JP2006121292A - Imaging apparatus - Google Patents

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照幸 大門
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an imaging apparatus which is free from a deterioration in picture quality due to luminance unevenness and color unevenness of an image and due to a partial increase in defect pixels while maintaining a frame rate and continuous shooting performance even when an imaging device partially rises in temperature. <P>SOLUTION: Temperatures are measured for each block (per unit area) by finding the numbers of defect pixels for each of the blocks and the output of the imaging device is corrected for each of the blocks according to the temperatures for each of the blocks. The temperatures for each of the blocks are measured by finding output levels of the defect pixels for each of the blocks and the output of the imaging device is corrected for each of the blocks according to the temperatures for each of the blocks. Dark current levels corresponding to the temperatures of each of the blocks are found by measuring the temperatures for each of the blocks and the output of the imaging device is corrected for each of the blocks. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、CCDやCMOSイメージセンサ等の撮像素子を用いた撮像装置に関するもので、特に撮像された画像の画質の向上に関するものである。   The present invention relates to an image pickup apparatus using an image pickup element such as a CCD or a CMOS image sensor, and more particularly to improvement of image quality of a picked up image.

デジタルカメラやビデオカメラ等の撮像装置においては、撮像素子としてCCDやCMOSイメージセンサを使用するのが一般的である。   In an imaging apparatus such as a digital camera or a video camera, a CCD or a CMOS image sensor is generally used as an imaging element.

前記撮像素子の特性として、画素毎のフォトダイオードの暗電流バラツキによる固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素などがあり、これらが撮像された画像の画質を低下させていることはよく知られている。   It is well known that the characteristics of the image sensor include fixed pattern noise due to dark current variation of the photodiode for each pixel and defective pixels due to dark current, which deteriorate the image quality of the captured image. ing.

暗電流は一般的に8℃の温度上昇で2倍に増加すると言われており、上記フォトダイオードの暗電流バラツキによる固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素は温度特性を持つことになり、高温ほど固定パターンノイズや欠陥画素が増加することも広く知られている。   The dark current is generally said to increase by a factor of 2 with a temperature increase of 8 ° C. The fixed pixel noise due to the dark current variation of the photodiode and the defective pixel due to the dark current have temperature characteristics. It is also well known that fixed pattern noise and defective pixels increase at higher temperatures.

前記のように、温度特性を持つフォトダイオードの暗電流による固定パターンノイズを低減させる方法として、特許文献1では、あらかじめ所定温度範囲毎に固定パターンノイズを記憶すると共に撮像素子の温度を検出し、検出温度に対応してあらかじめ記憶された固定パターンノイズを読み出し、実際の撮像画像信号から減算することで、固定パターンノイズを補正する技術が開示されている。   As described above, as a method for reducing fixed pattern noise due to dark current of a photodiode having temperature characteristics, Patent Document 1 previously stores fixed pattern noise for each predetermined temperature range and detects the temperature of the image sensor, A technique is disclosed in which fixed pattern noise stored in advance corresponding to a detected temperature is read out and subtracted from an actual captured image signal to correct the fixed pattern noise.

暗電流に起因した欠陥画素についても、欠陥画素のアドレスを記憶し、その周囲の画素情報を元に欠陥画素情報を補間する技術が知られており、特許文献1と同様にあらかじめ所定温度範囲毎に欠陥画素のアドレスを記憶することで、欠陥画素を補正することも考えられる。   As for a defective pixel caused by dark current, a technique for storing the address of the defective pixel and interpolating the defective pixel information based on the surrounding pixel information is known. It is also conceivable to correct the defective pixel by storing the address of the defective pixel.

また、実際の撮像動作直前または直後に、撮像素子全体を遮光した状態で撮像動作行うことで、暗電流成分のみの撮像画像を得て、実際の撮像画像信号から減算するようにすることで、温度変化分を含んだ暗電流による固定パターンノイズや暗電流に起因した欠陥画素による画質の低下を低減させる技術が知られている(実ダーク減算による補正)。   Also, by performing the imaging operation in a state where the entire imaging device is shielded immediately before or after the actual imaging operation, a captured image of only the dark current component is obtained and subtracted from the actual captured image signal. There is known a technique for reducing a fixed pattern noise caused by dark current including a temperature change and a reduction in image quality due to defective pixels caused by dark current (correction by actual dark subtraction).

その他に特許文献2において、撮像素子のオプティカルブラック領域の平均値により撮像素子の周囲温度を検知して、固定パターンノイズを抑圧する方法も開示されている。
特開平1−147973公報 特開平2001−174329公報
In addition, Patent Document 2 discloses a method of detecting the ambient temperature of the image sensor based on the average value of the optical black region of the image sensor and suppressing fixed pattern noise.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-147973 JP 2001-174329 A

しかしながら特許文献2では、撮像素子全体が一様な温度変化をしたときは非常に有効であるが、例えば30秒程度の長時間蓄積動作を継続したり、連続撮影を繰り返したりすると、撮像素子内部回路や撮像素子外部の周辺回路のが発熱し、近接する撮像素子の一部が部分的に温度上昇してしまい、撮像素子内で温度が高い部分と温度が低い部分で暗電流の差が出るため、適切に固定パターンノイズを低減させる事が出来ない。また、このときの撮像画像は画面内の暗電流差によって、輝度ムラや色ムラといった画質の低下を招いてしまう。   However, in Patent Document 2, it is very effective when the entire image sensor undergoes a uniform temperature change. However, for example, if a long-time accumulation operation of about 30 seconds is continued or continuous shooting is repeated, Circuits and peripheral circuits outside the image sensor generate heat, and the temperature of a part of the adjacent image sensor partially rises, resulting in a difference in dark current between the high temperature part and the low temperature part in the image sensor. Therefore, the fixed pattern noise cannot be reduced appropriately. In addition, the captured image at this time causes a deterioration in image quality such as luminance unevenness and color unevenness due to a dark current difference in the screen.

