JP2007013368A - Bandpass filter - Google Patents

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振海 邵
Masayuki Fujise
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
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    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/2005Electromagnetic photonic bandgaps [EPB], or photonic bandgaps [PBG]

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an improved type bandpass filter suitable for a 60GHz band using low-temperature co-fire ceramic. <P>SOLUTION: This bandpass filter comprises a base which is made of low-temperature co-fire ceramic and has one or more holes, and a coplanar waveguide which is patterned on the base and covers one or more holes. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はバンドパス・フィルタに関し、特に、60GHz帯に適し、LTCC(低温同時焼成セラミック)を基に設計されたバンドパス・フィルタに関する。     The present invention relates to a band-pass filter, and more particularly to a band-pass filter suitable for the 60 GHz band and designed based on LTCC (low temperature co-fired ceramic).

ロウパス・フィルタやバンドパス・フィルタを設計するために、種々の技術が提案されている。たとえば、それらフィルタを設計するための技術は以下の非特許文献に記載されている。
M. Kim、B. Lee 「コプレーナ導波部のための新規なL型DGS」 2003年、Asia-Pacific Microwave Conference、3巻、1454−1457頁 J. S. Lim、C. S. Kim、Y. T. Lee、D. Ahn、S. Nam 「コプレーナ導波部のための螺旋形欠陥グランド構造」 IEEE microwave and Wireless Components Letters、12巻、9号、330−332頁、2002年9月 T. Y. Yun、K. Chang 「一平面一次元光バンドギャップ構造の共振器」 IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 49巻、549−533頁、2001年3月 Y. Q. Fu.、G. H. Zhang、N. C. Yuan 「新規なPBGコプレーナ導波部」 IEEE microwave and Wireless Components Letters、11巻、9号、447−449頁、2001年11月 S. W. Wang、C. L. Wang、R. B. Wu 「コプレーナ導波部給電式ステップ摂動スロットリング共振器を備えた新規なユニプレーナ型バンドパス・フィルタ」 2003 Asia-Pacific Microwave Conference、3巻、669−672頁 Rainee N. Simons 「コプレーナ導波部回路、要素、システム」 John Wiley & Sons, Inc、2001年
Various techniques have been proposed for designing low-pass filters and band-pass filters. For example, techniques for designing these filters are described in the following non-patent documents.
M. Kim, B. Lee “New L-shaped DGS for Coplanar Waveguide” 2003, Asia-Pacific Microwave Conference, Vol. 3, pp. 1454-1457 JS Lim, CS Kim, YT Lee, D. Ahn, S. Nam “Helical defect ground structure for coplanar waveguide” IEEE microwave and Wireless Components Letters, Vol. 12, No. 9, pp. 330-332, 2002 September TY Yun, K. Chang “Resonator with one-plane one-dimensional optical bandgap structure” IEEE Trans. Microwave Theory Tech. 49, 549-533, March 2001 YQ Fu., GH Zhang, NC Yuan "New PBG Coplanar Waveguide" IEEE microwave and Wireless Components Letters, Vol. 11, No. 9, pp. 447-449, November 2001 SW Wang, CL Wang, RB Wu “New Uniplanar Bandpass Filter with Coplanar Waveguide-Fed Step Perturbed Throttling Resonator” 2003 Asia-Pacific Microwave Conference, Volume 3, pages 669-672 Rainee N. Simons "Coplanar Waveguide Circuits, Elements, Systems" John Wiley & Sons, Inc, 2001

有用性のある方法として欠陥グランド構造(DGS)[非特許文献1][非特許文献2]がロウパス・フィルタやバンドバス・フィルタを設計するために提案されている。フィルタを構成するのに少数のDGSを用いればよいので、光バンドギャップ(PBG)構造[非特許文献3][非特許文献4]に比較してDGSは簡易である。   As a useful method, a defective ground structure (DGS) [Non-Patent Document 1] [Non-Patent Document 2] has been proposed for designing a low-pass filter and a band-pass filter. Since a small number of DGSs may be used to construct the filter, the DGS is simpler than the optical bandgap (PBG) structure [Non-Patent Document 3] [Non-Patent Document 4].

しかし、PBGを用いてフィルタを設計するには、多くのPBGを用いなければならない。また、DGSには簡易なRLC(抵抗、インダクタンス、容量)回路を近似させることが可能であるので、DGSはその動作周波数レンジを、特にマイクロストリップライン構造に合わせて容易に調整・設計することができる。   However, many PBGs must be used to design a filter using PBGs. In addition, since it is possible to approximate a simple RLC (resistance, inductance, capacitance) circuit to DGS, DGS can easily adjust and design its operating frequency range, especially according to the microstrip line structure. it can.

従来のDGS部は、DGSを周期的アレイ状に配置することなしに、遮断周波数と減衰極をある周波数において出現させることができる。   The conventional DGS unit can cause the cutoff frequency and the attenuation pole to appear at a certain frequency without arranging the DGS in a periodic array.

従来より、DGSまたはPBGがマイクロストリップ型フィルタを設計するのに用いられてきた。DGSの応用について多くの論文が公開され、多種のDGS構造が図1において用いられている。   Traditionally, DGS or PBG has been used to design microstrip filters. Many papers on DGS applications have been published and various DGS structures are used in FIG.

