JP2007024512A

JP2007024512A - Electric circuit inspection method and electric circuit manufacturing method

Info

Publication number: JP2007024512A
Application number: JP2005202634A
Authority: JP
Inventors: Hirokazu Kawasaki; 博和川崎
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 2005-07-12
Filing date: 2005-07-12
Publication date: 2007-02-01
Anticipated expiration: 2025-07-12
Also published as: JP4591772B2

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an inexpensive electric circuit which can measure any leakage current of a plurality of transistors as components. <P>SOLUTION: In the inspection of FETs 121 of an invertor circuit 120 comprising three rows of arms 130 in which two FETs 121 connected in series by a source electrode S and a drain electrode D and three resistors 126 of which one end is connected to a gate electrode G of the lower FET 121 and of which the other end is connected to the ground 142, the leakage current of the lower FET 121 is measured with the other ends of the resistors 126 connected to each other and disconnected to the ground 142. After the measurement, the other ends of the resistors 126 and the ground 142 are connected to each other. In the measurement of the leakage current, through a probe 302 being in contact with a first terminal (for example, a first terminal 151) and a probe 304 being in contact with a second terminal 160, an inspection voltage and an auxiliary voltage, which are the same voltage, are applied across the first terminal and the ground 142 and across the second terminal 160 and the ground 142, respectively. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、電気回路の検査方法及び電気回路の製造方法、並びにそれらの方法に好適な電気回路に関する。 The present invention relates to an electric circuit inspection method, an electric circuit manufacturing method, and an electric circuit suitable for these methods.

特許文献１には、ゲート電極とソース電極との間（以下、ゲート−ソース間という。）にツェナーダイオードが接続された電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴという。）の漏れ電流の測定方法が開示されている。特許文献１に記載された測定方法では、ツェナーダイオードがゲート電極又はソース電極に未接続の状態で、検査装置によりゲート−ソース間に検査電圧を印加しながら、そのとき流れる検査電流を測定することにより、ＦＥＴのゲート−ソース間を流れる漏れ電流（以下、ＦＥＴの漏れ電流という。）を測定している。この測定方法によれば、検査電圧印加時にツェナーダイオードを介して電流が流れず、検査電流にツェナーダイオードを介して流れる電流が含まれないため、ＦＥＴの漏れ電流を正確に測定することができる。ここで検査電流とは、検査対象のＦＥＴが含まれる電気回路と検査装置の内部回路とにより形成される検査電圧印加用の回路を流れる電流のことである。 Patent Document 1 discloses a method for measuring leakage current of a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) in which a Zener diode is connected between a gate electrode and a source electrode (hereinafter referred to as gate-source). Yes. In the measurement method described in Patent Document 1, the inspection current flowing at that time is measured while applying the inspection voltage between the gate and the source by the inspection device in a state where the Zener diode is not connected to the gate electrode or the source electrode. The leakage current flowing between the gate and the source of the FET (hereinafter referred to as the leakage current of the FET) is measured. According to this measuring method, when a test voltage is applied, no current flows through the Zener diode, and the current that flows through the Zener diode is not included in the test current. Therefore, the leakage current of the FET can be accurately measured. Here, the inspection current is a current flowing through an inspection voltage application circuit formed by an electric circuit including the FET to be inspected and an internal circuit of the inspection apparatus.

特開平５−４１４３６号公報JP-A-5-41436

しかしながら、複数のＦＥＴを含む電気回路の個々のＦＥＴの漏れ電流を特許文献１に記載された測定方法により測定する場合、ＦＥＴの漏れ電流測定後に、複数のＦＥＴ毎に配置されている複数のツェナーダイオードの未接続の一端をゲート電極又はソース電極に接続する必要がある。すなわち、電気回路に含まれる測定対象のＦＥＴ数が増加するにつれて、電気回路の漏れ電流測定後の組立工数も増加するため、電気回路の製造コストが増加するという問題がある。 However, when measuring the leakage current of each FET of an electric circuit including a plurality of FETs by the measurement method described in Patent Document 1, a plurality of Zeners arranged for each of the plurality of FETs after measurement of the leakage current of the FETs. It is necessary to connect one unconnected end of the diode to the gate electrode or the source electrode. That is, as the number of FETs to be measured included in the electric circuit increases, the number of assembly steps after measuring the leakage current of the electric circuit also increases, which increases the manufacturing cost of the electric circuit.

本発明は、上記の問題に鑑みてなされたものであって、構成部品としての複数のトランジスタの漏れ電流を正確に測定できる安価な電気回路、その製造方法及びその検査方法を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to provide an inexpensive electric circuit that can accurately measure leakage currents of a plurality of transistors as components, a manufacturing method thereof, and an inspection method thereof. And

請求項１、請求項２、請求項５に記載の発明によれば、ドレイン電極とソース電極とにより電源間に並列に接続された複数のＦＥＴと、一端が複数のＦＥＴのゲート電極に個々に接続された複数の受動素子とを備える電気回路を、複数の受動素子の他端が互いに接続されそれらの他端が電源と接続されていない状態でＦＥＴの漏れ電流を測定する。ここで請求項１、請求項２、請求項５に係る受動素子とは、例えばバイアス回路や保護回路として機能する、抵抗器（以下、抵抗という。）やダイオードである。また電源とは、電気回路に電源電圧を供給するため電源回路に接続されている導体層又は導線である。複数の受動素子の他端が互いに接続された状態でＦＥＴの漏れ電流を測定するため、ＦＥＴの漏れ電流測定後、受動素子の他端と電源とを例えば１カ所で接続するだけで電気回路を組み立てることができる。複数のＦＥＴに対応する複数の受動素子の他端を個別に電源に接続する場合と比較して、電気回路の漏れ電流測定後の組立工数を削減することができ、電気回路の製造コストを低減することができる。尚、本明細書において、「・・・に接続する」とは、技術上の阻害要因がない限りにおいて、「・・・に他の回路素子を介することなく直に接続する」ことと、「・・・に他の回路素子を介して接続する」ことの両方を含む意味とする。 According to the first, second, and fifth aspects of the present invention, the plurality of FETs connected in parallel between the power sources by the drain electrode and the source electrode, and one end of each of the FETs individually to the gate electrodes of the plurality of FETs In an electric circuit including a plurality of connected passive elements, the leakage current of the FET is measured in a state where the other ends of the plurality of passive elements are connected to each other and the other ends are not connected to a power source. Here, the passive elements according to claims 1, 2, and 5 are, for example, a resistor (hereinafter referred to as a resistor) or a diode that functions as a bias circuit or a protection circuit. The power source is a conductor layer or a conductive wire connected to the power supply circuit for supplying a power supply voltage to the electric circuit. In order to measure the leakage current of the FET with the other ends of the plurality of passive elements connected to each other, after measuring the leakage current of the FET, the electrical circuit is simply connected to the other end of the passive element and the power source, for example, at one location. Can be assembled. Compared to the case where the other ends of multiple passive elements corresponding to multiple FETs are individually connected to the power supply, the number of assembly steps after measuring the leakage current of the electric circuit can be reduced, and the manufacturing cost of the electric circuit is reduced. can do. In this specification, “to connect to...” Means “to directly connect to... Without any other circuit element” and “ To be connected via other circuit elements ”.

