JP2006332134A

JP2006332134A - White light-emitting diode

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Publication number: JP2006332134A
Application number: JP2005149971A
Authority: JP
Inventors: Ijin Jo; 偉仁徐
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 2005-05-23
Filing date: 2005-05-23
Publication date: 2006-12-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide relatively high luminous efficiency and improved color rendering properties by providing a white light-emitting diode having high color tendering properties capable of generating rays that are excited by a kind of ultraviolet light and blue light and can generate rays at three to four kinds of wavelengths. <P>SOLUTION: The white light-emitting diode at least has an excitation light source and fluorescent powder, allows the excitation light source to discharge rays at a wavelength of 258 nm-490 nm, allows the fluorescent powder to be arranged around the excitation light source, and receives rays discharged by the excitation light source. Additionally, the material of the fluorescent powder is selected from a group comprising (Ca, Sr, Ba)<SB>3</SB>Mg(SiO<SB>4</SB>)<SB>4</SB>Cl<SB>2</SB>:Eu<SP>2+</SP>, Dy<SP>3+</SP>, Mn<SP>3+</SP>. The white light-emitting diode has high luminous efficiency and improved color rendering properties. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は一種の新規な白色発光ダイオードに係り、特に、青光励起により三から四種類の波長を発生可能で高い演色性を有する白色発光ダイオードに関する。本発明の白色発光ダイオードは、本発明のけい酸ナトリウムの蛍光粉を使用し、それは完全にＹＡＧ＆ＴＡＧ材質には属さず、且つＹ，Ｔｂ，Ａｌ，Ｃｅ等の材料を含有せず、Ｃｅを発光中心とせず、本発明のけい酸ナトリウムの蛍光粉はＥｕを発光中心とし、完全にＮｉｃｈａ特許（ＹＡＧ）及びＯｓｒａｍ（ＴＡＧ）蛍光粉等の特許とは異なり、且つこれまでのＢｌｕｅ−ｃｈｉｐパッケージの演色性不良の問題を改善し、輝度を高め、ならびにＵＶ−ｃｈｉｐのパッケージの輝度を改善し、ＵＶ−ｃｈｉｐを実際のパッケージに使用できる。 The present invention relates to a kind of novel white light emitting diode, and more particularly to a white light emitting diode capable of generating three to four wavelengths by blue light excitation and having high color rendering properties. The white light emitting diode of the present invention uses the phosphor powder of sodium silicate of the present invention, which does not completely belong to the YAG & TAG material and does not contain materials such as Y, Tb, Al, Ce, and emits Ce. The fluorescent powder of sodium silicate of the present invention has Eu as the light emission center, completely different from patents such as the Nicha patent (YAG) and Osram (TAG) fluorescent powder, and the conventional Blue-chip package. The problem of poor color rendering can be improved, the brightness can be increased, and the brightness of the UV-chip package can be improved, and the UV-chip can be used in an actual package.

周知の発光ダイオード（ＬＥＤ）は半導体装置に属し、その発光チップの材料はＩＩＩ−Ｖ族化学元素、例えばＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＮ等の化合物半導体を使用し、その発光原理は電気エネルギーを光に変換するというもので、即ち化合物半導体に電流を印加し、電子と正孔の結合を通して、過剰なエネルギーを光の形式で放出させ、発光の効果を達成するのである。発光ダイオードの発光現象は過熱発光或いは放電発光でなく、冷性発光に属し、このため発光ダイオードの寿命は１０万時間以上にも達し、且つアイドリングタイム不要である。このほか、発光ダイオードは反応速度が速く（約１０^-9秒）、体積が小さく、節電でき、汚染が少なく（水銀を含有しない）、信頼度が高く、量産に適合する、等の長所を有し、このためその応用領域は十分に広い。そのうち最も注目されるのは白色発光ダイオードである。特に近年、発光ダイオードの発光効率が不断に向上されて、白色発光ダイオードはある応用領域、例えばスキャナの光源、液晶ディスプレイのバックライト、或いは照明設備等にあって、既に伝統的な蛍光灯及び白熱灯にとってかわる趨勢にある。 A well-known light-emitting diode (LED) belongs to a semiconductor device, and the material of the light-emitting chip uses a group III-V chemical element, for example, a compound semiconductor such as GaP, GaAs, GaN, etc., and its light emission principle converts electric energy into light. In other words, an electric current is applied to the compound semiconductor, and excess energy is released in the form of light through the combination of electrons and holes to achieve the light emission effect. The light emitting phenomenon of the light emitting diode belongs not to the superheated light emission or the discharge light emission but to the cold light emission. For this reason, the life of the light emitting diode reaches 100,000 hours or more and no idling time is required. In addition, the light-emitting diode has advantages such as fast reaction speed (about 10 ^-9 seconds), small volume, power saving, low contamination (contains no mercury), high reliability, and suitable for mass production. For this reason, the application area is sufficiently wide. Of these, white light emitting diodes are the most notable. In particular, in recent years, the luminous efficiency of light emitting diodes has been constantly improved, and white light emitting diodes have been used in certain application areas such as scanner light sources, liquid crystal display backlights, or lighting equipment. There is a trend to replace the light.

一般に周知の白色発光ダイオードは青光発光ダイオードチップに黄色無機蛍光粉（或いは黄色有機蛍光染料）を組み合わせて白光を発生する。そのうち、青光発光ダイオードの発生する青光波長は４４０ｎｍから４９０ｎｍの間であり、黄色無機蛍光粉が青光照射を受けた後に黄色の蛍光を発生し、且つ黄色蛍光ともとの青光が混光された後に必要な白光が得られる。このような白色発光ダイオードは製造上、上述の第一種の白色発光ダイオードより容易であり、且つ生産コストも低く、このため現在市場の白色発光ダイオードの多くがこの形式とされている。しかし、このような白色発光ダイオードの発光効率は低く、且つそれは二波長型（僅かに青光と黄光の混光を行なう）の白色発光ダイオードであり、このため演色性及び表示色温度上その他の三波長型の白色発光ダイオードのようではない。 Generally known white light emitting diodes generate white light by combining a blue light emitting diode chip with yellow inorganic fluorescent powder (or yellow organic fluorescent dye). Among them, the blue light wavelength generated by the blue light emitting diode is between 440 nm and 490 nm, the yellow inorganic fluorescent powder emits yellow fluorescence after receiving blue light irradiation, and the blue light with the yellow fluorescence is mixed. Necessary white light is obtained after being illuminated. Such white light emitting diodes are easier to manufacture than the above-mentioned first type of white light emitting diodes and are less expensive to produce, so many white light emitting diodes on the market today are of this type. However, the luminous efficiency of such a white light emitting diode is low, and it is a two-wavelength type (slightly mixed blue light and yellow light) white light emitting diode. It is not like a three-wavelength white light emitting diode.

また、近年白色発光ダイオードはＮｉｃｈｉａの所有する青光ＬＥＤとＹ₃ Ａｌ₅ Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺蛍光粉（以下ＹＡＧと称する）を使用したパッケージの特許（特許文献１、２参照）、及びＯｓｒａｍ蛍光粉Ｔｂ₃ Ａｌ₅ Ｏ₁₂：Ｃｅ³⁺（以下ＴＡＧと称する）に対する特許の制限の下で、世界で白色発光ダイオードの特許攻防戦が行なわれており、ＹＡＧ＆ＴＡＧに代わる蛍光粉を探し出して、このＮｉｃｈｉａの特許攻防戦を突破することが必要であり、また青光発光ダイオードとＹＡＧ＆ＴＡＧ蛍光粉パッケージの白色発光ダイオードの白光は演色性と表示色温度上、三波長型の白色発光ダイオードに及ばず、また最近のハイパワー発光ダイオードに対する要求、及び高い演色性に対する要求、及び高い安定性と高い発光効率の要求を鑑み、本発明は完全にＹＡＧ＆ＴＡＧ材料とは異なる本発明のけい酸ナトリウムの蛍光粉を使用し、且つＥｕを発光中心とする本発明の白色発光ダイオードを提供するものである。 In recent years, white light-emitting diodes have been patented for packages using blue light LEDs owned by Nichia and Y ₃ Al ₅ O ₁₂ : Ce ³⁺ fluorescent powder (hereinafter referred to as YAG) (see Patent Documents 1 and 2), and Osram. Under the restriction of patents for fluorescent powder Tb ₃ Al ₅ O ₁₂ : Ce ³⁺ (hereinafter referred to as TAG), a white light-emitting diode patent battle is being carried out around the world, searching for fluorescent powder to replace YAG & TAG, It is necessary to break through this Nichia patent battle, and the white light of the blue light emitting diode and the white light emitting diode of the YAG & TAG fluorescent powder package does not reach the three-wavelength white light emitting diode in terms of color rendering and display color temperature. In addition, the recent requirements for high-power light-emitting diodes, high color rendering properties, and high stability and high luminous efficiency are identified. The present invention provides a white light emitting diode of the present invention completely using fluorescent powder sodium silicate of the present invention which is different from the YAG & TAG material, and an emission center Eu.

ヨーロッパ特許ＷＯ９８／０５０７８号European patent WO 98/05078 ヨーロッパ特許ＷＯ９８／１２７５７号European patent WO 98/12757

本発明の目的は、一種の紫外光及び青光により励起され三から四種類の波長の光線を発生可能な高い演色性の白色発光ダイオードを提供し、比較的高い発光効率と良好な演色性を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a white light-emitting diode with high color rendering that can be excited by a kind of ultraviolet light and blue light to generate light of three to four wavelengths, and has a relatively high luminous efficiency and good color rendering. It is to provide.

