JP2006237128A

JP2006237128A - Semiconductor fabrication apparatus

Info

Publication number: JP2006237128A
Application number: JP2005046929A
Authority: JP
Inventors: Satao Kumon; 佐多雄久門; Norichika Yamagishi; 紀睦山岸; Makoto Hirano; 誠平野
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 2005-02-23
Filing date: 2005-02-23
Publication date: 2006-09-07

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to position either an opaque wafer and a transparent wafer. <P>SOLUTION: The controller 80 of a wafer alignment apparatus 40 includes a measuring section 81 which measures a transmission sensor photodetection amount, a measuring section 82 which measures a reflection type sensor photodetection amount, a comparator 83 which compares the transmission sensor photodetection amount and the reflection type sensor photodetection amount, a judgment section 84 which judges that is the transparent wafer when there are more transmission sensor photodetection amounts, a judgment section 85 which judges that is the opaque wafer when there are more reflecting type sensor photodetection amounts, a transparent wafer notch detector 86 which is connected to the judgment section 84 and detects the position of the notch of the transparent wafer by the transmission sensor photodetection amount and an angle signal from a motor 47, an opaque wafer notch detection unit 87 which is connected to the judgment section 85 and detects the position of the notch of the opaque wafer by the reflecting type sensor photodetection amount and an angle signal from the motor 47, and a wafer alignment unit 88 which arranges the position of the notch of fiver wafers. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、半導体製造装置に関し、特に、基板の周方向の位置を検出する位置検出技術に係り、例えば、半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）の製造方法において、半導体素子を含む半導体集積回路を作り込まれる半導体ウエハ（以下、ウエハという。）に絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したりするのに利用して有効なものに関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a position detection technique for detecting a position in a circumferential direction of a substrate. For example, in a method of manufacturing a semiconductor integrated circuit device (hereinafter referred to as an IC), a semiconductor integrated circuit including a semiconductor element. The present invention relates to a semiconductor wafer that is effective for forming a CVD film such as an insulating film or a metal film or diffusing impurities on a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer) into which a circuit is built.

一般に、ＩＣの製造方法において使用されるウエハには、円形であるウエハ自身の周方向の位置やウエハ内における結晶の方位等を指示するためのノッチ（基準位置表示部）が、ウエハの周縁の一箇所に配置されている。ノッチはウエハの周縁が狭小のＶ字形状に切り欠かれて構成されている。
そこで、ＩＣの製造方法においてウエハにＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したりする半導体製造装置においては、ウエハに配置されたノッチを検出してウエハの周方向の位置を合わせるウエハ位置合わせ装置が設置されているのが、一般的である。 Generally, a wafer used in an IC manufacturing method has a notch (reference position display unit) for indicating a circumferential position of a circular wafer itself, a crystal orientation in the wafer, and the like on the periphery of the wafer. Located in one place. The notch is formed by cutting the periphery of the wafer into a narrow V-shape.
Therefore, in a semiconductor manufacturing apparatus that forms a CVD film on a wafer or diffuses impurities in an IC manufacturing method, a wafer alignment apparatus that detects a notch arranged on the wafer and aligns the wafer in the circumferential direction. It is common that it is installed.

従来のこの種のウエハ位置合わせ装置としては、一つのコーナ部が切り欠かれた正方形の箱形状に形成された筐体と、筐体の内部に回転中心を同一の垂直線に一致された状態で回転自在に支承された五枚のターンテーブルと、各ターンテーブルを独立して回転駆動するモータおよびタイミングベルトと、ウエハの外周部を支持するために各ターンテーブルの周方向に１２０度間隔に分散配置された支持ピンと、箱体のウエハ投入口と反対側に設置されてノッチを検出する透過型センサとを備えており、回転するウエハのノッチを透過型センサによって検出することにより、各ウエハのノッチを合わせるように構成されているもの、がある。例えば、特許文献１参照。
特開２０００−２９４６１９号公報 As a conventional wafer alignment apparatus of this type, the case is formed in a square box shape with one corner cut out, and the center of rotation is aligned with the same vertical line inside the case. 5 turntables, which are rotatably supported by the motor, a motor and a timing belt for independently rotating the turntables, and 120 degrees in the circumferential direction of each turntable to support the outer periphery of the wafer. Each support wafer is provided with distributed support pins and a transmission type sensor installed on the opposite side of the box from the wafer insertion port to detect the notch, and each wafer is detected by detecting the notch of the rotating wafer with the transmission type sensor. Are configured to fit the notches. For example, see Patent Document 1.
JP 2000-294619 A

最近、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）基板を配列した石英ウエハが、ＩＣの製造方法に投入されるようになって来ている。
この石英ウエハは光透過性基板であることにより、透過型センサの発光部からの光を殆ど透過してしまうために、前述したウエハ位置合わせ装置によっては、石英ウエハの位置合わせを確保することができない。 Recently, quartz wafers on which LCD (liquid crystal display) substrates are arranged have been introduced into IC manufacturing methods.
Since this quartz wafer is a light-transmitting substrate, most of the light from the light emitting portion of the transmissive sensor is transmitted. Therefore, depending on the wafer alignment device described above, it is possible to ensure the alignment of the quartz wafer. Can not.

そこで、次のような対策方法が、考えられる。
光不透過性ウエハ（以下、不透明ウエハという。）専用のウエハ位置合わせ装置と、光透過性ウエハ（以下、透明ウエハという。）専用のウエハ位置合わせ装置とを、半導体製造装置に装備する。
しかし、次のような問題点がある。
1) 設置スペースの確保が困難である。
2) 移載中のウエハが、不透明ウエハまたは透明ウエハの何れであるかを判断する装置を別に装備したり、不透明ウエハまたは透明ウエハの何れであるかを識別する信号を上位コントローラから付与するシステムを整えたりする必要がある。
3) 不透明ウエハと透明ウエハとが混在する場合には、複数枚のウエハをウエハ移載装置によって同時に移載することができずに、枚葉移載になる場合があるために、搬送時間が延長する場合がある。 Therefore, the following countermeasures can be considered.
A semiconductor manufacturing apparatus is equipped with a wafer alignment device dedicated to a light-impermeable wafer (hereinafter referred to as an opaque wafer) and a wafer alignment device dedicated to a light-transmissive wafer (hereinafter referred to as a transparent wafer).
However, there are the following problems.
1) It is difficult to secure the installation space.
2) A system that is equipped with a separate device to determine whether the wafer being transferred is an opaque wafer or a transparent wafer, or that gives a signal for identifying whether it is an opaque wafer or a transparent wafer from a host controller It is necessary to arrange.
3) When opaque wafers and transparent wafers coexist, a plurality of wafers cannot be transferred simultaneously by the wafer transfer device and may be transferred to a single wafer. May be extended.

本発明の目的は、このような問題点を解決しつつ、光不透過性基板および光透過性基板の何れについても位置合わせすることができる半導体製造装置を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus capable of aligning both a light-impermeable substrate and a light-transmissive substrate while solving such problems.

本願が開示する発明のうち代表的なものは、次の通りである。
（１）発光する反射型発光部と、この反射型発光部から発光された光が被検出基板によって反射される場合に、その反射された光を受光する反射型受光部とを有する反射型センサと、
発光する透過型発光部と、この透過型発光部との間に被検出基板が無い場合または被検出基板があっても光が透過する場合に、前記透過型発光部から発光された光を受光する透過型受光部とを有する透過型センサと、を備えており、
前記反射型発光部と前記透過型発光部とが同一の被検出基板に向けて発光するように構成されており、
前記反射型受光部の受光量と透過型受光部の受光量とを比較して、反射型受光部での受光量の方が多ければ光不透過性基板であると判定し、透過型受光部での受光量の方が多ければ光透過性基板であると判定するコントローラを備えていることを特徴とする半導体製造装置。
（２）前記被検出基板を回転させて前記被検出基板が有するノッチを検出するノッチ検出器を備えており、このノッチ検出器には前記反射型発光部と前記透過型発光部とが同一の被検出基板に向けて発光するように設けられており、
前記被検出基板が光不透過性基板であると、前記コントローラによって判定された場合には、前記ノッチ検出器によって前記被検出基板を回転させて、前記透過型受光部での受光量が増えた位置を前記ノッチとして検出し、
前記被検出基板が光透過性基板であると、前記コントローラによって判定された場合には、前記ノッチ検出器によって前記被検出基板を回転させて、前記反射型受光部での受光量が減った位置をノッチとして検出するように構成されていることを特徴とする前記（１）に記載の半導体製造装置。 Typical inventions disclosed in the present application are as follows.
(1) A reflective sensor having a reflective light emitting unit that emits light, and a reflective light receiving unit that receives the reflected light when the light emitted from the reflective light emitting unit is reflected by the substrate to be detected. When,
Receives light emitted from the transmissive light emitting unit when there is no substrate to be detected between the transmissive light emitting unit that emits light and the transmissive light emitting unit, or when light is transmitted even though there is a detected substrate. A transmissive sensor having a transmissive light-receiving unit.
The reflective light emitting unit and the transmissive light emitting unit are configured to emit light toward the same substrate to be detected,
The amount of light received by the reflection type light receiving unit is compared with the amount of light received by the transmission type light receiving unit, and if the amount of light received by the reflection type light receiving unit is larger, it is determined that the substrate is a light-impermeable substrate. A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a controller that determines that the substrate is a light-transmitting substrate if the amount of light received at is greater.
(2) A notch detector that detects the notch included in the detected substrate by rotating the detected substrate is provided. The reflective light emitting unit and the transmissive light emitting unit are the same in this notch detector. It is provided to emit light toward the substrate to be detected,
If the controller determines that the substrate to be detected is a light impermeable substrate, the substrate to be detected is rotated by the notch detector, and the amount of light received by the transmissive light receiving unit is increased. Detecting the position as the notch,
When the controller determines that the substrate to be detected is a light-transmitting substrate, the detected substrate is rotated by the notch detector to reduce the amount of light received by the reflective light receiving unit. Is detected as a notch, the semiconductor manufacturing apparatus according to (1) above.