しかし、DGSを用いたコプレーナ型フィルタ[非特許文献1][非特許文献2]の設計についてはあまり論文が公開されていない。コプレーナ導波部(CPW)はマイクロストリップラインやスロットラインと同じく平面回路設計にとって重要な要素である。多様なCPW構造が存在する[非特許文献6]。   However, few papers have been published on the design of coplanar filters [Non-Patent Document 1] and [Non-Patent Document 2] using DGS. The coplanar waveguide (CPW) is an important element for planar circuit design, as is the microstrip line and slot line. There are various CPW structures [Non-Patent Document 6].

CPWの基本構造は三つの共面なストリップラインにより構成される。図2(a)に示すように、両面ストリップラインは無限幅を有する。この構造は、実際には理論的作業や解析作業にのみ用いられる。   The basic structure of CPW is composed of three coplanar striplines. As shown in FIG. 2 (a), the double-sided stripline has an infinite width. This structure is actually used only for theoretical and analytical work.

詳細には、マイクロ波集積回路(MIC)において、CPWはマイクロストリップ構造に接続されるか、または導体背面グランドを有していなければならない。配線またはビアにより二つの側面グランドは導体背面グランドに接続され、一つのグランドを形成する(つまり、等しい電圧レベルで動作できる)。   Specifically, in a microwave integrated circuit (MIC), the CPW must be connected to a microstrip structure or have a conductor back ground. The two side grounds are connected to the conductor back ground by wiring or vias to form one ground (ie, can operate at equal voltage levels).

もう一つの問題は、実際の回路においては側面グランドの幅は有限であるということである。勿論、ある場合においては、幅が十分に大きいものである限り、この構造は従来のCPWとみなすことができる[非特許文献6]。   Another problem is that the width of the side ground is finite in an actual circuit. Of course, in some cases, as long as the width is sufficiently large, this structure can be regarded as a conventional CPW [Non-Patent Document 6].

本発明の目的は、特にLTCCに基づく、60GHz帯に適した改良型バンドパス・フィルタを提案することである。   The object of the present invention is to propose an improved bandpass filter suitable for the 60 GHz band, in particular based on LTCC.

本発明の目的と本発明により解決される課題は以下に示す技術的解決により達成される。   The object of the present invention and the problems solved by the present invention are achieved by the following technical solutions.

バンドパス・フィルタは、低温同時焼成セラミック製であり、かつ、1または1以上の孔を有するベースと、前記ベースの上にパターニングされ、前記1または1以上の孔を覆うコプレーナ導波部と、を備える。   The bandpass filter is made of a low temperature co-fired ceramic and has a base having one or more holes, a coplanar waveguide that is patterned on the base and covers the one or more holes, Is provided.

第一、第二実施形態として、DGSとCPWに基づく新しいフィルタを提案する。

1.第一実施形態−DGSとCPWに基づく

1.1 ストップバンドフィルタ用のCPWに基づく従来のDGS
As the first and second embodiments, a new filter based on DGS and CPW is proposed.

1. First embodiment-based on DGS and CPW

1.1 Conventional DGS based on CPW for stopband filters

CPWに基づくDGS利用の先行技術が[非特許文献1][非特許文献2]に公開されている。これらの論文に基づき、60GHzにて動作可能なDGS-CPWフィルタを、DGS、CPWパラメータを変更することにより設計してみる。   Prior art of using DGS based on CPW is disclosed in [Non-patent Document 1] [Non-Patent Document 2]. Based on these papers, we will design a DGS-CPW filter that can operate at 60 GHz by changing DGS and CPW parameters.

CPWに基づく基本的なDGSの三つの例が図2(a)、図3(a)、図4(a)にて用いられている。これらのSパラメータはAnsoft HFSS9.0
により計算され、それぞれ図2(b)、図3(b)、図4(b)に示されている。
Three examples of basic DGS based on CPW are used in FIGS. 2 (a), 3 (a), and 4 (a). These S parameters are Ansoft HFSS9.0
And are shown in FIGS. 2 (b), 3 (b) and 4 (b), respectively.

これら三つの設計において、DGSはそれぞれの共振周波数において良好なストップバンド特性を示している。マイクロストリップを用いたDGSをRLC回路により近似させることを議論した論文が公開されている。RLC回路に基づき、共振周波数を容易に調整し迅速にストップバンドDGS構造を設計することができる。   In these three designs, DGS shows good stopband characteristics at each resonance frequency. A paper discussing the approximation of DGS using microstrip by RLC circuit has been published. Based on the RLC circuit, the resonant frequency can be easily adjusted and the stopband DGS structure can be designed quickly.

実際に、DGS構造は共振構造である。われわれの要求する共振周波数にしたがって、適切なDGS構造を選択することができる。   In fact, the DGS structure is a resonant structure. An appropriate DGS structure can be selected according to the resonance frequency required by us.

ときにより、DGSは螺旋形構造をとることもある。DGS構造を小型に設計することを望むならば、より多くの周期をもつ螺旋を用いればよい。   In some cases, DGS may have a helical structure. If it is desired to design the DGS structure in a small size, a spiral having a larger number of cycles may be used.

DGSの最大体積構造のものは方形導波部である。   The largest volume structure of DGS is a rectangular waveguide.

DGSは周波数要件や製造要件に基づいて設計されなければならない。図2から図4の例において、両面導体は無限幅を有する。導体背面グランドは必要ではない。

1.2 バンドパス・フィルタのためのBGCPWに基づくDGS設計
DGS must be designed based on frequency and manufacturing requirements. 2 to 4, the double-sided conductor has an infinite width. A conductor back ground is not required.

