JP2006341324A

JP2006341324A - Manufacturing method of structure and structure

Info

Publication number: JP2006341324A
Application number: JP2005167475A
Authority: JP
Inventors: Ryosuke Nakamura; 亮介中村
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2005-06-07
Filing date: 2005-06-07
Publication date: 2006-12-21
Anticipated expiration: 2025-06-07
Also published as: JP4760148B2

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a structure, preventing increase in time required for manufacture and also improving yield rate in manufacturing a number of micro-structure, and a structure manufactured by the above manufacturing method. SOLUTION: This manufacturing method of a structure includes: a first process of preparing a substrate 10; a second process of forming a thin fragile part 12 (a continuous groove part 11) in the substrate 10 to divide the substrate 10 into a plurality of individual pieces, thereby partitioning the substrate 10; a third process of etching each partition of the substrate 10 through a mask having a predetermined pattern; and a fourth process of rupturing the thin fragile part 12 to divide the substrate into a plurality of individual pieces to obtain a plurality of wavelength variable filters 1. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、微小な構造体の製造方法および構造体に関するものである。 The present invention relates to a method for manufacturing a minute structure and a structure.

マイクロマシニング技術等を用いて基板を加工して、微小な光学素子や振動子などの構造体を製造する方法が知られている。このような微小な構造体を形成するに際しては、一般に、比較的大きなウエハ状の基板を材料として用いる（例えば、特許文献１参照。）。
例えば、特許文献１では、基板上に膜を形成してなる基体にエッチングを施すことにより、基板上の膜に微細な複数のパターンを形成した後に、パターンごとに基体をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断して、個片化（チップ化）することにより、複数の構造体を得る。 A method of manufacturing a structure such as a minute optical element or a vibrator by processing a substrate using a micromachining technique or the like is known. In forming such a minute structure, a relatively large wafer-like substrate is generally used as a material (see, for example, Patent Document 1).
For example, in Patent Document 1, after etching a base formed by forming a film on a substrate to form a plurality of fine patterns on the film on the substrate, the base is laser-cut or dicing cutter for each pattern. A plurality of structures are obtained by cutting and dividing into chips (chips).

しかし、特許文献１にかかる方法では、エッチングの後に基板をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断するため、切断時に生じた切り屑などの不要物が微細なパターンに付着して、得られる構造体の特性を低下させてしまう場合がある。その結果、構造体の製造の歩留まりが低下してしまう。
特に、パターンと基板との間に空隙が形成されていた場合、その空隙にダイシング時の水や切削屑が入り込んでしまうと、これらを取り除くことが難しく、得られる構造体の特性を低下させてしまう場合がある。
これを防止するために、仮に、チップ化した後に、各チップに対しエッチングを行うと、多数の微小なチップに対しそれぞれ処理を行わなければならず、取り扱い性が悪く、構造体の製造に長時間を要してしまう。 However, in the method according to Patent Document 1, since the substrate is cut by a laser cutter or a dicing cutter after the etching, unnecessary materials such as chips generated at the time of cutting adhere to a fine pattern, and the structure obtained The characteristics may be deteriorated. As a result, the manufacturing yield of the structures is reduced.
In particular, when a gap is formed between the pattern and the substrate, if water or cutting waste at the time of dicing enters the gap, it is difficult to remove them, and the characteristics of the resulting structure are deteriorated. May end up.
In order to prevent this, if each chip is etched after being formed into chips, it is necessary to perform processing on a large number of minute chips, which is not easy to handle and long in manufacturing the structure. It takes time.

特開平９−２８１３２７号公報JP-A-9-281327

本発明の目的は、多数の微小な構造体を製造するに際し、製造に要する時間の増大を防止しつつ、歩留まりの向上を図ることができる構造体の製造方法、および、この製造方法を用いて製造された構造体を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a structure manufacturing method capable of improving yield while preventing an increase in time required for manufacturing a large number of minute structures, and the manufacturing method. It is to provide a manufactured structure.

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の構造体の製造方法は、基体を用意する第１の工程と、
前記基体を複数の個片に分割可能とするように、前記基体に薄肉脆弱部を形成して、前記基体に対し区画を行う第２の工程と、
前記基体の各区画内に対し、所定のパターンをなすマスクを介して、エッチングを行う第３の工程と、
前記薄肉脆弱部を破断して、前記基体を複数の個片に分割することにより、複数の構造体を得る第４の工程とを有することを特徴とする。 Such an object is achieved by the present invention described below.
The structure manufacturing method of the present invention includes a first step of preparing a substrate,
A second step of forming a thin fragile portion on the base so as to divide the base into a plurality of pieces and partitioning the base;
A third step of performing etching in each section of the substrate through a mask having a predetermined pattern;
A fourth step of obtaining a plurality of structures by breaking the thin fragile portion and dividing the base into a plurality of pieces.

これにより、第４の工程にて基体を個片化（チップ化）するに際し、基体にはあらかじめ第２の工程にて薄肉脆弱部が形成されているので、切り屑などの不要物の発生を防止しつつ、基体を複数の個片に容易に分割することができる。特に、区画（すなわち、薄肉脆弱部の形成）がエッチングの前に行われるので、区画の際に仮に切り屑が生じても、構造体に切り屑が付着するのを防止することができる。 As a result, when the base is separated into chips (chips) in the fourth step, the thin fragile portion is formed in the base in advance in the second step, so that unnecessary materials such as chips are generated. The substrate can be easily divided into a plurality of pieces while preventing. In particular, since the partition (that is, the formation of the thin fragile portion) is performed before the etching, even if chips are generated during the partition, it is possible to prevent the chips from attaching to the structure.

したがって、チップ化するに際し、基体に形成されたパターンに切り屑などの不要物が付着して構造体の特性を低下させるのを防止することができる。その結果、構造体を製造するに際し、歩留まりの向上を図ることができる。
また、チップ化する前に、基体に対しエッチングを行うので、取り扱いが比較的容易であり、構造体の製造に要する時間の短縮化を図ることができる。 Therefore, when forming a chip, it is possible to prevent unnecessary materials such as chips from adhering to the pattern formed on the base body to deteriorate the characteristics of the structure. As a result, the yield can be improved when the structure is manufactured.
Further, since the substrate is etched before being formed into chips, the handling is relatively easy, and the time required for manufacturing the structure can be shortened.

本発明の構造体の製造方法では、前記第２の工程において、前記基体に連続的な溝部を形成することにより前記薄肉脆弱部を形成することが好ましい。
これにより、比較的簡単に区画を行いつつ、容易に基体を個片化することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記溝部の底部の横断面形状は、先細りとなっていることが好ましい。
これにより、エッチング時の基体に必要な強度を保ちつつ、より容易に基体を個片化することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that in the second step, the thin fragile portion is formed by forming a continuous groove in the base.
As a result, the substrate can be easily separated into individual pieces while being relatively easily partitioned.
In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that the cross-sectional shape of the bottom of the groove is tapered.
This makes it possible to divide the substrate more easily while maintaining the strength required for the substrate during etching.

本発明の構造体の製造方法では、前記基体は、互いに接合された第１の基板および第２の基板を有するものであることが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板に対し、一括して第２の工程での区画および第４の工程での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の工程において、前記第１の基板および前記第２の基板を互いに接合する工程を有することが好ましい。
これにより、第１の基板および第２の基板に対し、一括して第２の工程での区画および第４の工程での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, the base body preferably includes a first substrate and a second substrate bonded to each other.
Accordingly, the first substrate and the second substrate can be collectively divided into the second step and separated into the fourth step, thereby simplifying the manufacturing process.
In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that the first step includes a step of bonding the first substrate and the second substrate to each other.
Accordingly, the first substrate and the second substrate can be collectively divided into the second step and separated into the fourth step, thereby simplifying the manufacturing process.

本発明の構造体の製造方法では、前記第１の基板と前記第２の基板との接合は陽極接合により行うことが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板とを比較的簡単にかつ強固に接合することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の工程において、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板に凹部を形成する工程を有し、その後、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程において、前記第２の基板の前記凹部側の面と前記第１の基板の一方の面とを接合することが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板との間にギャップを有する構造体を製造することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, the first substrate and the second substrate are preferably joined by anodic bonding.
Thereby, the first substrate and the second substrate can be bonded relatively easily and firmly.
In the structure manufacturing method of the present invention, the first step includes a step of forming a recess in the second substrate before the step of bonding the first substrate and the second substrate. Then, in the step of bonding the first substrate and the second substrate, it is preferable to bond the surface on the concave portion side of the second substrate and one surface of the first substrate. .
Thereby, a structure having a gap between the first substrate and the second substrate can be manufactured.

本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程において、前記第１の基板のうち、前記第２の基板の前記凹部に対応する部位の一部を除去して、可動部と、支持部と、前記可動部を前記支持部に対し可動とするようにこれらを連結する連結部とを形成することが好ましい。
これにより、振動子やアクチュエータなどの構造体を製造することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, in the third step, a part of the first substrate corresponding to the concave portion of the second substrate is removed, and the movable portion and the support are supported. It is preferable to form a portion and a connecting portion that connects the movable portion so as to be movable with respect to the support portion.
Thereby, structures such as vibrators and actuators can be manufactured.

本発明の構造体の製造方法では、前記第１の基板の厚さは前記第２の基板の厚さよりも小さいことが好ましい。
これにより、より微細なパターンを形成することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第２の工程において、前記第１の基板を貫通するとともに前記第２の基板に前記薄肉脆弱部を残すように、前記基体に溝部を形成することが好ましい。
これにより、基体を個片化する際に、第１の基板にかかる力を低減して、構造体にエッチングにより形成されたパターンの損傷や変形を防止することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, the thickness of the first substrate is preferably smaller than the thickness of the second substrate.
Thereby, a finer pattern can be formed.
In the structure manufacturing method of the present invention, in the second step, a groove may be formed in the base body so as to penetrate the first substrate and leave the thin fragile portion on the second substrate. preferable.
Thereby, when the base is separated into pieces, the force applied to the first substrate can be reduced, and damage and deformation of the pattern formed by etching on the structure can be prevented.

