JP2006163028A

JP2006163028A - Image forming apparatus

Info

Publication number: JP2006163028A
Application number: JP2004355193A
Authority: JP
Inventors: Yasuo Takayama; 康夫高山; Yutaka Kanai; 豊金井
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 2004-12-08
Filing date: 2004-12-08
Publication date: 2006-06-22

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image forming apparatus reducing the generation of NOx gas even when an amorphous silicon photoreceptor is positive-electrified. <P>SOLUTION: The image forming apparatus 10 is provided with: the amorphous silicon photoreceptor 12; and a scorotron electrifier 14 wherein a discharge wire 32 is arranged in a shield 30, and a grid 34 for uniformly electrifying the amorphous silicon photoreceptor 12 is arranged. An electrode 36 on which a bias is applied is arranged near the discharge wire 32 in the shield 30. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、電子写真法又は静電記録法等を利用した複写機、プリンター等の画像形成装置に関し、更に詳しくは、その画像形成装置に用いられるアモルファスシリコン感光体を帯電させるスコロトロン帯電器に関する。 The present invention relates to an image forming apparatus such as a copying machine or a printer using an electrophotographic method or an electrostatic recording method, and more particularly to a scorotron charger for charging an amorphous silicon photoreceptor used in the image forming apparatus.

電子写真技術は、高速かつ高印字品質が得られるため、複写機、プリンター等の分野において広く利用されている。これらの電子写真技術に用いられる電子写真用感光体は、従来から種々のものが提案され、実用化されている。中でも、露光により電荷を発生する電荷発生層と電荷を輸送する電荷輸送層を積層する機能分離型の有機積層型感光体（ＯＰＣ感光体）は、感度、帯電性及びその繰り返し安定性等、電子写真特性の点で優れており、種々の提案がなされ、実用化に至っている。 Electrophotographic technology is widely used in the fields of copiers, printers, and the like because it provides high speed and high print quality. Various electrophotographic photoreceptors used in these electrophotographic techniques have been proposed and put to practical use. Among them, the function-separated organic laminated type photoconductor (OPC photoconductor) in which a charge generation layer that generates a charge upon exposure and a charge transport layer that transports a charge is laminated is an electron with sensitivity, chargeability, and repeated stability. It is excellent in terms of photographic characteristics, various proposals have been made, and it has been put to practical use.

一方、高速機分野においては、ＯＰＣ感光体と比較して、高耐久、長寿命であるという点から、アモルファスシリコン感光体を用いた画像形成装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。しかしながら、アモルファスシリコン感光体を用いた画像形成装置では、アモルファスシリコンの誘電率が高く、アモルファスシリコン感光体を帯電させるためには、ＯＰＣ感光体と比較して３倍〜５倍の帯電電流が必要となる問題がある。しかも、そのような高い帯電電流でマイナス帯電させると、図６で示すように、オゾン（Ｏ₃）ガスの発生量が多くなる不具合がある。 On the other hand, in the field of high-speed machines, an image forming apparatus using an amorphous silicon photoconductor has been proposed because it has higher durability and longer life than an OPC photoconductor (see, for example, Patent Document 1). . However, in an image forming apparatus using an amorphous silicon photoconductor, the dielectric constant of amorphous silicon is high, and in order to charge the amorphous silicon photoconductor, a charging current 3 to 5 times that of an OPC photoconductor is required. There is a problem. In addition, when negatively charged with such a high charging current, there is a problem that the amount of ozone (O ₃ ) gas generated increases as shown in FIG.

また、オゾンガスを発生させないためには、アモルファスシリコン感光体をプラス帯電させるが、プラス帯電の場合で、マイナス帯電と同じ帯電電流を得るためには、図６で示すように、ワイヤー電流当たりのＮＯｘガスの発生量が多くなり、環境上好ましくない問題が起きる。また、ＮＯｘがアモルファスシリコン感光体に付着堆積すると、アモルファスシリコン感光体の表面抵抗を低下させるので、所謂画像流れなどの不具合が発生する。そのため、エアフローの制御や、アモルファスシリコン感光体を加熱して放電生成物を除去するなどの対策が必要となる問題があった。
特開２００３−２７０９１２号公報 Further, in order not to generate ozone gas, the amorphous silicon photoconductor is positively charged. In the case of positive charging, in order to obtain the same charging current as that of negative charging, as shown in FIG. 6, NOx per wire current is obtained. The amount of gas generated increases, causing environmentally undesirable problems. Further, when NOx adheres and accumulates on the amorphous silicon photoconductor, the surface resistance of the amorphous silicon photoconductor is reduced, so that problems such as so-called image flow occur. Therefore, there are problems that require measures such as air flow control and heating of the amorphous silicon photosensitive member to remove discharge products.
JP 2003-270912 A

