JP2006313637A - Method of recording information and recording/reproducing device - Google Patents

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金　朱鎬
Junji Tominaga
富永　淳二
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of recording information on a recording medium, which allows one recording medium to be applied to a magnetooptical recording/reproducing system, and a phase-change recording/reproducing system, and to solve a problem on heat stability when the information recorded on the recording medium is reproduced. <P>SOLUTION: The information is recorded on the recording medium in which a recording layer, a first dielectric layer, a mask layer that causes a super-resolution phenomenon, and a second dielectric layer are layered in this order. Further, the information is recorded by reacting with and diffusing materials between the recording layer and the first dielectric layer to swell the recording layer with a laser beam or heat. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、情報を記録する方法および記録再生装置に関する。   The present invention relates to a method for recording information and a recording / reproducing apparatus.

従来の記録媒体には、大きく分けて光磁気方式の記録媒体と相変化方式の記録媒体とがある。MD(Mini Disk)のような光磁気方式の記録媒体では、磁性体に直線偏光を入射させた際に、磁性体の磁化強度及び磁化方向に応じて、その反射光が回転する磁気カー効果現象を利用して、情報が再生される。DVD(digital versatile disk)のような相変化方式の記録媒体では、記録媒体の記録部分と未記録部分における非晶質と結晶質の結晶状態による光常数の吸収係数の差によって生じる反射率の差を利用して、情報が再生される。   Conventional recording media are broadly classified into magneto-optical recording media and phase change recording media. In magneto-optical recording media such as MD (Mini Disk), when the linearly polarized light is incident on the magnetic material, the reflected Kerr effect rotates depending on the magnetization intensity and direction of the magnetic material. Information is reproduced using. In a phase change recording medium such as a DVD (digital versatile disk), the difference in reflectivity caused by the difference in the absorption coefficient of the optical constant due to the amorphous and crystalline crystalline states in the recorded and unrecorded parts of the recording medium. Information is reproduced using.

図1は、従来の光磁気方式の記録媒体の記録原理を示す図である。図1に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層111（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＳｉＮのような誘電体の誘電体層112、ＴｂＦｅＣｏのような磁性体の記録層113、ＳｉＮのような誘電体の誘電体層114、及び透明なポリカーボネート(Polycarbonate)層115が順次積層された構造を有する。約5mW程度の出力を有するレーザー118からのレーザービームを収束レンズ119で収束し、この記録媒体に照射して、記録層を200℃〜400℃に加熱すると同時に、電流源117から電流が印加される磁気コイル116によって、レーザービームが照射される部分に磁界を発生させることにより、未記録状態での磁気スピン方向とは反対の方向に、磁気スピンの方向を変化させる。これにより、光磁気方式で記録された情報を、光磁気方式で再生することができる。図において、未記録部分の磁気スピン方向は、下向き方向に、また被記録部分の磁気スピン方向は、上向き方向に示されている。   FIG. 1 is a diagram showing the recording principle of a conventional magneto-optical recording medium. As shown in FIG. 1, the recording medium includes an aluminum (Al) layer 111 (a silver (Ag) layer can also be used) serving as a reflective layer, a dielectric layer 112 of a dielectric such as SiN, and TbFeCo. A magnetic recording layer 113, a dielectric layer 114 made of a dielectric such as SiN, and a transparent polycarbonate layer 115 are sequentially laminated. A laser beam from a laser 118 having an output of about 5 mW is converged by a converging lens 119, and this recording medium is irradiated to heat the recording layer to 200 ° C. to 400 ° C., and at the same time, a current is applied from a current source 117. By generating a magnetic field in the portion irradiated with the laser beam by the magnetic coil 116, the direction of the magnetic spin is changed in a direction opposite to the magnetic spin direction in the unrecorded state. As a result, information recorded by the magneto-optical method can be reproduced by the magneto-optical method. In the figure, the magnetic spin direction of the unrecorded portion is shown in the downward direction, and the magnetic spin direction of the recorded portion is shown in the upward direction.

図2は、従来の相変化方式の記録媒体の記録原理を示す図である。図2に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層121（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層122、ＧｅＳｂＴｅのような記録層123、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層124、及び透明なポリカーボネート(Polycarbonate)層125が順次積層された構造を有する。また、記録層123と誘電体層122、124との間の反応拡散を停止させるため、記録層123と誘電体層122、124との間には、保護膜を形成しても良い。約10〜15mW程度の出力を有するレーザー128からのレーザービームを収束レンズ129で収束し、記録媒体に照射して、記録層122を約600℃に加熱させ、レーザービームが照射された部分を非晶質に変換することにより、光常数(n、k)の屈折率nの変化とは無関係に、吸収係数kを低下させる。これにより、相変化方式に記録された情報を相変化方式により再生することができる。ここで、吸収係数kの低下は、情報の記録のためにレーザービームが照射された非晶質部分の透明度が上昇し、反射率が小さくなることを意味する。一般に、未記録部分に相当する記録層の結晶質部分の吸収係数は、約3.0程度であるが、レーザービームが照射されて情報が記録された非晶質部分の吸収係数は、約1.5程度となり、その差は約1.5程度である。 FIG. 2 is a diagram showing a recording principle of a conventional phase change recording medium. As shown in FIG. 2, the recording medium has an aluminum (Al) layer 121 (a silver (Ag) layer can also be used) serving as a reflective layer, a dielectric layer 122 made of a dielectric such as ZnS—SiO 2 , It has a structure in which a recording layer 123 such as GeSbTe, a dielectric layer 124 made of a dielectric material such as ZnS—SiO 2 , and a transparent polycarbonate layer 125 are sequentially stacked. Further, a protective film may be formed between the recording layer 123 and the dielectric layers 122 and 124 in order to stop reaction diffusion between the recording layer 123 and the dielectric layers 122 and 124. A laser beam from a laser 128 having an output of about 10 to 15 mW is converged by a converging lens 129, irradiated onto a recording medium, the recording layer 122 is heated to about 600 ° C., and the portion irradiated with the laser beam is non-exposed. By converting to crystalline, the absorption coefficient k is decreased regardless of the change in the refractive index n of the light constant (n, k). Thereby, the information recorded in the phase change method can be reproduced by the phase change method. Here, the decrease in the absorption coefficient k means that the transparency of the amorphous part irradiated with the laser beam for information recording increases and the reflectance decreases. In general, the absorption coefficient of the crystalline part of the recording layer corresponding to the unrecorded part is about 3.0, but the absorption coefficient of the amorphous part where information is recorded by irradiation with a laser beam is about 1.5. The difference is about 1.5.

