JP2006244808A - 有機ｅｌ装置の製造方法及び有機ｅｌ装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 封止性を損なうことなく、しかも生産効率の低下を招くこともなく、これにより低コストで高品質の有機ＥＬ装置を製造し得る、有機ＥＬ装置の製造方法、及びこの製造方法によって得られる有機ＥＬ装置を提供する。
【解決手段】 複数の素子領域３を有した複数個取りの大型素子基板１０に接着剤６を用いて大型封止基板１１を貼着し、その後スクライブライン５に沿って素子領域３毎に個片化する有機ＥＬ装置９の製造方法である。大型素子基板１０及び／又は大型封止基板１１の、スクライブライン５に沿って設けられる接着剤６に対してスクライブライン５側の側部に、スクライブライン５に沿って溝１２を形成しておく工程と、大型素子基板１０及び／又は大型封止基板１１の、スクライブライン５に沿う所定位置に接着剤６を設ける工程と、を備えている。スクライブは、スクライブライン５に沿って溝１２内で行う。
【選択図】 図１

Description

本発明は、大型の基板をスクライブすることで個片化し、有機ＥＬ装置を得る、有機ＥＬ装置の製造方法と、これによって得られる有機ＥＬ装置に関する。

平面型の表示装置（フラットパネルディスプレイ）として、陽極と陰極との間に有機発光材料からなる発光層を形成した、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置が知られている。このような有機ＥＬ装置については、近年、その開発が強く進められ、これらを多数備えたカラー表示装置としての有機ＥＬ装置も、一部に提供されている。また、このような有機ＥＬ装置は、平面型の表示装置としてだけでなく、各種の表示体や照明としても、その利用が期待されている。

ところで、このような有機ＥＬ装置（有機ＥＬ素子）にあっては、特に生産性の効率化による低コスト化や、高品質化が、実用化のための大きな課題となっている。このような背景から、従来、有機ＥＬ装置の製造方法として、大型の基板をスクライブすることで個片化し、有機ＥＬ装置を得るといった手法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２参照）。

大型の基板をスクライブすることで個片化する方法として、具体的には、まず、図７（ａ）に示すように大型素子基板１と大型封止基板２とを用意する。なお、大型素子基板１には平面視矩形状、すなわち大型素子基板１の表面をなす平面に対して垂直な方向から見た場合に矩形状である素子領域３が、多数形成されており、大型封止基板２の内面には、前記素子領域３に対応する位置に凹部４が形成されているものとする。大型封止基板２における凹部４間には、図７（ａ）中二点鎖線で示すように、スクライブを行うためのスクライブライン５が設計上設けられている（想定されている）。この例においては、大型封止基板２側ではスクライブライン５が２本となっている。一方、大型素子基板１側では、スクライブライン５が１本となっている。

次に、図７（ｂ）に示すように大型素子基板１の、前記スクライブライン５の側部、すなわちスクライブライン５に対して素子領域３側の側部に、該スクライブライン５に沿って接着剤６を配する。なお、この例では、大型素子基板１にはスクライブライン５が１本しか設けられていないが、接着剤６を配する位置としては、大型封止基板２側に設けられるスクライブライン５に対応して、これらの側部に配するようにする。

次いで、図７（ｃ）に示すように接着剤６を介して大型素子基板１と大型封止基板２とを接合し、さらに接着剤６を硬化させることで大型素子基板１と大型封止基板２とを貼着する。
その後、前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行い、前記素子領域３毎に個片化して有機ＥＬ装置を得る。
特開２００１−３４５１７５号公報 特開２００３−１８１８２５号公報

しかしながら、前述した有機ＥＬ装置の製造方法においては以下に述べる解決すべき課題がある。
図７（ｃ）に示したように接着剤６を介して大型素子基板１と大型封止基板２とを接合すると、その際、接着剤６が広がりすぎてしまい、図７（ｃ）中Ａに示すように、スクライブライン５を挟んで隣り合っていた２条の接着剤６がスクライブライン５上で繋がってしまう。その結果、接着剤６を硬化させた後、スクライブを行って個片化しようとしても、接着剤６が繋がってしまった箇所ではスクライブによる個片化を良好に行うことができなくなってしまう。そして、個片化すべく接着剤６が繋がってしまった箇所を無理に引きはがそうとすると、この接着剤６に応力がかかってしまい、接着剤６と基板１（２）との間で層間剥離が生じてしまい、接着剤６による封止性が著しく損なわれてしまうことがある。

