JP2006126438A - マスクパターン回路修正方法及びマスク修正システム - Google Patents
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Abstract
【目的】 簡易迅速にマスクパターン上の回路修正を行うことを目的とする。
【構成】 マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、マスクに形成された開口パターン回路上に、集束イオンビームと成膜ガスとを用いて前記所定の薄膜を形成して前記開口パターン回路を遮断することを特徴とする。そして、マスク上の所望する位置におけるマスク材料を集束イオンビームとエッチングガスとを用いてエッチングして所定の開口パターン回路をマスク上に形成することを特徴とする。
【選択図】 図１
【構成】 マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、マスクに形成された開口パターン回路上に、集束イオンビームと成膜ガスとを用いて前記所定の薄膜を形成して前記開口パターン回路を遮断することを特徴とする。そして、マスク上の所望する位置におけるマスク材料を集束イオンビームとエッチングガスとを用いてエッチングして所定の開口パターン回路をマスク上に形成することを特徴とする。
【選択図】 図１
Description
本発明は、マスクパターン回路修正方法及びマスク修正システムに係り、特に、半導体装置の製造工程での微細なパターンをマスクから転写形成リソグラフィにおいて、回路パターンを修正する方法およびシステムに関する。
半導体デバイスの微細化の進展を担うリソグラフィ技術は半導体製造プロセスのなかでも唯一パターンを生成する極めて重要なプロセスである。従来、半導体デバイスの生産では光露光技術が用いられてきたが、近年、ＬＳＩ、超ＬＳＩ等の高密度集積化する先端デバイスのパターン寸法が限界解像度に近づきつつあり、高解像露光技術の開発が急務となっている。
電子線（電子ビーム）露光技術は本質的に優れた解像性を有しており、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）を代表とする最先端デバイスの開発や一部ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の生産に用いられている。しかし、従来の可変成形型電子線露光法ではパターンを一筆描きの要領で描画するため単位時間当たりのウェハ処理能力すなわちスループットが低く、デバイスの量産には不向きであった。
現在、次世代の露光技術として分割縮小転写する電子ビームプロジェクション（電子線投影露光：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＥＰＬ）技術が提案されており、昨今、その研究開発が行われている。
電子線（電子ビーム）露光技術は本質的に優れた解像性を有しており、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ ｒａｎｄｏｍ ａｃｃｅｓｓ ｍｅｍｏｒｙ）を代表とする最先端デバイスの開発や一部ＡＳＩＣ（ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ ｓｐｅｃｉｆｉｃ ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）の生産に用いられている。しかし、従来の可変成形型電子線露光法ではパターンを一筆描きの要領で描画するため単位時間当たりのウェハ処理能力すなわちスループットが低く、デバイスの量産には不向きであった。
現在、次世代の露光技術として分割縮小転写する電子ビームプロジェクション（電子線投影露光：Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：ＥＰＬ）技術が提案されており、昨今、その研究開発が行われている。
図１９は、ＥＰＬ露光装置の動作を説明するための概念図である。
まず、ＥＰＬ露光装置におけるレチクルステージには、１つの半導体チップについての露光単位領域となるサブフィールド３２０を投影転写するためのサブフィールドパターンが形成されたサブフィールドマスク３５０が格子状に整列形成されたマスク３４０が配置される。サブフィールド３２０が電子線３３０（荷電粒子線）を照射する際の１ショットに対応する領域である。サブフィールドマスク３５０には、それぞれ、電子線３３０が透過する種々のサブフィールドパターンが形成されている。そして、荷電粒子ソースから照射された電子線３３０は、偏向器により偏向され、所定のサブフィールドマスク３５０のパターンを照射し、透過した電子線３３０は、電子レンズにより１／４に縮小されウェハ３００上に区分けされた複数の半導体チップ領域３１０のうち、１つの半導体チップ領域の中の露光単位領域となるサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを投影転写する。次に、その列の隣に位置するサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを電子線３３０が照射するように、偏向器により偏向され、同様に、前記１つの半導体チップについての隣のサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを隣のサブフィールド３２０に投影転写する。これを順次繰り返し、その列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射し終わったら、２列目のサブフィールドマスク３５０の先頭がウェハ３００に投影転写できる位置に、レチクルステージとウェハステージとを移動させ、順次、２列目のサブフィールドマスク３５０の種々のサブフィールドパターンを照射する。このようにして、全列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射することにより、１つの半導体チップ領域３１０についての露光が終了する。かかる動作をウェハ３００上に区分けされた全ての半導体チップ領域３１０に対して行っていく。その他、ＥＰＬ露光装置については、以下の文献に記載されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
まず、ＥＰＬ露光装置におけるレチクルステージには、１つの半導体チップについての露光単位領域となるサブフィールド３２０を投影転写するためのサブフィールドパターンが形成されたサブフィールドマスク３５０が格子状に整列形成されたマスク３４０が配置される。サブフィールド３２０が電子線３３０（荷電粒子線）を照射する際の１ショットに対応する領域である。サブフィールドマスク３５０には、それぞれ、電子線３３０が透過する種々のサブフィールドパターンが形成されている。そして、荷電粒子ソースから照射された電子線３３０は、偏向器により偏向され、所定のサブフィールドマスク３５０のパターンを照射し、透過した電子線３３０は、電子レンズにより１／４に縮小されウェハ３００上に区分けされた複数の半導体チップ領域３１０のうち、１つの半導体チップ領域の中の露光単位領域となるサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを投影転写する。次に、その列の隣に位置するサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを電子線３３０が照射するように、偏向器により偏向され、同様に、前記１つの半導体チップについての隣のサブフィールド３２０を照射することによりサブフィールドマスク３５０に形成されたサブフィールドパターンを隣のサブフィールド３２０に投影転写する。これを順次繰り返し、その列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射し終わったら、２列目のサブフィールドマスク３５０の先頭がウェハ３００に投影転写できる位置に、レチクルステージとウェハステージとを移動させ、順次、２列目のサブフィールドマスク３５０の種々のサブフィールドパターンを照射する。このようにして、全列のサブフィールドマスク３５０のサブフィールドパターンを照射することにより、１つの半導体チップ領域３１０についての露光が終了する。かかる動作をウェハ３００上に区分けされた全ての半導体チップ領域３１０に対して行っていく。その他、ＥＰＬ露光装置については、以下の文献に記載されている（例えば、特許文献１、非特許文献１参照）。
ここで、ＥＰＬ露光装置に用いる電子線露光用マスクに対しマスク基板上にパターンを形成する場合には、可変成形型電子線露光装置が用いられる。
図２０は、可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線露光装置（電子線直描型露光装置：ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）直描装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成型するための長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に整形するための可変成形用開口４２１と、可変成形用開口４２１の周りに繰り返し使用する頻度の高い種々の基本パターンが形成された部分一括マスク４２２とが形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１の一部を通過してマスク３４０上に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過できる矩形形状がマスク３４０上の所定のサブフィールドマスク３５０となる領域に直描される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過させ、任意の矩形形状を作成する方式を可変成形方式という。また、繰り返し使用する頻度の高い基本パターン全体に電子線３３０を照射させ、基本パターンを作成する方式を部分一括方式という（例えば、特許文献２〜５参照）。以上の方式の他に、精度が許容される場合には、電子ビーム又はレーザービームの点ビームで描画する方法でマスクパターンを形成することができる。
図２０は、可変成形型電子線露光装置の動作を説明するための概念図である。