そこで、本発明は、上記事情に鑑み、アモルファスシリコン感光体をプラス帯電しても、ＮＯｘガスの発生量を低減することができる画像形成装置を得ることを目的とする。 Accordingly, an object of the present invention is to obtain an image forming apparatus capable of reducing the amount of NOx gas generated even when the amorphous silicon photoconductor is positively charged.

上記の目的を達成するために、本発明に係る請求項１に記載の画像形成装置は、アモルファスシリコン感光体と、放電ワイヤーがシールド内に設けられ、前記アモルファスシリコン感光体を均一に帯電させるグリッドが設けられたスコロトロン帯電器と、を備えた画像形成装置において、前記シールド内で、かつ前記放電ワイヤーの近傍に、バイアスが印加される電極を配置したことを特徴としている。 In order to achieve the above object, an image forming apparatus according to claim 1 according to the present invention is a grid in which an amorphous silicon photoconductor and a discharge wire are provided in a shield to uniformly charge the amorphous silicon photoconductor. In the image forming apparatus provided with a scorotron charger provided with an electrode, a bias applied electrode is arranged in the shield and in the vicinity of the discharge wire.

請求項１に記載の発明によれば、シールド内に配置された電極にバイアスを印加することにより、放電効果を向上させることができるので、アモルファスシリコン感光体の帯電効率を向上させることができる。したがって、放電ワイヤーのワイヤー電流を抑えることができ、アモルファスシリコン感光体をプラス帯電しても、ＮＯｘガスの発生量を低減することができる。よって、画像流れなどの不具合の発生を防止することができる。 According to the first aspect of the present invention, since the discharge effect can be improved by applying a bias to the electrode disposed in the shield, the charging efficiency of the amorphous silicon photoconductor can be improved. Therefore, the wire current of the discharge wire can be suppressed, and the amount of NOx gas generated can be reduced even if the amorphous silicon photoconductor is positively charged. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of problems such as image flow.

また、請求項２に記載の画像形成装置は、請求項１に記載の画像形成装置において、前記電極が、プレート状に形成され、前記放電ワイヤーに対して前記アモルファスシリコン感光体と反対側に配置されることを特徴としている。そして、請求項３に記載の画像形成装置は、請求項２に記載の画像形成装置において、前記電極のバイアスが、前記放電ワイヤーの電位と前記シールドの電位の間の値であることを特徴としている。 The image forming apparatus according to claim 2 is the image forming apparatus according to claim 1, wherein the electrode is formed in a plate shape and disposed on the opposite side of the amorphous silicon photoconductor from the discharge wire. It is characterized by being. The image forming apparatus according to claim 3 is the image forming apparatus according to claim 2, wherein the bias of the electrode is a value between the potential of the discharge wire and the potential of the shield. Yes.

請求項２及び請求項３に記載の発明によれば、放電ワイヤーの放電が、プレート状電極よりもアモルファスシリコン感光体側で行われるようにできるので、その放電効果を向上させることができ、アモルファスシリコン感光体の帯電効率を向上させることができる。したがって、放電ワイヤーのワイヤー電流を抑えることができ、ＮＯｘガスの発生量を低減することができる。 According to the second and third aspects of the invention, since the discharge of the discharge wire can be performed on the amorphous silicon photoconductor side with respect to the plate-like electrode, the discharge effect can be improved. The charging efficiency of the photoreceptor can be improved. Therefore, the wire current of the discharge wire can be suppressed, and the amount of NOx gas generated can be reduced.

また、請求項４に記載の画像形成装置は、請求項１に記載の画像形成装置において、前記電極が、前記放電ワイヤーよりも大径のワイヤーとされ、該放電ワイヤーに対して前記アモルファスシリコン感光体と反対側に配置されることを特徴としている。そして、請求項５に記載の画像形成装置は、請求項４に記載の画像形成装置において、前記電極のバイアスが、前記放電ワイヤーの電位と同じ値であることを特徴としている。 According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the image forming apparatus according to the first aspect, wherein the electrode is a wire having a diameter larger than the discharge wire, and the amorphous silicon photosensitive member is exposed to the discharge wire. It is characterized by being placed on the opposite side of the body. The image forming apparatus according to claim 5 is characterized in that, in the image forming apparatus according to claim 4, the bias of the electrode has the same value as the potential of the discharge wire.