このような問題をなくすため、素子領域３、３間の領域７を広げ、接着剤６がスクライブライン５上で繋がってしまうのを防止することも考えられる。しかし、その場合には、前記領域７が最終製品として用いられない無効領域となり、この無効領域が広くなり過ぎてしまうことから、大型基板に対する取り個数が少なくなって製品に対する材料コストが高くなり、結果的に生産効率が低下してしまうといった新たな問題を生じてしまう。

本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、封止性を損なうことなく、しかも生産効率の低下を招くこともなく、これにより低コストで高品質の有機ＥＬ装置を製造し得る、有機ＥＬ装置の製造方法、及びこの製造方法によって得られる有機ＥＬ装置を提供することにある。

前記目的を達成するため本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着し、その後、スクライブラインに沿って前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の、前記スクライブラインに沿って設けられる接着剤に対して前記スクライブライン側の側部に、該スクライブラインに沿って溝を形成しておく工程と、
前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の、前記スクライブラインに沿う所定位置に接着剤を設ける工程と、
前記接着剤を介して前記大型素子基板と前記大型封止基板とを貼着する工程と、
前記スクライブラインに沿って前記溝内でスクライブを行い、前記素子領域毎に個片化して有機ＥＬ装置を得る工程と、を備えたことを特徴としている。

この有機ＥＬ装置の製造方法によれば、前記スクライブラインに沿って設けられる接着剤に対して前記スクライブライン側の側部に、該スクライブラインに沿って溝を形成しておくので、前記接着剤を介して前記大型素子基板と前記大型封止基板とを接合した際、接着剤が広がってその一部がスクライブライン側に移行しても、該接着剤は前記溝内に入り込んでそれ以上広がることが抑えられる。したがって、溝を挟んで隣り合う接着剤と繋がってしまい、その状態で硬化してしまうことにより、スクライブを十分に行うことができず、これによって封止性が損なわれてしまうなどの不都合が防止される。

また、前記製造方法においては、前記大型封止基板は、その内面が平面になっていてもよい。
このようにすれば、素子基板に対してその全面に封止基板を貼着する、いわゆるベタ封止（全面封止）構造にすることができる。

また、前記製造方法においては、前記大型封止基板は、その内面の前記素子領域に対応する位置に凹部が形成されていてもよい。
このようにすれば、素子基板に対して封止基板をいわゆる缶封止することができ、したがって前記凹部内に例えば吸湿剤を設けておくことにより、得られる有機ＥＬ装置の耐湿性向上を図ることが可能になる。

なお、この製造方法においては、前記溝を、前記大型封止基板側に形成するのが好ましい。
このようにすれば、前記溝の形成を前記凹部の形成工程内において行うことが可能になり、生産性の向上を図ることができる。

また、前記製造方法においては、前記溝を、前記大型素子基板及び前記大型封止基板の両方に形成してもよい。
このようにすれば、溝を挟んで隣り合う接着剤が繋がってしまうことによる不都合を、より確実に防止することができる。

また、前記製造方法においては、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを貼着する工程に先立ち、前記溝内及び／又は該溝と対向する位置に支持壁材を配しておくのが好ましい。
このようにすれば、前記大型素子基板と前記大型封止基板とを貼着した後、前記スクライブラインに沿って前記溝内でスクライブを行った際、前記大型素子基板と前記大型封止基板との間において前記支持壁材がスクライブ時の圧力を受けて一方の基板から他方の基板に伝えるよう機能する。したがって、スクライブ時の圧が二つの基板に安定して伝わることにより、スクライブ位置以外の箇所に偏って応力が発生することでクラック等が生じるのが防止される。

なお、この製造方法においては、前記支持壁材は、前記大型封止基板及び大型素子基板に対する接着性が前記接着剤より低い樹脂からなるのが好ましい。
このようにすれば、支持壁材自体が大型封止基板と大型素子基板との間を接着することでスクライブライン上でのスクライブが十分になされなくなり、これによって封止性が損なわれてしまうなどの不都合が防止される。

また、前記製造方法においては、前記溝を前記大型素子基板に形成する場合に、該溝を形成しておく工程を、大型素子基板中の素子領域に素子部を形成する工程と共通で行うのが好ましい。
このようにすれば、工程数の増加による生産性の低下を抑え、生産効率の向上を図ることができる。

