JP2006176360A - Clathrate compound, method for producing the same, and thermoelectric conversion element - Google Patents

Clathrate compound, method for producing the same, and thermoelectric conversion element Download PDF

Info

Publication number
JP2006176360A
JP2006176360A JP2004371428A JP2004371428A JP2006176360A JP 2006176360 A JP2006176360 A JP 2006176360A JP 2004371428 A JP2004371428 A JP 2004371428A JP 2004371428 A JP2004371428 A JP 2004371428A JP 2006176360 A JP2006176360 A JP 2006176360A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
clathrate compound
thermoelectric conversion
group
conversion element
producing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2004371428A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4665156B2 (en
Inventor
Takeshi Koyanagi
剛 小柳
Takatake Kishimoto
堅剛 岸本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Yamaguchi University NUC
Original Assignee
Yamaguchi University NUC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yamaguchi University NUC filed Critical Yamaguchi University NUC
Priority to JP2004371428A priority Critical patent/JP4665156B2/en
Publication of JP2006176360A publication Critical patent/JP2006176360A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4665156B2 publication Critical patent/JP4665156B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a new clathrate compound; a new method for producing the same; and a new thermoelectric conversion element comprising the clathrate compound. <P>SOLUTION: The clathrate compound is expressed by compositional formula (1): A<SB>8</SB>B<SB>x</SB>Sn<SB>46-x</SB>(wherein, 0≤x≤10; A is a group 7B element; and B is arsenic or antimony). In the method for producing the clathrate compound expressed by the compositional formula (2): A<SB>8</SB>B<SB>x</SB>C<SB>46-x</SB>(wherein, 0≤x≤10; A is a group 7B element; B is a group 5B element; and C is a group 4B element), a mechanical alloying process is used. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、クラスレート化合物、クラスレート化合物の製造方法及び熱電変換素子に関する。   The present invention relates to a clathrate compound, a method for producing a clathrate compound, and a thermoelectric conversion element.

ゼーベック効果を利用した熱電変換素子は、熱エネルギーを電気エネルギーに変換することを可能とする。その性質を利用し、産業・民生用プロセスや移動体から排出される排熱を有効な電力に変換することができるため、熱電変換素子は、環境問題に配慮した省エネルギー技術として注目されている。   Thermoelectric conversion elements using the Seebeck effect can convert thermal energy into electrical energy. Utilizing this property, it is possible to convert exhaust heat exhausted from industrial / consumer processes and mobile objects into effective electric power, and thermoelectric conversion elements are attracting attention as energy-saving technologies in consideration of environmental problems.

ゼーベック効果を利用した熱電変換素子に用いられる熱電変換材料の性能指数ZTは、下記式(A)で表すことができる。
ZT=ασT/κ(A)
ここで、α、σ、κ及びTは、それぞれ、ゼーベック係数、電気伝導度、熱伝導度及び測定温度を表す。
The figure of merit ZT of the thermoelectric conversion material used for the thermoelectric conversion element utilizing the Seebeck effect can be expressed by the following formula (A).
ZT = α 2 σT / κ (A)
Here, α, σ, κ, and T represent the Seebeck coefficient, electrical conductivity, thermal conductivity, and measurement temperature, respectively.

上記式(A)から明らかなように、熱電変換素子の性能を向上させるためには、素子に用いられる材料のゼーベック係数、電気伝導度を大きくすること、及び、熱伝導度を小さくすることが重要である。   As apparent from the above formula (A), in order to improve the performance of the thermoelectric conversion element, it is necessary to increase the Seebeck coefficient and electrical conductivity of the material used for the element, and to decrease the thermal conductivity. is important.

一方、性能指数ZTにおけるZは、有効質量(M)、移動度(μ)及び熱伝導度(κ)との問に式(B)で表される比例関係を有する。
Z∝m*3/2μ/κ(B)
上記式(B)から、Zを向上させるためには有効質量と移動度とを向上させることが重要であることがわかる。
On the other hand, Z in the figure of merit ZT has a proportional relationship represented by the formula (B) with respect to the effective mass (M * ), mobility (μ), and thermal conductivity (κ).
Z ∝m * 3/2 μ / κ (B)
From the above formula (B), it is understood that it is important to improve the effective mass and mobility in order to improve Z.

