JP2006248982A - Heteroacene compound and method for producing the same - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ヘテロアセン化合物及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a heteroacene compound and a method for producing the same.
有機薄膜トランジスタ(FET)や有機電界発光素子(EL素子)などの有機エレクトロニクスの分野において、優れた電荷輸送特性を示す材料の開発は重要課題の一つである。このような材料の分子設計としては、有効な分子間相互作用を考慮した高平面性π共役骨格の構築が有望である。実際、そのような構造を備えたアセン系化合物であるペンタセンは、高い電荷輸送特性を示し、広範な研究対象になっている。これに対し、高平面性π共役骨格にヘテロ原子を導入したヘテロアセン類やその類似のジカルコゲニド結合を持つ縮合多環式芳香族化合物も有望な電荷輸送特性を示す材料として期待されている。 In the field of organic electronics such as organic thin film transistors (FET) and organic electroluminescent devices (EL devices), the development of materials exhibiting excellent charge transport properties is one of the important issues. As a molecular design of such a material, it is promising to construct a highly planar π-conjugated skeleton in consideration of effective intermolecular interactions. In fact, pentacene, which is an acene compound having such a structure, exhibits high charge transporting properties and has been a subject of extensive research. In contrast, heteroacenes in which heteroatoms are introduced into a highly planar π-conjugated skeleton and condensed polycyclic aromatic compounds having similar dichalcogenide bonds are also expected as materials exhibiting promising charge transport properties.
ヘテロアセン類の合成例として、縮環数が5個までのオリゴチオフェンラダー化合物やスルホニル基で架橋されたポリチオフェンラダー化合物が報告されている(例えば特許文献1,非特許文献1参照)。また、ベンゾチオフェンが二つ縮環した化合物であるベンゾチオ[3,2−b][1]ベンゾチオフェンの合成法として、o−ブロモヨードベンゼンとアセチレンとをパラジウム触媒存在下で反応させて1,2−二置換アセチレン類を合成し、これをtert−BuLiを用いてリチオ化したあと硫黄で処理するというルートが報告されている(非特許文献2)。
しかしながら、これまでに合成されたヘテロアセン類は有機溶媒への溶解度が低かったため、カラムクロマトグラフィーなどによる精製操作が困難であり純度を十分高くすることが難しかった。このため、化合物の純度が性能に大きく影響するといわれているFETやEL素子へ適用することが容易ではなかった。また、FETやEL素子などへ適用する際にはヘテロアセン類を有機溶媒に溶かして成膜化することも考えられるが、溶解度が低い場合にはそのような成膜化も困難となる。 However, since the heteroacenes synthesized so far have low solubility in organic solvents, it is difficult to purify them by column chromatography or the like, and it is difficult to sufficiently increase the purity. For this reason, it was not easy to apply to FETs and EL devices in which the purity of the compound is said to greatly affect the performance. In addition, when applied to an FET or EL element, it may be possible to form a film by dissolving a heteroacene in an organic solvent. However, if the solubility is low, such film formation becomes difficult.
本発明は、上述した課題に鑑みなされたものであり、有機溶媒への溶解度が従来のものに比べて高いヘテロアセン化合物を提供することを目的の一つとする。また、そのようなヘテロアセン化合物を効率よく製造する方法を提供することを目的の一つとする。 The present invention has been made in view of the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a heteroacene compound having higher solubility in an organic solvent than conventional ones. Another object of the present invention is to provide a method for efficiently producing such a heteroacene compound.
本発明者らは上述した課題を解決するために鋭意研究した結果、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies to solve the above-described problems, the present inventors have completed the present invention.
