JP2006252712A - Optical information recording medium and its manufacturing method - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an optical recording medium which records and reproduces high-density information, which exceeds the resolution limit of light, and increases a recording density by reducing a track pitch, and also to provide its manufacturing method. <P>SOLUTION: (1) The optical information recording medium has laminated composition comprising: a structure body, a first deformation material layer which absorbs light and generates heat to deform; and a second deforming material layer which transmits light and is deformed by heat. In the shape of the section of the recording medium in the vertical direction to recording tracks of unrecorded state, the end part of the structure body is vertical or reversely tapered, and the film thickness of the first deforming material layer decreases at the end part of the structure body. (2) In the shape of the section of the optical information recording medium in the parallel direction to the recording tracks, to which information has been recorded, the film thickness of the first deformation material layer changes according to recording information to make a recording mark center thicker than a recording mark end part, and the second deforming material layer is deformed according to a concave and convex corresponding to the recording information which both are formed on the first deformation material layer, and the first deformation material layer changes from a solid state to a melted state when the information is reproduced. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は光によって情報を記録再生する光記録媒体とその製造方法に関する。特に狭トラックピッチで情報を記録し、光の解像限界を超えた高密度記録情報を再生する技術に関する。ここで光の解像限界とは、光の波長をλ、対物レンズの開口数をNAとするとλ/2NAで表される記録トラック方向における記録マークの周期を指す。   The present invention relates to an optical recording medium for recording / reproducing information by light and a manufacturing method thereof. In particular, the present invention relates to a technique for recording information at a narrow track pitch and reproducing high-density recorded information exceeding the resolution limit of light. Here, the light resolution limit refers to the period of the recording mark in the recording track direction represented by λ / 2NA where λ is the wavelength of the light and NA is the numerical aperture of the objective lens.

記録型の光記録媒体では、クロスライト、クロスイレースを抑制するためにトラックピッチにマージンを設ける。例えば、レーザビームの波長が405nm、対物レンズの開口数NAが0.85の光学ピックアップの場合、トラックピッチは320nm以上に設定されている。トラックピッチとはディスク状媒体の半径方向における記録トラックの周期をいう。
特許文献1〜4には、クロスライト、クロスイレースの抑制を目的とした媒体構造が開示されている。即ち、特許文献1〜2には、トラック間の熱伝導を防ぐために記録材料を溝に埋め込んだ媒体構造が開示されている。特許文献3には、トラック間の熱伝導を防ぐために、フォトリソグラフィーによって記録材料を加工した媒体構造が開示されている。特許文献4には、トラック間の熱伝導を防ぐためにランドの端部に突起部を設けた媒体構造が開示されている。
In the recording type optical recording medium, a margin is provided in the track pitch in order to suppress cross write and cross erase. For example, in the case of an optical pickup in which the wavelength of the laser beam is 405 nm and the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85, the track pitch is set to 320 nm or more. The track pitch refers to the period of the recording track in the radial direction of the disc-shaped medium.
Patent Documents 1 to 4 disclose medium structures for the purpose of suppressing cross light and cross erase. That is, Patent Documents 1 and 2 disclose a medium structure in which a recording material is embedded in a groove in order to prevent heat conduction between tracks. Patent Document 3 discloses a medium structure in which a recording material is processed by photolithography in order to prevent heat conduction between tracks. Patent Document 4 discloses a medium structure in which a protrusion is provided at an end of a land in order to prevent heat conduction between tracks.

また、光の解像限界を超えた記録マークを再生する技術として、媒体の超解像技術が知られている。超解像材料層を設けて、微小マーク又は微小ピットを再生する技術である。
超解像材料層には、相変化材料が用いられることが多い。特許文献5には、位相ピット上に相変化材料層を積層し、再生レーザビームスポット内の一部の相変化材料層を液相化させ、解像限界に当る位相ピットを再生する方法が開示されている。特許文献6には、Ge−Te合金からなるマスク層を設け、マスク層に光透過率が増加した再生用窓を形成し、記録マークを再生する方法が開示されている。特許文献7には、Ge、Sb、Teの3元素を主成分とした光シャッタ層を設け、再生レーザビームスポット内一部の光シャッタ層を溶融状態として記録マークを再生する方法が開示されている。特許文献8には、Sbからなるマスク層を設け、マスク層側から再生レーザビームを照射し、マスク層に光学的開口を形成して記録マークを再生する方法が開示されている。
また、特許文献9には、光記録媒体の導電体材料をライン形状に加工した媒体構造が開示されている。
一方、本発明のような変形モードの記録マークを形成して記録再生を行う光情報記録媒体は多数知られているが、本発明のように、光の解像限界を超えた高密度情報の記録再生を目的として記録形態や層構成を工夫した文献は本発明者らの知る限り見当らない。
Also, a medium super-resolution technique is known as a technique for reproducing a recording mark exceeding the optical resolution limit. In this technique, a super-resolution material layer is provided to reproduce a minute mark or minute pit.
A phase change material is often used for the super-resolution material layer. Patent Document 5 discloses a method of regenerating a phase pit that reaches the resolution limit by laminating a phase change material layer on the phase pit, liquidating a part of the phase change material layer in the reproduction laser beam spot. Has been. Patent Document 6 discloses a method of reproducing a recording mark by providing a mask layer made of a Ge—Te alloy, forming a reproduction window with increased light transmittance on the mask layer. Patent Document 7 discloses a method for reproducing a recording mark by providing an optical shutter layer mainly composed of three elements of Ge, Sb, and Te and partially melting the optical shutter layer in the reproduction laser beam spot. Yes. Patent Document 8 discloses a method of reproducing a recording mark by providing a mask layer made of Sb and irradiating a reproduction laser beam from the mask layer side to form an optical opening in the mask layer.
Patent Document 9 discloses a medium structure obtained by processing a conductor material of an optical recording medium into a line shape.
On the other hand, there are many known optical information recording media that perform recording and reproduction by forming a recording mark in a deformation mode as in the present invention. However, as in the present invention, high-density information exceeding the resolution limit of light can be obtained. As far as the present inventors know, there are no documents that devise recording forms or layer structures for the purpose of recording and reproduction.

特開2000−276770号公報JP 2000-276770 A 特開2001−236689号公報Japanese Patent Laid-Open No. 2001-236589 特開2001−266405号公報JP 2001-266405 A 特開2004−039106号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-039106 特許第3361079号公報Japanese Patent No. 3310791 特許第3602589号公報Japanese Patent No. 3602589 特開平8−306073号公報JP-A-8-306073 特開2000−229479号公報JP 2000-229479 A 特開2003―228880号公報JP 2003-228880 A

前述したように、クロスライト、クロスイレースを抑制して記録トラックピッチを縮小する媒体は公知である。しかしながら、何れの媒体構造もクロスライト、クロスイレースを完全に防止することは困難であり、トラックピッチを大幅に縮小することはできない。また、フォトリソグラフィーによる加工を必要とする構成のため、プロセスコストが高騰し媒体の低価格化は困難である。
また、光の解像限界を超えた記録マークを再生する技術として、媒体の超解像技術も公知である。しかし、公知文献で、マスク層、再生用窓、光シャッタ層、光学的開口などの表現が用いられていることからも分るように、従来の超解像再生方法では、再生レーザビームスポット内の一部分において超解像材料の光学特性を変え、実効的なレーザビームスポット径を縮小し、微小マーク又は微小ピットを再生している。再生レーザビームスポット内の一部分において超解像材料の光学特性を変える方法としては、超解像材料に相変化材料を用い、再生レーザビームスポット内の一部分の相変化材料を溶融状態にして光学的開口を形成する方法が用いられている。
As described above, a medium for reducing the recording track pitch by suppressing cross light and cross erase is known. However, it is difficult to completely prevent cross-write and cross-erase in any medium structure, and the track pitch cannot be greatly reduced. In addition, because of the configuration that requires processing by photolithography, the process cost increases and it is difficult to reduce the cost of the medium.
A medium super-resolution technique is also known as a technique for reproducing a recording mark exceeding the optical resolution limit. However, as can be seen from the well-known literature using expressions such as a mask layer, a playback window, an optical shutter layer, and an optical aperture, the conventional super-resolution playback method uses the inside of the playback laser beam spot. The optical characteristics of the super-resolution material are changed in a part of the image, the effective laser beam spot diameter is reduced, and minute marks or minute pits are reproduced. As a method of changing the optical characteristics of the super-resolution material in a part of the reproduction laser beam spot, a phase-change material is used as the super-resolution material, and the phase-change material in a part of the reproduction laser beam spot is melted and optically changed. A method of forming an opening is used.

図1に従来の光情報記録媒体構成の概要を示す。
図1(a)は光情報記録媒体の、記録トラックに対して垂直方向の断面図である。
101は支持基板、102は記録材料層、103は超解像材料層、104の矢印は記録トラックを示し、105はトラックピッチを示す。支持基板101の表面には、レーザビームスポットのトラッキング用の緩やかな凹凸がある。各層は凹凸にならった状態で積層されている。情報を記録する際には、レーザ照射によって記録層102を発熱させる。発熱により、ある温度以上になった部分に記録マークが形成される。熱は半径方向に拡がるため、記録マークも半径方向に拡がる。半径方向に隣接する記録マークの重なり(クロスライト)を避けるため、トラックピッチ105は十分に拡げる。
FIG. 1 shows an outline of the configuration of a conventional optical information recording medium.
FIG. 1A is a cross-sectional view of the optical information recording medium in a direction perpendicular to the recording track.
Reference numeral 101 denotes a support substrate, 102 denotes a recording material layer, 103 denotes a super-resolution material layer, 104 arrows denote recording tracks, and 105 denotes a track pitch. The surface of the support substrate 101 has gentle irregularities for tracking a laser beam spot. Each layer is laminated in an uneven state. When recording information, the recording layer 102 is heated by laser irradiation. A recording mark is formed in a portion where the temperature is higher than a certain temperature due to heat generation. Since heat spreads in the radial direction, the recording mark also spreads in the radial direction. In order to avoid the overlap (cross-write) of recording marks adjacent in the radial direction, the track pitch 105 is sufficiently widened.

図1(b)は記録トラックに対して平行方向の断面図である。図1(a)のX−X断面に当り、超解像再生状態を示している。101は支持基板、102は記録材料層、103は超解像材料層、106は記録マーク、107は超解像材料層に形成される光学的開口、108はレーザビーム、109の矢印はレーザビームスポット径を示し、110はレーザビームの移動方向を示す。図示のように、従来の超解像再生方法では、レーザビームスポット径内の一部の超解像材料層に光学的開口を形成し、微小マークを再生している。したがって、レーザビームスポット径内で光学的開口以外の部分は超解像材料層で遮光された状態になっている。レーザビーム108から見て記録層102は超解像材料層103の奥側に位置する。
この構造では、レーザビームスポットが超解像材料層で遮光された状態になり、記録層102に到達する光量が減少し、信号強度は低下する。しかし、記録密度が上がり記録マーク106が小さくなると、それに応じて光学的開口107も小さくしなければならない。その結果、レーザビームスポット径のかなりの部分が超解像材料で遮光されることになり、信号強度は益々低下し、検出できなくなる。
FIG. 1B is a cross-sectional view in the direction parallel to the recording track. It corresponds to the XX cross section of FIG. 1A and shows a super-resolution reproduction state. Reference numeral 101 denotes a support substrate, 102 denotes a recording material layer, 103 denotes a super-resolution material layer, 106 denotes a recording mark, 107 denotes an optical aperture formed in the super-resolution material layer, 108 denotes a laser beam, and 109 arrow denotes a laser beam A spot diameter is indicated, and 110 indicates a moving direction of the laser beam. As shown in the figure, in the conventional super-resolution reproduction method, an optical aperture is formed in a part of the super-resolution material layer within the laser beam spot diameter to reproduce a minute mark. Therefore, the portion other than the optical aperture within the laser beam spot diameter is shielded from light by the super-resolution material layer. The recording layer 102 is located on the back side of the super-resolution material layer 103 when viewed from the laser beam 108.
In this structure, the laser beam spot is shielded by the super-resolution material layer, the amount of light reaching the recording layer 102 is reduced, and the signal intensity is reduced. However, as the recording density increases and the recording mark 106 becomes smaller, the optical aperture 107 must be made smaller accordingly. As a result, a considerable portion of the laser beam spot diameter is shielded from light by the super-resolution material, and the signal intensity is further reduced and cannot be detected.

