JP2006261543A - Semiconductor device package and relay printed board - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ボールグリッドアレイ型の半導体装置を母基板に実装して成る半導体装置実装パッケージに係わり、詳しくは、母基板のランド配列領域内の各ランドのランド径を縮小することなく当該ランド配列領域内の配線パターン効率を向上させることが可能な半導体装置実装パッケージ及びこれに用いる中継プリント配線基板に関する。 The present invention relates to a semiconductor device mounting package in which a ball grid array type semiconductor device is mounted on a mother board, and more specifically, the land arrangement without reducing the land diameter of each land in the land arrangement area of the mother board. The present invention relates to a semiconductor device mounting package capable of improving the efficiency of a wiring pattern in a region and a relay printed wiring board used therefor.
ボールグリッドアレイ(Ball Grid Array:以下、BGA)型の半導体装置を情報処理装置等のマザーボードであるプリント配線基板上に実装して成るパッケージが知られている。 A package in which a ball grid array (BGA) type semiconductor device is mounted on a printed wiring board, which is a motherboard of an information processing device or the like, is known.
この種のパッケージでは、BGA型半導体装置がその裏面側にリードとして機能する球状のはんだ(以下、はんだボール)を格子状に配列した構造を有する一方で、マザーボードにはその表面側に例えば、図11に示すように、BGA型半導体装置のはんだボール配列領域内の格子状配列を成す上記各はんだボールとの接続端子に相当する各ランド61aを当該各はんだボールと同配列(格子状配列)で形成している。 In this type of package, the BGA type semiconductor device has a structure in which spherical solders (hereinafter referred to as solder balls) functioning as leads on the back side thereof are arranged in a lattice pattern, while the motherboard has, for example, a figure on the front side. As shown in FIG. 11, the lands 61a corresponding to the connection terminals with the solder balls forming the lattice arrangement in the solder ball arrangement region of the BGA type semiconductor device are arranged in the same arrangement (grid arrangement) with the solder balls. Forming.
そして、半導体装置のはんだボール配列領域内の各はんだボールと、マザーボード60の表面60a側のランド配列領域601a内の各ランド61aを当接させた状態で、はんだボールを溶融後、固着させることにより半導体装置をマザーボード60の表面60a上に実装することができる。
Then, the solder balls are melted and fixed in a state where the solder balls in the solder ball arrangement region of the semiconductor device are in contact with the lands 61a in the land arrangement region 601a on the
また、マザーボード60側の構造に関しては、実装された半導体装置を当該マザーボード60上の各部品や回路等へ接続する等のために、ランド配列領域601a内の各ランド61aからその領域外まで配線パターン(図11参照)67aを形成する必要がある。
As for the structure on the
その際にランド数が多い場合、ランド配列領域601a内の各ランド61aから該ランド配列領域601a外に引き出すために配線パターン67aが必然的に込み合ってくる。
In this case, if the number of lands is large, the
一方で、半導体装置接続用のランドパターンのピッチ間隔が狭い、伝送路のインピーダンスコントロール等の理由により、マザーボード60のランド配列領域601a内の配線パターン67aのパターン幅が制限されることがある。
On the other hand, the pattern width of the
また、マザーボード60の構造上、シグナルインテグリティ向上、EMIノイズ低減のためのスルーホールビアによる他層面への配線の切換えしが制限される場合があり、この場合には、ランド配列領域601a内で配線パターン61aを引回さざるを得ず、上述したランド配置ピッチの制限等がきつい場合には、特に、ランド配列領域601a内における領域外縁からより奥まった領域(図11における領域603a1,603a2,603a3,603a4)内のランド61aからの配線パターン67aの引き出しが困難となり、配線パターン効率が著しく低下するという問題点があった。
In addition, due to the structure of the
こうしたランド配列領域内の配線パターン効率低下防止対策として、下記特許文献1には、プリント配線基板(マザーボード)におけるボールグリッドアレイ(BGA)型の半導体装置等への接続用のランド径を通常よりも小さくすることにより、プリント配線基板上のパターン配線効率を高めるという技術が開示されている。
しかしながら、特許文献1記載の技術によれば、マザーボード上のBGA型半導体装置接続用のランドを通常よりも小さい径で形成するため、該小さい径を持つランドと、接続される側であるBGA型半導体装置間におけるはんだ付け性が悪化するという問題点があった。 However, according to the technique described in Patent Document 1, since the land for connecting the BGA type semiconductor device on the motherboard is formed with a smaller diameter than usual, the land having the small diameter and the BGA type which is the side to be connected are formed. There was a problem that solderability between semiconductor devices deteriorated.
また、はんだ付け性をある程度確保すべくランド径の縮小をあるレベルに留めると、自ずと配線パターン数も増やせなくなり、マザーボード(母基板)上のランド配列領域内部の奥まった位置のランドからの引き出しが特に困難になる等、配線パターン効率の低下を免れないという問題点があった。 In addition, if the land diameter is reduced to a certain level to ensure solderability to a certain level, the number of wiring patterns cannot be increased, and the land from the land in the land arrangement area on the motherboard (mother board) can be pulled out from the land. In particular, there is a problem that a reduction in wiring pattern efficiency is inevitable, such as difficulty.
本発明は、上記問題点を解消し、母基板におけるランド配列領域内の各ランドのランド径を縮小することなく該ランド配列領域内の配線パターン効率を向上させることができる半導体装置実装パッケージ及びこれに用いる中継プリント配線基板を提供することを目的とする。 The present invention solves the above-described problems, and a semiconductor device mounting package capable of improving the wiring pattern efficiency in the land array region without reducing the land diameter of each land in the land array region on the mother board, and the same It is an object of the present invention to provide a relay printed wiring board used for the above.
上記目的を達成するために、請求項1記載の発明は、はんだボールを格子状に配列したボールグリッドアレイ型の半導体装置と、前記はんだボールと同配列ではんだ接合用のランドを形成した母基板との間に介挿されて前記半導体装置を前記母基板上に実装せしめる中継プリント配線基板であって、前記半導体装置のはんだボール配列領域に対向する第1の面に、該半導体装置のはんだボールと同配列のランドを形成し、かつ、前記母基板のランド配列領域と対向する第2の面に、該母基板のランドと同配列のはんだボールを形成すると共に、前記第1の面の各ランドと、該各ランドに各々対応する前記第2の面の各はんだボール間をスルーホールにより電気的に導通可能可能な構造とし、更に、前記第1の面におけるランド配列領域内の任意のランドまたは前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の任意のはんだボールから該当するランドまたははんだボール配列領域外まで延ばして形成された迂回配線パターンを有することを特徴とする。 In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is directed to a ball grid array type semiconductor device in which solder balls are arranged in a grid pattern, and a mother board in which lands for solder joining are formed in the same arrangement as the solder balls. A relay printed wiring board that is inserted between the semiconductor device and the semiconductor device to be mounted on the mother board, wherein the solder ball of the semiconductor device is disposed on a first surface facing the solder ball arrangement region of the semiconductor device. And forming solder balls in the same arrangement as the lands of the mother board on the second surface facing the land arrangement area of the mother board, and forming each land on the first face. The structure is such that the lands and the solder balls on the second surface corresponding to the lands can be electrically connected to each other by through-holes. Characterized in that it has a land or any detour wiring patterns formed by extending from the solder ball to the appropriate land or a solder ball array region outside of the second solder ball array region on the surface.
