JP2006520655A - 高電圧電解コンデンサを再形成する方法及び装置 - Google Patents

高電圧電解コンデンサを再形成する方法及び装置 Download PDF

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Abstract

【課題】充電時間及び充電エネルギーを減らし、且つ電池寿命を増加させるカーディオバータ/ディフィブリレータを提供する。
【解決手段】カーディオバータ/ディフィブリレータは、酸化物を大部分にわたって形成されているバルブ金属アノード電極と、カソード電極と、電極と流体連通する湿式電解質とを有し、HVステップアップ変圧器を含む充電回路を通して電池から充電され、且つC/D電極を通して放電するようになっている少なくとも1つの高電圧(HV)出力コンデンサを有する。HV出力コンデンサは、再形成充電サイクルにおいて、再形成充電レートでほぼ最大又はフル充電量まで定期的に充電し、それによって、酸化物の変形した部分が再形成される。再形成充電レートは、HV出力コンデンサを同様にほぼ最大又はフル充電量まで充電するC/D治療充電レートよりも低い。

Description

以下の2つの米国特許出願の開示は、参照により本明細書に援用される。すなわち、「METHOD AND APPARATUS FOR MAINTAINING ENERGY STORAGE IN AN ELECTRICAL STORAGE DEVICE」と題する米国特許出願第10/261,066号及び「APPARATUS AND METHOD FOR OPTIMIZING CAPACITOR CHARGE IN A MEDICAL DEVICE」と題する米国特許出願第10/260,488号、共に、2002年9月30日の開示である。
本発明は、医療デバイス用の高エネルギー密度のコンデンサ酸化物の再形成の分野に関し、特に、本発明は、埋め込み可能カーディオバータ/ディフィブリレータ(ICD)及び自動体外式ディフィブリレータ(AED)デバイスに関し、こうしたデバイス用のコンデンサの電極の酸化物を再形成する改良された方法及び装置を提供する。
ICD内における高電圧出力システムの実装及び使用はよく知られている。一般に、ICDは、高電圧(HV)出力コンデンサ、通常、バルブ金属電解コンデンサを有し、カーディオバージョン/ディフィブリレーション(C/D)ショックを生成するために、DC−DC電圧変換器に結合した、酸化バナジウム銀(SVO)電池セルなどの大電流電池システムを介して、ほぼフル(すなわち最大)の事前にプログラムされた充電量に通常充電される。既存のICD用の高電圧充電システムの例は、たとえば、米国特許第5,372,605号に記載される。頻脈性不整脈検出基準が満たされ、且つC/D電極間で心臓を通してHV出力コンデンサを放電させることによって、C/Dショックが送出されることになると、HV出力コンデンサは、プログラムされた電圧まで充電される。
「バルブ金属」という用語は、アルミニウム、タンタル、ニオブ、チタン、ジルコニウムなどを含む金属のグループを表し、その全てが、導電性溶液内でのアノードの分極によって、付着力のある、絶縁性の金属酸化物誘電体膜又は層を形成する。湿式電解コンデンサは、実質的に、アノード電極、カソード電極、アノードとカソードを分離する障壁又はセパレータ層、及び電解質からなる。円筒電解コンデンサでは、アノード電極は、通常、巻回された陽極酸化処理されたアルミニウム箔から構成され、後続の巻回部は少なくとも1つのセパレータ層によって分離される。平面(flat)電解コンデンサ(FEC)のアノードは、一緒に電気接続されたアルミニウムの積層したシートからなってもよい。別のタイプのコンデンサでは、バルブ金属粉が、加圧され、焼結され、且つ典型的な一体アノード電極に成形され、アノードは、当技術分野で既知のように、且つ以下でさらに述べるように、絶縁性セパレータ層によって少なくとも1つのカソードから分離される。FECの場合、通常、複数のアルミニウムシートが、表面積を増加させるためにエッチングされるか、又は、穿孔される。FECタイプ及び加圧/焼結タイプの両方のコンデンサの場合、製造中に、電流が化成電解液を循環している間に、アノードが化成電解液に浸漬される時に、酸化物誘電体が、アノードの露出表面(加圧され、且つ焼結される構造、又は、エッチングされるか、若しくは穿孔されるシート)上に形成される。電解コンデンサの例は、たとえば、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第6,006、133号並びに米国特許第6,249、423号、第6,283、985号、及び第5,926、362号に開示される。
ICD電池電力を保存するために、HV出力コンデンサは、使用されない時には未充電状態のままである。しかしながら、金属酸化物誘電体は、HV出力コンデンサが、C/Dショックを送出するための充電と充電の間に未充電状態のままにされると、劣化する傾向がある。HV出力コンデンサを充電することが必要になると、HV出力コンデンサのアノードとカソードの電極間にかなりの漏れ電流が生じる可能性がある。この漏れ電流は、HV出力コンデンサを所望のC/D電圧に充電するのにかかる時間を長引かせ、遅延は、患者に対する必要な電気的治療の送出をおそらく遅らせる可能性がある。さらに、この漏れ電流はまた、HV出力コンデンサを所望のC/D電圧に充電するために、より多くの電池エネルギーを費やすことを必要とする。その結果、漏れ電流は、制限された電池電力の過剰の消費をさらにもたらす可能性があり、それによって、ICDの寿命が減少する。
そのため、こうしたバルブ金属電解コンデンサは、容積当たり比較的高い電流密度を有するが、こうしたコンデンサは、電気化学的に徐々に劣化する傾向があり、それによって、HV出力コンデンサシステムを完全に充電するのに必要とされる充電時間が増加する。同様に、SVO電池セルはまた、電池の電流出力能力を減少させる、電池内の等価直列抵抗(ESR)の増加により放電しない場合、電気化学的に徐々に劣化する傾向がある。
これらの問題の両方に対する従来の解決策は、HV出力コンデンサシステムをそのフルの定格電圧に急速に充電し、その後、非治療用負荷を通して放電させる(たとえば、抵抗負荷を通して放電させる)か、又は、漏れ電流(複数可)を介して放電させることによって、ICDの高電圧出力システムの定期的な再形成を行うことであった。こうして、大電流電池システムとHV出力コンデンサシステムは共に、各システムの電気化学物質(electro-chemistry)を再形成するために機能し、それによって、電気化学的に徐々に劣化することによる充電性能及び部品寿命に対する影響が減る。もともと、この再形成プロセスは、患者に、2〜3ヶ月ごとに医師を訪問させることによって手動で達成され、その時に、医師は、フル電圧定格のC/D治療ショックを送出せずに、コンデンサ(複数可)を完全に充電することになる。現在は、高電圧出力システムの再形成は、一定期間(たとえば、1ヶ月ごと、6ヶ月ごと)に基づいて、ICDによって自動的に達成され、一定期間の終わりに、HV出力コンデンサシステムのフル充電サイクルが自動的に行われる。医師は一定時間をプログラムすることができる。
たとえば、ICDで使用される典型的なHV出力コンデンサの場合、HV出力コンデンサは、再形成メンテナンス中に、電池に約55ジュールのエネルギーを提供するように要求する、約800ボルトに充電されるであろう。これは、電池エネルギーのかなりの消費であり、電池寿命を大幅に減少させる。さらに、HV出力コンデンサを定期的に充電する従来技術のシステムは、治療波形の生成中に起こる漏れ電流が問題を呈することになるポイントまで誘電体が劣化していない時に、HV出力コンデンサを充電することになる場合が多い。その結果、使用していない期間中にHV出力コンデンサのピーク電圧へHV出力コンデンサを定期的に再形成することは、治療波形生成中の漏れ電流を減らし得るが、この漏れ電流の低減は、電池及びデバイスの寿命の点でのかなりの犠牲を払って達成される。
デバイスの寿命が通常3年未満であり、且つ電池量が定期的再形成サイクルを容易にサポートすることができた初期のICDにとっては、この種の簡単な定期的再形成サイクルで十分に効果的であったが、新しいICDは、より小型で、且つ寿命が遥かに長い。予防デバイスとして使用されるこうしたICDの例は、米国特許第5,439,482号に記載される。ICDについての、これらの新しいデザインでは、電池電力は、以前のデザインよりも貴重であり、高電圧出力システムの定期的再形成は、デバイスの寿命にわたって、電池量のかなりの部分を示し得る。
電池システム及びHV出力コンデンサシステムの再形成を達成する代替の技法は、米国特許第5,861,006号、第5,899,923号、及び第5,690,685号に開示される。米国特許第5,899,923号では、比較的低い電圧のHV出力コンデンサシステムの漏れ電流を測定し、この値を使用して、HV出力コンデンサシステムを再形成する必要があるかどうかを推定するシステムが開示される。低電圧試験プロセスを利用することによって、電池電力は保存され、HV出力コンデンサを再形成する必要があると判定される時にのみ、フル電圧再形成が行われる。米国特許第5,690,685号では、電池システムの電気的パラメータを測定し、この値を使用して、電池システムを再形成する必要があるかどうかを判定する技法が開示される。この場合も、電池システムの内部抵抗が、充電性能が劣化するポイントまで増加したと判定される時に、フル電圧再形成を実施するだけで、電池電力が保存される。電池電力を保存しながら、充電性能を維持するために、電池及びコンデンサシステムの充電履歴及び充電性能に基づいてICDの高電圧出力システムを選択的に再形成するシステムが、先に参照した米国特許第5,861,006号に開示される。
