JP2006258834A - Manufacturing method of microlens and manufacturing method of mold for microlens - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a manufacturing method of a microlens having a small manufacturing error. <P>SOLUTION: Parts of masks 5a to 5g smeared away black are light shielding sections and annular parts with hatching transmit light. A resist 4 is exposed by using the masks 5a to 5f among these six sheets of masks. When exposing by using respective masks, exposure is performed with exposure quantity corresponding to SAG amount (amount of sensitization) of respective irradiation regions. Consequently exposure amounts at respective parts A, B, C, D, E and F are different and owing to the difference, a photoresist microlens having a resist surface of a step shape shown by 3 in Fig.(b) can be formed when the resist 4 is developed. After exposing the resist 4 by using the masks 5a to 5f, exposure is performed by using the mask 5g for complete exposure having all transparent exposure regions A to F. Thereby when developed, parts of a step shape shown in Fig.(b) become a blunt shape. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、フォトリソグラフィを使用したマイクロレンズ(本明細書及び特許請求の範囲でいうマイクロレンズには、マイクロレンズアレイを含むものとする。又、マイクロレンズとしては、非球面レンズ、シリンドリカルレンズ等、通常レンズとして認められているものは勿論、フレネルレンズや回折格子等レリーフパターン等により光学的パワーを持つもの、その他、表面の形状に起因して光を透過する際に光学的パワーを有するもの一切を含むものである。)の製造方法、及びマイクロレンズ用型の製造方法に関するものである。   The present invention relates to a microlens using photolithography (the microlens referred to in the present specification and claims includes a microlens array. As the microlens, an aspherical lens, a cylindrical lens, etc. Of course, not only those that are recognized as lenses, but also those that have optical power due to relief patterns, such as Fresnel lenses and diffraction gratings, and anything that has optical power when transmitting light due to the shape of the surface. And the manufacturing method of the microlens mold.

マイクロレンズは、ディジタルカメラ、光通信、MEMS分野を中心に実用化され、益々使用範囲が拡大している。   Microlenses have been put into practical use mainly in the fields of digital cameras, optical communication, and MEMS, and the range of use has been increasing.

このようなマイクロレンズの製造方法として、例えば特開平7−191209号公報(特許文献1)、特開平8−187781号公報(特許文献2)に記載されるような方法が公知となっている。   As a method for manufacturing such a microlens, methods described in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-191209 (Patent Document 1) and Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-187778 (Patent Document 2) are known.

これらの方法は、曲面からなるレンズ形状を、階段状の面からなる形状に近似し、基板の上にレジストを塗布し、複数枚のマスクを用いて、各階段状の面に対応した露光量でレジストを露光させ、レジストを現像することにより階段状の面からなるフォトレジストマイクロレンズを製造する方法、及びこのようにして形成されたレジストの形状を、レジストと基板とを同時にエッチングすることにより、基板に転写して、基板からなるマイクロレンズを製造する方法である。   These methods approximate the shape of a curved lens to the shape of a stepped surface, apply a resist on the substrate, and use multiple masks to expose the exposure corresponding to each stepped surface. A method of manufacturing a photoresist microlens having a stepped surface by exposing a resist and developing the resist, and etching the resist and the substrate at the same time to form the shape of the resist thus formed This is a method for producing a microlens made of a substrate by transferring it to the substrate.

このような、マイクロレンズの製造方法の例を図9に示す。図9は、1点鎖線を中心とする回転対称球面形状の断面を示した図である。(b)において、21は、ガラス等の基板、22は、基板21の上に形成しようとするフォトレジストマイクロレンズの曲面を示す。曲面22を23のような階段状の面形状で近似する。この場合、曲面22は球面、面形状23は、半径の異なる円板を積み重ねた場合の面形状となる。   An example of such a microlens manufacturing method is shown in FIG. FIG. 9 is a view showing a cross section of a rotationally symmetric spherical shape centered on a one-dot chain line. In (b), 21 is a substrate such as glass, and 22 is a curved surface of a photoresist microlens to be formed on the substrate 21. The curved surface 22 is approximated by a stepped surface shape such as 23. In this case, the curved surface 22 is a spherical surface, and the surface shape 23 is a surface shape when disks having different radii are stacked.

すなわち、表面が曲面22のような形状のフォトレジストマイクロレンズを作る代わりに、表面が面形状23のような段差形状を有するフォトレジストマイクロレンズを形成する。そのために、まず、2点鎖線24で示される高さまで、基板21の上にレジストを塗布する。   That is, instead of forming a photoresist microlens whose surface has a shape like a curved surface 22, a photoresist microlens whose surface has a step shape such as a surface shape 23 is formed. For this purpose, first, a resist is applied on the substrate 21 to a height indicated by a two-dot chain line 24.

一方、これに対応して、(a)の25a〜25fに示すようなマスクを用意する。これらのマスク25a〜25fはガラス等からできており、黒く塗りつぶした部分には、クロム等のめっきが施されて光線を遮光するようになっている。斜めのハッチングを施した円環状の部分は透明になっていて光を透過させるようになっている。   On the other hand, masks as shown in 25a to 25f of (a) are prepared correspondingly. These masks 25a to 25f are made of glass or the like, and the portions painted black are plated with chrome or the like so as to block light rays. The annular portion with oblique hatching is transparent and allows light to pass through.

これら5枚のマスク25a〜25fを用いてレジスト24を露光する。すると、Aの部分では、全く露光が行われず、Bの部分ではマスク25aによる露光のみが行われ、Cの部分ではマスク25a、25bによる露光が行われ、Dの部分ではマスク25a、25b、25cによる露光が行われ、Eの部分ではマスク25a、25b、25c、25dによる露光が行われ、Fの部分では全マスクによる露光が行われる。   The resist 24 is exposed using these five masks 25a to 25f. Then, no exposure is performed in the portion A, only exposure using the mask 25a is performed in the portion B, exposure is performed using the masks 25a and 25b in the portion C, and masks 25a, 25b, and 25c are performed in the portion D. The portion E is exposed by the masks 25a, 25b, 25c, and 25d, and the portion F is exposed by the entire mask.

この結果、A、B、C、D、E、Fの各部分による露光量が異なることになり、この違いにより、レジスト24を現像したときに、レジストの表面形状が23で示されるような表面形状となって、階段状の形状を有するフォトレジストマイクロレンズが形成できる。   As a result, the exposure amounts of the respective portions A, B, C, D, E, and F are different. Due to this difference, when the resist 24 is developed, the surface shape of the resist as indicated by 23 is shown. Thus, a photoresist microlens having a stepped shape can be formed.