すなわち、本発明の第1のヘテロアセン化合物は、式(1a)又は(1b)で表されるものである。
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1Ar2及びAr3はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である)
That is, the first heteroacene compound of the present invention is represented by the formula (1a) or (1b).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 Ar 2 and Ar 3 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a thiophene, selenophene or tellurophene-containing chalcogen-condensed ring)
本発明の第2のヘテロアセン化合物は、式(2a),(2b),(3a)又は式(3b)で表される、ジカルコゲニド結合を持つ縮合多環式芳香族化合物である。
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
m,nはm=1のときn=2でm=2のときn=1であり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1Ar2及びAr3はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である)
The second heteroacene compound of the present invention is a condensed polycyclic aromatic compound having a dichalcogenide bond represented by the formula (2a), (2b), (3a) or the formula (3b).
E is sulfur, selenium or tellurium;
m and n are n = 2 when m = 1 and n = 1 when m = 2,
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 Ar 2 and Ar 3 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a thiophene, selenophene or tellurophene-containing chalcogen-condensed ring)
本発明の第3のヘテロアセン化合物は、式(4)で表されるものである。
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基,またはハロゲン原子であり、
Ar1及びAr2はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である)
The third heteroacene compound of the present invention is represented by the formula (4).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 and Ar 2 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a chalcogen-condensed ring in which a plurality of thiophene, selenophene, or tellurophene are condensed.
本発明の第4のヘテロアセン化合物は、式(5)又は式(6)で表される、ジカルコゲニド結合を持つ縮合多環式芳香族化合物である。
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基、炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1及びAr2はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である)
The fourth heteroacene compound of the present invention is a condensed polycyclic aromatic compound having a dichalcogenide bond represented by formula (5) or formula (6).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 and Ar 2 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a chalcogen-condensed ring in which a plurality of thiophene, selenophene, or tellurophene are condensed.
本発明の第1〜第4のヘテロアセン化合物は、高い平面性を有するπ電子系化合物であるため、FETやEL素子などの有機エレクトロニクス材料として利用され得るものである。また、いずれも化合物の両末端にトリアルキルシリル基かアルキル基、フルオロアルキル基を有しているため、このような末端基を有さない従来のヘテロアセン化合物と比べて、有機溶媒に対する溶解度が高い。このため、カラムクロマトグラフィーなどによる精製操作が可能となり、純度を十分高くすることが可能となった。また、化合物の純度が性能に大きく影響するといわれているFETやEL素子へ適用することが容易になった。また、FETやEL素子などへ適用する際にはヘテロアセン類を有機溶媒に溶かして成膜化することも考えられるが、そのような成膜化にも適している。なお、本明細書中、含カルコゲン縮環体は、複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンをカルコゲンの向きが互い違いになるように縮環したもののほか、カルコゲンの向きが同じになるように縮環したものやカルコゲンの向きがランダムに並んだものなども含む。 Since the 1st-4th heteroacene compound of this invention is a pi-electron type compound which has high planarity, it can be utilized as organic electronics materials, such as FET and an EL element. In addition, since both compounds have a trialkylsilyl group, an alkyl group, or a fluoroalkyl group at both ends, the solubility in organic solvents is higher than conventional heteroacene compounds that do not have such a terminal group. . For this reason, purification operations such as column chromatography can be performed, and the purity can be sufficiently increased. In addition, it has become easy to apply to FETs and EL devices in which the purity of the compound is said to greatly affect the performance. In addition, when applied to an FET or EL element, it may be possible to form a film by dissolving a heteroacene in an organic solvent, which is also suitable for such film formation. In addition, in this specification, the chalcogen-condensed ring is a product obtained by condensing a plurality of thiophenes, selenophene, or tellurophene so that the directions of the chalcogens are staggered, and also so that the directions of the chalcogens are the same. And those with random chalcogen orientations.
