JP2006295551A - High-output amplifier and multistage high-output amplifier - Google Patents

High-output amplifier and multistage high-output amplifier Download PDF

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a high-output amplifier being miniaturized and having small loss for the output power. <P>SOLUTION: The high-output amplifier has a main amplifier 2 amplifying a high-frequency signal input, in response to the base current, the base bias circuit 5 for controlling the base current of the main amplifier 2, in response to a differential current Iset-Ifb and a reference circuit 6 for generating a reference current Iset corresponding to the reference voltage Vset of a reference power supply 7. The high-output amplifier further has a detector 8 detecting the base current of the base bias circuit 5 and generating a feedback current Ifb, where the detecting current is level-adjusted by the reference current of the reference circuit 6 and a current comparison circuit 9 feeds back the differential current Iset-Ifb, level-adjusted by the reference current Iset of the reference circuit 6 and the detector 8, to the base bias circuit 5. Since the base current of the base bias circuit 5, controlling the base current of the main amplifier 2, is detected, the high-output amplifier can be miniaturized, and loss of the output power is reduced without having to use a distributor. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、衛星通信、地上波マイクロ波通信または移動体通信等に使用される高出力増幅器および多段高出力増幅器に関するものである。   The present invention relates to a high-power amplifier and a multistage high-power amplifier used for satellite communication, terrestrial microwave communication, mobile communication, or the like.

携帯電話端末用高周波増幅器においては、基地局までの距離および環境条件に応じて出力電力を制御する必要がある。その場合、出力電力制御の精度向上や調整に要する時間短縮のために帰還形制御回路構成が一般に用いられる。
従来の帰還形制御回路構成を用いた高周波増幅器モジュールとしては、高周波入力端子より入力される高周波信号を増幅する主増幅器と、高周波出力端子において出力整合する出力整合回路と、出力整合回路および高周波出力端子間に設けられ、増幅された高周波信号の一部を分配する分配器と、分配された高周波信号を検波し、電圧信号に変換するログアンプと、その電圧信号および制御端子に供給される電圧に応じて主増幅器に供給するバイアス電圧を変化させ、主増幅器の出力電力を制御する制御回路とを備えたものがある。(例えば、非特許文献1参照)。
In a high frequency amplifier for a mobile phone terminal, it is necessary to control output power according to the distance to the base station and environmental conditions. In that case, a feedback control circuit configuration is generally used to improve the accuracy of output power control and shorten the time required for adjustment.
A high-frequency amplifier module using a conventional feedback control circuit configuration includes a main amplifier that amplifies a high-frequency signal input from a high-frequency input terminal, an output matching circuit that performs output matching at a high-frequency output terminal, an output matching circuit, and a high-frequency output Distributor for distributing a part of the amplified high-frequency signal provided between the terminals, a log amplifier for detecting the distributed high-frequency signal and converting it to a voltage signal, and the voltage signal and the voltage supplied to the control terminal And a control circuit that controls the output power of the main amplifier by changing the bias voltage supplied to the main amplifier according to the above. (For example, refer nonpatent literature 1).

2003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium p.129−1322003 IEEE Radio Frequency Integrated Circuits Symposium p. 129-132

従来の高周波増幅器は以上のように構成されているので、主増幅器の出力電力を検波する手段として分配器を用いているので、この分配器を用いることによって全体のモジュールサイズが大きくなってしまう。また、高周波出力端子側にその分配器を設けているので、その分配器の分岐による損失がそのまま出力電力の低下につながってしまうというなどの課題があった。   Since the conventional high-frequency amplifier is configured as described above, a distributor is used as a means for detecting the output power of the main amplifier. Therefore, the use of this distributor increases the overall module size. Further, since the distributor is provided on the high frequency output terminal side, there is a problem that a loss due to the branch of the distributor leads to a decrease in output power as it is.

この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、小形で出力電力の損失の少ない高出力増幅器および多段高出力増幅器を得ることを目的とする。   The present invention has been made to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to obtain a high-output amplifier and a multi-stage high-output amplifier that are small and have a small output power loss.

この発明に係る高出力増幅器は、バイポーラトランジスタを増幅素子として構成され、ベース電流に応じて入力される高周波信号を増幅する高周波増幅回路と、差分電流に応じて高周波増幅回路のベース電流を制御するベースバイアス回路と、基準電源電圧に応じた基準電流を発生する基準回路と、ベースバイアス回路のベース電流を検波し、その検波電流を基準回路の基準電流にレベル調整する検出回路と、基準回路の基準電流と検出回路のレベル調整された検波電流との差分電流をベースバイアス回路に帰還する電流比較回路とを備えたものである。   A high-power amplifier according to the present invention is configured with a bipolar transistor as an amplifying element, and controls a high-frequency amplifier circuit that amplifies a high-frequency signal input according to a base current and a base current of the high-frequency amplifier circuit according to a differential current A base bias circuit, a reference circuit that generates a reference current according to a reference power supply voltage, a detection circuit that detects the base current of the base bias circuit and adjusts the level of the detected current to the reference current of the reference circuit, and And a current comparison circuit that feeds back a differential current between the reference current and the detection current whose level is adjusted by the detection circuit to the base bias circuit.

この発明によれば、高周波増幅回路のベース電流を制御するベースバイアス回路のそのベース電流を検波するので、分配器を用いることなく、小形で出力電力の損失を少なくすることができる効果がある。   According to the present invention, since the base current of the base bias circuit that controls the base current of the high-frequency amplifier circuit is detected, there is an effect that it is possible to reduce the loss of output power in a small size without using a distributor.