本発明の有機ＥＬ装置は、前記の製造方法によって得られたことを特徴としている。
この有機ＥＬ装置によれば、十分な封止性が得られた良好なものとなる。

以下、本発明を詳しく説明する。
（第１の実施形態）
図１（ａ）〜（ｄ）は本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の、第１の実施形態を説明するための図である。まず、図１（ａ）に示すように、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを用意する。ただし、本実施形態では、図７（ａ）に示した従来と異なり、これら大型素子基板１０及び／又は大型封止基板１１に溝１２を形成しておく。本実施形態では大型封止基板１１側のみに溝１２を形成している。

ここで、大型素子基板１０には、図２に示すように、平面視矩形状の素子領域３が縦横に配列した状態で多数形成されている。この素子領域３は、例えば図３に示すように、無アルカリガラス等からなる素子基板２０上に構成されたものである。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置は、発光層６０で発光した光を陽極（画素電極）２３側から出射する、いわゆるボトムエミッション型のものとする。ただし、光を陰極（対向電極）５０側から出射する、いわゆるトップエミッション型のものにも、本発明を適用できるのはもちろんである。

素子基板２０上には、画素電極２３に接続する駆動用ＴＦＴ１２３などを含む回路部２１が形成されており、その上に有機ＥＬ素子２２が設けられている。有機ＥＬ素子２２は、陽極として機能する画素電極２３と、この画素電極２３からの正孔を注入／輸送する正孔輸送層７０と、有機ＥＬ物質からなる発光層６０と、陰極５０とが順に形成されたことによって構成されている。このような構成のもとに有機ＥＬ素子２２は、正孔輸送層７０から注入された正孔と陰極５０からの電子とが発光層６０で結合することにより、発光をなすようになっている。

陽極として機能する画素電極２３は、特にボトムエミッション型である場合、透明導電材料によって形成されており、具体的にはＩＴＯが好適に用いられている。
正孔輸送層７０の形成材料としては、例えば３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）の分散液、すなわち、分散媒としてのポリスチレンスルフォン酸に３，４−ポリエチレンジオキシチオフェンを分散させ、さらにこれを水に分散させた分散液が好適に用いられている。

発光層６０を形成するための材料としては、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられている。また、これら材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等をドープして用いることもできる。

陰極５０は、前記発光層６０を覆って形成されたもので、例えばＣａを厚さ２０ｎｍ程度に形成し、その上にＡｌを厚さ２００ｎｍ程度に形成して積層構造の電極とし、Ａｌを反射層としても機能させたものである。
なお、この陰極５０上には封止層５１が形成されており、さらにこの封止層５１上には、接着剤（接着層）を介して前記大型封止基板１１からなる封止基板が貼着されるようになっている。

また、このような有機ＥＬ素子２２の下方には、前述したように回路部２１が設けられている。この回路部２１は素子基板２０上に形成されたものである。すなわち、素子基板２０の表面にはＳｉＯ_２を主体とする下地保護層２８１が下地として形成され、その上にはシリコン層２４１が形成されている。このシリコン層２４１の表面には、ＳｉＯ_２及び／又はＳｉＮを主体とするゲート絶縁層２８２が形成されている。

また、前記シリコン層２４１のうち、ゲート絶縁層２８２を挟んでゲート電極２４２と重なる領域がチャネル領域２４１ａとされている。なお、このゲート電極２４２は、図示しない走査線の一部である。一方、シリコン層２４１を覆い、ゲート電極２４２を形成したゲート絶縁層２８２の表面には、ＳｉＯ_２を主体とする第１層間絶縁層２８３が形成されている。

また、シリコン層２４１のうち、チャネル領域２４１ａのソース側には、低濃度ソース領域２４１ｂおよび高濃度ソース領域２４１Ｓが設けられる一方、チャネル領域２４１ａのドレイン側には低濃度ドレイン領域２４１ｃおよび高濃度ドレイン領域２４１Ｄが設けられて、いわゆるＬＤＤ（Light Doped Drain ）構造となっている。これらのうち、高濃度ソース領域２４１Ｓは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４３ａを介して、ソース電極２４３に接続されている。このソース電極２４３は、電源線（図示せず）の一部として構成されている。一方、高濃度ドレイン領域２４１Ｄは、ゲート絶縁層２８２と第１層間絶縁層２８３とにわたって開孔するコンタクトホール２４４ａを介して、ソース電極２４３と同一層からなるドレイン電極２４４に接続されている。

