JP2006330169A - Color filter substrate and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent a short circuit between a CF (color filter) substrate and a TFT substrate in a liquid crystal panel. <P>SOLUTION: An insulating film 6a is formed on the entire surface on a transparent conductive film 4 in a peripheral part, excluding a common terminal 5, of a display region 2 of a CF substrate to be used for a liquid crystal panel, so as to protect the transparent conductive film 4 in the peripheral part of the display region 2 with the insulating film. If a foreign matter such as a metal deposits on an alignment layer on the transparent conductive film 4 corresponding to the peripheral part of the display region 2 and penetrates the alignment layer upon joining the CF substrate after the alignment layer is formed with the TFT substrate, contact between the foreign matter and the transparent conductive film 4 can be avoided by the insulating film 6a and therefore, a short circuit between the CF substrate and the TFT substrate can be avoided. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明はカラーフィルタ（ＣＦ）基板およびその製造方法に関し、特に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）基板と共に液晶表示装置の液晶パネルに用いられるＣＦ基板およびその製造方法に関する。   The present invention relates to a color filter (CF) substrate and a manufacturing method thereof, and more particularly to a CF substrate used for a liquid crystal panel of a liquid crystal display device together with a thin film transistor (TFT) substrate and a manufacturing method thereof.

一般に、液晶表示装置に搭載される液晶パネルは、ガラス基板等の透明絶縁性基板の上に画素電極や画素電極を駆動するＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板と、同じくガラス基板等の上にコモン電極やＣＦが形成されたＣＦ基板等の対向基板との間に液晶層が挟まれた構造を有している。   In general, a liquid crystal panel mounted on a liquid crystal display device is commonly used on a TFT substrate in which a pixel electrode and a TFT for driving the pixel electrode are formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate, and on the same glass substrate. The liquid crystal layer is sandwiched between a counter substrate such as a CF substrate on which an electrode and CF are formed.

図５は従来の液晶パネルの一例の要部断面模式図である。
図５に示すように、通常の液晶パネル１００は、ＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０２との間に液晶層１０３が挟まれた構造を有している。このうち、ＣＦ基板１０２に対向するＴＦＴ基板１０１には、図５に示したように、透明絶縁性基板１０１ａ上にＴＦＴ１０１ｂが形成されており、その表面をシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）等の絶縁膜１０１ｃで保護され、その上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等で透明導電膜１０１ｄが形成されている。そして、ＣＦ基板１０２と対向する面側にはポリイミド等で配向膜１０１ｅが形成され、その反対の面側には偏光板１０１ｆが貼り付けられている。 FIG. 5 is a schematic cross-sectional view of an essential part of an example of a conventional liquid crystal panel.
As shown in FIG. 5, the normal liquid crystal panel 100 has a structure in which a liquid crystal layer 103 is sandwiched between a TFT substrate 101 and a CF substrate 102. Among these, the TFT substrate 101 facing the CF substrate 102 has a TFT 101b formed on a transparent insulating substrate 101a as shown in FIG. 5, and the surface thereof is insulated with a silicon nitride film (SiN film) or the like. A transparent conductive film 101d is formed of ITO (Indium Tin Oxide) or the like, which is protected by the film 101c. An alignment film 101e is formed of polyimide or the like on the surface facing the CF substrate 102, and a polarizing plate 101f is attached to the opposite surface.

一方、ＣＦ基板１０２には、図５に示したように、透明絶縁性基板１０２ａ上に、クロム（Ｃｒ）等の金属で画素間の領域を遮光するブラックマトリクス（ＢＭ）膜１０２ｂが形成されている。そして、その上には、所定の樹脂を用い、画素ごとに赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかを示すような樹脂パターンからなるＣＦ１０２ｃが形成され、さらにその上には、ＩＴＯ等で透明導電膜１０２ｄが形成されている。また、ＴＦＴ基板１０１と同様、ＴＦＴ基板１０１と対向する面側にはポリイミド等で配向膜１０２ｅが形成され、その反対側の面には偏光板１０２ｆが貼り付けられている。   On the other hand, as shown in FIG. 5, a black matrix (BM) film 102b is formed on the CF substrate 102 on the transparent insulating substrate 102a. The black matrix (BM) film 102b shields the area between pixels with a metal such as chromium (Cr). Yes. On top of that, a predetermined resin is used, and a CF102c made of a resin pattern indicating any one of red (R), green (G), and blue (B) is formed for each pixel, and further on the CF102c The transparent conductive film 102d is formed of ITO or the like. Similarly to the TFT substrate 101, an alignment film 102e is formed of polyimide or the like on the surface facing the TFT substrate 101, and a polarizing plate 102f is attached to the opposite surface.

液晶層１０３は、このようなＴＦＴ基板１０１とＣＦ基板１０２との間に挟まれた状態で配置される。その際、両基板間の隙間、すなわちセルギャップを一定に保つため、両基板間に樹脂製あるいはセラミック製の例えば球状のスペーサ１０４が配置される。   The liquid crystal layer 103 is disposed in such a state that it is sandwiched between the TFT substrate 101 and the CF substrate 102. At this time, in order to keep the gap between the two substrates, that is, the cell gap constant, a spherical spacer 104 made of resin or ceramic is disposed between the two substrates.

図６は従来のＣＦ基板の一例の平面模式図である。
上記のようにＴＦＴ基板１０１との間に液晶層１０３を挟むＣＦ基板１０２は、図６に示すように、表示領域２００の外周部に、表示領域２００内に形成されている上記のＢＭ膜１０２ｂと一体になっている金属膜２０１が形成されている。そして、表示領域２００内のＢＭ膜１０２ｂ上には、上記のＣＦ１０２ｃが形成され、そのＣＦ１０２ｃと外周部の金属膜２０１、さらにＴＦＴ基板１０１との接続に用いられる突状のコモン端子２０２を覆うように上記の透明導電膜１０２ｄが形成されている。 FIG. 6 is a schematic plan view of an example of a conventional CF substrate.
As described above, the CF substrate 102 having the liquid crystal layer 103 sandwiched between the TFT substrate 101 and the BM film 102b formed in the display region 200 at the outer periphery of the display region 200 as shown in FIG. And a metal film 201 formed integrally with the substrate. Then, the CF 102c is formed on the BM film 102b in the display region 200 so as to cover the projecting common terminal 202 used for connection between the CF 102c and the outer peripheral metal film 201 and the TFT substrate 101. The above-mentioned transparent conductive film 102d is formed.