ところが、受動素子の他端が互いに接続されていると、検査対象のＦＥＴのゲート−ソース間のみに検査電圧を印加したとしても、検査対象のＦＥＴの漏れ電流以外の電流が検査対象外のＦＥＴに対応する受動素子を介して流れてしまう。具体的には例えば、検査対象のＦＥＴに対応する受動素子と検査対象外のＦＥＴに対応する受動素子とを介して、検査対象のＦＥＴのゲート−ソース間に印加した検査電圧に応じた電圧が検査対象外のＦＥＴのゲート−ソース間にも印加される。この結果、検査対象のＦＥＴの漏れ電流だけでなく、検査対象外のＦＥＴの漏れ電流も流れてしまう。また請求項１、請求項２、請求項５に係る受動素子とは別の回路素子（抵抗器やダイオード等）が検査対象外のＦＥＴのゲート−ソース間に接続されている場合には、その回路素子を介して電流が流れてしまう。このように検査対象のＦＥＴの漏れ電流以外の電流が含まれる検査電流を検査対象のＦＥＴの漏れ電流として測定したとしても、検査対象のＦＥＴの漏れ電流を正確に測定し得ない。 However, if the other ends of the passive elements are connected to each other, even if an inspection voltage is applied only between the gate and source of the FET to be inspected, currents other than the leakage current of the FET to be inspected are not subject to inspection. It flows through the passive element corresponding to. Specifically, for example, a voltage corresponding to the inspection voltage applied between the gate and the source of the FET to be inspected via the passive element corresponding to the FET to be inspected and the passive element corresponding to the FET not to be inspected. It is also applied between the gate and source of an FET that is not to be tested. As a result, not only the leakage current of the FET to be inspected but also the leakage current of the FET not to be inspected flows. Further, when a circuit element (resistor, diode, etc.) different from the passive element according to claim 1, claim 2, or claim 5 is connected between the gate and source of the FET not to be tested, Current flows through the circuit element. As described above, even if an inspection current including a current other than the leakage current of the FET to be inspected is measured as the leakage current of the FET to be inspected, the leakage current of the FET to be inspected cannot be accurately measured.

そこで請求項１、請求項２、請求項５に記載の発明では、検査電圧とともに、検査対象のＦＥＴに対応する受動素子の一端と他端とが同一電位になるように受動素子の他端に補助電圧を印加する。この結果、検査電流測定の際に検査対象のＦＥＴに対応する受動素子には電流が流れないので、検査電流をＦＥＴの漏れ電流として測定することにより、ＦＥＴの漏れ電流を正確に測定することができる。尚、本明細書において、「ＦＥＴに対応する・・・」とは「ＦＥＴのゲート電極に接続されている・・・」ことを意味するものとする。 Therefore, in the inventions according to claims 1, 2, and 5, together with the inspection voltage, the other end of the passive element has the same potential so that the one end and the other end of the passive element corresponding to the FET to be inspected have the same potential. Apply auxiliary voltage. As a result, since no current flows through the passive element corresponding to the FET to be inspected when measuring the inspection current, the leakage current of the FET can be accurately measured by measuring the inspection current as the leakage current of the FET. it can. In this specification, “corresponding to the FET...” Means “connected to the gate electrode of the FET.

請求項３、請求項４、請求項５に記載の発明によれば、コレクタ電極とエミッタ電極とにより電源間に並列に接続された複数のバイポーラトランジスタと、一端が複数のバイポーラトランジスタのベース電極に個々に接続された複数の受動素子とを備える電気回路を、複数の受動素子の他端が互いに接続されそれらの他端が電源と接続されていない状態でバイポーラトランジスタのベース電極とエミッタ電極との間を流れる漏れ電流（以下、バイポーラトランジスタの漏れ電流という。）を測定する。ここで請求項３、請求項４に係る受動素子とは、例えばバイアス回路や保護回路として機能する、抵抗器（以下、抵抗という。）やダイオードである。また電源とは、電気回路に電源電圧を供給するため電源回路に接続されている導体層又は導線である。複数の受動素子の他端が互いに接続された状態でバイポーラトランジスタの漏れ電流を測定するため、バイポーラトランジスタの漏れ電流測定後に、受動素子の他端と電源とを例えば１カ所で接続するだけで電気回路を組み立てることができる。複数のバイポーラトランジスタに対応する複数の受動素子の他端を個別に電源に接続する場合と比較して、電気回路の漏れ電流測定後の組立工数を削減することができ、電気回路の製造コストを低減することができる。 According to the invention described in claim 3, claim 4, or claim 5, the plurality of bipolar transistors connected in parallel between the power sources by the collector electrode and the emitter electrode, and one end to the base electrode of the plurality of bipolar transistors An electric circuit including a plurality of individually connected passive elements is connected to a base electrode and an emitter electrode of a bipolar transistor in a state where the other ends of the plurality of passive elements are connected to each other and the other ends are not connected to a power source. The leakage current flowing between them (hereinafter referred to as the leakage current of the bipolar transistor) is measured. Here, the passive elements according to claims 3 and 4 are, for example, a resistor (hereinafter referred to as a resistor) or a diode that functions as a bias circuit or a protection circuit. The power source is a conductor layer or a conductive wire connected to the power supply circuit for supplying a power supply voltage to the electric circuit. Since the leakage current of the bipolar transistor is measured in a state where the other ends of the plurality of passive elements are connected to each other, the electrical current can be obtained simply by connecting the other end of the passive element and the power source at, for example, one place after measuring the leakage current of the bipolar transistor. The circuit can be assembled. Compared to the case where the other ends of a plurality of passive elements corresponding to a plurality of bipolar transistors are individually connected to a power source, the number of assembly steps after measuring the leakage current of the electric circuit can be reduced, and the manufacturing cost of the electric circuit can be reduced. Can be reduced.