ソース電極２４３およびドレイン電極２４４が形成された第１層間絶縁層２８３の上層には、平坦化膜２８４が形成されている。この平坦化膜２８４は、例えばアクリル系やポリイミド系等の耐熱性絶縁性樹脂によって形成されたもので、駆動用ＴＦＴ１２３やソース電極２４３、ドレイン電極２４４などによる表面の凹凸をなくすために形成された公知のものである。

そして、ＩＴＯ等からなる画素電極２３が、この平坦化膜２８４の表面上に形成されるとともに、該平坦化膜２８４に設けられたコンタクトホール２３ａを介してドレイン電極２４４に接続されている。すなわち、画素電極２３は、ドレイン電極２４４を介して、シリコン層２４１の高濃度ドレイン領域２４１Ｄに接続されている。

画素電極２３が形成された平坦化膜２８４の表面には、画素電極２３と、前述した無機隔壁２５とが形成されており、さらに無機隔壁２５上には、有機隔壁２２１が形成されている。そして、画素電極２３上には、無機隔壁２５に形成された前記開口２５ａと、有機隔壁２２１に形成された開口２２１ａとの内部、すなわち画素領域に、前記の正孔輸送層７０と発光層６０とが画素電極２３側からこの順で積層され、さらに発光層６０を覆って陰極５０が設けられていることにより、前述したように有機ＥＬ素子２２が形成されている。

なお、このような構成からなる素子領域３を備えた大型素子基板１０に、後述するように本発明の溝を形成する場合には、特に該溝を形成する工程を、大型素子基板１０中の素子領域３に素子部を形成する工程、すなわち前記回路部２１における駆動用ＴＦＴ１２３の各構成要素や各種の膜（層）に形成するコンタクホール等の形成工程、さらには有機ＥＬ素子２２を構成する隔壁（無機隔壁２５、有機隔壁２２１）などのパターニング等の工程と、共通で行うのが好ましい。

また、図１（ａ）に示した大型封止基板１１は、後述するスクライブによって個片化されることにより、最終的に前記封止層５１上に貼着される封止基板となるもので、その内面には、前記素子領域３に対応する位置に凹部４が形成されている。このような構成のもとにこの大型封止基板１１は、個片化された封止基板が缶封止構造をとるようになっている。なお、前記凹部４内には、大型封止基板１１を大型素子基板１０に貼着するに先立ち、必要に応じて予め乾燥剤を配しておく。

この大型封止基板１１における凹部４間には、図１（ａ）中二点鎖線で示すように、スクライブを行うためのスクライブライン５が設計上設けられている（想定されている）。この実施形態では、大型封止基板１１側においても、また大型素子基板１０側においても、スクライブライン５が共に１本ずつとなっている。そして、このような大型封止基板１１を製造するに際して、特に凹部４、４間におけるスクライブライン５の形成部分、すなわち、凹部４、４に対して相対的に突出してなる凸部１３には、前述したように溝１２を１条形成しておく。

この溝１２については、前記スクライブライン５が設計上設けられている位置に沿って、これの上に形成する。すなわち、後述するように前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行う際、前記溝１２内にてスクライブがなされるよう、溝１２を形成する。また、この溝１２については、図１（ｂ）に示すように大型素子基板１０側において、そのスクライブライン５に沿って設けられる接着剤６に対し、そのスクライブライン５側の側部に位置するようにして形成する。すなわち、図２に示すように大型素子基板１０側では、縦横に配列され形成された素子領域３間にスクライブライン５を設け、これらスクライブライン５の両側（あるいは片側）に、該スクライブライン５に沿って接着剤６を配置するが、前記大型封止基板１０側では、図２に示したスクライブライン５上で、かつ、接着剤６、６に挟まれた位置と対向する位置に、溝１２を形成するようにしている。

このような大型封止基板１１を形成するには、その内面側に、エッチング法（ケミカル法）やサンドブラスト法、さらにはこれらを組み合わせる方法等により、凹部４と溝１２とを形成する。なお、サンドブラスト法を採用した場合、加工により基板に歪等が残り易くなるので、大型封止基板１１が特に大型である場合には、加工法としてエッチング法を用いるのが好ましい。また、このような加工を行う場合、特に凹部４及び溝１２の深さをほぼ同じに設定しておけば、溝１２の形成を凹部４の形成工程内において行うことができ、したがってこれら凹部４及び溝１２の形成を同一工程で行うことができることから、生産性を向上することができる。