こうした手法は、将来の見込みを与える可能性があるが、ICD内に付加的な回路を実装することを潜在的に必要とするという欠点を持つ。したがって、ICDのHV出力コンデンサ及び電池の酸化物層を再形成するより効率的なシステム及びアルゴリズムを開発することが有利であろう。ICD内に大幅な付加回路を必要としない、より単純なコンデンサ酸化物層再形成システム及びアルゴリズム又はプロセスを開発することが有利であろう。
コンデンサ板の酸化物層を再形成するために、ICDコンデンサをフル出力電圧又はより低い再形成電圧に急速に充電することによって、局在化した酸化物層欠陥及び残留応力をもたらす場合がある、非常に高い局所電流密度がもたらされる可能性があり、それによって、コンデンサが、その後のショック治療送出又は再形成充電及び放電サイクル中にさらに劣化し、且つ効率的でなくなる可能性がある。さらに、再形成充電及び放電サイクルの充電フェーズ中のHV出力コンデンサの急速充電は、電池内で抵抗性電力損失を増加させ、それによって、デバイス寿命を低下させる。したがって、こうした酸化物層の損傷及び抵抗性電力損失の程度を減らすコンデンサ酸化物層再形成システム及びアルゴリズム又はプロセスを開発することも有利であろう。
本発明によれば、コンデンサの酸化物を再形成する時に、HV出力コンデンサをほぼ最大又はフルのC/D治療電圧に充電するレートを遅くすることによって、コンデンサの変形した酸化物層の再形成が実質的に改善され、後の変形を受けにくい、より安定した酸化物がもたらされる。すなわち、こうした比較的遅いレートでコンデンサを実質的にフル充電量まで再形成充電することは、後続の治療充電−放電C/Dショック治療送出サイクル又は後続の非治療(すなわち、再形成)サイクルの前に、徐々にほんのわずかだけ劣化する酸化物を提供する。さらに、再形成充電サイクルの充電フェーズ中におけるHV出力コンデンサのより急速でない充電はまた、電池内での抵抗性電力損失を減らすことが明らかであり、電池及びICD又はAEDシステムの寿命を延ばす。
したがって、本発明は、再形成充電のためのHV出力コンデンサ充電レートを治療充電のレートに対して下げて、後続の酸化物劣化(又は変形)を有利に低減し、それによって、将来の充電時間及び充電エネルギーを減らし、且つICD又はAEDの電池寿命を増加させる、コンデンサ酸化物誘電体層再形成システム、アルゴリズム、及びプロセスを有利に提供する。
カーディオバータ−ディフィブリレータを動作させるシステム及び方法は、本発明に従って提供され、心臓の悪性頻脈性不整脈を検出すること、高電圧HV出力コンデンサを治療充電レートでC/Dショックエネルギーまで充電すること、患者の心臓へC/Dショックを送出するために、カーディオバータ/ディフィブリレータのC/D電極を通して高電圧HV出力コンデンサを放電させること、必要がある場合には、再形成中に、C/D治療充電レートより比較的低い再形成充電レートで、HV出力コンデンサを最大又はフルコンデンサ充電量に定期的に充電することであって、それによって、高電圧HV出力コンデンサのアノード上により安定した酸化物誘電体を作成する、定期的に充電することを含む。
この発明の概要は、本発明が従来技術で提示された困難さを克服する方法の一部を指摘し、且つ本発明を従来技術と区別するためにだけ本明細書に提示されており、特許出願の始めに提示され、最終的に認可される特許請求の範囲の解釈に関していかなる点でも制限することを意図されない。
本発明の、これらの及び他の利点並びに特徴は、図面と共に考えられると、本発明の好ましい実施形態の以下の詳細な説明からより容易に理解されるであろう。図面では、同じ参照数字は、いくつかの図を通して同じ構造を示す。
以下の詳細な説明では、本発明を実施する方法及び装置の説明的な実施形態が参照される。本発明の範囲から逸脱することなく他の実施形態が利用される可能性があることが理解される。ICDコンデンサ酸化物の後続の劣化を低減し、且つICD高電圧電池に関するエネルギー消費及びドレインを最小にするようにICDコンデンサを再形成するための、好ましい方法及び装置が述べられる。
こうしたICD IPGは、通常、密閉され、したがって、体液を通さないハウジング、及び、選択された心腔内又はその周囲に配置されるようになっている、ペーシング電極、検知電極、及びC/D電極を搭載する1本又は複数本のリード線と電気的及び機械的接続を行うコネクタヘッダを有するように形成される。ハウジングは、チタンなどの、医療用の使用に認定された適切な体に適合する材料で形成され、且つ埋め込みの後に組織壊死をもたらす可能性がある鋭いエッジを回避するような形に生理的に作られる。通常、ハウジングは、内部ハウジングチャンバ又は空洞を囲む側面によって一緒に連結される主要な、対向するか又は平行な表面を有し、且つ貫通してコネクタヘッダ内に延びる電気フィードスルーを有するように形成される。ハウジング空洞は、電池(複数可)、及び、IC、回路基板、及びディスクリート部品、たとえば、制限はしないが、ステップアップ変圧器及びHV出力コンデンサ(複数可)を備える可能性がある高電圧(HV)及び低電圧(LV)電子回路を収容する。こうしたICDの特に好ましい実施形態は存在しないが、図1及び図2は、本発明が有利に実施されることができるICDの1つの形態を示す。
図1では、ICD IPG10及び関連するリード線14、16、及び18は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,265,588号及び第5,470,341号の図1と同様に、患者の心臓12に関連して示される。過去20年にわたって、ICD IPGは、ある程度詳細に述べられるように、単に高エネルギーディフィブリレーションショックを提供する、比較的大きく、洗練されていない、寿命の短いIPGから、いろいろなペーシング、カーディオバージョン及びディフィブリレーション治療を提供する、複雑で、寿命の長い、小型のIPGへ発展してきた。たとえば、心臓不整脈を検出し、且つ区別する向上した能力、不整脈エピソード及び施された治療に関連するデータのデータ記憶及びアップリンクテレメトリ、検出された不整脈に適切な段階的治療の提供を含む、多くの他のプログラム可能な機能が組み込まれてきた。同時に、多くの改良がC/Dリード線及び電極において行われ、それによって、C/Dエネルギーが、選択された上部及び下部心腔について正確に送出されることが可能になり、それによって、心腔にカーディオバージョン又はディフィブリレーションを行うのに必要とされるショックエネルギーの送出が劇的に減少する。IPG10は、密閉された金属ハウジング22、及び、リード線14、16及び18の近位端を受け入れ、電気的及び機械的に取り付ける別個のコネクタブロック及びポートを収容する複数内腔コネクタヘッダ24を備える。フィードスルー(図示せず)は、当技術分野で既知のように、コネクタヘッダ24内のコネクタブロック(図示せず)及びハウジング22内の内部の高電圧及び低電圧回路から延びる。
C/Dリード線14、16、及び18は、それぞれ、心臓12内又はその周辺に配置された、比較的大きな表面積のC/D電極30、32、及び26を搭載する。C/Dリード線14は、皮下に延びて、遠位において、左胸部の領域で皮下に取り付けられることを意図された皮下電極30で終端する。C/Dリード線16は、経静脈的に延び、且つ遠位において、心臓12の冠状静脈洞及び大静脈領域に配置され、心臓の周囲を冠状静脈洞の開口内のポイントから左心房付属器に近いポイントまで延びる、細長いコイル電極32で終端する。心室C/Dリード線18は、経静脈的に延び、且つ心臓12の右心室腔に配置された細長い電極コイル26を備える。C/Dショックは選択されたC/D電極間で適用できる。
ICD IPG10は、好ましくは、心房及び/又は心室不整脈を検出するための、心房及び/又は心室EGM検知能力をさらに組み込む。心室リード線18はまた、右心室の心筋組織にねじ込まれた螺旋コイルの形態をとる心室ペース/センス電極34を含む。リード線18はまた、近方場心室EGM検知用の付加的なペース/センス電極28、又は、遠方場心室EGM検知用の、螺旋コイル電極34と対にされる場合がある、IPG10上の表面電極を含んでもよい。付加的な近方場及び/又は遠方場心房EGM検知及び心房ペーシング能力は、心房リード線16及び/又はIPG10上の心房ペース/センス電極対を使用して、提供される可能性がある。