請求項2記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に迂回配線用のはんだボールを形成すると共に、前記第2の面におけるはんだボール配列領域の領域外縁より所定数内側のはんだボールである内側はんだボールから前記迂回配線用はんだボールまで延びる前記迂回配線パターンを形成したことを特徴とする。 According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, a solder ball for bypass wiring is formed outside the solder ball arrangement region on the second surface, and the solder ball arrangement region on the second surface is formed. The detour wiring pattern extending from an inner solder ball, which is a predetermined number of solder balls inside the outer edge of the region, to the detour wiring solder ball, is formed.
請求項3記載の発明は、上記請求項1記載の発明において、前記第1の面におけるランド配列領域外に迂回配線用のランドを形成し、かつ、前記第1の面におけるランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランドから前記迂回配線用ランドまで延びる前記迂回配線パターンを形成すると共に、前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に、前記第1の面における前記迂回配線用ランドと電気的に導通可能なスルーホールにより連結された迂回配線用のはんだボールを形成したことを特徴とする。 According to a third aspect of the present invention, in the first aspect of the invention, a land for a detour wiring is formed outside the land arrangement area on the first surface, and the land arrangement area on the first surface is formed. The detour wiring pattern extending from the inner land, which is a predetermined number of lands inside the outer edge, to the detour wiring land is formed, and the detour wiring in the first surface is outside the solder ball arrangement region in the second surface. It is characterized in that a solder ball for bypass wiring connected by a through hole that can be electrically connected to the land for use is formed.
請求項4記載の発明は、上記請求項1乃至3のいずれか記載の発明において、前記第2の面におけるはんだボール配列領域内のはんだボールを、コア材を含み、かつ前記半導体装置のはんだボールよりも高い融点を有する高融点はんだにより形成したことを特徴とする。 The invention according to claim 4 is the invention according to any one of claims 1 to 3, wherein the solder balls in the solder ball arrangement region on the second surface include a core material, and the solder balls of the semiconductor device It is characterized by being formed of a high melting point solder having a higher melting point.
請求項5記載の発明は、はんだボールを格子状に配列したボールグリッドアレイ型の半導体装置と、前記はんだボールと同配列ではんだ接合用のランドを形成した母基板と、前記半導体装置のはんだボール配列領域に対向する第1の面に、該半導体装置のはんだボールと同配列のランドを形成し、かつ、前記母基板のランド配列領域と対向する第2の面に、該母基板のランドと同配列を成し、前記第1の面の各々対応する各ランドと電気的に導通可能なスルーホールで連結されるはんだボールを形成すると共に、前記第1または第2の面の少なくともいずれか一方の面に、前記第1の面におけるランド配列領域内の任意のランドまたは前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の任意のはんだボールを前記母基板上の配線パターンと電気的に接続するための迂回配線パターンを形成して成る中継プリント配線基板とを有する半導体装置実装パッケージであって、前記半導体装置のはんだボール配列領域を前記中継プリント配線基板の第1の面に対面させて、前記はんだボール配列領域内の各はんだボールと前記第1の面におけるランド配列領域内の各ランド同士をはんだ接合すると共に、前記中継プリント配線基板の第2の面を前記母基板のランド配列領域に対面させて、前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の各はんだボールと前記母基板のランド配列領域内の各ランドをはんだ接合させて成ることを特徴とする。 According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a ball grid array type semiconductor device in which solder balls are arranged in a grid, a mother board in which lands for solder joining are formed in the same arrangement as the solder balls, and the solder balls of the semiconductor device A land having the same arrangement as the solder balls of the semiconductor device is formed on the first surface facing the arrangement region, and the land of the mother substrate is formed on the second surface facing the land arrangement region of the mother substrate. Forming the same arrangement, forming solder balls connected through through-holes that are electrically conductive with the corresponding lands of the first surface, and at least one of the first and second surfaces An arbitrary land in the land array region on the first surface or an arbitrary solder ball in the solder ball array region on the second surface is electrically connected to the wiring pattern on the mother board. And a relay printed wiring board formed by forming a bypass wiring pattern for connection to a semiconductor device, wherein the solder ball arrangement region of the semiconductor device faces the first surface of the relay printed wiring board Then, each solder ball in the solder ball array region and each land in the land array region on the first surface are soldered together, and the second surface of the relay printed wiring board is landed on the land of the mother substrate. Each solder ball in the solder ball array region on the second surface and each land in the land array region of the mother board are soldered to face each other.
請求項6記載の発明は、上記請求項5記載の発明において、前記母基板には、前記ランド配列領域の領域外に迂回配線用のランドを形成すると共に、前記中継プリント配線基板には、前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に迂回配線用のはんだボールを形成し、かつ、該はんだボール配列領域の領域外縁より所定数内側のはんだボールである内側はんだボールから前記迂回配線用はんだボールまで延びる前記迂回配線パターンを形成して成り、前記半導体装置の実装時、前記中継プリント配線基板の第2の面における前記迂回配線用はんだボールと前記母基板の前記迂回配線用ランドとがはんだ接合されることを特徴とする。 According to a sixth aspect of the present invention, in the fifth aspect of the present invention, a detour wiring land is formed outside the land arrangement area on the mother board, and the relay printed wiring board includes the land A solder ball for bypass wiring is formed outside the solder ball arrangement region on the second surface, and the solder ball for bypass wiring is formed from an inner solder ball which is a predetermined number of solder balls inside the outer edge of the solder ball arrangement region. The bypass wiring pattern is formed to extend to the solder printed circuit board, and the bypass wiring solder ball on the second surface of the relay printed wiring board and the bypass wiring land of the mother board are solder-bonded when the semiconductor device is mounted. It is characterized by being.