本発明は、このような従来の超解像再生の問題を解決するためになされたものであり、超解像材料層に光学的開口を形成する方法によらず、光の解像限界を超えた高密度情報を記録再生でき、かつトラックピッチを縮小して記録密度を上げることができる光記録媒体とその製造方法の提供を目的とする。
記録型の光記録媒体では、記録の際に照射される光は媒体面上で吸収され熱に変わる。そして所定温度以上に昇温した部分が記録マークになる。従って、クロスライトを抑制するためには熱の拡がりを制限する必要がある。本発明では、簡単な構成で熱の拡がりを制限して確実にクロスライトを抑制し、トラックピッチを従来の媒体よりも大幅に縮小することを目的とする。
The present invention has been made to solve such a problem of conventional super-resolution reproduction, and exceeds the resolution limit of light regardless of the method of forming an optical aperture in the super-resolution material layer. An object of the present invention is to provide an optical recording medium capable of recording and reproducing high-density information and increasing the recording density by reducing the track pitch, and a method for manufacturing the same.
In a recording-type optical recording medium, light irradiated during recording is absorbed on the medium surface and converted to heat. A portion where the temperature is raised above a predetermined temperature becomes a recording mark. Therefore, it is necessary to limit the spread of heat in order to suppress cross light. It is an object of the present invention to limit the spread of heat with a simple structure to reliably suppress cross light, and to greatly reduce the track pitch compared to a conventional medium.

上記課題は次の1)〜8)の発明(以下、本発明1〜8という)によって解決される。
1) 少なくとも、構造体と、光を吸収して発熱し変形する第1変形材料層と、光を透過し熱によって変形する第2変形材料層の積層構成を有し、未記録状態での、記録トラックに対して垂直方向の断面形状は、構造体の端部が垂直又は逆テーパー形状であり、第1変形材料層は構造体の端部において膜厚が減少していることを特徴とする光情報記録媒体。
2) 情報を記録した後の、記録トラックに対して平行方向の断面形状は、記録情報に応じて第1変形材料層の膜厚が変化し記録マーク中心が記録マーク端部よりも厚くなり、第2変形材料層は、第1変形材料層に形成された記録情報に対応する凹凸にならって変形し、情報の再生時には第1変形材料層が固相状態から溶融状態に変化することを特徴とする1)記載の光情報記録媒体。(ここで、記録マークとは、第1変形材料層と第2変形材料層の変形部分を指す。)
3) 第1変形材料層が、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含有することを特徴とする1)又は2)記載の光情報記録媒体。
4) 第2変形材料層が、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有することを特徴とする1)〜3)の何れかに記載の光情報記録媒体。
5) 支持基板上に、光を吸収して発熱する発熱材料層と構造体の積層構成を有し、該構造体が少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有することを特徴とする1)〜4)の何れかに記載の光情報記録媒体。
6) 記録トラックに対して垂直方向の断面形状において、支持基板表面に凹凸が存在し、構造体が該凹部上及び凸部上に存在することを特徴とする5)記載の光情報記録媒体。
7) 構造体が、記録トラック方向に連続した線形状であり、その線幅が記録トラックピッチの0.7〜0.95倍の範囲にあることを特徴とする1)〜6)の何れかに記載の光情報記録媒体。
8) 支持基板、発熱材料層、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する薄膜からなる積層構成を少なくとも有する媒体に対してレーザ光を照射する工程、該媒体をフッ化水素酸(HF)を含む水溶液でエッチングする工程、第1変形材料層及び第2変形材料層を成膜する工程を含むことを特徴とする5)又は6)記載の光情報記録媒体の製造方法。
The above problems are solved by the following inventions 1) to 8) (hereinafter referred to as the present inventions 1 to 8).
1) At least a structure, a first deformable material layer that absorbs light and generates heat and deforms, and a second deformable material layer that transmits light and deforms by heat, and in a non-recorded state, The cross-sectional shape perpendicular to the recording track is characterized in that the end of the structure is perpendicular or inversely tapered, and the thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure. Optical information recording medium.
2) After recording information, the cross-sectional shape in the direction parallel to the recording track is such that the thickness of the first deformable material layer changes according to the recording information, and the center of the recording mark is thicker than the end of the recording mark, The second deformable material layer is deformed according to the unevenness corresponding to the recording information formed in the first deformable material layer, and the first deformable material layer changes from a solid phase state to a molten state at the time of reproducing information. 1) The optical information recording medium according to 1). (Here, the recording mark refers to a deformed portion of the first deformable material layer and the second deformable material layer.)
3) The optical information recording medium according to 1) or 2), wherein the first deformable material layer contains at least antimony (Sb) and tellurium (Te).
4) The optical information according to any one of 1) to 3), wherein the second deformable material layer contains at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less). recoding media.
5) On a support substrate, it has a laminated structure of a heat generating material layer that absorbs light and generates heat and a structure, and the structure has at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less) 1) The optical information recording medium according to any one of 1) to 4).
6) The optical information recording medium according to 5), wherein in the cross-sectional shape perpendicular to the recording track, there are irregularities on the surface of the support substrate, and the structures are present on the concave portions and the convex portions.
7) Any one of 1) to 6), wherein the structure has a linear shape continuous in the recording track direction, and the line width is in a range of 0.7 to 0.95 times the recording track pitch. An optical information recording medium described in 1.
8) A step of irradiating a support substrate, a heat generating material layer, and a medium having at least a laminated structure composed of a thin film containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx, where x is 2 or less) with laser light. The light according to 5) or 6), comprising: a step of etching the medium with an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF); and a step of forming a first deformable material layer and a second deformable material layer. A method for manufacturing an information recording medium.

本発明者らは先に、光の解像限界を超えた高密度情報を記録再生できる光情報記録媒体に係る発明について出願した(特願2005−44664号)。本発明は、先願発明に対し更に構造体を加えた点に特徴がある。これにより、簡単な構成で熱の拡がりを制限して確実にクロスライトを抑制し、トラックピッチを従来の媒体よりも大幅に縮小することが可能となる。
本発明1の光情報記録媒体は、少なくとも、構造体と、光を吸収して発熱し変形する第1変形材料層と、光を透過して熱によって変形する第2変形材料層の積層構成を有する。未記録状態での、記録トラックに対して垂直方向の断面形状は、構造体の端部が垂直又は逆テーパー形状であり、第1変形材料層は構造体の端部において膜厚が減少した状態になっている。第2変形材料層は、構造体及び第1変形材料層にならって積層されており、通常は半円形状である。
また、本発明2は、本発明1の光情報記録媒体において、情報を記録した後の状態を規定したものであり、記録トラックに対して平行方向の断面形状は、記録情報に応じて第1変形材料層の膜厚が変化し、記録マーク中心が記録マーク端部よりも厚くなり、第2変形材料層は、第1変形材料層に形成された記録情報に対応する凹凸にならって変形している。ここで、記録マークとは、第1変形材料層と第2変形材料層の変形部分を指す。
The present inventors have previously filed an application relating to an optical information recording medium capable of recording / reproducing high-density information exceeding the resolution limit of light (Japanese Patent Application No. 2005-44664). The present invention is characterized in that a structure is further added to the prior invention. As a result, it is possible to restrict the spread of heat with a simple configuration and to reliably suppress cross light, and to significantly reduce the track pitch as compared with a conventional medium.
The optical information recording medium of the first aspect of the present invention has a laminated structure of at least a structure, a first deformable material layer that absorbs light and generates heat and deforms, and a second deformable material layer that transmits light and deforms by heat. Have. In the unrecorded state, the cross-sectional shape in the direction perpendicular to the recording track is such that the end of the structure is vertical or inversely tapered, and the thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure. It has become. The second deformable material layer is laminated following the structure and the first deformable material layer, and usually has a semicircular shape.
The present invention 2 defines the state after information is recorded in the optical information recording medium of the present invention 1, and the cross-sectional shape in the direction parallel to the recording track is the first in accordance with the recorded information. The thickness of the deformable material layer changes, the center of the recording mark becomes thicker than the end of the record mark, and the second deformable material layer deforms according to the unevenness corresponding to the recording information formed in the first deformable material layer. ing. Here, the recording mark refers to a deformed portion of the first deformable material layer and the second deformable material layer.

本発明3は、第1変形材料層の好ましい材料を規定したものである。即ち、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含有し、SbとTeの組成比(Sb/Te比)が、1.5〜4の範囲にある材料を用いる。テルル(Te)は、テルル酸化物(TeOx)の状態であっても構わない。これによって再生信号の信号品質の向上を図ることができる。
本発明4は、第2変形材料層の好ましい材料を規定したものである。即ち、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する材料を用いる。これによって、低い光強度で情報を記録再生することが可能となる。
The present invention 3 defines a preferable material for the first deformable material layer. That is, a material containing at least antimony (Sb) and tellurium (Te) and having a composition ratio of Sb and Te (Sb / Te ratio) in the range of 1.5 to 4 is used. Tellurium (Te) may be in the state of tellurium oxide (TeOx). As a result, the signal quality of the reproduction signal can be improved.
The present invention 4 defines a preferable material for the second deformable material layer. That is, a material containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less) is used. As a result, information can be recorded and reproduced with low light intensity.

本発明5では、支持基板上に、光を吸収して発熱する発熱材料層と構造体を積層し、該構造体には少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有させる。これにより簡単な製造プロセスで媒体を形成することが可能となる。
本発明6では、本発明5の要件に加え、記録トラックに対して垂直方向の断面形状において、支持基板表面に凹凸が存在するようにし、構造体を該凹部上及び凸部上に設ける。これにより、簡単な製造プロセスで媒体を形成すると共に、記録再生におけるレーザビームスポットのトラッキングの安定化を図ることができる。
本発明7では、記録トラック方向において連続した線形状で、線幅が記録トラックピッチの0.7〜0.95倍の範囲にある構造体を用いる。これにより、再生信号の強度を上げることができる。
本発明8は、本発明5〜6の光情報記録媒体の製造方法であり、これにより簡単なプロセスで、本発明5〜6の光情報記録媒体を製造することが可能となる。
In the fifth aspect of the present invention, a heat generating material layer that absorbs light to generate heat and a structure are stacked on a supporting substrate, and at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2) The following): This makes it possible to form a medium with a simple manufacturing process.
In the sixth aspect of the present invention, in addition to the requirements of the fifth aspect of the present invention, in the cross-sectional shape in the direction perpendicular to the recording track, the support substrate surface is uneven, and the structure is provided on the concave portion and the convex portion. As a result, the medium can be formed by a simple manufacturing process, and the tracking of the laser beam spot in recording and reproduction can be stabilized.
In the present invention 7, a structure having a continuous line shape in the recording track direction and having a line width in the range of 0.7 to 0.95 times the recording track pitch is used. Thereby, the strength of the reproduction signal can be increased.
The present invention 8 is the method for producing the optical information recording medium of the present invention 5-6, and by this, the optical information recording medium of the present invention 5-6 can be produced by a simple process.