可変成形型電子線露光装置（電子線直描型露光装置：ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｂｅａｍ）直描装置）における第１のアパーチャ４１０には、電子線３３０を成型するための長方形の開口４１１が形成されている。また、第２のアパーチャ４２０には、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０を所望の矩形形状に整形するための可変成形用開口４２１と、可変成形用開口４２１の周りに繰り返し使用する頻度の高い種々の基本パターンが形成された部分一括マスク４２２とが形成されている。荷電粒子ソース４３０から照射され、第１のアパーチャ４１０の開口４１１を通過した電子線３３０は、偏向器により偏向され、第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１の一部を通過してマスク３４０上に照射される。すなわち、第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過できる矩形形状がマスク３４０上の所定のサブフィールドマスク３５０となる領域に直描される。第１のアパーチャ４１０の開口４１１と第２のアパーチャ４２０の可変成形用開口４２１との両方を通過させ、任意の矩形形状を作成する方式を可変成形方式という。また、繰り返し使用する頻度の高い基本パターン全体に電子線３３０を照射させ、基本パターンを作成する方式を部分一括方式という（例えば、特許文献２〜５参照）。以上の方式の他に、精度が許容される場合には、電子ビーム又はレーザービームの点ビームで描画する方法でマスクパターンを形成することができる。
図２１は、ＥＰＬ露光装置に用いる電子線露光用マスクの一部分を示す図である。
図２１に示すように、マスクの一例として、２μｍのＳｉ（シリコン）薄膜にパターン部分を貫通させたステンシルマスクが用いられる。電子線投影露光では、貫通しているところを電子線が透過してウェハ上に到達する。一方、Ｓｉがあるところでは、透過する電子線がＳｉにより散乱させてウェハ上に到達する電子線量が少なくなる。ウェハ上には、照射された電子線量により溶解度が変化するレジストが塗布されていて、上記電子線の露光量に差により溶解度が変化し、レジストの現像を行なうことでウェハ上にマスクパターンの像を形成する。上述したように、このマスクを用いた電子線投影露光では、半導体素子を形成するウェハにマスクパターンを縮小して投影し、電子線投影露光装置のステージを移動させて繰り返して転写を行い、多数の同一のパターンをウェハ上に配置する。
図２１に示すように、マスクの一例として、２μｍのＳｉ（シリコン）薄膜にパターン部分を貫通させたステンシルマスクが用いられる。電子線投影露光では、貫通しているところを電子線が透過してウェハ上に到達する。一方、Ｓｉがあるところでは、透過する電子線がＳｉにより散乱させてウェハ上に到達する電子線量が少なくなる。ウェハ上には、照射された電子線量により溶解度が変化するレジストが塗布されていて、上記電子線の露光量に差により溶解度が変化し、レジストの現像を行なうことでウェハ上にマスクパターンの像を形成する。上述したように、このマスクを用いた電子線投影露光では、半導体素子を形成するウェハにマスクパターンを縮小して投影し、電子線投影露光装置のステージを移動させて繰り返して転写を行い、多数の同一のパターンをウェハ上に配置する。
ここで、このマスクを作成する工程で、形成されたパターンの中には、所望するパターン形状どおりにならなかった欠陥が発生するが、マスクの欠陥は、それを用いたパターン転写で繰り返し転写されるため、ウェハ上に配置される際に繰り返し行われるすべての転写で欠陥も転写されてしまう。したがって、所望の半導体装置を作成することができなくなる。このためマスクパターン欠陥が残らないようにマスクパターンの形状は全面で検査が行われ、検知した欠陥箇所について修正を行うようにしている。
図２２は、マスクの欠陥修正の様子を説明するための図である。
図２２に示すように、Ｓｉが残されているべきところに貫通パターンが形成されている場合は、中空に薄膜を形成する。そして電子線投影露光の際に、Ｓｉと同様に、この薄膜により電子線が散乱されるようにする。また、貫通したパターンが形成されているべきところにＳｉが残っている欠陥に対しては、この残っているＳｉを除去するエッチングを行う。この２種類の加工は、マスクパターンよりも微細で、任意の形状の領域で行うために、ガリウム（Ｇａ）イオンを微小な領域のみ照射を行えるようにしたフォーカストイオンビーム（ＦＩＢ：集束イオンビーム）を用い、Ｇａイオン照射を利用したエッチングや薄膜のデポジションを行うようにしている。そして、かかる修正は、欠陥部位毎に局所的に行なわれる（例えば、特許文献６参照）。
図２２に示すように、Ｓｉが残されているべきところに貫通パターンが形成されている場合は、中空に薄膜を形成する。そして電子線投影露光の際に、Ｓｉと同様に、この薄膜により電子線が散乱されるようにする。また、貫通したパターンが形成されているべきところにＳｉが残っている欠陥に対しては、この残っているＳｉを除去するエッチングを行う。この２種類の加工は、マスクパターンよりも微細で、任意の形状の領域で行うために、ガリウム（Ｇａ）イオンを微小な領域のみ照射を行えるようにしたフォーカストイオンビーム（ＦＩＢ：集束イオンビーム）を用い、Ｇａイオン照射を利用したエッチングや薄膜のデポジションを行うようにしている。そして、かかる修正は、欠陥部位毎に局所的に行なわれる（例えば、特許文献６参照）。
その他、ＦＩＢを利用して中空に薄膜を形成していく技術が文献に開示されている（例えば、特許文献７参照）。また、マスクのパターン修正後に修正付近の未反応物の脱離処理を行なうとする技術が文献に開示されている（例えば、特許文献８参照）。
また、マスク修正ではないが、マスク形成における高アスペクト比の微細な貫通孔を設ける方法として、Ｓｉ上部に、加工する領域を残して窓をあけるようにカーボン膜を形成し、カーボン膜を保護膜として、窓部のみイオンが照射されるようにすることで、垂直に加工するとした技術が開示されている（例えば、特許文献９参照）。
特開２００１−３１９８７２号公報
特開２００１−１３５５５８号公報
特開２０００−５８４２４号公報
特開２０００−２６９１２６号公報
特開２０００−５８４１３号公報
特開２０００−１２２２６７号公報
特開２００２−１３９８２７号公報
特開２００１−９３８２３号公報
特開２００２―１４１２６６号公報
"Ｎｉｋｏｎ ニコンテクノロジー：ＥＰＬ" ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｉｋｏｎ．ｃｏ．ｊｐ／ｍａｉｎ／ｊｐｎ／ｐｒｏｆｉｌｅ／ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ／ｅｐｌ／ｉｎｄｅｘ．ｈｔｍ
ここで、このマスクを作成する工程で、形成されたパターンの中には、所望するパターン形状どおりにならなかった欠陥が発生するだけではなく、ウェハ上に露光転写した後に回路のチェックをした結果、設計した回路構成通りであったとしてもかかる回路構成を変更したい場合が生じる。
かかる場合、従来行われてきた技術では、半導体素子一個ずつに対してパターン修正を行なっていた。しかし、半導体素子一個ずつにパターン修正を行なっていたのでは、十分なサンプル数をとることができないといった問題があった。
かかる場合、従来行われてきた技術では、半導体素子一個ずつに対してパターン修正を行なっていた。しかし、半導体素子一個ずつにパターン修正を行なっていたのでは、十分なサンプル数をとることができないといった問題があった。
或いは、ＥＢ直接描画で、ウェハへの露光転写をし直すといった対策も行なっていた。しかし、ＥＢ直接描画で、ウェハへの露光転写をし直すのでは、修正の必要のない回路全体を描画しなければならず、マスクを用いない分、回路全体を描画するのに時間を要するといった問題があった。
さらに、回路配置を変更したマスクを再製作するといったことも行なっていた。しかし、マスクの再製作ではコスト及び時間を要するという問題があった。
本発明は、上述した問題点を克服し、簡易迅速にマスクパターン上の回路修正を行うことを目的とする。
本発明のマスクパターン回路修正方法は、
マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスクに形成された開口パターン回路上に所定の薄膜を形成して前記開口パターン回路を遮断することを特徴とする。
マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスクに形成された開口パターン回路上に所定の薄膜を形成して前記開口パターン回路を遮断することを特徴とする。
遮断したい開口パターン回路上に所定の薄膜を形成することで、前記開口パターン回路を遮断することができ、回路構成を変更することができる。
そして、本発明における前記マスクパターン回路修正方法において、集束イオンビームと成膜ガスとを用いて前記所定の薄膜を形成することを特徴とする。
集束イオンビームと成膜ガスとを用いることにより、高精度な薄膜をマスク材料上から成長させて開口部上に形成することができる。
そして、前記マスクパターン回路修正方法において、前記所定の薄膜を形成する領域にガリウムイオンを照射し、
前記マスクは、電子線露光に用いられるマスクであることを特徴とする。
前記マスクは、電子線露光に用いられるマスクであることを特徴とする。
前記所定の薄膜を形成する領域にガリウムイオンを照射することにより、薄膜内やマスク材料内には、ガリウムイオンが打ち込まれることになる。ガリウムイオンが打ち込まれることにより、電子線露光の際、電子線を透過させたくない領域である薄膜が形成された領域或いはガリウムイオンが打ち込まれた領域において、電子線をより散乱させることができる。
また、本発明のマスクパターン回路修正方法は、
マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスク上の所望する位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路をマスク上に形成することを特徴とする。
マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスク上の所望する位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路をマスク上に形成することを特徴とする。
マスク上の所望する位置におけるマスク材料をエッチングすることで、所定の開口パターン回路をマスク上に形成することができ、回路構成を変更することができる。
そして、本発明における前記マスクパターン回路修正方法において、集束イオンビームとエッチングガスとを用いて前記マスク材料をエッチングすることを特徴とする。
集束イオンビームとエッチングガスとを用いて前記マスク材料をエッチングすることにより高精度な開口部を形成することができる。特に、エッジ部を高精度に形成することができる。また、自由に所望する開口パターン回路を形成していくことができる。
また、本発明のマスクパターン回路修正方法は、