実施の形態1.
図1はこの発明の実施の形態1による高出力増幅器を示すブロック図であり、図において、主増幅器(高周波増幅回路)2は、バイポーラトランジスタを増幅素子として構成され、後述するベースバイアス回路5から供給されるベース電流に応じて、高周波入力端子1から入力される高周波信号を増幅するものである。出力整合回路3は、主増幅器2に接続され、高周波出力端子4において出力整合するものである。
ベースバイアス回路5は、後述する電流比較回路9からの差分電流に応じて主増幅器2のベース電流を制御するものである。基準回路6は、基準電源7の基準電圧Vsetに応じた基準電流Isetを発生するものである。検出回路8は、ベースバイアス回路5のベース電流を検波し、その検波電流を基準回路6の基準電流Isetにレベル調整されたフィードバック電流Ifbに変換するものである。電流比較回路9は、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8のレベル調整されたフィードバック電流Ifbとの差分電流をベースバイアス回路5に帰還するものである。
Embodiment 1 FIG.
FIG. 1 is a block diagram showing a high-power amplifier according to Embodiment 1 of the present invention. In the figure, a main amplifier (high frequency amplifier circuit) 2 is configured with a bipolar transistor as an amplifier element, and is based on a base bias circuit 5 described later. The high frequency signal inputted from the high frequency input terminal 1 is amplified according to the supplied base current. The output matching circuit 3 is connected to the main amplifier 2 and performs output matching at the high frequency output terminal 4.
The base bias circuit 5 controls the base current of the main amplifier 2 in accordance with a differential current from a current comparison circuit 9 described later. The reference circuit 6 generates a reference current Iset corresponding to the reference voltage Vset of the reference power supply 7. The detection circuit 8 detects the base current of the base bias circuit 5 and converts the detected current into a feedback current Ifb whose level is adjusted to the reference current Iset of the reference circuit 6. The current comparison circuit 9 feeds back a differential current between the reference current Iset of the reference circuit 6 and the level-adjusted feedback current Ifb of the detection circuit 8 to the base bias circuit 5.

次に動作について説明する。
図1において、高周波信号は高周波入力端子1より主増幅器2に入力され増幅された後、高周波出力端子4より出力される。ここで、主増幅器2のベース電極はベースバイアス回路5に接続され、ベース電流が供給されている。また、基準回路6は、基準電源7の基準電圧Vsetに応じて基準電流Isetを発生する。ベースバイアス回路5のベース電流は、検出回路8に入力され、基準電流Isetとレベルが合わせられた後、フィードバック電流Ifbとして出力される。
電流比較回路9では、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8のフィードバック電流Ifbとの差分電流Iset−Ifbをベースバイアス回路5にフィードバックする。電流比較回路9およびベースバイアス回路5は、その差分電流Iset−Ifbが0となるようにフィードバック制御を続け、0となったところで収束する。
Next, the operation will be described.
In FIG. 1, a high frequency signal is input to a main amplifier 2 from a high frequency input terminal 1 and amplified, and then output from a high frequency output terminal 4. Here, the base electrode of the main amplifier 2 is connected to the base bias circuit 5 and supplied with a base current. The reference circuit 6 generates a reference current Iset according to the reference voltage Vset of the reference power supply 7. The base current of the base bias circuit 5 is input to the detection circuit 8, and after being matched in level with the reference current Iset, is output as a feedback current Ifb.
In the current comparison circuit 9, a difference current Iset−Ifb between the reference current Iset of the reference circuit 6 and the feedback current Ifb of the detection circuit 8 is fed back to the base bias circuit 5. The current comparison circuit 9 and the base bias circuit 5 continue the feedback control so that the differential current Iset−Ifb becomes zero, and converge when it becomes zero.

図2は主増幅器の出力電力Poutとフィードバック電流Ifbの対数との関係を示す特性図である。図2において、検出回路8によるフィードバック電流Ifbは、主増幅器2のベース電流に比例するため、主増幅器2の出力電力Poutが増加するとそれに伴い増加する。したがって、主増幅器2の出力電力Poutと、フィードバック電流Ifbの対数(log値)とは、1次関数の関係にある。
図3は基準電源の基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数との関係を示す特性図である。図3において、基準電源7の基準電圧Vsetと、基準回路6による基準電流Isetの対数(log値)とが比例し、且つ図2に示した特性の傾きと図3に示した特性の傾きと等しくなるように、この高出力増幅器を構成する。
図4は基準電源の基準電圧Vsetと主増幅器の出力電力Poutとの関係を示す特性図である。図4において、図2および図3から出力電力Poutとフィードバック電流Ifbの対数とは等しく、基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数とは等しく、且つ電流比較回路9により、基準電流Isetとフィードバック電流Ifbとの差分電流は0となるので、図4に示すように、基準電圧Vsetと出力電力Poutとの関係も1次関数の関係になる。すなわち、基準電源7の基準電圧Vsetにより主増幅器2の出力電力Poutを制御することが可能となる。
FIG. 2 is a characteristic diagram showing the relationship between the output power Pout of the main amplifier and the logarithm of the feedback current Ifb. In FIG. 2, the feedback current Ifb from the detection circuit 8 is proportional to the base current of the main amplifier 2, and therefore increases as the output power Pout of the main amplifier 2 increases. Therefore, the output power Pout of the main amplifier 2 and the logarithm (log value) of the feedback current Ifb have a linear function relationship.
FIG. 3 is a characteristic diagram showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the logarithm of the reference current Iset. In FIG. 3, the reference voltage Vset of the reference power supply 7 is proportional to the logarithm (log value) of the reference current Iset by the reference circuit 6, and the slope of the characteristic shown in FIG. 2 and the slope of the characteristic shown in FIG. The high power amplifier is configured to be equal.
FIG. 4 is a characteristic diagram showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the output power Pout of the main amplifier. 4, the logarithm of the output power Pout and the feedback current Ifb is equal to that of FIGS. 2 and 3, the logarithm of the reference voltage Vset and the reference current Iset is equal, and the current comparison circuit 9 makes the reference current Iset and the feedback current Ifb. As shown in FIG. 4, the relationship between the reference voltage Vset and the output power Pout is also a linear function. That is, the output power Pout of the main amplifier 2 can be controlled by the reference voltage Vset of the reference power supply 7.