上述の目的のために、本発明は本発明の蛍光粉を開発し、それは完全にＮｉｃｈｉａの特許（ＹＡＧ）及びＯｓｒａｍの特許（ＴＡＧ）とは異なり、そのうち蛍光粉材料はＹ，Ｔｂ，Ａｌ，Ｃｅ等の材料を含有せず、Ｃｅを発光中心としない。この本発明のけい酸ナトリウムの蛍光粉の材料はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇ，Ｃｌ，ＳｉＯ₄ 等より選択され、且つＥｕを発光中心とする。この蛍光粉の長所は以下のとおりである。即ち、けい酸ナトリウムの蛍光粉は耐水性がアルミニウム酸ナトリウムよりも良好で、透光性が高く、発光効率が高く、且つＥｕを発光体とし、衰退しにくく、Ｃｅに較べて安定している。けい酸ナトリウムの蛍光粉はＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｍｇを蛍光粉基本材料として採用し、比重が低く（新規けい酸ナトリウム蛍光粉の比重は３．４５８でありＹＡＧ＆ＴＡＧ蛍光粉の比重は４．３３）これにより新規けい酸ナトリウム蛍光粉は発光ダイオードパッケージにおいて沈降しにくく、パッケージが良好なものとなる。 For the purposes described above, the present invention has developed the fluorescent powder of the present invention, which is completely different from the Nichia patent (YAG) and the Osram patent (TAG), of which the fluorescent powder material is Y, Tb, Al, It does not contain a material such as Ce, and Ce is not the emission center. The material of the sodium silicate fluorescent powder of the present invention is selected from Ca, Sr, Ba, Mg, Cl, SiO _{4 and the} like, and Eu is the emission center. The advantages of this fluorescent powder are as follows. In other words, the sodium silicate fluorescent powder has better water resistance than sodium aluminate, high translucency, high luminous efficiency, Eu as a luminescent material, less likely to fade, and more stable than Ce. . The sodium silicate fluorescent powder employs Ca, Sr, Ba, Mg as the fluorescent powder basic material, and has a low specific gravity (the specific gravity of the new sodium silicate fluorescent powder is 3.458, and the specific gravity of the YAG & TAG fluorescent powder is 4.33. ) Thereby, the new sodium silicate fluorescent powder is less likely to settle in the light emitting diode package, and the package becomes good.

且つ本発明の蛍光粉は蛍光粉の励起波長２５０ｎｍ〜４８５ｎｍで、ＵＶ−ｃｈｉｐ及びＢｌｕｅ−ｃｈｉｐに適用され、その他の蛍光粉が小局部波長だけを吸収できるのとは異なり、その励起光の波長幅は広く、放射波長は安定し、ゆえにチップエネルギーを全て変換でき、ゆえに発光効率が高く、２５０ｎｍ〜４８５ｎｍ波長ＬＥＤパッケージに適用され、パッケージ後の色度が安定し、演色性もまた良好である。 In addition, the fluorescent powder of the present invention has an excitation wavelength of 250 nm to 485 nm, and is applied to UV-chip and Blue-chip. Unlike other fluorescent powders that can absorb only a small local wavelength, the wavelength of the excitation light is different. Wide width, stable emission wavelength, therefore all chip energy can be converted, hence high luminous efficiency, applied to 250nm-485nm wavelength LED package, stable chromaticity after packaging, and good color rendering .

本発明は一種の白色発光ダイオードを提供し、それは少なくとも励起光源、載置器、封止樹脂、及び蛍光粉を包含する。そのうち、載置器の表面に凹穴があり、励起光源が載置器の凹穴内に配置され、ならびに載置器と電気的に接続され、且つ励起光源は光線を発射し、光線の波長は２５０ｎｍ〜４９０ｎｍの間とされる。封止樹脂は載置器の上に配置され、且つ励起光源を被覆し、励起光源を載置器に固着する。このほか、蛍光粉は励起光源周囲に配置されて励起光源の発射する光線を受け取り、且つ本発明の蛍光粉材質は（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）₃ Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ²⁺，Ｄｙ³⁺，Ｍｎ³⁺からなる群より一種類或いは二種類以上が選択される。 The present invention provides a kind of white light emitting diode, which includes at least an excitation light source, a mounting device, a sealing resin, and fluorescent powder. Among them, there is a concave hole on the surface of the mounting device, the excitation light source is disposed in the concave hole of the mounting device, and is electrically connected to the mounting device, and the excitation light source emits a light beam, and the wavelength of the light beam is It is set between 250 nm and 490 nm. The sealing resin is disposed on the mounting device, covers the excitation light source, and fixes the excitation light source to the mounting device. In addition, the fluorescent powder is arranged around the excitation light source to receive the light emitted from the excitation light source, and the fluorescent powder material of the present invention is (Ca, Sr, Ba) ₃ Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu ^2+. , Dy ^3+, one kind or two or more from the group consisting of Mn ³⁺ is selected.

本発明の白色発光ダイオードは複数のボンディングワイヤを包含し、それは電気的に励起光源と載置器の間に接続される。このほか、載置器はリードフレーム或いは回路基板とされ、励起光源は発光ダイオードチップ或いはレーザーダイオードチップとされる。
本発明に記載の蛍光粉の材料は励起光源が発射する光線の波長に応じて調整可能で、そのうち、例えば光線の波長が２５０ｎｍ〜４９０ｎｍの間の時、蛍光粉の材料は（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）₃ Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ²⁺，Ｄｙ³⁺，Ｍｎ³⁺からなる群より一種類或いは二種類以上が選択される。 The white light emitting diode of the present invention includes a plurality of bonding wires, which are electrically connected between the excitation light source and the mounting device. In addition, the mounting device is a lead frame or a circuit board, and the excitation light source is a light emitting diode chip or a laser diode chip.
The material of the fluorescent powder according to the present invention can be adjusted according to the wavelength of the light emitted from the excitation light source. Among them, for example, when the wavelength of the light is between 250 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Ca, Sr, Ba) ₃ Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : One or more types are selected from the group consisting of Eu ²⁺ , Dy ³⁺ and Mn ³⁺ .

上述の蛍光粉の材料中、（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n ：，０＜ｘ≦０．８，０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦１．０，１．０≦ｍ≦６．０，０．１≦ｎ≦３．０である。このほか、Ｍｅはカルシウム、ストロンチウム、バリウムからなる群より一種類或いは二種類以上が選択され、Ｒｅはジスプロシウム、サマリウム、ツリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛からなる群のうち一種類或いは二種類以上が選択される。 Among the above-mentioned fluorescent powder materials, (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n :, 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0, 0.1 ≦ n ≦ 3.0. In addition, Me is one or more selected from the group consisting of calcium, strontium, and barium, and Re is one or more selected from the group consisting of dysprosium, samarium, thulium, magnesium, manganese, and zinc. Is done.

本発明のけい酸ナトリウム蛍光粉はＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，ＳｉＯ₄ ，Ｅｕ，Ｄｙ，Ｍｎ等の成分比率を調整することにより、緑光（Ｇｒｅｅｎ）、マゼンタ光（Ｍａｇｅｎｔａ）の蛍光粉を製造でき、及び（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 赤色蛍光粉製造にはＮａ₂ Ｓ工程を採用し、またＳｍの添加により赤色蛍光粉の発光効率と耐熱性を向上できる。及びＳｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15青光蛍光粉生産はＧｄ添加により青光蛍光粉の発光効率を２倍に増強できる。 The sodium silicate fluorescent powder of the present invention can produce green light (Green) and magenta light (Magenta) fluorescent powder by adjusting the component ratio of Ca, Sr, Mg, SiO ₄ , Eu, Dy, Mn, etc. And (Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _{0.015 The} red fluorescent powder employs a Na ₂ S process, and the addition of Sm can improve the luminous efficiency and heat resistance of the red fluorescent powder. And Sr _4.7 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15 Blue light fluorescent powder production can double the luminous efficiency of blue light fluorescent powder by adding Gd.

以上述べたことに基づき、本発明の白色発光ダイオードは発光波長が２５０ｎｍ〜４９０ｎｍの発光ダイオードチップ（或いはレーザーダイオードチップ）を励起光源とし、ならびに異なる材質の蛍光粉を組み合わせることで、黄色、赤色、緑色、青色等の異なる色の蛍光を発生し、ならびに既存の励起光源が発生する励起光と混光を行い、白光を形成する。本発明の白色発光ダイオードは三から四波長型の白色発光ダイオード及びチップとされ、それは比較的的高い発光効率と良好な演色性を有している。 Based on the above description, the white light emitting diode of the present invention uses a light emitting diode chip (or laser diode chip) having an emission wavelength of 250 nm to 490 nm as an excitation light source, and combines yellow, red, Fluorescence of different colors such as green and blue is generated and mixed with excitation light generated by an existing excitation light source to form white light. The white light emitting diode of the present invention is a three to four wavelength type white light emitting diode and chip, which has relatively high light emission efficiency and good color rendering.