マスクに形成された開口パターン回路上に前記開口パターン回路を遮断する所定の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記所定の薄膜上に前記開口パターン回路とは異なる回路になるように前記所定の薄膜をエッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする。
マスクに形成された開口パターン回路上に前記開口パターン回路を遮断する所定の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記所定の薄膜上に前記開口パターン回路とは異なる回路になるように前記所定の薄膜をエッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とする。
上述した薄膜形成とエッチングとを組み合わせることにより、自由に回路変更を行うことができる。特に、形成された前記所定の薄膜上に前記開口パターン回路とは異なる回路になるように前記所定の薄膜をエッチングすることにより、一度、埋めた部分にも新たな形状の開口部を形成することができ、回路変更の自由度を向上させることができる。
また、本発明のマスクパターン回路修正方法は、
マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置に形成される所定の開口パターン回路を遮断する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を備えたことを特徴とする。
マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置に形成される所定の開口パターン回路を遮断する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出することで、正確な位置で回路遮断をすることができ、高精度の回路修正ができる。
また、本発明のマスクパターン回路修正方法は、
マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路を形成するパターン回路形成工程と、
を備えたことを特徴とする。
マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路を形成するパターン回路形成工程と、
を備えたことを特徴とする。
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出することで、正確な位置で開口パターンを形成することができ、高精度の回路修正ができる。
また、本発明のマスク修正システムは、
所定のパターンが形成された所定のマスクを自動搬入し、前記所定のマスクを用いて前記所定のパターンを基板上に露光する露光装置と、
前記露光装置から前記基板を搬入し、前記基板に露光された前記所定のパターンまたはパターン形状に影響を受ける電気特性を検査する検査装置と、
前記検査装置により検査された結果に基づいて、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンの修正情報を生成する修正情報生成装置と、
前記修正情報生成装置により生成された前記所定のパターンの修正情報に基づいて、前記所定のマスクを自動搬入し、搬入された前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンを修正するマスク修正装置と、
を備えたことを特徴とする。
所定のパターンが形成された所定のマスクを自動搬入し、前記所定のマスクを用いて前記所定のパターンを基板上に露光する露光装置と、
前記露光装置から前記基板を搬入し、前記基板に露光された前記所定のパターンまたはパターン形状に影響を受ける電気特性を検査する検査装置と、
前記検査装置により検査された結果に基づいて、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンの修正情報を生成する修正情報生成装置と、
前記修正情報生成装置により生成された前記所定のパターンの修正情報に基づいて、前記所定のマスクを自動搬入し、搬入された前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンを修正するマスク修正装置と、
を備えたことを特徴とする。
従来、マスク修正装置は、マスクメーカーに配置されていたため、迅速な対応ができなかった。マスクを自動搬送できる領域に、露光装置とマスク修正装置とを配置し、基板の検査ができる領域に検査装置を配置し、修正情報生成装置でマスクのパターンの修正情報を生成することにより、迅速にマスクのパターンを修正することができる。
さらに、本発明における前記マスク修正装置において、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンにおける回路配置を修正することを特徴とする。
前記マスク修正装置において、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンにおける回路配置を修正することにより、迅速に回路配置を修正することができる。さらに、パターン回路の最適化は、設計段階では予測できなかった製造プロセスの誤差が発生する可能性があるので迅速なトライアンドエラーで確認していくことができることが望ましい。本発明では、修正されたマスクで再度、露光、検査、修正と行うことができるので、トライアンドエラーでパターン回路が最適化された高精度なマスクパターンを形成することができる。
以上説明したように、本発明によれば、薄膜形成による前記開口パターン回路を遮断や所望する位置におけるマスク材料のエッチングによる開口パターン回路の形成により、マスクを再製作することなく、回路構成を修正することができる。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１におけるパターン回路の修正例を示す図である。
まず、マスクには、図１（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン６０５と、同様に直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン６１５とが形成されている。開口パターン６０５と開口パターン６１５とには、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図１（ａ）では、かかる開口パターン６０５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置６０１とコンタクト位置６０３と、かかる開口パターン６１５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置６０２とコンタクト位置６０４とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン６０５は、コンタクト位置６０１のコンタクト部とコンタクト位置６０３のコンタクト部とを接続している回路である。また、開口パターン６１５は、コンタクト位置６０２のコンタクト部とコンタクト位置６０４のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、かかる回路をコンタクト位置６０１のコンタクト部とコンタクト位置６０４のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行ない、また、コンタクト位置６０２のコンタクト部とコンタクト位置６０３のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行なう。
図１は、実施の形態１におけるパターン回路の修正例を示す図である。
まず、マスクには、図１（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン６０５と、同様に直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン６１５とが形成されている。開口パターン６０５と開口パターン６１５とには、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図１（ａ）では、かかる開口パターン６０５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置６０１とコンタクト位置６０３と、かかる開口パターン６１５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置６０２とコンタクト位置６０４とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン６０５は、コンタクト位置６０１のコンタクト部とコンタクト位置６０３のコンタクト部とを接続している回路である。また、開口パターン６１５は、コンタクト位置６０２のコンタクト部とコンタクト位置６０４のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、かかる回路をコンタクト位置６０１のコンタクト部とコンタクト位置６０４のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行ない、また、コンタクト位置６０２のコンタクト部とコンタクト位置６０３のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行なう。
図２は、実施の形態１におけるパターン回路の修正方法の要部を表すフローチャートである。
図２において、本実施の形態では、パターン検査工程（Ｓ１０２）、デポ膜領域の設定工程（Ｓ１０４）、薄膜形成工程の一例としてのデポ膜形成工程（Ｓ１０６）、エッチング領域の設定工程（Ｓ１０８）、エッチング工程（Ｓ１１０）という一連の工程を実施する。
図２において、本実施の形態では、パターン検査工程（Ｓ１０２）、デポ膜領域の設定工程（Ｓ１０４）、薄膜形成工程の一例としてのデポ膜形成工程（Ｓ１０６）、エッチング領域の設定工程（Ｓ１０８）、エッチング工程（Ｓ１１０）という一連の工程を実施する。
まず、Ｓ（ステップ）１０２において、パターン検査工程として、例えば、ウェハ上のパターンの外観検査、半導体素子の電気特性、歩留り解析、不良の断面観察によりウェハ上に形成されたパターンの不具合が特定され、次にこの不具合がマスクに起因するものか特定するためにマスクに形成されたパターンを検査する。ウェハ上パターン検査は、その都度選択されるものなので、ここでは説明を省略し、マスクパターンの検査について説明する。
図３は、ホールパターン検査装置の概要を説明するための図である。
ＥＰＬマスク修正装置をパターン検査装置として用いて、マスクのパターンの形状を検出する。ここでは、ＥＰＬ用の貫通する開口部を有するステンシルマスクを用いて説明する。図３では、説明に必要な程度の構成を記載しているにすぎず、その他の構成を省略している。