ＣＦ基板には、このほかにも、液晶パネルの方式に応じ、従来種々の形態のものが提案されている。
図７は従来の別の例のＣＦ基板の要部平面模式図である。また、図８は従来の別の例のＣＦ基板の形成方法の概略図であって、（Ａ）はＢＭ膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は第１の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）は第２の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｄ）は第３の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｅ）は透明導電膜形成工程の要部断面模式図、（Ｆ）は突起状パターン形成工程の要部断面模式図である。なお、図８（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれ、図７のＢ−Ｂ断面における工程断面図を示している。 In addition to this, various types of CF substrates have been proposed according to the type of liquid crystal panel.
FIG. 7 is a schematic plan view of an essential part of another conventional CF substrate. FIG. 8 is a schematic view of another conventional method for forming a CF substrate. FIG. 8A is a schematic cross-sectional view of a main part of a BM film forming step, and FIG. 8B is a first resin pattern forming step. (C) is a schematic cross-sectional view of the main part of the second resin pattern forming step, (D) is a schematic cross-sectional view of the main part of the third resin pattern forming step, and (E) is a transparent conductive film formation. FIG. 4F is a schematic cross-sectional view of the relevant part of the process, and FIG. 5F is a schematic cross-sectional view of the relevant part of the protruding pattern forming step. 8A to 8F are process cross-sectional views taken along the line BB in FIG.

図７に示すＣＦ基板３００は、例えばＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）型液晶パネルに用いられるものであり、その表示領域は、透明絶縁性基板上にＢＭ膜３０１、ＣＦ３０２、透明導電膜３０３が順に形成されており、その透明導電膜３０３上に、レジスト等の樹脂を用いて平面Ｖ字形状のドメイン規制用の突起状パターン３０４が形成されている。   A CF substrate 300 shown in FIG. 7 is used, for example, in an MVA (Multi-domain Vertical Alignment) type liquid crystal panel, and a display region thereof includes a BM film 301, a CF 302, and a transparent conductive film 303 on a transparent insulating substrate. On the transparent conductive film 303, a planar V-shaped projecting pattern 304 for domain regulation is formed using a resin such as a resist.

このようなＣＦ基板３００は、まず、図８（Ａ）に示すように、透明絶縁性基板３０５上の全面に例えばＣｒ膜を厚さ約０．１６μｍで成膜して表示領域にＢＭ膜３０１を形成する。次いで、図８（Ｂ）に示すように、透明絶縁性基板３０５の上側全面に赤色樹脂を塗布し、表示領域内の所定位置に厚さ約１．８μｍの赤色樹脂パターン３０２ａを形成する。同様にして、図８（Ｃ），（Ｄ）に示すように、緑色樹脂、青色樹脂を用いてそれぞれ厚さ約１．８μｍの緑色樹脂パターン３０２ｂ、青色樹脂パターン３０２ｃを形成する。その後、全面に例えばＩＴＯを厚さ約０．１５μｍで成膜し、コモン端子（図示せず）上にも残るようにしてパターニングを行い、透明導電膜３０３を形成する。そして、最後に、その透明導電膜３０３上に樹脂を用いて平面Ｖ字形状の突起状パターン３０４を厚さ約１．１μｍで形成する。このような方法を用いることにより、図７に示したようなＣＦ基板３００が形成される。   In such a CF substrate 300, first, as shown in FIG. 8A, for example, a Cr film having a thickness of about 0.16 μm is formed on the entire surface of the transparent insulating substrate 305, and a BM film 301 is formed in the display region. Form. Next, as shown in FIG. 8B, a red resin is applied to the entire upper surface of the transparent insulating substrate 305 to form a red resin pattern 302a having a thickness of about 1.8 μm at a predetermined position in the display area. Similarly, as shown in FIGS. 8C and 8D, a green resin pattern 302b and a blue resin pattern 302c having a thickness of about 1.8 μm are formed using a green resin and a blue resin, respectively. Thereafter, for example, ITO is formed to a thickness of about 0.15 μm on the entire surface, and is patterned so as to remain on a common terminal (not shown), thereby forming a transparent conductive film 303. Finally, a planar V-shaped projection pattern 304 is formed with a thickness of about 1.1 μm on the transparent conductive film 303 using a resin. By using such a method, the CF substrate 300 as shown in FIG. 7 is formed.

また、従来は、ＭＶＡ型液晶パネルに関し、ＣＦ基板上に上記のようなドメイン規制用の突起状パターンと共に、樹脂を用いて高さ３μｍ〜４μｍ程度のセルギャップ調整用の柱状スペーサを形成し、上記のような球状スペーサ等を別途用いることなく一定のセルギャップを保持してＴＦＴ基板と貼り合わせることができるようにしたＣＦ基板も提案されている。さらに、このように高さの異なるスペーサと突起状パターンを同時に形成する方法も提案されている（特許文献１参照）。
特開２００１−２０１７５０号公報 Conventionally, regarding a MVA type liquid crystal panel, a columnar spacer for adjusting a cell gap having a height of about 3 μm to 4 μm is formed on a CF substrate using a resin together with the above-described projecting pattern for regulating the domain, There has also been proposed a CF substrate that can be bonded to a TFT substrate while maintaining a certain cell gap without using a spherical spacer as described above. Furthermore, a method of simultaneously forming spacers and protrusion patterns having different heights has been proposed (see Patent Document 1).
JP 2001-201750 A

しかし、従来のＣＦ基板では、特にそれをＴＦＴ基板と液晶層を挟んで貼り合わせる液晶パネルの製造過程において、以下に示すような問題が生じる場合があった。
図９は従来の液晶パネルの端部付近の断面模式図である。 However, in the conventional CF substrate, the following problems may occur particularly in the manufacturing process of the liquid crystal panel in which the TFT substrate and the liquid crystal layer are bonded to each other.
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view of the vicinity of the end of a conventional liquid crystal panel.

前述のように、液晶パネル４００は、透明絶縁性基板４０１ａ上にＴＦＴ４０１ｂ、絶縁膜４０１ｃ、透明導電膜４０１ｄ、配向膜４０１ｅ等が形成されているＴＦＴ基板４０１と、透明絶縁性基板４０２ａ上にＢＭ膜を含む金属膜４０２ｂ、ＣＦ４０２ｃ、透明導電膜４０２ｄ、配向膜４０２ｅ等が形成されているＣＦ基板４０２とを、液晶層４０３を挟んで貼り合わせた構造を有している。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２とは、表示領域の外側でシール膜４０４によって接合され、その空間内に液晶が封入されている。ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２との間のセルギャップは、ここでは球状スペーサ４０５によって保持されている。また、各透明絶縁性基板４０１ａ，４０２ａの対向面と反対側の面には、それぞれ偏光板４０１ｆ，４０２ｆが所定の偏光軸方向で貼り付けられている。なお、シール膜４０４には、液晶注入前には液晶の注入口が設けられており、この注入口は液晶注入後に樹脂等で封止されるようになっている。   As described above, the liquid crystal panel 400 includes the TFT substrate 401 in which the TFT 401b, the insulating film 401c, the transparent conductive film 401d, the alignment film 401e, and the like are formed on the transparent insulating substrate 401a, and the BM on the transparent insulating substrate 402a. It has a structure in which a metal film 402b including a film, a CF 402c, a transparent conductive film 402d, an alignment film 402e, and the like are bonded to each other with a liquid crystal layer 403 interposed therebetween. The TFT substrate 401 and the CF substrate 402 are bonded by a seal film 404 outside the display area, and liquid crystal is sealed in the space. The cell gap between the TFT substrate 401 and the CF substrate 402 is held by a spherical spacer 405 here. In addition, polarizing plates 401f and 402f are attached in a predetermined polarization axis direction to the opposite surfaces of the transparent insulating substrates 401a and 402a, respectively. The sealing film 404 is provided with a liquid crystal injection port before liquid crystal injection, and this injection port is sealed with a resin or the like after liquid crystal injection.