更に、上記のように撮像素子内で温度差がある場合、特許文献1のように画面全体を所定温度範囲毎の欠陥画素アドレスにより補正すると、補正過多や補正不足な部分が生じてしまう。欠陥画素補正は周囲画素情報からの補間により行う場合が多いため、補正過多な場合は微細なパターンを撮像した時、そのパターンの再現性が劣化することも良く知られている。また、補正不足の場合は画面のノイズ感が増して画質の劣化を招いてしまう。   Further, when there is a temperature difference in the image sensor as described above, if the entire screen is corrected with a defective pixel address for each predetermined temperature range as in Patent Document 1, an excessively corrected or insufficiently corrected portion is generated. Since defective pixel correction is often performed by interpolation from surrounding pixel information, it is well known that when the correction is excessive, the reproducibility of the pattern deteriorates when a fine pattern is imaged. If the correction is insufficient, the noise on the screen increases and the image quality deteriorates.

近年、撮像素子の多画素化が進むと共に、撮像素子自体のチップサイズも大きくなってきている。特に高画質を求められるデジタルスティルカメラ等の撮像装置には、銀塩カメラの35mmフィルムの画面サイズと同等のチップサイズを有するものもあり、このような大型撮像素子では、前記輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の問題が特に顕著になる。   In recent years, as the number of pixels of an image sensor has increased, the chip size of the image sensor itself has increased. Some imaging devices such as digital still cameras that are particularly required to have high image quality have a chip size that is equivalent to the screen size of a 35 mm film of a silver salt camera. And the problem of defective pixels becomes particularly noticeable.

また、実ダーク減算による補正方式では1シーンで2回の撮像動作を行うため、1シーンの撮影時間が2倍になり、ビデオカメラのフレームレートやデジタルスティルカメラの連写性能を大きく低下させることになる。   Also, with the correction method using actual dark subtraction, since the imaging operation is performed twice in one scene, the shooting time of one scene is doubled, and the frame rate of the video camera and the continuous shooting performance of the digital still camera are greatly reduced. become.

本発明の目的は、上記問題点を解決させるために、撮像素子の画素部温度を測定することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、フレームレートや連写性能を保ちながら、画像の輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の部分的な増加などにより画質の低下しない撮像装置を提供することにある。   In order to solve the above problems, the object of the present invention is to measure the pixel portion temperature of the image sensor, and maintain the frame rate and continuous shooting performance even when the image sensor partially rises in temperature. An object of the present invention is to provide an imaging device in which image quality does not deteriorate due to luminance unevenness, color unevenness, and a partial increase in defective pixels.

上記のように長時間の蓄積動作を継続したり、連続撮影を繰り返したりすることで撮像素子内の温度差がある場合においても、輝度ムラや色ムラ及び欠陥画素の補正を良好に行うために、撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素の個数を求める手段と、前記欠陥画素の個数から前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第1のテーブルを有し、前記第1のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎の(単位面積あたりの)欠陥画素数を求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   To correct brightness unevenness, color unevenness, and defective pixels even when there is a temperature difference in the image sensor by continuing a long-time accumulation operation as described above or repeating continuous shooting. Means for dividing the pixel portion of the image sensor into a plurality of blocks and obtaining the number of defective pixels for each block; and a first table for converting the number of defective pixels into a temperature for each block of the image sensor. The output value of the image sensor is corrected for each block according to the temperature obtained by the first table means, that is, the number of defective pixels (per unit area) for each block is obtained. By measuring the temperature and correcting the output of the image sensor for each block according to the temperature of each block, it is possible to provide an image pickup apparatus that does not deteriorate image quality even when the temperature of the image sensor partially rises Unisuru.

撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素のアドレスと出力レベルを記憶する手段と、前記欠陥画素の出力レベルから前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第2のテーブル手段を有し、前記第2のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎に欠陥画素の出力レベルを求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   Means for dividing the pixel portion of the image sensor into a plurality of blocks, storing an address and output level of the defective pixel for each block, and a second for converting the output level of the defective pixel into a temperature for each block of the image sensor. And the output value of the image sensor is corrected for each block according to the temperature obtained by the second table means, that is, the output level of the defective pixel is obtained for each block. By measuring the temperature of the image sensor and correcting the output of the image sensor for each block according to the temperature of each block, it is possible to provide an image pickup apparatus that does not deteriorate the image quality even when the temperature of the image sensor partially rises. .

また、前記撮像素子の出力の補正として、欠陥画素の補正を各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に行うことで、欠陥画素の部分的な増加などによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。   Further, as correction of the output of the image pickup device, correction of defective pixels is performed for each block according to the temperature of each block, so that an image pickup apparatus that does not deteriorate image quality due to partial increase of defective pixels can be provided. Like that.

前記変換された温度を前記撮像素子の暗電流レベルに変換する第3のテーブル手段と、前記第3のテーブル手段から前記ブロック毎に暗電流レベルを求める手段を有し、前記第3のテーブル手段より求めた暗電流レベルに応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正する、すなわちブロック毎に温度を測定することで各ブロックの温度に応じた暗電流レベルを求め、各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   Third table means for converting the converted temperature into a dark current level of the image sensor, and means for obtaining a dark current level for each block from the third table means, the third table means The output value of the image sensor is corrected for each block according to the obtained dark current level, that is, the dark current level corresponding to the temperature of each block is obtained by measuring the temperature for each block, and for each block. In addition, by correcting the output of the image sensor, it is possible to provide an image pickup apparatus in which the image quality does not deteriorate even when the temperature of the image sensor partially increases.

