JP2006293690A - Integrated circuit and radio ic tag - Google Patents

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博 斉藤
Yoshiyuki Fukuda
良之 福田
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an integrated circuit and a radio IC tag that allow additional data writing. <P>SOLUTION: The integrated circuit 2 has a memory 72 for storing data, a rectification circuit 61 for rectifying an alternating signal based on an electromagnetic wave received from an external device to generate a direct current voltage and generate operating voltages, a logic circuit 66 for reading out the data stored on the memory 72, a modulation circuit 62 for modulating a reflected wave with the data read out by the logic circuit 66, terminals connectable with antenna circuits 51 and 52, a phototransistor 74 for inputting an electrical signal depending on a radiated optical signal into the logic circuit, and a fuse ROM 73 to which data included in the electrical signal is written. The radio IC tag 1 uses the integrated circuit. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

この発明は、集積回路及び無線ICタグに関し、とくに後付けでデータの書き込みが可能な無線ICタグを提供する技術に関する。   The present invention relates to an integrated circuit and a wireless IC tag, and more particularly to a technique for providing a wireless IC tag capable of writing data later.

RFIDに用いられるシート型やカード型の無線ICタグが知られている。無線ICタグは、リーダ装置等の外部装置等から送信されてくる電磁波をアンテナ回路で受信し、アンテナ回路から出力される交流電流を整流して直流電圧を生成し、この直流電圧を利用して回路を動作させることにより非接触かつ無電源で動作する。無線ICタグは、上記電磁波に対する反射波を変調することにより、メモリに格納されているデータを外部装置に応答する。
特開2000−105809号公報
2. Description of the Related Art Sheet type and card type wireless IC tags used for RFID are known. The wireless IC tag receives an electromagnetic wave transmitted from an external device such as a reader device by an antenna circuit, rectifies an alternating current output from the antenna circuit, generates a direct current voltage, and uses the direct current voltage. By operating the circuit, it operates without contact and without power. The wireless IC tag responds to the external device with data stored in the memory by modulating the reflected wave with respect to the electromagnetic wave.
JP 2000-105809 A

現在流通している無線ICタグに搭載されているメモリにはROM(Read Only Memory)が用いられており、従ってメモリには出荷時等においてのみデータを書き込むことが可能である。このため、ユーザは、無線ICタグの製造発注時にメーカ等の無線ICタグの生産者に対してROMに書き込んでおきたい内容をあらかじめ伝えておく必要があった。また、例えば機密情報や流動性のあるデータ等、データを後付で書き込みたいというニーズがあるが、現行の無線ICタグはそのようなニーズに応えることができない。   A ROM (Read Only Memory) is used as a memory mounted on a wireless IC tag that is currently distributed. Therefore, data can be written in the memory only at the time of shipment. For this reason, the user needs to tell the contents to be written in the ROM in advance to the manufacturer of the wireless IC tag such as a maker at the time of ordering the manufacture of the wireless IC tag. In addition, there is a need to write back data such as confidential information and fluid data, for example, but current wireless IC tags cannot meet such needs.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、後付けでデータを書き込むことが可能な集積回路及び無線ICタグを提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide an integrated circuit and a wireless IC tag capable of writing data later.

上記目的を達成するための本発明のうちの主たる発明は、リーダ装置等の外部装置から送信される質問電波を受信して、前記質問電波の反射波を応答電波として送信する無線ICタグに用いられる集積回路であって、データを記憶するメモリと、前記外部装置から受信した電磁波に基づく交流電流を整流して直流電圧を生成するとともに、当該集積回路を動作させるための電圧を生成する整流回路と、前記メモリに記憶されているデータを読み出すロジック回路と、前記ロジック回路が読み出したデータによって前記反射波を変調する変調回路と、アンテナ回路が接続される端子と、照射される光信号に応じた電気信号を前記ロジック回路に入力するフォトトランジスタと、前記電気信号に含まれているデータが書き込まれるヒューズROMと、を有することとする。   The main invention of the present invention for achieving the above object is used in a wireless IC tag that receives an interrogation radio wave transmitted from an external device such as a reader apparatus and transmits a reflected wave of the interrogation radio wave as a response radio wave. A memory for storing data, and a rectifier circuit for generating a DC voltage by rectifying an AC current based on an electromagnetic wave received from the external device and generating a voltage for operating the integrated circuit And a logic circuit that reads data stored in the memory, a modulation circuit that modulates the reflected wave according to the data read by the logic circuit, a terminal to which an antenna circuit is connected, and an optical signal to be irradiated A phototransistor for inputting an electrical signal to the logic circuit, and a fuse ROM in which data included in the electrical signal is written , And that it has a.

本発明の集積回路はこのようにフォトトランジスタとフォトトランジスタによって光電変換された電気信号に含まれるデータが書き込まれるヒューズROMとを有しており、フォトトランジスタに光信号を照射することによって、ヒューズROMにデータを書き込むことが可能である。このため、例えば機密情報や流動性のあるデータ等を後付で書き込みたいというニーズに応えることができる。   The integrated circuit of the present invention includes a phototransistor and a fuse ROM into which data included in an electrical signal photoelectrically converted by the phototransistor is written. The fuse ROM is irradiated with an optical signal by irradiating the phototransistor. It is possible to write data to For this reason, for example, it is possible to respond to the need to write confidential information, fluid data, etc. later.

またフォトトランジスタは無電源で動作する素子であるので、ヒューズROMへのデータの書き込みを整流回路によって生成される電圧を昇圧した電圧を用いて行うことができる。すなわち、フォトトランジスタとヒューズROMというシンプルで消費電力の少ない素子を既存の無線ICタグに付加するだけで、後付でのデータ書き込みが可能な無線ICタグを提供することができる。   In addition, since the phototransistor is an element that operates with no power supply, data can be written to the fuse ROM using a voltage obtained by boosting a voltage generated by the rectifier circuit. That is, it is possible to provide a wireless IC tag in which data can be written later by simply adding a simple element with low power consumption such as a phototransistor and a fuse ROM to an existing wireless IC tag.

本発明によれば、後付けでデータを書き込むことができる無線ICタグを提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the radio | wireless IC tag which can write in data by attachment can be provided.

以下、本発明の一実施形態につき詳細に説明する。図1は本発明の一実施形態にかかるRFID(Radio Frequency Identification)に用いられるシート型(カード型)の無線ICタグ1(RFIDタグ)の平面図であり、図2は無線ICタグ1の断面図である。本実施形態の無線ICタグ1は、素子や回路が設けられた平面矩形状の集積回路2、及び集積回路2の上面にエポキシ樹脂等からなる接着層3を介して接合される、集積回路2と同形同大のアンテナシート4からなる本体部分と、本体部分の両面を被覆する透明樹脂製のフィルム層5,6とを含んで構成されている。   Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described in detail. FIG. 1 is a plan view of a sheet type (card type) wireless IC tag 1 (RFID tag) used for RFID (Radio Frequency Identification) according to an embodiment of the present invention, and FIG. FIG. The wireless IC tag 1 according to this embodiment includes an integrated circuit 2 that is bonded to a planar rectangular integrated circuit 2 provided with elements and circuits, and an upper surface of the integrated circuit 2 via an adhesive layer 3 made of epoxy resin or the like. The main body portion is composed of the antenna sheet 4 having the same shape and size, and the transparent resin film layers 5 and 6 covering both surfaces of the main body portion.

図3はアンテナシート4単体の平面図である。アンテナシート4は、PEN(ポリエチレンナフタレート)やPET(ポリエチレンテレフタレート)等の絶縁性フィルム41に、インダクタとして機能する銅(Cu)やアルミニウム(Al)等の導電材からなる配線パターン42が形成された構造からなる。配線パターン42は、絶縁性フィルム41の角隅部Aの近傍を起点とし、絶縁性フィルム41の4辺近傍に沿って一筆書きの形で渦巻状に所定回数周回させ、角隅Aに隣接する角隅Bの近傍が終点となるように形成されている。上記起点部分には、集積回路2に設けられた、断面矩形の柱状パッド(以下、「起点パッド21」と称する)の接合部分となる矩形の起点端子44が形成されている。一方、上記終点部分には、集積回路2に設けられた銅(Cu)やアルミニウム(Al)等からなる断面矩形の柱状パッド(以下、「終点パッド22」と称する)の接合部分となる矩形の終点端子45が形成されている。   FIG. 3 is a plan view of the antenna sheet 4 alone. In the antenna sheet 4, a wiring pattern 42 made of a conductive material such as copper (Cu) or aluminum (Al) functioning as an inductor is formed on an insulating film 41 such as PEN (polyethylene naphthalate) or PET (polyethylene terephthalate). It consists of a structure. The wiring pattern 42 starts from the vicinity of the corner corner A of the insulating film 41, and is wound around the insulating film 41 in a single stroke along the four sides of the insulating film 41 a predetermined number of times, and is adjacent to the corner A. It is formed so that the vicinity of corner B is the end point. At the starting point, a rectangular starting terminal 44 is formed, which is a joint portion of a columnar pad (hereinafter referred to as “starting pad 21”) provided in the integrated circuit 2. On the other hand, the end point portion has a rectangular shape serving as a joint portion of a columnar pad (hereinafter referred to as “end point pad 22”) having a rectangular cross section made of copper (Cu), aluminum (Al), or the like provided in the integrated circuit 2. An end terminal 45 is formed.