請求項１の発明は、白色発光ダイオードにおいて、少なくとも、
光線を発射し、且つ該光線の波長が２５０ｎｍ〜４９０ｎｍの間である、励起光源と、該励起光源の周囲に配置されると共に、該励起光源の発射する該光線を受ける蛍光粉であって、該蛍光粉の材質は、
（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n ，（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択される、上記蛍光粉と、
を包含したことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が４４０ｎｍから４９０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項３の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が２５０ｎｍから４４０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項４の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、０＜ｘ≦０．８，０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦１．０，１．０≦ｍ≦６．０，０．１≦ｎ≦３．０であることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項５の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｍｅはカルシウム、ストロンチウム、バリウムからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項６の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｒｅはジスプロシウム、サマリウム、ツリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛からなる群より一種類以上が選択され、また、蛍光粉中にＣａ，Ｓｒ，Ｍｇ，Ｃｌ，ＳｉＯ₄ ，Ｄｙ元素が含有され、そのうちの原料粉体は金属化合物の酸化物、硝酸塩，有機金属化合物或いはその金属塩類を使用できることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項７の発明は、赤色蛍光粉であって、（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳで示され、Ｎａ₂ Ｓ工程をさいようして生産され、及びＳｍが添加されて赤色蛍光粉の発光効率及び耐熱性が増され、また赤色蛍光粉中に、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｓ，Ｃｌ，Ｅｕ，Ｓｍ元素が含有され、及びそのうちの原料粉体は金属化合物の酸化物、硝酸塩，有機金属化合物或いはその金属塩類を使用できることを特徴とする、赤色蛍光粉としている。
請求項８の発明は、青色蛍光粉であって、（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺にＧｄを添加して生産されて青色蛍光粉の発光効率が増され、（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺Ｇｄ²⁺青色蛍光粉中にＣａ，Ｓｒ，Ｂａ，ＰＯ₄ ，Ｃｌ，Ｅｕ，Ｇｄ元素が含有され、そのうちの原料粉体は金属化合物の酸化物、硝酸塩，有機金属化合物或いはその金属塩類を使用できることを特徴とする、青色蛍光粉としている。
請求項９の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、励起光源が発光ダイオードチップ及びレーザーダイオードチップのいずれかとされたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１０の発明は、白色発光ダイオードにおいて、少なくとも、
表面に凹穴凸塊或いは平面凸塊を具え、出光効率を高めて発光効率を高めることができる載置器と、
該載置器の該凹穴凸塊内或いは平面凸塊上に配置され、ならびに該載置器と電気的に接続され、波長が２５０ｎｍから４９０ｎｍの間の波長の光線を発射する励起光源と、
該載置器上に配置されて該励起光源を被覆して該励起光源を該載置器に固着する封止樹脂と、
該封止樹脂内に配置されならびに該励起光源の発射した光を受ける蛍光粉であって、その材質が、（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n ，（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択される、上記蛍光粉と、
を包含したことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１１の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、複数のボンディングワイヤを更に包含し、且つこれらボンディングワイヤが励起光源と載置器の間に電気的に接続されたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１２の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、載置器がリードフレーム及び回路基板のいずれかとされたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１３の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、励起光源が発光ダイオードチップ及びレーザーダイオードチップのいずれかとされたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１４の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が４４０ｎｍから４９０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１５の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が２５０ｎｍから４４０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１６の発明は、請求項１記載の白色発光ダイオードにおいて、０＜ｘ≦０．８，０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦１．０，１．０≦ｍ≦６．０，０．１≦ｎ≦３．０であることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１７の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｍｅはカルシウム、ストロンチウム、バリウムからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１８の発明は、請求項１０記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｒｅはプラセオジム、ルビジウム、サマリウム、ジスプロシウム、ホルミウム、イットリウム、エルビウム、ユーロピウム、ツリウム、イッテルビウム、ガドリニウム、マグネシウム、マンガンからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項１９の発明は、白色発光ダイオードにおいて、
光線を発射し、該光線の波長が２５０ｎｍから４９０ｎｍの間である該発光ダイオードチップと蛍光粉層とを具え、該発光ダイオードチップが、少なくとも、
基板と、
該基板の上方に導電バッファ層を介して位置するダイ層と、
該導電バッファ層と接触しコンタクト層上に位置する陽極電極と、
該導電バッファ層と接触し、ならびに第一と第二クラッド層、発光層、該コンタクト層、及び該陽極電極と隔離された陰極電極と、を具え、
該蛍光粉層は該発光ダイオードチップの周囲に配置され、ならびに発光ダイオードチップの発射する光線を受け取り、該蛍光粉層の材料は、
（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n ，（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２０の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が４４０ｎｍから４９０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２１の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、前記光線の波長が２５０ｎｍから４４０ｎｍの間の時、蛍光粉の材質は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n 及び（Ｍｅ_1-x Ｅｕ_x ）ＲｅＳ及び（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺ からなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２２の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、０＜ｘ≦０．８，０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦１．０，１．０≦ｍ≦６．０，０．１≦ｎ≦３．０であることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２３の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｍｅはカルシウム、ストロンチウム、バリウムからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２４の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、Ｒｅはプラセオジム、ルビジウム、サマリウム、ジスプロシウム、ホルミウム、イットリウム、エルビウム、ユーロピウム、ツリウム、イッテルビウム、ガドリニウム、マグネシウム、マンガンからなる群より一種類以上が選択されることを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２５の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、基板の凹穴内に凹穴凸塊が設けられて発光ダイオードチップを載置したことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２６の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、蛍光粉層の厚さが０．５ｍｍ〜３．０ｍｍとされたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。
請求項２７の発明は、請求項１９記載の白色発光ダイオードにおいて、基板の材料が、サファイヤ、炭化シリコン、酸化亜鉛、シリコン基板、りん化ガリウム、砒素化ガリウムのいずれかとされたことを特徴とする、白色発光ダイオードとしている。 The invention of claim 1 is the white light emitting diode, at least,
An excitation light source that emits light and has a wavelength between 250 nm and 490 nm; and a fluorescent powder that is disposed around the excitation light source and that receives the light emitted by the excitation light source, The material of the fluorescent powder is
_{_{(Me 1-xy Eu x Re}} y) 8 Mg z (SiO 4) m, Cl n, (Me 1-x Eu x) ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 One or more types selected from the group consisting of Cl: Eu ²⁺ , Gd ²⁺ ,
A white light-emitting diode characterized by including
According to a second aspect of the invention, in the white light emitting diode according to the first aspect, when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄ ) The white light emitting diode is characterized in that one or more kinds are selected from the group consisting of _m , Cl _n and (Me _1-x Eu _x ) ReS.
According to a third aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the first aspect, when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄₎ _m, Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, one kind from the group consisting of Gd ²⁺ The white light emitting diode is characterized in that the above is selected.
The invention of claim 4 is the white light emitting diode according to claim 1, wherein 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0. , 0.1 ≦ n ≦ 3.0, a white light emitting diode is provided.
The invention of claim 5 is the white light-emitting diode according to claim 1, wherein Me is selected from the group consisting of calcium, strontium and barium.
The invention of claim 6 is the white light-emitting diode according to claim 1, wherein Re is selected from the group consisting of dysprosium, samarium, thulium, magnesium, manganese, zinc, and Ca, Sr in the fluorescent powder , Mg, Cl, SiO ₄ , and Dy elements, among which the raw material powders can use metal compound oxides, nitrates, organometallic compounds, or metal salts thereof to form a white light emitting diode.
The invention of claim 7 is a red fluorescent powder, which is represented by (Me _1-x Eu _x ) ReS, is produced through the Na ₂ S process, and light emission of the red fluorescent powder is performed by adding Sm. Efficiency and heat resistance are increased, and red fluorescent powder contains Ca, Sr, Ba, S, Cl, Eu, and Sm elements, and raw material powders thereof are metal compound oxides, nitrates, organometallics. A red fluorescent powder is characterized in that a compound or a metal salt thereof can be used.
The invention of claim 8 is a blue fluorescent _{powder, (Ca 1-xy, Sr} x, Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: is produced by adding Gd to Eu ²⁺ and blue fluorescent powder luminous efficiency is _{masa, (Ca 1-xy, Sr} x, Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+ Gd 2+ Ca in the blue _{phosphor, Sr, Ba, PO 4,} Cl, Eu, Gd element is contained, and the raw material powder is a blue fluorescent powder characterized in that an oxide, nitrate, organometallic compound or metal salt thereof can be used.
The invention of claim 9 is the white light emitting diode according to claim 1, wherein the excitation light source is either a light emitting diode chip or a laser diode chip.
The invention of claim 10 is a white light emitting diode, at least,
A mounting device that has concave or convex protrusions on the surface, and can increase light emission efficiency and light emission efficiency;
An excitation light source disposed in or on the convex bulge of the mounting device and electrically connected to the mounting device to emit light having a wavelength between 250 nm and 490 nm;
A sealing resin disposed on the mounting device to cover the excitation light source and fix the excitation light source to the mounting device;
A fluorescent powder disposed in the sealing resin and receiving light emitted from the excitation light source, the material of which is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n , _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, one or more from the group consisting of Gd ²⁺ is selected, the With fluorescent powder,
A white light-emitting diode characterized by including
The invention of claim 11 is the white light emitting diode according to claim 10, further comprising a plurality of bonding wires, and these bonding wires are electrically connected between the excitation light source and the mounting device. The white light emitting diode is used.
A twelfth aspect of the present invention is the white light emitting diode according to the tenth aspect, wherein the mounting device is one of a lead frame and a circuit board.
A thirteenth aspect of the present invention is the white light emitting diode according to the tenth aspect, wherein the excitation light source is either a light emitting diode chip or a laser diode chip.
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the tenth aspect, when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄ ) The white light emitting diode is characterized in that one or more kinds are selected from the group consisting of _m , Cl _n and (Me _1-x Eu _x ) ReS.
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the tenth aspect, when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄₎ _m, Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, one kind from the group consisting of Gd ²⁺ The white light emitting diode is characterized in that the above is selected.
The invention of claim 16 is the white light emitting diode according to claim 1, wherein 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0. , 0.1 ≦ n ≦ 3.0, a white light emitting diode is provided.
The invention of claim 17 is the white light emitting diode according to claim 10, wherein Me is selected from the group consisting of calcium, strontium and barium.
The invention according to claim 18 is the white light emitting diode according to claim 10, wherein Re is one kind from the group consisting of praseodymium, rubidium, samarium, dysprosium, holmium, yttrium, erbium, europium, thulium, ytterbium, gadolinium, magnesium, manganese. The white light emitting diode is characterized in that the above is selected.
The invention of claim 19 is the white light emitting diode,
Emitting a light beam, the light emitting diode chip having a wavelength of the light beam between 250 nm and 490 nm and a fluorescent powder layer, the light emitting diode chip comprising at least:
A substrate,
A die layer located above the substrate via a conductive buffer layer;
An anode electrode in contact with the conductive buffer layer and located on the contact layer;
A cathode electrode in contact with the conductive buffer layer, and first and second cladding layers, a light emitting layer, the contact layer, and a cathode electrode isolated from the anode electrode;
The fluorescent powder layer is disposed around the light emitting diode chip, and receives a light beam emitted from the light emitting diode chip.
_{_{(Me 1-xy Eu x Re}} y) 8 Mg z (SiO 4) m, Cl n, (Me 1-x Eu x) ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 The white light emitting diode is characterized in that one or more types are selected from the group consisting of Cl: Eu ²⁺ and Gd ²⁺ .
According to a twentieth aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the nineteenth aspect, when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄ ) The white light emitting diode is characterized in that one or more kinds are selected from the group consisting of _m , Cl _n and (Me _1-x Eu _x ) ReS.
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the nineteenth aspect, when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO 2 ₄₎ _m, Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, one kind from the group consisting of Gd ²⁺ The white light emitting diode is characterized in that the above is selected.
The invention of claim 22 is the white light emitting diode according to claim 19, wherein 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0. , 0.1 ≦ n ≦ 3.0, a white light emitting diode is provided.
The invention of claim 23 is the white light emitting diode according to claim 19, wherein Me is selected from the group consisting of calcium, strontium and barium.
The invention of claim 24 is the white light-emitting diode according to claim 19, wherein Re is one type from the group consisting of praseodymium, rubidium, samarium, dysprosium, holmium, yttrium, erbium, europium, thulium, ytterbium, gadolinium, magnesium, manganese The white light emitting diode is characterized in that the above is selected.
According to a twenty-fifth aspect of the present invention, in the white light-emitting diode according to the nineteenth aspect, the white light-emitting diode is characterized in that a concave-convex projection is provided in the concave hole of the substrate and a light-emitting diode chip is placed.
The invention of claim 26 is the white light emitting diode according to claim 19, wherein the fluorescent powder layer has a thickness of 0.5 mm to 3.0 mm.
According to a twenty-seventh aspect of the present invention, in the white light emitting diode according to the nineteenth aspect, the material of the substrate is any one of sapphire, silicon carbide, zinc oxide, a silicon substrate, gallium phosphide, and gallium arsenide. , White light emitting diode.