本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程の工程に先立ち、前記第２の基板の前記凹部に連通するように前記第１の基板に第１の開口部を形成する工程を有し、前記第３の工程において、前記第１の基板に異形状の第２の開口部を形成することにより前記可動部と前記支持部と前記連結部とを形成することが好ましい。
これにより、第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差を解消した状態で、第１の基板に対しパターンニングを行うことができる。よって、エッチング時における当該圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。 The structure manufacturing method of the present invention includes a step of forming a first opening in the first substrate so as to communicate with the concave portion of the second substrate prior to the step of the third step. In the third step, it is preferable that the movable portion, the support portion, and the connection portion are formed by forming a second opening having a different shape on the first substrate.
Thereby, it is possible to perform patterning on the first substrate in a state in which the pressure difference between the space between the first substrate and the second substrate and the outside is eliminated. Therefore, damage to the pattern due to the pressure difference during etching can be prevented.

本発明の構造体の製造方法では、前記第１の開口部と前記第２の開口部とは離間していることが好ましい。
これにより、第１の開口部の寸法と第２の開口部の寸法とを調整することにより、比較的簡単に、同一のエッチング処理により第１の開口部、第２の開口部の順にこれらを形成することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１の開口部と前記第２の開口部とを同一のエッチング処理により形成することが好ましい。
これにより、製造工程の簡略化を図りつつ、エッチング時における第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that the first opening and the second opening are separated from each other.
Thereby, by adjusting the dimension of the first opening and the dimension of the second opening, it is possible to relatively easily and sequentially adjust the first opening and the second opening by the same etching process. Can be formed.
In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that the first opening and the second opening are formed by the same etching process.
Thereby, it is possible to prevent the pattern from being damaged due to the pressure difference between the space between the first substrate and the second substrate during etching and the outside while simplifying the manufacturing process.

本発明の構造体の製造方法では、前記凹部を形成する工程の後、かつ、前記第１の基板と前記第２の基板とを接合する工程の前に、前記第２の基板の前記凹部の底面に電極を形成する工程を有し、前記第１の開口部を形成する工程において、前記第１の開口部を、前記電極を外部に引出し可能に設けることが好ましい。
これにより、第１の開口部を有効利用して、構造体の複雑化を防止しつつ、エッチング時における第１の基板と第２の基板との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, after the step of forming the recess and before the step of bonding the first substrate and the second substrate, the recess of the second substrate is formed. Preferably, the method includes a step of forming an electrode on the bottom surface, and in the step of forming the first opening, the first opening is provided so that the electrode can be drawn out to the outside.
Accordingly, the first opening is effectively used to prevent the structure from being complicated, and is caused by the pressure difference between the space between the first substrate and the second substrate during etching and the outside. Pattern damage can be prevented.

本発明の構造体の製造方法では、前記第３の工程において、前記エッチングはドライエッチングにより行うことが好ましい。
これにより、高精度なエッチングを行うことができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記区画の形成に先立ち、前記基体に前記第３の工程の前記エッチングに用いる前記マスクを形成することが好ましい。
これにより、区画を形成するに際し、仮に切り屑が生じても、構造体に対する切り屑の付着をより確実に防止することができる。
本発明の構造体は、本発明の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、構造体を、安価で、かつ、所望の特性を有するものとすることができる。 In the structure manufacturing method of the present invention, in the third step, the etching is preferably performed by dry etching.
Thereby, highly accurate etching can be performed.
In the structure manufacturing method of the present invention, it is preferable that the mask used for the etching in the third step is formed on the substrate prior to the formation of the section.
Thereby, even when chips are generated when forming the compartments, it is possible to more reliably prevent the chips from adhering to the structure.
The structure of the present invention is manufactured by the structure manufacturing method of the present invention.
Thereby, the structure can be made inexpensive and have desired characteristics.

以下、本発明の構造体の製造方法、および、この製造方法を用いて製造された構造体を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の構造体の製造方法の説明に先立ち、かかる製造方法を用いて形成された構造体を説明する。なお、以下では、本発明の構造体として、波長可変フィルタを一例に説明する。 Hereinafter, a structure manufacturing method of the present invention and a structure manufactured by using this manufacturing method will be described in detail based on preferred embodiments shown in the accompanying drawings.
First, prior to the description of the structure manufacturing method of the present invention, a structure formed using such a manufacturing method will be described. In the following, a wavelength tunable filter will be described as an example of the structure of the present invention.

＜波長可変フィルタ＞
図１は、本発明の構造体である波長可変フィルタの実施形態を示す分解斜視図、図２は、かかる波長可変フィルタの平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線での断面図である。また、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言い、図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言い、図３中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左側」と言う。 <Wavelength tunable filter>
1 is an exploded perspective view showing an embodiment of a wavelength tunable filter that is a structure of the present invention, FIG. 2 is a plan view of such a wavelength tunable filter, and FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. It is. In the following description, the upper side in FIG. 1 is referred to as “upper”, the lower side is referred to as “lower”, the front side in FIG. 2 is “upper”, the rear side in the page is “lower”, and the right side is “right”. 3, the left side is called “left”, the upper side in FIG. 3 is called “upper”, the lower side is called “lower”, the right side is called “right”, and the left side is called “left side”.

図１に示すように、波長可変フィルタ１は、例えば、光を受け、干渉作用により、その光の波長のうち特定の波長に対応する光（干渉光）だけを出射させる装置であって、光を干渉させるためのギャップを区画形成する第１の基板２および第２の基板３が互いに接合されている。
第１の基板２は、光透過性および導電性を有し、例えばシリコンで構成されている。そして、第１の基板２は、第１の基板２と第２の基板３との間のギャップを可変とするための可動部２１と、支持部２２と、可動部２１を支持部２２に対し上下方向に変位可能とするようにこれらを連結する連結部２３とを有している。これらは、第１の基板２に異形状の開口部２４が形成されることにより、一体的に形成されている。 As shown in FIG. 1, the wavelength tunable filter 1 is a device that receives light and emits only light (interference light) corresponding to a specific wavelength among the wavelengths of the light by interference, for example, The first substrate 2 and the second substrate 3 that form a gap for interfering with each other are joined to each other.
The first substrate 2 has light transparency and conductivity, and is made of, for example, silicon. The first substrate 2 includes a movable portion 21 for changing a gap between the first substrate 2 and the second substrate 3, a support portion 22, and the movable portion 21 with respect to the support portion 22. It has the connection part 23 which connects these so that it can displace up and down. These are integrally formed by forming an opening 24 having a different shape in the first substrate 2.

可動部２１は、平面視にて、第１の基板２のほぼ中央部に位置し、円形状をなしている。なお、可動部２１の形状、大きさ、配置は、図示の形状に特に限定されないのは言うまでもない。
可動部２１の厚さ（平均）は、構成材料、用途等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、１〜５００μｍ程度であるのが好ましく、１０〜１００μｍ程度であるのがより好ましい。
また、可動部２１には、第２の基板３と対向する側の面（すなわち、可動部２１の下面）に、光を比較的高い反射率で反射させる第１の反射膜（ＨＲコート）２５が形成され、第２の基板３と対向する側とは反対側の面（すなわち、可動部２１の上面）に、光の反射を抑制する第１の反射防止膜（ＡＲコート）２６が形成されている。 The movable portion 21 is located at a substantially central portion of the first substrate 2 in a plan view and has a circular shape. Needless to say, the shape, size, and arrangement of the movable portion 21 are not particularly limited to the illustrated shapes.
The thickness (average) of the movable portion 21 is appropriately selected according to the constituent material, application, and the like, and is not particularly limited, but is preferably about 1 to 500 μm, and more preferably about 10 to 100 μm.
Further, the movable portion 21 includes a first reflective film (HR coat) 25 that reflects light with a relatively high reflectance on the surface facing the second substrate 3 (that is, the lower surface of the movable portion 21). A first antireflection film (AR coat) 26 that suppresses light reflection is formed on the surface opposite to the side facing the second substrate 3 (that is, the upper surface of the movable portion 21). ing.

第１の反射膜２５は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光を、後述する第２の反射膜３５との間で複数回にわたって反射させるためのものである。第１の反射防止膜２６は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光が第１の基板２の上面と外気との界面で図中下方に反射されるのを防止するためのものである。
このような可動部２１を囲むように支持部２２が形成され、可動部２１は、連結部２３を介して支持部２２に支持されている。 As shown in FIG. 3, the first reflective film 25 reflects light incident on the second gap G2 from below the wavelength tunable filter 1 with the second reflective film 35 described later a plurality of times. belongs to. As shown in FIG. 3, the first antireflection film 26 reflects light incident on the second gap G2 from below the tunable filter 1 downward in the figure at the interface between the upper surface of the first substrate 2 and the outside air. It is for preventing it from being done.
A support portion 22 is formed so as to surround such a movable portion 21, and the movable portion 21 is supported by the support portion 22 via a connecting portion 23.

連結部２３は、前述した可動部２１の周囲に周方向に等間隔で複数（本実施形態では４つ）設けられている。この連結部２３は、弾性（可撓性）を有しており、これにより、可動部２１は、支持部２２に対し上下に変位可能となっている。なお、連結部２３の数、位置、形状は、可動部２１を支持部２２に対し変位可能とするものであれば、前述したものに限定されない。 A plurality (four in the present embodiment) of the connecting portions 23 are provided at equal intervals in the circumferential direction around the movable portion 21 described above. The connecting portion 23 has elasticity (flexibility), and thus the movable portion 21 can be displaced up and down with respect to the support portion 22. The number, position, and shape of the connecting portions 23 are not limited to those described above as long as the movable portion 21 can be displaced with respect to the support portion 22.

また、第１の基板２には、後述する引出し電極３８に外部からアクセスするための開口部２７が設けられている。この開口部２７は、波長可変フィルタの製造工程において、第１の基板と第２の基板との間の空間に外部との圧力差が生じるのを防止する圧力開放用開口部としても機能する。
このような第１の基板２に対し、支持部２２の下面で、第２の基板３が接合されている。 Further, the first substrate 2 is provided with an opening 27 for accessing an extraction electrode 38 described later from the outside. The opening 27 also functions as a pressure release opening that prevents a pressure difference from the outside from occurring in the space between the first substrate and the second substrate in the manufacturing process of the wavelength tunable filter.
The second substrate 3 is bonded to the first substrate 2 on the lower surface of the support portion 22.