高い性能指数を示す熱電変換材料として、従来から、ビスマス・テルル系材料、シリコン・ゲルマニウム系材料、鉛・テルル系材料などが知られている。さらに、アルミニウムをドープした酸化亜鉛粉を成形、焼成してなる熱電変換材料が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−118296号
Conventionally, bismuth / tellurium-based materials, silicon / germanium-based materials, lead / tellurium-based materials, and the like are known as thermoelectric conversion materials exhibiting a high performance index. Furthermore, a thermoelectric conversion material formed by molding and baking zinc oxide powder doped with aluminum is known (for example, see Patent Document 1).
JP 2002-118296 A

本発明は、熱電変換素子に好適な、新規なクラスレート化合物を提供することを目的とする。さらに本発明は、クラスレート化合物の製造方法及び新規な熱電変換素子を提供することを目的とする。   An object of this invention is to provide the novel clathrate compound suitable for a thermoelectric conversion element. Furthermore, an object of this invention is to provide the manufacturing method of a clathrate compound, and a novel thermoelectric conversion element.

即ち、本発明は、下記組成式で表されるクラスレート化合物である。   That is, the present invention is a clathrate compound represented by the following composition formula.

〈1〉ASn46−x(0≦x≦10)(1)
(組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す)。
<1> A 8 B x Sn 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (1)
(In composition formula (1), A represents a group 7B element, and B represents arsenic or antimony).

〈2〉A46−x (0≦x≦10) (2)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素、Cは4B族元素)のクラスレート化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも有するクラスレート化合物の製造方法である。
<2> A 8 B x C 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (2)
(A is a 7B group element, B is a 5B group element, C is a 4B group element) The manufacturing method of the clathrate compound which has at least the process of mechanical alloying.

〈3〉上記〈2〉に記載の製造方法であって、メカニカルアロイングの原料として、各構成元素の単体又はその構成元素同士による化合物を使うことを特徴とするクラスレート化合物の製造方法である。   <3> The production method according to <2>, wherein a clathrate compound is produced by using a single element of each constituent element or a compound of the constituent elements as a raw material for mechanical alloying. .

〈4〉上記〈1〉に示したクラスレート化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも用いることを特徴とするクラスレート化合物の製造方法である。   <4> A method for producing a clathrate compound according to <1>, wherein at least a mechanical alloying step is used.

〈5〉〈1〉に記載の組成式(1)よりなるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子である。   <5> A thermoelectric conversion element which is a sintered body of a clathrate compound comprising the composition formula (1) according to <1>.

〈6〉〈2〉に記載の製造方法において、クラスレート化合物が下記組成式(3)であることを特徴とするクラスレート化合物の製造方法
Si46−x 又は AGe46−x (0≦x≦10) (3)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素を表す)。
<6> The method for producing a clathrate compound according to <2>, wherein the clathrate compound is represented by the following composition formula (3): A 8 B x Si 46-x or A 8 B x Ge 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (3)
(A represents a 7B group element and B represents a 5B group element).

〈7〉〈2〉に示された組成式(2)で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子である。   <7> A thermoelectric conversion element which is a sintered body of a clathrate compound represented by the composition formula (2) shown in <2>.

〈8〉〈6〉に示された組成式(3)で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子である。   <8> A thermoelectric conversion element which is a sintered body of a clathrate compound represented by the composition formula (3) shown in <6>.

本発明によれば、熱電特性を発現可能な新規クラスレート化合物及びその製造方法を提供できる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the novel clathrate compound which can express a thermoelectric characteristic, and its manufacturing method can be provided.

また、本発明によれば、本発明のクラスレート化合物を用いた熱電変換素子を提供できる。   Moreover, according to this invention, the thermoelectric conversion element using the clathrate compound of this invention can be provided.

