JP2006138754A - Disc surface inspection method and its device - Google Patents

Disc surface inspection method and its device Download PDF

Info

Publication number
JP2006138754A
JP2006138754A JP2004328922A JP2004328922A JP2006138754A JP 2006138754 A JP2006138754 A JP 2006138754A JP 2004328922 A JP2004328922 A JP 2004328922A JP 2004328922 A JP2004328922 A JP 2004328922A JP 2006138754 A JP2006138754 A JP 2006138754A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
disk substrate
texture
light
scattered light
laser
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004328922A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
実 ▲吉▼田
Minoru Yoshida
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi High Tech Corp
Original Assignee
Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd filed Critical Hitachi High Tech Electronics Engineering Co Ltd
Priority to JP2004328922A priority Critical patent/JP2006138754A/en
Publication of JP2006138754A publication Critical patent/JP2006138754A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a device for inspecting the determination of existence and uniformity of a texture, which is fine irregularity, processed in both surfaces of a transparent disc substrate made of glass material or the like. <P>SOLUTION: In this method and device, laser beams are radiated to the circumferential texture formed on both surfaces of the disc substrate made of the glass material, and the surface roughness of the disc substrate is measured. The laser beams are collected, the angle between the optical axis of the laser beams coming into the surfaces of the disc substrate and the texture is set square, the scattered light from the disc substrate surface and the scattered light from the disc substrate rear face are received on the sensor, and the scattered light intensity output is calculated based on a light receiving signal and displayed. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ディスク基板の表面粗さを検出する検査装置に係り、特にハードディスク装
置用の記録媒体であるディスク基板の表面粗さを検査するディスク表面検査方法及びその
装置に関する。
The present invention relates to an inspection apparatus for detecting the surface roughness of a disk substrate, and more particularly to a disk surface inspection method and apparatus for inspecting the surface roughness of a disk substrate that is a recording medium for a hard disk device.

ハードディスク装置に用いる磁気記録用媒体には、磁性体を蒸着したディスク基板が使
用される。このディスク基板に磁気ヘッドで磁化して磁気的にデータを記録、再生をする
。このディスク基板の両面には、磁気ヘッドの吸着防止及び、磁気特性改善のためテクス
チャと呼ばれる微細な凹凸が加工される。このテクスチャは、磁性体などを蒸着する前に
加工される。ハードディスク装置の製造において、このディスク基板にテクスチャの無い
もの、粗さむらが生じたものを用いた場合、磁気ヘッドの吸着によるディスク基板の破損
や、ヘッドの浮上障害による信号不良などの致命的な不良が発生することになる。磁性体
などを蒸着した状態で不良が発生するとコスト面で不利となるため、テクスチャ加工直後
に不良品を排除することが重要である。
As a magnetic recording medium used in a hard disk device, a disk substrate on which a magnetic material is deposited is used. The disk substrate is magnetized by a magnetic head, and data is recorded and reproduced magnetically. On both sides of this disk substrate, fine irregularities called textures are processed to prevent magnetic head adsorption and improve magnetic properties. This texture is processed before depositing a magnetic material or the like. In the manufacture of hard disk drives, if this disk substrate has no texture or roughness, fatal damage such as damage to the disk substrate due to magnetic head adsorption or signal failure due to head flying failure Defects will occur. It is important to eliminate defective products immediately after texturing because defects occur in a state where a magnetic material or the like is deposited, which is disadvantageous in terms of cost.

従来のテクスチャの計測方法は、AFM(Atomic Force Microscope)を用いた表面粗さの
測定が一般に使用されている。AFMによる測定では、スループットが著しく遅く、ディス
ク基板の全面検査を容易に行うことが出来ない。また、測定プローブが消耗品であること
、プローブの消耗による測定再現性が変動するなどの問題があった。
As a conventional texture measurement method, surface roughness measurement using an AFM (Atomic Force Microscope) is generally used. In the AFM measurement, the throughput is remarkably slow and the entire disk substrate cannot be easily inspected. In addition, there are problems that the measurement probe is a consumable item and the measurement reproducibility varies due to the probe consumption.

そのため、量産工程においては、ディスク基板の安定製造のためには、スループットが
高く全数検査が可能で、微細な凹凸が計測可能なディスク表面検査装置が望まれている。
ディスク基板の表面粗さを測定する方法として、現在、特許文献1(特表2003-528413号
公報)に示されるように、薄膜を蒸着したディスク基板の表面に光を照射し、その散乱光
をスキャトロメータで集光し、得られた信号強度分布から表面に形成した薄膜の厚み、劣
化、磨耗などを検出するものがある。この方法によると、ディスク基板上の深い、もしく
は異常なテクスチャの検出は可能であるとしている。これは、深いもしくは異常なテクス
チャには、炭素が少ない、または、汚染物を有しているため、照明光の偏光の比率を変え
ることによって、屈折率の変化を検出することで可能となる。
Therefore, in the mass production process, there is a demand for a disk surface inspection apparatus that has a high throughput and is capable of 100% inspection and can measure fine irregularities in order to stably manufacture the disk substrate.
As a method for measuring the surface roughness of a disk substrate, currently, as shown in Patent Document 1 (Japanese Patent Publication No. 2003-528413), the surface of the disk substrate on which a thin film is deposited is irradiated with light, and the scattered light is Some of them collect light with a scatterometer and detect the thickness, deterioration, wear, etc. of the thin film formed on the surface from the obtained signal intensity distribution. According to this method, it is possible to detect a deep or abnormal texture on the disk substrate. This is possible by detecting a change in the refractive index by changing the ratio of the polarization of the illumination light because the deep or abnormal texture has less carbon or has contaminants.

しかしながら、この方法であると、異常の有無は検出可能であるが、一様に加工された
テクスチャの検出は屈折率の変化が発生しないため、テクスチャが全面に加工されていな
い不良や、均一に加工されているかの識別が出来ないなどの問題がある。
However, with this method, it is possible to detect the presence or absence of abnormalities, but since the detection of uniformly processed texture does not cause a change in refractive index, the texture is not processed completely on the entire surface. There is a problem that it cannot be identified whether it is processed.