図5はベースバイアス回路の詳細を示す回路図であり、図において、端子Aは、後述する図6の検出回路の端子Aに接続され、フィードバック電流Ifbが出力されるものである。端子Bは、後述する図7の基準回路の端子Bに接続され、基準電流Isetが入力されるものである。抵抗12は、バイアス電源11および端子A,Bの交点に接続されたものである。npnカレントミラー回路13は、2つのnpnトランジスタ13a,13bからなり、npnトランジスタ13aのコレクタが抵抗12に接続されたものである。pnpカレントミラー回路14は、2つのpnpトランジスタ14a,14bおよび2つの抵抗14c,14dからなり、バイアス電源11に接続され、pnpトランジスタ14aのコレクタがnpnトランジスタ13bのコレクタに接続されたものである。バイアストランジスタ15は、コレクタがpnpトランジスタ14bのコレクタに接続されたものである。端子Cは、後述する図6の検出回路の端子Cに接続され、検波電流Ikenpaが入力されるものである。ベース電流補償トランジスタ16は、コレクタが端子Cに接続され、ベースがpnpトランジスタ14bおよびバイアストランジスタ15間に接続されたものである。バイアス印加インダクタ17は、バイアストランジスタ15のベースおよびベース電流補償トランジスタ16のエミッタに接続され、さらに、主増幅器2を構成するバイポーラトランジスタのベースに接続され、ベース電流Ibを供給するものである。なお、バイアストランジスタ15と主増幅器2を構成するバイポーラトランジスタとはカレントミラー回路を構成するものである。   FIG. 5 is a circuit diagram showing details of the base bias circuit. In the figure, a terminal A is connected to a terminal A of the detection circuit of FIG. 6 described later, and a feedback current Ifb is output. The terminal B is connected to a terminal B of a reference circuit shown in FIG. 7 described later, and receives a reference current Iset. The resistor 12 is connected to the intersection of the bias power supply 11 and the terminals A and B. The npn current mirror circuit 13 includes two npn transistors 13 a and 13 b, and the collector of the npn transistor 13 a is connected to the resistor 12. The pnp current mirror circuit 14 includes two pnp transistors 14a and 14b and two resistors 14c and 14d. The pnp current mirror circuit 14 is connected to the bias power supply 11, and the collector of the pnp transistor 14a is connected to the collector of the npn transistor 13b. The bias transistor 15 has a collector connected to the collector of the pnp transistor 14b. The terminal C is connected to the terminal C of the detection circuit of FIG. 6 to be described later, and receives the detection current Ikenpa. The base current compensation transistor 16 has a collector connected to the terminal C and a base connected between the pnp transistor 14 b and the bias transistor 15. The bias applying inductor 17 is connected to the base of the bias transistor 15 and the emitter of the base current compensation transistor 16, and is further connected to the base of the bipolar transistor constituting the main amplifier 2 to supply the base current Ib. The bias transistor 15 and the bipolar transistor constituting the main amplifier 2 constitute a current mirror circuit.

図6は検出回路の詳細を示す回路図であり、図において、pnpカレントミラー回路21は、2つのpnpトランジスタ21a,21bおよび2つの抵抗21c,21dからなり、バイアス電源11に接続されたものである。端子Cは、pnpトランジスタ21aのコレクタに接続されたものである。npnカレントミラー回路22は、2つのnpnトランジスタ22a,22bおよび2つの抵抗22c,22dからなり、npnトランジスタ22aのコレクタがpnpトランジスタ21bのコレクタに接続されたものである。端子Aは、npnトランジスタ22bのコレクタに接続されたものである。   FIG. 6 is a circuit diagram showing details of the detection circuit. In the figure, the pnp current mirror circuit 21 is composed of two pnp transistors 21a and 21b and two resistors 21c and 21d, and is connected to the bias power supply 11. is there. The terminal C is connected to the collector of the pnp transistor 21a. The npn current mirror circuit 22 includes two npn transistors 22a and 22b and two resistors 22c and 22d. The collector of the npn transistor 22a is connected to the collector of the pnp transistor 21b. Terminal A is connected to the collector of npn transistor 22b.

図7は基準回路の詳細を示す回路図であり、図において、抵抗31a〜31fは、基準電源7およびバイアス電源11に接続されたものである。トランジスタ32a〜32cは、抵抗31aに直列接続されたものである。pnpカレントミラー回路33は、2つのpnpトランジスタ33a,33bおよび2つの抵抗33c,33dからなり、バイアス電源11に接続されたものである。npnトランジスタ34は、ベースが抵抗31fに接続され、コレクタがpnpトランジスタ33aのコレクタに接続されたものである。npnカレントミラー回路35は、2つのnpnトランジスタ35a,35bおよび2つの抵抗35c,35dからなり、npnトランジスタ35aのコレクタがpnpトランジスタ33bのコレクタに接続されたものである。pnpカレントミラー回路36は、2つのpnpトランジスタ36a,36bおよび2つの抵抗36c,36dからなり、バイアス電源11に接続され、pnpトランジスタ36aのコレクタがnpnトランジスタ35bのコレクタに接続されたものである。端子Bは、pnpトランジスタ36bのコレクタに接続されたものである。   FIG. 7 is a circuit diagram showing details of the reference circuit. In the figure, resistors 31 a to 31 f are connected to the reference power supply 7 and the bias power supply 11. The transistors 32a to 32c are connected in series to the resistor 31a. The pnp current mirror circuit 33 includes two pnp transistors 33 a and 33 b and two resistors 33 c and 33 d and is connected to the bias power supply 11. The npn transistor 34 has a base connected to the resistor 31f and a collector connected to the collector of the pnp transistor 33a. The npn current mirror circuit 35 includes two npn transistors 35a and 35b and two resistors 35c and 35d, and the collector of the npn transistor 35a is connected to the collector of the pnp transistor 33b. The pnp current mirror circuit 36 includes two pnp transistors 36a and 36b and two resistors 36c and 36d, and is connected to the bias power supply 11. The collector of the pnp transistor 36a is connected to the collector of the npn transistor 35b. The terminal B is connected to the collector of the pnp transistor 36b.