ただし、凹部４については、大型封止基板１１を個片化した後に得られる缶封止構造において、通常は前述したようにこの凹部４内に乾燥剤等を設けるため、その深さを例えば０．３ｍｍ程度としている。これに対し溝１２については、後述するように接着剤６が必要以上に広がるのを防ぐためのものであり、その深さについては、例えば０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の範囲内であれば特に限定されない。したがって、例えば溝１２の深さを凹部４の深さより浅くすることで、スクライブライン５でのスクライブ時における強度を最適化することができ、または生産性を良くすることができるなどの理由により、凹部４と深さと溝１２の深さを異ならせるようにしてもよい。

前記溝１２の幅については、例えば０．２ｍｍ〜２ｍｍ程度とするのが好ましく、このような範囲であれば、大型封止基板１１の寸法に関係なく、後述するように接着剤６が必要以上に広がるの確実に防ぐことができる。すなわち、後述する接着剤６からなる接着層の厚さは、通常数μｍ〜２０μｍ程度であり、したがって溝１２を前記深さに形成しておけば、前記接着剤６が広がった際に、前記厚さとなる程度の量の接着剤６を該溝１２内に十分に落とし込むことが可能になるからである。ただし、後述するようにこの溝１２内でスクライブを行うことから、溝１２はこのスクライブに必要な幅を有している必要がある。

なお、図２に示したように、大型素子基板１０において外周部に配置される素子領域３ａについては、スクライブライン５に対して素子領域３ａ側にのみ接着剤６を配し、反対の無効領域８側には接着剤６を配さない場合もある。その場合、前記溝１２についても、無効領域８側のスクライブライン５上に形成する必要はない。

このようにして大型封止基板１１に凹部４及び溝１２を形成したら、図１（ｂ）に示すように大型素子基板１０の、前記スクライブライン５の側部、すなわちスクライブライン５に対して素子領域３側の側部に、該スクライブライン５に沿って接着剤６を配する。ただし、この接着剤６の配置については、この大型素子基板１０に貼着される前記大型封止基板１１の、前記溝１２の位置より外側となる位置に配するのは前述した通りである。

次いで、図１（ｃ）に示すように接着剤６を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。このとき、通常は大型封止基板１１の自重によって該大型封止基板１１がその全面において大型素子基板１０に対しほぼ均一に密着するが、さらに密着性を高めたい場合などでは、必要に応じて大型封止基板１１側を加圧してもよい。このようにして接合すると、接着剤６は大型封止基板１１の凸部１３によって押し広げられ、線状に設けられた位置に対してその両側に広がる。しかしながら、各接着剤６は、スクライブライン５側に溝１２が形成されていることから、スクライブライン５側に広がっても前記溝１２に至るとそこから溝１２内に入り込んでしまい、それ以上広がってしまうことが抑えられている。したがって、溝１２を挟んで隣り合う別の接着剤６と繋がってしまい、その状態で硬化してしまうといったことが確実に防止されている。

ここで、各接着剤６は、これが押し広げられて形成される接着層の厚さが、通常は数μｍ〜２０μｍ程度となるようにその量が設定され、配されている。したがって、前述したように溝１２を、その幅が例えば０．２ｍｍ〜２ｍｍ程度、深さが例えば０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度となるように形成しておくことにより、接着剤６が広がった際にこれを該溝１２内に落とし込み、それ以上スクライブライン５側に移行するのを防止しているのである。

次いで、接着剤６を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを貼着する。接着剤６については、熱硬化型のものや紫外線硬化型のものを用いることができ、具体的にはエポキシ系のものを用いることができる。接着剤６の硬化処理については、その種類に応じて加熱又は紫外線照射によって行う。このようにして接着剤６を硬化させると、図１（ｃ）に示したように接着剤６は溝１２によってそれ以上スクライブライン５側に広がるのが防止されているため、スクライブライン５を挟んで配された２条の接着剤６は互いに繋がってしまうことがなく、溝１２の側部にてフィレット状に硬化したものとなる。よって、スクライブライン５が設計的に設けられている（想定されている）溝１２内には接着剤６がほとんど入り込まず、したがってスクライブライン５上にて硬化してしまうことが防止されている。

その後、図１（ｄ）に示すように前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行い、前記素子領域３毎に個片化して有機ＥＬ装置９を得る。すると、従来と異なり、スクライブライン５の位置には接着剤６が広がって入り込むことが確実に防止されているので、スクライブライン５上で接着剤６が硬化してしまっていることにより、スクライブを十分に行うことができなくなるといったことがなくなる。

したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置９の製造方法にあっては、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。また、無効領域を広げることによって取り個数が少なくなり、生産効率が低下してしまうといった不都合も回避することができる。さらに、溝１２を形成することで接着剤６のシール幅を制御できるため、シール幅を狭くしてより無効領域を狭め、生産効率の向上を図ることもできる。

なお、前記実施形態では、スクライブライン５が１本である場合について説明したが、本発明はこれに限定されることなく、素子領域３、３間においてスクライブライン５を２本設け、２箇所でスクライブを行うようにしてもよい。例えば、図４（ａ）に示すように大型素子基板１０側において、その素子領域３の一方の側に多数の外部接続端子１４ａを形成した端子領域１４を有している場合に、大型封止基板１１側においては、前記端子領域１４を露出させるべく、図４（ｂ）に示すようにこれに対向する位置を切り落とすようにする。すなわち、端子領域１４と対向する位置の両側にそれぞれスクライブライン５を設け、一方、大型素子基板１０側では端子領域１４の外側にスクライブラインを１本設けておく。そして、これらスクライブライン５に沿ってそれぞれスクライブすることにより、図４（ｃ）に示すように端子領域１４を露出させた有機ＥＬ装置９を得る。

このようにして有機ＥＬ装置９を製造しても、図１に示した例と同様に、信頼性の向上や生産効率の向上を図ることができる。
なお、前記実施形態では、大型封止基板１１として凹部４を形成したものを用い、これによって缶封止構造をとるようにしたが、本発明はこれに限定されることなく、大型封止基板としてその内面が平面になっているものを用い、素子基板に対してその全面に封止基板を貼着する、いわゆるベタ封止（全面封止）構造としてもよい。

（第２の実施形態）
図５（ａ）〜（ｄ）は本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の、第２の実施形態を説明するための図である。この実施形態が図１に示した第１の実施形態と異なるところは、缶封止構造に代えてベタ封止（全面封止）構造とする点と、溝１２を、大型封止基板１１側ではなく、大型素子基板１０側に形成した点にある。すなわち、この実施形態では、図５（ａ）に示すように大型素子基板１０と大型封止基板１１とを用意するが、溝１２については、大型封止基板１１側にではなく、大型素子基板１０側にのみ形成しておく。また、大型封止基板１１については、その内面が平面になっており、したがって凹部４や凸部１３を形成していないものとしている。

溝１２の形状や寸法については、図１に示した前記実施形態における溝１２と同様とする。また、その配置場所についても、前記実施形態と同様、スクライブライン５に沿って、これの上に形成する。すなわち、後述するように前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行う際、前記溝１２内にてスクライブがなされるよう、溝１２を形成する。なお、溝１２の形成に際しては、前述したように大型素子基板１０中の素子領域３に素子部を形成する工程、例えば前記回路部２１における駆動用ＴＦＴ１２３の各構成要素や各種の膜（層）に形成するコンタクホール等の形成工程、さらには有機ＥＬ素子２２を形成するための隔壁（無機隔壁２５、有機隔壁２２１）などのパターニング等の工程と、共通で行うのが好ましい。このようにすれば、例えば前記封止層５１などに直接溝を形成する場合に比べ、工程数の増加による生産性の低下を抑え、生産効率の向上を図ることができる。ただし、本発明は封止層５１などに直接溝を形成する形態を排除するものではなく、もちろんこのような形態を採用することもできる。

このようにして溝１２を形成した大型素子基板１０を用意したら、図５（ｂ）に示すように大型素子基板１０における、前記スクライブライン５の側部でかつ溝１２の位置より外側となる位置に、接着剤６を配する。
次いで、前記実施形態と同様にして、図５（ｃ）に示すように接着剤６を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。このようにして接合すると、接着剤６は大型封止基板１１の内面によって押し広げられ、線状に設けられた位置に対してその両側に広がる。しかしながら、各接着剤６は、図１に示した実施形態と同様、スクライブライン５側に溝１２が形成されていることから、スクライブライン５側に広がっても前記溝１２に至るとそこから溝１２内に入り込んでしまい、それ以上広がってしまうことが抑えられている。したがって、溝１２を挟んで隣り合う別の接着剤６と溝１２内で繋がってしまい、その状態で硬化してしまうといったことが確実に防止されている。

