JP2006275543A - Probe device - Google Patents

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JP2006275543A JP2005090656A JP2005090656A JP2006275543A JP 2006275543 A JP2006275543 A JP 2006275543A JP 2005090656 A JP2005090656 A JP 2005090656A JP 2005090656 A JP2005090656 A JP 2005090656A JP 2006275543 A JP2006275543 A JP 2006275543A
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Kazushige Takagi
一重 高木
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KURIO KK
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KURIO KK
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a probe device capable of performing precise contact with electrodes under test of a narrow pitch such as a chip size package and securely establishing conduction. <P>SOLUTION: The probe device 1 is provided with a flexible film substrate 3 consisting of an insulating material, contact terminals 4 consisting of a plurality of conductive patterns formed in parallel on the film substrate 3, an elastically deformable reinforcement plate 5 stuck on the rear side of the film substrate 3, and a substrate holding mechanism 6 holding the film substrate 3, the contact terminals 4, and the reinforcement plate 5 in the curved state and bringing the tips of the contact terminals 4 into press contact with the electrodes under test. The tips 13 of the contact terminals 4 coincide with one end of the film substrate 3 and are arranged so as to agree with the pitch of the electrodes under test. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、プローブ装置に関するものであり、特に、半導体集積回路の試験等の際に、被検査電極に対して電気的に接続されるプローブ装置に関するものである。   The present invention relates to a probe device, and more particularly to a probe device that is electrically connected to an electrode to be inspected when testing a semiconductor integrated circuit.

近年、電子部品の小型化の要求に応えるため、チップサイズパッケージ(CSP)と呼ばれるパッケージ形態の半導体集積回路が多用されている。このような半導体集積回路では、ICパッケージの外部電極及びそのピッチの微細化が図られている。   In recent years, a semiconductor integrated circuit in a package form called a chip size package (CSP) has been widely used to meet the demand for downsizing electronic components. In such a semiconductor integrated circuit, the external electrodes of the IC package and the pitch thereof are miniaturized.

ところで、半導体集積回路の特性を検査するために、ICパッケージの外部電極と、ソケットに設置された多数のコンタクトピンとを電気的に接触させて導通テストを行うIC検査装置が知られている。また、半導体集積回路の製造工程では、ウエハからダイシングしたチップをパッケージに封止した後、出荷に先立ってバーンイン試験が行われている。この試験は、ソケットに装着されたコンタクトピンに、ICパッケージの外部電極を接続し、外部電源からパッケージ内のチップに、電源を供給しながら、半導体集積回路を高温雰囲気中で数時間連続動作させ、電気的特性を検査する試験である。   By the way, in order to inspect the characteristics of a semiconductor integrated circuit, there is known an IC inspection apparatus that conducts a continuity test by electrically contacting an external electrode of an IC package and a large number of contact pins installed in a socket. In the manufacturing process of a semiconductor integrated circuit, after a chip diced from a wafer is sealed in a package, a burn-in test is performed prior to shipment. In this test, an external electrode of an IC package is connected to a contact pin mounted on a socket, and a semiconductor integrated circuit is continuously operated in a high temperature atmosphere for several hours while supplying power from an external power source to a chip in the package. It is a test to inspect electrical characteristics.

IC検査装置におけるプローブの具体的な構成について説明する。コンタクトピンは、ICパッケージの外部電極に接触する接触電極と、試験回路の端子に接続される接続電極とを有しており、また、これらの接触電極と接続電極との間にスプリングが設けられている。つまり、スプリングの付勢力により、接触電極を、ICパッケージの外部電極に、適切な圧力を加えた状態で電気的に接触させている。   A specific configuration of the probe in the IC inspection apparatus will be described. The contact pin has a contact electrode that contacts an external electrode of the IC package and a connection electrode connected to a terminal of the test circuit, and a spring is provided between the contact electrode and the connection electrode. ing. In other words, the contact electrode is brought into electrical contact with the external electrode of the IC package with an appropriate pressure applied by the biasing force of the spring.

なお、上記の従来技術は、当業者にとって当然なされている一般的事項であり、出願人は、この従来技術を特定するに適した文献を、特に知見していない。   Note that the above-described prior art is a general matter that is naturally understood by those skilled in the art, and the applicant is not particularly aware of any literature suitable for specifying the prior art.