本発明の第1〜第4のヘテロアセン化合物において、Ar1,Ar2,Ar3は、例えば以下の群から選ばれたものとしてもよい。すなわち、式(1a),(2a),(3a),(4),(5),(6)に含まれるAr1,Ar2,Ar3は化7の群から選ばれたものとしてもよく、式(1b),(2b),(3b)に含まれるAr1,Ar2,Ar3は化8の群から選ばれたものとしてもよい。なお、化7及び化8におけるEは硫黄、セレン又はテルルを表す。
本発明の第1〜第4のヘテロアセン化合物において、R1はトリアルキルシリル基、炭素数が1〜18のアルキル基、炭素数が1〜18のアルキル基で全部又は一部の水素がフッ素で置換されたものとしてもよい。このうち、トリアルキルシリル基としては、3つのアルキル基がすべて同じであってもよいしすべて異なっていてもよいし1つだけ異なっていてもよく、例えばトリメチルシリル(TMS)基、トリイソプロピルシリル(TIPS)基、トリ−tert−ブチルシリル(TTBS)基、tert−ブチルジメチルシリル(TBDMS)基などが挙げられる。また、炭素数1〜18のアルキル基としては、直鎖でもよいし分岐を有していてもよく、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、ドデシル基などが挙げられる。また、このような炭素数1〜18のアルキル基で全部又は一部の水素がフッ素で置換されたものとしては、全部の水素をフッ素に置換したペルフルオロアルキル基や、末端の水素のみをフッ素で置換したアルキル基などが挙げられる。なお、トリアルキルシリル基のアルキルとして、前出の炭素数1〜18のアルキル基を使用してもよい。 In the first to fourth heteroacene compounds of the present invention, R 1 is a trialkylsilyl group, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and all or part of hydrogen is fluorine. It may be substituted. Among these, as the trialkylsilyl group, all three alkyl groups may be the same, or all may be different, or only one may be different. For example, a trimethylsilyl (TMS) group, triisopropylsilyl ( TIPS) group, tri-tert-butylsilyl (TTBS) group, tert-butyldimethylsilyl (TBDMS) group and the like. In addition, the alkyl group having 1 to 18 carbon atoms may be linear or branched, for example, methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, sec-butyl. Group, tert-butyl group, hexyl group, octyl group, dodecyl group and the like. In addition, such an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine includes a perfluoroalkyl group in which all hydrogen is substituted with fluorine, or only terminal hydrogen is fluorine. Examples include substituted alkyl groups. In addition, you may use the above-mentioned C1-C18 alkyl group as alkyl of a trialkylsilyl group.
本発明の第2及び第4のヘテロアセン化合物は、ジカルコゲニド結合を持つ縮合多環式芳香族化合物であり、有機エレクトロニクス材料として用いることができるほか、それぞれ本発明の第1及び第3のヘテロアセン化合物の合成中間体として用いることもできる。 The second and fourth heteroacene compounds of the present invention are condensed polycyclic aromatic compounds having a dichalcogenide bond, and can be used as organic electronic materials, and the first and third heteroacene compounds of the present invention, respectively. It can also be used as a synthetic intermediate.
