JP2006335914A - Powdery phosphor, method for producing the same and luminescent device using the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a ZnMgO-based powdery phosphor in which high-concentration Mg forms a solid solution and to provide a luminescent device by using the phosphor. <P>SOLUTION: The present invention provides the powdery phosphor characterized in that a surface layer, in which at least all or a part of the surface is represented by chemical formula Zn<SB>(1-x)</SB>R<SB>x</SB>O (R is an element of the group IIA; 0.05≤x), having a hexagonal structure is formed on the surface of a minute substrate. In the powdery phosphor, R in the chemical formula is preferably Mg. The present invention further provides a method for producing the powdery phosphor and the luminescent device using the phosphor. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、低速電子線照射により高効率で可視光〜紫外線を放射する蛍光体とその製法、これを用いた発光デバイスに関する。   The present invention relates to a phosphor that emits visible light to ultraviolet light with high efficiency by low-energy electron beam irradiation, a method for producing the same, and a light-emitting device using the phosphor.

近年の環境問題から、発光体として水銀を使用する装置やデバイスの使用が規制されつつある。水銀を使用する代表的なデバイスは蛍光灯、低圧・中圧・高圧・超高圧水銀灯などの照明または光源デバイスである。これらは全て、水銀の放電により発生させた紫外線を蛍光体に照射することで、可視光線または紫外線を発光させる原理により作動する。   Due to recent environmental problems, the use of devices and devices that use mercury as a light emitter is being regulated. Typical devices that use mercury are lighting or light source devices such as fluorescent lamps, low-pressure, medium-pressure, high-pressure, and ultra-high-pressure mercury lamps. All of these operate on the principle of emitting visible light or ultraviolet light by irradiating phosphors with ultraviolet light generated by mercury discharge.

高圧水銀ランプは、365nmの波長を主発光とする紫外線ランプで、電子部品における樹脂の硬化等に用いられている。低圧水銀ランプは、生物のDNAを直接破壊することができる254nmの紫外線を効率良く発生するために、殺菌装置に必須のランプとして用いられている。
従って、水銀を使わないで、これらの波長、特に波長が300nm以下の紫外線を効率よく放射できる発光デバイスが強く望まれている。
The high-pressure mercury lamp is an ultraviolet lamp that mainly emits light having a wavelength of 365 nm, and is used for curing a resin in an electronic component. The low-pressure mercury lamp is used as an essential lamp in a sterilization apparatus in order to efficiently generate 254 nm ultraviolet rays that can directly destroy the DNA of living organisms.
Therefore, there is a strong demand for a light-emitting device that can efficiently emit ultraviolet light having these wavelengths, particularly 300 nm or less, without using mercury.

これに対して、水銀を使用しない環境に優しい発光デバイスとしては蛍光表示管なるものがある。これは、熱陰極または冷陰極カソードから発生させた低速電子線を蛍光体に照射することで可視光線を発生させるものであり、長寿命・高信頼性、低消費電力という特徴を持ち、車載用のディスプレイや屋外表示デバイスとして使用されている(特許文献1参照)。   On the other hand, there is a fluorescent display tube as an environmentally friendly light emitting device that does not use mercury. It emits visible light by irradiating a phosphor with a low-speed electron beam generated from a hot cathode or cold cathode, and has features such as long life, high reliability, and low power consumption. It is used as a display or outdoor display device (see Patent Document 1).

最も標準的な蛍光表示管は、直熱三極管のアノード(プレート)に蛍光体が貼り付けてあり(パターニング)、フィラメントから照射された熱電子をグリッドで制御し、その熱電子がアノードに当たる時に蛍光体が発光する。フィラメント材質は基本的にはタングステン合金であるが、その他様々な合金も用いられる。   The most standard fluorescent display tube has a phosphor attached to the anode (plate) of a directly heated triode (patterning), and the thermoelectrons emitted from the filament are controlled by a grid. When the thermoelectrons hit the anode, the phosphor is fluorescent. The body emits light. The filament material is basically a tungsten alloy, but various other alloys can also be used.

最近はLCD(Liquid Crystal Display;液晶ディスプレイ)を用いたものや、有機EL(Electro Luminance)ディスプレイ等もあるが、依然として視野角の広さ、発光の美しさ、寿命、動作温度範囲等の点で総合的には蛍光表示管に一日の長があり、特に発光が綺麗で表示が鮮明な点が買われて、オーディオ機器やビデオ機器で主に使われている。また、車の時計などにも、視認性と信頼性の高さからよく使われている。有機ELディスプレイも自発光のため視野角は広く、発光効率が高いという長所が有るにせよ、寿命が短いという欠点がある。この点、蛍光表示管の寿命は3万時間を超える長寿命である。さらには、陰極を冷陰極型にすることにより、熱フィラメントが切れるという問題が解決できるために寿命はさらに長くなり信頼性が増大する。これは一般に、フィールドエミッションディスプレイ(FED)と呼ばれる。   Recently, LCD (Liquid Crystal Display) and organic EL (Electro Luminance) displays are also available, but they still have a wide viewing angle, beautiful light emission, long life, operating temperature range, etc. In general, fluorescent display tubes have a long day, and they are used mainly in audio and video equipment, especially because they have a bright light emission and a clear display. It is also often used for car clocks because of its high visibility and reliability. Organic EL displays also have the disadvantages of having a short lifetime despite their advantages of wide viewing angle and high luminous efficiency due to self-emission. In this respect, the life of the fluorescent display tube is a long life exceeding 30,000 hours. Furthermore, since the problem that the hot filament is broken can be solved by making the cathode into a cold cathode type, the lifetime is further increased and the reliability is increased. This is commonly referred to as a field emission display (FED).