本発明の特徴は波長が２５０ｎｍから４９０ｎｍの間の励起光源により、異なる色の光線を放射する蛍光粉に対して励起動作を行い、これにより励起光の波長（周波数）の違いにより、励起される蛍光粉材料も異なる。周知の二波長型の白色発光ダイオードと比較すると、本発明の三波長から四波長型の白色発光ダイオードは比較的高い発光効率と良好な演色性を有している。このほか、周知の複数の発光ダイオードチップを使用して混光を行なう白色発光ダイオードと較べると、本発明の白色発光ダイオードは比較的低い生産コストと比較的快速な生産速度を有する。 A feature of the present invention is that an excitation light source having a wavelength between 250 nm and 490 nm is used to excite fluorescent powders that emit light of different colors, thereby being excited by the difference in wavelength (frequency) of the excitation light. The fluorescent powder material is also different. Compared with a known two-wavelength white light emitting diode, the three-wavelength to four-wavelength white light-emitting diode of the present invention has a relatively high light emission efficiency and good color rendering. In addition, the white light emitting diode of the present invention has a relatively low production cost and a relatively fast production speed as compared with a white light emitting diode that mixes light using a plurality of known light emitting diode chips.

注意すべきことは、本発明の白色発光ダイオードの励起光源は、上述の実施例の発光ダイオードチップのほか、レーザーダイオード等その他の励起光源も包含することである。このほか、本発明の精神範囲より逸脱しなければ、本発明の蛍光粉の配合比及びその選択する材質は、必要な出力光の性質（例えば色或いは輝度）及び励起光源の波長等の外在条件により変更可能であり、本発明の白色発光ダイオードは更に蛍光粉の材質の配合調整により、特定輝度或いは色の出力光を出力でき、これによりフルカラー系列の発光ダイオードに発展させることができる。 It should be noted that the excitation light source of the white light emitting diode of the present invention includes other excitation light sources such as a laser diode in addition to the light emitting diode chip of the above-described embodiment. In addition, the composition ratio of the fluorescent powder of the present invention and the material to be selected may be determined according to the nature of the output light (for example, color or luminance) and the wavelength of the excitation light source, etc., unless departing from the spirit of the present invention. The white light emitting diode of the present invention can be changed according to conditions, and can further output an output light having a specific luminance or color by adjusting the composition of the fluorescent powder material, thereby developing a full color series light emitting diode.

本発明の蛍光粉合成は以下の実施例を包含する：
実施例一（緑色蛍光粉固相反応法）：
一：化学計量比により５．０グラムの炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）、１．８３グラムの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、０．５８６０グラムの酸化ユーロピウム（Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）と０．４１４１グラムの酸化ジスプロシウム（Ｄｙ₂ Ｏ₃ ）、１．１１８５グラムの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を取り、計った原料を研磨方式で均一に混合する。さらに適量のＨＣｌを加える。それに形成させる配合は、
Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08
である。
二．混合物を坩堝中に置き、ならびに窒素ガス中で摂氏５度／分の昇温速度で摂氏１２００度まで加熱し、か焼（ｃａｌｃｉａｔｉｏｎｓ）する。６時間後に摂氏５度／分の降温速度で室温まで冷却する。
三．か焼後の粉末を研磨し、さらに坩堝中に置き空気中で摂氏１２００度で５時間焼結（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）し、焼結工程の昇温速度は摂氏５度／分である。
四．焼結後の粉末を研磨し、更にＨ₂ ／Ｎ₂ （１５％／８５％）の還元ガス雰囲気中で摂氏１０００度で６時間還元（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）する。これがサンプル中のＥｕ³⁺イオンを還元してＥｕ²⁺となし、これによりその発光輝度を高め、ゆえにこの工程は情況により決定され、絶対に必要な工程というわけではない。
凡例１：Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08励起スペクトル及び放射スペクトル（図９）。
凡例２：同時にユーロピウムとジスプロシウムを添加した緑色蛍光体
Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08のＸＲＤスペクトル（図１０）。
凡例３：Ｃａ_7.6 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.32Ｄｙ_0.06励起スペクトル及び放射スペクトル（図１１）。 The fluorescent powder synthesis of the present invention includes the following examples:
Example 1 (green fluorescent powder solid phase reaction method):
1: 5.0 grams of calcium carbonate (CaCO ₃ ), 1.83 grams of silicon dioxide (SiO ₂ ), 0.5860 grams of europium oxide (Eu ₂ O ₃ ) and 0.4141 grams of oxidation by chemical metric ratio Dysprosium (Dy ₂ O ₃ ), 1.1185 grams of magnesium oxide (MgO) are taken, and the measured raw materials are uniformly mixed by a polishing method. Add an appropriate amount of HCl. The formulation it forms is
Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _0.08
It is.
two. The mixture is placed in a crucible and heated to 1200 degrees Celsius at a rate of temperature increase of 5 degrees Celsius / minute in nitrogen gas and calcined. After 6 hours, cool to room temperature at a rate of 5 ° C / min.
three. The calcined powder is polished, placed in a crucible and sintered in air at 1200 degrees Celsius for 5 hours, and the heating rate in the sintering process is 5 degrees Celsius / minute.
Four. The sintered powder is polished and further reduced at 1000 degrees Celsius for 6 hours in a reducing gas atmosphere of H ₂ / N ₂ (15% / 85%). This reduces Eu ³⁺ ions in the sample to Eu ²⁺ , thereby increasing its emission brightness, so this process is determined by the situation and is not an absolutely necessary process.
Legend 1: Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _0.08 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 9).
Legend 2: XRD spectrum of green phosphor Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _0.08 to which europium and dysprosium are added simultaneously (FIG. 10).
Legend 3: Ca _7.6 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.32 Dy _0.06 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 11).

実施例二（マゼンタ（Ｍａｇｅｎｔａ）色蛍光粉固相反応法）：
一：化学計量比により５．０グラムの炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ₃ ）、０．９９７０グラムの炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）、３．２９グラムの二酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、１．０５１５グラムの酸化ユーロピウム（Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）と１．１４５グラムの酸化マンガン（Ｍｎ₂ Ｏ₃ ）、２．００７グラムの酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を取り、計った原料を研磨方式で均一に混合する。さらに適量のＨＣｌを加える。それに形成させる配合は、
（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2
である。
二．混合物を坩堝中に置き、ならびに窒素ガス中で摂氏５度／分の昇温速度で摂氏１２５０度まで加熱し、か焼（ｃａｌｃｉａｔｉｏｎｓ）する。６時間後に摂氏５度／分の降温速度で室温まで冷却する。
三．か焼後の粉末を研磨し、さらに坩堝中に置き空気中で摂氏１２５０度で５時間焼結（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）し、焼結工程の昇温速度は摂氏５度／分である。
四．焼結後の粉末を研磨し、更にＨ₂ ／Ｎ₂ （１５％／８５％）の還元ガス雰囲気中で摂氏１０００度で６時間還元（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）する。これによりサンプル中のＥｕ³⁺イオンが還元されＥｕ²⁺となり、これによりその発光輝度が高められ、ゆえにこの工程は情況により決定され、絶対に必要な工程というわけではない。
凡例４：（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 励起スペクトル及び放射スペクトル（図１２）。
凡例５：同時にユーロピウムとマンガンを添加したマゼンタ色蛍光体
（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 のＸＲＤスペクトル（図１３）。
凡例６：（Ｓｒ_7.28Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.32Ｍｎ_0.2 励起スペクトル及び放射スペクトル（図１４）。 Example 2 (Magenta color fluorescent solid phase reaction method):
1: 5.0 grams of strontium carbonate (SrCO ₃ ), 0.9970 grams of calcium carbonate (CaCO ₃ ), 3.29 grams of silicon dioxide (SiO ₂ ), 1.0515 grams of europium oxide (by chemical ratio) Eu ₂ O ₃ ), 1.145 grams of manganese oxide (Mn ₂ O ₃ ), and 2.007 grams of magnesium oxide (MgO) are taken, and the measured raw materials are uniformly mixed by a polishing method. Add an appropriate amount of HCl. The formulation it forms is
_{_{(Sr 7.48 Ca 0.2) Mg (}} SiO 4) 4 Cl 2: Eu 0.12 Mn 0.2
It is.
two. The mixture is placed in a crucible and heated to 1250 degrees Celsius at a heating rate of 5 degrees Celsius / minute in nitrogen gas and calcined. After 6 hours, cool to room temperature at a rate of 5 ° C / min.
three. The calcined powder is polished, placed in a crucible and sintered in air at 1250 degrees Celsius for 5 hours, and the heating rate of the sintering process is 5 degrees Celsius / minute.
Four. The sintered powder is polished and further reduced at 1000 degrees Celsius for 6 hours in a reducing gas atmosphere of H ₂ / N ₂ (15% / 85%). As a result, Eu ³⁺ ions in the sample are reduced to Eu ²⁺ , thereby increasing the luminance of the light emission. Therefore, this step is determined by the situation and is not an absolutely necessary step.
Legend _{_{4: (Sr 7.48 Ca 0.2)}} Mg (SiO 4) 4 Cl 2: Eu 0.12 Mn 0.2 excitation spectrum and emission spectrum (Fig. 12).
Legend 5: magenta phosphors doped with europium and manganese simultaneously _{_{(Sr 7.48 Ca 0.2) Mg (}} SiO 4) 4 Cl 2: XRD spectra of Eu _0.12 Mn _0.2 (Figure 13).
Legend 6: (Sr _7.28 Ca _0.2 ) Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.32 Mn _0.2 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 14).