本発明の第2のヘテロアセン化合物は、下記式(7)で表されるビスアセチレン類(式(7)中、Xは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ar1,Ar2,Ar3及びR1は前出のとおり)のXを金属に置換したあと硫黄、セレン又はテルルの単体と反応させることにより製造することができる。ここで、Xを金属に置換するには、有機金属試薬を用いることが好ましい。このような有機金属試薬としては、例えば有機リチウム(n−BuLi,sec−BuLi,tert−BuLiなど)や有機マグネシウムハライドなどを用いることができる。また、上述したように本発明の第2のヘテロアセン化合物を製造したあと、該ヘテロアセン化合物の環内の−E−E−部位を−E−に変換することにより、本発明の第1のヘテロアセン化合物を製造することができる。この変換反応は、例えば銅存在下で進行する。なお、反応溶媒、反応温度、反応時間、使用する基質や試薬のモル数などの反応条件は、使用する試薬等に応じて適宜設定すればよい。
本発明の第4のヘテロアセン化合物は、下記式(8)で表されるモノアセチレン類(式(8)中、Xは塩素、臭素又はヨウ素であり、Ar1,Ar2及びR1は前出のとおり)のXを金属に置換したあと硫黄、セレン又はテルルの単体と反応させることにより製造することができる。ここで、Xを金属に置換するには、有機金属試薬を用いることが好ましい。このような有機金属試薬としては、例えば有機リチウム(n−BuLi,sec−BuLi,tert−BuLiなど)や有機マグネシウムハライドなどを用いることができる。また、上述したように本発明の第4のヘテロアセン化合物を製造したあと、該ヘテロアセン化合物の環内の−E−E−部位を−E−に変換することにより、本発明の第3のヘテロアセン化合物を製造することができる。この変換反応は、例えば銅存在下で進行する。なお、反応溶媒、反応温度、反応時間、使用する基質や試薬のモル数などの反応条件は、使用する試薬等に応じて適宜設定すればよい。
次に、本発明のペンタアセン化合物を用いて有機薄膜トランジスタを作製する方法の一例を説明する。まず、シリコン酸化膜を絶縁層とするn型シリコン基板を、純水にて希釈した中性洗剤にて超音波洗浄を行い、その後、純水中、超音波洗浄にて洗剤除去を行う。その後、紫外線−オゾン洗浄器にて紫外線照射洗浄を行う。このようにして洗浄した基板上に本発明のヘテロアセン化合物の薄膜を真空蒸着法で作成する。ヘテロアセン化合物は、精製操作を数回繰り返した高純度のものを使用することが好ましい。真空蒸着条件は、基板を蒸着用ボートの上方に固定し、基板温度を−100〜−150℃に調整し、真空度を10−6Torrオーダーにまで減圧する。その後毎分数nm〜数10nmの速度で所望の厚さ(例えば50nm)となるように真空蒸着を行う。続いて、ソース電極およびドレイン電極として金電極を真空蒸着する。さらに、N−メチル−3,4,9,10−テトラカルボン酸ジイミドを、毎分数nmの速度で所望の厚さ(例えば50nm)となるように真空蒸着を行う。このようにして有機薄膜トランジスタを作製することができるが、これ以外の方法により作製しても構わない。 Next, an example of a method for producing an organic thin film transistor using the pentaacene compound of the present invention will be described. First, an n-type silicon substrate having a silicon oxide film as an insulating layer is subjected to ultrasonic cleaning with a neutral detergent diluted with pure water, and then the detergent is removed by ultrasonic cleaning in pure water. Thereafter, ultraviolet irradiation cleaning is performed with an ultraviolet-ozone cleaner. A thin film of the heteroacene compound of the present invention is formed on the cleaned substrate by a vacuum deposition method. As the heteroacene compound, it is preferable to use a high-purity compound obtained by repeating the purification operation several times. The vacuum deposition conditions are such that the substrate is fixed above the deposition boat, the substrate temperature is adjusted to −100 to −150 ° C., and the degree of vacuum is reduced to the order of 10 −6 Torr. Thereafter, vacuum deposition is performed so that a desired thickness (for example, 50 nm) is obtained at a rate of several nm to several tens of nm per minute. Subsequently, a gold electrode is vacuum deposited as a source electrode and a drain electrode. Furthermore, N-methyl-3,4,9,10-tetracarboxylic acid diimide is vacuum-deposited at a rate of several nm per minute so as to have a desired thickness (for example, 50 nm). Although an organic thin film transistor can be manufactured in this manner, it may be manufactured by other methods.
本発明を実施するための最良の形態を、実施例を用いて以下に説明する。 The best mode for carrying out the present invention will be described below with reference to examples.
