JP2006148075A5 - Sputter deposition method and plasma sputtering deposition apparatus - Google Patents
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Description
本発明は、スパッタ成膜方法及びプラズマスパッタ成膜装置に係り、特に半導体ウエハ等の被処理体に形成されている凹部を効果的に埋め込むようにしたスパッタ成膜方法及びプラズマスパッタ成膜装置に関する。 The present invention relates to a sputtering method and a plasma sputter deposition apparatus, a sputtering method and a plasma sputter deposition apparatus in particular to effectively embed the concave portion formed on the object to be processed such as a semiconductor wafer .
また、上記のように開口部分が非常に狭くなった凹部２内をメッキ処理により埋め込むためには多品種の添加剤等を必要とするなどの操作が非常に煩雑な、いわゆる３元系メッキ処理を行わなければならない、という問題もあった。
更には、上記した３元系メッキ処理によると、ウエハ上面の金属膜８の厚さＨ１が非常に大きくなるので、この後にウエハ上面の余分な金属膜８等を研磨処理により取り除く時に、研磨処理に時間がかかり過ぎる、といった問題もある。
本発明は、以上のような問題点に着目し、これを有効に解決すべく創案されたものである。本発明の目的は、ボイド等を生ずることなく被処理体の凹部を埋め込むことができ、しかもメッキ処理の負担を軽くして、表面の研磨処理の負担も軽減することができるスパッタ成膜方法及びプラズマスパッタ成膜装置を提供することにある。
In addition, a so-called ternary plating process in which a large variety of additives and the like are required to bury the recess 2 with a very narrow opening as described above by plating. There was also a problem that had to be done.
Further, according to the above-described ternary plating process, the thickness H1 of the metal film 8 on the upper surface of the wafer becomes very large. Therefore, when the excess metal film 8 or the like on the upper surface of the wafer is removed thereafter, the polishing process is performed. Another problem is that it takes too much time.
The present invention has been devised to pay attention to the above problems and to effectively solve them. An object of the present invention is to provide a sputter deposition method capable of embedding a concave portion of an object to be processed without causing voids and the like, and reducing the burden of the plating process and reducing the burden of the surface polishing process. It is to provide a plasma spatter film forming apparatus.
請求項１に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内でプラズマにより金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを発生させ、前記金属イオンを前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部が形成されている前記被処理体に金属膜を堆積させて前記凹部を埋め込むようにしたスパッタ成膜方法において、前記バイアス電力を、前記被処理体の前記金属ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜処理を行うようにしたことを特徴とするスパッタ成膜方法である。 According to the first aspect of the present invention, a metal target is ionized by plasma in a processing vessel that can be evacuated to generate metal ions, and the metal ions are placed on a mounting table in the processing vessel. In a sputter film forming method in which a metal film is deposited on the object to be processed, which has a recess formed by being drawn into the body by bias power, and the recess is embedded, the bias power is applied to the metal target of the object to be processed. The film-forming process is performed so that the film-forming rate due to the drawing of the metal ions and the etching rate of the sputter etching using the plasma gas are substantially balanced with respect to the surface facing the metal. This is a sputtering film forming method.
請求項６に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器内でプラズマにより金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを発生させ、前記金属イオンを前記処理容器内の載置台上に載置した被処理体にバイアス電力により引き込んで凹部が形成されている前記被処理体に金属膜を堆積させて前記凹部を埋め込むようにしたスパッタ成膜方法において、前記バイアス電力を、前記被処理体の前記金属ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートがプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートよりも遥かに大きくなるように設定して成膜を行う第１の成膜工程と、前記バイアス電力を、前記対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜を行う第２の成膜工程と、を複数回順次繰り返し行うようにしたことを特徴とするスパッタ成膜方法である。 According to a sixth aspect of the present invention, a metal target is ionized by plasma in a processing container that can be evacuated to generate metal ions, and the metal ions are mounted on a mounting table in the processing container. In a sputter film forming method in which a metal film is deposited on the object to be processed, which has a recess formed by being drawn into the body by bias power, and the recess is embedded, the bias power is applied to the metal target of the object to be processed. A first film forming step for forming a film by setting the film formation rate by drawing the metal ions to be much higher than the etching rate of the sputter etching by the plasma gas, and the bias power , With respect to the facing surface, the film formation rate by drawing into the metal ions and the scan by plasma gas. In sputtering method Tsu and the etching rate of the motor etching, characterized in that as the second film forming step of performing film formation set to be in a state such that substantially balanced, a plurality of times successively repeated is there.
