JP2006270182A5 - - Google Patents

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撮像素子Image sensor

本発明は、カメラなど撮像装置に関するものである。 The present invention, Ru der relates imaging apparatus such as a camera.

従来の焦点検出用固体撮像素子においては、複数の受光素子からなる一対の受光素子アレイの出力を選択して、その選択された領域の最大値をモニターすることにより、蓄積制御をおこなうものが提案されている(特許文献1参照)。   A conventional focus detection solid-state image sensor is proposed that performs accumulation control by selecting the output of a pair of light-receiving element arrays consisting of a plurality of light-receiving elements and monitoring the maximum value of the selected area. (See Patent Document 1).

図6は、特許文献1に記載の従来例の固体撮像素子を示した図であり、同図において、11〜1nは、アレイ状またはエリア状に配置された複数のフォトダイオード、21〜2nは、前記11〜1nのフォトダイオードの光電流を電圧変換するためのオペアンプ、31〜3nは、前記11〜1nのフォトダイオードの光電流を、前記21〜2nのオペアンプを用いて、積分するための積分容量、41〜4nの第一のスイッチは、リセットするためのスイッチ、51〜5nは、ドレインをGNDに接続されたPchトランジスタ、61〜6nは、定電流源である。そして、61〜6nは、51〜5nのPchトランジスタのソースに各々接続されてソースフォロワ回路を形成している71〜7nは、第2スイッチであり、一端が、前記の51〜5nのp型トランジスタおよび61〜6nの定電流源により構成されるソースフォロワ回路にそれぞれ接続され、もう一端が、9の共通出力線に接続されている9の共通出力線は、最大値のモニター出力Moutになっている。 FIG. 6 is a diagram showing a conventional solid-state imaging device described in Patent Document 1, in which 11 to 1n are a plurality of photodiodes arranged in an array or area, and 21 to 2n are , Operational amplifiers 31 to 3n for converting the photocurrents of the photo diodes 11 to 1n to integrate the photo currents of the photo diodes 11 to 1n using the operational amplifiers 21 to 2n. the integrating capacitor, a first switch 41~4n the switch, 51 to 5n to reset the Pch transistor having a drain connected to the GND, 61 to 6n shall be specified current source der. 61 to 6n are connected to the sources of 51 to 5n Pch transistors, respectively, to form a source follower circuit . Reference numerals 71 to 7n denote second switches, one end of which is connected to the source follower circuit composed of the p-type transistors of 51 to 5n and the constant current source of 61 to 6n, respectively, and the other end is common to 9 Connected to the output line . Nine common output lines are the maximum monitor output Mout.