第２の基板３は、光透過性を有しており、第２の基板３には、その一方の面側に、第１の基板２と第２の基板３との間に第１のギャップＧ１を形成するための第１の凹部３１と、第１の凹部３１内側で第１の基板２と第２の基板３との間に第２のギャップＧ２を形成するための第２の凹部３２とが形成されている。
このような第２の基板３の構成材料としては、用いる光の波長に関し光透過性を有していれば、特に限定されないが、例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス、無アルカリガラス等の各種ガラスや、シリコン等が挙げられる。
これらの中でも、第２の基板３の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）のようなアルカリ金属（可動イオン）を含有したガラスが好ましい。これにより、第１の基板２を例えばシリコンで構成した場合に、第１の基板２と第２の基板３とを陽極接合により、簡単かつ強固に接合することができる。 The second substrate 3 has optical transparency, and the second substrate 3 has a first gap between the first substrate 2 and the second substrate 3 on one surface side thereof. A first recess 31 for forming G1 and a second recess 32 for forming a second gap G2 between the first substrate 2 and the second substrate 3 inside the first recess 31. And are formed.
The constituent material of the second substrate 3 is not particularly limited as long as it has light transmittance with respect to the wavelength of light to be used. For example, soda glass, crystalline glass, quartz glass, lead glass, potassium Examples thereof include various glasses such as glass, borosilicate glass, sodium borosilicate glass, and alkali-free glass, and silicon.
Among these, as a constituent material of the 2nd board | substrate 3, the glass containing alkali metals (mobile ion) like sodium (Na) or potassium (K) is preferable, for example. Thereby, when the 1st board | substrate 2 is comprised, for example with silicon | silicone, the 1st board | substrate 2 and the 2nd board | substrate 3 can be joined simply and firmly by anodic bonding.

特に、陽極接合により第１の基板２と第２の基板３とを接合する場合には、第１の基板２の熱膨張係数と第２の基板３の熱膨張係数との差は、できるだけ小さいほうが好ましく、具体的には、５０×１０^−７℃^−１以下であるのが好ましい。これにより、陽極接合時に第１の基板２および第２の基板３が高温化にさらされても、第１の基板２と第２の基板３との間に生じる応力を低減して、第１の基板２または第２の基板３の損傷を防止することができる。 In particular, when the first substrate 2 and the second substrate 3 are bonded by anodic bonding, the difference between the thermal expansion coefficient of the first substrate 2 and the thermal expansion coefficient of the second substrate 3 is as small as possible. More specifically, it is preferably 50 × 10 ⁻⁷ ° C. ⁻¹ or less. Thereby, even if the first substrate 2 and the second substrate 3 are exposed to high temperatures during anodic bonding, the stress generated between the first substrate 2 and the second substrate 3 is reduced, and the first substrate 2 and the second substrate 3 are reduced. Damage to the substrate 2 or the second substrate 3 can be prevented.

したがって、第２の基板３の構成材料としては、ソーダガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ナトリウムガラス等を用いるのが好ましく、例えば、コーニング社製のパイレックスガラス（登録商標）等が好適に用いられる。
また、第２の基板３の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、１０〜２０００μｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００μｍ程度であるのがより好ましい。 Therefore, it is preferable to use soda glass, potassium glass, sodium borosilicate glass, or the like as the constituent material of the second substrate 3. For example, Pyrex glass (registered trademark) manufactured by Corning, Inc. is preferably used.
In addition, the thickness (average) of the second substrate 3 is appropriately selected depending on the constituent material, application, and the like, and is not particularly limited, but is preferably about 10 to 2000 μm, and more preferably about 100 to 1000 μm. .

第１の凹部３１は、その外形が円形をなしており、前述した可動部２１と連結部２３と開口部２４とに対応する位置に配置されている。また、第１の凹部３１の底面には、可動部２１の外周部に対応する位置で、円環状の駆動電極３３、絶縁膜３４がこの順で積層されている。
駆動電極３３は、図示しない電源に接続されており、駆動電極３３と可動部２１との間に電位差を生じさせることが可能となっている。 The first concave portion 31 has a circular outer shape, and is disposed at a position corresponding to the movable portion 21, the connecting portion 23, and the opening portion 24 described above. An annular drive electrode 33 and an insulating film 34 are laminated in this order on the bottom surface of the first recess 31 at a position corresponding to the outer peripheral portion of the movable portion 21.
The drive electrode 33 is connected to a power source (not shown), and a potential difference can be generated between the drive electrode 33 and the movable portion 21.

駆動電極３３の構成材料としては、導電性を有しているものであれば、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等が挙げられる。
このような駆動電極３３の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。 The constituent material of the drive electrode 33 is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, a metal such as Cr, Al, Al alloy, Ni, Zn, Ti, carbon or titanium is dispersed. Resin, polycrystalline silicon (polysilicon), silicon such as amorphous silicon, silicon nitride, transparent conductive material such as ITO, Au and the like.
The thickness (average) of the drive electrode 33 is appropriately selected depending on the constituent material, application, and the like and is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5 μm.

絶縁膜３４は、可動部２１と駆動電極３３との接触による短絡を防止する機能を有するものである。
このような第１の凹部３１内の空間内に、可動部２１の駆動のための静電ギャップとして、第１のギャップＧ１が形成される。すなわち、可動部２１と駆動電極３３との間に、第１のギャップＧ１が形成される。 The insulating film 34 has a function of preventing a short circuit due to contact between the movable portion 21 and the drive electrode 33.
A first gap G 1 is formed in the space in the first recess 31 as an electrostatic gap for driving the movable portion 21. That is, the first gap G 1 is formed between the movable portion 21 and the drive electrode 33.

第１のギャップＧ１の大きさ（すなわち、可動部２１と駆動電極３３との間の距離）は、用途などに応じて適宜選択され、特に限定されないが、０．５〜２０μｍ程度であるのが好ましい。
第２の凹部３２は、その外形が円形をなし、前述した第１の凹部３１とほぼ同心でかつ第１の凹部３１および可動部２１の外径よりも小さい外径を有している。また、第２の凹部３２の底面には、そのほぼ全域に、第２の反射膜３５が形成されている。 The size of the first gap G1 (that is, the distance between the movable portion 21 and the drive electrode 33) is appropriately selected according to the application and the like, and is not particularly limited, but is about 0.5 to 20 μm. preferable.
The second concave portion 32 has a circular outer shape, is substantially concentric with the first concave portion 31 described above, and has an outer diameter smaller than the outer diameters of the first concave portion 31 and the movable portion 21. A second reflective film 35 is formed on the bottom surface of the second recess 32 over substantially the entire area.

第２の反射膜３５は、前述したように、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に入射した光を、第１の反射膜２５との間で複数回にわたって反射させるためのものである。すなわち、この第２の反射膜３５は、前述した第１の反射膜２５と協働して、第２の反射膜３５と第１の反射膜２５との間の距離である第２のギャップＧ２に対応する波長の光を干渉させることができる。この第２のギャップＧ２の距離は、前述した第１のギャップＧ１の距離よりも大きい。 As described above, the second reflective film 35 allows the light incident on the second gap G2 from below the wavelength tunable filter 1 to pass through the first reflective film 25 a plurality of times as shown in FIG. It is for reflection. That is, the second reflective film 35 cooperates with the first reflective film 25 described above, and the second gap G2 that is the distance between the second reflective film 35 and the first reflective film 25. The light of the wavelength corresponding to can be made to interfere. The distance of the second gap G2 is larger than the distance of the first gap G1 described above.

第２のギャップＧ２の距離は、用途などに応じて適宜選択され、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましい。
また、第２の基板３には、前述した駆動電極３３を外部に引き出すために、第３の凹部３７と、第３の凹部３７と第１の凹部３１とを連通させる溝部３６とが形成されている。
第３の凹部３７は、前述した開口部２７に対応する位置で第２の基板３に形成されている。
溝部３６および第３の凹部３７は、その深さが第１の凹部３１の深さとほぼ同等となっており、これらの底面には、駆動電極３３に接続される引出し電極３８が設けられている。 The distance of the second gap G2 is appropriately selected according to the application and is not particularly limited, but is preferably about 1 to 100 μm.
The second substrate 3 is formed with a third recess 37 and a groove 36 that allows the third recess 37 and the first recess 31 to communicate with each other in order to pull out the drive electrode 33 described above. ing.
The third recess 37 is formed in the second substrate 3 at a position corresponding to the opening 27 described above.
The depth of the groove 36 and the third recess 37 is substantially equal to the depth of the first recess 31, and an extraction electrode 38 connected to the drive electrode 33 is provided on the bottom surface thereof. .

引出し電極３８の構成材料としては、前述した駆動電極３３の構成材料と同様のものを用いることができ、導電性を有しているものであれば、特に限定されず、例えば、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｔｉなどの金属、カーボンやチタンなどを分散した樹脂、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン、ＩＴＯのような透明導電材料、Ａｕ等が挙げられる。 The constituent material of the extraction electrode 38 can be the same as the constituent material of the drive electrode 33 described above, and is not particularly limited as long as it has conductivity. For example, Cr, Al, Examples include Al alloys, metals such as Ni, Zn, and Ti, resins in which carbon and titanium are dispersed, silicon such as polycrystalline silicon (polysilicon) and amorphous silicon, silicon nitride, transparent conductive materials such as ITO, and Au. It is done.

また、引出し電極３８の厚さ（平均）は、構成材料、用途等により適宜選択され、特に限定されないが、０．１〜５μｍ程度であるのが好ましい。そして、引出し電極３８は、前述した駆動電極３３と一体的に形成されているのが好ましい。
また、第２の基板３の他方の面（すなわち、前述した第１の凹部３１等が形成されている面とは反対側の面）には、第２の反射防止膜３９が形成されている。 Further, the thickness (average) of the extraction electrode 38 is appropriately selected depending on the constituent material, application, etc., and is not particularly limited, but is preferably about 0.1 to 5 μm. The lead electrode 38 is preferably formed integrally with the drive electrode 33 described above.
In addition, a second antireflection film 39 is formed on the other surface of the second substrate 3 (that is, the surface opposite to the surface on which the first concave portion 31 and the like described above are formed). .

第２の反射防止膜３９は、図３に示すように波長可変フィルタ１の下方から第２のギャップＧ２に向け照射された光が第２の基板２の下面と外気との界面で図中下方に反射されるのを防止するためのものである。
このような構成を有する波長可変フィルタ１の動作（作用）を説明する。
可動部２１と駆動電極３３との間に電圧が印加されると、可動部２１と駆動電極３３とが互いに逆極性に帯電して、両者の間にクーロン力（静電引力）が発生する。 As shown in FIG. 3, the second antireflection film 39 is formed in the lower part of the figure at the interface between the lower surface of the second substrate 2 and the outside air. This is for preventing reflection.
The operation (action) of the wavelength tunable filter 1 having such a configuration will be described.
When a voltage is applied between the movable portion 21 and the drive electrode 33, the movable portion 21 and the drive electrode 33 are charged with opposite polarities, and a Coulomb force (electrostatic attractive force) is generated between them.