請求項１３に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、前記処理容器内に設けられて前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、前記バイアス電源を制御するバイアス電源制御部と、を有するプラズマスパッタ成膜装置において、前記バイアス電源制御部は、前記バイアス電源より出力されるバイアス電力を、前記被処理体の前記ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して、前記凹部に金属膜を堆積させて埋め込むように構成したことを特徴とするプラズマスパッタ成膜装置である。 According to a thirteenth aspect of the present invention, there is provided a processing container capable of being evacuated, a mounting table for mounting a target object having a recess formed therein, and a gas introducing means for introducing a predetermined gas into the processing container. A plasma generation source for generating plasma in the processing container, a metal target provided in the processing container to be ionized by the plasma, and a predetermined bias power to the mounting table In the plasma sputtering film forming apparatus including a bias power source and a bias power source control unit that controls the bias power source, the bias power source control unit converts the bias power output from the bias power source to the target of the object to be processed. With respect to the surface facing the substrate, the film formation rate by drawing the metal ions and the sputter etching effect by the plasma gas. And Ngureto is set to be in a state such that substantially balanced, a plasma sputter deposition apparatus characterized by being configured so as to be embedded by depositing a metal film in the recess.
請求項１４に係る発明は、真空引き可能になされた処理容器と、凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、前記処理容器内に設けられて前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、前記バイアス電源を制御するバイアス電源制御部と、前記処理容器内へ導入させたガスをプラズマ化して前記金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを形成する工程と、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるようなバイアス電圧を印加して前記凹部に金属膜を堆積させて埋め込むようにする工程とを実行するように装置全体を制御する装置制御部と、を備えたことを特徴とするプラズマスパッタ成膜装置である。 According to a fourteenth aspect of the present invention, there is provided a processing container that can be evacuated, a mounting table for mounting the object to be processed in which a recess is formed, and a gas introducing means for introducing a predetermined gas into the processing container. A plasma generation source for generating plasma in the processing container, a metal target provided in the processing container to be ionized by the plasma, and a predetermined bias power to the mounting table A bias power source, a bias power source control unit for controlling the bias power source, a step of forming a metal ion by ionizing the metal target by converting the gas introduced into the processing vessel into plasma, and drawing into the metal ion Bias voltage that makes the film formation rate and the etching rate of sputter etching with plasma gas substantially balanced. , A device control unit for controlling the whole apparatus to perform the steps of the embed by depositing a metal film in the recess by applying a plasma sputter deposition apparatus comprising the.
本発明のスパッタ成膜方法及びプラズマスパッタ成膜装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮することができる。
請求項１〜５、１３、１４に係る発明によれば、載置台に供給するバイアス電力を制御して金属イオンに対する引き込みによる成膜とプラズマガスによるスパッタエッチングとを同時にバランスよく生じさせることによって半導体ウエハ表面に形成されている非常に微細な凹部の側壁に金属膜を均一に形成しつつこの凹部内の大部分を埋め込むことができる。この結果、被処理体の表面に形成されている凹部を、その後のメッキ処理を行うことにより例えば銅等の金属によりボイドを発生させることなく適正に埋め込むことができる。
According to the sputtering film forming method and a plasma sputter deposition apparatus of the present invention can exhibit excellent effects and advantages as follows.
