、ファイバアレイ光源66から出射したレーザ光を、平行光に近くかつビーム断面内強度が均一化された光束としてDMD50に入射させる。
As shown in detail in FIG. 5, the
上記レンズ系67から出射したレーザ光Bはミラー69で反射し、TIR(全反射)プリズム70を介してDMD50に照射される。なお図4では、このTIRプリズム70は省略してある。
The laser beam B emitted from the
DMD50は図6に示すように、SRAMセル(メモリセル)60上に、各々画素部(ピクセル)を構成する多数(例えば1024個×768個)の微小ミラー(マイクロミラー)62が格子状に配列されてなるミラーデバイスである。各ピクセルにおいて、最上部には支柱に支えられたマイクロミラー62が設けられており、マイクロミラー62の表面にはアルミニウム等の反射率の高い材料が蒸着されている。なお、マイクロミラー62の反射率は90%以上であり、その配列ピッチは縦方向、横方向とも一例として13.7μmである。また、マイクロミラー62の直下には、ヒンジおよびヨークを含む支柱を介して通常の半導体メモリの製造ラインで製造されるシリコンゲートのCMOSのSRAMセル60が配置されており、全体はモノリシックに構成されている。
As shown in FIG. 6, in the
DMD50のSRAMセル60にデジタル信号が書き込まれると、支柱に支えられたマイクロミラー62が、対角線を中心としてDMD50が配置された基板側に対して±α度(例えば±12度)の範囲で傾けられる。図7(A)は、マイクロミラー62がオン状態である+α度に傾いた状態を示し、図7(B)は、マイクロミラー62がオフ状態である−α度に傾いた状態を示す。したがって、画像信号に応じて、DMD50の各ピクセルにおけるマイクロミラー62の傾きを、図6に示すように制御することによって、DMD50に入射したレーザ光Bはそれぞれのマイクロミラー62の傾き方向へ反射される。
When a digital signal is written in the
なお図7には、DMD50の一部を拡大し、マイクロミラー62が+α度又は−α度に制御されている状態の一例を示す。それぞれのマイクロミラー62のオンオフ制御は、DMD50に接続された図示されないコントローラによって行われる。また、オフ状態のマイクロミラー62で反射したレーザ光Bが進行する方向には、光吸収体(図示せず)が配置されている。
FIG. 7 shows an example of a state in which a part of the
ここでDMD50は、それぞれがL行×M列のマイクロミラー62を有するK個のブロック領域からなると想定される。図8に、1つのDMD50によって得られる二次元像である露光エリア168、および露光エリア168における上記ブロック領域を示す。なお、図8では、簡明化のために行列数を少なくして表しており、L=4、M=16、K=4とし、4つのブロック領域をA、B、C、Dとして示している。
Here, the
図8に示すように、露光エリア168が副走査方向に対しθ=±tan−1(k/L)の傾斜角θで傾斜するように、DMD50は傾けて配置されている。ここで、kはLに対し互いに素な自然数、またはLと等しい数である。このように露光エリア168を傾斜させることで、各マイクロミラー62による露光ビームの走査軌跡(走査線)のピッチが、露光エリア168を傾斜させない場合の走査線のピッチより狭くなり、解像度を向上させることができる。
As shown in FIG. 8, the
また、露光エリア168の傾斜角θを副走査方向に対し±tan−1(k/L)とすることで、同一走査線上を複数のマイクロミラー62で反射した光が走査することになる。例えば図8において、走査線L1に着目すると、この走査線L1上を、図8において黒丸で示す計4つの反射光像(露光ビーム)が走査している。すなわち、感光材料150に対して露光ヘッド166が相対移動(副走査)するのに伴い、感光材料150上の同一位置を複数のマイクロミラー62で反射した光によって多重露光している。
Further, by setting the inclination angle θ of the
図4および図5に示すように、DMD50の光反射側には、DMD50で反射されたレーザ光Bを、感光材料150上に結像する結像光学系51が配置されている。この結像光学系51は図4では概略的に示してあるが、図5に詳細を示すように、レンズ系52、54からなる光学系と、この光学系を透過した光が入射するマイクロレンズアレイ55と、アパーチャアレイ59とから構成されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, an imaging
レンズ系52、54からなる光学系は、DMD50による像を拡大してマイクロレンズアレイ55上に結像する。マイクロレンズアレイ55は、DMD50の各画素部に対応し、各画素部からの光をそれぞれ集光する多数のマイクロレンズ56が2次元状に配列されてなるものである。各マイクロレンズ56は、それぞれ対応するマイクロミラー62からのレーザ光Bが入射する位置において、レンズ系52、54によるマイクロミラー62の結像位置近傍に配されている。アパーチャアレイ59は、マイクロレンズアレイ55の各マイクロレンズ56に対応する多数のアパーチャ(開口)が形成されてなるものである。なお同図中において、感光材料150は矢印F方向に副走査送りされる。
The optical system including the