図6の回路の動作を説明する。動作の初期として、第2のスイッチ71〜7nのうちから、焦点検出に使用する光センサ回路に接続される第2のスイッチをONさせる。次に、第1のスイッチ41〜4nをONさせ、31〜3nの積分容量の電荷を放電する。前記31〜3nの積分容量を放電すると、光センサ回路のオペアンプ21〜2nの出力はVREFと同一電位にリセットされる。また、モニター出力MOUTは、VREFにPchトランジスタのVth値を加えた電位にほぼ近い値となる。その後、第1のスイッチ41〜4nを一斉にOFFさせると、フォトダイオード11〜1nで発生した光電荷はそれぞれ積分容量31〜3nに積分されオペアンプ21〜2nの出力はそれぞれそのフォトダイオード11〜1nが受光した光量に応じて下降する。すると、モニター出力MOUTはオペアンプ21〜2nの出力のなかで、第2のスイッチによって選択されているもの、すなわち、第2のスイッチのONしているオペアンプの出力の最大値(この場合最も下隆している出力)に追従して下降する。これにより、任意の光センサ回路を指定してその中の最大値出力をリアルタイムにモニターすることが可能となる。この最大値出力に基づいて、積分制御を行うことにより、測距に使用したい領域のダイナミックレンジを十分なものに設定することが可能になることが記載されている。   The operation of the circuit of FIG. 6 will be described. As the initial stage of the operation, the second switch connected to the optical sensor circuit used for focus detection is turned ON from among the second switches 71 to 7n. Next, the first switches 41 to 4n are turned on, and the charges of the integration capacitors 31 to 3n are discharged. When the integration capacitors 31 to 3n are discharged, the outputs of the operational amplifiers 21 to 2n of the optical sensor circuit are reset to the same potential as VREF. Further, the monitor output MOUT has a value substantially close to the potential obtained by adding the Vth value of the Pch transistor to VREF. Thereafter, when the first switches 41 to 4n are turned OFF all at once, the photocharges generated by the photodiodes 11 to 1n are integrated into the integration capacitors 31 to 3n, respectively, and the outputs of the operational amplifiers 21 to 2n are respectively the photodiodes 11 to 1n. Falls according to the amount of light received. Then, the monitor output MOUT is selected by the second switch among the outputs of the operational amplifiers 21 to 2n, that is, the maximum value of the output of the operational amplifier in which the second switch is turned on (in this case, the lowest output). The output descends following the output. This makes it possible to specify an arbitrary photosensor circuit and monitor the maximum value output in real time in real time. It is described that by performing integration control based on this maximum value output, it is possible to set a sufficient dynamic range of an area desired for distance measurement.

また、特許文献1に記載の発明には、前記第2のスイッチ71〜7nに複数の光センサ回路を接続して、ブロック化して、前記第2のスイッチ71〜7nの数の削減、および第2のスイッチを制御する制御回路の削減することが可能なことも記載されている。
特開平10−318835号公報
Further, in the invention described in Patent Document 1, a plurality of optical sensor circuits are connected to the second switches 71 to 7n to form blocks, and the number of the second switches 71 to 7n is reduced. It is also described that the number of control circuits for controlling the two switches can be reduced.
Japanese Patent Laid-Open No. 10-318835

以上、説明したように、特許文献1に記載の発明は、アレイ状またはエリア状に配置された複数のフォトダイオードの出力をオペアンプにより、電圧に変換して、その出力をドレインをGNDに接続されたPchトランジスタのソースフォロアで出力し、そのソースフォロワ出力を、スイッチを介して、共通出力線に出力することにより、共通接続されたフォトダイオードの最大値を検出して、固体撮像素子の積分制御を行なっている。また、スイッチの組み合わせを自由に選択することで、フォトダイオードの領域を選択して、測距検出領域を自由に可変可能なことが記載されている。   As described above, in the invention described in Patent Document 1, the output of a plurality of photodiodes arranged in an array or area is converted into a voltage by an operational amplifier, and the output is connected to GND at the drain. The output of the source follower of the Pch transistor is output to the common output line via the switch, and the maximum value of the commonly connected photodiode is detected to control the integration of the solid-state image sensor. Is doing. In addition, it is described that the range detection area can be freely changed by selecting a photodiode area by freely selecting a combination of switches.

また、複数のフォトダイオードを1つのスイッチに接続して、フォトダイオードの選択をブロック化して、前記スイッチの数の削減および制御回路の規模削減などが記載されてる。 Also, by connecting a plurality of photodiodes into one switch, blocking the selection of the photodiode, such as a scale reduction of the reduction and the control circuit of the number of the switches that have been described.

しがしながら、スイッチの選択のための制御および選択手段に関しては、記載がない。本発明は、アレイ状またはエリア状に配置されたフォトダイオード出力の最大値を、前記のようにブロック化することなく、検出する領域を任意に選択可能な選択手段およびその制御回路を、回路規模を増大させることなく選択可能にする固体撮像素子に関するものである。   However, there is no description regarding the control and selection means for selecting the switch. According to the present invention, there is provided a selection means capable of arbitrarily selecting a detection area and its control circuit without making the maximum value of the photodiode output arranged in an array or area as a block as described above. The present invention relates to a solid-state imaging device that can be selected without increasing.

