JP2006119830A - Storage device, data processing system and storage control method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、レジスタと当該レジスタから読み出されたデータを書き込む記憶領域とを各々が備えた複数のメモリに対して書き込み動作を行う記憶装置、データ処理システムおよび記憶制御方法に関する。 The present invention relates to a storage device, a data processing system, and a storage control method for performing a write operation on a plurality of memories each including a register and a storage area in which data read from the register is written.
例えば、メモリスティック(登録商標)やSD(Secure Digital)メモリカード(登録商標)などの半導体記憶装置を、パーソナルコンピュータや携帯型再生装置などの電子機器に着脱可能に装着し、当該電子機器から当該半導体記憶装置にアクセスを行わせるシステムがある。
このようなシステムに用いられる半導体記憶装置としては、例えば、複数のフラッシュメモリを並列に接続し、当該複数のフラッシュメモリで電子機器との間の入出力に用いるIO(Input Output)バス(入出力バス)を小規模化の観点から共用するものがある。
当該半導体記憶装置は、書き込み動作において、IOバスを介して電子機器から入力したデータをフラッシュメモリ内のレジスタに転送するレジスタ転送処理と、フラッシュメモリ内でレジスタから読み出したデータをメモリセルに書き込むプログラム処理とを行う。
このとき、当該半導体記憶装置では、複数のフラッシュメモリの全てについてのレジスタ転送処理を異なる時間帯で実行した後に、当該複数のフラッシュメモリのプログラム処理を同時に開始し、プログラム処理に要する予め決められた最大時間である最大プログラム時間経過後に、次のレジスタ転送処理を再び行う。
For example, a semiconductor storage device such as a Memory Stick (registered trademark) or an SD (Secure Digital) memory card (registered trademark) is detachably attached to an electronic device such as a personal computer or a portable playback device, and the electronic device There is a system for accessing a semiconductor memory device.
As a semiconductor memory device used in such a system, for example, a plurality of flash memories are connected in parallel, and an IO (Input Output) bus (input / output) is used for input / output between the plurality of flash memories and an electronic device. Some buses are shared from the viewpoint of downsizing.
The semiconductor memory device includes a register transfer process for transferring data input from an electronic device via an IO bus to a register in a flash memory and a program for writing the data read from the register in the flash memory to a memory cell in a write operation. Process.
At this time, in the semiconductor memory device, after executing register transfer processing for all of the plurality of flash memories in different time zones, program processing for the plurality of flash memories is started at the same time, and predetermined processing required for the program processing is determined. After the maximum program time, which is the maximum time, has elapsed, the next register transfer process is performed again.
しかしながら、上述した従来の半導体記憶装置では、複数のフラッシュメモリの全てについてのレジスタ転送処理を異なる時間帯で実行した後に、当該複数のフラッシュメモリのプログラム処理を同時に開始し、最大プログラム時間経過後にレジスタ転送処理を再び行うため、プログラム処理が終了するまで最大プログラム時間の間、電子機器が半導体記憶装置に書き込みデータを転送できない(レジスタ転送処理を行えない)。
これにより、電子機器から見た半導体記憶装置の応答性が悪いという問題がある。
However, in the conventional semiconductor memory device described above, after executing register transfer processing for all of the plurality of flash memories in different time zones, program processing for the plurality of flash memories is started at the same time, and after the maximum program time has elapsed, Since the transfer process is performed again, the electronic device cannot transfer the write data to the semiconductor memory device during the maximum program time until the program process ends (the register transfer process cannot be performed).
As a result, there is a problem that the responsiveness of the semiconductor memory device as viewed from the electronic device is poor.
本発明は上述した従来技術の問題点を解決するために、レジスタから読み出したデータをメモリ領域に書き込む複数のメモリの間で、前記メモリ領域に書き込むデータを外部から入力するインタフェースを共用した場合でも、当該外部から見た書き込み時の応答性に優れた記憶装置、データ処理システムおよび記憶制御方法を提供することを目的とする。 In order to solve the above-described problems of the prior art, the present invention can be used even when an interface for inputting data to be written to the memory area from the outside is shared between a plurality of memories to which data read from the register is written to the memory area. Another object of the present invention is to provide a storage device, a data processing system, and a storage control method that are excellent in responsiveness at the time of writing as viewed from the outside.