このクーロン力によって、可動部２１は、駆動電極３３に向け下方向に移動（変位）し、連結部２３の弾性力とクーロン力が釣り合う位置で静止する。これにより、第１のギャップＧ１および第２のギャップＧ２の距離が変化する。
一方、図３に示すように、波長可変フィルタ１の下方の下方から第２のギャップＧ２に向け光Ｌが照射されると、光Ｌは、第２の反射防止膜３９、第２の基板３、第２の反射膜３５を透過して、第２のギャップＧ２に入射する。このとき、この光Ｌは、第２の反射防止膜３９により、ほとんど損失せずに第２のギャップＧ２に入射する。 Due to the Coulomb force, the movable portion 21 moves (displaces) downward toward the drive electrode 33 and stops at a position where the elastic force of the connecting portion 23 and the Coulomb force are balanced. As a result, the distance between the first gap G1 and the second gap G2 changes.
On the other hand, as shown in FIG. 3, when the light L is irradiated toward the second gap G 2 from below the wavelength tunable filter 1, the light L is emitted from the second antireflection film 39 and the second substrate 3. Then, the light passes through the second reflective film 35 and enters the second gap G2. At this time, the light L is incident on the second gap G2 with almost no loss by the second antireflection film 39.

入射した光は、第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間において、反射を繰り返す（干渉する）。この際、第１の反射膜２５および第２の反射膜３５により、光Ｌの損失を抑えることができる。
前述したように第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間で光が反射を繰り返す過程において、第１の反射膜２５と第２の反射膜３５との間の第２のギャップＧ２の距離に対応する干渉条件を満たさない波長の光は急激に減衰し、この干渉条件を満たした波長の光だけが残って最終的に波長可変フィルタ１から出射する。したがって、可動部２１と駆動電極３３との間に印加される電圧を変更することにより、第２のギャップＧ２を変更（すなわち干渉条件を変更）すれば、可変波長フィルタ１を透過する光の波長を変更することができる。 The incident light is repeatedly reflected (interfered) between the first reflective film 25 and the second reflective film 35. At this time, the loss of the light L can be suppressed by the first reflective film 25 and the second reflective film 35.
As described above, the second gap between the first reflective film 25 and the second reflective film 35 in the process of repeated reflection of light between the first reflective film 25 and the second reflective film 35. Light having a wavelength that does not satisfy the interference condition corresponding to the distance of G2 is rapidly attenuated, and only light having a wavelength that satisfies the interference condition remains and is finally emitted from the wavelength tunable filter 1. Therefore, if the voltage applied between the movable portion 21 and the drive electrode 33 is changed, and the second gap G2 is changed (that is, the interference condition is changed), the wavelength of light transmitted through the variable wavelength filter 1 Can be changed.

前記光Ｌの干渉の結果、第２のギャップＧ１の距離に対応した波長の光（干渉光）は、第１の反射膜２５、可動部２１、反射防止膜２６を透過し、波長可変フィルタ１の上方へ出射する。このとき、可動部２１の上面に反射防止膜２６が形成されているため、ほとんど損失せずに波長可変フィルタ１の外部へ出射する。
なお、本実施形態では、第２のギャップＧ２に入射した光を波長可変フィルタ１の上方へ出射したが、第２のギャップＧ２に入射した光を波長可変フィルタ１の下方へ出射してもよい。
また、本実施形態では、波長可変フィルタ１に対し、その下方から光を入射したが、上方から光を入射してもよい。 As a result of the interference of the light L, light having a wavelength corresponding to the distance of the second gap G1 (interference light) is transmitted through the first reflective film 25, the movable portion 21, and the antireflection film 26, and the wavelength tunable filter 1 Is emitted upward. At this time, since the antireflection film 26 is formed on the upper surface of the movable portion 21, the light is emitted to the outside of the wavelength tunable filter 1 with almost no loss.
In the present embodiment, the light incident on the second gap G2 is emitted above the wavelength tunable filter 1, but the light incident on the second gap G2 may be emitted below the wavelength tunable filter 1. .
In the present embodiment, light is incident on the wavelength tunable filter 1 from below, but light may be incident from above.

＜波長可変フィルタの製造方法＞
次に、波長可変フィルタ１の製造方法の一例を図４ないし図９に基づいて説明する。
図４〜図９は、波長可変フィルタ１の製造工程を説明するための図である。なお、図４〜図８は、図２のＡ−Ａ線断面に対応する断面を示している。
本実施形態の波長可変フィルタ１の製造方法は、［Ａ］基体を用意する第１の工程と、［Ｂ］この基体に外力により個片化可能な区画を行う第２の工程と、［Ｃ］基体に対しエッチングを行う第３の工程と、［Ｄ］基体を個片化する第４の工程とを有する。以下、各工程について順次説明する。 <Method for manufacturing wavelength tunable filter>
Next, an example of a method for manufacturing the wavelength tunable filter 1 will be described with reference to FIGS.
4-9 is a figure for demonstrating the manufacturing process of the wavelength tunable filter 1. FIG. 4 to 8 show cross sections corresponding to the cross section taken along the line AA of FIG.
The method of manufacturing the wavelength tunable filter 1 according to the present embodiment includes: [A] a first step of preparing a base, [B] a second step of dividing the base into pieces that can be separated by an external force, and [C ] A third step of etching the substrate; and [D] a fourth step of dividing the substrate into individual pieces. Hereinafter, each process will be described sequentially.

［Ａ］第１の工程
−Ａ１−
まず、第２の基板３を形成するための基板として、図４（ａ）に示すように、光透過性を有する基板４（第２の基板）を用意する。
基板４としては、厚さが均一で、たわみや傷のないものが好適に用いられる。また、後述する比較的大きなウエハ状のＳＯＩ基板８と同じ程度の大きさのものが好適に用いられる。 [A] First step -A1-
First, as shown in FIG. 4A, a light-transmitting substrate 4 (second substrate) is prepared as a substrate for forming the second substrate 3.
As the substrate 4, a substrate having a uniform thickness and having no deflection or scratch is preferably used. Further, a substrate having the same size as a relatively large wafer-like SOI substrate 8 described later is preferably used.

基板４の構成材料としては、第２の基板３の説明で述べたものを用いることができる。前述したように、基板４の構成材料としては、例えばナトリウム（Ｎａ）やカリウム（Ｋ）のようなアルカリ金属（可動イオン）を含有したガラスを用いるのが好ましい。したがって、以下の説明では、基板４の構成材料として、アルカリ金属を含有したガラスを用いた場合について説明する。 As the constituent material of the substrate 4, those described in the description of the second substrate 3 can be used. As described above, the constituent material of the substrate 4 is preferably glass containing an alkali metal (mobile ion) such as sodium (Na) or potassium (K). Therefore, in the following description, the case where glass containing an alkali metal is used as the constituent material of the substrate 4 will be described.

−Ａ２−
次に、図４（ｂ）に示すように、基板４の一方の面にマスク層５を形成（マスキング）する。
マスク層５を構成する材料としては、例えば、Ａｕ／Ｃｒ、Ａｕ／Ｔｉ、Ｐｔ／Ｃｒ、Ｐｔ／Ｔｉなどの金属、多結晶シリコン（ポリシリコン）、アモルファスシリコン等のシリコン、窒化シリコン等が挙げられる。マスク層５の構成材料にシリコンを用いると、マスク層５と基板４との密着性が向上する。マスク層５の構成材料に金属を用いると、形成されるマスク層５の視認性が向上する。 -A2-
Next, as shown in FIG. 4B, a mask layer 5 is formed (masked) on one surface of the substrate 4.
Examples of the material constituting the mask layer 5 include metals such as Au / Cr, Au / Ti, Pt / Cr, and Pt / Ti, silicon such as polycrystalline silicon (polysilicon) and amorphous silicon, and silicon nitride. It is done. When silicon is used as the constituent material of the mask layer 5, the adhesion between the mask layer 5 and the substrate 4 is improved. When a metal is used for the constituent material of the mask layer 5, the visibility of the mask layer 5 to be formed is improved.

マスク層５の厚さは、特に限定されないが、０．０１〜１μｍ程度とすることが好ましく、０．０９〜０．１１μｍ程度とすることがより好ましい。マスク層５が薄すぎると、基板４を十分に保護できない場合があり、マスク層５が厚すぎると、マスク層５の内部応力によりマスク層５が剥がれ易くなる場合がある。
マスク層５は、例えば、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）、スパッタリング法、蒸着法等の気相成膜法、メッキ法等により形成することができる。 The thickness of the mask layer 5 is not particularly limited, but is preferably about 0.01 to 1 μm, and more preferably about 0.09 to 0.11 μm. If the mask layer 5 is too thin, the substrate 4 may not be sufficiently protected. If the mask layer 5 is too thick, the mask layer 5 may be easily peeled off due to internal stress of the mask layer 5.
The mask layer 5 can be formed by, for example, a chemical vapor deposition method (CVD method), a vapor deposition method such as a sputtering method or an evaporation method, a plating method, or the like.

−Ａ３−
次に、図４（ｃ）に示すように、マスク層５に、第１の凹部３１と溝部３６と第３の凹部３７との平面視形状に対応した平面視形状をなす開口５１を形成する。
より具体的には、まず、例えばフォトリソグラフィ法を用い、マスク層５上に、フォトレジストを塗布し、露光、現像を行って、開口５１に対応する開口を有するレジストマスクを形成する。次に、このレジストマスク介してマスク層５をエッチングして、マスク層５の一部を除去した後、レジストマスクを除去する。このようにして、マスク層５に開口５１が形成される。このエッチングとしては、例えば、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチング、フッ酸＋硝酸水溶液、アルカリ水溶液等によるウェットエッチングを用いることができる。 -A3-
Next, as shown in FIG. 4C, an opening 51 having a planar view shape corresponding to the planar view shapes of the first concave portion 31, the groove portion 36, and the third concave portion 37 is formed in the mask layer 5. .
More specifically, first, for example, using a photolithography method, a photoresist is applied on the mask layer 5, and exposure and development are performed to form a resist mask having an opening corresponding to the opening 51. Next, the mask layer 5 is etched through the resist mask to remove a part of the mask layer 5, and then the resist mask is removed. In this way, an opening 51 is formed in the mask layer 5. As this etching, for example, dry etching with CF gas, chlorine-based gas, etc., wet etching with hydrofluoric acid + nitric acid aqueous solution, alkaline aqueous solution or the like can be used.