前記課題を解決する為に、本発明の課題解決の手段は、被写体からの反射光を受光して信号を出力する複数の光電変換手段と、前記光電変換手段の出力の最大値を検出する最大値検出回路と、前記光電変換手段の出力を増幅して像信号を得る増幅手段と、前記複数の光電変換手段の中から、出力を得るための光電変換手段を選択する選択手段とを有し、前記選択手段は、前記最大値検出回路により最大値検出を行う場合は、前記複数の光電変換手段の中から光電変換手段を任意選択し、前記増幅手段により像信号を得る場合は、前記複数の光電変換手段を順次選択することを特徴とする。 In order to solve the above problems, the means for solving the problems of the present invention includes a plurality of photoelectric conversion means for receiving reflected light from a subject and outputting a signal, and a maximum for detecting a maximum value of the output of the photoelectric conversion means. has a value detecting circuit, an amplifying means for obtaining an image signal by amplifying the output of said photoelectric conversion means, from the plurality of photoelectric conversion means, and selection means for selecting a photoelectric conversion means for obtaining an output When the maximum value is detected by the maximum value detection circuit, the selection unit arbitrarily selects a photoelectric conversion unit from the plurality of photoelectric conversion units, and when the amplification unit obtains an image signal, The photoelectric conversion means are sequentially selected .

上記の課題解決の手段を実施することにより、回路規模を増大させることなく、複数の光電変換手段を任意に選択して、その選択された光電変換手段の最大値を検出することが可能になる。回路規模が大きくならないため、チップサイズが大きくならず、コストアップしない。また、撮影条件に応じて任意に測距領域を設定することが可能なため、測距領域の設定の自由度が大きく、撮影倍率が変わっても、最適な測距領域を最小画素単位で任意に設定することにより、遠近競合などの影響による誤測距することがなくなり、精度のよい測距が可能になる。また、マクロ撮影などのような場合でも、2つの視野ごとに任意に選択可能なため、用意に測距範囲を可変でき、測距可能な範囲を拡大することが可能である。 By implementing the means of the above problems solved, without increasing the circuit scale, by selecting a plurality of photoelectric conversion means arbitrarily, it is possible to detect the maximum value of the selected photoelectric conversion means . Since the circuit scale does not increase, the chip size does not increase and the cost does not increase. In addition, since it is possible to set the distance measurement area arbitrarily according to the shooting conditions, there is a great degree of freedom in setting the distance measurement area, and even if the shooting magnification changes, the optimum distance measurement area can be set in the smallest pixel unit. By setting to, erroneous distance measurement due to the effects of distance conflict and the like is eliminated, and accurate distance measurement is possible. Further, even in the case of macro photography or the like, since it can be arbitrarily selected for each of the two fields of view, the distance measurement range can be changed in advance, and the range capable of distance measurement can be expanded.

