JP2006181738A - Ceramic laminate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置や複合電子部品等に用いられる多層配線基板等のセラミック積層体に関するものである。 The present invention relates to a ceramic laminate such as a multilayer wiring board used for a semiconductor device, a composite electronic component or the like.
従来より、半導体装置や複合電子部品等に多層配線基板等のセラミック積層体が幅広く用いられている。 Conventionally, ceramic laminates such as multilayer wiring boards have been widely used in semiconductor devices and composite electronic components.
かかる従来のセラミック積層体は、複数個のセラミック絶縁層を積層してなるものであり、絶縁層間には配線導体が設けられている。また内部に、キャパシタやインダクタ等の機能を構成するためや、若しくは寸法精度を高くするために、一部のセラミック絶縁層の組成を異ならせたものも知られている(例えば、特許文献1、2参照。)。
しかしながら、組成が異なるセラミック絶縁層を2種類以上積層してなるセラミック積層体は、電気回路の組立時等の熱履歴が加わった際に、熱膨張係数が異なるため、セラミック絶縁層の境界で歪みが大きくなる。組成が異なるセラミック絶縁層の境界での歪みは、セラミック積層体の側面に露出した部分を起点としてクラック等が発生させる。 However, ceramic laminates made by laminating two or more types of ceramic insulating layers with different compositions have different coefficients of thermal expansion when a thermal history is applied during assembly of electrical circuits, etc. Becomes larger. The strain at the boundary between the ceramic insulating layers having different compositions causes a crack or the like starting from a portion exposed on the side surface of the ceramic laminate.
また組成を異ならせることによって焼結開始温度にも差が生じているので、製造における焼成工程の際に、境界で歪みが大きくなり、上述したようなクラック等が発生する。 Further, since the sintering start temperature is different due to the different composition, the strain becomes large at the boundary during the firing step in the production, and the above-described cracks and the like are generated.
本発明は上記欠点に鑑み案出されたもので、その目的は、側面付近の歪みを小さくしてクラックの発生を低減したセラミック積層体を提供することにある。 The present invention has been devised in view of the above-described drawbacks, and an object of the present invention is to provide a ceramic laminate in which generation of cracks is reduced by reducing strain near the side surface.
本発明のセラミック積層体は、複数のセラミック絶縁層を積層してなるセラミック積層体において、前記セラミック絶縁層は、前記セラミック積層体の側面に露出する第1のセラミック絶縁層と、前記第1のセラミック絶縁層間に介在され、且つ前記第1のセラミック絶縁層の外形に比して小さな外形を有するとともに、第1のセラミック絶縁層と組成の異なる第2のセラミック絶縁層とからなることを特徴とするものである。 The ceramic laminate of the present invention is a ceramic laminate formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers, wherein the ceramic insulating layer includes a first ceramic insulating layer exposed on a side surface of the ceramic laminate, and the first ceramic insulating layer. And a second ceramic insulating layer having a composition smaller than that of the first ceramic insulating layer and having a composition different from that of the first ceramic insulating layer. To do.
また本発明のセラミック積層体は、前記第1のセラミック絶縁層は、前記第2のセラミック絶縁層に比して厚みが厚いことを特徴とするものである。 In the ceramic laminate of the present invention, the first ceramic insulating layer is thicker than the second ceramic insulating layer.
更に本発明のセラミック積層体は、前記第1のセラミック絶縁層は、前記第2のセラミック絶縁層に比して焼結開始温度が高いことを特徴とするものである。 Furthermore, the ceramic laminate of the present invention is characterized in that the first ceramic insulating layer has a higher sintering start temperature than the second ceramic insulating layer.
本発明のセラミック積層体によれば、セラミック積層体の側面に露出する第1のセラミック絶縁層の組成を同一にしたので、側面付近では熱膨張係数が一様になってセラミック絶縁層の境界での歪みが小さくなり、クラック等の発生を少なくすることができる。 According to the ceramic laminate of the present invention, since the composition of the first ceramic insulating layer exposed on the side surface of the ceramic laminate is the same, the thermal expansion coefficient becomes uniform near the side surface, and at the boundary of the ceramic insulating layer. This reduces the distortion and reduces the occurrence of cracks and the like.