請求項４及び請求項５に記載の発明によれば、放電ワイヤーの放電が、大径ワイヤーよりもアモルファスシリコン感光体側で行われるようにできるので、その放電効果を向上させることができ、アモルファスシリコン感光体の帯電効率を向上させることができる。したがって、放電ワイヤーのワイヤー電流を抑えることができ、ＮＯｘガスの発生量を低減することができる。 According to invention of Claim 4 and Claim 5, since discharge of a discharge wire can be performed by the amorphous silicon photoconductor side rather than a large diameter wire, the discharge effect can be improved, and amorphous silicon The charging efficiency of the photoreceptor can be improved. Therefore, the wire current of the discharge wire can be suppressed, and the amount of NOx gas generated can be reduced.

以上のように、本発明によれば、アモルファスシリコン感光体をプラス帯電しても、ＮＯｘガスの発生量を低減することができる画像形成装置を提供することができる。 As described above, according to the present invention, it is possible to provide an image forming apparatus capable of reducing the generation amount of NOx gas even if the amorphous silicon photoconductor is positively charged.

以下、本発明の最良な実施の形態について、図面に示す実施例を基に詳細に説明する。まず最初に、本発明に係る画像形成装置の構成について説明する。図１で示すように、この画像形成装置１０は、アモルファスシリコン感光体１２と、アモルファスシリコン感光体１２の表面を帯電するスコロトロン帯電器１４と、スコロトロン帯電器１４に電圧を印加するための電源１６と、アモルファスシリコン感光体１２の表面に潜像を形成する露光器１８と、アモルファスシリコン感光体１２表面の静電潜像を現像してトナー像を形成する現像器２０と、形成されたトナー像を用紙Ｐの表面に転写する転写器２２と、アモルファスシリコン感光体１２の表面の残存トナー等を除去するクリーニング器２４と、アモルファスシリコン感光体１２の表面の残存電位を除去する光除電器２６と、用紙Ｐの表面に転写されたトナー画像を熱及び／又は圧力等により定着する定着器２８と、を備えている。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The best mode for carrying out the present invention will be described below in detail based on the embodiments shown in the drawings. First, the configuration of the image forming apparatus according to the present invention will be described. As shown in FIG. 1, the image forming apparatus 10 includes an amorphous silicon photoconductor 12, a scorotron charger 14 that charges the surface of the amorphous silicon photoconductor 12, and a power source 16 for applying a voltage to the scorotron charger 14. An exposure unit 18 that forms a latent image on the surface of the amorphous silicon photoconductor 12; a developing unit 20 that develops an electrostatic latent image on the surface of the amorphous silicon photoconductor 12 to form a toner image; and a formed toner image. A transfer device 22 for transferring the toner to the surface of the paper P, a cleaning device 24 for removing residual toner or the like on the surface of the amorphous silicon photoconductor 12, and a photostatic device 26 for removing the residual potential on the surface of the amorphous silicon photoconductor 12. And a fixing device 28 for fixing the toner image transferred onto the surface of the paper P by heat and / or pressure.

アモルファスシリコン感光体１２は、例えば、直径８４ｍｍ、表面硬度約２０００ｋｇ／ｍｍ²のドラム状であり、アモルファスシリコン感光体１２の上方には、コロナ放電方式（非接触帯電方式）のスコロトロン帯電器（コロナ帯電器）１４が配置されている。このスコロトロン帯電器１４の放電ワイヤー３２には、例えば＋５ｋＶ（＋５０００Ｖ）、グリッド３４には、例えば＋５２０Ｖの電圧が印加されている（帯電電流：約６５０μＡ）。そして、例えば、３５０ｍｍ／ｓｅｃの周速度で回転するアモルファスシリコン感光体１２の表面を約＋５００Ｖに帯電するようになっている。 The amorphous silicon photoconductor 12 has, for example, a drum shape with a diameter of 84 mm and a surface hardness of about 2000 kg / mm ^2. Above the amorphous silicon photoconductor 12, a corona discharge type (non-contact charging type) scorotron charger (corona type). A charger 14 is disposed. A voltage of, for example, +5 kV (+5000 V) is applied to the discharge wire 32 of the scorotron charger 14, and a voltage of, for example, +520 V is applied to the grid 34 (charging current: about 650 μA). For example, the surface of the amorphous silicon photosensitive member 12 rotating at a peripheral speed of 350 mm / sec is charged to about + 500V.