−Ａ４−
次に、マスク層５を介して基板４の一方の面をエッチングして、図４（ｄ）に示すように、第１の凹部３１と溝部３６と第３の凹部３７とを形成する。すなわち、第１の工程［Ａ］において、後述する工程Ａ１３（基板４と活性層８３とを接合する工程）の前に、基板４に第１の凹部３１および第２の凹部３２を形成する工程を有する。 -A4-
Next, one surface of the substrate 4 is etched through the mask layer 5 to form a first recess 31, a groove 36, and a third recess 37, as shown in FIG. That is, in the first step [A], the step of forming the first concave portion 31 and the second concave portion 32 in the substrate 4 before the step A13 (step of bonding the substrate 4 and the active layer 83) described later. Have

このエッチングとしては、ドライエッチング法、ウェットエッチング法を用いることができるが、ウェットエッチング法を用いるのが好ましい。これにより、形成される第１の凹部３１をより理想的な円柱状とすることができる。この場合、ウェットエッチングのエッチング液としては、例えばフッ酸系エッチング液などが好適に用いられる。また、エッチング液にグリセリン等のアルコール（特に多価アルコール）を添加すると、形成される第１の凹部３１の底面を極めて滑らかなものとすることができる。 As this etching, a dry etching method or a wet etching method can be used, but a wet etching method is preferably used. Thereby, the 1st recessed part 31 formed can be made into a more ideal column shape. In this case, for example, a hydrofluoric acid-based etchant is preferably used as the etchant for wet etching. Moreover, when alcohol (especially polyhydric alcohol), such as glycerol, is added to etching liquid, the bottom face of the 1st recessed part 31 formed can be made very smooth.

−Ａ５−
次に、マスク層５を除去した後に、前述した工程Ａ２およびＡ３と同様の方法を用いて、図４（ｅ）に示すように、第２の凹部３２の平面視形状に対応した平面視形状の開口を有するマスク層６を形成する。
マスク層５の除去方法としては、特に限定されないが、例えば、アルカリ水溶液（例えばテトラメチル水酸化アンモニウム水溶液等）、塩酸＋硝酸水溶液、フッ酸＋硝酸水溶液等によるウェットエッチング、ＣＦガス、塩素系ガス等によるドライエッチングなどを用いることができる。
特に、マスク層５の除去方法としてウエットエッチングを用いると、簡易な操作で、効率よく、マスク層５を除去することができる。 -A5-
Next, after removing the mask layer 5, the plan view shape corresponding to the plan view shape of the second recess 32 is used as shown in FIG. 4 (e) by using the same method as in the steps A 2 and A 3 described above. The mask layer 6 having the openings is formed.
The method for removing the mask layer 5 is not particularly limited. For example, wet etching using an alkaline aqueous solution (for example, tetramethylammonium hydroxide aqueous solution), hydrochloric acid + nitric acid aqueous solution, hydrofluoric acid + nitric acid aqueous solution, CF gas, or chlorine-based gas. For example, dry etching or the like can be used.
In particular, when wet etching is used as a method for removing the mask layer 5, the mask layer 5 can be efficiently removed by a simple operation.

−Ａ６−
次に、前述した工程Ａ４と同様の方法を用いて、マスク層６を介して基板４をエッチングして、図４（ｆ）に示すように、第２の凹部３２を形成する。
−Ａ７−
次に、図５（ａ）に示すように、第２の凹部３２の底面に、第２の反射膜３５を形成する。
より具体的には、第２の凹部３２の底面に、前述したような高屈折率層と低屈折層とを交互に積層することにより、第２の反射膜３５を形成する。
高屈折率層および低屈折率層の形成方法としては、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的化学気相成長法（ＰＶＤ）が好適に用いられる。 -A6-
Next, the substrate 4 is etched through the mask layer 6 by using the same method as in the step A4 described above to form the second recess 32 as shown in FIG.
-A7-
Next, as shown in FIG. 5A, a second reflective film 35 is formed on the bottom surface of the second recess 32.
More specifically, the second reflective film 35 is formed by alternately laminating the high refractive index layer and the low refractive layer as described above on the bottom surface of the second recess 32.
As a method for forming the high refractive index layer and the low refractive index layer, for example, chemical vapor deposition (CVD) or physical chemical vapor deposition (PVD) is preferably used.

−Ａ８−
次に、前述した工程−Ａ５−と同様の方法を用いて、図５（ｂ）に示すように、マスク層６を除去する。
−Ａ９−
次に、図５（ｃ）に示すように、基板４の第１の凹部３１等が形成された側の面に一様に、駆動電極３３および引出し電極３８を形成するための導電層７を形成する。
導電層７の形成方法としては、例えば、化学的気相成長法（ＣＶＤ）、物理的化学気相成長法（ＰＶＤ）が好適に用いられる。
また、導電層７の構成材料は、前述した駆動電極３３の構成材料を用いることができる。 -A8-
Next, the mask layer 6 is removed as shown in FIG. 5B by using the same method as in the step-A5- described above.
-A9-
Next, as shown in FIG. 5C, the conductive layer 7 for forming the drive electrode 33 and the extraction electrode 38 is uniformly formed on the surface of the substrate 4 on the side where the first recess 31 and the like are formed. Form.
As a method for forming the conductive layer 7, for example, chemical vapor deposition (CVD) or physical chemical vapor deposition (PVD) is preferably used.
Further, as the constituent material of the conductive layer 7, the constituent material of the drive electrode 33 described above can be used.

−Ａ１０−
次に、図５（ｄ）に示すように、導電層７の不要部分を除去して、駆動電極３３を形成するとともに、駆動電極３３上に絶縁膜３４を形成する。さらに、基板４の第１の凹部３１等が形成された側と反対側の面に、第２の反射防止膜３９を形成する。
このように、本実施形態では、第１の凹部３１等の凹部を形成する工程の後、かつ、後述する基板４と活性層８３とを接合する工程の前に、基板４の第１の凹部３１の底面に駆動電極３３を形成する工程を有する。 -A10-
Next, as shown in FIG. 5D, unnecessary portions of the conductive layer 7 are removed to form the drive electrode 33 and the insulating film 34 is formed on the drive electrode 33. Further, a second antireflection film 39 is formed on the surface of the substrate 4 opposite to the side where the first concave portion 31 and the like are formed.
As described above, in the present embodiment, after the step of forming the concave portion such as the first concave portion 31 and before the step of bonding the substrate 4 and the active layer 83 described later, the first concave portion of the substrate 4 is formed. A step of forming the drive electrode 33 on the bottom surface of the substrate 31;

導電層７の不要部分を除去する方法としては、前述した工程Ａ３と同様の方法を用いることができる。
また、駆動電極３３の形成方法としては、前述したマスク層５の形成方法と同様のものを用いることができる。
第２の反射防止膜３９の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。
以上のようにして、第２の基板３を製造することができる。 As a method for removing unnecessary portions of the conductive layer 7, a method similar to the above-described step A3 can be used.
In addition, as a method for forming the drive electrode 33, the same method as the method for forming the mask layer 5 described above can be used.
As a method of forming the second antireflection film 39, the same method as the method of forming the second reflection film 35 described above can be used.
As described above, the second substrate 3 can be manufactured.

−Ａ１１−
一方、図６（ａ）に示すように、第１の基板２を形成するための基板として、ＳＯＩ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＩｎｓｕｌａｔｏｒ）基板８（第１の基板）を用意する。
このＳＯＩ基板８は、Ｓｉで構成されたベース層８１、ＳｉＯ_２で構成された絶縁層８２、Ｓｉで構成された活性層８３の順でこれら３層が積層されてなるものである。なお、ＳＯＩ基板８に代えて、ＳＯＳ（ＳｉｌｉｃｏｎｏｎＳａｐｐｈｉｒｅ）基板、シリコン基板等を用いることもできる。
ＳＯＩ基板８の厚さは、特に限定されないが、特に活性層８３の厚さが１０〜１００μｍ程度であるのが好ましい。 -A11-
On the other hand, as shown in FIG. 6A, an SOI (Silicon on Insulator) substrate 8 (first substrate) is prepared as a substrate for forming the first substrate 2.
This SOI substrate 8 is formed by laminating these three layers in the order of a base layer 81 made of Si, an insulating layer 82 made of SiO ₂ , and an active layer 83 made of Si. Instead of the SOI substrate 8, an SOS (Silicon on Sapphire) substrate, a silicon substrate, or the like can be used.
The thickness of the SOI substrate 8 is not particularly limited, but the thickness of the active layer 83 is particularly preferably about 10 to 100 μm.

−Ａ１２−
次に、ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合に先立ち、図６（ｂ）に示すように、ＳＯＩ基板８の活性層８３側の面に、第１の反射膜２５を形成する。
第１の反射膜２５の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。 -A12-
Next, prior to bonding between the SOI substrate 8 and the second substrate 3, as shown in FIG. 6B, the first reflective film 25 is formed on the surface of the SOI substrate 8 on the active layer 83 side.
As a method of forming the first reflective film 25, the same method as the method of forming the second reflective film 35 described above can be used.

−Ａ１３−
次に、図６（ｃ）に示すように、ＳＯＩ基板８と第２の基板３とを接合する。これにより、基体１０を得る。すなわち、第１の工程［Ａ］において、基板４とＳＯＩ基板８（より具体的には、第１の基板である活性層８３）とを互いに接合する工程を有する。これにより、基板４および活性層８３に対し、後述する第２の工程［Ｂ］での区画および第４の工程［Ｄ］での個片化を一括して行って、製造工程の簡略化を図ることができる。 -A13-
Next, as shown in FIG. 6C, the SOI substrate 8 and the second substrate 3 are bonded. Thereby, the substrate 10 is obtained. That is, the first step [A] includes a step of bonding the substrate 4 and the SOI substrate 8 (more specifically, the active layer 83 which is the first substrate) to each other. This simplifies the manufacturing process by collectively dividing the substrate 4 and the active layer 83 in the second step [B], which will be described later, and the separation in the fourth step [D]. Can be planned.

本工程において、基板４の第１の凹部３１および第２の凹部３２側の面と活性層８３の一方の面とを接合すると、基板４と活性層８３との間にギャップが形成される。
ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合方法としては、例えば、陽極接合、接着剤による接合、表面活性化接合、低融点ガラスを用いた接合等を用いることができるが、陽極接合を用いるのが好ましい。これにより、基板４と活性層８３とを比較的簡単にかつ強固に接合することができる。 In this step, a gap is formed between the substrate 4 and the active layer 83 when the first recess 31 and the second recess 32 side surface of the substrate 4 and one surface of the active layer 83 are joined.
As a bonding method between the SOI substrate 8 and the second substrate 3, for example, anodic bonding, bonding with an adhesive, surface activation bonding, bonding using low melting point glass, or the like can be used, and anodic bonding is used. Is preferred. Thereby, the board | substrate 4 and the active layer 83 can be joined comparatively easily and firmly.