しかし、現在の光磁気方式の記録媒体と相変化方式の記録媒体は、互いに異なっている。このため、光磁気方式と相変化方式では、それぞれ互いに異なる記録媒体を利用している。   However, current magneto-optical recording media and phase change recording media are different from each other. For this reason, the magneto-optical method and the phase change method use different recording media.

相変化方式の一種で、微小マークを利用して記録媒体に情報を記録し、記録媒体に記録された情報を回折限界以下で再生するような、さまざまな方法が提示されている。その中で、最も注目されている超解像度近接場構造を利用する再生方式は“Applied Physics Letters,Vol.73,No.15,Oct.1998”及び“Japanese Journal of Applied Physics,Vol.39,Part I,No.2B,2000,pp.980-981”に開示されている。   Various types of phase change methods have been proposed in which information is recorded on a recording medium using minute marks and the information recorded on the recording medium is reproduced below the diffraction limit. Among them, the reproduction methods using the super-resolution near-field structure that has attracted the most attention are “Applied Physics Letters, Vol. 73, No. 15, Oct. 1998” and “Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 39, Part. I, No. 2B, 2000, pp. 980-981 ”.

図3は、従来の超解像度近接場(super resolution near field)構造を利用する記録媒体を示す図である。図3に示すように、記録媒体はＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層132-2、ＧｅＳｂＴｅのような記録層133、保護膜の役割をするＺｎＳ−ＳｉＯ２又はＳｉＮのような誘電体の誘電体層134-2、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層137-2、ＺｎＳ−ＳｉＯ２又はＳｉＮのような誘電体の誘電体層134-1、および透明なポリカーボネート層135が順次積層された構造を有する。ここで、マスク層137-2がＳｂである場合、マスク層137-2に接する誘電体層134-1、134-2は、ＳｉＮであり、マスク層137-2がＡｇＯｘである場合、マスク層137-2に接する誘電体層134-1、134-2は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。約10〜15mW程度の出力を有するレーザー138からのレーザービームを収束レンズ139で収束し、記録媒体に照射して、記録層133を約600℃に加熱させ、レーザービームが照射される部分を非晶質に変換することにより、光常数(n、k)における屈折率nの変化とは無関係に、吸収係数kを低下させる。この時、レーザービームが照射されたＳｂ又はＡｇＯｘのマスク層137-2では、Ｓｂ結晶の変化又はＡｇＯｘの分解が生じ、マスク層137-2が記録層に対してプローブの役割を果たすようになり、近接場構造が形成される。従って、回折限界以下の微小マークの再生が可能となり、高記録密度の記録媒体からも、情報を超解像度近接場構造で再生することが可能となる。 FIG. 3 is a diagram showing a recording medium using a conventional super resolution near field structure. As shown in FIG. 3, the recording medium such as ZnS-SiO 2 or SiN for the role of the dielectric layer 132-2, the recording layer 133, such as GeSbTe, a protective film of dielectric such as ZnS-SiO 2 the dielectric layer 134-2 of the dielectric mask layer 137-2 of Sb or AgO x, a dielectric layer 134-1, and transparent polycarbonate layer 135 of ZnS-SiO 2 or dielectrics such as SiN are sequentially stacked Has a structure. Here, when the mask layer 137-2 is Sb, the dielectric layers 134-1 and 134-2 in contact with the mask layer 137-2 are SiN, and when the mask layer 137-2 is AgO x , dielectric layer 134-1 and 134-2 adjacent to 137-2 layer is ZnS-SiO 2. A laser beam from a laser 138 having an output of about 10 to 15 mW is converged by a converging lens 139, irradiated onto a recording medium, the recording layer 133 is heated to about 600 ° C., and the portion irradiated with the laser beam is not irradiated. By converting to crystalline, the absorption coefficient k is decreased regardless of the change of the refractive index n in the light constant (n, k). At this time, the Sb crystal change or AgO x decomposition occurs in the Sb or AgO x mask layer 137-2 irradiated with the laser beam, so that the mask layer 137-2 serves as a probe for the recording layer. And a near-field structure is formed. Accordingly, it is possible to reproduce minute marks below the diffraction limit, and it is possible to reproduce information with a super-resolution near-field structure even from a recording medium with a high recording density.

しかしながら、超解像度近接場構造は、マスク層と記録層の遷移温度が近接しているため、記録された情報を再生する際の熱安定性が大きな問題となっている。これを解決するための方法には、マスク層の遷移温度を下げる方法と、記録層の遷移温度を高める方法とがあるが、マスク層と記録層の遷移温度の間に差異を設けることは、材料の特性上容易ではない。   However, in the super-resolution near-field structure, since the transition temperatures of the mask layer and the recording layer are close to each other, thermal stability when reproducing recorded information is a big problem. Methods for solving this include a method of lowering the transition temperature of the mask layer and a method of raising the transition temperature of the recording layer, but providing a difference between the transition temperatures of the mask layer and the recording layer Not easy due to material characteristics.

本発明は、一つの記録媒体で光磁気記録及び再生方式と相変化記録及び再生方式に適用することが可能な、記録媒体に情報を記録する方法、および記録再生装置を提供することを課題とする。また、記録媒体に記録された情報を再生する際に問題となる熱安定性の問題を解決することを課題とする。   It is an object of the present invention to provide a method for recording information on a recording medium and a recording / reproducing apparatus that can be applied to a magneto-optical recording and reproducing method and a phase change recording and reproducing method with one recording medium. To do. Another object of the present invention is to solve the problem of thermal stability, which becomes a problem when reproducing information recorded on a recording medium.

