JP2006191428A - Microstrip line waveguide converter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器に関する。 The present invention relates to a microstrip line waveguide converter that guides an electromagnetic wave propagating through a microstrip line to a waveguide and guides an electromagnetic wave propagating through the waveguide to a microstrip line.
無線通信装置においては、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器が広く用いられている。 In a wireless communication device, a microstrip line waveguide converter that guides an electromagnetic wave propagating through a microstrip line to a waveguide and guides an electromagnetic wave propagating through the waveguide to the microstrip line is widely used.
これは、信号発生器、周波数変換器、増幅器等は平面回路として構成されるのに対し、平面回路に接続されるアンテナ給電系統においては低損失伝送特性が要求され、導波管が用いられるためである。 This is because signal generators, frequency converters, amplifiers, etc. are configured as planar circuits, whereas antenna feed systems connected to planar circuits require low-loss transmission characteristics and waveguides are used. It is.
図12に一般的な従来構成によるマイクロストリップ線路導波管変換器5を示す。図11はマイクロストリップ線路導波管変換器5の外観を斜視図で示したものである。マイクロストリップ線路10が形成された多層基板30の接地導体層36の側には被接続導波管90が接続され、多層基板30において被接続導波管90が接続された部分のパターン層32の側には電磁波の放射による損失を防ぐための遮蔽筐体60が設けられている。図12(a)は図11におけるマイクロストリップ線路10の伝搬軸Zを含む接地導体に垂直な面AA’BB’(以下、伝搬軸断面とする。)での断面図を、図12(b)は図11におけるマイクロストリップ線路10の線路導体12の開放端に設けられたスタブ14を含む伝搬断面に平行な面CC’DD’(以下、伝搬断面とする。)での断面図を示す。また、図12(c)はパターン層32の構成を、図12(d)は接地導体層36の構成を示す。図12(a)および図12(b)からわかるように、多層基板30は、パターン層32、誘電体層34、接地導体層36から構成される。パターン層32には線路導体12が設けられており、これと誘電体層34および接地導体層36によってマイクロストリップ線路10が構成される。また、パターン層32には、線路導体12を取り囲むように接地パターン38が設けられている。ここに、図12(c)に示す線路導体12を取り囲む領域をパターン層結合部50とする。この接地パターン38は誘電体層34を貫く複数のスルーホール40を介して接地導体層36に電気的に接続されており、接地導体層36との同電位化が図られている。
FIG. 12 shows a microstrip
接地導体層36および誘電体層34には、被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴70が設けられており、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁波を被接続導波管90の出力端Oへと導く。線路導体12は結合穴70の上に突き出した所で先端開放されており、先端部にはマイクロストリップ線路10と被接続導波管90との整合を取るためのスタブ14が設けられている。
The
パターン層32の上に設けられる遮蔽筐体60は接地パターン38に電気的に接触しており、接地パターン38および接地導体層36との同電位化が図られている。この遮蔽筐体60は、壁部62と短絡板64とから構成され、終端を短絡した導波管を形成し、マイクロストリップ線路10と被接続導波管90との結合部での放射による損失を低減する。
The
また、接地パターン38が導体線路を取り囲む縁の形状および大きさは、被接続導波管90の断面の形状および大きさと一致させているので、遮蔽筐体60の壁部62、接地パターン38、およびスルーホール40によって、終端に短絡板64が接続された導波管が構成される。
In addition, since the shape and size of the edge surrounding the conductor line by the
ここでは、マイクロストリップ線路10の側から電磁波を励振し、被接続導波管90の側に負荷が接続される場合を考え、マイクロストリップ線路10の側に入力端Iを、被接続導波管90の側に出力端Oを定義する。
Here, considering the case where an electromagnetic wave is excited from the
マイクロストリップ線路導波管変換器5の入力端Iおよび出力端Oにおいては、反射損失が小さいことが好ましい。入力端Iおよび出力端Oでの反射損失が大きいと、反射波の発生による伝送損失の増加、能動回路の異常発振等の問題を惹き起こすおそれがあるためである。また、一般に、マイクロストリップ線路導波管変換器5に接続される高周波回路は、接続端においてインピーダンス整合が取れていることを前提に回路設計がなされている。入力端Iあるいは出力端Oにおける反射損失が十分低減されていないことは、そこに接続される隣接回路とのインピーダンス整合が十分に取れていないことを意味し、これは隣接回路の設計性能を十分に発揮することができないことの原因にもなる。
At the input end I and the output end O of the microstrip
そこで、従来構成のマイクロストリップ線路導波管変換器5では、線路導体12の先端に設けられたスタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、あるいは短絡板64とパターン層32までの距離dを調整することによって入出端Iおよび出力端Oにおける反射損失を低減する。
Therefore, the microstrip
なお、ここではマイクロストリップ線路10の側から電磁波を励振し、被接続導波管90の側に負荷が接続される場合について説明したが、これとは逆に、被接続導波管90の側から電磁波を励振し、マイクロストリップ線路10の側に負荷が接続される場合についても同様の議論が成立する。すなわち、入出力端における反射損失を低減しなければならないことは、マイクロストリップ線路導波管変換器5の構成を決定する上で重要な事項である。また、マイクロストリップ線路導波管変換器5は無損失受動回路であると考えることができるため、マイクロストリップ線路10の側から電磁波を励振し、被接続導波管90の側に負荷が接続される場合と、被接続導波管90の側から電磁波を励振し、マイクロストリップ線路10の側に負荷が接続される場合とで挿入損失は等しい値となる。
Here, a case has been described in which electromagnetic waves are excited from the
ここで説明したような、マイクロストリップ線路に伝搬する電磁波を、結合穴等の結合手段によってその裏面側に設けられた導波路へ導く構成については、次の文献に開示されている。 The configuration for guiding the electromagnetic wave propagating to the microstrip line as described here to the waveguide provided on the back side thereof by a coupling means such as a coupling hole is disclosed in the following document.