終点パッド22の近傍を通る配線パターン42部分は、終点パッド22(終点端子45)からみて絶縁性フィルム41の縁側を通ように形成されている。このように、配線パターン42が、終点パッド22(終点端子45)からみて絶縁性フィルム41の縁側を通るように形成されていることで、電流ロスやノイズ混入を生じさせる要因となりやすいクランク形状の配線パターン部分を減らすことができる。   A portion of the wiring pattern 42 passing through the vicinity of the end point pad 22 is formed so as to pass through the edge side of the insulating film 41 when viewed from the end point pad 22 (end point terminal 45). In this way, the wiring pattern 42 is formed so as to pass through the edge side of the insulating film 41 when viewed from the end point pad 22 (end point terminal 45), so that it has a crank shape that tends to cause current loss and noise mixing. Wiring pattern portions can be reduced.

配線パターン42は、集積回路2に設けられる容量素子512と並列接続されて無線ICタグ1の内部アンテナ回路51を構成する。なお、容量素子512としては、実用上充分な耐圧を有する素子(例えばMIM(Metal Insulator Metal)キャパシタ)を用いることが好ましい。   The wiring pattern 42 is connected in parallel with the capacitive element 512 provided in the integrated circuit 2 and constitutes the internal antenna circuit 51 of the wireless IC tag 1. Note that as the capacitor 512, an element having a practically sufficient withstand voltage (for example, an MIM (Metal Insulator Metal) capacitor) is preferably used.

集積回路2は、内部アンテナ回路51に代えて外部アンテナ回路52を接続して用いることができる。外部アンテナ回路52は、インダクタと容量素子とを並列接続した回路を含む共振回路であって、内部アンテナ回路51とは共振周波数が異なる。すなわち、本実施形態の集積回路2は、内部アンテナ回路51に代えて外部アンテナ回路52を接続することで、RFIDの異なる周波数帯の無線ICタグとして汎用的に用いることができる。   The integrated circuit 2 can be used by connecting an external antenna circuit 52 instead of the internal antenna circuit 51. The external antenna circuit 52 is a resonance circuit including a circuit in which an inductor and a capacitive element are connected in parallel, and has a resonance frequency different from that of the internal antenna circuit 51. That is, the integrated circuit 2 of the present embodiment can be used universally as a wireless IC tag of a different frequency band of RFID by connecting the external antenna circuit 52 instead of the internal antenna circuit 51.

外部アンテナ回路52は、内部アンテナ回路51が接続される、上述した2つの端子(起点端子44と終点端子45)に接続される。すなわち、起点端子44と終点端子45は、内部アンテナ回路51を接続する端子として機能するとともに、外部アンテナ回路52を接続するための端子としても機能する。このように端子が共通化されることによって、端子の数を最小限に抑えることができ、小型の集積回路2を提供することが可能となる。   The external antenna circuit 52 is connected to the above-described two terminals (the start terminal 44 and the end terminal 45) to which the internal antenna circuit 51 is connected. That is, the start terminal 44 and the end terminal 45 function as terminals for connecting the internal antenna circuit 51 and also function as terminals for connecting the external antenna circuit 52. By sharing the terminals in this way, the number of terminals can be minimized, and a small integrated circuit 2 can be provided.

内部アンテナ回路51や外部アンテナ回路52を構成するための容量素子は、無線ICタグ1に用いられる周波数帯によっては(例えば、2.45GHz帯)、これを起点パッド21と終点パッド22との間に存在する寄生容量で代用することができる。容量素子を寄生容量で代用した場合には、容量素子の構成を設ける必要が無い分、アンテナ回路や集積回路2を小型化することができる。寄生容量の大きさは、例えば、起点パッド21と終点パッド22との間の距離や起点パッド21と終点パッド22の面積を変えることによって調節することができる。   Depending on the frequency band used for the wireless IC tag 1 (for example, 2.45 GHz band), the capacitive elements for configuring the internal antenna circuit 51 and the external antenna circuit 52 are connected between the start pad 21 and the end pad 22. Can be substituted by the parasitic capacitance present in When the capacitor element is substituted with a parasitic capacitor, the antenna circuit and the integrated circuit 2 can be reduced in size because it is not necessary to provide the capacitor element. The magnitude of the parasitic capacitance can be adjusted, for example, by changing the distance between the start point pad 21 and the end point pad 22 and the area of the start point pad 21 and the end point pad 22.

図4に起点パッド21及び終点パッド22周辺の素子や配線パターンの構造を示している。終点パッド22の直近には、当該終点パッド22に隣接させて、後述する整流回路61の構成要素であるダイオード55が配置されている。このように、整流回路61を構成しているダイオード55を終点パッド22の直近に隣接させて配置することで、アンテナ回路(内部アンテナ回路51や外部アンテナ回路52)から出力される交流信号を効率よく整流回路61に取り込むことができる。またとくにアンテナ回路が受信する周波数が高周波である場合には、配線部分からの電流ロスを効果的に防ぐことができる。またこのようにダイオード55を終点パッド22の直近に隣接させて配置することで、アンテナ回路から出力される交流信号は直ちに直流電圧に変換される。このため、集積回路2上で交流信号が流れる部分が集積回路2上の一部の領域に局在化されて、集積回路2上の素子や回路には殆ど交流信号が流れなくなる。そしてその結果、交流信号が流れることに起因して生じる素子や回路におけるノイズを低減させることができる。   FIG. 4 shows the structure of elements and wiring patterns around the start pad 21 and the end pad 22. Near the end point pad 22, a diode 55 which is a constituent element of the rectifier circuit 61 described later is disposed adjacent to the end point pad 22. As described above, the diode 55 constituting the rectifier circuit 61 is disposed adjacent to the end point pad 22 so that the AC signal output from the antenna circuit (the internal antenna circuit 51 or the external antenna circuit 52) can be efficiently used. It can be well taken into the rectifier circuit 61. In particular, when the frequency received by the antenna circuit is high, current loss from the wiring portion can be effectively prevented. In addition, by arranging the diode 55 adjacent to the end point pad 22 in this manner, the AC signal output from the antenna circuit is immediately converted to a DC voltage. For this reason, the part where the AC signal flows on the integrated circuit 2 is localized in a part of the area on the integrated circuit 2, and the AC signal hardly flows to the elements and circuits on the integrated circuit 2. As a result, it is possible to reduce noise in an element or circuit caused by the flow of an AC signal.

一方、ダイオード55を構成している回路パターンがボトルネックとなって集積回路2に設けられている素子や回路が必要とする電流が供給不足になることがないように、ダイオード55を構成している上記回路パターンの線幅は、素子や回路において必要とされる電流を流すことが可能な幅(例えば35μm程度)に設定されている。   On the other hand, the diode 55 is configured so that the circuit pattern constituting the diode 55 does not become a bottleneck and the current required by the elements and circuits provided in the integrated circuit 2 is not insufficiently supplied. The line width of the circuit pattern is set to a width (for example, about 35 μm) that allows a current required in the element or circuit to flow.

図5はアンテナシート4の製造方法を説明するプロセスフローである。アンテナシート4の製造に際しては、まず樹脂製の絶縁フィルムの表面に、銅(Cu)やアルミニウム(Al)等からなる導電材を塗布してなるシート材の、導電材が塗布されている側の面(以下、「表面」と称する)に、フォトレジストを塗布する(S511)。次にフォトレジストに配線パターンに対応するパターンのフォトマスクを施した後、露光・現像を行って、レジストパターンを形成する(S512)。次にシート材をエッチング液に浸してエッチングを行うことにより、フォトマスクが施されている部分以外の部分の導電材を溶解除去する(S513)。その後は除去されずに残っているレジストパターンを除去し、導電材を露出させる(S514)。以上のプロセスを経ることによりアンテナシート4を得ることができる。   FIG. 5 is a process flow illustrating a method for manufacturing the antenna sheet 4. When manufacturing the antenna sheet 4, first, a sheet material formed by applying a conductive material made of copper (Cu), aluminum (Al), or the like to the surface of a resin insulating film, on the side where the conductive material is applied. A photoresist is applied to the surface (hereinafter referred to as “surface”) (S511). Next, after a photomask having a pattern corresponding to the wiring pattern is applied to the photoresist, exposure and development are performed to form a resist pattern (S512). Next, the sheet material is immersed in an etching solution to perform etching, thereby dissolving and removing the conductive material in a portion other than the portion where the photomask is applied (S513). Thereafter, the remaining resist pattern is removed without being removed, and the conductive material is exposed (S514). The antenna sheet 4 can be obtained through the above process.