According to the first to fifth, thirteen, and fourteenth aspects of the present invention, the bias power supplied to the mounting table is controlled so that film formation by drawing metal ions and sputter etching by plasma gas are simultaneously generated in a balanced manner. While the metal film is uniformly formed on the side wall of the very fine recess formed on the wafer surface, most of the recess can be embedded. As a result, the concave portion formed on the surface of the object to be processed can be appropriately embedded without generating voids by a metal such as copper by performing subsequent plating.
以下に、本発明に係るスパッタ成膜方法及びプラズマスパッタ成膜装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。
図１は本発明に係るプラズマスパッタ成膜装置の一例を示す断面図である。ここではプラズマスパッタ成膜装置としてＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）型プラズマスパッタ装置を例にとって説明する。図示するように、このプラズマスパッタ成膜装置１２は、例えばアルミニウム等により筒体状に成形された処理容器１４を有している。この処理容器１４は接地され、この底部１６には排気口１８が設けられて、スロットルバルブ６６を介して真空ポンプ６８により真空引き可能になされている。
Hereinafter will be described in detail based on an embodiment of a sputter deposition method and a plasma sputtering apparatus according to the present invention in the accompanying drawings.
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a plasma sputtering film forming apparatus according to the present invention. Here, an ICP (Inductively Coupled Plasma) type plasma sputtering apparatus will be described as an example of the plasma sputtering film forming apparatus. As shown in the figure, this plasma sputter film forming apparatus 12 has a processing container 14 formed into a cylindrical shape from, for example, aluminum. The processing vessel 14 is grounded, and an exhaust port 18 is provided in the bottom portion 16 so that it can be evacuated by a vacuum pump 68 through a throttle valve 66.
ここでプラズマスパッタ成膜装置１２の各構成部は、装置制御部１００に接続されて制御される構成となっている。具体的には装置制御部１００は、バイアス電源制御部４０、高周波電源５０、可変直流電源５８、ガス制御部６４、スロットルバルブ６６、真空ポンプ６８等の動作を制御し、本発明の金属膜を成膜する時に次のように動作する。
まず真空ポンプ６８を動作させることにより真空にされた処理容器１４内に、ガス制御部６４を動作させつつＡｒガスを流し、スロットルバルブ６６を制御して処理容器１４内を所定の真空度に維持する。その後、可変直流電源５８を介してＤＣ電力を金属ターゲット５６に印加し、更に高周波電源５０を介して誘導コイル部４８に高周波電力を印加する。
Here, each component of the plasma sputter deposition apparatus 12 is connected to and controlled by the apparatus controller 100. Specifically, the device control unit 100 controls the operations of the bias power supply control unit 40, the high frequency power supply 50, the variable DC power supply 58, the gas control unit 64, the throttle valve 66, the vacuum pump 68, etc. When the film is formed, it operates as follows.
First, Ar gas is caused to flow into the processing container 14 that has been evacuated by operating the vacuum pump 68 while the gas control unit 64 is operated, and the inside of the processing container 14 is maintained at a predetermined degree of vacuum by controlling the throttle valve 66. To do. Thereafter, DC power is applied to the metal target 56 via the variable DC power supply 58, and further high frequency power is applied to the induction coil unit 48 via the high frequency power supply 50.
次に、以上のように構成されたプラズマスパッタ成膜装置を用いて行われる本発明方法について説明する。
＜第１実施例＞
図２はスパッタエッチングの角度依存性を示すグラフ、図３はバイアス電力とウエハ上面の成膜量との関係を示すグラフ、図４は本発明方法の第１実施例を説明するための各工程を示す図である。
まず本発明方法の特徴は、プラズマによるスパッタ成膜を行う際に、バイアス電力を適切な大きさに制御することにより、金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態にして、半導体ウエハに形成されている凹部の側壁に金属膜を堆積させつつ凹部を埋め込むようにした点である。
Next, the method of the present invention performed using the plasma sputter deposition apparatus configured as described above will be described.