図5のベースバイアス回路5において、端子Aからはフィードバック電流Ifbが図6の検出回路8の端子Aに出力され、端子Bからは基準電流Isetが図7の基準回路6の端子Bから入力される。したがって、このベースバイアス回路5に、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8のフィードバック電流Ifbとの差分電流がフィードバックされる。これが電流比較回路9に相当する回路である。
差分電流Iset−Ifbは、npnカレントミラー回路13によりカレントミラー比倍に変化され、その電流は、pnpカレントミラー回路14により、さらにカレントミラー比倍に変化され、バイアストランジスタ15のコレクタ電流となる。このバイアストランジスタ15と主増幅器2を構成するバイポーラトランジスタとはカレントミラー回路を構成しているので、カレントミラー比に応じたベース電流Ibがバイアス印加インダクタ17を通じて主増幅器2のベースに供給される。また、ベース電流Ibの増減に応じてベース電流補償トランジスタ16に流れる検波電流Ikenpaが増減し、この検波電流Ikenpaは図6の検出回路8で利用される。
なお、ここでは、検波電流Ikenpaが検出回路8での処理が容易となるように、npnカレントミラー回路13およびpnpカレントミラー回路14を用いて増大したが、場合によっては、npnカレントミラー回路13およびpnpカレントミラー回路14を用いなくても良い。また、カレントミラー比も同様に処理が容易となるように調整するようにしても良い。
In the base bias circuit 5 of FIG. 5, the feedback current Ifb is output from the terminal A to the terminal A of the detection circuit 8 of FIG. 6, and the reference current Iset is input from the terminal B of the reference circuit 6 of FIG. The Therefore, a differential current between the reference current Iset of the reference circuit 6 and the feedback current Ifb of the detection circuit 8 is fed back to the base bias circuit 5. This is a circuit corresponding to the current comparison circuit 9.
The differential current Iset-Ifb is changed to a current mirror ratio times by the npn current mirror circuit 13, and the current is further changed to a current mirror ratio times by the pnp current mirror circuit 14 and becomes the collector current of the bias transistor 15. Since the bias transistor 15 and the bipolar transistor constituting the main amplifier 2 constitute a current mirror circuit, the base current Ib corresponding to the current mirror ratio is supplied to the base of the main amplifier 2 through the bias applying inductor 17. Further, the detection current Ikenpa flowing through the base current compensation transistor 16 increases and decreases according to the increase and decrease of the base current Ib, and this detection current Ikenpa is used in the detection circuit 8 of FIG.
Here, the detection current Ikenpa is increased by using the npn current mirror circuit 13 and the pnp current mirror circuit 14 so that the processing in the detection circuit 8 is easy, but depending on the case, the npn current mirror circuit 13 and The pnp current mirror circuit 14 may not be used. Similarly, the current mirror ratio may be adjusted to facilitate the processing.

図6の検出回路8において、ベースバイアス回路5の検波電流Ikenpaは、pnpカレントミラー回路21によりカレントミラー比倍に変化され、その電流は、npnカレントミラー回路22により、さらにカレントミラー比倍に変化され、フィードバック電流Ifbとしてベースバイアス回路5にフィードバックされる。
したがって、図5のベースバイアス回路5において、差分電流Iset−Ifbが生じた場合には、検波電流Ikenpaが大きくなることによってフィードバック電流Ifbが大きくなり、差分電流Iset−Ifbが0になるように制御される。
なお、カレントミラー比は処理が容易となるように調整するようにしても良い。
In the detection circuit 8 of FIG. 6, the detection current Ikenpa of the base bias circuit 5 is changed to a current mirror ratio times by the pnp current mirror circuit 21, and the current is further changed to a current mirror ratio times by the npn current mirror circuit 22. The feedback current Ifb is fed back to the base bias circuit 5.
Therefore, in the base bias circuit 5 of FIG. 5, when the differential current Iset-Ifb is generated, the feedback current Ifb is increased by increasing the detection current Ikenpa, and the differential current Iset-Ifb is controlled to be zero. Is done.
Note that the current mirror ratio may be adjusted to facilitate processing.

図7の基準回路6において、基準電源7の基準電圧Vsetと抵抗31a〜31fとによって決定される電流は、npnトランジスタ34に供給される。npnトランジスタ34のコレクタ電流は、pnpカレントミラー回路33、36およびnpnカレントミラー回路35のそれぞれカレントミラー比に応じて変化された後、基準電流Isetとしてベースバイアス回路5に出力される。
したがって、基準電源7の基準電圧Vsetを大きくして基準電流Isetを大きくすれば、差分電流Iset−Ifbが生じ、ベース電流Ibが大きくなり主増幅器2の出力電力Poutが大きくなる。また、ベース電流Ibが大きくなることによって検波電流Ikenpaが大きくなり、フィードバック電流Ifbが大きくなることによって、差分電流Iset−Ifbが0になるように制御される。
なお、ここでは、差分電流Isetの処理が容易となるように、pnpカレントミラー回路33、36およびnpnカレントミラー回路35を用いて増大したが、場合によっては、pnpカレントミラー回路33、36およびnpnカレントミラー回路35を用いなくても良い。また、カレントミラー比も同様に処理が容易となるように調整するようにしても良い。
In the reference circuit 6 of FIG. 7, the current determined by the reference voltage Vset of the reference power supply 7 and the resistors 31 a to 31 f is supplied to the npn transistor 34. The collector current of the npn transistor 34 is changed according to the current mirror ratios of the pnp current mirror circuits 33 and 36 and the npn current mirror circuit 35 and then output to the base bias circuit 5 as the reference current Iset.
Therefore, if the reference voltage Vset of the reference power supply 7 is increased to increase the reference current Iset, the differential current Iset-Ifb is generated, the base current Ib is increased, and the output power Pout of the main amplifier 2 is increased. Further, the detection current Ikenpa is increased by increasing the base current Ib, and the differential current Iset−Ifb is controlled to be 0 by increasing the feedback current Ifb.
Here, the pnp current mirror circuits 33 and 36 and the npn current mirror circuit 35 are increased to facilitate the processing of the differential current Iset. However, depending on the case, the pnp current mirror circuits 33 and 36 and npn are used. The current mirror circuit 35 may not be used. Similarly, the current mirror ratio may be adjusted to facilitate the processing.