上記した蛍光表示管をディスプレイとしてではなく、光源として利用したものが蛍光ランプである。冷陰極蛍光ランプは、低消費電力、長寿命ランプとして有望である。
しかし、従来の蛍光表示管は、表示デバイス用途のみを対象としているために紫外線を発生させることを目的としたものではない。そのため蛍光表示管において、電子線照射により可視光発光する蛍光体粉末の表面に、電子線照射により紫外光発光する蛍光体をコーティングするという方法が提案されている。これは、電子線を紫外発光蛍光体に照射して一旦紫外線を発生させ、これを可視光発光蛍光体に照射することにより望む波長の可視光を発生させるという原理のものである。紫外発光蛍光体としては、ZnO、ZnO・Ga:Cd等が報告されている。ZnO・Ga23:Cdは発光ピーク波長が365nmの発光を示す(特許文献2、3、4参照)。
A fluorescent lamp uses the above-described fluorescent display tube as a light source, not as a display. Cold cathode fluorescent lamps are promising as low power consumption and long-life lamps.
However, the conventional fluorescent display tube is intended only for display device use and is not intended to generate ultraviolet rays. Therefore, in a fluorescent display tube, a method has been proposed in which the surface of a phosphor powder that emits visible light when irradiated with an electron beam is coated with a phosphor that emits ultraviolet light when irradiated with an electron beam. This is based on the principle that ultraviolet light is emitted once by irradiating an electron beam onto an ultraviolet light-emitting phosphor, and visible light having a desired wavelength is generated by irradiating the ultraviolet light with this electron beam. ZnO, ZnO.Ga 2 O 3 : Cd, etc. have been reported as ultraviolet light emitting phosphors. ZnO.Ga 2 O 3 : Cd emits light with an emission peak wavelength of 365 nm (see Patent Documents 2, 3, and 4).

しかし、この発明は、可視光発光する蛍光表示管を得るためのものであり、紫外線を放出するデバイスではない。すなわち、電子線を照射して効率よく紫外線を発生させ得る蛍光体がこれまで存在しなかったためである。この理由は以下の通りと推測される。
前記発明の蛍光表示管では、可視光発光蛍光体は、紫外発光蛍光体が放出した紫外線を吸収して可視光発光するのと同時に、それ自体が、ある程度電子線を吸収して可視光を発光するので、紫外線の強度はそれほど高くなくてもかまわない。しかし、紫外発光蛍光体のみを使用した場合は、発光効率が低すぎて紫外発光蛍光ランプとして実用には至らないのである。ZnO・Ga23:Cd中のCdの添加は環境を害する可能性もあるし、また、ピーク波長を365nmよりも小さくすることもできない。
However, the present invention is for obtaining a fluorescent display tube that emits visible light, and is not a device that emits ultraviolet light. That is, there has never been a phosphor that can efficiently generate ultraviolet rays when irradiated with an electron beam. The reason is estimated as follows.
In the fluorescent display tube of the invention, the visible light emitting phosphor absorbs the ultraviolet light emitted by the ultraviolet light emitting phosphor and emits visible light, and at the same time, it absorbs an electron beam to a certain extent and emits visible light. Therefore, the intensity of ultraviolet rays does not have to be so high. However, when only the ultraviolet light-emitting phosphor is used, the light emission efficiency is too low to be put into practical use as an ultraviolet light-emitting fluorescent lamp. Addition of Cd in ZnO.Ga 2 O 3 : Cd may harm the environment, and the peak wavelength cannot be made smaller than 365 nm.

最近、蛍光体母体であるZnO薄膜にMgを添加してZnMgO薄膜とし、母体のバンドギャップを増大させることにより、発光波長をブルーシフト(短波長側にシフトする)させることが可能になった。例えば、Zn0.8Mg0.2O組成にすることで、発光スペクトルのピーク波長は462nmまでブルーシフトする。このとき、短波長側の裾は紫外線である360nm程度までブルーシフトするため、全体のスペクトルの中で紫外光発光する割合が大きく、紫外発光蛍光体として機能する可能性を持つ(非特許文献1)。
特開2001−176433号公報 特開平8−27769公報 特開平8−45438公報 特開昭63−15879公報 日本セラミックス協会年会講演概要集、13ページ(2005)
Recently, by adding Mg to a ZnO thin film that is a phosphor matrix to form a ZnMgO thin film and increasing the band gap of the matrix, the emission wavelength can be blue shifted (shifted to the short wavelength side). For example, by using a Zn 0.8 Mg 0.2 O composition, the peak wavelength of the emission spectrum is blue shifted to 462 nm. At this time, since the bottom of the short wavelength side is blue shifted to about 360 nm, which is ultraviolet light, the proportion of ultraviolet light emission is large in the entire spectrum, and it has the possibility of functioning as an ultraviolet light emitting phosphor (Non-patent Document 1). ).
JP 2001-176433 A JP-A-8-27769 JP-A-8-45438 JP 63-15879 A Annual Meeting of the Ceramic Society of Japan, 13 pages (2005)

しかし、この蛍光体は薄膜でしか作製できず、粉末では実現出来なかった。以下にその理由を説明する。
ZnO−MgO系状態図によると、六方晶ZnOに対してMgは4mol%程度までしか固溶せず、これを超えると六方晶ZnMgOに加えて立方晶MgO相が析出し始める。高濃度でMgを固溶させる方法として薄膜技術が開発されている。すなわち、サファイア等の六方晶の単結晶を基板とし、この上にZnMgO薄膜をエピタキシャル成長させると、Mgが最大で、Zn0.6Mg0.4O組成まで混晶にすることができるのである。
しかし、ZnOとMgO粉末を混合した後、焼成する通常の粉末焼成法を用いると、上記したように、熱力学的平衡組成であるZn0.96Mg0.04O組成までしか固溶体は生成しない。
However, this phosphor could only be produced with a thin film and could not be realized with powder. The reason will be described below.
According to the phase diagram of the ZnO-MgO system, Mg only dissolves up to about 4 mol% with respect to hexagonal ZnO, and beyond this, cubic MgO phase starts to precipitate in addition to hexagonal ZnMgO. Thin film technology has been developed as a method for dissolving Mg at a high concentration. That is, when a hexagonal single crystal such as sapphire is used as a substrate and a ZnMgO thin film is epitaxially grown thereon, Mg can be mixed up to a composition of Zn 0.6 Mg 0.4 O.
However, when a normal powder firing method in which ZnO and MgO powder are mixed and then fired is used, as described above, a solid solution is generated only up to a Zn 0.96 Mg 0.04 O composition which is a thermodynamic equilibrium composition.

