JP2006185428A - Rfタグ - Google Patents

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匡彦 平井
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Abstract

【課題】シリコンチップなどの集積回路を持たず、複数の情報を持ち、かつ情報の書き換え(追記)が可能な、安価なRFタグを提供する。
【解決手段】基板1上に、少なくとも2個の直列または並列に接続されたコンデンサC、C’と少なくとも1個のコイルアンテナLを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有するRFタグにおいて、前記コンデンサの少なくとも1個が閾値電圧を超える電圧印加により不可逆的に短絡するアンチヒューズであり、前記コンデンサを構成する電極表面の平均粗さが0.2μm以下であることを特徴とする。
【選択図】図4

Description

本発明はRFタグに関し、特に共振回路にアンチヒューズを用いたアンチヒューズ型RFタグに関する。
従来、シリコン系材料を用いた集積回路がコンピュータ、通信、家電などあらゆる分野に利用されてきた。
一方、近年、半導体集積回路を用いた非接触RF(Radio Frequency)タグ、カードが広く普及してきた。これらは、マイクロプロセッサ、暗号ロジックや不揮発性メモリを搭載するなど、高機能化に適している反面、数ビットを書き換えるローコストのRFタグ用途については価格が高く、あまり市場を獲得できていない。
また、2値のみを不可逆的に記録できる、盗難防止用タグなどは、一部で実用化されている。
また、特許文献1および特許文献2には、複数ビットを記憶、追記できるLC共振回路を持つ共振タグが記載されている。
特開2002−245429号公報 特開2002−319004号公報
しかしながら、特許文献1および特許文献2が開示している共振タグは追記機能を有するものの、貫通穴を通してコンデンサ、アンチヒューズを形成しているため、絶縁膜の膜厚均一性、平坦性を確保することが難しく、安定に製造することが難しかった。また、貫通穴を作製するため、製造効率が悪い課題があった。
本発明は、非接触RFタグ、カードの分野において、シリコン系集積回路よりローコストで、数ビット以上の記憶容量を持ち、安定に製造することが可能なRFタグを提供しようとするものである。
本発明は、少なくとも樹脂、ガラス、紙、金属のいずれかを含む材料からなる基板上に、少なくとも2個の直列または並列に接続されたコンデンサと少なくとも1個のコイルアンテナを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有するRFタグにおいて、
前記2個以上のコンデンサと前記少なくとも1個のコイルアンテナとが、すべて前記基板の片面に配置されていることを特徴とするRFタグを提供する。
この場合、前記RF共振回路が同一基板上に2組以上配置され、各組が異なる共振周波数をもつことが好ましい。
また、本発明は、少なくとも樹脂、ガラス、紙、金属のいずれかを含む材料からなる基板上に、少なくとも1個のコンデンサと少なくとも1個のコイルアンテナを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有するRFタグにおいて、
前記RF共振回路が同一基板上に2組以上配置され、各組が異なる共振周波数を持ち、前記2組以上のRF共振回路のコンデンサとコイルアンテナとが、すべて前記基板の片面に配置されていることを特徴とするRFタグを提供する。
本発明のRFタグにおいて前記コンデンサの少なくとも1個が閾値電圧を超える電圧印加により不可逆的に短絡するアンチヒューズであることが好ましい。この場合、本発明のRFタグはアンチヒューズ型RFタグとなる。その場合には、前記アンチヒューズのうち少なくとも1個が不可逆的に短絡することで共振周波数が変動する現象を利用して追記が行われることが好ましい。
また、本発明のRFタグは、前記コンデンサを構成する電極表面の平均粗さが0.2μm以下であることが好ましい。
本発明のRFタグにおいては、前記コンデンサが直列に接続され、かつその静電容量が互いに異なるようにしても良いし、前記コンデンサが並列に接続され、かつその閾値電圧が互いに異なるようにしても良い。
また、前記コンデンサの少なくとも1個が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、窒化シリコン、酸化チタンのうち少なくとも1つを含む絶縁膜を有していても良いし、前記コンデンサの少なくとも1個が、有機物を含む絶縁膜を有していても良い。