図示のシステムでは、心室心臓ペーシングパルスは、螺旋ペース/センス電極34とリング電極28の間で送出される。心室収縮に特有なEGM信号を検知するために、ペース/センス電極28及び34もまた採用される。示すように、右心室C/D電極26は、順次及び同時のパルス複数電極ディフィブリレーション療法中に共通電極としての役をする。たとえば、同時パルスディフィブリレーション療法中には、ショックはC/D電極26と30の間及びC/D電極26と32の間で同時に送出されるであろう。順次パルスディフィブリレーション中には、ショックはC/D電極30と26の間及び冠状静脈洞C/D電極32と右心室C/D電極26で順次送出されるであろう。単一パルス、2電極ディフィブリレーションパルス療法はまた、通常、右心室C/D電極26と冠状静脈洞C/D電極32の間で提供されてもよい。別法として、単一パルスが、C/D電極28と30の間で送出されてもよい。ICD IPG10へのC/D電極の特定の相互接続は、特定のC/Dパルス療法が採用されることに多少依存することになる。
ICD IPG10は、好ましくは、動作モード及びパラメータ値においてプログラム可能であり、たとえば、MEDTRONIC(登録商標)Model 9790Cを使用して呼び掛け可能である、MEDTRONIC(登録商標)GEM 7227の単腔又はGEM DR 7271の2腔ICD IPGの動作モード及び機能を提供するICD動作システムを備える。図2は、本発明のコンデンサ再形成システム及び方法を、有利に実施することができる、上述した能力の全て又は一部を有する単腔及び2腔ICDシステムの単なる例示である、こうした単腔ICD動作システム100を示す機能ブロック図である。ICDシステム100は、1つ又は複数の回路基板上に通常取り付けられる1つ又は複数のIC、及び、複数のディスクリート部品、たとえば、テレメトリアンテナ128、リードスイッチ160、水晶162、C/DサブシステムのHVディスクリート部品のセット、及び電池60を取り付けるPC基板を含む。先に参照した米国特許第5,470,341号及び第5,265,588号の図3のアーキテクチャが採用される場合、図2の、図示する機能部品及びディスクリート部品は、LV回路基板、HV回路基板、及びディスクリート部品PC基板の一部として構成される。しかしながら、システムICの全てを組み込み、サポートする単一回路基板が採用してもよいことが理解されるであろう。本発明が実施されることができる、図2に示すシステムと同じICDシステムは、たとえば、米国特許第4,830,006号、第4,693,253号、第4,971,058号、第5,312,441号、及び第5,827,326号に示される。
図示するHV C/D治療送出サブシステムは、電池60によって給電され、HV充電回路64、ディスクリートHVステップアップ変圧器110、及びHV出力コンデンサバンク38をさらに備えるDC−DC変換器を備える。図示するHV C/D治療送出サブシステムは、HV出力コンデンサバンク38上の電荷を、図1のC/Dリード線及び電極を通して放電させる、HV放電又は出力回路40をさらに備える。このサブシステムは、先に参照した米国特許第5,470,341号及び第5,265,588号のアーキテクチャに従う場合、そのアーキテクチャのHV回路基板及びPC基板内に組み込まれる可能性がある。この場合、直列接続したコンデンサC1とC2を備えるHV出力コンデンサバンク38上の電荷は、リード線22、24、及び26を介して結合したC/D電極26、30、及び32を通してHV出力回路に選択的に放電される。
典型的なLV回路基板は、1つ又は複数のディスクリート部品、IC、データ及び制御バス、割り込み及び信号線など、たとえば、LV電源68、ペース/センス回路78、事象記憶RAM98、LV制御IC130、HV制御回路44、マイクロコンピュータ42、データバス86、及び制御バス80を組み込む。図示を単純にするため、及び、本発明の実施において役割を果たさないため、これらのブロックを相互接続する信号及び制御線の全てが示されるわけではない。LV回路基板で採用されるICのほとんどは、CMOS作製技法を使用して作製される。たとえば、図2では、LV制御IC130は、好ましくは、本明細書に示す回路並びにデータ及び制御バスの機能を実施する単一CMOS ICダイで形成される。マイクロコンピュータ42は、さらなるCMOS ICダイで形成されるものとして示されるが、単一CMOS IC内のLV制御IC130と組み合わされてもよい。
図2の例示的な従来技術のICDシステム100は、HV充電回路64及びLV電源68に結合され、調整された電力を、システム100のLV IC、回路基板、及びディスクリート部品の一部に提供する電池60によって給電される。電池60は、好ましくは、初期における約3.2ボルトから指定された使用の終了における約2.5ボルトまでの電圧を生成する、低電圧で、高エネルギー密度で、且つ大電流出力のリチウムバナジウム銀電池などを備える。LV電源は、電力線147を介して、示すマイクロコンピュータ42、ペース/センス回路78、オフボードRAM98、HV制御及び調節器回路44、DC‐DC変換スイッチング回路120を駆動するHV充電回路64、及び内部の一部のスイッチング回路の動作を駆動するHV出力回路40を含む複数の示す回路に供給される調整された供給電圧VDDを生成する。LV電源68はまた、電力の乱れが起こる場合、当技術分野で既知の方法で、線214上でPOR信号を複数の示す回路に提供して、それらの回路内のロジックを既知の状態にリセットするパワー・オン・リセット(POR)回路を含む。
タイミング及び制御回路及び機能の全ては、電池60から利用可能な電圧及び電流に依存し、寿命を最大にするために、電流ドレイン及び電圧の消耗を最小にすることが望ましい。心周期は、健康な人の心臓で、正常洞機能において50〜160bpmの間で変動する可能性があり、且つ、不健康な人の心臓ではその範囲を下回るか又は上回る可能性がある心拍数に依存する。ICD IPG監視及び徐脈ペーシング機能の事実上全てが、自発性心拍数に依存する検知された心臓事象、又は、徐脈エピソード中にタイムアウトした補充収縮間隔の終わりのペース事象からタイミングをとられる。マイクロコンピュータ機能は、検知された事象又はペーシングパルスの数クロックサイクル以内に実施され、その後、低電流ドレインスリープモードに戻ることができる。LV制御IC130によって処理される連続EGMサンプリング、デジタル化、及び記憶機能は、100〜200HzのEGMサンプリングレートで遂行することができる。そのため、電流消費部品の「オン」時間を最小にすることによって、この状況で、電流ドレインが最小になる。
ICDシステム100の動作モードは、全ての必要な計算及び制御機能を実施する、ROM96及びRAM92に記憶された動作プログラムに従う、マイクロコンピュータ42、LV CMOS IC130、及びHV制御回路44によって制御される。マイクロコンピュータ42は、DMAコントローラ94と、ALU92と、関連するオンボードROM96及びRAM90とを含む、マイクロコンピュータの典型的な部品を備える。ICDシステム100の動作を支配するプログラムコードは、ROM96に記憶され、RAM90内に動作システムとして記憶される動作モード及びパラメータに従って、動作が実行される。動作モード及びパラメータデータは、当技術分野で既知の、ダウンリンクテレメトリプログラミング及び呼び掛け動作を通して、プログラム可能であり、且つ呼び掛け可能である。こうした動作モードは、機能をイネーブルすること、及び、ディセーブルすることを含み、こうした動作パラメータは、ペーシングパルス幅及び/振幅、センス増幅器感度、事象データ記憶、不整脈検出パラメータ、送出される不整脈治療などを含む。ALU92は、LV制御IC130のμP制御及び割り込みブロック136によって提供される割り込み及び制御信号に応答してプログラムコードによって指示される論理演算を実施する。ICD自体に関連するデータ、患者の履歴などもまた、LV制御IC130のテレメトリI/O回路142によって、呼び掛け及びテレメトリ出力するために、RAM90に記憶され得る。DMA94は、当技術分野で既知の、マイクロコンピュータを必要とすることなく、RAM90、事象RAM98及びROM96のレジスタロケーションに対する直接メモリアクセスを可能にする。
双方向の制御バス80及び一部の個別の割り込み及び制御線(図示せず)は、マイクロコンピュータ42の入力/出力インタフェース88を、それぞれ、HV制御回路44、ペース/センス回路78、及びLV電源の、入力/出力インタフェース46、148、及び170と連結し、且つ、マイクロプロセッサ制御及び割り込み136と連結する。これらのオンチップインタフェースは、マイクロプロセッサ周辺装置について通常採用される、チップセレクト、アドレス復号、及びデータバスロジックを含む。双方向のデータバス86、LV制御IC130内の内部双方向データ及び制御バス154、及び事象記憶RAM間のデータバス126は、マイクロコンピュータ42が、マイクロコンピュータROM96及びRAM90間のデータの移動を制御することを可能にし、且つ事象記憶RAM98に記録する。
LV制御IC130は、マイクロコンピュータ42に入力を提供し、マイクロコンピュータ42の動作の多くを実行するように要求される。LV制御IC130は、システムクロック、並びに、タイミング、割り込み、アップリンク及びダウンリンクテレメトリ機能、ADC/MUX信号処理、不整脈検出及び識別のための検知された事象EGM信号の処理、事象データ記憶、及び患者のEGMのリアルタイムアップリンクを提供する。システムクロックは、水晶162及び水晶発振器及び監視回路134によって提供される。