[実施例1]
まず、下記化11の化合物1で表されるモノアセチレンは、3−ブロモ−2−ヨードチオフェンと3−ブロモ−2−エチニルチオフェンとの薗頭カップリング反応、つづいて、トリメリルシリルクロライド存在下、リチウムジイソプロピルアミドと反応させることで合成した。次に、アルゴン雰囲気下で無水THF(100mL)に溶かした化合物1(5.0g,10.2mmol)をドライアイス−アセトンバスで−78℃に冷却し、tert−BuLi(1.53M ヘプタン溶液,26.5mL,40.6mmol,4.0mol amt.)を10分間で滴下した。−78℃で60分間攪拌したのち、硫黄(結晶)(976mg,30.5mmol,3.0mol.amt.)を加え、5分間後、バスを取り除いて昇温した。2時間後、反応溶液にフェリシン化カリウム−水酸化ナトリウム水溶液を加え、ジエチルエーテルで抽出、蒸留水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、そして溶媒を留去した。赤色の残留物をシリカゲルカラム(ヘキサン)で分離精製することで,赤色固体として化合物2(2.83g,65%)(下記化11参照)を得た。化合物2のスペクトルデータは以下のとおり。C16H20S5Si2;red powders; 1H NMR(270MHz, CDCl3) δ 7.33(s, 1H), 7.08(s, 1H), 0.37(s, 9H), 0.34(s, 9H); MS(EI) / 428.
First, monoacetylene represented by the compound 1 of the following chemical formula 11 is a Sonogashira coupling reaction between 3-bromo-2-iodothiophene and 3-bromo-2-ethynylthiophene, followed by presence of trimerylsilyl chloride. This was synthesized by reacting with lithium diisopropylamide. Next, Compound 1 (5.0 g, 10.2 mmol) dissolved in anhydrous THF (100 mL) under an argon atmosphere was cooled to −78 ° C. with a dry ice-acetone bath, and tert-BuLi (1.53 M heptane solution, 26.5 mL, 40.6 mmol, 4.0 mol amt.) Was added dropwise over 10 minutes. After stirring at −78 ° C. for 60 minutes, sulfur (crystal) (976 mg, 30.5 mmol, 3.0 mol. Amt.) Was added, and after 5 minutes, the bath was removed and the temperature was raised. Two hours later, potassium ferricinated sodium hydroxide aqueous solution was added to the reaction solution, extracted with diethyl ether, washed with distilled water, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The red residue was separated and purified with a silica gel column (hexane) to obtain Compound 2 (2.83 g, 65%) (see Chemical Formula 11 below) as a red solid. The spectral data of Compound 2 is as follows. C 16 H 20 S 5 Si 2 ; red powders; 1 H NMR (270 MHz, CDCl 3 ) δ 7.33 (s, 1H), 7.08 (s, 1H), 0.37 (s, 9H), 0.34 (s, 9H); MS (EI) / 428.
[実施例2]
アルゴン雰囲気下で化合物2(300mg,0.699mmol)を銅(ナノサイズ粉末)(178mg,2.80mmol,4.0mol amt.)存在下、300℃で20分間加熱した。放冷後、ジクロロメタンを加え、不溶分を濾過し、濾液を濃縮した。得られた固体をシリカゲルカラム(ヘキサン)を用いて分離精製することで、無色結晶として化合物3(155mg,56%)(下記化12参照)を得た。この化合物3について、末端がTMSではなく水素のもの(化合物3’という)を合成し、それぞれのヘキサンに対する溶解度を調べたところ、化合物3’の溶解度は0.16mg/mLであったのに対し化合物3の溶解度は4.0mg/mLであった。つまり、化合物3は化合物3’に比べてヘキサンに25倍溶けることがわかった。なお、化合物3のスペクトルデータは以下のとおり。C16H20S4Si2;colorless powders; 1H NMR(270MHz, CDCl3) δ 7.38(s, 2H), 0.38(s, 18H).