マイクロレンズアレイ55は、図9に示すように、上記DMDのブロック領域A、B、C、Dに対応する4つのブロック領域に分割され、ブロック領域ごとにマイクロレンズの焦点距離が異なる。以下ブロック領域A、B、C、Dに配設されたマイクロレンズをそれぞれマイクロレンズ56A、56B、56C、56Dという。なお、図9においても、簡明化のために実際よりも行列数を少なくして表している。
As shown in FIG. 9, the
図10および図11に模式的に示すように、マイクロレンズ56A、56B、56C、56Dの焦点距離は、この順に長くなり、その範囲は、感光材料150の感光層150aのほぼ上面から下面にわたっており、その差はほぼ等間隔である。なお、図11は上記4種のマイクロレンズ56A、56B、56C、56Dを重ねて示した図である。
As schematically shown in FIGS. 10 and 11, the focal lengths of the microlenses 56A, 56B, 56C, and 56D increase in this order, and the range extends from the upper surface to the lower surface of the
上述したDMD50の傾斜と同様に、マイクロレンズアレイ55のレンズの配列方向も副走査方向に対し傾斜角θを有する。また、上述したDMD50のマイクロミラー62の多重露光と同様に、マイクロレンズアレイ55においても、図9に黒丸で示すように、走査線L1上を、各ブロック領域A、B、C、D内の1つずつのマイクロレンズ56A、56B、56C、56Dが走査しており、感光材料150上の同一位置を焦点距離の異なるマイクロレンズ56A、56B、56C、56Dからの光により多重露光している。
Similar to the tilt of the
個々のマイクロレンズの合焦位置では光パワー密度が高く、合焦位置から離隔するにつれて光パワー密度は小さくなる。したがって、合焦位置における光パワー密度で感光材料が感光してパターン形成されるように露光量を設定しておけば、露光すべき点に合焦したマイクロレンズだけによりパターン形成され、合焦していないマイクロレンズによってはパターン形成されない。 The optical power density is high at the in-focus position of each microlens, and the optical power density decreases as the distance from the in-focus position increases. Therefore, if the exposure amount is set so that the photosensitive material is exposed and patterned at the light power density at the in-focus position, the pattern is formed and focused only by the microlens focused on the point to be exposed. Patterns are not formed by the microlenses that are not.
なお、多重露光の露光回数が多い場合には、合焦していないマイクロレンズだけによる露光の積算量が、感光材料が感光してパターン形成される感光閾値を越えてしまい、解像度が劣化する可能性が生じる。このような場合は、露光すべき点において、合焦していないマイクロレンズだけによる露光の積算量では感光閾値を越えず、且つ、合焦したマイクロレンズによる露光と、合焦していないマイクロレンズによる露光との積算量が、感光閾値を越えるように露光量を設定する。これにより、上記と同様の結果が得られる。 If the number of exposures of multiple exposure is large, the integrated amount of exposure using only the microlenses that are not in focus exceeds the photosensitive threshold for patterning when the photosensitive material is exposed to light, which may degrade the resolution. Sex occurs. In such a case, at the point to be exposed, the integrated amount of exposure using only the unfocused microlens does not exceed the photosensitive threshold, and the exposure using the focused microlens and the unfocused microlens are not performed. The exposure amount is set so that the integrated amount with the exposure by means exceeds the photosensitive threshold. Thereby, a result similar to the above is obtained.
