JP2006304082A - クロック処理回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】遅延を防止して安定化したクロックを得る。
【解決手段】入力クロックCLK1in、CLK2inを第1レベルシフタ1、第2レベルシフタ3によって、所定の電圧に変換する。第1レベルシフタ1、第2レベルシフタ3の出力を第1バッファ2,第2バッファ4で安定化して出力する。第1バッファ2を第1レベルシフタ1に隣接配置し、第2バッファ4を第2レベルシフタ3に隣接配置することで、2つの接続経路におけるクロックの遅延量を小さくするとともに、両クロックの遅延量の差を抑制する。
【選択図】図1
【解決手段】入力クロックCLK1in、CLK2inを第1レベルシフタ1、第2レベルシフタ3によって、所定の電圧に変換する。第1レベルシフタ1、第2レベルシフタ3の出力を第1バッファ2,第2バッファ4で安定化して出力する。第1バッファ2を第1レベルシフタ1に隣接配置し、第2バッファ4を第2レベルシフタ3に隣接配置することで、2つの接続経路におけるクロックの遅延量を小さくするとともに、両クロックの遅延量の差を抑制する。
【選択図】図1
Description
本発明は、相補的な位相を有する一対の入力クロックを安定化して出力するクロック処理回路に関する。
液晶ディスプレイ(LCD)や有機ELに代表される小型ディスプレイは、携帯電話などの携帯情報端末や、デジタルカメラなどに利用されており、さらに小型、軽量化、高精細化が望まれている。
このような小型ディスプレイのなかでも、低温ポリシリコンを能動層とする薄膜トランジスタ(Thin Film Transistor、またはTFT)を用いたディスプレイは、駆動回路に加え様々な回路をガラス基板上に構成することができるため、小型ながら、様々な機能を搭載することが可能であり、製品価値を高めることが可能である。
ここで、ガラス基板に形成した様々な回路は外部のIC(Integrated Circuit)等から入力される制御信号により動作するが、なかでも重要な信号はクロック信号である。一般に、TFTは比較的高い電圧(5V〜10V)で動作が安定するため、外部のICから入力される電圧(概ね3V〜5V)をレベルシフトして用いることが多い。
図2は、例えば特許文献1で用いられている2相レベルシフトバッファ回路を示している。外部ICから入力されてくる相補的な位相を有する一対の入力クロックCLK1in、CLK2inは、2入力、2出力のレベルシフタ5に入力される。レベルシフタ5は、正電源VDDと、負電源VSS間に直列接続されたpチャネルTFTと、nチャネルTFTからなる経路を2つ有しており、第1の経路の2つのTFTの接続点(Lout2)が第2の経路のnチャネルTFTのゲートに接続され、第2の経路の2つのTFTの接続点が第1の経路のnチャネルTFTのゲートに接続されている。そして、一対のpチャネルTFTのゲート(Lin1、Lin2)に入力クロックCLK1in、CLK2inを入力することで、振幅がVDD−VSSにレベルシフトされた出力クロックがLout2,Lout1に得られる。
Lout1からのレベルシフトされたクロックは、第1バッファ6のBin1に入力され、Lout2からのレベルシフトされたクロックは、第2バッファ7のBin2に入力される。これら第1バッファ6および第2バッファ7は、正電源VDDと負電源VSS間に配置されたpチャネルTFTおよびnチャネルTFTの直接接続からなるインバータを複数並列接続して構成される。すなわち、各インバータを構成するpチャネルTFTおよびnチャネルTFTのゲートにレベルシフトされた共通クロックが入力され、pチャネルTFTおよびnチャネルTFTの接続点からバッファ後のクロックが共通出力される。
ここで、レベルシフタ5の出力Lout1はバッファ6の入力Bin1に、出力Lout2は第2バッファ7の入力Bin2に迂回して接続されている。
この回路はディスプレイのクロックバッファとして用いることができ、第1入力CLK1in、第2入力CLK2inに図3に示す互いに極性の異なる振幅Vinのクロックパルスを入力すると、第1出力CLK1out、第2出力CLK2outから互いに極性の異なるレベルシフトされた、振幅Vout(=VDD−VSS)のクロックパルスが出力される。