なお、スコロトロン帯電器１４は、電源１６から供給された電圧により作動する。また、スコロトロン帯電器１４に印加される帯電バイアスの電流値は５００μＡ〜８００μＡの範囲が好ましく、５５０μＡ〜７５０μＡの範囲がより好ましい。電流値が５００μＡに満たないと、充分な帯電電位を得ることができない場合がある。また、電流値が８００μＡを超えると、画像形成装置１０の稼動時に、問題となるレベルの放電生成物が発生してしまう場合がある。 The scorotron charger 14 is operated by a voltage supplied from the power supply 16. The current value of the charging bias applied to the scorotron charger 14 is preferably in the range of 500 μA to 800 μA, more preferably in the range of 550 μA to 750 μA. If the current value is less than 500 μA, a sufficient charging potential may not be obtained. On the other hand, if the current value exceeds 800 μA, a problem level of discharge product may be generated when the image forming apparatus 10 is operated.

露光器１８としては、半導体レーザー及び走査装置の組み合わせや、光学系からなるレーザーＲＯＳ、ＬＥＤヘッド、あるいは、ハロゲンランプなどの公知の露光手段を採用することができる。露光像の領域、即ちトナー像を形成するアモルファスシリコン感光体１２表面の位置を、所望に応じて変化させるためには、レーザーＲＯＳ又はＬＥＤヘッドを使用することが好ましく、ここではレーザーＲＯＳを採用している。 As the exposure device 18, a known exposure means such as a combination of a semiconductor laser and a scanning device, a laser ROS composed of an optical system, an LED head, or a halogen lamp can be employed. In order to change the exposure image area, that is, the position of the surface of the amorphous silicon photosensitive member 12 where the toner image is formed, it is preferable to use a laser ROS or an LED head. ing.

現像器２０としては、アモルファスシリコン感光体１２の表面に均一なトナー像を形成できる機能を有する限り、１成分系、２成分系を問わず、従来公知の現像装置を採用することができる。ここでは、現像器２０に、スチレン系樹脂を含むトナーとキャリアとからなる２成分現像剤が使用され、トナーはプラス（＋）極性に帯電している。 As the developing device 20, a conventionally known developing device can be adopted regardless of one-component system or two-component system as long as it has a function of forming a uniform toner image on the surface of the amorphous silicon photoreceptor 12. Here, a two-component developer composed of a toner containing a styrene resin and a carrier is used for the developing device 20, and the toner is charged with a positive (+) polarity.

転写器２２としては、例えば、電圧を印加した導電性又は半導電性のローラー、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を用いて、アモルファスシリコン感光体１２と用紙Ｐとの間に電界を作り、荷電されたトナーを転写する手段など、従来公知の手段を採用することができる。ここでは、転写器２２に、転写ロールが用いられ、−６００Ｖの電圧が印加されており、現像されたトナー像は、この電界によって用紙Ｐへ転写される。 As the transfer device 22, for example, an electric field is generated between the amorphous silicon photosensitive member 12 and the paper P using a conductive or semiconductive roller, brush, film, rubber blade, or the like to which a voltage is applied. Conventionally known means such as a means for transferring the toner can be employed. Here, a transfer roll is used for the transfer device 22 and a voltage of −600 V is applied, and the developed toner image is transferred onto the paper P by this electric field.

トナー像の用紙Ｐへの定着は、定着器２８として公知の接触型熱定着装置を用いて行うことができる。具体的には、例えば、芯金上にゴム弾性層を有し、必要に応じて定着部材表面層を具備した加熱ローラーと、芯金上にゴム弾性層を有し、必要に応じて定着部材表面層を具備した加圧ローラーとからなる定着部材を具備する熱ローラー定着装置や、定着部材として、このようなローラーとローラーとの組み合わせを、ローラーとベルトとの組み合わせや、ベルトとベルトとの組み合わせに代えた定着装置が採用できる。ここでは、定着器２８として、加熱ローラーと加圧ローラーとからなる熱ローラー定着装置を採用している。 The toner image can be fixed on the paper P using a known contact-type heat fixing device as the fixing device 28. Specifically, for example, a heating roller having a rubber elastic layer on a cored bar and optionally having a surface layer of a fixing member, and a rubber elastic layer on the cored bar, if necessary, a fixing member As a heat roller fixing device having a fixing member composed of a pressure roller having a surface layer, or a fixing member, such a combination of a roller and a roller, a combination of a roller and a belt, or a belt and a belt A fixing device in place of the combination can be employed. Here, a heat roller fixing device including a heating roller and a pressure roller is employed as the fixing device 28.