次に、本発明1〜4の実施形態について説明する。
本発明の光情報記録媒体の一例を図2に示す。図2は未記録状態での、記録トラックに対して垂直方向の断面図である。201は支持基板、202は構造体、203は第1変形材料層、204は第2変形材料層を示す。
201の支持基板には、ガラス、石英などを用いることができる。また、Si、SOI(シリコンオンインシュレーター)などの半導体製造用の基板、Al、不透明ガラス基板などのHDD(ハードディスク)用の基板、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステル、ペットなどの樹脂基板も用いることができる。
202の構造体は、その形状に特徴を有する。記録トラックに対して垂直方向における断面形状において、構造体端部は垂直又は逆テーパー形状になっている。材料としては、熱可塑性樹脂や光硬化性樹脂などの有機材料、ZnS・SiOなどの無機材料を用いることができるが、構造体端部が垂直又は逆テーパー形状にできれば、どのような材料を用いても構わない。
203の第1変形材料層には、情報を記録する光の波長において光を吸収して発熱し、発熱することで溶融し変形する材料を用いる。材質としては、Bi、In、Sn、Sbなどの低融点金属を用いることができる。また、BiTe、BiIn、GaSb、InP、InSb、InTe、SbSnなどの低融点金属を含む金属間化合物材料を用いることができる。
Next, embodiments of the present invention 1 to 4 will be described.
An example of the optical information recording medium of the present invention is shown in FIG. FIG. 2 is a cross-sectional view perpendicular to the recording track in an unrecorded state. Reference numeral 201 denotes a support substrate, 202 denotes a structure, 203 denotes a first deformable material layer, and 204 denotes a second deformable material layer.
For the support substrate 201, glass, quartz, or the like can be used. Also, substrates for semiconductor manufacturing such as Si and SOI (silicon on insulator), HDD (hard disk) substrates such as Al and opaque glass substrates, and resin substrates such as polycarbonate, acrylic, polyolefin, epoxy, vinyl ester and pet Can be used.
The structure 202 has a feature in its shape. In the cross-sectional shape in the direction perpendicular to the recording track, the end of the structure has a vertical or reverse taper shape. As a material, an organic material such as a thermoplastic resin or a photo-curable resin, or an inorganic material such as ZnS / SiO 2 can be used, but any material can be used as long as the end of the structure can be formed into a vertical or reverse tapered shape. You may use.
The first deformable material layer 203 uses a material that absorbs light at the wavelength of light for recording information and generates heat, and melts and deforms by generating heat. As a material, a low melting point metal such as Bi, In, Sn, or Sb can be used. Alternatively, an intermetallic compound material containing a low melting point metal such as BiTe, BiIn, GaSb, InP, InSb, InTe, or SbSn can be used.

第1変形材料層として好ましいのは、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含有する材料である。SbTeの2元系材料を用いることができ、SbとTe以外の元素を含んでも構わない。GeSbTeなどの3元系材料、AgInSbTeなどの4元系材料を用いることもできる。更に好ましいのは、SbとTeの組成比(Sb/Te比)が、1.5〜4の範囲にある材料である。この範囲にあるSbTe系化合物は、δ相と呼ばれる晶系に属する。δ相組成のSbTe系化合物は、温度を上げた場合に相分離や相転移が起こらずに溶融状態になる。本発明の光情報記録媒体では、第1変形材料層の固相状態と溶融状態間での変化を利用して再生信号を検出する。固相状態と溶融状態間での変化の過程において相分離や相転移が起こると、複数の信号レベルが発生し信号品質が低下したり、信号レベルの判定が困難になったりする。これに対し、単純に固相状態と溶融状態間のみで変化する上記材料を用いることによって、高品質な再生信号が得られる。
第1変形材料層は、構造体の端部において、その膜厚が減少している。構造体は、端部が垂直又は逆テーパー形状になっている。構造体上に積層される第1変形材料層は、垂直又は逆テーパー形状部分において、被覆性能(ステップカバレージ)が低下する。このステップカバレージの低下を利用して、構造体の端部において第1変形材料層の膜厚を減少させる。
A material that contains at least antimony (Sb) and tellurium (Te) is preferable as the first deformable material layer. A binary material of SbTe can be used, and elements other than Sb and Te may be included. A ternary material such as GeSbTe or a quaternary material such as AgInSbTe can also be used. More preferred is a material having a composition ratio of Sb and Te (Sb / Te ratio) in the range of 1.5 to 4. SbTe compounds in this range belong to a crystal system called δ phase. The SbTe-based compound having a δ phase composition enters a molten state without causing phase separation or phase transition when the temperature is increased. In the optical information recording medium of the present invention, the reproduction signal is detected by utilizing the change between the solid state and the molten state of the first deformable material layer. If phase separation or phase transition occurs in the process of change between the solid state and the molten state, a plurality of signal levels are generated, the signal quality is lowered, and it is difficult to determine the signal level. On the other hand, a high-quality reproduction signal can be obtained by simply using the material that changes only between the solid phase state and the molten state.
The thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure. The structure has a vertical or reverse tapered end. In the first deformable material layer laminated on the structure, the covering performance (step coverage) is lowered in the vertical or reverse tapered portion. Utilizing this reduction in step coverage, the film thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure.

204の第2変形材料層には、情報を記録する光の波長において光透過率が高い材料を用いる。第2変形材料層が光透過性の高い材料であると、光は下層に位置する第1変形材料層で吸収される。その結果、第2変形材料層の形状変化を第1変形材料層の変形を反映した状態にすることができる。第2変形材料層には、成膜状態において低密度及び/又は柔らかであり、加熱によって緻密化及び/又は硬質化する材料が好ましい。このような材料を第2変形材料層とすることによって、光加熱によって第1変形材料層に形状変化を起こさせ、その形状にならった状態で第2変形材料層の形状を変えるという記録が可能となる。第2変形材料層の融点は、第1変形材料層の融点よりも高いことが望ましい。更に、両層の融点差が大きいことが望ましい。第2変形材料層には融点が1000℃以上の材料を用い、第1変形材料層には融点が100〜700℃程度の材料を用いることが望ましい。このような融点差を設けることによって、記録再生過程における材料の相互拡散が抑制でき、信号品質の劣化を防ぐことができる。   For the second deformable material layer 204, a material having a high light transmittance at the wavelength of light for recording information is used. When the second deformable material layer is a material having high light transmittance, light is absorbed by the first deformable material layer located in the lower layer. As a result, the shape change of the second deformable material layer can be made to reflect the deformation of the first deformable material layer. The second deformable material layer is preferably a material that has a low density and / or softness in a film formation state and becomes dense and / or hardened by heating. By using such a material as the second deformable material layer, it is possible to record that the first deformable material layer is changed in shape by light heating and the shape of the second deformable material layer is changed in accordance with the shape. It becomes. The melting point of the second deformable material layer is preferably higher than the melting point of the first deformable material layer. Furthermore, it is desirable that the difference between the melting points of both layers is large. It is desirable to use a material having a melting point of 1000 ° C. or higher for the second deformable material layer, and use a material having a melting point of about 100 to 700 ° C. for the first deformable material layer. By providing such a melting point difference, mutual diffusion of materials in the recording / reproducing process can be suppressed, and deterioration of signal quality can be prevented.

第2変形材料の例としては、SiO、SiON、SiNなどのシリコン化合物材料、ZnS、CaS、BaSなどの硫化物材料、ZnSe、BaSeなどのセレン化物材料、CaF、BaFなどのフッ素化合物材料、ZnOなどの酸化物材料が挙げられる。
これらの材料の成膜方法としては、スパッタリング法が好ましい。特に、室温でのスパッタリング法が、低密度材料を形成する成膜方法として好ましい。
また、シアニン色素、フタロシアニン色素などの色素材料、ポリカーボネート、アクリル、ポリオレフィン、エポキシ、ビニルエステルなどの樹脂材料を用いることもできる。有機物系材料の場合は、スピンコート法で成膜する。
Examples of the second deformable material include silicon compound materials such as SiO 2 , SiON, and SiN, sulfide materials such as ZnS, CaS, and BaS, selenide materials such as ZnSe and BaSe, and fluorine compounds such as CaF 2 and BaF 2 . Examples thereof include oxide materials such as ZnO.
As a film forming method of these materials, a sputtering method is preferable. In particular, a sputtering method at room temperature is preferable as a film forming method for forming a low-density material.
Further, pigment materials such as cyanine pigments and phthalocyanine pigments, and resin materials such as polycarbonate, acrylic, polyolefin, epoxy, and vinyl ester can also be used. In the case of organic materials, the film is formed by spin coating.

第2変形材料として好ましいのは、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する材料である。ZnSとSiOxは、各々独立した状態で存在していてもよく、ZnSとSiOxを構成する元素が結合した状態で存在していてもよい。また、ZnSとSiOx以外の材料が含まれていても構わない。例えば、ZnSとSiOxを構成する元素による化合物である酸化亜鉛(ZnO)や、酸化亜鉛が硫化された状態のZnOX1−X、雰囲気ガスとの化合物である窒化亜鉛(Zn)、光吸収材料に含まれるSbとZnの化合物(ZnSb)などを含んでいても構わない。
成膜方法としては、スパッタリング法が好ましい。特に、室温でのスパッタリング法が、低密度材料を形成する成膜方法として好ましい。スパッタリングターゲットには、ZnSとSiOの混合体材料を用いる。ZnSとSiOの比率(ZnS/SiO)が1〜20の範囲にある材料、つまり、ZnS:SiO=50:50〜95:5(モル%)の範囲にある材料を用いる。
ZnSとSiOxを含有する材料は、広い波長範囲において高い透過率を有する。SiOxを含有することにより、成膜状態では非常に柔らかく低密度になる。そして記録によって変形し易く加熱によって硬化し易い。また、熱伝導率が非常に小さいので、この材料を第2変形材料層とすることによって記録再生に必要な光強度を低減することができる。更に、この材料は、成膜状態では低密度であることから膜の残留応力が小さく、大面積基板に対しても成膜できる。
Preferred as the second deformable material is a material containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less). ZnS and SiOx may exist in an independent state, or may exist in a state where elements constituting ZnS and SiOx are combined. Further, materials other than ZnS and SiOx may be included. For example, zinc oxide (ZnO) which is a compound of elements constituting ZnS and SiOx, ZnO x S 1-x in which zinc oxide is sulfided, and zinc nitride (Zn 3 N 2 ) which is a compound with an atmospheric gas In addition, a compound of Sb and Zn (ZnSb) included in the light absorbing material may be included.
As a film forming method, a sputtering method is preferable. In particular, a sputtering method at room temperature is preferable as a film forming method for forming a low-density material. For the sputtering target, a mixture material of ZnS and SiO 2 is used. A material having a ratio of ZnS to SiO 2 (ZnS / SiO 2 ) in the range of 1 to 20, that is, a material in the range of ZnS: SiO 2 = 50: 50 to 95: 5 (mol%) is used.
A material containing ZnS and SiOx has a high transmittance in a wide wavelength range. By containing SiOx, it becomes very soft and low density in the film formation state. It is easily deformed by recording and hardened by heating. Further, since the thermal conductivity is very small, the light intensity required for recording / reproduction can be reduced by using this material as the second deformable material layer. Furthermore, since this material has a low density in the film formation state, the residual stress of the film is small and can be formed even on a large area substrate.