ところが、受動素子の他端が互いに接続されていると、検査対象のバイポーラトランジスタのベース電極とエミッタ電極の間（以下、ベース−エミッタ間という。）のみに検査電圧を印加したとしても、検査対象のバイポーラトランジスタの漏れ電流以外の電流が検査対象外のバイポーラトランジスタに対応する受動素子を介して流れてしまう。具体的には例えば、検査対象外のバイポーラトランジスタに対応する受動素子を介して、検査対象のバイポーラトランジスタに印加した検査電圧に応じた電圧が検査対象外のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間にも印加される。この結果、検査対象のバイポーラトランジスタの漏れ電流だけでなく、検査対象外のバイポーラトランジスタの漏れ電流も流れてしまう。また請求項３、請求項４、請求項５に係る受動素子とは別の回路素子（抵抗器やダイオード等）が検査対象外のバイポーラトランジスタのベース−エミッタ間に接続されている場合には、その回路素子を介して電流が流れてしまう。このように検査対象のバイポーラトランジスタの漏れ電流以外の電流が含まれる検査電流を検査対象のバイポーラトランジスタの漏れ電流として測定したとしても、検査対象のバイポーラトランジスタの漏れ電流を正確に測定し得ない。 However, when the other ends of the passive elements are connected to each other, even if the inspection voltage is applied only between the base electrode and the emitter electrode of the bipolar transistor to be inspected (hereinafter referred to as between the base and the emitter), Current other than the leakage current of the bipolar transistor flows through the passive element corresponding to the bipolar transistor not subject to inspection. Specifically, for example, a voltage corresponding to the inspection voltage applied to the bipolar transistor to be inspected is also applied between the base and emitter of the bipolar transistor not to be inspected via a passive element corresponding to the bipolar transistor not to be inspected. Is done. As a result, not only the leakage current of the bipolar transistor to be inspected but also the leakage current of the bipolar transistor not to be inspected flows. In addition, when a circuit element (resistor, diode, etc.) other than the passive element according to claims 3, 4, and 5 is connected between the base and emitter of a bipolar transistor not subject to inspection, A current flows through the circuit element. Thus, even if an inspection current including a current other than the leakage current of the inspection target bipolar transistor is measured as the leakage current of the inspection target bipolar transistor, the leakage current of the inspection target bipolar transistor cannot be accurately measured.

そこで請求項３、請求項４、請求項５に記載の発明では、検査電圧とともに、検査対象のバイポーラトランジスタに対応する受動素子の一端と他端とが同一電位になるように受動素子の他端に補助電圧を印加する。この結果、検査電流測定の際に検査対象のバイポーラトランジスタに対応する受動素子には電流が流れないので、検査電流をバイポーラトランジスタの漏れ電流として測定することにより、バイポーラトランジスタの漏れ電流を正確に測定することができる。尚、本明細書において、「バイポーラトランジスタに対応する・・・」とは「バイポーラトランジスタのベース電極に接続されている・・・」を意味するものとする。 Therefore, in the inventions according to claims 3, 4, and 5, the other end of the passive element is set so that the one end and the other end of the passive element corresponding to the bipolar transistor to be inspected have the same potential as well as the inspection voltage. An auxiliary voltage is applied to. As a result, no current flows through the passive element corresponding to the bipolar transistor to be inspected when measuring the inspection current. Therefore, the leakage current of the bipolar transistor is accurately measured by measuring the inspection current as the leakage current of the bipolar transistor. can do. In this specification, “corresponding to the bipolar transistor...” Means “connected to the base electrode of the bipolar transistor.

請求項５に記載の発明によれば、導線をワイヤボンディングにより形成する。これにより、例えばリードフレームのインナリードと電気回路の入出力端子をワイヤボンディングにより接続する工程（以下ボンディング工程という。）において、導線をワイヤボンディングにより形成することができる。この場合、ボンディング工程以外の工程で導線を形成する場合と比較して電気回路の製造工程を簡素化できるため、電気回路の製造コストを低減することができる。 According to the invention described in claim 5, the conducting wire is formed by wire bonding. Thus, for example, in a step of connecting the inner lead of the lead frame and the input / output terminal of the electric circuit by wire bonding (hereinafter referred to as a bonding step), the conducting wire can be formed by wire bonding. In this case, the manufacturing process of the electric circuit can be simplified as compared with the case where the conductive wire is formed in a process other than the bonding process, and thus the manufacturing cost of the electric circuit can be reduced.