以上より、分解能向上のためにマイクロレンズのNAを大きくして個々のマイクロレンズの焦点深度が浅くなっても、上記のように焦点距離の異なるレンズで多重露光することにより、結果として、解像度が高く、実質的に焦点深度が深い露光が可能となる。 From the above, even if the NA of the microlens is increased to improve the resolution and the depth of focus of each microlens becomes shallow, the multiple exposure with the lenses having different focal lengths as described above results in the resolution being reduced. High exposure enables a substantially deep focal depth.
次に、上記のような焦点距離の異なるマイクロレンズの設計方法、および作製方法の一例を示す。マイクロレンズとして、作製が容易な平凸球面レンズを採用すれば、その焦点距離fは、単純に屈折率nと曲率半径rだけで決まり、f=r/(n−1)である。例えば、使用材質を屈折率約1.46の石英ガラスと想定し、焦点距離100μmの平凸球面レンズとすると、その曲率半径は46μmとなる。さらに、露光波長405nm、NA=0.26、レジストや現像プロセスにより決まる定数k2=0.2とすると、その焦点深度は約1.2μmとなる。 Next, an example of a design method and a manufacturing method of microlenses having different focal lengths as described above will be described. If a plano-convex spherical lens that is easy to manufacture is employed as the microlens, its focal length f is simply determined by the refractive index n and the curvature radius r, and is f = r / (n−1). For example, assuming that the material used is quartz glass having a refractive index of about 1.46 and a plano-convex spherical lens having a focal length of 100 μm, the radius of curvature is 46 μm. Further, assuming that the exposure wavelength is 405 nm, NA = 0.26, and the constant k2 = 0.2 determined by the resist and the development process, the depth of focus is about 1.2 μm.
そこで、上記の曲率半径46μmのレンズを基に、曲率半径が若干異なるレンズ、例えば曲率半径が44、45、47のレンズを想定する。これらのレンズについて、同一径のアパーチャを配し、焦点距離および焦点深度を計算した結果を表1に示す。
このようなレンズを作製するには、石英ガラス基板上に公知のグレースケールの階調パターンをブロック領域ごとに制御してそれぞれ曲率の異なるレンズ形状を作製する方法や、ブロック領域ごとにレジストパターンのサイズを変えて熱リフローする方法を用いて、レジストによるレンズ形状を形成する。その後、CF4、C2F6、CHF3等のフッ素系混合ガスでICP(Inductively coupled plasma)ドライエッチングを行い、石英ガラスに転写する。このときバイアスや基板温度、エッチングガスの混合比を制御することで、レジストと石英ガラスの選択比を調整し、上記の曲率半径の形状を得ることができる。 In order to produce such a lens, a known gray scale gradation pattern on a quartz glass substrate is controlled for each block region to produce a lens shape having a different curvature, or a resist pattern for each block region. Using a method of changing the size and performing heat reflow, a lens shape made of resist is formed. Thereafter, ICP (Inductively coupled plasma) dry etching is performed with a fluorine-based mixed gas such as CF 4 , C 2 F 6 , or CHF 3 , and transferred to quartz glass. At this time, by controlling the bias, the substrate temperature, and the mixing ratio of the etching gas, the selection ratio of the resist and the quartz glass can be adjusted to obtain the shape of the curvature radius.