1.2 DGS design based on BGCPW for bandpass filters

われわれの目標は、DGS、CPWに基づく、動作周波数が約60GHz、帯域幅が1GHzであるフィルタを設計、改良することである。   Our goal is to design and improve a filter based on DGS and CPW with an operating frequency of about 60 GHz and a bandwidth of 1 GHz.

MMIC、パッケージ、寸法等の要件を考慮すると、フィルタを導体背面CPW(CBCPW)技術と低温同時焼成セラミック(LTCC)技術を用いて設計するのが望ましい。 Considering MMIC, package, and dimensional requirements, it is desirable to design the filter using conductor backside CPW (CBCPW) technology and low temperature co-fired ceramic (LTCC) technology.

以下に示す設計では、基板のパラメータは、er=8.7、mr=1、tand=0.0015、厚さが0.2mmである。

1.2.1 事例1
In the design shown below, the substrate parameters are er = 8.7, mr = 1, tand = 0.0015, and the thickness is 0.2 mm.

1.2.1 Case 1

始めに、二つのDGSをCBCPWにエッチングすることを考える。   First, consider etching two DGSs into CBCPW.

その構造を図5に示す。その構造パラメータ(mm)は、
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.2
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
ビアホールのR = 0.1
t1 = 0.1
t2 = 0.1
viaholed = 0.3
である。
The structure is shown in FIG. Its structural parameter (mm) is
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.2
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
Via hole R = 0.1
t1 = 0.1
t2 = 0.1
viaholed = 0.3
It is.

この構造に基づき、t1が固定され、tabdw=0.075mm、tabdw1=0.26mmであり、t2を(ちょうど異なるtabdlを選択するように)移動した場合の、Sパラメータを図6に示す。   Based on this structure, t1 is fixed, tabdw = 0.075mm, tabdw1 = 0.26mm, and the S parameter when t2 is moved (just to select a different tabdl) is shown in FIG.

この図より、tabdlが減少するにつれ結果が良好になり、しかし帯域幅が増加することがわかる。DGS部の二つのグランドを接続するためにビアホールを用いない場合にDGSの縁部の場が放射状に広がることを考慮して、図7(a)では、側面グランドと導体背面グランドを接続するためにDGSの近傍に2グループのビアホールを追加した。tabdwの効果を解析するために、異なるtabdw値をそれぞれ0.2、0.3、0.46のように選択する。この場合、tabdw1=0.46mmであり、tabdl=0.1mmである。   From this figure, it can be seen that as tabdl decreases, the results become better, but the bandwidth increases. In order to connect the side ground and the conductor back ground in Fig. 7 (a), considering that the field at the edge of the DGS spreads radially when the via hole is not used to connect the two grounds of the DGS part. Two groups of via holes were added near DGS. To analyze the effects of tabdw, select different tabdw values, such as 0.2, 0.3, and 0.46, respectively. In this case, tabdw1 = 0.46 mm and tabdl = 0.1 mm.

図7(b)にSパラメータについてのこれらtabdw値の比較結果を示す。   FIG. 7B shows a comparison result of these tabdw values for the S parameter.

この図より、tabdwが増加するにつれSパラメータは良好になっているが、帯域幅は増大していることがわかる。それゆえ、将来的には帯域幅とSパラメータを両立するような適切なtabdwを選択しなければならない。   From this figure, it can be seen that as the tabdw is increased, the S parameter is improved, but the bandwidth is increased. Therefore, in the future, an appropriate tabdw must be selected that achieves both bandwidth and S-parameters.

要約すると、この設計においては、Sパラメータと帯域幅のどちらかが設計要件を満たさないので、この設計は成功ではない。

1.2.2 事例2
In summary, in this design, this design is not successful because either S-parameters or bandwidth do not meet the design requirements.

1.2.2 Case 2

その他の可能性を考慮してみる。本設計においては、図8(a)に示すように、DGSの二つのスロットがストリップラインによって接続される。この設計の構成を図8に示す。この設計のパラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.22
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdw = ...
c1 = ...
t1 = 0.1
cw = ...
viaholed = 0.15
sviaholed = 0.28
sviaholel = 0.18
である。
Consider other possibilities. In this design, as shown in FIG. 8A, two slots of the DGS are connected by a strip line. The configuration of this design is shown in FIG. The parameters of this design are
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.22
dgs2 = 0.15
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdw = ...
c1 = ...
t1 = 0.1
cw = ...
viaholed = 0.15
sviaholed = 0.28
sviaholel = 0.18
It is.

まず、cl=0.1、cw=0.075において、DGSの配置位置の効果を考慮してみる。DGSの配置位置をx方向に沿って対称的に移動する(tabdwと称する)。図9より、tabdwが増加するにつれSパラメータが良好になることがわかる。しかし、中間動作周波数が低下し、帯域幅が増大する。   First, let us consider the effect of the DGS placement position when cl = 0.1 and cw = 0.075. The DGS placement position is moved symmetrically along the x direction (referred to as tabdw). FIG. 9 shows that the S parameter improves as tabdw increases. However, the intermediate operating frequency is reduced and the bandwidth is increased.

この設計が今後の我々の設計に大きく寄与することは、DGSの配置位置を移動し、中間動作周波数を小さい範囲で調整することにより、良好なSパラメータを得ることができることが判明したことである。次に中央ストリップラインの不連続性について解析する。図8にその構造と、パラメータ構成を示す。本例における全てのパラメータはテーブル2に設定されており、tabdw=0.56mmである。   The major contribution of this design to our future design is that it was found that good S-parameters can be obtained by moving the DGS placement position and adjusting the intermediate operating frequency within a small range. . Next, the discontinuity of the central strip line is analyzed. FIG. 8 shows the structure and parameter configuration. All parameters in this example are set in Table 2, and tabdw = 0.56 mm.

cl=0.5mmでcwを様々に変化させる場合のSパラメータの変化を図10に示す。   FIG. 10 shows changes in S parameters when cw is changed variously at cl = 0.5 mm.