実施例三（赤色蛍光粉固相反応法）：
一：化学計量比により０．８０５９グラムの炭酸カルシウム（ＣａＣＯ₃ ）、５．０グラムの炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ₃ ）、３．６９４５グラムの硫化ナトリウム（Ｎａ₂ Ｓ）、１．６６６８グラムの酸化ユーロピウム（Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）と０．３８１２グラムの酸化サマリウム（Ｓｍ₂ Ｏ₃ ）を取り、計った原料を研磨方式で均一に混合する。それに形成させる配合は、
（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015
である。
二．混合物を坩堝中に置き、Ｈ₂ ／Ｎ₂ （１５％／８５％）の還元ガス雰囲気中で摂氏１１００度でか焼と還元を６時間進行する。その後、摂氏５度／分の降温速度で室温まで冷却する。
三．焼結後の粉末を、更にＨ₂ ／Ｎ₂ （１５％／８５％）の還元ガス雰囲気中で摂氏１１００度で６時間還元する。これによりサンプル中のＥｕ³⁺イオンが還元されＥｕ²⁺となり、その発光輝度が高められ、ゆえにこの工程は情況により決定され、絶対に必要な工程というわけではない。
四．赤色蛍光粉生産にはＮａ₂ Ｓ工程を採用し、またＳｍの添加により赤色蛍光粉の降温速度と耐熱性が向上する。
凡例７：（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 励起スペクトル及び放射スペクトル（図１５）。
凡例８：同時にユーロピウムとサマリウムを添加した赤色蛍光体
（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 のＸＲＤスペクトル（図１６）。
凡例９：（Ｓｒ_0.35Ｃａ_0.6 ）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 励起スペクトル及び放射スペクトル（図１７）。 Example 3 (red fluorescent powder solid phase reaction method):
1: 0.8059 grams calcium carbonate (CaCO ₃ ), 5.0 grams strontium carbonate (SrCO ₃ ), 3.6945 grams sodium sulfide (Na ₂ S), 1.6668 grams europium oxide by chemical ratio (Eu ₂ O ₃ ) and 0.3812 grams of samarium oxide (Sm ₂ O ₃ ) are taken and the measured raw materials are uniformly mixed by a polishing method. The formulation it forms is
(Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015
It is.
two. The mixture is placed in a crucible, and calcination and reduction proceed for 6 hours at 1100 degrees Celsius in a reducing gas atmosphere of H ₂ / N ₂ (15% / 85%). Thereafter, it is cooled to room temperature at a temperature decrease rate of 5 degrees Celsius / minute.
three. The sintered powder is further reduced at 1100 degrees Celsius for 6 hours in a reducing gas atmosphere of H ₂ / N ₂ (15% / 85%). As a result, Eu ³⁺ ions in the sample are reduced to Eu ²⁺ and their emission brightness is increased. Therefore, this step is determined by the situation and is not an absolutely necessary step.
Four. The production of red fluorescent powder employs a Na ₂ S process, and the addition of Sm improves the temperature drop rate and heat resistance of the red fluorescent powder.
Legend 7: (Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 15).
Legend 8: XRD spectrum of red phosphor (Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 simultaneously added with europium and samarium (FIG. 16).
Legend 9: (Sr _0.35 Ca _0.6 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 17).

実施例四（青色蛍光粉固相反応法）：
一：化学計量比により５．０グラムの炭酸ストロンチウム（ＳｒＣＯ₃ ）、０．３５７５グラムの酸化ユーロピウム（Ｅｕ₂ Ｏ₃ ）、０．３６８３グラムの酸化ガドリニウム（Ｇｄ₂ Ｏ₃ ）を取り、計った原料を研磨方式で均一に混合する。さらに適量のＨＣｌを加える。それに形成させる配合は、
Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15
である。
二．混合物を坩堝中に置き、ならびに窒素ガス中で摂氏５度／分の昇温速度で摂氏１２５０度まで加熱し、か焼（ｃａｌｃｉａｔｉｏｎｓ）する。６時間後に摂氏５度／分の降温速度で室温まで冷却する。
三．か焼後の粉末を研磨し、さらに坩堝中に置き空気中で摂氏１２５０度で５時間焼結（ｓｉｎｔｅｒｉｎｇ）し、焼結工程の昇温速度は摂氏５度／分である。
四．焼結後の粉末を研磨し、更にＨ₂ ／Ｎ₂ （１５％／８５％）の還元ガス雰囲気中で摂氏１０００度で６時間還元（ｒｅｄｕｃｔｉｏｎ）する。これによりサンプル中のＥｕ³⁺イオンが還元されＥｕ²⁺となり、これによりその発光輝度が高められ、ゆえにこの工程は情況により決定され、絶対に必要な工程というわけではない。
五．青色蛍光粉生産にＧｄを加え、青色蛍光粉の発光効率を高める。
凡例１０：Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15 励起スペクトル及び放射スペクトル（図１８）。
凡例１１：同時にユーロピウムとガドリニウムを添加した青色蛍光体
Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15 のＸＲＤスペクトル（図１９）。
凡例１２：Ｓｒ_4.85（ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15励起スペクトル及び放射スペクトル（図２０）。 Example 4 (blue fluorescent powder solid-phase reaction method):
1: Take and measure 5.0 grams of strontium carbonate (SrCO ₃ ), 0.3575 grams of europium oxide (Eu ₂ O ₃ ), 0.3683 grams of gadolinium oxide (Gd ₂ O ₃ ) by chemical metric ratio The raw materials are uniformly mixed by a polishing method. Add an appropriate amount of HCl. The formulation it forms is
Sr _4.7 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15
It is.
two. The mixture is placed in a crucible and heated to 1250 degrees Celsius at a heating rate of 5 degrees Celsius / minute in nitrogen gas and calcined. After 6 hours, cool to room temperature at a rate of 5 ° C / min.
three. The calcined powder is polished, placed in a crucible and sintered in air at 1250 degrees Celsius for 5 hours, and the heating rate of the sintering process is 5 degrees Celsius / minute.
Four. The sintered powder is polished and further reduced at 1000 degrees Celsius for 6 hours in a reducing gas atmosphere of H ₂ / N ₂ (15% / 85%). As a result, Eu ³⁺ ions in the sample are reduced to Eu ²⁺ , thereby increasing the luminance of the light emission. Therefore, this step is determined by the situation and is not an absolutely necessary step.
Five. Gd is added to blue fluorescent powder production to increase the luminous efficiency of the blue fluorescent powder.
Legend 10: Sr _4.7 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 18).
Legend 11: XRD spectrum of blue phosphor Sr _4.7 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15 simultaneously added with europium and gadolinium (FIG. 19).
Legend 12: Sr _4.85 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 excitation spectrum and emission spectrum (FIG. 20).

図１は本発明の白色発光ダイオードの表示図である。この白色発光ダイオード１００は、リードフレーム１１０、発光ダイオードチップ１２０及び封止樹脂１３０を包含する。そのうち、リードフレーム１１０は第１接点１１２ａ、第２接点１１２ｂ及び凹穴１１０ａを具え、且つ発光ダイオードチップ１２０は接着剤１４０で凹穴１１０ａ内に配置される。このほか、発光ダイオードチップ１２０は陽極電極１２２ａと陰極電極１２２ｂを具え、それらはそれぞれボンディングワイヤ１５０によりリードフレーム１１０の第１接点１１２ａと第２接点１１２ｂに電気的に接続され、封止樹脂１３０は発光ダイオードチップ１２０の上を被覆し、発光ダイオードチップ１２０を凹穴１１０ａ内に固着させている。 FIG. 1 is a display diagram of a white light emitting diode of the present invention. The white light emitting diode 100 includes a lead frame 110, a light emitting diode chip 120, and a sealing resin 130. The lead frame 110 includes a first contact 112a, a second contact 112b, and a recessed hole 110a, and the light emitting diode chip 120 is disposed in the recessed hole 110a with an adhesive 140. In addition, the light emitting diode chip 120 includes an anode electrode 122a and a cathode electrode 122b, which are electrically connected to the first contact 112a and the second contact 112b of the lead frame 110 by bonding wires 150, respectively. The upper surface of the light emitting diode chip 120 is covered, and the light emitting diode chip 120 is fixed in the recessed hole 110a.