Compound 2 (300 mg, 0.699 mmol) was heated at 300 ° C. for 20 minutes in the presence of copper (nanosize powder) (178 mg, 2.80 mmol, 4.0 mol amt.) Under an argon atmosphere. After allowing to cool, dichloromethane was added, insoluble matter was filtered off, and the filtrate was concentrated. The obtained solid was separated and purified using a silica gel column (hexane) to obtain Compound 3 (155 mg, 56%) (see the following chemical formula 12) as colorless crystals. As for this compound 3, a compound having a terminal hydrogen instead of TMS (referred to as compound 3 ′) was synthesized, and the solubility in each hexane was examined. As a result, the solubility of compound 3 ′ was 0.16 mg / mL. The solubility of Compound 3 was 4.0 mg / mL. That is, it was found that compound 3 was 25 times more soluble in hexane than compound 3 ′. In addition, the spectrum data of the compound 3 are as follows. C 16 H 20 S 4 Si 2 ; colorless powders; 1 H NMR (270 MHz, CDCl 3 ) δ 7.38 (s, 2H), 0.38 (s, 18H).
[実施例3]
まず、下記化13の化合物4で表されるビスアセチレンを、2,3,5,6−テトラブロモチエニル[3,2−b]チオフェンと3−ブロモ−2−エチニル−5−トリイソプロピルシリルチオフェンとの薗頭カップリング反応で合成した。次に、アルゴン雰囲気下で無水THF(4mL)に溶かした化合物4(200mg,0.204mmol)をドライアイス−アセトンバスで−78℃に冷却し、tert−BuLi (1.49Mヘプタン溶液,1.10mL,1.63mmol,8.0mol amt.)を5分間で滴下した。−78℃で30分間攪拌したのち、0℃に昇温した。この反応溶液を硫黄のトルエン溶液(0.306M,4.0mL,1.22mmol,6.0mol amt.)に加え、0℃で15分間攪拌したのち、アイスバスを取り除いて昇温した。4時間後、反応溶液にフェリシン化カリウム−水酸化ナトリウム水溶液を加え、ジクロロメタンで抽出、蒸留水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、そして溶媒を留去した。赤紫色の残留物をシリカゲルでショートカラム(ジクロロメタン)をした後、さらにGPC(クロロホルム)を用いて分離精製することで、位置異性体混合物として化合物5(42mg,24%)(下記化13参照)を得た。化合物5のスペクトルデータは以下のとおり。C36H44S10Si2;purple powders; 1H NMR(270MHz, CDCl3) δ 7.41(s), 7.37(s), 7.35(s), 7.10(s), 1.47-1.34(m), 1.16-1.13(m); MS(MALDI) / 852.
First, bisacetylene represented by the compound 4 shown below is converted into 2,3,5,6-tetrabromothienyl [3,2-b] thiophene and 3-bromo-2-ethynyl-5-triisopropylsilylthiophene. And the Sonogashira coupling reaction. Next, Compound 4 (200 mg, 0.204 mmol) dissolved in anhydrous THF (4 mL) under an argon atmosphere was cooled to −78 ° C. in a dry ice-acetone bath, and tert-BuLi (1.49 M heptane solution, 1. 10 mL, 1.63 mmol, 8.0 mol amt.) Was added dropwise over 5 minutes. After stirring at −78 ° C. for 30 minutes, the temperature was raised to 0 ° C. The reaction solution was added to a sulfur toluene solution (0.306 M, 4.0 mL, 1.22 mmol, 6.0 mol amt.), Stirred at 0 ° C. for 15 minutes, then the ice bath was removed and the temperature was raised. After 4 hours, a potassium ferricinated sodium hydroxide aqueous solution was added to the reaction solution, extracted with dichloromethane, washed with distilled water, dried over magnesium sulfate, and the solvent was distilled off. The reddish purple residue was subjected to a short column (dichloromethane) with silica gel, and further separated and purified using GPC (chloroform) to give compound 5 (42 mg, 24%) as a regioisomer mixture (see the following chemical formula 13). Got. The spectral data of
[実施例4]
アルゴン雰囲気下で化合物5(50mg,0.0586mmol)を銅(ナノサイズ粉末)(150mg,2.36mmol,40mol.amt.)存在下、320℃で2時間30分加熱した。放冷後、ジクロロメタンを加え、不溶分を濾過した。この不溶分を熱オルトジクロロベンゼンで洗浄、熱時濾過し、濾液を濃縮することで、目的とする化合物6(23.7mg,51%)(下記化14参照)を黄色固体として得た。この化合物6のサイクリックボルタンメトリーの測定結果を図1に示す。図1に示すように、化合物6では可逆な2段階の酸化ピーク(E1/2=+0.43V,+0.82V vs Fc/Fc+)が観測された。この結果は、化合物6がp型電荷輸送材料として期待できることを示している。また、化合物6のスペクトルデータは以下のとおり。C36H44S8Si2;yellow needles; 1H NMR(400MHz, C6D4Cl2) δ 7.28(s, 2H), 1.28-1.19(m, 6H), 1.08(d, 36H, J=7.2Hz); MS(MALDI) / 788.