この図より、clが低下するとSパラメータが良好になることがわかる。帯域幅は狭くなるが、その変化は際立つほどのものではない。そのため、より良い結果を得るために、製造者のデザインルールにしたがってclを最小トレース幅として選択すればよい。   From this figure, it can be seen that the S parameter improves as cl decreases. Although bandwidth is narrowed, the change is not significant. Therefore, to obtain better results, cl should be selected as the minimum trace width according to the manufacturer's design rules.

同様に、cl=0.26mmでcwを変化させる場合のSパラメータの変化を図11に示す。   Similarly, FIG. 11 shows a change in S parameter when cw is changed at cl = 0.26 mm.

この図より、cwが低下するにつれより良好な結果が得られることがわかる。それと引き替えに、帯域幅が多少狭まる。それゆえ、良好なSパラメータと狭い帯域幅を得るためには、製造要件にしたがってcwを最小トレース幅にするべきである。   From this figure, it can be seen that better results are obtained as cw decreases. In exchange, the bandwidth is somewhat reduced. Therefore, to obtain good S-parameters and narrow bandwidth, cw should be the minimum trace width according to manufacturing requirements.

したがって、良好な結果を得るためには、clとcwを今後なるべく早く狭めるべきである。そのためには製造者の要件に基づいて最小トレース幅を選択することが容易な選択である。製造上の制限により、本設計は帯域幅が狭まるという結果を調整するための十分な調整パラメータを有していない。   Therefore, to get good results, cl and cw should be narrowed as soon as possible. To do so, it is an easy choice to select the minimum trace width based on the manufacturer's requirements. Due to manufacturing limitations, this design does not have sufficient tuning parameters to tune the result of narrowing bandwidth.

しかし、本設計により、clとcwには最小値を選択すべきだということや、DGSの配置位置(tabdw)を移動することにより帯域幅やSパラメータを変化させることができるということ等、この種のCPW-DGSフィルタ設計についての設計経験を得ることができた。

1.2.3 事例3
However, with this design, the minimum value should be selected for cl and cw, and the bandwidth and S parameter can be changed by moving the DGS placement position (tabdw). The design experience about a kind of CPW-DGS filter design could be obtained.

1.2.3 Case 3

先の二つの設計では、中央ストリップラインが短くないということも想定していた。本例では、中央ストリップラインが切断されて二つの部分に分割されているとする。この構造を図12(a)に示す。この構造のSパラメータを図12(b)に示す。   The previous two designs also assumed that the central stripline was not short. In this example, it is assumed that the central strip line is cut and divided into two parts. This structure is shown in FIG. The S parameter of this structure is shown in FIG.

我々の設計要件に従えば、Sパラメータが容認できないものであるのは明らかである。今後、この態様は省略する。

1.2.4 事例4
Obviously, according to our design requirements, S-parameters are unacceptable. This aspect will be omitted in the future.

1.2.4 Case 4

事例1、2に基づいて、図13に示す新しい設計を提案する。この設計の基本パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdw = 0.075
tabdl = ...
tabdw1 = ...
t1 = 0.075
t2 = ...
sviaholed = 0.28
viaholed = ...
sviaholew = 0.18
ビアホールの半径 = 0.1
である。
Based on Cases 1 and 2, the new design shown in FIG. 13 is proposed. The basic parameters of this design are
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdw = 0.075
tabdl = ...
tabdw1 = ...
t1 = 0.075
t2 = ...
sviaholed = 0.28
viaholed = ...
sviaholew = 0.18
Via hole radius = 0.1
It is.

この設計が一番目と二番目の設計の組み合わせであることは明らかである。   It is clear that this design is a combination of the first and second designs.

まず、移動するDGS(tabdw1と称する)の特性を解析する。CPWのビアホールの配置とDGSのパラメータを可変のものとした場合のSパラメータの比較を図14(b)に示す。図14(b)において、viaholed=0.15mm、t2=0.15、tabdl=0.1mm、px=0.18mm、py=0.08mmである。この図において、図9で得られたのと同様な結果が得られる。   First, the characteristics of the moving DGS (referred to as tabdw1) are analyzed. FIG. 14 (b) shows a comparison of S-parameters when the CPW via hole arrangement and DGS parameters are variable. In FIG. 14B, viaholed = 0.15 mm, t2 = 0.15, tabdl = 0.1 mm, px = 0.18 mm, and py = 0.08 mm. In this figure, a result similar to that obtained in FIG. 9 is obtained.

この特性を帯域幅と中間動作周波数を変化させるのに用いることができる。図9と図14の両方において、tabdw1の値を変化させた場合、右側面のターンポイントはほぼ不変である。   This characteristic can be used to change the bandwidth and intermediate operating frequency. In both FIG. 9 and FIG. 14, when the value of tabdw1 is changed, the turn point on the right side is almost unchanged.