本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、高濃度のMgが固溶したZnMgO系粉末蛍光体とその製法及びこれを用いた発光デバイスに関するものである。   The present invention has been made to cope with such problems, and relates to a ZnMgO-based powder phosphor in which a high concentration of Mg is dissolved, a method for producing the same, and a light emitting device using the same.

すなわち、本発明は、
(1)少なくとも表面の全部または一部に、化学式がZn(1-x)xO(RはIIA族元素,0.05≦x)で表され、かつ六方晶構造を持つ表面層を有する粉末蛍光体、
(2)前記化学式中のRがMgである上記(1)の粉末蛍光体、
(3)0.2<xである上記(1)又は(2)の粉末蛍光体、
(4)カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長370nmよりも小さい領域にある上記(1)〜(3)の粉末蛍光体、
(5)カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長350nmよりも小さい領域にある上記(4)の粉末蛍光体、
(6)カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長300nmよりも小さい領域にある上記(5)の粉末蛍光体、
That is, the present invention
(1) At least all or part of the surface has a surface layer represented by a chemical formula Zn (1-x) R x O (R is a Group IIA element, 0.05 ≦ x) and having a hexagonal crystal structure. Powder phosphor,
(2) The powder phosphor of the above (1), wherein R in the chemical formula is Mg,
(3) The powder phosphor according to (1) or (2), wherein 0.2 <x,
(4) The powder phosphor of (1) to (3) above, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than the wavelength of 370 nm,
(5) The powder phosphor of (4) above, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than a wavelength of 350 nm,
(6) The powder phosphor of (5) above, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than the wavelength of 300 nm,

(7)前記表面層が微小基板表面に形成されている上記(1)〜(6)の粉末蛍光体、
(8)前記微小基板が六方晶結晶である上記(7)の粉末蛍光体、
(9)前記微小基板がZnO、サファイア、AlN、SiCの少なくとも一種である上記(7)又は(8)の粉末蛍光体、
(10)前記微小基板がc軸配向していることを特徴とする上記(7)〜(9)の粉末蛍光体、
(7) The powder phosphor of the above (1) to (6), wherein the surface layer is formed on the surface of a micro substrate,
(8) The powder phosphor of (7) above, wherein the microsubstrate is a hexagonal crystal,
(9) The powder phosphor according to (7) or (8), wherein the micro-substrate is at least one of ZnO, sapphire, AlN, and SiC,
(10) The powder phosphor according to (7) to (9) above, wherein the micro-substrate is c-axis oriented,

(11)水熱合成法による粉末蛍光体の製造法であって、粉末状の微小基板を溶媒に分散させる工程1と、工程1の溶媒にZn,Mgを含む溶質成分を溶解させた後、所定の温度、圧力で保持して微小基板上に蛍光体を析出させる工程2を含む、上記(7)の粉末蛍光体の製法、
(12)前記微小基板が六方晶結晶である上記(11)の粉末蛍光体の製法、
(13)前記微小基板がZnO、サファイア、AlN、SiCの少なくとも一種である上記(11)又は(12)の粉末蛍光体の製法、
(14)前記微小基板がc軸配向していることを特徴とする上記(11)〜(13)の粉末蛍光体の製法、
(11) A method for producing a powder phosphor by a hydrothermal synthesis method, in which a powdery micro-substrate is dispersed in a solvent, and after dissolving a solute component containing Zn and Mg in the solvent of Step 1, The method for producing a powder phosphor according to (7) above, comprising the step 2 of precipitating the phosphor on a micro substrate by holding at a predetermined temperature and pressure,
(12) The method for producing a powder phosphor according to (11), wherein the micro-substrate is a hexagonal crystal,
(13) The method for producing a powder phosphor according to (11) or (12), wherein the micro-substrate is at least one of ZnO, sapphire, AlN, and SiC,
(14) The method for producing a powder phosphor according to the above (11) to (13), wherein the micro-substrate is c-axis oriented,

(15)熱陰極または冷陰極から放射される電子を、陽極上に形成された上記(1)〜(10)の粉末蛍光体に衝突させることによって発光させることを特徴とする発光デバイス、
(16)陽極電圧が5kV以下である上記(15)の発光デバイス、
よりなる。
(15) A light emitting device that emits light by colliding electrons emitted from a hot cathode or a cold cathode with the powder phosphors of (1) to (10) formed on the anode,
(16) The light-emitting device according to (15), wherein the anode voltage is 5 kV or less,
It becomes more.

本発明のZn(1-x)xO系粉末蛍光体は、水熱合成により、微小基板上にエピタキシャル成長するため、例えば、高濃度Mg組成においても六方晶固溶体を形成することができる。このような高Mg組成粉末蛍光体は、電子線照射により短波長の紫外線を放射することができるので、蛍光ランプ用蛍光体として極めて有望である。 Since the Zn (1-x) R x O-based powder phosphor of the present invention is epitaxially grown on a micro substrate by hydrothermal synthesis, for example, a hexagonal solid solution can be formed even in a high concentration Mg composition. Such a high Mg composition powder phosphor is extremely promising as a phosphor for a fluorescent lamp because it can emit ultraviolet rays having a short wavelength by electron beam irradiation.

以下に本粉末蛍光体の製法を説明する。
本発明品は、液相中のエピタキシャル成長を利用した水熱合成法により作製できる。本発明では、粉末状の微小基板を溶媒に分散させる工程1と、工程1の溶媒にZn,Mgを含む溶質成分を溶解させた後、所定の温度、圧力で保持して微小基板上に蛍光体を析出させることにより得られる。なお、微小基板を使用する場合は、その平均直径の最大径が100μm未満となるようにすることが好ましい。
The production method of the present powder phosphor will be described below.
The product of the present invention can be produced by a hydrothermal synthesis method using epitaxial growth in a liquid phase. In the present invention, Step 1 in which a powdery micro-substrate is dispersed in a solvent, and a solute component containing Zn and Mg is dissolved in the solvent in Step 1 and then held at a predetermined temperature and pressure to cause fluorescence on the micro-substrate. It is obtained by precipitating the body. In the case where a micro substrate is used, it is preferable that the maximum average diameter is less than 100 μm.