図3は、本発明2で規定する情報を記録した後の媒体の、記録トラックに沿った方向の断面図である。
301は構造体、302は第1変形材料層、303は第2変形材料層を示す。304は記録マークの周期であり、図は、最短周期の記録マークを繰り返し記録した状態を示す。305は記録マーク中心、306は記録マーク端部を示す。ここで、記録マークは、第1変形材料層と第2変形材料層の変形部分を指す。307は記録マーク中心の第1変形材料層302の膜厚、308は記録マーク端部の第1変形材料層302の膜厚、309は記録マーク中心の第2変形材料層303の膜厚、310は記録マーク端部の第2変形材料層303の膜厚を示す。記録の形態は変形であり、第1変形材料層の膜厚が変化している。第1変形材料層の膜厚は、記録マーク中心で厚く、記録マーク端部で薄い。第1変形材料層は記録マーク中心が凸状に変形し、記録マーク端部は凹状になっている。記録マーク中心の第1変形材料層の膜厚と、記録マーク端部の第1変形材料層の膜厚の差は5〜50nm程度である。第2変形材料層は、第1変形材料層に形成された凹凸にならった状態で変形している。言い換えると、第2変形材料層は、第1変形材料層に形成された凹凸を被覆する殻(シェル)のような状態になっている。構造体も変形しても構わないが、変形しない方が好ましい。構造体が変形しないことにより、凸状のレンズ形状が形成できる。変形形状がレンズ形状になることで、第2変形材料層による光の集光が起こり、高密度情報を再生する場合に適する媒体形状とすることができる。
FIG. 3 is a cross-sectional view in the direction along the recording track of the medium after recording the information defined in the second aspect of the present invention.
Reference numeral 301 denotes a structure, 302 denotes a first deformable material layer, and 303 denotes a second deformable material layer. Reference numeral 304 denotes a recording mark cycle, and the figure shows a state in which a recording mark having the shortest cycle is repeatedly recorded. Reference numeral 305 denotes a recording mark center, and 306 denotes an end of the recording mark. Here, the recording mark indicates a deformed portion of the first deformable material layer and the second deformable material layer. 307 is the thickness of the first deformable material layer 302 at the center of the recording mark, 308 is the thickness of the first deformable material layer 302 at the end of the recording mark, 309 is the thickness of the second deformable material layer 303 at the center of the recording mark, 310 Indicates the film thickness of the second deformable material layer 303 at the end of the recording mark. The form of recording is deformation, and the film thickness of the first deformable material layer changes. The film thickness of the first deformable material layer is thick at the center of the recording mark and thin at the end of the recording mark. In the first deformable material layer, the center of the recording mark is deformed into a convex shape, and the end portion of the recording mark is concave. The difference between the film thickness of the first deformable material layer at the center of the recording mark and the film thickness of the first deformable material layer at the end of the record mark is about 5 to 50 nm. The second deformable material layer is deformed in a state following the unevenness formed in the first deformable material layer. In other words, the second deformable material layer is in a state like a shell covering the unevenness formed in the first deformable material layer. The structure may be deformed, but it is preferable that the structure is not deformed. Since the structure does not deform, a convex lens shape can be formed. When the deformed shape becomes a lens shape, light is condensed by the second deformable material layer, and a medium shape suitable for reproducing high-density information can be obtained.

図4は、情報を記録した後の媒体の、記録トラックに対して垂直方向の断面図である。図3に示した記録マーク中心305の断面である。
401は構造体、402は第1変形材料層、403は第2変形材料層を示す。404はトラックピッチ、405は記録トラック、406、407は未記録トラックを示す。記録トラックの記録マーク部分と、未記録トラックの違いは、第1変形材料層の膜厚にある。記録マーク部分では、第1変形材料層の膜厚が厚くなっている。第2変形材料層は凸状の第1変形材料層にならって変形した状態になっている。
FIG. 4 is a cross-sectional view of the medium after recording information in a direction perpendicular to the recording track. 4 is a cross section of a recording mark center 305 shown in FIG. 3.
Reference numeral 401 denotes a structure, 402 denotes a first deformable material layer, and 403 denotes a second deformable material layer. Reference numeral 404 denotes a track pitch, 405 denotes a recording track, and 406 and 407 denote unrecorded tracks. The difference between the recording mark portion of the recording track and the unrecorded track is the film thickness of the first deformable material layer. In the recording mark portion, the film thickness of the first deformable material layer is large. The second deformable material layer is deformed following the convex first deformable material layer.

図5、図6により再生方法を説明する。記録情報を再生するに際しては、第1の変形材料層が溶融し、第2の変形材料層が変形しない強度で光を照射する。
図5(a)は記録状態を示す。記録トラックに沿った方向の断面図であり、一つの記録マークを拡大して示している。501は構造体、502は第1変形材料層、503は第2変形材料層、504は記録マーク端部を示す。薄膜内での熱伝導は膜厚に大きく影響される。膜厚に比例して熱伝導率は変化する。記録マーク端部において第1変形材料層の膜厚は減少している。第1変形材料は光を吸収し発熱する材料である。記録マーク端部において膜厚が減少していることから、第1変形材料層の熱は記録トラック方向において隣接する記録マークには熱伝導しにくい状態になっている。つまり、記録マーク毎に熱が局在化し易い状態になっている。
The reproduction method will be described with reference to FIGS. When reproducing recorded information, the first deformable material layer is melted and light is irradiated with an intensity that does not deform the second deformable material layer.
FIG. 5A shows a recording state. It is sectional drawing of the direction along a recording track, and has expanded and showed one recording mark. Reference numeral 501 denotes a structure, 502 denotes a first deformable material layer, 503 denotes a second deformable material layer, and 504 denotes an end of a recording mark. The heat conduction in the thin film is greatly influenced by the film thickness. The thermal conductivity changes in proportion to the film thickness. The film thickness of the first deformable material layer is decreased at the end of the recording mark. The first deformable material is a material that absorbs light and generates heat. Since the film thickness is reduced at the end of the recording mark, the heat of the first deformable material layer is not easily conducted to the recording mark adjacent in the recording track direction. That is, heat is likely to be localized for each recording mark.

図5(b)は、再生状態を示す。513は溶融状態にある第1変形材料層、505は第2変形材料層、506はレーザビーム、507はレーザビームの移動方向を示す。記録情報を再生するに際しては、第1変形材料層が溶融し、第2変形材料層が変形しない強度で光を照射する。第2変形材料層は記録の段階で変形し、第1変形材料層の変形にならって緻密化及び/又は硬質化した状態にある。再生過程において第2変形材料層の形状は保持される。第2変形材料層は殻(シェル)のような状態にあり、そのシェルの内部において第1変形材料層が溶融する。シェル形状である第2変形材料層にならって、第1変形材料層は溶融し固化する。よって再生過程において溶融しても、第1変形材料層の形状が崩れることはなく、繰り返し再生することができる。
図5(c)は、記録マークの状態の上方視である。508はレーザビームスポット径、509はレーザビームの移動方向、510は構造体、511、512は記録マークを示す。511はレーザビームスポット中心にある記録マークであり溶融状態にある。512は前方に位置する記録マークであり固相状態にある。図5(a)に示したように、記録マーク端部において、第1変形材料層の膜厚は減少していることから、記録マーク毎に熱が局在化し易い状態になっている。よって、レーザビームスポット中心の記録マークが溶融状態にあっても、前方に隣接する記録マークは固相状態にある。再生時において、記録マーク部では、第1変形材料層の溶融が記録マーク毎に順番に起こっていく。
FIG. 5B shows the playback state. Reference numeral 513 denotes a first deformable material layer in a molten state, 505 denotes a second deformable material layer, 506 denotes a laser beam, and 507 denotes a moving direction of the laser beam. When reproducing recorded information, the first deformable material layer is melted and light is irradiated with an intensity that does not deform the second deformable material layer. The second deformable material layer is deformed at the recording stage, and is in a state of being densified and / or hardened following the deformation of the first deformable material layer. The shape of the second deformable material layer is maintained during the regeneration process. The second deformable material layer is in a state like a shell, and the first deformable material layer melts inside the shell. Following the shell-shaped second deformable material layer, the first deformable material layer melts and solidifies. Therefore, even when melted in the regeneration process, the shape of the first deformable material layer does not collapse and can be repeatedly regenerated.
FIG. 5C is a top view of the state of the recording mark. Reference numeral 508 denotes a laser beam spot diameter, 509 denotes a moving direction of the laser beam, 510 denotes a structure, and 511 and 512 denote recording marks. A recording mark 511 at the center of the laser beam spot is in a molten state. Reference numeral 512 denotes a recording mark located in front, which is in a solid phase state. As shown in FIG. 5A, since the film thickness of the first deformable material layer is reduced at the end portion of the recording mark, heat is likely to be localized for each recording mark. Therefore, even if the recording mark at the center of the laser beam spot is in a molten state, the recording mark adjacent to the front is in a solid state. During reproduction, in the recording mark portion, the first deformable material layer is melted in order for each recording mark.

図6には再生信号レベルの変化を示す。図中(a)(c)(e)は媒体の上方視であり、構造体、第1変形材料層及び記録マークの状態を示している。図中(b)(d)(f)は媒体の上方視に対応させた再生信号レベルの変化を示す。
図6(a)は、未記録部分を低パワーで再生した状態を示し、(b)はその時の再生信号レベルを示す。601はレーザビームスポット径、602の矢印はレーザビームスポットの移動方向、603は構造体、604は構造体上に積層された第1変形材料層、605はレーザビームスポット中心に位置する記録トラック、606は半径方向に隣接するトラック、607は信号レベルの時間変化を示す。信号レベルは一定のレベルを示す。
図6(c)は、未記録部分を高パワーで再生した状態を示し、(d)はその時の再生信号レベルを示す。601〜606は図6(a)の場合と同じである。再生パワーを上げることにより第1変形材料層は溶融する。608は第1変形材料層の溶融部分を示す。レーザビームスポットの移動方向に対して第1変形材料層は若干遅れて高温になる。よって、溶融部分の一部がレーザビームスポットにかかった状態になる。また、構造体を設けることにより熱は構造体上に局在化される。よって、隣接トラック上の第1変形材料層は高温にならず溶融しない。609は信号レベルの時間変化を示す。信号レベルは一定のレベルになる。第1変形材料層の溶融部分の一部分がレーザビームスポット内に含まれることから、信号レベルは低パワー再生時の信号レベルよりも若干低下する。
FIG. 6 shows changes in the reproduction signal level. In the drawings, (a), (c), and (e) are top views of the medium, showing the structure, the first deformable material layer, and the recording marks. In the figure, (b), (d), and (f) show changes in the reproduction signal level corresponding to the top view of the medium.
FIG. 6A shows a state where an unrecorded portion is reproduced with low power, and FIG. 6B shows a reproduction signal level at that time. 601 is a laser beam spot diameter, 602 is a moving direction of the laser beam spot, 603 is a structure, 604 is a first deformation material layer laminated on the structure, 605 is a recording track positioned at the center of the laser beam spot, Reference numeral 606 denotes a track adjacent in the radial direction, and reference numeral 607 denotes a time change of the signal level. The signal level indicates a certain level.
FIG. 6C shows a state where an unrecorded portion is reproduced with high power, and FIG. 6D shows a reproduction signal level at that time. Reference numerals 601 to 606 are the same as those in FIG. The first deformable material layer is melted by increasing the reproduction power. Reference numeral 608 denotes a melted portion of the first deformable material layer. The first deformable material layer reaches a high temperature with a slight delay with respect to the moving direction of the laser beam spot. Therefore, a part of the melted portion is in a state of being applied to the laser beam spot. In addition, by providing the structure, heat is localized on the structure. Therefore, the first deformable material layer on the adjacent track does not become high temperature and does not melt. Reference numeral 609 denotes a time change of the signal level. The signal level becomes a constant level. Since a part of the melted portion of the first deformable material layer is included in the laser beam spot, the signal level is slightly lower than the signal level during low power reproduction.