また、半導体の異物検査装置では非特許文献1(Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32(1993)pp
.352-357)に示されるように、CCDカメラを用いた装置が開示されている。この装置は、L
SIウェハ上に付着した数十ナノメートル程度の微小異物の検出が可能である。しかし、LS
Iは、一般的にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャ
の検査に用いると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の
表面の円周方向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面
内で一定の方向に変動するため、散乱光の強度も変動する。当然ながら、測定アルゴリズ
ムが異物の有無を判定するためのものであるため、テクスチャの表面粗さを測定すること
ができない。
In addition, non-patent literature 1 (Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 32 (1993) pp.
.352-357), an apparatus using a CCD camera is disclosed. This device is L
It is possible to detect minute foreign matter of about several tens of nanometers adhering to the SI wafer. But LS
Since I is generally arranged in the X and Y directions, if this is used to inspect the texture of the disk substrate, the optical axis of the incident laser beam and the surface of the disk substrate are moved when the measurement position is moved. Since the angle formed by the texture streaks formed in the circumferential direction of the substrate fluctuates in a certain direction in the horizontal plane and the vertical plane of the substrate, the intensity of the scattered light also varies. Naturally, since the measurement algorithm is for determining the presence or absence of foreign matter, the surface roughness of the texture cannot be measured.

このように、従来の検査方法を用いたディスク基板あるいはウェハ表面の検査技術では
、テクスチャの有無や、一様に加工されているがその表面荒さの大きさが判別することが
できないため、ディスク基板の不良品の発生が避けられず、ディスク基板の製造歩留まり
が低下する。
As described above, the disk substrate or wafer surface inspection technology using the conventional inspection method cannot determine the presence or absence of the texture or the surface roughness of the disk substrate that has been processed uniformly. The generation of defective products is inevitable, and the manufacturing yield of the disk substrate is lowered.

特表2003-528413号公報Special Table 2003-528413 Publication Fine Particle Inspection Down to 38nm Bare Wafer with Micro Roughness by Side-Sccttering Light Detection(Jpn. J. Appl. Phys. Vol.32)1993)pp。352-357)Fine Particle Inspection Down to 38nm Bare Wafer with Micro Roughness by Side-Sccttering Light Detection (Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 32) 1993) pp. 352-357)

面記録密度の向上や、ハードディスク装置の小型化によって、ディスク基板の表面粗さ
はより小さくなる傾向がある。また、ディスク基板の材質も従来のアルミ合金から剛性の
高いガラス素材に移行しつつある。そのため、ガラス素材のような透明なディスク基板を
、非破壊で、高精度、高速かつ再現性のよい測定方法が必要である。
The surface roughness of the disk substrate tends to become smaller due to the improvement of the surface recording density and the miniaturization of the hard disk device. Also, the material of the disk substrate is shifting from a conventional aluminum alloy to a glass material having high rigidity. Therefore, there is a need for a non-destructive, high-accuracy, high-speed, and reproducible measurement method for a transparent disk substrate such as a glass material.

さらに、半導体ウェハの異物検査装置では、測定の横分解能は高いが、LSIは、一般的
にXY方向に配列して作成されているため、これをディスク基板のテクスチャの検査に用い
ると、測定位置を移動した際に、入射したレーザ光の光軸とディスク基板の表面の円周方
向に形成されたテクスチャの筋がなす角度が、基板の水平面内および垂直面内で一定の方
向に変動するため、散乱光の強度も変動するため、高精度に測定できない。
Furthermore, in the foreign matter inspection device for semiconductor wafers, the lateral resolution of measurement is high, but LSIs are generally arranged in the XY direction, so if this is used to inspect the texture of a disk substrate, the measurement position The angle between the optical axis of the incident laser beam and the texture streaks formed in the circumferential direction of the disk substrate surface fluctuates in a certain direction in the horizontal and vertical planes of the substrate. Since the intensity of scattered light also fluctuates, it cannot be measured with high accuracy.

従って、本発明が解決しようとする課題は、ガラス素材のような透明なディスク基板に
おいて、両面に加工された微小な凹凸であるテクスチャの有無、均一性の判断を検査する
装置を提供することにある。また、本発明が解決しようとする更なる課題は、上記検査方
法及び検査装置により、ディスク基板のテクスチャの不良を選別し、不良品のディスク基
板の発生を低減可能なディスク基板の製造方法を提供することである。
Therefore, the problem to be solved by the present invention is to provide an apparatus for inspecting the presence / absence of a texture, which is a minute unevenness processed on both sides, on a transparent disk substrate such as a glass material, and determination of uniformity. is there. The present invention also provides a method of manufacturing a disk substrate capable of sorting out defects in the texture of the disk substrate and reducing the occurrence of defective disk substrates by the above-described inspection method and inspection apparatus. It is to be.

上記課題を解決するため、本発明において、ガラス素材のディスク基板の両面に形成さ
れた、円周方向のテクスチャに対し、レーザ光を照射して、該ディスク基板の表面粗さを
測定する方法・装置において、上記レーザ光を集束し、ディスク基板の表面に入射するレ
ーザ光の光軸と、テクスチャの角度を直角とし、ディスク基板表面からの散乱光とディス
ク基板裏面からの散乱光をセンサ上に受光し、受光信号から散乱光強度出力を算出し、散
乱光強度出力を表示するようにした。
In order to solve the above problems, in the present invention, a method of measuring the surface roughness of a disk substrate by irradiating laser light to the circumferential texture formed on both sides of the disk substrate made of glass. In the apparatus, the laser beam is focused, the optical axis of the laser beam incident on the surface of the disk substrate and the texture angle are perpendicular, and the scattered light from the disk substrate surface and the scattered light from the back surface of the disk substrate are placed on the sensor. The scattered light intensity output was calculated from the received light signal, and the scattered light intensity output was displayed.

また、上記センサには光電変換可能なセンサを用いるようにした。さらに、ディスク基
板の表面に入射するレーザ光の上記入射角度は20度から30度とした。磁気ディスク基板の
製造方法において、上記方法・装置により、ディスク基板のテクスチャが加工されていな
い、分布が均一でないと判定されたディスク基板を製造工程から排出するようにした。
In addition, a sensor capable of photoelectric conversion is used as the sensor. Further, the incident angle of the laser light incident on the surface of the disk substrate was set to 20 degrees to 30 degrees. In the method of manufacturing a magnetic disk substrate, the disk substrate whose texture is not processed and whose distribution is determined to be non-uniform by the above-described method and apparatus is discharged from the manufacturing process.