また、この状態から、レジストと基板21をドライエッチングしてレジストを除去すると、23で示されるような表面形状が基板21に転写され、基板21からなる階段状の形状を有するマイクロレンズが形成される。   Also, from this state, when the resist and the substrate 21 are dry-etched to remove the resist, the surface shape as indicated by 23 is transferred to the substrate 21, and a microlens having a stepped shape made of the substrate 21 is formed. The

このようなマイクロレンズと全く異なるグレースケールマスクを使用したマイクロレンズの製造方法が、特表平8−504515号公報(特許文献3)に開示されている。これは、グレースケールマスク(アナログ的とみなせる光透過率の変化を有するマスク)を使用して基板の表面に形成されたレジストを感光させ、レジストを現像することによって、グレースケールに応じた形状の、立体的なレジストパターンを形成し、それをマイクロレンズとするか、あるいは前述のように、さらにレンズ形状となったレジストを基板と共にエッチングすることにより、レンズ形状のレジストのパターンを基板に転写し、基板からなるマイクロレンズを形成するものである。   A method of manufacturing a microlens using a gray scale mask that is completely different from such a microlens is disclosed in JP-T-8-504515 (Patent Document 3). This is because the resist formed on the surface of the substrate is exposed using a gray scale mask (a mask having a change in light transmittance that can be regarded as analog), and the resist is developed to develop a shape corresponding to the gray scale. Form a three-dimensional resist pattern and use it as a microlens, or transfer the lens-shaped resist pattern to the substrate by etching the resist in the shape of a lens with the substrate as described above. A microlens made of a substrate is formed.

特開平7−191209号公報JP 7-191209 A 特開平8−187781号公報JP-A-8-187781 特表平8−504515号公報JP-T 8-504515 特開2004−198735号公報JP 2004-198735 A 特開平9−8266号公報Japanese Patent Laid-Open No. 9-8266

しかしながら、前記特許文献1、特許文献2に記載されたようなマイクロレンズの製造方法においては、以下のような問題点がある。図9においては、簡単化のために5枚のマスクを使用して露光するようにしているが、形状を精密に近似しようとするとマスクの枚数が多くなり、通常10枚以上のマスクが必要となる。   However, the microlens manufacturing methods described in Patent Document 1 and Patent Document 2 have the following problems. In FIG. 9, for simplicity, exposure is performed using five masks. However, if the shape is to be approximated precisely, the number of masks increases, and usually ten or more masks are required. Become.

一方、レジストが現像されたときに失われる量(「感光量」と称することとする)と露光量との間には、正確な加法性が成り立たない。すなわち、(a+b)の露光量を一度に与えたときと、aの露光量とbの露光量を別々に与えた場合では、感光量は同一にならない。   On the other hand, accurate additivity does not hold between the amount lost when the resist is developed (referred to as “photosensitive amount”) and the exposure amount. That is, when the exposure amount of (a + b) is given at once and when the exposure amount of a and the exposure amount of b are given separately, the exposure amount is not the same.

さらに、aの露光量とbの露光量を別々に与えた場合に、どの程度の感光量になるかは、レジストのプリベーク条件、プリベークしてから露光するまでの時間、露光してから現像するまでの時間によって変化する。また、所定の階段状部分の感光量を調整するために、あるマスクを用いたときの露光量を変化させると、その露光量の変化が別の階段状部分の感光量に影響を与えることになる。従って、前記特許文献1、特許文献2に記載されたようなマイクロレンズの製造方法で、精密階段状のレジスト形状を形成することは、現実には困難である。   Further, when the exposure amount of a and the exposure amount of b are separately given, the extent of the exposure amount depends on the resist pre-baking conditions, the time from pre-baking to exposure, and development after exposure. It depends on the time until. In addition, when the exposure amount when a certain mask is used to adjust the exposure amount of a predetermined stepped portion, the change in the exposure amount affects the exposure amount of another stepped portion. Become. Therefore, it is actually difficult to form a precise step-like resist shape by the microlens manufacturing method as described in Patent Document 1 and Patent Document 2.

また、階段状の形状を目的とする曲面形状とするために、熱フロー処理を行っている。熱フロー処理は、レジストを熱することにより変形を起こさせ、表面を滑らかにするものである。しかしながら、この方法では、レジストが内部まで加熱されるため、レジストの変形が大きくなり、階段状の形状の表面が滑らかになるだけにとどまらず、形状(例えば曲率)そのものが変化してしまう可能性があるという問題点もある。   In addition, heat flow treatment is performed in order to obtain a stepped shape as a curved surface. In the heat flow treatment, the resist is heated to deform and smooth the surface. However, in this method, since the resist is heated to the inside, the deformation of the resist becomes large, the surface of the stepped shape is not only smoothed, but the shape (for example, the curvature) itself may change. There is also a problem that there is.

一方、グレースケールマスクを使用した方法では、開口面積と遮光面積を正確に制御してマスクを製造する必要があり、マスクを製造するために特別の設備と技術を必要とするという問題点がある。さらに、レジストの露光量と感光量との関係が変化した場合は、形成されるマイクロレンズの形状が変化することが避けられないが、この変化を調整することが困難であるという問題点がある。   On the other hand, in the method using a gray scale mask, it is necessary to manufacture the mask by accurately controlling the opening area and the light shielding area, and there is a problem in that special equipment and technology are required to manufacture the mask. . Furthermore, when the relationship between the exposure amount of the resist and the exposure amount changes, it is inevitable that the shape of the formed microlens changes, but there is a problem that it is difficult to adjust this change. .

このような問題点を解決する方法として、本発明者等は、基板上にレジストを塗布し、前記階段状部分で同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光し、その後レジストを現像する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法を発明し、特願2004−285566号として特許出願している(先願発明という)。   As a method for solving such a problem, the present inventors applied a resist on a substrate, and exposed each region having the same height in the stepped portion using a single mask, Subsequently, a method for producing a microlens characterized by having a step of developing a resist has been invented, and a patent application has been filed as Japanese Patent Application No. 2004-285666 (referred to as a prior invention).

先願発明によれば、曲面を階段状のパターンにより近似したレジスト形状を有するマイクロレンズを形成するに際し、階段状部分で同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光し、その後レジストを現像する工程を有するので、レジストの露光量と感光量との関係が変化する場合でも、各々のマスクを使用して露光を行うときの露光量を調整する(例えば露光時間を調整したり、光源の強度を調整する)ことによって、容易に目的とするレジストの感光量を得ることができ、1つの階段状部分での調整結果が、他の階段状部分に影響を与えることがない。よって、簡単な方法でマイクロレンズの製造が可能であり、レジストの条件が変化した場合でも容易に調整が可能である。   According to the invention of the prior application, when forming a microlens having a resist shape whose curved surface is approximated by a stepped pattern, the regions having the same height in the stepped portion are exposed using one mask each. Then, since there is a step of developing the resist, even when the relationship between the exposure amount of the resist and the exposure amount changes, the exposure amount when performing exposure using each mask is adjusted (for example, the exposure time is adjusted). Or adjusting the intensity of the light source), the desired resist exposure can be easily obtained, and the adjustment result in one stepped portion may affect the other stepped portion. Absent. Therefore, the microlens can be manufactured by a simple method, and can be easily adjusted even when the resist conditions change.