また、前記撮像素子の出力の補正として、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラを補正することで、画像の輝度ムラや色ムラによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。   In addition, by correcting luminance unevenness or color unevenness due to the dark current of the image sensor as correction of the output of the image sensor, an image pickup apparatus that does not deteriorate image quality due to uneven brightness or color unevenness of the image can be provided. To.

ブロック毎の(単位面積あたりの)欠陥画素数を求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   The temperature of each block is measured by calculating the number of defective pixels (per unit area) for each block, and the output of the image sensor is corrected for each block according to the temperature of each block. It is possible to provide an imaging device that does not deteriorate image quality even when the temperature rises.

ブロック毎に欠陥画素の出力レベルを求めることでブロック毎の温度を測定し、各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   Measure the temperature of each block by determining the output level of defective pixels for each block, and correct the output of the image sensor for each block according to the temperature of each block, so that when the temperature of the image sensor partially rises In addition, it is possible to provide an imaging device in which image quality does not deteriorate.

また、前記撮像素子の出力の補正として、欠陥画素の補正を各ブロックの温度に応じて各ブロック毎に行うことで、欠陥画素の部分的な増加などによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。   Further, as correction of the output of the image pickup device, correction of defective pixels is performed for each block according to the temperature of each block, so that an image pickup apparatus that does not deteriorate image quality due to partial increase of defective pixels can be provided. Like that.

ブロック毎に温度を測定することで各ブロックの温度に応じた暗電流レベルを求め、各ブロック毎に撮像素子の出力を補正することで、撮像素子の部分的な温度上昇時にも、画質の低下しない撮像装置を提供できるようにする。   By measuring the temperature for each block, the dark current level corresponding to the temperature of each block is obtained, and by correcting the output of the image sensor for each block, the image quality deteriorates even when the temperature of the image sensor partially rises It is possible to provide an imaging device that does not.

また、前記撮像素子の出力の補正として、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラを補正することで、画像の輝度ムラや色ムラによる画質の低下が無い撮像装置を提供できるようにする。   In addition, by correcting luminance unevenness or color unevenness due to the dark current of the image sensor as correction of the output of the image sensor, an image pickup apparatus that does not deteriorate image quality due to uneven brightness or color unevenness of the image can be provided. To.

更に上記補正を行いながら、フレームレートや連写性能を犠牲にすることがないので、撮影者のストレスの少ない撮像装置を提供することができる。   Further, since the frame rate and the continuous shooting performance are not sacrificed while performing the above correction, it is possible to provide an imaging apparatus with less photographer stress.

以下本発明を実施するための最良の形態を、実施例により詳しく説明する。   Hereinafter, the best mode for carrying out the present invention will be described in detail with reference to examples.

図1は本発明の実施例におけるCMOS型エリアセンサの画素部回路である。   FIG. 1 shows a pixel circuit of a CMOS area sensor in an embodiment of the present invention.

同図において、画素内にはフォトダイオード1、転送スイッチ2、リセットスイッチ3、画素アンプ10、行選択スイッチ6が設けてあり、転送スイッチ2のゲートは垂直走査回路14からのΦTX(n,n+1)に接続され、リセットスイッチ3のゲートは垂直走査回路14からのΦRES(n,n+1)に接続され、行選択スイッチ6のゲートは垂直走査回路14からのΦSEL(n,n+1)に接続されている。   In the figure, a photodiode 1, a transfer switch 2, a reset switch 3, a pixel amplifier 10, and a row selection switch 6 are provided in the pixel, and the gate of the transfer switch 2 is ΦTX (n, n + 1) from the vertical scanning circuit 14. ), The gate of the reset switch 3 is connected to ΦRES (n, n + 1) from the vertical scanning circuit 14, and the gate of the row selection switch 6 is connected to ΦSEL (n, n + 1) from the vertical scanning circuit 14. Yes.

光電変換は該フォトダイオード1でおこなわれ、光量電荷の蓄積期間中は転送スイッチ2はオフ状態であり、画素アンプを構成するソースフォロアのゲートにはこのフォトダイオード1で光電変換された電荷は転送されない。該画素アンプを構成するソースフォロアのゲート11は、蓄積開始前に該リセットスイッチ3がオンし、適当な電圧に初期化されている。すなわちこれがダークレベルとなる。次に又は同時に行選択スイッチ6がオンになると、負荷電流源7と該画素アンプ10で構成されるソースフォロア回路が動作状態になり、ここで該転送スイッチ2をオンさせることで該フォトダイオード1に蓄積されていた電荷は、該画素アンプを構成するソースフォロアのゲートに転送される。ここで4はリセット電源、5はソースフォロアを駆動する電源である。   Photoelectric conversion is performed by the photodiode 1, and the transfer switch 2 is in an off state during the accumulation period of the light amount charge, and the charge photoelectrically converted by the photodiode 1 is transferred to the gate of the source follower constituting the pixel amplifier. Not. The gate 11 of the source follower constituting the pixel amplifier is initialized to an appropriate voltage by turning on the reset switch 3 before starting the accumulation. That is, this is a dark level. Next or simultaneously, when the row selection switch 6 is turned on, the source follower circuit composed of the load current source 7 and the pixel amplifier 10 is in an operating state, and the transfer switch 2 is turned on here to turn on the photodiode 1. The charge accumulated in the pixel amplifier is transferred to the gate of the source follower constituting the pixel amplifier. Here, 4 is a reset power source, and 5 is a power source for driving the source follower.