図12に示すマイクロストリップ線路導波管変換器5では、接地導体層36および誘電体層34に被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴70が設けられている。ここで、誘電体層34にも結合穴70を設けているのは次のような理由による。
In the microstrip
仮に、図13に示すマイクロストリップ線路導波管変換器7のように誘電体層34に結合穴70を設けない構成とすると、パターン層32に形成されているパターン層結合部50の領域r1と誘電体層34のうち接地導体層36に設けられている結合穴70の上層部の領域r2との間の境界面b1および、領域r2と接地導体層36に設けられている結合穴70に形成される領域r3との間の境界面b2で電磁波の媒質定数が不連続となり、入力端Iおよび出力端Oにおける反射損失が増大する。この反射損失の増大は、誘電体層34に適用される誘電体の比誘電率によってその程度が異なるが、誘電体層34に適用される一般的な誘電体の比誘電率の範囲では、上述のように線路導体12の先端に設けられたスタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、あるいは短絡板64とパターン層32までの距離dを調整することによって回避することは不可能である。
Assuming that the
そこで、従来構成においては、接地導体層36のみならず誘電体層34にも被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴70を設けることとし、線路導体12の先端に設けられたスタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、あるいは短絡板64とパターン層32までの距離dを調整することによって反射損失を低減することとしているのである。
Therefore, in the conventional configuration, not only the
しかしながら、誘電体層34に被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴を設ける場合には、接地導体層36に設けられた結合穴70の形状および大きさ等に対して十分な製作精度が要求される。そのため、製作における工数やコストがかさむ結果となる。そこで、マイクロストリップ線路導波管変換器としては、誘電体層34には結合穴を設けず、図13の領域r2の部分は誘電体で充填された構成とすることが好ましい。
However, when a coupling hole having the same shape and size as the cross-section of the connected
本発明はこのような課題に対してなされたものであり、誘電体層に結合穴を設けなくとも、入出力端における反射損失を低減することのできるマイクロストリップ線路導波管変換器を提供する。 The present invention has been made to solve such a problem, and provides a microstrip line waveguide converter capable of reducing reflection loss at an input / output end without providing a coupling hole in a dielectric layer. .
本発明は、マイクロストリップ線路の接地導体に設けられた結合穴に導波管を接続することによって、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器であって、マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面に前記接地導体と同電位化された接地領域を備え、前記接地領域は、前記導波管に対するリアクタンス絞りを形成することを特徴とする。 The present invention guides an electromagnetic wave propagating through a microstrip line to the waveguide by connecting the waveguide to a coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, and converts the electromagnetic wave propagating through the waveguide into the microstrip. A microstrip line waveguide converter that leads to a line, the microstrip line having a ground region that has the same potential as the ground conductor on a surface where the line conductor of the microstrip line exists, and the ground region is connected to the waveguide A reactance restriction is formed.
また、本発明は、マイクロストリップ線路の接地導体に設けられた結合穴に導波管を接続することによって、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器であって、マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面に設けられ、前記接地導体と同電位化された接地領域と、前記接地領域に接して設けられた遮蔽筐体と、マイクロストリップ線路の線路導体に形成された整合用スタブと、を備え、前記接地領域は、前記導波管に対するリアクタンス絞りを形成することを特徴とする。 Further, the present invention guides the electromagnetic wave propagating through the microstrip line to the waveguide by connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide. A microstrip line waveguide converter that leads to a microstrip line, provided on a surface of the microstrip line where a line conductor is present, and is in contact with the grounding area that is at the same potential as the grounding conductor. And a matching stub formed on a line conductor of the microstrip line, wherein the ground region forms a reactance stop for the waveguide.
また、本発明は、マイクロストリップ線路の接地導体に設けられた結合穴に導波管を接続することによって、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器であって、前記結合穴には前記導波管に対するリアクタンス絞りが設けられていることを特徴とする。 Further, the present invention guides the electromagnetic wave propagating through the microstrip line to the waveguide by connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide. A microstrip line waveguide converter that leads to a microstrip line, wherein the coupling hole is provided with a reactance stop for the waveguide.
また、本発明は、マイクロストリップ線路の接地導体に設けられた結合穴に導波管を接続することによって、マイクロストリップ線路を伝搬する電磁波を導波管へ導き、導波管を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路へ導くマイクロストリップ線路導波管変換器であって、マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面を挟んで、マイクロストリップ線路の接地導体が存在する領域とは反対側の領域に設けられた遮蔽筐体と、マイクロストリップ線路の線路導体に形成された整合用スタブと、を備え、前記結合穴には前記導波管に対するリアクタンス絞りが設けられていることを特徴とする。 Further, the present invention guides the electromagnetic wave propagating through the microstrip line to the waveguide by connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide. A microstrip line waveguide converter that leads to a microstrip line, and is provided in a region opposite to the region where the ground conductor of the microstrip line exists across the surface where the line conductor of the microstrip line exists. And a matching stub formed on the line conductor of the microstrip line, and the coupling hole is provided with a reactance restrictor for the waveguide.
また、本発明は、前記結合穴と前記マイクロストリップ線路の線路導体との間に誘電体が存在する構成に対して適用することが好適である。 In addition, the present invention is preferably applied to a configuration in which a dielectric exists between the coupling hole and the line conductor of the microstrip line.
本発明によれば、マイクロストリップ線路の接地導体に設けられた結合穴に導波管を接続したマイクロストリップ線路導波管変換器の設計パラメータが追加される。そのため、マイクロストリップ線路の線路導体と接地導体との間の誘電体層に結合穴を設けなくとも、入出力端における反射損失が十分低減されたマイクロストリップ線路導波管変換器を実現することができる。 According to the present invention, the design parameter of the microstrip line waveguide converter in which the waveguide is connected to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line is added. Therefore, it is possible to realize a microstrip line waveguide converter with sufficiently reduced reflection loss at the input / output end without providing a coupling hole in the dielectric layer between the line conductor and the ground conductor of the microstrip line. it can.