以上のように、この実施の形態1によれば、主増幅器2のベース電流を制御するベースバイアス回路5のベース電流を検波するので、分配器を用いることなく、小形で出力電力の損失を少なくすることができる。
また、図5および図6に示したベースバイアス回路5および検出回路8により、図2に示したように、主増幅器2の出力電力Poutと、フィードバック電流Ifbの対数(log値)とを1次関数の関係にし、図7に示した基準回路6により、図3に示したように、基準電源7の基準電圧Vsetと、基準回路6による基準電流Isetの対数(log値)とが比例し、且つ図2に示した特性の傾きと図3に示した特性の傾きと等しくなるように、この高出力増幅器を構成したので、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8のレベル調整されたフィードバック電流Ifbとの差分電流Iset−Ifbを単純にベースバイアス回路5に帰還するだけで、基準電源7の基準電圧Vsetに応じて主増幅器2の出力電力Poutを高精度に制御することができる。
さらに、ベースバイアス回路5、基準回路6および検出回路8は、図5から図7に示したように主にトランジスタから構成されているので、主増幅器と共に1チップ化して回路規模を小さくすることができる。
さらに、図5から図7に示したようにベースバイアス回路5、基準回路6および検出回路8は、調整箇所が豊富なため、あらゆる主増幅器2に対応することができる。
なお、上記実施の形態1では、図2および図3に示したように、電流の対数(log値)で比較を行ったが、必ずしも対数での比較を行う必要はない。
As described above, according to the first embodiment, since the base current of the base bias circuit 5 that controls the base current of the main amplifier 2 is detected, the output power loss can be reduced without using a distributor. can do.
Further, as shown in FIG. 2, the base bias circuit 5 and the detection circuit 8 shown in FIGS. 5 and 6 make the primary output power Pout of the main amplifier 2 and the logarithm (log value) of the feedback current Ifb. As shown in FIG. 3, the reference circuit 6 shown in FIG. 7 is proportional to the reference voltage Vset of the reference power supply 7 and the logarithm (log value) of the reference current Iset by the reference circuit 6. In addition, since this high-power amplifier is configured so that the slope of the characteristic shown in FIG. 2 is equal to the slope of the characteristic shown in FIG. 3, the reference current Iset of the reference circuit 6 and the level-adjusted feedback of the detection circuit 8 The output current Pout of the main amplifier 2 can be obtained with high accuracy according to the reference voltage Vset of the reference power supply 7 simply by feeding back the difference current Iset-Ifb from the current Ifb to the base bias circuit 5. Gosuru can.
Further, since the base bias circuit 5, the reference circuit 6 and the detection circuit 8 are mainly composed of transistors as shown in FIGS. 5 to 7, the circuit scale can be reduced by integrating the main amplifier with one chip. it can.
Further, as shown in FIGS. 5 to 7, the base bias circuit 5, the reference circuit 6, and the detection circuit 8 have a large number of adjustment points, and therefore can correspond to any main amplifier 2.
In the first embodiment, as shown in FIGS. 2 and 3, the comparison is performed using the logarithm of the current (log value). However, the comparison using the logarithm is not necessarily required.

実施の形態2.
図8はこの発明の実施の形態2による高出力増幅器を示すブロック図であり、図において、コレクタ電源41、バイアス印加インダクタ42および微小抵抗43からなるコレクタバイアス回路は、主増幅器2にコレクタ電流を供給するものである。
ベースバイアス回路5aは、電流比較回路9からの差分電流に応じて主増幅器2のベース電流を制御するものであるが、その詳細を示した図5と異なる点は、端子Cの代わりに単にバイアス電源11が接続されたものである。
検出回路8aは、コレクタバイアス回路により主増幅器2に供給されるコレクタ電流を検波し、その検波電流を基準回路6の基準電流Isetにレベル調整されたフィードバック電流Iccに変換するものである。その詳細を示した図6と異なる点は、pnpカレントミラー回路21のpnpトランジスタ21aに、図8における微小抵抗43から検出されるコレクタ電流が流れるようにしたものである。その他、ベースバイアス回路5aにフィードバック電流Iccがフィードバックされる以外は、図1と同様である。
Embodiment 2. FIG.
FIG. 8 is a block diagram showing a high output amplifier according to the second embodiment of the present invention. In the figure, a collector bias circuit comprising a collector power supply 41, a bias applying inductor 42 and a minute resistor 43 supplies a collector current to the main amplifier 2. To supply.
The base bias circuit 5a controls the base current of the main amplifier 2 in accordance with the differential current from the current comparison circuit 9, but the point different from FIG. The power supply 11 is connected.
The detection circuit 8 a detects the collector current supplied to the main amplifier 2 by the collector bias circuit, and converts the detected current into a feedback current Icc whose level is adjusted to the reference current Iset of the reference circuit 6. The difference from FIG. 6 showing the details is that the collector current detected from the minute resistor 43 in FIG. 8 flows in the pnp transistor 21 a of the pnp current mirror circuit 21. The rest is the same as in FIG. 1 except that the feedback current Icc is fed back to the base bias circuit 5a.