本発明は、新規な組成を有するクラスレート化合物及び該クラスレート化合物の新規な製造方法並びに該クラスレート化合物よりなる熱電変換素子である。   The present invention is a clathrate compound having a novel composition, a novel method for producing the clathrate compound, and a thermoelectric conversion element comprising the clathrate compound.

以下に順次それらを詳細に説明する。
〈クラスレート化合物〉
本発明のクラスレート化合物1は、下記組成式(1)で表される。
Sn46−x(0≦x≦10)(1)
(組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す)。
These will be described in detail below sequentially.
<Clathrate compound>
The clathrate compound 1 of the present invention is represented by the following composition formula (1).
A 8 B x Sn 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (1)
(In composition formula (1), A represents a group 7B element, and B represents arsenic or antimony).

組成式(1)におけるxが上記範囲外であると、クラスレート化合物が金属的な特性を示すようになり、熱電変換素子として適さなくなることがある。クラスレート化合物の原子濃度は約5×1022cm−3である。クラスレート化合物(例えば、ISn46など)の単位格子の構成原子は54個なので、54個中1個がアクセプタ(ドナー)原子であれば、キャリア濃度はおよそ1×1021cm−3となる。x<6、及びx>10の範囲ではキャリア密度が2×1021cm−3よりも大きくなり、金属的な特性を示すようになる。 When x in the composition formula (1) is out of the above range, the clathrate compound exhibits metallic characteristics and may not be suitable as a thermoelectric conversion element. The atomic concentration of the clathrate compound is about 5 × 10 22 cm −3 . Since the unit cell of the clathrate compound (for example, I 8 Sn 46 and the like) has 54 constituent atoms, if 1 of 54 is an acceptor (donor) atom, the carrier concentration is about 1 × 10 21 cm −3 Become. In the range of x <6 and x> 10, the carrier density is larger than 2 × 10 21 cm −3, and exhibits metallic characteristics.

クラスレート化合物1において、xの好ましい範囲は7≦x≦9である。   In the clathrate compound 1, the preferred range of x is 7 ≦ x ≦ 9.

クラスレート化合物1において、Aで表される7B族元素は特に限定されるものではないが、I,Brが好ましく、特にIが好ましい。   In the clathrate compound 1, the 7B group element represented by A is not particularly limited, but I and Br are preferable, and I is particularly preferable.

Aで表される7B族元素を用いることにより、ゲストサイトを7B族元素で置換することでP型のクラスレート化合物を得ることが可能となる。   By using the 7B group element represented by A, it becomes possible to obtain a P-type clathrate compound by substituting the guest site with the 7B group element.

7B族元素としては、ハロゲン元素であり、好ましくは塩素、臭素及びヨウ素の中から選ばれる。   The 7B group element is a halogen element, and is preferably selected from chlorine, bromine and iodine.

また、Bはヒ素又はアンチモンのいずれかである。
〈クラスレート化合物の製造方法〉
クラスレート化合物1は、メカニカルアロイングの工程を少なくとも有するクラスレート化合物の製造方法である。しかも、メカニカルアロイングの原料として構成元素を各々単体で用いてもよいし、また、その構成元素同士の化合物を使うこともできる。
B is either arsenic or antimony.
<Method for producing clathrate compound>
The clathrate compound 1 is a method for producing a clathrate compound having at least a mechanical alloying step. In addition, each constituent element may be used alone as a raw material for mechanical alloying, or a compound of the constituent elements may be used.

メカニカルアロイング工程によりクラスレート化合物を合成することにより、従来一般に行われている溶融方法に比べて、極めて容易にクラスレート化合物を生成することが可能である。特に、前記組成式(1)に示す化合物を含む下記組成式(2)で示す化合物全般に亘って好適にクラスレート化合物を製造することができる。
46−x (0≦x≦10) (2)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素、Cは4B族元素を表す。)
ここで、Aはハロゲン元素であり、特に塩素、臭素及びヨウ素が好適に用いられる。またBは5族元素であり、特にヒ素又はアンチモンが好ましい。更にCは4B族元素であり、ケイ素、ゲルマニウム及びスズが好ましい。なかでも、スズが特に好適に用いられる。
By synthesizing the clathrate compound by the mechanical alloying process, it is possible to produce the clathrate compound very easily as compared with the conventional melting method. In particular, the clathrate compound can be suitably produced over the entire compound represented by the following composition formula (2) including the compound represented by the composition formula (1).
A 8 B x C 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (2)
(A represents a 7B group element, B represents a 5B group element, and C represents a 4B group element.)
Here, A is a halogen element, and chlorine, bromine and iodine are particularly preferably used. B is a Group 5 element, and arsenic or antimony is particularly preferable. Furthermore, C is a 4B group element, and silicon, germanium, and tin are preferable. Among these, tin is particularly preferably used.