図6(e)は、記録部分を高パワーで再生した状態を示し、(f)はその時の再生信号レベルを示す。601〜606は図6(a)の場合と同じである。610、611、612は記録マークで、610は溶融状態にある記録マーク、611、612は固相状態にある記録マークを示す。記録マーク毎に熱が局在化し易い状態になっている。よって、レーザビームスポット中心の記録マークが溶融状態にあっても、前方に隣接する記録マークは固相状態にある。記録トラック方向において、第1変形材料層の溶融は記録マーク毎に順番に起こっていく。また、構造体を設けることにより、熱は構造体上に局在化される。よって、隣接トラック上の記録マークは高温にならず固相状態にある。613はレーザビームスポットが記録マーク中心にある場合の信号レベル、614はレーザビームスポットが記録マーク間にある場合の信号レベルを示す。613に示すように記録マークの溶融によって信号レベルは低下する。614に示すように、レーザビームスポットが記録マーク間に移動した場合、前方記録マークは固相状態にあることから信号レベルは増加する。レーザビームスポット内に含まれる溶融部分の比率が変化するためである。記録マークの溶融は記録マーク毎に順番に起こっていくことから、レーザビームスポットと記録マークの相対位置によってレーザビームスポット内に含まれる溶融部分の比率が変化する。その結果、高信号レベル615と低信号レベル616間で変化する記録マーク周期に対応した周期信号が検出できる。隣接トラック上の記録マークは高温にならず固相状態にある。よって、隣接トラック上の溶融による信号変化は再生信号には含まれない。つまり、クロストークは起こらない。   FIG. 6E shows a state in which the recorded portion is reproduced with high power, and FIG. 6F shows the reproduction signal level at that time. Reference numerals 601 to 606 are the same as those in FIG. Reference numerals 610, 611, and 612 denote recording marks, 610 denotes a recording mark in a molten state, and 611 and 612 denote recording marks in a solid phase. Heat is easily localized for each recording mark. Therefore, even if the recording mark at the center of the laser beam spot is in a molten state, the recording mark adjacent to the front is in a solid state. In the recording track direction, the melting of the first deformable material layer occurs sequentially for each recording mark. Further, by providing the structure, heat is localized on the structure. Therefore, the recording mark on the adjacent track is not in a high temperature but is in a solid state. Reference numeral 613 denotes a signal level when the laser beam spot is at the center of the recording mark, and 614 denotes a signal level when the laser beam spot is between the recording marks. As shown at 613, the signal level is lowered by melting of the recording mark. As shown at 614, when the laser beam spot moves between the recording marks, the signal level increases because the front recording mark is in the solid phase. This is because the ratio of the melted portion included in the laser beam spot changes. Since the recording mark is melted in order for each recording mark, the ratio of the melted portion included in the laser beam spot varies depending on the relative position of the laser beam spot and the recording mark. As a result, a periodic signal corresponding to the recording mark period that changes between the high signal level 615 and the low signal level 616 can be detected. The recording mark on the adjacent track is not in a high temperature but is in a solid state. Therefore, a signal change due to melting on the adjacent track is not included in the reproduction signal. That is, no crosstalk occurs.

以上のように、本情報記録媒体の記録再生方法では、第1変形材料層が溶融し、第2変形材料層が変形する強度で光を照射することによって、記録マーク毎に熱が局在化し易い記録形態を形成することができる。記録情報を再生するに際しては、第1変形材料層が溶融し、第2変形材料層が変形しない強度で光を照射する。その結果、記録マーク毎に順番に起こっていく第1変形材料層の溶融に伴う信号レベル変化によって、解像限界の記録情報を検出することができる。   As described above, in the recording / reproducing method of the information recording medium, heat is localized for each recording mark by irradiating light with an intensity at which the first deformable material layer melts and the second deformable material layer deforms. An easy recording form can be formed. When reproducing recorded information, the first deformable material layer is melted and light is irradiated with an intensity that does not deform the second deformable material layer. As a result, the recording information at the resolution limit can be detected by the signal level change accompanying the melting of the first deformable material layer that occurs sequentially for each recording mark.

次に、本発明5の実施形態について説明する。
図7は、本発明5の光情報記録媒体の一例の、情報を記録する前の、記録トラックに対して垂直方向の断面図である。701は支持基板、702は低熱伝導材料層、703は発熱材料層、704は構造体、705は第1変形材料層、706は第2変形材料層、707はトラックピッチを示す。
701の支持基板としては、本発明1と同様の材料を用いることができる。
702は低熱伝導材料層を示す。低熱伝導材料層は基板への熱拡散を抑制し、発熱材料層703に熱を集中させるため、及び、基板への熱拡散を抑制し基板の変形を防ぐために設ける。材質としては、SiO、SiON、SiNなどのシリコン化合物材料、ZnS、CaS、BaSなどの硫化物材料、ZnSe、BaSeなどのセレン化物材料、CaF、BaFなどのフッ素化合物材料、C、SiCなどの炭化物材料を用ことができる。また本発明4の第2変形材料である少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する材料を用ことができる。
703は発熱材料層を示す。発熱材料層は構造体704を簡単な作製プロセスで形成するために設ける。レーザ光を吸収し発熱する材料であれば、どのような材料であっても構わない。例えば、Si、Geなどの半導体材料、Bi、Ga、In、Snなどの低融点金属を含む金属間化合物材料、BiTe、BiIn、GaSb、GaP、InP、InSb、InTe、SnSbなどの材料、C、SiCなどの炭化物材料、AlN、GaNなどの窒化物材料を用ことができる。また、本発明3の第1変形材料である少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含有する材料を用いることができる。
704は構造体を示す。構造体は、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する材料からなる。ZnSとSiOxは、各々独立した状態で存在していてもよく、ZnSとSiOxを構成する元素が結合した状態で存在していてもよい。また、ZnSとSiOx以外の材料が含まれていても構わない。例えば、ZnSとSiOxを構成する元素による化合物である酸化亜鉛(ZnO)、酸化亜鉛が硫化された状態のZnOX1−X、雰囲気ガスとの化合物である窒化亜鉛(Zn)などを含んでもよい。また、発熱材料層703を構成する元素とZn、S、Si、Oとの化合物を含んでも構わない。
705は第1変形材料層を示す。本発明1と同様の材料を用いることができる。
706は第2変形材料層を示す。本発明1と同様の材料を用いることができる。
Next, an embodiment of the present invention 5 will be described.
FIG. 7 is a cross-sectional view of an example of the optical information recording medium of the fifth aspect, perpendicular to the recording track, before information is recorded. Reference numeral 701 denotes a support substrate, 702 denotes a low thermal conductive material layer, 703 denotes a heat generating material layer, 704 denotes a structure, 705 denotes a first deformable material layer, 706 denotes a second deformable material layer, and 707 denotes a track pitch.
As the support substrate 701, the same material as that of the present invention 1 can be used.
Reference numeral 702 denotes a low thermal conductive material layer. The low thermal conductive material layer is provided to suppress thermal diffusion to the substrate and concentrate heat on the heat generating material layer 703, and to suppress thermal diffusion to the substrate and prevent deformation of the substrate. Materials include silicon compound materials such as SiO 2 , SiON, and SiN, sulfide materials such as ZnS, CaS, and BaS, selenide materials such as ZnSe and BaSe, fluorine compound materials such as CaF 2 and BaF 2 , C, SiC, and the like. Carbide materials such as can be used. A material containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx, where x is 2 or less), which is the second deformable material of the present invention 4, can be used.
Reference numeral 703 denotes a heat generating material layer. The heat generating material layer is provided in order to form the structure body 704 with a simple manufacturing process. Any material that absorbs laser light and generates heat may be used. For example, a semiconductor material such as Si or Ge, an intermetallic compound material containing a low melting point metal such as Bi, Ga, In, or Sn, a material such as BiTe, BiIn, GaSb, GaP, InP, InSb, InTe, or SnSb, C, A carbide material such as SiC or a nitride material such as AlN or GaN can be used. Further, a material containing at least antimony (Sb) and tellurium (Te), which is the first deformable material of the third aspect of the present invention, can be used.
Reference numeral 704 denotes a structure. The structure is made of a material containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less). ZnS and SiOx may exist in an independent state, or may exist in a state where elements constituting ZnS and SiOx are combined. Further, materials other than ZnS and SiOx may be included. For example, ZnS zinc oxide is a compound according to elements constituting the SiOx (ZnO), ZnO X S 1-X of the state where the zinc oxide is sulfide, zinc nitride is a compound of the ambient gas (Zn 3 N 2), etc. May be included. Further, a compound of an element constituting the heat generating material layer 703 and Zn, S, Si, or O may be included.
Reference numeral 705 denotes a first deformable material layer. The same material as that of the present invention 1 can be used.
Reference numeral 706 denotes a second deformable material layer. The same material as that of the present invention 1 can be used.

次に、本発明6の実施形態について説明する。
図8は、本発明6の光情報記録媒体の一例の、情報を記録する前の、記録トラックに対して垂直方向の断面図である。801は支持基板、802は低熱伝導材料層、803は発熱材料層、804は構造体、805は第1変形材料層、806は第2変形材料層、807はトラックピッチ、808は支持基板表面の凸分、809は支持基板表面の凹分を示す。支持基板の表面には凸部と、凸部によって形成される凹部が存在する。構造体は、凸部上と凹部上に存在している。810は凸部の高さを示す。高さは10〜50nmである。高さが10nm未満の場合は記録トラックに対するレーザビームスポットのトラッキングが不安定になる。高さが50nmよりも高い場合には、凸部と凹部での記録や再生条件が大きく異なり、記録再生装置のコストが増加する。
Next, an embodiment of the present invention 6 will be described.
FIG. 8 is a cross-sectional view of an example of the optical information recording medium of the sixth aspect, perpendicular to the recording track, before information is recorded. 801 is a supporting substrate, 802 is a low thermal conductive material layer, 803 is a heat generating material layer, 804 is a structure, 805 is a first deformable material layer, 806 is a second deformable material layer, 807 is a track pitch, and 808 is a surface of the supporting substrate. A convex portion 809 indicates a concave portion on the surface of the support substrate. There are convex portions and concave portions formed by the convex portions on the surface of the support substrate. The structure exists on the convex portion and the concave portion. Reference numeral 810 denotes the height of the convex portion. The height is 10-50 nm. When the height is less than 10 nm, tracking of the laser beam spot with respect to the recording track becomes unstable. When the height is higher than 50 nm, the recording and reproducing conditions at the convex part and the concave part are greatly different, and the cost of the recording / reproducing apparatus increases.

次に、本発明7の実施形態について説明する。
図9は、本発明7の光情報記録媒体の一例の上方視であり、構造体と記録マークのみを示す。901はレーザビームスポット、902は構造体、903は記録マーク、904はトラックピッチ、905は構造体の幅、906は記録マークの幅、907は半径方向に隣接する構造体間のスペースを示す。
構造体を設けることで、熱は構造体上に局在化される。よって、記録マークは構造体にならった状態で形成され、記録マークの幅は、構造体の幅にほぼ一致する。記録マークの幅が広い程、レーザビームスポット内に含まれる記録マークの比率が多くなり再生信号強度は増加する。しかしながら、構造体幅を広げて、半径方向に隣接する構造体が接続した状態になると、熱の局在化ができなくなり、クロスライトが抑制できない。よって、本発明7に示すように、構造体の幅は、トラックピッチの0.7〜0.95倍に設定する。半径方向に隣接する構造体間に僅かなスペースが存在すれば、構造体上に熱を局在化することができ、クロスライト抑制効果があらわれる。
レーザビームスポット径(直径)が400nm程度である場合の好ましい寸法は次の通りである。トラックピッチは、150〜300nmとする。150nm未満ではレーザビームスポットの記録トラックに対するトラッキングが不安定になる。300nmよりも大きいと記録密度が上がらない。構造体の幅は、トラックピッチが150nmの場合は105〜140nmの範囲に設定し、トラックピッチが300nmの場合は210〜285nmの範囲に設定する。
Next, an embodiment of the present invention 7 will be described.
FIG. 9 is a top view of an example of the optical information recording medium of the present invention 7 and shows only the structure and the recording mark. Reference numeral 901 denotes a laser beam spot, 902 a structure, 903 a recording mark, 904 a track pitch, 905 a structure width, 906 a recording mark width, and 907 a space between adjacent structures in the radial direction.
By providing the structure, heat is localized on the structure. Therefore, the recording mark is formed in a state of conforming to the structure, and the width of the recording mark substantially matches the width of the structure. As the width of the recording mark is wider, the ratio of the recording mark included in the laser beam spot increases and the reproduction signal intensity increases. However, when the structure width is widened and the adjacent structures in the radial direction are connected, heat cannot be localized and cross light cannot be suppressed. Therefore, as shown in the present invention 7, the width of the structure is set to 0.7 to 0.95 times the track pitch. If there is a slight space between structures adjacent in the radial direction, heat can be localized on the structure, and a cross-light suppressing effect can be obtained.
The preferred dimensions when the laser beam spot diameter (diameter) is about 400 nm are as follows. The track pitch is 150 to 300 nm. If it is less than 150 nm, the tracking of the recording track of the laser beam spot becomes unstable. If it is larger than 300 nm, the recording density does not increase. The width of the structure is set to a range of 105 to 140 nm when the track pitch is 150 nm, and is set to a range of 210 to 285 nm when the track pitch is 300 nm.