図1は、本発明の第1の実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器1の伝搬断面を、図2はその伝搬軸断面を示す。外観形状は図11と同様である。図1および図2からわかるように、多層基板30は、パターン層32、誘電体層34、接地導体層36から構成される。
FIG. 1 shows a propagation section of the microstrip
図3(a)はパターン層32の構成を、図3(b)は接地導体層36の構成を示す。パターン層32には線路導体12が設けられており、これと誘電体層34および接地導体層36によってマイクロストリップ線路10が構成される。また、パターン層32には、線路導体12を取り囲むように接地パターン38が設けられている。ここに、図3(a)に示すパターン層結合部50の領域にリアクタンス絞り52を設けることで形成された領域を絞りパターン層結合部54とする。この接地パターン38は、誘電体層34を貫く複数のスルーホール40を介して接地導体層36に電気的に接続されており、接地導体層36との同電位化が図られている。この複数のスルーホール40の間隔は、マイクロストリップ線路10および被接続導波管90を伝搬する電磁波の自由空間波長に比して十分短くしておくことが好適である。
FIG. 3A shows the configuration of the
接地導体層36には、被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴70が設けられており、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁波を被接続導波管90へと導き、被接続導波管90を伝搬する電磁波をマイクロストリップ線路10へと導く。図12に示すマイクロストリップ線路導波管変換器5とは異なり、誘電体層34には結合穴が設けられておらず、接地導体層36において結合穴70が設けられている部分の上層部は、誘電体によって塞がれている。線路導体12は結合穴70の上に突き出した所で先端開放されており、先端部にはマイクロストリップ線路10と被接続導波管90との整合を取るためのスタブ14が設けられている。
The
パターン層32の上に設けられる遮蔽筐体60は接地パターン38に電気的に接触しており、接地パターン38および接地導体層36との同電位化が図られている。この遮蔽筐体60は、壁部62と短絡板64とから構成され、終端を短絡した導波管を形成し、マイクロストリップ線路10と被接続導波管90との結合部における放射による損失を低減する。
The shielding
図12に示すマイクロストリップ線路導波管変換器5においては、パターン層結合部50の形状および大きさは、被接続導波管90の断面の形状および大きさと一致させていた。本実施形態においては、被接続導波管90の断面の形状および大きさと一致させたパターン層結合部50にリアクタンス絞り52を設けることで形成される絞りパターン層結合部54を構成した結果、パターン層32において電磁界結合に寄与する面積はリアクタンス絞り52が設けられた部分だけ狭くなったものとなっている。
In the microstrip
ここで、リアクタンス絞りとは、導波管の基本伝搬モード電磁界(以下、単に基本伝搬モードとする。)に対してリアクタンス回路として作用する絞り弁をいう。すなわち、図1および図2の構成は、遮蔽筐体60の壁部62、接地パターン38、およびスルーホール40によって形成される導波管がパターン層32で切断される面内に、基本伝搬モードに対してリアクタンスとして作用する絞り弁、すなわちリアクタンス絞り52を設けたものであると捉えることができる。
Here, the reactance restriction means a restriction valve that acts as a reactance circuit with respect to a fundamental propagation mode electromagnetic field (hereinafter simply referred to as a fundamental propagation mode) of a waveguide. That is, in the configuration of FIG. 1 and FIG. 2, the basic propagation mode is in the plane in which the waveguide formed by the
ここで、リアクタンス絞りの一般的な性質について説明する。図4(a)および図4(b)は、導波管92の断面にインダクタンスとして作用するリアクタンス絞りの構成を示したものである。図4(a)は導波管92の伝搬方向を法線とする断面からリアクタンス絞り94を見た図であり、図4(b)は導波管92のH面断面からリアクタンス絞り94を見た図である。図4の矢印は、基本伝搬モードの電界方向を示す。導波管92を基本伝搬モードに対する伝送線路80で表した場合、図4(a)および図4(b)のリアクタンス絞り94は図4(c)のように伝送線路80にシャントに挿入されたインダクタンスと等価なものとして表すことができる。絞りの幅dL1およびdL2は異なっていてもよい。一般に、dL1およびdL2の値が大きい程、図4(c)のインダクタンスの値が大きくなる傾向にある。また、図4(d)および図4(e)は、導波管92の断面にキャパシタンスとして作用するリアクタンス絞り96の構成を示したものである。図4(d)は導波管92の伝搬方向を法線とする断面からリアクタンス絞り96を見た図であり、図4(e)は導波管92のE面断面からリアクタンス絞り96を見た図である。図4の矢印は、基本伝搬モードの電界方向を示す。導波管92を基本伝搬モードに対する伝送線路80で表した場合、図4(d)および図4(e)のリアクタンス絞り96は図4(f)のようにシャントに挿入されたキャパシタンスと等価なものとして表すことができる。絞りの幅dC1およびdC2は異なっていてもよい。一般に、dC1およびdC2の値が大きい程、図4(f)のキャパシタンスの値が大きくなる傾向にある。より一般的に、図4(g)のようにインダクタンスとキャパシタンスの両者の性質を合わせたリアクタンス絞り98を構成することが可能である。
Here, the general property of the reactance restriction will be described. FIGS. 4A and 4B show the configuration of a reactance diaphragm that acts as an inductance on the cross section of the
次に、図1および図2のマイクロストリップ線路導波管変換器1の動作原理について図5を参照して説明する。図5(a)のマイクロストリップ線路20に電磁波が伝搬している状態では、マイクロストリップ線路20の断面には図5(a)のような分布の電磁界が生じている。図5(a)において実線は電界を、破線は磁界を表す。これより、マイクロストリップ線路20の断面内の電磁界分布は、接地導体層26および線路導体22を結ぶ電界と、線路導体22を取り囲む磁界とからなることがわかる。一方、導波管を伝搬する基本伝搬モードは、図5(b)のようにH面管壁間を結ぶ電界と、電界分布が零となる面に垂直に交わる環状の磁界とからなる。
Next, the operation principle of the microstrip
図5(a)および図5(b)からわかるように、マイクロストリップ線路20の線路導体22を取り囲む磁界の分布と、導波管92において電界分布が零となる面に垂直に交わる環状の磁界の分布は近似している。そこで、マイクロストリップ線路10の断面と被接続導波管90のH面を接合し、図5(c)に示すようにマイクロストリップ線路10の線路導体12を取り囲む磁界が基本伝搬モードの磁界を励振することでマイクロストリップ線路10を伝搬する電磁界を被接続導波管90へと導く構成が可能であることがわかる。
As can be seen from FIGS. 5A and 5B, the distribution of the magnetic field surrounding the
一般に、異なる種類の線路を接続する場合、近似した電磁界分布を有する面でそれらの線路を結合することによって、反射損失および挿入損失を低減することができることが知られている。したがって、マイクロストリップ線路と導波管とを接続する場合にあっては、マイクロストリップ線路の線路導体を取り囲む磁界の分布と、導波管において電界分布が零となる面に垂直に交わる環状の磁界の分布が近似していることから、マイクロストリップ線路の断面と、導波管のH面とを接合することが反射損失および挿入損失を低減するという観点から有利であるといえる。 In general, when different types of lines are connected, it is known that the reflection loss and the insertion loss can be reduced by coupling the lines on a plane having an approximate electromagnetic field distribution. Therefore, when connecting the microstrip line and the waveguide, the distribution of the magnetic field surrounding the line conductor of the microstrip line and the annular magnetic field perpendicular to the plane where the electric field distribution in the waveguide is zero. Therefore, it can be said that joining the cross section of the microstrip line and the H-plane of the waveguide is advantageous from the viewpoint of reducing reflection loss and insertion loss.