請求項7記載の発明は、上記請求項5記載の発明において、前記母基板には、前記ランド配列領域の領域外に迂回配線用のランドを形成すると共に、前記中継プリント配線基板には、前記第1の面におけるランド配列領域外に迂回配線用のランドを形成し、かつ、前記ランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランドから前記迂回配線用ランドまで延びる前記迂回配線パターンを形成すると共に、前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に、前記第1の面における前記迂回配線用ランドと電気的に導通可能なスルーホールにより連結された迂回配線用のはんだボールを形成して成り、前記半導体装置の実装時、前記中継プリント配線基板の第2の面における前記迂回配線用はんだボールと前記母基板の前記迂回配線用ランドとがはんだ接合されることを特徴とする。 The invention according to claim 7 is the invention according to claim 5, wherein a land for bypass wiring is formed outside the land arrangement area on the mother board, and the relay printed wiring board is The detour wiring pattern that forms a detour wiring land outside the land array area on the first surface and extends from an inner land that is a predetermined number of lands inside the area outer edge of the land array area to the detour wiring land. And forming a bypass wiring solder ball connected to the bypass wiring land on the first surface by a through-hole that is electrically conductive to the outside of the solder ball arrangement region on the second surface. When the semiconductor device is mounted, the bypass wiring solder balls on the second surface of the relay printed wiring board and the bypass wiring of the mother board And lands, characterized in that it is solder-bonded.
本発明によれば、BGA型の半導体装置と母基板間に中継プリント配線基板を介挿せしめて該半導体装置を母基板に実装せしめるもので、該中継プリント配線基板は、半導体装置のはんだボール配列領域に対向する第1の面に、該半導体装置のはんだボールと同配列のランドを形成し、かつ、母基板のランド配列領域と対向する第2の面に、該母基板のランドと同配列のはんだボールを形成すると共に、第1の面の各ランドと、該各ランドに各々対応する前記第2の面の各はんだボール間をスルーホールにより電気的に導通可能可能な構造とし、更に、第1の面におけるランド配列領域内の任意のランドまたは第2の面におけるはんだボール配列領域内の任意のはんだボールから該当するランドまたははんだボール配列領域外まで延ばして形成された迂回配線パターンを有するものである。 According to the present invention, a relay printed wiring board is inserted between a BGA type semiconductor device and a mother board, and the semiconductor device is mounted on the mother board. The relay printed wiring board has a solder ball arrangement region of the semiconductor device. A land having the same arrangement as the solder balls of the semiconductor device is formed on the first surface opposite to the first substrate, and a land having the same arrangement as the land of the mother substrate is formed on the second surface opposite to the land arrangement region of the mother substrate. In addition to forming solder balls, a structure is provided in which each land on the first surface and each solder ball on the second surface corresponding to each land can be electrically connected by a through hole. It extends from any land in the land array area on one surface or from any solder ball in the solder ball array area on the second surface to the outside of the corresponding land or solder ball array area. Those having a bypass wiring patterns.
かかる構造によれば、半導体装置を中継プリント配線基板を介して母基板に実装した時、中継プリント配線基板に設けた迂回配線パターンを用いて、該中継プリント配線基板の、例えば、第2の面におけるはんだボール配列領域の領域外縁より所定数内側のはんだボールである内側はんだボールを母基板上のランド配列領域外の配線パターンと接続することができ、母基板上では、該母基板におけるランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランド(中継プリント配線基板の第2の面における上記内側はんだボールに対応するランド)からランド配列領域外まで引き出すための配線パターンを形成する必要がなくなり、その分だけ配線パターン効率を向上させることができる。 According to this structure, when the semiconductor device is mounted on the mother board via the relay printed wiring board, the detour wiring pattern provided on the relay printed wiring board is used, for example, the second surface of the relay printed wiring board. Can be connected to a wiring pattern outside the land array region on the mother board, and on the mother board, the land array on the mother board can be connected. It is necessary to form a wiring pattern for drawing out from an inner land (a land corresponding to the inner solder ball on the second surface of the relay printed wiring board) which is a predetermined number of lands inside the outer edge of the area to the outside of the land arrangement area. The wiring pattern efficiency can be improved accordingly.
また、上記配線パターン効率の向上により、母基板におけるランド配列領域内の各ランドのランド径を小さくする必要もないので、該ランド配列領域内の各ランドと半導体装置の対応する各はんだボール間のはんだ付け性も良好に保てる。 Further, since the wiring pattern efficiency is improved, it is not necessary to reduce the land diameter of each land in the land array region on the mother board. Therefore, between each land in the land array region and each corresponding solder ball of the semiconductor device. Good solderability.
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して詳細に説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明に係る半導体装置実装パッケージの側面断面構造を示す概念図である。 FIG. 1 is a conceptual diagram showing a side cross-sectional structure of a semiconductor device mounting package according to the present invention.
このパッケージは、BGA型半導体装置(以下、半導体装置)10と、情報処理装置等のマザーボードであるプリント配線基板(以下、マザーボード:特許請求の範囲における母基板)30との間に中継プリント配線基板(以下、中継基板)20を介挿して成り、半導体装置10とマザーボード20は中継基板30を介して電気的に接続される構造となっている。