前記（１）によれば、反射型受光部での光量の方が多ければ光不透過性基板であると判定し、透過型受光部での受光量の方が多ければ光透過性基板であると判定することができるので、被検出基板が光不透過性基板であるのか光透過性基板であるのかを自動的に判断することができる。
その結果、被検出基板が光不透過性基板であるのか光透過性基板であるのかを、作業者や上位コントローラが事前に判別しなくても済むために、作業者や上位コントローラの負担を軽減したり誤入力を防止したりすることができる。 According to the above (1), if the amount of light at the reflective light receiving portion is larger, it is determined that the substrate is a light impermeable substrate, and if the amount of light received at the transmissive light receiving portion is larger, it is a light transmissive substrate. Therefore, it can be automatically determined whether the detection target substrate is a light-impermeable substrate or a light-transmissive substrate.
As a result, it is not necessary for the operator or the host controller to determine in advance whether the substrate to be detected is a light-impermeable substrate or a light-transmitting substrate, thereby reducing the burden on the worker and the host controller. Or prevent erroneous input.

前記（２）によれば、光不透過性基板であるのか光透過性基板であるのかを自動的に判断された被検出基板について、反射型センサまたは透過型センサを使用することにより、ノッチを検出することができる。 According to the above (2), a notch is formed by using a reflective sensor or a transmissive sensor for a substrate to be detected that is automatically determined as a light impermeable substrate or a light transmissive substrate. Can be detected.

以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。 Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

本実施の形態において、本発明に係る半導体製造装置は、ＩＣの製造方法にあってウエハに不純物を拡散したり絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したりする工程に使用されるバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置（以下、バッチ式ＣＶＤ装置という。）として構成されている。
なお、本実施の形態に係るバッチ式ＣＶＤ装置においては、ウエハ搬送用のキャリアとしては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod 。以下、ポッドという。）が使用されている。このポッドは一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成されており、開口面にはキャップが着脱自在に装着されている。 In the present embodiment, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a batch type used in a process for diffusing impurities on a wafer or forming a CVD film such as an insulating film or a metal film in an IC manufacturing method. It is configured as a vertical diffusion / CVD apparatus (hereinafter referred to as a batch type CVD apparatus).
In the batch type CVD apparatus according to the present embodiment, a FOUP (front opening unified pod, hereinafter referred to as a pod) is used as a carrier for transferring wafers. The pod is formed in a substantially cubic box shape with one surface opened, and a cap is detachably attached to the opening surface.

図１に想像線で示されているように、バッチ式ＣＶＤ装置１０は型鋼や鋼板等によって直方体の箱形状に構築された筐体１１を備えている。
筐体１１の正面壁にはポッド搬入搬出口１２が筐体１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１２はフロントシャッタ１３によって開閉されるようになっている。
図１に示されているように筐体１１の正面壁のポッド搬入搬出口１２の手前には、ポッドステージ１４が設置されており、ポッドステージ１４はウエハ１を収納するためのポッド２を載置されて位置合わせを実行するように構成されている。
ポッド２はポッドステージ１４の上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ポッドステージ１４の上から搬出されるようになっている。 As shown by the imaginary line in FIG. 1, the batch type CVD apparatus 10 includes a housing 11 constructed in a rectangular parallelepiped box shape by using a steel plate or a steel plate.
A pod loading / unloading port 12 is opened on the front wall of the housing 11 so as to communicate with the inside and outside of the housing 11, and the pod loading / unloading port 12 is opened and closed by a front shutter 13.
As shown in FIG. 1, a pod stage 14 is installed in front of the pod loading / unloading port 12 on the front wall of the housing 11, and the pod stage 14 mounts a pod 2 for storing the wafer 1. And is configured to perform alignment.
The pod 2 is loaded onto the pod stage 14 by an in-process transfer device (not shown) and is also unloaded from the pod stage 14.

筐体１１内の前後方向の略中央部における上部には回転式ポッド棚１５が設置されており、回転式ポッド棚１５は複数個のポッド２を保管するように構成されている。すなわち、回転式のポッド棚１５は後記する待機室筐体の上に垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱と、支柱に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板とを備えており、複数枚の棚板はポッド２を一個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。 A rotary pod shelf 15 is installed in an upper portion of the housing 11 at a substantially central portion in the front-rear direction, and the rotary pod shelf 15 is configured to store a plurality of pods 2. That is, the rotary pod shelf 15 is vertically arranged on a standby chamber housing described later and is intermittently rotated in a horizontal plane, and a plurality of sheets radially supported by the columns at each of the upper, middle, and lower levels. The plurality of shelf boards are configured to hold the pod 2 in a state where each one is placed.

筐体１１内のポッドステージ１４と回転式ポッド棚１５との間にはポッド搬送装置１６が設置されており、ポッド搬送装置１６はポッドステージ１４と回転式ポッド棚１５との間、および回転式ポッド棚１５と後記するポッドオープナの載置台との間で、ポッド２を搬送するように構成されている。 A pod transfer device 16 is installed between the pod stage 14 and the rotary pod shelf 15 in the housing 11, and the pod transfer device 16 is provided between the pod stage 14 and the rotary pod shelf 15 and the rotary type. The pod 2 is transported between the pod shelf 15 and a pod opener mounting table described later.

筐体１１の内部におけるポッドステージ１４と反対側には、後記するボートを収容して待機させる待機室１７を形成した待機室筐体１８が設置されており、待機室１７は適度（大気圧程度に耐え得る常圧気密構造）の気密室に構成されている。
図示しないが、待機室筐体１８には給気管および排気管が待機室１７に連通するようにそれぞれ接続されており、給気管および排気管には窒素ガスが供給および排気されるようになっている。 On the side opposite to the pod stage 14 inside the housing 11, a standby chamber housing 18 is provided in which a standby chamber 17 that accommodates and waits for a boat to be described later is installed. The standby chamber 17 is moderate (about atmospheric pressure). It is constructed in a hermetic chamber of normal pressure airtight structure that can withstand
Although not shown, an air supply pipe and an exhaust pipe are connected to the standby chamber casing 18 so as to communicate with the standby chamber 17, respectively, and nitrogen gas is supplied and exhausted to the air supply pipe and the exhaust pipe. Yes.

待機室筐体１８の正面壁にはウエハを待機室１７に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されている。上下段のウエハ搬入搬出口には、一対のポッドオープナ２１、２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ２１はいずれもポッド２を載置する載置台２２と、載置台２２に載置されたポッド２のキャップを着脱するキャップ着脱機構２３とを備えており、載置台２２に載置されたポッド２のキャップをキャップ着脱機構２３によって着脱することにより、ポッド２のウエハ出し入れ口を開閉するようになっている。 A pair of wafer loading / unloading outlets for loading / unloading wafers into / from the waiting chamber 17 are arranged on the front wall of the waiting chamber casing 18 in two vertical rows. A pair of pod openers 21 and 21 are respectively installed at the upper and lower wafer loading / unloading exits. Each of the pod openers 21 includes a mounting table 22 for mounting the pod 2 and a cap attaching / detaching mechanism 23 for mounting and removing the cap of the pod 2 mounted on the mounting table 22. The pod opener 21 is mounted on the mounting table 22. The cap of the pod 2 is attached / detached by the cap attaching / detaching mechanism 23 to open / close the wafer inlet / outlet of the pod 2.

待機室筐体１８の上にはヒータユニット２４が垂直方向に据え付けられており、ヒータユニット２４の内部には上端が閉塞し下端が開口した円筒形状のプロセスチューブ２５が同心円に配置されている。ヒータユニット２４はプロセスチューブ２５の円筒中空部が形成した処理室２６を加熱するように構成されている。
プロセスチューブ２５には処理室２６に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管２７と、処理室２６を真空排気するための排気管２８とが接続されている。
プロセスチューブ２５の下端開口はシャッタ２９によって開閉されるように構成されている。 A heater unit 24 is vertically installed on the standby chamber casing 18, and a cylindrical process tube 25 having an upper end closed and a lower end opened concentrically inside the heater unit 24. The heater unit 24 is configured to heat the processing chamber 26 formed by the cylindrical hollow portion of the process tube 25.
Connected to the process tube 25 are a gas introduction pipe 27 for introducing a raw material gas, a purge gas and the like into the processing chamber 26, and an exhaust pipe 28 for evacuating the processing chamber 26.
A lower end opening of the process tube 25 is configured to be opened and closed by a shutter 29.