なお、上記の実施形態では、焦点距離の変化はほぼ等間隔としたが、これに限定するものではなく、感光材料の種類や、露光プロセス等、各種条件に応じて、適宜設定することが望ましい。同一位置の多重露光に用いられるマイクロレンズのうち少なくとも3つのマイクロレンズの焦点距離が異なる場合には、焦点距離の差に注目してその値を設定してもよい。 In the above-described embodiment, the change in the focal length is approximately equal. However, the present invention is not limited to this, and it is desirable that the focal length is appropriately set according to various conditions such as the type of photosensitive material and the exposure process. . When the focal lengths of at least three microlenses among the microlenses used for the multiple exposure at the same position are different, the value may be set by paying attention to the difference in focal length.
上記のような平凸球面レンズではアパーチャ径を一定とすると、焦点距離が短いレンズほど焦点深度が浅い。この点に着目して、感光材料の厚み方向を複数のマイクロレンズの焦点深度でカバーするように、焦点距離が近いマイクロレンズ同士の焦点距離の差が、マイクロレンズの焦点距離が短いほど小さくなるように設定してもよい。すなわち、焦点距離の異なる複数のマイクロレンズを、焦点距離の短い順に番号を付け、i番目(i=1、2、3、…)に焦点距離の短いマイクロレンズの焦点距離をfiとし、下式を満たすようにする。図12はこのような4つのマイクロレンズ56A’〜56D’を重ねて模式的に表した図である。
fi+1−fi<fi+2−fi+1
In the plano-convex spherical lens as described above, if the aperture diameter is constant, the shorter the focal length, the shallower the focal depth. Focusing on this point, the difference in focal length between microlenses with close focal lengths becomes smaller as the focal length of the microlenses is shorter so that the thickness direction of the photosensitive material is covered with the focal depth of the plurality of microlenses. You may set as follows. That is, a plurality of microlenses having different focal lengths are numbered in order of increasing focal length, and the focal length of the i-th (i = 1, 2, 3,...) Microlens having the short focal length is fi. To satisfy. FIG. 12 is a diagram schematically showing such four
fi + 1−fi <fi + 2−fi + 1
あるいは逆に、感光材料の深い部分ほど感光材料による露光光の吸収量が多い点に着目して、この吸収による光量低下を補うように、焦点距離が近いマイクロレンズ同士の焦点距離の差が、マイクロレンズの焦点距離が長いほど小さくなるように設定してもよい。すなわち、焦点距離の短い順に番号を付け、i番目(i=1、2、3、…)に焦点距離の短いマイクロレンズの焦点距離をfiとし、下式を満たすようにする。図13はこのような4つのマイクロレンズ56A’’〜56D’’を重ねて模式的に表した図である。
fi+1−fi>fi+2−fi+1
このように、マイクロレンズの構成を適宜選択することで、各種のレジスト、各種の露光プロセスに対応できる。
Or conversely, paying attention to the fact that the deeper the photosensitive material, the more the amount of exposure light absorbed by the photosensitive material, the difference in the focal length between microlenses with close focal lengths, so as to compensate for the decrease in light quantity due to this absorption, You may set so that it may become so small that the focal distance of a micro lens is long. That is, numbers are assigned in order from the shortest focal length, and the focal length of the i-th (i = 1, 2, 3,...) Microlens with the shortest focal length is fi, so that the following equation is satisfied. FIG. 13 is a diagram schematically showing such four
fi + 1-fi> fi + 2-fi + 1
As described above, by appropriately selecting the configuration of the microlens, it is possible to cope with various resists and various exposure processes.
なお、用いるマイクロレンズは上記のような平凸球面レンズに限定するものではなく、他の形状のレンズでもよく、非球面レンズ、屈折率分布型レンズ、回折光学素子等を採用してもよい。 The microlens to be used is not limited to the plano-convex spherical lens as described above, but may be a lens having another shape, and an aspherical lens, a gradient index lens, a diffractive optical element, or the like may be employed.