テレメトリI/O回路は、ダウンリンクテレメトリ送信された呼び掛け及びプログラミングコマンドを受信し、且つ復号し、復号されたコマンドを、データ及び制御バス154、μP制御及び割り込み回路136、及び制御バス80を介してマイクロコンピュータに提供する。テレメトリI/O回路142はまた、RAM90からの、記憶済みのデバイス、挿入物、及び患者データ、又は、RAM制御回路144によって事象記憶RAM98から取り出された、記憶済みのエピソードEGMデータをアップリンクテレメトリ送信するための、逆経路を介して送出されるマイクロコンピュータ42からのコマンドによってトリガーされる。テレメトリI/O回路142はまた、センス事象/EGM波形解析回路131及びADC/MUX132によって処理され、内部データ及び制御バス154を介して提供されるリアルタイムEGM信号をアップリンクテレメトリ送信するように命令される可能性がある。電池電圧、HVコンデンサ充電時間、リード線インピーダンス、及び、ペーシングされ、且つ検知された事象マーカを含む、他のシステムデータもまた、I/Oテレメトリ回路142を介してアップリンクテレメトリ送信される可能性がある。こうしたテレメトリシステム及び機能は、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第5,127,404号によって例示されたように、当技術分野で既知である。たとえば、先に参照した米国特許第5,470,341号及び第5,265,588号に記載されるタイプのペース/センス回路78は、心室ペーシングパルスを生成するペーシングパルス発生器150、検知された事象及びEGM信号を生成するR波センス増幅器152、及びインタフェース148並びに他のブランキング及び高電圧保護回路を含む。先に述べたように、2腔又は単腔心房ペーシング及び検知機能は、同様に、又は、別法として、適切なペース/センス回路78及び適切な遠方場(単極)又は近方場(双極)心房電極対を使用して提供されることができる。示す実施形態では、ペース/センス回路78は、R波の双極検知及び心臓12の心室への双極ペーシングパルスの送出を可能にする、心室リード線36の導体82及び84によって、図1に示す心室ペース/センス電極28及び34に結合される。高電圧保護回路はまた、ペーシングパルス発生器150及びセンス増幅器152をペース/センス電極上で感知されるC/Dショックエネルギーから保護するために、導体82と84にわたってペース/センス回路78内に含まれる。補充収縮間隔タイマ164においてタイムアウトしたペーシング補充収縮間隔の終了は、徐脈条件を意味し、ペーシングパルス発生器150による心臓ペーシングパルスの生成をトリガーするために、ペーストリガー信号が生成され且つ制御バス80を介して送出される。補充収縮間隔は、RAM90に記憶されたプログラム入力されたペーシングレート、又はレート応答ペーシング能力が提供される場合には生理的ペーシングレートに基づいて、マイクロコンピュータ42によって設定される。レート応答ペーシング機能はまた、MEDTRONIC(登録商標)GEM 7227の単腔又はGEM DR 7271の2腔ICD IPGで提供される方法で提供される可能性がある。
さらに、不整脈検出アルゴリズムによって検出された頻脈の処置のための高レートペーシングパルスのバーストはまた、補充収縮間隔タイマ164においてタイムアウトされ、制御バス80を介して送出されるペーストリガー信号によってトリガーされる可能性がある。ペーシングされ、検知された事象に続くセンス増幅器ブランキング間隔は、制御バス80及びインタフェース148を介してマイクロコンピュータ42によって指定される。ペーシング補充収縮間隔及びバーストペーシング間隔はまた、補充収縮間隔タイマ164ではなく、マイクロコンピュータ42において確立され、タイムアウトされる可能性がある。その場合、検知された事象信号は、マイクロコンピュータ42によって補充収縮間隔タイミングをリセットするために、制御バス80を介してマイクロコンピュータインタフェース88に伝達される可能性がある。
(この図示実施形態では)R波の発生を示す検知された事象信号は、当技術分野で既知の方法で、EGM信号の振幅を、医師がRAM90にプログラム入力した感度閾値と比較することによって機能するセンス増幅器152の比較器ステージによって生成され、データバス80及びインタフェース148を介してマイクロコンピュータ42によって送出される。検知された事象信号は、データ及び制御バス154を介して補充収縮間隔タイマ164及びμP制御及び割り込み回路136にリセット信号を出力するセンス事象/EGM波形解析回路131に供給される。μP制御及び割り込み回路136は、データ及び制御バス154を介して、検知された事象信号に応答して、マイクロコンピュータ42をスリープ解除して(awake)、任意の必要な数学的計算を実施し、頻脈及び細動検出手順を実施し、且つブランキング及び不応間隔を生成する。
さらに、EGM自体は、センス増幅器152の増幅器ステージからセンス事象/EGM波形解析回路131に送られる。送出されたEGMは、ADC/MUX132にてサンプリングされ、デジタル化され、且つ内部データ及び制御バス154を介して連続してRAM制御回路144に送出される。RAM制御回路は、事象記憶RAM98のアドレス指定されたレジスタを通して、FIFOの様にEGMデータを循環させて、頻脈性不整脈検出基準が満たされるまでEGMデータの20秒程度のセグメントを記憶し、基準が満たされると、事前に検出したデータが、永続的な記憶域に転送される。RAM制御回路は、当技術分野で既知の方法で、後での呼び掛け及びテレメトリ出力のために、事前に検出されたデータ及び送出された治療の識別情報及び送出された治療に対する反応と共に、EGMデータの検出後のセグメントを記憶する。
頻脈性不整脈検出基準は、ROM96及びRAM92内で指定され、通常、他の開始、レート、加速度、及び安定性基準、並びに、たとえば、先に参照した米国特許第5,861,006号、第4,971,058号、及び第5,312,441号に記載される種々の他の基準と結合した自発性心拍数の上昇を含む。自発性心拍数は、マイクロコンピュータ42によって維持される心拍数タイマにおいて計算され、EGMの他の特性は、高レートEGMが正常洞調律を構成するか否か、又は、悪性頻脈性不整脈を構成するか否かを判定するために調査される。自発性心拍数及びEGM幅基準は、MEDTRONIC(登録商標)GEM 7227の単腔ICD IPGにおいて採用され、心房及び心室心拍数並びにEGMは共に、GEM 7271の2腔ICD IPGで採用された検出及び分類アルゴリズムにおいて、伝導パターン、規則性、及びAV分離に関する情報について調査される。


図2の回路の機能及び詳細な回路構成図は、先に参照した米国特許第5,470,341号及び第5,265,588号に述べられる。米国特許第5,265,588号の図3、図4a及び図4bは、HV充電回路64、HV出力回路40、及びHVセットアップ変圧器110を備えるHV回路、並びにコンデンサバンク38を具体的に示す。HV出力コンデンサバンク38の充電に関して、1次コイル巻線112は、先に参照した米国特許第5,265,588号に具体的に述べられるように、1つの端子において、ヒューズリンクを通して電源BATT入力端子に、且つ他の端子において、デューティサイクルスイッチング回路ブロック120を通してBATTN端子に結合する。
頻脈性不整脈エピソードが検出され、分類されると、適切なプログラムされたバーストペーシング治療又は同期カーディオバージョンショック治療又はHVディフィブリレーション治療が送出される。バーストペーシング治療は、ペース/センス回路78を介して送出され、カーディオバージョン及びディフィブリレーション治療は、以下の通りに送出される。示すこの実施形態では、HV出力回路40は、HV出力コンデンサC1及びC2を含む出力コンデンサバンク38に結合し、選択されたC/D電極に2相C/Dショックを送出するようにプログラムされる。HV出力コンデンサC1及びC2は、ダイオード122及び124によって、HVステップアップ変圧器110の2次巻線114及び116に結合する。HVステップアップ変圧器110の1次巻線112は、HV充電回路64に結合する。
制御回路44は、HV出力回路40に対して、主要な重要性を持つ3つの信号、すなわち、線48上の第1制御信号ENAB、線50上の第2制御信号ENBA、及び出力コンデンサC1及びC2にわたって蓄積された電荷の放出を開始させる線52上のDUMP信号を提供する。図1に示すC/D電極26、30、及び32は、C/Dリード線22、24、及び26によって出力回路40に結合されて示される。理解を容易にするために、これらのC/Dリード線はまた、「COMMON」、「HVA」、及び「HVB」と表示される。ENAB、線48上に論理信号がある間、C/Dショックは、電極30と電極28の間で送出される。ENBA、線50上に論理信号がある間、C/Dショックは、C/D電極32と26の間で送出される。しかしながら、他の構成もまた可能である。たとえば、皮下C/D電極30は、単一パルス療法が電極26と30の間で送出されることを可能にするようにHVB導体26に結合されてもよい。さらに、IPGハウジングの外部表面26は、露出し、皮下C/D電極30及びリード線24を置き換えるか、又は、増大させる(augmenting)遠隔皮下C/D電極として結合してもよい。