しかし、従来のIC検査装置では、ICパッケージの外部電極に合せて配列された多数のコンタクトピンを有しているが、夫々のコンタクトピンはコイルスプリングによって付勢されていることから、コンタクトピンのピッチを微細化することが困難となっていた。つまり、CSPやその他のICパッケージにおける外部電極のピッチの微細化に伴って、IC検査装置におけるコンタクトピンのピッチの微細化も当然要求されるものの、コイルスプリングによって制約を受け、検査装置を作製することが困難となっていた。   However, the conventional IC inspection apparatus has a large number of contact pins arranged in accordance with the external electrodes of the IC package. Since each contact pin is biased by a coil spring, It has been difficult to reduce the pitch. In other words, with the miniaturization of the pitch of the external electrodes in the CSP and other IC packages, the miniaturization of the pitch of the contact pins in the IC inspection device is naturally required, but the inspection device is manufactured under the restriction of the coil spring. It was difficult.

また、集積回路が形成されたウエハやパッケージの反り、または半田ボールやパッケージの寸法誤差により、各電極の高さにバラツキが生じている場合には、コンタクトピンを確実に接触させることが困難となる恐れがあった。特に、電極が半田で形成されている場合には、空気中での酸化により表面が薄い酸化膜で覆われているため、外部電極に対するコンタクトピンの押圧力が弱い場合には、接触しているにも拘わらず導通させることができなくなる恐れがあった。   In addition, if the height of each electrode varies due to warpage of the wafer or package on which the integrated circuit is formed, or dimensional errors of the solder balls or package, it is difficult to reliably contact the contact pins. There was a fear. In particular, when the electrode is formed of solder, the surface is covered with a thin oxide film due to oxidation in the air, so that the contact is made when the pressing force of the contact pin against the external electrode is weak However, there was a risk that it could not be conducted.

そこで、本発明は、上記の実状に鑑み、CSPのような狭ピッチの被検査電極に対しても、高精度に対応することができ、しかも確実に導通させることが可能なプローブ装置の提供を課題とするものである。   Therefore, in view of the above situation, the present invention provides a probe device that can cope with a narrow-pitch inspection electrode such as a CSP with high accuracy and can be reliably conducted. It is to be an issue.

本発明にかかるプローブ装置は、「絶縁性素材からなる可撓性の基板と、
該基板上に並列に形成された複数の導電パターンからなり、先端が、前記基板の一端に一致するとともに、被検査電極のピッチに合せて配列された複数のコンタクト端子と、
前記基板を湾曲させた状態に保持し、前記コンタクト端子の先端を前記被検査電極に圧接させる基板保持機構とを具備する」ものである。
The probe device according to the present invention includes a “flexible substrate made of an insulating material,
A plurality of conductive patterns formed in parallel on the substrate, the tip of which coincides with one end of the substrate, and a plurality of contact terminals arranged in accordance with the pitch of the electrode to be inspected;
A substrate holding mechanism that holds the substrate in a curved state and presses the tip of the contact terminal against the electrode to be inspected ”.

本発明によれば、基板保持機構によって基板が保持され、基板の一端まで延出された複数のコンタクト端子が、それぞれの被検査電極に圧接させられる。特に、コンタクト端子は、基板に形成された導電パターンから構成されており、基板とともに湾曲した状態で被検査電極に圧接させられる。つまり、基板の弾性力を利用してコンタクト端子を被検査電極に圧接させることから、コイルスプリング等が不要となり、ひいては基板の一端側に臨むコンタクト端子のピッチを、微細化することが可能となる。すなわち、狭ピッチの被検査電極に対応することが可能になる。また、被検査電極に対するコンタクト端子の圧接力は、基板の湾曲率によって変化する。つまり、基板の湾曲率を調整することにより、コンタクト端子の圧接力を適切な圧力に設定することが可能になる。   According to the present invention, the substrate is held by the substrate holding mechanism, and the plurality of contact terminals extending to one end of the substrate are brought into pressure contact with the electrodes to be inspected. In particular, the contact terminal is composed of a conductive pattern formed on the substrate, and is brought into pressure contact with the electrode to be inspected while being curved together with the substrate. In other words, since the contact terminal is pressed against the electrode to be inspected using the elastic force of the substrate, a coil spring or the like is not necessary, and the pitch of the contact terminal facing one end of the substrate can be miniaturized. . That is, it becomes possible to cope with the inspection electrodes with a narrow pitch. Further, the contact force of the contact terminal with respect to the electrode to be inspected changes depending on the curvature of the substrate. That is, by adjusting the curvature rate of the substrate, it is possible to set the pressure contact force of the contact terminal to an appropriate pressure.