請求項６に記載の発明によれば、第一端子は受動素子の一端に接続され、第二端子は受動素子の他端に接続されている。したがって、例えば電気回路に含まれるＦＥＴの漏れ電流を上述した検査方法により測定する場合、導線をワイヤボンディングで形成する前に第一端子及び第二端子と共通の基準電位（例えばグランド）との間にそれぞれ同電圧の検査電圧と補助電圧とを印加することにより、ＦＥＴの漏れ電流を正確に測定することができる。また、検査装置を第一端子と第二端子に接続することができるため、電気回路に検査電圧と補助電圧とを容易に印加することができる。つまり請求項６に記載の発明による電気回路は、上述した検査方法及び製造方法におけるＦＥＴの漏れ電流測定に好適な電気回路である。 According to the invention described in claim 6, the first terminal is connected to one end of the passive element, and the second terminal is connected to the other end of the passive element. Therefore, for example, when measuring the leakage current of an FET included in an electric circuit by the above-described inspection method, before forming the conductive wire by wire bonding, the first terminal and the second terminal are connected to a common reference potential (for example, ground). The leakage current of the FET can be accurately measured by applying the inspection voltage and the auxiliary voltage of the same voltage to each other. Further, since the inspection device can be connected to the first terminal and the second terminal, the inspection voltage and the auxiliary voltage can be easily applied to the electric circuit. That is, the electric circuit according to the invention described in claim 6 is an electric circuit suitable for measuring the leakage current of the FET in the inspection method and the manufacturing method described above.

請求項７に記載の発明によれば、第一端子は受動素子の一端に接続され、第二端子は受動素子の他端に接続されている。したがって、例えば電気回路に含まれるバイポーラトランジスタの漏れ電流を上述した検査方法により測定する場合、導線をワイヤボンディングで形成する前に第一端子及び第二端子と共通の基準電位との間にそれぞれ同電圧の検査電圧と補助電圧とを印加することにより、バイポーラトランジスタの漏れ電流を正確に測定することができる。また、検査装置を第一端子と第二端子に接続することができるため、電気回路に検査電圧と補助電圧とを容易に印加することができる。つまり請求項６に記載の発明による電気回路は、上述した検査方法及び製造方法におけるバイポーラトランジスタの漏れ電流測定に好適な電気回路である。 According to the invention described in claim 7, the first terminal is connected to one end of the passive element, and the second terminal is connected to the other end of the passive element. Therefore, for example, when the leakage current of a bipolar transistor included in an electric circuit is measured by the above-described inspection method, before the conductors are formed by wire bonding, the first terminal and the second terminal are common to the common reference potential. By applying the voltage inspection voltage and the auxiliary voltage, the leakage current of the bipolar transistor can be accurately measured. Further, since the inspection device can be connected to the first terminal and the second terminal, the inspection voltage and the auxiliary voltage can be easily applied to the electric circuit. That is, the electric circuit according to the invention described in claim 6 is an electric circuit suitable for measuring the leakage current of the bipolar transistor in the inspection method and the manufacturing method described above.

（第１実施形態）
図２は本発明の一実施形態によるモータ駆動装置１００を示す模式図である。
モータ駆動装置１００は、例えばエンジンのバルブタイミングを制御するモータの駆動装置である。モータ駆動装置１００は、制御回路１１０、電気回路としてのインバータ回路１２０等から構成されている。尚、電気回路は制御回路１１０等のインバータ回路１２０以外の回路を含んでもよい。
制御回路１１０はインバータ回路１２０を制御する。尚、制御回路１１０は自律的に作動する回路でもよい。 (First embodiment)
FIG. 2 is a schematic diagram showing a motor drive device 100 according to an embodiment of the present invention.
The motor driving device 100 is a motor driving device that controls the valve timing of the engine, for example. The motor drive device 100 includes a control circuit 110, an inverter circuit 120 as an electric circuit, and the like. The electric circuit may include a circuit other than the inverter circuit 120 such as the control circuit 110.
The control circuit 110 controls the inverter circuit 120. The control circuit 110 may be a circuit that operates autonomously.

インバータ回路１２０はモータ２００を駆動する。インバータ回路１２０は、２つのＮチャネルのＦＥＴ（以下、ＦＥＴという。）１２１がソース電極Ｓとドレイン電極Ｄとで直列接続された３つのアーム１３０を有し、３つのアーム１３０は電源間に並列接続されている。具体的にはアーム１３０の一端側のＦＥＴ１２１のドレイン電極Ｄは、作動時に駆動電圧が印加される電源１４０に接続され、アーム１３０の他端側のＦＥＴ１２１のソース電極Ｓはグランド１４２に接続されている。電源１４０は電源ラインや電源層であり、グランド１４２はグランドラインやグランド層である。以下、電源１４０側のＦＥＴ１２１を上段のＦＥＴといい、グランド１４２側のＦＥＴ１２１を下段のＦＥＴという。 The inverter circuit 120 drives the motor 200. The inverter circuit 120 includes three arms 130 in which two N-channel FETs (hereinafter referred to as FETs) 121 are connected in series with a source electrode S and a drain electrode D, and the three arms 130 are in parallel between power supplies. It is connected. Specifically, the drain electrode D of the FET 121 on one end side of the arm 130 is connected to a power source 140 to which a driving voltage is applied during operation, and the source electrode S of the FET 121 on the other end side of the arm 130 is connected to the ground 142. Yes. The power supply 140 is a power supply line or a power supply layer, and the ground 142 is a ground line or a ground layer. Hereinafter, the FET 121 on the power supply 140 side is referred to as an upper FET, and the FET 121 on the ground 142 side is referred to as a lower FET.

インバータ回路１２０は、６つのＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇで制御回路１１０と接続され、各アーム１３０の２つのＦＥＴ１２１の接続点１３２でモータ２００のコイル２１０と接続されている。インバータ回路１２０は、制御回路１１０がＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇに印加する駆動制御信号に応じた駆動信号をモータ２００のコイル２１０に印加する。尚、制御回路１１０と各ＦＥＴ１２１との間に直列接続された抵抗１２２は、各ＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇへの突入電流を抑制する保護回路として機能する。尚、インバータ回路１２０は抵抗１２２を有していなくてもよい。 The inverter circuit 120 is connected to the control circuit 110 by the gate electrodes G of the six FETs 121 and is connected to the coil 210 of the motor 200 at the connection point 132 of the two FETs 121 of each arm 130. The inverter circuit 120 applies a drive signal corresponding to the drive control signal applied to the gate electrode G of the FET 121 by the control circuit 110 to the coil 210 of the motor 200. The resistor 122 connected in series between the control circuit 110 and each FET 121 functions as a protection circuit that suppresses an inrush current to the gate electrode G of each FET 121. Note that the inverter circuit 120 may not have the resistor 122.