悪性頻脈性不整脈が検出されると、LV制御回路130は、送出されるC/Dショックエネルギー及び波形を指定するC/DCAPCHGコマンドを生成する。C/DCAPCHGコマンドは、制御バス80を通って、HV制御回路44のインタフェース46に送出される。本発明によれば、HV出力コンデンサC1及びC2は、コンデンサ再形成充電サイクル中にコンデンサ再形成電圧に定期的に充電され、コンデンサアノード及びカソード酸化物層を再形成するために、先に参照した米国特許第5,265,588号に記載される内部抵抗負荷を通して放電するか、又は、徐々に消散するようにされる。
VCAP信号は、C/Dショック治療電圧又はコンデンサ再形成電圧へのHV出力コンデンサC1及びC2の充電を制御するために、HV制御回路44において採用される。前者の場合、VCAP信号は、HV出力コンデンサC1及びC2の充電レートを制御し、所定のショック期間の間のコンデンサC1、C2の放電によってC/Dショックの送出を開始させるための、プログラムされた治療電圧に、出力コンデンサC1及びC2上の電圧が達したことを判定するために採用される。後者の場合、VCAP信号は、HV出力コンデンサC1及びC2の充電レートに影響を与えないが、プログラムされた再形成電圧に、出力コンデンサC1及びC2上の電圧が達したことを判定し、充電を停止するために使用される。線54上のVCAP信号は、HV出力コンデンサC1及びC2上の実際の充電電圧に比例する。たとえば、VCAPは、それぞれ、実際の充電電圧が0〜840ボルトに変わるにつれて、0〜1.2ボルトに変わる可能性がある。
HV出力コンデンサC1及びC2は、2相C/Dショックを選択されたC/D電極にできる限り速く送出するために、できる限り速く且つ効率的に充電される。ショック間隔すなわち幅は、プログラムされるショック幅であるか、コンデンサが放電する時のVCAP信号の大きさの関数であってもよい。換言すれば、放電は、所定の時間間隔の間であるか、又は、電圧が所望の電圧に放電するまでであってもよい。心臓に送出されるC/Dショックエネルギーは、VCAP信号によって表される充電及び放電電圧を制御することによって直接制御される。
VCAP信号は、HV出力コンデンサC1及びC2を充電するためにHV制御回路44によって供給される線66上の充電ドライブ(CHGDR)信号のデューティサイクルを制御することによって、C/Dショックをできる限り速く送出するために、HV出力コンデンサC1及びC2をプログラムされた電圧に充電するのに採用される。HV出力コンデンサC1及びC2は、先に参照した米国特許第5,470,341号及び第5,265,588号に詳細が開示されるように、既知の「フライバック」方式で動作する高周波HV変圧器110の発振によって充電される。変圧器1次巻線112は、「オン」時間の間、正の電池端子とアースの間で交互に結合されて磁界が形成され、その後、「オフ」時間の間、開回路にされて1次巻線112の磁界が崩壊させられる。崩壊によって2次巻線114及び116に高電圧が誘導されて、ダイオード122及び124を通してHV出力コンデンサC1及びC2が充電される。コンデンサバンク38の両端のCSP及びCSN電圧は、HV出力回路40内で監視され、実際の出力コンデンサ電圧に比例するVCAP電圧が生成され、線54上でHV制御回路44に印加される。HV制御回路44は、HV出力コンデンサがプログラムされた電圧まで完全に充電されることをVCAP電圧が示す時を判定し、CHGDR信号を終了させる。
先に参照した米国特許第5,265,588号の図4aに示すように、スイッチング回路120は、変圧器1次巻線112と直列のパワーFETを含み、第1ツェナーダイオードをそのソースとドレイン端子の両端に、且つ第2ツェナーダイオードをそのゲートとドレイン端子の両端に結合させている。CHGDR信号はパワーFETのゲートに印加され、且つパワーFETのゲートはCHGDR「オン」時間中導電性にされるか、又は「オン」に切り換えられ、CHGDR「オフ」時間中非導電性にされるか、又は「オフ」に切り換えられる。パワーFETは、そのゲート入力端子に印加されるCHGDR信号によって導電性にされると、電流がHVステップアップ変圧器110の1次コイル巻線112を通過することを可能にする。パワーFETの「オン」と「オフ」のスイッチングは、出力コンデンサC1及びC2の充電に作用する。
CHGDR信号「オフ」時間は、以下で述べるように、インタフェース46において生成される入力電流VCAPINに応答する、HV制御回路44内のVCO、特に、図2に示すCHGDR回路55によって確立される。図2及び図3に示す本発明の一実施形態によれば、VCO入力電圧は、悪性頻脈性不整脈の検出に応答して生成されるC/DCAPCHGコマンド又はRFRMCAPCHGコマンドによって、充電サイクルがトリガーされるかどうかに依存する。
先に述べたように、C/DCAPCHGコマンド及びRFRMCAPCHGコマンドは、LV制御IC130において生成され、制御バス80を通じて制御回路44のインタフェース46に送信される。LV制御IC130はまた、それぞれ、C/DCAPCHGコマンド及びRFRMCAPCHGコマンドに関連して、HV出力コンデンサが充電されることになるプログラムされたショック電圧(VSHK)及び再形成電圧(VRFRM)を送信する。たとえば、VSHK及びVRFRMは、HV出力コンデンサC1及びC2上で840ボルト充電量を表す1.2ボルトに共に設定されてもよい。HV出力コンデンサC1及びC2の充電は、VCAPが、先に述べた840ボルト充電量に比例する1.2ボルトに等しい時に終了する。さらに、LV制御IC130は、放電経路ENBA及びENABを使用してC/Dショック治療波形を確立し、HV出力コンデンサC1及びC2が充電され、且つ、頻脈性不整脈の継続した検出が確認された後に、HV出力コンデンサC1及びC2の放電を開始させる、C/DCAPCHGコマンドに関連するコマンドを送信する。
DUMPコマンドはまた、LV制御IC130によって生成され、先に参照した米国特許第5,265,588号に述べる内部負荷を通してHV出力コンデンサを放電させるために、制御回路44のインタフェース46に制御バス80を通じて送信される。DUMPコマンドは、再形成充電の放電部分及び放電サイクルを開始させるか、又は、HV出力コンデンサC1及びC2の充電に続いて頻脈性不整脈の継続した検出が確認されない場合にC/Dショックの送出を中止する。しかしながら、HV出力コンデンサC1及びC2上の電荷が、ただゆっくりと徐々に消散するように、DUMPコマンドが実際にはなくなる可能性があることを留意すべきでる。
治療送出充電サイクルが、C/DCAPCHGコマンドによって開始される時、CHGDR信号の「オン」時間は、先に参照した米国特許第5,265,588号の図9に示すように、一定の時間か又はパルス幅であるが、CHGDR信号の「オフ」時間は、VCAP信号に反比例する。先に参照した米国特許第5,265,588号に開示される一例では、「オン」時間は、11マイクロ秒であるが、電池電圧が電圧VREFまで下がる場合、4マイクロ秒に短縮される。「オフ」時間は、3マイクロ秒の一定時間、及び、VCAPがゼロボルトに等しい時の235マイクロ秒とVCAPが1000ボルトに等しい時の1マイクロ秒の範囲の可変時間を含む。こうして、C/D CHGDR信号が生成され、VCAPが増加すると「オフ」時間が減少し、HV出力コンデンサC1及びC2のプログラムされたC/Dショック電圧への充電時間が減少する。「オフ」時間の減少は、変圧器110の飽和を回避する必要性によって制限される。
HV出力コンデンサC1及びC2のプログラムされたC/Dショック電圧への充電時間は、設計された寿命初期(BOL)充電時間、コンデンサ酸化物層の状態、電池に対して提示される充電回路のインピーダンス、及び電池の状況を含むいくつかの要因に依存する。たとえば、設計された(BOL)充電時間は、ICDモデルに応じて6〜30秒であり、その充電時間は、電池が使用によって寿命末期(EOL)電圧まで消耗する時には2倍になる場合がある。
本発明によれば、VCAP信号はこのように、RFRMCAPCHGコマンドによって開始されたコンデンサ再形成充電サイクルにおいてCHGDR信号のデューティサイクルを調整するために採用されない。代わりに、HV出力コンデンサC1及びC2のコンデンサ再形成電圧への充電が遅いレートになるように、CHGDR信号の、「オン」時間及び「オフ」時間は固定されることが好ましい。一手法では、「オフ」時間は、「オン」時間よりかなり長くなるように設定される。この特定の実施形態では、「オン」時間は、一般的な(prevailing)11マイクロ秒又は4マイクロ秒のままであり、「オフ」時間は、最大235マイクロ秒近くに設定される。一般的な「オン」時間は、同様に、又は別法として、充電レートを減少させるために、短縮されてもよいことが理解されるであろう。
図2及び図3を参照すると、コンデンサ再形成充電サイクルは、LV制御IC130によって生成されるRFRMCAPCHGコマンドによって開始され、制御バス80を通じて送出され、且つインタフェース46によって受け取られる。RFRMCAPCHGコマンドは、外部プログラマから受信される、ダウンリンクテレメトリ送信されるコンデンサ再形成コマンドに応答して生成されるか、又は、ごく最近のコンデンサ再形成充電サイクル又はC/Dショックの送出以来の再形成期間が終了すると自動的に生成される。ごく最近のコンデンサ再形成充電サイクル又はC/Dショックの送出以来のコンデンサ再形成時間は、プログラムされる時間又は一定時間であってもよい。