以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1に固体撮像素子の全体ブロック図を示す。図1において、101は、AFリニア回路ブロックであり、フォトダイオードアレイと信号処理回路により構成され、図中のA像部、B像部は、一対のフォトダイオードアレイと光電変換回路により構成される、公知の位相差パッシブオートフォーカスに用いられる構成であり、A像部、B像部は、それぞれ、物体からの反射光を受光するフォトダイオード、フォトダイオードの蓄積電荷を電圧に変換するアンプなどから構成される。位相差パッシブ方式の測距装置においては、被写体からの反射光が、視差を有する1対の受光光学系(図示しない)により、それぞれフォトダイオード上に結像され、その像のずれ量から、被写体までの距離あるいは撮影レンズのデフォーカス量が検出可能である。102は、アナログ回路ブロックであり、前記の101からの像信号を使って、フォトダイオードの蓄積時間を制御するAGC(オートゲインコントロール)回路、および所定の増幅率により、101からの像信号を増幅して、外部に出力する信号増幅回路、AFリニア回路の信号処理回路などのバイアス電圧や各種のクランプ電圧をあたえるための、基準電圧発生回路、中間電圧発生回路などが含まれる。103はデジタル回路ブロックであり、固体撮像素子を制御するマイクロコンピュータ接続するためのI/O回路、AFリニア回路の駆動タイミングを発生するTG(タイミングジェネレータ)回路などが含まれる。 FIG. 1 shows an overall block diagram of the solid-state imaging device. In FIG. 1, reference numeral 101 denotes an AF linear circuit block, which is constituted by a photodiode array and a signal processing circuit, and the A image portion and B image portion in the drawing are constituted by a pair of photodiode arrays and a photoelectric conversion circuit. The A image portion and the B image portion are respectively configured from a photodiode that receives reflected light from an object, an amplifier that converts the accumulated charge of the photodiode into a voltage, and the like. Composed. In a phase difference passive distance measuring device, reflected light from a subject is imaged on a photodiode by a pair of light-receiving optical systems (not shown) having parallax. Or the defocus amount of the photographing lens can be detected. An analog circuit block 102 amplifies the image signal from 101 by an AGC (auto gain control) circuit that controls the accumulation time of the photodiode using the image signal from 101 and a predetermined amplification factor. In addition, a reference voltage generation circuit, an intermediate voltage generation circuit, and the like for providing a bias voltage and various clamp voltages such as a signal amplification circuit output to the outside and a signal processing circuit of an AF linear circuit are included. A digital circuit block 103 includes an I / O circuit for connecting to a microcomputer for controlling the solid-state imaging device, a TG (timing generator) circuit for generating driving timing of the AF linear circuit, and the like.

図2は、図1の、101のAFリニア回路ブロックの詳細ブロック図であり、同図のA像が、図1のA像部(基準部)、B像(参照部)が、図1のB像部にそれぞれ対応している。AFリニア回路ブロックは、A像/B像ともに、被写体からの反射光を受光するための、フォトダイオードアレイ201と、フォトダイオードの蓄積電荷をうける光電変換アンプアレイ202、光電変換アンプアレイの出力をうけて、光電変換アンプアレイの出力に含まれる固定パターンノイズ(FPN)を除去するノイズ除去アレイ203、像信号の最大値を検出して、その最大値出力をAGC回路に出力する最大値検出回路アレイおよび像信号出力を信号増幅回路に出力する信号出力回路アレイ204、および信号出力回路アレイの出力を順次、信号増幅回路に出力するためのシフトレジスタ205によって構成されている。 2 is a detailed block diagram of the AF linear circuit block 101 in FIG. 1, in which the A image in FIG. 1 is the A image portion (reference portion) and the B image (reference portion) in FIG. Each corresponds to the B image portion. The AF linear circuit block receives the output of the photodiode array 201 for receiving the reflected light from the subject for both the A image and the B image, the photoelectric conversion amplifier array 202 receiving the accumulated charge of the photodiode, and the output of the photoelectric conversion amplifier array. Consequently, a noise removal array 203 for removing fixed pattern noise (FPN) contained in the output of the photoelectric conversion amplifier array, a maximum value detection circuit for detecting the maximum value of the image signal and outputting the maximum value output to the AGC circuit The signal output circuit array 204 outputs the array and the image signal output to the signal amplifier circuit, and the shift register 205 outputs the output of the signal output circuit array to the signal amplifier circuit sequentially.