すなわち、好適に製造することが可能な組成は、次の組成式(3)及び(4)で示すことができる。
Si46−x 又は AGe46−x (0≦x≦10) (3)
AsSn46−x 又は ASbSn46−x (0≦x≦10) (4)

メカニカルアロイングの動作時間としては、1h〜200hが好ましく、20〜100hがさらに好ましい。粉砕容器内のガス雰囲気としては、成分原料が気体元素である場合は、当該気体雰囲気、成分原料が固体の場合には、不活性ガスと水素との混合気体雰囲気であることが好ましい。不活性ガスと水素との混合気体を用いることにより、原材料又は合成物の酸化を防止する効果及び酸化物を還元して除去する効果が得られる。
That is, a composition that can be preferably produced can be represented by the following composition formulas (3) and (4).
A 8 B x Si 46-x or A 8 B x Ge 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (3)
A 8 As x Sn 46-x or A 8 Sb x Sn 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (4)

The operation time of mechanical alloying is preferably 1h to 200h, and more preferably 20 to 100h. The gas atmosphere in the pulverization vessel is preferably a gas atmosphere when the component raw material is a gaseous element, or a mixed gas atmosphere of an inert gas and hydrogen when the component raw material is a solid. By using a mixed gas of an inert gas and hydrogen, an effect of preventing oxidation of the raw material or the synthesized product and an effect of reducing and removing the oxide can be obtained.

前記不活性ガスとしては、He,Ne,Ar等を用いることができ、これらの中でもArが好ましい。不活性ガス中の水素の含有量としては、5〜10%が好ましい。
<熱電変換素子>
本発明の熱電変換素子は、本発明のクラスレート化合物の焼結体である。本発明の熱電変換素子は、本発明のクラスレート化合物を焼結する焼結工程とを経て製造することができるが、この方法に限定されるものではない。
As the inert gas, He, Ne, Ar or the like can be used, and among these, Ar is preferable. The hydrogen content in the inert gas is preferably 5 to 10%.
<Thermoelectric conversion element>
The thermoelectric conversion element of the present invention is a sintered body of the clathrate compound of the present invention. Although the thermoelectric conversion element of this invention can be manufactured through the sintering process which sinters the clathrate compound of this invention, it is not limited to this method.

焼結工程においては、放電プラズマ焼結法、ホットプレス焼結法、熱問等方圧加圧焼結法等を用いて焼結することができる。   In the sintering step, sintering can be performed using a discharge plasma sintering method, a hot press sintering method, a hot pressure isostatic pressing method, or the like.

放電プラズマ焼結法を用いる場合の焼結条件としては、温度は300〜950℃が好ましく、300〜700℃がより好ましい。焼結時問は、20〜120分が好ましく、30〜90分がより好ましい。圧力は、25〜40MPaが好ましく、30〜40MPaがより好ましい。   As sintering conditions when using the discharge plasma sintering method, the temperature is preferably 300 to 950 ° C, more preferably 300 to 700 ° C. The sintering time is preferably 20 to 120 minutes, more preferably 30 to 90 minutes. The pressure is preferably 25 to 40 MPa, more preferably 30 to 40 MPa.