<First embodiment>
FIG. 2 is a graph showing the angle dependence of sputter etching, FIG. 3 is a graph showing the relationship between the bias power and the amount of film formed on the wafer upper surface, and FIG. 4 is each step for explaining the first embodiment of the method of the present invention. FIG.
First, the method of the present invention is characterized in that when performing sputtering film formation by plasma, by controlling the bias power to an appropriate magnitude, the film formation rate by drawing into metal ions and the etching rate of sputter etching by plasma gas are reduced. In this state, the recesses are embedded while depositing a metal film on the side walls of the recesses formed in the semiconductor wafer in a state of being approximately balanced.
さて、図１に示すようなＩＣＰ型のプラズマスパッタ成膜装置では、ウエハＳ側に印加するバイアス電力とウエハ上面（凹部の側壁ではない）に堆積する成膜量との関係は図３に示すような関係となる。すなわち、一定のプラズマ発生用高周波電力を加えている状況において、バイアス電力がそれ程大きくない場合には、金属イオンの引き込みによって高い成膜量が得られるが、更にバイアス電力が増加すると、ウエハ表面がバイアス電力により加速されたプラズマガスのイオンによりスパッタされる傾向が次第に強くなり（図２参照）、この結果、折角、堆積した金属膜がエッチングされてしまう。このエッチングは当然のこととしてバイアス電力が大きくなる程、激しくなる。 In the ICP type plasma sputtering film forming apparatus as shown in FIG. 1, the relationship between the bias power applied to the wafer S side and the amount of film deposited on the wafer upper surface (not the side wall of the recess) is shown in FIG. It becomes such a relationship. That is, in a situation where a constant plasma generating high frequency power is applied, if the bias power is not so large, a high film formation amount can be obtained by drawing metal ions, but if the bias power further increases, the wafer surface The tendency to be sputtered by the ions of the plasma gas accelerated by the bias power is gradually increased (see FIG. 2), and as a result, the deposited metal film is etched. As a matter of course, this etching becomes more severe as the bias power increases.
そして、載置台２０上にウエハＳを載置した吸着固定したならば、成膜処理を開始する。この時、ウエハＳの上面には、図８において説明したようにビアホールやスルーホールや溝のような凹部２が形成されており、更に図１に示す装置と同様な構造の別のプラズマスパッタ成膜装置にて、Ｔａ金属をターゲットにして、ＴａＮ／Ｔａ膜等の積層構造よりなるバリヤ層４が、凹部２内の内面を含むウエハ表面の全面に予め搬入前に前工程で形成されている（図４（Ａ）参照）。尚、この凹部２の幅（溝の場合）や径（穴の場合）は、非常に微細化されて数１００ｎｍ以下であり、アスペクト比は最大５程度である。 Then, when the wafer S is mounted on the mounting table 20 and fixed by suction, the film forming process is started. At this time, a concave portion 2 such as a via hole, a through hole, or a groove is formed on the upper surface of the wafer S as described in FIG. 8, and another plasma sputtering process having the same structure as that of the apparatus shown in FIG. In the film apparatus, a barrier layer 4 having a laminated structure such as a TaN / Ta film is formed on the entire surface of the wafer surface including the inner surface in the concave portion 2 in advance in the previous process before carrying in, using Ta metal as a target. (See FIG. 4A). Note that the width (in the case of a groove) and the diameter (in the case of a hole) of the recess 2 are very fine and are several hundred nm or less, and the aspect ratio is about 5 at the maximum.