チルトステージに配置されたＥＰＬマスクにＦＩＢを照射し、マスク表面で生じた二次電子を二次荷電粒子検出器（ＳＥＤ）で検出し、表面像を得る。一方、マスクの開口部を通って貫通してきたＦＩＢを二次荷電粒子（ＳＥ）変換器に衝突させ、二次荷電粒子を発生させ、ＥＰＬマスク下部においてＳＥＤで検出し、透過像を得る。かかる表面像と透過像とを照合させ、モニタに表示させることにより欠陥パターン或いは回路変更したパターンを検出することができる。パターン検査工程の他の例としては、ＦＩＢの他、電子ビームを走査して２次電子を検出する電子顕微鏡（ＳＥＭ）や、レーザービームを用いて透過光等を検出するものが使われていて検査用に用いることができる。
図３は、ホールパターン検査装置の概要を説明するための図である。
ＥＰＬマスク修正装置をパターン検査装置として用いて、マスクのパターンの形状を検出する。ここでは、ＥＰＬ用の貫通する開口部を有するステンシルマスクを用いて説明する。図３では、説明に必要な程度の構成を記載しているにすぎず、その他の構成を省略している。
チルトステージに配置されたＥＰＬマスクにＦＩＢを照射し、マスク表面で生じた二次電子を二次荷電粒子検出器（ＳＥＤ）で検出し、表面像を得る。一方、マスクの開口部を通って貫通してきたＦＩＢを二次荷電粒子（ＳＥ）変換器に衝突させ、二次荷電粒子を発生させ、ＥＰＬマスク下部においてＳＥＤで検出し、透過像を得る。かかる表面像と透過像とを照合させ、モニタに表示させることにより欠陥パターン或いは回路変更したパターンを検出することができる。パターン検査工程の他の例としては、ＦＩＢの他、電子ビームを走査して２次電子を検出する電子顕微鏡（ＳＥＭ）や、レーザービームを用いて透過光等を検出するものが使われていて検査用に用いることができる。
Ｓ１０４において、デポ膜領域の設定工程として、遮断したい回路上の開口部を塞ぐように、デポ膜領域を設定する。図１（ｂ）では、デポ膜を形成するデポ膜領域６０６とデポ膜領域６１６とを示している。デポ膜領域は、遮断したい回路上の開口部の幅と２倍程度の幅とすることが望ましい。言い換えれば、片側に開口部の幅の１／２程度のマスク材料と重なる領域を設けるようにするとよい。後述するように、デポ膜は、マスク材料上に成膜した膜が成長することにより開口部を覆う。よって、まず、デポ膜を成長させる土台となるマスク材料面を確保することが望ましい。例えば、ウェハ等の基板上において、７０ｎｍの配線幅を有するパターン回路の場合、マスク上では、例えば、その４倍の２８０ｎｍとなる。したがって、デポ膜領域は、片側に１４０ｎｍ程度のマスク材料であるＳｉ基板１０との重なり代を設けるとよい。特に、重なり代は、片側に開口部の幅の１／２以下とするとなおよい。重なり代が、片側に開口部の幅の１／２以下とすることにより、修正のいらない隣のパターンに影響を与えないようにすることができる。
Ｓ１０６において、デポ膜形成工程として、設定したデポ膜領域にデポ膜を成膜する。図１（ｂ）では、デポ膜領域６０６とデポ膜領域６１６とにデポ膜を成膜する。デポ膜を形成することにより開口部を覆い、回路を遮断することができる。
図４は、ＥＰＬマスク修正装置の概要を説明するための図である。
ＥＰＬマスク修正装置１００では、液体ガリウム等のイオン源１１０からイオンを引き出し、静電レンズ等のイオン光学系１２０を通って、イオンをビーム状に集束加速させる。そして、集束加速させられたイオンビーム１１２は、偏向器により偏向され、集束イオンビームとして、マスクステージ１５０上に配置されたマスク３４０の所定の領域を照射する。その際、ガス銃１４０から成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により前記所定の領域に成膜する。次に、隣に位置する領域をイオンビーム１１２が照射するように、偏向器により偏向し、同様に、隣に位置する領域へとデポ膜を成長させる。照射するマスク上の位置は、イオンビーム１１２の照射により生じる二次電子を二次荷電粒子検出器１３０で検出することで把握することができる。
ＥＰＬマスク修正装置１００では、液体ガリウム等のイオン源１１０からイオンを引き出し、静電レンズ等のイオン光学系１２０を通って、イオンをビーム状に集束加速させる。そして、集束加速させられたイオンビーム１１２は、偏向器により偏向され、集束イオンビームとして、マスクステージ１５０上に配置されたマスク３４０の所定の領域を照射する。その際、ガス銃１４０から成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により前記所定の領域に成膜する。次に、隣に位置する領域をイオンビーム１１２が照射するように、偏向器により偏向し、同様に、隣に位置する領域へとデポ膜を成長させる。照射するマスク上の位置は、イオンビーム１１２の照射により生じる二次電子を二次荷電粒子検出器１３０で検出することで把握することができる。
図５は、デポ膜を形成する手法を説明するための図である。
デポ膜領域６０６，６１６にＦＩＢを照射し、デポ反応ガスである成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できる厚さにデポを行う。図５では、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。Ｇａイオンビームを照射して成膜されたデポ膜２６０中には、Ｇａイオンが入り込む。Ｇａイオンが入り込むことで、電子を透過させにくくすることができ、より電子を遮蔽できるデポ膜２６０を形成することができる。また、ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもデポ膜２６０を形成することができる。デポ膜２６０は、Ｓｉ基板１０表面に堆積後、エッジ部での成長速度が速いため、中空上にデポ（成膜）が進む。よって、Ｓｉが無い開口部を覆うように形成することができる。
デポ膜２６０としては、炭素系の物質から構成されることが望ましい。成膜ガス１４２は、必然的に炭素系物質を主成分とするものが好ましい。例えば、デポ膜２６０として、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等を用いることができる。そして、成膜ガス１４２として、フェナントレン等の芳香族ガスを用いることができる。
また、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できるデポ膜２６０の厚さとして、０．５μｍ以上が望ましい。
デポ膜領域６０６，６１６にＦＩＢを照射し、デポ反応ガスである成膜ガス１４２を噴射させて化学気相成長（ＣＶＤ）により、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できる厚さにデポを行う。図５では、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。Ｇａイオンビームを照射して成膜されたデポ膜２６０中には、Ｇａイオンが入り込む。Ｇａイオンが入り込むことで、電子を透過させにくくすることができ、より電子を遮蔽できるデポ膜２６０を形成することができる。また、ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもデポ膜２６０を形成することができる。デポ膜２６０は、Ｓｉ基板１０表面に堆積後、エッジ部での成長速度が速いため、中空上にデポ（成膜）が進む。よって、Ｓｉが無い開口部を覆うように形成することができる。
デポ膜２６０としては、炭素系の物質から構成されることが望ましい。成膜ガス１４２は、必然的に炭素系物質を主成分とするものが好ましい。例えば、デポ膜２６０として、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）等を用いることができる。そして、成膜ガス１４２として、フェナントレン等の芳香族ガスを用いることができる。
また、ＥＰＬ露光時に、高加速度で入射する電子を十分に遮蔽できるデポ膜２６０の厚さとして、０．５μｍ以上が望ましい。
Ｓ１０８において、エッチング領域の設定工程として、新しい開口パターンを形成したい場合、図１（ｃ）に示すように、新しく開口するエッチング領域６０７とエッチング領域６１７とを設定する。ここでは、コンタクト位置６０１のコンタクト部とコンタクト位置６０４のコンタクト部とを接続するため、エッチング領域６１７を設定する。また、コンタクト位置６０２のコンタクト部とコンタクト位置６０３のコンタクト部とを接続するため、エッチング領域６０７を設定する。エッチング領域は、エッチングされた領域が、そのまま開口部となり露光時に電子線が透過するため、所望するパターン通りに設定することが望ましい。例えば、ウェハ等の基板上において、７０ｎｍの配線幅を有するパターン回路の場合、マスク上では、例えば、その４倍の２８０ｎｍとなる。したがって、エッチング領域６０７とエッチング領域６１７との幅も２８０ｎｍで設定することが望ましい。
Ｓ１１０において、エッチング工程として、設定したエッチング領域をエッチングする。図１（ｃ）では、エッチング領域６０７とエッチング領域６１７とに位置するＳｉをエッチングする。エッチングしてマスク材料であるＳｉ基板１０を開口させることによりパターン回路を修正することができる。
図６は、エッチングする手法を説明するための図である。
エッチング領域６０７，６１７にエッチングガス１４４を噴射させて開口したい領域のＳｉ表面にエッチングガス分子１４６を吸着させ、ＦＩＢを照射することで、ガスアシストエッチング法により、余分なＳｉをエッチングする。装置は、図４において説明したものを使用してもよいし、同様の別の装置で加工しても構わないので装置構成や動作等の説明を省略する。また、エッチング領域の外側に位置する必要なＳｉ表面には、自然酸化膜（ＳｉＯ２）が、形成されているので、ＦＩＢが照射されない部分にエッチングガス１４４が吹き付けられても、その部分がエッチングされることはない。
図６では、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもエッチングを行うことができる。エッチングガス１４４としては、ハロゲン含有物質ガスが望ましい。例えば、Ｘｅ２Ｆ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３、Ｉ２等を用いるとよい。
エッチング領域６０７，６１７にエッチングガス１４４を噴射させて開口したい領域のＳｉ表面にエッチングガス分子１４６を吸着させ、ＦＩＢを照射することで、ガスアシストエッチング法により、余分なＳｉをエッチングする。装置は、図４において説明したものを使用してもよいし、同様の別の装置で加工しても構わないので装置構成や動作等の説明を省略する。また、エッチング領域の外側に位置する必要なＳｉ表面には、自然酸化膜（ＳｉＯ２）が、形成されているので、ＦＩＢが照射されない部分にエッチングガス１４４が吹き付けられても、その部分がエッチングされることはない。