図6は集積回路2の機能を説明するブロック図である。なお、集積回路2は、シリコンウェハをベースとし、これに洗浄プロセス、スパッタやCVD、熱酸化等の製膜プロセス、リソグラフィ、不純物拡散プロセス、ボンディング、モールド、多層配線プロセス等のプロセスを施すといった、通常の半導体プロセスによって製造されたものである。集積回路2に設けられている素子や回路は、リーダ装置等の外部装置から送信されてくる電磁波(質問電波)の電力によって駆動される。アンテナ回路が電磁波(質問電波)を受信することによって生成された交流信号は、整流回路61に入力され、ここで直流電圧に変換される。整流回路61から出力される直流電圧は、変復調回路62及びレギュレータ63(レギュレータ)に電圧(Vcc3)として供給される。リミッタ回路64は、整流回路61から出力される電圧(Vcc3)が過大とならないよう上限規制するように作用する。   FIG. 6 is a block diagram illustrating functions of the integrated circuit 2. The integrated circuit 2 is based on a silicon wafer and is subjected to processes such as a cleaning process, a film forming process such as sputtering, CVD, and thermal oxidation, lithography, an impurity diffusion process, bonding, molding, a multilayer wiring process, and the like. It is manufactured by a normal semiconductor process. The elements and circuits provided in the integrated circuit 2 are driven by the power of electromagnetic waves (interrogation radio waves) transmitted from an external device such as a reader device. An AC signal generated when the antenna circuit receives an electromagnetic wave (interrogation radio wave) is input to the rectifier circuit 61 where it is converted into a DC voltage. The DC voltage output from the rectifier circuit 61 is supplied as a voltage (Vcc3) to the modem circuit 62 and the regulator 63 (regulator). The limiter circuit 64 acts to restrict the upper limit so that the voltage (Vcc3) output from the rectifier circuit 61 does not become excessive.

変復調回路62は、整流回路61から供給される直流電圧(直流信号)を復調する。変復調回路62によって生成された復調信号は、ロジック回路66に入力される。なお、本実施形態の無線ICタグ1は、このように復調機能と変調機能の双方を備えた構成であるが、本発明は復調機能を有さずに変調回路のみを有する無線ICタグにも適用することができる。   The modem circuit 62 demodulates the DC voltage (DC signal) supplied from the rectifier circuit 61. The demodulated signal generated by the modem circuit 62 is input to the logic circuit 66. Note that the wireless IC tag 1 of the present embodiment is configured to have both a demodulation function and a modulation function as described above. However, the present invention is also applicable to a wireless IC tag having only a modulation circuit without having a demodulation function. Can be applied.

レギュレータ63は、整流回路61から供給される電圧(Vcc3)に基づいて、電圧(Vcc0)及び電圧(Vcc1)、及び電圧(Vcc2)を生成する。このうち電圧(Vcc0)は、変復調回路62及び増幅回路75の駆動電圧となる。電圧(Vcc1)は、リセット回路67、及び発振回路68の駆動電圧となる。また電圧(Vcc2)は、入出力回路71の駆動電圧となる。   The regulator 63 generates a voltage (Vcc0), a voltage (Vcc1), and a voltage (Vcc2) based on the voltage (Vcc3) supplied from the rectifier circuit 61. Among these, the voltage (Vcc0) is a drive voltage for the modem circuit 62 and the amplifier circuit 75. The voltage (Vcc1) is a drive voltage for the reset circuit 67 and the oscillation circuit 68. The voltage (Vcc2) is a drive voltage for the input / output circuit 71.

定電圧回路631は、電圧(Vcc3)に基づいて、レギュレータ63に定電圧(例えば1.2V)を供給する。   The constant voltage circuit 631 supplies a constant voltage (for example, 1.2 V) to the regulator 63 based on the voltage (Vcc3).

リセット回路67は、レギュレータ63から出力される電圧(Vcc1)が所定の閾値以上になるとロジック回路66に入力していたリセット信号を解除するように動作する。リセット信号が解除されるとロジック回路66が初期化状態から動作状態となる。発振回路68は、例えばRC発振回路である。発振回路68は、ロジック回路66及びリセット回路67を動作させるのに必要となる100kHz〜200kHzのクロック信号を生成する。   The reset circuit 67 operates to release the reset signal input to the logic circuit 66 when the voltage (Vcc1) output from the regulator 63 becomes equal to or higher than a predetermined threshold value. When the reset signal is released, the logic circuit 66 changes from the initialized state to the operating state. The oscillation circuit 68 is, for example, an RC oscillation circuit. The oscillation circuit 68 generates a clock signal of 100 kHz to 200 kHz that is necessary for operating the logic circuit 66 and the reset circuit 67.

ここで従来の無線ICタグの製造に用いる集積回路2にあっては、アンテナ回路が受信する電磁波(質問電波)の周波数を分周することによりクロック信号を生成していたため、アンテナ回路が受信する電磁波(質問電波)の周波数が変わればクロック信号の周波数も変わってしまい、アンテナ回路のみを交換しただけでは集積回路2を異なる周波数帯の無線ICタグ用として用いることができなかった。これに対し本実施形態の集積回路2は発振回路68を内蔵するため、クロック信号の周波数はアンテナ回路が受信する電磁波(質問電波)の周波数とは無関係となり、共振周波数を有するアンテナ回路を選択することにより様々な周波数帯の無線ICタグに汎用的に用いることができる。つまり本実施形態の集積回路2によれば、RFIDに許可されている各周波数帯に対応する無線ICタグ1の製造工程を単純化することができ、製造コストも抑えることができる。   Here, in the integrated circuit 2 used for manufacturing the conventional wireless IC tag, the clock signal is generated by dividing the frequency of the electromagnetic wave (interrogation radio wave) received by the antenna circuit, so the antenna circuit receives it. If the frequency of the electromagnetic wave (interrogation radio wave) changes, the frequency of the clock signal also changes, and the integrated circuit 2 cannot be used for a wireless IC tag of a different frequency band by only replacing the antenna circuit. On the other hand, since the integrated circuit 2 of this embodiment includes the oscillation circuit 68, the frequency of the clock signal is independent of the frequency of the electromagnetic wave (interrogation radio wave) received by the antenna circuit, and an antenna circuit having a resonance frequency is selected. Therefore, it can be used for wireless IC tags of various frequency bands. That is, according to the integrated circuit 2 of this embodiment, the manufacturing process of the wireless IC tag 1 corresponding to each frequency band permitted for the RFID can be simplified, and the manufacturing cost can be suppressed.

変復調回路62から復調信号が入力されると、ロジック回路66は入出力回路70及び入出力回路71を制御して、メモリ72に記憶されているデータの読み出しと、ヒューズROM73(Fuse ROM、Fuse Prom)へのデータの書き込み、及びヒューズROM73からのデータの読み出しを行う。ここでメモリ72はEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)やFRAM(Ferromagnetic Random Access Memory)等であり、例えば固定的なデータを書き込んでおく用途に利用される。一方、ヒューズROM73は、内部に設けられているヒューズ素子を電流によって焼き切ることにより、ライトアットワンス方式でデータを記憶するメモリである。ヒューズROM73には、例えば機密情報や流動性のあるデータ等、メモリ72に書き込まれるデータに比べて流動性の高いデータが書き込まれる。これらは例えば、会社名等のデータを無線ICタグ1の出荷時等においてメモリ72に書き込んでおき、無線ICタグ1を購入した後にユーザによって社員番号や氏名等のデータをヒューズROM73に書き込むといった使い分がなされる。   When a demodulated signal is input from the modulation / demodulation circuit 62, the logic circuit 66 controls the input / output circuit 70 and the input / output circuit 71 to read out data stored in the memory 72 and fuse ROM 73 (Fuse ROM, Fuse Prom ) And reading data from the fuse ROM 73. Here, the memory 72 is an EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), an FRAM (Ferromagnetic Random Access Memory), or the like, and is used for, for example, writing fixed data. On the other hand, the fuse ROM 73 is a memory that stores data by a write-at-once method by burning out a fuse element provided therein with current. In the fuse ROM 73, data having higher fluidity than the data written in the memory 72, such as confidential information and data having fluidity, is written. For example, data such as a company name is written in the memory 72 at the time of shipment of the wireless IC tag 1, and data such as an employee number or name is written in the fuse ROM 73 by the user after the wireless IC tag 1 is purchased. Minutes are made.

このように、本実施形態の無線ICタグ1は、メモリ72に記憶される固定情報に加えてユーザが後付けでデータを書き込むことができるため、全てのデータを出荷時に書き込んでおく必要があった従来型の無線ICタグに比べ、多様なユーザニーズに柔軟に対応することができる。   As described above, since the wireless IC tag 1 of the present embodiment allows the user to write data in addition to the fixed information stored in the memory 72, it was necessary to write all the data at the time of shipment. Compared to conventional wireless IC tags, it can flexibly meet various user needs.