本発明によれば、ガラス素材のディスク基板に加工されたテクスチャからの散乱光を両
面同時に検出することで、両面検査の可否の判断が可能となり、さらに測定時間を短縮す
ることが可能で、測定値の信頼性が高いディスク基板の表面粗さの検査が可能との効果を
奏する。また、片面のみの加工不良を簡単に判別可能であるため、一度の検査で不良品を
排出する効果を奏する。
According to the present invention, it is possible to determine whether double-sided inspection is possible by simultaneously detecting both sides of the scattered light from the texture processed on the disk substrate of the glass material, and it is possible to further reduce the measurement time, There is an effect that it is possible to inspect the surface roughness of the disk substrate with high reliability. In addition, since it is possible to easily determine a processing defect on only one side, there is an effect of discharging a defective product in a single inspection.

以下に、本発明を実施するための最良の形態を説明する。   The best mode for carrying out the present invention will be described below.

本発明に係るディスク表面検査方法及びその装置の実施例を図1に示す。本装置および
方法は、磁性体などを成膜する前におけるガラス素材のディスク基板を対象とする。ディ
スク基板1は、回転ステージ2に図示しない方法で固定される。固定する機構部は、ディ
スク基板1の表面に出ない構造とする。回転ステージ2は紙面に対して水平方向に移動可
能な水平ステージ3に固定される。レーザ光源4には、例えば波長532nmのYAG2倍波のレ
ーザ、もしくは波長400〜410nmのレーザダイオードの可視光レーザ、あるいは波長350nm
程度の紫外光レーザ、または、波長266nm程度の遠紫外光レーザを使用する。レーザ光は
、光束を遮断可能なレーザシャッタ5を通過し、レーザ光をある大きさに拡大可能なビー
ムエキスパンダ6を透過し、光量調整フィルタ7により照射する光量を調整可能である。
拡大されたレーザ光は、集光レンズ8により絞り込まれ、斜方ミラー9によりディスク基
板1の表面に斜めから光束10によって照射される。絞り込まれる光束は、レーザ光の波
長、ビーム径、集光レンズの焦点距離によって決まる。本実施例においては、約100ミ
クロンに設定した。対物レンズ11は、照明する位置の上部に設置する。対物レンズ11
及び結像レンズ12によって、センサ部13にディスク基板1の表面を結像する。コンピ
ュータ14は、回転ステージ2、水平ステージ3、レーザシャッタ5、光量調整フィルタ
7、センサ部13を制御可能であり、センサ部13の出力結果を蓄積し、解析可能な処理
装置も有する。さらに、回転ステージ2、水平ステージ3の位置情報も記憶可能である。
入力手段15により各種検査パラメータなどを入力可能である。表示手段16は、検出結
果の表示、入力画面などを表示可能である。
An embodiment of a disk surface inspection method and apparatus according to the present invention is shown in FIG. The present apparatus and method are directed to a disk substrate made of a glass material before forming a magnetic material or the like. The disk substrate 1 is fixed to the rotary stage 2 by a method not shown. The mechanism part to be fixed has a structure that does not appear on the surface of the disk substrate 1. The rotary stage 2 is fixed to a horizontal stage 3 that can move in the horizontal direction with respect to the paper surface. The laser light source 4 includes, for example, a YAG double wave laser having a wavelength of 532 nm, a visible light laser of a laser diode having a wavelength of 400 to 410 nm, or a wavelength of 350 nm.
An ultraviolet laser having a wavelength of about 266 nm or a far ultraviolet laser having a wavelength of about 266 nm is used. The laser light passes through the laser shutter 5 that can block the light beam, passes through the beam expander 6 that can expand the laser light to a certain size, and can adjust the amount of light emitted by the light amount adjustment filter 7.
The expanded laser light is narrowed down by the condenser lens 8 and irradiated onto the surface of the disk substrate 1 by a light beam 10 from an oblique direction by an oblique mirror 9. The focused light beam is determined by the wavelength of the laser beam, the beam diameter, and the focal length of the condenser lens. In this example, it was set to about 100 microns. The objective lens 11 is installed above the position to be illuminated. Objective lens 11
Then, the surface of the disk substrate 1 is imaged on the sensor unit 13 by the imaging lens 12. The computer 14 can control the rotary stage 2, the horizontal stage 3, the laser shutter 5, the light amount adjustment filter 7, and the sensor unit 13, and has a processing device that can accumulate and analyze the output results of the sensor unit 13. Further, position information of the rotary stage 2 and the horizontal stage 3 can be stored.
Various inspection parameters can be input by the input means 15. The display means 16 can display a detection result display, an input screen, and the like.

図2にディスク基板1と照明光束10の関係を示す。ディスク基板1には微小な凹凸部
であるテクスチャ50が円周上に全面に加工されている。テクスチャはピッチが50nm以下
で算術的平均表面粗さ(Ra)が1nm以下の凹凸である。照明光束10は、図1で示した集光
レンズ8と斜方ミラー9によってディスク基板1上でスポット17を形成する。照明光束
10とテクスチャ50は、直角方向になるように設定する。
FIG. 2 shows the relationship between the disk substrate 1 and the illumination light beam 10. On the disk substrate 1, a texture 50, which is a minute uneven portion, is processed on the entire surface on the circumference. The texture is uneven with a pitch of 50 nm or less and an arithmetic average surface roughness (Ra) of 1 nm or less. The illumination light beam 10 forms a spot 17 on the disk substrate 1 by the condenser lens 8 and the oblique mirror 9 shown in FIG. The illumination light beam 10 and the texture 50 are set to be perpendicular to each other.

図3に検出概念を示す。光束10は斜めからディスク基板1のテクスチャ50に照明す
る。照明光束10は、ディスク基板1が透明なガラス素材の場合、一部の光が反対側に透
過光18として透過し、一部の光が反射光19として反射する。テクスチャ50の凹凸は
、照明光束10と直角に配置することにより、表面の凹凸部で回折し、散乱光20が発生
する。この散乱光20の上方に発生する光を対物レンズ11で捕捉する。対物レンズ11
で捕捉した光は、結像レンズ12によってセンサ部13に集光され、センサ部13で光電
変換することにより、ディスク基板1の表面情報を検出することが出来る。
FIG. 3 shows the detection concept. The light beam 10 illuminates the texture 50 of the disk substrate 1 from an oblique direction. When the disk substrate 1 is made of a transparent glass material, the illumination light beam 10 transmits part of light as transmitted light 18 on the opposite side and part of light reflects as reflected light 19. The unevenness of the texture 50 is diffracted by the uneven portion on the surface by being arranged at right angles to the illumination light beam 10, and the scattered light 20 is generated. Light generated above the scattered light 20 is captured by the objective lens 11. Objective lens 11
The light captured in step 1 is condensed on the sensor unit 13 by the imaging lens 12 and photoelectrically converted by the sensor unit 13 so that the surface information of the disk substrate 1 can be detected.