本発明では、記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録する方法であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させ、前記記録層を膨らませることにより、情報を記録する方法が提供される。 The present invention is a method for recording information on a recording medium in which a recording layer, a first dielectric layer, a mask layer causing a super-resolution phenomenon, and a second dielectric layer are laminated in this order,
There is provided a method for recording information by reacting and diffusing a material between the recording layer and the first dielectric layer with a laser beam or heat to expand the recording layer.

ここで、前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であっても良い。   Here, the first dielectric layer may be a layer containing at least either oxygen or sulfur.

また、前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含んでも良い。 The mask layer may contain Sb or AgO x .

さらに、前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であっても良い。   Further, the recording layer may be an alloy of a rare earth and a transition metal.

特に、前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであっても良い。   In particular, the recording layer may be TbFeCo.

また、本発明では、記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生する記録再生装置であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させて、前記記録層を膨らませることにより情報を記録し、
前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散による光常数の吸収係数変化を用いて相変化方式により情報を記録する記録媒体、または、前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散の際に磁気スピン方向の変化を発生させ、光磁気方式により情報を記録する記録媒体のいずれか一つを再生することが可能な記録再生装置が提供される。 In the present invention, information is recorded on a recording medium in which a recording layer, a first dielectric layer, a mask layer causing a super-resolution phenomenon, and a second dielectric layer are laminated in this order, and the recorded information is reproduced. A recording / reproducing apparatus,
Information is recorded by expanding the recording layer by reacting and diffusing a material between the recording layer and the first dielectric layer by a laser beam or heat,
A recording medium for recording information by a phase change method using a change in absorption coefficient of light constant due to reaction diffusion between the recording layer and the first dielectric layer, or a reaction between the recording layer and the first dielectric layer Provided is a recording / reproducing apparatus capable of reproducing any one of recording media on which information is recorded by a magneto-optical method by generating a change in the magnetic spin direction during diffusion.

ここで、前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であっても良い。   Here, the first dielectric layer may be a layer containing at least either oxygen or sulfur.

また、前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含んでも良い。 The mask layer may contain Sb or AgO x .

さらに、前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であっても良い。   Further, the recording layer may be an alloy of a rare earth and a transition metal.

特に、前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであっても良い。   In particular, the recording layer may be TbFeCo.

本発明による情報を記録する方法、および記録再生装置は、従来に比べて情報再生特性に優れ、一つの記録媒体で光磁気記録及び再生方式と相変化記録及び再生方式に適用することができる。また、超解像度近接場構造におけるマスク層と記録層との遷移温度の類似性によって、記録媒体に記録された情報を再生する際に問題となる、従来の熱安定性の問題を解決しつつ、情報を回折限界以下で再生することができる。   The method and the recording / reproducing apparatus for recording information according to the present invention are superior in information reproducing characteristics as compared with the prior art, and can be applied to a magneto-optical recording and reproducing method and a phase change recording and reproducing method with a single recording medium. In addition, while solving the problem of conventional thermal stability, which becomes a problem when reproducing information recorded on the recording medium, due to the similarity of the transition temperature between the mask layer and the recording layer in the super-resolution near-field structure, Information can be reproduced below the diffraction limit.

上述した目的を達成して、従来の問題点を除去するための課題を実行する本発明の構成と、その作用を添付図面により詳細に説明する。   The configuration of the present invention that achieves the above-described object and executes the problem for eliminating the conventional problems and the operation thereof will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

図4は、本発明による記録媒体の構造を示す図である。   FIG. 4 is a diagram showing the structure of a recording medium according to the present invention.

図4に示すように、記録媒体は、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221（銀（Ａｇ）層を使うこともできる）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層222、酸素と硫黄に対して親和力と反応力が大きいＴｂＦｅＣｏのような磁性体の記録層223、ＺｎＳ−ＳｉＯ２のような誘電体の誘電体層224、及び透明なポリカーボネート層225がこの順に積層された構造を有する。記録層の材料は、希土類遷移金属又は希土類金属と遷移金属の合金のような、誘電体層と反応拡散して硫黄化物や酸化物を形成することができる材料である。これらの材料としては、光磁気材料、銀-亜鉛（Ａｇ−Ｚｎ）、銀-亜鉛(Ａｇ−Ｚｎ)化合物、タングステン（Ｗ）、トングステン化合物（Ｗ−Ｆｅ、Ｗ−Ｓｅ等）、鉄（Ｆｅ）等がある。 As shown in FIG. 4, the recording medium has an aluminum (Al) layer 221 serving as a reflective layer (a silver (Ag) layer can also be used), a dielectric dielectric layer 222 such as ZnS—SiO 2 , dielectric layer 224, and a transparent polycarbonate layer 225 of dielectric such as recording layer 223, ZnS-SiO 2 of the magnetic material such as TbFeCo affinity reaction force is large relative to the oxygen and sulfur are laminated in this order It has a structure. The material of the recording layer is a material that can react with the dielectric layer and form a sulfide or oxide, such as a rare earth transition metal or an alloy of a rare earth metal and a transition metal. These materials include magneto-optical materials, silver-zinc (Ag-Zn), silver-zinc (Ag-Zn) compounds, tungsten (W), tongsten compounds (W-Fe, W-Se, etc.), iron (Fe ) Etc.

図2に示したような相変化方式によって、10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmの青色レーザー128からのレーザービームを収束レンズ129で収束させ、これを図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を490℃〜540℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224とを反応拡散させる。この時、反応と拡散は、同時に生じる。反応拡散された記録層では、光常数(n、k)の吸収係数kは、ほぼ0になり、レーザービームが照射されなかった部分では、光常数(n,k)の吸収係数kは、約4であるので、相変化方式により記録媒体に情報を記録することができる。   By the phase change method as shown in FIG. 2, the laser beam from the blue laser 128 having a wavelength of 635 nm and the wavelength of 635 nm having an output of about 10 to 15 mW is converged by the converging lens 129. By irradiating the recording medium having the configuration, the recording layer is heated to 490 ° C. to 540 ° C., and the recording layer 223 and the dielectric layers 222 and 224 are reacted and diffused. At this time, reaction and diffusion occur simultaneously. In the reaction-diffused recording layer, the absorption coefficient k of the light constant (n, k) is almost 0, and in the portion not irradiated with the laser beam, the absorption coefficient k of the light constant (n, k) is about Therefore, information can be recorded on the recording medium by the phase change method.