図６では、ＦＩＢとして、Ｇａイオンビーム１１２を用いている。ＦＩＢとして、Ｇａイオン以外に電子線（ＥＢ）やアルゴン（Ａｒ）イオンを用いてもエッチングを行うことができる。エッチングガス１４４としては、ハロゲン含有物質ガスが望ましい。例えば、Ｘｅ２Ｆ、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、ＣＨＣｌ３、Ｉ２等を用いるとよい。
図１（ｂ）（ｃ）に示すように、デポ膜形成とエッチングとを組み合わせることにより、自由に回路構成を修正し、変更することができる。フォトマスクの場合には、デポあるいはエッチング修正を行う領域は小範囲、あるいは１度の加工しか許されないことが多い。これは修正することによってマスク基板にダメージが入り、透過率が変化するためである。一方ＥＰＬ用マスクの場合、エッチング修正では膜そのものを除去することから透過率の変化はなく、デポジション修正はデポジション膜の厚さが十分であれば問題はない。つまり複数の加工を行うことが可能となる。
図７は、実施の形態１における別のパターン回路の修正例を示す図である。
まず、マスクには、図７（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直線の配線パターン経路をもつ開口パターン５１１と、同様に直線の配線パターン経路をもつ開口パターン５１２と開口パターン５１３とが形成されている。開口パターン５１１と開口パターン５１２と開口パターン５１３とには、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図７（ａ）では、かかる開口パターン５１１に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０２と、かかる開口パターン５１２に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０１とコンタクト位置５０３と、かかる開口パターン５１３に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０４とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン５１２は、コンタクト位置５０１のコンタクト部とコンタクト位置５０３のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、かかる回路をコンタクト位置５０２のコンタクト部とコンタクト位置５０４のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行ない、さらに、遮断した回路上に別の新しい開口パターン形成を行なう。
まず、マスクには、図７（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直線の配線パターン経路をもつ開口パターン５１１と、同様に直線の配線パターン経路をもつ開口パターン５１２と開口パターン５１３とが形成されている。開口パターン５１１と開口パターン５１２と開口パターン５１３とには、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図７（ａ）では、かかる開口パターン５１１に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０２と、かかる開口パターン５１２に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０１とコンタクト位置５０３と、かかる開口パターン５１３に接続されるコンタクト部のコンタクト位置５０４とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン５１２は、コンタクト位置５０１のコンタクト部とコンタクト位置５０３のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、かかる回路をコンタクト位置５０２のコンタクト部とコンタクト位置５０４のコンタクト部とを接続する回路に回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行ない、さらに、遮断した回路上に別の新しい開口パターン形成を行なう。
まず、Ｓ１０２のパターン検査工程は、上述した通りで構わないので説明を省略する。
Ｓ１０４において、デポ膜領域の設定工程として、遮断したい回路上の開口部を塞ぐように、デポ膜領域を設定する。図７（ｂ）では、デポ膜を形成するデポ膜領域５０５とデポ膜領域５１５とポ膜領域５２５とを示している。デポ膜領域は、遮断したい回路上の開口部の幅と２倍程度の幅、特に、重なり代は、片側に開口部の幅の１／２以下とするとなおよいことは上述した通りである。
Ｓ１０６において、デポ膜形成工程として、設定したデポ膜領域にデポ膜を成膜する。図７（ｂ）では、デポ膜領域５０５とデポ膜領域５１５とデポ膜領域５２５とにデポ膜を成膜する。デポ膜を形成することにより開口部を覆い、開口パターン５１２については回路を遮断することができる。使用する装置の構成やデポ膜形成手法は、上述した通りで構わないので説明を省略する。
Ｓ１０８において、エッチング領域の設定工程として、新しい開口パターンを形成したい場合、図７（ｃ）に示すように、新しく開口するエッチング領域５０６とエッチング領域５１６とエッチング領域５２６とを設定する。ここでは、コンタクト位置５０２のコンタクト部とコンタクト位置５０４のコンタクト部とを接続するため、エッチング領域５０６とエッチング領域５２６とを設定する。エッチング領域は、エッチングされた領域が、そのまま開口部となり露光時に電子線が透過するため、所望するパターン通りに設定することが望ましいことも上述した通りである。
Ｓ１１０において、エッチング工程として、設定したエッチング領域をエッチングする。図７（ｃ）では、エッチング領域５０６とエッチング領域５１６とエッチング領域５２６とに位置するＳｉをエッチングする。エッチングしてマスク材料であるＳｉ基板１０を開口させることによりパターン回路を修正することができる。さらに、ここでは、デポ膜形成工程において形成したデポ膜領域５１５上に別の開口パターンを形成する。デポ膜領域５１５上の不要なデポ膜２６０は、ＦＩＢを照射することで、スパッタリングして除去する。デポ膜２６０となるカーボン膜は、ハロゲン系のガスでは反応しないが、ＦＩＢによるスパッタリングして除去することができる。このように一旦デポジションした膜をエッチング除去することも可能である。その他の不要なＳｉが存在する場合には、エッチング領域にエッチングガス１４４を噴射させて余分なＳｉ表面にエッチングガス分子１４６を吸着させ、ＦＩＢを照射することで、ガスアシストエッチング法により、余分なＳｉをエッチングする。装置は、図４において説明したものを使用してもよいし、同様の別の装置で加工しても構わないので装置構成や動作等の説明を省略する。
図８は、マスク修正前とマスク修正後の回路構成を示す図である。
図８（ａ）に示すマスク修正前の回路構成に対し、図７において説明した回路の遮断と新しい開口パターン形成と遮断した回路上での別の新しい開口パターン形成とにより、図８（ｂ）に示すような開口パターン７０６，７１６，７２６となるマスクの回路構成に修正することができる。
図８（ａ）に示すマスク修正前の回路構成に対し、図７において説明した回路の遮断と新しい開口パターン形成と遮断した回路上での別の新しい開口パターン形成とにより、図８（ｂ）に示すような開口パターン７０６，７１６，７２６となるマスクの回路構成に修正することができる。
図９は、図７（ｃ）の回路構成からさらに修正するパターン回路の修正例を示す図である。
エッチング領域をエッチングして開口した後に、かかる開口部に再度、デポ膜を形成してもよい。図９（ａ）では、図７（ｃ）に示すエッチング領域５１６をエッチングした後に、再度、デポ膜領域の設定工程として、デポ膜領域５０７を設定する。そして、デポ膜形成工程として、設定したデポ膜領域５０７にデポ膜を成膜する。そして、図９（ｂ）では、エッチング領域の設定工程として、図７（ｂ）に示すデポ膜領域５０５にエッチング領域５０８を設定すると共に、新たにコンタクト位置５０４のコンタクト部とコンタクト位置５０３のコンタクト部とを接続するためのエッチング領域５１８を設定する。そして、エッチング工程として、エッチング領域５０８に位置するデポ膜とエッチング領域５１８とに位置するＳｉをエッチングする。ここで、デポ膜領域５０７の一部において、デポ膜領域５０５との重なり部分があり、同様に、デポ膜領域５０７の一部において、デポ膜領域５１５との重なり部分がある。その箇所においては、デポ膜の厚さが倍となる。ここでは例えばデポジション膜が高アスペクトとなり、倒壊の危険性が生じる場合においては、重なり部分となる領域を最初にエッチング除去を行った後に膜堆積を行えばよい。
エッチング領域をエッチングして開口した後に、かかる開口部に再度、デポ膜を形成してもよい。図９（ａ）では、図７（ｃ）に示すエッチング領域５１６をエッチングした後に、再度、デポ膜領域の設定工程として、デポ膜領域５０７を設定する。そして、デポ膜形成工程として、設定したデポ膜領域５０７にデポ膜を成膜する。そして、図９（ｂ）では、エッチング領域の設定工程として、図７（ｂ）に示すデポ膜領域５０５にエッチング領域５０８を設定すると共に、新たにコンタクト位置５０４のコンタクト部とコンタクト位置５０３のコンタクト部とを接続するためのエッチング領域５１８を設定する。そして、エッチング工程として、エッチング領域５０８に位置するデポ膜とエッチング領域５１８とに位置するＳｉをエッチングする。ここで、デポ膜領域５０７の一部において、デポ膜領域５０５との重なり部分があり、同様に、デポ膜領域５０７の一部において、デポ膜領域５１５との重なり部分がある。その箇所においては、デポ膜の厚さが倍となる。ここでは例えばデポジション膜が高アスペクトとなり、倒壊の危険性が生じる場合においては、重なり部分となる領域を最初にエッチング除去を行った後に膜堆積を行えばよい。
図１０は、図９に示す修正の終了後の回路構成を示す図である。
図８（ｂ）に示すようなマスクの回路構成が、図９に示す修正の結果、図１０に示すような開口パターン７０６，７０８，７１８となるマスクの回路構成に修正することができる。また、当然ながら初期の回路特性が優れていた場合は、図１０の形状から図８（ａ）の形状に元に戻すことも可能である。このようにＥＰＬマスクの場合には何度でも膜堆積、エッチング除去を行うことが可能であることから、フレキシブルに回路変形を行うことが可能となる。