図4にシミュレーションで求めた照明光束10の角度変化による散乱強度を示す。横軸
は入射角度である。入射角度は、ディスク基板1に対して水平方向に入射した場合を0度
とし、対物レンズ側を90度とする。縦軸は、散乱強度を示し、相対値である。同図にお
いて、入射角度が20〜30度において散乱強度が最高となり、かつ大きな変化がないことが
わかる。よって、この付近の角度で照明すれば散乱光は効率よく発生することが可能であ
る。本実施例においては、入射角度を、20〜30度になるように設定した。
FIG. 4 shows the scattering intensity due to the change in the angle of the illumination light beam 10 obtained by simulation. The horizontal axis is the incident angle. The incident angle is 0 degree when incident on the disk substrate 1 in the horizontal direction and 90 degrees on the objective lens side. The vertical axis represents the scattering intensity and is a relative value. In the figure, it can be seen that the scattering intensity is highest at an incident angle of 20 to 30 degrees and there is no significant change. Therefore, scattered light can be efficiently generated if illumination is performed at an angle close to this. In this example, the incident angle was set to 20 to 30 degrees.

図5a及び図5bに本実施例によるセンサ13での検出画像の例を示す。それぞれ、セ
ンサ13にCCDカメラを用いた場合の画像の例である。図5aは、テクスチャが加工されて
いないディスク基板を検出した結果である。検出画像と断面A-Aの波形を示し、横軸に画
素、縦軸に輝度を示す。回折光が発生しないため、全体的に輝度が低い。図5bは、テク
スチャが加工されたディスク基板を検出した結果である。同様に検出画像と断面A-Aの波
形を示す。検出画像には、規則的に並んだテクスチャ50の縦ラインが検出されており、
輝度の変化が検出されている。このように、テクスチャの有無によって、検出光量が変化
することが分かる。
5a and 5b show examples of images detected by the sensor 13 according to this embodiment. Each is an example of an image when a CCD camera is used as the sensor 13. FIG. 5a shows the result of detecting a disk substrate that has not been textured. The detected image and the waveform of the cross section AA are shown, the horizontal axis represents pixels, and the vertical axis represents luminance. Since no diffracted light is generated, the overall brightness is low. FIG. 5b shows the result of detecting a disk substrate with a texture processed. Similarly, the detected image and the waveform of the cross section AA are shown. In the detected image, the vertical lines of the texture 50 regularly arranged are detected,
A change in brightness is detected. Thus, it can be seen that the detected light amount changes depending on the presence or absence of the texture.

図6に本実施例によるセンサ13に光電変換センサを用いた場合の例を示す。ディスク
基板1は静止状態である。横軸はサンプリング時間、縦軸はセンサ出力を示す。波形21
は図5aに示した、ディスク基板1にテクスチャが加工されていない状態を検出したとき
の波形である。波形22は図5bに示したテクスチャが加工された状態である。
FIG. 6 shows an example in which a photoelectric conversion sensor is used as the sensor 13 according to this embodiment. The disk substrate 1 is stationary. The horizontal axis represents the sampling time, and the vertical axis represents the sensor output. Waveform 21
FIG. 5A shows a waveform when a state in which the texture is not processed on the disk substrate 1 shown in FIG. 5A is detected. A waveform 22 is a state in which the texture shown in FIG.

図7にテクスチャの表面粗さが異なる場合のセンサ出力を示す。横軸はテクスチャの表
面粗さ(Ra)、縦軸はセンサ出力を示す。図6と同様に、波形24は、テクスチャが加工さ
れていない場合は、センサ出力が0付近となり、表面粗さ(Ra)が粗くなるとセンサ出力が
大きくなり、表面粗さ(Ra)とセンサ出力に相関があることがわかる。例えば、図7の例で
表面粗さ(Ra)が変化する場合において、しきい値25を設定すると、そのしきい値25以
下の表面粗さ(Ra)0.3nm以下は不良品として排除可能となる。
FIG. 7 shows the sensor output when the surface roughness of the texture is different. The horizontal axis represents the surface roughness (Ra) of the texture, and the vertical axis represents the sensor output. Similar to FIG. 6, in the waveform 24, when the texture is not processed, the sensor output becomes near 0, and the sensor output increases as the surface roughness (Ra) increases, and the surface roughness (Ra) and the sensor output increase. It can be seen that there is a correlation. For example, when the surface roughness (Ra) changes in the example of FIG. 7, if the threshold value 25 is set, a surface roughness (Ra) of 0.3 nm or less below the threshold value 25 can be excluded as a defective product. Become.

図8にガラス素材のディスク基板における光軸の変化を示す。ディスク基板1の表面に
テクスチャ50が、裏面にテクスチャ51が加工されている状態を示す。斜めから照明光
束10がディスク基板1に照射されると、表面で反射する光束19と、ガラス内部に入射
する光束26に分離される。光束26は、裏面で外に出る光束18と、裏面で反射する光
束27に分離される。光束27は表面で外に出る光束28と再度内部に反射する光に分離
される。この反射を繰り返しながら光束は進んで行く。表面のテクスチャ50では、最初
の光束10によって散乱光20が発生する。光束26によって裏面のテクスチャ51でデ
ィスク基板1の内部に散乱光29が発生する。さらに、光束27によって表面のテクスチ
ャ50で再度、散乱光30が発生する。ディスク基板1を表面上部から観察すると、最初
の散乱光20は、スポット31となり、裏面での散乱光29は、ガラスが透明であるため
、スポット32のように観察される。さらに再度表面で発生した散乱光30は、スポット
33となる。このスポットの間隔Pは、波長、入射角度、厚さ、材質で計算される。裏面
からのスポット32はこのピッチPの1/2となる。散乱光30は、反射、屈折を繰り返した
光束での散乱のため、かなり光量は低減する。
FIG. 8 shows the change of the optical axis in the disk substrate made of glass. The texture 50 is processed on the front surface of the disk substrate 1 and the texture 51 is processed on the back surface. When the illumination light beam 10 is irradiated on the disk substrate 1 from an oblique direction, it is separated into a light beam 19 reflected on the surface and a light beam 26 incident on the inside of the glass. The light beam 26 is separated into a light beam 18 that exits on the back surface and a light beam 27 that reflects on the back surface. The light beam 27 is separated into a light beam 28 that exits on the surface and light that is reflected internally again. The light beam advances while repeating this reflection. In the surface texture 50, scattered light 20 is generated by the first light beam 10. Scattered light 29 is generated inside the disk substrate 1 by the light flux 26 with the texture 51 on the back surface. Furthermore, the scattered light 30 is generated again by the light flux 27 in the surface texture 50. When the disk substrate 1 is observed from the upper surface, the first scattered light 20 becomes a spot 31 and the scattered light 29 on the back surface is observed like a spot 32 because the glass is transparent. Further, the scattered light 30 generated again on the surface becomes a spot 33. The spot interval P is calculated by wavelength, incident angle, thickness, and material. The spot 32 from the back surface is ½ of the pitch P. Since the scattered light 30 is scattered by a light beam that has been repeatedly reflected and refracted, the amount of light is considerably reduced.