ここで、選択行の出力が垂直出力線13上に発生する。この出力は転送ゲート15a,15bを介して、信号蓄積部15に蓄積される。信号蓄積部15に一時記憶された出力は水平走査回路16によって順次出力アンプ部へ読み出される。   Here, the output of the selected row is generated on the vertical output line 13. This output is stored in the signal storage unit 15 through the transfer gates 15a and 15b. The output temporarily stored in the signal storage unit 15 is sequentially read out to the output amplifier unit by the horizontal scanning circuit 16.

図2が図1のCMOS型エリアセンサの動作タイミング図である。全画素リセット期間T1のタイミングで、ΦTX(n),ΦTX(n+1)がアクティブになり、全画素の該フォトダイオード1の電荷は、該転送スイッチ2を介して該ソースフォロアのゲートに転送され、該フォトダイオード1はリセットされる。この状態はフォトダイオード1のカソード電荷がソースフォロアのゲートに移って平均化された状態であるが、ソースフォロアのゲートのキャパシタ9の容量成分を大きくすることで、フォトダイオード1のカソードをリセットしたレベルと同様になる。   FIG. 2 is an operation timing chart of the CMOS area sensor of FIG. At the timing of the all-pixel reset period T1, ΦTX (n) and ΦTX (n + 1) become active, and the charge of the photodiode 1 of all the pixels is transferred to the gate of the source follower via the transfer switch 2, The photodiode 1 is reset. This state is a state in which the cathode charge of the photodiode 1 is transferred to the gate of the source follower and is averaged. By increasing the capacitance component of the capacitor 9 at the gate of the source follower, the cathode of the photodiode 1 is reset. Similar to level.

この時、対象画像の光量を導光する不図示のメカシャッターは開いており時間T1の終了と同時に、全画素同時に蓄積を開始する。該メカシャッターはT3の期間を開いたままで、この間がフォトダイオード1の蓄積期間となる。   At this time, a mechanical shutter (not shown) that guides the amount of light of the target image is open, and at the end of time T1, accumulation starts for all pixels simultaneously. The mechanical shutter remains open during the period T3, and this period is the accumulation period of the photodiode 1.

T3の時間経過後、T4のタイミングでメカシャッターは閉じ、該フォトダイオード1の光電荷の蓄積が終了する。この状態では該フォトダイオード1に電荷が蓄積されている。次に各ライン毎に読み出しがスタートする。すなわち、N−1行目を読み出してからN行目を読み出す。   After the elapse of time T3, the mechanical shutter is closed at the timing T4, and the accumulation of photocharges in the photodiode 1 is completed. In this state, charges are accumulated in the photodiode 1. Next, reading starts for each line. That is, the Nth row is read after the N-1th row is read.

時間T5の期間ΦSEL(n)がアクティブになり該行選択スイッチ6がオンし、n行目につながっている全ての画素の該画素アンプ10で構成される。   The period ΦSEL (n) at time T5 becomes active, the row selection switch 6 is turned on, and the pixel amplifiers 10 of all the pixels connected to the nth row are configured.

ソースフォロア回路が動作状態になる。ここで、該画素アンプ10で構成されるソースフォロアのゲートはT2期間でΦRES(n)がアクティブになり、リセットスイッチ3がオンとなり、該ソースフォロアのゲート11は初期化される。すなわち、該垂直出力線13にはこのダークレベルの信号が出力される。   The source follower circuit is activated. Here, the ΦRES (n) of the source follower gate configured by the pixel amplifier 10 becomes active in the period T2, the reset switch 3 is turned on, and the gate 11 of the source follower is initialized. That is, this dark level signal is output to the vertical output line 13.

次にΦTN(n)がアクティブになり、転送ゲート15bがオンし、該信号蓄積部15に保持される。この動作は、N行につながっている全ての画素に対して同時並列に実行される。ダークレベルの該信号蓄積部15の転送が終了した時点で、該ホトダイオード1に蓄積されていた信号電荷をΦTX(n)をアクティブとすることで、転送スイッチ2をオンとし、該画素アンプ10で構成されるソースフォロアのゲート11に転送する。この時、該画素アンプ10で構成されるソースフォロアのゲート11は転送されてきた信号電荷に見合う分だけリセットレベルから電位が変動し信号レベルが確定する。   Next, ΦTN (n) becomes active, the transfer gate 15 b is turned on, and is held in the signal storage unit 15. This operation is executed simultaneously in parallel for all pixels connected to N rows. When the transfer of the dark level signal storage unit 15 is completed, the signal charge stored in the photodiode 1 is made active by making ΦTX (n) active, so that the transfer switch 2 is turned on. Transfer to the configured source follower gate 11. At this time, the potential of the gate 11 of the source follower constituted by the pixel amplifier 10 varies from the reset level by an amount corresponding to the transferred signal charge, and the signal level is determined.

ここで、ΦTSがアクティブになり、転送ゲート15aがオンし、信号レベルが該信号蓄積部15に保持される。この動作は、N行につながっている全ての画素に対して同時並列に実行される。ここで該信号蓄積部15には、N行につながっている全ての画素のダークレベルと信号レベルを保持しており、各画素間でのダークレベルと信号レベルの差をとることでソースフォロアのスレシホールド電圧Vthバラツキによる固定パターンノイズ(FPN)や該リセットスイッチ3がリセット時に発生するKTCノイズをキャンセルし、S/Nの高いノイズ成分を除去された信号が得られる。ここで、フォトダイオード1を光学的に遮光した画素からの出力は、フォトダイオード1の表面欠陥等から生じる暗電流成分のみとなる。   Here, ΦTS becomes active, the transfer gate 15 a is turned on, and the signal level is held in the signal storage unit 15. This operation is executed simultaneously in parallel for all pixels connected to N rows. Here, the signal storage unit 15 holds the dark level and the signal level of all the pixels connected to the N rows. By taking the difference between the dark level and the signal level between the pixels, the source follower The fixed pattern noise (FPN) due to the threshold voltage Vth variation and the KTC noise generated when the reset switch 3 is reset can be canceled to obtain a signal from which a noise component having a high S / N is removed. Here, the output from the pixel in which the photodiode 1 is optically shielded is only a dark current component caused by a surface defect or the like of the photodiode 1.