ロジック回路66は、メモリ72及びヒューズROM73から読み出したデータ(以下、「読み出しデータ」と称する)を変復調回路62に出力する。変復調回路62は、ロジック回路66から入力される読み出しデータに応じて、アンテナ回路側(リーダ装置等の外部装置側)からみた集積回路2のインピーダンスを変化させる。変復調回路62は、アンテナ回路に結合する抵抗が直列接続されたスイッチングトランジスタを含んで構成されており、読み出しデータに応じて上記スイッチングトランジスタをオンオフし、アンテナ回路側からみた半導体回路2のインピーダンスを変化させる。リーダ装置等の外部装置は、このインピーダンスの変化によって変調されて戻ってくる反射波(応答電波)を受信して復調することにより、無線ICタグ1のメモリ72に格納されているデータを読み取る。   The logic circuit 66 outputs data read from the memory 72 and the fuse ROM 73 (hereinafter referred to as “read data”) to the modulation / demodulation circuit 62. The modem circuit 62 changes the impedance of the integrated circuit 2 as viewed from the antenna circuit side (external device side such as a reader device) in accordance with the read data input from the logic circuit 66. The modulation / demodulation circuit 62 includes a switching transistor in which a resistor coupled to the antenna circuit is connected in series. The modulation / demodulation circuit 62 turns on / off the switching transistor in accordance with read data, and changes the impedance of the semiconductor circuit 2 viewed from the antenna circuit side. Let An external device such as a reader device reads the data stored in the memory 72 of the wireless IC tag 1 by receiving and demodulating the reflected wave (response radio wave) that is modulated and returned by this change in impedance.

図6に示すフォトトランジスタ74は、ヒューズROM73にデータの書き込む際に用いられる。入射される光信号に応じてフォトトランジスタ74から出力される電気信号は、増幅回路75によって増幅されてロジック回路66に入力される。   The phototransistor 74 shown in FIG. 6 is used when writing data into the fuse ROM 73. An electric signal output from the phototransistor 74 in response to the incident optical signal is amplified by the amplifier circuit 75 and input to the logic circuit 66.

図7はリーダ装置等の外部装置から、メモリ72やヒューズROM73に記憶されているデータを読み出すための電磁波(質問電波)がアンテナ回路51,52に入力された場合における、無線ICタグ1の動作を説明するタイミングチャートである。同図において、「交流信号」は、電磁波(質問電波)が入力されることによりアンテナ回路51又はアンテナ回路52の出力電圧(以下、「入力電圧」と称する)である。「Vcc3」は整流回路61の出力電圧である。「Vcc0」、「Vcc1」、及び「Vcc2」は、レギュレータ63から出力される電圧の値である。「Reset」は、リセット回路67から出力されるリセット信号の波形である。「OSC」は、発振回路68から出力されるクロック信号の波形である。「メモリ」は、メモリ72又はヒューズROM73からのデータ読み出し中であるかどうかを示す信号(読み出しビジー(Busy)信号)の波形である。「変復調回路入力」は、ロジック回路66によって読み出されて変復調回路62に入力される読み出しデータの波形である。   FIG. 7 shows the operation of the wireless IC tag 1 when an electromagnetic wave (interrogation radio wave) for reading data stored in the memory 72 or the fuse ROM 73 is input to the antenna circuits 51 and 52 from an external device such as a reader device. It is a timing chart explaining these. In the figure, an “AC signal” is an output voltage (hereinafter referred to as “input voltage”) of the antenna circuit 51 or the antenna circuit 52 when an electromagnetic wave (question radio wave) is input. “Vcc3” is the output voltage of the rectifier circuit 61. “Vcc0”, “Vcc1”, and “Vcc2” are values of voltages output from the regulator 63. “Reset” is a waveform of a reset signal output from the reset circuit 67. “OSC” is a waveform of a clock signal output from the oscillation circuit 68. “Memory” is a waveform of a signal (read busy signal) indicating whether data is being read from the memory 72 or the fuse ROM 73. “Modulation / demodulation circuit input” is a waveform of read data read by the logic circuit 66 and input to the modulation / demodulation circuit 62.

図7とともに無線ICタグ1の動作について説明する。電磁波(質問電波)を送信するリーダ装置等の外部装置が無線ICタグ1に近づいてくると、アンテナ回路から整流回路61に供給される交流信号の振幅は次第に増大する(T1)。ここで電圧(Vcc0)、電圧(Vcc1)、電圧(Vcc2)、及び電圧(Vcc3)は、いずれも入力電圧の振幅の増大に伴って増大する(T1〜T3)。これらの電圧は、交流電圧の振幅が閾値を超えた後はリミッタ回路65の作用によって一定に(Vcc0=3.3V、Vcc1=3.3V、Vcc2=3.3V、Vcc3=14.4V)保たれる。   The operation of the wireless IC tag 1 will be described with reference to FIG. When an external device such as a reader device that transmits electromagnetic waves (question radio waves) approaches the wireless IC tag 1, the amplitude of the AC signal supplied from the antenna circuit to the rectifier circuit 61 gradually increases (T1). Here, the voltage (Vcc0), the voltage (Vcc1), the voltage (Vcc2), and the voltage (Vcc3) all increase as the amplitude of the input voltage increases (T1 to T3). These voltages are kept constant (Vcc0 = 3.3V, Vcc1 = 3.3V, Vcc2 = 3.3V, Vcc3 = 14.4V) by the action of the limiter circuit 65 after the amplitude of the AC voltage exceeds the threshold value. Be drunk.

次に、電圧(Vcc1)が所定の動作電圧(例えば2.0V)以上になると、発振回路68が動作を開始し、これにより発振回路68からロジック回路66及びリセット回路67にクロック信号の入力が開始される(T2)。電圧(Vcc1)が所定の閾値(例えば3.0V)以上になると、ロジック回路66に入力されていたリセット回路67が解除され、ロジック回路66はメモリ(及び/又は)ヒューズROMに記憶されているデータの読み出しを開始する(T4)。そしてロジック回路66によって読み出されたデータが変復調回路62に入力される(T5)。変復調回路62は、ロジック回路66から入力される読み出しデータの波形に応じてスイッチングトランジスタをオンオフ制御し、アンテナ回路側(外部装置側)から見た集積回路2のインピーダンスを変化させる。以上のようにして無線ICタグ1からのデータの読み出しが行われる。   Next, when the voltage (Vcc1) becomes equal to or higher than a predetermined operating voltage (for example, 2.0 V), the oscillation circuit 68 starts to operate, whereby the clock signal is input from the oscillation circuit 68 to the logic circuit 66 and the reset circuit 67. Started (T2). When the voltage (Vcc1) becomes a predetermined threshold value (for example, 3.0 V) or more, the reset circuit 67 input to the logic circuit 66 is released, and the logic circuit 66 is stored in the memory (and / or) fuse ROM. Data reading is started (T4). The data read by the logic circuit 66 is input to the modem circuit 62 (T5). The modem circuit 62 performs on / off control of the switching transistor in accordance with the waveform of the read data input from the logic circuit 66, and changes the impedance of the integrated circuit 2 viewed from the antenna circuit side (external device side). Data is read from the wireless IC tag 1 as described above.

ここでヒューズROM73へのデータの書き込み原理を図8Aとともに説明する。図8Aには2ビット分に相当するヒューズ素子を示している。このうちヒューズ素子H1には、第1のトランジスタTr1(N型MOSFET)が直列接続されている。一方、ヒューズ素子H2には第2のトランジスタTr2(N型MOSFET)が直列接続されている。第3のトランジスタTr3(P型MOSFET)及び第4のトランジスタTr4(N型MOSFET)は、レギュレータ63から供給される電圧(Vcc2)のヒューズ素子H1及びヒューズ素子H2への印加をオンオフ制御するための素子である。   Here, the principle of writing data to the fuse ROM 73 will be described with reference to FIG. 8A. FIG. 8A shows a fuse element corresponding to 2 bits. Among these, the first transistor Tr1 (N-type MOSFET) is connected in series to the fuse element H1. On the other hand, a second transistor Tr2 (N-type MOSFET) is connected in series to the fuse element H2. The third transistor Tr3 (P-type MOSFET) and the fourth transistor Tr4 (N-type MOSFET) are used for on / off control of application of the voltage (Vcc2) supplied from the regulator 63 to the fuse element H1 and the fuse element H2. It is an element.