側面ビアホールの効果を議論する。ビアホールの中央点の位置を変化させた場合のSパラメータを図15に示す。図15において、tabdw1=0.72mm、t2=0.075、tabdl=0.1mm、px=0.23mm、py=0.03mmである。   Discuss the effects of side via holes. FIG. 15 shows S parameters when the position of the center point of the via hole is changed. In FIG. 15, tabdw1 = 0.72 mm, t2 = 0.075, tabdl = 0.1 mm, px = 0.23 mm, and py = 0.03 mm.

この図より、ビアホールをDGSから遠ざける(viaholedと称する)と、中間動作周波数が低下することが分かる。帯域幅がほぼ一定であることもわかる。最後に、tabdw1=0.72mm、t2=0.075、tabdl=0.1mm、px=0.23mm、py=0.03mm、viaholed=0.15mmにおいて、DGSのスロットを解析する。   From this figure, it can be seen that when the via hole is moved away from the DGS (referred to as viaholed), the intermediate operating frequency decreases. It can also be seen that the bandwidth is almost constant. Finally, the DGS slot is analyzed at tabdw1 = 0.72 mm, t2 = 0.075, tabdl = 0.1 mm, px = 0.23 mm, py = 0.03 mm, and viaholed = 0.15 mm.

Sパラメータの比較を図16に示す。この図より、スロットの幅が小さくなると帯域幅が狭まることがわかる。

1.3 最終設計
A comparison of S parameters is shown in FIG. From this figure, it can be seen that the bandwidth decreases as the slot width decreases.

1.3 Final design

上述の背景的な議論に基づき、ビアホールの位置、DGSの位置、中央ストリップラインのtabを調整することによる、最終設計を図17に示す。この設計の構造パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdl = 0.1
tabdw = 0.075
tabdw1 = 0.26
t1 = 0.075
t2 = 0.12
sviaholed = 0.24
viaholed = 0.235/0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
py1 = 0
である。
Based on the background discussion above, the final design is shown in FIG. 17 by adjusting the via hole location, DGS location, and central stripline tab. The structural parameters of this design are
sg = 0.4
s = 0.0925
w = 0.075
dgs1 = 0.225
dgs2 = 0.125
dgs3 = 0.125
dgs4 = 0.225
tabdl = 0.1
tabdw = 0.075
tabdw1 = 0.26
t1 = 0.075
t2 = 0.12
sviaholed = 0.24
viaholed = 0.235 / 0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
py1 = 0
It is.

これらの設計パラメータに基づく最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを図18、図19に示す。図18がviaholed=0.28mmの場合であり、図19がviaholed=0.235mmの場合である。   The S parameters of the final CPW-DGS filter based on these design parameters are shown in FIGS. FIG. 18 shows a case where viaholed = 0.28 mm, and FIG. 19 shows a case where viaholed = 0.235 mm.

このフィルタの59.5GHz用の詳細なシミュレーションパラメータは、
通過帯域幅:58.85〜60.0GHz(2%)
反射減衰量:<2dB
挿入損失:>18dB
ターン帯域幅:4.5GHz(5%)
3dB帯域幅:〜0.5GHz
The detailed simulation parameters for this filter for 59.5 GHz are:
Pass bandwidth: 58.85 to 60.0 GHz (2%)
Return loss: <2dB
Insertion loss:> 18dB
Turn bandwidth: 4.5GHz (5%)
3dB bandwidth: ~ 0.5GHz

61.5GHz用のパラメータは、
通過帯域幅:61〜62GHz(1.7%)
反射減衰量:<2dB
挿入損失:>15dB
ターン帯域幅:5.4GHz(5%)
3dB帯域幅:〜0.5GHz

2.第二実施形態−DGSに基づく
The parameters for 61.5 GHz are
Pass bandwidth: 61-62 GHz (1.7%)
Return loss: <2dB
Insertion loss:> 15dB
Turn bandwidth: 5.4GHz (5%)
3dB bandwidth: ~ 0.5GHz

2. Second embodiment-based on DGS

第一実施形態では、CPW-DGSフィルタの設計に成功し、結果は妥当であり容認できるものであった。次に別種のCPW-DGSフィルタ構造を考えてみる。   In the first embodiment, the CPW-DGS filter was successfully designed, and the results were reasonable and acceptable. Next, consider another type of CPW-DGS filter structure.

DGS構造が図20に示されている。最終設計を作成するための、初歩のDGS-CPW構造から開始する。

2.1 従来のDGS CPW設計に借用された基本設計
The DGS structure is shown in FIG. Start with a basic DGS-CPW structure to create the final design.

2.1 Basic design borrowed from conventional DGS CPW design

まず、図20(a)に示す構造を考慮してみる。この構造のSパラメータを図20(b)に示す。   First, consider the structure shown in FIG. The S parameter of this structure is shown in FIG.

この結果より、このフィルタがストップバンド特性を有していることが分かる。ストップバンドレンジは55GHz〜60GHzである。しかし、この帯域幅においては反射減衰量が思わしくなかった。

2.2 バンドパスフィルタ用のBGCPWに基づく修正設計
From this result, it can be seen that this filter has a stop band characteristic. The stop band range is 55 GHz to 60 GHz. However, the return loss was not significant in this bandwidth.

2.2 Modified design based on BGCPW for bandpass filters

第一の設計のアイディアを借りて、図20(a)に示す基本設計を修正してみる。

2.2.1 事例1
Taking the idea of the first design, let's modify the basic design shown in FIG.

2.2.1 Case 1

まず始めに、DGSの二つのスロットを一本のスロットラインで接続する。この構造を図21(a)に示し、この構造のSパラメータを図21(b)に示す。   First, connect the two slots of DGS with one slot line. FIG. 21A shows this structure, and FIG. 21B shows the S parameter of this structure.

