JP2006516809A - Ta2O5含有層形成方法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は他の観点及び実施形態にも関する。
Claims (70)
- 基板上へのTa2O5含有層の形成する方法であって、該方法は、
蒸着室内に基板を配置する工程と、
TaF5及び、H2O及びO3の少なくとも一方を含むガス状前駆物質を前記基板上へTa2O5含有層を蒸着するのに有効な条件下で前記蒸着室内へ送り込む工程であり、前記条件が最初の蒸着に際してTa2O5の少なくとも大部分を001方位六方晶系相において結晶質に形成させるのに有効である工程と、
から構成されることを特徴とする基板上へのTa2O5含有層の形成方法。 - 前記Ta2O5含有層が実質的に結晶質である基板外面上へ蒸着されことを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に、TaF5及び、H2O及びO3の少なくとも一方の前記蒸着室への同時送り込みが含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件にTaF5及び、H2O及びO3の少なくとも一方の異なる時間ごとの前記蒸着室への送り込みが含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件から前記異なる各時間の中間のいずれかの時間における前記蒸着室への不活性パージガスの送り込みが除外されていることを特徴とする請求項4項記載の方法。
- 検出可能なガス状前駆物質が前記蒸着室へ送り込まれない場合に前記異なる各時間の中間にさらに一定時間間隔が設けられ、前記中間時間間隔の少なくともいくつかの時間間隔中に不活性パージガスが前記蒸着室へ送り込まれることを特徴とする請求項4項記載の方法。
- 前記TaF5及び、H2O及びO3の少なくとも一方の前記送り込みがある程度時間的に重複することを特徴とする請求項4項記載の方法。
- 前記TaF5及び、H2O及びO3の少なくとも一方の前記送り込みがいずれも時間的に重複しないことを特徴とする請求項4項記載の方法。
- 前記条件に前記前駆物質の少なくとも1種のプラズマ発生が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室内で行われることを特徴とする請求項9項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室から遠く離れて行われることを特徴とする請求項9項記載の方法。
- 前記条件から前記前駆物質のプラズマ発生が除外されていることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- H2Oに前記ガス状前駆物質の1種が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- O3に前記ガス状前駆物質の1種が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記ガス状前駆物質がO3及びO2の混合送り込みから成ることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記ガス状前駆物質にH2O及びO3が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に前記H2O及びO3の混合送り込みが含まれることを特徴とする請求項16項記載の方法。
- 前記ガス状前駆物質にH2O、O3及びO2が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に前記H2O、O3及びO2の混合送り込みが含まれることを特徴とする請求項18項記載の方法。
- 前記条件から前記蒸着室へのいずれか検出可能なレベルのH2の送り込みが除外されていることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に約200℃ないし約400℃の基板温度が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に約250℃ないし約300℃の基板温度が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に約1×10−7ないし約10トルの蒸着室圧が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に約1×10−3ないし約10トルの蒸着室圧が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に原子層蒸着が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に化学蒸着が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 前記条件に一定時間間隔の原子層蒸着と別の一定時間間隔の化学蒸着が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- コンデンサ誘電領域の少なくとも一部として層を作製する工程が含まれることを特徴とする請求項1項記載の方法。
- 蒸着室内へ基板を配置する工程と、
TaF5及びH2Oを含むガス状前駆物質を、最初の蒸着に際してTa2O5の少なくとも大部分が001方位六方晶系相において結晶質となるように基板上へTa2O5含有層を蒸着させるのに有効な条件下で蒸着室へ送り込む工程から構成される、基板上へのTa2O5含有層の形成方法。 - 前記条件に前記蒸着室へのO3の送り込みが含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に前記蒸着室へのTaF5及びH2Oの同時送り込みが含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に前記蒸着室へのTaF5及びH2Oの異なる時間ごとの送り込みが含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件から前記異なる各時間の中間のいずれかの時間における前記蒸着室への不活性パージガスの送り込みが除外されていることを特徴とする請求項32項記載の方法。
- 前記蒸着室へ検出可能なガス状前駆物質が送り込まれない場合に前記異なる各時間の中間に一定時間間隔がさらに設けられ、前記中間の一定時間間隔の少なくともいくつかの時間間隔中に前記蒸着室へ不活性パージガスが送り込まれることを特徴とする請求項32項記載の方法。
- 前記TaF5及びH2Oの送り込みのある程度が時間的に重複することを特徴とする請求項32項記載の方法。