また、基板を一定の状態に湾曲させたまま、すなわち被検査電極に対してコンタクト端子を一定の圧力で圧接させたまま、摺動させることが可能になる。このため、被検査電極に大きな負荷を加えることなく、被検査電極の表面の酸化膜を、コンタクト端子の先端によって掻き取ることが可能になり、コンタクト端子を被検査電極に導通させることができる。特に、コンタクト端子の先端は、基板のエッジに位置していることから、応力が集中し酸化膜を容易に掻き取ることができる。また、これとともに、コンタクト端子自体のセルフクリーニングも行われる。   Further, the substrate can be slid while the substrate is curved in a constant state, that is, the contact terminal is pressed against the electrode to be inspected with a constant pressure. Therefore, the oxide film on the surface of the electrode to be inspected can be scraped off by the tip of the contact terminal without applying a large load to the electrode to be inspected, and the contact terminal can be conducted to the electrode to be inspected. In particular, since the tip of the contact terminal is located at the edge of the substrate, stress is concentrated and the oxide film can be easily scraped off. At the same time, self-cleaning of the contact terminal itself is also performed.

ところで、本発明のプローブ装置において、「前記基板は、可撓性のフィルム基板から構成され、該基板の裏面に、弾性変形可能な補強用プレートが貼着されている」構成を採用してもよい。   By the way, in the probe device of the present invention, even if the “the substrate is composed of a flexible film substrate and a reinforcing plate capable of elastic deformation is attached to the back surface of the substrate” is adopted. Good.

ここで、「フィルム基板」としては、ポリイミド樹脂等の絶縁性素材からなる可撓性のフィルム基板を例示することができる。また、「補強用プレート」としては、ステンレス等の金属板を例示することができる。   Here, examples of the “film substrate” include a flexible film substrate made of an insulating material such as polyimide resin. Examples of the “reinforcing plate” include a metal plate such as stainless steel.

これによれば、可撓性のある基板として多用されている、フレキシブルな可撓性のフィルム基板を利用した場合でも、補強用プレートを貼着することにより、フィルム基板を一定の姿勢(平面形状)に保持させることができるとともに、湾曲させた場合には弾性力を発生させ、弾性力によってコンタクト端子を被検査電極に圧接させることができる。   According to this, even when a flexible flexible film substrate, which is often used as a flexible substrate, is used, the film substrate is fixed in a certain posture (planar shape) by sticking the reinforcing plate. In the case of bending, an elastic force is generated, and the contact terminal can be brought into pressure contact with the electrode to be inspected by the elastic force.

また、本発明のプローブ装置において、「前記基板及び前記補強用プレートにおける、複数の前記コンタクト端子の先端間に、切欠状のスリットが形成されている」構成を採用してもよい。   In the probe device of the present invention, a configuration in which “a notch-like slit is formed between the tips of the plurality of contact terminals in the substrate and the reinforcing plate” may be employed.

これによれば、基板の一端には、複数のコンタクト端子の先端が並列して臨んでいるが、それぞれのコンタクト端子の先端間には、切欠状のスリットが形成され、基板及び補強用プレートは、いわゆる櫛状となっている。このため、ウエハやパッケージの反り、または半田ボールやパッケージの寸法誤差により、各電極の高さにバラツキが生じていても、それぞれのコンタクト端子の先端部分は、その高低差に従って個々に変形する。つまり、スリットを形成することにより、各被検査電極における高さのバラツキを吸収することが可能になる。   According to this, the tips of a plurality of contact terminals face one end of the substrate in parallel, but a notch-shaped slit is formed between the tips of each contact terminal, and the substrate and the reinforcing plate are The so-called comb shape. For this reason, even if the height of each electrode varies due to warpage of the wafer or package, or dimensional error of the solder ball or package, the tip portion of each contact terminal is individually deformed according to the height difference. That is, by forming the slit, it is possible to absorb the height variation in each electrode to be inspected.

このように、本発明のプローブ装置では、基板の弾性力を利用してコンタクト端子を被検査電極に圧接させることから、基板の一端側に臨むコンタクト端子のピッチを、微細化することが可能となり、CSPのような狭ピッチの被検査電極に対しても、高精度に対応することができる。また、被検査電極の表面の酸化膜を、効率的に取り除くことができ、コンタクト端子と被検査電極との間での導通性を確保することができる。また、基板の湾曲率を調整することにより、コンタクト端子の圧接力を適切な圧力に設定することが可能になり、被検査電極に傷を付けたり打痕を生じさせたりすることを防止できる。また、コンタクト端子のインダクタンスが小さく、しかも伸縮がないことからインダクタンスの変化も少ないため、検査精度を向上させることができる。   As described above, in the probe device according to the present invention, the contact terminal is brought into pressure contact with the electrode to be inspected by using the elastic force of the substrate, so that the pitch of the contact terminal facing one end side of the substrate can be miniaturized. Also, it is possible to cope with a narrow pitch inspection electrode such as CSP with high accuracy. In addition, the oxide film on the surface of the electrode to be inspected can be efficiently removed, and electrical conductivity between the contact terminal and the electrode to be inspected can be ensured. Further, by adjusting the curvature of the substrate, it is possible to set the pressure contact force of the contact terminal to an appropriate pressure, and it is possible to prevent the electrode to be inspected from being scratched or dented. Further, since the inductance of the contact terminal is small and there is no expansion / contraction, the change in inductance is small, so that the inspection accuracy can be improved.