ＳＯＩ基板８と第２の基板３との接合方法として陽極接合を用いる場合には、例えば、まず、図示しない直流電源のマイナス端子を第２の基板３に、プラス端子をＳＯＩ基板８の活性層８３に接続する。そして、第２の基板３を加熱しながら、第２の基板３とＳＯＩ基板８の活性層８３との間に電圧を印加する。この加熱により、第２の基板３のアルカリ金属のプラスイオン、例えば、ナトリウムイオン（Ｎａ+）が移動しやすくなる。これにより、第２の基板３と活性層８３との接合面のうち、第２の基板３側の接合面がマイナス、活性層８３側の接合面がプラスに相対的に帯電する。その結果、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）とが電子対を共有する共有結合により、第２の基板３と活性層８３とは強固に接合される。 When anodic bonding is used as a bonding method between the SOI substrate 8 and the second substrate 3, for example, first, a negative terminal of a DC power supply (not shown) is used as the second substrate 3, and a positive terminal is used as an active layer of the SOI substrate 8. 83. Then, a voltage is applied between the second substrate 3 and the active layer 83 of the SOI substrate 8 while heating the second substrate 3. This heating facilitates the movement of alkali metal positive ions of the second substrate 3, such as sodium ions (Na +). As a result, of the bonding surfaces between the second substrate 3 and the active layer 83, the bonding surface on the second substrate 3 side is negatively charged, and the bonding surface on the active layer 83 side is relatively charged positively. As a result, the second substrate 3 and the active layer 83 are firmly bonded by a covalent bond in which silicon (Si) and oxygen (O) share an electron pair.

−Ａ１４−
次に、エッチングや研磨によりベース層８１を除去して、図７（ａ）に示すような状態とする。
このエッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを用いることができるが、ドライエッチングを用いるのが好ましい。いずれの場合も、ベース層８１の除去のとき、絶縁層８２がストッパーとなるが、ドライエッチングは、エッチング液を用いないので、駆動電極３３に対向している活性層８３の損傷を好適に防ぐことができる。これにより、波長可変フィルタ１の製造時における歩留まりの向上を図ることができる。 -A14-
Next, the base layer 81 is removed by etching or polishing to obtain a state as shown in FIG.
As this etching method, for example, wet etching or dry etching can be used, but dry etching is preferably used. In any case, when the base layer 81 is removed, the insulating layer 82 serves as a stopper, but since dry etching does not use an etching solution, damage to the active layer 83 facing the drive electrode 33 is suitably prevented. be able to. Thereby, the yield at the time of manufacturing the wavelength tunable filter 1 can be improved.

−Ａ１５−
次に、エッチングにより絶縁層８２を除去することにより、図７（ｂ）に示すように、基体１０を得る。
このような基体１０においては、活性層８３の厚さは基板４の厚さよりも小さい。これにより、後述する第３の工程［Ｃ］において、より微細なパターンを形成することができる。なお、活性層８３の厚さと基板４の厚さとの関係は、前述した関係以外であってもよい。 -A15-
Next, the base layer 10 is obtained by removing the insulating layer 82 by etching, as shown in FIG.
In such a substrate 10, the thickness of the active layer 83 is smaller than the thickness of the substrate 4. Thereby, a finer pattern can be formed in the third step [C] described later. The relationship between the thickness of the active layer 83 and the thickness of the substrate 4 may be other than the relationship described above.

このエッチング方法としては、例えば、ウェットエッチング、ドライエッチングを用いることができるが、フッ酸を含むエッチング液によるウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、絶縁層８２を簡単に除去することができるとともに、絶縁層８２の除去により露出する活性層８３の面を極めて平滑にすることができる。
なお、前述した工程Ａ１１にて、ＳＯＩ基板８に代えて、以降の工程を行うのに最適な厚さをすでに有しているシリコン基板を用いた場合には、工程Ａ１４、Ａ１５は行わなくてもよい。これにより、波長可変フィルタ１の製造工程を簡略化することができる。 As this etching method, for example, wet etching or dry etching can be used, but wet etching with an etchant containing hydrofluoric acid is preferably used. Thereby, the insulating layer 82 can be easily removed, and the surface of the active layer 83 exposed by the removal of the insulating layer 82 can be made extremely smooth.
In the above-described step A11, in the case where a silicon substrate having an optimum thickness for performing the subsequent steps is used instead of the SOI substrate 8, the steps A14 and A15 are not performed. Also good. Thereby, the manufacturing process of the wavelength tunable filter 1 can be simplified.

［Ｂ］第２の工程
−Ｂ１−
次に、区画を形成するに先立って、図７（ｃ）に示すように、活性層８３の上面に、第１の反射防止膜２６を形成する。
第１の反射防止膜２６の形成方法としては、前述した第２の反射膜３５の形成方法と同様のものを用いることができる。 [B] Second step -B1-
Next, prior to forming the partition, as shown in FIG. 7C, the first antireflection film 26 is formed on the upper surface of the active layer 83.
As a method of forming the first antireflection film 26, the same method as the method of forming the second reflection film 35 described above can be used.

−Ｂ２−
次に、図７（ｄ）に示すように、開口部２４および開口部２７に対応する開口を有するレジスト層９を形成する。
このように区画の形成に先立ち、基体１０に第３の工程［Ｃ］のエッチングに用いるマスクを形成するので、区画を形成するに際し、仮に切り屑が生じても、波長可変フィルタ１に対する切り屑の付着をより確実に防止することができる。
レジスト層９の形成方法としては、前述した工程Ａ２、Ａ３と同様の方法を用いることができる。 -B2-
Next, as shown in FIG. 7D, a resist layer 9 having openings corresponding to the openings 24 and 27 is formed.
As described above, since the mask used for the etching in the third step [C] is formed on the substrate 10 prior to the formation of the section, even if chips are generated when the sections are formed, chips for the wavelength tunable filter 1 are formed. Can be more reliably prevented.
As a method for forming the resist layer 9, the same method as in the steps A2 and A3 described above can be used.

−Ｂ３−
次に、図７（ｅ）および図９に示すように、基体１０を外力により複数の個片に分割可能とするように、基体１０に連続的な溝部１１を形成して、基体１０に対し区画を行う。
この溝部１１の形成により、基体１０に薄肉脆弱部１２が形成される。
また、溝部１１は、活性層８３を貫通するとともに、基板４に薄肉脆弱部１２を残すように基体１０に溝部を形成することにより形成されるものである。これにより、基体１０を個片化する際に、活性層８３にかかる力を低減して、波長可変フィルタ１の可動部２１、連結部２３等のパターンの損傷や変形を防止することができる。 -B3-
Next, as shown in FIG. 7E and FIG. 9, a continuous groove 11 is formed in the base 10 so that the base 10 can be divided into a plurality of pieces by external force. Perform parcels.
By forming the groove 11, a thin fragile portion 12 is formed in the base 10.
Further, the groove 11 is formed by forming a groove in the base 10 so as to penetrate the active layer 83 and leave the thin fragile portion 12 in the substrate 4. As a result, when the substrate 10 is singulated, the force applied to the active layer 83 can be reduced, and damage and deformation of the patterns such as the movable portion 21 and the connecting portion 23 of the wavelength tunable filter 1 can be prevented.

その際、基体１０は、互いに接合された基板４（第２の基板）および活性層８３（第１の基板）を有するものであるので、基板４および活性層８３に対し、一括して第２の工程［Ｂ］での区画および第４の工程［Ｄ］での個片化を行って、製造工程の簡略化を図ることができる。
なお、薄肉脆弱部１２は、基体１０を区画ごとに個片化可能とするものであれば、前述したような溝部１１を形成することによるものに限定されない。例えば、薄肉脆弱部１２は、断続的な溝部や孔部を形成することによるものであってもよい。また、溝部や孔部は、前述したように基体１０の一方の面のみに形成されていても、基体１０の両面に形成されていてもよい。 At this time, the base 10 has the substrate 4 (second substrate) and the active layer 83 (first substrate) bonded to each other, and therefore the second base 10 and the active layer 83 are collectively connected to the second substrate 10. The manufacturing process can be simplified by performing the division in the step [B] and dividing into pieces in the fourth step [D].
The thin fragile portion 12 is not limited to the one formed by forming the groove 11 as described above as long as the base 10 can be divided into individual sections. For example, the thin fragile portion 12 may be formed by forming intermittent grooves and holes. Further, the groove and the hole may be formed on only one surface of the base body 10 as described above, or may be formed on both surfaces of the base body 10.

本実施形態では、第２の工程［Ｂ］において、前記区画は、基体１０に連続的な溝部１１を形成するので、比較的簡単に区画を行いつつ、後述する第４の工程［Ｄ］にて容易に基体１０を個片化することができる。
溝部１１の横断面形状は、後述の第４の工程［Ｄ］にてチップ化が可能なものであれば、特に限定されないが、本実施形態では、図示のように矩形をなしている。図示しないが、溝部１１の底部の横断面形状が先細りとなっていると、パターンニング時の基体１０に必要な強度を保ちつつ、より容易に基体１０を個片化することができる。
溝部１１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、ダイシングカッタ、レーザカッタ、エッチング（ドライエッチング、ウエットエッチング）などを用いることができる。 In the present embodiment, in the second step [B], since the partition forms the continuous groove 11 in the base body 10, the partitioning is performed in a fourth step [D] described later while performing the partition relatively easily. Thus, the substrate 10 can be easily separated.
The cross-sectional shape of the groove 11 is not particularly limited as long as it can be chipped in a later-described fourth step [D], but in the present embodiment, it is rectangular as illustrated. Although not shown, if the cross-sectional shape of the bottom of the groove 11 is tapered, the base 10 can be more easily separated while maintaining the strength required for the base 10 during patterning.
A method for forming the groove 11 is not particularly limited, and for example, a dicing cutter, a laser cutter, etching (dry etching, wet etching), or the like can be used.