次いで、接着剤６を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを貼着する。すると、図５（ｃ）に示したように接着剤６は溝１２によってそれ以上スクライブライン５側に広がるのが防止されているため、スクライブライン５を挟んで配された２条の接着剤６は互いに繋がってしまうことがない。よって、スクライブライン５が設計的に設けられている（想定されている）溝１２内には接着剤６がほとんど入り込まず、したがってスクライブライン５上にて硬化してしまうことが防止される。。

その後、図５（ｄ）に示すように前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行い、前記素子領域３毎に個片化して有機ＥＬ装置９を得る。すると、従来と異なり、スクライブライン５の位置には接着剤６が広がって入り込むことが確実に防止されているので、スクライブライン５上で接着剤６が硬化してしまっていることにより、スクライブを十分に行うことができなくなるといったことがなくなる。

したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置９の製造方法にあっても、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。また、無効領域を広げることによって取り個数が少なくなり、生産効率が低下してしまうといった不都合も回避することができる。さらに、溝１２を形成することで接着剤６のシール幅を制御できるため、シール幅を狭くしてより無効領域を狭め、生産効率の向上を図ることもできる。

なお、この実施形態においても、前記実施形態と同様、多数の外部接続端子１４ａを形成した端子領域１４を有している場合には、大型封止基板１１側において、前記端子領域１４を露出させるべく、２本のスクライブライン５を設けることによって端子領域１４に対向する位置を切り落とすようにしてもよい。

（第３の実施形態）
図６（ａ）〜（ｃ）は本発明の有機ＥＬ装置の製造方法の、第３の実施形態を説明するための図である。この実施形態が図１に示した第１の実施形態と異なるところは、前記大型素子基板１０と前記大型封止基板１１とを貼着する工程に先立ち、前記溝１２内、又は該溝１２と対向する位置に支持壁材を配しておく点にある。すなわち、この実施形態では、大型素子基板１０と大型封止基板１１とを用意した後、あるいはこれに続いて大型素子基板１０側に接着剤６を配した後、図６（ａ）中実線で示すように溝１２内に支持壁材１５を配する。また、溝１２内に配するのに代えて、図６（ａ）中二点鎖線で示すように溝１２と対向する位置に支持壁材１５を配してもよく、さらには、溝１２内とこれに対向する位置との両方に支持壁材１５を配してもよい。

支持壁材１５は、例えば接着剤６とは異なる樹脂によって形成されるもので、特に前記接着剤６に比べて、前記大型封止基板１１及び大型素子基板１０に対する接着性が低い樹脂からなっている。具体的には、フッ素樹脂と他の樹脂とを組み合わせてなる変性フッ素樹脂のペーストで、非粘着性の高いものを用いることができる。このような変性フッ素樹脂のペーストは、２液硬化性、熱硬化性、光硬化性のいずれをも実現することができ、したがって適宜なものを選択して用いることができる。また、このような変性フッ素樹脂系のもの以外にも、硬化後脆くなり、スクライブによって容易に破断されあるいは粉砕されるような樹脂や、撥液性が高い樹脂であれば、使用可能である。さらに、樹脂以外のものでも、例えば硬化性を有し、硬化後ある程度の硬度を有するものであれば、使用可能である。

なお、このような支持壁材１５の配置量（塗布量）については、後述するように大型封止基板１１と大型素子基板１０とを接合した際、これら大型封止基板１１及び大型素子基板１０の両方に接するような量とするのが好ましい。このようにすることで、硬化後これらの間の隙間を埋めることにより、これら基板間での圧力の伝達を容易になさせることができる。

このような樹脂からなる支持壁材１５を溝１２内及び／又は該溝１２に対向する位置に配したら、図６（ｂ）に示すように、接着剤６及び支持壁材１５を介して大型素子基板１０と大型封止基板１１とを接合する。すると、各接着剤６は、スクライブライン５側に広がっても前記溝１２によってそれ以上広がってしまうことが抑えられる。さらに、溝１２内に入り込んだ一部の接着剤６にあっても、隣り合う接着剤６、６どうしは支持壁材１５によって繋がることなく確実に分離された状態で保持される。

次いで、接着剤６を硬化させることによって大型素子基板１０と大型封止基板１１とを貼着する。また、この接着剤６の硬化時に、あるいはこれの前後に、前記支持壁材１５についてもこれを硬化させる。これら接着剤６及び支持壁材１５については、その硬化タイプが、例えば一方が熱硬化型であり、他方が紫外線照射硬化型であるなど、互いに異なっているのが好ましく、このようにすることで一方を優先的に硬化させた後、他方を硬化させ、したがって互いに固着した状態で硬化しないようにすることができる。なお、互いに固着しない材質である場合などでは、硬化タイプを同じにして同時に硬化させてもよいのはもちろんである。