ところが、このような構成の液晶パネル４００を形成する際に、何らかの原因で表示領域外の配向膜４０１ｅ，４０２ｅの表面に例えばセルギャップを上回るようなサイズの導電性の異物５００が付着してしまったような場合、そのような状態でＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２の接合を行うと、異物５００が配向膜４０１ｅ，４０２ｅを突き破って透明導電膜４０１ｄ，４０２ｄにまで達し、ＴＦＴ基板４０１とＣＦ基板４０２がショートしてしまうといったことが起こり得る。   However, when the liquid crystal panel 400 having such a configuration is formed, the conductive foreign material 500 having a size exceeding the cell gap, for example, adheres to the surfaces of the alignment films 401e and 402e outside the display region for some reason. In such a case, when the TFT substrate 401 and the CF substrate 402 are bonded in such a state, the foreign material 500 breaks through the alignment films 401e and 402e and reaches the transparent conductive films 401d and 402d, and the TFT substrate 401 and the CF substrate. It can happen that 402 is short-circuited.

透明導電膜４０１ｄ，４０２ｄの表面にはそれぞれ配向膜４０１ｅ，４０２ｅが形成されているものの、通常、配向膜４０１ｅ，４０２ｅはポリイミド等の柔らかい材質で形成されているため、異物５００の貫通を防ぐストッパ膜にはなりにくい。特に異物５００が金属等の場合には、硬いため容易に配向膜４０１ｅ，４０２ｅを突き破り、ショートを発生させやすい。   Although the alignment films 401e and 402e are formed on the surfaces of the transparent conductive films 401d and 402d, respectively, since the alignment films 401e and 402e are usually formed of a soft material such as polyimide, a stopper that prevents the foreign material 500 from penetrating. It is difficult to become a film. In particular, when the foreign material 500 is a metal or the like, since it is hard, it easily breaks through the alignment films 401e and 402e and easily causes a short circuit.

また、このような問題は、ＴＦＴ基板４０１の表示領域外に形成されている端子引き出し線の部分や、そのような部分に対応するＣＦ基板側の部分に、上記のような導電性の異物５００が付着してしまっているような場合にも、同様に起こり得る。   Further, such a problem is caused by the conductive foreign matter 500 as described above in the portion of the terminal lead line formed outside the display area of the TFT substrate 401 or the portion on the CF substrate side corresponding to such a portion. This can occur in the same way even when it is attached.

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、ＴＦＴ基板とのショートを抑制することのできるＣＦ基板およびその製造方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a CF substrate capable of suppressing a short circuit with a TFT substrate and a method for manufacturing the CF substrate.

本発明では、上記課題を解決するために、透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板において、前記ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とするＣＦ基板が提供される。   In the present invention, in order to solve the above-mentioned problem, in a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate, the transparent conductive material that covers the display area on which the CF is formed, the display area, and the outside of the display area. A film, an external connection terminal formed outside the display area, and an insulating film formed outside the display area and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal. A featured CF substrate is provided.

このようなＣＦ基板によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成されている。この絶縁膜は、例えばレジスト等の樹脂を用いて形成される。これにより、表示領域外に存在する透明導電膜が、そのような絶縁膜によって保護されるようになる。   According to such a CF substrate, the insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal outside the display region. This insulating film is formed using a resin such as a resist. As a result, the transparent conductive film existing outside the display region is protected by such an insulating film.

また、本発明では、透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板の製造方法において、前記透明絶縁性基板上にＣＦが形成された表示領域を形成する工程と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、を有することを特徴とするＣＦ基板の製造方法が提供される。   According to the present invention, in a method of manufacturing a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate, a step of forming a display region in which CF is formed on the transparent insulating substrate, the display region, and the display Forming a transparent conductive film covering the outside of the region; forming an external connection terminal outside the display region; and a region on the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminal. And a step of forming an insulating film on the substrate. A method for manufacturing a CF substrate is provided.

このようなＣＦ基板の製造方法によれば、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜が形成され、表示領域外に存在する透明導電膜が絶縁膜によって保護されたＣＦ基板が形成されるようになる。   According to such a method for manufacturing a CF substrate, an insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminals outside the display region, and the transparent conductive film existing outside the display region is protected by the insulating film. A CF substrate is formed.

本発明では、表示領域外で外部接続用端子を除く透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成し、表示領域外に存在する透明導電膜を絶縁膜によって保護するようにした。これにより、ＴＦＴ基板と共に液晶パネルを構成する際に、ＣＦ基板の表示領域外にある透明導電膜より上側の層に導電性の異物が付着してしまったような場合にも、絶縁膜によってそのような異物と透明導電膜との接触を防ぐことが可能になる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを回避することが可能になる。   In the present invention, an insulating film is formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminals outside the display region, and the transparent conductive film existing outside the display region is protected by the insulating film. Thus, when a liquid crystal panel is constructed with the TFT substrate, even if conductive foreign matter adheres to the layer above the transparent conductive film outside the display area of the CF substrate, the insulating film can It is possible to prevent contact between such a foreign substance and the transparent conductive film. As a result, a short circuit between the CF substrate and the TFT substrate can be avoided.

また、このようなＣＦ基板を用いることにより、高品質の液晶パネルおよび液晶表示装置が実現可能になる。   Further, by using such a CF substrate, a high quality liquid crystal panel and liquid crystal display device can be realized.

以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して詳細に説明する。
まず、第１の実施の形態について説明する。
図１は第１の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
First, the first embodiment will be described.
1A and 1B are schematic plan views of the main part of the CF substrate according to the first embodiment, in which FIG. 1A shows a state before forming an insulating film, and FIG. 1B shows a state after forming the insulating film.