図3は、図2のAFリニア回路ブロック図の詳細回路図を示している。同図において、図2と同一の番号が、振られた破線で囲まれた部分のブロックは、図2にそれぞれ対応している。3011〜301nは、後述のフォトダイオードのアノードの電位を、固定の電位VRESにリセットするためのリセットスイッチであり、φRES信号により制御される3021〜302nは、フォトダイオードであり、カソードは、電源電圧に、アノードは、前記のリセットスイッチに接続されている3031〜303nは、前記3021〜302nのフォトダイオードにそれぞれ接続されている、フォトダイオードの蓄積電荷を電圧に変換するためのアンプである3041〜304n、3051〜305n、3061〜306n、3081〜308n、3091〜309nアナログスイッチであり、各アナログスイッチを操作することにより、3071〜307nのコンデンサとあわせて、3031〜303nから出力される各アンプの固定パターンノイズを記憶してノイズキャンセルを行う公知のノイズ除去回路を構成している3101〜310nは、ノイズ除去回路から出力される像信号をバッファするバッファアンプであり、このアンプの出力を使って、像信号の最大値、および像信号出力が、共通信号出力線から出力される3111〜311nは、前記3101〜310nのアンプ出力と共通出力線を接続するアナログスイッチである3121〜312nは、論理回路ブロックであり、後述の314のシフトレジスタの出力、最大値検出時に出力される、PEAK信号、および像信号読み出し時に出力されるREAD_S信号が入力され、前記3111〜311nのアナログスイッチを制御する313は、最大値検出時にONされる、負荷抵抗であり、最大値検出時に、ゲート電圧が、VREF_Pに設定され、共通出力線に接続される314は、公知のシフトレジスタであり、図示しないデータ入力端子PHS、クロック入力端子PHおよびリセット端子H_RESにより制御され、ph0からphnまでの出力端子を有している。 FIG. 3 shows a detailed circuit diagram of the AF linear circuit block diagram of FIG. In the same figure, the blocks in the portion surrounded by the broken lines with the same numbers as those in FIG. 2 correspond to FIG. Reference numerals 3013 to 301n are reset switches for resetting the anode potential of a photodiode, which will be described later, to a fixed potential VRES, and are controlled by a φRES signal . Reference numerals 3021 to 302n denote photodiodes, the cathode is connected to the power supply voltage, and the anode is connected to the reset switch . 3031~303n are respectively connected to the photodiode of the 3021 -302n, an amplifier for converting the charges accumulated in the photodiode into a voltage. Reference numerals 3041 to 304n, 3051 to 305n, 3061 to 306n, 3081 to 308n, and 3091 to 309n are analog switches, and are output from 3031 to 303n together with 3071 to 307n capacitors by operating each analog switch. stores fixed pattern noise of each amplifier has a noise canceling constitute a noise removing circuit line cormorant publicly known. Reference numerals 3101 to 310n denote buffer amplifiers for buffering the image signal output from the noise removal circuit, and the maximum value of the image signal and the image signal output are output from the common signal output line using the output of the amplifier. . Reference numerals 3111 to 311n denote analog switches that connect the amplifier outputs of the 3101 to 310n and the common output line . 3121 to 312n are logic circuit blocks, to which an output of a later-described shift register 314, a PEAK signal output at the time of detecting a maximum value, and a READ_S signal output at the time of image signal reading are input. Control analog switches . Reference numeral 313 denotes a load resistance that is turned ON when the maximum value is detected. When the maximum value is detected, the gate voltage is set to VREF_P and is connected to the common output line . 314 is a known shift register, which is controlled by a data input terminal PHS, a clock input terminal PH and a reset terminal H_RES (not shown), and has output terminals from ph0 to phn.