以下、本発明の一実施形態であるプローブ装置について、図1に基づき説明する。図1はプローブ装置の構成を示す斜視図である。本実施形態のプローブ装置1は、チップサイズパッケージ(CSP)のような狭ピッチの被検査電極2(図2参照)を有する半導体集積回路に対して、導通テストやバーンイン試験を行う際に利用されるものである。   Hereinafter, a probe apparatus according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a perspective view showing the configuration of the probe apparatus. The probe device 1 of the present embodiment is used when conducting a continuity test or a burn-in test on a semiconductor integrated circuit having a narrow pitch inspection electrode 2 (see FIG. 2) such as a chip size package (CSP). Is.

図1に示すように、プローブ装置1は、フィルム基板3と、フィルム基板3に形成された複数のコンタクト端子4と、フィルム基板3の裏面に貼着された補強用プレート5とを具備している。フィルム基板3は、ポリイミド樹脂等の絶縁性素材からなる可撓性の基板であり、所謂、フレキ基板と称されている。なお、フィルム基板3の厚みは、特に限定されるものはないが、本例では約30〜50μmである。本例のフィルム基板3は、幅広の基部3aと、それよりも幅の狭いパターン形成部3bと、さらに幅の狭いコンタクト部3cとからなり、全体的に階段状に形成されている。また、コンタクト部3cには、複数のスリット8が形成されているが、これについては後述する。   As shown in FIG. 1, the probe device 1 includes a film substrate 3, a plurality of contact terminals 4 formed on the film substrate 3, and a reinforcing plate 5 attached to the back surface of the film substrate 3. Yes. The film substrate 3 is a flexible substrate made of an insulating material such as polyimide resin, and is called a so-called flexible substrate. The thickness of the film substrate 3 is not particularly limited, but is about 30 to 50 μm in this example. The film substrate 3 of this example includes a wide base portion 3a, a narrower pattern forming portion 3b, and a narrower contact portion 3c, and is formed in a step shape as a whole. A plurality of slits 8 are formed in the contact portion 3c, which will be described later.

コンタクト端子4は、フィルム基板3上に並列に形成された複数の導電パターンからなり、先端13が、フィルム基板3の一端(図1では上端)に一致するとともに、被検査電極2のピッチに合せて配列されている。なお、本例では、コンタクト端子4の厚みを、5〜20μmとし、先端13におけるコンタクト端子4のピッチを、40μmとしている。また、各コンタクト端子4は、フィルム基板3のコンタクト部3cから基部3aにかけて平行に延出されており、基部3a側における端部には、千鳥状に配置された円状のピッチ変換部10が形成されている。つまり、千鳥状に配置することにより、コンタクト端子4の端部における間隔を広げ、被検査電極2に合わせた狭ピッチの配置から、それよりも広いピッチ(例えば50μm)の配置へと、ピッチを変換している。なお、ピッチが変換された各コンタクト端子4の端部には、コンタクト端子4を介して信号を取り出すためのスルーホール9が穿設されている。このスルーホール9は、フィルム基板3及び補強用プレート5を貫通して形成されている。   The contact terminal 4 is composed of a plurality of conductive patterns formed in parallel on the film substrate 3, and the tip 13 coincides with one end (the upper end in FIG. 1) of the film substrate 3 and matches the pitch of the electrode 2 to be inspected. Are arranged. In this example, the thickness of the contact terminals 4 is 5 to 20 μm, and the pitch of the contact terminals 4 at the tip 13 is 40 μm. Each contact terminal 4 extends in parallel from the contact portion 3c to the base portion 3a of the film substrate 3, and circular pitch conversion portions 10 arranged in a staggered manner are provided at the end portion on the base portion 3a side. Is formed. That is, by arranging in a staggered manner, the interval at the end of the contact terminal 4 is widened, and the pitch is changed from a narrow pitch arrangement corresponding to the electrode 2 to be inspected to a wider pitch (for example, 50 μm). It has been converted. A through hole 9 for taking out a signal through the contact terminal 4 is formed at the end of each contact terminal 4 whose pitch has been changed. The through hole 9 is formed through the film substrate 3 and the reinforcing plate 5.