待機室１７にはボートを昇降させるためのボートエレベータ３０が設置されている。詳細な図示は省略するが、ボートエレベータ３０は垂直に立脚されて回転自在に支承された送りねじ軸と、送りねじ軸を正逆回転させるモータと、送りねじ軸に昇降自在に螺合されたアーム３１と、送りねじ軸を被覆したベローズ３２とを備えている。
なお、昇降時の動きやバックラッシュを良好なものとするために、送りねじ軸とアーム３１との螺合部にはボールねじ機構が使用されている。 The waiting room 17 is provided with a boat elevator 30 for raising and lowering the boat. Although not shown in detail, the boat elevator 30 is vertically engaged with a feed screw shaft that is vertically supported and rotatably supported by a motor, and a motor that rotates the feed screw shaft forward and backward. An arm 31 and a bellows 32 covering the feed screw shaft are provided.
Note that a ball screw mechanism is used at the threaded portion between the feed screw shaft and the arm 31 in order to improve the movement and backlash during lifting.

ボートエレベータ３０のアーム３１の先端部には、シールキャップ３３が水平に据え付けられている。シールキャップ３３はプロセスチューブ２５の下端開口をシールするように構成されているとともに、ボート３４を垂直に支持するように構成されている。
ボート３４は複数本（本実施の形態では三本）のウエハ（基板）保持部材を備えており、複数枚（例えば、五十枚程度〜百五十枚程度）のウエハ１をその中心を揃えて水平に支持した状態で、プロセスチューブ２５の処理室２６に対してボートエレベータ３０によるシールキャップ３３の昇降に伴って搬入搬出するように構成されている。 A seal cap 33 is horizontally installed at the tip of the arm 31 of the boat elevator 30. The seal cap 33 is configured to seal the lower end opening of the process tube 25 and is configured to support the boat 34 vertically.
The boat 34 includes a plurality (three in the present embodiment) of wafer (substrate) holding members, and a plurality of (for example, about fifty to fifty fifty) wafers 1 are aligned at the center. In a state where the seal cap 33 is lifted and lowered by the boat elevator 30, the loading and unloading is performed with respect to the processing chamber 26 of the process tube 25.

待機室１７にはボート３４に対してウエハ１を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）するウエハ移載装置３５が設置されている。ウエハ移載装置３５はウエハ１を下から支持するツィーザ３６を複数枚（本実施の形態においては五枚）備えており、ツィーザ３６は等間隔に配置されて水平に取り付けられている。ウエハ移載装置３５は五枚のツィーザ３６を三次元方向に移動させることにより、五枚のウエハ１を一括してポッド２とボート３４との間で受け渡すように構成されている。 In the standby chamber 17, a wafer transfer device 35 for loading (charging) and unloading (discharging) the wafer 1 from the boat 34 is installed. The wafer transfer device 35 includes a plurality of (in the present embodiment, five) tweezers 36 that support the wafer 1 from below, and the tweezers 36 are arranged at equal intervals and are horizontally attached. The wafer transfer device 35 is configured to collectively transfer the five wafers 1 between the pod 2 and the boat 34 by moving the five tweezers 36 in a three-dimensional direction.

図１に示されているように、待機室１７のウエハ移載装置３５のボート３４と反対側の片脇には、ウエハ位置合わせ装置４０が設置されている。
次に、本実施の形態に係るウエハ位置合わせ装置４０の構成を図２以降に即して説明する。 As shown in FIG. 1, a wafer alignment device 40 is installed on one side of the standby chamber 17 opposite to the boat 34 of the wafer transfer device 35.
Next, the configuration of the wafer alignment apparatus 40 according to the present embodiment will be described with reference to FIG.

図２に示されているように、ウエハ位置合わせ装置４０は上面が水平面の箱形状に構築された機台４１を備えている。機台４１の上には筐体４２が囲い板４２ａ（一部のみが図示されている。）によって構築されている。筐体４２の一面は大きく開放されており、この開放面によってウエハ出し入れ口４３が構成されている。
筐体４２の内部にはウエハ１を回転させてウエハのノッチ１ａを検出するノッチ検出器４４が五台、上下方向に並べて装備されている。
すなわち、機台４１の上面における周辺部には、四本の支持ポール４５、４５、４５、４５が垂直に立脚されて固定されている。この四本の支持ポール４５間には五枚の棚板４６、４６、４６、４６、４６が、上下方向に等間隔に配されて水平に架設されている。
図３に示されているように、各棚板４６の上にはモータ４７が一台ずつ、回転軸４８が垂直に配置されて上向きにそれぞれ据え付けられている。各モータ４７の回転軸４８には水平に配置されたターンテーブル４９の中心が固定されている。 As shown in FIG. 2, the wafer alignment apparatus 40 includes a machine base 41 constructed in a box shape whose upper surface is a horizontal plane. On the machine base 41, a housing 42 is constructed by a surrounding plate 42a (only a part of which is shown). One surface of the housing 42 is largely open, and a wafer loading / unloading port 43 is constituted by this open surface.
Inside the housing 42, five notch detectors 44 for rotating the wafer 1 to detect the notch 1a of the wafer are arranged in the vertical direction.
That is, four support poles 45, 45, 45, 45 are vertically fixed and fixed to the peripheral portion on the upper surface of the machine base 41. Between the four support poles 45, five shelf plates 46, 46, 46, 46, 46 are arranged horizontally at equal intervals in the vertical direction.
As shown in FIG. 3, a motor 47 is installed on each shelf plate 46, and a rotating shaft 48 is vertically arranged and installed upward. The center of a turntable 49 arranged horizontally is fixed to the rotation shaft 48 of each motor 47.

各ターンテーブル４９の上面における周辺部には三本の支持ピン５０、５０、５０が、互いに周方向に１２０度の位相差をもってそれぞれ固定されている。各支持ピン５０のウエハ１を支持する支持面は、テーパ部５１に形成されている。このテーパ部５１により、ウエハ１の中心とターンテーブル４９の回転中心とが自己制御的に整合（セルフアライメント）するようになっており、かつまた、テーパ部５１によってウエハ１の下面における周縁の極一部を支持することによりウエハ１の裏面へのパーティクルの付着を防止することができるようになっている。 Three support pins 50, 50, 50 are fixed to the peripheral portion of the upper surface of each turntable 49 with a phase difference of 120 degrees in the circumferential direction. A support surface for supporting the wafer 1 of each support pin 50 is formed in a tapered portion 51. The tapered portion 51 allows the center of the wafer 1 and the rotation center of the turntable 49 to be aligned in a self-controlling manner (self-alignment). By supporting a part, it is possible to prevent particles from adhering to the back surface of the wafer 1.

図３に示されているように、機台４１の内部の中心線上にはエアシリンダ５２がピストンロッド５３が垂直に配置されて上向きに据え付けられており、ピストンロッド５３の上端部は機台４１の上面と最下段の棚板４６との間の空間に突き出されている。ピストンロッド５３の上端部には水平に配置されたベース５４が固定されており、ベース５４はエアシリンダ５２によって昇降されるように構成されている。
ベース５４の上面における周辺部には、三本のすくい上げポール５５、５５、５５が互いに周方向に１２０度の位相差をもってそれぞれ垂直に配置されて固定されている。各すくい上げポール５５は各棚板４６にそれぞれ開設された各挿通孔５６を挿通して最上段の棚板４６の上方に突き出されている。
各すくい上げポール５５には各すくい上げ支持ピン５７が、上下方向に等間隔に配されて水平に架設されており、各すくい上げ支持ピン５７はウエハ１の回転中心に向かって極僅かにそれぞれ突出されている。各すくい上げ支持ピン５７の先端部は、ウエハ１の下面における周縁の極一部に下から係合することにより、ウエハ１を水平にすくい上げるように構成されている。また、各すくい上げ支持ピン５７のウエハ支持面は僅かにテーパ角を付けたウエハ受載縁面に形成されている。 As shown in FIG. 3, an air cylinder 52 is installed on a center line inside the machine base 41 with a piston rod 53 arranged vertically, and an upper end portion of the piston rod 53 is located on the machine base 41. It protrudes into the space between the upper surface of the shelf and the shelf 46 at the lowest level. A horizontally disposed base 54 is fixed to the upper end portion of the piston rod 53, and the base 54 is configured to be moved up and down by an air cylinder 52.
Three scooping poles 55, 55, 55 are vertically arranged with a phase difference of 120 degrees in the circumferential direction and fixed to the peripheral portion on the upper surface of the base 54. Each scooping pole 55 is inserted through each insertion hole 56 provided in each shelf 46 and protrudes above the uppermost shelf 46.
Each scooping pole 55 is provided with scooping support pins 57 arranged horizontally at equal intervals in the vertical direction, and each scooping support pin 57 protrudes slightly toward the rotation center of the wafer 1. Yes. The tip portion of each scooping support pin 57 is configured to scoop up the wafer 1 horizontally by engaging with a part of the peripheral edge of the lower surface of the wafer 1 from below. Further, the wafer support surface of each scooping support pin 57 is formed on a wafer receiving edge surface with a slight taper angle.

図２に示されているように、機台４１の上面におけるウエハ出し入れ口４３と反対側には、二本の支持ポール５８と５９とが互いに隣接した位置で垂直に立脚されて固定されている。
一方の支持ポール５８には各ターンテーブル４９に対応して五台のノッチ検出器４４の透過型センサ６０、６０、６０、６０、６０がそれぞれ水平に設置されている。
他方の支持ポール５９には各ターンテーブル４９に対応して五台のノッチ検出器４４の反射型センサ７０、７０、７０、７０、７０がそれぞれ水平に設置されている。 As shown in FIG. 2, two support poles 58 and 59 are vertically erected and fixed on the side of the upper surface of the machine base 41 opposite to the wafer loading / unloading port 43 at positions adjacent to each other. .
On one support pole 58, transmission sensors 60, 60, 60, 60, 60 of five notch detectors 44 are horizontally installed corresponding to the respective turntables 49.
Reflective sensors 70, 70, 70, 70, 70 of five notch detectors 44 are horizontally installed on the other support pole 59 corresponding to each turntable 49.