本発明のクラスレート化合物の生成は、X線回折により確認することができる。具体的には、焼成後のサンプルがX線回折によりクラスレート相のみを示すものであれば、クラスレート化合物が合成されたことが確認できる。
(実施例)
以下、本発明を、実施例を用いてさらに詳細に説明するが、本発明は下記実施例により限定されるものではない。
The formation of the clathrate compound of the present invention can be confirmed by X-ray diffraction. Specifically, if the sample after firing shows only the clathrate phase by X-ray diffraction, it can be confirmed that the clathrate compound has been synthesized.
(Example)
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated further in detail using an Example, this invention is not limited by the following Example.

〈熱電変換素子1(IGe38Sb)の製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、8.28グラムのGeと4.02グラムの沃化アンチモンSbIと1.95グラムのSbを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出し、それを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、熱電変換素子1を製造した。X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、熱電変換素子1はクラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
<Manufacture of thermoelectric conversion element 1 (I 8 Ge 38 Sb 8 )>
8.28 grams of Ge, 4.02 grams of antimony iodide SbI 3 and 1.95 grams of Sb were weighed to achieve a composition ratio of I 8 Ge 38 Sb 8 . Each is pulverized to 500 μm or less. It was placed in a 45 cc stainless steel container for mechanical alloying. At the same time, 11 silicon nitride balls having a diameter of 10 mm were placed. The lid was closed with a glove box in an argon atmosphere diluted with 10% hydrogen. It was taken out of the glove box and set on a planetary ball mill P-7 manufactured by Fritsch. It drove for 100 hours at a speed of 10. Thereafter, the pulverized powder was taken out and sintered using a discharge plasma sintering apparatus. The sintering conditions were a sintering temperature of 600 ° C., an argon atmosphere of 0.6 atm, and a sintering holding time of 30 minutes. The thermoelectric conversion element 1 was manufactured by the above process. As a result of performing X-ray diffraction measurement and comparing the theoretical values obtained by simulating the diffraction patterns, it was confirmed that the thermoelectric conversion element 1 has I 8 Ge 38 Sb 8 having a clathrate structure. The diffraction pattern together with the simulation result is shown in FIG.

〈熱電変換素子2(IGe38Sb)の製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、8.28グラムのGeと3.05グラムのIと2.92グラムのSbを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出し、それを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、熱電変換素子2を製造した。X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、熱電変換素子2はクラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
<Manufacture of thermoelectric conversion element 2 (I 8 Ge 38 Sb 8 )>
8.28 grams of Ge, 3.05 grams of I, and 2.92 grams of Sb were weighed to achieve a composition ratio of I 8 Ge 38 Sb 8 . Each is pulverized to 500 μm or less. It was placed in a 45 cc stainless steel container for mechanical alloying. At the same time, 11 silicon nitride balls having a diameter of 10 mm were placed. The lid was closed with a glove box in an argon atmosphere diluted with 10% hydrogen. It was taken out of the glove box and set on a planetary ball mill P-7 manufactured by Fritsch. It drove for 100 hours at a speed of 10. Thereafter, the pulverized powder was taken out and sintered using a discharge plasma sintering apparatus. The sintering conditions were a sintering temperature of 600 ° C., an argon atmosphere of 0.6 atm, and a sintering holding time of 30 minutes. The thermoelectric conversion element 2 was manufactured by the above process. As a result of performing X-ray diffraction measurement and comparing the theoretical values obtained by simulating the diffraction patterns, it was confirmed that the thermoelectric conversion element 2 has I 8 Ge 38 Sb 8 having a clathrate structure. The diffraction pattern together with the simulation result is shown in FIG.