各ＦＥＴ１２１のドレイン電極Ｄとソース電極Ｓ間（以下、ドレイン−ソース間という。）にはダイオード１２３が接続され、ゲート電極Ｇとソース電極Ｓとの間にはツェナーダイオード１２４が接続されている。ダイオード１２３は、ＦＥＴ１２１の寄生ダイオードであり、モータ２００による逆起電力を吸収する所謂フライホイールダイオードとして機能する。もちろんダイオード１２３の電流容量が不足する場合には外付けのダイオードを各ＦＥＴ１２１に並列接続してもよい。ツェナーダイオード１２４は、その両端の電位差が降伏電圧以上になると電流を通過させることにより、ＦＥＴ１２１のゲート−ソース間の過電圧を防止する保護回路として機能する。尚、インバータ回路１２０はツェナーダイオード１２４を有していなくてもよい。 A diode 123 is connected between the drain electrode D and the source electrode S (hereinafter referred to as a drain-source) of each FET 121, and a Zener diode 124 is connected between the gate electrode G and the source electrode S. The diode 123 is a parasitic diode of the FET 121 and functions as a so-called flywheel diode that absorbs the back electromotive force generated by the motor 200. Of course, when the current capacity of the diode 123 is insufficient, an external diode may be connected in parallel to each FET 121. The Zener diode 124 functions as a protection circuit that prevents an overvoltage between the gate and the source of the FET 121 by allowing a current to pass through when the potential difference between both ends exceeds the breakdown voltage. Note that the inverter circuit 120 does not have to include the Zener diode 124.

下段のＦＥＴ１２１には、それぞれ受動素子としての抵抗１２６が１つずつ配置されている。３つの抵抗１２６の一端はそれぞれ対応するＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇに接続され、３つの他端は互いに接続されている。さらに３つの抵抗１２６の共通接続された他端は、導線１７０によりグランド１４２に接続されている。この結果、下段のＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇは抵抗１２６によりグランド１４２の電位（以下０Ｖという。）にバイアスされるため、ローレベルの駆動制御信号を確実に０Ｖに保持することができる。尚、ツェナーダイオード１２４は、一端が対応するＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇに接続され、他端が抵抗１２６の他端に接続されていてもよい。その場合のツェナーダイオード１２４は請求項に記載の受動素子に相当する。 Each of the lower FETs 121 is provided with one resistor 126 as a passive element. One end of each of the three resistors 126 is connected to the corresponding gate electrode G of the FET 121, and the other end is connected to each other. Further, the other end of the three resistors 126 connected in common is connected to the ground 142 by a conducting wire 170. As a result, the gate electrode G of the lower stage FET 121 is biased to the potential of the ground 142 (hereinafter referred to as 0V) by the resistor 126, so that the low-level drive control signal can be reliably held at 0V. The Zener diode 124 may have one end connected to the gate electrode G of the corresponding FET 121 and the other end connected to the other end of the resistor 126. In this case, the Zener diode 124 corresponds to the passive element described in the claims.

第一端子１５１から１５３は、それぞれＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇと抵抗１２６の一端との接続点に形成されている。第二端子１６０は３つの抵抗１２６の他端が共通接続されている接続点に形成されている。後述するＦＥＴ１２１の漏れ電流測定時、第一端子１５１から１５３及び第二端子１６０には検査装置のプローブが接続される。 The first terminals 151 to 153 are formed at connection points between the gate electrode G of the FET 121 and one end of the resistor 126, respectively. The second terminal 160 is formed at a connection point where the other ends of the three resistors 126 are commonly connected. At the time of measuring the leakage current of the FET 121, which will be described later, the probes of the inspection device are connected to the first terminals 151 to 153 and the second terminal 160.

以上説明したモータ駆動装置１００は、インバータ回路１２０の各ＦＥＴ１２１をオン状態又はオフ状態に制御することにより、モータ２００の３つの巻線２０２のうち所定の巻線２０２に駆動信号を印加する。モータ駆動装置１００は、モータ２００の巻線２０２に対する駆動信号の印加パターンを切り換えることにより、モータ２００を制御する。 The motor driving apparatus 100 described above applies a driving signal to a predetermined winding 202 among the three windings 202 of the motor 200 by controlling each FET 121 of the inverter circuit 120 to be in an on state or an off state. The motor drive device 100 controls the motor 200 by switching the application pattern of the drive signal to the winding 202 of the motor 200.

以下、インバータ回路１２０の製造方法について説明する。
まず、抵抗１２６の他端とグランド１４２とが接続されていない状態、すなわち導線１７０が形成されていない状態のインバータ回路１２０を形成する（図１参照）。具体的には例えば、リソグラフィにより上述したインバータ回路１２０をウェハに形成する。尚、インバータ回路１２０はリソグラフィ以外の方法で形成してもよい。 Hereinafter, a method for manufacturing the inverter circuit 120 will be described.
First, the inverter circuit 120 is formed in a state where the other end of the resistor 126 and the ground 142 are not connected, that is, a state where the conducting wire 170 is not formed (see FIG. 1). Specifically, for example, the inverter circuit 120 described above is formed on the wafer by lithography. Note that the inverter circuit 120 may be formed by a method other than lithography.

次に、インバータ回路１２０に含まれるＦＥＴ１２１のゲート−ソース間の漏れ電流を測定する。具体的には例えば、ウェハ状態でインバータ回路１２０の電気的特性を検査する所謂ウェハ検査においてＦＥＴ１２１の漏れ電流を測定する。尚、ＦＥＴ１２１の漏れ電流の測定は、外部から検査電圧及び補助電圧を印加することが可能な状態であればどのような状態で実施してよく、例えばウェハから切り出されたチップ状態で実施してもよい。 Next, the leakage current between the gate and the source of the FET 121 included in the inverter circuit 120 is measured. Specifically, for example, the leakage current of the FET 121 is measured in a so-called wafer inspection in which the electrical characteristics of the inverter circuit 120 are inspected in a wafer state. The measurement of the leakage current of the FET 121 may be performed in any state as long as an inspection voltage and an auxiliary voltage can be applied from the outside. For example, the leakage current of the FET 121 may be measured in a chip state cut from a wafer. Also good.