This package is a relay printed wiring board between a BGA type semiconductor device (hereinafter referred to as a semiconductor device) 10 and a printed wiring board (hereinafter referred to as a motherboard: a mother board in claims) 30 which is a motherboard of an information processing apparatus or the like. The
半導体装置10は、その裏面10b(図1において、中継基板30に対向する面)側にリードとして用いる球状のはんだであるはんだボール12bを格子状(マトリクス状)に配列したはんだボール配列領域を有している。
The
マザーボード20と中継基板30は、共に、FR−4などを基材とした一般的な2層以上の多層プリント配線基板であり、表裏及び内層にプリント配線パターン層を有するものである。
Both the
このうち、マザーボード20は、その表面(図1において、中継基板30に対向する面)側の層20aに、後述する中継基板30のはんだボール配列領域内の各はんだボール32bと同じ(半導体装置10のはんだボール12bとも同じ)格子状パターンでランド21aを配列したランド配列領域を有し、裏面側の層20bにはプリント配線パターンが形成されている。
Among them, the
中継基板30は、半導体装置10と対向する面(表面:第1の面)側の層30aに、半導体装置10のはんだボール12bと同配列のランド31aを形成したランド配列領域を有すると共に、マザーボード20と対向する面(裏面:第2の面)側の層30bには、マザーボード20のランド21aと同配列のはんだボール32bを形成したはんだボール配列領域が設けられる。
The
また、中継基板30において、表面側の層30aに形成されるランド配列領域内の各ランド31aと、裏面側の層30bに形成されるはんだボール配列領域内の各はんだボール32bとは、各々対応するもの同士が、スルーホール33によって電気的に導通可能な構造となっている。
Further, in the
更に、中継基板30の裏面側の層30bには、はんだボール32bの配列領域外に迂回配線用のはんだボール35bが形成され、他方、マザーボード20の表面側の層20aには、中継基板30の裏面側の層30bに設けられる上記迂回配線用はんだボール35bと各々対応する配列を成す迂回配線用ランド25aが形成される。
Further, a
図1における実装状態において、半導体装置10の裏面10bのはんだボール配列領域内の各はんだボール12bと、中継基板20の表面側の層20aのランド配列領域内の各ランド31aは、互いに対応するもの同士がはんだ接合されている。
In the mounted state in FIG. 1, each
また、マザーボート20と中継基板30の間では、マザーボード20の表面側の層20aのランド配列領域内の各ランド21a、及び該ランド配列領域外の迂回配線用ランド25aと、中継基板30の裏面側の層30bのはんだボール配列領域内の各はんだボール32b、及び該はんだボール配列領域外の迂回配線用はんだボール35bとが互いに対応するもの同士はんだ接合されている。
Further, between the
これにより、このパッケージにおいては、半導体装置10の各はんだボール12bが、中継基板30の表面側の層30aの各ランド31a→各スルーホール33→裏面側の層30bの各はんだボール32b→マザーボード20の表面側の層20aの各ランド21aを通じて当該マザーボード20の表面側の層20aに形成された配線パターンと電気的に接続されている。
Thus, in this package, each
また、この時、中継基板30の裏面側の層30bの各迂回配線用はんだボール35bと、マザーボード20の表面側の層20aの各迂回配線用ランド25aとの間も電気的に接続されることになる。
At this time, each bypass
なお、中継基板30の裏面側の層30bに形成される各迂回配線用はんだボール35bは、後述するように(図5参照)、当該層30bにおけるはんだボール配列領域内の当該領域外縁より所定数内側(奥側)のはんだボール32b(便宜的に内側はんだボールと呼称)から当該はんだボール配列領域外まで当該層30b上に引回し形成される迂回配線パターンと接続されている。
In addition, as will be described later (see FIG. 5), each bypass
これにより、図1に示す実装状態において、半導体装置10の裏面10bにおけるはんだボール配列領域内の当該領域外縁より所定数内側の各はんだボール(内側はんだボール)12bは、中継基板30の表面側の層30aの対応する各ランド31a→各スルーホール33→裏面側の層30bの各はんだボール(内側はんだボール)32b→迂回配線パターン→迂回配線用はんだボール35b→マザーボード20の表面側の層20aの各迂回配線用ランド25aを通じて当該マザーボード20の表面側の層20aに形成された配線パターンと電気的に接続される。
Thereby, in the mounting state shown in FIG. 1, each solder ball (inner solder ball) 12 b that is a predetermined number inside of the outer edge of the solder ball arrangement region on the
図2は、図1におけるパッケージの分解構造を示す概念図である。 FIG. 2 is a conceptual diagram showing an exploded structure of the package in FIG.
また、図3は図2における矢印A方向から見た半導体装置10の裏面側の層10bの外観構成を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an external configuration of the
また、図4は、図2における矢印B方向から見た中継基板30の表面側の層30aの外観構成を示す図であり、図5は、図2における矢印C方向から見た中継基板30の裏面側の層30bの外観構成を示す図である。
4 is a diagram showing an external configuration of the
また、図6は、図2における矢印D方向から見たマザーボード20の表面側の層20aの外観構成を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing an external configuration of the
図3において、半導体装置10の裏面側の層10bには、例えば、9×9のマトリクス状(格子状)の配列を成すはんだボール12bが形成されている。
In FIG. 3, for example,
この9×9のマトリクス領域全体に相当するはんだボール配列領域101b中には、その中心部に3×3のマトリクス配列で形成された9個のはんだボール(中心部はんだボール)12bを含む中心部はんだボール配列領域102bと、該中心部はんだボール配列領域102bの外側の四辺に当たる位置に形成される各々3個ずつのはんだボール12bを含む内側はんだボール配列領域103b1,103b2,103b3,103b4が存在する。
In the solder ball array region 101b corresponding to the entire 9 × 9 matrix region, a central portion including nine solder balls (center solder balls) 12b formed in a 3 × 3 matrix array in the central portion. There are solder ball array regions 102b and inner solder ball array regions 103b1, 103b2, 103b3, and 103b4 each including three
ここで、内側はんだボール配列領域103b1,103b2,103b3,103b4内の各はんだボール(内側はんだボール)12bは、はんだボール配列領域101bの領域外縁より所定数(この例では3個分)内側(奥側)に形成されるものである。 Here, each solder ball (inner solder ball) 12b in the inner solder ball arrangement area 103b1, 103b2, 103b3, 103b4 is a predetermined number (three in this example) inside (back) from the outer edge of the solder ball arrangement area 101b. Side).
図4において、中継基板30の表面側の層30aには、半導体装置10の裏面側の層10bにおけるはんだボール12bと同様、9×9のマトリクス状の配列を成すランド31aが形成されている。
In FIG. 4, lands 31 a having an array of 9 × 9 matrix are formed on the
この9×9のマトリクス領域全体に相当するランド配列領域301a中には、その中心部に3×3のマトリクス配列で形成された9個のランド(中心部ランド)31aを含む中心部ランド配列領域302aと、該中心部ランド配列領域302aの外側の四辺に当たる位置に形成される各々3個ずつのランド31aを含む内側ランド配列領域303a1,303a2,303a3,303a4が存在する。
In the land array region 301a corresponding to the entire 9 × 9 matrix region, a central land array region including nine lands (central land) 31a formed in a 3 × 3 matrix array at the center thereof. There are 302a and inner land array regions 303a1, 303a2, 303a3 and 303a4 each including three
ここで、内側ランド配列領域303a1,303a2,303a3,303a4内の各ランド(内側ランド)31aは、ランド配列領域301aの領域外縁より所定数(この例では3個分)内側(奥側)に形成されるものである。 Here, each land (inner land) 31a in the inner land array areas 303a1, 303a2, 303a3, 303a4 is formed on the inner side (back side) by a predetermined number (three in this example) from the outer edge of the land array area 301a. It is what is done.