また、上記の実施形態では、マイクロレンズアレイを4個のブロック領域に分割したが、ブロック領域の分割数はこれに限定するものではなく、2以上であればよく、目的とするパターニングプロセスに合わせて分割数を設定することが望ましい。なお、本実施形態では、ブロック領域ごとに焦点距離が異なるようにしたが、ブロック領域数が多い場合などは、同じ焦点距離を有するマイクロレンズからなるブロック領域が複数あってもよい。 In the above-described embodiment, the microlens array is divided into four block areas. However, the number of divisions of the block areas is not limited to this, and may be two or more according to the target patterning process. It is desirable to set the number of divisions. In the present embodiment, the focal length is different for each block region. However, when the number of block regions is large, there may be a plurality of block regions made of microlenses having the same focal length.
さらに、マイクロレンズアレイは必ずしも行列状のブロック領域に分割する必要はなく、同一位置の多重露光に用いるマイクロレンズのうち少なくともその2つの焦点距離が異なるように構成すればよく、様々な配列が可能である。例えば、焦点距離が異なるマイクロレンズを、走査線の経路に沿って交互に配置してもよく、あるいは図14に示すように、焦点距離の異なる4種類のレンズa、b、c、dを、斜め方向に同一焦点距離のマイクロレンズが並ぶように千鳥格子配列にしてもよい。同一NAで焦点距離の異なるレンズを構成するときなど、各レンズの外径が異なる場合には、これらの外径サイズを考慮して配置することが望ましい。特にレジストパターンサイズを変化させて熱リフローにより形成されるマイクロレンズにおいては、隣接するレンズの接触を回避できるよう、大きな外径のレンズと小さな外径のレンズを隣接配置した千鳥格子配列が有効である。 Furthermore, the microlens array does not necessarily have to be divided into block-shaped block areas, and it is only necessary to configure the microlenses used for multiple exposure at the same position so that at least two focal lengths are different, and various arrangements are possible. It is. For example, microlenses having different focal lengths may be alternately arranged along the path of the scanning line, or four types of lenses a, b, c, d having different focal lengths as shown in FIG. A houndstooth arrangement may be used so that microlenses having the same focal length are arranged in an oblique direction. In the case where the outer diameters of the respective lenses are different, such as when lenses having the same NA and different focal lengths are configured, it is desirable to arrange them in consideration of these outer diameter sizes. Especially for microlenses formed by thermal reflow by changing the resist pattern size, a staggered lattice arrangement in which a large outer diameter lens and a small outer diameter lens are arranged adjacent to each other is effective to avoid contact between adjacent lenses. It is.
またさらに、上記実施の形態の結像光学系51に代わり、マイクロレンズ55と感光材料150との間に倍率変換等を目的としたレンズ系57、58からなる光学系を挿入した結像光学系51’を用いた図14に示す露光ヘッドに対しても本発明は適用可能である。
Furthermore, instead of the imaging
なお、上記例では、空間光変調素子としてDMDを備えた露光ヘッドについて説明したがこのような反射型空間光変調素子の他に、透過型空間光変調素子(LCD)を使用することもできる。例えば、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)タイプの空間光変調素子(SLM;Spacial Light Modulator)や、電気光学効果により透過光を変調する光学素子(PLZT素子)や液晶光シャッタ(FLC)等の液晶シャッターアレイなど、MEMSタイプ以外の空間光変調素子を用いることも可能である。なお、MEMSとは、IC製造プロセスを基盤としたマイクロマシニング技術によるマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ、そして制御回路を集積化した微細システムの総称であり、MEMSタイプの空間光変調素子とは、静電気力を利用した電気機械動作により駆動される空間光変調素子を意味している。さらに、GLV(GratingLightValve)を複数ならべて二次元状に構成したものを用いることもできる。これらの反射型空間光変調素子(GLV)や透過型空間光変調素子(LCD)を使用する構成では、上記したレーザの他にランプ等も光源として使用可能である。 In the above example, the exposure head provided with the DMD as the spatial light modulation element has been described. However, in addition to the reflective spatial light modulation element, a transmissive spatial light modulation element (LCD) can also be used. For example, a liquid crystal shutter such as a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) type spatial light modulator (SLM), an optical element (PLZT element) that modulates transmitted light by an electro-optic effect, or a liquid crystal light shutter (FLC). It is also possible to use a spatial light modulation element other than the MEMS type, such as an array. Note that MEMS is a general term for a micro system that integrates micro-sized sensors, actuators, and control circuits based on a micro-machining technology based on an IC manufacturing process, and a MEMS type spatial light modulator is an electrostatic force. It means a spatial light modulation element driven by an electromechanical operation using Further, a plurality of GLVs (GratingLightValves) arranged in a two-dimensional shape can be used. In the configuration using these reflective spatial light modulator (GLV) and transmissive spatial light modulator (LCD), a lamp or the like can be used as a light source in addition to the laser described above.