Compound 5 (50 mg, 0.0586 mmol) was heated at 320 ° C. for 2 hours and 30 minutes in the presence of copper (nanosize powder) (150 mg, 2.36 mmol, 40 mol. Amt.) Under an argon atmosphere. After allowing to cool, dichloromethane was added and insolubles were filtered off. The insoluble matter was washed with hot orthodichlorobenzene, filtered while hot, and the filtrate was concentrated to obtain the target compound 6 (23.7 mg, 51%) (see the following chemical formula 14) as a yellow solid. The measurement result of the cyclic voltammetry of this compound 6 is shown in FIG. As shown in FIG. 1, in Compound 6, reversible two-stage oxidation peaks (E 1/2 = + 0.43 V, +0.82 V vs Fc / Fc +) were observed. This result shows that Compound 6 can be expected as a p-type charge transport material. Moreover, the spectrum data of the compound 6 are as follows. C 36 H 44 S 8 Si 2 ; yellow needles; 1 H NMR (400 MHz, C 6 D 4 Cl 2 ) δ 7.28 (s, 2H), 1.28-1.19 (m, 6H), 1.08 (d, 36H, J = 7.2Hz); MS (MALDI) / 788.
なお、本発明は以上の実施例に何ら限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り、種々の態様で実施することができる。 In addition, this invention is not limited to the above Example at all, As long as it belongs to the technical scope of this invention, it can implement in a various aspect.
例えば、上述した実施例1〜4では、ポリチオフェンの製造例について説明したが、ポリセレノフェンやポリテルロフェンについても同様にして製造することができる。 For example, in Examples 1 to 4 described above, the production example of polythiophene has been described, but polyselenophene and polytellurophene can be produced in the same manner.
Claims (10)
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基,炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1Ar2及びAr3はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である) A heteroacene compound represented by the following formula (1a) or (1b).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 Ar 2 and Ar 3 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a thiophene, selenophene or tellurophene-containing chalcogen-condensed ring)
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
m,nはm=1のときn=2でm=2のときn=1であり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基,炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1Ar2及びAr3はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である) A heteroacene compound represented by the following formula (2a), (2b), (3a) or formula (3b).
E is sulfur, selenium or tellurium;
m and n are n = 2 when m = 1 and n = 1 when m = 2,
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 Ar 2 and Ar 3 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a thiophene, selenophene or tellurophene-containing chalcogen-condensed ring)
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基,炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1及びAr2はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である) A heteroacene compound represented by the following formula (4).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 and Ar 2 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a chalcogen-condensed ring in which a plurality of thiophene, selenophene, or tellurophene are condensed.