クリーニング器２４としては、例えば、アモルファスシリコン感光体１２の周面（表面）に摺接するブレード２５を備えたものが採用され、光除電器２６としては、例えば、タングステンランプ、ＬＥＤなどが挙げられ、光除電器２６に用いる光質としては、例えば、タングステンランプ等の白色光、ＬＥＤ光等の赤色光などが挙げられる。ここでは、波長６６０ｎｍのＬＥＤを光源として採用している。 As the cleaning device 24, for example, a device provided with a blade 25 slidably in contact with the peripheral surface (surface) of the amorphous silicon photosensitive member 12 is adopted. As the light static eliminator 26, for example, a tungsten lamp, an LED, or the like can be given. Examples of the light quality used for the light neutralizer 26 include white light such as a tungsten lamp, red light such as LED light, and the like. Here, an LED with a wavelength of 660 nm is employed as the light source.

次に、以上のような構成の画像形成装置１０の画像形成プロセスを簡単に説明する。まず、図１の矢印方向に回転するドラム状のアモルファスシリコン感光体１２は、電圧が印加されたスコロトロン帯電器１４によって、その表面が一様に帯電される。帯電されたアモルファスシリコン感光体１２はレーザー光学系等の露光器１８により静電潜像が書き込まれる。アモルファスシリコン感光体１２の表面に書き込まれた静電潜像は、現像器２０によりトナー像に現像される。 Next, an image forming process of the image forming apparatus 10 having the above configuration will be briefly described. First, the surface of the drum-shaped amorphous silicon photoreceptor 12 rotating in the direction of the arrow in FIG. 1 is uniformly charged by a scorotron charger 14 to which a voltage is applied. An electrostatic latent image is written on the charged amorphous silicon photosensitive member 12 by an exposure device 18 such as a laser optical system. The electrostatic latent image written on the surface of the amorphous silicon photoreceptor 12 is developed into a toner image by the developing device 20.

そして、トナー像は転写器２２により、図示しない給紙トレイから搬送されてくる用紙Ｐに転写される。転写されたトナー像は定着器２８により用紙Ｐに定着され、その後、用紙Ｐは装置外に排出される。また、トナー像が用紙Ｐに転写された後、アモルファスシリコン感光体１２の表面に残留していたトナーはクリーニング器２４のブレード２５により除去され、次いで光除電器２６により除電されて、次の画像形成プロセスに備える。 Then, the toner image is transferred to the paper P conveyed from a paper supply tray (not shown) by the transfer device 22. The transferred toner image is fixed on the paper P by the fixing device 28, and then the paper P is discharged out of the apparatus. Further, after the toner image is transferred to the paper P, the toner remaining on the surface of the amorphous silicon photosensitive member 12 is removed by the blade 25 of the cleaning device 24, and then is removed by the photostatic device 26, so that the next image is obtained. Prepare for the formation process.

以上のような画像形成装置１０において、次にスコロトロン帯電器１４について詳細に説明する。本発明では、スコロトロン帯電器１４のシールド３０内で、かつ放電ワイヤー３２の近傍に、バイアス電圧を印加する電極を設ける構成としている。これによれば、放電ワイヤー３２のワイヤー電流を抑えつつ、帯電電流を維持することができるため、アモルファスシリコン感光体１２に対する帯電効率を向上させることができるとともに、放電生成物の発生を抑制することができる。 Next, the scorotron charger 14 in the image forming apparatus 10 as described above will be described in detail. In the present invention, an electrode for applying a bias voltage is provided in the shield 30 of the scorotron charger 14 and in the vicinity of the discharge wire 32. According to this, since the charging current can be maintained while suppressing the wire current of the discharge wire 32, the charging efficiency with respect to the amorphous silicon photoconductor 12 can be improved and the generation of the discharge product can be suppressed. Can do.