また、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221を排除し、誘電体層224を保護膜の役割の誘電体層（第2誘電体層）とし、この下に、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層、誘電体層（第1誘電体層）、及び記録層223がこの順に積層された構造にすることで、図３のような超解像度近接場構造を得ることができる。この場合、レーザービーム照射の際に、記録層223と第1誘電体層の間の反応拡散と、マスク層がＳｂである場合に生じる結晶の変化、又はマスク層がＡｇＯｘである場合に生じる分解を利用して、記録された情報を回折限界以下で再生することができる。ここで、マスク層のＳｂ又はＡｇＯｘと記録層のＴｂＦｅＣｏとの遷移温度の差は、大きいので、従来の熱安定性の問題を解決したまま、記録媒体から情報を再生することができる。マスク層の結晶変化による部分は、再生時、プローブの役割をする。ここで、マスク層がＳｂである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＳｉＮであり、マスク層がＡｇＯｘである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。 Further, the aluminum (Al) layer 221 serving as a reflective layer is excluded, and the dielectric layer 224 is used as a dielectric layer (second dielectric layer) serving as a protective film, and below this is a mask layer of Sb or AgO x . By forming a structure in which the dielectric layer (first dielectric layer) and the recording layer 223 are laminated in this order, a super-resolution near-field structure as shown in FIG. 3 can be obtained. In this case, during laser beam irradiation, it occurs when the reaction diffusion between the recording layer 223 and the first dielectric layer and the crystal change that occurs when the mask layer is Sb, or when the mask layer is AgO x. Using the decomposition, the recorded information can be reproduced below the diffraction limit. Here, since the difference in transition temperature between Sb or AgO x of the mask layer and TbFeCo of the recording layer is large, information can be reproduced from the recording medium while solving the conventional thermal stability problem. The portion of the mask layer due to crystal change serves as a probe during reproduction. Here, when the mask layer is Sb, the dielectric layer serving as the protective film and the dielectric layer in contact with the mask layer are SiN, and when the mask layer is AgO x , the dielectric serving as the protective film The dielectric layer in contact with the layer and the mask layer is ZnS—SiO 2 .

また、光磁気方式で図1に示すような10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmのレーザー118からのレーザービームを収束レンズ119に収束させ、これを、図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を400℃〜490℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224とを反応拡散させると同時に、電流源117から電流が印加された磁気コイル116によって、レーザービームが照射される部分に磁界を発生させて、未記録状態での磁気スピン方向と反対の方向に、磁気スピンの方向を変化させる。この時、反応は生じるが、拡散はほとんど生じない。このように、光磁気方式により、反応拡散によって磁気スピン方向が変化した記録層部分と、レーザービームが照射されず、磁気スピン方向がこれとは反対となる部分とを利用して、記録媒体に情報を記録することができる。   Also, the laser beam from the laser 118 with a wavelength of 635 nm red or wavelength 405 nm having an output of about 10 to 15 mW as shown in FIG. 1 is converged on the converging lens 119, as shown in FIG. By irradiating the recording medium having the configuration, the recording layer was heated to 400 ° C. to 490 ° C., and the recording layer 223 and the dielectric layers 222 and 224 were reacted and diffused, and at the same time, a current was applied from the current source 117. The magnetic coil 116 generates a magnetic field in the portion irradiated with the laser beam, and changes the direction of the magnetic spin in the direction opposite to the magnetic spin direction in the unrecorded state. At this time, reaction occurs, but diffusion hardly occurs. As described above, the magneto-optical method uses a recording layer portion in which the magnetic spin direction is changed by reaction diffusion and a portion in which the magnetic spin direction is opposite to the recording layer without being irradiated with the laser beam. Information can be recorded.

また、相変化方式で図2に示すように10〜15mW程度の出力を有する波長635nmの赤色又は波長405nmの青色レーザー128からのレーザービームを収束レンズ129に収束させ、これを、図4のような構成の記録媒体に照射することで、記録層を400℃〜490℃に加熱して、記録層223と誘電体層222、224を反応拡散させる。この時、反応は生じるが、拡散はほとんど生じない。レーザービームが照射された記録層223と誘電体層222、224とは、記録層223と誘電体層222、224との反応拡散によって、図5のような形態を示す。このように、記録媒体のレーザービームが照射されて反応が生じた部分がふくらんで、凸のようになる物理的特性の変化によって、光磁気再生装置での再生時のレーザービームの反射角と、相変化方式により記録再生される際のレーザービームの反射角とが、ほぼ等しくなる。従って、レーザービームが照射されて反応が生じた部分がふくらんで凸のようになる物理的特性を利用することで、相変化方式により記録媒体に情報を記録し、光磁気記録再生装置で記録媒体に記録された情報を再生することもできる。この性能に対しては後述する。   Further, as shown in FIG. 2, the phase change method converges the laser beam from the red laser having a wavelength of 635 nm or the blue laser having a wavelength of 405 nm having an output of about 10 to 15 mW to the converging lens 129, which is shown in FIG. By irradiating a recording medium having a different structure, the recording layer is heated to 400 ° C. to 490 ° C., and the recording layer 223 and the dielectric layers 222 and 224 are reacted and diffused. At this time, reaction occurs, but diffusion hardly occurs. The recording layer 223 and the dielectric layers 222 and 224 irradiated with the laser beam have a form as shown in FIG. 5 due to reaction diffusion between the recording layer 223 and the dielectric layers 222 and 224. Thus, the portion of the recording medium irradiated with the laser beam bulges and the change in physical characteristics becomes convex, resulting in the reflection angle of the laser beam during reproduction on the magneto-optical reproduction device, The reflection angle of the laser beam when recording / reproducing by the phase change method is substantially equal. Therefore, information is recorded on the recording medium by the phase change method by utilizing the physical characteristic that the part where the reaction occurs when irradiated with the laser beam is bulged, and the recording medium is recorded by the magneto-optical recording / reproducing apparatus. It is also possible to reproduce the information recorded in This performance will be described later.