50 デジタル・マイクロミラー・デバイス(DMD)
51 結像光学系
52、54 レンズ系
55 マイクロレンズアレイ
56、56A、56B、56C、56D マイクロレンズ
59 アパーチャアレイ
62 マイクロミラー
66 ファイバアレイ光源
67 レンズ系
68 レーザ出射部
71 集光レンズ
72 ロッドインテグレータ
100 露光装置
150 感光材料
152 ステージ
162 スキャナ
164 センサ
166 露光ヘッド
168 露光エリア
170 露光済み領域
A、B、C、D ブロック領域
50 Digital Micromirror Device (DMD)
51 Image forming
Claims (4)
前記空間光変調素子と前記感光材料との間の光路に、前記空間光変調素子の各画素部からの光をそれぞれ集光するマイクロレンズがアレイ状に配されてなるマイクロレンズアレイが配置され、
前記同一位置の多重露光に用いられる前記マイクロレンズのうち少なくとも2つのマイクロレンズの焦点距離が異なることを特徴とする露光ヘッド。 A plurality of pixel units each including a spatial light modulation element in which a large number of pixel units for modulating irradiated light according to a control signal are arranged in parallel, and moving relative to the photosensitive material so that the same position of the photosensitive material is located; In the exposure head that performs multiple exposure with light from
In the optical path between the spatial light modulation element and the photosensitive material, a microlens array is arranged in which microlenses that collect light from each pixel portion of the spatial light modulation element are arranged in an array,
An exposure head characterized in that focal lengths of at least two microlenses among the microlenses used for the multiple exposure at the same position are different.
前記露光ヘッドを前記感光材料に対して相対移動させる移動手段とを備えたことを特徴とする露光装置。 The exposure head according to any one of claims 1 to 3,
An exposure apparatus comprising: moving means for moving the exposure head relative to the photosensitive material.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005218484A JP2007033973A (en) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | Exposure head and exposure apparatus |
PCT/JP2006/315350 WO2007013676A1 (en) | 2005-07-28 | 2006-07-27 | Exposure head and exposure apparatus |
TW095127419A TW200712796A (en) | 2005-07-28 | 2006-07-27 | Exposure head and exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005218484A JP2007033973A (en) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | Exposure head and exposure apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007033973A true JP2007033973A (en) | 2007-02-08 |
Family
ID=37683550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005218484A Withdrawn JP2007033973A (en) | 2005-07-28 | 2005-07-28 | Exposure head and exposure apparatus |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007033973A (en) |
TW (1) | TW200712796A (en) |
WO (1) | WO2007013676A1 (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013049269A (en) * | 2011-08-24 | 2013-03-14 | Palo Alto Research Center Inc | Single-pass imaging system using spatial light modulator and anamorphic projection optics |
JP2014170200A (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Sk-Electronics Co Ltd | Multiple lithography method for photomask and photomask manufactured by the method |
JP2021129839A (en) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 国立大学法人 東京大学 | Micro lens array, production method and micro needle device |
WO2023282168A1 (en) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 株式会社ニコン | Exposure device |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014033118A1 (en) * | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Micronic Mydata AB | Maskless writing in different focal planes |