以上は、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁界が磁気的な結合によって被接続導波管90に導かれる点に着目したが、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁界は電気的な結合によっても被接続導波管90に導かれる。マイクロストリップ線路10から電磁波が入射すると、図5(d)のように線路導体12の先端部と遮蔽筐体60とを結ぶ電界が生じる。この電界は、基本伝搬モードの電界の方向と同一方向の成分を有するため、基本伝搬モードを励振し、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁界が被接続導波管90へと導かれるのである。
The above has focused on the point that the electromagnetic field propagating through the
次に、マイクロストリップ線路10の入力端Iにおける反射損失について図2を参照して説明する。入力端Iから電磁波が入射されると、その電磁波によって被接続導波管90には基本伝搬モードが励振される。しかしながら、マイクロストリップ線路導波管変換器1には、入力端Iに反射波を生ぜしめる構成が無数に存在し、これらの構成の各々において生じた反射波が加算され、終局的にはこれが入力端Iからマイクロストリップ線路導波管変換器1に入射された電磁波に対する反射波となる。以下、マイクロストリップ線路導波管変換器1において反射波を生ぜしめる個々の構成によって生ずる反射波を局所的反射波とし、局所的反射波が加算合計された結果である、入力端Iから入射された電磁波に対する終局的な「反射波」と区別することとする。反射損失が十分小さい状態とは、局所的反射波が相殺されるような振幅および位相の関係で加算合計されている結果、入射された電磁波に対する反射波が十分小さくなっている状態であるといえる。
Next, the reflection loss at the input end I of the
入力端Iに局所的反射波を生ぜしめる構成の一つとして不連続面S1がある。不連続面S1では線路導体12と対をなす接地導体層36の導体が途切れるため、ここに入射した電磁波は不連続面S1での電磁界境界条件を満たすよう、不連続面S1より被接続導波管90の側に透過波、マイクロストリップ線路10の側に局所的反射波を生ぜしめる。
One of the configurations that cause a local reflected wave at the input end I is a discontinuous surface S 1 . Since the conductors of the
また、線路導体12のうち結合穴70の上に突き出した部分においては、線路導体12の表面において電界成分が零となるように電流が分布するものと考えることができる。そして、そのように分布する電流と不連続面S1において線路導体12に励振されている電圧との関係によって不連続面S1に接続される等価回路が定まる。この等価回路は不連続面S1に接続される被接続導波管90への結合回路であり、その入力インピーダンスは、結合穴70の上に突き出した部分の形状を変化させることによって調整することができる。これは電磁波論の立場から、不連続面S1における反射係数と透過係数を調整することができることに他ならず、不連続面S1における反射係数を調整することは、そこで生じる局所的反射波の振幅および位相を調整することに他ならない。したがって、線路導体12のうち結合穴70の上に突き出した部分の形状を変化させることによって不連続面S1で生じる局所的反射波の振幅および位相を調整することができ、マイクロストリップ線路導波管変換器1においては、先端に設けられたスタブ14の長さls若しくは幅w、または線路導体12の突き出し長さlcを変化させることによってこれを行うことが可能となる。
Further, in the portion of the
さらに、遮蔽筐体60を構成する壁部62によって構成される導波管および複数のスルーホール40の配置によって形成される導波管には、入力端Iから入射された電磁波によって基本伝搬モードが励振される。
Furthermore, the waveguide formed by the
いま、図11と同様、パターン層32に形成されている絞りパターン層結合部54の領域をr4、誘電体層34のうち接地導体層36に設けられている結合穴70の上層部の領域をr5、接地導体層36に設けられている結合穴70に形成される領域をr6とする。そして、領域r4と領域r5との間の境界面をb3、領域r5と領域r6との間の境界面をb4とする。
As in FIG. 11, the region of the aperture pattern
図2の境界面b3において励振され短絡板64の方向に伝搬した基本伝搬モードは、短絡板64において反射して再び境界面b3に到来し、そこで再び反射することを繰り返し、境界面b3と短絡板64との間を多重反射する。基本伝搬モードは、境界面b3と短絡板64との間を多重反射しつつマイクロストリップ線路10には、ある振幅および位相を以て局所的反射波を励振する。
The basic propagation mode excited at the boundary surface b 3 in FIG. 2 and propagating in the direction of the short-
図2の境界面b3において励振され境界面b4の方向に伝搬した基本伝搬モードは、境界面b4において反射して、再び境界面b3に到来し、そこで再び反射することを繰り返し、境界面b3と境界面b4との間を多重反射する。基本伝搬モードは、境界面b3と境界面b4との間を多重反射しつつマイクロストリップ線路10には、ある振幅および位相を以て局所的反射波を励振する。
Fundamental propagation modes propagating in the direction of the excited boundary b 4 at the interface b 3 in FIG. 2 are reflected at the boundary surface b 4, repeated that again arrived at the boundary surface b 3, where it reflected again, Multiple reflection is performed between the boundary surface b 3 and the boundary surface b 4 . In the basic propagation mode, a local reflected wave is excited in the
なお、境界面b3と短絡板64との間を多重反射する基本伝搬モードと、境界面b3と境界面b4との間を多重反射する基本伝搬モードとの間には境界面b3で電磁界の結合があり、これら多重反射する基本伝搬モードは、被接続導波管90の出力端Oへの電磁波の励振に寄与している。また、ここでは境界面b3およびb4での基本伝搬モードの反射および透過を考えたが、遮蔽筐体60の内部の領域rMと領域r4との間の境界面である境界面bM、および被接続導波管90の内部の領域rWと領域r6との間の境界面である境界面bWでの基本伝搬モードの反射および透過も当然考えられる。しかしながら、本実施形態においては、パターン層32および接地導体層36の厚さtを波長よりも十分薄くするため、その影響を無視しても差し支えない。
Incidentally, a fundamental propagation mode of multiple reflection between the short-