また本発明のセラミック積層体によれば、側面に露出しない第2のセラミック絶縁層の厚みを薄くすることにより、側面付近で第2のセラミック絶縁層を未形成にした影響が少なくなり、平坦性が良くなる。 Further, according to the ceramic laminate of the present invention, by reducing the thickness of the second ceramic insulating layer that is not exposed to the side surface, the influence of not forming the second ceramic insulating layer near the side surface is reduced, and the flatness Will be better.
更に本発明のセラミック積層体によれば、側面に露出する第1のセラミック絶縁層の焼結開始温度が、露出しない第2のセラミック絶縁層に比して焼結開始温度が高いので、製造における焼成工程の際に、側面付近での焼結が完了した後には収縮の応力による歪みが小さくなり、クラック等の発生をより少なくすることができる。 Furthermore, according to the ceramic laminate of the present invention, the sintering start temperature of the first ceramic insulating layer exposed on the side surface is higher than that of the second ceramic insulating layer not exposed. In the firing step, after the sintering in the vicinity of the side surface is completed, the strain due to the shrinkage stress is reduced, and the generation of cracks and the like can be further reduced.
以下、本発明のセラミック積層体を添付図面に基づいて詳細に説明する。 Hereinafter, the ceramic laminate of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
図1は、本発明の一実施形態に係るセラミック積層体の断面図であり、同図に示すセラミック積層体1は、大略的に、第1のセラミック絶縁層1a〜1e、第2のセラミック絶縁層1f〜1iを積層した構造を有している。また本実施形態のセラミック積層体1は、表層及び内部に配線導体2,3が形成された多層配線基板である。表層の配線導体2は、主に電子部品素子の搭載部となる接続パッドとして機能し、絶縁層間に介在する内部の配線導体3は、主に各回路素子を電気的に接続する配線や、インダクタ・キャパシタ等の回路素子として機能する。表層の配線導体2と内部の配線導体、若しくは異なるセラミック絶縁層間に介在する内部の配線導体3同士は、ビアホール導体4により電気的に接続される。
FIG. 1 is a cross-sectional view of a ceramic laminate according to an embodiment of the present invention. A
第1のセラミック絶縁層1a〜1eは、材質としては、例えば800℃〜1200℃の比較的低い温度で焼成が可能なガラス−セラミック材料が好適に用いられ、その厚みは、例えば10〜300μmに設定される。ガラス−セラミック材料にはガラス粉末及びセラミック粉末が含まれ、ガラス粉末は30〜100重量部含まれており、ガラス粉末を除く材料がセラミック粉末となる。 As the material for the first ceramic insulating layers 1a to 1e, a glass-ceramic material that can be fired at a relatively low temperature of, for example, 800 ° C. to 1200 ° C. is preferably used, and the thickness thereof is, for example, 10 to 300 μm. Is set. The glass-ceramic material includes glass powder and ceramic powder. The glass powder is contained in an amount of 30 to 100 parts by weight, and the material excluding the glass powder is the ceramic powder.
第2のセラミック絶縁層1f〜1iは、材質としては、上記第1のセラミック絶縁層1a〜1eと同様にガラス−セラミック材料が好適に用いられ、その厚みは、例えば2〜150μmに設定される。そして、
第1のセラミック絶縁層1a〜1eはセラミック積層体1の側面を構成するものの、この第2のセラミック絶縁層1f〜1iは、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの外形(平面視した時の外周形状)に比して小さな外形を有しているため、図1に示すような断面をみても、セラミック積層体1の側面に露出することはないものである。
As the material of the second ceramic insulating layers 1f to 1i, a glass-ceramic material is preferably used similarly to the first ceramic insulating layers 1a to 1e, and the thickness thereof is set to 2 to 150 μm, for example. . And
Although the first ceramic insulating layers 1a to 1e constitute the side surfaces of the
本実施形態においては、例えば、第1のセラミック絶縁層をガラス粉末が55重量部、第2のセラミック絶縁層はガラス粉末を85重量部の組成から成る材料により製作した。 In the present embodiment, for example, the first ceramic insulating layer is made of a material having a composition of 55 parts by weight of glass powder, and the second ceramic insulating layer is made of a material having a composition of 85 parts by weight of glass powder.