図3により詳細に示すインタフェース46は、CHGDR回路55に印加されるVCAPIN信号及びCHGEN信号を生成する。CHGDR回路55は、米国特許第5,265,588号において述べるCHGDR及びVCAPIN信号を採用する、先に参照した米国特許第5,265,588号の図5〜図8Cの回路を備えることができる。インタフェース回路46はまた、バス80上で受け取るコマンド及びVCAP信号を処理して、HV出力コンデンサC1及びC2がVSHK又はVRFRMの電圧に比例する出力電圧に充電されることをVCAP信号が示すまで、HV出力コンデンサの充電を可能にするCHGEN信号が生成される。
本発明のこの実施形態では、充電レートを遅くし、コンデンサ充電時間を増加させるRFRMCAPCHGコマンドに応答してCHGEN信号が生成される時、VCAPIN信号は一定電流である。VCAPIN信号は、上述し、先に参照した米国特許第5,265,588号のC/DCAPCHGコマンドに応答してCHGEN信号が生成される時、VCAPIN信号は可変電流である。
図3では、充電信号プロセッサ51は、バス80上で受け取られる入力信号を認識し、C/DCAPCHGコマンドをゲート47に、RFRMCAPCHGコマンドをゲート49に供給する。充電信号プロセッサ51はまた、それぞれ、C/DCAPCHGコマンド及びRFRMCAPCHGコマンドに関連して、バス80上で受け取られる充電電圧VSHK及びVRFRMコマンドを認識する。
充電信号プロセッサ51内に維持される充電電圧VSHK又はVRFRMは、比較器53においてVCAP電圧と比較される。VCAP電圧が、充電信号プロセッサ51内に維持される充電電圧VSHK又はVRFRMより小さい限り、比較器53によってCHGEN信号が生成される。CHGEN信号は、CHGDR回路55に印加されて、上述し、先に参照した米国特許第5,265,588号のCHGDR信号の生成が可能になる。
C/DCAPCHGコマンドがバス80上で受け取られると、CHGDR回路55に変動VCAPIN電流を提供するために、変動電圧VCAPが、抵抗器572(先に参照した米国特許第5,265,588号の図6の抵抗器572に対応する)を通して印加される。RFRMCAPCHGコマンドがバス80上で受け取られると、CHGDR回路55に一定VCAPIN電流を提供するために、一定電圧VRFRMが抵抗器57を通して印加される。上述したように、VCAPIN電流の値は、HV充電回路64に供給される線66上のCHGDR信号の「オフ」時間及びHV出力コンデンサC1及びC2の充電時間を決める。
そのため、コンデンサ再形成サイクル中の充電時間は、VRFRM電圧及び抵抗器57の適切な選択によって遅くなる可能性がある。上述した例では、「オフ」時間を、235マイクロ秒の最大値近くに維持させる、VCAPINの非常に低い電圧が印加される可能性がある。結果として得られるコンデンサ再形成サイクル充電時間は、C/Dショック治療送出充電時間の2〜20倍であることが好ましい。
そのため、HV出力コンデンサの酸化物層の再形成中に、充電時間を増加させ、HV出力コンデンサを充電するレートを減少させる1つの方法が先に開示されている。上述したICDアーキテクチャ又は他のICDアーキテクチャに適切である、充電時間を増加させ、且つHV出力コンデンサを充電するレートを減少させる他の方法が、当業者に容易に明らかになると思われることが理解されるであろう。
たとえば、より最近のICD動作システムは、供給電圧BATTの関数として「オン」時間を調整し、VCAP信号ではなくHVコンデンサC2を充電する、低抵抗190の両端で測定される出力巻線116に誘導される充電電流CHGCURの関数として「オフ」時間を調整する。一例では、「オン」時間及び「オフ」時間は、最初は公称で3.2マイクロ秒に設定される。しかしながら、公称3.2マイクロ秒の「オフ」時間のタイムアウト後には、出力巻線116とアース間で測定される誘導電流がゼロに近い値に下がるまで「オン」時間を再開することが許可されない。したがって、「オフ」時間は、HV変圧器110の飽和を回避するために、2次巻線電流の関数として変わる可能性がある。「オン」時間は、供給電圧BATTの関数として3.2マイクロ秒〜約16.0マイクロ秒に変わる。供給電圧BATTは、インタフェース170を介して約8〜16ミリ秒ごとに測定され、測定されたBATT値(ROM96にバックアップされる)は、RAM90に記憶されるBATT値に関連付けられた「オン」時間のC/D治療ルックアップテーブルC/D LUTと比較される。ルックアップテーブルから求めた「オン」時間は、その後、次の測定が起こるまで採用される。こうしてHV出力コンデンサ充電時間は最小にされ、一方、電池60は不当に負荷がかからず、HV変圧器の飽和が回避される。
本発明によれば、HV出力コンデンサC1及びC2のアノード板及びカソード板の酸化物層を再形成するのに採用される「オン」時間及び/又は「オフ」時間は、酸化物層を再形成する時に達成されることが求められる結果を最適にする値に、それぞれ、選択的に減少及び/又は増加させることができる。それは、最適な「オン」時間及び「オフ」時間を経験的に求め、且つROM96にバックアップされた、RAM90内の測定されたBATT値に関連付けられた、別個の再形成ルックアップテーブル(図2のRFRM LUT)にそれらの時間を記憶するという事柄であるに過ぎない。この場合、「オフ」時間がタイムアウトする前に、2次巻線116の誘導電流が十分にゼロに下がるように、「オフ」時間が延長されてもよい。さらに、再形成充電サイクルを通して採用される「オン」時間と「オフ」時間の適切なセットを求めるために、再形成充電の最初に供給電圧BATTを測定することが必要なだけである場合がある。RFRM LUT「オン」時間は、C/D治療「オン」時間に関連して短縮されてもよく、且つ/又は、RFRM LUT「オフ」時間は、C/D治療「オフ」時間に関連して延長されてもよい。
新しいモデルICDが開発される時に、そのICDは、異なる電池60、HV充電回路64、HV変圧器110、並びにHV出力コンデンサC1及びC2を採用するため、この手法は有利である。BATT値に関連付けられた「オン」時間のC/D LUT及びBATT値に関連付けられた「オン」時間及び「オフ」時間のRFRM LUTは、電池のBOLからEOLまでの、これらの部品の特定の特性について容易に導出され、ROM96及びRAM90に記憶されることができる。
さらなる変形では、「オン」及び「オフ」時間の同じ再形成ルックアップテーブル値は、先に参照した同時係属中の(‘P−9171)出願で述べるように、C/D治療充電サイクル及びC/D治療ショックとしての電圧の放出に続く時間の間、HV出力コンデンサC1及びC2上の電圧を維持するのに採用されることができる。
そのため、上述した手法は、C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間、並びに、再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立する方法及び装置を提供し、再形成充電「オフ」時間はC/D治療充電「オフ」時間より長い。再形成充電「オフ」時間は、全再形成充電また再形成充電の少なくとも一部にわたって、C/D治療充電「オフ」時間より長くすることができ、且つ/又は、再形成充電「オン」時間は、全再形成充電また再形成充電の少なくとも一部にわたって、C/D治療充電「オン」時間より短くすることができる。
図4及び図5は、特定のHV出力コンデンサ設計について、長い再形成充時間をもたらす低充電電流又は低充電レートでHV出力コンデンサ板酸化物層を再形成することによって達成される利点を示す。試験されたコンデンサ設計は、たとえば、本発明の譲受人に譲渡された米国特許第6,032,075号に述べられるタイプである。こうした平面コンデンサは、散在したアルミニウムアノード及びカソードの積層体を囲む密閉ハウジングを有し、各アノード及びカソードは、次に、酸化物層がその上に形成されるエッチングされたアルミニウムシートの積層体で形成される。アノード及びカソードは、紙セパレータによって互いの接触から分離され、全てのアノードは、アノードフィードスルーピンに一緒に電気結合され、全てのカソードは、カソードフィードスルーピン又はハウジングに一緒に電気結合される。コンデンサハウジングは、エッチングされた表面及び紙セパレータに浸透する電解質で充填される。この特定のHVコンデンサ設計についての試験結果は、他のコンデンサ設計に対して実施したのと同じ試験結果を示すことを予想することができる。
図4及び図5を参照すると、治療充電時間は、コンデンサが、60℃で7日にわたる開回路貯蔵を11サイクル受けた後に、10mAの電流を使用してHV出力コンデンサを充電するのに必要とされる時間量である。それぞれの7日サイクルの終了において、コンデンサは、指示された再形成充電電流/時間を使用して、37℃で充電された。4つの異なる再形成充電電流/時間が使用された。各データポイントは、8つのコンデンサから得られた平均値を示す。一定の10mA充電電流が使用された。その理由は、その充電電流が、デバイスの寿命末期近くで、治療を送出するためにHVコンデンサを充電するのに必要であると思われる充電時間を近似するからである。60℃で7日にわたる開回路でのコンデンサの貯蔵は、37℃での90日の貯蔵後に起こるものと同様の酸化物劣化を生じる。