US10149390B2 (en) | 2012-08-27 | 2018-12-04 | Mycronic AB | Maskless writing of a workpiece using a plurality of exposures having different focal planes using multiple DMDs |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004157219A (en) * | 2002-11-05 | 2004-06-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | Exposure head and exposure apparatus |
JP2004284236A (en) * | 2003-03-24 | 2004-10-14 | Fuji Photo Film Co Ltd | Image recording apparatus |
JP4244156B2 (en) * | 2003-05-07 | 2009-03-25 | 富士フイルム株式会社 | Projection exposure equipment |
JP4450689B2 (en) * | 2003-07-31 | 2010-04-14 | 富士フイルム株式会社 | Exposure head |
-
2005
- 2005-07-28 JP JP2005218484A patent/JP2007033973A/en not_active Withdrawn
-
2006
- 2006-07-27 WO PCT/JP2006/315350 patent/WO2007013676A1/en active Application Filing
- 2006-07-27 TW TW095127419A patent/TW200712796A/en unknown
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013049269A (en) * | 2011-08-24 | 2013-03-14 | Palo Alto Research Center Inc | Single-pass imaging system using spatial light modulator and anamorphic projection optics |
JP2014170200A (en) * | 2013-03-05 | 2014-09-18 | Sk-Electronics Co Ltd | Multiple lithography method for photomask and photomask manufactured by the method |
JP2021129839A (en) * | 2020-02-20 | 2021-09-09 | 国立大学法人 東京大学 | Micro lens array, production method and micro needle device |
JP7398102B2 (en) | 2020-02-20 | 2023-12-14 | 国立大学法人 東京大学 | microneedle device |
WO2023282168A1 (en) * | 2021-07-05 | 2023-01-12 | 株式会社ニコン | Exposure device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200712796A (en) | 2007-04-01 |
WO2007013676A1 (en) | 2007-02-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4450689B2 (en) | Exposure head | |
CN100363776C (en) | Exposure head | |
JP2004009595A (en) | Exposure head and exposure device | |
JP2007179039A (en) | Illumination system | |
KR101659391B1 (en) | Exposure head and exposure apparatus | |
JP4741396B2 (en) | Drawing position measuring method and apparatus, and drawing method and apparatus | |
JP2007033973A (en) | Exposure head and exposure apparatus | |
JP2016035509A (en) | Light source device and exposure apparatus | |
WO2006137486A1 (en) | Image exposure device | |
JP2019023748A (en) | Illuminance ratio changing method and light exposure method | |
JP2007003830A (en) | Frame data creating device, method and program, and drawing device | |
JP2007078764A (en) | Exposure device and exposure method | |
JP2006337834A (en) | Exposing device and exposing method | |
JP5000948B2 (en) | Drawing position measuring method and apparatus, and drawing method and apparatus | |
JP4647355B2 (en) | Multi-beam exposure method and apparatus | |
US7339602B2 (en) | Image-drawing device and image-drawing method | |
JP2006337528A (en) | Image exposure system | |
JP2011023603A (en) | Aligner | |
JP2006251732A (en) | Exposure apparatus and method | |
JP4209344B2 (en) | Exposure head, image exposure apparatus, and image exposure method | |
JP4708785B2 (en) | Image exposure method and apparatus | |
JP2005202226A (en) | Method and apparatus for detecting sensitivity of photosensitive material, and exposure correction method | |
JP2006085072A (en) | Multi-beam exposure device | |
JP2006085073A (en) | Multi-beam exposure device | |
JP2005209798A (en) | Method and device for exposing image |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20061211 |
|
A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20081007 |