上述した従来技術の問題点を解決し、上述した目的を達成するため、第1の観点の発明の記憶装置は、レジスタとメモリ領域とを各々が有する複数のメモリと、データを入力するインタフェースと、前記複数のメモリの各々に対して、前記インタフェースから入力したデータを当該メモリの前記レジスタに転送するレジスタ転送処理と、前記レジスタから前記データを読み出して前記メモリ領域に書き込むメモリ書き込み処理とを行わせる制御回路とを有し、前記制御回路は、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせ、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる。 In order to solve the above-described problems of the prior art and achieve the above-described object, a storage device according to a first aspect of the present invention includes a plurality of memories each having a register and a memory area, an interface for inputting data, and A register transfer process for transferring data input from the interface to the register of the memory and a memory write process for reading the data from the register and writing to the memory area are performed for each of the plurality of memories. A control circuit that controls the data input from the interface when the plurality of sets including one or a plurality of the memories are defined so that each of the control circuits does not overlap with another set. Output to each of the plurality of sets at different consecutive time periods of one time length, and include the output data in the same set For the memory to perform the register transfer process for transferring in parallel to the registers of the plurality of memories, and to cause the memory to start the memory write process after the time period has elapsed. The memory is caused to perform the next register transfer processing after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories.
第1の観点の発明の記憶装置の作用は以下のようになる。
制御回路が、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、レジスタ転送処理において、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力する。
そして、前記制御回路が、前記レジスタ転送処理において、前記出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する処理を前記メモリに行わせる。
そして、前記制御回路が、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる。
The operation of the storage device of the first aspect of the invention is as follows.
When the control circuit defines a plurality of the sets including one or a plurality of the memories so as not to overlap each other, in the register transfer process, the data input from the interface is set to the same first time length. Are output for each of the plurality of sets at different time periods.
Then, in the register transfer process, the control circuit causes the memory to perform a process of transferring the output data in parallel to the registers of the plurality of memories included in the same set.
Then, the control circuit causes the memory to start the memory write process after the elapse of the time period, and continues after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories for the memory write process. Then, the next register transfer process is performed in the memory.
第2の観点の発明のデータ処理システムは、記憶装置と、前記記憶装置にデータを書き込むデータ処理装置とを有するデータ処理システムであって、前記記憶装置は、レジスタとメモリ領域とを各々が有する複数のメモリと、前記データ処理装置から書き込み対象のデータを入力するインタフェースと、前記複数のメモリの各々に対して、前記インタフェースから入力したデータを当該メモリの前記レジスタに転送するレジスタ転送処理と、前記レジスタから前記データを読み出して前記メモリ領域に書き込むメモリ書き込み処理とを行わせる制御回路とを有し、前記制御回路は、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせ、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる。 A data processing system according to a second aspect of the present invention is a data processing system having a storage device and a data processing device for writing data into the storage device, each of the storage device having a register and a memory area. A plurality of memories; an interface for inputting data to be written from the data processing device; and a register transfer process for transferring data input from the interface to the registers of the memory for each of the plurality of memories; A control circuit that performs a memory write process of reading the data from the register and writing the data in the memory area, and the control circuit includes one or more of the memories so that each does not overlap with another set When a plurality of the sets are defined, the same first data is input from the interface. The register transfer process for outputting to each of the plurality of sets in different time zones having consecutive inter-lengths and transferring the output data in parallel to the registers of the plurality of memories included in the same set And the memory write processing is started after the elapse of the time period, and after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories for the memory write processing. The register transfer process is performed in the memory.
第2の観点の発明のデータ処理システムの作用は以下のようになる。
制御回路が、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、レジスタ転送処理において、データ処理装置からインタフェースを介して入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力する。
そして、前記制御回路が、前記レジスタ転送処理において、前記出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する処理を前記メモリに行わせる。
そして、前記制御回路が、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる。
The operation of the data processing system according to the second aspect of the invention is as follows.
When the control circuit defines a plurality of the sets including one or a plurality of the memories so as not to overlap each other, in the register transfer process, the same data is input from the data processing device via the interface. Output to each of the plurality of sets in consecutive different time zones of the first time length.