〈熱電変換素子3(IGe38Sb)の製造〉
Ge38Sbの組成比になるように、7.84グラムのGeと2.92グラムのSbと3.48グラムの沃化ゲルマニウムGeIを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で100h運転した。その後、粉砕粉を取り出し、それを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度600℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、熱電変換素子3を製造した。X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、熱電変換素子3はクラスレート構造のIGe38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図1に示す。
<Manufacture of thermoelectric conversion element 3 (I 8 Ge 38 Sb 8 )>
7.84 grams of Ge, 2.92 grams of Sb, and 3.48 grams of germanium iodide GeI 4 were weighed to achieve a composition ratio of I 8 Ge 38 Sb 8 . Each is pulverized to 500 μm or less. It was placed in a 45 cc stainless steel container for mechanical alloying. At the same time, 11 silicon nitride balls having a diameter of 10 mm were placed. The lid was closed with a glove box in an argon atmosphere diluted with 10% hydrogen. It was taken out of the glove box and set on a planetary ball mill P-7 manufactured by Fritsch. It drove for 100 hours at a speed of 10. Thereafter, the pulverized powder was taken out and sintered using a discharge plasma sintering apparatus. The sintering conditions were a sintering temperature of 600 ° C., an argon atmosphere of 0.6 atm, and a sintering holding time of 30 minutes. The thermoelectric conversion element 3 was manufactured by the above process. As a result of performing X-ray diffraction measurement and comparing the theoretical values obtained by simulating the diffraction patterns, it was confirmed that the thermoelectric conversion element 3 has I 8 Ge 38 Sb 8 having a clathrate structure. The diffraction pattern together with the simulation result is shown in FIG.

〈熱電変換素子4(ISn38Sb)の製造〉
Sn38Sbの組成比になるように、11.11グラムのSnと2.40グラムのSbと2.50グラムのIを秤量した。それぞれは500μm以下に粉砕されている。それをメカニカルアロイング用の容積45ccのステンレス容器に入れた。同時に、直径10mmの窒化珪素のボール11個を入れた。それを10%水素希釈のアルゴン雰囲気中のグローブボックスで蓋を閉めた。それをグローブボックスから取り出し、フリッチュ社製遊星型ボールミル機P−7にセットした。スピード10で50h運転した。その後、粉砕粉を取り出し、それを放電プラズマ焼結装置を使って焼結した。焼結条件は、焼結温度340℃、雰囲気アルゴン0.6気圧、焼結保持時間30minとした。以上の工程により、熱電変換素子4を製造した。X線回折測定を行い、その回折パターンをシミュレーションした理論値を比較した結果、熱電変換素子4はクラスレート構造のISn38Sbになっていることを確認した。その回折パターンをシミュレーション結果と合わせて、図2に示す。
<Manufacture of thermoelectric conversion element 4 (I 8 Sn 38 Sb 8 )>
11.11 grams of Sn, 2.40 grams of Sb, and 2.50 grams of I were weighed to achieve a composition ratio of I 8 Sn 38 Sb 8 . Each is pulverized to 500 μm or less. It was placed in a 45 cc stainless steel container for mechanical alloying. At the same time, 11 silicon nitride balls having a diameter of 10 mm were placed. The lid was closed with a glove box in an argon atmosphere diluted with 10% hydrogen. It was taken out of the glove box and set on a planetary ball mill P-7 manufactured by Fritsch. I drove at speed 10 for 50h. Thereafter, the pulverized powder was taken out and sintered using a discharge plasma sintering apparatus. The sintering conditions were a sintering temperature of 340 ° C., an atmospheric argon of 0.6 atm, and a sintering holding time of 30 minutes. The thermoelectric conversion element 4 was manufactured by the above process. As a result of performing X-ray diffraction measurement and comparing the theoretical values obtained by simulating the diffraction patterns, it was confirmed that the thermoelectric conversion element 4 had I 8 Sn 38 Sb 8 having a clathrate structure. FIG. 2 shows the diffraction pattern together with the simulation result.

実施例1〜3で求められたクラスレート化合物のX線回折パターンを示す図である。It is a figure which shows the X-ray-diffraction pattern of the clathrate compound calculated | required in Examples 1-3. 実施例4で求められたクラスレート化合物のX線回折パターンを示す図である。6 is a diagram showing an X-ray diffraction pattern of a clathrate compound obtained in Example 4. FIG.