図１に示されるように、発光ダイオードチップ１２０は励起光１２４を発射し、封止樹脂１３０内には蛍光粉１３２がドープされている。そのうち一部の励起光１２４は直接封止樹脂１３０を透過して射出され、その他の部分の励起光１２４は蛍光粉１３２に照射される。そのうち、励起光１２４の照射を受けた後、蛍光粉１３２内の蛍光物質が励起され、電子エネルギーレベルの躍進を発生し、これにより蛍光１３４を発射し、最後に励起光１２４と蛍光１３４が混光されることで、白色発光ダイオード１００が白光を射出する。 As shown in FIG. 1, the light emitting diode chip 120 emits excitation light 124, and fluorescent powder 132 is doped in the sealing resin 130. Among them, a part of the excitation light 124 is directly transmitted through the sealing resin 130 and emitted, and the other part of the excitation light 124 is irradiated to the fluorescent powder 132. Among them, after being irradiated with the excitation light 124, the fluorescent substance in the fluorescent powder 132 is excited to generate a jump in the electron energy level, thereby emitting the fluorescence 134. Finally, the excitation light 124 and the fluorescence 134 are mixed. By being illuminated, the white light emitting diode 100 emits white light.

このほか、上述のリードフレームの代わりに、本発明の白色発光ダイオードは回路基板を使用することができる。図２は本発明の別の種類の白色発光ダイオードの表示図である。白色発光ダイオード２００ａは回路基板２１０、発光ダイオードチップ２２０、及び封止樹脂２３０を包含し、そのうち、且つ発光ダイオードチップ２２０は接着剤２４０で回路基板２１０の凹穴２１０ａ内の凹穴凸塊或いは平面凸塊２１０ｂ上に配置され、ならびにワイヤボンディングにより回路基板２１０と電気的に接続される。封止樹脂２３０封止樹脂２３０内には蛍光粉２３２がドープされ、且つ封止樹脂２３０は発光ダイオードチップ２２０の上を被覆する。上述の関係部品の詳細な作用とその接続関係は図１中に描かれる実施例と類似するため、重複する説明は省略するので図１の関係説明を参照されたい。図３、４、５はまた別の種類の白色発光ダイオードの表示図である。白色発光ダイオード２００ｂと白色発光ダイオード２００ｃは発光ダイオードフリップチップパッケージに用いられる。 In addition, a circuit board can be used for the white light emitting diode of the present invention instead of the above lead frame. FIG. 2 is a display diagram of another type of white light emitting diode of the present invention. The white light emitting diode 200 a includes a circuit board 210, a light emitting diode chip 220, and a sealing resin 230, and the light emitting diode chip 220 is an adhesive 240 with a concave or convex block or a flat surface in the concave hole 210 a of the circuit board 210. It arrange | positions on the convex block 210b, and is electrically connected with the circuit board 210 by wire bonding. The sealing resin 230 is doped with the fluorescent powder 232, and the sealing resin 230 covers the light emitting diode chip 220. Since the detailed operation of the above-mentioned related parts and the connection relationship thereof are similar to those of the embodiment depicted in FIG. 1, the overlapping description is omitted, so refer to the relationship description of FIG. 3, 4, and 5 are display diagrams of another type of white light emitting diode. The white light emitting diode 200b and the white light emitting diode 200c are used in a light emitting diode flip chip package.

このほか、上述の図中にはいずれも二つの電極が共にチップ上部に位置する発光ダイオードチップが描かれているが、実際の運用上は、本発明の凹穴２１０ａ内の凹穴凸塊或いは平面凸塊２１０ｂが出光効率を高めて発光効率を高めるため、二つの電極がチップの上部と底部に位置する発光ダイオードチップを採用でき、且つ電極位置の違いにより、発光ダイオードチップとリードフレーム（又は回路基板）の間の接続方式も違いがある。 In addition, in each of the above drawings, a light emitting diode chip in which two electrodes are both located on the top of the chip is depicted. However, in actual operation, Since the planar convex block 210b increases the light emission efficiency and the light emission efficiency, a light emitting diode chip in which two electrodes are located at the top and bottom of the chip can be adopted, and the light emitting diode chip and the lead frame (or the difference between the electrode positions) There is also a difference in the connection method between the circuit boards.

図５から図８は本発明が採用する発光ダイオード白光ダイの側面断面及び平面実施例図である。それは、回路基板ベース３１０、発光ダイオードチップ層３３０及び蛍光粉層３４０を包含し、この発光ダイオードチップ層３３０はコンタクト層３５０を介して回路基板ベース３１０表層の陽極電極３２０及び陰極電極３６０と電気的に接続されている。また、白光ダイ蛍光粉層３４０の厚さは０．５ｍｍ〜３．０ｍｍ内にあって出光効率を高めることができ、これにより発光効率を高めることができる。 5 to 8 are a side sectional view and a plan view of a light emitting diode white light die employed by the present invention. It includes a circuit board base 310, a light emitting diode chip layer 330, and a fluorescent powder layer 340. The light emitting diode chip layer 330 is electrically connected to the anode electrode 320 and the cathode electrode 360 on the surface layer of the circuit board base 310 through a contact layer 350. It is connected to the. Further, the thickness of the white light die fluorescent powder layer 340 is in the range of 0.5 mm to 3.0 mm, so that the light emission efficiency can be increased, and thereby the light emission efficiency can be increased.

本発明の特徴により、上述の発光ダイオードチップの発射する励起光の波長は例えば２５０ｎｍ〜４９０ｎｍの間とされ、蛍光粉は例えば緑光蛍光粉、マゼンタ色蛍光粉、及び赤光蛍光粉、及び青色蛍光粉を包含する。そのうち、緑光及びマゼンタ色蛍光粉の材料は、（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）₈ Ｍｇ_z （ＳｉＯ₄ ）_m ，Ｃｌ_n ：からなる群より一種類或いは二種類以上が選択される。赤色蛍光粉の材料は（Ｍｅ_1-x-y Ｅｕ_x Ｒｅ_y ）Ｓ：．．．からなる群より一種類が選択される。青色蛍光粉の材料は、（Ｃａ_1-x-y ，Ｓｒ_x ，Ｂａ_y ）₅ （ＰＯ₄ ）₃ Ｃｌ：Ｅｕ²⁺，Ｇｄ²⁺からなる群より一種類が選択される。０＜ｘ≦０．８，０≦ｙ≦２．０，０≦ｚ≦１．０，１．０≦ｍ≦６．０，０．１≦ｎ≦３．０である。このほか、Ｍｅはカルシウム、ストロンチウム、バリウムからなる群より一種類が選択され、Ｒｅはジスプロシウム、サマリウム、ツリウム、マグネシウム、マンガン、亜鉛からなる群のうち一種類或いは二種類以上が選択される。 According to the characteristics of the present invention, the wavelength of the excitation light emitted by the above-described light emitting diode chip is, for example, between 250 nm and 490 nm, and the fluorescent powder is, for example, green light fluorescent powder, magenta fluorescent powder, red light fluorescent powder, and blue fluorescence. Includes powder. Among them, the material of the green light and the magenta fluorescent powder is selected from the group consisting of (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n :. The material of the red fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) S:. . . One type is selected from the group consisting of: Material for blue fluorescent _{powder, (Ca 1-xy, Sr} x, Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, is one type from the group consisting of Gd ²⁺ is selected. 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0, and 0.1 ≦ n ≦ 3.0. In addition, Me is selected from the group consisting of calcium, strontium, and barium, and Re is selected from one or more types in the group consisting of dysprosium, samarium, thulium, magnesium, manganese, and zinc.

注意すべきことは以下のことである。励起光の波長（周波数）及びそれに組み合わされる蛍光粉の違いにより、本発明の白色発光ダイオードの出力する発射スペクトルも異なり、これについては以下にいくつかの実施例を挙げて説明する。 It should be noted that: The emission spectrum output from the white light emitting diode of the present invention differs depending on the wavelength (frequency) of the excitation light and the fluorescent powder combined therewith, which will be described below with reference to some examples.

実施例五：
例えば、発光ダイオードチップが波長が４４０ｎｍから４９０ｎｍの間の青色発光ダイオードチップの時、蛍光粉例えば上述の緑色蛍光粉及びマゼンタ色蛍光粉等の励起エネルギーレベルが比較的低い蛍光材料を包含する。図９は、本発明の第一実施例の一種の白色発光ダイオードの放射スペクトルを示し、そのうち、蛍光粉の配合例は、２０％の緑色蛍光粉Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08に８０％のマゼンタ色蛍光粉（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 を組合せたものとされ、発光ダイオードチップは例えば波長が４５５ｎｍの青色励起光を発射できるものとされる。励起光照射の後、緑色蛍光粉は例えば波長５１０ｎｍ〜５２５ｎｍの間の緑色蛍光を発射し、マゼンタ色蛍光粉は例えば波長ピーク値が５６０ｎｍ〜５９０ｎｍのマゼンタ色蛍光を発射する。青色励起光、緑色蛍光及びマゼンタ色蛍光の混光により高い演色性の白光が形成され、本発明の白色発光ダイオードは即ち三波長型白色発光ダイオードとされる（図２１）。 Example 5:
For example, when the light-emitting diode chip is a blue light-emitting diode chip having a wavelength between 440 nm and 490 nm, fluorescent materials having a relatively low excitation energy level such as fluorescent powder, for example, the above-described green fluorescent powder and magenta fluorescent powder are included. FIG. 9 shows an emission spectrum of a kind of white light-emitting diode according to the first embodiment of the present invention. Among them, an example of blending fluorescent powder is 20% green fluorescent powder Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu. _0.12 Dy _0.08 to 80% of the magenta fluorescent powder _{_{(Sr 7.48 Ca 0.2) Mg (}} SiO 4) 4 Cl 2: is as a combination of Eu _0.12 Mn _0.2, the light emitting diode chip, for example a wavelength of blue excitation light of 455nm It can be fired. After the excitation light irradiation, the green fluorescent powder emits green fluorescence having a wavelength of, for example, 510 nm to 525 nm, and the magenta fluorescent powder emits magenta fluorescent light having a wavelength peak value of, for example, 560 nm to 590 nm. White light with high color rendering properties is formed by the mixed light of blue excitation light, green fluorescence and magenta fluorescence, and the white light emitting diode of the present invention is a three-wavelength white light emitting diode (FIG. 21).