尚、上記のような銅の金属ターゲットが装着されたプラズマスパッタ成膜装置は、先のタンタルの金属ターゲットが装着されたプラズマスパッタ成膜装置に真空引き可能になされたトランスファチャンバを介して連結すればよく、半導体ウエハＳを大気に晒すことなく真空雰囲気中で両成膜装置間に亘って搬送することができる。
図４に戻って、このように、成膜処理によって凹部２内を順次埋め込んで行くと、図４（Ｆ）に示すように埋め込まれた凹部２の上面中央部に僅かな窪み部７２が発生することになり、この状態で成膜処理を終了する。
The plasma sputter deposition apparatus metal target is mounted in the copper as described above, be connected via a transfer chamber in which a metal target of the previous tantalum is made to be evacuated to a plasma sputtering deposition device mounted The semiconductor wafer S can be transferred between both film forming apparatuses in a vacuum atmosphere without exposing it to the atmosphere.
Returning to FIG. 4, when the recesses 2 are sequentially embedded in this way by the film forming process, a slight recess 72 is generated at the center of the upper surface of the recess 2 as shown in FIG. 4 (F). In this state, the film forming process is terminated.
このように成膜処理が完了したならば、ウエハＳをプラズマスパッタ成膜装置１２より取り出す。そして、この成膜処理後のウエハＳに対してメッキ処理を行うことにより、図４（Ｇ）に示すように上記僅かな窪み部７２を完全に埋め込むようにウエハＳの上面全体に先の金属膜６と同種の金属膜７４である銅膜を形成する。
この場合、この窪み部７２は、図８に示す埋め込み対象となる凹部２よりも僅かに浅いので、ここで用いるメッキ処理としては浅い窪み部７２を容易に埋め込むことができる簡易なメッキ処理、例えば用いる添加剤の種類が少ない２元系メッキ処理を用いることができる。
When the film forming process is completed in this way, the wafer S is taken out from the plasma sputter film forming apparatus 12. Then, by performing a plating process on the wafer S after the film formation process, the metal on the entire upper surface of the wafer S is completely embedded so as to completely fill the slight recess 72 as shown in FIG. A copper film that is the same kind of metal film 74 as the film 6 is formed.
In this case, the recess 72 is slightly shallower than the recess 2 to be embedded shown in FIG. 8, and as a plating process used here, a simple plating process that can easily fill the shallow recess 72, for example, It is possible to use a binary plating process that uses a small number of additives.
２ 凹部
４ バリヤ層
６ 金属膜（シード膜）
８ 金属膜
１２ プラズマスパッタ成膜装置
１４ 処理容器
２０ 載置台
２２ 静電チャック
３８ バイアス電源
４０ バイアス電源制御部
４６ プラズマ発生源
４８ 誘導コイル部
５０ 高周波電源
５６ 金属ターゲット
６２ ガスノズル（ガス導入手段）
７４ 金属膜
Ｓ 半導体ウエハ（被処理体）
Ｓ２ 被処理体
2 Recess 4 Barrier layer 6 Metal film (seed film)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 8 Metal film 12 Plasma sputter film-forming apparatus 14 Processing container 20 Mounting stand 22 Electrostatic chuck 38 Bias power supply 40 Bias power supply control part 46 Plasma generation source 48 Induction coil part 50 High frequency power supply 56 Metal target 62 Gas nozzle (gas introduction means)
74 Metal film S Semiconductor wafer (object to be processed)
S2 Object to be processed
Claims (14)
前記バイアス電力を、前記被処理体の前記金属ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜処理を行うようにしたことを特徴とするスパッタ成膜方法。 A metal target is ionized by plasma in a processing chamber that is evacuated to generate metal ions, and the metal ions are drawn into a target object mounted on a mounting table in the processing container by bias power to form a recess. In the sputter film forming method in which a metal film is deposited on the object to be processed and the recess is embedded.
The bias power is set so that the film formation rate by drawing the metal ions and the etching rate of sputter etching by plasma gas are substantially balanced with respect to the surface of the object to be processed facing the metal target. A sputtering film forming method characterized in that a film forming process is performed.