図８（ｂ）に示すようなマスクの回路構成が、図９に示す修正の結果、図１０に示すような開口パターン７０６，７０８，７１８となるマスクの回路構成に修正することができる。また、当然ながら初期の回路特性が優れていた場合は、図１０の形状から図８（ａ）の形状に元に戻すことも可能である。このようにＥＰＬマスクの場合には何度でも膜堆積、エッチング除去を行うことが可能であることから、フレキシブルに回路変形を行うことが可能となる。
以上のように、半導体素子の配線接続、導通孔の位置変更、回路パターンサイズの変更を、電子線を散乱させる箇所を貫通させて作製されるマスクを加工して行うことができる。
実施の形態２．
実施の形態１における加工が複雑な場合、あるいは数μｍにわたる比較的長いパターンの加工の場合に、加工修正を行う前に目印として、微細ドットを作製すればよい。実施の形態２では、この微細ドットを目印に加工修正を行う手法を説明する。この微細ドットを目印に加工修正を行うことによって高精度な位置合わせを行うことが可能となる。
実施の形態１における加工が複雑な場合、あるいは数μｍにわたる比較的長いパターンの加工の場合に、加工修正を行う前に目印として、微細ドットを作製すればよい。実施の形態２では、この微細ドットを目印に加工修正を行う手法を説明する。この微細ドットを目印に加工修正を行うことによって高精度な位置合わせを行うことが可能となる。
図１１は、実施の形態２におけるパターン回路の修正方法の要部を表すフローチャートである。
図１１において、本実施の形態では、刻印マーク形成工程（Ｓ１１０２）、パターン検査工程（Ｓ１１０４）、位置検出工程（Ｓ１１０６）、デポ膜領域の設定工程（Ｓ１１０８）、薄膜形成工程の一例としてのデポ膜形成工程（Ｓ１１１０）、エッチング領域の設定工程（Ｓ１１１２）、エッチング工程（Ｓ１１１４）という一連の工程を実施する。
図１１において、本実施の形態では、刻印マーク形成工程（Ｓ１１０２）、パターン検査工程（Ｓ１１０４）、位置検出工程（Ｓ１１０６）、デポ膜領域の設定工程（Ｓ１１０８）、薄膜形成工程の一例としてのデポ膜形成工程（Ｓ１１１０）、エッチング領域の設定工程（Ｓ１１１２）、エッチング工程（Ｓ１１１４）という一連の工程を実施する。
Ｓ１１０２において、刻印マーク形成工程として、マスクを作製する過程において、予めマスクにグリッドパターンを刻印マークとして作製する。或いは、マスクを作製後、かかるグリッドパターンを刻印マークとして形成してもよい。
図１２は、グリッドパターンが形成されたマスクの一部を示す図である。
図１２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０上に、グリッドパターン８０２を等間隔に形成して配置する。また、図１２（ｂ）に示すように、このグリッドパターン８０２の深さは数１００ｎｍ程度であることが望ましい。この深さが深い場合には電子線転写の際に電子散乱が少なくなり、グリッドが転写される可能性があること、あるいはデバイスパターンを作製する際に段差による影響によりパターン変形が生じる可能性があることから、修正装置にて観察可能な範囲にて浅いほうがよい。その後デバイスパターンを作製すればよい。グリッドパターン８０２（或いはドットパターン）は、回路修正する際に必要な画像倍率において視野に入る必要がある。よって、グリッドパターン８０２（或いはドットパターン）の間隔ＰＸ及びＰＹは、回路修正する際に必要な画像倍率において視野に入る間隔であればよい。例えば、グリッドパターン（或いはドットパターン）の間隔ＰＸ及びＰＹは、所望する線幅の１０倍以内が望ましい。例えば、Ｘ，Ｙ方向に、５μｍ間隔に配置する。
図１２は、グリッドパターンが形成されたマスクの一部を示す図である。
図１２（ａ）に示すように、Ｓｉ基板１０上に、グリッドパターン８０２を等間隔に形成して配置する。また、図１２（ｂ）に示すように、このグリッドパターン８０２の深さは数１００ｎｍ程度であることが望ましい。この深さが深い場合には電子線転写の際に電子散乱が少なくなり、グリッドが転写される可能性があること、あるいはデバイスパターンを作製する際に段差による影響によりパターン変形が生じる可能性があることから、修正装置にて観察可能な範囲にて浅いほうがよい。その後デバイスパターンを作製すればよい。グリッドパターン８０２（或いはドットパターン）は、回路修正する際に必要な画像倍率において視野に入る必要がある。よって、グリッドパターン８０２（或いはドットパターン）の間隔ＰＸ及びＰＹは、回路修正する際に必要な画像倍率において視野に入る間隔であればよい。例えば、グリッドパターン（或いはドットパターン）の間隔ＰＸ及びＰＹは、所望する線幅の１０倍以内が望ましい。例えば、Ｘ，Ｙ方向に、５μｍ間隔に配置する。
Ｓ１１０４において、パターン検査工程として、マスクに形成されたパターンを検査する。パターン検査工程は、実施の形態１と同様で構わないので説明を省略する。
Ｓ１１０６において、位置検出工程として、前記複数のグリッドパターン８０２を用いてマスク上の所定の位置を検出する。回路修正を行う場合にはこのグリッドパターンを目印に転写すればよい。
以下、回路修正方法は、実施の形態１と同様で構わないので説明を省略する。
以下、回路修正方法は、実施の形態１と同様で構わないので説明を省略する。
ここで、コンタクト部となる導通孔をあける条件を満たす位置に、貫通しない微細な点パターンであるグリッドパターン８０２を配置しておいてもよい。かかる不要な導通孔に相当する貫通パターン部にデポ膜を形成し、必要な導通孔に相当する電子線を散乱させる領域の残存部をエッチングにより除去することで半導体素子の配線接続変更を行うことで、高い合わせ精度を実現することができる。
或いは、グリッドパターン８０２に沿って、不要な配線個所に相当する貫通パターン部にデポ膜を形成し、必要な配線個所に相当する電子線を散乱させる領域の残存部をエッチングにより除去することで半導体素子の導通孔の位置変更を行うようにしてもよい。
膜堆積・エッチング除去を行う際は上下の層の配置に合わせて高精度に位置を決定する必要があるが、目印となるパターンが周辺にない場合には高い合わせ精度を実現することは困難となる。本実施の形態２では、以上のようにマスクにグリッドパターンを作製することにより修正箇所あるいは回路変更を行う箇所の周辺にパターンがない場合においても実施の形態１を適用することができる。
実施の形態３．
実施の形態３では、いわゆるドーナツパターン回路を修正する場合について説明する。
図１３は、実施の形態３におけるパターン回路の修正例を示す図である。
まず、マスクには、図１３（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン９２５が形成されている。開口パターン９２５の両端には、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図１３（ａ）では、かかる開口パターン９２５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置９２１とコンタクト位置９２２とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン９２５は、コンタクト位置９２１のコンタクト部とコンタクト位置９２２のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、開口パターン９２５をエッチング領域９２７で示すパターンに回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行なう。
実施の形態３では、いわゆるドーナツパターン回路を修正する場合について説明する。
図１３は、実施の形態３におけるパターン回路の修正例を示す図である。
まず、マスクには、図１３（ａ）に示すパターン回路が形成されているとする。具体的には、マスク材料となるＳｉ基板１０上に、直角に曲がった配線パターン経路をもつ開口パターン９２５が形成されている。開口パターン９２５の両端には、基板上では、直上或いは直下の層に形成されるコンタクト部が接続される。図１３（ａ）では、かかる開口パターン９２５に接続されるコンタクト部のコンタクト位置９２１とコンタクト位置９２２とを説明のための便宜上、記載している。言い換えれば、開口パターン９２５は、コンタクト位置９２１のコンタクト部とコンタクト位置９２２のコンタクト部とを接続している回路である。ここでは、開口パターン９２５をエッチング領域９２７で示すパターンに回路変更を行なう場合について説明する。ここでは、回路の遮断と新しい開口パターン形成とを行なう。
かかる回路修正を行なう場合、エッチング領域９２７をエッチングするとＳｉ９３０が宙に浮いてしまう。すなわち、ステンシルマスクでは禁じられている、いわゆるドーナツパターンとなる問題がある。
そこで、図１３（ｂ）に示すように、エッチング加工を行なう前に、先行して、デポ膜９２６を形成するデポ膜形成工程を行なう。デポ膜９２６に用いるカーボン膜は、薬液洗浄を行っても残っていることが確認されており、十分パターンを支持する接着性能と強度を有している。また、カーボン膜の接着性で支持性能が十分にとれるようにデポ膜の面積を十分に広くとることが望ましい。
その後、図１３（ｃ）に示すように、エッチング加工を行なうことにより、いわゆるドーナツパターンを解消することができる。
そこで、図１３（ｂ）に示すように、エッチング加工を行なう前に、先行して、デポ膜９２６を形成するデポ膜形成工程を行なう。デポ膜９２６に用いるカーボン膜は、薬液洗浄を行っても残っていることが確認されており、十分パターンを支持する接着性能と強度を有している。また、カーボン膜の接着性で支持性能が十分にとれるようにデポ膜の面積を十分に広くとることが望ましい。
その後、図１３（ｃ）に示すように、エッチング加工を行なうことにより、いわゆるドーナツパターンを解消することができる。
図１４は、いわゆるドーナツパターンを回避するマスクの一部を示す図である。
図１４（ａ）には、開口パターン９２５上に、デポ膜９２６が形成されたマスクの一部を示している。ここでは、いわゆるドーナツパターンを回避するため、ドーナツを発生させるエッチング領域のエッチング加工パターンとなる開口パターン９３５を図１４（ｂ）に示すような予備のサブフィールドに描画して、露光時に２度露光を行なって相補露光して配線を完成させるようにしても構わない。さらに、実施の形態２で説明したグリッドパターンを利用して予備のサブフィールドとのＩＰ精度を高めるようにするとなお好ましい。
図１４（ａ）には、開口パターン９２５上に、デポ膜９２６が形成されたマスクの一部を示している。ここでは、いわゆるドーナツパターンを回避するため、ドーナツを発生させるエッチング領域のエッチング加工パターンとなる開口パターン９３５を図１４（ｂ）に示すような予備のサブフィールドに描画して、露光時に２度露光を行なって相補露光して配線を完成させるようにしても構わない。さらに、実施の形態２で説明したグリッドパターンを利用して予備のサブフィールドとのＩＰ精度を高めるようにするとなお好ましい。