第１の実施の形態のＣＦ基板には、図１（Ａ）に示すように、絶縁膜の形成前、ガラス基板等の透明絶縁性基板１上の端部を除く表示領域２内に、厚さ約０．１６μｍのＣｒ等の金属からなるＢＭ膜（図示せず。）が形成され、その外周部には、同じくＣｒ等からなる金属膜３が形成されている。表示領域２には、画素ごとにＲＧＢのいずれかの樹脂パターンを形成したＣＦ（図示せず。）が形成されている。そして、このような表示領域２とその外周部にある金属膜３の上を覆うようにして、厚さ約０．１５μｍのＩＴＯ等の透明導電膜４がコモン電極として形成されている。また、このＣＦ基板には、表示領域２外に、外部接続用端子、ここでは液晶パネル構成時に対向させるＴＦＴ基板との電気的な接続を行うための突状のコモン端子５が形成されている。透明導電膜４は、コモン端子５上にも形成されている。   As shown in FIG. 1A, the CF substrate according to the first embodiment has a thickness within the display region 2 excluding an end on the transparent insulating substrate 1 such as a glass substrate before the formation of the insulating film. A BM film (not shown) made of a metal such as Cr having a thickness of about 0.16 μm is formed, and a metal film 3 made of Cr or the like is also formed on the outer periphery thereof. In the display area 2, a CF (not shown) in which one of RGB resin patterns is formed for each pixel is formed. A transparent conductive film 4 made of ITO or the like having a thickness of about 0.15 μm is formed as a common electrode so as to cover the display region 2 and the metal film 3 on the outer periphery thereof. In addition, on the CF substrate, a projecting common terminal 5 is formed outside the display region 2 for electrical connection with an external connection terminal, here, a TFT substrate that is opposed to the liquid crystal panel. . The transparent conductive film 4 is also formed on the common terminal 5.

さらに、このＣＦ基板には、図１（Ｂ）に示すように、表示領域２の外周部でコモン端子５を除く透明導電膜４上に、絶縁膜６ａが形成されている。絶縁膜６ａは、例えば一般にレジストとして利用されているような樹脂を用いて形成することができる。   Further, on this CF substrate, as shown in FIG. 1B, an insulating film 6a is formed on the transparent conductive film 4 excluding the common terminal 5 at the outer peripheral portion of the display region 2. The insulating film 6a can be formed using, for example, a resin generally used as a resist.

このようなＣＦ基板を用いた液晶パネルは、図１（Ｂ）に示した絶縁膜６ａ形成後のＣＦ基板の表面に配向膜（図示せず。）を形成した後、既に形成が完了しているＴＦＴ基板との間に液晶層を挟んで両基板を接合することによって構成される。   A liquid crystal panel using such a CF substrate has already been formed after an alignment film (not shown) is formed on the surface of the CF substrate after the formation of the insulating film 6a shown in FIG. It is constituted by bonding both substrates with a liquid crystal layer sandwiched between them.

このようにコモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成することにより、ＴＦＴ基板との貼り合わせを行う際、表示領域２の外周部に金属等の導電性の異物が付着してしまっているような場合でも、レジストを用いて形成される絶縁膜６ａがポリイミド等の配向膜に比べて硬いため、たとえその異物が配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜６ａによって透明導電膜４が保護され、ＣＦ基板とＴＦＴ基板のショートを回避することが可能になる。   By forming the insulating film 6a on the outer peripheral portion of the display area 2 excluding the common terminal 5 as described above, conductive foreign matters such as metal adhere to the outer peripheral portion of the display area 2 when bonding to the TFT substrate. Even in such a case, since the insulating film 6a formed using a resist is harder than an alignment film such as polyimide, even if the foreign matter breaks through the alignment film, the insulating film 6a can be The film 4 is protected, and a short circuit between the CF substrate and the TFT substrate can be avoided.

上記構成を有するＣＦ基板は、例えば次のようにして形成することができる。
例えばＭＶＡ型液晶パネルに用いるＣＦ基板の場合、絶縁膜６ａの形成前までは従来公知の方法を用いることができる。 The CF substrate having the above configuration can be formed, for example, as follows.
For example, in the case of a CF substrate used for an MVA type liquid crystal panel, a conventionally known method can be used until the insulating film 6a is formed.

すなわち、まず透明絶縁性基板１上の全面に、例えばＣｒ膜を厚さ約０．１６μｍで形成し、レジストパターン形成および露光・現像処理を行って、表示領域２内にＢＭ膜、表示領域２の外周部に金属膜３を、同時に形成する。   That is, first, for example, a Cr film having a thickness of about 0.16 μm is formed on the entire surface of the transparent insulating substrate 1, a resist pattern is formed, and exposure / development processing is performed. The metal film 3 is simultaneously formed on the outer periphery of the substrate.

次いで、透明絶縁性基板１の上側全面に例えば感光性の赤色レジストを塗布し、露光・現像処理を行って、表示領域２内の赤色画素部に厚さ約１．８μｍの赤色樹脂パターンを形成する。その後は同様に、透明絶縁性基板１の上側全面に感光性の緑色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域２内の緑色画素部に厚さ約１．８μｍの緑色樹脂パターンを形成し、透明絶縁性基板１の上側全面に感光性の青色レジストを塗布して露光・現像処理を行い表示領域２内の青色画素部に厚さ約１．８μｍの青色樹脂パターンを形成する。これにより、ＲＧＢのＣＦが形成される。   Next, for example, a photosensitive red resist is applied to the entire upper surface of the transparent insulating substrate 1 and exposed and developed to form a red resin pattern having a thickness of about 1.8 μm on the red pixel portion in the display area 2. To do. Thereafter, similarly, a photosensitive green resist is applied to the entire upper surface of the transparent insulating substrate 1 and exposed and developed to form a green resin pattern having a thickness of about 1.8 μm on the green pixel portion in the display area 2. Then, a photosensitive blue resist is applied to the entire upper surface of the transparent insulating substrate 1 and exposed and developed to form a blue resin pattern having a thickness of about 1.8 μm on the blue pixel portion in the display area 2. Thereby, RGB CF is formed.

ＣＦ形成後は、透明絶縁性基板１の上側全面に例えばＩＴＯを厚さ約０．１５μｍで形成してパターニングし、ＣＦを形成した表示領域２上およびその外周部の金属膜３上にコモン電極となる透明導電膜４を形成する。その際は、透明絶縁性基板１上にあらかじめ設けられた突部の上にも透明導電膜４を形成し、コモン端子５を形成する。   After forming the CF, for example, ITO is formed on the entire upper surface of the transparent insulating substrate 1 with a thickness of about 0.15 μm and patterned, and the common electrode is formed on the display region 2 on which the CF is formed and the metal film 3 on the outer periphery thereof. A transparent conductive film 4 is formed. In that case, the transparent conductive film 4 is also formed on the protrusion provided in advance on the transparent insulating substrate 1 to form the common terminal 5.

その後、ＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板の場合には、表示領域２の透明導電膜４上に、レジストを用いて、例えば平面Ｖ字形状のドメイン規制用の突起状パターン（図示せず。）を厚さ約１．１μｍで形成する。ここでは、このレジストを用いたドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部にも、そのレジストを使って厚さ約１．１μｍの絶縁膜６ａを形成する。   After that, in the case of a CF substrate for an MVA type liquid crystal panel, for example, a planar V-shaped projecting pattern for domain regulation (not shown) is used on the transparent conductive film 4 in the display region 2 using a resist. Is formed with a thickness of about 1.1 μm. Here, when forming a domain-regulating projection pattern using this resist, an insulating film 6a having a thickness of about 1.1 μm is also formed on the outer peripheral portion of the display region 2 excluding the common terminal 5 using the resist. To do.