［Ｃ］第３の工程
−Ｃ１−
次に、レジスト層９を介して、ドライエッチング法、特にＩＣＰエッチングにより、活性層８３をエッチングして、図８（ａ）に示すように、開口部２７を形成した後に、図８（ｂ）に示すように、開口部２４を形成する。すなわち、基体１０の各区画内に対し、レジスト層９を介して、エッチングを行うことにより、可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成する。このとき、レジスト層９は、マスクとして用いられ、前述したように開口部２４、２７に対応する開口を有している。 [C] Third step -C1-
Next, the active layer 83 is etched by the dry etching method, particularly ICP etching through the resist layer 9 to form the opening 27 as shown in FIG. As shown, the opening 24 is formed. That is, the movable portion 21, the support portion 22, and the connecting portion 23 are formed by performing etching through the resist layer 9 in each section of the base 10. At this time, the resist layer 9 is used as a mask and has openings corresponding to the openings 24 and 27 as described above.

このように、第３の工程［Ｃ］の工程に先立ち、基板４の第１の凹部３１に連通するように活性層８３に開口部２７（第１の開口部）を形成する工程Ｃ１を有し、第３の工程［Ｃ］において、活性層８３に異形状の開口部２４（第２の開口部）を形成することにより可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成する。これにより、活性層８３と基板４との間の空間と外部との圧力差を解消した状態で、活性層８３に対しエッチングを行うことができる。よって、エッチング時における当該圧力差に起因するパターン（特に、脆弱な連結部２３）の損傷を防止することができる。 Thus, prior to the step of the third step [C], there is a step C1 for forming the opening 27 (first opening) in the active layer 83 so as to communicate with the first recess 31 of the substrate 4. In the third step [C], the movable portion 21, the support portion 22, and the connecting portion 23 are formed by forming the irregularly shaped opening 24 (second opening) in the active layer 83. As a result, the active layer 83 can be etched in a state in which the pressure difference between the space between the active layer 83 and the substrate 4 and the outside is eliminated. Therefore, it is possible to prevent damage to the pattern (particularly the fragile connecting portion 23) due to the pressure difference during etching.

より具体的には、レジスト層９を介して活性層８３をドライエッチングすると、マイクロローディング効果によって開口部２７でのエッチング速度に比べて開口部２４の各開口領域でのエッチング速度が遅くなるので、図８（ａ）に示すように、開口部２４の形成よりも先に開口部２７の形成が完了する。このとき、溝部３６を介して第１の凹部３１に連通する第３の凹部３７の上方に開口部２７が形成されるので、活性層８３と第２の基板３との間の空間が外部に開放され、当該空間と外部との圧力差が解消される。
ここで、マイクロローディング効果とは、開口寸法が小さくなるに従ってエッチング速度が低下する現象である。したがって、開口部２７として、開口部２４の各開口領域でのエッチング速度よりもエッチング速度が速くなるような寸法のものを採用する。 More specifically, when the active layer 83 is dry-etched via the resist layer 9, the etching rate in each opening region of the opening 24 is slower than the etching rate in the opening 27 due to the microloading effect. As shown in FIG. 8A, the formation of the opening 27 is completed before the opening 24 is formed. At this time, since the opening 27 is formed above the third recess 37 communicating with the first recess 31 via the groove 36, the space between the active layer 83 and the second substrate 3 is exposed to the outside. The pressure difference between the space and the outside is released.
Here, the microloading effect is a phenomenon in which the etching rate decreases as the opening size decreases. Therefore, the opening 27 has a dimension that allows the etching rate to be higher than the etching rate in each opening region of the opening 24.

本実施形態では、開口部２７の形状を、図１に示すように、開口部２４の各開口領域の短手方向の開口幅よりも幅広な寸法を一辺の長さとした正方形状としている。特に、開口部２４と開口部２７とは離間しているので、開口部２４の寸法と開口部２７の寸法とを調整することにより、比較的簡単に、同一のエッチング処理により開口部２７、開口部２４の順にこれらを形成することができる。 In the present embodiment, as shown in FIG. 1, the shape of the opening 27 is a square shape having a width that is wider than the opening width in the short direction of each opening region of the opening 24. In particular, since the opening 24 and the opening 27 are separated from each other, adjusting the size of the opening 24 and the size of the opening 27 makes it relatively easy to perform the opening 27 and the opening by the same etching process. These can be formed in the order of the portion 24.

なお、開口部２７の寸法および形状としては、開口部２７でのエッチング速度が開口部２４の各開口領域でのエッチング速度よりも速くなるものであれば、前述したものに限定されず、任意の構成を採用することができる。例えば、開口部２４と開口部２７とは、一体的に１つの開口部として形成されていてもよい。
このようにマイクロローディング効果を利用すると、開口部２７を形成するためのエッチング工程を別途設けなくても、開口部２４および開口部２７を同一のエッチング工程により形成しつつ、開口部２７、開口部２４の順にこれらを形成することができ、製造工程の簡略化を図ることができる。なお、開口部２４の形成と開口部２７の形成とを別々のエッチング処理により形成してもよい。 The size and shape of the opening 27 are not limited to those described above as long as the etching rate at the opening 27 is higher than the etching rate at each opening region of the opening 24. A configuration can be employed. For example, the opening 24 and the opening 27 may be integrally formed as one opening.
When the microloading effect is used in this way, the opening 24 and the opening 27 can be formed while the opening 24 and the opening 27 are formed by the same etching process without separately providing an etching process for forming the opening 27. These can be formed in the order of 24, and the manufacturing process can be simplified. The opening 24 and the opening 27 may be formed by separate etching processes.

このような開口部２７は、駆動電極３３を外部に引出し可能な部位に設けるので、開口部２７を有効利用して、波長可変フィルタ１の構造の複雑化を防止しつつ、エッチング時における基板４と活性層８３との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。
開口部２７が形成された後、更にドライエッチングを継続すると、図８（ｂ）に示すように開口部２４が貫通形成されて、可動部２１と支持部２２と連結部２３との形成が完成する。 Since such an opening 27 is provided in a portion where the drive electrode 33 can be drawn to the outside, the opening 4 is effectively used to prevent the structure of the wavelength tunable filter 1 from being complicated, and the substrate 4 at the time of etching. It is possible to prevent the pattern from being damaged due to the pressure difference between the space between the active layer 83 and the active layer 83 and the outside.
When the dry etching is continued after the opening 27 is formed, the opening 24 is formed through as shown in FIG. 8B, and the formation of the movable portion 21, the support portion 22, and the connecting portion 23 is completed. To do.

このとき、前述したように、活性層８３に可動部２１を形成する前（すなわち、開口部２４を形成する前）にあらかじめ、活性層８３と第２の基板３との間の空間と、外部との圧力差が解消されているので、開口部２４の形成に伴って連結部２３が破損するのを防止することができる。
このように、本実施形態では、開口部２４と開口部２７とを同一のエッチング処理により形成するので、製造工程の簡略化を図りつつ、エッチング時における基板４と活性層８３との間の空間と外部との圧力差に起因するパターンの損傷を防止することができる。 At this time, as described above, before forming the movable portion 21 in the active layer 83 (that is, before forming the opening 24), the space between the active layer 83 and the second substrate 3 and the external Therefore, it is possible to prevent the connecting portion 23 from being damaged along with the formation of the opening 24.
Thus, in this embodiment, since the opening 24 and the opening 27 are formed by the same etching process, the space between the substrate 4 and the active layer 83 during etching is simplified while simplifying the manufacturing process. Damage to the pattern due to a pressure difference between the outside and the outside can be prevented.

特に、本工程では、ＩＣＰエッチングを行う。すなわち、エッチング用ガスによるエッチングと、デポジッション用ガスによる保護膜の形成とを、交互に繰り返し行って、可動部２１を形成する。
前記エッチング用ガスとしては、例えば、ＳＦ_６等が挙げられ、また、前記デポジッション用ガスとしては、例えば、Ｃ_４Ｆ_８等が挙げられる。 In particular, in this step, ICP etching is performed. That is, the movable portion 21 is formed by alternately and repeatedly performing etching with an etching gas and formation of a protective film with a deposition gas.
Examples of the etching gas include SF _{6 and the} like, and examples of the deposition gas include C ₄ F _{8 and the} like.

本工程において、ドライエッチング技術を使用して異方性エッチングを行うのは、以下に示す理由による。
ウェットエッチング技術を使用した場合、エッチングが進むに従ってエッチング液が活性層８３に形成された孔から、活性層８３と第２の基板３との間に侵入し、駆動電極３３や絶縁膜２５を除去してしまうおそれ。これに対し、ドライエッチング技術を使用した場合はそのような危険性がない。 In this step, the anisotropic etching is performed using the dry etching technique for the following reason.
When the wet etching technique is used, the etching solution enters between the active layer 83 and the second substrate 3 from the hole formed in the active layer 83 as the etching progresses, and the drive electrode 33 and the insulating film 25 are removed. There is a risk of it. On the other hand, when dry etching technology is used, there is no such danger.

また、等方性エッチングを使用した場合には、活性層８３が等方的にエッチングされ、サイドエッチングが生じる。特に、連結部２３に対しサイドエッチングが生じると、連結部２３の強度が弱くなり、耐久性が劣化してしまう。これに対し、異方性エッチングを使用した場合には、サイドエッチングが生じないので、エッチング寸法の制御に優れており、連結部２３の側面も活性層８３の板面に対し垂直に形成され、連結部２３の強度の向上を図ることができる。
なお、本発明では、本工程において、前記と異なるドライエッチング法を用いて可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成してもよく、また、ドライエッチング法以外の方法を用いて可動部２１と支持部２２と連結部２３とを形成してもよい。
−Ｃ２−
その後、レジスト層９を除去する。 In addition, when isotropic etching is used, the active layer 83 is isotropically etched and side etching occurs. In particular, when side etching occurs with respect to the connecting portion 23, the strength of the connecting portion 23 becomes weak, and the durability deteriorates. On the other hand, when anisotropic etching is used, side etching does not occur. Therefore, the etching dimension is excellent, and the side surface of the connecting portion 23 is also formed perpendicular to the plate surface of the active layer 83. The strength of the connecting portion 23 can be improved.
In the present invention, in this step, the movable portion 21, the support portion 22, and the connecting portion 23 may be formed using a dry etching method different from the above, and the movable portion 21 may be moved using a method other than the dry etching method. You may form the part 21, the support part 22, and the connection part 23. FIG.
-C2-
Thereafter, the resist layer 9 is removed.