本発明のRFタグによれば、2個以上のコンデンサと前記少なくとも1個のコイルアンテナとを基板の片面に配置しているので、基板をコンデンサの誘電体層として用いた場合と比べて、コンデンサの静電容量の調整が容易となる。
また、前記コンデンサと前記コイルアンテナが前記基板の片面に配置されることによって、印刷等の簡便な方法で安定に製造することができる。
また、本発明の好適な態様にかかるRFタグによれば、安価な樹脂や紙などの基板上に形成されるRF共振回路を構成するコンデンサの電極表面の平均粗さを0.2μm以下としたことにより、絶縁膜の膜厚均一性、平坦性を確保することができ、安定した性能、高い生産効率を得ることができる。このため、シリコンチップなどの集積回路を持たず、複数の情報を持ち、かつ情報の書き換え(追記)が可能な、安価なRFタグを提供することができる。
また、前記コンデンサが直列に接続され、かつその静電容量が互いに異なる場合には、静電容量が小さいコンデンサにより大きな電圧が分配されるため、前記コンデンサがアンチヒューズの場合、静電容量が小さいアンチヒューズが選択的に短絡され、共振周波数を変動させることができる。
また、前記コンデンサが並列に接続され、かつその閾値電圧が互いに異なる場合には、閾値電圧が低いアンチヒューズが選択的に短絡され、共振周波数を変動させることができる。
また、前記RF共振回路が同一基板上に2組以上配置され、各組が異なる共振周波数をもつ場合には、より多くのビット数を記憶、追記させることができる。
また、前記アンチヒューズのうち少なくとも1個が不可逆的に短絡することで共振周波数が変動する現象を利用して追記が行われる場合には、安定的に情報を記憶し検知することができる。
本発明のアンチヒューズ型RFタグは、樹脂や紙などの基板上に、少なくとも2個の直列または並列に接続されたコンデンサと少なくとも1個のコイルアンテナを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有している。よって、特定の周波数の電磁波と共振し、共振したコイルから放射される電磁波を検出することによって、当該RFタグの存在を検知することができるものである。そして、前記コンデンサの少なくとも1個が閾値電圧を超える電圧印加により不可逆的に短絡するアンチヒューズであり、前記閾値電圧を超える電圧を印加すると、前記アンチヒューズが短絡し、抵抗値の低い固定抵抗として機能する。また、前記アンチヒューズは、閾値電圧に達しない電圧を受ける場合は、コンデンサとして機能する。この動作により、当該共振回路は、共振周波数が変動することになる。この共振周波数が変動することにより、RFタグに1個の値が書き込まれたことになる。
また、前記コンデンサは、通常2つの導電性電極に絶縁体薄膜が挟まれる構造を持つため、前記コンデンサの静電容量、絶縁耐圧は、電極表面粗さ、絶縁体膜厚の均一性に大きく依存する。前記コンデンサの電極として、表面粗さが0.2μm以下のものを用いることによって、前記静電容量、絶縁耐圧(アンチヒューズの場合は閾値電圧)を安定化させることができる。前記表面粗さは、100nm以下であれば、さらに好ましい。
一例として、プラスチック基板上の銅電極表面粗さと絶縁膜特性の関係を説明する。
表面粗さは、光学干渉式表面粗さ計を用い、平均粗さ(Ra)を求めた。この電極上に、厚さ約0.3μmのアルミナ膜と上部電極を形成し、印加電圧に対する電流密度を測定した。その結果、図9に示すように、Raが0.2μmを超えると、絶縁特性が得られなくなることがわかる。さらに、Raが100nm(0.1μm)以下であれば、より良好な絶縁特性が得られることがわかる。
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
図1乃至図3に示す本実施形態の回路および動作方法について説明する。
図1は、本発明におけるRF共振回路の一例を示したものである。1個のRF共振回路Uには、コイルアンテナLとアンチヒューズC、C’が含まれ、アンチヒューズがブレークダウン(短絡)していなければ、コンデンサとして機能し、固有の静電容量をもつ。また、ブレークダウンした後は、低抵抗の導体として振る舞う。図1では、互いに共振周波数の異なる4個の共振回路U1乃至U4が同一基板上に形成される。
1個のRF共振回路において、2個のアンチヒューズは直列に接続され、RFに共振した際には、静電容量の小さなアンチヒューズにより大きな電圧が印加されることになる。また、アンチヒューズがブレークダウンする場合には、静電容量が小さなアンチヒューズが選択的にブレークダウンされ、共振周波数が遷移することになる。本例のように1個のRF共振回路に2個のアンチヒューズが含まれる場合には、2個のアンチヒューズがコンデンサとして機能する場合、1個のアンチヒューズがブレークダウンした場合、2個のアンチヒューズがブレークダウンした場合の3値を選択することができ、RF共振回路を4個含むRFタグの場合では、(3×3×3×3=)81値を選択できる。