すなわち、従来、ドメイン規制用の突起状パターンは、透明絶縁性基板１上にレジストを塗布し、露光・現像処理等を行って表示領域２に形成されている。このようなドメイン規制用の突起状パターンの形成時に、表示領域２の外周部に塗布されたレジストを除去することなく残すようにする。これにより、表示領域２の外周部には、そのレジストによって絶縁膜６ａが形成され、その下の透明導電膜４が保護されるようになる。   That is, conventionally, the protrusion pattern for regulating the domain is formed in the display region 2 by applying a resist on the transparent insulating substrate 1 and performing exposure / development processing. At the time of forming such a domain regulating projection pattern, the resist applied to the outer peripheral portion of the display region 2 is left without being removed. Thereby, the insulating film 6a is formed by the resist on the outer peripheral portion of the display region 2, and the transparent conductive film 4 therebelow is protected.

このような方法によれば、ドメイン規制用の突起状パターンをこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に透明導電膜４の保護膜となる絶縁膜６ａを形成することができ、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。そして、このようなＣＦ基板を用いることにより、液晶パネル内のショートの発生を回避することが可能になる。   According to such a method, it is possible to form the insulating film 6a as a protective film of the transparent conductive film 4 at the same time while forming the projecting pattern for regulating the domain in the same manner as before, and to form the CF substrate. The insulating film 6a can be formed without increasing the number of steps. By using such a CF substrate, it is possible to avoid occurrence of a short circuit in the liquid crystal panel.

なお、ここではＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板を例にして述べたが、勿論、液晶パネルの方式によっては、透明導電膜４の形成後にドメイン規制用の突起状パターンを形成せずにコモン端子５を除く表示領域２の外周部にのみ絶縁膜６ａを形成したＣＦ基板を構成ようにしてもよい。このようなＣＦ基板によっても液晶パネル内のショートの発生を回避することは可能である。   Here, the CF substrate for the MVA type liquid crystal panel has been described as an example. Of course, depending on the type of the liquid crystal panel, the common terminal may not be formed after forming the transparent conductive film 4 without forming the protruding pattern for domain regulation. A CF substrate in which the insulating film 6a is formed only on the outer peripheral portion of the display area 2 other than 5 may be configured. Even with such a CF substrate, it is possible to avoid the occurrence of a short circuit in the liquid crystal panel.

次に、第２の実施の形態について説明する。
図２は第２の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。ただし、図２では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。 Next, a second embodiment will be described.
2A and 2B are schematic plan views of the main part of the CF substrate according to the second embodiment, in which FIG. 2A shows a state before the formation of the insulating film, and FIG. 2B shows a state after the formation of the insulating film. However, in FIG. 2, the same elements as those shown in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.

第２の実施の形態のＣＦ基板は、図２（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板の表示領域外に形成される配線である端子引き出し線の形成位置に対応する部分、すなわちＣＦ基板の表示領域外周部でＴＦＴ基板と貼り合わせたときにそのような端子引き出し線に重なることとなる部分に、レジスト等の樹脂を用いて絶縁膜６ｂが形成されている点で、上記第１の実施の形態のＣＦ基板と相違する。   As shown in FIG. 2B, the CF substrate according to the second embodiment is a portion corresponding to the formation position of the terminal lead line which is a wiring formed outside the display area of the TFT substrate, that is, the display of the CF substrate. In the first embodiment, the insulating film 6b is formed using a resin such as a resist in a portion that overlaps with such a terminal lead line when bonded to the TFT substrate at the outer periphery of the region. This is different from the CF substrate in the form.

通常、ＴＦＴ基板には、ガラス基板等の透明絶縁性基板上に形成されている複数のＴＦＴを駆動するための走査線および信号線が直交するように形成されている。走査線および信号線は、透明絶縁性基板上でＴＦＴ基板の表示領域外に形成された端子引き出し線を介して、それぞれの駆動回路に接続されている。第２の実施の形態のＣＦ基板は、図２（Ａ），（Ｂ）に示すように、その表示領域２外であって、このようなＴＦＴ基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なることとなる部分に、絶縁膜６ｂが形成されている。   Usually, a TFT substrate is formed so that scanning lines and signal lines for driving a plurality of TFTs formed on a transparent insulating substrate such as a glass substrate are orthogonal to each other. The scanning lines and the signal lines are connected to the respective driving circuits via terminal lead lines formed outside the display area of the TFT substrate on the transparent insulating substrate. As shown in FIGS. 2A and 2B, the CF substrate of the second embodiment is outside the display region 2 and is connected to the terminal lead line when such a TFT substrate is bonded. An insulating film 6b is formed in the overlapping portion.

このような構成とすることにより、配向膜形成後のＣＦ基板をＴＦＴ基板と貼り合わせる際に、ＴＦＴ基板の端子引き出し線とＣＦ基板との間に金属等の導電性の異物が付着したような場合にも、その異物の透明導電膜４への到達を防ぎ、ＴＦＴ基板とＣＦ基板のショートを回避することが可能になる。   By adopting such a configuration, when the CF substrate after the alignment film is formed is bonded to the TFT substrate, a conductive foreign material such as a metal adheres between the terminal lead wire of the TFT substrate and the CF substrate. Even in this case, it is possible to prevent the foreign matter from reaching the transparent conductive film 4 and avoid a short circuit between the TFT substrate and the CF substrate.

なお、このような構成のＣＦ基板は、上記第１の実施の形態で述べたのと同様の方法により形成することができる。すなわち、例えばＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板であれば、図２（Ａ），（Ｂ）に示したように、レジストを用いてドメイン規制用の突起状パターン（図示せず。）を形成する際、それと同時に、ＴＦＴ基板の走査線側、信号線側それぞれの端子引き出し線に対応する部分に、端子引き出し線に相当する寸法（幅）で、そのレジストによって絶縁膜６ｂを形成すればよい。   The CF substrate having such a configuration can be formed by a method similar to that described in the first embodiment. That is, for example, in the case of a CF substrate for an MVA liquid crystal panel, as shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B), a resist pattern is used to form a domain restricting projection pattern (not shown). At the same time, the insulating film 6b may be formed of the resist with a dimension (width) corresponding to the terminal lead-out line in a portion corresponding to the terminal lead-out line on the scanning line side and the signal line side of the TFT substrate.