再形成充電中に再形成充電時間を遅延させる上述の技法は、ヘルスケアプロバイダの介入か、又は自動的かのいずれかによって、再形成サイクルが開始される時はいつでも使用することができる。開始は、プログラマ、他の外部医療デバイス、又は通信システムからダウンリンクテレメトリ送信される、プログラム入力されるコマンドによって誘発することができる。又は、再形成充電サイクルは、先行する再形成サイクル又はC/Dショック送出からのある経過時間のタイムアウトによって、又は、HV出力コンデンサが劣化し、再形成を必要としていることが自動的に判定されることによって、自動的に開始することができる。したがって、再形成充電中に再形成充電時間を長くするための、本発明の上述した技法は、再形成充電を開始させる他の上述した技法のうちの任意の技法と共に使用することができる。
本発明は、本明細書の教示の利益を受ける当業者に明らかであり、異なるが等価な方法で変更され、且つ実施されてもよく、先に開示した特定の実施形態は具体的に示しているだけである。たとえば、本発明は、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はそれらの組み合わせで具体化されてもよい。
本明細書で参照された全ての特許及び出版物は、参照によりその全体が援用される。
上述した好ましい実施形態の、上述した構造、機能、及び動作の一部は、本発明を実施するのに必要ではなく、例示的な1つ又は複数の実施形態の単に完璧さのために、説明に含まれることが理解されるであろう。
さらに、先に参照した特許に記載される、具体的に述べられる構造、機能、及び動作は、本発明と共に実施することができるが、それらは、その実施に対して必須ではないことが理解されるであろう。
したがって、添付特許請求項の範囲内で、本発明の精神及び範囲から実際に逸脱することなく、具体的に述べる以外の方法で実施されてもよいことが理解されるべきである。
ICD IPG及び心臓に延びるリード線システムの物理的部品の図であり、本発明を、有利に実施することができるICD IPGのタイプを示す。 本発明を有利に実施することができる、図1のICD IPGのICDシステムを示す機能ブロック図である。 本発明に従って、HV出力コンデンサを、C/Dショックエネルギー又はコンデンサ酸化物層再形成電圧に充電するためのVCOデューティサイクルを設定する回路の一実施形態の詳細ブロック図である。 再形成充電レートの関数としての、開回路貯蔵後に治療充電レートでHV出力コンデンサを充電するのに必要とされる時間のグラフである。 再形成充電時間の関数としての、開回路貯蔵後に治療充電レートでHVコンデンサを充電するのに必要とされる時間のグラフである。

Claims (33)

  1. カソード、電気的不活性期間中に変形する成形酸化物を有するバルブ金属アノード、及び電解質を備え、充電回路を通して電池から充電され、カーディオバージョン/ディフィブリレーション即ちC/D電極を通して放電するようになっている少なくとも1つの高電圧即ちHV出力コンデンサを有するタイプのカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法であって、
    検出された不整脈に応答して、少なくとも1つのHV出力コンデンサを、治療充電レートでほぼ事前にプログラムされた又は最大の充電量に充電することであって、
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサの前記充電量の少なくとも一部を放電させるか、又は、
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサの前記充電量の少なくとも一部が非治療用負荷を通して放電することを可能にする、充電すること、及び、
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサを、前記治療充電レートより低い再形成充電レートでほぼ前記事前にプログラムされた又は最大の充電量に定期的に充電することであって、それによって、前記HV出力コンデンサの変形した酸化物の少なくとも一部を再形成する、定期的に充電することを含む、カーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  2. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップと前記定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含む請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  3. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップと前記定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  4. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップと前記定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  5. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップと前記定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  6. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップ及び定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線に誘導される前記充電電流の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含む請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  7. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップ及び定期的に充電するステップは共に、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線に誘導される前記充電電流の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  8. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップ及び定期的に充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線に誘導される前記充電電流の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  9. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップ及び定期的に充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線に誘導される前記充電電流の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  10. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含む請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  11. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  12. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  13. 前記充電回路はHVステップアップ変圧器を含み、前記充電するステップは、
    「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の1次巻線に電池エネルギーを送出することであって、それによって、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する、電池エネルギーを送出することをさらに含み、方法は、
    前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立すること、及び、
    前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立することをさらに含み、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項1に記載のカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法。
  14. 心臓の悪性頻脈性不整脈に応答してカーディオバージョン/ディフィブリレーション即ちC/D電極を通して電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータであって、