図１５は、メンブレンマスクの一部を示す図である。
図１５（ａ）に示すように、メンブレンマスクは、散乱層１１に形成されるパターンとなる部分が貫通されずに薄いメンブレン９３８で塞がれているマスクである。メンブレン９３８の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等が有効である。ＤＬＣやＳｉＣなどの極薄メンブレンでＳｉパターンを支持するＵＴＭマスクでは、エッチング領域に貫通するエッチング加工を行ない、開口パターン９３５を形成する、いわゆるドーナツパターンでも中央部に残る散乱層９３２を開口パターン９２５の下のメンブレン９３８で支えるため、脱落の問題は生じない。
そして、図１５（ｂ）に示すように、デポ膜９２６を形成するデポ膜形成工程を行なえばよい。言い換えれば、メンブレンマスクでは、デポ膜形成とエッチング加工との順序は、どちらが先であっても構わない。
図１５（ａ）に示すように、メンブレンマスクは、散乱層１１に形成されるパターンとなる部分が貫通されずに薄いメンブレン９３８で塞がれているマスクである。メンブレン９３８の材料としては、例えば、ダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）や炭化シリコン（ＳｉＣ）等が有効である。ＤＬＣやＳｉＣなどの極薄メンブレンでＳｉパターンを支持するＵＴＭマスクでは、エッチング領域に貫通するエッチング加工を行ない、開口パターン９３５を形成する、いわゆるドーナツパターンでも中央部に残る散乱層９３２を開口パターン９２５の下のメンブレン９３８で支えるため、脱落の問題は生じない。
そして、図１５（ｂ）に示すように、デポ膜９２６を形成するデポ膜形成工程を行なえばよい。言い換えれば、メンブレンマスクでは、デポ膜形成とエッチング加工との順序は、どちらが先であっても構わない。
その他、いわゆるドーナツパターンとなるような開口部が、交差しないように配線修正の経路を限定するようにしてもよい。
実施の形態４．
実施の形態４では、前記実施の形態１，２におけるマスク修正を行なう場合のシステム構成について説明する。
図１６は、マスク修正システムの構成を示す図である。
図１６において、マスク修正システムは、マスクストッカ９０２、ＥＰＬ装置９０４、不良解析装置９０６、故障解析装置（ＥＤＡ）９０８、マスク修正装置９１０、自動搬送系９１４を備えている。ＥＰＬ装置９０４、不良解析装置９０６、故障解析装置（ＥＤＡ）９０８、マスク修正装置９１０、自動搬送系９１４は、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）９１２にて接続されている。また、マスクストッカ９０２とＥＰＬ装置９０４とマスク修正装置９１０は、自動搬送系９１４によりマスクを自動搬送可能に接続されている。
実施の形態４では、前記実施の形態１，２におけるマスク修正を行なう場合のシステム構成について説明する。
図１６は、マスク修正システムの構成を示す図である。
図１６において、マスク修正システムは、マスクストッカ９０２、ＥＰＬ装置９０４、不良解析装置９０６、故障解析装置（ＥＤＡ）９０８、マスク修正装置９１０、自動搬送系９１４を備えている。ＥＰＬ装置９０４、不良解析装置９０６、故障解析装置（ＥＤＡ）９０８、マスク修正装置９１０、自動搬送系９１４は、ＬＡＮ（ローカルエリアネットワーク）９１２にて接続されている。また、マスクストッカ９０２とＥＰＬ装置９０４とマスク修正装置９１０は、自動搬送系９１４によりマスクを自動搬送可能に接続されている。
図１７は、マスク修正に至るまでの要部を表すフローチャートである。
Ｓ１３０２において、マスクメーカーよりＥＰＬマスクが入荷する。そして、マスクストッカ９０２に配置される。
Ｓ１３０４において、ＥＰＬ装置９０４によりウェハにＥＰＬ転写する。
Ｓ１３０６において、転写したマスクパターンのウェハプロセス、例えば、現像、エッチング、アッシング等が行われ、ウェハ上に所定パターンが形成される。
Ｓ１３０８において、不良解析装置９０６により、ウェハ欠陥検査、あるいは走査型電子線顕微鏡を用いて検査を行うことによってパターンに不良がないかのチェックを行う。
Ｓ１３１０において、もし不良がある場合には局部的な修正でよいかどうかを判断する。局部的な修正だけではなく、かなり広範囲にわたる修正の場合にはマスクの再作製を行う
Ｓ１３１２において、局部的な修正で可能である場合には、マスク修正装置９１０でＥＰＬマスクの修正を行い、Ｓ１３０４に戻って再度ＥＰＬ転写を行う。
Ｓ１３１４において、パターン形成の結果が良好な場合には、不良解析装置９０６により、回路特性の評価を行なう。
Ｓ１３２０において、回路特性の評価の結果が良好な場合にはＥＰＬを用いての量産・試作が行う。
Ｓ１３１６において、回路特性が不十分な場合には局部的な修正が必要かどうかを判断する。局部的な修正で収まらない場合にはマスクの再作製を行う。
Ｓ１３１８において、局部的な修正で可能である場合には、マスク修正装置９１０でＥＰＬマスクの回路修正を行い、Ｓ１３０４に戻って再度ＥＰＬによる再転写を行う。
Ｓ１３０２において、マスクメーカーよりＥＰＬマスクが入荷する。そして、マスクストッカ９０２に配置される。
Ｓ１３０４において、ＥＰＬ装置９０４によりウェハにＥＰＬ転写する。
Ｓ１３０６において、転写したマスクパターンのウェハプロセス、例えば、現像、エッチング、アッシング等が行われ、ウェハ上に所定パターンが形成される。
Ｓ１３０８において、不良解析装置９０６により、ウェハ欠陥検査、あるいは走査型電子線顕微鏡を用いて検査を行うことによってパターンに不良がないかのチェックを行う。
Ｓ１３１０において、もし不良がある場合には局部的な修正でよいかどうかを判断する。局部的な修正だけではなく、かなり広範囲にわたる修正の場合にはマスクの再作製を行う
Ｓ１３１２において、局部的な修正で可能である場合には、マスク修正装置９１０でＥＰＬマスクの修正を行い、Ｓ１３０４に戻って再度ＥＰＬ転写を行う。
Ｓ１３１４において、パターン形成の結果が良好な場合には、不良解析装置９０６により、回路特性の評価を行なう。
Ｓ１３２０において、回路特性の評価の結果が良好な場合にはＥＰＬを用いての量産・試作が行う。
Ｓ１３１６において、回路特性が不十分な場合には局部的な修正が必要かどうかを判断する。局部的な修正で収まらない場合にはマスクの再作製を行う。
Ｓ１３１８において、局部的な修正で可能である場合には、マスク修正装置９１０でＥＰＬマスクの回路修正を行い、Ｓ１３０４に戻って再度ＥＰＬによる再転写を行う。
かかるマスク修正のフローにおいて、従来、マスク修正装置は欠陥の除去を目的でＥＰＬマスク製作会社が所有している。従って、前記実施の形態１，２の回路変更を行う場合においてもマスクをＥＰＬマスク製作会社に送付する必要がある。以上のように、マスク修正装置が、マスクメーカーに配置されていたため、迅速な対応ができなかった。そこで、マスク修正装置を半導体装置メーカーが所有することにより、フレキシブルさをより有効に利用することが可能となる。さらに、マスクを自動搬送できる領域に、露光装置とマスク修正装置とを配置し、基板の検査ができる領域に検査装置を配置し、修正情報生成装置でマスクのパターンの修正情報を生成することにより、欠陥にすぐに対応することができ、迅速にマスクのパターンを修正することができる。
図１８は、自動搬送を伴うマスク修正システムの要部を表すフローチャートである。
Ｓ１５０２において、マスクストッカ９０２に配置されたマスクをＥＰＬ装置９０４に自動搬送系９１４を介して搬送する。
Ｓ１５０４において、ＥＰＬ装置９０４は、パターンが形成されたマスクを自動搬送系９１４を介して自動搬入し、図示していないマスクステージに配置して、かかるマスクを用いてマスク上のパターンを基板上に露光する。露光終了後、ＥＰＬ装置９０４は、使用したマスクを自動搬送系９１４を介してマスクストッカ９０２に搬送して戻しておく。
Ｓ１５０６において、ＥＰＬ装置９０４で露光された基板を不良解析装置９０６に搬送し、不良解析装置９０６において、ウェハ欠陥検査や回路特性の評価を行なう。
Ｓ１５０８において、不良解析装置９０６からＬＡＮ９１２を介してウェハ欠陥検査や回路特性の評価の結果情報をＥＤＡ９０８が入力し、ＥＤＡ９０８により、故障解析を行ない、修正すべきパターン修正情報を生成する。
Ｓ１５１０において、ＥＤＡ９０８からどのマスクの修正を行なうのかをマスクストッカ９０２にＬＡＮ９１２を介して情報を出力し、マスクストッカ９０２は、かかる情報に基づいて選択されたマスクを自動搬送系９１４を介してマスク修正装置９１０に搬送する。マスクは、ＥＰＬ装置９０４から自動搬送系９１４を介してマスク修正装置９１０に搬送されても構わない。
Ｓ１５１２において、マスク修正装置９１０は、ＥＤＡ９０８からＬＡＮ９１２を介して修正すべきパターン修正情報を入力し、設定する。そして、マスク修正装置９１０は、搬入したマスクを図示していないマスクステージに配置して、かかるマスクのパターン修正を行なう。
Ｓ１５１４において、マスク修正装置９１０は、自動搬送系９１４を介して修正されたマスクをマスクストッカ９０２に搬送して戻しておく。
Ｓ１５０２において、マスクストッカ９０２に配置されたマスクをＥＰＬ装置９０４に自動搬送系９１４を介して搬送する。
Ｓ１５０４において、ＥＰＬ装置９０４は、パターンが形成されたマスクを自動搬送系９１４を介して自動搬入し、図示していないマスクステージに配置して、かかるマスクを用いてマスク上のパターンを基板上に露光する。露光終了後、ＥＰＬ装置９０４は、使用したマスクを自動搬送系９１４を介してマスクストッカ９０２に搬送して戻しておく。
Ｓ１５０６において、ＥＰＬ装置９０４で露光された基板を不良解析装置９０６に搬送し、不良解析装置９０６において、ウェハ欠陥検査や回路特性の評価を行なう。
Ｓ１５０８において、不良解析装置９０６からＬＡＮ９１２を介してウェハ欠陥検査や回路特性の評価の結果情報をＥＤＡ９０８が入力し、ＥＤＡ９０８により、故障解析を行ない、修正すべきパターン修正情報を生成する。
Ｓ１５１０において、ＥＤＡ９０８からどのマスクの修正を行なうのかをマスクストッカ９０２にＬＡＮ９１２を介して情報を出力し、マスクストッカ９０２は、かかる情報に基づいて選択されたマスクを自動搬送系９１４を介してマスク修正装置９１０に搬送する。マスクは、ＥＰＬ装置９０４から自動搬送系９１４を介してマスク修正装置９１０に搬送されても構わない。
Ｓ１５１２において、マスク修正装置９１０は、ＥＤＡ９０８からＬＡＮ９１２を介して修正すべきパターン修正情報を入力し、設定する。そして、マスク修正装置９１０は、搬入したマスクを図示していないマスクステージに配置して、かかるマスクのパターン修正を行なう。