図9に対物レンズ11の検出範囲を示す。対物レンズ11の検出視野34は、ディスク
基板1上では、スポット31と32を同時に検出可能に設定する。
FIG. 9 shows the detection range of the objective lens 11. The detection field 34 of the objective lens 11 is set so that spots 31 and 32 can be detected simultaneously on the disk substrate 1.

図1におけるセンサ部13の実施例を図10から図16で説明する。   An embodiment of the sensor unit 13 in FIG. 1 will be described with reference to FIGS.

図10にセンサ部13の一実施例を示す。ディスク基板1での散乱光の発生状態は、図
8と同じであるため、説明は割愛する。ミラー100は中心にスポット31が透過可能な
ピンホール101を施す。ピンホール101を透過した光は、光電子倍増管102に入射
する。光電子倍増管102は高圧電源103により駆動し、電流電圧変換回路104によ
り、光電子倍増管102によって得られた電流を電圧に変換して出力される。また、スポ
ット32の光束はミラー100で反射する。同様に、光電子倍増管105は高圧電源10
6により駆動し、電流電圧変換回路107により、光電子倍増管105によって得られた
電流を電圧に変換して出力される。よって、光電子倍増管102ではスポット31の検出
が、光電子倍増管105ではスポット32の検出がそれぞれ可能となる。図8で説明した
、スポット32は図9で説明した検出視野から外れるため、センサ部13には光束が到達
しない。
FIG. 10 shows an embodiment of the sensor unit 13. Since the generation state of the scattered light on the disk substrate 1 is the same as that in FIG. 8, the description is omitted. The mirror 100 is provided with a pinhole 101 through which the spot 31 can be transmitted. The light transmitted through the pinhole 101 enters the photomultiplier tube 102. The photomultiplier tube 102 is driven by a high-voltage power source 103, and the current-voltage conversion circuit 104 converts the current obtained by the photoelectron multiplier tube 102 into a voltage and outputs it. Further, the light flux of the spot 32 is reflected by the mirror 100. Similarly, the photomultiplier tube 105 is a high voltage power source 10.
6, and the current / voltage conversion circuit 107 converts the current obtained by the photoelectron multiplier 105 into a voltage and outputs the voltage. Therefore, the photomultiplier tube 102 can detect the spot 31 and the photomultiplier tube 105 can detect the spot 32. Since the spot 32 described with reference to FIG. 8 is out of the detection visual field described with reference to FIG. 9, the light beam does not reach the sensor unit 13.

この構成において動作を説明する。図11に電流電圧変換回路104、107の出力の
一例を示す。テクスチャなしの状態での波形を200とする。例えば、両面にテクスチャ
が加工された場合ついて説明を行う。電流電圧変換回路104の出力を波形201とする
。表面にテクスチャ50が加工されているため、表面で散乱光が発生し、センサ出力が増
加する。電流電圧変換回路105の出力を波形202とする。裏面にもテクスチャ51が
加工されているため、裏面で散乱光が発生し、同様にセンサ出力が増加する。例えば、表
面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路104の出力は波形201
となるが、電流電圧変換回路107の出力は、散乱光が発生しないため、波形200とな
る。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、電流電圧変換回路104の出
力が波形200となる。これにより、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施され
ているかの判定が可能となる。
The operation in this configuration will be described. FIG. 11 shows an example of the outputs of the current / voltage conversion circuits 104 and 107. The waveform without texture is 200. For example, the case where the texture is processed on both sides will be described. The output of the current-voltage conversion circuit 104 is a waveform 201. Since the texture 50 is processed on the surface, scattered light is generated on the surface, and the sensor output increases. The output of the current-voltage conversion circuit 105 is a waveform 202. Since the texture 51 is also processed on the back surface, scattered light is generated on the back surface, and the sensor output increases similarly. For example, when the texture is processed only on the surface, the output of the current-voltage conversion circuit 104 is a waveform 201.
However, the output of the current-voltage conversion circuit 107 has a waveform 200 because scattered light is not generated. Similarly, when the texture is processed only on the back surface, the output of the current-voltage conversion circuit 104 has a waveform 200. As a result, it is possible to determine whether texture processing is performed on the front surface, back surface, or both surfaces.

図13にセンサ部13の別の実施例を示す。ディスク基板1での散乱光の発生状態は、
図8と同じであるため、説明は割愛する。遮光板108は、スポット31が透過可能なピ
ンホール109と、スポット32が透過可能なピンホール110を施す。シャッタ111
は、図示しない方法によって、ピンホール110の上部に移動し、スポット32の光束を
遮断することが可能である。ピンホール109,110を透過した光束は、光電子倍増管
102に入射する。光電子倍増管102は高圧電源103により駆動し、電流電圧変換回
路104により、光電子倍増管102によって得られた電子を電圧に変換して出力される
FIG. 13 shows another embodiment of the sensor unit 13. The generation state of scattered light on the disk substrate 1 is
Since it is the same as FIG. 8, description is omitted. The light shielding plate 108 is provided with a pinhole 109 through which the spot 31 can be transmitted and a pinhole 110 through which the spot 32 can be transmitted. Shutter 111
Can move to the top of the pinhole 110 by a method not shown, and block the light flux of the spot 32. The light flux that has passed through the pinholes 109 and 110 enters the photomultiplier tube 102. The photomultiplier tube 102 is driven by a high-voltage power source 103, and the current-voltage conversion circuit 104 converts the electrons obtained by the photoelectron multiplier tube 102 into a voltage and outputs the voltage.