Eは硫黄、セレン又はテルルであり、
R1はアリール基、オリゴアリール基、1価の複素環基、1価のオリゴ複素環基、トリアルキルシリル基、炭素数1〜18のアルキル基,炭素数1〜18のアルキル基であって全部又は一部の水素がフッ素に置換されたフルオロアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アルケニル基、アルキニル基、アリル基、アミノ基、N−アルキルアミド基、アルカンカルボキサミド基、アゾ基、カルボキシル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、ホルミル基、ニトロ基、シアノ基、ボリル基、ホスフィノ基、シリルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アルキルスルホニルオキシ基、またはハロゲン原子であり、
Ar1及びAr2はそれぞれ独立してベンゼン、ナフタレン、アントラセン、チオフェン、セレノフェン、テルロフェン又は複数のチオフェンかセレノフェンかテルロフェンの縮環した含カルコゲン縮環体である) The heteroacene compound represented by following formula (5) or formula (6).
E is sulfur, selenium or tellurium;
R 1 is an aryl group, oligoaryl group, monovalent heterocyclic group, monovalent oligoheterocyclic group, trialkylsilyl group, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, Fluoroalkyl group, alkoxy group, alkylthio group, aryloxy group, arylthio group, arylalkyl group, arylalkoxy group, arylalkylthio group, alkenyl group, alkynyl group, allyl group, in which all or part of hydrogen is substituted with fluorine, Amino group, N-alkylamide group, alkanecarboxamide group, azo group, carboxyl group, acyl group, alkoxycarbonyl group, formyl group, nitro group, cyano group, boryl group, phosphino group, silyloxy group, arylsulfonyloxy group, alkyl A sulfonyloxy group or a halogen atom,
Ar 1 and Ar 2 are each independently benzene, naphthalene, anthracene, thiophene, selenophene, tellurophene, or a chalcogen-condensed ring in which a plurality of thiophene, selenophene, or tellurophene are condensed.
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WO2011024804A1 (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 帝人株式会社 | NOVEL ADDUCT COMPOUND, METHODS FOR PURIFICATION AND PREPARATION OF FUSED POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND, SOLUTION FOR FORMATION OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND NOVEL α-DIKETONE COMPOUND |
JP2011148743A (en) * | 2010-01-22 | 2011-08-04 | Teijin Ltd | Method for purifying and producing fused polycyclic aromatic compound |
JP2011162510A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Teijin Ltd | NEW alpha-DIKETONE COMPOUND, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE |
JP2011168569A (en) * | 2009-08-28 | 2011-09-01 | Teijin Ltd | New adduct compound, and organic semiconductor device |
TWI565786B (en) * | 2011-07-19 | 2017-01-11 | 馬克專利公司 | Organic semiconductors |
-
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Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009062302A (en) * | 2007-09-05 | 2009-03-26 | Chisso Corp | Compound having [1]benzochalcogeno[3,2-b][1]benzochalcogenophene backbone and organic transistor using the same |
WO2011024804A1 (en) * | 2009-08-28 | 2011-03-03 | 帝人株式会社 | NOVEL ADDUCT COMPOUND, METHODS FOR PURIFICATION AND PREPARATION OF FUSED POLYCYCLIC AROMATIC COMPOUND, SOLUTION FOR FORMATION OF ORGANIC SEMICONDUCTOR FILM, AND NOVEL α-DIKETONE COMPOUND |
JP2011168569A (en) * | 2009-08-28 | 2011-09-01 | Teijin Ltd | New adduct compound, and organic semiconductor device |
CN102548998A (en) * | 2009-08-28 | 2012-07-04 | 帝人株式会社 | Novel adduct compound, methods for purification and preparation of fused polycyclic aromatic compound, solution for formation of organic semiconductor film, and novel a-diketone compound |
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JP2011162510A (en) * | 2010-02-12 | 2011-08-25 | Teijin Ltd | NEW alpha-DIKETONE COMPOUND, AND ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE |
TWI565786B (en) * | 2011-07-19 | 2017-01-11 | 馬克專利公司 | Organic semiconductors |
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