次に、本発明8の実施形態について説明する。
図10には、図8に示した媒体構成を例として、製造方法を示す。(a)は構造体を形成する媒体構成の断面図、(b)はレーザ光照射工程、(c)はエッチング工程、(d)は第1変形材料層の成膜工程、(e)は第2変形材料層の成膜工程を示す。
図10(a)において、1001は支持基板、1002は低熱伝導材料層、1003は発熱材料層、1004は少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する薄膜(以下、熱変化層という)を示す。1001の支持基板、1002の低熱伝導材料層、1003の発熱材料層には、本発明1と同様の材料を用いることができる。
熱変化層の成膜方法としては、スパッタリング法が好ましい。特に、室温でのスパッタリング法が、低密度材料を形成する成膜方法として好ましい。スパッタリングターゲットには、ZnSとSiOの比率(ZnS/SiO)が1〜20の範囲にある材料、つまり、ZnS:SiO=50:50〜95:5(モル%)の範囲にある材料を用いることが好ましい。ZnSとSiOxを含有する材料は、広い波長範囲において高い透過率を有する材料である。SiOxを含有することで、成膜状態では非常に低密度及び/又は柔らかくなる。記録によって変形し易く、加熱によって硬化及び/又は緻密化する材料である。このような特性を示す材料で構造体を形成することによって、簡単な作製プロセスで構造体が形成できる。
Next, an embodiment of the present invention 8 will be described.
FIG. 10 shows a manufacturing method using the medium configuration shown in FIG. 8 as an example. (A) is a cross-sectional view of a medium structure for forming a structure, (b) is a laser light irradiation step, (c) is an etching step, (d) is a first deformation material layer forming step, and (e) is a first step. 2 shows a film forming process of a deformable material layer.
In FIG. 10A, 1001 is a supporting substrate, 1002 is a low thermal conductive material layer, 1003 is a heat generating material layer, and 1004 contains at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx, where x is 2 or less). A thin film (hereinafter referred to as a heat change layer) is shown. For the supporting substrate 1001, the low thermal conductive material layer 1002, and the heat generating material layer 1003, the same material as that of the first invention can be used.
As a film forming method of the heat change layer, a sputtering method is preferable. In particular, a sputtering method at room temperature is preferable as a film forming method for forming a low-density material. The sputtering target is a material having a ratio of ZnS to SiO 2 (ZnS / SiO 2 ) in the range of 1 to 20, that is, a material in the range of ZnS: SiO 2 = 50: 50 to 95: 5 (mol%). Is preferably used. A material containing ZnS and SiOx is a material having high transmittance in a wide wavelength range. By containing SiOx, it becomes very low density and / or soft in the film formation state. It is a material that is easily deformed by recording and hardened and / or densified by heating. By forming a structure with a material exhibiting such characteristics, the structure can be formed with a simple manufacturing process.

図10(b)はレーザ光照射工程を示す。1005はレーザ光を示す。レーザ光照射によって熱変化層が変化する。1006は変化部分を示す。変化の形態は、材料密度の変化、相状態の変化、構成元素の解離、雰囲気ガスとの反応などである。複数の変化が起こっていても構わない。レーザ光は、支持基板、低熱伝導材料層、発熱材料層、熱変化層の積層構成に対して、熱変化層側から照射する。以下の説明では、この照射方法を”膜面照射”と記載する。
膜面照射することによって対物レンズの開口数NAを大きくすることができる。NAを大きくすることによって小さなレーザビームスポットが形成でき、熱変化層の微小領域を変化させることができるので、微細な構造体が形成できる。レーザ光源としては半導体レーザを用いることができる。半導体レーザの波長は370〜780nm、好ましくは、370〜410nmである。例えば、GaN系による半導体レーザを用いる。半導体レーザを用いることによって、安価な装置とすることができ、プロセスコストの低価格化が図ることができる。
FIG. 10B shows a laser beam irradiation process. Reference numeral 1005 denotes a laser beam. The heat change layer is changed by laser light irradiation. Reference numeral 1006 denotes a changed portion. The form of change includes a change in material density, a change in phase state, dissociation of constituent elements, a reaction with atmospheric gas, and the like. There may be multiple changes. Laser light is irradiated from the heat change layer side to the laminated structure of the support substrate, the low heat conductive material layer, the heat generating material layer, and the heat change layer. In the following description, this irradiation method is referred to as “film surface irradiation”.
By irradiating the film surface, the numerical aperture NA of the objective lens can be increased. By increasing NA, a small laser beam spot can be formed, and a minute region of the heat change layer can be changed, so that a fine structure can be formed. A semiconductor laser can be used as the laser light source. The wavelength of the semiconductor laser is 370 to 780 nm, preferably 370 to 410 nm. For example, a GaN-based semiconductor laser is used. By using a semiconductor laser, an inexpensive apparatus can be obtained, and the process cost can be reduced.

図10(c)はエッチング工程を示す。1007は構造体を示す。熱変化層1004の一部を除去し構造体1007を形成する。レーザ照射による変化部分と非変化部分間でエッチング速度差が生じる。変化部分のエッチング速度が低下し、エッチング後には変化部分が構造体として残る。エッチング工程では、少なくとも熱変化層をエッチング加工する。又は、熱変化層と発熱材料層の両方をエッチング加工してもよい。エッチング工程ではフッ化水素酸を含有する水溶液(HF+HO)をエッチング溶液として用いる。好ましい溶液比は、HF:HO=1:50〜1:20の範囲である。1:50よりもHF濃度が薄いと、エッチングレートが低下しプロセス時間が長くなる。1:20よりもHF濃度が濃いと、媒体の表面粗れが発生し、信号再生時のノイズ要因になる。
フッ化水素酸を含有する水溶液は、シリコン酸化物を選択的に溶解する。エッチングによって、レーザ光非照射部分においては、シリコン酸化物が溶解する。シリコン酸化物が溶解することによって、ZnSが離脱(リフトオフ)する。レーザ光照射による変化部分1006では、フッ化水素酸を含有する水溶液に対するエッチング耐性が上がっている。よって、変化部分が残留し構造体が形成できる。また、フッ化水素酸を含有する水溶液によるエッチングでは異方性エッチングができる。エッチング工程で熱変化層の異方性エッチングが進行し、端部の形状が垂直から逆テーパー形状である構造体が形成できる。
FIG. 10C shows an etching process. Reference numeral 1007 denotes a structure. A part of the heat change layer 1004 is removed to form a structure body 1007. An etching rate difference is generated between a changed portion and a non-changed portion due to laser irradiation. The etching rate of the changed portion decreases, and the changed portion remains as a structure after the etching. In the etching process, at least the heat change layer is etched. Alternatively, both the heat change layer and the heat generating material layer may be etched. In the etching step, an aqueous solution (HF + H 2 O) containing hydrofluoric acid is used as an etching solution. A preferred solution ratio is in the range of HF: H 2 O = 1: 50 to 1:20. If the HF concentration is lower than 1:50, the etching rate decreases and the process time becomes longer. If the HF concentration is higher than 1:20, the surface of the medium becomes rough, which causes noise during signal reproduction.
The aqueous solution containing hydrofluoric acid selectively dissolves silicon oxide. By etching, the silicon oxide is dissolved in the portion not irradiated with the laser beam. As the silicon oxide is dissolved, ZnS is released (lifted off). In the changed portion 1006 due to laser light irradiation, the etching resistance to an aqueous solution containing hydrofluoric acid is increased. Therefore, the changed portion remains and a structure can be formed. In addition, anisotropic etching can be performed by etching with an aqueous solution containing hydrofluoric acid. In the etching process, anisotropic etching of the heat change layer proceeds, and a structure having an end portion with a reverse taper shape can be formed.

図10(d)は第1変形材料層の成膜工程を示す。1008は第1変形材料層を示す。
図10(e)は第2変形材料層の成膜工程を示す。1009は第1変形材料層を示す。
以上の製造方法によって、図8に示した光情報記録媒体が完成する。
FIG. 10D shows a film forming process of the first deformable material layer. Reference numeral 1008 denotes a first deformable material layer.
FIG. 10E shows a film forming process of the second deformable material layer. Reference numeral 1009 denotes a first deformable material layer.
The optical information recording medium shown in FIG. 8 is completed by the above manufacturing method.

本発明によれば、超解像材料層に光学的開口を形成する方法によらず、光の解像限界を超えた高密度情報を記録再生でき、かつトラックピッチを縮小して記録密度を上げることができる光記録媒体とその製造方法を提供できる。   According to the present invention, high-density information exceeding the resolution limit of light can be recorded and reproduced, and the recording density is increased by reducing the track pitch, regardless of the method of forming an optical aperture in the super-resolution material layer. An optical recording medium that can be used and a manufacturing method thereof can be provided.

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
図8に示す構成の光情報記録媒体を次のようにして作製した。
支持基板801には、ポリカーボネートを用い、低熱伝導材料層802は膜厚50nmのZnS−SiOx、発熱材料層803は膜厚20nmのAgInSbTe、構造体804は高さ45nmのZnS−SiOx、第1変形材料層805は膜厚30nmのAgInSbTe、第2変形材料層806は膜厚60nmのZnS−SiOxとした。
何れの材料も室温でスパッタリング法により成膜した。AgInSbTe膜の成膜には、スパッタリングターゲットとして、Sb/Te比が約2.2のAgInSb61Te28(原子%)を用いた。ZnS−SiOx膜の成膜には、スパッタリングターゲットとしてZnSとSiOの混合体(ZnS/SiO=4)を用いた。807はトラックピッチで220nmである。808は支持基板の凸部、809は凹部、810は凸部の高さで、20nmである。
図11は、上記光情報記録媒体の未記録状態の断面TEM像である。図11(a)は数トラックに渡る断面像であり、(b)は構造体端部の拡大像である。
1101は支持基板、1102は低熱伝導率材料層、1103は発熱材料層、1104は構造体、1105は第1変形材料層、1106は第2変形材料層、1107はトラックピッチである。1108は構造体端部を示す。
図示した通り、構造体端部において第1変形材料層の膜厚が低下している。
EXAMPLES Hereinafter, although an Example demonstrates this invention further more concretely, this invention is not limited by these Examples.
An optical information recording medium having the structure shown in FIG. 8 was produced as follows.
The support substrate 801 is made of polycarbonate, the low thermal conductive material layer 802 is ZnS-SiOx with a thickness of 50 nm, the heat generating material layer 803 is AgInSbTe with a thickness of 20 nm, the structure 804 is ZnS-SiOx with a height of 45 nm, and the first deformation. The material layer 805 was AgInSbTe with a film thickness of 30 nm, and the second deformable material layer 806 was ZnS—SiOx with a film thickness of 60 nm.
All materials were formed by sputtering at room temperature. For the formation of the AgInSbTe film, Ag 4 In 7 Sb 61 Te 28 (atomic%) having an Sb / Te ratio of about 2.2 was used as a sputtering target. For the formation of the ZnS—SiOx film, a mixture of ZnS and SiO 2 (ZnS / SiO 2 = 4) was used as a sputtering target. Reference numeral 807 denotes a track pitch of 220 nm. Reference numeral 808 denotes a convex portion of the support substrate, 809 denotes a concave portion, and 810 denotes the height of the convex portion, which is 20 nm.
FIG. 11 is a cross-sectional TEM image of the optical information recording medium in an unrecorded state. FIG. 11A is a cross-sectional image over several tracks, and FIG. 11B is an enlarged image of the structure end.
Reference numeral 1101 denotes a supporting substrate, 1102 denotes a low thermal conductivity material layer, 1103 denotes a heat generating material layer, 1104 denotes a structure, 1105 denotes a first deformable material layer, 1106 denotes a second deformable material layer, and 1107 denotes a track pitch. Reference numeral 1108 denotes a structure end.
As shown in the drawing, the film thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure.