この信号を該水平走査回路16によって、該信号蓄積部15に蓄積されたダークレベルと信号レベルの差信号を水平走査し、時系列的に、T7のタイミングで出力される。これでN行の出力は終了である。同様に、ΦSEL(n+1),ΦRES(n+1),ΦTX(n+1),ΦTN,ΦTSを図2に示す様にN行目と同様に駆動することで、N+1行目の信号を読み出すことができる。   The horizontal scanning circuit 16 horizontally scans the difference signal between the dark level and the signal level stored in the signal storage unit 15 by the horizontal scanning circuit 16, and outputs the signal in time series at the timing of T7. This completes the output of N rows. Similarly, by driving ΦSEL (n + 1), ΦRES (n + 1), ΦTX (n + 1), ΦTN, and ΦTS in the same manner as the Nth row as shown in FIG.

図3は、図1のCMOS型エリアセンサのチップ20を模式的に示したものである。ここで20aはエリアセンサのうち有効画素部分を示し、20bは画素部表面を遮光したOB画素部分である。   FIG. 3 schematically shows the chip 20 of the CMOS area sensor of FIG. Here, 20a indicates an effective pixel portion of the area sensor, and 20b is an OB pixel portion where the surface of the pixel portion is shielded.

また、同図は図1のCMOS型エリアセンサから出力された画像も示しており、周囲環境温度20℃、蓄積時間0.1秒時の条件で、均一輝度面を若干アンダーに露光された状態の画像である。センサ蓄積中は図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部を駆動しつづけているものの、蓄積時間が0.1秒と短いため、図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部の発熱はほとんどなく、このとき画面内の温度はほぼ20℃一定で輝度ムラや色ムラは無く、有効部20aの中で暗電流に起因した欠陥画素がホワイトスポットとして示されている。   The figure also shows an image output from the CMOS type area sensor of FIG. 1, where the uniform luminance surface is slightly under-exposed under the conditions of an ambient environment temperature of 20 ° C. and an accumulation time of 0.1 second. It is an image. During sensor accumulation, the output amplifier unit (not shown) that is an amplifier for amplifying and outputting the signal of the signal accumulation unit 15 shown in FIG. 2 is continuously driven, but the accumulation time is as short as 0.1 second. The output amplifier unit (not shown) that is an amplifier for amplifying and outputting the signal of the signal storage unit 15 shown in FIG. 2 generates little heat. At this time, the temperature in the screen is almost 20 ° C. and there is no luminance unevenness or color unevenness. In the effective portion 20a, defective pixels caused by dark current are shown as white spots.

図4は、図3と同じ周囲環境温度20℃であるが、蓄積時間が30秒の時の出力画像で、蓄積時間中に図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部を駆動し続けていることで、図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部が発熱している様子を示したものである。   FIG. 4 is an output image when the ambient temperature is the same as FIG. 3 at 20 ° C., but the accumulation time is 30 seconds, and for amplifying and outputting the signal of the signal accumulation unit 15 shown in FIG. The state where the output amplifier unit (not shown), which is an amplifier for amplifying and outputting the signal of the signal storage unit 15 shown in FIG. Is shown.

図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部近傍の画面左上は周囲環境温度20℃に対して温度が高いため暗電流が増加し、画面輝度レベルが見かけ上高く、輝度ムラや色ムラになると共に暗電流に起因した欠陥画素数が多い。   2 is an amplifier for amplifying and outputting a signal of the signal storage unit 15 shown in FIG. The luminance level is apparently high, resulting in luminance unevenness and color unevenness, and a large number of defective pixels due to dark current.

一方画面右下ほど周囲環境温度20℃に近く、画面左上に比べ暗電流が少なく輝度レベルが低いと共に欠陥画素数も少ない。すなわち画面全体をa〜fまでのブロックに6分割した場合、a部の輝度レベル、欠陥画素数とf部の輝度レベル、欠陥画素数に大きな差が生じている。   On the other hand, the lower right side of the screen is closer to the ambient temperature of 20 ° C., the dark current is lower and the luminance level is lower and the number of defective pixels is lower than the upper left of the screen. That is, when the entire screen is divided into 6 blocks from a to f, there is a large difference between the luminance level of the a portion, the number of defective pixels, the luminance level of the f portion, and the number of defective pixels.

図5は、図1のCMOS型エリアセンサ全体を遮光した状態で、蓄積時間0.1秒で周囲環境温度が変化したときの条件下の画像である。このときの画像は図3の説明と同様に、図2に示す信号蓄積部15の信号を増幅し出力するためのアンプである不図示の出力アンプ部の発熱の影響を受けないため周囲環境温度=エリアセンサ画素部温度であり、画面内で出力レベルのムラが無く、周囲環境温度に応じた暗電流に起因した欠陥画素がホワイトスポットとして示されている。暗電流に起因した欠陥画素であるため、ホワイトスポットのレベルや個数は高温になるほど増加している。   FIG. 5 is an image under conditions when the ambient environment temperature changes with an accumulation time of 0.1 seconds in a state where the entire CMOS area sensor of FIG. 1 is shielded from light. Similar to the description of FIG. 3, the image at this time is not affected by heat generated by an output amplifier (not shown) that is an amplifier for amplifying and outputting the signal of the signal storage unit 15 shown in FIG. = Area sensor pixel part temperature, there is no output level unevenness in the screen, and defective pixels caused by dark current according to the ambient environment temperature are shown as white spots. Since the pixel is a defective pixel due to dark current, the level and number of white spots increase as the temperature increases.