図1および図2のマイクロストリップ線路導波管変換器1においては、領域r4にはリアクタンス絞り52が設けられている。上述のように、リアクタンス絞り52は導波管を伝送線路とみなしたときにシャントに挿入されたリアクタンスとみなすことができ、そのリアクタンス値を変化させることによって、境界面b3において反射する基本伝搬モードの振幅および位相を調整することができる。当該リアクタンス値の調整は、図1の絞りの幅dL1、dL2を変化させることによって行うことができる。したがって、リアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2を変化させることによって、境界面b3において反射する基本伝搬モードの振幅および位相を調整し、マイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波の振幅および位相を調整することができる。
In the microstrip
また、パターン層32から短絡板64までの距離dを変化させると、境界面b3に到来する基本伝搬モードの位相が変化する。境界面b3と短絡板64との間、あるいは境界面b3と境界面b4との間を多重反射しつつマイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波は、境界面b3に到来する個々の基本伝搬モードによって励振される電磁波の足し合わせであるから、当該個々の基本伝搬モードの位相関係に従って、励振される局所的反射波の振幅および位相が定まる。したがって、パターン層32から短絡板64までの距離dを変化させることによって境界面b3に到来する基本伝搬モードの位相を変化させれば、マイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波の振幅および位相を調整することができるといえる。
Further, when the distance d from the
以上のことから、本実施形態においては、局所的反射波の振幅および位相を調整する設計パラメータとして主に次の4つがあることとなる。(1)スタブ14の長さls若しくは幅w(2)線路導体12の突き出し長さlc(3)絞りパターン層結合部54におけるリアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2(4)パターン層32から短絡板64までの距離d。この(1)から(4)の設計パラメータを調整することによって、入力端Iからマイクロストリップ線路導波管変換器1に電磁波を入力したときに、マイクロストリップ線路10の側に生じるすべての局所的反射波が相殺される状態とすれば、入力端Iにおける反射損失を低減することができる。
From the above, in the present embodiment, there are mainly the following four design parameters for adjusting the amplitude and phase of the locally reflected wave. (1) Length l s or width w of the stub 14 (2) Projection length l c of the line conductor 12 (3) Diaphragm widths d L1 and d L2 of the
なお、ここでは、マイクロストリップ線路10を入力側とした場合について考えた。本実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器1は、無損失伝送回路であるものと考えることができる。したがって、被接続導波管90に整合負荷が接続されているという条件の下、入力端Iにおける反射損失が十分小さければ、挿入損失も十分小さいものとみなすことができる。また、無損失伝送回路の相反性から、被接続導波管90を入力側とした場合について、被接続導波管90からマイクロストリップ線路10へ電磁波が伝搬する際の挿入損失、および被接続導波管90からマイクロストリップ線路導波管変換器1の側をみた反射損失もまた十分小さいといえる。
Here, the case where the
次に、図1および図2のマイクロストリップ線路導波管変換器1の設計法について説明する。設計に際しては、スタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、リアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2、面から短絡板64までの距離d、等を主要な設計パラメータとすることが好適である。
Next, a design method of the microstrip
まず、設計パラメータの初期値として、線路導体12の先端部のスタブ14の長さを零に、パターン層32から短絡板64までの距離dを壁部62によって形成される導波管の管内波長の4分の1の長さに、リアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2を零とする。この初期状態において、マイクロストリップ線路導波管変換器1の反射損失および挿入損失を電磁界シミュレーションあるいは実験によって求める。
First, as the initial values of the design parameters, the length of the
次に、電磁界シミュレーションあるいは実験によって求められる反射損失および挿入損失が所望の値となるよう、設計パラメータを最適化する。図12に示す従来構成のマイクロストリップ線路導波管変換器5では、誘電体層34に結合穴70が設けられていたため、スタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、パターン層32から短絡板64までの距離dを設計パラメータとして調整することで、反射損失および挿入損失を所望の値とすることができた。しかしながら、本実施形態においては、誘電体層34には結合穴が設けられておらず、接地導体層36において結合穴70が設けられている部分の上層部は、誘電体によって塞がれているため、スタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、パターン層32から短絡板64までの距離dのみでは設計パラメータが不足してしまう。そこで、これらの設計パラメータに加えて、リアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2を設計パラメータとするのである。
Next, the design parameters are optimized so that the reflection loss and insertion loss obtained by electromagnetic field simulation or experiment have desired values. In the microstrip
なお、ここではパターン層32におけるリアクタンス絞りとしてインダクタンスとして作用するものを適用した場合についてとりあげたが、キャパシタンスとして作用するもの、あるいはインダクタンスとキャパシタンスの両者の性質を合わせたものも適用可能である。図6にはキャパシタンスとして作用するリアクタンス絞り54を適用したパターン層32の構成を示す。
Here, a case where a reactance restrictor in the
また、スタブ14の長さls若しくは幅w、リアクタンス絞り52の絞りの幅dL1、dL2、面から短絡板64までの距離d、等を主要な設計パラメータとしたが、これらに加えて、図1、図2、図3および図6の構成を決定する様々な要素を設計パラメータとして選ぶことが可能であることはいうまでもない。
The length l s or width w of the
次に、本発明の第2の実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器について説明する。図7は、第2の実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器3の伝搬断面を、図8はその伝搬軸断面を示す。外観形状は図11と同様である。本実施形態は、第1の実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器1のようにパターン層結合部50に絞りリアクタンスを設けるのではなく、接地導体層36における結合穴70に絞りリアクタンスを設けるものである。