なお、グリッド３４の開口率を大きくすると、同じワイヤー電流であっても、アモルファスシリコン感光体１２の帯電電位を上昇させることができる。しかしながら、グリッド３４の開口率を大きくすると、アモルファスシリコン感光体１２の帯電均一性が低下するため、本発明では、グリッド３４の開口率を大きくしない構成としている。また、グリッド３４の電位は、シールド３０の電位と略同等とされている。 If the aperture ratio of the grid 34 is increased, the charging potential of the amorphous silicon photoconductor 12 can be increased even with the same wire current. However, when the aperture ratio of the grid 34 is increased, the charging uniformity of the amorphous silicon photoconductor 12 is lowered. Therefore, in the present invention, the aperture ratio of the grid 34 is not increased. Further, the potential of the grid 34 is substantially equal to the potential of the shield 30.

図２で示すように、このスコロトロン帯電器１４には、シールド３０内において、放電ワイヤー３２の近傍、即ち放電ワイヤー３２に対してアモルファスシリコン感光体１２と反対側に、バイアス電圧を印加する電極としての金属製プレート３６が配置されている。そして、このプレート３６には、放電ワイヤー３２に対する印加電圧値（放電ワイヤー３２の電位）と、シールド３０に対する印加電圧値（シールド３０の電位）の間の電圧値が印加されている。 As shown in FIG. 2, the scorotron charger 14 includes an electrode for applying a bias voltage in the shield 30 in the vicinity of the discharge wire 32, that is, on the opposite side of the discharge wire 32 from the amorphous silicon photoreceptor 12. The metal plate 36 is arranged. A voltage value between the voltage applied to the discharge wire 32 (the potential of the discharge wire 32) and the voltage applied to the shield 30 (the potential of the shield 30) is applied to the plate 36.

例えば、放電ワイヤー３２に＋５０００Ｖ（＋５ｋＶ）の電圧が印加され、シールド３０に＋５００Ｖの電圧が印加されている場合、金属製プレート３６の印加電圧Ｅは、＋５００Ｖ＜Ｅ＜＋５０００Ｖ、好ましくは放電ワイヤー３２により近い値、例えば＋３０００Ｖ＜Ｅ＜＋５０００Ｖとされている。このような構成にすると、グリッド３４の開口率が同じであっても、アモルファスシリコン感光体１２の帯電電位を上昇させることができる。 For example, when a voltage of +5000 V (+5 kV) is applied to the discharge wire 32 and a voltage of +500 V is applied to the shield 30, the applied voltage E of the metal plate 36 is +500 V <E <+5000 V, preferably the discharge wire 32. Closer to the value, for example, + 3000V <E <+ 5000V. With such a configuration, even if the aperture ratio of the grid 34 is the same, the charging potential of the amorphous silicon photoconductor 12 can be increased.

すなわち、金属製プレート３６の電位を、シールド３０よりも高電位とし、放電ワイヤー３２により近い電位とすると、グリッド３４（アモルファスシリコン感光体１２）と反対側への放電を、そのプレート３６によって妨げることができ、プレート３６よりもグリッド３４側（アモルファスシリコン感光体１２側）で放電させることが可能となるので、グリッド３４側（アモルファスシリコン感光体１２側）での放電効果を向上させることができ、アモルファスシリコン感光体１２の帯電効率を向上させることができる。 That is, if the potential of the metal plate 36 is higher than that of the shield 30 and closer to the discharge wire 32, the discharge to the opposite side of the grid 34 (amorphous silicon photoreceptor 12) is prevented by the plate 36. Since it is possible to discharge on the grid 34 side (amorphous silicon photoconductor 12 side) from the plate 36, the discharge effect on the grid 34 side (amorphous silicon photoconductor 12 side) can be improved. The charging efficiency of the amorphous silicon photoconductor 12 can be improved.

したがって、放電ワイヤー３２のワイヤー電流を低減することができる。つまり、例えば図４で示すように、アモルファスシリコン感光体１２に帯電電位＋３００Ｖを得るために必要なワイヤー電流は、グリッド３４の開口率が９３％の場合、従来では約４４０μＡであったが、金属製プレート３６を設けて、それに上記のようなバイアス電圧を印加した場合には、約２４０μＡまで低減することができる。これにより、ＮＯｘガスの発生を抑制することができる。 Therefore, the wire current of the discharge wire 32 can be reduced. That is, for example, as shown in FIG. 4, the wire current required to obtain the charged potential +300 V on the amorphous silicon photoconductor 12 is about 440 μA in the past when the aperture ratio of the grid 34 is 93%. When the plate 36 is provided and the bias voltage as described above is applied thereto, it can be reduced to about 240 μA. Thereby, generation | occurrence | production of NOx gas can be suppressed.