図6は、図5の説明を更に具体的に説明しており、同図においてエリアセンサ画素部温度に対応する各ブロックのホワイトスポット個数とそのブロック内の代表されるホワイトスポットのレベルをテーブルにしたものである。   FIG. 6 illustrates the description of FIG. 5 more specifically. In FIG. 6, the number of white spots in each block corresponding to the area sensor pixel unit temperature and the level of the representative white spot in the block are shown in a table. It is a thing.

ここでは、画面全体の平均出力レベルに対して、所定レベルを超えた値を出力する画素をホワイトスポットと定義し、例えば画面全体の平均出力レベルが100mVで、所定レベルを10mVとすると、110mV以上の値を出力する画素をホワイトスポットとしている。また、代表ホワイトスポットレベルとは、前記定義されたホワイトスポットのうち、最大値を示すホワイトスポットのレベルであり、画面全体の平均出力レベルを減算した値と定義する。このとき、同一ブロックの代表ホワイトスポットのアドレスは固定であるものとし、そのアドレスもテーブルに記載されているものとする。   Here, a pixel that outputs a value exceeding a predetermined level with respect to the average output level of the entire screen is defined as a white spot. For example, when the average output level of the entire screen is 100 mV and the predetermined level is 10 mV, 110 mV or more Pixels that output the value of are used as white spots. The representative white spot level is a level of a white spot showing the maximum value among the defined white spots, and is defined as a value obtained by subtracting the average output level of the entire screen. At this time, the address of the representative white spot of the same block is assumed to be fixed, and the address is also described in the table.

図6のテーブルのように、温度上昇と共にホワイトスポットの数は増加し、代表ホワイトスポットレベルは約2倍/8℃の温度係数で変化することが一般的に知られている。   As shown in the table of FIG. 6, it is generally known that the number of white spots increases as the temperature rises, and the representative white spot level changes with a temperature coefficient of about 2/8 ° C.

図6のようなテーブルがあれば、各ブロックのホワイトスポットの数または代表ホワイトスポットレベルを測定することで、以下のように各ブロック毎にエリアセンサの温度を測定することが出来る。   If there is a table as shown in FIG. 6, by measuring the number of white spots or the representative white spot level of each block, the temperature of the area sensor can be measured for each block as follows.

ホワイトスポットの数によって温度を測定する例
a部のホワイトスポット数=80個⇒a部の温度=36℃
代表ホワイトスポットレベルによって温度を測定する例
b部の代表ホワイトスポットレベル=60mV⇒b部の温度=28℃
Example of measuring temperature according to the number of white spots Number of white spots in part a = 80 ⇒ Temperature in part a = 36 ° C.
Example of measuring temperature by representative white spot level Representative white spot level of part b = 60 mV = temperature of part b = 28 ° C.

ここでエリアセンサには個々のバラツキがあるため、図6のテーブルは、エリアセンサ毎に作成する必要があり、エリアセンサ製造過程やカメラなどの製造過程で各温度条件下で画像を取得して作成すればよい。   Here, since there are individual variations in area sensors, the table in FIG. 6 must be created for each area sensor. Images are acquired under various temperature conditions in the area sensor manufacturing process and the camera manufacturing process. Create it.

但し、代表ホワイトスポットのレベルについては、ある特定の基準温度下において代表ホワイトスポットレベルを測定し、2倍/8℃の温度係数をもらせたテーブルを作成しても実害は無い。   However, as for the level of the representative white spot, there is no actual harm even if the representative white spot level is measured under a specific reference temperature and a table with a temperature coefficient of 2/8 ° C. is created.

次に、図7のテーブルを説明する。このテーブルはエリアセンサの周囲環境温度が変化したときの、蓄積時間0.1秒のときの正常画素の暗電流出力を示している。正常画素の暗電流出力にもエリアセンサ個々のバラツキがあるため、このテーブルもエリアセンサ毎に取得する必要があるが、ある特定の温度下において暗電流出力を測定し、2倍/8℃の温度係数をもらせたテーブルを作成しても実害は無い。   Next, the table of FIG. 7 will be described. This table shows the dark current output of the normal pixel when the accumulation time is 0.1 second when the ambient temperature of the area sensor changes. Since the dark current output of normal pixels also varies from area sensor to area sensor, it is necessary to obtain this table for each area sensor as well. However, the dark current output is measured at a specific temperature, and it is 2/8 ° C. Creating a table with a temperature coefficient is not harmful.

図7のテーブルを具体的に説明すると、
20℃の時の暗電流出力は2mV/sであり撮影条件が30sであった場合
2mV/s×30s=60mV
となり、エリアセンサ出力は60mVのオフセットを持った出力となる。
Specifically explaining the table of FIG.
The dark current output at 20 ° C. is 2 mV / s and the shooting condition is 30 s 2 mV / s × 30 s = 60 mV
Thus, the area sensor output is an output having an offset of 60 mV.

つまり、実際に被写体を撮影したエリアセンサの信号から、このオフセット値を各ブロック毎の全画素から減算することで正常画素の暗電流補正が可能である。   That is, the dark current correction of normal pixels can be performed by subtracting this offset value from all pixels in each block from the signal of the area sensor that actually captured the subject.