［Ｄ］第４の工程
次に、基体１０に対し外力を加えて、薄肉脆弱部１２を破断して、複数の個片に分割（チップ化）することにより、複数の波長可変フィルタ１が得られる。
このとき、基体１０にはあらかじめ前述の第２の工程［Ｂ］にて溝部１１が形成されているので、切り屑などの不要物の発生を防止しつつ、基体１０を複数の個片に容易に分割することができる。特に、区画（すなわち、溝部１１の形成）がパターンニングの前に行われるので、区画の際に仮に切り屑が生じても、構造体である波長可変フィルタ１に切り屑が付着するのを防止することができる。 [D] Fourth Step Next, a plurality of wavelength tunable filters 1 are obtained by applying an external force to the substrate 10 to break the thin fragile portion 12 and divide it into a plurality of pieces (chips). It is done.
At this time, since the groove portion 11 is formed in the base 10 in advance in the second step [B], it is easy to make the base 10 into a plurality of pieces while preventing generation of unnecessary materials such as chips. Can be divided into In particular, since the partition (that is, the formation of the groove portion 11) is performed before patterning, even if chips are generated during the partition, the chips are prevented from adhering to the wavelength tunable filter 1 that is the structure. can do.

したがって、チップ化するに際し、基体１０に形成されたパターンに切り屑などの不要物が付着して波長可変フィルタ１の特性を低下させるのを防止することができる。その結果、波長可変フィルタ１を製造するに際し、歩留まりの向上を図ることができる。
特に、本実施形態にかかる波長可変フィルタ１にあっては、第１の反射膜２５、第１の反射防止膜２６、第２の反射膜３５、第２の反射防止膜３９に対する切り屑などの不要物の付着による光学特性の低下を防止することができる。 Therefore, it is possible to prevent deterioration of the characteristics of the wavelength tunable filter 1 due to attachment of unnecessary materials such as chips to the pattern formed on the substrate 10 when the chip is formed. As a result, when the wavelength tunable filter 1 is manufactured, the yield can be improved.
In particular, in the wavelength tunable filter 1 according to the present embodiment, chips such as chips with respect to the first reflection film 25, the first antireflection film 26, the second reflection film 35, and the second antireflection film 39 are used. It is possible to prevent the optical characteristics from being deteriorated due to adhesion of unnecessary materials.

また、可動部２１に対する切り屑などの付着物の付着による可動部２１の質量変化や、連結部２３に対する切り屑などの不要物の付着による連結部２３の弾性力の変化に起因する駆動電圧の変化を防止することもできる。
また、チップ化する前に、基体１０に対しエッチングを行うので、取り扱いが比較的容易であり、波長可変フィルタ１の製造に要する時間の短縮化を図ることができる。 Further, the drive voltage caused by the change in the mass of the movable part 21 due to the attachment of the deposits such as chips on the movable part 21 and the change in the elastic force of the connection part 23 due to the attachment of unnecessary objects such as chips on the connection part 23. Changes can also be prevented.
Further, since the substrate 10 is etched before the chip is formed, the handling is relatively easy, and the time required for manufacturing the wavelength tunable filter 1 can be shortened.

基体１０に加える外力としては、区画に沿って基体１０を個片化可能なものであれば、特に限定されず、例えば、人手によるものあっても、機械によるものであってもよい。人手により基体１０に外力を加える際には、素手で基体１０に外力を加えてもよいし、工具や器具を用いて基体１０に外力を加えてもよい。
以上説明したように本実施形態の波長可変フィルタ１を得ることができる。このようにして得られる波長可変フィルタ１は、安価で、かつ、所望の特性を有する。 The external force applied to the base body 10 is not particularly limited as long as the base body 10 can be singulated along the section. For example, the external force may be manually or mechanically. When an external force is applied to the base body 10 by hand, the external force may be applied to the base body 10 with bare hands, or the external force may be applied to the base body 10 using a tool or a tool.
As described above, the wavelength tunable filter 1 of the present embodiment can be obtained. The tunable filter 1 obtained in this way is inexpensive and has desired characteristics.

以上、本発明の構造体の製造方法および構造体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物が付加されていてもよい。
また、本発明の構造体の製造方法は、エッチングにより基体にパターンを形成した後にチップ化して得られるものであれば、前述した波長可変フィルタ１の製造方法に限定されず、例えば、加速度センサ、振動子、光学素子、アクチュエータなどの製造方法にも適用することができる。 As mentioned above, although the manufacturing method and structure of the structure of this invention were demonstrated based on embodiment of illustration, this invention is not limited to this, The structure of each part is arbitrary which has the same function. It can be replaced with that of the configuration. In addition, any other component may be added to the present invention.
Moreover, the structure manufacturing method of the present invention is not limited to the above-described method for manufacturing the wavelength tunable filter 1 as long as it is obtained by forming a pattern on a substrate by etching and then obtaining a chip. For example, an acceleration sensor, The present invention can also be applied to manufacturing methods for vibrators, optical elements, actuators, and the like.

この場合、例えば、前述した実施形態における第３の工程［Ｃ］のように、互いに接合されているとともにギャップを区画形成する２つの基板のうちの一方に対しエッチングを行うことにより、可動部と支持部と連結部とを形成する。これにより、加速度センサ、振動子、光学素子、アクチュエータなどの構造体を製造することができる。
また、前述した実施形態では、基体が互いに接合された２つの基板で構成されているものを説明したが、基体は、１つの基板で構成されていてもよく、また、３つ以上の基板が接合されて構成されていてもよい。また、基体は、基板上に膜が形成されて構成されたものであってもよい。 In this case, for example, as in the third step [C] in the above-described embodiment, by etching one of the two substrates that are bonded to each other and that form a gap, the movable portion and A support part and a connection part are formed. Thereby, structures such as an acceleration sensor, a vibrator, an optical element, and an actuator can be manufactured.
Further, in the above-described embodiment, the description has been given of the case where the base body is configured by two substrates bonded to each other. However, the base body may be configured by one substrate, and three or more substrates may be configured. You may be joined and comprised. The base may be configured by forming a film on the substrate.

本発明の構造体の実施形態である波長可変フィルタを示す分解斜視図である。It is a disassembled perspective view which shows the wavelength variable filter which is embodiment of the structure of this invention. 図１に示す波長可変フィルタを示す平面図である。It is a top view which shows the wavelength variable filter shown in FIG. 図２中のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG. 図１に示す波長可変フィルタの製造方法を説明するための図である。It is a figure for demonstrating the manufacturing method of the wavelength variable filter shown in FIG.

Explanation of symbols

１……波長可変フィルタ２……第１の基板２１……可動部２２……支持部２３……連結部２４……開口部２５……第１の反射膜２６……第１の反射防止膜２７……開口部３……第２の基板３１……第１の凹部３２……第２の凹部３３……駆動電極３４……絶縁膜３５……第２の反射膜３６……溝部３７……第３の凹部３８……引出し電極３９……第２の反射防止膜４……基板（第２の基板）５、６……マスク層５１……開口７……導電層８……ＳＯＩ基板８１……ベース層８２……絶縁層８３……活性層（第１の基板）９……レジスト層１０……基体１１……溝部１２……薄肉脆弱部Ｇ１……第１のギャップＧ２……第２のギャップＬ……光 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wavelength variable filter 2 ... 1st board | substrate 21 ... Moving part 22 ... Supporting part 23 ... Connection part 24 ... Opening part 25 ... 1st reflection film 26 ... 1st antireflection film 27... Opening 3... Second substrate 31... First recess 32... Second recess 33... Drive electrode 34 ... Insulating film 35 ... Second reflection film 36. ... Third recess 38 ... Extraction electrode 39 ... Second antireflection film 4 ... Substrate (second substrate) 5,6 ... Mask layer 51 ... Opening 7 ... Conductive layer 8 ... SOI substrate 81 …… Base layer 82 …… Insulating layer 83 …… Active layer (first substrate) 9 …… Resist layer 10 …… Substrate 11 …… Groove portion 12 …… Thin fragile portion G1 …… First gap G2 …… Second gap L ... light

Claims

A first step of preparing a substrate;
A second step of forming a thin fragile portion on the base so as to divide the base into a plurality of pieces and partitioning the base;
A third step of performing etching in each section of the substrate through a mask having a predetermined pattern;
And a fourth step of obtaining a plurality of structures by breaking the thin fragile portion and dividing the base into a plurality of pieces.

The method of manufacturing a structure according to claim 1, wherein in the second step, the thin fragile portion is formed by forming a continuous groove portion in the base body.

The method for manufacturing a structure according to claim 2, wherein a cross-sectional shape of a bottom portion of the groove portion is tapered.

4. The method for manufacturing a structure according to claim 1, wherein the base body includes a first substrate and a second substrate bonded to each other.

The method for manufacturing a structure according to claim 4, wherein the first step includes a step of bonding the first substrate and the second substrate to each other.

The structure manufacturing method according to claim 5, wherein the first substrate and the second substrate are bonded by anodic bonding.

In the first step, before the step of bonding the first substrate and the second substrate, there is a step of forming a recess in the second substrate, and then the first substrate and The method for manufacturing a structure according to claim 5 or 6, wherein in the step of bonding the second substrate, the surface of the second substrate on the concave portion side and one surface of the first substrate are bonded. .

In the third step, a part of the first substrate corresponding to the concave portion of the second substrate is removed to move the movable portion, the support portion, and the movable portion to the support portion. The manufacturing method of the structure of Claim 7 which forms the connection part which connects these so that it may move with respect to.

The method for manufacturing a structure according to claim 8, wherein a thickness of the first substrate is smaller than a thickness of the second substrate.

The structure manufacturing method according to claim 8 or 9, wherein in the second step, a groove portion is formed in the base body so as to penetrate the first substrate and leave the thin fragile portion in the second substrate. Method.

Prior to the step of the third step, the method includes a step of forming a first opening in the first substrate so as to communicate with the concave portion of the second substrate, and in the third step, The method for manufacturing a structure according to claim 7, wherein the movable portion, the support portion, and the connection portion are formed by forming a second opening having an irregular shape on the first substrate.

The method for manufacturing a structure according to claim 11, wherein the first opening and the second opening are separated from each other.

The method for manufacturing a structure according to claim 11 or 12, wherein the first opening and the second opening are formed by the same etching process.

After the step of forming the recess, and before the step of bonding the first substrate and the second substrate, forming a electrode on the bottom surface of the recess of the second substrate The method of manufacturing a structure according to claim 7, wherein in the step of forming the first opening, the first opening is provided so that the electrode can be pulled out.

The method for manufacturing a structure according to claim 1, wherein in the third step, the etching is performed by dry etching.

16. The method of manufacturing a structure according to claim 1, wherein the mask used for the etching in the third step is formed on the base body prior to the formation of the section.

A structure manufactured by the method for manufacturing a structure according to claim 1.