図４に示されているように、各ノッチ検出器４４の透過型センサ６０は透過型発光部６１と透過型受光部６２とを備えている。透過型発光部６１と透過型受光部６２とはターンテーブル４９に支持されたウエハ１を挟んだ上下位置であって、ウエハ１の周縁に切り欠かれたノッチ１ａの範囲内において互いに対向するように配置されて、支持ポール５８にそれぞれ支持されている。
また、透過型発光部６１および透過型受光部６２はウエハ１の回転中にターンテーブル４９や三本の支持ピン５０、５０、５０に干渉しないようにそれぞれ配置されている。
透過型発光部６１は検出光６３を透過型受光部６２に向けて照射するように構成されており、透過型受光部６２は検出光６３を受光した時に電気信号をコントローラ８０に送信するように構成されている。
本実施の形態に使用された透過型センサ６０のセンサ幅は５ｍｍであるので、透過型センサ６０のセンサ位置はウエハ１のエッジから２．５±０．５ｍｍに設定されている。 As shown in FIG. 4, the transmissive sensor 60 of each notch detector 44 includes a transmissive light emitting unit 61 and a transmissive light receiving unit 62. The transmissive light emitting unit 61 and the transmissive light receiving unit 62 are vertically positioned with respect to the wafer 1 supported by the turntable 49 so as to face each other within the range of the notch 1 a cut out at the periphery of the wafer 1. And are supported by the support poles 58 respectively.
Further, the transmissive light emitting unit 61 and the transmissive light receiving unit 62 are arranged so as not to interfere with the turntable 49 and the three support pins 50, 50, 50 during the rotation of the wafer 1.
The transmissive light emitting unit 61 is configured to irradiate the detection light 63 toward the transmissive light receiving unit 62, and the transmissive light receiving unit 62 transmits an electrical signal to the controller 80 when receiving the detection light 63. It is configured.
Since the sensor width of the transmission sensor 60 used in this embodiment is 5 mm, the sensor position of the transmission sensor 60 is set to 2.5 ± 0.5 mm from the edge of the wafer 1.

図５に示されているように、各ノッチ検出器４４の反射型センサ７０は、反射型発光部７１と反射型受光部７２とを備えており、反射型発光部７１および反射型受光部７２は一つのホルダ７５に納められている。反射型センサ７０のホルダ７５は、ウエハ１の回転中にターンテーブル４９や三本の支持ピン５０、５０、５０に干渉しないように配置されて、支持ポール５９に支持されている。
反射型発光部７１と反射型受光部７２とはターンテーブル４９に支持されたウエハ１の上方であって、ウエハ１の周縁に切り欠かれたノッチ１ａの範囲内において互いに入射位置と反射位置との関係になるように配置されている。
反射型発光部７１は検出光７３をウエハ１の周縁部の表面に向けて照射するように構成されており、反射型受光部７２は検出光７３がウエハ１の表面で反射した反射光７４を受光した時に電気信号をコントローラ８０に送信するように構成されている。
本実施の形態に使用された反射型センサ７０のセンサ幅は６ｍｍであるので、反射型センサ７０のセンサ位置はウエハ１のエッジから３．０±０．５ｍｍに設定されている。 As shown in FIG. 5, the reflective sensor 70 of each notch detector 44 includes a reflective light emitting unit 71 and a reflective light receiving unit 72, and the reflective light emitting unit 71 and the reflective light receiving unit 72. Are stored in one holder 75. The holder 75 of the reflection type sensor 70 is arranged so as not to interfere with the turntable 49 and the three support pins 50, 50, 50 during the rotation of the wafer 1, and is supported by the support pole 59.
The reflection type light emitting unit 71 and the reflection type light receiving unit 72 are located above the wafer 1 supported by the turntable 49 and within the range of the notch 1 a cut out at the periphery of the wafer 1. It is arranged to be a relationship.
The reflective light emitting unit 71 is configured to irradiate the surface of the peripheral portion of the wafer 1 with the detection light 73, and the reflective light receiving unit 72 receives the reflected light 74 reflected by the surface of the wafer 1 from the detection light 73. An electrical signal is transmitted to the controller 80 when light is received.
Since the sensor width of the reflective sensor 70 used in this embodiment is 6 mm, the sensor position of the reflective sensor 70 is set to 3.0 ± 0.5 mm from the edge of the wafer 1.

図４および図５に示されているように、コントローラ８０には各モータ４７の回転位置検出用エンコーダ（図示せず）の角度信号も、入力されるように構成されている。 As shown in FIGS. 4 and 5, the controller 80 is also configured to receive an angle signal of a rotational position detection encoder (not shown) of each motor 47.

コントローラ８０はパネルコンピュータやパーソナルコンピュータ等にソフトウエアとしてプログラミングされている。
図６に示されているように、コントローラ８０は、透過型センサ６０の透過型受光部６２からの電気信号によって透過型センサ受光量を測定する測定部８１と、反射型センサ７０の反射型受光部７２からの電気信号によって反射型センサ受光量を測定する測定部８２と、透過型センサ受光量と反射型センサ受光量とを比較する比較部８３と、透過型センサ受光量の方が多い場合に透明ウエハであると判定する透明ウエハ判定部８４と、反射型センサ受光量の方が多い場合に不透明ウエハであると判定する不透明ウエハ判定部８５とを備えている。
コントローラ８０の透明ウエハ判定部８４には透明ウエハノッチ検出部８６が接続されており、透明ウエハノッチ検出部８６は透過型センサ６０の透過型受光部６２からの電気信号と、モータ４７からの角度信号とに基づいて、透明ウエハ１のノッチ１ａの位置を検出するように構成されている。
コントローラ８０の不透明ウエハ判定部８５には不透明ウエハノッチ検出部８７が接続されており、不透明ウエハノッチ検出部８７は反射型センサ７０の反射型受光部７２からの電気信号と、モータ４７からの角度信号とに基づいて、不透明ウエハ１のノッチ１ａの位置を検出するように構成されている。
透明ウエハノッチ検出部８６と不透明ウエハノッチ検出部８７とには、ウエハ位置合わせ部８８が接続されており、ウエハ位置合わせ部８８は透明ウエハノッチ検出部８６および不透明ウエハノッチ検出部８７によるノッチの検出結果に基づいて五枚のウエハについてノッチの位置を揃えるように構成されている。 The controller 80 is programmed as software in a panel computer, personal computer, or the like.
As shown in FIG. 6, the controller 80 includes a measuring unit 81 that measures the amount of light received by the transmissive sensor based on an electrical signal from the transmissive light receiving unit 62 of the transmissive sensor 60, and the reflective light receiving of the reflective sensor 70. In the case where the measuring unit 82 that measures the amount of received light from the reflective sensor using the electrical signal from the unit 72, the comparison unit 83 that compares the amount of received light from the transmissive sensor and the amount of received light from the reflective sensor, and the amount of received light from the transmissive sensor are greater A transparent wafer determination unit 84 that determines that the wafer is a transparent wafer, and an opaque wafer determination unit 85 that determines that the wafer is an opaque wafer when the amount of light received by the reflective sensor is larger.
A transparent wafer notch detection unit 86 is connected to the transparent wafer determination unit 84 of the controller 80, and the transparent wafer notch detection unit 86 receives an electrical signal from the transmission type light receiving unit 62 of the transmission type sensor 60 and an angle signal from the motor 47. Based on the above, the position of the notch 1a of the transparent wafer 1 is detected.
An opaque wafer notch detection unit 87 is connected to the opaque wafer determination unit 85 of the controller 80, and the opaque wafer notch detection unit 87 receives an electric signal from the reflection type light receiving unit 72 of the reflection type sensor 70 and an angle signal from the motor 47. Based on the above, the position of the notch 1a of the opaque wafer 1 is detected.
A wafer alignment unit 88 is connected to the transparent wafer notch detection unit 86 and the opaque wafer notch detection unit 87, and the wafer alignment unit 88 is based on notch detection results by the transparent wafer notch detection unit 86 and the opaque wafer notch detection unit 87. In this way, the notches are aligned with respect to the five wafers.

次に、前記構成に係るＣＶＤ装置の作用を説明する。 Next, the operation of the CVD apparatus according to the above configuration will be described.

図１に示されているように、ポッド２がポッドステージ１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１２がフロントシャッタ１３によって開放され、ポッドステージ１４の上のポッド２はポッド搬送装置１６によってすくい取られ、筐体１１の内部へポッド搬入搬出口１２から搬入される。
搬入されたポッド２は回転式ポッド棚１５の指定された棚板へポッド搬送装置１６によって自動的に搬送されて受け渡され、その棚板に一時的に保管される。 As shown in FIG. 1, when the pod 2 is supplied to the pod stage 14, the pod loading / unloading port 12 is opened by the front shutter 13, and the pod 2 on the pod stage 14 is scooped by the pod transfer device 16. The pod is loaded into the housing 11 from the pod loading / unloading port 12.
The loaded pod 2 is automatically transported and delivered by the pod transport device 16 to a designated shelf plate of the rotary pod shelf 15 and temporarily stored on the shelf plate.