図１はＦＥＴ１２１の漏れ電流の測定方法を示す模式図である。図３は本発明の一実施形態による漏れ電流測定方法に対する比較例としての漏れ電流測定方法を示す模式図である。
図３に示すように、比較例としてのＦＥＴ１２１の漏れ電流の測定は、検査装置３１０から検査対象のＦＥＴ１２１に対応する第一端子とグランド１４２との間に検査電圧を印加しながら、検査電流を検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流として測定することにより実施される。ここで検査電流とは、検査装置３１０のプローブ３１２を介してインバータ回路１２０と検査装置３１０の電源回路３１６とにより形成される検査電圧印加用の回路（以下、検査回路という。）を流れる電流（図３に示す矢印１９４参照）のことである。
尚、ＦＥＴ１２１の漏れ電流測定の際には、インバータ回路１２０の電源１４０とグランド１４２との間に電源電圧を印加せず、検査装置３１０の電源回路３１６にグランド１４２を接続する。例えば、電源回路３１６と共にグランド１４２を接地する。もちろん、グランド１４２と検査装置３１０の電源回路３１６を、検査装置３１０のプローブ等で直に接続してもよい。 FIG. 1 is a schematic diagram showing a method for measuring the leakage current of the FET 121. FIG. 3 is a schematic diagram showing a leakage current measuring method as a comparative example with respect to the leakage current measuring method according to the embodiment of the present invention.
As shown in FIG. 3, the leakage current of the FET 121 as a comparative example is measured by applying an inspection voltage from the inspection device 310 between the first terminal corresponding to the FET 121 to be inspected and the ground 142. This is implemented by measuring the leakage current of the FET 121 to be inspected. Here, the inspection current refers to a current (hereinafter referred to as an inspection circuit) flowing through an inspection voltage application circuit (hereinafter referred to as an inspection circuit) formed by the inverter circuit 120 and the power supply circuit 316 of the inspection device 310 via the probe 312 of the inspection device 310. (See arrow 194 shown in FIG. 3).
When measuring the leakage current of the FET 121, the power supply voltage is not applied between the power supply 140 of the inverter circuit 120 and the ground 142, and the ground 142 is connected to the power supply circuit 316 of the inspection device 310. For example, the ground 142 is grounded together with the power supply circuit 316. Of course, the ground 142 and the power supply circuit 316 of the inspection apparatus 310 may be directly connected by the probe of the inspection apparatus 310 or the like.

ところが、３つの抵抗１２６の他端は互いに接続されている。そのため、検査対象のＦＥＴ１２１に対応する第一端子（例えば第一端子１５１）とグランド１４２との間にのみに検査電圧を印加したとしても、検査対象のＦＥＴ１２１のゲート−ソース間だけでなく、検査対象外のＦＥＴ１２１のゲート−ソース間にも抵抗１２６を介して検査電圧に応じた電圧が印加される。この結果、検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流（図３に示す矢印１９０参照）だけでなく、検査対象外のＦＥＴ１２１及びそれに対応するツェナーダイオード１２４を介して検査回路に電流が流れてしまう（図３に示す矢印１９２参照）。すなわち、検査電流には、検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流の他に、検査対象外のＦＥＴ１２１の漏れ電流やツェナーダイオード１２４を流れる電流が含まれるため、検査電流を検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流として正確に測定したとしても、検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流を正確に測定し得ない。 However, the other ends of the three resistors 126 are connected to each other. Therefore, even if the inspection voltage is applied only between the first terminal (for example, the first terminal 151) corresponding to the FET 121 to be inspected and the ground 142, not only between the gate and the source of the FET 121 to be inspected but also in the inspection. A voltage corresponding to the inspection voltage is also applied between the gate and source of the FET 121 that is not the target via the resistor 126. As a result, not only the leakage current of the FET 121 to be inspected (see the arrow 190 shown in FIG. 3) but also the current flows through the inspection circuit via the FET 121 and the Zener diode 124 corresponding to the non-inspected FET 121 (see FIG. 3). See arrow 192). That is, since the inspection current includes the leakage current of the FET 121 that is not the inspection target and the current that flows through the Zener diode 124 in addition to the leakage current of the FET 121 that is the inspection target, the inspection current is accurately used as the leakage current of the FET 121 that is the inspection target. Even if it is measured, the leakage current of the FET 121 to be inspected cannot be measured accurately.

そこで、図１に示すように、本発明の一実施形態による漏れ電流測定方法では、検査対象のＦＥＴ１２１に対応する第一端子（例えば第一端子１５１）とグランド１４２との間に検査電圧を印加するとともに、第二端子１６０−グランド１４２間に検査電圧と同一電圧の補助電圧を印加する。具体的には、検査装置３００のプローブ３０２とプローブ３０４とをそれぞれ第一端子と第二端子１６０とに接触させることによりインバータ回路１２０に検査装置３００を接続する。そして検査装置３００の電源回路３０６により、第一端子とグランド１４２との間と、第二端子１６０とグランド１４２との間とにそれぞれ検査電圧と補助電圧とを印加する。 Therefore, as shown in FIG. 1, in the leakage current measurement method according to the embodiment of the present invention, a test voltage is applied between the first terminal (for example, the first terminal 151) corresponding to the FET 121 to be tested and the ground 142. At the same time, an auxiliary voltage having the same voltage as the inspection voltage is applied between the second terminal 160 and the ground 142. Specifically, the inspection device 300 is connected to the inverter circuit 120 by bringing the probe 302 and the probe 304 of the inspection device 300 into contact with the first terminal and the second terminal 160, respectively. Then, the power supply circuit 306 of the inspection apparatus 300 applies an inspection voltage and an auxiliary voltage between the first terminal and the ground 142 and between the second terminal 160 and the ground 142, respectively.