水熱合成条件は特に特別な条件でなく、一般的なZnOの水熱合成条件で構わない。原料としては、ZnOやMgO粉末を用いる場合以外に、Zn(NO3)2・6H2OやMg(NO3)2・6H2O等の硝酸塩やZn(CH3COO)2・2H2OやMg(CH3COO)2・2H2O等の酢酸塩でもよい。硝酸塩や酢酸塩は水に溶解しやすいので問題ないが、ZnOやMgO粉末を用いるときは、微粒のほうが溶解しやすいので好ましい。これらの粉末は微小基板のサイズの10分の1以下であることが好ましい。溶媒としては、脱イオン水、KOHとLiOHの混合溶液等でも構わない。温度は150〜400℃くらい、圧力は、数MPa〜数十MPaで合成されるのが一般的である。保持時間は数時間〜数百時間である。一般に、冷却速度が小さいほど析出したZnMgOの結晶性は高くなる。
例えば、濃度が5.45mol/lのKOHと0.7mol/lのLiOHの混合溶液中に、原料として、平均粒径が0.1μm程度のZnO粉末と0.1μm程度のMgO粉末、および微小基板として、大凡のサイズが5μm、厚さ1μm程度のZnO基板を装填し、温度380℃、圧力20MPaで5時間保持する。これにより、原料であるZnOとMgO粉末の一部は溶解する。一方、微小基板の一部も溶解するが、原料粉末と比べてサイズが大きく溶解速度が小さいので溶解量は非常に少ない。
尚、上記の水熱合成条件は例示であり、上記範囲外であっても微小基板上に蛍光体を析出させるのに適していれば良い。例えば、ZnMgO系では温度が300〜800℃、圧力が数MPa〜数十MPaで合成されるのが一般的である。
The hydrothermal synthesis conditions are not particularly special conditions, and may be general ZnO hydrothermal synthesis conditions. As raw materials, besides using ZnO or MgO powder, nitrates such as Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O, Mg (NO 3 ) 2 .6H 2 O, and Zn (CH 3 COO) 2 .2H 2 O Or acetate such as Mg (CH 3 COO) 2 .2H 2 O may be used. Since nitrates and acetates are easily dissolved in water, there is no problem. However, when using ZnO or MgO powder, fine particles are preferred because they are easier to dissolve. These powders are preferably 1/10 or less of the size of the micro-substrate. The solvent may be deionized water, a mixed solution of KOH and LiOH, or the like. In general, the temperature is about 150 to 400 ° C. and the pressure is several MPa to several tens of MPa. The holding time is several hours to several hundred hours. In general, the smaller the cooling rate, the higher the crystallinity of the deposited ZnMgO.
For example, in a mixed solution of KOH having a concentration of 5.45 mol / l and LiOH having a concentration of 0.7 mol / l, as raw materials, ZnO powder having an average particle size of about 0.1 μm, MgO powder having a size of about 0.1 μm, and a minute amount As a substrate, a ZnO substrate having a size of about 5 μm and a thickness of about 1 μm is loaded and held at a temperature of 380 ° C. and a pressure of 20 MPa for 5 hours. Thereby, a part of ZnO and MgO powder which are raw materials melt | dissolve. On the other hand, a part of the micro-substrate is also dissolved, but since the size is larger and the dissolution rate is lower than the raw material powder, the dissolution amount is very small.
Note that the hydrothermal synthesis conditions described above are examples, and even if they are outside the above range, they may be suitable for depositing the phosphor on the micro substrate. For example, in a ZnMgO system, it is generally synthesized at a temperature of 300 to 800 ° C. and a pressure of several MPa to several tens of MPa.

その後、0.5/minの速度で100℃くらいまで冷却すると、温度が低下したことにより溶解度が低下するため過飽和度が高くなり、溶解しきれなくなったZnMgO成分が微小基板の表面に析出するのである。このとき、析出する粉末は基板の配向性に影響を受けるため、析出する粉末中のMg濃度が高くなっても六方晶を維持したまま析出することが可能となる。   After that, when cooling to about 100 ° C. at a rate of 0.5 / min, the solubility decreases due to the temperature drop, so the supersaturation increases, and the ZnMgO component that can no longer be dissolved is deposited on the surface of the micro-substrate. is there. At this time, since the precipitated powder is affected by the orientation of the substrate, it is possible to precipitate while maintaining the hexagonal crystal even when the Mg concentration in the precipitated powder increases.

微小基板は、結晶系が六方晶であるか、もしくは格子定数がZnMgOに近いことが好ましい。ZnMgOが最も好ましいのは当然である。また六方晶で格子定数が近いことが最も好ましい。六方晶結晶では、サファイア、GaN、AlN、SiC、InN等がある。格子定数が近いものとしては立方晶のMgOや立方晶のSiCがある。とりわけ、GaN、AlNは格子定数が近い。サファイアも比較的近い。六方晶結晶の場合、c面が発達していることが好ましい。このような結晶は六角形であることが多い。   The micro substrate preferably has a crystal system of hexagonal crystal or a lattice constant close to that of ZnMgO. Of course, ZnMgO is most preferable. Most preferably, it is hexagonal and has a close lattice constant. Hexagonal crystals include sapphire, GaN, AlN, SiC, InN, and the like. Those having a close lattice constant include cubic MgO and cubic SiC. In particular, GaN and AlN have close lattice constants. Sapphire is also relatively close. In the case of a hexagonal crystal, the c-plane is preferably developed. Such crystals are often hexagonal.