その後、回転式ポッド棚１５の指定の棚板に一時的に保管されたポッド２はポッド搬送装置１６によってすくい取られ、一方のポッドオープナ２１に搬送されて載置台２２に移載される。 Thereafter, the pod 2 temporarily stored on the designated shelf plate of the rotary pod shelf 15 is scooped by the pod transfer device 16, transferred to one pod opener 21, and transferred to the mounting table 22.

ポッド２が載置台２２に載置されると、ポッドオープナ２１はポッド２の開口側端面を待機室筐体１８の正面におけるウエハ搬入搬出口の開口縁辺部に押し付けるとともに、キャップをキャップ着脱機構２３によって取り外し、ウエハ出し入れ口を開放させる。
ポッド２のウエハ出し入れ口がポッドオープナ２１によって開放されると、ウエハ移載装置３５は五枚のツィーザ３６をポッド２に挿入し、五枚のウエハ１を一括してすくい取り、続いて、五枚のツィーザ３６を後退させることにより、五枚のウエハ１をウエハ搬入搬出口から待機室１７に搬入する。
五枚のウエハ１をツィーザ３６によって待機室１７に搬入したウエハ移載装置３５は、五枚のウエハ１をウエハ位置合わせ装置４０のウエハ出し入れ口４３に搬送する。 When the pod 2 is mounted on the mounting table 22, the pod opener 21 presses the opening-side end surface of the pod 2 against the opening edge of the wafer loading / unloading port on the front surface of the standby chamber housing 18, and the cap is attached to the cap attaching / detaching mechanism 23. To remove the wafer loading / unloading port.
When the wafer loading / unloading opening of the pod 2 is opened by the pod opener 21, the wafer transfer device 35 inserts the five tweezers 36 into the pod 2, scoops the five wafers 1 at a time, By retracting the tweezers 36, the five wafers 1 are loaded into the standby chamber 17 from the wafer loading / unloading exit.
The wafer transfer device 35 that has carried the five wafers 1 into the standby chamber 17 by the tweezers 36 conveys the five wafers 1 to the wafer loading / unloading port 43 of the wafer alignment device 40.

他方、ウエハ位置合わせ装置４０においては、ベース５４および三本のすくい上げポール５５、５５、５５がエアシリンダ５２によるピストンロッド５３によって上限位置に上昇されることにより、各すくい上げポール５５における五段の棚板４６の間にそれぞれ配置された各すくい上げ支持ピン５７が、各ターンテーブル４９の上方位置であるウエハ授受位置に上昇される。 On the other hand, in the wafer alignment apparatus 40, the base 54 and the three scooping poles 55, 55, 55 are raised to the upper limit position by the piston rod 53 by the air cylinder 52. Each scooping support pin 57 arranged between the plates 46 is raised to the wafer transfer position, which is the position above each turntable 49.

この状態で、ウエハ移載装置３５の五枚のツィーザ３６がウエハ位置合わせ装置４０のウエハ出し入れ口４３に挿入されると、五枚のウエハ１は五段の各支持ピン５７の若干だけ上側に搬入される。
続いて、ウエハ移載装置３５のツィーザ３６が若干だけ下降されると、五枚のツィーザ３６の上のウエハ１は五枚のツィーザ３６の上から五段の各支持ピン５７の上にそれぞれ受け渡される。
ウエハ１を受け渡した五枚のツィーザ３６がウエハ位置合わせ装置４０のウエハ出し入れ口４３から抜き出された後に、ベース５４および三本のすくい上げポール５５、５５、５５がエアシリンダ５２によるピストンロッド５３によって下限位置である待機位置に下降されることにより、各すくい上げ支持ピン５７に下から支持された五枚のウエハ１は、五段のターンテーブル４９の各支持ピン５０の上にそれぞれ受け渡される。 In this state, when the five tweezers 36 of the wafer transfer device 35 are inserted into the wafer loading / unloading port 43 of the wafer alignment device 40, the five wafers 1 are slightly above the support pins 57 in the five stages. It is brought in.
Subsequently, when the tweezers 36 of the wafer transfer device 35 are slightly lowered, the wafers 1 on the five tweezers 36 are respectively received from the top of the five tweezers 36 onto the respective support pins 57 in five stages. Passed.
After the five tweezers 36 that have transferred the wafer 1 are extracted from the wafer loading / unloading port 43 of the wafer alignment device 40, the base 54 and the three scooping poles 55, 55, 55 are moved by the piston rod 53 by the air cylinder 52. By being lowered to the standby position which is the lower limit position, the five wafers 1 supported by the scooping support pins 57 from below are transferred onto the support pins 50 of the five-stage turntable 49, respectively.

五段のターンテーブル４９が五枚のウエハ１をそれぞれ受け取ると、ウエハ位置合わせ装置４０は五段のターンテーブル４９を五台のモータ４７によってそれぞれ回転させることにより、五枚のウエハ１を回転させる。
この回転中に、ウエハ位置合わせ装置４０のコントローラ８０は図４および図５に示されているように、各透過型センサ６０の透過型発光部６１から検出光６３を発光し、各反射型センサ７０の反射型発光部７１から検出光７３を発光することにより、透過型センサ６０の透過型受光部６２からの受光電気信号と、反射型センサ７０の反射型受光部７２からの受光電気信号をそれぞれ取得する。 When the five-stage turntable 49 receives the five wafers 1, the wafer alignment apparatus 40 rotates the five wafers 1 by rotating the five-stage turntable 49 by the five motors 47, respectively. .
During this rotation, the controller 80 of the wafer alignment apparatus 40 emits the detection light 63 from the transmissive light emitting part 61 of each transmissive sensor 60, as shown in FIGS. 4 and 5, and each reflective sensor. The detection light 73 is emitted from the reflection type light emitting unit 71 of 70, thereby receiving the light reception electric signal from the transmission type light receiving unit 62 of the transmission type sensor 60 and the light reception electric signal from the reflection type light receiving unit 72 of the reflection type sensor 70. Get each.

ここで、図７（ａ）は不透明ウエハがウエハ位置合わせ装置に搬入された場合における透過型センサの受光部での受光量の変化と、反射型センサの受光部での受光量の変化とを示している。
検出光６３および７３を照射されるウエハ１がシリコンウエハのような不透明ウエハである場合には、透過型センサ６０の透過型受光部６２での受光量変化波形は、図７（ａ）に示された実線波形６６になり、反射型センサ７０の反射型受光部７２からの受光量変化波形は、図７（ａ）に示された破線波形７６になる。
不透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入前においては、透過型センサの受光量は飽和状態にあり、反射型センサの受光量は「０」になっている。
不透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入後においては、透過型センサ６０の透過型発光部６１からウエハ１の周縁部に照射された検出光６３はウエハ１の周縁部によって遮光されるために、透過型センサ６０の受光量は激減する。
そして、透過型センサ６０においては、検出光６３がウエハ１のノッチ１ａを透過した時点において検出光６３が透過型受光部６２によって受光されるために、図７（ａ）に示されているように、激増のピーク波形６７が測定される。
逆に、反射型センサ７０の場合には、不透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入後においては、反射型センサ７０の反射型発光部７１からの検出光７３がウエハ１の周縁部によって反射された反射光７４（図５参照）が、反射型受光部７２に入射するために、受光量は飽和状態になる。
なお、図７（ａ）に示されているように、不透明ウエハの場合においては、反射型センサ７０の受光量はウエハ１のノッチ１ａの通過時点においても飽和状態のままである。 Here, FIG. 7A shows the change in the amount of light received by the light receiving portion of the transmission type sensor and the change in the amount of light received by the light receiving portion of the reflection type sensor when the opaque wafer is carried into the wafer alignment apparatus. Show.
When the wafer 1 irradiated with the detection lights 63 and 73 is an opaque wafer such as a silicon wafer, the received light amount change waveform at the transmissive light receiving unit 62 of the transmissive sensor 60 is shown in FIG. The waveform of the received light amount from the reflection type light receiving unit 72 of the reflection type sensor 70 becomes the broken line waveform 76 shown in FIG.
Before the opaque wafer is carried into the wafer alignment apparatus, the amount of light received by the transmissive sensor is in a saturated state, and the amount of light received by the reflective sensor is “0”.
After the opaque wafer is carried into the wafer alignment apparatus, the detection light 63 applied to the peripheral portion of the wafer 1 from the transmissive light emitting portion 61 of the transmissive sensor 60 is shielded by the peripheral portion of the wafer 1. The amount of light received by the transmissive sensor 60 is drastically reduced.
In the transmissive sensor 60, since the detection light 63 is received by the transmissive light receiving unit 62 when the detection light 63 is transmitted through the notch 1a of the wafer 1, as shown in FIG. In addition, a rapidly increasing peak waveform 67 is measured.
On the contrary, in the case of the reflection type sensor 70, the detection light 73 from the reflection type light emitting portion 71 of the reflection type sensor 70 is reflected by the peripheral portion of the wafer 1 after the opaque wafer is carried into the wafer alignment apparatus. Since the reflected light 74 (see FIG. 5) is incident on the reflection type light receiving unit 72, the amount of received light is saturated.
As shown in FIG. 7A, in the case of an opaque wafer, the amount of light received by the reflective sensor 70 remains saturated even when it passes through the notch 1a of the wafer 1.