一般に、クロックバッファ回路は他の多くの回路にクロックを供給するため、駆動力の高いバッファ回路が必要となる。そのため、バッファ6、7は複数のバッファを並列に接続して構成されている。
しかしながら、図2のようにクロックバッファ回路を構成すると、レベルシフタ5の出力Lout1から第1バッファ6の入力Bin1と、レベルシフタ5の出力Lout2から第2バッファ7の入力Bin2までの配線に差が生じる。すなわち、Lout2からBin2の配線がLout1からBin1の配線に比べて第1バッファを迂回する分だけ長くなる。配線長が長いとそれに応じて配線負荷も増えるため、バッファ入力Bin1、Bin2の間に遅延が生じ、図3のように出力CLK1outとCLK2outの間に遅延Δtが発生してしまう。
クロックバッファから出力されたクロック信号は多くの回路に供給されるため、この遅延は望ましくなく、特に周波数の高い用途で用いる場合には誤動作の原因となる。
本発明は、相補的な位相を有する一対の入力クロックを安定化して一対のクロックとして出力するクロック処理回路において、前記一対の入力クロックを電源電圧に応じた振幅を有する一対のクロックに変換し、その中の一方のクロックであって第1位相の第1変換クロックとして出力する第1変換回路と、前記一対の入力クロックを電源電圧に応じた振幅を有する一対のクロックに変換し、その中の一方のクロックであって前記第1位相と反対の位相を有する第2位相の第2変換クロックを出力する第2変換回路と、前記第1変換回路に隣接して配置され、前記第1変換クロックをバッファして安定化した第1安定化クロックを出力する第1バッファ回路と、前記第2変換回路に隣接して配置され、前記第2変換クロックをバッファして安定化した第2安定化クロックを出力する第2バッファ回路と、を有し、相補的な位相を有する第1および第2安定化クロックを出力することを特徴とする。
また、前記第1および第2バッファ回路は、正電源と負電源の間に直列接続されたpチャネルトランジスタおよびnチャネルトランジスタの直列接続を含み、両トランジスタの制御端に入力信号を受け、両トランジスタの接続端から位相が反転された出力信号を得るインバータ回路を複数並列接続して形成されていることが好適である。
また、前記第1および第2レベルシフト回路および第1および第2バッファ回路は、薄膜トランジスタを能動素子として形成されていることが好適である。
また、第1および第2変換回路は、入力クロックをレベルシフトして出力することが好適である。
また、前記第1および第2変換回路は、同一の構成を有することが好適である。
また、前記第1および第2変換回路は、一対の入力クロックの入力経路がそれぞれ共通化されていることが好適である。
このように、本発明によれば、第1および第2変換回路からのクロックは隣接配置された第1および第2バッファ回路に入力される。従って、第1および第2変換回路から第1および第2バッファ回路への入力経路をいずれも非常に近く、かつほぼ同一距離とすることができ、ここにおける遅延を抑制して、安定化した出力クロックを得ることができる。
特に、第1および第2変換回路は、それぞれ一対の変換されたクロックを得られるものである。従って、通常の場合には、1つの変換回路を設け、得られた一対の変換されたクロックを出力する。しかし、本発明では、変換回路を2つ設けることで、一対の出力クロックにおけるタイミング誤差の発生を防止している。
さらに、第1および第2変換回路について、それぞれ1入力1出力とすることも可能である。しかし、この場合には、2つの変換回路の特性バラツキの影響が大きくなり、特に入力クロックの信号レベルが小さい場合に一対の出力クロックにアンバランスが生じやすい。本発明では、変換回路を2入力2出力とすることで入力クロックのレベルが小さくても安定した動作を可能としている。
特に、第1および第2変換回路をレベルシフタとすることで、クロックを昇圧して、所望の電圧のクロックとすることができる。
以下、図面を用いて本発明の実施形態を詳細に説明する。
図1は、本実施形態の2相レベルシフトバッファ回路であり、第1レベルシフタ1、第2レベルシフタ3、第1バッファ2、第2バッファ4から構成されている。