Next, a microstrip line waveguide converter according to a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 shows a propagation cross section of the microstrip
図7および図8からわかるように、多層基板30は、パターン層32、誘電体層34、接地導体層36から構成される。図9(a)はパターン層32の構成を、図9(b)は接地導体層36の構成を示す。パターン層32には線路導体12が設けられており、これと誘電体層34および接地導体層36によってマイクロストリップ線路10が構成される。また、パターン層32には、線路導体12を取り囲むように接地パターン38が設けられている。ここに、図9(a)に示す穴の開けられた領域をパターン層結合部50とする。この接地パターン38は誘電体層34を貫く複数のスルーホール40を介して接地導体層36に電気的に接続されており、接地導体層36との同電位化が図られている。この複数のスルーホール40の間隔は、マイクロストリップ線路10および被接続導波管90を伝搬する電磁波の自由空間波長に比して十分短くしておくことが好適である。
As can be seen from FIGS. 7 and 8, the
パターン層32の上に設けられる遮蔽筐体60は接地パターン38に電気的に接触しており、接地パターン38および接地導体層36との同電位化が図られている。この遮蔽筐体60は、壁部62と短絡板64とから構成され、終端を短絡した導波管を形成し、マイクロストリップ線路10と被接続導波管90との結合部における放射による損失を低減する。
The shielding
接地導体層36には、被接続導波管90の断面の形状および大きさと一致させた結合穴70にリアクタンス絞り72を設けることで形成された絞り結合穴74が設けられており、マイクロストリップ線路10を伝搬する電磁波を被接続導波管90へと導く。図1および図2に示すマイクロストリップ線路導波管変換器1の構成とは異なり、誘電体層34には結合穴70が設けられておらず、接地導体層36において絞り結合穴74が設けられている部分の上層部は、誘電体によって充填されている。線路導体12は絞り結合穴74の上に突き出した所で先端開放されており、先端部にはマイクロストリップ線路10と被接続導波管90との整合を取るためのスタブ14が設けられている。
The
図9(b)は、マイクロストリップ線路導波管変換器3の接地導体層36の構成を示す。この構成は、被接続導波管90の断面と同一の形状および大きさの結合穴70にリアクタンス絞り72を設けたものとなっている。リアクタンス絞りの一般的な性質については上述の通りである。
FIG. 9B shows the configuration of the
マイクロストリップ線路と導波管を接続する場合、マイクロストリップ線路の線路導体を取り囲む磁界の分布と、導波管のH面内での磁界の分布が近似していることから、マイクロストリップ線路の伝搬断面と導波管のH面とを接合することが、反射損失および挿入損失を低減するという観点から有利である点については先に触れた。本実施形態は第1の実施形態と同様、この原理を利用しているため動作原理の詳細については説明を省略する。 When the microstrip line and the waveguide are connected, the distribution of the magnetic field surrounding the line conductor of the microstrip line and the distribution of the magnetic field in the H plane of the waveguide are approximated. It has been mentioned above that joining the cross section and the H-plane of the waveguide is advantageous from the viewpoint of reducing reflection loss and insertion loss. Since this embodiment uses this principle as in the first embodiment, the details of the operation principle are omitted.
次に、マイクロストリップ線路10の入力端Iにおける反射損失について図7および図8を参照して説明する。本実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器3に入力端Iから入射された電磁波に対する反射波は、第1の実施形態と同様、局所的反射波が加算合計されたものとして説明することができる。そして、局所的反射波を生ぜしめる構成の一つとして不連続面S2があり、線路導体12のうち絞り結合穴74の上に突き出した部分の形状を変化させることによって不連続面S2で生じる局所的反射波の振幅および位相を調整することができる点についても同様である。したがって、本実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器3においても、先端に設けられたスタブ14の長さls若しくは幅w、または線路導体12の突き出し長さlcを変化させることによって、不連続面S2において生じる局所的反射波の振幅および位相の調整を行うことが可能である。
Next, the reflection loss at the input end I of the
ここで、図13と同様、パターン層32に形成されているパターン層結合部50の領域をr7、誘電体層34のうち接地導体層36に設けられている絞り結合穴74の上層部の領域をr8、接地導体層36に設けられている絞り結合穴74に形成される領域をr9とする。そして、領域r7と領域r8との間の境界面をb5、領域r8と領域r9との間の境界面をb6とする。
Here, as in FIG. 13, the region of the pattern
入力端Iからマイクロストリップ線路導波管変換器3に入射された電磁波によって、壁部62によって構成される導波管には、境界面b5と短絡板64との間を多重反射する基本伝搬モードが、そして複数のスルーホール40から形成される導波管には、境界面b5と境界面b6との間を多重反射する基本伝搬モードが励振され、マイクロストリップ線路10にはある振幅および位相を以て局所的反射波が励振される。
The basic propagation that multi-reflects between the boundary surface b 5 and the short-
図7および図8のマイクロストリップ線路導波管変換器3においては、領域r9にはリアクタンス絞り72が設けられている。上述のように、リアクタンス絞り72は導波管を伝送線路と見なしたときにシャントに挿入されたリアクタンスと見なすことができ、そのリアクタンス値を変化させることによって、境界面b6において反射する基本伝搬モードの振幅および位相を調整することができる。当該リアクタンス値の調整は、図7の絞りの幅dL1、dL2を変化させることによって行うことができる。したがって、リアクタンス絞り72の絞りの幅dL1、dL2を変化させることによって、境界面b6において反射する基本伝搬モードおよび境界面b5に到来する基本伝搬モードの振幅および位相を調整し、マイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波の振幅および位相を調整することができる。
In