    電池と、
    1次巻線及び少なくとも1つの2次巻線を有する高電圧即ちHVステップアップ変圧器と、
    前記2次巻線に結合する少なくとも1つのHV出力コンデンサであって、カソード、露出表面の大部分に酸化物層を形成されているバルブ金属アノード、及び作動電解質を備える、HV出力コンデンサと、
    前記電池及び前記1次巻線に結合し、且つ前記2次巻線に結合した前記HV出力コンデンサを所定のC/D治療電圧に充電するように動作するようになっている充電手段と、
    C/D治療充電時間を決めるC/D治療充電レートを確立する第1手段と、
    前記HV出力コンデンサを前記所定のC/D治療電圧に充電するように、前記C/D治療充電レートで前記充電手段を動作させ、且つC/D治療HV出力コンデンサを前記C/D電極を通して放電させるC/D治療送出手段と、
    前記C/D治療充電レートより低い再形成充電レートを確立する第2手段と、
    前記HV出力コンデンサをほぼ前記所定のC/D治療電圧に充電するように、前記再形成充電レートで前記充電手段を動作させて、前記酸化物層を再形成するコンデンサ再形成手段とを備える電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  15. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立する請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  16. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  17. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  18. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間及びC/D治療充電「オフ」時間を確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  19. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線内に誘導される前記充電電流の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立する請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  20. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線内に誘導される前記充電電流の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  21. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線内に誘導される前記充電電流の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  22. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記2次巻線内に誘導される前記充電電流の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  23. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立する請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  24. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  25. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  26. 前記充電手段は、「オン」時間中に、前記HVステップアップ変圧器の前記1次巻線に電池エネルギーを与えて、「オフ」時間中に、前記HV出力コンデンサに結合した前記2次巻線内に、該HV出力コンデンサを増分的に充電する充電電流を誘導する手段をさらに含み、
    前記第1手段は、前記C/D治療充電レートを決める、C/D治療充電「オン」時間を電池電圧の関数として、C/D治療充電「オフ」時間を前記HV出力コンデンサ電圧の関数として確立し、
    前記第2手段は、前記再形成充電レートを決める、再形成充電「オン」時間及び再形成充電「オフ」時間を確立し、前記全再形成充電又は該再形成充電の少なくとも一部にわたって、前記再形成充電「オン」時間は前記C/D治療充電「オン」時間より短く、前記再形成充電「オフ」時間は前記C/D治療充電「オフ」時間より長い請求項14に記載の電気C/D治療を送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  27. 患者の心臓の悪性頻脈性不整脈に応答してカーディオバージョン/ディフィブリレーション(C/D)電極を通して該心臓にC/Dショックを送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータであって、
    電池と、
    カソード、成形金属酸化物誘電体を有するバルブ金属アノード、及び電解質を備える少なくとも1つのHV出力コンデンサと、
    前記電池及び前記HV出力コンデンサに結合し、該HV出力コンデンサをC/D治療電圧又はコンデンサ再形成電圧のうちの1つの電圧に充電して、前記金属酸化物誘電体を再形成するように動作するようになっている充電手段と、
    C/D治療充電時間を決めるC/D治療充電レートを確立する第1手段と、
    前記HV出力コンデンサを前記C/D治療電圧に充電するように、前記C/D治療充電レートで前記充電手段を動作させ、且つ前記C/Dショックを前記患者の心臓に送出するように、C/D治療HV出力コンデンサを前記C/D電極を通して放電させるC/D治療送出手段と、
    前記C/D治療充電レートより低い再形成充電レートを確立する第2手段と、
    前記HV出力コンデンサを前記再形成電圧に充電するように、前記再形成充電レートで前記充電手段を動作させて、前記金属酸化物誘導体を再形成するコンデンサ再形成手段とを備えるC/Dショックを送出するようになっているカーディオバータ/ディフィブリレータ。
  28. カソード、電気的不活性期間中に漸進的に変形する成形酸化物層を有するバルブ金属アノード、及び電解質を備え、充電回路を通して電池から充電され、且つカーディオバージョン/ディフィブリレーション(C/D)電極を通して放電するようになっている少なくとも1つの高電圧(HV)出力コンデンサを有するタイプのカーディオバータ/ディフィブリレータを動作させる方法を実施する命令とを含むコンピュータ読み取り可能媒体であって、
    検出された不整脈に応答して、少なくとも1つのHV出力コンデンサを治療充電レートで、事前にプログラムされた又は最大の充電量に充電する命令であって、
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサの前記充電量の少なくとも一部を放電させるか、又は、
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサの前記充電量の少なくとも一部が、非治療用負荷を通して放電することを可能にする命令、及び
    前記少なくとも1つのHV出力コンデンサを、前記治療充電レートより低い再形成充電レートで前記事前にプログラムされた又は最大の充電量に定期的に充電して、それによって、酸化物層の変形した酸化物部分の少なくとも一部を再形成する命令を含むコンピュータ読み取り可能媒体。
  29. 前記少なくとも1つのHV出力コンデンサを定期的に充電する前記命令は、
    検出された不整脈に応答して、少なくとも1つのHV出力コンデンサを治療充電レートで、事前にプログラムされた又は最大の充電量に充電する前記命令が、所定の期間の間、前もって実施される場合、前記定期的な充電を抑制する命令をさらに含む請求項28に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
  30. 前記所定の期間は、数秒、数分、数時間、数週間、数ヶ月、それらの期間のいずれかの何分の1のうちの少なくとも1つを含む請求項29に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
  31. 前記再形成充電レートは、前記治療充電レートの約1/2〜約1/20のレートを含む請求項28に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
  32. 前記所定の期間は、事前にプログラムされるか、又は、コンピュータ読み取り可能なメモリ記憶構造内に記憶される請求項29に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
  33. 前記コンピュータ読み取り可能なメモリ記憶構造はルックアップテーブルを含む請求項32に記載のコンピュータ読み取り可能媒体。
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