図4は、固体撮像素子の最大値検出の画素選択および最大値検出時の駆動タイミングを示した図であり、同図に基づいて、最大値検出の画素選択および最大値検出の動作説明を行う。同図において、区間0では、前記314のシフトレジスタのリセット端子H_RES端子をHレベルにして、いったんシフトレジスタの全bit、ph0〜phnのデータをクリアして、Lレベルに設定する。区間1では、314のシフトレジスタのクロック端子PHにクロックを入力するこの時、データ入力端子PHSに画素選択情報D0を送るこのデータD0は、シフトレジスタの出力端子ph0に出力される区間2では、再びPH端子にクロックを入力して、PHS端子に画素選択情報D1を送る。このとき最初に送ったD0は、ph1に送られ、同時に、ph0にデータD1がセットされる。区間3および4では、同様の動作が繰り返しおこなわれ、最終的に、D0は、phn出力に、D1は、phn−1出力に・・・・・Dn−1は、ph1出力に、Dnは、ph0出力に、それぞれデータが設定される。以上からわかるように、最大値検出を行いたい画素に対応するph0〜nに選択データD0〜n=Hを送れば、Hを送った画素が選択可能なことがわかる。区間5は、ウエイト時間である。区間6では、PEAK信号をH出力して、実際に最大値検出をおこなう。このとき、3100〜nのアンプ出力と共通出力線を接続するスイッチ3110〜nを制御する制御信号は、
ph×(PEAK+READ_S)・・・(1)
のように出力され、D0〜nにより選択された3100〜nのアンプの出力が、共通出力線に同時に接続され、共通出力線に接続された、313の負荷抵抗にワイアードに接続され、選択画素の最大出力に応じた出力が共通出力線から出力される。最大値出力の原理については、公知のため詳述しない。
Figure 4 is a diagram showing the drive timing for pixel selection and a maximum value detection of the maximum value detection of the solid-state imaging device, on the basis of the drawing, the description of the operation of the pixel selection and maximum value detection of the maximum value detection Do. In the figure, in section 0, the reset terminal H_RES terminal of the shift register 314 is set to H level, and all bits and ph0 to phn of the shift register are once cleared and set to L level. In section 1, a clock is input to the clock terminal PH of the shift register 314 . At this time, pixel selection information D0 is sent to the data input terminal PHS . This data D0 is output to the output terminal ph0 of the shift register . In section 2, the clock is input again to the PH terminal, and the pixel selection information D1 is sent to the PHS terminal . At this time, D0 sent first is sent to ph1, and at the same time, data D1 is set to ph0. In the sections 3 and 4, the same operation is repeated. Finally, D0 is output to the phn, D1 is output to the phn-1, ... Dn-1 is output to the ph1, and Dn is Data is set for each ph0 output. As can be seen from the above, if selection data D0-n = H is sent to ph0-n corresponding to the pixel whose maximum value is to be detected, it can be seen that the pixel to which H has been sent can be selected. Section 5 is a wait time. In section 6, the PEAK signal is output H and the maximum value is actually detected. At this time, a control signal for controlling the switches 3110 to n connecting the amplifier outputs of 3100 to n and the common output line is:
ph × (PEAK + READ_S) (1)
The outputs of the amplifiers 3100 to n selected by D0 to n are connected to the common output line at the same time, and connected to the load resistor 313 connected to the common output line. The output corresponding to the maximum output is output from the common output line. The principle of maximum value output is well known and will not be described in detail.