また、反射層の役割のアルミニウム（Ａｌ）層221を排除し、誘電体層224を保護膜の役割の誘電体層（第2誘電体層）とし、この下に、Ｓｂ又はＡｇＯｘのマスク層、誘電体層（第1誘電体層）、及び記録層223がこの順に積層された構造にすることで、図３のような超解像度近接場構造を得ることができる。この場合、レーザービーム照射の際に、記録層223と第1誘電体層の間の反応拡散と、マスク層がＳｂである場合に生じる結晶の変化、又はマスク層がＡｇＯｘである場合に生じる分解を利用して、記録された情報を回折限界以下で再生することができる。ここで、マスク層のＳｂ又はＡｇＯｘと記録層のＴｂＦｅＣｏとの遷移温度の差は、大きいので、従来の熱安定性の問題を解決したまま、記録媒体から情報を再生することができる。マスク層の結晶変化による部分は、再生時、プローブの役割を果たす。ここで、マスク層がＳｂである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＳｉＮであり、マスク層がＡｇＯｘである場合、保護膜の役割の誘電体層、及びマスク層と接する誘電体層は、ＺｎＳ−ＳｉＯ２である。 Further, the aluminum (Al) layer 221 serving as a reflective layer is excluded, and the dielectric layer 224 is used as a dielectric layer (second dielectric layer) serving as a protective film, and below this is a mask layer of Sb or AgO x . By forming a structure in which the dielectric layer (first dielectric layer) and the recording layer 223 are laminated in this order, a super-resolution near-field structure as shown in FIG. 3 can be obtained. In this case, during laser beam irradiation, it occurs when the reaction diffusion between the recording layer 223 and the first dielectric layer and the crystal change that occurs when the mask layer is Sb, or when the mask layer is AgO x. Using the decomposition, the recorded information can be reproduced below the diffraction limit. Here, since the difference in transition temperature between Sb or AgO x of the mask layer and TbFeCo of the recording layer is large, information can be reproduced from the recording medium while solving the conventional thermal stability problem. The portion of the mask layer due to crystal change serves as a probe during reproduction. Here, when the mask layer is Sb, the dielectric layer serving as the protective film and the dielectric layer in contact with the mask layer are SiN, and when the mask layer is AgO x , the dielectric serving as the protective film The dielectric layer in contact with the layer and the mask layer is ZnS—SiO 2 .

本発明による記録媒体の記録層(ＴｂＦｅＣｏ)と誘電体層(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)及び誘電体層(ＺｎＳ−ＳｉＯ2)を反応拡散させれば、硫黄化反応によってＴｂ２Ｓ３、ＦｅＳ、ＣｏＳ、ＣｏＳ２等が生成され、酸化反応によってＴｂＯ２、Ｔｂ２Ｏ３、ＦｅＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｏＯ等が生成され、結晶化によってα−Ｆｅ、α−Ｃｏ、α−Ｔｂ及びα−Ｆｅ−Ｔｂ等が生成され、Ｓｉ、Ｆｅ及びＣｏが記録層と誘電体層との間に相互拡散し、硫黄と酸素が記録層に拡散する。 If the recording layer (TbFeCo), the dielectric layer (ZnS—SiO 2 ), and the dielectric layer (ZnS—SiO 2 ) of the recording medium according to the present invention are reacted and diffused, Tb 2 S 3 , FeS, CoS are obtained by sulfurization reaction. , CoS 2 and the like are generated, and TbO 2 , Tb 2 O 3 , FeO, Fe 2 O 3 , Fe 3 O 4 , CoO and the like are generated by the oxidation reaction, and α-Fe, α-Co, α- Tb, α-Fe-Tb, and the like are generated, Si, Fe, and Co are interdiffused between the recording layer and the dielectric layer, and sulfur and oxygen are diffused into the recording layer.

図6は、温度による記録層の硫黄及び酸素の拡散濃度を示すグラフである。ここで、図6(a)は、硫黄の拡散濃度であり、図6(b)は、酸素の拡散濃度である。   FIG. 6 is a graph showing the diffusion concentration of sulfur and oxygen in the recording layer according to temperature. Here, FIG. 6 (a) shows the diffusion concentration of sulfur, and FIG. 6 (b) shows the diffusion concentration of oxygen.

図6(a)に示すように、記録層の硫黄の濃度は、490℃及び510℃で飽和状態であり、図6(b)に示すように記録層の酸素の濃度は、490℃では飽和状態ではないが、510℃では飽和状態である。従って、図3に示したものと同じ超解像度近接場構造の記録層を希土類金属又は希土類金属と遷移金属の合金で構成することにより、図3に示した記録層と、Ｓｂ又はＡｇＯｘで構成されたマスク層との遷移温度の差が大きくなるので、熱安定性の問題が生じず、記録媒体に記録された情報を超解像度近接場構造で回折限界以下で再生することができる。 As shown in FIG. 6 (a), the recording layer sulfur concentration is saturated at 490 ° C. and 510 ° C., and as shown in FIG. 6 (b), the recording layer oxygen concentration is saturated at 490 ° C. Although not in a state, it is saturated at 510 ° C. Therefore, the recording layer having the same super-resolution near-field structure as shown in FIG. 3 is composed of a rare earth metal or an alloy of a rare earth metal and a transition metal, so that the recording layer is composed of Sb or AgO x . Since the difference in transition temperature with the mask layer formed becomes large, the problem of thermal stability does not occur, and the information recorded on the recording medium can be reproduced with the super-resolution near-field structure below the diffraction limit.