次に、上記光情報記録媒体に対して情報を記録した。記録条件は次の通りである。
波長405nmのGaNの半導体レーザを用い、対物レンズの開口数NA0.85、記録線速度4.5m/secで、50GB相当の記憶容量に対応する最短マークを繰り返し記録した。レーザパワーレベルはP1>P2の関係にある2水準で変調した。P1=3.5mW、P2=1mWである。パワーレベルは媒体面での値である。パルス幅W=12nsec、パルス周期S=44nsec、パルスデューティーW/S=27%とした。
図12は、情報を記録した後の記録トラックに対して平行方向の断面SEM像である。記録トラック中心付近をFIBで加工し断面をSEM観察した結果である。
1201は支持基板、1202は低熱伝導率材料層、1203は発熱材料層、1204は構造体、1205は第1変形材料層、1206は第2変形材料層である。1207は記録マーク周期で、230nmである。1208は記録マーク中心、1209は記録マーク端部を示す。第1変形材料層の膜厚は、記録マーク中心で厚く、記録マーク端部で薄くなっている。記録マーク中心と端部での膜厚差は26nmである。第2変形材料層の膜厚変化は少なく、第1変形材料層の凹凸にならって変形している。第2変形材料層により第1変形材料層の凹凸を被覆するシェル形状での記録ができている。
Next, information was recorded on the optical information recording medium. The recording conditions are as follows.
Using a GaN semiconductor laser with a wavelength of 405 nm, the shortest mark corresponding to a storage capacity equivalent to 50 GB was repeatedly recorded with a numerical aperture NA of 0.85 and a recording linear velocity of 4.5 m / sec. The laser power level was modulated at two levels having a relationship of P1> P2. P1 = 3.5 mW and P2 = 1 mW. The power level is a value on the medium side. The pulse width W = 12 nsec, the pulse period S = 44 nsec, and the pulse duty W / S = 27%.
FIG. 12 is a cross-sectional SEM image in a direction parallel to the recording track after information is recorded. This is the result of processing the vicinity of the center of the recording track with FIB and observing the cross section with SEM.
Reference numeral 1201 denotes a supporting substrate, 1202 denotes a low thermal conductivity material layer, 1203 denotes a heat generating material layer, 1204 denotes a structure, 1205 denotes a first deformable material layer, and 1206 denotes a second deformable material layer. Reference numeral 1207 denotes a recording mark period, which is 230 nm. Reference numeral 1208 denotes a recording mark center, and 1209 denotes a recording mark end. The film thickness of the first deformable material layer is thick at the center of the recording mark and thin at the end of the recording mark. The difference in film thickness between the center and end of the recording mark is 26 nm. The film thickness change of the second deformable material layer is small, and the second deformable material layer is deformed according to the unevenness of the first deformable material layer. Recording in a shell shape in which the irregularities of the first deformable material layer are covered with the second deformable material layer can be performed.

図13はクロスライトに対する効果を示すSEM像である。媒体の上方視であり、記録マークをSEM観察し易くする処理をしている。図13(a)は、従来の媒体構成での結果であり、構造体を設けない媒体構成での結果である。図13(b)は本実施例の媒体構成での結果である。
図13(a)の、1301はレーザビームスポットを示す。レーザビームの波長、対物レンズのNAから計算されるレーザビームスポット径は391nmである。1302は記録マーク、1303はトラックピッチで、220nmである。1304は記録マーク幅、1305は半径方向に隣接する記録マークの状態を示す。
従来の構造体を設けない媒体構成では、記録マーク幅が拡がり、トラックピッチを縮小すると、半径方向に隣接する記録マークは接続する(1305参照)。つまりクロスライトが発生する。したがってトラックピッチは縮小できない。
図13(b)の、1306はレーザビームスポットを示す。レーザビームスポット径は図13(a)と同じである。1307は記録マーク、1308はトラックピッチを示す。トラックヒピッチは図13(a)と同じである。1309は構造体を示す。図8の805の部分である。1310は記録マーク幅、1311は半径方向に隣接する記録マークの状態を示す。
本発明の構造体を設けた媒体構成では、記録マーク幅は、構造体の幅以上には拡がらない。よって、トラックピッチを縮小しても、半径方向に隣接する記録マークは分離した状態にある(1311参照)。つまり、クロスライトは起こらない。したがってトラックピッチを縮小できる。図13(b)には、トラックピッチ220nmの結果を示したが、本発明の構造体を設けた構成では、記録マーク幅は構造体の幅に一致しているので、構造体の幅を狭くすることでトラックピッチを更に縮小できる。
FIG. 13 is an SEM image showing the effect on the cross light. This is a top view of the medium, and processing is performed to make it easy to observe the recording mark by SEM. FIG. 13A shows the result of the conventional medium configuration and the result of the medium configuration without the structure. FIG. 13B shows the result of the medium configuration of this example.
In FIG. 13A, reference numeral 1301 denotes a laser beam spot. The laser beam spot diameter calculated from the wavelength of the laser beam and the NA of the objective lens is 391 nm. 1302 is a recording mark, 1303 is a track pitch, and is 220 nm. Reference numeral 1304 denotes a recording mark width, and 1305 denotes a state of a recording mark adjacent in the radial direction.
In a medium configuration without a conventional structure, when the recording mark width is increased and the track pitch is reduced, the recording marks adjacent in the radial direction are connected (see 1305). That is, cross light occurs. Therefore, the track pitch cannot be reduced.
In FIG. 13B, reference numeral 1306 denotes a laser beam spot. The laser beam spot diameter is the same as in FIG. Reference numeral 1307 denotes a recording mark, and 1308 denotes a track pitch. The track hitch pitch is the same as in FIG. Reference numeral 1309 denotes a structure. It is a portion 805 in FIG. Reference numeral 1310 denotes a recording mark width, and reference numeral 1311 denotes a state of recording marks adjacent in the radial direction.
In the medium configuration provided with the structure of the present invention, the recording mark width does not extend beyond the width of the structure. Therefore, even if the track pitch is reduced, the recording marks adjacent in the radial direction are separated (see 1311). That is, no cross light occurs. Therefore, the track pitch can be reduced. FIG. 13B shows the result with a track pitch of 220 nm. In the structure provided with the structure of the present invention, the recording mark width matches the width of the structure, so the width of the structure is narrowed. By doing so, the track pitch can be further reduced.

上記光情報記録媒体に最短マークを繰り返し記録した状態を再生した。記録マーク周期は150nm及び200nmである。150nmは記憶容量70GBに相当し、200nmは記憶容量55GBに相当する。再生条件は次の通りである。
波長405nmのGaNの半導体レーザを用い、対物レンズの開口数NA0.85、再生線速度4.5m/sec、再生パワー1.1mWとした。トラックピッチ220nmにおいて、隣接トラックにも記録し、再生信号のCNR(carrier to noise ratio)を測定した。
その結果、再生信号のCNR値は、記録マーク周期150nmで29dBであり、記録マーク周期200nmで34dBであり、再生信号が検出できた。信号を再生したレーザ波長λは405nm、対物レンズの開口数NAは0.85である。解像限界λ/2NAは238nmである。光の解像限界より短い周期に相当する記録マーク周期150nm及び200nmの高密度情報を記録再生することができた。
The state in which the shortest mark was repeatedly recorded on the optical information recording medium was reproduced. The recording mark period is 150 nm and 200 nm. 150 nm corresponds to a storage capacity of 70 GB, and 200 nm corresponds to a storage capacity of 55 GB. The reproduction conditions are as follows.
A GaN semiconductor laser having a wavelength of 405 nm was used, and the numerical aperture NA of the objective lens was 0.85, the reproducing linear velocity was 4.5 m / sec, and the reproducing power was 1.1 mW. Recording was performed on adjacent tracks at a track pitch of 220 nm, and the CNR (carrier to noise ratio) of the reproduction signal was measured.
As a result, the CNR value of the reproduction signal was 29 dB at a recording mark period of 150 nm and 34 dB at a recording mark period of 200 nm, and the reproduction signal was detected. The laser wavelength λ for reproducing the signal is 405 nm, and the numerical aperture NA of the objective lens is 0.85. The resolution limit λ / 2NA is 238 nm. High-density information with a recording mark period of 150 nm and 200 nm corresponding to a period shorter than the resolution limit of light could be recorded and reproduced.

従来の光情報記録媒体構成の概要を示す図。(a)記録トラックに対して垂直方向の断面図、(b)記録トラックに対して平行方向の断面図。The figure which shows the outline | summary of the conventional optical information recording medium structure. (A) Cross-sectional view perpendicular to the recording track, (b) Cross-sectional view parallel to the recording track. 本発明の光情報記録媒体の、未記録状態の、記録トラックに対して垂直方向の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view of the optical information recording medium of the present invention in an unrecorded state in a direction perpendicular to the recording track. 情報を記録した後の媒体の、記録トラックに沿った方向の断面図。Sectional drawing of the direction along the recording track of the medium after recording information. 情報を記録した後の媒体の、記録トラックに対して垂直方向の断面図。FIG. 3 is a cross-sectional view in a direction perpendicular to a recording track of a medium after information is recorded. 再生方法を示す図。(a)記録状態、(b)再生状態、(c)記録マーク状態の上方視。The figure which shows the reproduction | regeneration method. (A) Recording state, (b) Playback state, (c) Recording mark state viewed from above. 再生信号レベルの変化を示す図。(a)媒体上方視、(b)再生信号レベル、(c)媒体上方視、(d)再生信号レベル、(e)媒体上方視、(f)再生信号レベル。The figure which shows the change of a reproduction signal level. (A) medium top view, (b) playback signal level, (c) medium top view, (d) playback signal level, (e) medium top view, (f) playback signal level. 本発明5の光情報記録媒体の、情報を記録する前の、記録トラックに対して垂直方向の断面図。Sectional drawing of the optical information recording medium of this invention 5 perpendicular | vertical with respect to a recording track before recording information. 本発明6の光情報記録媒体の、情報を記録する前の、記録トラックに対して垂直方向の断面図。Sectional drawing of the optical information recording medium of this invention 6 perpendicular | vertical with respect to a recording track before recording information. 本発明7の光情報記録媒体の構成を示す図(上方視)。The figure which shows the structure of the optical information recording medium of this invention 7 (upward view). 媒体の製造方法を示す図。(a)構造体形成用の媒体構成の断面図、(b)レーザ照射工程、(c)エッチング工程、(d)第1変形材料層の成膜工程、(e)第2変形材料層の成膜工程。The figure which shows the manufacturing method of a medium. (A) sectional view of medium structure for forming structure, (b) laser irradiation step, (c) etching step, (d) first deformation material layer formation step, (e) second deformation material layer formation Membrane process. 実施例の光情報記録媒体の未記録状態の断面TEM像を示す図。(a)数トラックの断面像、(b)拡大像。The figure which shows the cross-sectional TEM image of the unrecorded state of the optical information recording medium of an Example. (A) Cross-sectional image of several tracks, (b) Enlarged image. 情報を記録した後の媒体の、記録トラックに対して平行方向の断面SEM像を示す図。The figure which shows the cross-sectional SEM image of a medium after recording information in a direction parallel to a recording track. クロスライトのSEM観察結果を示す図。(a)構造体が無い従来構成、(b)構造体を設けた本発明の構成。The figure which shows the SEM observation result of a crosslight. (A) Conventional configuration without structure, (b) Configuration of the present invention provided with a structure.