図5において、中継基板30の裏面側の層30bには、表面側の層30aにおけるランド配列領域301a内の各ランド31aと同様、9×9のマトリクス状の配列を成すはんだボール32bが形成されている。
In FIG. 5,
この9×9のマトリクス領域全体に相当するはんだボール配列領域301b中には、その中心部に3×3のマトリクス配列で形成された9個のはんだボール(中心部はんだボール)32bを含む中心部はんだボール配列領域302bと、該中心部はんだボール配列領域302bの外側の四辺に当たる位置に形成される各々3個ずつのはんだボール32bを含む内側はんだボール配列領域303b1,303b2,303b3,303b4が存在する。
In the solder
ここで、内側はんだボール配列領域303b1,303b2,303b3,303b4内の各はんだボール(内側はんだボール)32bは、はんだボール配列領域301bの領域外縁より所定数(この例では3個分)内側(奥側)に形成されるものである。
Here, each solder ball (inner solder ball) 32b in the inner solder ball arrangement area 303b1, 303b2, 303b3, 303b4 is a predetermined number (three in this example) inside (back) from the outer edge of the solder
はんだボール配列領域301b内の各はんだボール32bは、表面側の層30aにおける対応する各ランド31aとスルーホール33により連結されている。
Each
また、図5において、中継基板30の裏面側の層30bには、はんだボール配列領域301bの領域外部に各々3個ずつの迂回配線はんだボール35bを形成した迂回配線はんだボール配列領域304b1,304b2,304b3,304b4が存在する。
Further, in FIG. 5, on the
そして、これら迂回配線はんだボール配列領域304b1,304b2,304b3,304b4内の各迂回配線はんだボール35bと、内側はんだボール配列領域303b1,303b2,303b3,303b4内の各内側はんだボール32bとの間には、各々、迂回配線パターン39bが形成されている。
And between each detour
ここで、中継基板30の裏面側の層30bにおけるはんだボール配列領域301b内の各はんだボール32bと、該はんだボール配列領域301b外の各迂回配線はんだボール35bは、共に、コア材を含み、かつ半導体装置10の裏面10bのはんだボール12bよりも高い融点を有する高融点はんだにより形成される。
Here, each
図6において、マザーボード20の表面側の層20aには、中継基板30の裏面側の層30bにおけるはんだボール配列領域301b内の各はんだボール32bと同様、9×9のマトリクス状の配列を成すランド21aが形成されている。
In FIG. 6, the
この9×9のマトリクス領域全体に相当するランド配列領域201a中には、その中心部に3×3のマトリクス配列で形成された9個のランド(中心部ランド)21aを含む中心部ランド配列領域202aと、該中心部ランド配列領域202aの外側の四辺に当たる位置に形成される各々3個ずつのランド21aを含む内側ランド配列領域203a1,203a2,203a3,203a4が存在する。
In the land array region 201a corresponding to the entire 9 × 9 matrix region, a central land array region including nine lands (central land) 21a formed in a 3 × 3 matrix array at the center thereof. 202a and inner land array regions 203a1, 203a2, 203a3, 203a4 each including three
ここで、内側ランド配列領域203a1,203a2,203a3,203a4内の各ランド(内側ランド)21aは、ランド配列領域201aの領域外縁より所定数(この例では3個分)内側(奥側)に形成されるものである。 Here, each land (inner land) 21a in the inner land array area 203a1, 203a2, 203a3, 203a4 is formed on the inner side (back side) by a predetermined number (three in this example) from the outer edge of the land array area 201a. It is what is done.
また、図6において、マザーボード20の表面側の層20aには、ランド配列領域201aの領域外部に各々3個ずつの迂回配線ランド25aを形成した迂回配線ランド配列領域204a1,204a2,204a3,204a4が存在する。
Further, in FIG. 6, on the
ここで、迂回配線ランド配列領域204a1,204a2,204a3,204a4内の各迂回配線ランド25aは、中継基板30の裏面側の層30bにおける迂回配線はんだボール配列領域304b1,304b2,304b3,304b4内の各迂回配線はんだボール35bと同配列パターンで形成されるものである。
Here, the detour wiring lands 25a in the detour wiring land array areas 204a1, 204a2, 204a3, 204a4 correspond to the detour wiring solder ball array areas 304b1, 304b2, 304b3, 304b4 in the
また、図6において、マザーボード20の表面側の層20aには、ランド配列領域201a内の該領域外縁より所定数未満だけ(この例では3個未満)内側の各ランド21aから該ランド配列領域201aの領域外までその間のランド21aに干渉しないように延びる配線パターン27aが各々形成されると共に、更には、迂回配線ランド配列領域204a1,204a2,204a3,204a4内の各迂回配線ランド25aからその外側に向けて引回される迂回配線パターン29aが形成される。
In FIG. 6, the
この配線パターン27a、29aは、当該マザーボード20の層20aに実装する部品や各回路等と半導体装置10の間を電気的に接続するために形成される配線パターンそのものである。
The
図3に示すはんだボール配列パターンを有する半導体装置10を、図4、図5に示すランドあるいははんだボール配列パターンを有する中継基板30を介して図6に示すようなランド配列パターンを有するマザーボード20に実装して図1に示すようなパッケージに組み上げるには、まず、図7に示すように、半導体装置10の裏面10bを、中継基板30の表面側の層30aに対面させ、半導体装置10の裏面10b(図3参照)におけるはんだボール配列領域101b、中心部はんだボール配列領域102b、内側はんだボール配列領域103b1,103b2,103b3,103b4と、中継基板30の表面側の層30a(図4参照)におけるランド配列領域301a、中心部ランド配列領域302a、内側ランド配列領域303a1,303a2,303a3,303a4とがそれぞれ向き合うように位置合わせを行って対向する各はんだボール12bと各ランド31aを当接させた状態で、リフローはんだ付け工程を実施する。
The
このリフローはんだ付け工程(半組上げ工程)においては、半導体装置10の外部接続用端子である各はんだボール12bと、中継基板30の表面側の層30aの各ランド31aを当接させた状態で各はんだボール12bを溶融する工程、冷却固着する工程が実施され、半導体装置10の裏面10bにおけるはんだボール配列領域101b内の各はんだボール12bと、中継基板30の表面側の層30aにおけるランド配列領域301a内のa各ランド31aとがはんだ接合(電気的にも接合される)された図7に示すような態様の半組上げ品を製造することができる。
In this reflow soldering process (semi-assembled process), each
なお、本発明において、中継基板30の裏面側の層30bにおけるはんだボール配列領域301b内の各はんだボール32bと、該はんだボール配列領域301b外の各迂回配線はんだボール35bは、共に、コア材を含み、かつ半導体装置10の裏面10bのはんだボールよりも高い融点を有する高融点はんだにより形成されているため、上記リフローはんだ付け工程において、これら各はんだボール32b及び各迂回配線はんだボール35bははんだボールつぶれを起こさずに済む。
In the present invention, each
次に、この半組上げ品における中継基板30の裏面側の層30bにマザーボード20の表面側の層20aを図8に示すように対面させ、マザーボード20の表面側の層20a(図6参照)におけるランド配列領域201a、中心部ランド配列領域202a、内側ランド配列領域203a1,203a2,203a3,203a4、迂回配線ランド配列領域204a1,204a2,204a3,204a4と、中継基板30の裏面側の層30b(図5参照)におけるはんだボール配列領域301b、中心部はんだボール配列領域302b、内側はんだボール配列領域303b1,303b2,303b3,303b4、迂回配線はんだボール配列領域304b1,304b2,304b3,304b4とがそれぞれ向き合うように位置合わせを行って対向する各ランド21a及び迂回配線ランド25aと、はんだボール32b及び迂回配線はんだボール35bを当接させた状態で、はんだ付け処理(図8における完成品組上げ工程)を実施する。
Next, the