しかしながら、この先願発明においても、各マスクで露光される領域の境界がある程度の段差形状を有することが避けられず、その結果、出来上がったマイクロレンズの形状誤差が大きくなる場合があった。   However, even in the prior invention, it is inevitable that the boundary of the region exposed by each mask has a certain level of step shape, and as a result, the shape error of the completed microlens may increase.

本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、先願発明が有する問題を改善し、より、製作誤差の小さいマイクロレンズの製造方法、及びマイクロレンズ用型の製造方法を提供することを課題とする。   The present invention has been made in view of such circumstances, and provides a method for manufacturing a microlens and a method for manufacturing a microlens mold with a smaller manufacturing error by improving the problems of the invention of the prior application. Let it be an issue.

前記課題を解決するための第1の手段は、凹形状、凸形状、又は凹凸形状を近似した階段状のパターンから形成されるマイクロレンズの製作方法であって、基板上にレジストを塗布し、前記階段状のパターンで同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光し、これらのマスクを使用した露光が終わった後で、全露光領域に対して等しい露光量で一括露光を行い、その後レジストを現像する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。   The first means for solving the above problem is a method of manufacturing a microlens formed from a stepped pattern approximating a concave shape, a convex shape, or a concave and convex shape, and applying a resist on a substrate, Areas having the same height in the stepped pattern are exposed using one mask each, and after the exposure using these masks is completed, all the exposure areas are collectively exposed with an equal exposure amount. A method of manufacturing a microlens, which includes a step of performing exposure and then developing a resist.

本手段においては、曲面を階段状のパターンにより近似したレジスト形状を有するマイクロレンズを形成するに際し、その階段状パターンで同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光し、その後レジストを現像する工程を有する。よって、レジストの露光量と感光量との関係が変化する場合でも、各々のマスクを使用して露光を行うときの露光量を調整する(例えば露光時間を調整したり、光源の強度を調整することによって、容易に目的とするレジストの感光量を得ることができ、1つの階段状部分での調整結果が、他の階段状部分に影響を与えることがない。よって、簡単な方法でマイクロレンズの製造が可能であり、レジストの条件が変化した場合でも容易に調整が可能である。   In this means, when forming a microlens having a resist shape whose curved surface is approximated by a staircase pattern, each region having the same height in the staircase pattern is exposed using one mask, Thereafter, there is a step of developing the resist. Therefore, even when the relationship between the exposure amount of the resist and the exposure amount changes, the exposure amount when performing exposure using each mask is adjusted (for example, the exposure time is adjusted or the intensity of the light source is adjusted). Therefore, the exposure amount of the target resist can be easily obtained, and the adjustment result in one stepped portion does not affect the other stepped portion. And can be easily adjusted even when the resist conditions change.

本手段においては、各マスクを使用して露光する領域の位置合わせを正確に行わなければならないという問題点があるが、これは現状のステッパを使用すれば十分に対応が可能である。   In this means, there is a problem that the alignment of the area to be exposed must be performed accurately using each mask, but this can be sufficiently dealt with by using the current stepper.

さらに、本手段においては、階段状部分で同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光して露光し終わった後で、全露光領域に対して等しい露光量で一括露光を行い、その後レジストを現像するようにしている。後に実施例で示すように、この一括露光により、一括露光を行わなかった場合に比べてレジストの表面形状の細かな凹凸が少なくなり、表面が滑らかで、形状精度の良いレジストマイクロレンズが得られる。   Further, in the present means, after exposing the regions having the same height in the stepped portion by using one mask each, the entire exposure region is collectively exposed with the same exposure amount. Then, the resist is developed. As will be shown later in the examples, this batch exposure reduces the fine irregularities of the resist surface shape compared to the case where batch exposure is not performed, and provides a resist microlens with a smooth surface and good shape accuracy. .

前記課題を解決するための第2の手段は、前記第1の手段であって、前記レジストを現像した後、前記レジストと前記基板を同時にエッチングすることにより前記レジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を前記基板に転写する工程を有することを特徴とするものである。   The second means for solving the problem is the first means, after developing the resist, removing the resist by simultaneously etching the resist and the substrate, and forming the resist on the resist It has the process of transferring the shape formed to the said board | substrate.

本手段においては、レジストと基板を同時にエッチングすることによりレジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を基板に転写するという工程を、前記第1の手段と組み合わせることにより、基板のみからなる高精度のマイクロレンズを製造することができる。   In this means, the step of removing the resist by etching the resist and the substrate at the same time and transferring the shape formed in the resist to the substrate consists of the substrate alone by combining with the first means. A highly accurate microlens can be manufactured.

前記課題を解決するための第3の手段は、レンズの形状を凹形状、凸形状、又は凹凸形状を近似した階段状のパターンに近似し、前記第1の手段により前記階段状の形状のレジストを有するマイクロレンズを製造し、その後、前記レジストを溶解する溶剤の蒸気の雰囲気中に曝露することにより、前記階段状の部分を滑らかにする工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。   According to a third means for solving the above problem, the lens shape is approximated to a stepped pattern that approximates a concave shape, a convex shape, or a concavo-convex shape, and the stepped shape resist is obtained by the first means. A microlens having a step of smoothing the stepped portion by exposure to an atmosphere of a solvent vapor that dissolves the resist. is there.

本手段においては、前記第1の手段により階段状の形状のレジストを有するマイクロレンズを製造した後に、レジストを溶解する溶剤の蒸気の雰囲気中に曝露することにより(ソルベントベーパ法と呼ばれる)、階段状の部分を滑らかにする工程を有している。   In this means, after manufacturing a microlens having a step-shaped resist by the first means, the microlens is exposed to an atmosphere of a solvent vapor that dissolves the resist (referred to as a solvent vapor method). A step of smoothing the shaped portion.

ソルベントベーパ法とは、特開2004−198735号公報(特許文献4)に記載される技術であり、レジストを溶解する溶剤の蒸気にレジスト層を曝露することにより、レジストの表面のみを溶解し、レジスト表面をなだらかにする技術である。   The solvent vapor method is a technique described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-198735 (Patent Document 4). By exposing the resist layer to a vapor of a solvent that dissolves the resist, only the surface of the resist is dissolved. This is a technique for smoothening the resist surface.

本手段によれば、階段状の表面をなだらかにし、目標とする面形状に近づけることができる。さらに、熱フローを用いる場合と異なり、レジストの溶解が表面近傍のみに留まるので、レジストが大きく変形して、例えば曲率の変化をもたらすようなことがない。   According to this means, the stepped surface can be smoothed and brought close to the target surface shape. Furthermore, unlike the case of using heat flow, the resist remains dissolved only in the vicinity of the surface, so that the resist is not greatly deformed, for example, causing a change in curvature.

前記課題を解決するための第4の手段は、前記第3の手段であって、前記レジストの階段状の部分を滑らかにした後、前記レジストと前記基板を同時にエッチングすることにより前記レジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を前記基板に転写する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法である。   A fourth means for solving the above problem is the third means, wherein the resist is removed by simultaneously etching the resist and the substrate after smoothing the stepped portion of the resist. And a method of manufacturing a microlens, comprising a step of transferring the shape formed in the resist to the substrate.