ヒューズROM73へのデータの書き込みは、ヒューズ素子H1やヒューズ素子H2を焼き切る(ショートさせる)ことにより行われる。すなわち、ヒューズROM73にデータを書き込む場合には、第3のトランジスタTr3及び第4のトランジスタTr4の夫々のゲート電極に「Low」レベルの制御電圧Aを印加して、第3のトランジスタTr3をオン、第4のトランジスタTr4をオフしてヒューズ素子H1及びヒューズ素子H2に電圧(Vcc2)を印加し、制御電圧B及び制御電圧Cを制御して、第1のトランジスタTr1又は第2トランジスタTr2をオンにする。これによりヒューズ素子H1、又はヒューズ素子H2のいずれかに電圧(Vcc2)が印加されて電圧(Vcc2)が印加されたヒューズ素子に電流が流れ込み、そのヒューズ素子がショートする。このようにしてヒューズROM73へのデータの書き込みが行われる。   Data is written into the fuse ROM 73 by burning out (short-circuiting) the fuse element H1 and the fuse element H2. That is, when data is written in the fuse ROM 73, the “Low” level control voltage A is applied to the gate electrodes of the third transistor Tr3 and the fourth transistor Tr4 to turn on the third transistor Tr3. The fourth transistor Tr4 is turned off, the voltage (Vcc2) is applied to the fuse element H1 and the fuse element H2, the control voltage B and the control voltage C are controlled, and the first transistor Tr1 or the second transistor Tr2 is turned on. To do. As a result, a voltage (Vcc2) is applied to either the fuse element H1 or the fuse element H2, a current flows into the fuse element to which the voltage (Vcc2) is applied, and the fuse element is short-circuited. In this way, data is written to the fuse ROM 73.

ヒューズROM73にデータを書き込む際には、入出力回路71にヒューズROM73からデータを読み出すときよりも高い電圧を印加する必要がある。図8B及び図8Cは、レギュレータ63に内蔵される回路であり、フォトトランジスタ74から上記電気信号が入力された場合に、ロジック回路66から送られてくる制御信号であるVcc2コントロールに応じて、入出力回路71に供給する電圧(Vcc2)を切り換える回路である。   When writing data to the fuse ROM 73, it is necessary to apply a higher voltage to the input / output circuit 71 than when reading data from the fuse ROM 73. FIGS. 8B and 8C are circuits built in the regulator 63. When the electrical signal is input from the phototransistor 74, the circuit is input according to the Vcc2 control that is a control signal sent from the logic circuit 66. FIG. This is a circuit for switching the voltage (Vcc2) supplied to the output circuit 71.

まず図8Bに示す回路であるが、この回路は、第1乃至第3の増幅器OP1,OP2,OP3と4つの抵抗素子R1,R2,R3,R4とを含んで構成されている。第1の増幅器OP1の反転入力(−)には定電圧回路631から出力される定電圧(Vref=1.2V)が入力される。第1の増幅器OP1の非反転入力(+)には第1の増幅器OP1の出力電圧が抵抗素子R1を介して帰還される。第1の増幅器OP1の出力端子は、直列接続された抵抗素子R1及びR2を介して接地されている。また抵抗素子R1,R2の抵抗値は第1の増幅器OP1の出力電圧が3.3Vになるように設定されている。一方、第2の増幅器OP2の反転入力(−)には第1の増幅器OP1の出力電圧が入力される。第2の増幅器OP2の非反転入力(+)には、第3の増幅器OP3の出力電圧が帰還される。第2の増幅器OP2の出力は、レギュレータ63の出力電圧(Vcc2)となる。   First, the circuit shown in FIG. 8B is configured to include first to third amplifiers OP1, OP2, and OP3 and four resistance elements R1, R2, R3, and R4. The constant voltage (Vref = 1.2 V) output from the constant voltage circuit 631 is input to the inverting input (−) of the first amplifier OP1. The output voltage of the first amplifier OP1 is fed back to the non-inverting input (+) of the first amplifier OP1 through the resistance element R1. The output terminal of the first amplifier OP1 is grounded via resistance elements R1 and R2 connected in series. The resistance values of the resistance elements R1 and R2 are set so that the output voltage of the first amplifier OP1 is 3.3V. On the other hand, the output voltage of the first amplifier OP1 is input to the inverting input (−) of the second amplifier OP2. The output voltage of the third amplifier OP3 is fed back to the non-inverting input (+) of the second amplifier OP2. The output of the second amplifier OP2 becomes the output voltage (Vcc2) of the regulator 63.

第3の増幅器OP3の反転入力(−)には第1の増幅器OP1の出力電圧が入力される。第3の増幅器OP3の非反転入力(+)には第3の増幅器OP3の出力電圧が抵抗素子R3を介して帰還される。第3の増幅器OP3の出力端子は直列接続された抵抗素子R3及びR4を介して接地されている。抵抗素子R3,R4の抵抗値は第3の増幅器OP3の出力電圧が12.0Vになるように設定されている。   The output voltage of the first amplifier OP1 is input to the inverting input (−) of the third amplifier OP3. The output voltage of the third amplifier OP3 is fed back to the non-inverting input (+) of the third amplifier OP3 via the resistance element R3. The output terminal of the third amplifier OP3 is grounded via resistance elements R3 and R4 connected in series. The resistance values of the resistance elements R3 and R4 are set so that the output voltage of the third amplifier OP3 is 12.0V.

図8Bにおいて、第1の増幅器OP1と2つの抵抗素子R1,R2とを含んで構成される回路(以下、演算増幅回路811という)は、第2及び第3の増幅器OP2,OP3に対して3.3Vのリファレンス電圧を印加している。また演算増幅回路811は、定電圧回路631から供給される定電圧(Vref=1.2V)を3.3Vのリファレンス電圧に変換し、これを第2及び第3の増幅器OP2,OP3の反転入力(−)に供給している。   In FIG. 8B, a circuit including the first amplifier OP1 and the two resistance elements R1 and R2 (hereinafter referred to as the operational amplifier circuit 811) is 3 with respect to the second and third amplifiers OP2 and OP3. .3V reference voltage is applied. The operational amplifier circuit 811 converts the constant voltage (Vref = 1.2V) supplied from the constant voltage circuit 631 into a 3.3V reference voltage, which is input to the inverting inputs of the second and third amplifiers OP2 and OP3. (-).

第2及び第3の増幅器OP2,OP3は、いずれもバイアス入力端子BIAS1,BIAS2を有しており、これらは夫々バイアス入力端子BIAS1,BIAS2に外部供給されるバイアス電圧によって動作状態が制御される。図8Bにおける第2及び第3の増幅器OP2,OP3と抵抗素子R3,R4とを含んで構成される回路(以下、電圧切換回路812という)は、ロジック回路66から送られてくるVcc2コントロールに応じて2種類の電圧(Vcc2=3.3V又は12.0V)を生成している。   Each of the second and third amplifiers OP2 and OP3 has bias input terminals BIAS1 and BIAS2, and their operating states are controlled by bias voltages externally supplied to the bias input terminals BIAS1 and BIAS2, respectively. A circuit including the second and third amplifiers OP2 and OP3 and the resistance elements R3 and R4 in FIG. 8B (hereinafter referred to as a voltage switching circuit 812) responds to the Vcc2 control sent from the logic circuit 66. Two types of voltages (Vcc2 = 3.3V or 12.0V) are generated.

図8Cはロジック回路66から送られてくるVcc2コントロールに応じて、第2及び第3の増幅器OP2,OP3のバイアス入力端子BIAS1,BIAS2に入力するバイアス電圧を生成するための回路である。この回路は第5乃至第9のトランジスタTr5,Tr6,Tr7,Tr8,TR9を含んで構成されている。トランジスタTr5,Tr6,Tr7,Tr8,TR9はいずれもMOSFET(電界効果MOSトランジスタ)であり、第5及び第6のトランジスタはP型MOSFET、第7乃至第9のトランジスタはN型MOSFETである。   FIG. 8C is a circuit for generating a bias voltage to be input to the bias input terminals BIAS1 and BIAS2 of the second and third amplifiers OP2 and OP3 in accordance with the Vcc2 control sent from the logic circuit 66. This circuit includes fifth to ninth transistors Tr5, Tr6, Tr7, Tr8, TR9. The transistors Tr5, Tr6, Tr7, Tr8, and TR9 are all MOSFETs (field effect MOS transistors), the fifth and sixth transistors are P-type MOSFETs, and the seventh to ninth transistors are N-type MOSFETs.

第5及び第6のトランジスタTr5,Tr6のソースには、電圧(Vcc3)が供給されている。第5のトランジスタTr5のゲートは、第2の増幅器OP2のバイアス入力端子BIAS1に接続されている。第5のトランジスタTr5のゲート及びドレインは短絡されている。第6のトランジスタTr6のゲートは、第3の増幅器OP3のバイアス入力端子BIAS2に接続されている。第6のトランジスタTr6のゲート及びドレインは短絡されている。第5のトランジスタTr5のドレインは、第7のトランジスタTr7のドレインに接続されている。第6のトランジスタTr6のドレインは、第8のトランジスタTr8のドレインに接続されている。   A voltage (Vcc3) is supplied to the sources of the fifth and sixth transistors Tr5 and Tr6. The gate of the fifth transistor Tr5 is connected to the bias input terminal BIAS1 of the second amplifier OP2. The gate and drain of the fifth transistor Tr5 are short-circuited. The gate of the sixth transistor Tr6 is connected to the bias input terminal BIAS2 of the third amplifier OP3. The gate and drain of the sixth transistor Tr6 are short-circuited. The drain of the fifth transistor Tr5 is connected to the drain of the seventh transistor Tr7. The drain of the sixth transistor Tr6 is connected to the drain of the eighth transistor Tr8.