この完成品組上げ工程でのはんだ付け処理においては、図7におけるリフローはんだ付け工程よりも高い温度でリードとしてのはんだボール32b及び迂回配線はんだボール35bを溶融させ、その後、冷却して固着させる。
In the soldering process in the finished product assembly process, the
これにより、マザーボード20の表面側の層20aにおけるランド配列領域201a内の各ランド21a及び該領域201a外の各迂回配線ランド25aと、中継基板30(図7におけるリフローはんだ付け工程を経て表面側の層30aに既に半導体装置10が接合されている)の裏面側の層30bにおけるはんだボール配列領域301b内の各はんだボール32b及び該領域301b外の迂回配線はんだボール35bが各々対応するもの同士はんだ接合(電気的にも接合される)され、その結果、半導体装置10が中継基板30を介してマザーボード上に実装された図8に示す態様の完成品(半導体装置実装パッケージ:図1参照)を製造することができる。
Thereby, each
なお、図8における完成品組上げ工程でのはんだ付け処理に先立って、既に図7に示すようなリフローはんだ付け工程が実施されているが、中継基板30の裏面側の層30bにおける各はんだボール32b及び各迂回配線はんだボール35bが、共に、コア材を含む高融点のはんだで形成されていることから当該リフローはんだ付け工程ではボールつぶれを起こさないで済むようになる。
Prior to the soldering process in the finished product assembly process in FIG. 8, the reflow soldering process as shown in FIG. 7 has already been performed, but each
このため、その後、図8に示す完成品組上げ工程でのより高温度でのはんだ付け処理によってはんだ接合が完了した時には、該はんだボール32b及び迂回配線はんだボール35bとマザーボード20におけるランド21a及び迂回配線ランド25a間のはんだ付け性を良好に維持することができる。
For this reason, after that, when the solder joint is completed by the soldering process at a higher temperature in the finished product assembly process shown in FIG. 8, the
このように、本発明では、BGA型の半導体装置10とマザーボード20間に中継基板30を介挿せしめて上記半導体装置10をマザーボード20に実装せしめるものである(図1参照)。
Thus, in the present invention, the
この場合、中継基板30は、半導体装置10のはんだボール12bが配列された面10bに対応する第1の面側の層30aに、該半導体装置10のはんだボール12bと同配列のランド31aを形成し(図4参照)、かつ、マザーボード20のランド21aが配列された層20aと対向する第2の面側の層30bには、マザーボード20のランド21aと同配列を成し、第1の面側の層30aの各々対応するランド31aとスルーホール33により電気的に導通可能なはんだボール32bを形成する(図5参照)。
In this case, the
更に、中継基板20における第2の面側の層30bには、はんだボール配列領域301b外に迂回配線はんだボール35bを形成すると共に、該はんだボール配列領域301bの領域外縁より例えば3個だけ内側のはんだボールである内側はんだボール32bから当該はんだボール配列領域301b該の上記迂回配線はんだボール35bまで引回しされた迂回配線パターン39bを形成する(図5参照)。
Further, on the
一方で、マザーボード20の中継基板30の第2の面側の層30bと対向する層20aには、図6に示すように、中継基板30の第2の面側の層30bにおけるはんだボール配列領域301b内のはんだボール32bと同配列のランド21aに加えて、該ランド21aの配列領域201aの領域外に迂回配線ランド25a(中継基板30の第2の面側の層30bに形成される迂回配線はんだボール35bに各々対応する)を形成する。
On the other hand, as shown in FIG. 6, the solder ball arrangement region in the
これにより、半導体装置10を中継基板30の第1の面側の層30aに対面させて半導体装置10のはんだボール配列領域101b内の各はんだボール12bと中継基板20のランド配列領域301a内の各ランド31a同士をはんだ接合すると共に、中継基板30の第2の面側の層30bをマザーボード20のランド配列領域201aが形成される面側の層20aに対面させて中継基板20のはんだボール配列領域301b内の各はんだボール32b及び該領域301bの領域外の迂回配線用はんだボール35bとマザーボード20のランド配列領域201a内の各ランド21a及び該領域201aの領域外の迂回配線用ランド25a同士を互いにはんだ接合させた半導体装置実装状態(図1参照)においては、半導体装置10のはんだボール配列領域101b内の各はんだボール12bが、中継基板30の第1の面側の層30aの各ランド31a→各スルーホール33→第2の面側の層30bの各はんだボール32b→マザーボード20の表面側の層20aの各ランド21aを通じて当該マザーボード20の表面側の層20aに形成された配線パターン27aと電気的に接続される。
As a result, the
また、この半導体実装状態において、半導体装置10のはんだボール配列領域101b内の該領域外縁より3個だけ内側の各はんだボール(内側はんだボール)12bは、図9に示す実装状態における当該パッケージの要部側面構成概念図からも分かるように、中継基板30の第1の面側の層30aの対応する各ランド31a→各スルーホール33→第2の面側の層30bの各はんだボール(内側はんだボール)32b→迂回配線パターン39b→迂回配線はんだボール35b→マザーボード20の表面側の層20aの各迂回配線ランド25aを通じて当該マザーボード20の表面側の層20aに形成された配線パターン29aと電気的に接続される。
Further, in this semiconductor mounted state, each of the three solder balls (inner solder balls) 12b inside the solder ball arrangement region 101b of the
かかる実装構造によれば、中継基板30の第2の面側の層30bの各はんだボール(内側はんだボール)32b→迂回配線パターン39b→迂回配線はんだボール35b(以上、図5参照)→マザーボード20の表面側の層20aの各迂回配線ランド25a→配線パターン29a(以上、図6参照)から成る迂回配線ルートは、図6に示すマザーボード20の表面側の層20aにおいて、内側ランド配列領域203a1,203a2,203a3,203a4内の各内側ランド(ランド配列領域201aの領域外縁から3個だけ内側の各ランド)21aからランド配列領域201a内をその領域外まで引回す配線パターンの代用を果たすことになる。
According to this mounting structure, each solder ball (inner solder ball) 32b of the
従って、中継基板30の第2の面側の層30bにおける各内側はんだボール32bと迂回配線はんだボール35b間の迂回配線パターン39bを含む上記迂回配線ルート有する本発明の構成においては、図6に示すマザーボード20の表面側の層20aにおいて、内側ランド配列領域203a1,203a2,203a3,203a4内の各内側ランド(ランド配列領域201aの領域外縁から3個だけ内側の各ランド)21aからランド配列領域201a内をその領域外まで引回す配線パターンの形成を不要なものとする。
Therefore, in the configuration of the present invention having the bypass wiring route including the
この点に関して、従来は、図11に示すように、マザーボード60の表面側の層において、ランド配列領域の内部のランド(領域603a1,603a2,603a3,603a4)61aについても該領域外に引き出すための配線パターン67aを設ける必要性によって配線パターン効率が悪化せざるを得なかったが、本発明では、図6に示すように、マザーボード20の表面側の層20aにおけるランド配列領域201aの領域外縁から3個だけ内側の各ランド(内側ランド)21aからランド配列領域201a内を当該領域外まで引回す配線パターンを不要なものとし、その分だけ、当該ランド配列領域201a内における配線パターン効率を向上させることができる。
In this regard, conventionally, as shown in FIG. 11, in the layer on the surface side of the
つまり、本発明に係わる中継基板30を用いた半導体装置10のマザーボード20への実装構造によれば、マザーボード20上だけでは配線困難なパターンの配線も中継基板30に形成した迂回配線パターン39bを介して行うことができる。
That is, according to the mounting structure of the
また、本発明に係わる実装構造によれば、中継基板30の第2の面側の層30bにおいて、はんだボール配列領域301b外に複数の迂回配線はんだボール35bを設け(図5の例では、はんだボール配列領域301bの各辺の近傍に各々3つずつ設けている)、該各迂回配線はんだボール35bとはんだボール配列領域301b内の各々異なる内側はんだボール32bの間に上記迂回配線パターン39bを各々形成したため、これら各迂回配線パターン39bに対応してマザーボード20上に形成される各迂回配線ランド25aを通じて、当該各迂回配線パターン39bの接続先の各配線パターン29aを各方向に分散させることができる。