本手段においては、レジストと基板を同時にエッチングすることによりレジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を基板に転写するという工程を用いることにより、基板のみからなるマイクロレンズを製造することができる。   In this means, a microlens composed only of a substrate can be manufactured by using a process of removing the resist by simultaneously etching the resist and the substrate and transferring the shape formed in the resist to the substrate. it can.

前記課題を解決するための第5の手段は、前記第1の手段から第4の手段のマイクロレンズを、マイクロレンズ製造用型に代えたマイクロレンズ用型の製造方法である。   A fifth means for solving the above problem is a method for manufacturing a microlens mold in which the microlenses of the first to fourth means are replaced with a microlens manufacturing mold.

前記第1の手段から第5の手段においては、マイクロレンズを製造していたが、製造されたものを、マイクロレンズとしてではなくマイクロレンズ製造用の型として用いることもできる。この場合には、レジストは必ずしも透明なものでなくてもよい。さらに、レジストや基板の表面にニッケルメッキ等を施して、型としての耐用性を高めるようにしてもよい。   In the first to fifth means, a microlens is manufactured. However, the manufactured microlens can be used not as a microlens but as a mold for manufacturing a microlens. In this case, the resist is not necessarily transparent. Furthermore, nickel plating or the like may be applied to the surface of the resist or the substrate to improve the durability as a mold.

本発明によれば、先願発明が有する問題を改善し、より製作誤差の小さいマイクロレンズの製造方法、及びマイクロレンズ用型の製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the problem which prior invention invention has can be improved, and the manufacturing method of a microlens with a smaller manufacturing error and the manufacturing method of a microlens type | mold can be provided.

以下、本発明の実施の形態の例を図を用いて説明する。図1は、フォトレジスト球面マイクロレンズを製造する場合の実施の形態の例を示す図である。図1は、1点鎖線を中心とする回転対称円形状の断面を示した図である。(b)において、1は、ガラス等の基板、2は、基板1の上に形成しようとするフォトレジストマイクロレンズの曲面を示す。曲面2を3のような階段状の面形状で近似する。この場合、曲面2は球面、面形状3は、半径の異なる円板を積み重ねた場合の階段状の面形状となる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram showing an example of an embodiment in the case of manufacturing a photoresist spherical microlens. FIG. 1 is a view showing a cross section of a rotationally symmetric circle centered on a one-dot chain line. In (b), 1 is a substrate such as glass, and 2 is a curved surface of a photoresist microlens to be formed on the substrate 1. The curved surface 2 is approximated by a stepped surface shape such as 3. In this case, the curved surface 2 is a spherical surface, and the surface shape 3 is a stepped surface shape when disks having different radii are stacked.

すなわち、表面が曲面2のような形状のフォトレジストマイクロレンズを作る代わりに、表面が面形状3のような段差形状を有するフォトレジストマイクロレンズを形成する。そのために、まず、2点鎖線4で示される高さまで、基板1の上にレジストを塗布する。   That is, instead of forming a photoresist microlens whose surface has a shape like a curved surface 2, a photoresist microlens whose surface has a step shape such as a surface shape 3 is formed. For this purpose, first, a resist is applied on the substrate 1 to a height indicated by a two-dot chain line 4.

一方、これに対応して、(a)の5a〜5gに示すようなマスクを用意する。これらのマスク5a〜5gはガラス等からできており、黒く塗りつぶした部分には、クロム等が施されて光線を遮光するようになっている。斜めのハッチングを施した円環状の部分は透明になっていて光を透過させるようになっている。   On the other hand, corresponding to this, a mask as shown in 5a to 5g of (a) is prepared. These masks 5a to 5g are made of glass or the like, and chrome or the like is applied to the blacked portions so as to block the light rays. The annular portion with oblique hatching is transparent and allows light to pass through.

これら6枚のマスクのうちマスク5a〜5fを用いてレジスト4を露光する。すると、Aの部分では、全く露光が行われず、Bの部分ではマスク5aのみによる露光のみが行われ、Cの部分ではマスク5bのみによる露光が行われ、Dの部分ではマスク5cのみによる露光が行われ、Eの部分ではマスク5dのみによる露光が行われ、Fの部分ではマスク5fのみによる露光が行われる。各マスクを用いた露光に際しては、各照射領域のSAG量(感光量)に応じた露光量で露光を行う。   Of these six masks, the resist 4 is exposed using the masks 5a to 5f. Then, in the portion A, no exposure is performed at all, in the portion B, only the exposure with the mask 5a is performed, in the portion C, the exposure with only the mask 5b is performed, and in the portion D, the exposure with only the mask 5c is performed. In the portion E, exposure using only the mask 5d is performed, and in the portion F, exposure using only the mask 5f is performed. In exposure using each mask, exposure is performed with an exposure amount corresponding to the SAG amount (photosensitivity amount) of each irradiation region.

この結果、A、B、C、D、E、Fの各部分による露光量が異なることになり、この違いにより、レジスト4を現像したときに、レジストの表面形状が3で示されるような表面形状となり、階段状の形状を有するフォトレジストマイクロレンズが形成できることになる。   As a result, the exposure amounts of the respective portions A, B, C, D, E, and F are different. Due to this difference, when the resist 4 is developed, the surface surface of the resist is indicated by 3. Thus, a photoresist microlens having a stepped shape can be formed.

本実施の形態においては、マスク5a〜5fを用いてレジスト4を露光した後に、A〜Fの全露光領域が透明となっている全面露光用マスク5gを用いて露光を行う。この際の露光時間は、短いものとする。これにより、図1(b)における階段状の部分が、現像された場合に、なまった形状となる。   In the present embodiment, after the resist 4 is exposed using the masks 5a to 5f, the exposure is performed using the entire surface exposure mask 5g in which the entire exposure areas A to F are transparent. The exposure time at this time is short. Thereby, when the stepped portion in FIG. 1B is developed, it becomes a rounded shape.

また、この状態から、レジストと基板1をドライエッチングしてレジストを除去すると、3で示されるような表面形状が基板1に転写され、基板1からなる階段状の形状を有するマイクロレンズが形成される。   Also, from this state, when the resist and the substrate 1 are dry-etched to remove the resist, the surface shape as indicated by 3 is transferred to the substrate 1, and a microlens having a stepped shape made of the substrate 1 is formed. The

この実施の形態においては、A、B、C、D、E、Fの各部分とも、それぞれ1枚のマスク、及び全露光領域を露光する全面露光用マスク5gにより露光が行われる。各部分での露光量は、それぞれマスク5a〜5fを使用するときに、目的とする各部分の感光量(SAG量に対応する)に応じて決定され、この実施の形態においては、露光時間を変えることにより容易に調整できる。光源の強さを代えることにより調整してもよい。   In this embodiment, each of the portions A, B, C, D, E, and F is exposed by a single mask and a full exposure mask 5g that exposes the entire exposure region. The exposure amount in each part is determined according to the target exposure amount (corresponding to the SAG amount) when the masks 5a to 5f are used. In this embodiment, the exposure time is set as follows. It can be easily adjusted by changing. You may adjust by changing the intensity of a light source.