図5は、画素の像信号読出しタイミングをした図である同図に基づいて、像信号読み出しの動作説明を行う。同図において、区間0では、前記314のシフトレジスタのリセット端子H_RES端子をHレベルにして、いったんシフトレジスタの全bit、ph0〜phnのデータをクリアして、Lレベルに設定する。区間1では、314のシフトレジスタのクロック端子PHにクロックを入力するこの時、データ入力端子PHSにシフトスタートパルスとしてHデータを送るこのスタートパルスは、シフトレジスタの出力端子ph0に出力される区間2では、再びPH端子にクロックを入力して、PHS端子はLレベルに固定する、このとき最初に送ったスタートパルスは、ph1に送られ、同時に、ph0はLレベルにセットされる。区間3および4では、同様の動作が繰り返しおこなわれ、最初に送られたスタートパルスは、順次ph2、ph3、・・・phn−1、phn出力に送られる。以上からわかるように、スタートパルスPHSをPH端子に入力するクロックにより、順次シフトさせることでph0〜phn端子を順次Hにすることができる。また、区間1〜4の像信号読み出し区間では、READ_S信号をHに設定する。このとき、3100〜nのアンプ出力と共通出力線を接続するスイッチ3110〜nを制御する制御信号は、(1)式より、明らかなように、PH端子のクロックに同期して、3100〜nのアンプの出力が、共通出力線に順次接続され、画素の像信号が、順次読み出される。 Figure 5 is a diagram shows an image signal reading timing of the pixel. The operation of reading image signals will be described with reference to FIG. In the figure, in section 0, the reset terminal H_RES terminal of the shift register 314 is set to H level, and all bits and ph0 to phn of the shift register are once cleared and set to L level. In section 1, a clock is input to the clock terminal PH of the shift register 314 . At this time, H data is sent to the data input terminal PHS as a shift start pulse . This start pulse is output to the output terminal ph0 of the shift register . In section 2, the clock is input again to the PH terminal and the PHS terminal is fixed to the L level. At this time, the start pulse sent first is sent to ph1, and at the same time, ph0 is set to the L level. In the sections 3 and 4, the same operation is repeated, and the start pulse sent first is sequentially sent to the outputs ph2, ph3,... Phn-1, phn. As can be seen from the above, the ph0 to phn terminals can be sequentially set to H by sequentially shifting the start pulse PHS by the clock input to the PH terminal. Further, the READ_S signal is set to H in the image signal reading section of the sections 1 to 4. At this time, the control signal for controlling the switches 3110-n that connect the amplifier outputs of 3100-n and the common output line is, as is clear from the equation (1), synchronized with the clock of the PH terminal 3100-n. Are sequentially connected to the common output line, and the image signals of the pixels are sequentially read out.

以上の説明から明らかなように、最大値検出時の画素選択は、検出したい画素に対応したシフトシフトレジスタに、シフトクロックを使って、データD0〜D1を設定して、ph0からphnの出力を選択したのち、PEAK信号を使って、同時に3100〜nの出力を共通出力線に出力すればよい。また、像信号出力時は、スタートパルス、すなわち、前記のデータD0のみHデータを送り、また、データD0のシフト動作中に、READ_S信号を使って、順次ph0からphnの出力を行い、3100〜nの出力を順次共通出力線に出力するように構成することにより、最大値検出の画素選択、および像信号の読み出しが可能になる。   As is clear from the above description, pixel selection at the time of maximum value detection is performed by setting data D0 to D1 to the shift shift register corresponding to the pixel to be detected using the shift clock and outputting ph0 to phn. After selection, the outputs of 3100 to n may be simultaneously output to the common output line using the PEAK signal. When outputting an image signal, only the start pulse, that is, the H data is sent only for the data D0, and during the shift operation of the data D0, the READ_S signal is used to sequentially output ph0 to phn. By configuring so that the outputs of n are sequentially output to the common output line, pixel selection for maximum value detection and readout of the image signal are possible.

本発明の実施例の光電変換手段の全体ブロック回路図である。It is a whole block circuit diagram of the photoelectric conversion means of the Example of this invention. 本発明の実施例の光電変換手段の画素部のブロック回路図である。It is a block circuit diagram of the pixel part of the photoelectric conversion means of the Example of this invention. 本発明の実施例の光電変換手段のアナログ部の詳細回路図である。It is a detailed circuit diagram of the analog part of the photoelectric conversion means of the Example of this invention. 本発明の光電変換手段の画素選択時および最大値検出時の駆動タイミングである。It is a drive timing at the time of pixel selection and maximum value detection of the photoelectric conversion means of the present invention. 本発明の実施例の光電変換手段の像信号読出しタイミングである。It is an image signal read-out timing of the photoelectric conversion means of the Example of this invention. 従来例の光電変換手段の回路図である。It is a circuit diagram of the photoelectric conversion means of a prior art example.