ガラス粉末の具体的な組成としては、例えば、必須成分として、SiO2を10〜70重量部、Al2O3を0.5〜30重量部、MgOを3〜60重量部、また任意成分として、CaOを0〜35重量部、BaOを0〜35重量部、SrOを0〜35重量部、B2O3を0〜20重量部、ZnOを0〜30重量部、TiO2を0〜10重量部、Na2Oを0〜3重量部、Li2Oを0〜5重量部含むものが挙げられる。 As a specific composition of the glass powder, for example, as essential components, 10 to 70 parts by weight of SiO 2 , 0.5 to 30 parts by weight of Al 2 O 3 , 3 to 60 parts by weight of MgO, and optional components 0 to 35 parts by weight of CaO, 0 to 35 parts by weight of BaO, 0 to 35 parts by weight of SrO, 0 to 20 parts by weight of B 2 O 3 , 0 to 30 parts by weight of ZnO, 0 to 10 parts of TiO 2 Examples include parts by weight, 0 to 3 parts by weight of Na 2 O, and 0 to 5 parts by weight of Li 2 O.
セラミック粉末としては、Al2O3、SiO2、MgTiO3、CaZrO3、CaTiO3、Mg2SiO4、BaTi4O9、ZrTiO4、SrTiO3、BaTiO3、TiO2から選ばれる1種以上が挙げられる。 The ceramic powder includes at least one selected from Al 2 O 3 , SiO 2 , MgTiO 3 , CaZrO 3 , CaTiO 3 , Mg 2 SiO 4 , BaTi 4 O 9 , ZrTiO 4 , SrTiO 3 , BaTiO 3 and TiO 2. Can be mentioned.
上記組成のガラス粉末とセラミック粉末との組み合わせによれば、1000℃以下での低温焼結が可能となるとともに、導体層として、銀(融点960℃)、銅(融点1083℃)、金(融点1063℃)などの低抵抗導体を用いて形成することが可能となり、低損失な回路を作成できる。また、誘電率の制御も可能であり、高誘電率化による回路の小型化、低損失化、あるいは、低誘電率化による高速伝送化に適している。しかも、上記の範囲で種々組成を制御することによって、焼成収縮挙動を容易に制御、変更することができる。 According to the combination of the glass powder and the ceramic powder having the above composition, low temperature sintering at 1000 ° C. or less is possible, and as a conductor layer, silver (melting point 960 ° C.), copper (melting point 1083 ° C.), gold (melting point) 1063 ° C.) or the like, and a low-loss circuit can be created. Also, the dielectric constant can be controlled, which is suitable for circuit miniaturization and low loss due to high dielectric constant, or high-speed transmission due to low dielectric constant. In addition, by controlling various compositions within the above range, the firing shrinkage behavior can be easily controlled and changed.