第7のトランジスタTr7のゲートには、定電圧回路631から供給される定電圧(例えば1.2V)が印加される。第7のトランジスタTr7のソースは第9のトランジスタTr5のドレインに接続されている。第8のトランジスタTr8のソースは、第9のトランジスタTr9のドレインに接続している。   A constant voltage (for example, 1.2 V) supplied from the constant voltage circuit 631 is applied to the gate of the seventh transistor Tr7. The source of the seventh transistor Tr7 is connected to the drain of the ninth transistor Tr5. The source of the eighth transistor Tr8 is connected to the drain of the ninth transistor Tr9.

第8のトランジスタTr8のゲートには、ロジック回路66から送られてくるVcc2コントロールが入力される。なお、ロジック回路66から送られてくるVcc2コントロールは、入出力回路71がヒューズROM73からの読み出しを行う場合は定電圧回路631から供給される定電圧(Vref=1.2V)に対して「Low」となり、ヒューズROM73への書き込みを行う場合は「High」となる信号である。第9のトランジスタTr9のゲートには、定電圧回路631から供給される所定のバイアス電圧が印加される。また第9のトランジスタTr9のソースは接地されている。   The Vcc2 control sent from the logic circuit 66 is input to the gate of the eighth transistor Tr8. The Vcc2 control sent from the logic circuit 66 is “Low” with respect to the constant voltage (Vref = 1.2 V) supplied from the constant voltage circuit 631 when the input / output circuit 71 reads from the fuse ROM 73. The signal becomes “High” when writing to the fuse ROM 73 is performed. A predetermined bias voltage supplied from the constant voltage circuit 631 is applied to the gate of the ninth transistor Tr9. The source of the ninth transistor Tr9 is grounded.

図9にヒューズROM73へのデータの書き込み動作を説明するタイミングチャートを示している。図9において、「Vcc1」及び「Vcc2」は、レギュレータ63から出力される電圧の値である。「Vcc2コントロール」は、ロジック回路66からレギュレータ63に送られてくるVcc2コントロールである。「光信号」は、フォトトランジスタ74に照射される光信号の波形である。「ヒューズROM」は、ヒューズROM73へのデータの書き込み中であることを示す信号(書き込みビジー(Busy)信号)の波形である。   FIG. 9 shows a timing chart for explaining an operation of writing data to the fuse ROM 73. In FIG. 9, “Vcc1” and “Vcc2” are values of voltages output from the regulator 63. “Vcc2 control” is Vcc2 control sent from the logic circuit 66 to the regulator 63. The “optical signal” is a waveform of an optical signal irradiated to the phototransistor 74. “Fuse ROM” is a waveform of a signal (write busy signal) indicating that data is being written to the fuse ROM 73.

図9に示すヒューズROM73へのデータの書き込み処理は、電磁波をアンテナ回路に入力することにより図7のタイミングチャートに従ってロジック回路66を動作させた後、ヒューズROM73へのデータの書き込みを開始するためのコマンド(以下、「書き込み開始コマンド」と称する)を含んだ光信号をフォトトランジスタ74に照射することにより開始される。   The data writing process to the fuse ROM 73 shown in FIG. 9 is to start writing data to the fuse ROM 73 after operating the logic circuit 66 according to the timing chart of FIG. 7 by inputting electromagnetic waves to the antenna circuit. This is started by irradiating the phototransistor 74 with an optical signal including a command (hereinafter referred to as a “write start command”).

まずフォトトランジスタ74から当該フォトトランジスタ74に照射される光信号に応じた電気信号が出力される。増幅回路75は、フォトトランジスタ74から出力される上記電気信号を増幅してロジック回路66に出力する(T6〜T7)。なお、ヒューズROM73へのデータの書き込みは、必要な電力を有する電磁波をアンテナ回路に供給しつつ行われる。   First, an electrical signal corresponding to the optical signal irradiated to the phototransistor 74 is output from the phototransistor 74. The amplifier circuit 75 amplifies the electrical signal output from the phototransistor 74 and outputs the amplified signal to the logic circuit 66 (T6 to T7). Note that data is written into the fuse ROM 73 while supplying an electromagnetic wave having necessary power to the antenna circuit.

フォトトランジスタ74から上記電気信号が入力されると、ロジック回路66はレギュレータ63に供給しているVcc2コントロールを、「Low」から「High」に切り換える(T8)。   When the electric signal is input from the phototransistor 74, the logic circuit 66 switches the Vcc2 control supplied to the regulator 63 from “Low” to “High” (T8).

ここでレギュレータ63において、ロジック回路66から送られてくるVcc2コントロールは図8Cに示す回路の第8のトランジスタTr8のゲートに入力され、Vcc2コントロールが「Low」から「High」になることにより、第8のトランジスタTr8がオンとなる。このため、第5のトランジスタTr5と第7のトランジスタTr7とによって構成される経路を通じての第9のトランジスタTr9への電流供給が停止して、第9のトランジスタTr9への電流供給はもっぱら第6のトランジスタTr6と第8のトランジスタTr8とによって構成される経路を通じてのみ行われることになる。これにより第6のトランジスタTr6のソースとゲートとの間に電位差が生じる。一方、第5のトランジスタTr5のソースとゲートとの間には電位差は生じない。   Here, in the regulator 63, the Vcc2 control sent from the logic circuit 66 is inputted to the gate of the eighth transistor Tr8 of the circuit shown in FIG. 8C, and the Vcc2 control is changed from “Low” to “High”. The eighth transistor Tr8 is turned on. Therefore, the current supply to the ninth transistor Tr9 is stopped through the path constituted by the fifth transistor Tr5 and the seventh transistor Tr7, and the current supply to the ninth transistor Tr9 is exclusively the sixth transistor. This is performed only through a path constituted by the transistor Tr6 and the eighth transistor Tr8. As a result, a potential difference is generated between the source and the gate of the sixth transistor Tr6. On the other hand, no potential difference is generated between the source and gate of the fifth transistor Tr5.

ここで第6のトランジスタTr6のソースとゲートの間に生じた電位差は、第6のトランジスタTr6のゲートを通じて図8Bの電圧切換回路812を構成している第3の増幅器OP3のバイアス入力端子BIAS2に供給される。これにより第3の増幅器OP3が動作する。一方、図8Cの第5のトランジスタTr5のソースとゲートの間には電位差が生じないため、第2の増幅器OP2のバイアス入力端子BIAS1にはバイアス電圧が供給されず、第2の増幅器OP2は動作を停止する。以上のようにして、結局、第3の増幅器OP3のみがオンすることになり、電圧切換回路812を構成している抵抗素子R3,R4によって定まる第3の増幅器OP3の出力電圧である12.0Vが、電圧(Vcc2)としてレギュレータ63から出力される。   Here, the potential difference generated between the source and gate of the sixth transistor Tr6 is applied to the bias input terminal BIAS2 of the third amplifier OP3 constituting the voltage switching circuit 812 of FIG. 8B through the gate of the sixth transistor Tr6. Supplied. As a result, the third amplifier OP3 operates. On the other hand, since no potential difference is generated between the source and gate of the fifth transistor Tr5 in FIG. 8C, no bias voltage is supplied to the bias input terminal BIAS1 of the second amplifier OP2, and the second amplifier OP2 operates. To stop. As described above, after all, only the third amplifier OP3 is turned on, and the output voltage of the third amplifier OP3 determined by the resistance elements R3 and R4 constituting the voltage switching circuit 812 is 12.0V. Is output from the regulator 63 as a voltage (Vcc2).

なお、メモリ72又はヒューズROM73からのデータの読み出し時においては、ロジック回路66からレギュレータ63にはVcc2コントロールとして「Low」が送られてくる。このため、図8Cに示す回路における第8のトランジスタTr8のゲート電圧は「Low」となり、これにより第8のトランジスタTr8は動作を停止する。従って、第6のトランジスタTr6と第8のトランジスタTr8とによって構成される経路を通じた第9のトランジスタTr9への電流供給が停止し、第9のトランジスタTr9への電流供給はもっぱら第5のトランジスタTr5と第7のトランジスタTr7とによって構成される経路を通じてのみ行われることになり、第5のトランジスタTr5のソースとゲートとの間には電位差が生じるが、第6のトランジスタTr6のソースとゲートとの間には電位差は生じない。これにより第2の増幅器OP2は動作するが、第3の増幅器OP3は動作を停止し、電圧切換回路812を構成している第2の増幅器OP2の出力電圧である3.3Vが電圧(Vcc2)としてレギュレータ63から出力されることになる。以上のようにして電圧(Vcc=12.0V)の供給が開始される(T8)。   When reading data from the memory 72 or the fuse ROM 73, “Low” is sent from the logic circuit 66 to the regulator 63 as Vcc2 control. For this reason, the gate voltage of the eighth transistor Tr8 in the circuit shown in FIG. 8C becomes “Low”, whereby the eighth transistor Tr8 stops operating. Accordingly, the current supply to the ninth transistor Tr9 is stopped through the path constituted by the sixth transistor Tr6 and the eighth transistor Tr8, and the current supply to the ninth transistor Tr9 is exclusively the fifth transistor Tr5. And the seventh transistor Tr7, the potential difference is generated between the source and gate of the fifth transistor Tr5, but the source and gate of the sixth transistor Tr6 There is no potential difference between them. As a result, the second amplifier OP2 operates, but the third amplifier OP3 stops operating, and the output voltage of the second amplifier OP2 constituting the voltage switching circuit 812 is 3.3V (Vcc2). Is output from the regulator 63. As described above, supply of voltage (Vcc = 12.0 V) is started (T8).