- 前記TaF5及びH2Oの送り込みがいずれも時間的に重複しないことを特徴とする請求項32項記載の方法。
- 前記条件に前記先駆物質の少なくとも1種のプラズマ発生が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室内で行われることを特徴とする請求項37項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室内から遠く離れて行われることを特徴とする請求項37項記載の方法。
- 前記条件から前記前駆物質のプラズマ発生が除外されていることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件から前記蒸着室へのいずれか検出可能なレベルのH2の送り込みが除外されていることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に約200℃ないし約400℃の基板温度が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に約250℃ないし約300℃の基板温度が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に約1×10−7ないし約10トルの蒸着室圧が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に約1×10−3ないし約10トルの蒸着室圧が含まれることを特徴とする請求項31項記載の方法。
- 前記条件に原子層蒸着が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に化学蒸着が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 前記条件に一定時間間隔の原子層蒸着と別の一定時間間隔の化学蒸着が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- コンデンサ誘電領域の少なくとも一部として層を作製する工程が含まれることを特徴とする請求項29項記載の方法。
- 基板上へのTa2O5含有層を形成するための原子層蒸着方法であって、該方法は、
蒸着室内へ基板を配置する工程と、
TaF5を含むガス状第一前駆物質から前記蒸着室内の前記基板上へ第一種物質を化学吸着させて第一種物質単層を形成する工程と、
前記化学吸着された第一種物質をH2O及びO3の少なくとも一方を含むガス状第二前駆物質と接触させて前記第一種物質と反応させTa及びOを含む単層を形成する工程と、
Ta2O5を含む前記基板上へ材料塊を形成させるのに有効な条件下において前記化学吸着及び接触を連続反復する工程であって、前記連続反復が、最初の蒸着に際してTa2O5の少なくとも大部分を001方位六方晶系相において結晶質に形成させるのに有効である工程と、
から構成されることを特徴とする基板上へのTa2O5含有層形成のための原子層蒸着方法。 - 検出可能なガス状前駆物質が前記蒸着室へ送り込まれない場合において、前記化学吸着及び接触の中間に一定時間間隔をさらに設けることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 検出可能なガス状前駆物質が前記蒸着室へ送り込まれない場合において、前記化学吸着及び接触の中間に一定時間間隔をさらに設け、前記中間の時間間隔の少なくともいくつかにおいて前記蒸着室へ不活性パージガスが送り込まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質の組成が前記連続反復中に少なくとも一度変更されることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記第一種物質が前記基板上へ連続状に形成されることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 少なくともある程度の前記連続反復後に前記第一及び第二ガス状前駆物質を用いて材料塊上へTa2O5を化学蒸着によって蒸着する工程がさらに含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記Ta2O5が実質的に結晶質である基板外面上へ蒸着されることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記第一及び第二前駆物質の少なくとも一方のプラズマ発生が含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室内で行われることを特徴とする請求項57項記載の方法。
- 前記プラズマ発生が前記蒸着室から遠く離れて行われることを特徴とする請求項57項記載の方法。
- 前記化学吸着及び接触から前記前駆物質のプラズマ発生が除外されることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質にH2Oが含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質にO3が含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質にO3及びO2双方が含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質にH2O及びO3双方が含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記ガス状第二前駆物質にH2O、O3及びO2のすべてが含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記化学蒸着及び接触が約200℃ないし約400℃の範囲内の基板温度において行われることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記化学蒸着及び接触が約250℃ないし約300℃の範囲内の基板温度において行われることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記化学蒸着及び接触が約1×10−7ないし約10トルの蒸着室圧下で行われることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- 前記化学蒸着及び接触が約1×10−3ないし約10トルの蒸着室圧下で行われることを特徴とする請求項50項記載の方法。
- コンデンサ誘電領域の少なくとも一部として層を作製する工程が含まれることを特徴とする請求項50項記載の方法。
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