また、図３で示すように、シールド３０内において、放電ワイヤー３２の近傍、即ち放電ワイヤー３２に対してアモルファスシリコン感光体１２と反対側に、バイアス電圧を印加する電極としての大径ワイヤー３８を配置してもよい。この大径ワイヤー３８の径は、例えば、放電ワイヤー３２の径がφ＝３０ｍｍの場合、１２倍のφ＝３６０ｍｍとされる。 In addition, as shown in FIG. 3, a large-diameter wire 38 as an electrode for applying a bias voltage is provided in the shield 30 in the vicinity of the discharge wire 32, that is, on the opposite side of the discharge wire 32 from the amorphous silicon photoreceptor 12. You may arrange. For example, when the diameter of the discharge wire 32 is φ = 30 mm, the diameter of the large-diameter wire 38 is 12 times φ = 360 mm.

なお、大径ワイヤー３８の配設位置は、図示の仮想線Ｋ１及び仮想線Ｋ２と常に交わる（接する場合を含む）範囲内であれば、その位置が多少ずれても構わない。また、ここで言う仮想線Ｋ１、Ｋ２とは、図示するように、放電ワイヤー３２の中心と、シールド３０のグリッド３４とは反対側の隅角部とをそれぞれ直線で結んだ線である。 In addition, as long as the arrangement | positioning position of the large diameter wire 38 is in the range which always cross | intersects the imaginary line K1 and the imaginary line K2 (including the case where it contact | connects), the position may shift | deviate a little. Further, the imaginary lines K1 and K2 referred to here are lines connecting the center of the discharge wire 32 and the corner of the shield 30 opposite to the grid 34 with straight lines, as shown in the figure.

また、この大径ワイヤー３８には、放電ワイヤー３２と同じ電圧値が印加される。例えば、放電ワイヤー３２に＋５０００Ｖ（＋５ｋＶ）の電圧が印加されるとすると、大径ワイヤー３８にも＋５０００Ｖ（＋５ｋＶ）の電圧が印加される。したがって、放電ワイヤー３２と大径ワイヤー３８は、図示のように、互いに反発し合って接することはない。 The same voltage value as that of the discharge wire 32 is applied to the large diameter wire 38. For example, if a voltage of +5000 V (+5 kV) is applied to the discharge wire 32, a voltage of +5000 V (+5 kV) is also applied to the large diameter wire 38. Therefore, the discharge wire 32 and the large-diameter wire 38 do not repel each other and come into contact with each other as illustrated.

このような大径ワイヤー３８を設けても、上記と同様に、アモルファスシリコン感光体１２の帯電電位を上昇させることができる。すなわち、グリッド３４（アモルファスシリコン感光体１２）と反対側への放電を、その大径ワイヤー３８によって妨げることができ、大径ワイヤー３８よりもグリッド３４側（アモルファスシリコン感光体１２側）で放電させることが可能となるので、グリッド３４側（アモルファスシリコン感光体１２側）での放電効果を向上させることができ、アモルファスシリコン感光体１２の帯電効率を向上させることができる。 Even when such a large-diameter wire 38 is provided, the charging potential of the amorphous silicon photoconductor 12 can be increased as described above. That is, discharge to the opposite side of the grid 34 (amorphous silicon photoconductor 12) can be prevented by the large diameter wire 38, and discharge is performed on the grid 34 side (amorphous silicon photoconductor 12 side) from the large diameter wire 38. Therefore, the discharge effect on the grid 34 side (amorphous silicon photoconductor 12 side) can be improved, and the charging efficiency of the amorphous silicon photoconductor 12 can be improved.