この構成において動作を説明する。図14に電流電圧変換回路104の出力の一例を示
す。まず、ピンホール110が開放の状態で波形を取得する。次に、シャッタ111を駆
動させ、ピンホール110を遮断した状態での波形を取得する。この条件において、テク
スチャなしの状態でのセンサ出力の波形は203となる。ピンホール110が開放の状態
で、両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は波形204となる。ピンホール1
10を遮断した場合のセンサ出力は波形205となり、ピンホール110を遮断するとセ
ンサ出力が低下する。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場合は、ピンホール
110が開放の状態では、センサ出力の波形205となる。ピンホール110を遮断した
場合でもセンサ出力は波形205となる。同様に、裏面のみテクスチャが加工されている
場合は、ピンホール110が開放の状態でのセンサ出力は、波形205となり、ピンホー
ル110を遮断した場合のセンサ出力は波形203となる。これにより、表面、裏面ある
いは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる。
The operation in this configuration will be described. FIG. 14 shows an example of the output of the current / voltage conversion circuit 104. First, a waveform is acquired with the pinhole 110 open. Next, the shutter 111 is driven, and a waveform in a state where the pinhole 110 is blocked is acquired. Under this condition, the sensor output waveform in the state without texture is 203. When the pinhole 110 is open and the texture is processed on both sides, the sensor output is a waveform 204. Pinhole 1
When 10 is cut off, the sensor output becomes a waveform 205, and when the pinhole 110 is cut off, the sensor output decreases. For example, when the texture is processed only on the surface, the waveform 205 of the sensor output is obtained when the pinhole 110 is open. Even when the pinhole 110 is cut off, the sensor output becomes the waveform 205. Similarly, when the texture is processed only on the back surface, the sensor output when the pinhole 110 is open is a waveform 205, and the sensor output when the pinhole 110 is blocked is a waveform 203. As a result, it is possible to determine whether texture processing is performed on the front surface, back surface, or both surfaces.

図14にセンサ部13の別の実施例を示す。ディスク基板1での散乱光の発生状態は、
図8と同じであるため、説明は割愛する。スポット31とスポット32が同時に検出可能
に、ラインセンサ112を設置する。ラインセンサ112の出力はA/D変換器113によ
って光電変換される。
FIG. 14 shows another embodiment of the sensor unit 13. The generation state of scattered light on the disk substrate 1 is
Since it is the same as FIG. 8, description is omitted. The line sensor 112 is installed so that the spot 31 and the spot 32 can be detected simultaneously. The output of the line sensor 112 is photoelectrically converted by the A / D converter 113.

この構成において動作を説明する。図15にテクスチャなしでのA/D変換器113の出
力の一例を示す。横軸に画素を、縦軸にセンサ出力を示す。散乱光を検出しないため、セ
ンサ出力は一定となり波形206となる。次に、図16にテクスチャ検出時のA/D変換器
113の出力の一例を示す。両面にテクスチャが加工された場合のセンサ出力は、波形2
07となり、表面でのテクスチャ50では、ピーク208が検出され、裏面でのテクスチ
ャ51ではピーク209が検出される。例えば、表面のみテクスチャが加工されている場
合は、ピーク209は検出されず、裏面のみテクスチャが加工されている場合は、ピーク
208が検出されない。画素を2つの範囲に分割し、範囲210,211でピークを検出
すれば、表面、裏面あるいは両面にテクスチャ加工が施されているかの判定が可能となる
The operation in this configuration will be described. FIG. 15 shows an example of the output of the A / D converter 113 without texture. The horizontal axis represents pixels, and the vertical axis represents sensor output. Since the scattered light is not detected, the sensor output is constant and the waveform 206 is obtained. Next, FIG. 16 shows an example of the output of the A / D converter 113 at the time of texture detection. Sensor output when texture is processed on both sides is waveform 2
The peak 208 is detected in the texture 50 on the front surface, and the peak 209 is detected in the texture 51 on the back surface. For example, when the texture is processed only on the front surface, the peak 209 is not detected, and when the texture is processed only on the back surface, the peak 208 is not detected. If the pixel is divided into two ranges and peaks are detected in the ranges 210 and 211, it is possible to determine whether texture processing has been performed on the front surface, the back surface, or both surfaces.

図17に本実施例における検査方法の一実施例を示す。高速検査を行うため、ディスク
基板1を回転しながら、1回転後にスポット17の距離分だけ移動するように水平移動さ
せ、螺旋状211に検査を行うスパイラル方式とする。
FIG. 17 shows an embodiment of the inspection method in this embodiment. In order to perform high-speed inspection, a spiral system is used in which the disk substrate 1 is rotated while being horizontally moved so as to move by the distance of the spot 17 after one rotation, and the spiral 211 is inspected.

以上の構成において、動作を説明する。   The operation of the above configuration will be described.

図18に本実施例における検査のフローチャートを示す。検査するディスク基板1を回
転ステージ2にセットする。水平ステージ3を検査開始位置まで移動し、ディスク基板1
を回転させる。レーザシャッタ5を開放し、ディスク基板1にレーザ光を照射する。セン
サ部13の出力を判断して、両面にテクスチャが加工されているかの判定を行う。両面加
工されていない場合、片面のみ加工されている場合は、不良品として排除する。両面加工
されている場合は、水平ステージ3と回転ステージ2を同期させながら全面検査を行い、
検査終了後、レーザシャッタ5を閉じ、ディスク基板1を取り外す。
FIG. 18 shows a flowchart of inspection in this embodiment. A disk substrate 1 to be inspected is set on a rotary stage 2. The horizontal stage 3 is moved to the inspection start position, and the disk substrate 1
Rotate. The laser shutter 5 is opened and the disk substrate 1 is irradiated with laser light. The output of the sensor unit 13 is determined to determine whether the texture is processed on both sides. When both sides are not processed, when only one side is processed, it is excluded as a defective product. If both sides are processed, the entire stage is inspected while the horizontal stage 3 and the rotary stage 2 are synchronized.
After completion of the inspection, the laser shutter 5 is closed and the disk substrate 1 is removed.