図7は、本発明の記録媒体による性能を示す図である。ここで、図7(a)は、記録電力による変調(modulation)特性であり、図7(b)は、変調測定サンプルのAFM(Atomic Force Microscope)写真であり、図7(c)はマーク長さによるCNR(Carrier to Noise Ratio)である。また、図7(a)の変調特性は、光常数(n、k)における吸収係数kによる反射率の差を電気信号に換算して表しており、図7(c)は、本発明による記録媒体に15mWの電力を有するレーザービームで記録した後、一般的な相変化方式の再生装置で情報を再生した時のCNRである。   FIG. 7 is a diagram showing the performance of the recording medium of the present invention. Here, Fig. 7 (a) shows the modulation characteristics by the recording power, Fig. 7 (b) is an AFM (Atomic Force Microscope) photograph of the modulation measurement sample, and Fig. 7 (c) is the mark length. This is the CNR (Carrier to Noise Ratio). Also, the modulation characteristics in FIG. 7 (a) represent the difference in reflectance due to the absorption coefficient k in the optical constant (n, k) converted into an electrical signal, and FIG. 7 (c) shows the recording according to the present invention. This is the CNR when information is reproduced by a general phase change reproducing device after recording with a laser beam having a power of 15 mW on the medium.

図7(a)に示すように、誘電体層/記録層/誘電体層がＺｎＳｉＯ２／ＴｂＦｅＣｏ／ＺｎＳｉＯ２で積層された構造では、従来の誘電体層/記録層/誘電体層がＺｎＳｉＯ２／ＧｅＳｂＴｅ／ＺｎＳｉＯ２で積層された構造の相変化方式及び誘電体層/記録層/誘電体層がＳｉＮ／ＴｂＦｅＣｏ／ＳｉＮで積層された構造の光磁気方式より、記録媒体に記録された情報の再生時の、約10mWの記録電力以上における変調特性が優れることが分かる。図7(b)に示すように、記録電力が大きくなることにより、記録層の反応の程度が大きくなることが分かる。また、図7(c)に示すように、500nmマーク長さでCNRが45dB以上であることから分かるように、レーザービームの照射によって記録された部分の透明化によって、反射率が急激に低下し、情報再生特性が向上することが分かる。 As shown in FIG. 7 (a), in the structure in which the dielectric layer / recording layer / dielectric layer is laminated with ZnSiO 2 / TbFeCo / ZnSiO 2 , the conventional dielectric layer / recording layer / dielectric layer is ZnSiO 2. / GeSbTe / ZnSiO 2 layered structure and dielectric layer / recording layer / dielectric layer laminated with SiN / TbFeCo / SiN magneto-optical system for recording information recorded on the recording medium. It can be seen that the modulation characteristic at a recording power of about 10 mW or more during reproduction is excellent. As shown in FIG. 7 (b), it can be seen that the degree of reaction of the recording layer increases as the recording power increases. In addition, as shown in FIG. 7 (c), as can be seen from the 500 nm mark length and the CNR of 45 dB or more, the reflectivity drastically decreases due to the transparent portion recorded by laser beam irradiation. It can be seen that the information reproduction characteristics are improved.

図8は、本発明の超解像度近接場構造による記録媒体の性能を示す図である。図8(a)は、超解像度近接場構造の記録媒体のマーク長さによるCNRであり、図8(b)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生回収によるCNRであり、図8(c)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生時レーザービーム電力によるCNRであり、図8(d)は、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の記録マーク状態である。ここで、従来の超解像度近接場構造は図3に示したものであり、本発明による超解像度近接場構造は、図3に示した記録層を希土類金属と遷移金属の合金ＴｂＦｅＣｏにしたものである。記録媒体に対するレーザービームの記録電力は、従来の場合は10mWであり、本発明では15mWである。また、記録媒体の記録は、波長635nmの赤色レーザーを用いて行った。   FIG. 8 is a diagram showing the performance of the recording medium using the super-resolution near-field structure of the present invention. FIG. 8 (a) is a CNR due to the mark length of the recording medium having a super-resolution near-field structure, and FIG. 8 (b) is a CNR due to reproduction and recovery of the recording medium having a super-resolution near-field structure. c) is a CNR by the laser beam power during reproduction of a recording medium having a super-resolution near-field structure, and FIG. 8 (d) is a recording mark state of the recording medium having a super-resolution near-field structure according to the present invention. Here, the conventional super-resolution near-field structure is as shown in FIG. 3, and the super-resolution near-field structure according to the present invention is that in which the recording layer shown in FIG. 3 is an alloy of rare earth metal and transition metal TbFeCo. is there. The recording power of the laser beam for the recording medium is 10 mW in the conventional case and 15 mW in the present invention. The recording medium was recorded using a red laser having a wavelength of 635 nm.