また、パターン層32から短絡板64までの距離dを変化させると、境界面b5に到来する基本伝搬モードの位相が変化する。パターン層32と短絡板64との間、あるいは境界面b5と境界面b6との間を多重反射しつつマイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波は、境界面b5に到来する個々の基本伝搬モードによって励振される電磁波の足し合わせであるから、当該個々の基本伝搬モードの位相関係に従って、励振される局所的反射波の振幅および位相が定まる。したがって、パターン層32から短絡板64までの距離dを変化させることによって境界面b5に到来する基本伝搬モードの位相を変化させれば、マイクロストリップ線路10に励振される局所的反射波の振幅および位相を調整することができるといえる。
Further, when the distance d from the
なお、ここでは境界面b5およびb6での基本伝搬モードの反射および透過を考えたが、遮蔽筐体60の内部の領域rMと領域r5との間の境界面である境界面bM、および被接続導波管90の内部の領域rWと領域r9との間の境界面である境界面bWでの基本伝搬モードの反射および透過も当然考えられる。しかしながら、本実施形態においては、パターン層32および接地導体層36の厚さtを波長よりも十分薄くするため、その影響を無視しても差し支えない。
Here, reflection and transmission of the fundamental propagation mode at the boundary surfaces b 5 and b 6 are considered, but the boundary surface b which is a boundary surface between the region r M and the region r 5 inside the shielding
以上のことから、本実施形態においては、局所的反射波の振幅および位相を調整するパラメータとして主に次の4つがあることとなる。(1)スタブ14の長さls若しくは幅w(2)線路導体12の突き出し長さlc(3)絞り結合穴74におけるリアクタンス絞り72の絞りの幅dL1、dL2の(4)パターン層32から短絡板64までの距離d。この(1)から(4)の設計パラメータを調整することによって、マイクロストリップ線路導波管変換器3に電磁波を入力したときに、マイクロストリップ線路10の側に生じる局所的反射波が相殺される状態とすれば、反射損失を低減することができる。
From the above, in the present embodiment, there are mainly the following four parameters for adjusting the amplitude and phase of the locally reflected wave. (1) Length l s or width w of the stub 14 (2) Projection length l c of the line conductor 12 (3) (4) Pattern of the diaphragm widths d L1 and d L2 of the
なお、ここでは、マイクロストリップ線路10を入力側とした場合について考えた。本実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器3は、無損失伝送回路であるものと考えることができる。したがって、マイクロストリップ線路10における入力端Iにおける反射損失が十分小さければ、被接続導波管90からマイクロストリップ線路10へ電磁波が伝搬する際の挿入損失および被接続導波管90からマイクロストリップ線路導波管変換器3の側をみた反射損失もまた十分小さいといえる。
Here, the case where the
図7および図8のマイクロストリップ線路導波管変換器3の設計は、第1の実施形態に係るマイクロストリップ線路導波管変換器1の設計と同様にして行うことができる。すなわち、反射損失および挿入損失が所望の値となる設計パラメータを調整するのである。本実施形態においては、スタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、絞り結合穴74におけるリアクタンス絞り72の絞りの幅dL1、dL2、パターン層32から短絡板64までの距離dを設計パラメータとすることが好適である。第1の実施形態においては、絞りパターン層結合部54におけるリアクタンス絞り52の絞りの幅を設計パラメータとしているところ、本実施形態においては、絞り結合穴74におけるリアクタンス絞り72の絞りの幅を設計パラメータとしている点が異なる。
The design of the microstrip
なお、ここでは絞り結合穴74におけるリアクタンス絞りとしてインダクタンスとして作用するものを適用した場合についてとりあげたが、第1の実施形態と同様、キャパシタンスとして作用するもの、あるいはインダクタンスとキャパシタンスの両者の性質を合わせたものも適用可能である。図10にはキャパシタンスとして作用するリアクタンス絞り76を適用した場合の接地導体層36の構成を示す。
Here, the case where a reactance diaphragm acting as an inductance is applied as the reactance diaphragm in the
また、スタブ14の長さls若しくは幅w、線路導体12の突き出し長さlc、リアクタンス絞り72の絞りの幅dL1、dL2、面から短絡板64までの距離d等を主要な設計パラメータとしたが、これらに加えて、図7から図10までに示される様々な要素を設計パラメータとして選ぶことが可能であることはいうまでもない。
The main design includes the length l s or width w of the
以上、本発明の実施形態について説明した。本発明はこれらの実施形態になんら限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で様々な実施形態が可能であることはいうまでもない。 The embodiment of the present invention has been described above. It goes without saying that the present invention is not limited to these embodiments, and various embodiments are possible within the scope of the gist of the present invention.
1,3,5,7 マイクロストリップ線路導波管変換器、10 マイクロストリップ線路、12,22 線路導体、14 スタブ、30 多層基板、32 パターン層、34 誘電体層、26,36 接地導体層、38 接地パターン、40 スルーホール、50 パターン層結合部、52,56,72,76,94,96,98 リアクタンス絞り、54 絞りパターン層結合部、60 遮蔽筐体、62 壁部、64 短絡板、70 結合穴、74 絞り結合穴、80 伝送線路、90 被接続導波管、92 導波管。 1, 3, 5, 7 Microstrip line waveguide converter, 10 Microstrip line, 12, 22 Line conductor, 14 Stub, 30 Multilayer substrate, 32 Pattern layer, 34 Dielectric layer, 26, 36 Ground conductor layer, 38 ground pattern, 40 through hole, 50 pattern layer joint, 52, 56, 72, 76, 94, 96, 98 reactance diaphragm, 54 diaphragm pattern layer joint, 60 shielding housing, 62 wall, 64 short circuit board, 70 coupling hole, 74 aperture coupling hole, 80 transmission line, 90 connected waveguide, 92 waveguide.