Claims (8)

下記組成式(1)で表されるクラスレート化合物。
Sn46−x (0≦x≦10) (1)
(組成式(1)において、Aは7B族元素、Bはヒ素又はアンチモンを表す。)
A clathrate compound represented by the following composition formula (1).
A 8 B x Sn 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (1)
(In composition formula (1), A represents a group 7B element, and B represents arsenic or antimony.)
下記組成式(2)で表される化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも有するクラスレート化合物の製造方法。
46−x (0≦x≦10) (2)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素、Cは4B族元素)
A method for producing a compound represented by the following composition formula (2), which comprises at least a mechanical alloying step.
A 8 B x C 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (2)
(A is a 7B group element, B is a 5B group element, C is a 4B group element)
請求項2に記載の製造方法であって、メカニカルアロイングの原料として各構成元素の単体またはその構成元素同士よりなる化合物を使うことを特徴とするクラスレート化合物の製造方法。   3. The method for producing a clathrate compound according to claim 2, wherein a compound composed of a single element of each constituent element or a constituent element thereof is used as a raw material for mechanical alloying. 請求項1に記載のクラスレート化合物の製造方法であって、メカニカルアロイングの工程を少なくとも用いるクラスレート化合物の製造方法。   The method for producing a clathrate compound according to claim 1, wherein at least a mechanical alloying step is used. 請求項1に記載のクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子。   A thermoelectric conversion element which is a sintered body of the clathrate compound according to claim 1. 請求項2に記載の製造方法による、下記組成式(3)であらわされる化合物であるクラスレート化合物の製造方法。
Si46−x 又は AGe46−x(0≦x≦10) (3)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素を表す。)
The manufacturing method of the clathrate compound which is a compound represented by the following compositional | empirical formula (3) by the manufacturing method of Claim 2.
A 8 B x Si 46-x or A 8 B x Ge 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (3)
(A represents a 7B group element and B represents a 5B group element.)
下記組成式(2)で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子。
46−x (0≦x≦10) (2)
(組成式(2)において、Aは7B族元素、Bは5B族元素、Cは4B族元素を表す。)
A thermoelectric conversion element which is a sintered body of a clathrate compound represented by the following composition formula (2).
A 8 B x C 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (2)
(In the composition formula (2), A represents a group 7B element, B represents a group 5B element, and C represents a group 4B element.)
下記組成式(3)で表されるクラスレート化合物の焼結体である熱電変換素子。
Si46−x 又は AGe46−x(0≦x≦10) (3)
(Aは7B族元素、Bは5B族元素を表す。)
A thermoelectric conversion element which is a sintered body of a clathrate compound represented by the following composition formula (3).
A 8 B x Si 46-x or A 8 B x Ge 46-x (0 ≦ x ≦ 10) (3)
(A represents a 7B group element and B represents a 5B group element.)
JP2004371428A 2004-12-22 2004-12-22 Clathrate compound and method for producing the same Active JP4665156B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004371428A JP4665156B2 (en) 2004-12-22 2004-12-22 Clathrate compound and method for producing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004371428A JP4665156B2 (en) 2004-12-22 2004-12-22 Clathrate compound and method for producing the same

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010261107A Division JP5126723B2 (en) 2010-11-24 2010-11-24 Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006176360A true JP2006176360A (en) 2006-07-06
JP4665156B2 JP4665156B2 (en) 2011-04-06

Family

ID=36730826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004371428A Active JP4665156B2 (en) 2004-12-22 2004-12-22 Clathrate compound and method for producing the same

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4665156B2 (en)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999022410A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Thermoelectric transducing material and method of producing the same
JP2001114508A (en) * 1999-10-19 2001-04-24 Japan Science & Technology Corp Silicon clathrate compound and method for production thereof
JP2001270710A (en) * 2000-03-28 2001-10-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method for producing clathrate compound
JP2001335309A (en) * 2000-05-24 2001-12-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Clathrate compound semiconductor and method of producing the same
JP2002064227A (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Sumitomo Special Metals Co Ltd Thermoelectric conversion material and its manufacturing method
JP2002118296A (en) * 2000-10-05 2002-04-19 Unitika Ltd N-type thermoelectric conversion element for high temperature having high electric conductivity, and thermoelectric conversion module using it