図2の従来例と同様に、外部ICからは、図3に示す相補的な位相を有する一対の入力クロックCLK1in、CLK2inが供給され、これを図3に示すレベルシフトされ、安定化された出力クロックCLK1out、CLK2outに変換して出力する。
入力クロックCLK1in、CLK2inは、2入力の第1レベルシフタ1に入力される。第1レベルシフタ1は、図2の従来例と同様に、正電源VDD(例えば5〜10V)と、負電源VSS(例えば0V)間に直列接続されたpチャネルTFTと、nチャネルTFTからなる経路を2つ有しており、第1の経路の2つのTFTの接続点(L1out2)が第2の経路のnチャネルTFTのゲートに接続され、第2の経路の2つのTFTの接続点が(L1out1)第1の経路のnチャネルTFTのゲートに接続されている。
そして、一対のpチャネルTFTのゲート(L1in1、L1in2)に入力クロックCLK1in、CLK2inが入力され、1つpチャネルTFTがオンすると、反対側のpチャネルTFTに接続されているnチャネルTFTがオンして、オンしたpチャネルTFTに接続しているnチャネルTFTがオフする。従って、貫通電流を防止しつつ、振幅がVDD−VSSにレベルシフトされたクロックがL1out2,L1out1に得られる。ここで、第1レベルシフタ1では、入力クロックCLK2inがゲートに供給されるpチャネルTFTのドレインが、L1out1であるため、ここからCLK1inとは位相が反対のクロックのみを出力する。
第2レベルシフタ3も第1レベルシフタ1と同様の構成を有しているが、この第2レベルシフタ3は、L2out2,L2out1に得られるレベルシフトされたクロックのうち、L2out2から入力クロックCLK2inとは位相が反対のクロックのみを出力する。
ここで、第1および第2レベルシフタ1,3は、必ずしも図1の構成である必要はなく、一対のクロックを一対のレベルシフトされたクロックに変換できればよい。ただし、レベルシフトされたクロックの特性を同一のものに維持するため、第1および第2レベルシフタ1,3は、同一構成とすることが好適である。
第1レベルシフタ1のL1out1からのレベルシフトされたクロックは、第1バッファ2のBin1に入力される。一方、第2レベルシフタ3のL2out2からのレベルシフトされたクロックは、第2バッファ4のBin2に入力される。
これら第1バッファ2,および第2バッファ4は、図2と同様に、正電源VDDと負電源VSS間に配置されたpチャネルTFTおよびnチャネルTFTの直接接続からなるインバータを複数並列接続して構成される。すなわち、各インバータを構成するpチャネルTFTおよびnチャネルTFTのゲートにレベルシフトされた共通クロックが入力され、pチャネルTFTおよびnチャネルTFTの接続点からバッファ後のクロックが共通出力される。
従って、第1バッファ2のpチャネルTFTおよびnチャネルTFTの接続点からは、CLKin1と同一位相であって、レベルシフトされ安定化された出力クロックCLKout1が出力される。また、第2バッファ4のpチャネルTFTおよびnチャネルTFTの接続点からは、CLKin2と同一位相であって、レベルシフトされ安定化された出力クロックCLKout2が出力される。
なお、第1および第2バッファ2,4は、同様のインバータを何段か直列接続した構成でもよい。
そして、本実施形態においては、図1に示すように、第1レベルシフタ1のすぐ隣に第1バッファ2を配置し、第2レベルシフタ3のすぐ隣に第2バッファ4を配置している。このような配置により、pチャネルTFT、nチャネルTFTを整列して配置でき、正電源VDDおよび負電源VSSのラインを共通化でき、ディスプレイの回路領域を狭くできるため、より小型化に適している。
また、レベルシフタ1の出力L1out1は、隣接配置されている第1バッファ2の入力Bin1に接続され、出力L2out2は隣接配置されている第2バッファ4の入力Bin2に接続されている。
従って、第1および第2レベルシフタ1,3の出力L1out1,L2out2から第1および第2バッファ2,4入力Bin1,Bin2までの距離をいずれも最短化できるため、出力クロックCLK1out、CLK2outの位相をほぼ同一にすることができる。すなわち、図3に示す遅延Δtが生じることを効果的に抑制することができる。