この結果、検査対象のＦＥＴ１２１に対応する抵抗１２６の一端と他端とが同一電位になり、検査対象のＦＥＴ１２１に対応する抵抗１２６には電流が流れなくなる。すなわち、検査対象のＦＥＴ１２１の漏れ電流以外の電流が検査対象のＦＥＴ１２１に対応する抵抗１２６を介して検査回路を流れることを防止できるので、検査電流を検査対象のＦＥＴ１２１のゲート−ソース間の漏れ電流として測定することにより、ＦＥＴ１２１のゲート−ソース間の漏れ電流を正確に測定することができる。また、インバータ回路１２０は検査電圧印加用の第一端子（第一端子１５１から１５３）と補助電圧印加用の第二端子１６０とを備えているため、インバータ回路１２０の配線等にプローブ３０２及び３０４を直に接触させる場合と比較して、インバータ回路１２０に検査電圧及び補助電圧を容易に印加することができる。 As a result, one end and the other end of the resistor 126 corresponding to the FET 121 to be inspected have the same potential, and no current flows through the resistor 126 corresponding to the FET 121 to be inspected. That is, since it is possible to prevent a current other than the leakage current of the FET 121 to be inspected from flowing through the inspection circuit via the resistor 126 corresponding to the FET 121 to be inspected, the inspection current is leaked between the gate and the source of the FET 121 to be inspected. As a result, it is possible to accurately measure the leakage current between the gate and the source of the FET 121. Further, since the inverter circuit 120 includes a first terminal for applying a test voltage (first terminals 151 to 153) and a second terminal 160 for applying an auxiliary voltage, probes 302 and 304 are connected to the wiring of the inverter circuit 120 and the like. Compared with the case where the direct contact is made, the inspection voltage and the auxiliary voltage can be easily applied to the inverter circuit 120.

以上説明した漏れ電流の測定方法により検査対象とする全てのＦＥＴ１２１の漏れ電流を測定する検査工程を終えると、その後に抵抗１２６の他端とグランド１４２とを接続する導線１７０を形成する。具体的には例えば、上述したボンディング工程において、リードフレームのインナリードとインバータ回路１２０の入出力端子１８０とをワイヤボンディングにより接続するとともに、ワイヤボンディングで導線１７０を形成することにより、抵抗１２６の他端とグランド１４２とを接続する。このようにしてインバータ回路１２０の組立て工程を簡素化することにより、インバータ回路１２０の製造コストを削減することができる。また、３つの抵抗１２６の他端が予め互いに接続されているため、１本の導線１７０を形成するだけで抵抗１２６の他端とグランド１４２とを接続することができる。この結果、複数本の導線で抵抗１２６の他端とグランド１４２とを接続する場合と比較して、インバータ回路１２０の組立工数を削減できるため、インバータ回路１２０の製造コストを低減することができる。以上説明した導線１７０を形成する工程が請求項に記載の「導線形成工程」に相当する。尚、導線１７０はボンディング工程と異なる別工程でワイヤボンディングにより形成してもよいし、導線１７０はワイヤボンディング以外の方法で形成してもよい。 When the inspection process for measuring the leakage currents of all the FETs 121 to be inspected by the leakage current measuring method described above is completed, a conductive wire 170 that connects the other end of the resistor 126 and the ground 142 is formed thereafter. Specifically, for example, in the bonding process described above, the inner leads of the lead frame and the input / output terminals 180 of the inverter circuit 120 are connected by wire bonding, and the conductors 170 are formed by wire bonding, so that The end and the ground 142 are connected. By simplifying the assembly process of the inverter circuit 120 in this way, the manufacturing cost of the inverter circuit 120 can be reduced. In addition, since the other ends of the three resistors 126 are connected to each other in advance, the other end of the resistor 126 and the ground 142 can be connected only by forming one conductive wire 170. As a result, compared with the case where the other end of the resistor 126 and the ground 142 are connected by a plurality of conductive wires, the number of assembling steps of the inverter circuit 120 can be reduced, and the manufacturing cost of the inverter circuit 120 can be reduced. The process of forming the conductive wire 170 described above corresponds to the “conductive wire forming process” recited in the claims. The conducting wire 170 may be formed by wire bonding in a different process from the bonding process, or the conducting wire 170 may be formed by a method other than wire bonding.

（他の実施形態）
尚、以上説明した一実施形態では、インバータ回路１２０に含まれるＦＥＴ１２１の漏れ電流の測定方法について説明した。しかし本発明による電気回路の検査方法及び製造方法は、ドレイン電極とソース電極とにより電源間に並列に接続された複数のＦＥＴと、インバータ回路１２０の複数の抵抗１２６に相当する回路とを含む電気回路であれば、インバータ回路１２０以外の電気回路にも適用可能である。 (Other embodiments)
In the embodiment described above, the method for measuring the leakage current of the FET 121 included in the inverter circuit 120 has been described. However, the electric circuit inspection method and manufacturing method according to the present invention include an electric circuit including a plurality of FETs connected in parallel between power sources by a drain electrode and a source electrode, and a circuit corresponding to the plurality of resistors 126 of the inverter circuit 120. Any circuit other than the inverter circuit 120 can be used as long as it is a circuit.