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999022410A1 (en) * 1997-10-24 1999-05-06 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Thermoelectric transducing material and method of producing the same
JP2001114508A (en) * 1999-10-19 2001-04-24 Japan Science & Technology Corp Silicon clathrate compound and method for production thereof
JP2001270710A (en) * 2000-03-28 2001-10-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Method for producing clathrate compound
JP2001335309A (en) * 2000-05-24 2001-12-04 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Clathrate compound semiconductor and method of producing the same
JP2002064227A (en) * 2000-08-18 2002-02-28 Sumitomo Special Metals Co Ltd Thermoelectric conversion material and its manufacturing method
JP2002118296A (en) * 2000-10-05 2002-04-19 Unitika Ltd N-type thermoelectric conversion element for high temperature having high electric conductivity, and thermoelectric conversion module using it

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JPN6010058039, 栗原 毅 ほか, "Snクラスレート化合物の熱電特性(IV)", 第49回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 20020327, 第1分冊, 第217ページ中段 *
JPN6010058040, 中川 直彦 ほか, "Sn1−xGexクラスレート化合物の作製とその熱電特性", 第50回応用物理学関係連合講演会講演予稿集, 20030327, 第1分冊, 第250ページ下段 *
JPN6010058041, Mikhail M. SHATRUK, et al., "First tin pnictide halides Sn24P19.3I8 and Sn24As19.3I8: Synthesis and the clathrate−I type of the c", Inorganic Chemistry, 1999, Vol.38, No.15, pp.3455−3457 *
JPN7010003185, T.L. CHU, et al., "Germanium arsenide iodide: A clathrate semiconductor", Journal of Applied Physics, October 1982, Vol.53, No.10, pp.7102−7103 *

Also Published As

Publication number Publication date
JP4665156B2 (en) 2011-04-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009529799A (en) Doped lead telluride for thermoelectric applications
CN108238796A (en) Copper seleno solid solution thermoelectric material and preparation method thereof
JP6054606B2 (en) Thermoelectric semiconductor
JP6608961B2 (en) P-type skutterudite thermoelectric material, method for producing the same, and thermoelectric element including the same
JP5142208B2 (en) Method for producing metal silicide
CN101435029A (en) Rapid preparation of high performance nanostructured filling type skutterudite thermoelectric material
CN107946450A (en) One kind doping valence variation element collaboration optimization BiCuSeO base thermoelectricity materials and preparation method thereof
JP4865531B2 (en) Yb-AE-Fe-Co-Sb (AE: Ca, Sr, Ba, Ag) based thermoelectric conversion material
CN111048658A (en) SnI2Doped CsGeI3Perovskite thermoelectric material and preparation method thereof
JP5126723B2 (en) Thermoelectric conversion element and manufacturing method thereof
JP2009084689A (en) Method for manufacturing half-heusler thermoelectric material
Lan et al. High thermoelectric performance of Bi 1− x K x CuSeO prepared by combustion synthesis
WO2015012113A1 (en) P-type semiconductor comprising magnesium, silicon, tin, and germanium, and process for producing same
TWI417248B (en) Thermoelectric material, method for fabricating the same, and thermoelectric module employing the same
JP4665156B2 (en) Clathrate compound and method for producing the same
CN101118946B (en) Barium zinc antimony based p type thermoelectric material and method for making same
JP4900819B2 (en) Thermoelectric material and manufacturing method thereof
JP2005217310A (en) Clathrate compound, thermoelectric conversion element, and its manufacturing method
JP5090939B2 (en) p-type thermoelectric conversion material
JP2008007825A (en) Yb-Fe-Co-Sb THERMOELECTRIC CONVERSION MATERIAL
CN109626446B (en) Preparation method of cubic CoSbS thermoelectric compound
JP2008016610A (en) Zinc-antimony system thermoelectric conversion material and method for manufacturing the same
JP2009111357A (en) Thermoelectric material and its manufacturing method
CN109022863B (en) Ga-filled skutterudite thermoelectric material and preparation method thereof
JP2006057125A (en) Clathrate compound, production method of clathrate compound, and thermoelectric conversion element

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070823

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090807

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101012

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101124

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20101214

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150