実施例六：
上述の実施例五に基づき、蛍光粉の材料種類を変更し、各材料の組成百分率を変更する前提下で、白色発光ダイオードが出力する結果もまた異なるものとなる。例えば、蛍光粉の配合比を変更して１００％の緑色蛍光粉Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08とし、発光ダイオードチップは例えば波長４５５ｎｍの青色励起光を発射できるものとする。励起光照射後に、緑色蛍光粉の発射する緑色光色度は、高輝度の緑色発光ダイオードを形成する。青色発光ダイオードが蛍光粉を介して直接パッケージされて緑色発光ダイオードとされ、且つそれは高輝度を具え、全世界の先進の製品となる（図２２）。 Example 6:
On the basis of changing the material type of the fluorescent powder and changing the composition percentage of each material based on Example 5 described above, the output result of the white light emitting diode is also different. For example, the blending ratio of the fluorescent powder is changed to 100% green fluorescent powder Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _0.08 , and the light emitting diode chip can emit blue excitation light having a wavelength of 455 nm, for example. To do. After the excitation light irradiation, the green light chromaticity emitted by the green fluorescent powder forms a high-intensity green light emitting diode. A blue light emitting diode is directly packaged through a fluorescent powder to form a green light emitting diode, which has high brightness and is an advanced product worldwide (FIG. 22).

実施例七（励起光波長が２５０ｎｍから４４０ｎｍの間）：
図２３は本発明の実施例五の白色発光ダイオードの放射スペクトルを示し、そのうち、適当な蛍光粉配合比で配合された、マゼンタ色蛍光粉、緑色蛍光粉、赤色蛍光粉（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 、及び青色蛍光粉Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15を包含し、ならびに波長が３８５ｎｍの紫光を励起光として提供する。励起光で励起後に、緑色蛍光粉が５０８．２ｎｍ波長の緑色蛍光４２０を発射し、青色蛍光粉が４５０．２ｎｍ波長の青色蛍光４１０を発射し、赤色蛍光粉が増強された波長６１５．６ｎｍの赤色蛍光４４０を発射し、マゼンタ色蛍光粉が５６４ｎｍのマゼンタ色蛍光４３０を発射し、これにより四波長で演色性が良好な白光を形成する（図２３）。 Example 7 (excitation light wavelength is between 250 nm and 440 nm):
FIG. 23 shows the emission spectrum of the white light emitting diode of Example 5 of the present invention, of which magenta fluorescent powder, green fluorescent powder, and red fluorescent powder (Sr _0.78 Ca _0.17 ) blended at an appropriate fluorescent powder blending ratio. S: Eu _0.1 Sm _0.015 and blue fluorescent powder Sr _4.7 (PO ₄ ) ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15 are included, and violet light having a wavelength of 385 nm is provided as excitation light. After excitation with excitation light, the green fluorescent powder emits green fluorescence 420 with a wavelength of 508.2 nm, the blue fluorescent powder emits blue fluorescence 410 with a wavelength of 450.2 nm, and the red fluorescent powder has an enhanced wavelength of 615.6 nm. The red fluorescent light 440 is emitted, and the magenta fluorescent powder emits magenta fluorescent light 430 having a wavelength of 564 nm, thereby forming white light with good color rendering at four wavelengths (FIG. 23).

以上の多くの実施例から分かるように、本発明の白色発光ダイオードは比較的高いエネルギーの励起光、例えば波長が３６５ｎｍから３９５ｎｍの間の紫光励起光を応用するか、或いは波長が更に低い（３６５ｎｍより低い）紫外光励起光を応用し、蛍光粉は周知の赤色蛍光粉或いはマゼンタ色蛍光粉のほかに、さらに緑色蛍光粉或いは青色蛍光粉等の励起エネルギーレベルが比較的高い材料を包含する。ならびに本発明の発光ダイオードチップの発射する励起光はその波長が短いほどそのエネルギーが高く、この励起光と反応する蛍光粉の種類もまた多くなり、且つ蛍光粉が励起される程度もますます完全になる。 As can be seen from many of the above embodiments, the white light emitting diode of the present invention applies excitation light of relatively high energy, for example, violet excitation light having a wavelength between 365 nm and 395 nm, or even lower wavelength (365 nm). (Lower) ultraviolet light excitation light is applied, and the fluorescent powder includes materials having a relatively high excitation energy level such as green fluorescent powder or blue fluorescent powder in addition to the well-known red fluorescent powder or magenta fluorescent powder. In addition, the excitation light emitted by the light-emitting diode chip of the present invention has a higher energy as the wavelength is shorter, the number of types of fluorescent powder that react with this excitation light also increases, and the degree to which the fluorescent powder is excited becomes more and more complete. become.

本発明の白色発光ダイオードの実施例の表示図である。It is a display figure of the Example of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの別の実施例の表示図である。It is a display figure of another Example of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの別の実施例の表示図である。It is a display figure of another Example of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの別の実施例の表示図である。It is a display figure of another Example of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの白光ダイの側面断面図である。It is side surface sectional drawing of the white light die | dye of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの白光ダイの平面実施例図である。It is a plane Example figure of the white light die of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの白光ダイの平面実施例図である。It is a plane Example figure of the white light die of the white light emitting diode of this invention. 本発明の白色発光ダイオードの白光ダイの平面実施例図である。It is a plane Example figure of the white light die of the white light emitting diode of this invention. 本発明のＣａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08の励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、放射スペクトルは５０８．２ｎｍである。Ca _7.8 Mg of the present invention (SiO _{₄₎ 4} Cl _2: a excitation spectrum and emission spectrum graph of Eu _0.12 Dy _0.08, the emission spectrum is 508.2Nm. 本発明の同時にユーロピウムとジスプロシウムを添加した緑色蛍光体Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08のＸＲＤスペクトルグラフである。Green phosphor Ca _7.8 Mg simultaneously added europium and dysprosium of the present invention (SiO _{₄₎ 4} Cl _2: is an XRD spectrum graph of Eu _0.12 Dy _0.08. 本発明のＣａ_7.6 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.32Ｄｙ_0.06励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、Ｅｕが増加され、放射スペクトルは５１１．８ｎｍに増長している。Ca _7.6 Mg of the present invention (SiO _{₄₎ 4} Cl _2: a Eu _0.32 Dy _0.06 excitation spectrum and emission spectrum graph, Eu is increased, the emission spectrum has length increasing the 511.8Nm. 本発明の（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、放射スペクトルは５６３ｎｍである。Of the present invention _{_{(Sr 7.48 Ca 0.2) Mg (}} SiO 4) 4 Cl 2: Eu 0.12 Mn 0.2 was excitation spectrum and emission spectrum graph, the emission spectrum is 563 nm. 本発明の同時にユーロピウムとマンガンを添加したマゼンタ色蛍光体（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 のＸＲＤスペクトルグラフである。Magenta phosphor simultaneously added europium and manganese of the present invention _{_{(Sr 7.48 Ca 0.2) Mg (}} SiO 4) 4 Cl 2: is an XRD spectrum graph of Eu _0.12 Mn _0.2. 本発明の（Ｓｒ_7.28Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.32Ｍｎ_0.2 励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、Ｅｕが増加され、放射スペクトルは５６４．４ｎｍに増長している。(Sr _7.28 Ca _0.2 ) Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.32 Mn _0.2 Excitation spectrum and emission spectrum graph of the present invention, Eu is increased and the emission spectrum is increased to 564.4 nm. 本発明の（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、放射スペクトルは６１６．２ｎｍである。(Sr _0.78 Ca _0.17) S of the present invention: Eu was _0.1 Sm _0.015 excitation spectrum and emission spectrum graph, the emission spectrum is 616.2Nm. 本発明の同時にユーロピウムとサマリウムを添加した赤色蛍光体（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 のＸＲＤスペクトルグラフである。It is an XRD spectrum graph of red phosphor (Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 to which europium and samarium are added at the same time of the present invention. 本発明の（Ｓｒ_0.35Ｃａ_0.6 ）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、Ｃａが増され、放射光スペクトルは６４１．８ｎｍに増長している。(Sr _0.35 Ca _0.6 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 Excitation spectrum and emission spectrum graph of the present invention, Ca is increased, and the emitted light spectrum is increased to 641.8 nm. 本発明のＳｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15 励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、放射スペクトルは２倍強度に増している。Sr _4.7 (PO ₄₎ ₂ Cl of the present invention: Eu is _0.15 Gd _0.15 excitation spectrum and emission spectrum graph, the emission spectrum is increased to double strength. 本発明の同時にユーロピウムとガドリニウムを添加した青色蛍光体Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15 のＸＲＤスペクトルグラフである。Blue phosphor Sr _4.7 which simultaneously was added europium and gadolinium present invention (PO ₄₎ ₂ Cl: is an XRD spectrum graph of Eu _0.15 Gd _0.15. 本発明のＳｒ_4.85（ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15励起スペクトル及び放射スペクトルグラフであり、Ｇｄ未添加時の放射スペクトルの強度を示す。Sr _4.85 of the present invention _{_{(PO 4) 2 Cl: Eu}} 0.15 was excitation spectrum and emission spectrum graph showing the intensity of the emission spectrum when Gd not added. 本発明の２０％の緑色蛍光粉Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08に８０％のマゼンタ色蛍光粉（Ｓｒ_7.48Ｃａ_0.2 ）Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｍｎ_0.2 を組合せ、発光ダイオードチップに波長が４５５ｎｍの青色励起光を発射できるものを使用してなる三波長型白色発光ダイオードのスペクトルグラフである。20% green fluorescent powder of the present invention Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _0.08 and 80% magenta fluorescent powder (Sr _7.48 Ca _0.2 ) Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Mn It is a spectrum graph of a three-wavelength type white light emitting diode obtained by combining _0.2 and using a light emitting diode chip capable of emitting blue excitation light having a wavelength of 455 nm. 本発明の１００％の緑色蛍光粉Ｃａ_7.8 Ｍｇ（ＳｉＯ₄ ）₄ Ｃｌ₂ ：Ｅｕ_0.12Ｄｙ_0.08を使用し、発光ダイオードチップに波長４５５ｎｍの青色励起光を発射できるものを使用してなる発光ダイオードの色度スペクトルグラフである。A light-emitting diode comprising 100% green fluorescent powder Ca _7.8 Mg (SiO ₄ ) ₄ Cl ₂ : Eu _0.12 Dy _{0.08 according} to the present invention and capable of emitting blue excitation light having a wavelength of 455 nm to a light-emitting diode chip. It is a chromaticity spectrum graph. 本発明の、適当な蛍光粉配合比で配合された、マゼンタ色蛍光粉、緑色蛍光粉、赤色蛍光粉（Ｓｒ_0.78Ｃａ_0.17）Ｓ：Ｅｕ_0.1 Ｓｍ_0.015 、及び青色蛍光粉Ｓｒ_4.7 （ＰＯ₄ ）₂ Ｃｌ：Ｅｕ_0.15Ｇｄ_0.15を使用し、ならびに波長が３８５ｎｍの紫光を励起光としたスペクトルグラフである。Magenta fluorescent powder, green fluorescent powder, red fluorescent powder (Sr _0.78 Ca _0.17 ) S: Eu _0.1 Sm _0.015 , and blue fluorescent powder Sr _4.7 (PO ₄ ), blended at an appropriate fluorescent powder blending ratio of the present invention. ₂ is a spectrum graph using ₂ Cl: Eu _0.15 Gd _0.15 and using violet light having a wavelength of 385 nm as excitation light.