次に、第３の実施の形態について説明する。
図３は第３の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図、図４は図３のＡ−Ａ断面模式図である。ただし、図３、図４および以下の説明では、図１に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第３の実施の形態のＣＦ基板について、図１、図３および図４を参照して説明する。 Next, a third embodiment will be described.
FIG. 3 is a schematic plan view of an essential part of a CF substrate according to the third embodiment, and FIG. 4 is a schematic cross-sectional view taken along the line AA of FIG. However, in FIG. 3, FIG. 4, and the following description, the same code | symbol is attached | subjected about the element same as the element shown in FIG. 1, and the detail of the description is abbreviate | omitted. Hereinafter, a CF substrate according to a third embodiment will be described with reference to FIGS. 1, 3, and 4.

第３の実施の形態のＣＦ基板は、ＴＦＴ基板と貼り合わせる際、両基板間にセルギャップ調整用の球状スペーサ等を別途用いることなく、あらかじめＣＦ基板上の所定位置に柱状スペーサを形成しておく、いわゆるスペーサレス型であって、その表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成するようにしている点で、上記第１の実施の形態のＣＦ基板と相違する。   When the CF substrate of the third embodiment is bonded to the TFT substrate, a columnar spacer is previously formed at a predetermined position on the CF substrate without separately using a spherical spacer for adjusting the cell gap between the substrates. It is a so-called spacerless type, and is different from the CF substrate of the first embodiment in that an insulating film 6a is formed on the outer periphery of the display region 2.

このＣＦ基板は、例えばＭＶＡ型液晶パネル用である場合、図３に示すように、透明導電膜４上にドメイン規制用の突起状パターン７が平面Ｖ字形状で形成されていると共に、表示領域２内の画素間を遮光するように形成されたＢＭ膜３ａの直上の適当な位置に柱状スペーサ８が形成されている。この柱状スペーサ８により、ＴＦＴ基板と貼り合わせたときのセルギャップが一定値に保持されるようになる。   When this CF substrate is for an MVA type liquid crystal panel, for example, as shown in FIG. 3, a domain-regulated projection pattern 7 is formed in a planar V shape on the transparent conductive film 4, and a display area Columnar spacers 8 are formed at appropriate positions immediately above the BM film 3a formed so as to shield light between the pixels in 2. By this columnar spacer 8, the cell gap when bonded to the TFT substrate is held at a constant value.

ＢＭ膜３ａ上には、図３および図４に示すように、ＣＦ９の赤色、緑色、青色の各樹脂パターン９ａ，９ｂ，９ｃが重なる領域が存在している。このようにＲＧＢの樹脂パターン９ａ，９ｂ，９ｃが重なっている層（「色重ね層」という。）の上には、図１で述べたようにコモン端子５、表示領域２およびＢＭ膜３ａを含む金属膜３を覆うようにして形成された透明導電膜４が形成されている。   On the BM film 3a, as shown in FIGS. 3 and 4, there are regions where the resin patterns 9a, 9b, 9c of CF9 overlap. As described above with reference to FIG. 1, the common terminal 5, the display region 2, and the BM film 3a are formed on the layer in which the RGB resin patterns 9a, 9b, and 9c overlap each other (referred to as “color overlap layer”). A transparent conductive film 4 is formed so as to cover the included metal film 3.

そして、透明導電膜４上であって、直交するＢＭ膜３ａの交差部を通るように、レジスト等の樹脂を用いてドメイン規制用の突起状パターン７が形成されている。コモン端子５を除く表示領域２の外周部には、図１で述べたのと同じく絶縁膜６ａが形成され、また、柱状スペーサ８が形成される位置に絶縁膜６ｃが形成されている。すなわち、色重ね層の上に突起状パターン７と絶縁膜６ｃが積層されることによって、柱状スペーサ８が構成されている。   A protruding pattern 7 for domain regulation is formed on the transparent conductive film 4 using a resin such as a resist so as to pass through the intersecting portion of the orthogonal BM films 3a. An insulating film 6a is formed on the outer peripheral portion of the display area 2 excluding the common terminal 5 as described in FIG. 1, and an insulating film 6c is formed at a position where the columnar spacer 8 is formed. That is, the columnar spacer 8 is configured by laminating the protruding pattern 7 and the insulating film 6c on the color overlap layer.

このような構成のＣＦ基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第１の実施の形態で述べたのと同様にして、透明絶縁性基板１上に金属膜３（ＢＭ膜３ａを含む。）、ＲＧＢのＣＦ、透明導電膜４の形成を行い、その透明導電膜４上に所定形状の突起状パターン７を形成する。次いで、柱状スペーサ８を形成するため、レジストを用いて絶縁膜６ｃを所定の位置に形成する。   The CF substrate having such a configuration can be formed by the following method, for example. First, in the same manner as described in the first embodiment, the metal film 3 (including the BM film 3a), the RGB CF, and the transparent conductive film 4 are formed on the transparent insulating substrate 1, A protruding pattern 7 having a predetermined shape is formed on the transparent conductive film 4. Next, in order to form the columnar spacer 8, the insulating film 6c is formed at a predetermined position using a resist.

その際、そのレジストは、柱状スペーサ８の形成位置のみではなく、図１に示したようなコモン端子５を除く表示領域２の外周部にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ８の最上層となる絶縁膜６ｃと同時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成することができる。すなわち、柱状スペーサ８をこれまでと同様にして形成しながら、それと同時に表示領域２の外周部に存在する透明導電膜４を保護するための絶縁膜６ａを形成することができる。そのため、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。このようなＣＦ基板によっても、ＴＦＴ基板とのショートを回避することが可能になる。   At that time, the resist is left not only at the position where the columnar spacer 8 is formed, but also at the outer peripheral portion of the display area 2 excluding the common terminal 5 as shown in FIG. As a result, the insulating film 6 a can be formed on the outer peripheral portion of the display region 2 excluding the common terminal 5 simultaneously with the insulating film 6 c that is the uppermost layer of the columnar spacer 8. That is, it is possible to form the insulating film 6a for protecting the transparent conductive film 4 existing on the outer peripheral portion of the display region 2 while forming the columnar spacers 8 in the same manner as before. Therefore, the insulating film 6a can be formed without increasing the number of steps for forming the CF substrate. Such a CF substrate can also avoid a short circuit with the TFT substrate.

次に、第４の実施の形態について説明する。なお、以下の説明では、図３および図４に示した要素と同一の要素については同一の符号を付し、その説明の詳細は省略する。以下、第４の実施の形態のＣＦ基板について、図２、図３および図４を参照して説明する。   Next, a fourth embodiment will be described. In the following description, the same elements as those shown in FIGS. 3 and 4 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted. Hereinafter, a CF substrate according to a fourth embodiment will be described with reference to FIGS. 2, 3, and 4.