図8(a)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性に比べて、全体的に5〜10dB程度の高いCNRを示す。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性より優れることが分かる。図8(b)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、再生回収とはほとんど無関係に一定のCNRを維持しているが、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性は、所定の再生回収以上になると、CNRが急激に低下する。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性は、従来の超解像度近接場構造の記録媒体による情報再生特性より優れることが分かる。また、図8(c)に示すように、本発明による超解像度近接場構造の情報再生特性は、情報再生時レーザービーム電力が3.3mW以上になると一定のCNRを維持しているが、従来の超解像度近接場構造の情報再生特性では、情報再生時レーザービーム電力のマージン幅がほとんどない。従って、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体は、所定の再生出力以上では、製造社による記録媒体の特性変化に影響を受けずに、適用することが可能であることが分かる。図8(d)に示すように、約200nmの記録マークでも、記録マークは、鮮やかに示される。従って、波長405nmの青色レーザーを使った場合、100nm以下のマーク長さで情報の記録ができると予測される。   As shown in FIG. 8 (a), the information reproduction characteristic of the super-resolution near-field structure according to the present invention generally has a high CNR of about 5 to 10 dB compared to the information reproduction characteristic of the conventional super-resolution near-field structure. Show. Accordingly, it can be seen that the information reproduction characteristic of the recording medium having the super-resolution near-field structure according to the present invention is superior to the information reproduction characteristic of the recording medium having the conventional super-resolution near-field structure. As shown in FIG. 8 (b), the information reproduction characteristics of the super-resolution near-field structure according to the present invention maintain a constant CNR regardless of reproduction / recovery. When the regeneration characteristics exceed a predetermined regeneration collection, the CNR rapidly decreases. Accordingly, it can be seen that the information reproduction characteristic of the recording medium having the super-resolution near-field structure according to the present invention is superior to the information reproduction characteristic of the recording medium having the conventional super-resolution near-field structure. In addition, as shown in FIG. 8 (c), the information reproduction characteristic of the super-resolution near-field structure according to the present invention maintains a constant CNR when the laser beam power during information reproduction is 3.3 mW or more. In the information reproduction characteristic of the super-resolution near-field structure, there is almost no margin width of the laser beam power during information reproduction. Therefore, it can be understood that the recording medium having the super-resolution near-field structure according to the present invention can be applied to a predetermined reproduction output or more without being affected by the change in the characteristics of the recording medium by the manufacturer. As shown in FIG. 8 (d), even with a recording mark of about 200 nm, the recording mark is clearly shown. Therefore, when a blue laser with a wavelength of 405 nm is used, it is predicted that information can be recorded with a mark length of 100 nm or less.

図9は、記録方式及び再生方式によるCNRである。図9(a)は、反応拡散による記録を相変化方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRであり、図9(b)は、反応拡散による記録移を相変化方式及び光磁気方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRである。また、図9(a)の相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置は、日本パルステック(PulseTec)社の測定用再生装置を利用した。図9(b)の相変化方式の再生装置は、630nmの波長と0.60の開口率を有する一般的な相変化方式の再生装置であり、光磁気方式の再生装置は780nmの波長と0.53の開口率を有する一般的な光磁気方式の再生装置である。   FIG. 9 shows CNRs according to the recording method and the reproduction method. FIG. 9 (a) is a CNR obtained by recording the reaction diffusion recording by the phase change method and reproducing by the phase change method and the magneto-optical method, and FIG. 9 (b) shows the recording transfer by the reaction diffusion by the phase change method and This is a CNR recorded by the magneto-optical method and reproduced by the phase change method and the magneto-optical method. Further, the phase change type reproducing device and the magneto-optical type reproducing device shown in FIG. 9 (a) used a measuring reproducing device manufactured by Japan Pulse Tech. The phase change reproduction device in FIG. 9 (b) is a general phase change reproduction device having a wavelength of 630 nm and an aperture ratio of 0.60, and the magneto-optical reproduction device is a wavelength of 780 nm and an aperture of 0.53. It is a general magneto-optical reproducing apparatus having a rate.

図9(a)に示すように、マーク長さ250nm以上では、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置両方が、約40dB以上のCNRを示す。従って、一つの記録媒体で相変化方式の再生装置と、光磁気方式の再生装置に使うことができる。ここで、光磁気再生は、反応拡散部分がふくらんで凸のようになる物理的特性によって発生されるレーザービームの入射角による反射角の特性が、カー効果と類似に生じることによることである。また、記録媒体に反応拡散によって記録時、従来の光磁気方式と同一の磁界発生コイルによる磁気スピンの方向を変化させ場合、より高いCNRを得ることができる。また、図9(b)に示すように、光磁気方式の記録再生装置は、780nmの波長と0.53の開口率のレーザーであるが、これを相変化方式の再生装置と同一の630nmの波長と0.60の開口率にすれば、ほとんど等しい性能を示すことが分かる。また、マーク長さ400nmでは、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置の両方は、約40dB以上のCNRを示す。従って、一つの記録媒体を、相変化方式の再生装置と光磁気方式の再生装置に使うことができることが分かる。   As shown in FIG. 9 (a), when the mark length is 250 nm or more, both the phase change type reproducing device and the magneto-optical type reproducing device exhibit a CNR of about 40 dB or more. Accordingly, it is possible to use a single recording medium for a phase change type reproducing apparatus and a magneto-optical type reproducing apparatus. Here, magneto-optical reproduction is due to the fact that the characteristic of the reflection angle due to the incident angle of the laser beam generated by the physical characteristic that the reaction diffusion portion becomes bulging and convex is similar to the Kerr effect. Further, when recording on the recording medium by reactive diffusion, a higher CNR can be obtained when the direction of magnetic spin by the same magnetic field generating coil as that of the conventional magneto-optical system is changed. Further, as shown in FIG. 9 (b), the magneto-optical recording / reproducing apparatus is a laser having a wavelength of 780 nm and an aperture ratio of 0.53. It can be seen that when the aperture ratio is 0.60, the performance is almost equal. Further, at a mark length of 400 nm, both the phase change type reproducing device and the magneto-optical type reproducing device exhibit a CNR of about 40 dB or more. Therefore, it can be seen that one recording medium can be used for a phase change type reproducing apparatus and a magneto-optical type reproducing apparatus.

本発明は、記録媒体に情報を記録する再生装置に利用することができる。   The present invention can be used in a playback apparatus that records information on a recording medium.