図8は、図4のような画像の輝度ムラや色ムラの補正を、カメラの動作として説明するフローチャートである。   FIG. 8 is a flowchart for explaining correction of luminance unevenness and color unevenness of the image as shown in FIG. 4 as an operation of the camera.

ステップ101で不図示のスイッチON動作により撮影動作が始まる。ステップ102で、被写体を撮影するためにエリアセンサ20の表面を遮光している不図示のシャッタを開く。   In step 101, a shooting operation is started by a switch ON operation (not shown). In step 102, a shutter (not shown) that shields the surface of the area sensor 20 is opened to photograph the subject.

その後ステップ103で、エリアセンサ20の蓄積を30秒行った後、ステップ104前記シャッタを閉じ、ステップ105で蓄積した信号を読み出すと共に、不図示の一時メモリに記憶する。ここで記憶された画像は、30秒という長時間露光による回路の発熱などにより図4のような輝度ムラや色ムラの多い画像となる。   Thereafter, in step 103, the area sensor 20 is accumulated for 30 seconds, and then the shutter is closed in step 104. The signal accumulated in step 105 is read and stored in a temporary memory (not shown). The image stored here becomes an image with many luminance unevenness and color unevenness as shown in FIG. 4 due to the heat generation of the circuit due to the long exposure of 30 seconds.

続いてステップ106では、ステップ102〜105で得られた画像出力に対して補正を行うための画像を取得することを目的として、前記シャッタが閉じた状態でエリアセンサ20の蓄積を0.1秒間行い、ステップ107で蓄積した信号を読み出すと共に、前記一時メモリの異なるアドレスに記憶する。   Subsequently, in step 106, the accumulation of the area sensor 20 is performed for 0.1 second with the shutter closed for the purpose of obtaining an image for correcting the image output obtained in steps 102 to 105. The signal accumulated in step 107 is read out and stored at a different address in the temporary memory.

ステップ108では、ステップ106〜107で取得した0.1秒蓄積画像のホワイトスポット数または代表ホワイトスポットレベルを求め、更に図6のテーブルと対比させて、a〜fの各ブロック毎に現在のエリアセンサ温度を求める。   In step 108, the number of white spots or the representative white spot level of the 0.1 second accumulated image acquired in steps 106 to 107 is obtained and compared with the table of FIG. Find the sensor temperature.

先に説明した通り、ホワイトスポット数は、画面全体の平均出力レベル+10mV以上を出力する画素をカウントし、代表ホワイトスポットレベルは、図6のテーブルに記載された代表ホワイトスポットアドレスの画素出力から画面全体の平均出力レベルを減算した値とする。   As described above, the number of white spots counts the pixels that output the average output level of the entire screen +10 mV or more, and the representative white spot level is calculated from the pixel output of the representative white spot address described in the table of FIG. The total average output level is subtracted.

ステップ109では、ステップ108で求めた各ブロック毎の温度と図7のテーブルとを対比させ、更にステップ103で実行した蓄積時間30秒から、各ブロック毎の正常画素の暗電流補正値を求める。   In step 109, the temperature for each block obtained in step 108 is compared with the table of FIG. 7, and the dark current correction value of the normal pixel for each block is obtained from the storage time of 30 seconds executed in step 103.

ステップ110では、ステップ102〜105で取得した蓄積時間30秒の画像から、ステップ109で求めた暗電流補正値を、各ブロック毎の全画素から減算することにより画像の輝度ムラや色ムラを補正する。   In step 110, the luminance unevenness and color unevenness of the image are corrected by subtracting the dark current correction value obtained in step 109 from all the pixels in each block from the images having the accumulation time of 30 seconds acquired in steps 102 to 105. To do.

ステップ111では、ステップ110で補正した蓄積時間30秒の画像を、外部メモリに記憶させ、ステップ112で一連の動作を終了する。   In step 111, the image with the accumulation time of 30 seconds corrected in step 110 is stored in the external memory, and in step 112, the series of operations is terminated.

ここで重要なことは、ステップ106でシャッタが閉じた状態でのエリアセンサの蓄積時間が0.1秒であり、ステップ103で被写体を撮影するための蓄積時間30秒に対して無視できるくらいに短い蓄積時間である。このことからステップ101〜ステップ112までを実行するのに、被写体撮影のための蓄積時間30秒とほぼ同じくらいの時間しか要しないため、連写性能を保つことができる。   What is important here is that the accumulation time of the area sensor in the state where the shutter is closed in step 106 is 0.1 second, and can be ignored with respect to the accumulation time 30 seconds for photographing the subject in step 103. Short accumulation time. Therefore, since steps 101 to 112 require only approximately the same time as the storage time of 30 seconds for shooting an object, continuous shooting performance can be maintained.

また、ステップ109〜110では、各ブロックの正常画素の暗電流分を補正しているが、ホワイトスポットとして出力されている欠陥画素の補正を同時に行っても良い。   In steps 109 to 110, the dark current of normal pixels in each block is corrected. However, correction of defective pixels output as white spots may be performed simultaneously.

具体的には、図6のテーブルにホワイトスポット数と共にそのアドレスを記憶しておく。ステップ108で各ブロックの温度が求められているので、図6のテーブルから各ブロックの温度に対応したホワイトスポット数とそのアドレスがわかる。そのアドレスの画素を欠陥画素として、周辺画素出力値により公知の補間をすることで欠陥画素補正が出来る。   Specifically, the address of the white spot number is stored in the table of FIG. Since the temperature of each block is obtained in step 108, the number of white spots corresponding to the temperature of each block and its address are known from the table of FIG. The defective pixel can be corrected by using the pixel at the address as a defective pixel and performing known interpolation based on the peripheral pixel output value.