上記第３の実施の形態では、スペーサレス型のＣＦ基板において、柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃを形成する際に同じレジストを用いて同時に、コモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成するようにした。この第４の実施の形態のＣＦ基板は、同じくスペーサレス型であるが、上記第２の実施の形態と同様、ＴＦＴ基板の表示領域外に形成される端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成する。この点で上記第３の実施の形態のＣＦ基板と相違する。   In the third embodiment, in the spacerless CF substrate, when forming the uppermost insulating film 6c of the columnar spacer 8, the same resist is used and at the same time the outer peripheral portion of the display region 2 excluding the common terminal 5 An insulating film 6a is formed on the substrate. The CF substrate of the fourth embodiment is also of a spacerless type, but as in the second embodiment, an insulating film is formed on the portion corresponding to the terminal lead line formed outside the display area of the TFT substrate. 6b is formed. This is different from the CF substrate of the third embodiment.

このような構成のＣＦ基板は、例えば次のような方法で形成することができる。まず、第３の実施の形態で述べたのと同様にして、透明導電膜４上の突起状パターン７の形成まで行って、レジストを用いて所定の位置に絶縁膜６ｃを形成して、柱状スペーサ８を形成する。   The CF substrate having such a configuration can be formed by the following method, for example. First, in the same manner as described in the third embodiment, the process up to the formation of the protruding pattern 7 on the transparent conductive film 4 is performed, and the insulating film 6c is formed at a predetermined position using a resist. A spacer 8 is formed.

その際、そのレジストは、柱状スペーサ８の形成位置のみではなく、図２に示したように、ＴＦＴ基板が貼り合わされたときにその端子引き出し線に重なるようになる部分にも残すようにする。これにより、柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃと同時に、ＴＦＴ基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成することができる。そのため、ＣＦ基板形成の工程数を増やすことなく絶縁膜６ａを形成することができる。このようなＣＦ基板によっても、ＴＦＴ基板とのショートを回避することが可能になる。   At that time, the resist is left not only at the position where the columnar spacer 8 is formed, but also in a portion that overlaps with the terminal lead line when the TFT substrate is bonded as shown in FIG. As a result, the insulating film 6b can be formed at the portion corresponding to the terminal lead-out line of the TFT substrate simultaneously with the uppermost insulating film 6c of the columnar spacer 8. Therefore, the insulating film 6a can be formed without increasing the number of steps for forming the CF substrate. Such a CF substrate can also avoid a short circuit with the TFT substrate.

以上説明したように、ＣＦ基板のコモン端子５を除く表示領域２の外周部に絶縁膜６ａを形成する、あるいはＣＦ基板の表示領域２の外周部でＴＦＴ基板の端子引き出し線に対応する部分に絶縁膜６ｂを形成する。それにより、ＣＦ基板とＴＦＴ基板の貼り合わせの際に、表示領域２の外周部や特にその端子引き出し線の部分に導電性の異物が付着し、かつ配向膜を突き破ったとしても、絶縁膜６ａ，６ｂによって透明導電膜４が保護され、その異物と透明導電膜４との接触を防ぐことが可能になる。その結果、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との間の異物に起因したショートの発生を回避することができるようになる。   As described above, the insulating film 6a is formed on the outer peripheral portion of the display area 2 excluding the common terminal 5 of the CF substrate, or the portion corresponding to the terminal lead-out line of the TFT substrate on the outer peripheral portion of the display area 2 of the CF substrate. An insulating film 6b is formed. As a result, even when conductive foreign matter adheres to the outer peripheral portion of the display region 2 and particularly the portion of the terminal lead-out line and the alignment film is broken through when the CF substrate and the TFT substrate are bonded together, the insulating film 6a , 6b protects the transparent conductive film 4 and prevents contact between the foreign matter and the transparent conductive film 4. As a result, it is possible to avoid the occurrence of a short circuit due to foreign matter between the CF substrate and the TFT substrate.

また、このような役割を果たす絶縁膜６ａ，６ｂを、例えばＭＶＡ型液晶パネル用のＣＦ基板を形成する際のドメイン規制用の突起状パターン７と同時に同じ材料を用いて形成する、あるいはスペーサレス型である場合における柱状スペーサ８の最上層の絶縁膜６ｃと同時に同じ材料を用いて形成することにより、工程数を増加させることなく、ＴＦＴ基板とのショートの発生を回避することのできるＣＦ基板を形成することができる。   Further, the insulating films 6a and 6b having such a role are formed by using the same material at the same time as the projecting pattern 7 for regulating the domain when the CF substrate for MVA type liquid crystal panel is formed, for example, or spacerless A CF substrate that can avoid the occurrence of a short circuit with the TFT substrate without increasing the number of steps by forming the same material at the same time as the uppermost insulating film 6c of the columnar spacer 8 in the case of a mold. Can be formed.

このようなＣＦ基板により、表示品質の優れた液晶パネルを生産性良く形成することが可能になる。また、そのような液晶パネルを用いることにより、表示品質の高い高性能の液晶表示装置が実現可能になる。   With such a CF substrate, a liquid crystal panel with excellent display quality can be formed with high productivity. Further, by using such a liquid crystal panel, a high-performance liquid crystal display device with high display quality can be realized.

（付記１） 透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板において、
前記ＣＦが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするＣＦ基板。 (Supplementary Note 1) In a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate,
A display area in which the CF is formed;
A transparent conductive film covering the display area and outside the display area;
An external connection terminal formed outside the display area;
An insulating film formed outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A CF substrate characterized by comprising:

（付記２） 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成されていることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記３） 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合されるＴＦＴ基板の配線形成位置に対応する部分に形成されていることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。 (Supplementary note 2) The CF substrate according to supplementary note 1, wherein the insulating film is formed on the entire surface of the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminals.
(Additional remark 3) The said insulating film is formed in the part corresponding to the wiring formation position of the TFT substrate joined among the area | regions on the said transparent conductive film except the said external connection terminal outside the said display area. The CF substrate as set forth in appendix 1, wherein:

（付記４） 前記絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記５） 前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたドメイン規制用の突起状パターンを有していることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。 (Supplementary note 4) The CF substrate according to supplementary note 1, wherein the insulating film is a resin.
(Supplementary note 5) The CF substrate according to supplementary note 1, wherein the CF substrate has a projecting pattern for domain regulation formed on the transparent conductive film in the display region.

（付記６） 前記表示領域の前記透明導電膜上に形成されたセルギャップ調整用の柱状パターンを有していることを特徴とする付記１記載のＣＦ基板。
（付記７） 透明絶縁性基板上にＣＦが形成されたＣＦ基板の製造方法において、
前記透明絶縁性基板上にＣＦが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするＣＦ基板の製造方法。 (Supplementary note 6) The CF substrate according to supplementary note 1, wherein the CF substrate has a columnar pattern for cell gap adjustment formed on the transparent conductive film in the display region.
(Supplementary Note 7) In a method for manufacturing a CF substrate in which CF is formed on a transparent insulating substrate,
Forming a display region in which CF is formed on the transparent insulating substrate;
Forming a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area;
Forming an external connection terminal outside the display area;
Forming an insulating film outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A method for producing a CF substrate, comprising:

（付記８） 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。 (Supplementary Note 8) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
8. The method of manufacturing a CF substrate according to claim 7, wherein the insulating film is formed on the entire surface of the transparent conductive film outside the display area and excluding the external connection terminals.