そして本実施形態のセラミック積層体1においては、第1のセラミック絶縁層1a〜1eは、セラミック積層体1の側面に露出されており、第2のセラミック絶縁層1f〜1iは、第1のセラミック絶縁層とは組成が異なるとともに、第1のセラミック絶縁層間に介在され、且つ第1のセラミック絶縁層の外形に比して小さな外形を有している。
And in the ceramic laminated
このように、セラミック積層体1の側面に露出する第1のセラミック絶縁層1a〜1eの組成を同一にしたので、側面付近では熱膨張係数が一様になってセラミック絶縁層の境界での歪みが小さくなり、クラック等の発生を少なくすることができる。
As described above, since the compositions of the first ceramic insulating layers 1a to 1e exposed on the side surface of the
また本実施形態のセラミック積層体1は、側面に露出しない第2のセラミック絶縁層1f〜1iの厚みを薄く設定しているので、側面付近で第2のセラミック絶縁層を未形成にした影響が少なくなり、平坦性が良くなる。
Moreover, since the ceramic laminated
配線導体2,3及びビアホール導体4は、材質としては、銀、銅、金のいずれか一種を含む導電材料からから成る。配線導体2,3は、厚みが例えば5〜25μmに設定される。ビアホール導体3は、直径を任意に設定可能であり、ビアホール導体3が埋設される絶縁層の厚みが10〜300μmの場合、ビアホール導体3の直径は例えば50〜300μmに設定される。なお、図1では、セラミック積層体1の内部に形成した配線導体3は、たとえば導体層3の上面側に第1のセラミック絶縁層1a〜1eが、下面側に第2のセラミック絶縁層1f〜1iが配置されるように、第1のセラミック絶縁層1a〜1eと第2のセラミック絶縁層1f〜1iとの層間に配置されているが、たとえば導体層3の下面側に第1のセラミック絶縁層1a〜1eが、上面側に第2のセラミック絶縁層1f〜1iが配置されるように、第2のセラミック絶縁層1f〜1iと第1のセラミック絶縁層1a〜1eとの層間に配置しても構わない。また、ビアホール導体4に関しても、図1では第1のセラミック層1aの厚みのみに形成されているが、各第2のセラミック絶縁層1f〜1iの厚みを貫くように形成してもよい。
The
上述したセラミック積層体1は、例えば以下の方法によって製造される。
The
先ず、第1のセラミック絶縁層1a〜1e、第2のセラミック絶縁層1f〜1iをセラミックグリーンシートとして形成する。セラミックグリーンシートは、例えば上述したガラス粉末とセラミック粉末とを組み合わせた粉末に、有機バインダと有機溶剤及び必要に応じて可塑剤とを混合してスラリー化し、このスラリーを用いてドクターブレード法などによりテープ成形を行い、所定寸法に切断することによって得られる。 First, the first ceramic insulating layers 1a to 1e and the second ceramic insulating layers 1f to 1i are formed as ceramic green sheets. The ceramic green sheet is made into a slurry by mixing an organic binder, an organic solvent, and a plasticizer as necessary, for example, into a powder obtained by combining the glass powder and the ceramic powder described above, and using this slurry, a doctor blade method or the like. It is obtained by tape forming and cutting to a predetermined dimension.
本実施形態においては、例えば、第1のセラミック絶縁層1a〜1eに用いる粉末の組成は、ガラス粉末が、SiO2を33重量部、Al2O3を3.4重量部、MgOを13重量部、CaOを15重量部、BaOを0.3重量部、B2O3を0.2重量部、Li2Oを0.1重量部、セラミック粉末が、Al2O3を45重量部から成りものとした。また第2のセラミック絶縁層1f〜1iに用いる粉末の組成は、ガラス粉末が、SiO2を40重量部、Al2O3を2重量部、MgOを15重量部、CaOを1重量部、BaOを15重量部、B2O3を20重量部、ZnOを1重量部、TiO2を0.5重量部、Na2Oを0.5重量部、Li2Oを5重量部と、セラミック粉末が、MgTiO3を15重量部含む材料から成るものとした。上述したガラス粉末とセラミック粉末とを組み合わせた粉末に、有機バインダとしてアクリルバインダ、有機溶剤としてトルエンを添加してなるスラリーを調整し、それぞれ第1のセラミック絶縁層1a〜1e、第2のセラミック絶縁層1f〜1iとなるセラミックグリーンシートを形成した。 In the present embodiment, for example, the composition of the powder used in the first ceramic insulating layer 1a~1e the glass powder, the SiO 2 33 parts by weight, the Al 2 O 3 3.4 parts by weight, 13 weight MgO Parts, CaO 15 parts, BaO 0.3 parts, B 2 O 3 0.2 parts, Li 2 O 0.1 parts, ceramic powder from Al 2 O 3 45 parts by weight It was made. The composition of the powder used for the second ceramic insulating layer 1f~1i the glass powder, the SiO 2 40 parts by weight, Al 2 O 3 and 2 parts by weight, 15 parts by weight of MgO, 1 part by weight of CaO, BaO 15 parts by weight, 20 parts by weight of B 2 O 3 , 1 part by weight of ZnO, 0.5 