他方、図７（ｂ）は透明ウエハがウエハ位置合わせ装置に搬入された場合における透過型センサの受光部での受光量の変化と、反射型センサの受光部での受光量の変化とを示している。
検出光６３および７３を照射されるウエハ１が石英ウエハのような透明ウエハである場合には、透過型センサ６０の透過型受光部６２での受光量波形は、図７（ｂ）に示された実線波形６８になり、反射型センサ７０の反射型受光部７２からの受光量変化波形は、図７（ｂ）に示された破線波形７８になる。
透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入前においては、透過型センサの受光量は飽和状態にあり、反射型センサの受光量は「０」になっている。
透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入後においては、透過型センサ６０の透過型発光部６１からウエハ１の周縁部に照射された検出光６３はウエハ１の透明の周縁部を透過するために、透過型センサ６０の受光量は飽和状態のままになる。
当然のことながら、透過型センサ６０の透過型発光部６１からウエハ１の周縁部に照射された検出光６３は空所であるノッチ１ａを透過するために、図７（ｂ）に示されているように、透過型センサ６０の受光量はウエハ１のノッチ１ａの通過時点においても飽和状態のままである。
透明ウエハのウエハ位置合わせ装置への搬入後においては、反射型センサ７０の反射型発光部７１からの検出光７３がウエハ１の周縁部によって反射されて、その反射光７４が反射型受光部７２に入射するために、受光量は増加する。但し、その反射光７４の光量は不透明ウエハの場合に比べて少ないために、図７（ｂ）に示されているように、受光量の増加は飽和状態には達しない。
そして、反射型センサ７０においては、検出光７３がウエハ１のノッチ１ａを透過した時点において反射光７４が反射型受光部７２に入射しないために、図７（ｂ）に示されているように、激減のピーク波形７９が測定される。 On the other hand, FIG. 7B shows a change in the amount of light received at the light receiving portion of the transmissive sensor and a change in the amount of light received at the light receiving portion of the reflective sensor when the transparent wafer is carried into the wafer alignment apparatus. ing.
When the wafer 1 irradiated with the detection lights 63 and 73 is a transparent wafer such as a quartz wafer, the received light amount waveform at the transmissive light receiving unit 62 of the transmissive sensor 60 is shown in FIG. The solid line waveform 68 is changed, and the received light amount change waveform from the reflection type light receiving unit 72 of the reflection type sensor 70 is a broken line waveform 78 shown in FIG.
Before the transparent wafer is carried into the wafer alignment apparatus, the amount of light received by the transmissive sensor is in a saturated state, and the amount of light received by the reflective sensor is “0”.
After the transparent wafer is carried into the wafer alignment apparatus, the detection light 63 applied to the peripheral edge of the wafer 1 from the transmissive light emitting part 61 of the transmissive sensor 60 passes through the transparent peripheral part of the wafer 1. The amount of light received by the transmissive sensor 60 remains saturated.
As a matter of course, the detection light 63 irradiated to the peripheral portion of the wafer 1 from the transmissive light emitting portion 61 of the transmissive sensor 60 is shown in FIG. As shown, the amount of light received by the transmissive sensor 60 remains saturated even when it passes through the notch 1 a of the wafer 1.
After carrying the transparent wafer into the wafer alignment apparatus, the detection light 73 from the reflective light emitting unit 71 of the reflective sensor 70 is reflected by the peripheral edge of the wafer 1, and the reflected light 74 is reflected by the reflective light receiving unit 72. The amount of received light increases because it is incident on. However, since the amount of the reflected light 74 is smaller than that of the opaque wafer, the increase in the amount of received light does not reach the saturation state as shown in FIG. 7B.
In the reflective sensor 70, since the reflected light 74 does not enter the reflective light receiving portion 72 when the detection light 73 passes through the notch 1a of the wafer 1, as shown in FIG. A sharply decreasing peak waveform 79 is measured.

以上の不透明ウエハと透明ウエハとに対する透過型センサと反射型センサとの受光量が相違する現象を利用して、コントローラ８０はウエハ位置合わせ装置４０に搬入されたウエハ１が不透明ウエハであるのか透明ウエハであるのかを自動的に判定する。 By utilizing the phenomenon that the light receiving amounts of the transmission type sensor and the reflection type sensor for the opaque wafer and the transparent wafer are different from each other, the controller 80 determines whether the wafer 1 loaded into the wafer alignment device 40 is an opaque wafer. It is automatically determined whether it is a wafer.

図６に示されたウエハ位置合わせ装置におけるコントローラ８０の透過型センサ受光量測定部８１においては、透過型センサ６０の受光量が測定され、反射型センサ受光量測定部８２においては、反射型センサ７０の受光量が測定される。
続いて、受光量比較部８３においては、透過型センサ受光量測定部８１からの透過型センサ６０の受光量と、反射型センサ受光量測定部８２からの反射型センサ７０の受光量とが比較される。 In the wafer alignment apparatus shown in FIG. 6, the transmissive sensor received light amount measuring unit 81 of the controller 80 measures the received light amount of the transmissive sensor 60, and the reflective sensor received light amount measuring unit 82 measures the reflected sensor. The amount of received light 70 is measured.
Subsequently, in the received light amount comparing unit 83, the received light amount of the transmissive sensor 60 from the transmissive sensor received light amount measuring unit 81 and the received light amount of the reflective sensor 70 from the reflective sensor received light amount measuring unit 82 are compared. Is done.

図７（ｂ）に示されているように、透過型センサ受光量の方が多い場合（６８＞７８）には、透明ウエハ判定部８４が透明ウエハであると判定する。
この判定に従って、コントローラ８０は透明ウエハノッチ検出部８６に透明ウエハのノッチを検出させる命令を指示する。
透明ウエハノッチ検出部８６は、透過型センサ６０の透過型受光部６２からの電気信号とモータ４７からの角度信号とに基づいて、透明ウエハ１のノッチ１ａの位置を検出するステップを実行し、検出結果をウエハ位置合わせ部８８に送信する。 As shown in FIG. 7B, when the amount of light received by the transmissive sensor is larger (68> 78), the transparent wafer determination unit 84 determines that it is a transparent wafer.
In accordance with this determination, the controller 80 instructs the transparent wafer notch detection unit 86 to instruct the transparent wafer notch to be detected.
The transparent wafer notch detection unit 86 executes a step of detecting the position of the notch 1a of the transparent wafer 1 based on the electrical signal from the transmission type light receiving unit 62 of the transmission type sensor 60 and the angle signal from the motor 47. The result is transmitted to the wafer alignment unit 88.

図７（ａ）に示されているように、反射型センサ受光量の方が多い場合（７６＞６６）には、不透明ウエハ判定部８５が不透明ウエハであると判定する。
この判定に従って、コントローラ８０は不透明ウエハノッチ検出部８７に不透明ウエハのノッチを検出させる命令を指示する。
不透明ウエハノッチ検出部８７は、透過型センサ７０の反射型受光部７２からの電気信号とモータ４７からの角度信号とに基づいて、透明ウエハ１のノッチ１ａの位置を検出するステップを実行し、検出結果をウエハ位置合わせ部８８に送信する。 As shown in FIG. 7A, when the amount of light received by the reflective sensor is larger (76> 66), the opaque wafer determination unit 85 determines that the wafer is an opaque wafer.
In accordance with this determination, the controller 80 instructs the opaque wafer notch detector 87 to issue a command for detecting the notch of the opaque wafer.
The opaque wafer notch detection unit 87 executes a step of detecting the position of the notch 1a of the transparent wafer 1 based on the electrical signal from the reflection type light receiving unit 72 of the transmission type sensor 70 and the angle signal from the motor 47. The result is transmitted to the wafer alignment unit 88.

例えば、透明ウエハである石英ウエハと不透明ウエハであるシリコンウエハとが混在しており、図４および図５において、ウエハ位置合わせ装置４０における下から一段目のウエハが石英ウエハ１Ｂであり、下から二段目のウエハがシリコンウエハ１Ａであると仮定すると、下から一段目の石英ウエハ１Ｂに対しては、透明ウエハノッチ検出部８６がノッチ１ａを反射型センサ７０を使用して検出することになり、下から二段目のシリコンウエハ１Ａに対しては、不透明ウエハノッチ検出部８７がノッチ１ａを透過型センサ６０を使用して検出することになる。
このように、ウエハ位置合わせ装置４０において石英ウエハ１Ｂとシリコンウエハ１Ａとが混在している場合であっても、ウエハ位置合わせ装置４０の五台のノッチ検出器の全てに透過型センサ６０と反射型センサ７０とがそれぞれ配置されていることにより、ウエハ位置合わせ部８８はウエハ位置合わせ装置４０の五段のターンテーブル４９に搬入された全てのウエハについてノッチ１ａの位置を取得することができるので、五枚のウエハ１のノッチ１ａの位置を全て揃えることができる。
なお、ウエハがターンテーブルに無い場合には、透過型センサ受光量の方が多いために透明ウエハであると、判定される可能性がある。しかし、この場合には反射型センサにウエハにおける反射光が無いことにより、反射型センサ受光量が「０」になるので、ウエハがターンテーブルに無いと判断することができる。 For example, a quartz wafer that is a transparent wafer and a silicon wafer that is an opaque wafer are mixed, and in FIGS. 4 and 5, the first wafer from the bottom in the wafer alignment apparatus 40 is the quartz wafer 1B. Assuming that the second-stage wafer is the silicon wafer 1A, the transparent wafer notch detector 86 detects the notch 1a using the reflective sensor 70 for the first-stage quartz wafer 1B from the bottom. For the second-stage silicon wafer 1A from the bottom, the opaque wafer notch detection unit 87 detects the notch 1a using the transmission sensor 60.
As described above, even if the quartz wafer 1B and the silicon wafer 1A are mixed in the wafer alignment apparatus 40, the transmissive sensor 60 and the reflection are reflected on all the five notch detectors of the wafer alignment apparatus 40. Since each of the mold sensors 70 is arranged, the wafer alignment unit 88 can acquire the positions of the notches 1a for all the wafers loaded on the five-stage turntable 49 of the wafer alignment apparatus 40. All the positions of the notches 1a of the five wafers 1 can be aligned.
If the wafer is not on the turntable, it may be determined that the wafer is a transparent wafer because the amount of light received by the transmissive sensor is larger. However, in this case, since there is no reflected light on the wafer in the reflective sensor, the amount of light received by the reflective sensor becomes “0”, so it can be determined that the wafer is not on the turntable.