図2は、RF送受信アンテナと共振周波数検知システムによって、図1のようなRF共振タグの共振周波数を検知し、情報を読み取りまたは書き込みする様子を示した概略図である。RFタグ21と読みとり用アンテナ22、読みとり装置23から構成されており、読みとり用アンテナ22から発射された読みとり用電磁波24が、RFタグと共振を起こし、反射波25が発生する。この反射波を読みとり用アンテナ22が受信し、読みとり装置23にて解析して、RFタグ21に格納されている情報を得る。
図3は、アンチヒューズ単体の直流電気特性を示したものである。1回目の電圧スキャンによって、3V付近で急激に電流値が増加し、高インピーダンス(高抵抗)状態から低インピーダンス(低抵抗)状態に遷移したことがわかる。2回目の電圧スキャンでは、低インピーダンス状態が維持されていることがわかる。
このようなアンチヒューズをRF共振回路に用いた場合、共振周波数のRFピーク値を十分大きくすると、アンチヒューズがブレークダウンし、RF共振回路の共振周波数が遷移する。また、アンチヒューズが不可逆的に短絡することで共振周波数が変動する現象を利用して情報の書き換え(追記)が行われるため、安定的に情報を検知することができる。
なお、RF共振回路が同一基板上に2組以上配置されているような場合には、一つのRF共振回路中にコンデンサが1個の場合であっても、2個以上のコンデンサと前記少なくとも1個のコイルアンテナとを基板の片面に配置されることになる。このような場合にも、コンデンサの静電容量の調整が容易となるという本発明の効果が得られることは当然である。
以下、具体的な実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
(実施例1)
図4に示すようにアンテナコイルLと2個の互いに静電容量が異なるアンチヒューズC及びC’が直列に接続されたRF共振回路を同一基板上に4組作製し、図5に示すように互いに異なる共振周波数を持つ4個のRF共振回路U1乃至U4を有するRFタグを作製した。なお、4個のRF共振回路U1乃至U4は、アンテナコイルを互いに異なる巻き数とし、互いに異なる共振周波数を持たせた。
まず、ポリイミド樹脂基板1上に、コイルアンテナ3、コンタクトパッド2、アンチヒューズの下部電極4、4’が銅フォイルを加工して形成される。さらにアンチヒューズの絶縁膜としてスパッタリング法により作製された、厚さ10nmのアルミナ膜5を形成し、エポキシ樹脂からなる素子分離膜6a、6bをスクリーン印刷法にて形成した。さらに、アンチヒューズの上部電極7、7’及び接続配線8a、8bを導電性ペーストをスクリーン印刷法にて形成して完成する。
図6は、本実施例で作製したRFタグのRF共振周波数を検知した結果の一例である。4個のRF共振回路U1乃至U4からの反射ピークが分離して見える。また、RF共振回路U2は、静電容量の小さいアンチヒューズがブレークダウンされているので、反射ピークが一段ずれている。
なお、特定のアンチヒューズをブレークダウンさせるには、共振周波数にあわせた強力な(振幅の大きい)RF波の照射によってなされる。
(実施例2)
図7に示すように並列に接続された2個の互いに閾値電圧(絶縁耐圧)が異なるアンチヒューズC及びC’とアンテナコイルLとが直列に搭載されたRF共振回路を同一基板上に4組作製した。また、図8に示すように互いに異なる共振周波数を持つ4個のRF共振回路U1乃至U4を有するRFタグを作製した。なお、4個のRF共振回路U1乃至U4は、アンテナコイルを互いに異なる巻き数として共振帯域が異なるようにし、さらに2種のアンチヒューズの絶縁膜の厚さを変えて閾値電圧(絶縁耐圧)を異ならせ、段階的に共振周波数を変更できるようにした。
まず、ポリイミド樹脂基板9上に、コイルアンテナ11、コンタクトパッド10、アンチヒューズの下部電極(共通電極)12が銅フォイルを加工して形成される。さらに2個のアンチヒューズの絶縁膜13、13’としてスパッタリング法により作製された、それぞれ厚さ10nmと7nmのアルミナ膜を形成し、エポキシ樹脂からなる素子分離膜14a、14bをスクリーン印刷法にて形成した。さらに、アンチヒューズの上部電極15、15’及び接続配線16a、16bを導電性ペーストをスクリーン印刷法にて形成して完成する。
本実施例のようにRF共振回路のコンデンサC、C’が並列に接続され、かつその閾値電圧が互いに異なる場合には、閾値電圧が低いアンチヒューズが選択的に短絡され、共振周波数を変動させることができる。
なお、本実施例で作製したRFタグでは、片方のアンチヒューズがブレークダウンした際、低抵抗状態に遷移するが、もう一方のアンチヒューズに十分なバイアスがかかるよう、適当な残留抵抗が残ることが必要であり、実施例1より動作条件が厳しくなる。