このようにして合成した粉末は、蛍光ランプ用蛍光体として極めて有効である。すなわち、熱陰極または冷陰極から放射される電子を、陽極上に形成された本粉末蛍光体に衝突させることによって発光させることを特徴とする蛍光ランプとなり、高輝度、低消費電力ランプが実現できる。特に陰極が冷陰極である場合、消費電力の小さな蛍光ランプとなる。一般に、蛍光体に低速電子線を照射した場合、蛍光体の抵抗が高い場合、蛍光体表面がマイナスにチャージアップし、安定した発光が阻害される現象が起こるため、蛍光体表面にアルミニウム薄膜を形成して電荷を逃す、いわゆるメタルバック処理が必要になるが、ZnMgO系蛍光体は低抵抗であるため、そのような処理が不要になる。この効果は、陽極電圧が5kV以下になった時に大きな効果を発揮する。   The powder thus synthesized is extremely effective as a fluorescent lamp phosphor. In other words, a fluorescent lamp is characterized in that electrons emitted from a hot cathode or a cold cathode are caused to emit light by colliding with the present powder phosphor formed on the anode, and a high-intensity, low-power consumption lamp can be realized. . In particular, when the cathode is a cold cathode, the fluorescent lamp consumes less power. In general, when a phosphor is irradiated with a low-speed electron beam, if the phosphor has a high resistance, the phosphor surface will be charged negatively, causing a phenomenon in which stable light emission is inhibited. A so-called metal back treatment is necessary to release charges by forming, but the ZnMgO-based phosphor has a low resistance, so that such treatment is not necessary. This effect is significant when the anode voltage becomes 5 kV or less.

化学式Zn(1-x)MgxOにおいて、xが0.5を上限とした組成までの固溶体となるのが好ましい。
Zn(1-x)MgxO組成において、Mg量が5mol%以上になると、発光ピーク波長は370nm以下となる。Mg量が20mol%以上になると、発光ピーク波長は350nm以下となる。このような紫外線は、酸化チタン光触媒を極めて効率よく励起することができるので、光触媒励起用光源として有効になる。また、365nmを中心とする紫外線は、紫外線樹脂硬化装置の主光源として用いられているので、紫外線樹脂硬化装置用光源としても有効である。Zn(1-x)MgxO組成を有する蛍光体は、電子線励起時の発光効率が極めて高いため、例え、発光スペクトルの一部の波長域しか使えなくても、高輝度紫外発光が可能となる。
In the chemical formula Zn (1-x) Mg x O, x is preferably a solid solution up to a composition with 0.5 as the upper limit.
In the Zn (1-x) Mg x O composition, when the Mg content is 5 mol% or more, the emission peak wavelength is 370 nm or less. When the amount of Mg is 20 mol% or more, the emission peak wavelength is 350 nm or less. Since such ultraviolet rays can excite the titanium oxide photocatalyst very efficiently, it becomes effective as a light source for photocatalyst excitation. Moreover, since the ultraviolet light centered at 365 nm is used as the main light source of the ultraviolet resin curing device, it is also effective as a light source for the ultraviolet resin curing device. Phosphors with a Zn (1-x) Mg x O composition have extremely high luminous efficiency when excited with an electron beam, so high-intensity ultraviolet emission is possible even if only a part of the wavelength range of the emission spectrum can be used. It becomes.

Mg量が40mol%以上になると、発光ピーク波長は300nm以下となる。波長が300nmの紫外線は、生物や微生物、細菌、ウィルスなどのDNAを直接破壊する機能が高くなるため、従来用いられていた水銀ランプの代わりに殺菌ランプとして有効になる。
本蛍光体は、Mgの代わりに、Be、Mg、Ca、Sr、BaなどのIIA族元素を用いても、同様の短波長発光粉末蛍光体となる。この場合、蛍光体の組成とBeO、MgO、CaO、SrO、BaOのバンドギャップに依存して発光ピーク波長は変化する。
When the amount of Mg is 40 mol% or more, the emission peak wavelength is 300 nm or less. Ultraviolet light having a wavelength of 300 nm is effective as a sterilizing lamp instead of a conventionally used mercury lamp because it has a high function of directly destroying DNA of organisms, microorganisms, bacteria, viruses and the like.
The present phosphor becomes a similar short wavelength luminescent powder phosphor even when a Group IIA element such as Be, Mg, Ca, Sr or Ba is used instead of Mg. In this case, the emission peak wavelength changes depending on the phosphor composition and the band gap of BeO, MgO, CaO, SrO, and BaO.

<蛍光体の作製>
(1)原料
第1成分としては以下のものを使用した。
Zn(CH3COO)2・2H2O:平均粒径が0.1μm
第2成分としては以下のものを使用した。
Mg(CH3COO)2・2H2O:平均粒径が0.1μm
微小基板:
(a)ZnO(六方晶):直径50mm×厚さ5μmのc面成長品を粉砕して、直径20μm×厚さ5μmの微小基板とした。
<Fabrication of phosphor>
(1) Raw materials The following were used as the first component.
Zn (CH 3 COO) 2 · 2H 2 O: average particle size is 0.1 μm
The following were used as the second component.
Mg (CH 3 COO) 2 · 2H 2 O: average particle size is 0.1 μm
Micro substrate:
(A) ZnO (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 50 mm and a thickness of 5 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 20 μm and a thickness of 5 μm.

(2)水熱処理
濃度が5.45mol/lのNaOHと0.7mol/lのLiOHの混合溶媒を100ml用意した。
オートクレーブ用容器に溶媒、原料、および微小基板を装填し、密閉した後、オートクレーブに装填し、温度1700℃、圧力2MPaで24時間保持した。その後、0.5℃/minの速度で100℃まで冷却した。内容物を取り出して溶媒を除去後、乾燥させて粉末を得た。粉末を粉末X線回折で同定した。第2成分であるMg(CH3COO)2・2H2Oの添加量を表1に示す成分等に変化させて同様に粉末を作製・評価した。
更に、比較のため微小基板を用いないで同様に粉末を作製・評価した。
(2) Hydrothermal treatment 100 ml of a mixed solvent of NaOH having a concentration of 5.45 mol / l and LiOH having a concentration of 0.7 mol / l was prepared.
The autoclave container was charged with a solvent, raw materials, and a fine substrate, sealed, and then loaded into an autoclave, and maintained at a temperature of 1700 ° C. and a pressure of 2 MPa for 24 hours. Thereafter, it was cooled to 100 ° C. at a rate of 0.5 ° C./min. The contents were taken out and the solvent was removed, followed by drying to obtain a powder. The powder was identified by powder X-ray diffraction. Powders were similarly prepared and evaluated by changing the addition amount of the second component Mg (CH 3 COO) 2 .2H 2 O to the components shown in Table 1.
For comparison, powders were similarly prepared and evaluated without using a micro substrate.