補強用プレート5は、ステンレス等の金属板からなり、フィルム基板3を一定の姿勢(平面形状)に保持させるとともに、湾曲させた場合には弾性力を発生させる。この補強用プレート5の形状は、フィルム基板3の形状と同一であり、階段状に形成されている。   The reinforcing plate 5 is made of a metal plate such as stainless steel, holds the film substrate 3 in a fixed posture (planar shape), and generates an elastic force when bent. The shape of the reinforcing plate 5 is the same as that of the film substrate 3 and is formed in a step shape.

補強用プレート5及びフィルム基板3におけるコンタクト部3cには、複数のコンタクト端子4間に、切欠状のスリット8が形成されており、いわゆる櫛状となっている。このため、それぞれのコンタクト端子4は、僅かな範囲であるが、撓み量を個々に変化させることが可能になる。   In the contact portion 3c of the reinforcing plate 5 and the film substrate 3, a notch-shaped slit 8 is formed between the plurality of contact terminals 4, and has a so-called comb shape. For this reason, although each contact terminal 4 is a slight range, it becomes possible to change the amount of bending individually.

一方、フィルム基板3及び補強用プレート5は、基板保持機構6の支持部12によって支持されている。基板保持機構6は、図示しない駆動手段のアームに接続されており、フィルム基板3及び補強用プレート5を湾曲させた状態で、コンタクト端子4の先端13を被検査電極2に圧接させることを可能にしている。また、フィルム基板3及び補強用プレート5を一定の状態に湾曲させたまま、すなわち被検査電極2に対してコンタクト端子4を一定の圧力で圧接させたまま、水平方向に摺動させることも可能にしている。   On the other hand, the film substrate 3 and the reinforcing plate 5 are supported by the support portion 12 of the substrate holding mechanism 6. The substrate holding mechanism 6 is connected to an arm of a driving means (not shown), and the tip 13 of the contact terminal 4 can be brought into pressure contact with the electrode 2 to be inspected while the film substrate 3 and the reinforcing plate 5 are curved. I have to. Further, the film substrate 3 and the reinforcing plate 5 can be slid in the horizontal direction while being curved in a constant state, that is, with the contact terminal 4 being pressed against the electrode 2 to be inspected at a constant pressure. I have to.

次に、プローブ装置1の動作について、図2を基に説明する。基板保持機構6によってフィルム基板3及び補強用プレート5が保持され、フィルム基板3の一端まで延出された複数のコンタクト端子4が、それぞれの被検査電極2に圧接させられる。特に、コンタクト端子4は、フィルム基板3及び補強用プレート5とともに湾曲した状態で被検査電極2に圧接させられる。この際、補強用プレート5は弾性力を有することから、その弾性力を利用してコンタクト端子4を被検査電極2に圧接させることができる。   Next, the operation of the probe apparatus 1 will be described with reference to FIG. The film substrate 3 and the reinforcing plate 5 are held by the substrate holding mechanism 6, and a plurality of contact terminals 4 extending to one end of the film substrate 3 are brought into pressure contact with the respective electrodes 2 to be inspected. In particular, the contact terminal 4 is brought into pressure contact with the electrode 2 to be inspected in a curved state together with the film substrate 3 and the reinforcing plate 5. At this time, since the reinforcing plate 5 has an elastic force, the contact terminal 4 can be brought into pressure contact with the electrode 2 to be inspected using the elastic force.

また、コンタクト端子4を一定の圧力で圧接させたまま摺動させるため、被検査電極2に大きな負荷を加えることなく、被検査電極2の表面の酸化膜、及びコンタクト端子4の先端13の酸化膜を、除去することが可能になり、ひいてはコンタクト端子4を被検査電極2に確実に導通させることが可能になる。   Further, since the contact terminal 4 is slid while being kept in press contact with a constant pressure, the oxide film on the surface of the electrode 2 to be inspected and the oxidation of the tip 13 of the contact terminal 4 are not applied to the electrode 2 to be inspected. The film can be removed, and as a result, the contact terminal 4 can be reliably conducted to the electrode 2 to be inspected.