Explanation of symbols

１００白色発光ダイオード１１０リードフレーム
１１０ａ凹穴１１２ａ第１接点
１１２ｂ第２接点１２０発光ダイオードチップ
１２２ａ陽極電極１２２ｂ陰極電極
１２４励起光１３０封止樹脂
１３２蛍光粉１３４蛍光
１４０接着剤１５０ボンディングワイヤ
２００白色発光ダイオード２１０回路基板
２１０ａ凹穴２１０ｂ凹穴凸塊或いは平面凸塊
２２０発光ダイオードチップ２３０封止樹脂
２３２蛍光粉２４０接着剤
３１０ベース３２０陽極電極
３３０発光ダイオードチップ層３４０蛍光粉層
３５０コンタクト層３６０陰極電極
４１０青色蛍光４２０緑色蛍光
４３０マゼンタ色蛍光４４０赤色蛍光
DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 White light emitting diode 110 Lead frame 110a Recessed hole 112a 1st contact 112b 2nd contact 120 Light emitting diode chip 122a Anode electrode 122b Cathode electrode 124 Excitation light 130 Sealing resin 132 Fluorescent powder 134 Fluorescence 140 Adhesive 150 Bonding wire 200 White light emitting diode 210 Circuit board 210a Concave hole 210b Concave hole convex block or flat convex block 220 Light emitting diode chip 230 Sealing resin 232 Fluorescent powder 240 Adhesive 310 Base 320 Anode electrode 330 Light emitting diode chip layer 340 Fluorescent powder layer 350 Contact layer 360 Cathode electrode 410 Blue fluorescence 420 Green fluorescence 430 Magenta color fluorescence 440 Red fluorescence

Claims

In the white light emitting diode, at least,
An excitation light source that emits light and has a wavelength between 250 nm and 490 nm; and a fluorescent powder that is disposed around the excitation light source and that receives the light emitted by the excitation light source, The material of the fluorescent powder is
_{_{(Me 1-xy Eu x Re}} y) 8 Mg z (SiO 4) m, Cl n, (Me 1-x Eu x) ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 One or more types selected from the group consisting of Cl: Eu ²⁺ , Gd ²⁺ ,
A white light-emitting diode comprising:

2. The white light emitting diode according to claim 1, wherein when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and A white light emitting diode, wherein one or more types are selected from the group consisting of (Me _1-x Eu _x ) ReS 3.

2. The white light emitting diode according to claim 1, wherein when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, that one or more from the group consisting of Gd ²⁺ is selected Characteristic white light-emitting diode.

2. The white light emitting diode according to claim 1, wherein 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0, 0.1 ≦ n ≦. A white light-emitting diode, which is 3.0.

2. The white light emitting diode according to claim 1, wherein at least one Me is selected from the group consisting of calcium, strontium, and barium.

2. The white light-emitting diode according to claim 1, wherein Re is selected from the group consisting of dysprosium, samarium, thulium, magnesium, manganese and zinc, and Ca, Sr, Mg, Cl, SiO _{4 in the} fluorescent powder. , Dy element, wherein the raw material powder can use an oxide, nitrate, organometallic compound or metal salt thereof as a metal powder.

Red fluorescent powder, indicated by (Me _1-x Eu _x ) ReS, produced through the Na ₂ S process, and the addition of Sm increases the luminous efficiency and heat resistance of the red fluorescent powder. In addition, the red fluorescent powder contains Ca, Sr, Ba, S, Cl, Eu, and Sm elements, and the raw material powders thereof use metal compound oxides, nitrates, organometallic compounds, or metal salts thereof. A red fluorescent powder characterized in that it can be produced.

A blue fluorescent _{powder, (Ca 1-xy, Sr} x, Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: are produced with the addition of Gd is Masa luminous efficiency of blue fluorescent powder Eu ^2+, ( _{_{Ca 1-xy, Sr x,}} Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+ Gd 2+ Ca in the blue _{phosphor, Sr, Ba, PO 4,} Cl, Eu, is Gd element is contained, of which A blue fluorescent powder characterized in that the raw material powder can be an oxide, nitrate, organometallic compound or metal salt of a metal compound.

2. The white light emitting diode according to claim 1, wherein the excitation light source is one of a light emitting diode chip and a laser diode chip.

In the white light emitting diode, at least,
A mounting device that has concave or convex protrusions on the surface, and can increase light emission efficiency and light emission efficiency;
An excitation light source disposed in or on the convex bulge of the mounting device and electrically connected to the mounting device to emit light having a wavelength between 250 nm and 490 nm;
A sealing resin disposed on the mounting device to cover the excitation light source and fix the excitation light source to the mounting device;
A fluorescent powder disposed in the sealing resin and receiving light emitted from the excitation light source, the material of which is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n , _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, one or more from the group consisting of Gd ²⁺ is selected, the With fluorescent powder,
A white light-emitting diode comprising:

The white light emitting diode according to claim 10, further comprising a plurality of bonding wires, wherein the bonding wires are electrically connected between the excitation light source and the mounting device.

11. The white light emitting diode according to claim 10, wherein the mounting device is one of a lead frame and a circuit board.

The white light emitting diode according to claim 10, wherein the excitation light source is one of a light emitting diode chip and a laser diode chip.

11. The white light emitting diode according to claim 10, wherein when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and A white light emitting diode, wherein one or more types are selected from the group consisting of (Me _1-x Eu _x ) ReS 3.

11. The white light emitting diode according to claim 10, wherein when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, that one or more from the group consisting of Gd ²⁺ is selected Characteristic white light-emitting diode.

11. The white light emitting diode according to claim 10, wherein one or more kinds of Me are selected from the group consisting of calcium, strontium, and barium.

The white light-emitting diode according to claim 10, wherein Re is selected from the group consisting of praseodymium, rubidium, samarium, dysprosium, holmium, yttrium, erbium, europium, thulium, ytterbium, gadolinium, magnesium, and manganese. Characteristic white light-emitting diode.

In white light emitting diode,
Emitting a light beam, the light emitting diode chip having a wavelength of the light beam between 250 nm and 490 nm and a fluorescent powder layer, the light emitting diode chip comprising at least:
A substrate,
A die layer located above the substrate via a conductive buffer layer;
An anode electrode in contact with the conductive buffer layer and located on the contact layer;
A cathode electrode in contact with the conductive buffer layer, and first and second cladding layers, a light emitting layer, the contact layer, and a cathode electrode isolated from the anode electrode;
The fluorescent powder layer is disposed around the light emitting diode chip, and receives a light beam emitted from the light emitting diode chip.
_{_{(Me 1-xy Eu x Re}} y) 8 Mg z (SiO 4) m, Cl n, (Me 1-x Eu x) ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 A white light-emitting diode, wherein at least one selected from the group consisting of Cl: Eu ²⁺ and Gd ²⁺ is selected.

The white light-emitting diode according to claim 19, wherein when the wavelength of the light beam is between 440 nm and 490 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and A white light emitting diode, wherein one or more types are selected from the group consisting of (Me _1-x Eu _x ) ReS 3.

The white light emitting diode according to claim 19, wherein when the wavelength of the light beam is between 250 nm and 440 nm, the material of the fluorescent powder is (Me _1-xy Eu _x Re _y ) ₈ Mg _z (SiO ₄ ) _m , Cl _n and _{_{(Me 1-x Eu x)}} ReS and _{_{(Ca 1-xy, Sr x}} , Ba y) 5 (PO 4) 3 Cl: Eu 2+, that one or more from the group consisting of Gd ²⁺ is selected Characteristic white light-emitting diode.

20. The white light emitting diode according to claim 19, wherein 0 <x ≦ 0.8, 0 ≦ y ≦ 2.0, 0 ≦ z ≦ 1.0, 1.0 ≦ m ≦ 6.0, 0.1 ≦ n ≦. A white light-emitting diode, which is 3.0.

The white light emitting diode according to claim 19, wherein Me is selected from the group consisting of calcium, strontium, and barium.

The white light emitting diode according to claim 19, wherein Re is selected from the group consisting of praseodymium, rubidium, samarium, dysprosium, holmium, yttrium, erbium, europium, thulium, ytterbium, gadolinium, magnesium, manganese. Characteristic white light-emitting diode.

21. The white light emitting diode according to claim 19, wherein the light emitting diode chip is placed with a concave bulge provided in the concave hole of the substrate.

The white light emitting diode according to claim 19, wherein the fluorescent powder layer has a thickness of 0.5 mm to 3.0 mm.

20. The white light emitting diode according to claim 19, wherein the substrate material is any one of sapphire, silicon carbide, zinc oxide, silicon substrate, gallium phosphide, and gallium arsenide.