次に、ヒューズROM73上のデータの書き込み位置を示すアドレスデータ及び書き込みデータを含んだ光信号が、フォトトランジスタ74に照射され(T9〜T10)、この光信号に対応する電気信号がロジック回路66に入力される。ロジック回路66は、入出力回路71を制御して、入力される電気信号に含まれるアドレスデータで指定されるヒューズROM73の所定の記憶位置に、上記電気信号に含まれる書き込みデータを書き込む(T11〜T12)。   Next, an optical signal including address data indicating the data writing position on the fuse ROM 73 and the write data is applied to the phototransistor 74 (T9 to T10), and an electric signal corresponding to the optical signal is input to the logic circuit 66. Entered. The logic circuit 66 controls the input / output circuit 71 to write the write data included in the electrical signal to a predetermined storage location of the fuse ROM 73 specified by the address data included in the input electrical signal (T11 to T11). T12).

ヒューズROM73へのデータの書き込みが完了すると、ロジック回路66は、ヒューズROM73の所定位置のビット(以下、「書き込み済フラグ」と称する)をオンにする(T13〜T14)。以上の処理が終了した後は、アンテナ回路からの電磁波の供給が停止されて書き込み処理が終了する(T15)。なお、上記ビットは、ヒューズROM73へのデータの書き込みを行ったかどうか(書き込み済であるかどうか)を判断する際にロジック回路66によって参照される。すなわち、ロジック回路66は、上記「書き込み済フラグ」がオンであればヒューズROM73には既にデータが書き込まれているものと判断し、この場合にはフォトトランジスタ74に書き込みコマンドを含んだ光信号が照射されてもヒューズROM73へのデータの書き込み動作を開始しない。   When the writing of data to the fuse ROM 73 is completed, the logic circuit 66 turns on a bit (hereinafter referred to as “written flag”) at a predetermined position of the fuse ROM 73 (T13 to T14). After the above processing is completed, the supply of electromagnetic waves from the antenna circuit is stopped and the writing processing is completed (T15). The bit is referred to by the logic circuit 66 when determining whether or not data has been written to the fuse ROM 73 (whether or not data has been written). That is, if the “written flag” is on, the logic circuit 66 determines that data has already been written in the fuse ROM 73. In this case, an optical signal including a write command is sent to the phototransistor 74. Even if it is irradiated, the data writing operation to the fuse ROM 73 is not started.

なお、以上に説明した処理においては、フォトトランジスタ74が光信号を確実に受信することができるように、ロジック回路66のクロック信号の周波数は、フォトトランジスタ74に照射される光信号の周波数よりも高い値に設定される。またタイミングのずれやノイズの影響によって、一度の照射で光信号を読み込めない場合も起こりうるが、このような場合には、ロジック回路66が光信号による入力を受け付けるまで、フォトトランジスタ74に繰り返し光信号を入力するようにする。   Note that in the processing described above, the frequency of the clock signal of the logic circuit 66 is higher than the frequency of the optical signal applied to the phototransistor 74 so that the phototransistor 74 can reliably receive the optical signal. Set to a high value. In addition, there may be a case where an optical signal cannot be read with a single irradiation due to a timing shift or noise. In such a case, the light is repeatedly applied to the phototransistor 74 until the logic circuit 66 receives an input based on the optical signal. Input a signal.

ところで、フォトトランジスタ74に照射される光信号は、増幅回路75やロジック回路66を誤動作させる要因となる。このため、フォトトランジスタ74は、増幅回路75やロジック回路66からなるべく離れた位置に設けることが好ましい。一方、増幅回路75において増幅された電気信号を効率よくロジック回路66に伝えるためには、増幅回路75はロジック回路66に隣接させて配置することが好ましい。ここでフォトトランジスタ74と増幅回路75又はロジック回路66の位置関係は、例えば図10に示す関係から求められる。すなわち、光源(光ファイバ)81からの光が直接照射される範囲は、フォトトランジスタ74と光源との間の距離Zと、光源から照射される光の広がり角θから求められる、半径x=Z・tanθの円の範囲であるので、フォトトランジスタ74、増幅回路75、及びロジック回路66は、集積回路2上の表面の領域のうち上記円の範囲外の領域に配置することが好ましいことになる。またこの場合において、増幅回路75において増幅された電気信号を効率よくロジック回路66に伝えるために、ロジック回路66と増幅回路75とは隣接するように配置することが好ましいことになる。   By the way, the optical signal irradiated to the phototransistor 74 becomes a factor that causes the amplifier circuit 75 and the logic circuit 66 to malfunction. Therefore, the phototransistor 74 is preferably provided at a position as far as possible from the amplifier circuit 75 and the logic circuit 66. On the other hand, in order to efficiently transmit the electric signal amplified in the amplifier circuit 75 to the logic circuit 66, the amplifier circuit 75 is preferably disposed adjacent to the logic circuit 66. Here, the positional relationship between the phototransistor 74 and the amplifier circuit 75 or the logic circuit 66 is obtained from the relationship shown in FIG. 10, for example. That is, the range in which the light from the light source (optical fiber) 81 is directly irradiated is obtained from the distance Z between the phototransistor 74 and the light source and the spread angle θ of the light irradiated from the light source. Since it is in the range of the circle of tan θ, it is preferable that the phototransistor 74, the amplifier circuit 75, and the logic circuit 66 are arranged in a region outside the range of the circle in the surface region on the integrated circuit 2. . In this case, the logic circuit 66 and the amplifier circuit 75 are preferably disposed adjacent to each other in order to efficiently transmit the electric signal amplified by the amplifier circuit 75 to the logic circuit 66.

ヒューズROM73へのデータの書き込みに際しては、アンテナ回路に通常の読み出しの際に比べて強い電磁波を供給しつつフォトトランジスタ74に書き込み命令を与えてから書き込みデータを入力するといった一連のプロセスを実施する必要がある。ここでこのようなプロセスの複雑さは、無線ICタグ1のセキュリティ強度の向上に貢献する。またデータの書き込みがヒューズを焼き切るという物理的な手段で行われることもセキュリティ強度の向上に貢献する。   When writing data to the fuse ROM 73, it is necessary to perform a series of processes such as supplying a write command to the phototransistor 74 and inputting write data while supplying a strong electromagnetic wave to the antenna circuit compared to normal reading. There is. Here, the complexity of such a process contributes to the improvement of the security strength of the wireless IC tag 1. In addition, the fact that data is written by a physical means of burning out the fuse also contributes to improving the security strength.

以上、本発明の実施形態につき詳細に説明したが、以上の実施形態の説明は本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明はその趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得ると共に本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。   Although the embodiments of the present invention have been described in detail above, the above description of the embodiments is for facilitating the understanding of the present invention and does not limit the present invention. It goes without saying that the present invention can be changed and improved without departing from the gist thereof, and that the present invention includes equivalents thereof.