五枚のウエハ１相互のノッチ１ａの位置がウエハ位置合わせ装置４０によって揃えられると、ウエハ移載装置３５の五枚のツィーザ３６の前述した搬入作動とは逆の作動により、五枚のウエハ１はウエハ位置合わせ装置４０から搬出される。
続いて、ウエハ移載装置３５は五枚のウエハ１をウエハ位置合わせ装置４０から搬出した五枚のツィーザ３６をボート３４へ搬送し、五枚のウエハ１をボート３４へ一括して移載する。 When the positions of the notches 1a between the five wafers 1 are aligned by the wafer alignment device 40, the five wafers 1 are obtained by the operation opposite to the above-described loading operation of the five tweezers 36 of the wafer transfer device 35. Are unloaded from the wafer alignment device 40.
Subsequently, the wafer transfer device 35 transports the five tweezers 36 that have unloaded the five wafers 1 from the wafer alignment device 40 to the boat 34, and transfers the five wafers 1 to the boat 34 at a time. .

以上の五枚のウエハ１のポッド２からウエハ位置合わせ装置４０への搬入ステップ、ウエハ位置合わせ装置４０のウエハ位置合わせステップおよびウエハ位置合わせ装置４０からボート３４への移載ステップが繰り返されることによって、予め指定された枚数（例えば、二十五枚）のウエハ１がボート３４へ装填（ウエハチャージング）されると、待機室１７はロードロックされる。 By repeating the steps of loading the five wafers 1 from the pod 2 into the wafer alignment device 40, the wafer alignment step of the wafer alignment device 40, and the transfer step from the wafer alignment device 40 to the boat 34. When a predetermined number (for example, 25) of wafers 1 are loaded into the boat 34 (wafer charging), the standby chamber 17 is load-locked.

以上のようにして予め指定された枚数のウエハ１がボート３４に装填されると、ボート３４はボートエレベータ３０によって上昇されて、プロセスチューブ２５の処理室２６に搬入される。
ボート３４が上限に達すると、ボート３５を保持したシールキャップ３３の上面の周辺部がプロセスチューブ２５をシール状態に閉塞するため、処理室２６は気密に閉じられた状態になる。 When a predetermined number of wafers 1 are loaded into the boat 34 as described above, the boat 34 is lifted by the boat elevator 30 and carried into the processing chamber 26 of the process tube 25.
When the boat 34 reaches the upper limit, the peripheral portion on the upper surface of the seal cap 33 holding the boat 35 closes the process tube 25 in a sealed state, so that the processing chamber 26 is hermetically closed.

プロセスチューブ２５の処理室２６は気密に閉じられた状態で、所定の圧力となるように排気管２８によって排気され、ヒータユニット２４によって所定の温度に加熱され、所定の原料ガスがガス導入管２７によって所定の流量だけ供給される。
これにより、予め設定された処理条件に対応する所望の膜がウエハ１に形成される。 The process chamber 26 of the process tube 25 is hermetically closed and is exhausted by the exhaust pipe 28 so as to be at a predetermined pressure, heated to a predetermined temperature by the heater unit 24, and a predetermined source gas is supplied to the gas introduction pipe 27. Is supplied at a predetermined flow rate.
As a result, a desired film corresponding to preset processing conditions is formed on the wafer 1.

予め設定された処理時間が経過すると、ボート３４がボートエレベータ３０によって下降されることにより、処理済みのウエハ１を保持したボート３４がウエハ移載位置に搬出される。 When a preset processing time elapses, the boat 34 is lowered by the boat elevator 30, whereby the boat 34 holding the processed wafer 1 is carried out to the wafer transfer position.

ボート３４がウエハ移載位置に搬出されると、ウエハ移載装置３５はボート３４からボート３４の処理済みのウエハ１を五枚のツィーザ３６によって一枚ずつ受け取って脱装（ディスチャージング）する。
続いて、ウエハ移載装置３５は五枚のウエハ１をポッドオープナ２１によって開放されたポッド２に搬送し、ポッド２に収納する。 When the boat 34 is carried out to the wafer transfer position, the wafer transfer device 35 receives the processed wafers 1 of the boat 34 from the boat 34 one by one by the five tweezers 36 and unloads them.
Subsequently, the wafer transfer device 35 transports the five wafers 1 to the pod 2 opened by the pod opener 21 and stores them in the pod 2.

この処理済のウエハ１のディスチャージングステップおよびポッド２への収納ステップが繰り返されて、ボート３４の二十五枚のウエハ１が空のポッド２への収納が完了すると、ポッド２はキャップ着脱機構２３によってキャップを装着された後に、ポッドオープナ２１の載置台２２から回転式ポッド棚１５の指定された棚板にポッド搬送装置１６によって搬送されて、一時的に保管される。 When the discharging step of the processed wafer 1 and the storing step into the pod 2 are repeated, and the storing of the 25 wafers 1 in the boat 34 into the empty pod 2 is completed, the pod 2 has a cap attaching / detaching mechanism. After the cap is attached by the pod 23, the pod transfer device 16 transfers the cap from the mounting table 22 of the pod opener 21 to the designated shelf plate of the rotary pod shelf 15, and temporarily stores it.

その後、処理済みのウエハ１を収納したポッド２は回転式ポッド棚１５からポッド搬入搬出口１２へポッド搬送装置１６により搬送され、ポッド搬入搬出口１２から筐体１１の外部に搬出されてポッドステージ１４の上に載置される。
ポッドステージ１４の上に載置されたポッド２は次工程へ工程内搬送装置によって搬送される。 Thereafter, the pod 2 storing the processed wafer 1 is transferred from the rotary pod shelf 15 to the pod loading / unloading port 12 by the pod transfer device 16, and unloaded from the pod loading / unloading port 12 to the outside of the casing 11 to be a pod stage. 14.
The pod 2 placed on the pod stage 14 is transferred to the next process by the in-process transfer apparatus.

以降、前述した作用が繰り返されてウエハ１がバッチ式ＣＶＤ装置１０によってバッチ処理されて行く。 Thereafter, the operation described above is repeated, and the wafer 1 is batch processed by the batch type CVD apparatus 10.

前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。 According to the embodiment, the following effects can be obtained.

1) 透過型センサ受光量の方が多い場合には透明ウエハであると判定し、反射型センサ受光量が多い場合には不透明ウエハと判定することにより、ウエハ位置合わせ装置に搬入されたウエハが透明ウエハであるのか不透明ウエハであるのかを自動的に検出することができるので、ウエハが透明ウエハであるのか不透明ウエハであるのかを、作業者や上位コントローラが事前に判別するのを省略することができ、作業者や上位コントローラの負担を軽減したり誤入力を防止したりすることができる。 1) When the amount of light received by the transmissive sensor is larger, it is determined that the wafer is a transparent wafer, and when the amount of light received by the reflective sensor is large, it is determined that the wafer is an opaque wafer. Since it is possible to automatically detect whether the wafer is a transparent wafer or an opaque wafer, it is unnecessary for the operator or the host controller to determine in advance whether the wafer is a transparent wafer or an opaque wafer. It is possible to reduce the burden on the operator and the host controller and to prevent erroneous input.

2) ウエハ位置合わせ装置に搬入されたウエハが透明ウエハであるのか不透明ウエハであるのかを自動的に検出することにより、ウエハ位置合わせ装置に搬入された当該ウエハに対して反射型センサまたは透過型センサを適宜に使用することにより、ウエハのノッチを検出することができる。 2) By automatically detecting whether the wafer carried into the wafer alignment apparatus is a transparent wafer or an opaque wafer, a reflective sensor or a transmission type is used for the wafer carried into the wafer alignment apparatus. By using the sensor appropriately, the notch of the wafer can be detected.

3) ウエハ位置合わせ装置の五台のノッチ検出器の全てに透過型センサと反射型センサとをそれぞれ配置することにより、ウエハ位置合わせ部はウエハ位置合わせ装置の五段のターンテーブルに搬入された全てのウエハについてノッチの位置を取得することができるので、ウエハ位置合わせ装置において透明ウエハである石英ウエハと不透明ウエハであるシリコンウエハとが混在している場合であっても、五枚のウエハのノッチの位置を全て揃えることができる。 3) By arranging the transmission type sensor and the reflection type sensor in all of the five notch detectors of the wafer alignment device, the wafer alignment unit was carried into the five-stage turntable of the wafer alignment device. Since the position of the notch can be obtained for all the wafers, even if the wafer alignment apparatus contains a mixture of quartz wafers that are transparent wafers and silicon wafers that are opaque wafers, All notch positions can be aligned.

なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。 Needless to say, the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention.

例えば、ウエハ位置合わせ装置には、五台のノッチ検出器を装備するに限らず、一台または二台〜四台、六台以上のノッチ検出器を装備してもよい。 For example, the wafer alignment apparatus is not limited to being equipped with five notch detectors, but may be equipped with one or two to four, six or more notch detectors.

透明ウエハとしては石英ウエハに限らず、ダミーウエハに使用されるガラスウエハ等がある。
不透明ウエハとしてはシリコンウエハに限らず、成膜後の石英ウエハ等がある。 The transparent wafer is not limited to a quartz wafer, and includes a glass wafer used for a dummy wafer.
The opaque wafer is not limited to a silicon wafer, but includes a quartz wafer after film formation.

基板はウエハに限らず、ホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。 The substrate is not limited to a wafer, but may be a photomask, a printed wiring board, a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.

前記実施の形態ではバッチ式縦形拡散・ＣＶＤ装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、半導体製造装置全般に適用することができる。 In the above embodiment, the case of a batch type vertical diffusion / CVD apparatus has been described. However, the present invention is not limited to this, and can be applied to semiconductor manufacturing apparatuses in general.

本発明の一実施の形態であるバッチ式ＣＶＤ装置を示す概略斜視図である。It is a schematic perspective view which shows the batch type CVD apparatus which is one embodiment of this invention. ウエハ位置合わせ装置を示す一部省略斜視図である。It is a partially-omission perspective view which shows a wafer alignment apparatus. その一部省略正面図である。FIG. その透過型センサの部分を示す一部省略側面断面図である。It is a partially omitted side sectional view showing a part of the transmissive sensor. その反射型センサの部分を示す一部省略側面断面図である。It is a partially omitted side sectional view showing a portion of the reflective sensor. コントローラを示すブロック図である。It is a block diagram which shows a controller. （ａ）は不透明ウエハがウエハ位置合わせ装置に搬入された場合における透過型センサの受光部での受光量の変化と、反射型センサの受光部での受光量の変化とを示すグラフであり、（ｂ）は透明ウエハがウエハ位置合わせ装置に搬入された場合における透過型センサの受光部での受光量の変化と、反射型センサの受光部での受光量の変化とを示すグラフである。(A) is a graph showing a change in the amount of light received at the light receiving portion of the transmissive sensor and a change in the amount of light received at the light receiving portion of the reflective sensor when the opaque wafer is carried into the wafer alignment device; (B) is a graph showing a change in the amount of light received at the light receiving portion of the transmissive sensor and a change in the amount of light received at the light receiving portion of the reflective sensor when the transparent wafer is carried into the wafer alignment apparatus.

Explanation of symbols

１…ウエハ、１Ａ…シリコンウエハ（不透明ウエハ）、１Ｂ…石英ウエハ（透明ウエハ）、１ａ…ノッチ、２…ポッド（キャリア）、１０…バッチ式ＣＶＤ装置（半導体製造装置）、１１…筐体、１２…ポッド搬入搬出口、１３…フロントシャッタ、１４…ポッドステージ、１５…回転式ポッド棚、１６…ポッド搬送装置、１７…待機室、１８…待機室筐体、２１…ポッドオープナ、２２…載置台、２３…キャップ着脱機構、２４…ヒータユニット、２５…プロセスチューブ、２６…処理室、２７…ガス導入管、２８…排気管、２９…シャッタ、３０…ボートエレベータ、３１…アーム、３２…ベローズ、３３…シールキャップ、３４…ボート、３５…ウエハ移載装置、３６…ツィーザ、４０…ウエハ位置合わせ装置、４１…機台、４２…筐体、４２ａ…囲い板、４３…ウエハ出し入れ口、４４…ノッチ検出器、４５…支持ポール、４６…棚板、４７…モータ、４８…回転軸、４９…ターンテーブル、５０…支持ピン、５１…テーパ部、５２…エアシリンダ、５３…ピストンロッド、５４…ベース、５５…すくい上げポール、５６…挿通孔、５７…すくい上げ支持ピン、５８…透過型センサ用支持ポール、５９…反射型センサ支持ポール、６０…透過型センサ、６１…発光部（透過型発光部）、６２…受光部（透過型受光部）、６３…検出光、６６…不透明ウエハでの透過型センサ受光量変化波形、６７…激増のピーク波形、６８…透明ウエハでの透過型センサ受光量波形、７０…反射型センサ、７１…発光部（反射型発光部）、７２…受光部（反射型受光部）、７３…検出光、７４…反射光、７５…ホルダ、７６…不透明ウエハでの反射型センサ受光量変化波形、７８…透明ウエハでの反射型センサ受光量変化波形、７９…激減のピーク波形、８０…コントローラ、８１…透過型センサ受光量測定部、８２…反射型センサ受光量測定部、８３…透過型センサ受光量と反射型センサ受光量とを比較する比較部、８４…反射型センサ受光量の方が多い場合に透明ウエハであると判定する判定部、８５…透過型センサ受光量の方が多い場合に不透明ウエハであると判定する不透明ウエハ判定部、８６…透明ウエハのノッチ検出部、８７…不透明ウエハのノッチ検出部、８８…ウエハ位置合わせ部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer, 1A ... Silicon wafer (opaque wafer), 1B ... Quartz wafer (transparent wafer), 1a ... Notch, 2 ... Pod (carrier), 10 ... Batch type CVD apparatus (semiconductor manufacturing apparatus), 11 ... Housing | casing, DESCRIPTION OF SYMBOLS 12 ... Pod loading / unloading exit, 13 ... Front shutter, 14 ... Pod stage, 15 ... Rotating pod shelf, 16 ... Pod conveyance apparatus, 17 ... Standby chamber, 18 ... Standby chamber housing, 21 ... Pod opener, 22 ... Mount Table, 23 ... Cap attaching / detaching mechanism, 24 ... Heater unit, 25 ... Process tube, 26 ... Processing chamber, 27 ... Gas introduction pipe, 28 ... Exhaust pipe, 29 ... Shutter, 30 ... Boat elevator, 31 ... Arm, 32 ... Bellows 33 ... Seal cap, 34 ... Boat, 35 ... Wafer transfer device, 36 ... Tweezer, 40 ... Wafer alignment device, 41 ... Machine base, 42 ... Housing 42a ... Fence plate 43 ... Wafer loading / unloading port 44 ... Notch detector 45 ... Support pole 46 ... Shelf plate 47 ... Motor 48 ... Rotating shaft 49 ... Turntable 50 ... Support pin 51 ... Taper , 52 ... Air cylinder, 53 ... Piston rod, 54 ... Base, 55 ... Scooping pole, 56 ... Insertion hole, 57 ... Scooping support pin, 58 ... Support pole for transmission sensor, 59 ... Reflective sensor support pole, 60 Transmission sensor 61 Light-emitting part (transmission light-emitting part) 62 Light-receiving part (transmission-type light-receiving part) 63 Detection light 66 Light-transmitting sensor light quantity change waveform on opaque wafer 67 Peak waveform 68... Transmission type sensor received light waveform on transparent wafer 70. Reflection sensor 71 71 Light emitting part (reflection light emitting part) 72. Light receiving part (reflection light receiving part) 73. Detection light 7 Reflected light, 75 ... Holder, 76 ... Reflective sensor received light amount change waveform on opaque wafer, 78 ... Reflected sensor received light amount change waveform on transparent wafer, 79 ... Extremely reduced peak waveform, 80 ... Controller, 81 ... Transmitted Type sensor received light amount measuring unit, 82 ... reflection type sensor received light amount measuring unit, 83 ... comparison unit for comparing transmission type received light amount and reflected type sensor received light amount, 84 ... when the reflected type sensor received light amount is larger Determination unit for determining that the wafer is a transparent wafer, 85... Opaque wafer determination unit for determining that the wafer is an opaque wafer when the amount of light received by the transmissive sensor is larger, 86. Detection unit, 88... Wafer alignment unit.

Claims

A reflective sensor having a reflective light emitting unit that emits light, and a reflective light receiving unit that receives the reflected light when the light emitted from the reflective light emitting unit is reflected by the detection substrate; The light emitted from the transmissive light emitting unit is received when there is no substrate to be detected between the transmissive light emitting unit and the transmissive light emitting unit or when light is transmitted even if there is a detected substrate. A transmissive sensor having a transmissive light receiving unit,
The reflective light emitting unit and the transmissive light emitting unit are configured to emit light toward the same substrate to be detected,
The amount of light received by the reflection type light receiving unit is compared with the amount of light received by the transmission type light receiving unit, and if the amount of light received by the reflection type light receiving unit is larger, it is determined that the substrate is a light impermeable substrate. A semiconductor manufacturing apparatus, comprising: a controller that determines that the substrate is a light-transmitting substrate if the amount of light received at is greater.

A notch detector for detecting notches of the detected substrate by rotating the detected substrate is provided, and the notched detector has the same detected substrate with the reflective light emitting unit and the transmissive light emitting unit. It is provided to emit light toward
If the controller determines that the substrate to be detected is a light impermeable substrate, the detected substrate is rotated by the notch detector, and the amount of light received by the transmissive light receiving unit is increased. Detecting the position as the notch,
When the controller determines that the substrate to be detected is a light transmissive substrate, the position where the amount of light received by the reflective light receiving unit is reduced by rotating the substrate to be detected by the notch detector. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor manufacturing apparatus is detected as a notch.