符号の説明Explanation of symbols

101 AFリニア回路ブロック
102 アナログ回路ブロック
103 デジタル回路ブロック
201 フォトダイオードアレイ
202 光電変換アンプアレイ
203 最大値検出回路アレイ
204 信号出力回路アレイ
205 シフトレジスタ
3011〜301n リセットスイッチ
3021〜302n フォトダイオード
3031〜303n 光電変換アンプ
3041〜304n アナログスイッチ
3051〜305n アナログスイッチ
3061〜306n アナログスイッチ
3071〜307n コンデンサ
3081〜308n アナログスイッチ
3091〜309n アナログスイッチ
3101〜310n バッファアンプ
3111〜311n アナログスイッチ
3121〜312n 論理回路ブロック
313 負荷抵抗
314 シフトレジスタ
11〜1n フォトダイオード
21〜2n オペアンプ
31〜3n 積分容量
41〜4n 第1のスイッチ
51〜5nPchトランジスタ
61〜6n 定電流源
71〜7n 第2のスイッチ
9 共通モニター出力線
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 AF linear circuit block 102 Analog circuit block 103 Digital circuit block 201 Photodiode array 202 Photoelectric conversion amplifier array 203 Maximum value detection circuit array 204 Signal output circuit array 205 Shift register 3011-301n Reset switch 3021-302n Photodiode 3031-303n Photoelectric Conversion amplifier 3041 to 304n Analog switch 3051 to 305n Analog switch 3061 to 306n Analog switch 3071 to 307n Capacitor 3081 to 308n Analog switch 3091 to 309n Analog switch 3101 to 310n Buffer amplifier 3111 to 3111n Analog switch 311 to 312n Logic circuit block 313 Load resistance 314 Shift register 1~1n photodiode 21~2n op 31~3n integral capacitor 41~4n first switch 51~5nPch transistor 61~6n constant current source 71~7n second switch 9 common monitor output line

Claims (3)

被写体からの反射光を受光して信号を出力する複数の光電変換手段と、
前記光電変換手段の出力の最大値を検出する最大値検出回路と、
前記光電変換手段の出力を増幅して像信号を得る増幅手段と、
前記複数の光電変換手段の中から出力を得るための光電変換手段を選択する選択手段とを有し、
前記選択手段は、前記最大値検出回路により最大値検出を行う場合は、前記複数の光電変換手段の中から光電変換手段を任意選択し、前記増幅手段により像信号を得る場合は、前記複数の光電変換手段を順次選択することを特徴とする撮像素子。
A plurality of photoelectric conversion means for receiving reflected light from a subject and outputting a signal;
A maximum value detection circuit for detecting the maximum value of the output of the photoelectric conversion means ;
Amplifying means for amplifying the output of the photoelectric conversion means to obtain an image signal;
Selecting means for selecting a photoelectric conversion means for obtaining an output from the plurality of photoelectric conversion means ;
When the maximum value detection circuit performs maximum value detection, the selection unit arbitrarily selects a photoelectric conversion unit from the plurality of photoelectric conversion units, and when the amplification unit obtains an image signal, An image pickup device characterized by sequentially selecting photoelectric conversion means .
前記選択手段は、選択する光電変換手段を順次シフトすることが可能なシフトレジスタであることを特徴とする請求項1に記載の撮像素子 The imaging device according to claim 1, wherein the selection unit is a shift register capable of sequentially shifting photoelectric conversion units to be selected . 前記最大値検出を行う場合は、前記選択手段により光電変換手段の選択データを順次シフトした後に出力線を接続して前記選択された光電変換手段の最大値を前記最大値検出回路により検出し、前記像信号を得る場合は、前記選択手段により順次光電変換手段を選択しながら前記出力線を接続して前記増幅手段により像信号を得ることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の撮像素子。When performing the maximum value detection, the selection data of the photoelectric conversion means is sequentially shifted by the selection means, and then the output line is connected and the maximum value of the selected photoelectric conversion means is detected by the maximum value detection circuit, 3. The image signal according to claim 1, wherein when the image signal is obtained, the output line is connected while the photoelectric conversion unit is sequentially selected by the selection unit, and the amplification unit obtains the image signal. Image sensor.
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