<蛍光ランプの作製>
作製した蛍光体の内、15μm以上を篩いで除去し、エチルセルロースと有機バインダーと混合してスラリーを得た。スラリーをスクリーン印刷機を用いて、10×40×1mm(厚さ)サイズの石英ガラス基板上に形成した膜厚が0.1μmのITO膜からなる陽極導体上に塗布し、大気中で420℃で3時間焼成してバインダーを除去し、厚さ15μmの蛍光体層が形成された陽極基板を作製した。これとは別に、8×38×1mm(厚さ)サイズのソーダライムガラス基板上に形成されたアルミ電極(厚さ0.1μm)上にカーボンナノチューブと有機バインダーからなるスラリーをスクリーン印刷機により塗布し、アルゴンガス中、400で1時間焼成して冷陰極を作製した。
冷陰極と陽極を10mmの距離で平行に設置し、さらに冷陰極と陽極の間に、冷陰極上200μmの距離で、冷陰極と同じ面積のメッシュ状のグリッド電極、および、予めゲッターとしての酸化バリウムを0.1μm蒸着しておいた各種の制御電極を設置して、配線した。これらを直径30mm×長さ200mm、厚みが1mmの石英ガラス製容器に挿入した後、内部を高真空(10-7Pa)に排気したまま380℃で4時間脱気処理した。その後、フリットガラスで封止して蛍光ランプを得た。
グリッド電圧を0.65kV、陽極導体に約4kVの電圧を印加し、陽極電流値を100μAに制御しながら、蛍光体を発光させ、陽極側から発光波長をマルチフォトニックアナライザ(浜松フォトニクス製)で測定した。その結果を表1に示す。
<Production of fluorescent lamp>
15 μm or more of the produced phosphor was removed by sieving, and mixed with ethyl cellulose and an organic binder to obtain a slurry. The slurry was applied to an anode conductor made of an ITO film having a thickness of 0.1 μm formed on a quartz glass substrate having a size of 10 × 40 × 1 mm (thickness) using a screen printing machine, and 420 ° C. in the air. Then, the binder was removed by baking for 3 hours to prepare an anode substrate on which a phosphor layer having a thickness of 15 μm was formed. Separately, a slurry made of carbon nanotubes and an organic binder was applied to an aluminum electrode (thickness 0.1 μm) formed on a 8 × 38 × 1 mm (thickness) size soda lime glass substrate with a screen printer. Then, it was baked for 1 hour at 400 in an argon gas to produce a cold cathode.
A cold cathode and an anode are installed in parallel at a distance of 10 mm, and further, a mesh-like grid electrode having the same area as the cold cathode is provided between the cold cathode and the anode at a distance of 200 μm and an oxidation as a getter in advance. Various control electrodes in which barium was vapor-deposited by 0.1 μm were installed and wired. These were inserted into a quartz glass container having a diameter of 30 mm, a length of 200 mm, and a thickness of 1 mm, and then deaerated at 380 ° C. for 4 hours while the inside was evacuated to high vacuum (10 −7 Pa). Thereafter, it was sealed with frit glass to obtain a fluorescent lamp.
While applying a grid voltage of 0.65 kV and a voltage of about 4 kV to the anode conductor, and controlling the anode current value to 100 μA, the phosphor emits light, and the emission wavelength from the anode side is measured with a multiphotonic analyzer (manufactured by Hamamatsu Photonics). It was measured. The results are shown in Table 1.

Figure 2006335914
Figure 2006335914

微小基板を用いない場合、Mg量が全体(Zn+Mg)の5%以上では、立方晶成分が析出した。粉末X線回折の結果、立方晶成分が析出した試料にはMgOが存在していた。発光ピーク波長は374nmより小さくならなかった。
一方、微小基板を用いた場合は、Mg量が増加しても、50mol%までは立方晶成分は析出しなかった。Mg量増大と共に発光ピーク波長は短波長化した。Mg量が20mol%を超えると、発光波長は350nm以下になった。Mg量が40mol%を超えると、発光波長は300nm以下になった。
In the case where the micro substrate was not used, the cubic component was precipitated when the Mg amount was 5% or more of the whole (Zn + Mg). As a result of powder X-ray diffraction, MgO was present in the sample in which the cubic component was deposited. The emission peak wavelength did not become smaller than 374 nm.
On the other hand, when the micro substrate was used, the cubic component did not precipitate up to 50 mol% even when the amount of Mg increased. The emission peak wavelength was shortened with increasing amount of Mg. When the amount of Mg exceeded 20 mol%, the emission wavelength became 350 nm or less. When the amount of Mg exceeded 40 mol%, the emission wavelength became 300 nm or less.

<蛍光体の作製>
(1)原料
第1成分としては以下のものを使用した。
ZnO:平均粒径が0.1μm
第2成分としては以下のものを使用した。
MgO:平均粒径が0.1μm
微小基板:
(a)ZnO(六方晶):直径50mm×厚さ5μmのc面成長品を粉砕して、直径20μm×厚さ5μmの微小基板とした。
(b)サファイア(六方晶):直径50mm×厚さ5μmのc面成長品を粉砕して、直径22μm×厚さ5μmの微小基板とした。
(c)GaN(六方晶):直径50mm×厚さ5μmのc面成長品を粉砕して、直径18μm×厚さ5μmの微小基板とした。
(d)AlN(六方晶):直径10mm×厚さ5μmのc面成長品を粉砕して、直径19μm×厚さ5μmの微小基板とした。
(e)SiC(六方晶):直径50mm×厚さ6μmのc面成長品を粉砕して、直径22μm×厚さ6μmの微小基板とした。
(f)SiC(立方晶):直径50mm×厚さ5μm品を粉砕して、平均粒径5μmの微小基板とした。
(g)石英ガラス(非晶質):直径20mm×厚さ5mm品を粉砕して、平均粒径5μmの微小基板とした。
<Fabrication of phosphor>
(1) Raw materials The following were used as the first component.
ZnO: average particle size of 0.1 μm
The following were used as the second component.
MgO: average particle size is 0.1 μm
Micro substrate:
(A) ZnO (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 50 mm and a thickness of 5 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 20 μm and a thickness of 5 μm.
(B) Sapphire (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 50 mm and a thickness of 5 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 22 μm and a thickness of 5 μm.
(C) GaN (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 50 mm × thickness of 5 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 18 μm × thickness of 5 μm.
(D) AlN (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 10 mm and a thickness of 5 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 19 μm and a thickness of 5 μm.
(E) SiC (hexagonal crystal): A c-plane growth product having a diameter of 50 mm and a thickness of 6 μm was pulverized to obtain a micro substrate having a diameter of 22 μm and a thickness of 6 μm.
(F) SiC (cubic crystal): A product having a diameter of 50 mm × thickness of 5 μm was pulverized to obtain a fine substrate having an average particle diameter of 5 μm.
(G) Quartz glass (amorphous): A product having a diameter of 20 mm × thickness of 5 mm was pulverized to obtain a fine substrate having an average particle diameter of 5 μm.