次に動作について説明する。
図8において、高周波信号は高周波入力端子1より主増幅器2に入力され増幅された後、高周波出力端子4より出力される。ここで、主増幅器2のベース電極はベースバイアス回路5aに接続され、ベース電流が供給されている。また、主増幅器2のコレクタには、コレクタ電源41、バイアス印加インダクタ42および微小抵抗43からなるコレクタバイアス回路からコレクタ電流が供給される。微小抵抗43によって生じる電圧降下からコレクタ電流に比例した電流が検出回路8aによって検出され、基準電流Isetとレベルが合わせられた後、フィードバック電流Iccとして出力される。
電流比較回路9では、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8aのフィードバック電流Iccとの差分電流をベースバイアス回路5aにフィードバックする。電流比較回路9およびベースバイアス回路5aは、その差分電流が0となるようにフィードバック制御を続け、0となったところで収束する。
Next, the operation will be described.
In FIG. 8, the high frequency signal is input to the main amplifier 2 from the high frequency input terminal 1 and amplified, and then output from the high frequency output terminal 4. Here, the base electrode of the main amplifier 2 is connected to the base bias circuit 5a and supplied with a base current. A collector current is supplied to the collector of the main amplifier 2 from a collector bias circuit including a collector power supply 41, a bias applying inductor 42 and a minute resistor 43. A current proportional to the collector current is detected by the detection circuit 8a from the voltage drop caused by the minute resistor 43, and after matching the level with the reference current Iset, it is output as a feedback current Icc.
In the current comparison circuit 9, a differential current between the reference current Iset of the reference circuit 6 and the feedback current Icc of the detection circuit 8a is fed back to the base bias circuit 5a. The current comparison circuit 9 and the base bias circuit 5a continue the feedback control so that the difference current becomes zero, and converge when the difference current becomes zero.

図9は主増幅器の出力電力Poutとフィードバック電流Iccの対数との関係を示す特性図である。図9において、検出回路8aによるフィードバック電流Iccは、主増幅器2のコレクタ電流に比例するため、主増幅器2の出力電力Poutが増加するとそれに伴い増加する。したがって、主増幅器2の出力電力Poutと、フィードバック電流Iccの対数(log値)とは、1次関数の関係にある。
図10は基準電源の基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数との関係を示す特性図である。図10において、基準電源7の基準電圧Vsetと、基準回路6による基準電流Isetの対数(log値)とが比例し、且つ図9に示した特性の傾きと図10に示した特性の傾きと等しくなるように、この高出力増幅器を構成する。
図11は基準電源の基準電圧Vsetと主増幅器の出力電力Poutとの関係を示す特性図である。図11において、図9および図10から出力電力Poutとフィードバック電流Iccの対数とは等しく、基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数とは等しく、且つ電流比較回路9により、基準電流Isetとフィードバック電流Iccとの差分電流は0となるので、図11に示すように、基準電圧Vsetと出力電力Poutとの関係も1次関数の関係になる。すなわち、基準電源7の基準電圧Vsetにより主増幅器2の出力電力Poutを制御することが可能となる。
FIG. 9 is a characteristic diagram showing the relationship between the output power Pout of the main amplifier and the logarithm of the feedback current Icc. In FIG. 9, since the feedback current Icc by the detection circuit 8a is proportional to the collector current of the main amplifier 2, the output power Pout of the main amplifier 2 increases as the output power Pout increases. Therefore, the output power Pout of the main amplifier 2 and the logarithm (log value) of the feedback current Icc have a linear function relationship.
FIG. 10 is a characteristic diagram showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the logarithm of the reference current Iset. In FIG. 10, the reference voltage Vset of the reference power supply 7 and the logarithm (log value) of the reference current Iset by the reference circuit 6 are proportional to each other, and the slope of the characteristic shown in FIG. 9 and the slope of the characteristic shown in FIG. This high power amplifier is configured to be equal.
FIG. 11 is a characteristic diagram showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the output power Pout of the main amplifier. In FIG. 11, the logarithm of the output power Pout and the feedback current Icc is equal to that of FIGS. 9 and 10, the logarithm of the reference voltage Vset and the reference current Iset is equal, and the current comparison circuit 9 makes the reference current Iset and the feedback current Icc. As shown in FIG. 11, the relationship between the reference voltage Vset and the output power Pout is also a linear function. That is, the output power Pout of the main amplifier 2 can be controlled by the reference voltage Vset of the reference power supply 7.