また、バッファの駆動力を大きくするため、さらに多くのインバータを並列に接続した場合、従来例では迂回配線が長くなりさらに遅延は増すが、本実施形態によれば、遅延にはほとんど影響しない。そのため、基板に多くの回路を構成する場合や、基板が大型化して配線負荷が増加しても、本実施例のレベルシフトクロックバッファを用いることでより安定した高速動作を実現できる。
ここで、第1および第2レベルシフタは、それぞれ一対のレベルシフトされたクロックを得られるものである。従って、通常の場合には、図2の従来例のように、1つのレベルシフタを設け、得られた一対の変換されたクロックを出力する。しかし、本実施形態においては、あえてレベルシフタを2つ設け、レベルシフタとバッファを隣接配置することで、一対の出力クロックにおけるタイミング誤差の発生を防止している。
さらに、第1および第2レベルシフタについて、それぞれ1入力1出力とすることも可能である。しかし、この場合には、2つのレベルシフタの特性バラツキの影響が大きくなり、特に入力クロックの信号レベルが小さい場合に一対の出力クロックにアンバランスが生じやすい。本発明では、レベルシフタを2入力2出力とすることで入力クロックのレベルが小さくても安定した動作を可能としている。
以上のように、本実施形態によれば、一対の互いに逆極性である2相パルス信号を、互いの遅延が最小限に抑制して、レベルシフトおよびバッファすることができる。
液晶や有機ELディスプレイにおける水平ドライバでは、高速のクロックに応じて十分なスイッチのオンオフを行わなければならず、十分な駆動力を有するクロックが必要であり、本実施形態の回路が好適である。
なお、この図1のレベルシフトバッファ回路を電圧シフトはせずに、単にクロックの駆動力を増大させるクロックバッファとして用いることも好適である。
1 第1レベルシフタ、2 第1バッファ、3 第2レベルシフタ、4 第2バッファ。
Claims (6)
- 相補的な位相を有する一対の入力クロックを安定化して一対のクロックとして出力するクロック処理回路において、
前記一対の入力クロックを電源電圧に応じた振幅を有する一対のクロックに変換し、その中の一方のクロックであって第1位相の第1変換クロックとして出力する第1変換回路と、
前記一対の入力クロックを電源電圧に応じた振幅を有する一対のクロックに変換し、その中の一方のクロックであって前記第1位相と反対の位相を有する第2位相の第2変換クロックを出力する第2変換回路と、
前記第1変換回路に隣接して配置され、前記第1変換クロックをバッファして安定化した第1安定化クロックを出力する第1バッファ回路と、
前記第2変換回路に隣接して配置され、前記第2変換クロックをバッファして安定化した第2安定化クロックを出力する第2バッファ回路と、
を有し、
相補的な位相を有する第1および第2安定化クロックを出力することを特徴とするクロック処理回路。 - 請求項1に記載のクロック処理回路において、
前記第1および第2バッファ回路は、
正電源と負電源の間に直列接続されたpチャネルトランジスタおよびnチャネルトランジスタの直列接続を含み、両トランジスタの制御端に入力信号を受け、両トランジスタの接続端から位相が反転された出力信号を得るインバータ回路を複数並列接続して形成されていることを特徴とするクロック処理回路。 - 請求項1または2に記載のクロック処理回路において、
前記第1および第2レベルシフト回路および第1および第2バッファ回路は、薄膜トランジスタを能動素子として形成されていることを特徴とするクロック処理回路。 - 請求項1〜3のいずれか1つに記載のクロック処理回路において、
第1および第2変換回路は、入力クロックをレベルシフトして出力することを特徴とするクロック処理回路。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載のクロック処理回路において、
前記第1および第2変換回路は、同一の構成を有することを特徴とするクロック処理回路。 - 請求項1〜5のいずれか1つに記載のクロック処理回路において、
前記第1および第2変換回路は、一対の入力クロックの入力経路がそれぞれ共通化されていることを特徴とするクロック処理回路。
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