また、隣合うコンタクト端子4の先端13間には、切欠状のスリット8が形成されているため、例えば集積回路が形成されたウエハやパッケージの反り、または半田ボールやパッケージの寸法誤差により、各電極の高さにバラツキが生じていても、それぞれのコンタクト端子4の先端部分はその高低差に従って個々に変形する。つまり、各被検査電極2における高さのバラツキが、スリット8によって吸収される。   Further, since the notched slits 8 are formed between the tips 13 of the adjacent contact terminals 4, for example, due to warpage of the wafer or package on which the integrated circuit is formed, or dimensional error of the solder ball or package, Even if the heights of the electrodes vary, the tip portions of the contact terminals 4 are individually deformed according to the height difference. That is, the height variation in each of the electrodes to be inspected 2 is absorbed by the slit 8.

ところで、本例のプローブ装置1をバーンイン試験に用いる場合には、冷却装置等を用いて、プローブ装置1を冷却させることが好ましい。つまり、バーンイン試験では、半導体集積回路を高温雰囲気中で数時間連続動作させることが行われるが、コンタクト部分であるプローブ装置1を冷却させるようにすれば、フィルム基板3の熱変形を抑制し、コンタクト端子4のピッチを維持することが可能になる。   By the way, when using the probe apparatus 1 of this example for a burn-in test, it is preferable to cool the probe apparatus 1 using a cooling device or the like. That is, in the burn-in test, the semiconductor integrated circuit is continuously operated for several hours in a high temperature atmosphere. However, if the probe device 1 that is a contact portion is cooled, thermal deformation of the film substrate 3 is suppressed, The pitch of the contact terminals 4 can be maintained.

このように、本例のプローブ装置1では、フィルム基板3及び補強用プレート5の弾性力を利用してコンタクト端子4を被検査電極2に圧接させることから、コイルスプリングなどが不要となり、フィルム基板3の一端側に臨むコンタクト端子4のピッチを、微細化することが可能となる。したがって、CSPのような狭ピッチの被検査電極2(例えば40μm)に対しても、高精度にコンタクトさせることができる。特に、補強用プレート5を用いることにより、フィルム基板3を一定の姿勢(平面形状)に保持させることができるとともに、湾曲させた場合には弾性力を発生させ、弾性力によってコンタクト端子4を一定の圧力で圧接させることができる。   Thus, in the probe apparatus 1 of this example, the contact terminal 4 is pressed against the electrode 2 to be inspected by using the elastic force of the film substrate 3 and the reinforcing plate 5, so that a coil spring or the like is not required, and the film substrate It is possible to reduce the pitch of the contact terminals 4 facing the one end side of 3. Therefore, it is possible to contact with a narrow pitch inspection electrode 2 (for example, 40 μm) such as CSP with high accuracy. In particular, by using the reinforcing plate 5, the film substrate 3 can be held in a fixed posture (planar shape), and when it is bent, an elastic force is generated, and the contact terminal 4 is fixed by the elastic force. The pressure can be brought into contact with each other.

また、被検査電極2の表面の酸化膜を効率的に取り除くことができ、コンタクト端子4と被検査電極2との間での導電性を確保することができる。   In addition, the oxide film on the surface of the electrode to be inspected 2 can be efficiently removed, and electrical conductivity between the contact terminal 4 and the electrode to be inspected 2 can be ensured.

さらに、本例のプローブ装置1では、コンタクト端子4の先端13間に、切欠状のスリット8が形成されているため、各被検査電極2における高さのバラツキを吸収することが可能になる。   Furthermore, in the probe device 1 of this example, since the notch-shaped slit 8 is formed between the tips 13 of the contact terminals 4, it is possible to absorb the height variation in each of the electrodes 2 to be inspected.

また、本例のプローブ装置1では、フィルム基板3に形成された導電パターンを利用してコンタクト端子4を構成するため、比較的安価に製造することができ、バーンイン試験等にかかる設備コストを大幅に低減させることができる。   Moreover, in the probe apparatus 1 of this example, since the contact terminal 4 is comprised using the electrically conductive pattern formed in the film substrate 3, it can be manufactured comparatively cheaply and the installation cost concerning a burn-in test etc. is large. Can be reduced.