(2)水熱処理
濃度が5.45mol/lのKOH溶媒を100ml用意した。
オートクレーブ用容器に溶媒、原料、および上記(a)〜(g)いずれかの微小基板を装填し、密閉した後、オートクレーブに装填し、温度366℃、圧力20MPaで5時間保持した。その後、0.4℃/minの速度で100℃まで冷却した。内容物を取り出して溶媒を除去後、乾燥させて粉末を得た。粉末を粉末X線回折で同定した。
(2) Hydrothermal treatment 100 ml of KOH solvent having a concentration of 5.45 mol / l was prepared.
The solvent, the raw material, and the micro substrate of any one of the above (a) to (g) were charged in an autoclave container, and after sealing, the autoclave was charged and held at a temperature of 366 ° C. and a pressure of 20 MPa for 5 hours. Thereafter, it was cooled to 100 ° C. at a rate of 0.4 ° C./min. The contents were taken out and the solvent was removed, followed by drying to obtain a powder. The powder was identified by powder X-ray diffraction.

<蛍光ランプの作製>
作製した蛍光体の内、15μm以上を篩いで除去し、エチルセルロースと有機バインダーと混合してスラリーを得た。スラリーをスクリーン印刷機を用いて、10×40×1mm(厚さ)サイズの石英ガラス基板上に形成した膜厚が0.1μmのITO膜からなる陽極導体上に塗布し、大気中で420℃で3時間焼成してバインダーを除去し、厚さ15μmの蛍光体層が形成された陽極基板を作製した。これとは別に、8×38×1mm(厚さ)サイズのソーダライムガラス基板上に形成されたアルミ電極(厚さ0.1μm)上にカーボンナノチューブと有機バインダーからなるスラリーをスクリーン印刷機により塗布し、アルゴンガス中、400℃で1時間焼成して冷陰極を作製した。
冷陰極と陽極を10mmの距離で平行に設置し、さらに冷陰極と陽極の間に、冷陰極上200μmの距離で、冷陰極と同じ面積のメッシュ状のグリッド電極、および、予めゲッターとしての酸化バリウムを0.1μm蒸着しておいた各種の制御電極を設置して、配線した。これらを直径30mm×長さ200mm、厚みが1mmの石英ガラス製容器に挿入した後、内部を高真空(10-7Pa)に排気したまま380℃で4時間脱気処理した。その後、フリットガラスで封止して蛍光ランプを得た。
グリッド電圧を0.65kV、陽極導体に約3kVの電圧を印加し、陽極電流値を100μAに制御しながら、蛍光体を発光させ、陽極側から発光波長をマルチフォトニックアナライザ(浜松フォトニクス製)で測定した。スペクトルの累積発光面積を相対比較した。その結果を表2に示す。
<Production of fluorescent lamp>
15 μm or more of the produced phosphor was removed by sieving, and mixed with ethyl cellulose and an organic binder to obtain a slurry. The slurry was applied to an anode conductor made of an ITO film having a thickness of 0.1 μm formed on a quartz glass substrate having a size of 10 × 40 × 1 mm (thickness) using a screen printing machine, and 420 ° C. in the air. Then, the binder was removed by baking for 3 hours to prepare an anode substrate on which a phosphor layer having a thickness of 15 μm was formed. Separately, a slurry made of carbon nanotubes and an organic binder was applied to an aluminum electrode (thickness 0.1 μm) formed on a 8 × 38 × 1 mm (thickness) size soda lime glass substrate with a screen printer. And it baked at 400 degreeC in argon gas for 1 hour, and produced the cold cathode.
A cold cathode and an anode are installed in parallel at a distance of 10 mm, and further, a mesh-like grid electrode having the same area as the cold cathode is provided between the cold cathode and the anode at a distance of 200 μm and an oxidation as a getter in advance. Various control electrodes in which barium was vapor-deposited by 0.1 μm were installed and wired. These were inserted into a quartz glass container having a diameter of 30 mm, a length of 200 mm, and a thickness of 1 mm, and then deaerated at 380 ° C. for 4 hours while the inside was evacuated to high vacuum (10 −7 Pa). Thereafter, it was sealed with frit glass to obtain a fluorescent lamp.
While applying a grid voltage of 0.65 kV and a voltage of about 3 kV to the anode conductor and controlling the anode current value to 100 μA, the phosphor emits light, and the emission wavelength from the anode side is measured with a multiphotonic analyzer (manufactured by Hamamatsu Photonics). It was measured. The relative emission areas of the spectra were compared. The results are shown in Table 2.