parts by weight of TiO 2 , 0.5 parts by weight of Na 2 O, 5 parts by weight of Li 2 O, ceramic powder Was made of a material containing 15 parts by weight of MgTiO 3 . A slurry obtained by adding an acrylic binder as an organic binder and toluene as an organic solvent to a powder obtained by combining the glass powder and the ceramic powder described above is prepared, and the first ceramic insulating layers 1a to 1e and the second ceramic insulating are respectively prepared. Ceramic green sheets to be the layers 1f to 1i were formed.
次に、第1のセラミック絶縁層1a〜1eと第2のセラミック絶縁層1f〜1iとを貼り合わせ、得られたシートに金型による打ち抜き等の方法を用いて貫通孔を形成し、その貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体4を形成し、シートの主面には導体ペーストをスクリーン印刷法などによって被着させて配線導体2,3を形成する。
Next, the first ceramic insulating layers 1a to 1e and the second ceramic insulating layers 1f to 1i are bonded together, and through holes are formed in the obtained sheet using a method such as punching with a mold, and the through holes are formed. The via-
配線導体2,3とビアホール導体4の材料は、例えば、銀粉末に、有機バインダとしてエチルセルロース、有機溶剤として2−2−4−トリメチル−3−3−ペンタジオールモノイソブチレートを添加して成るペーストを用いた。
The material of the
そして、このようにして得られた各シートを、所定の積層順序に応じて積層して積層シートを形成し、所定の温度プロファイルで焼成することにより、本実施形態のセラミック積層体1が得られる。
And each sheet | seat obtained in this way is laminated | stacked according to a predetermined | prescribed lamination | stacking order, a lamination sheet is formed, and the ceramic
本実施形態のセラミック積層体1によれば、第1のセラミック絶縁層1a〜1eは、第2のセラミック絶縁層1f〜1iに比してガラス粉末の少ない組成にすること等により、焼結開始温度を高く設定している。側面に露出する第1のセラミック絶縁層1a〜1eの焼結開始温度が、露出しない第2のセラミック絶縁層1f〜1iに比して焼結開始温度が高いので、製造における焼成工程の際に、側面付近での焼結が完了した後には収縮の応力による歪みが小さくなり、クラック等の発生をより少なくしたセラミック積層体1を得ることができる。
According to the
即ち、得られた積層シートを、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの焼結開始温度よりも低く、且つ第2のセラミック絶縁層1f〜1iの焼結開始温度より高い第1の温度領域で加熱することにより、第2のセラミック絶縁層1f〜1iをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させる。しかる後、積層シートを、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの焼結開始温度よりも高い第2の温度領域で加熱することにより、第1のセラミック絶縁層1a〜1eをその面方向に比して厚み方向に大きく収縮させて、第1及び第2のセラミック絶縁層を焼結し、セラミック積層体1が得られるようになる。即ち、第2のセラミック絶縁層1f〜1iが収縮する際、第2のセラミック絶縁層1f〜1iの面方向への収縮が未焼結状態の第1のセラミック絶縁層1a〜1eの剛性により抑制され、また、第1のセラミック絶縁層1a〜1eが収縮する際、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの面方向への収縮が第2のセラミック絶縁層1f〜1iの剛性により抑制されることにより、結果として、積層シートの面方向の収縮を抑制させることとなり、セラミック積層体1は反りの発生が抑えられるとともに、寸法精度を高くすることができる。
That is, the obtained laminated sheet is in a first temperature region that is lower than the sintering start temperature of the first ceramic insulating layers 1a to 1e and higher than the sintering start temperature of the second ceramic insulating layers 1f to 1i. By heating, the second ceramic insulating layers 1f to 1i are greatly contracted in the thickness direction as compared to the surface direction. Thereafter, the laminated sheet is heated in a second temperature region that is higher than the sintering start temperature of the first ceramic insulating layers 1a to 1e, whereby the first ceramic insulating layers 1a to 1e are compared in the plane direction. Then, the