前記バイアス電力を、前記被処理体の前記金属ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートがプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートよりも遥かに大きくなるように設定して成膜を行う第１の成膜工程と、
前記バイアス電力を、前記対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して成膜を行う第２の成膜工程と、
を複数回順次繰り返し行うようにしたことを特徴とするスパッタ成膜方法。 A metal target is ionized by plasma in a processing chamber that is evacuated to generate metal ions, and the metal ions are drawn into a target object mounted on a mounting table in the processing container by bias power to form a recess. In the sputter film forming method in which a metal film is deposited on the object to be processed and the recess is embedded.
Deposition is performed with the bias power set so that the film formation rate by drawing the metal ions is much higher than the etching rate of the sputter etching by the plasma gas with respect to the surface of the object to be processed facing the metal target. A first film forming step to be performed;
Second deposition is performed by setting the bias power to a state in which the deposition rate by drawing into the metal ions and the etching rate of sputter etching by plasma gas are substantially balanced with respect to the opposing surface. A film forming process;
The sputter deposition method is characterized in that the process is repeatedly performed a plurality of times.
凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、
前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、
前記処理容器内に設けられて前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、
前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、
前記バイアス電源を制御するバイアス電源制御部と、を有するプラズマスパッタ成膜装置において、
前記バイアス電源制御部は、前記バイアス電源より出力されるバイアス電力を、前記被処理体の前記ターゲットに対する対向面に関して、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるように設定して、前記凹部に金属膜を堆積させて埋め込むように構成したことを特徴とするプラズマスパッタ成膜装置。 A processing vessel that can be evacuated;
A mounting table for mounting the object to be processed in which the recess is formed;
Gas introduction means for introducing a predetermined gas into the processing container;
A plasma generation source for generating plasma in the processing vessel;
A metal target provided in the processing vessel and to be ionized by the plasma;
A bias power supply for supplying a predetermined bias power to the mounting table;
In a plasma sputter deposition apparatus having a bias power supply control unit for controlling the bias power supply,
The bias power supply control unit has a bias power output from the bias power supply, with respect to a surface of the object to be processed facing the target, a film formation rate by drawing the metal ions and an etching rate by sputter etching using plasma gas. set to be in a state such that substantially equilibrium plasma sputtering deposition apparatus characterized by being configured so as to be embedded by depositing a metal film in the recess.
凹部の形成された被処理体を載置するための載置台と、
前記処理容器内へ所定のガスを導入するガス導入手段と、
前記処理容器内へプラズマを発生させるためのプラズマ発生源と、
前記処理容器内に設けられて前記プラズマによりイオン化されるべき金属ターゲットと、
前記載置台に対して所定のバイアス電力を供給するバイアス電源と、
前記バイアス電源を制御するバイアス電源制御部と、
前記処理容器内へ導入させたガスをプラズマ化して前記金属ターゲットをイオン化させて金属イオンを形成する工程と、前記金属イオンに対する引き込みによる成膜レートとプラズマガスによるスパッタエッチングのエッチングレートとが略均衡するような状態になるようなバイアス電圧を印加して前記凹部に金属膜を堆積させて埋め込むようにする工程とを実行するように装置全体を制御する装置制御部と、
を備えたことを特徴とするプラズマスパッタ成膜装置。 A processing vessel that can be evacuated;
A mounting table for mounting the object to be processed in which the recess is formed;
Gas introduction means for introducing a predetermined gas into the processing container;
A plasma generation source for generating plasma in the processing vessel;
A metal target provided in the processing vessel and to be ionized by the plasma;
A bias power supply for supplying a predetermined bias power to the mounting table;
A bias power supply controller for controlling the bias power supply;
The gas introduced into the processing vessel is turned into plasma and the metal target is ionized to form metal ions, and the deposition rate by drawing the metal ions and the etching rate of sputter etching by plasma gas are substantially balanced. A device control unit that controls the entire device so as to perform a step of applying a bias voltage so as to be in a state of depositing and embedding a metal film in the concave portion;
A plasma sputter film forming apparatus comprising:
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