この図より、この設計が中間動作周波数において良好なSパラメータを有し、高周波数において良好なストップバンド特性を有していることが分かる。しかし、この設計は動作帯域幅とターン帯域幅が広すぎる。

2.2.2 事例2
From this figure, it can be seen that this design has good S-parameters at intermediate operating frequencies and good stopband characteristics at high frequencies. However, this design has too wide operating bandwidth and turn bandwidth.

2.2.2 Case 2

2グループのDGSショルダーに接続された二本のストリップラインを考えてみる。その構造と構成パラメータを図22に示す。基本パラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.147
dgs3 = 0.15
dgs4 = 0.225
tabdx = ...
tabdy = ...
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.095
sviaholex = 0.175
sviaholey = 0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
viaholed = ...
である。
Consider two striplines connected to two groups of DGS shoulders. The structure and configuration parameters are shown in FIG. The basic parameters are
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.147
dgs3 = 0.15
dgs4 = 0.225
tabdx = ...
tabdy = ...
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.095
sviaholex = 0.175
sviaholey = 0.28
sviaholew = 0.2
px = 0
py = 0
viaholed = ...
It is.

以下のテストにおいて、tabdw、tabdl、dgsパラメータといった、いくつかのパラメータの解析を行う。   In the following test, some parameters such as tabdw, tabdl, and dgs parameters are analyzed.

まず、tabdx=0.72mmにおいて、tabdyの値を対称的に変化させることを考える。   First, consider changing the value of tabdy symmetrically at tabdx = 0.72mm.

この場合のSパラメータを図23に示す。tabdyが増加すると帯域幅が縮小する。それと同時に、Sパラメータも変化する。しかし、二つのtabラインをCPW端子に接触させると、右側面ターンポイントは変化しないが、Sパラメータは悪化する。   FIG. 23 shows the S parameter in this case. As tabdy increases, bandwidth decreases. At the same time, the S parameter changes. However, when the two tab lines are brought into contact with the CPW terminal, the right side turn point does not change, but the S parameter deteriorates.

それゆえ、tabdyは製造要件に従って妥当な範囲で可変とすべきである。   Therefore, tabdy should be reasonably variable according to manufacturing requirements.

次に、tabdy=0.225mmにおいて、tabdxパラメータを対称的に調整してみる。この場合のSパラメータを図24に示す。二つのDGSを中央ストリップラインまで移動すると、帯域幅は狭まるが右側面ターンポイントはほぼ不変である。   Next, adjust tabdx parameters symmetrically at tabdy = 0.225mm. FIG. 24 shows the S parameter in this case. Moving the two DGSs to the center stripline narrows the bandwidth, but the right side turn point is almost unchanged.

この二つの例から、狭帯域特性を得たい場合にはtabdyとtabdxを妥当な範囲で変化すればよいことが分かる。tabdyやtabdxを、中間動作周波数を変化させるためにも使用した。しかし、中間動作周波数を変化させるとその帯域幅も変化してしまうので、これはあまり良い考えではない。   From these two examples, it can be seen that tabdy and tabdx should be changed within a reasonable range in order to obtain narrowband characteristics. Tabdy and tabdx were also used to change the intermediate operating frequency. However, this is not a very good idea because changing the intermediate operating frequency also changes its bandwidth.

最後に、DGSのサイズを変化させてみる。異なるDGS構成(dgs1、dgs2、dgs3、dgs4)でのSパラメータを図25に示す。この図より、dgs構成を変化させると、Sパラメータも、中間動作周波数、ターンポイントも変化する。   Finally, change the DGS size. FIG. 25 shows the S parameters with different DGS configurations (dgs1, dgs2, dgs3, dgs4). From this figure, when the dgs configuration is changed, the S parameter, the intermediate operating frequency, and the turn point also change.

ある中間動作周波数から別の中間動作周波数へと変化させたい場合には、DGS構造を変化させればよいことが明らかになった。しかし、製造上の制限により、この考えは最終的には用いることができない。   It became clear that the DGS structure should be changed when it is desired to change from one intermediate operating frequency to another. However, due to manufacturing limitations, this idea cannot ultimately be used.

実際には、DGSのエッチングされた領域が増加するにつれ、DGSの有効直列インダクタンスが増加し、直列インダクタンスが増加すると遮断周波数が低下する。

2.2.3 事例3
In practice, as the etched area of the DGS increases, the effective series inductance of the DGS increases, and the cutoff frequency decreases as the series inductance increases.

2.2.3 Case 3

このセクションでは、第一、第二のテスト設計を組み合わせて第三のテストCPW-DGSフィルタを作成する。その構造と構成形状を図26に示す。この設計をテストするために、いくつかのパラメータを始めに設定する。
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholey = 0.28
sviaholex = 0.175
px = 0.13
py = 0.05
In this section, the first and second test designs are combined to create a third test CPW-DGS filter. The structure and configuration are shown in FIG. To test this design, some parameters are set first.
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholey = 0.28
sviaholex = 0.175
px = 0.13
py = 0.05

まず、DGSの二つのスロットを接続するのに用いられるt3の特性をviaholed=0.13mmにおいてテストする。図27にt3がある場合とt3がない場合の比較結果を示す。   First, the characteristics of t3 used to connect two slots of DGS are tested at viaholed = 0.13mm. FIG. 27 shows a comparison result when t3 is present and when t3 is absent.