Further, according to the mounting structure according to the present invention, a plurality of bypass
また、本発明における中継基板30の第2の面側の層30bにおける各内側はんだボール32bと迂回配線はんだボール35b間の迂回配線パターン39bを含む上記迂回配線ルートは、配線長も極力最短で抑えることができ、高速伝送路における信号間のスキューの問題も最小に抑えることができる。
In the present invention, the detour wiring route including the
なお、図6に示すマザーボード20の表面側の層20aにおけるランド配列領域201aの各ランド21aのうち、中心部ランド配列領域202a内の各ランド21aについては、電源用あるいはGND用のランドとして用いられるのが一般的であるが、本発明の構造によれば、これらの各中心部ランド21aについても中継基板30の第2の面側の層30b中に迂回配線パターン39bを形成してマザーボード20への迂回接続ルートを確保することも考えられる。
Of the
この他、本発明は、上記し、且つ図面に示す実施例に限定することなく、その要旨を変更しない範囲内で適宜変形して実施できるものである。 In addition, the present invention is not limited to the embodiment described above and shown in the drawings, and can be implemented by being appropriately modified within a range not changing the gist thereof.
例えば、上記実施例では、中継基板30のマザーボード20と対向する面の層30bに迂回配線パターン39bを形成した例を挙げたが、例えば、図10に示すように、中継基板30における第1の面の層30aにおいて、ランド配列領域301aの領域外に1または複数の迂回配線ランド35aを形成すると共に、該ランド配列領域301aの領域外縁より所定数(例えば3個だけ)内側のランドである内側ランド32aから当該ランド配列領域301bの領域外の上記各迂回配線ランド35aまで引回しされた迂回配線パターン39aを形成し、該各迂回配線ランド35aをスルーホール350を介して第2の面側の層30bに設けた迂回配線ランド25aと電気的に接続する構成ようにしても良い。
For example, in the above-described embodiment, an example in which the
本発明は、BGA型の半導体装置をマザーボードに実装して成る半導体装置実装パッケージに適用でき、半導体装置のランド配列領域の領域外縁から所定数内側のランドをマザーボードに迂回接続するための迂回配線パターンを有する中継プリント配線基板を介して半導体装置をマザーボード上に実装することにより、マザーボードにおけるランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランドからランド配列領域外まで引き出すための配線パターンを省略でき、その分だけ配線パターン効率を向上させることができる。 The present invention can be applied to a semiconductor device mounting package in which a BGA type semiconductor device is mounted on a motherboard, and a detour wiring pattern for bypassing a predetermined number of lands on the motherboard from the outer edge of the land arrangement region of the semiconductor device. By mounting a semiconductor device on a mother board via a relay printed wiring board having a wiring pattern for drawing from an inner land, which is a predetermined number of lands inside the outer edge of the land arrangement area on the mother board, to the outside of the land arrangement area The wiring pattern efficiency can be improved by that amount.
10…BGA型半導体装置、10b…半導体装置裏面、12b…はんだボール、101b…はんだボール配列領域、102b…中心部はんだボール配列領域、103b1,103b2,103b3,103b4…内側はんだボール配列領域、20…プリント配線基板(マザーボード)、20a…表面側の層、201a…ランド配列領域、202a…中心部ランド配列領域、203a1,203a2,203a3,203a4…内側ランド配列領域、204a1,204a2,204a3,204a4…迂回配線用ランド配列領域、21a…ランド、25a…迂回配線用ランド、27a…配線パターン、29a…迂回配線パターン、20b…裏面側の層、30…中継プリント配線基板(中継基板)、30a…表面側の層、301a…ランド配列領域、302a…中心部ランド配列領域、303a1,303a2,303a3,303a4…内側ランド配列領域、35a…迂回配線用ランド、350…スルーホール、39a…迂回配線パターン、31a…ランド、30b…裏面側の層、301b…はんだボール配列領域、302b…中心部はんだボール配列領域、303b1,303b2,303b3,303b4…内側はんだボール配列領域、304b1,304b2,304b3,304b4…迂回配線用はんだボール配列領域、32b…はんだボール、33…スルーホール、35b…迂回配線用はんだボール、39b…迂回配線パターン
DESCRIPTION OF
Claims (7)
前記半導体装置のはんだボール配列領域に対向する第1の面に、該半導体装置のはんだボールと同配列のランドを形成し、
かつ、前記母基板のランド配列領域と対向する第2の面に、該母基板のランドと同配列のはんだボールを形成する
と共に、
前記第1の面の各ランドと、該各ランドに各々対応する前記第2の面の各はんだボール間をスルーホールにより電気的に導通可能可能な構造とし、
更に、前記第1の面におけるランド配列領域内の任意のランドまたは前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の任意のはんだボールから該当するランドまたははんだボール配列領域外まで延ばして形成された迂回配線パターンを有する
ことを特徴とする中継プリント配線基板。 The semiconductor device is interposed between a ball grid array type semiconductor device in which solder balls are arranged in a grid and a mother substrate in which solder lands are formed in the same arrangement as the solder balls. It is a relay printed wiring board that is mounted on
Forming a land of the same arrangement as the solder balls of the semiconductor device on the first surface facing the solder ball arrangement region of the semiconductor device;
In addition, solder balls having the same arrangement as the lands of the mother board are formed on the second surface facing the land arrangement area of the mother board, and
Each land on the first surface and each solder ball on the second surface corresponding to each land can be electrically connected by a through hole,
Further, a detour formed by extending from an arbitrary land in the land arrangement area on the first surface or an arbitrary solder ball in the solder ball arrangement area on the second surface to the outside of the corresponding land or solder ball arrangement area. A relay printed wiring board having a wiring pattern.