（付記９） 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合される別の基板の配線の形成位置に対応する部分に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。 (Supplementary note 9) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
The insulating film is formed in a portion corresponding to a formation position of a wiring of another substrate to be bonded in a region on the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminal. The method for manufacturing a CF substrate according to appendix 7.

（付記１０） 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するドメイン規制用の突起状パターンと同じ材料を用いて前記突起状パターンと共に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。 (Supplementary Note 10) In the step of forming the insulating film in a region outside the display region and excluding the external connection terminal on the transparent conductive film,
The manufacturing method of a CF substrate according to claim 7, wherein the insulating film is formed together with the protruding pattern using the same material as the protruding pattern for domain regulation formed on the transparent conductive film in the display region. Method.

（付記１１） 前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に前記絶縁膜を形成する工程においては、
前記絶縁膜を、前記表示領域の前記透明導電膜上に形成するセルギャップ調整用の柱状パターンと同じ材料を用いて前記柱状パターンと共に形成することを特徴とする付記７記載のＣＦ基板の製造方法。 (Additional remark 11) In the process of forming the said insulating film in the area | region on the said transparent conductive film except the said display area and the said external connection terminal,
The method of manufacturing a CF substrate according to appendix 7, wherein the insulating film is formed together with the columnar pattern using the same material as a columnar pattern for cell gap adjustment formed on the transparent conductive film in the display region. .

（付記１２） ＣＦ基板を用いた液晶パネルにおいて、
前記ＣＦ基板は、ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶パネル。 (Supplementary Note 12) In a liquid crystal panel using a CF substrate,
The CF substrate includes a display area on which a CF is formed, a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area, an external connection terminal formed outside the display area, and an outside of the display area. And an insulating film formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal.

（付記１３） ＣＦ基板を用いた液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、ＣＦが形成された表示領域と、前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 (Supplementary note 13) In a liquid crystal display device using a CF substrate,
The CF substrate includes a display area on which a CF is formed, a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area, an external connection terminal formed outside the display area, and an outside of the display area. And an insulating film formed in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal.

第１の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。2A and 2B are schematic plan views of a main part of the CF substrate according to the first embodiment, in which FIG. 3A shows a state before forming an insulating film, and FIG. 第２の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図であって、（Ａ）は絶縁膜形成前の状態、（Ｂ）は絶縁膜形成後の状態を示す図である。4A and 4B are schematic plan views of a main part of a CF substrate according to a second embodiment, where FIG. 5A shows a state before forming an insulating film, and FIG. 4B shows a state after forming the insulating film. 第３の実施の形態のＣＦ基板の要部平面模式図である。It is a principal part plane schematic diagram of CF substrate of 3rd Embodiment. 図３のＡ−Ａ断面模式図である。It is an AA cross-sectional schematic diagram of FIG. 従来の液晶パネルの一例の要部断面模式図である。It is a principal part cross-section schematic diagram of an example of the conventional liquid crystal panel. 従来のＣＦ基板の一例の平面模式図である。It is a plane schematic diagram of an example of a conventional CF substrate. 従来の別の例のＣＦ基板の要部平面模式図である。It is a principal part plane schematic diagram of the CF board | substrate of another conventional example. 従来の別の例のＣＦ基板の形成方法の概略図であって、（Ａ）はＢＭ膜形成工程の要部断面模式図、（Ｂ）は第１の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｃ）は第２の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｄ）は第３の樹脂パターン形成工程の要部断面模式図、（Ｅ）は透明導電膜形成工程の要部断面模式図、（Ｆ）は突起状パターン形成工程の要部断面模式図である。It is the schematic of the formation method of the CF substrate of another conventional example, Comprising: (A) is a principal part cross-sectional schematic diagram of a BM film formation process, (B) is a principal part cross-sectional schematic diagram of a 1st resin pattern formation process. (C) is a principal part cross-section schematic diagram of the 2nd resin pattern formation process, (D) is a principal part cross-section schematic diagram of the 3rd resin pattern formation process, (E) is a principal part cross section of a transparent conductive film formation process. Schematic view, (F) is a schematic cross-sectional view of the relevant part in the protruding pattern forming step. 従来の液晶パネルの端部付近の断面模式図である。It is a cross-sectional schematic diagram of the edge part vicinity of the conventional liquid crystal panel.

符号の説明Explanation of symbols

１ 透明絶縁性基板
２ 表示領域
３ 金属膜
３ａ ＢＭ膜
４ 透明導電膜
５ コモン端子
６ａ，６ｂ，６ｃ 絶縁膜
７ 突起状パターン
８ 柱状スペーサ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent insulating substrate 2 Display area 3 Metal film 3a BM film 4 Transparent conductive film 5 Common terminal 6a, 6b, 6c Insulating film 7 Protruding pattern 8 Columnar spacer

Claims (5)

透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板において、
前記カラーフィルタが形成された表示領域と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜と、
前記表示領域外に形成された外部接続用端子と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に形成された絶縁膜と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板。 In a color filter substrate in which a color filter is formed on a transparent insulating substrate,
A display area in which the color filter is formed;
A transparent conductive film covering the display area and outside the display area;
An external connection terminal formed outside the display area;
An insulating film formed outside the display region and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A color filter substrate comprising: 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域の全面に形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。   The color filter substrate according to claim 1, wherein the insulating film is formed on the entire surface of the transparent conductive film outside the display region and excluding the external connection terminals. 前記絶縁膜は、前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域のうち、接合される薄膜トランジスタ基板の配線形成位置に対応する部分に形成されていることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。   The insulating film is formed in a portion corresponding to a wiring formation position of a thin film transistor substrate to be bonded in a region on the transparent conductive film excluding the external connection terminal outside the display region. The color filter substrate according to claim 1. 前記絶縁膜は、樹脂であることを特徴とする請求項１記載のカラーフィルタ基板。   The color filter substrate according to claim 1, wherein the insulating film is a resin. 透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成されたカラーフィルタ基板の製造方法において、
前記透明絶縁性基板上にカラーフィルタが形成された表示領域を形成する工程と、
前記表示領域と前記表示領域外とを覆う透明導電膜を形成する工程と、
前記表示領域外に外部接続用端子を形成する工程と、
前記表示領域外であって前記外部接続用端子を除く前記透明導電膜上の領域に絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とするカラーフィルタ基板の製造方法。
In the method for manufacturing a color filter substrate in which a color filter is formed on a transparent insulating substrate,
Forming a display area in which a color filter is formed on the transparent insulating substrate;
Forming a transparent conductive film covering the display area and the outside of the display area;
Forming an external connection terminal outside the display area;
Forming an insulating film outside the display area and on the transparent conductive film excluding the external connection terminal;
A method for producing a color filter substrate, comprising:
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