同じ構成において、t3がない場合のSパラメータは高周波数に遷移し、高周波数において良好なストップバンド特性を有する。しかし、t3がない場合の帯域幅はt3がある場合と比較して広い。次に、viaholed=0.13mmにおいて、DGSの二つのスロットを接続するのに用いられるストリップライン(SS)を議論する。
二つのDGSの距離が固定されていて、0.72mm(tabdxと称する)であり、SSの長さを変化させた場合のSパラメータを図28に示す。
In the same configuration, the S parameter without t3 transitions to a high frequency and has a good stopband characteristic at a high frequency. However, the bandwidth without t3 is wider than with t3. Next, we will discuss the stripline (SS) used to connect the two slots of DGS at viaholed = 0.13mm.
FIG. 28 shows the S parameter when the distance between the two DGSs is fixed, 0.72 mm (referred to as tabdx), and the SS length is changed.

SSの長さが2s+w未満である場合、Sパラメータは逆に変化する。しかし、SSの長さが増加し2s+wより大きくなると、Sパラメータは高周波数へと遷移する。   If the length of SS is less than 2s + w, the S parameter changes in reverse. However, when the SS length increases and becomes greater than 2s + w, the S parameter transitions to a higher frequency.

これから、CPWにおけるビアホールの効果を考慮してみる。異なるビアホール位置(viaholed)を選択した場合のパラメータを図29に示す。ビアホールがDGSに近づくとSパラメータが高周波数に遷移することが明らかである。   Now consider the effect of via holes in CPW. FIG. 29 shows parameters when different via hole positions are selected. It is clear that the S parameter transitions to high frequency when the via hole approaches DGS.

最後に、二つのDGSを対称的に移動した場合のSパラメータを図30に示す。第二のテストフィルタと同様な結果が得られた。二つのDGSを対称的に引き離して移動した場合、Sパラメータは低周波数に遷移する。   Finally, FIG. 30 shows S parameters when the two DGSs are moved symmetrically. Similar results were obtained with the second test filter. If the two DGSs are moved symmetrically apart, the S parameter transitions to a lower frequency.

2.3 最終設計2.3 Final design

上述の背景議論に基づき、ビアホール位置、DGS位置、中央ストリップラインのtabを調整して得られる最終構造のパラメータは、
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholed = 0.28
viaholed = 0.112/0.14
px = 0.13
py = 0.05
である。
Based on the background discussion above, the final structure parameters obtained by adjusting the via hole position, DGS position, and center strip line tab are:
sg = 0.4
s = 0.095
w = 0.075
dgs1 = 0.25
dgs2 = 0.097
dgs3 = 0.1
dgs4 = 0.225
tabdx = 0.52
tabdy = 0.3
t1 = 0.075
t2 = 0.075
t3 = 0.075
sviaholed = 0.28
viaholed = 0.112 / 0.14
px = 0.13
py = 0.05
It is.

viaholedが0.14mmの場合、中間動作周波数が59.5GHz近傍であるDGS-CPWフィルタが得られる。図31に詳細なSパラメータを示す。   When viaholed is 0.14 mm, a DGS-CPW filter having an intermediate operating frequency in the vicinity of 59.5 GHz is obtained. FIG. 31 shows detailed S parameters.

viaholedが0.112mmの場合、中間動作周波数が61.5GHz近傍であるDGS-CPWフィルタが得られる。図32にSパラメータを示す。   When viaholed is 0.112 mm, a DGS-CPW filter having an intermediate operating frequency in the vicinity of 61.5 GHz is obtained. FIG. 32 shows the S parameter.

これら二つのフィルタの59.5GHz用の設計性能は、
通過帯域幅:59〜59.9GHz(1.5%)
反射減衰量:<2dB
挿入損失:>15dB
ターン帯域幅:4.5GHz(7.5%)
3dB帯域幅:〜1GHz
である。
The design performance of these two filters for 59.5 GHz is
Pass bandwidth: 59-59.9 GHz (1.5%)
Return loss: <2dB
Insertion loss:> 15dB
Turn bandwidth: 4.5GHz (7.5%)
3dB bandwidth: ~ 1GHz
It is.

61.5GHz用の性能は、
通過帯域幅:61〜62GHz(1.55%)
反射減衰量:<2dB
挿入損失:>15dB
ターン帯域幅:5GHz(8%)
3dB帯域幅:〜0.8GHz
である。
The performance for 61.5GHz is
Pass bandwidth: 61-62 GHz (1.55%)
Return loss: <2dB
Insertion loss:> 15dB
Turn bandwidth: 5GHz (8%)
3dB bandwidth: ~ 0.8GHz
It is.

本出願では、改良型バンドバス・フィルタを提案した。本発明の広範な精神と範囲から逸脱することなく、種々の実施例や変形が可能である。上述の実施形態は本発明を説明するためのものであり、本発明の範囲を制限するものではない。   In this application, an improved bandpass filter has been proposed. Various embodiments and modifications can be made without departing from the broad spirit and scope of the invention. The above-described embodiments are for explaining the present invention and do not limit the scope of the present invention.

本発明の範囲は実施形態でなく添付の特許請求の範囲により確定される。本発明による請求の均等物の範囲と請求項の範囲でなされた種々の変形は本発明の範囲に含まれるものとみなされる。   The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the embodiments. Various modifications made within the scope of the equivalents of the claims and the scope of the claims according to the present invention are considered to be included in the scope of the present invention.