図19に検査結果の一例を示す。横軸に検査位置、縦軸にセンサ出力を示す。ディスク
基板1の表面は波形212のような光量変化が検出される。この結果を判定するため、し
きい値213を波形212に設定する。このしきい値213より波形212が上であるか
下であるかを判定する。下の場合は、所望のテクスチャが加工されていないと判断し、不
良品とする。上の場合は、良品として判断し、波形212の各位置における輝度方向の変
化を求める。これらは、コンピュータ14によって高速に処理する。
FIG. 19 shows an example of the inspection result. The horizontal axis represents the inspection position, and the vertical axis represents the sensor output. On the surface of the disk substrate 1, a change in the amount of light such as a waveform 212 is detected. In order to determine this result, the threshold 213 is set to the waveform 212. It is determined whether the waveform 212 is above or below the threshold value 213. In the lower case, it is determined that the desired texture has not been processed, and is regarded as a defective product. In the above case, it is determined as a non-defective product, and the change in the luminance direction at each position of the waveform 212 is obtained. These are processed at high speed by the computer 14.

図20に表示部16の一例を示す。ディスク全体マップ、検査条件、検査結果などを表
示するものである。ディスク全体マップは、図19で求めた波形212の各位置における
輝度方向の変化をマッピングしたものである。
FIG. 20 shows an example of the display unit 16. The entire disk map, inspection conditions, inspection results, etc. are displayed. The entire disk map is obtained by mapping changes in the luminance direction at each position of the waveform 212 obtained in FIG.

本発明のディスク表面検査装置の概略構成を示す正面図である。It is a front view which shows schematic structure of the disk surface inspection apparatus of this invention. 本発明の実施例における照明とテクスチャの方向を示した図である。It is the figure which showed the direction of the illumination and the texture in the Example of this invention. 本発明の実施例における検出の概念図である。It is a conceptual diagram of the detection in the Example of this invention. 本発明の実施例における入射角度と散乱強度の関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship between the incident angle and scattering intensity in the Example of this invention. 本発明の実施例におけるCCDによる検出画像の一例を示し、断面A−Aを示した図である。It is the figure which showed an example of the detection image by CCD in the Example of this invention, and showed the cross section AA. 本発明の実施例におけるCCDによる検出画像の一例を示し、断面B-Bを示した図であるFIG. 5 is a diagram showing an example of a detection image by CCD in the embodiment of the present invention and showing a cross section BB 本発明の実施例における光電変換センサによる検出の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the detection by the photoelectric conversion sensor in the Example of this invention. 本発明の実施例によるAFM平均表面粗さとセンサ出力の関係を示した図である。It is the figure which showed the relationship of the AFM average surface roughness and sensor output by the Example of this invention. 本発明の実施例による照明光の光路を説明した図である。It is a figure explaining the optical path of the illumination light by the Example of this invention. 本発明の実施例における対物レンズの視野を示す図である。It is a figure which shows the visual field of the objective lens in the Example of this invention. 本発明におけるセンサ部の一実施例である。It is one Example of the sensor part in this invention. 図10で検出されるセンサの出力例を示す図である。It is a figure which shows the example of an output of the sensor detected in FIG. 本発明におけるセンサ部の一実施例である。It is one Example of the sensor part in this invention. 図12で検出されるセンサの出力例を示す図である。It is a figure which shows the example of an output of the sensor detected in FIG. 本発明におけるセンサ部の一実施例である。It is one Example of the sensor part in this invention. 図14で検出されるセンサの出力例を示す図である。It is a figure which shows the example of an output of the sensor detected in FIG. 図14で検出されるセンサの出力例を示す図である。It is a figure which shows the example of an output of the sensor detected in FIG. 本発明における検査方法の例を示した図である。It is the figure which showed the example of the test | inspection method in this invention. 本発明における検査のフローチャートを示した図である。It is the figure which showed the flowchart of the test | inspection in this invention. 本発明における検査結果の波形を示した図である。It is the figure which showed the waveform of the test result in this invention. 本発明における表示の一例を示した図である。It is the figure which showed an example of the display in this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1…ディスク基板、2…回転ステージ、3…水平ステージ、4…レーザ光源、5…レー
ザシャッタ、6…ビームエキスパンダ、7…光量調整フィルタ、8…結像レンズ、9…斜
方ミラー、11…対物レンズ、12…結像レンズ、13…センサ部、14…コンピュータ
、50,51…テクスチャ、102,105…光電子倍増管。

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Disc substrate, 2 ... Rotary stage, 3 ... Horizontal stage, 4 ... Laser light source, 5 ... Laser shutter, 6 ... Beam expander, 7 ... Light quantity adjustment filter, 8 ... Imaging lens, 9 ... Oblique mirror, 11 ... objective lens, 12 ... imaging lens, 13 ... sensor unit, 14 ... computer, 50, 51 ... texture, 102, 105 ... photomultiplier tube.

Claims (6)

透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の両面
に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する方法にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光により裏面で発生する散乱光を検出する手段と、前期、両
面の散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄
積した手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良
品を判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査方法。
In the method of measuring the roughness of the texture formed in the circumferential direction on both surfaces of the glass disk substrate by irradiating the surface of the transparent glass disk substrate with laser light,
Means for focusing the laser beam on a glass disk substrate; means for irradiating the focused laser beam at right angles to the texture; means for detecting surface scattered light of the irradiated laser beam; and laser light transmitted through the glass disk substrate. Means for detecting the scattered light generated on the back surface, means for condensing the scattered light on both sides in the previous period on the photoelectric converter, means for accumulating the output from the photoelectric converter, and storing the data of the accumulated means on the surface. A disk surface inspection method, comprising: means for converting the height into a diameter; and means for determining whether the product is non-defective or defective based on the result of the converted means.
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項1に記載のディスク表面検査方法。
2. The disk surface inspection method according to claim 1, wherein the laser light source is visible light, ultraviolet light, or far ultraviolet light.
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項1に記載のディスク表面検査方法。
2. The disk surface inspection method according to claim 1, wherein the means for condensing the scattered light on both sides onto the photoelectric converter can be simultaneously detected.
透明なガラスディスク基板の表面にレーザ光を照射して、該ガラスディスク基板の表面
と裏面に円周方向に形成されたテクスチャの粗さを測定する装置にあって、
該レーザをガラスディスク基板に集束する手段と、前記集束したレーザ光をテクスチャ
と直角に照射する手段と、照射したレーザ光の表面散乱光を検出する手段と、ガラスディ
スク基板内で透過したレーザ光の裏面散乱光を検出する手段と、前期表面及び裏面からの
散乱光を光電変換器に集光する手段と、光電変換器からの出力を蓄積する手段と、蓄積し
た手段のデータを表面粗さに換算する手段と、換算した手段からの結果で良品、不良品を
判定する手段を有することを特徴とするディスク表面検査装置。
In the apparatus for measuring the roughness of the texture formed in the circumferential direction on the front and back surfaces of the glass disk substrate by irradiating the surface of the transparent glass disk substrate with laser light,
Means for focusing the laser beam on a glass disk substrate; means for irradiating the focused laser beam at right angles to the texture; means for detecting surface scattered light of the irradiated laser beam; and laser light transmitted through the glass disk substrate. Means for detecting the back scattered light, means for condensing scattered light from the front and back surfaces of the previous period on the photoelectric converter, means for accumulating the output from the photoelectric converter, and the data of the accumulated means for surface roughness A disk surface inspection apparatus comprising: means for converting to: and means for determining a non-defective product or a defective product based on the result of the converted means.
上記レーザ光源は、可視光あるいは紫外光もしくは遠紫外光とすることを特徴とした請
求項1に記載のディスク表面検査装置。
2. The disk surface inspection apparatus according to claim 1, wherein the laser light source is visible light, ultraviolet light, or far ultraviolet light.
上記、両面の散乱光を光電変換器に集光する手段は、同時に検出可能であることを特徴
とした請求項1に記載のディスク表面検査装置。