そして、各マスク5a〜5fを使用したときの露光量を変えたとしても、そのマスクにより露光される領域が影響を受けるだけであり、他の領域は影響を受けない。従って、レジストのプリベークの条件や、プリベークしてから露光までの時間等により露光量と感光量の関係が変わったとしても、変わった関係を把握して、各マスクを使用して露光を行う領域に必要とされる感光量に応じて、新しい露光量を各マスクごとに決定してやればよいので、多重マスクを使用する場合に比べて、調整が著しく簡単になる。   And even if it changes the exposure amount when using each mask 5a-5f, only the area | region exposed with the mask is influenced, and another area | region is not influenced. Therefore, even if the relationship between the exposure dose and the exposure dose varies depending on the resist pre-baking conditions and the time from pre-baking to exposure, etc., it is possible to grasp the changed relationship and perform exposure using each mask. Since it is sufficient to determine a new exposure amount for each mask in accordance with the amount of light required for the adjustment, the adjustment is remarkably simplified as compared with the case of using a multiple mask.

図1は、球面レンズの場合について説明したが、非球面レンズ、シリンドリカルレンズ、フレネルレンズや回折格子等レリーフパターン等により光学的パワーを持つもの、その他、表面の形状に起因して光を透過する際に光学的パワーを有するものを製造する場合にも同じような手法により製造できる。   FIG. 1 illustrates the case of a spherical lens. However, an aspherical lens, a cylindrical lens, a Fresnel lens, a diffraction grating or the like having an optical power such as a diffraction pattern, and the like, and other light is transmitted due to the shape of the surface. When manufacturing what has optical power, it can manufacture by the same method.

すなわち、このような光学素子を高さ方向に所定数に切断するような仮想的な複数の面(必ずしも高さ方向に等間隔でなくてもよい)を考え、このような面で仮想的に切断を行うと、平面図で見て等高線により切断された図形が描かれる。この等高線と、隣り合う等高線との間が透光部となるようなマスクを製造し、各マスクを用いて、レジストの露光を行う。そのとき、必要な感光量に応じて、各マスクを使用したときの露光量を決定することはいうまでもない。   That is, a plurality of virtual surfaces (not necessarily equally spaced in the height direction) that cut such a predetermined number of optical elements in the height direction are considered, and virtually When the cutting is performed, a figure cut by the contour lines as seen in the plan view is drawn. A mask in which a portion between the contour lines and adjacent contour lines is a light transmitting portion is manufactured, and the resist is exposed using each mask. At that time, it goes without saying that the exposure amount when each mask is used is determined in accordance with the required exposure amount.

いずれの場合も、以上のような製造工程で製造されたレンズは、レジストが光学基材となり光学パワーを生じるものとなっている。そして、レジストの段差構造は、先願発明に比してなだらかに形成されているので通常ではこのままレンズとして使用できる。しかし、厳密には目標となる表面形状とはなっていない場合もある。このようなレンズを、さらに目標形状により近づける方法の例を、図2を用いて説明する。これは、いわゆるソルベントベーパ法により、レジストの表面をなだらかにする方法である。   In any case, in the lens manufactured by the manufacturing process as described above, the resist serves as an optical base material to generate optical power. Since the step structure of the resist is formed more gently than in the prior invention, it can be used as a lens normally. However, strictly speaking, the target surface shape may not be achieved. An example of a method for bringing such a lens closer to the target shape will be described with reference to FIG. This is a method of smoothing the surface of the resist by a so-called solvent vapor method.

シャーレ8の中に、基板6上に形成されたレンズ形状を有するレジスト7(図ではマイクロレンズアレイを示している)を溶解する溶剤9を入れ、蓋(図示せず)をする。   A solvent 9 for dissolving a resist 7 having a lens shape (a microlens array is shown in the figure) formed on the substrate 6 is put in the petri dish 8 and a lid (not shown) is used.

例えば、フォトレジストとしてノボラック樹脂系のポジ型フォトレジストを使用した場合、溶剤としてPGMEA(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)を使用する。そして、一定温度(例えば23℃)に保つことにより、シャーレ8内の溶剤蒸気10の圧力は飽和蒸気圧に達する。この溶剤蒸気10は、PGMEAの蒸気である。   For example, when a novolac resin-based positive photoresist is used as the photoresist, PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate) is used as the solvent. And the pressure of the solvent vapor | steam 10 in the petri dish 8 reaches a saturated vapor pressure by maintaining a fixed temperature (for example, 23 degreeC). The solvent vapor 10 is PGMEA vapor.

この状態を乱さないように、前記蓋を素早くマイクロレンズアレイ形状が形成されたレジスト7を有する基板6と交換し、レジスト7を下に向けた状態で密閉する。このとき、基板6がシャーレ8の蓋の役割をし、溶剤蒸気10の飽和蒸気圧は維持される。   In order not to disturb this state, the lid is quickly replaced with the substrate 6 having the resist 7 on which the microlens array shape is formed, and the resist 7 is sealed with the surface facing downward. At this time, the substrate 6 serves as a lid for the petri dish 8, and the saturated vapor pressure of the solvent vapor 10 is maintained.

このようにして、溶剤蒸気10にレジスト7の表面を曝露する。すると、マイクロレンズを形成するレジストの表面が溶解されることにより、各マイクロレンズに形成された段差が解消され、表面がなめらかになる。   In this way, the surface of the resist 7 is exposed to the solvent vapor 10. Then, the surface of the resist that forms the microlenses is dissolved, so that the level difference formed on each microlens is eliminated, and the surface becomes smooth.

ソルベントベーパ法において、フォトレジスト層に用いるフォトレジストは、好ましくはノボラック樹脂である。ソルベントベーパ法に用いるフォトレジストを溶解する溶剤(以下単に溶剤と呼ぶ)としては、処理の対象の光学面が形成されたフォトレジスト層を溶解するものであれば、特に、フォトレジストの希釈や、洗浄等に一般的に用いるものに限定されるものではなく、ケトン類、アルコール類の他、ジオキサンやエチレングリコールモノメチルエーテルなどのエーテル系のものが好ましく、PGMEA(プロピレングリコールメチルエーテル)がより好ましい。又、ある種のシンナー(例えば、東京応化社製 PMシンナー)も好ましく使うことが出来る。   In the solvent vapor method, the photoresist used for the photoresist layer is preferably a novolac resin. As a solvent for dissolving the photoresist used in the solvent vapor method (hereinafter simply referred to as a solvent), as long as it dissolves the photoresist layer on which the optical surface to be processed is formed, in particular, dilution of the photoresist, It is not limited to those generally used for washing and the like, and in addition to ketones and alcohols, ethers such as dioxane and ethylene glycol monomethyl ether are preferable, and PGMEA (propylene glycol methyl ether) is more preferable. Also, a certain type of thinner (for example, PM thinner manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.) can be preferably used.