また、本例のプローブ装置1では、フィルム基板3の湾曲率を調整することにより、コンタクト端子4の圧接力を適切な圧力に設定することが可能になり、被検査電極2に傷を付けたり打痕を生じさせたりすることを防止できる。また、コンタクト端子4のインダクタンスが小さく、しかも伸縮がないことからインダクタンス4の変化も少ないため、検査精度を向上させることができる。さらに、コンタクト端子4は、コンタクト部分から延出された導電パターンで形成されているため、接点の箇所が少なくなり、導通性をさらに高めることができる。   Moreover, in the probe apparatus 1 of this example, it becomes possible to set the press-contact force of the contact terminal 4 to an appropriate pressure by adjusting the curvature rate of the film substrate 3, and damage the electrode 2 to be inspected. It is possible to prevent dents from being generated. Further, since the inductance of the contact terminal 4 is small and there is no expansion / contraction, the change of the inductance 4 is small, so that the inspection accuracy can be improved. Furthermore, since the contact terminal 4 is formed by the conductive pattern extended from the contact portion, the number of contact points is reduced, and the conductivity can be further improved.

以上、本発明について好適な実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではなく、以下に示すように、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、種々の改良及び設計の変更が可能である。   The present invention has been described with reference to preferred embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments, and various modifications can be made without departing from the spirit of the present invention as described below. And design changes are possible.

すなわち、上記のプローブ装置1では、一列に配列された複数の被検査電極2を、検査対象とするものを示したが、複数の被検査電極2が複数列に亘って配列されている検査対象に対しては、図3に示すように、複数枚のプローブ装置1を所定の間隔で並設させることにより対応することが可能になる。つまり、マトリクス状に配置された複数のコンタクト端子4を、同時に撓ませた状態で、各被検査電極2にコンタクトさせることが可能になる。   That is, in the probe device 1 described above, a plurality of electrodes to be inspected 2 arranged in a row are shown as inspection targets, but a plurality of electrodes to be inspected 2 are inspected in a plurality of rows. As shown in FIG. 3, a plurality of probe devices 1 can be arranged in parallel at a predetermined interval. That is, a plurality of contact terminals 4 arranged in a matrix can be contacted to each electrode 2 to be inspected while being bent at the same time.

また、上記のプローブ装置1では、基板としてフィルム基板3を用い、フィルム基板3の裏面に補強用プレート5を貼着させるものを示したが、フィルム基板3よりも硬く弾性力を有する素材(例えばガラスエポキシ樹脂)で基板を形成するようにすれば、補強用プレート5を省くことができ、全体の構造及び製造方法が一層簡単になる。   In the above probe device 1, the film substrate 3 is used as the substrate, and the reinforcing plate 5 is attached to the back surface of the film substrate 3. However, the probe device 1 is harder and more elastic than the film substrate 3 (for example, If the substrate is formed of glass epoxy resin), the reinforcing plate 5 can be omitted, and the whole structure and manufacturing method can be further simplified.

また、上記の実施形態では、CSPの外部電極を被検査電極としてコンタクトさせるものを示したが、製品化される前の段階であるウエハーレベル(ダイレベル)における電極に対してコンタクトさせるようにしてもよい。   In the above embodiment, the CSP external electrode is contacted as the electrode to be inspected. However, it is made to contact the electrode at the wafer level (die level) which is a stage before commercialization. Also good.

また、上記のプローブ装置1では、被検査電極2に対してコンタクト端子4を一定の圧力で圧接させたまま摺動させるものを示したが、例えば、コンタクト端子4と被検査電極2との間に薄いシート部材を介装した状態でコンタクト端子4を摺動させ、コンタクト端子4が所定の位置に到達した後、シート部材を引き抜くようにしてもよい。これによれば、被検査電極2に対するコンタクト端子4の摩擦抵抗が低減されるため、被検査電極2の傷付きを防止することが可能になる。   In the probe device 1 described above, the contact terminal 4 is slid while being pressed against the electrode 2 to be inspected at a constant pressure. For example, between the contact terminal 4 and the electrode 2 to be inspected. Alternatively, the contact terminal 4 may be slid with a thin sheet member interposed therebetween, and after the contact terminal 4 reaches a predetermined position, the sheet member may be pulled out. According to this, since the frictional resistance of the contact terminal 4 with respect to the electrode 2 to be inspected is reduced, it becomes possible to prevent the electrode 2 to be inspected from being damaged.

また、上記のプローブ装置1では、コンタクト端子4の端部に、信号を取り出すためのスルーホール9を穿設するものを示したが、コンタクト端子4のよって検出された信号を処理するための処理回路を、フィルム基板3上に形成し、導電パターン上でコンタクト端子4と接続させるようにしてもよい。これによれば、コンタクト端子4と処理回路とが、同一の基板上で形成されることになり、低廉化を図るとともに、これらの維持管理が容易になる。   In the probe device 1 described above, the through hole 9 for extracting a signal is formed at the end of the contact terminal 4. However, the process for processing the signal detected by the contact terminal 4 is shown. A circuit may be formed on the film substrate 3 and connected to the contact terminal 4 on the conductive pattern. According to this, the contact terminal 4 and the processing circuit are formed on the same substrate, so that the cost can be reduced and the maintenance of these can be facilitated.