本発明の一実施形態として説明する無線ICタグ1の平面図である。It is a top view of the radio | wireless IC tag 1 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明する無線ICタグ1の断面図である。It is sectional drawing of the radio | wireless IC tag 1 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するアンテナシート4単体の平面図である。It is a top view of the antenna sheet 4 single-piece | unit demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明する起点パッド21及び終点パッド22周辺の素子や配線パターンの構造を示す図である。It is a figure which shows the structure of the element around the starting point pad 21 and end point pad 22, and wiring pattern demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するアンテナシート4の製造方法を説明するプロセスフローである。It is a process flow explaining the manufacturing method of the antenna sheet | seat 4 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明する集積回路2の機能を説明するブロック図である。It is a block diagram explaining the function of the integrated circuit 2 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するデータを読み出し時の無線ICタグ1の動作を説明するタイミングチャートである。It is a timing chart explaining operation | movement of the radio | wireless IC tag 1 at the time of reading the data demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するヒューズROM73へのデータの書き込み原理を説明する図である。It is a figure explaining the principle of writing of the data to fuse ROM73 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するVccコントロールに応じて入出力回路71に供給する電圧(Vcc2)を切り換える回路である。This is a circuit for switching the voltage (Vcc2) supplied to the input / output circuit 71 in accordance with the Vcc control described as an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態として説明するVccコントロールに応じて入出力回路71に供給する電圧(Vcc2)を切り換える回路である。This is a circuit for switching the voltage (Vcc2) supplied to the input / output circuit 71 in accordance with the Vcc control described as an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態として説明するヒューズROM73へのデータの書き込み動作を説明するタイミングチャートである。It is a timing chart explaining the write-in operation | movement of the data to fuse ROM73 demonstrated as one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態として説明するフォトトランジスタ74と増幅回路75又はロジック回路66の位置関係を説明する図である。It is a figure explaining the positional relationship of the phototransistor 74 demonstrated as one Embodiment of this invention, the amplifier circuit 75, or the logic circuit 66. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1 無線ICタグ
2 集積回路
21 起点パッド
22 終点パッド
51 内部アンテナ回路
52 外部アンテナ回路
55 ダイオード
61 整流回路
62 変復調回路
63 レギュレータ
65 リミッタ回路
66 ロジック回路
67 リセット回路
68 発振回路
71 入出力回路
72 メモリ
73 ヒューズROM
74 フォトトランジスタ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Wireless IC tag 2 Integrated circuit 21 Starting point pad 22 Ending point pad 51 Internal antenna circuit 52 External antenna circuit 55 Diode 61 Rectification circuit 62 Modulation / demodulation circuit 63 Regulator 65 Limiter circuit 66 Logic circuit 67 Reset circuit 68 Oscillation circuit 71 I / O circuit 72 Memory 73 Fuse ROM
74 Phototransistor

Claims (12)

リーダ装置等の外部装置から送信される質問電波を受信して、前記質問電波の反射波を応答電波として送信する無線ICタグに用いられる集積回路であって、
データを記憶するメモリと、
前記外部装置から受信した電磁波に基づく交流電流を整流して直流電圧を生成するとともに、当該集積回路を動作させるための電圧を生成する整流回路と、
前記メモリに記憶されているデータを読み出すロジック回路と、
前記ロジック回路が読み出したデータによって前記反射波を変調する変調回路と、
アンテナ回路が接続される端子と、
照射される光信号に応じた電気信号を前記ロジック回路に入力するフォトトランジスタと、
前記電気信号に含まれているデータが書き込まれるヒューズROMと、
を有すること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit used in a wireless IC tag that receives an interrogation radio wave transmitted from an external device such as a reader device and transmits a reflected wave of the interrogation radio wave as a response radio wave,
A memory for storing data;
A rectifier circuit that rectifies an alternating current based on an electromagnetic wave received from the external device to generate a DC voltage, and generates a voltage for operating the integrated circuit;
A logic circuit for reading data stored in the memory;
A modulation circuit that modulates the reflected wave according to data read by the logic circuit;
A terminal to which the antenna circuit is connected;
A phototransistor that inputs an electrical signal corresponding to the irradiated optical signal to the logic circuit;
A fuse ROM in which data included in the electrical signal is written;
An integrated circuit characterized by comprising:
請求項1に記載の集積回路であって、
前記直流電圧を復調する復調回路が設けられてなること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1, wherein
An integrated circuit comprising a demodulation circuit for demodulating the DC voltage.
請求項1または2に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路は、前記電気信号に含まれているデータを前記ヒューズROMに書き込むための回路を有すること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1 or 2,
The integrated circuit according to claim 1, wherein the logic circuit includes a circuit for writing data included in the electrical signal into the fuse ROM.
請求項1または2に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路のクロックの周波数は、前記光信号の周波数よりも高いこと
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1 or 2,
An integrated circuit, wherein a frequency of a clock of the logic circuit is higher than a frequency of the optical signal.
請求項1または2に記載の集積回路であって、
前記ヒューズROMへのデータの読み出し及び書き込みを行う入出力回路と、
前記整流回路によって生成された電圧により前記入出力回路の前記データの読み出し及び書き込み時に必要となる電圧を前記入出力回路に供給するレギュレータとを含み、
前記ロジック回路は、前記フォトトランジスタから前記電気信号が入力されると、前記レギュレータが前記入出力回路に対して前記ヒューズROMにデータを書き込むために必要となる電圧を供給するように前記レギュレータを制御すること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1 or 2,
An input / output circuit for reading and writing data to the fuse ROM;
A regulator that supplies the input / output circuit with a voltage required when reading and writing the data of the input / output circuit using the voltage generated by the rectifier circuit,
When the electrical signal is input from the phototransistor, the logic circuit controls the regulator so that the regulator supplies a voltage necessary for writing data to the fuse ROM to the input / output circuit. An integrated circuit characterized by:
請求項1または2に記載の集積回路であって、
前記整流回路によって生成された電圧によって動作し、前記電気信号を増幅する増幅回路を有すること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1 or 2,
An integrated circuit comprising an amplifier circuit that operates by a voltage generated by the rectifier circuit and amplifies the electrical signal.
請求項1または2に記載の集積回路であって、
前記ロジック回路は、前記フォトトランジスタと前記フォトトランジスタに光を照射する光源との間の距離をZとし、前記光源から照射される光の広がり角をθとした場合に、前記集積回路の表面の領域のうち、x=Z・tanθの式から求められる半径xの円の外側の領域に配置されること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 1 or 2,
When the distance between the phototransistor and the light source that emits light to the phototransistor is Z and the spread angle of the light emitted from the light source is θ, the logic circuit An integrated circuit characterized by being arranged in a region outside a circle having a radius x determined from the equation x = Z · tan θ.
請求項6に記載の集積回路であって、
前記増幅回路は、前記フォトトランジスタと前記フォトトランジスタに光を照射する光源との間の距離をZとし、前記光源から照射される光の広がり角をθとした場合に、前記集積回路の表面の領域のうち、x=Z・tanθの式から求められる半径xの円の外側の領域に配置されること
を特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 6, comprising:
When the distance between the phototransistor and the light source that emits light to the phototransistor is Z and the spread angle of the light emitted from the light source is θ, An integrated circuit characterized by being arranged in a region outside a circle having a radius x determined from the equation x = Z · tan θ.
請求項8に記載の集積回路であって、
前記増幅回路は、前記ロジック回路に隣接させて配置されることを特徴とする集積回路。
An integrated circuit according to claim 8,
The integrated circuit is characterized in that the amplifier circuit is disposed adjacent to the logic circuit.
リーダ装置等の外部装置から送信される質問電波を受信して、前記質問電波の反射波を応答電波として送信する無線ICタグであって、
データを記憶するメモリと、
前記外部装置から受信した電磁波に基づく交流電流を整流して直流電圧を生成するとともに、当該集積回路を動作させるための電圧を生成する整流回路と、
前記メモリに記憶されているデータを読み出すロジック回路と、
前記ロジック回路が読み出したデータによって前記反射波を変調する変調回路と、
前記整流回路によって生成される前記電圧によって動作し、前記ロジック回路を動作させるためのクロック信号を生成する発振回路と、
アンテナ回路が接続される端子と、
照射される光信号に応じた電気信号を前記ロジック回路に入力するフォトトランジスタと、
前記電気信号に含まれているデータが書き込まれるヒューズROMと、
が設けられてなる集積回路と、
前記内部アンテナ回路を構成する、絶縁性フィルムに導電材からなる配線パターンを渦巻状に形成した平面状のインダクタと、
を備えること
を特徴とする無線ICタグ。
A wireless IC tag that receives an interrogation radio wave transmitted from an external device such as a reader apparatus and transmits a reflected wave of the interrogation radio wave as a response radio wave,
A memory for storing data;
A rectifier circuit that rectifies an alternating current based on an electromagnetic wave received from the external device to generate a DC voltage, and generates a voltage for operating the integrated circuit;
A logic circuit for reading data stored in the memory;
A modulation circuit that modulates the reflected wave according to data read by the logic circuit;
An oscillation circuit that operates by the voltage generated by the rectifier circuit and generates a clock signal for operating the logic circuit;
A terminal to which the antenna circuit is connected;
A phototransistor that inputs an electrical signal corresponding to the irradiated optical signal to the logic circuit;
A fuse ROM in which data contained in the electrical signal is written;
An integrated circuit comprising:
A planar inductor that forms the internal antenna circuit in a spiral shape with a wiring pattern made of a conductive material on an insulating film;
A wireless IC tag comprising:
請求項10に記載の無線ICタグであって、
前記直流電圧を復調する復調回路が設けられてなること
を特徴とする無線ICタグ。
The wireless IC tag according to claim 10, wherein
A wireless IC tag comprising a demodulation circuit for demodulating the DC voltage.
請求項10または11に記載の無線ICタグであって、
前記集積回路には、前記整流回路によって生成された電圧を前記ヒューズROMにデータを書き込むために必要となる電圧に昇圧する昇圧回路が設けられてなること
を特徴とする無線ICタグ。
The wireless IC tag according to claim 10 or 11,
The wireless IC tag, wherein the integrated circuit is provided with a booster circuit that boosts the voltage generated by the rectifier circuit to a voltage necessary for writing data in the fuse ROM.
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