図1は、マイクロストリップ利用用の何種類かのDGSを示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing several types of DGS for microstrip use. 図2は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS1を示す概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a conventional CPW DGS 1 with a stopband design. 図3は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS2を示す概略図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a conventional CPW DGS2 with a stopband design. 図4は、ストップバンド設計の従来型CPW式DGS3を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing a conventional CPW DGS 3 with a stopband design. 図5は、DGSに基づいて、第一に試作されたフィルタ設計の構成を示す概略図である。FIG. 5 is a schematic diagram showing the configuration of a filter design that was first prototyped based on DGS. 図6は、異なるtabdlにおいてSパラメータを比較する概略図である。FIG. 6 is a schematic diagram comparing S parameters in different tabdls. 図7は、CPW-DGSフィルタ構造と、異なるtabdwにおけるそのSパラメータを示す概略図である。FIG. 7 is a schematic diagram showing a CPW-DGS filter structure and its S parameters in different tabdw. 図8は、DGSに基づいて、第二に試作されたフィルタ設計の構成を示す概略図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing the configuration of a filter design that was second prototyped based on DGS. 図9は、CPW-DGSフィルタ構造と、DGS位置の特性を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic diagram illustrating the CPW-DGS filter structure and the characteristics of the DGS position. 図10は、clを変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 10 is a schematic diagram for comparing S parameters when cl is changed. 図11は、cwを変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 11 is a schematic diagram for comparing S parameters when cw is changed. 図12は、第三に試作されたCPW-DGSフィルタの中央ストリップラインのオープン特性を示す概略図である。FIG. 12 is a schematic diagram showing the open characteristics of the central strip line of the third prototype CPW-DGS filter. 図13は、第四に試作されたCPW-DGSフィルタの構成を示す概略図である。FIG. 13 is a schematic diagram showing the configuration of a fourth prototype CPW-DGS filter. 図14は、tabdw1を変化させた場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 14 is a schematic diagram for comparing S parameters when tabdw1 is changed. 図15は、CPWのビアホール位置がviaholedである場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 15 is a schematic diagram comparing S parameters when the CPW via hole position is viaholed. 図16は、異なるスロット幅t1においてSパラメータを比較する概略図である。FIG. 16 is a schematic diagram comparing S parameters at different slot widths t1. 図17は、最終的なCPW-DGSフィルタの構成を示す概略図である。FIG. 17 is a schematic diagram showing the configuration of the final CPW-DGS filter. 図18は、中間動作周波数59.5GHzにおける、最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを示す概略図である。FIG. 18 is a schematic diagram showing S parameters of the final CPW-DGS filter at an intermediate operating frequency of 59.5 GHz. 図19は、中間動作周波数61.5GHzにおける、最終CPW-DGSフィルタのSパラメータを示す概略図である。FIG. 19 is a schematic diagram showing S parameters of the final CPW-DGS filter at an intermediate operating frequency of 61.5 GHz. 図20は、基本CPW-DGS構造とそのSパラメータを示す概略図である。FIG. 20 is a schematic diagram showing a basic CPW-DGS structure and S parameters thereof. 図21は、第一に試作されたCPW-DGS構造とそのSパラメータを示す概略図である。FIG. 21 is a schematic diagram showing the CPW-DGS structure that was first prototyped and its S parameter. 図22は、第二に試作されたCPW-DGSフィルタとそのSパラメータを示す概略図である。FIG. 22 is a schematic diagram showing a second prototype CPW-DGS filter and its S parameter. 図23は、異なるtabdyでのSパラメータを比較する概略図である。FIG. 23 is a schematic diagram comparing S parameters with different tabdy. 図24は、異なるtabdxでのSパラメータを比較する概略図である。FIG. 24 is a schematic diagram comparing S parameters with different tabdx. 図25は、異なるDGS構成でのSパラメータを比較する概略図である。FIG. 25 is a schematic diagram comparing S parameters with different DGS configurations. 図26は、第二に試作されたCPW-DGSフィルタとその構成を示す概略図である。FIG. 26 is a schematic diagram showing a second prototype CPW-DGS filter and its configuration. 図27は、t3がある場合とt3がない場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 27 is a schematic diagram comparing the S parameters when t3 is present and when t3 is absent. 図28は、DGSの二つのスロットを接続するために使用される中央ストリップラインの効果を示す概略図である。FIG. 28 is a schematic diagram showing the effect of the central stripline used to connect the two slots of the DGS. 図29は、viaholedの効果を示す概略図である。FIG. 29 is a schematic diagram showing the effect of viaholed. 図30は、tabwdにより二つのDGSを対称的に移動した場合のSパラメータを比較する概略図である。FIG. 30 is a schematic diagram comparing S parameters when two DGSs are moved symmetrically by tabwd. 図31は、中間動作周波数59.5GHzにおけるSパラメータを示す概略図である。FIG. 31 is a schematic diagram showing S parameters at an intermediate operating frequency of 59.5 GHz. 図32は、中間動作周波数61.5GHzにおけるSパラメータを示す概略図である。FIG. 32 is a schematic diagram showing S parameters at an intermediate operating frequency of 61.5 GHz.

Claims (1)

低温同時焼成セラミック製であり、1または1以上の孔を有するベースと、
前記ベースの上にパターニングされ、前記1または1以上の孔を覆うコプレーナ導波部と、
を備えることを特徴とするバンドパス・フィルタ。
A base made of low temperature co-fired ceramic and having one or more holes;
A coplanar waveguide patterned on the base and covering the one or more holes;
A band-pass filter comprising:
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