本発明のRFタグの一実施形態を説明する概略図である。 本発明のRFタグの利用の様子を示す図である。 本発明におけるアンチヒューズの電気特性を示すグラフである。 実施例1のRFタグにおける共振回路の構造を示す図である。 実施例1のRFタグの構成を示す図である。 実施例1のRFタグの情報読み取りの特性を示すグラフである。 実施例2のRFタグにおける共振回路の構造を示す図である。 実施例2のRFタグの構成を示す図である。 電極表面粗さと絶縁膜特性の関係を示す図である。
符号の説明
1 基板
2 コンタクトパッド
3 コイルアンテナ
4、4’ 下部電極
5 アルミナ膜(絶縁膜)
6a、6b 素子分離膜
7、7’ 上部電極
8a、8b 接続配線
9 基板
10 コンタクトパッド
11 コイルアンテナ
12 下部電極(共通電極)
13、13’ アルミナ膜(絶縁膜)
14a、14b 素子分離膜
15、15’ 上部電極
16a、16b 接続配線
21 RFタグ
22 読みとり用アンテナ
23 読みとり装置
24 読みとり用電磁波
25 反射波
C、C’ アンチヒューズ
L コイルアンテナ
U 共振回路

Claims (15)

  1. 少なくとも樹脂、ガラス、紙、金属のいずれかを含む材料からなる基板上に、少なくとも2個の直列または並列に接続されたコンデンサと少なくとも1個のコイルアンテナを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有するRFタグにおいて、
    前記2個以上のコンデンサと前記少なくとも1個のコイルアンテナとが、すべて前記基板の片面に配置されていることを特徴とするRFタグ。
  2. 前記コンデンサの少なくとも1個が閾値電圧を超える電圧印加により不可逆的に短絡するアンチヒューズであることを特徴とする請求項1に記載のRFタグ。
  3. 前記コンデンサを構成する電極表面の平均粗さが0.2μm以下であることを特徴とする請求項1に記載のRFタグ。
  4. 前記コンデンサが直列に接続され、かつその静電容量が互いに異なることを特徴とする請求項1又は2に記載のRFタグ。
  5. 前記コンデンサが並列に接続され、かつその閾値電圧が互いに異なることを特徴とする請求項1又は2に記載のRFタグ。
  6. 前記コンデンサの少なくとも1個が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、窒化シリコン、酸化チタンのうち少なくとも1つを含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載のRFタグ。
  7. 前記コンデンサの少なくとも1個が、有機物を含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項1に記載のRFタグ。
  8. 前記RF共振回路が同一基板上に2組以上配置され、各組が異なる共振周波数をもつことを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載のRFタグ。
  9. 前記アンチヒューズのうち少なくとも1個が不可逆的に短絡することで共振周波数が変動する現象を利用して追記が行われることを特徴とする請求項2に記載のRFタグ。
  10. 少なくとも樹脂、ガラス、紙、金属のいずれかを含む材料からなる基板上に、少なくとも1個のコンデンサと少なくとも1個のコイルアンテナを含み、電磁誘導により共振するRF共振回路を有するRFタグにおいて、
    前記RF共振回路が同一基板上に2組以上配置され、各組が異なる共振周波数を持ち、前記2組以上のRF共振回路のコンデンサとコイルアンテナとが、すべて前記基板の片面に配置されていることを特徴とするRFタグ。
  11. 前記コンデンサの少なくとも1個が閾値電圧を超える電圧印加により不可逆的に短絡するアンチヒューズであることを特徴とする請求項9に記載のRFタグ。
  12. 前記コンデンサを構成する電極表面の平均粗さが0.2μm以下であることを特徴とする請求項9に記載のRFタグ。
  13. 前記コンデンサの少なくとも1個が、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化タンタル、窒化シリコン、酸化チタンのうち少なくとも1つを含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項9に記載のRFタグ。
  14. 前記コンデンサの少なくとも1個が、有機物を含む絶縁膜を有することを特徴とする請求項9に記載のRFタグ。
  15. 前記アンチヒューズのうち少なくとも1個が不可逆的に短絡することで共振周波数が変動する現象を利用して追記が行われることを特徴とする請求項10に記載のRFタグ。
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