また、ＮチャネルのＦＥＴ１２１により構成されたインバータ回路１２０の漏れ電流の測定方法について説明したが、本発明による電気回路の検査方法及び製造方法は、ＰチャネルのＦＥＴにより構成された電気回路及びＮチャネルのＦＥＴとＰチャネルのＦＥＴとが混在した電気回路にも適用可能である。
また、本発明による電気回路の検査方法及び製造方法は、バイポーラトランジスタにより構成された電気回路にも適用可能である。そのときは、ＦＥＴ１２１のゲート電極Ｇ、ドレイン電極Ｄ、ソース電極Ｓをそれぞれバイポーラトランジスタのベース電極、コレクタ電極、エミッタ電極に読み換えて、上述したＦＥＴ１２１に係る記載を解釈することができる。 In addition, the method for measuring the leakage current of the inverter circuit 120 configured by the N-channel FET 121 has been described. However, the method and method for inspecting the electrical circuit according to the present invention include the electrical circuit configured by the P-channel FET and the N-channel FET. The present invention can also be applied to an electric circuit in which both FETs and P-channel FETs are mixed.
The electric circuit inspection method and manufacturing method according to the present invention can also be applied to an electric circuit composed of bipolar transistors. In that case, the above description of the FET 121 can be interpreted by replacing the gate electrode G, drain electrode D, and source electrode S of the FET 121 with the base electrode, collector electrode, and emitter electrode of the bipolar transistor, respectively.

また、インバータ回路１２０の電源間に並列接続されるアーム１３０の数は駆動するモータ２００に応じて決まる設計事項であり、その数は２つでも４つ以上でもよい。
また、第一端子１５１から１５３は、ＦＥＴ１２１のゲートＧとそのＦＥＴ１２１に対応する抵抗１２６との接続点から引き出して上述の接続点と異なる位置に配置してもよく、第二端子１６０は、抵抗１２６の他端が共通接続された接続点から引き出して上述の接続点と異なる位置に配置してもよい。
また、インバータ回路１２０は複数の第二端子１６０を備えてもよい。 The number of arms 130 connected in parallel between the power supplies of the inverter circuit 120 is a design matter determined according to the motor 200 to be driven, and the number may be two or four or more.
The first terminals 151 to 153 may be drawn from the connection point between the gate G of the FET 121 and the resistor 126 corresponding to the FET 121 and arranged at a position different from the above connection point. The other end of 126 may be pulled out from a commonly connected connection point and arranged at a position different from the above connection point.
Further, the inverter circuit 120 may include a plurality of second terminals 160.

本発明によるインバータ回路の検査方法を示す模式図。The schematic diagram which shows the inspection method of the inverter circuit by this invention. 本発明によるモータ駆動回路を示す模式図。The schematic diagram which shows the motor drive circuit by this invention. 本発明によるインバータ回路の検査方法の比較例を示す模式図。The schematic diagram which shows the comparative example of the inspection method of the inverter circuit by this invention.

Explanation of symbols

１２０インバータ回路（電気回路）、１２１電界効果トランジスタ、１２６抵抗（抵抗器、受動素子）、１４０電源、１４２グランド（電源）、１５１〜１５３第一端子、１６０第二端子、１７０導線 120 inverter circuit (electric circuit), 121 field effect transistor, 126 resistor (resistor, passive element), 140 power supply, 142 ground (power supply), 151 to 153 first terminal, 160 second terminal, 170 lead wire

Claims

A plurality of field effect transistors connected in parallel between power sources by a drain electrode and a source electrode, and resistors or diodes, one end of which is individually connected to the gate electrodes of the plurality of field effect transistors, and the other end is the power source An inspection method of an electric circuit comprising a plurality of passive elements connected to
An inspection voltage is applied between the gate electrode and the source electrode of the field-effect transistor to be inspected in a state where the other ends of the plurality of passive elements are connected to each other and the other end is not connected to the power source. And applying an auxiliary voltage to the other end of the passive element so that the one end and the other end of the passive element having the one end connected to the gate electrode of the field-effect transistor to be inspected have the same potential. An electric circuit inspection method for measuring a leakage current flowing between the gate electrode and the source electrode of the field effect transistor to be inspected.

An inspection step of measuring a leakage current flowing between the gate electrode and the source electrode of the field effect transistor constituting the electric circuit by the electric circuit inspection method according to claim 1;
After the inspection step, a lead forming step for forming a lead connecting the other end of the passive element to the power source;
A method of manufacturing an electrical circuit comprising:

A plurality of bipolar transistors connected in parallel between power sources by a collector electrode and an emitter electrode, and resistors or diodes, one end of which is individually connected to the base electrode of the plurality of bipolar transistors and the other end connected to the power source An inspection method of an electric circuit comprising a plurality of passive elements,
A test voltage is applied between the base electrode and the emitter electrode of the bipolar transistor to be tested while the other ends of the plurality of passive elements are connected to each other and the other end and the power source are not connected. While applying an auxiliary voltage to the other end of the passive element so that the one end and the other end of the passive element having one end connected to the base electrode of the bipolar transistor to be inspected have the same potential A method for inspecting an electric circuit for measuring a leakage current flowing between the base electrode and the emitter electrode of the bipolar transistor to be inspected.

An inspection step of measuring a leakage current flowing between the base electrode and the emitter electrode of the bipolar transistor constituting the electric circuit by the electric circuit inspection method according to claim 3;
After the inspection step, a lead forming step for forming a lead connecting the other end of the passive element to the power source;
A method of manufacturing an electrical circuit comprising:

The method of manufacturing an electric circuit according to claim 2 or 4, wherein, in the conducting wire forming step, the conducting wire is formed by wire bonding.

A plurality of field effect transistors connected in parallel between the power sources by the drain electrode and the source electrode;
A plurality of passive elements each having a resistor or a diode, one end of which is individually connected to the gate electrodes of the plurality of field effect transistors and the other end of which are connected to each other;
A plurality of first terminals individually connected to the one end of the plurality of passive elements;
A second terminal connected to the other end of the passive element;
A conductive wire formed by wire bonding and connecting the other end of the passive element to the power source;
An electric circuit comprising.

A plurality of bipolar transistors connected in parallel between power sources by a collector electrode and an emitter electrode;
A plurality of passive elements each having a resistor or a diode, one end of which is individually connected to the base electrode of the plurality of bipolar transistors and the other end connected to each other;
A plurality of first terminals individually connected to the one end of the plurality of passive elements;
A second terminal connected to the other end of the passive element;
A conductive wire formed by wire bonding and connecting the other end of the passive element to the power source;
An electric circuit comprising.