前記第2の面におけるはんだボール配列領域の領域外縁より所定数内側のはんだボールである内側はんだボールから前記迂回配線用はんだボールまで延びる前記迂回配線パターンを形成した
ことを特徴とする請求項1記載の中継プリント配線基板。 Forming a solder ball for bypass wiring outside the solder ball arrangement region on the second surface;
The detour wiring pattern extending from an inner solder ball, which is a solder ball a predetermined number of inner sides than the outer edge of the solder ball arrangement region on the second surface, to the detour wiring solder ball is formed. Relay printed wiring board.
かつ、前記第1の面におけるランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランドから前記迂回配線用ランドまで延びる前記迂回配線パターンを形成すると共に、
前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に、前記第1の面における前記迂回配線用ランドと電気的に導通可能なスルーホールにより連結された迂回配線用のはんだボールを形成した
ことを特徴とする請求項1記載の中継プリント配線基板。 Forming a land for detour wiring outside the land arrangement region on the first surface;
And forming the detour wiring pattern extending from the inner land, which is a land a predetermined number of lands inside the outer edge of the land arrangement area on the first surface, to the detour wiring land,
A bypass wiring solder ball connected to the bypass wiring land on the first surface by a through hole electrically connected to the second surface is formed outside the solder ball arrangement region on the second surface. The relay printed wiring board according to claim 1.
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の中継プリント配線基板。 The solder balls in the solder ball arrangement region on the second surface are formed of a high melting point solder including a core material and having a melting point higher than that of the solder balls of the semiconductor device. The relay printed wiring board according to any one of the above.
前記はんだボールと同配列ではんだ接合用のランドを形成した母基板と、
前記半導体装置のはんだボール配列領域に対向する第1の面に、該半導体装置のはんだボールと同配列のランドを形成し、かつ、前記母基板のランド配列領域と対向する第2の面に、該母基板のランドと同配列を成し、前記第1の面の各々対応する各ランドと電気的に導通可能なスルーホールで連結されるはんだボールを形成すると共に、前記第1または第2の面の少なくともいずれか一方の面に、前記第1の面におけるランド配列領域内の任意のランドまたは前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の任意のはんだボールを前記母基板上の配線パターンと電気的に接続するための迂回配線パターンを形成して成る中継プリント配線基板と
を有する半導体装置実装パッケージであって、
前記半導体装置のはんだボール配列領域を前記中継プリント配線基板の第1の面に対面させて、前記はんだボール配列領域内の各はんだボールと前記第1の面におけるランド配列領域内の各ランド同士をはんだ接合すると共に、前記中継プリント配線基板の第2の面を前記母基板のランド配列領域に対面させて、前記第2の面におけるはんだボール配列領域内の各はんだボールと前記母基板のランド配列領域内の各ランドをはんだ接合させて成る
ことを特徴とする半導体装置実装パッケージ。 A ball grid array type semiconductor device in which solder balls are arranged in a grid, and
A mother board in which lands for solder bonding are formed in the same arrangement as the solder balls;
On the first surface facing the solder ball arrangement region of the semiconductor device, lands having the same arrangement as the solder balls of the semiconductor device are formed, and on the second surface facing the land arrangement region of the mother substrate, Forming solder balls which are arranged in the same arrangement as the lands of the mother board and are connected to through-holes which are electrically conductive with the corresponding lands on the first surface; An arbitrary land in the land array region on the first surface or an arbitrary solder ball in the solder ball array region on the second surface is connected to a wiring pattern on the mother board on at least one of the surfaces. A semiconductor device mounting package having a relay printed wiring board formed by forming a bypass wiring pattern for electrical connection,
The solder ball arrangement region of the semiconductor device is made to face the first surface of the relay printed wiring board, and each solder ball in the solder ball arrangement region and each land in the land arrangement region on the first surface are connected to each other. Solder joining and making the second surface of the relay printed wiring board face the land array region of the mother board, each solder ball in the solder ball array region on the second surface and the land array of the mother board A package for mounting a semiconductor device, characterized by soldering each land in the area.
と共に、
前記中継プリント配線基板には、前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に迂回配線用のはんだボールを形成し、かつ、該はんだボール配列領域の領域外縁より所定数内側のはんだボールである内側はんだボールから前記迂回配線用はんだボールまで延びる前記迂回配線パターンを形成して成り、
前記半導体装置の実装時、前記中継プリント配線基板の第2の面における前記迂回配線用はんだボールと前記母基板の前記迂回配線用ランドとがはんだ接合される
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置実装パッケージ。 On the mother board, a land for bypass wiring is formed outside the land arrangement area, and
In the relay printed wiring board, a solder ball for bypass wiring is formed outside the solder ball arrangement area on the second surface, and the inside is a predetermined number of solder balls inside the outer edge of the solder ball arrangement area Forming the detour wiring pattern extending from the solder ball to the detour wiring solder ball;
The solder ball for the bypass wiring on the second surface of the relay printed wiring board and the bypass wiring land of the mother board are solder-bonded when the semiconductor device is mounted. Semiconductor device mounting package.
と共に、
前記中継プリント配線基板には、前記第1の面におけるランド配列領域外に迂回配線用のランドを形成し、かつ、前記ランド配列領域の領域外縁より所定数内側のランドである内側ランドから前記迂回配線用ランドまで延びる前記迂回配線パターンを形成すると共に、
前記第2の面におけるはんだボール配列領域外に、前記第1の面における前記迂回配線用ランドと電気的に導通可能なスルーホールにより連結された迂回配線用のはんだボールを形成して成り、
前記半導体装置の実装時、前記中継プリント配線基板の第2の面における前記迂回配線用はんだボールと前記母基板の前記迂回配線用ランドとがはんだ接合される
ことを特徴とする請求項5記載の半導体装置実装パッケージ。 On the mother board, a land for bypass wiring is formed outside the land arrangement area, and
In the relay printed wiring board, lands for detour wiring are formed outside the land array area on the first surface, and the detour is made from an inner land that is a land that is a predetermined number inside the outer edge of the land array area. While forming the detour wiring pattern extending to the wiring land,
Forming a solder ball for bypass wiring connected by a through hole electrically conductive with the land for bypass wiring on the first surface outside the solder ball arrangement region on the second surface;
The solder ball for the bypass wiring on the second surface of the relay printed wiring board and the bypass wiring land of the mother board are solder-bonded when the semiconductor device is mounted. Semiconductor device mounting package.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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2005
- 2005-03-18 JP JP2005079541A patent/JP2006261543A/en active Pending
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