さらに、上記のプローブ装置1では、複数のコンタクト端子4を平行に配列させ、千鳥状に配置されたピッチ変換部10によってピッチを広げるものを示したが、複数のコンタクト端子4を扇状(放射状)に配列させるようにしても、端部側のピッチを広げることが可能になる。但し、上記実施形態のように複数のコンタクト端子4を平行に配列させることにより、プローブ装置1の小型化及び軽量化が可能になる。   Further, in the above probe device 1, a plurality of contact terminals 4 are arranged in parallel and the pitch is increased by the pitch converters 10 arranged in a staggered manner, but the plurality of contact terminals 4 are fan-shaped (radial). Even if they are arranged in this manner, the pitch on the end side can be increased. However, by arranging a plurality of contact terminals 4 in parallel as in the above embodiment, the probe device 1 can be reduced in size and weight.

本発明のプローブ装置の構成を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the structure of the probe apparatus of this invention. プローブ装置の使用状態を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the use condition of a probe apparatus. プローブ装置の応用例を示す説明図である。It is explanatory drawing which shows the example of application of a probe apparatus.

符号の説明Explanation of symbols

1 プローブ装置
2 被検査電極
3 フィルム基板(基板)
4 コンタクト端子
5 補強用プレート
6 基板保持機構
8 スリット
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Probe apparatus 2 Electrode to be inspected 3 Film substrate (substrate)
4 Contact terminal 5 Reinforcing plate 6 Substrate holding mechanism 8 Slit

Claims (3)

絶縁性素材からなる可撓性の基板と、
該基板上に並列に形成された複数の導電パターンからなり、先端が、前記基板の一端に一致するとともに、被検査電極のピッチに合せて配列された複数のコンタクト端子と、
前記基板を湾曲させた状態に保持し、前記コンタクト端子の先端を前記被検査電極に圧接させる基板保持機構と
を具備することを特徴とするプローブ装置。
A flexible substrate made of an insulating material;
A plurality of conductive patterns formed in parallel on the substrate, the tip of which coincides with one end of the substrate, and a plurality of contact terminals arranged in accordance with the pitch of the electrode to be inspected;
A probe apparatus comprising: a substrate holding mechanism that holds the substrate in a curved state and presses the tip of the contact terminal against the electrode to be inspected.
前記基板は、可撓性のフィルム基板から構成され、
該基板の裏面に、弾性変形可能な補強用プレートが貼着されていることを特徴とする請求項1に記載のプローブ装置。
The substrate is composed of a flexible film substrate,
The probe device according to claim 1, wherein a reinforcing plate capable of elastic deformation is attached to the back surface of the substrate.
前記基板及び前記補強用プレートにおける、複数の前記コンタクト端子の先端間に、切欠状のスリットが形成されていることを特徴とする請求項2に記載のプローブ装置。   The probe device according to claim 2, wherein a notch-shaped slit is formed between tips of the plurality of contact terminals in the substrate and the reinforcing plate.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009011201A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Tokyo Electron Limited Inspecting structure
KR101683010B1 (en) * 2015-07-22 2016-12-07 주식회사 오킨스전자 The non-alignment rubber contactor, Rubber contact sheet containing the same, Manufacturing method thereof and Test socket using the same
US10622190B2 (en) 2011-11-22 2020-04-14 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
JP2020187834A (en) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社オートネットワーク技術研究所 Connector and connector mounting body
JP7453891B2 (en) 2020-10-06 2024-03-21 日本航空電子工業株式会社 Electrical component inspection equipment

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009011201A1 (en) * 2007-07-13 2009-01-22 Tokyo Electron Limited Inspecting structure
US10622190B2 (en) 2011-11-22 2020-04-14 Lam Research Corporation Systems and methods for controlling a plasma edge region
KR101683010B1 (en) * 2015-07-22 2016-12-07 주식회사 오킨스전자 The non-alignment rubber contactor, Rubber contact sheet containing the same, Manufacturing method thereof and Test socket using the same
JP2020187834A (en) * 2019-05-10 2020-11-19 株式会社オートネットワーク技術研究所 Connector and connector mounting body
JP7202529B2 (en) 2019-05-10 2023-01-12 株式会社オートネットワーク技術研究所 Connectors and connector assemblies
JP7453891B2 (en) 2020-10-06 2024-03-21 日本航空電子工業株式会社 Electrical component inspection equipment

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