2. The disk surface inspection apparatus according to claim 1, wherein the means for condensing the scattered light on both sides onto the photoelectric converter can be detected simultaneously.

JP2004328922A 2004-11-12 2004-11-12 Disc surface inspection method and its device Pending JP2006138754A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004328922A JP2006138754A (en) 2004-11-12 2004-11-12 Disc surface inspection method and its device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004328922A JP2006138754A (en) 2004-11-12 2004-11-12 Disc surface inspection method and its device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006138754A true JP2006138754A (en) 2006-06-01

Family

ID=36619675

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004328922A Pending JP2006138754A (en) 2004-11-12 2004-11-12 Disc surface inspection method and its device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006138754A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008268140A (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and device
JP2012500384A (en) * 2008-04-09 2012-01-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Method for evaluating substrate model, inspection apparatus, and lithography apparatus
JP2012027038A (en) * 2011-10-26 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and defect inspection device
WO2016190117A1 (en) * 2015-05-25 2016-12-01 日本電気硝子株式会社 Surface roughness evaluation method, surface roughness evaluation device, and glass substrate

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353453A (en) * 1986-08-25 1988-03-07 Tdk Corp Defect inspecting device for disc
JPH03276049A (en) * 1990-03-27 1991-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical head for optical surface inspecting machine
JPH08304050A (en) * 1995-05-02 1996-11-22 Hitachi Electron Eng Co Ltd Magnetic film defect inspection device for magnetic disk
JPH09258197A (en) * 1996-03-18 1997-10-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd Method for discriminating front and rear defects of glass substrate
JPH10111254A (en) * 1996-08-15 1998-04-28 Ono Sokki Co Ltd Inspection apparatus for appearance of hard disk
JP2001110861A (en) * 1999-10-06 2001-04-20 Seiko Epson Corp Check method and device of semiconductor film, and manufacturing method of thin film transistor
JP2001124704A (en) * 1999-10-29 2001-05-11 Yokogawa Electric Corp Board surface-inspecting device

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6353453A (en) * 1986-08-25 1988-03-07 Tdk Corp Defect inspecting device for disc
JPH03276049A (en) * 1990-03-27 1991-12-06 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Optical head for optical surface inspecting machine
JPH08304050A (en) * 1995-05-02 1996-11-22 Hitachi Electron Eng Co Ltd Magnetic film defect inspection device for magnetic disk
JPH09258197A (en) * 1996-03-18 1997-10-03 Hitachi Electron Eng Co Ltd Method for discriminating front and rear defects of glass substrate
JPH10111254A (en) * 1996-08-15 1998-04-28 Ono Sokki Co Ltd Inspection apparatus for appearance of hard disk
JP2001110861A (en) * 1999-10-06 2001-04-20 Seiko Epson Corp Check method and device of semiconductor film, and manufacturing method of thin film transistor
JP2001124704A (en) * 1999-10-29 2001-05-11 Yokogawa Electric Corp Board surface-inspecting device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008268140A (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and device
JP2012500384A (en) * 2008-04-09 2012-01-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. Method for evaluating substrate model, inspection apparatus, and lithography apparatus
US8830472B2 (en) 2008-04-09 2014-09-09 Asml Netherlands B.V. Method of assessing a model of a substrate, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
JP2012027038A (en) * 2011-10-26 2012-02-09 Hitachi High-Technologies Corp Defect inspection method and defect inspection device
WO2016190117A1 (en) * 2015-05-25 2016-12-01 日本電気硝子株式会社 Surface roughness evaluation method, surface roughness evaluation device, and glass substrate

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3566589B2 (en) Defect inspection apparatus and method
JP4500641B2 (en) Defect inspection method and apparatus
US7511806B2 (en) Apparatus and method for inspecting defects
US6081325A (en) Optical scanning system for surface inspection
JP3904581B2 (en) Defect inspection apparatus and method
US8643833B1 (en) System for inspecting surface defects of a specimen and a method thereof
JP3744966B2 (en) Manufacturing method of semiconductor substrate
US20110242312A1 (en) Inspection system and inspection method
TWI713638B (en) Method for detecting defects and associated device
US20090279081A1 (en) Defect inspection apparatus
JP2008268189A (en) Method and apparatus for inspecting surface defect
JP2007192759A (en) Flaw inspection device and method
JP2010091295A (en) Method and apparatus for detecting surface shape of substrate
JP2011211035A (en) Inspecting device, defect classifying method, and defect detecting method
JP2006162500A (en) Defect inspection device
JP5725501B2 (en) Inspection device
JP2012518798A (en) Semiconductor wafer inspection apparatus and method
JP2008082999A (en) Method and device for inspecting defects on surface of substrate
JP2017531787A (en) Wafer edge inspection with trajectory following edge profile
JP4674382B1 (en) Inspection apparatus and defect inspection method
JP3981696B2 (en) Defect inspection apparatus and method
JP3904565B2 (en) Defect inspection apparatus and method
JP5889699B2 (en) Optical inspection method and apparatus for magnetic media
JP4844694B2 (en) Inspection apparatus and defect classification method
JP2006138754A (en) Disc surface inspection method and its device

Legal Events

Date Code Title Description
A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20060516

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070424

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Effective date: 20070424

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090908

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20100105

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Effective date: 20100304

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100817

A521 Written amendment

Effective date: 20101018

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110301

A521 Written amendment

Effective date: 20110427

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20110906

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A02 Decision of refusal

Effective date: 20120904

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02