以上の例では、CMOS型エリアセンサについて述べているが、CCD型をはじめ他の構造のエリアセンサに適用しても良い。また、エリアセンサに限定されるものではなく、ラインセンサ、特に複数のラインセンサを有するセンサにおいても同様に適用できるものである。   Although the CMOS type area sensor has been described in the above example, the present invention may be applied to area sensors having other structures such as a CCD type. Further, the present invention is not limited to an area sensor, and can be similarly applied to a line sensor, particularly a sensor having a plurality of line sensors.

本発明の実施例におけるCMOS型エリアセンサの画素部回路図Pixel part circuit diagram of CMOS area sensor in an embodiment of the present invention 図1のCMOS型エリアセンサの動作タイミング図Operation timing diagram of the CMOS area sensor of FIG. 図1のCMOS型エリアセンサの0.1秒蓄積時のチップ模式図Chip schematic diagram of the CMOS area sensor of FIG. 図1のCMOS型エリアセンサの30秒蓄積時のチップ模式図Chip schematic diagram of the CMOS area sensor of FIG. 図1のCMOS型エリアセンサの周囲環境温度が変化した条件下の画像図1 is an image diagram under conditions in which the ambient temperature of the CMOS area sensor in FIG. 1 has changed. 図1のCMOS型エリアセンサに関する第1と第2のテーブルFirst and second tables for the CMOS area sensor of FIG. 図1のCMOS型エリアセンサに関する第3のテーブル3rd table regarding CMOS type area sensor of FIG. 本発明の撮像装置の動作を説明するフローチャート図The flowchart figure explaining operation | movement of the imaging device of this invention

符号の説明Explanation of symbols

1 フォトダイオード
2 転送スイッチ
3 リセットスイッチ
4 リセット電源
5 ソースフォロアを駆動する電源
6 行選択スイッチ
7 負荷電流源
9 ソースフォロアのゲートのキャパシタ
10 画素アンプ
11 ソースフォロアのゲート
13 垂直出力線
14 垂直走査回路
15 信号蓄積部
15a、15b 転送ゲート
16 水平走査回路
20、30 CMOS型エリアセンサのチップ
20a、30a CMOS型エリアセンサの有効部
20b、30b CMOS型エリアセンサの遮光画素(OB)部
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Photodiode 2 Transfer switch 3 Reset switch 4 Reset power supply 5 Power supply which drives a source follower 6 Row selection switch 7 Load current source 9 Capacitor 10 of a source follower 10 Pixel amplifier 11 Gate 13 of a source follower 13 Vertical output line 14 Vertical scanning circuit DESCRIPTION OF SYMBOLS 15 Signal storage part 15a, 15b Transfer gate 16 Horizontal scanning circuit 20, 30 CMOS type | mold area sensor chip | tip 20a, 30a Effective part 20b of CMOS type | mold area sensor, 30b Shading pixel (OB) part of CMOS type | mold area sensor

Claims (5)

撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素の個数を求める手段と、前記欠陥画素の個数から前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第1のテーブルを有し、前記第1のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする撮像装置。   Means for dividing the pixel portion of the image sensor into a plurality of blocks and obtaining the number of defective pixels for each block; and a first table for converting the number of defective pixels into a temperature for each block of the image sensor. An image pickup apparatus, wherein the output value of the image pickup device is corrected for each block in accordance with the temperature obtained by the first table means. 撮像素子の画素部を複数のブロックに分割し、前記ブロック毎に欠陥画素のアドレスと出力レベルを記憶する手段と、前記欠陥画素の出力レベルから前記撮像素子のブロック毎の温度に変換する第2のテーブル手段を有し、前記第2のテーブル手段により求めた温度に応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする撮像装置。   Means for dividing the pixel portion of the image sensor into a plurality of blocks, storing an address and output level of the defective pixel for each block, and a second for converting the output level of the defective pixel into a temperature for each block of the image sensor. An image pickup apparatus comprising the table means, wherein the output value of the image pickup element is corrected for each block in accordance with the temperature obtained by the second table means. 前記補正は、前記撮像素子の暗電流に起因する欠陥画素の補正であることを特徴とする、請求項1又は2記載の撮像装置。   The imaging apparatus according to claim 1, wherein the correction is correction of a defective pixel caused by a dark current of the imaging element. 前記変換された温度を前記撮像素子の暗電流レベルに変換する第3のテーブル手段と、前記第3のテーブル手段から前記ブロック毎に暗電流レベルを求める手段を有し、前記第3のテーブル手段より求めた暗電流レベルに応じて、前記撮像素子の出力値を前記ブロック毎に補正するようにしたことを特徴とする請求項1又は2記載の撮像装置。   Third table means for converting the converted temperature into a dark current level of the image sensor, and means for obtaining a dark current level for each block from the third table means, the third table means The imaging apparatus according to claim 1, wherein an output value of the imaging element is corrected for each of the blocks according to a dark current level obtained more. 前記補正は、前記撮像素子の暗電流に起因する輝度ムラまたは色ムラ補正であることを特徴とする、請求項4記載の撮像装置。
The imaging apparatus according to claim 4, wherein the correction is correction of luminance unevenness or color unevenness caused by a dark current of the image sensor.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010213245A (en) * 2009-03-12 2010-09-24 Fuji Mach Mfg Co Ltd Imaging device and electronic circuit component mounting machine
JP2015187832A (en) * 2014-03-12 2015-10-29 株式会社リコー Image processor, mobile body equipment control system, and image processor program

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