以上のように、この実施の形態2によれば、コレクタバイアス回路により主増幅器2に供給されるコレクタ電流を、微小回路43および検出回路8aにより検波するので、分配器を用いることなく、小形で出力電力の損失を少なくすることができる。
また、図5および図6に示したベースバイアス回路5aおよび検出回路8aにより、図9に示したように、主増幅器2の出力電力Poutと、フィードバック電流Iccの対数(log値)とを1次関数の関係にし、図7に示した基準回路6により、図10に示したように、基準電源7の基準電圧Vsetと、基準回路6による基準電流Isetの対数(log値)とが比例し、且つ図9に示した特性の傾きと図10に示した特性の傾きと等しくなるように、この高出力増幅器を構成したので、基準回路6の基準電流Isetと検出回路8のレベル調整されたフィードバック電流Iccとの差分電流Iset−Iccを単純にベースバイアス回路5aに帰還するだけで、基準電源7の基準電圧Vsetに応じて主増幅器2の出力電力Poutを高精度に制御することができる。
さらに、ベースバイアス回路5a、基準回路6および検出回路8aは、図5から図7に示したように主にトランジスタから構成されているので、主増幅器と共に1チップ化して回路規模を小さくすることができる。
さらに、図5から図7に示したようにベースバイアス回路5a、基準回路6および検出回路8aは、調整箇所が豊富なため、あらゆる主増幅器2に対応することができる。
なお、上記実施の形態2では、図9および図10に示したように、電流の対数(log値)で比較を行ったが、必ずしも対数での比較を行う必要はない。
As described above, according to the second embodiment, the collector current supplied to the main amplifier 2 by the collector bias circuit is detected by the microcircuit 43 and the detection circuit 8a, so that it is small without using a distributor. Loss of output power can be reduced.
Further, the base bias circuit 5a and the detection circuit 8a shown in FIGS. 5 and 6 use the primary power to output the output power Pout of the main amplifier 2 and the logarithm (log value) of the feedback current Icc as shown in FIG. As shown in FIG. 10, the reference circuit 6 shown in FIG. 7 is proportional to the reference voltage Vset of the reference power supply 7 and the logarithm (log value) of the reference current Iset by the reference circuit 6. Further, since this high-power amplifier is configured so as to be equal to the slope of the characteristic shown in FIG. 9 and the slope of the characteristic shown in FIG. 10, the reference current Iset of the reference circuit 6 and the level-adjusted feedback of the detection circuit 8 By simply feeding back the difference current Iset-Icc from the current Icc to the base bias circuit 5a, the output power Pout of the main amplifier 2 according to the reference voltage Vset of the reference power supply 7 is obtained. It can be controlled with high accuracy.
Further, since the base bias circuit 5a, the reference circuit 6 and the detection circuit 8a are mainly composed of transistors as shown in FIGS. 5 to 7, the circuit scale can be reduced by integrating the main amplifier with one chip. it can.
Further, as shown in FIGS. 5 to 7, the base bias circuit 5a, the reference circuit 6 and the detection circuit 8a can be applied to all the main amplifiers 2 because there are many adjustment points.
In the second embodiment, as shown in FIGS. 9 and 10, the comparison is performed using the logarithm of the current (log value). However, the comparison using the logarithm is not necessarily required.

実施の形態3.
図12はこの発明の実施の形態3による多段高出力増幅器を示すブロック図であり、図において、前段増幅器52,53は、高周波入力端子1から入力される高周波信号を順に増幅するものである。最終段増幅器54は、上記実施の形態1または上記実施の形態2で示した高出力増幅器に相当するものであり、前段増幅器52,53の最終段に接続され、高周波信号を増幅し、高周波出力端子55より出力するものである。
Embodiment 3 FIG.
FIG. 12 is a block diagram showing a multi-stage high-output amplifier according to Embodiment 3 of the present invention. In the figure, the pre-stage amplifiers 52 and 53 sequentially amplify high-frequency signals inputted from the high-frequency input terminal 1. The final stage amplifier 54 corresponds to the high output amplifier shown in the first embodiment or the second embodiment, and is connected to the final stage of the previous stage amplifiers 52 and 53, amplifies a high frequency signal, and outputs a high frequency signal. The signal is output from the terminal 55.

次に動作について説明する。
図12において、高周波信号は高周波入力端子51より前段増幅器52に入力され、増幅された後、前段増幅器53により増幅され、さらに、最終段増幅器54により増幅された後、高周波出力端子55より出力される。
ここで、最終段増幅器54は、上記実施の形態1または上記実施の形態2で示したように、基準電源7の基準電圧Vsetによって出力電力制御が可能な増幅器である。
Next, the operation will be described.
In FIG. 12, the high frequency signal is input to the preamplifier 52 from the high frequency input terminal 51, amplified, amplified by the preamplifier 53, further amplified by the final amplifier 54, and then output from the high frequency output terminal 55. The
Here, the final stage amplifier 54 is an amplifier capable of controlling the output power by the reference voltage Vset of the reference power supply 7 as shown in the first embodiment or the second embodiment.

以上のように、この実施の形態3によれば、多段高出力増幅器にも、上記実施の形態1または上記実施の形態2で示した高出力増幅器を適用でき、出力電力制御を行うことができる。
また、出力電力制御範囲を増加させたい場合には、最終段を含む複数段増幅器に上記実施の形態1または上記実施の形態2で示した高出力増幅器を適用するようにしても良い。
As described above, according to the third embodiment, the high output amplifier shown in the first embodiment or the second embodiment can be applied to the multistage high output amplifier, and the output power can be controlled. .
Further, when it is desired to increase the output power control range, the high output amplifier shown in the first embodiment or the second embodiment may be applied to the multistage amplifier including the final stage.