ソルベントベーパ法に用いる溶剤の蒸気は、例えば、フォトレジストを溶解する溶剤を適当な温度に保つことにより、この溶剤の液面から溶剤蒸気を蒸発させて得られる。   The solvent vapor used in the solvent vapor method is obtained, for example, by evaporating the solvent vapor from the liquid surface of the solvent by keeping the solvent for dissolving the photoresist at an appropriate temperature.

ソルベントベーパ法の処理を安定的に行なう為には、ソルベントベーパ法の処理中におけるこの溶剤の蒸気圧を空間的に一様で、時間的に一定とすることが好ましい。その為に、この溶剤の蒸気圧が、温度一定の下で、溶剤から蒸発(気化)した蒸気の量とこの溶剤の液面に戻る(液化)蒸気の量とが平衡する飽和蒸気圧で、この飽和蒸気に被処理光学素子を曝露する処理を行なうことが好ましい。その一方法として、密閉容器中で溶剤を所定温度Tに保ち、溶剤を蒸発させ、同時に密閉容器の内面を温度Tに保つ方法がある。   In order to stably perform the solvent vapor process, it is preferable that the vapor pressure of the solvent during the solvent vapor process be spatially uniform and constant in time. Therefore, the vapor pressure of this solvent is a saturated vapor pressure at which the amount of vapor evaporated (vaporized) from the solvent and the amount of vapor returning to the liquid level of the solvent (liquefied) at a constant temperature is balanced, It is preferable to perform a process of exposing the optical element to be processed to this saturated vapor. One method is to keep the solvent at a predetermined temperature T in the sealed container, evaporate the solvent, and at the same time keep the inner surface of the sealed container at the temperature T.

又、ソルベントベーパ法の処理を行なうために、被処理光学素子を密閉容器にセットする際に、被処理光学素子も予め温度Tに保っておくことが好ましい。   In order to perform the process of the solvent vapor method, it is preferable that the optical element to be processed is also kept at the temperature T in advance when the optical element to be processed is set in the sealed container.

ソルベントベーパ法においては、溶剤蒸気が処理対象のフォトレジスト層の光学面の段差に化学的に作用し、この段差の表面だけを溶解させることによって処理が進行する。その処理条件は、溶剤の種類、処理温度、処理時間を調整することで適正化される。この適正化された条件で処理を行なうことにより、被処理光学素子の光学面の段差はなめらかになり、光学面の形状精度は変化しない。   In the solvent vapor method, the solvent vapor chemically acts on the step of the optical surface of the photoresist layer to be processed, and the processing proceeds by dissolving only the surface of the step. The processing conditions are optimized by adjusting the type of solvent, the processing temperature, and the processing time. By performing processing under this optimized condition, the level difference of the optical surface of the optical element to be processed becomes smooth, and the shape accuracy of the optical surface does not change.

ソルベントベーパ法の処理中に、処理温度Tが上昇すると、溶剤の蒸気圧は上昇するので、被処理の凹凸部に到達する溶剤蒸気の量が増えて、処理速度が高まる。凹凸度が処理される程度、即ち処理量は、処理速度と処理時間との積に比例して増える。処理量は少なすぎると、凹凸度の改善効果が不充分であり、多すぎると光学面の形状精度を変化させてしまうので、最適な処理量がある。また、処理温度が高すぎると処理時間は短くて済むが、処理品質が安定しない、又低すぎると処理に時間が掛かりすぎるので好ましくなく、最適処理温度が存在する。最適処理温度は、被処理光学面の形状、フォトレジストの種類、溶剤の種類に依存し、繰り返しテストすることによって決定される。   When the treatment temperature T rises during the treatment by the solvent vapor method, the vapor pressure of the solvent rises, so that the amount of the solvent vapor reaching the uneven portion to be treated increases and the treatment speed increases. The degree to which the unevenness is processed, that is, the processing amount increases in proportion to the product of the processing speed and the processing time. If the processing amount is too small, the effect of improving the degree of unevenness is insufficient, and if it is too large, the shape accuracy of the optical surface is changed, so there is an optimum processing amount. If the processing temperature is too high, the processing time may be short, but the processing quality is not stable, and if it is too low, the processing takes too much time, which is not preferable, and an optimum processing temperature exists. The optimum processing temperature depends on the shape of the optical surface to be processed, the type of photoresist, and the type of solvent, and is determined by repeated testing.

このようにして製造されるレンズのレンズ面の最高高さと最低高さの差は、5μm以下であることが好ましい。すなわち、この差が大きくなると、段差を大きくするか使用するマスクの数を大きくしなければならないが、段差を大きくするとレンズの光学特性が悪化する原因になり、マスクの数を多くするとそれだけ露光回数が増えることになる。レンズ面の最高高さと最低高さの差が5μm以下であれば、工程をそれほど複雑にすることなく、実用上十分な精度を有するマイクロレンズが得られる。   The difference between the maximum height and the minimum height of the lens surface of the lens thus manufactured is preferably 5 μm or less. In other words, if this difference increases, the step must be increased or the number of masks to be used must be increased. However, increasing the step causes the optical characteristics of the lens to deteriorate, and increasing the number of masks increases the number of exposures. Will increase. When the difference between the maximum height and the minimum height of the lens surface is 5 μm or less, a microlens having practically sufficient accuracy can be obtained without complicating the process so much.

以上のようにして製造した、レジストにレンズ形状を持たせたものを中間材料として、レジストと基板をドライエッチングしてレジストを除去することにより、レジストの形状を基板に転写し(レジストと基板とのエッチングレートを考慮して、目的とする形状が基板上に得られるように、あらかじめレジストの形状を調整しておくことは言うまでもない)、基板のみからなるマイクロレンズを形成することもできる。この方法は、例えば特開平9−8266号公報(特許文献5)に記載されて周知のものとなっているので、その説明を省略する。この場合には、レジストとして透光性のあるものを使用する必要はない。   Using the resist having a lens shape manufactured as described above as an intermediate material, the resist and the substrate are dry etched to remove the resist, thereby transferring the resist shape to the substrate (the resist and the substrate). In consideration of the etching rate, it is needless to say that the shape of the resist is adjusted in advance so that the desired shape can be obtained on the substrate), and a microlens composed only of the substrate can also be formed. This method is described in, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 9-8266 (Patent Document 5), and is well known, and thus the description thereof is omitted. In this case, it is not necessary to use a translucent resist.

以上説明した方法はフォトリソグラフィ工程により、直接マイクロレンズを製造する方法であったが、これらのものを型として使用し、この型を用いて樹脂製のマイクロレンズアレイを製造してもよい。   The method described above is a method of directly manufacturing a microlens by a photolithography process. However, these may be used as a mold, and a resin microlens array may be manufactured using this mold.