したがって、放電ワイヤー３２のワイヤー電流を低減することができる。つまり、例えば図４、図５で示すように、アモルファスシリコン感光体１２に帯電電位＋３００Ｖを得るために必要なワイヤー電流は、グリッド３４の開口率が８６％の場合、従来では約７９０μＡであったが、大径ワイヤー３８を設けて、それに放電ワイヤー３２と同じバイアス電圧を印加した場合には、約３４０μＡまで低減することができる。これにより、ＮＯｘガスの発生を抑制することができる。 Therefore, the wire current of the discharge wire 32 can be reduced. That is, for example, as shown in FIGS. 4 and 5, the wire current necessary for obtaining the charging potential +300 V on the amorphous silicon photosensitive member 12 is conventionally about 790 μA when the aperture ratio of the grid 34 is 86%. However, when the large-diameter wire 38 is provided and the same bias voltage as that of the discharge wire 32 is applied thereto, it can be reduced to about 340 μA. Thereby, generation | occurrence | production of NOx gas can be suppressed.

以上、説明したように、スコロトロン帯電器１４において、シールド３０内の放電ワイヤー３２の近傍に、バイアス電圧を印加する電極（金属製プレート３６や大径ワイヤー３８）を配置することにより、アモルファスシリコン感光体１２の帯電効率を向上させることができるので、放電ワイヤー３２のワイヤー電流を低減することができる。したがって、プラス放電時（アモルファスシリコン感光体１２のプラス帯電時）において、ＮＯｘガスの発生量を図６で示す値よりも低減することができ、画像流れなどの不具合の発生を防止することができる。 As described above, in the scorotron charger 14, an electrode (metal plate 36 or large-diameter wire 38) for applying a bias voltage is arranged in the vicinity of the discharge wire 32 in the shield 30, so that the amorphous silicon photosensitive film is exposed. Since the charging efficiency of the body 12 can be improved, the wire current of the discharge wire 32 can be reduced. Accordingly, during positive discharge (when the amorphous silicon photoconductor 12 is positively charged), the amount of NOx gas generated can be reduced below the value shown in FIG. 6, and the occurrence of problems such as image flow can be prevented. .

画像形成装置の概略構成図Schematic configuration diagram of an image forming apparatus シールド内にプレートを配置したスコロトロン帯電器の概略構成図Schematic configuration diagram of a scorotron charger with a plate in the shield シールド内に大径ワイヤーを配置したスコロトロン帯電器の概略構成図Schematic configuration diagram of a scorotron charger with a large-diameter wire in the shield ワイヤー電流と帯電電位との関係をグリッドの開口率及びプレートの有無別に示したグラフGraph showing the relationship between wire current and charging potential according to the grid aperture ratio and the presence or absence of a plate ワイヤー電流と帯電電位との関係を大径ワイヤーの有無別に示したグラフGraph showing the relationship between wire current and charging potential according to the presence or absence of large-diameter wires ワイヤー電流と放電生成物の発生量との関係を示したグラフA graph showing the relationship between wire current and the amount of discharge products generated

Explanation of symbols

１０画像形成装置
１２アモルファスシリコン感光体
１４スコロトロン帯電器
１６電源
１８露光器
２０現像器
２２転写器
２４クリーニング器
２６除電器
２８定着器
３０シールド
３２放電ワイヤー
３４グリッド
３６プレート（電極）
３８大径ワイヤー（電極） DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Image forming apparatus 12 Amorphous silicon photoreceptor 14 Scorotron charger 16 Power supply 18 Exposure device 20 Developing device 22 Transfer device 24 Cleaning device 26 Static eliminator 28 Fixing device 30 Shield 32 Discharge wire 34 Grid 36 Plate (electrode)
38 Large diameter wire (electrode)

Claims

An amorphous silicon photoreceptor,
A scorotron charger provided with a grid in which a discharge wire is provided in a shield and the amorphous silicon photosensitive member is uniformly charged;
In an image forming apparatus comprising:
An image forming apparatus, wherein an electrode to which a bias is applied is disposed in the shield and in the vicinity of the discharge wire.

The image forming apparatus according to claim 1, wherein the electrode is formed in a plate shape and is disposed on the opposite side of the discharge wire from the amorphous silicon photoreceptor.

The image forming apparatus according to claim 2, wherein the bias of the electrode is a value between a potential of the discharge wire and a potential of the shield.

The image forming apparatus according to claim 1, wherein the electrode is a wire having a diameter larger than that of the discharge wire, and is disposed on the opposite side of the amorphous silicon photoreceptor with respect to the discharge wire.

The image forming apparatus according to claim 4, wherein the bias of the electrode has the same value as the potential of the discharge wire.