この発明の実施の形態1による高出力増幅器を示すブロック図である。1 is a block diagram showing a high-power amplifier according to Embodiment 1 of the present invention. FIG. 主増幅器の出力電力Poutとフィードバック電流Ifbの対数との関係を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the relationship between the output electric power Pout of a main amplifier, and the logarithm of the feedback current Ifb. 基準電源の基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数との関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the logarithm of the reference current Iset. 基準電源の基準電圧Vsetと主増幅器の出力電力Poutとの関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the output power Pout of the main amplifier. ベースバイアス回路の詳細を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detail of a base bias circuit. 検出回路の詳細を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detail of a detection circuit. 基準回路の詳細を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the detail of a reference circuit. この発明の実施の形態2による高出力増幅器を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the high output amplifier by Embodiment 2 of this invention. 主増幅器の出力電力Poutとフィードバック電流Iccの対数との関係を示す特性図である。It is a characteristic view which shows the relationship between the output electric power Pout of a main amplifier, and the logarithm of the feedback current Icc. 基準電源の基準電圧Vsetと基準電流Isetの対数との関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the logarithm of the reference current Iset. 基準電源の基準電圧Vsetと主増幅器の出力電力Poutとの関係を示す特性図である。It is a characteristic view showing the relationship between the reference voltage Vset of the reference power supply and the output power Pout of the main amplifier. この発明の実施の形態3による多段高出力増幅器を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the multistage high output amplifier by Embodiment 3 of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1,51 高周波入力端子、2 主増幅器(高周波増幅回路)、3 出力整合回路、4,55 高周波出力端子、5,5a ベースバイアス回路、6 基準回路、7 基準電源、8,8a 検出回路、9 電流比較回路、11 バイアス電源、12,14c,14d,22c,22d,31a〜31f,33c,33d,35c,35d,36c,36d 抵抗、13,22,35 npnカレントミラー回路、13a,13b,22a,22b,34,35a,35b npnトランジスタ、14,21,33,36 pnpカレントミラー回路、14a,14b,21a,21b,33a,33b,36a,36b pnpトランジスタ、15 バイアストランジスタ、16 ベース電流補償トランジスタ、17 バイアス印加インダクタ、32a〜32c トランジスタ、41 コレクタ電源、42 バイアス印加インダクタ、43 微小抵抗、52,53 前段増幅器、54 最終段増幅器。   1, 51 high frequency input terminal, 2 main amplifier (high frequency amplification circuit), 3 output matching circuit, 4,55 high frequency output terminal, 5, 5a base bias circuit, 6 reference circuit, 7 reference power supply, 8, 8a detection circuit, 9 Current comparator circuit, 11 bias power source, 12, 14c, 14d, 22c, 22d, 31a to 31f, 33c, 33d, 35c, 35d, 36c, 36d resistor, 13, 22, 35 npn current mirror circuit, 13a, 13b, 22a , 22b, 34, 35a, 35b npn transistor, 14, 21, 33, 36 pnp current mirror circuit, 14a, 14b, 21a, 21b, 33a, 33b, 36a, 36b pnp transistor, 15 bias transistor, 16 base current compensation transistor , 17 Bias application inductor, 32a ~ 2c transistor, 41 collector power, 42 bias inductor, 43 minute resistance, 52 and 53 pre-amplifier, 54 final-stage amplifier.

Claims (5)

バイポーラトランジスタを増幅素子として構成され、ベース電流に応じて入力される高周波信号を増幅する高周波増幅回路と、
差分電流に応じて上記高周波増幅回路のベース電流を制御するベースバイアス回路と、
基準電源電圧に応じた基準電流を発生する基準回路と、
上記ベースバイアス回路のベース電流を検波し、その検波電流を上記基準回路の基準電流にレベル調整する検出回路と、
上記基準回路の基準電流と上記検出回路のレベル調整された検波電流との差分電流を上記ベースバイアス回路に帰還する電流比較回路とを備えた高出力増幅器。
A high frequency amplifier circuit configured to amplify a high frequency signal input according to a base current, the bipolar transistor being configured as an amplifying element;
A base bias circuit that controls the base current of the high-frequency amplifier circuit according to the differential current;
A reference circuit for generating a reference current according to the reference power supply voltage;
A detection circuit that detects the base current of the base bias circuit and adjusts the level of the detection current to the reference current of the reference circuit;
A high-power amplifier comprising: a current comparison circuit that feeds back a differential current between a reference current of the reference circuit and a detection current whose level is adjusted by the detection circuit to the base bias circuit.
高周波増幅回路の出力電力に対するベース電流の変化量と、基準電源電圧に対する基準電流の変化量とを等しくしたことを特徴とする請求項1記載の高出力増幅器。   2. The high-power amplifier according to claim 1, wherein a change amount of the base current with respect to the output power of the high-frequency amplifier circuit is equal to a change amount of the reference current with respect to the reference power supply voltage. バイポーラトランジスタを増幅素子として構成され、ベース電流に応じて入力される高周波信号を増幅する高周波増幅回路と、
上記高周波増幅回路にコレクタ電流を供給するコレクタバイアス回路と、
差分電流に応じて上記高周波増幅回路のベース電流を制御するベースバイアス回路と、
基準電源電圧に応じた基準電流を発生する基準回路と、
上記コレクタバイアス回路により上記高周波増幅回路に供給されるコレクタ電流を検波し、その検波電流を上記基準回路の基準電流にレベル調整する検出回路と、
上記基準回路の基準電流と上記検出回路のレベル調整された検波電流との差分電流を上記ベースバイアス回路に帰還する電流比較回路とを備えた高出力増幅器。
A high frequency amplifier circuit configured to amplify a high frequency signal input according to a base current, the bipolar transistor being configured as an amplifying element;
A collector bias circuit for supplying a collector current to the high-frequency amplifier circuit;
A base bias circuit that controls the base current of the high-frequency amplifier circuit according to the differential current;
A reference circuit for generating a reference current according to the reference power supply voltage;
A detection circuit that detects a collector current supplied to the high-frequency amplifier circuit by the collector bias circuit, and adjusts the level of the detection current to a reference current of the reference circuit;
A high-power amplifier comprising: a current comparison circuit that feeds back a differential current between a reference current of the reference circuit and a detection current whose level is adjusted by the detection circuit to the base bias circuit.
高周波増幅回路の出力電力に対するコレクタ電流の変化量と、基準電源電圧に対する基準電流の変化量とを等しくしたことを特徴とする請求項3記載の高出力増幅器。   4. The high output amplifier according to claim 3, wherein a change amount of the collector current with respect to the output power of the high frequency amplifier circuit is made equal to a change amount of the reference current with respect to the reference power supply voltage. 請求項1から請求項4のうちのいずれか1項記載の高出力増幅器を最終段増幅器に適用したことを特徴とする多段高出力増幅器。   A multi-stage high-power amplifier, wherein the high-power amplifier according to any one of claims 1 to 4 is applied to a final-stage amplifier.
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