このような方法を図3に示す。図3においては、基板11の上にマイクロレンズアレイの形状が形成されたレジスト12を有するものを型として用いる(a)。   Such a method is illustrated in FIG. In FIG. 3, a substrate having a resist 12 in which the shape of a microlens array is formed on a substrate 11 is used as a mold (a).

この型と、紫外線に対して透明な定盤13の間に、ディスペンサ等を使用して紫外線硬化型樹脂14を注入して押圧した後、定盤13を通して紫外線を照射することにより紫外線硬化型樹脂14を硬化させる(b)。そして、その後、紫外線硬化型樹脂14を型と定盤13から剥がすことにより、樹脂製のマイクロレンズアレイを製造することができる(c)。この場合には、基板11やレジスト12は透明なものでなくても良いことはいうまでもない。   An ultraviolet curable resin is injected between the mold and a surface plate 13 transparent to ultraviolet rays by using a dispenser or the like to inject and press the ultraviolet curable resin 14 and then irradiating ultraviolet rays through the surface plate 13. 14 is cured (b). Then, after that, the ultraviolet curable resin 14 is peeled off from the mold and the surface plate 13, whereby a resin microlens array can be manufactured (c). In this case, it goes without saying that the substrate 11 and the resist 12 do not have to be transparent.

更に、このようにして形成された樹脂製のマイクロレンズアレイを、マイクロレンズアレイとして使用せず、型として使用し、この型と、紫外線に対して透明な定盤13’の間に、ディスペンサ等を使用して紫外線硬化型樹脂14’を注入して押圧した後、定盤13’を通して紫外線を照射することにより紫外線硬化型樹脂14’を硬化させる(d)。そして、その後、紫外線硬化型樹脂14’を型と定盤13’から剥がすことにより、樹脂製のマイクロレンズアレイを製造することができる(e)。   Further, the resin-made microlens array thus formed is not used as a microlens array but is used as a mold, and a dispenser or the like is provided between the mold and a surface plate 13 'transparent to ultraviolet rays. After injecting and pressing the ultraviolet curable resin 14 'using UV, the ultraviolet curable resin 14' is cured by irradiating ultraviolet rays through the surface plate 13 '(d). Then, the resin-made microlens array can be manufactured by peeling the ultraviolet curable resin 14 'from the mold and the surface plate 13' (e).

さらに、紫外線硬化型樹脂14’をマイクロレンズアレイとして使用せず、型として使用し、図3(c)〜(d)の工程を繰り返すことにより、多数の型を製造し、これらから多数のマイクロレンズアレイを製造することができる。なお、レジストや樹脂の表面を型として使用する場合には、これらの表面に金属薄膜や誘電体薄膜を形成して、表面を硬化させ、型の耐久性を増すこともできる。使用する金属としては、Cu、Al、Ni、Au等が適当であり、使用する誘電体としては、SiNx、SiO、Al、Ta、TiO等が適当である。 Further, by using the UV curable resin 14 ′ as a mold without using it as a microlens array, by repeating the steps of FIGS. A lens array can be manufactured. In addition, when using the surface of a resist or resin as a type | mold, the metal thin film or a dielectric thin film can be formed in these surfaces, the surface can be hardened, and the durability of a type | mold can also be increased. As the metal to be used, Cu, Al, Ni, Au and the like are appropriate, and as the dielectric to be used, SiNx, SiO 2 , Al 2 O 3 , Ta 2 O 5 , TiO 2 and the like are appropriate.

又、図1に示したようにして形成されたマイクロレンズ、又はこれにソルベントベーパ処理を施して形成されたマイクロレンズに電鋳を行ってレプリカを製造し、これを型として使用して樹脂を成形し、複数の、樹脂からなるマイクロレンズアレイを製造することもできる。   Also, a microlens formed as shown in FIG. 1 or a microlens formed by subjecting it to a solvent vapor treatment is electroformed to produce a replica, and this is used as a mold to form a resin. A plurality of microlens arrays made of resin can be produced by molding.

この例を図4に示す。図4においては、図4(c)に示されるように、基板11の上にマイクロレンズアレイの形状が形成されたレジスト12を有するものを型として用いる(a)。このレジスト12の上に無電解メッキ、又は蒸着、スパッタによる成膜により、Ni層15をめっきし、それを電極としてNi電鋳を行って、Ni製のレプリカ16を製造する。そして、このレプリカ16を型として、図3(c)〜(e)に示したように、この型と透明な定盤との間に、ディスペンサ等を使用して紫外線硬化型樹脂を注入して押圧した後、定盤を介して紫外線を照射することにより紫外線硬化樹脂を硬化させ、その後、型と定盤から、硬化した紫外線硬化樹脂を剥離することにより、樹脂製のマイクロレンズアレイを製造することができる。   An example of this is shown in FIG. In FIG. 4, as shown in FIG. 4C, a mold having a resist 12 in which the shape of a microlens array is formed on a substrate 11 is used as a mold (a). The Ni layer 15 is plated on the resist 12 by electroless plating, vapor deposition, or sputtering, and Ni electroforming is performed using the Ni layer 15 as an electrode to manufacture a Ni replica 16. Then, using this replica 16 as a mold, as shown in FIGS. 3C to 3E, an ultraviolet curable resin is injected between the mold and a transparent surface plate using a dispenser or the like. After pressing, the ultraviolet curable resin is cured by irradiating ultraviolet rays through a surface plate, and then the cured ultraviolet curable resin is peeled off from the mold and the surface plate to produce a resin microlens array. be able to.

なお、上述の型は、マイクロレンズアレイの形状が形成されたレジスト12を型の原盤としているが、この他に、レジスト12の形状を基板11に転写し、マイクロレンズアレイの形状が形成された基板11を、型の原盤としてもよい。この基板11を型の原盤とすることで、長寿命の原盤が得られる。   The above-described mold uses the resist 12 on which the microlens array shape is formed as a master of the mold, but in addition to this, the shape of the resist 12 is transferred to the substrate 11 to form the microlens array shape. The substrate 11 may be a mold master. By using this substrate 11 as a master of a mold, a master with a long life can be obtained.

レンズ径380μm(有効径340μm)、SAG量1μmのレジスト製マイクロレンズ(アレイ)を製作した。ポジ型レジストを用い、回転数1800rpmでレジスト厚が2μmとなるように塗布した。これを90℃で15分間プリベーク後、12枚の単純円環パターンバイナリーマスク(図1の5a〜5fに相当。図1では5枚であるが、この実施例では、分割数を多くし12枚としている)を用いてi線ステッパーを用いて、順次露光した。1枚目のマスク(円環の直径が最も小さいものから順番を付けて表示する)での露光時間は20msec、2枚目のマスクでの露光時間は40msec、i枚目のマスクの露光時間は(20*i)msecとした。   A resist microlens (array) having a lens diameter of 380 μm (effective diameter of 340 μm) and a SAG amount of 1 μm was manufactured. Using a positive resist, coating was performed at a rotation speed of 1800 rpm so that the resist thickness was 2 μm. After prebaking at 90 ° C. for 15 minutes, 12 simple circular pattern binary masks (corresponding to 5a to 5f in FIG. 1 are 5 in FIG. 1, but in this embodiment, the number of divisions is increased to 12 And then using an i-line stepper. The exposure time for the first mask (displayed in order from the smallest ring diameter) is 20 msec, the exposure time for the second mask is 40 msec, and the exposure time for the i-th mask is (20 * i) msec.