従来の光磁気方式の記録媒体の記録原理を示す図である。It is a figure which shows the recording principle of the conventional magneto-optical recording medium. 従来の相変化方式の記録媒体の記録原理を示す図である。It is a figure which shows the recording principle of the recording medium of the conventional phase change system. 従来の超解像度近接場構造を利用する記録媒体を示す図である。It is a figure which shows the recording medium using the conventional super-resolution near field structure. 本発明による記録媒体の構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the recording medium by this invention. 記録層と誘電体層の反応拡散による記録層と誘電体層の形態を示す図である。It is a figure which shows the form of the recording layer and dielectric layer by the reaction diffusion of a recording layer and a dielectric layer. 温度による記録層の硫黄及び酸素の拡散濃度を示すグラフであり、図6(a)は硫黄の拡散濃度、図6(b)は酸素の拡散濃度である。FIG. 6A is a graph showing the diffusion concentration of sulfur and oxygen in the recording layer according to temperature, FIG. 6A shows the diffusion concentration of sulfur, and FIG. 6B shows the diffusion concentration of oxygen. 本発明の記録媒体による性能を示す図であり、図7(a)は、記録電力による変調(modulation)特性、図7(b)は、変調測定サンプルのAFM(Atomic Force Microscope)写真、図7(c)は、マーク長さによるCNR(Carrier to Noise Ratio)である。FIG. 7 is a diagram illustrating the performance of the recording medium of the present invention, FIG. 7 (a) is a modulation characteristic by recording power, FIG. 7 (b) is an AFM (Atomic Force Microscope) photograph of the modulation measurement sample, FIG. (c) is a CNR (Carrier to Noise Ratio) depending on the mark length. 本発明の超解像度近接場構造による記録媒体の性能を示す図である。図8(a)は、超解像度近接場構造の記録媒体のマーク長さによるCNR、図8(b)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生回収によるCNR、図8(c)は、超解像度近接場構造の記録媒体の再生時レーザービーム電力によるCNR、図8(d)は、本発明による超解像度近接場構造の記録媒体の記録マーク状態である。It is a figure which shows the performance of the recording medium by the super-resolution near field structure of this invention. FIG. 8 (a) is a CNR according to the mark length of the recording medium having a super-resolution near-field structure, FIG. 8 (b) is a CNR due to reproduction and recovery of the recording medium having a super-resolution near-field structure, and FIG. 8 (c) is FIG. 8 (d) shows the recording mark state of the recording medium having the super-resolution near-field structure according to the present invention, FIG. 記録方式及び再生方式によるCNRであり、図9(a)は、反応拡散による記録を相変化方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNR、図9(b)は、反応拡散による記録移を相変化方式及び光磁気方式で記録し、相変化方式及び光磁気方式の再生によるCNRである。Fig. 9 (a) shows the CNR by the phase change method and Fig. 9 (b) shows the reaction diffusion by the phase change method and the magneto-optical method. This is a CNR by recording the phase shift method and the magneto-optical method, and recording the phase shift method and the magneto-optical method.

符号の説明Explanation of symbols

111、121、221 アルミニウム層
112、122、222 誘電体層
131-2 誘電体層
113、123、133、223 記録層
114、124、134-1、224 誘電体層
134-2 誘電体層
115、125、135、225 ポリカーボネート
116 磁界発生コイル
137-2 マスク層
117 電流源
118、128、138 レーザー
119、129、139 収束レンズ 111, 121, 221 aluminum layer
112, 122, 222 Dielectric layer
131-2 Dielectric layer
113, 123, 133, 223 Recording layer
114, 124, 134-1, 224 Dielectric layer
134-2 Dielectric layer
115, 125, 135, 225 polycarbonate
116 Magnetic field generating coil
137-2 Mask layer
117 Current source
118, 128, 138 laser
119, 129, 139 Converging lens

Claims (10)

記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録する方法であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させ、前記記録層を膨らませることにより、情報を記録する方法。 A method of recording information on a recording medium in which a recording layer, a first dielectric layer, a mask layer causing a super-resolution phenomenon, and a second dielectric layer are laminated in this order,
A method of recording information by causing a material to react and diffuse between the recording layer and the first dielectric layer with a laser beam or heat to expand the recording layer. 前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method of claim 1, wherein the first dielectric layer is a layer containing at least one of oxygen and sulfur. 前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。 The method of claim 1, wherein the mask layer comprises Sb or AgO x . 前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であることを特徴とする請求項１に記載の方法。   The method according to claim 1, wherein the recording layer is an alloy of a rare earth and a transition metal. 前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであることを特徴とする請求項４に記載の方法。   The method according to claim 4, wherein the recording layer is TbFeCo. 記録層、第１誘電体層、超解像現象を引き起こすマスク層及び第２誘電体層がこの順に積層された記録媒体に情報を記録し、記録された情報を再生する記録再生装置であって、
レーザービームまたは熱により、前記記録層と前記第１誘電体層との間で材料を反応拡散させて、前記記録層を膨らませることにより情報を記録し、
前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散による光常数の吸収係数変化を用いて相変化方式により情報を記録する記録媒体、または、前記記録層と前記第１誘電体層との反応拡散の際に磁気スピン方向の変化を発生させ、光磁気方式により情報を記録する記録媒体のいずれか一つを再生することが可能な記録再生装置。 A recording / reproducing apparatus for recording information on a recording medium in which a recording layer, a first dielectric layer, a mask layer causing a super-resolution phenomenon, and a second dielectric layer are laminated in this order, and reproducing the recorded information. ,
Information is recorded by expanding the recording layer by reacting and diffusing a material between the recording layer and the first dielectric layer by a laser beam or heat,
A recording medium for recording information by a phase change method using a change in absorption coefficient of light constant due to reaction diffusion between the recording layer and the first dielectric layer, or a reaction between the recording layer and the first dielectric layer A recording / reproducing apparatus capable of reproducing any one of recording media on which information is recorded by a magneto-optical method by generating a change in the magnetic spin direction during diffusion. 前記第１誘電体層は、少なくとも酸素または硫黄のいずれかを含む層であることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。   The recording / reproducing apparatus according to claim 6, wherein the first dielectric layer is a layer containing at least either oxygen or sulfur. 前記マスク層は、ＳｂまたはＡｇＯｘを含むことを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。 The recording / reproducing apparatus according to claim 6, wherein the mask layer contains Sb or AgO x . 前記記録層は、希土類と遷移金属の合金であることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。   The recording / reproducing apparatus according to claim 6, wherein the recording layer is an alloy of a rare earth and a transition metal. 前記記録層は、ＴｂＦｅＣｏであることを特徴とする請求項６に記載の記録再生装置。   The recording / reproducing apparatus according to claim 6, wherein the recording layer is TbFeCo.
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