本実施形態においては、第1のセラミック絶縁層は焼結開始温度が783℃、第2のセラミック絶縁層は焼結開始温度が690℃という組成となっており、この結果、積層シートの焼成収縮が終了した時の面方向の線収縮率が3%と小さく、反りや変形の少ないセラミック積層体1を得ることができた。
In the present embodiment, the first ceramic insulating layer has a composition with a sintering start temperature of 783 ° C., and the second ceramic insulating layer has a composition with a sintering start temperature of 690 ° C. As a result, the firing shrinkage of the laminated sheet As a result, the linear shrinkage rate in the surface direction was as small as 3%, and a
また、積層シートにおいて、第2のセラミック絶縁層1f〜1iの厚みを薄く設定しているので、最初に焼結開始する第2のセラミック絶縁層1f〜1iはその収縮による応力が小さく、未焼結状態で材質としての剛性が大きくない第1のセラミック絶縁層1a〜1eであっても面方向への収縮がより効果的に抑制されることとなる。 Further, in the laminated sheet, since the thickness of the second ceramic insulating layers 1f to 1i is set to be thin, the second ceramic insulating layers 1f to 1i that start sintering first have a small stress due to the shrinkage and are not fired. Even in the first ceramic insulating layers 1a to 1e, which do not have high rigidity as a material in the bonded state, shrinkage in the surface direction is more effectively suppressed.
尚、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更、改良等が可能である。 In addition, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, A various change, improvement, etc. are possible within the range which does not deviate from the summary of this invention.
例えば上述の実施形態では、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの形成にセラミックグリーンシートを用い、これを第2のセラミック絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートと貼り合わせて使用するようにしたが、これに代えて、第1のセラミック絶縁層1a〜1eの形成にペースト状になした第1の無機組成物を用い、これを第2のセラミック絶縁層の形成に用いられるセラミックグリーンシートの主面に、印刷等で塗布して直接形成するようにしても良い。この場合、厚みの薄い第1のセラミック絶縁層がペーストの塗布等によって比較的簡単に形成されるようになり、厚みの薄い第1のセラミック絶縁層をセラミックグリーンシート等で構成する場合に比し第1のセラミック絶縁層セラミックを形成する際の作業性が良好となり、多層回路基板の生産性を向上させることができる利点もある。 For example, in the above-described embodiment, the ceramic green sheet is used for forming the first ceramic insulating layers 1a to 1e, and this is used by being bonded to the ceramic green sheet used for forming the second ceramic insulating layer. However, instead of this, the first inorganic composition in the form of a paste is used to form the first ceramic insulating layers 1a to 1e, and this is used as the ceramic green sheet used for forming the second ceramic insulating layer. It may be formed directly on the main surface by printing or the like. In this case, the first ceramic insulating layer having a small thickness can be formed relatively easily by applying a paste or the like, compared with the case where the first ceramic insulating layer having a small thickness is formed of a ceramic green sheet or the like. There is also an advantage that the workability when forming the first ceramic insulating layer ceramic becomes good and the productivity of the multilayer circuit board can be improved.