符号の説明Explanation of symbols

101 支持基板
102 記録材料層
103 超解像材料層
104 記録トラック
105 トラックピッチ
106 記録マーク
107 超解像材料層の光学的開口
108 レーザビーム
109 レーザビームスポット径
110 レーザビーム移動方向
201 支持基板
202 構造体
203 第1変形材料層
204 第2変形材料層
205 トラックピッチ
301 構造体
302 第1変形材料層
303 第2変形材料層
304 記録マーク
305 記録マーク中心
306 記録マーク端部
307 記録マーク中心の第1変形材料層の膜厚
308 記録マーク端部の第1変形材料層の膜厚
309 記録マーク中心の第2変形材料層の膜厚
310 記録マーク端部の第2変形材料層の膜厚
401 構造体
402 第1変形材料層
403 第2変形材料層
404 トラックピッチ
405 記録トラック
406 未記録トラック
407 未記録トラック
501 構造体
502 第1変形材料層
503 第2変形材料層
504 記録マーク端部
505 第2変形材料層
506 レーザビーム
507 レーザビーム移動方向
508 レーザビームスポット径
509 レーザビーム移動方向
510 構造体
511 レーザビームスポット中心の溶融マーク
512 前方に隣接する固相状態マーク
513 溶融状態の第1変形材料層
601 レーザビームスポット
602 レーザビームスポット移動方向
603 構造体
604 第1変形材料層
605 レーザビームスポット中心の記録トラック
606 半径方向に隣接する記録トラック
607 信号レベル
608 第1変形材料層の溶融部分
609 信号レベル
610 溶融状態にある記録マーク
611 固相状態にある記録マーク
612 固相状態にある記録マーク
613 レーザビームスポットが記録マーク中心にある場合の信号レベル
614 レーザビームスポットが記録マーク間にある場合の信号レベル
615 高信号レベル
616 低信号レベル
701 支持基板
702 低熱伝導材料層
703 発熱材料層
704 構造体
705 第1変形材料層
706 第2変形材料層
707 トラックピッチ
801 支持基板
802 低熱伝導材料層
803 発熱材料層
804 構造体
805 第1変形材料層
806 第2変形材料層
807 トラックピッチ
808 支持基板表面凸部
809 支持基板表面凹部
810 凸部の高さ
901 レーザビームスポット
902 構造体
903 記録マーク
904 トラックピッチ
905 構造体の幅
906 記録マークの幅
907 半径方向に隣接する構造体間のスペース
1001 支持基板
1002 低熱伝導材料層
1003 発熱材料層
1004 熱変化層
1005 レーザ光
1006 変化部分
1007 構造体
1008 第1変形材料層
1009 第1変形材料層
1101 支持基板
1102 低熱伝導率材料層
1103 発熱材料層
1104 構造体
1105 第1変形材料層
1106 第2変形材料層
1107 トラックピッチ
1108 構造体端部
1201 支持基板
1202 低熱伝導率材料層
1203 発熱材料層
1204 構造体
1205 第1変形材料層
1206 第2変形材料層
1207 記録マーク周期
1208 記録マーク中心
1209 記録マーク端部
1301 レーザビームスポット
1302 記録マーク
1303 トラックピッチ
1304 記録マーク幅
1305 半径方向に隣接する記録マークの状態
1306 レーザビームスポット
1307 記録マーク
1308 トラックピッチ
1309 構造体
1310 記録マーク幅
1311 半径方向に隣接する記録マークの状態
DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Support substrate 102 Recording material layer 103 Super-resolution material layer 104 Recording track 105 Track pitch 106 Recording mark 107 Optical aperture of super-resolution material layer 108 Laser beam 109 Laser beam spot diameter 110 Laser beam moving direction 201 Support substrate 202 Structure Body 203 First deformable material layer 204 Second deformable material layer 205 Track pitch 301 Structure 302 First deformable material layer 303 Second deformable material layer 304 Recording mark 305 Recording mark center 306 Recording mark end 307 First of recording mark center Film thickness of deformable material layer 308 Film thickness of first deformable material layer at end of recording mark 309 Film thickness of second deformable material layer at center of record mark 310 Film thickness of second deformable material layer at end of record mark 401 Structure 402 First deformable material layer 403 Second deformable material layer 404 Tiger Cpit 405 Recording track 406 Unrecorded track 407 Unrecorded track 501 Structure 502 First deformable material layer 503 Second deformable material layer 504 Recording mark end 505 Second deformable material layer 506 Laser beam 507 Laser beam moving direction 508 Laser beam spot Diameter 509 Laser beam moving direction 510 Structure 511 Melting mark at the center of the laser beam spot 512 Solid state mark 513 adjacent to the front 513 Molten first deformable material layer 601 Laser beam spot 602 Laser beam spot moving direction 603 Structure 604 First 1 Deformation material layer 605 Recording track in the center of the laser beam spot 606 Recording track adjacent in the radial direction 607 Signal level 608 Melting portion of the first deformation material layer 609 Signal level 610 Mark 611 Recording mark in solid phase 612 Recording mark in solid phase 613 Signal level when laser beam spot is in the center of recording mark 614 Signal level when laser beam spot is between recording marks 615 High signal level 616 Low signal level 701 Support substrate 702 Low thermal conductive material layer 703 Heat generating material layer 704 Structure 705 First deformable material layer 706 Second deformable material layer 707 Track pitch 801 Support substrate 802 Low heat conductive material layer 803 Heat generating material layer 804 Structure 805 First 1 deformable material layer 806 2nd deformable material layer 807 track pitch 808 support substrate surface convex portion 809 support substrate surface concave portion 810 height of convex portion 901 laser beam spot 902 structure 903 recording mark 904 track pitch 905 structure width 90 Recording mark width 907 Space between adjacent structures in the radial direction 1001 Support substrate 1002 Low thermal conductive material layer 1003 Heat generation material layer 1004 Thermal change layer 1005 Laser beam 1006 Change portion 1007 Structure 1008 First deformation material layer 1009 First deformation material Material layer 1101 Support substrate 1102 Low thermal conductivity material layer 1103 Heat generating material layer 1104 Structure 1105 First deformable material layer 1106 Second deformable material layer 1107 Track pitch 1108 Structure end 1201 Support substrate 1202 Low thermal conductivity material layer 1203 Heat generating material Layer 1204 Structure 1205 First deformable material layer 1206 Second deformable material layer 1207 Recording mark period 1208 Recording mark center 1209 Recording mark edge 1301 Laser beam spot 1302 Recording mark 1303 Track pitch 304 state of a recording mark adjacent to state 1306 the laser beam spot 1307 recording marks 1308 track pitch 1309 structure 1310 recording mark width 1311 radial direction of the recording mark to be adjacent to the recording mark width 1305 radially

Claims (8)

少なくとも、構造体と、光を吸収して発熱し変形する第1変形材料層と、光を透過し熱によって変形する第2変形材料層の積層構成を有し、未記録状態での、記録トラックに対して垂直方向の断面形状は、構造体の端部が垂直又は逆テーパー形状であり、第1変形材料層は構造体の端部において膜厚が減少していることを特徴とする光情報記録媒体。   A recording track having at least a structure, a first deformable material layer that absorbs light and generates heat and deforms, and a second deformable material layer that transmits light and deforms by heat, and in an unrecorded state The optical information is characterized in that the cross-sectional shape in the vertical direction is such that the end of the structure is vertical or inversely tapered, and the thickness of the first deformable material layer is reduced at the end of the structure. recoding media. 情報を記録した後の、記録トラックに対して平行方向の断面形状は、記録情報に応じて第1変形材料層の膜厚が変化し記録マーク中心が記録マーク端部よりも厚くなり、第2変形材料層は、第1変形材料層に形成された記録情報に対応する凹凸にならって変形し、情報の再生時には第1変形材料層が固相状態から溶融状態に変化することを特徴とする請求項1記載の光情報記録媒体。(ここで、記録マークとは、第1変形材料層と第2変形材料層の変形部分を指す。)   After the information is recorded, the cross-sectional shape in the direction parallel to the recording track is such that the thickness of the first deformable material layer changes according to the recording information and the center of the recording mark becomes thicker than the end of the recording mark. The deformable material layer is deformed according to irregularities corresponding to the recording information formed in the first deformable material layer, and the first deformable material layer changes from a solid phase state to a molten state when reproducing information. The optical information recording medium according to claim 1. (Here, the recording mark refers to a deformed portion of the first deformable material layer and the second deformable material layer.) 第1変形材料層が、少なくともアンチモン(Sb)とテルル(Te)を含有することを特徴とする請求項1又は2記載の光情報記録媒体。   The optical information recording medium according to claim 1 or 2, wherein the first deformable material layer contains at least antimony (Sb) and tellurium (Te). 第2変形材料層が、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載の光情報記録媒体。   4. The optical information recording medium according to claim 1, wherein the second deformable material layer contains at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less). . 支持基板上に、光を吸収して発熱する発熱材料層と構造体の積層構成を有し、該構造体が少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有することを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載の光情報記録媒体。   The supporting substrate has a laminated structure of a heat generating material layer that absorbs light and generates heat, and the structure includes at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less). The optical information recording medium according to claim 1, wherein the optical information recording medium is contained. 記録トラックに対して垂直方向の断面形状において、支持基板表面に凹凸が存在し、構造体が該凹部上及び凸部上に存在することを特徴とする請求項5記載の光情報記録媒体。   6. The optical information recording medium according to claim 5, wherein in the cross-sectional shape perpendicular to the recording track, the support substrate surface has irregularities, and the structure exists on the concave portions and the convex portions. 構造体が、記録トラック方向に連続した線形状であり、その線幅が記録トラックピッチの0.7〜0.95倍の範囲にあることを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載の光情報記録媒体。   7. The structure according to claim 1, wherein the structure has a continuous line shape in the recording track direction, and the line width is in a range of 0.7 to 0.95 times the recording track pitch. Optical information recording medium. 支持基板、発熱材料層、少なくとも硫化亜鉛(ZnS)とシリコン酸化物(SiOx;ここでxは2以下)を含有する薄膜からなる積層構成を少なくとも有する媒体に対してレーザ光を照射する工程、該媒体をフッ化水素酸(HF)を含む水溶液でエッチングする工程、第1変形材料層及び第2変形材料層を成膜する工程を含むことを特徴とする請求項5又は6記載の光情報記録媒体の製造方法。
Irradiating a support substrate, a heat generating material layer, a medium having at least a laminated structure composed of a thin film containing at least zinc sulfide (ZnS) and silicon oxide (SiOx; where x is 2 or less) with laser light, 7. The optical information recording according to claim 5, further comprising: etching the medium with an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF); and forming the first deformable material layer and the second deformable material layer. A method for manufacturing a medium.
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