Figure 2006335914
Figure 2006335914

微小基板の格子定数が粉末蛍光体の格子定数に近いほど発光強度が増大した。基板と粉末蛍光体の格子定数のミスフィットが大きいと、発光は長波長側へシフトした。Mg固溶が小さくなるためと推測される。また基板が六方晶のほうが強度は大きかった。
尚、格子定数のミスフィットとは下記で示される。
格子定数のミスフィット(%)=(表面層のa軸の格子定数−基板のa軸の格子定数)/基板のa軸の格子定数×100、である。
The emission intensity increased as the lattice constant of the fine substrate was closer to that of the powder phosphor. When the misfit of the lattice constant between the substrate and the powder phosphor was large, the light emission shifted to the long wavelength side. It is presumed that Mg solid solution becomes small. The strength of the hexagonal substrate was higher.
The lattice constant misfit is shown below.
Lattice constant misfit (%) = (a-axis lattice constant of surface layer−a-axis lattice constant of substrate) / a-axis lattice constant of substrate × 100.

<蛍光体の作製>
(1)原料
第1成分としては、以下のものを使用した。
Zn(NO3)2・6H2O:平均粒径が0.1μm
第2成分としては、以下のものを使用した。
Ca(NO3)2・6H2O:平均粒径が0.1μm
Sr(NO3)2・6H2O:平均粒径が0.1μm
Ba(NO3)2・6H2O:平均粒径が0.1μm
微小基板:
実施例2のサファイアと同様のものを使用した。その結果を表3に示す。
<Fabrication of phosphor>
(1) Raw material The following were used as the first component.
Zn (NO 3 ) 2 .6H 2 O: Average particle size is 0.1 μm
The following were used as the second component.
Ca (NO 3 ) 2 · 6H 2 O: Average particle size is 0.1 μm
Sr (NO 3 ) 2 · 6H 2 O: average particle size is 0.1 μm
Ba (NO 3 ) 2 · 6H 2 O: Average particle size is 0.1 μm
Micro substrate:
The same sapphire of Example 2 was used. The results are shown in Table 3.

Figure 2006335914
Figure 2006335914

表3に示すようにCaO、SrO、BaOの硝酸塩を用いても短波長発光した。   As shown in Table 3, even when CaO, SrO, or BaO nitrate was used, light was emitted at a short wavelength.

Claims (16)

少なくとも表面の全部または一部に、化学式がZn(1-x)xO(RはIIA族元素,0.05≦x)で表され、かつ六方晶構造を持つ表面層を有することを特徴とする粉末蛍光体。 It has a surface layer having a hexagonal crystal structure, the chemical formula of which is represented by Zn (1-x) R x O (R is a IIA group element, 0.05 ≦ x), at least on all or part of the surface. A powder phosphor. 前記化学式中のRがMgであることを特徴とする請求項1記載の粉末蛍光体。 2. The powder phosphor according to claim 1, wherein R in the chemical formula is Mg. 0.2<xであることを特徴とする請求項1又は2記載の粉末蛍光体。 The powder phosphor according to claim 1 or 2, wherein 0.2 <x. カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長370nmよりも小さい領域にあることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一に記載の粉末蛍光体。 4. The powder phosphor according to claim 1, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than a wavelength of 370 nm. カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長350nmよりも小さい領域にあることを特徴とする請求項4記載の粉末蛍光体。 The powder phosphor according to claim 4, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than the wavelength of 350 nm. カソードルミネッセンススペクトルにおける短波長側にピークを有するスペクトルの一部が、波長300nmよりも小さい領域にあることを特徴とする請求項5記載の粉末蛍光体。 6. The powder phosphor according to claim 5, wherein a part of the spectrum having a peak on the short wavelength side in the cathodoluminescence spectrum is in a region smaller than the wavelength of 300 nm. 前記表面層が微小基板表面に形成されていることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一に記載の粉末蛍光体。 The powder phosphor according to any one of claims 1 to 6, wherein the surface layer is formed on a surface of a minute substrate. 前記微小基板が六方晶結晶であることを特徴とする請求項7の粉末蛍光体。 The powder phosphor according to claim 7, wherein the micro substrate is a hexagonal crystal. 前記微小基板がZnO、サファイア、AlN、SiCの少なくとも一種であることを特徴とする請求項7又は8記載の粉末蛍光体。 9. The powder phosphor according to claim 7, wherein the micro substrate is at least one of ZnO, sapphire, AlN, and SiC. 前記微小基板がc軸配向していることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一に記載の粉末蛍光体。 The powder phosphor according to any one of claims 7 to 9, wherein the micro-substrate is c-axis oriented. 水熱合成法による粉末蛍光体の製造法であって、粉末状の微小基板を溶媒に分散させる工程1と、工程1の溶媒にZn,Mgを含む溶質成分を溶解させた後、所定の温度、圧力で保持して微小基板上に蛍光体を析出させる工程2を含むことを特徴とする請求項7記載の粉末蛍光体の製法。 A method for producing a powder phosphor by a hydrothermal synthesis method, in which a powdery micro-substrate is dispersed in a solvent, and a solute component containing Zn and Mg is dissolved in the solvent in step 1, and then a predetermined temperature is obtained. The method for producing a powder phosphor according to claim 7, further comprising a step 2 of depositing the phosphor on a micro substrate while being held under pressure. 前記微小基板が六方晶結晶であることを特徴とする請求項11記載の粉末蛍光体の製法。 The method for producing a powder phosphor according to claim 11, wherein the micro-substrate is a hexagonal crystal. 前記微小基板がZnO、サファイア、AlN、SiCの少なくとも一種であることを特徴とする請求項11又は12記載の粉末蛍光体の製法。 The method for producing a powder phosphor according to claim 11 or 12, wherein the micro-substrate is at least one of ZnO, sapphire, AlN, and SiC. 前記微小基板がc軸配向していることを特徴とする請求項11〜13のいずれか一に記載の粉末蛍光体の製法。 The method for producing a powder phosphor according to claim 11, wherein the micro-substrate is c-axis oriented. 熱陰極または冷陰極から放射される電子を、陽極上に形成された請求項1〜10の粉末蛍光体に衝突させることによって発光させることを特徴とする発光デバイス。 A light-emitting device that emits light by causing electrons emitted from a hot cathode or a cold cathode to collide with the powder phosphor according to claim 1 formed on the anode. 陽極電圧が5kV以下である請求項15記載の発光デバイス。 The light-emitting device according to claim 15, wherein the anode voltage is 5 kV or less.
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