Claims (5)
マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面に前記接地導体と同電位化された接地領域を備え、
前記接地領域は、前記導波管に対するリアクタンス絞りを形成することを特徴とするマイクロストリップ線路導波管変換器。 By connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, the electromagnetic wave propagating through the microstrip line is guided to the waveguide, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide is guided to the microstrip line. A stripline waveguide converter comprising:
Provided with a ground region having the same potential as the ground conductor on the surface where the line conductor of the microstrip line exists,
The microstrip line waveguide converter, wherein the ground region forms a reactance restriction for the waveguide.
マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面に設けられ、前記接地導体と同電位化された接地領域と、
前記接地領域に接して設けられた遮蔽筐体と、
マイクロストリップ線路の線路導体に形成された整合用スタブと、
を備え、
前記接地領域は、前記導波管に対するリアクタンス絞りを形成することを特徴とするマイクロストリップ線路導波管変換器。 By connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, the electromagnetic wave propagating through the microstrip line is guided to the waveguide, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide is guided to the microstrip line. A stripline waveguide converter comprising:
A ground region provided on the surface where the line conductor of the microstrip line is present, and the same potential as the ground conductor;
A shielding housing provided in contact with the grounding area;
A matching stub formed on the line conductor of the microstrip line;
With
The microstrip line waveguide converter, wherein the ground region forms a reactance restriction for the waveguide.
前記結合穴には前記導波管に対するリアクタンス絞りが設けられていることを特徴とするマイクロストリップ線路導波管変換器。 By connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, the electromagnetic wave propagating through the microstrip line is guided to the waveguide, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide is guided to the microstrip line. A stripline waveguide converter comprising:
A microstrip line waveguide converter, wherein the coupling hole is provided with a reactance stop for the waveguide.
マイクロストリップ線路の線路導体が存在する面を挟んで、マイクロストリップ線路の接地導体が存在する領域とは反対側の領域に設けられた遮蔽筐体と、
マイクロストリップ線路の線路導体に形成された整合用スタブと、
を備え、
前記結合穴には前記導波管に対するリアクタンス絞りが設けられていることを特徴とするマイクロストリップ線路導波管変換器。 By connecting the waveguide to the coupling hole provided in the ground conductor of the microstrip line, the electromagnetic wave propagating through the microstrip line is guided to the waveguide, and the electromagnetic wave propagating through the waveguide is guided to the microstrip line. A stripline waveguide converter comprising:
A shielding housing provided in a region opposite to the region where the ground conductor of the microstrip line exists across the surface where the line conductor of the microstrip line exists,
A matching stub formed on the line conductor of the microstrip line;
With
A microstrip line waveguide converter, wherein the coupling hole is provided with a reactance stop for the waveguide.
前記結合穴と前記マイクロストリップ線路の線路導体との間には、誘電体が存在することを特徴とするマイクロストリップ線路導波管変換器。 The microstrip line waveguide converter according to claim 1, wherein:
A microstrip line waveguide converter, wherein a dielectric is present between the coupling hole and the line conductor of the microstrip line.
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011063767A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 华为技术有限公司 | Waveguide conversion device |
JP2011199692A (en) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | Non-waveguide line/waveguide transformer |
CN102637930A (en) * | 2012-04-17 | 2012-08-15 | 南京航空航天大学 | Substrate-insertion type rectangular waveguide band elimination filter |
JP6408679B1 (en) * | 2017-11-01 | 2018-10-17 | 株式会社フジクラ | Dielectric waveguide |
KR20190006410A (en) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | (주)지에쓰씨 | Microstrip-to-Waveguide Transition Structure |
JP2020022075A (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 古野電気株式会社 | Transducer |
CN112736393A (en) * | 2020-11-27 | 2021-04-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Microstrip-to-waveguide structure based on multilayer PCB (printed Circuit Board) |
WO2023185843A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 华为技术有限公司 | Waveguide antenna assembly, radar, terminal, and preparation method for waveguide antenna assembly |
-
2005
- 2005-01-07 JP JP2005002285A patent/JP2006191428A/en active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2011063767A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-03 | 华为技术有限公司 | Waveguide conversion device |
JP2011199692A (en) * | 2010-03-23 | 2011-10-06 | New Japan Radio Co Ltd | Non-waveguide line/waveguide transformer |
CN102637930A (en) * | 2012-04-17 | 2012-08-15 | 南京航空航天大学 | Substrate-insertion type rectangular waveguide band elimination filter |
KR101952376B1 (en) * | 2017-07-10 | 2019-02-26 | (주)지에쓰씨 | Microstrip-to-Waveguide Transition Structure |
KR20190006410A (en) * | 2017-07-10 | 2019-01-18 | (주)지에쓰씨 | Microstrip-to-Waveguide Transition Structure |
WO2019087955A1 (en) * | 2017-11-01 | 2019-05-09 | 株式会社フジクラ | Dielectric waveguide |
JP6408679B1 (en) * | 2017-11-01 | 2018-10-17 | 株式会社フジクラ | Dielectric waveguide |
JP2019087781A (en) * | 2017-11-01 | 2019-06-06 | 株式会社フジクラ | Dielectric waveguide |
US11050130B1 (en) | 2017-11-01 | 2021-06-29 | Fujikura Ltd. | Dielectric waveguide |
JP2020022075A (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-06 | 古野電気株式会社 | Transducer |
JP7129263B2 (en) | 2018-08-01 | 2022-09-01 | 古野電気株式会社 | converter |
CN112736393A (en) * | 2020-11-27 | 2021-04-30 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | Microstrip-to-waveguide structure based on multilayer PCB (printed Circuit Board) |
WO2023185843A1 (en) * | 2022-03-31 | 2023-10-05 | 华为技术有限公司 | Waveguide antenna assembly, radar, terminal, and preparation method for waveguide antenna assembly |
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