その後、図６（ｃ）に示すように前記スクライブライン５に沿ってスクライブを行い、前記素子領域３毎に個片化して有機ＥＬ装置９を得る。すると、前記大型素子基板１０と前記大型封止基板１１との間においては、前記支持壁材１５がスクライブ時の圧力を受けて一方の基板から他方の基板に伝えるように機能するので、スクライブ時の圧が二つの基板に安定して伝わるようになり、したがってスクライブ位置以外の箇所に偏って応力が発生し、これによってクラック等が生じてしまうことが防止される。

また、このような有機ＥＬ装置９の製造方法にあっても、前記実施形態と同様、スクライブによる個片化を良好に行うことができなくなった場合に、無理に引きはがそうとして封止性を損ねてしまうといった不都合を確実に防止し、高品質化による信頼性の向上を図ることができる。また、無効領域を広げることによって取り個数が少なくなり、生産効率が低下してしまうといった不都合も回避することができる。さらに、溝１２を形成することで接着剤６のシール幅を制御できるため、シール幅を狭くしてより無効領域を狭め、生産効率の向上を図ることもできる。

なお、本発明は前記実施形態に限定されることなく、本発明の要旨を逸脱しない限り種々の変更が可能である。例えば、前記接着剤６については、これにビーズ等からなるスペーサーを混在させておき、これによって大型素子基板１０と大型封止基板１１との間の接着剤６の厚みによって決まる間隔を、正確に制御するようにしてもよい。
また、溝１２についても、大型素子基板１０と大型封止基板１１の両方にそれぞれ形成しておいてもよい。このようにすれば、それぞれの溝１２の深さが比較的浅くても、対向する溝の合計の深さが、接着剤の広がりによる流れを止める深さとして機能するので、溝１２を挟んで隣り合う接着剤６が繋がってしまうことによる不都合を、より確実に防止することができる。

（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施形態を説明するための工程図。 大型素子基板の要部平面図。 素子領域の概略構成を説明するための要部側断面図。 （ａ）〜（ｃ）は第１の実施形態の変形例を説明するための図。 （ａ）〜（ｄ）は本発明の第２の実施形態を説明するための工程図。 （ａ）〜（ｃ）は本発明の第３の実施形態を説明するための工程図。 （ａ）〜（ｃ）は従来の製造方法の一例を説明するための工程図。

符号の説明

３…素子領域、４…凹部、５…スクライブライン、６…接着剤、９…有機ＥＬ装置、１０…大型素子基板、１１…大型封止基板、１２…溝、１３…凸部、１３ａ…支持壁、１５…支持壁材

Claims (9)

1. 複数の素子領域を有した複数個取りの大型素子基板に接着剤を用いて大型封止基板を貼着し、その後、スクライブラインに沿って前記素子領域毎に個片化する有機ＥＬ装置の製造方法において、
   前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の、前記スクライブラインに沿って設けられる接着剤に対して前記スクライブライン側の側部に、該スクライブラインに沿って溝を形成しておく工程と、
   前記大型素子基板及び／又は前記大型封止基板の、前記スクライブラインに沿う所定位置に接着剤を設ける工程と、
   前記接着剤を介して前記大型素子基板と前記大型封止基板とを貼着する工程と、
   前記スクライブラインに沿って前記溝内でスクライブを行い、前記素子領域毎に個片化して有機ＥＬ装置を得る工程と、
   を備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
2. 前記大型封止基板は、その内面が平面になっていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
3. 前記大型封止基板は、その内面の前記素子領域に対応する位置に凹部が形成されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
4. 前記溝を、前記大型封止基板側に形成することを特徴とする請求項３記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
5. 前記溝を、前記大型素子基板及び前記大型封止基板の両方に形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
6. 前記大型素子基板と前記大型封止基板とを貼着する工程に先立ち、前記溝内及び／又は該溝と対向する位置に支持壁材を配しておくことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
7. 前記支持壁材は、前記大型封止基板及び大型素子基板に対する接着性が前記接着剤より低い樹脂からなることを特徴とする請求項６記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
8. 前記溝を前記大型素子基板に形成する場合に、該溝を形成しておく工程を、大型素子基板中の素子領域に素子部を形成する工程と共通で行うことを特徴とする請求項１、２、３、５、６、７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
9. 請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造方法によって得られた有機ＥＬ装置。
   
   

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