その結果得られたレジスト形状の、目標形状との誤差を図5に示す(比較例)。   The error of the resist shape obtained as a result is shown in FIG. 5 (comparative example).

一方、現像を行わず、その後、露光時間31msec、56msec、81msecで3種類の全面均一露光を行った後、現像した結果得られたレジスト形状の、目標形状との誤差を、それぞれ、図6、図7、図8に示す。いずれの場合も、マイクロレンズの形状は触針形状測定機で測定した。   On the other hand, after developing, after performing three types of whole surface uniform exposure with exposure times of 31 msec, 56 msec, and 81 msec, the difference between the resist shape obtained as a result of development and the target shape is shown in FIG. It shows in FIG. 7, FIG. In any case, the shape of the microlens was measured with a stylus shape measuring machine.

これらの結果、全面均一露光時間が長くなるにつれ、形状誤差が小さくなり、特に周縁部に見られる凹凸の凸部が小さくなっていることが分かる。これは、全面均一露光の結果、段差に起因する形状誤差が小さくなったためと推定される。   As a result, it can be seen that as the uniform exposure time for the entire surface becomes longer, the shape error becomes smaller, and in particular, the uneven protrusions seen in the peripheral edge portion become smaller. This is presumably because the shape error due to the level difference is reduced as a result of the uniform exposure on the entire surface.

フォトレジスト球面マイクロレンズを製造する場合の実施の形態の例を示す図である。It is a figure which shows the example of embodiment in the case of manufacturing a photoresist spherical surface microlens. ソルベントベーパ法により、レジストの表面をなだらかにする方法の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the method of smoothing the surface of a resist by the solvent vapor method. 型を製造し、この型を用いて樹脂製のマイクロレンズを製造する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of manufacturing a type | mold and manufacturing resin-made microlenses using this type | mold. レプリカを製造し、これを型として使用して樹脂を成形し、複数の、樹脂からなるマイクロレンズアレイを製造する方法を示す図である。It is a figure which shows the method of manufacturing a replica and shape | molding resin using this as a type | mold, and manufacturing the several microlens array which consists of resin. 全面均一露光を行わなかった場合のレジスト形状誤差を示す図である。It is a figure which shows the resist shape error at the time of not performing whole surface uniform exposure. 露光時間31msecの全面均一露光を行った場合の、レジスト形状誤差を示す図である。It is a figure which shows a resist shape error at the time of performing the whole surface uniform exposure of the exposure time of 31 msec. 露光時間56msecの全面均一露光を行った場合の、レジスト形状誤差を示す図である。It is a figure which shows a resist shape error at the time of performing the whole surface uniform exposure of exposure time 56msec. 露光時間81msecの全面均一露光を行った場合の、レジスト形状誤差を示す図である。It is a figure which shows a resist shape error at the time of performing the whole surface uniform exposure of exposure time 81msec. 従来のマイクロレンズの製造方法の例を示す図である。It is a figure which shows the example of the manufacturing method of the conventional microlens.

符号の説明Explanation of symbols

1…基板、2…曲面、3…面形状、4…レジスト、5a〜5f…マスク、5g…全面露光用マスク、6…基板、7…レジスト、8…シャーレ、9…溶剤、10…溶剤蒸気、11…基板、12…レジスト、13…定盤、14…紫外線硬化型樹脂、15…Ni層、16…レプリカ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Substrate, 2 ... Curved surface, 3 ... Surface shape, 4 ... Resist, 5a-5f ... Mask, 5g ... Mask for whole surface exposure, 6 ... Substrate, 7 ... Resist, 8 ... Petri dish, 9 ... Solvent, 10 ... Solvent vapor , 11 ... substrate, 12 ... resist, 13 ... surface plate, 14 ... ultraviolet curable resin, 15 ... Ni layer, 16 ... replica

Claims (5)

凹形状、凸形状、又は凹凸形状を近似した階段状のパターンから形成されるマイクロレンズの製作方法であって、基板上にレジストを塗布し、前記階段状のパターンで同じ高さとなる領域を、それぞれ1枚ずつのマスクを使用して露光し、これらのマスクを使用した露光が終わった後で、全露光領域に対して等しい露光量で一括露光を行い、その後レジストを現像する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 A method of manufacturing a microlens formed from a stepped pattern that approximates a concave shape, a convex shape, or a concave-convex shape, a resist is applied on a substrate, and a region having the same height in the stepped pattern, Each of the masks is exposed using one mask, and after the exposure using these masks is completed, the entire exposure area is subjected to batch exposure with an equal exposure amount, and then the resist is developed. A method of manufacturing a microlens. 請求項1に記載のマイクロレンズの製造方法であって、前記レジストを現像した後、前記レジストと前記基板を同時にエッチングすることにより前記レジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を前記基板に転写する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 The method for manufacturing a microlens according to claim 1, wherein after developing the resist, the resist and the substrate are simultaneously etched to remove the resist, and the shape formed in the resist is changed to the substrate. A method for producing a microlens, comprising a step of transferring to a microlens. レンズの形状を凹形状、凸形状、又は凹凸形状を近似した階段状のパターンに近似し、請求項1に記載の方法により、前記階段状の形状のレジストを有するマイクロレンズを製造し、その後、前記レジストを溶解する溶剤の蒸気の雰囲気中に曝露することにより、前記階段状の部分を滑らかにする工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 The shape of the lens is approximated to a concave shape, a convex shape, or a stepped pattern that approximates a concave and convex shape, and the method according to claim 1 is used to manufacture a microlens having the stepped shape resist, A method of manufacturing a microlens comprising the step of smoothing the stepped portion by exposing the resist to an atmosphere of a solvent vapor that dissolves the resist. 請求項3に記載のマイクロレンズの製造方法であって、前記レジストの階段状の部分を滑らかにした後、前記レジストと前記基板を同時にエッチングすることにより前記レジストを除去し、前記レジストに形成されていた形状を前記基板に転写する工程を有することを特徴とするマイクロレンズの製造方法。 4. The method of manufacturing a microlens according to claim 3, wherein after the stepped portion of the resist is smoothed, the resist and the substrate are simultaneously etched to remove the resist, and the resist is formed on the resist. A method of manufacturing a microlens, comprising a step of transferring a shape which has been transferred to the substrate. 請求項1から請求項4に記載のマイクロレンズを、マイクロレンズ製造用型に代えたマイクロレンズ用型の製造方法。 A microlens mold manufacturing method in which the microlens according to claim 1 is replaced with a microlens manufacturing mold.
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