Ｓ１５１４において、マスク修正装置９１０は、自動搬送系９１４を介して修正されたマスクをマスクストッカ９０２に搬送して戻しておく。
かかる自動搬送システムによりマスクを修正することで、迅速にマスク修正を行なうことができる。さらに、マスク修正装置９１０において、前記マスクに形成された前記所定のパターンにおける回路配置を修正することにより、迅速に回路配置を修正することができる。ここで、パターン回路の最適化は、設計段階では予測できなかった製造プロセスの誤差が発生する可能性があるので迅速なトライアンドエラーで確認していくことができることが望ましい。本実施の形態では、修正されたマスクで再度、露光、検査、修正と行うことができるので、トライアンドエラーでパターン回路が最適化された高精度なマスクパターンを形成することができる。
以上のように、上記各実施の形態では、マスクパターン上で短時間に回路修正を行って、ウェハ上に転写されたパターンを修正するとともに、ウェハ上に多数繰り返しパターンを形成することができるために不良解析を充実させることができる。その結果、その結果、低価格で多数の試作チップを得ることができる。特に、半導体素子の開発試作段階で生じる小規模の修正を効率的に行うことに好適な方法となっている。
その他、上記各実施の形態では、ＥＰＬ法を用いて説明を行ったが、部分一括方式を含むマスクを利用した電子線投影を行う装置においては適用が可能である。
以上、具体例を参照しつつ各実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。
その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマスク修正方法は、本発明の範囲に包含される。
１０ Ｓｉ基板
１１，９３２ 散乱層
１００ ＥＰＬマスク修正装置
１１０ イオン源
１１２ イオンビーム
１２０ イオン光学系
１３０ 二次荷電粒子検出器
１４０ ガス銃
１５０ マスクステージ
１４２ 成膜ガス
１４４ エッチングガス
１４６ エッチングガス分子
２６０ デポ膜
３００ ウェハ
３１０ 半導体チップ領域
３２０ サブフィールド
３３０ 電子線
３４０ マスク
３５０ サブフィールドマスク
４１０ アパーチャ
４１１ 開口
４２０ アパーチャ
４２１ 可変成形用開口
４２２ 部分一括マスク
４３０ 荷電粒子ソース
５０１，５０２，５０３，５０４ コンタクト位置
６０１，６０２，６０３，６０４，９２１，９２２ コンタクト位置
５０５，５１５，５２５，６０６，６１６，９２６ デポ膜領域
５０６，５１６，５２６，６０７，６１７，９２７ エッチング領域
５１１，５１２，５１３，６０５，６１５ 開口パターン
７０６，７０８，７１６，７１８，７２６，９２５，９３５ 開口パターン
８０２ グリッドパターン
９０２ マスクストッカ
９０４ ＥＰＬ装置
９０６ 不良解析装置
９０８ ＥＤＡ
９１０ マスク修正装置
９１２ ＬＡＮ
９１４ 自動搬送系
９３０ Ｓｉ
９３８ メンブレン
１１，９３２ 散乱層
１００ ＥＰＬマスク修正装置
１１０ イオン源
１１２ イオンビーム
１２０ イオン光学系
１３０ 二次荷電粒子検出器
１４０ ガス銃
１５０ マスクステージ
１４２ 成膜ガス
１４４ エッチングガス
１４６ エッチングガス分子
２６０ デポ膜
３００ ウェハ
３１０ 半導体チップ領域
３２０ サブフィールド
３３０ 電子線
３４０ マスク
３５０ サブフィールドマスク
４１０ アパーチャ
４１１ 開口
４２０ アパーチャ
４２１ 可変成形用開口
４２２ 部分一括マスク
４３０ 荷電粒子ソース
５０１，５０２，５０３，５０４ コンタクト位置
６０１，６０２，６０３，６０４，９２１，９２２ コンタクト位置
５０５，５１５，５２５，６０６，６１６，９２６ デポ膜領域
５０６，５１６，５２６，６０７，６１７，９２７ エッチング領域
５１１，５１２，５１３，６０５，６１５ 開口パターン
７０６，７０８，７１６，７１８，７２６，９２５，９３５ 開口パターン
８０２ グリッドパターン
９０２ マスクストッカ
９０４ ＥＰＬ装置
９０６ 不良解析装置
９０８ ＥＤＡ
９１０ マスク修正装置
９１２ ＬＡＮ
９１４ 自動搬送系
９３０ Ｓｉ
９３８ メンブレン
Claims (10)
- マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスクに形成された開口パターン回路上に所定の薄膜を形成して前記開口パターン回路を遮断することを特徴とするマスクパターン回路修正方法。 - 前記マスクパターン回路修正方法において、集束イオンビームと成膜ガスとを用いて前記所定の薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載のマスクパターン回路修正方法。
- 前記マスクパターン回路修正方法において、前記所定の薄膜を形成する領域にガリウムイオンを照射し、
前記マスクは、電子線露光に用いられるマスクであることを特徴とする請求項２記載のマスクパターン回路修正方法。 - マスクパターン回路を修正するマスクパターン回路修正方法において、
マスク上の所望する位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路をマスク上に形成することを特徴とするマスクパターン回路修正方法。 - 前記マスクパターン回路修正方法において、集束イオンビームとエッチングガスとを用いて前記マスク材料をエッチングすることを特徴とする請求項４記載のマスクパターン回路修正方法。
- マスクに形成された開口パターン回路上に前記開口パターン回路を遮断する所定の薄膜を形成する薄膜形成工程と、
前記所定の薄膜上に前記開口パターン回路とは異なる回路になるように前記所定の薄膜をエッチングするエッチング工程と、
を備えたことを特徴とするマスクパターン回路修正方法。 - マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置に形成される所定の開口パターン回路を遮断する薄膜を形成する薄膜形成工程と、
を備えたことを特徴とするマスクパターン回路修正方法。 - マスク上に所定の間隔で複数の刻印マークを形成する刻印マーク形成工程と、
前記複数の刻印マークを用いてマスク上の所定の位置を検出する位置検出工程と、
前記所定の位置におけるマスク材料をエッチングして所定の開口パターン回路を形成するパターン回路形成工程と、
を備えたことを特徴とするマスクパターン回路修正方法。 - 所定のパターンが形成された所定のマスクを自動搬入し、前記所定のマスクを用いて前記所定のパターンを基板上に露光する露光装置と、
前記露光装置から前記基板を搬入し、前記基板に露光された前記所定のパターンまたはパターン形状に影響を受ける電気特性を検査する検査装置と、
前記検査装置により検査された結果に基づいて、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンの修正情報を生成する修正情報生成装置と、
前記修正情報生成装置により生成された前記所定のパターンの修正情報に基づいて、前記所定のマスクを自動搬入し、搬入された前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンを修正するマスク修正装置と、
を備えたことを特徴とするマスク修正システム。 - 前記マスク修正装置において、前記所定のマスクに形成された前記所定のパターンにおける回路配置を修正することを特徴とする請求項９記載のマスク修正システム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004313783A JP2006126438A (ja) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | マスクパターン回路修正方法及びマスク修正システム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004313783A JP2006126438A (ja) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | マスクパターン回路修正方法及びマスク修正システム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006126438A true JP2006126438A (ja) | 2006-05-18 |
Family
ID=36721267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004313783A Pending JP2006126438A (ja) | 2004-10-28 | 2004-10-28 | マスクパターン回路修正方法及びマスク修正システム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006126438A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190098114A (ko) * | 2019-08-09 | 2019-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판 제거 장치, 표시장치 제조 시스템, 및 표시장치 제조 방법 |
| CN114384753A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-22 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种版图中孤立通孔的修正方法及系统 |
-
2004
- 2004-10-28 JP JP2004313783A patent/JP2006126438A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20190098114A (ko) * | 2019-08-09 | 2019-08-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판 제거 장치, 표시장치 제조 시스템, 및 표시장치 제조 방법 |
| KR102098746B1 (ko) * | 2019-08-09 | 2020-04-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 캐리어 기판 제거 장치, 표시장치 제조 시스템, 및 표시장치 제조 방법 |
| CN114384753A (zh) * | 2021-12-20 | 2022-04-22 | 杭州广立微电子股份有限公司 | 一种版图中孤立通孔的修正方法及系统 |
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