更に、上述の実施形態においては、第1のセラミック絶縁層と第2のセラミック絶縁層とを交互に積層してセラミック積層体を形成するようにしたが、これに代えて、複数の第1のセラミック絶縁層や複数の第2のセラミック絶縁層を厚み方向に連続して積層することによりセラミック積層体を形成するようにしても構わない。 Furthermore, in the above-described embodiment, the first ceramic insulating layer and the second ceramic insulating layer are alternately laminated to form the ceramic laminated body, but instead, a plurality of first ceramic insulating layers are formed. You may make it form a ceramic laminated body by laminating | stacking a ceramic insulating layer and several 2nd ceramic insulating layers continuously in the thickness direction.
また、本発明は複数個取り用母基板の製作にも採用することができる。複数個取り用母基板は、セラミック積層体に対応する各基体領域の境界に沿って切断することにより複数個の多層回路基板に分割されるものである。この場合、複数個取り用母基板の側面においても、第1のセラミック絶縁層1a〜1eを、複数個取り用母基板の側面に露出させ、第2のセラミック絶縁層1f〜1iを、第1のセラミック絶縁層間に介在され、且つ第1のセラミック絶縁層の外形に比して小さな外形を有したものとしておけば、側面付近では熱膨張係数が一様になってセラミック絶縁層の境界での歪みが小さくなり、クラック等の発生を少なくすることができる。 In addition, the present invention can also be employed in the production of a plurality of mother boards for taking. The plurality of mother boards for taking are divided into a plurality of multilayer circuit boards by cutting along the boundary of each base region corresponding to the ceramic laminate. In this case, the first ceramic insulating layers 1a to 1e are also exposed on the side surface of the plurality of mother boards to be taken, and the second ceramic insulating layers 1f to 1i are first exposed on the side faces of the plurality of mother boards. If it is interposed between the ceramic insulating layers and has a small outer shape compared to the outer shape of the first ceramic insulating layer, the thermal expansion coefficient becomes uniform near the side surface, and at the boundary of the ceramic insulating layer The distortion is reduced and the occurrence of cracks and the like can be reduced.
更にこの場合、複数個取り用母基板の各基体領域の境界に沿って、第2のセラミック絶縁層1f〜1iを未形成にしておくことで、分割後のセラミック積層体は、上述の実施形態を構成することができる。 Further, in this case, the second ceramic insulating layers 1f to 1i are not formed along the boundaries of the base regions of the mother substrate for taking a plurality of parts. Can be configured.
また、上述した実施形態においては、セラミック積層体1として多層配線基板を構成しているが、この他にも、積層セラミックコンデンサ、積層セラミックインダクタ、積層セラミックレゾネータ、または積層誘電体フィルタ等を構成することも可能である。
In the above-described embodiment, a multilayer wiring board is configured as the
1・・・セラミック積層体
1a〜1e・・・第1のセラミック絶縁層
1f〜1i・・・第2のセラミック絶縁層
2,3・・・配線導体
4・・・ビアホール導体
DESCRIPTION OF
Claims (3)
前記セラミック絶縁層は、前記セラミック積層体の側面に露出する第1のセラミック絶縁層と、
前記第1のセラミック絶縁層間に介在され、且つ前記第1のセラミック絶縁層の外形に比して小さな外形を有するとともに、第1のセラミック絶縁層と組成の異なる第2のセラミック絶縁層とから成ることを特徴とするセラミック積層体。 In a ceramic laminate formed by laminating a plurality of ceramic insulating layers,
The ceramic insulating layer includes a first ceramic insulating layer exposed on a side surface of the ceramic laminate,
The second ceramic insulating layer is interposed between the first ceramic insulating layers and has a smaller outer shape than the first ceramic insulating layer and has a different composition from the first ceramic insulating layer. The ceramic laminated body characterized by the above-mentioned.
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JP2004375024A Pending JP2006181738A (en) | 2004-12-24 | 2004-12-24 | Ceramic laminate |
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JP (1) | JP2006181738A (en) |
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2004
- 2004-12-24 JP JP2004375024A patent/JP2006181738A/en active Pending
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