Then, in the register transfer process, the control circuit causes the memory to perform a process of transferring the output data in parallel to the registers of the plurality of memories included in the same set.
Then, the control circuit causes the memory to start the memory write process after the elapse of the time period, and continues after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories for the memory write process. Then, the next register transfer process is performed in the memory.
第3の観点の記憶制御方法は、レジスタとメモリ領域とを各々が有しインタフェースを共用する複数のメモリの各々が、前記インタフェースを介して入力したデータを当該メモリの前記レジスタに転送するレジスタ転送処理と、前記レジスタから前記データを読み出して前記メモリ領域に書き込むメモリ書き込み処理とを行う記憶制御方法であって、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に、前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる第1の工程と、前記第1の工程で前記レジスタ転送処理を開始してから前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させる第2の工程と、前記第2の工程で前記メモリ書き込み処理を開始してから前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる第3の工程とを有する。 A storage control method according to a third aspect is a register transfer in which each of a plurality of memories each having a register and a memory area and sharing an interface transfers data input via the interface to the register of the memory. A storage control method for performing a process and a memory writing process for reading the data from the register and writing the data to the memory area, each of which includes a plurality of the memory including one or more of the memories so as not to overlap each other When a set is defined, the data input from the interface is output to each of the plurality of sets in different time zones having the same first time length, and the output data is included in the same set A first step of causing the memory to perform the register transfer processing for transferring in parallel to the registers of the plurality of memories; A second step of causing the memory to start the memory write processing after the elapse of the time period from the start of the register transfer processing in the first step; and starting the memory write processing in the second step. And a third step of causing the memory to perform the next register transfer processing after the second time length defined in common for the plurality of memories has elapsed.
本発明によれば、レジスタから読み出したデータをメモリ領域に書き込む複数のメモリの間で、前記メモリ領域に書き込むデータを外部から入力するインタフェースを共用した場合でも、当該外部から見た書き込み時の応答性に優れた記憶装置、データ処理システムおよび記憶制御方法を提供することができる。 According to the present invention, even when a plurality of memories that write data read from a register to a memory area share an interface for inputting data to be written to the memory area from the outside, the response at the time of writing viewed from the outside A storage device, a data processing system, and a storage control method excellent in performance can be provided.
以下、本発明が適用されるデータ処理システムについて図1〜図8を参照して説明する。
先ず、本実施形態の構成要素と、本発明の構成要素との対応関係を説明する。
メモリカード3が本発明の記憶装置に対応している。
また、コンピュータ2が、本発明のデータ処理装置に対応している。
図5および図6に示すメモリ53_1〜53_8が本発明のメモリに対応し、図7に示すデータレジスタ66が本発明のレジスタに対応し、メモリセルアレイ72が本発明のメモリ領域に対応している。
また、図6のSP変換回路60_1〜60_4が、本発明の変換回路に対応している。
また、図3、図4および図5に示すバスB_DIOが、本発明のインタフェースに対応している。
また、図3に示す制御回路35が本発明の制御回路に対応している。
また、図6に示すメモリ53_1と53_2とを含む組、メモリ53_3と53_4とを含む組、メモリ53_5と53_6とを含む組、並びにメモリ53_7と53_8とを含む組がそれぞれ本発明の組に対応している。
また、レジスタ転送時間TRが、本発明の第1の時間長の時間帯に対応している。
また、最大プログラム時間TPmaxが、本発明の第2の時間長に対応している。
本実施形態では、メモリの数 nが「8」の場合を例示して説明する。
Hereinafter, a data processing system to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS.
First, the correspondence between the components of the present embodiment and the components of the present invention will be described.
The
The
The memories 53_1 to 53_8 shown in FIGS. 5 and 6 correspond to the memory of the present invention, the
Also, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 in FIG. 6 correspond to the conversion circuit of the present invention.
The bus B_DIO shown in FIGS. 3, 4 and 5 corresponds to the interface of the present invention.
A
Further, the set including the memories 53_1 and 53_2, the set including the memories 53_3 and 53_4, the set including the memories 53_5 and 53_6, and the set including the memories 53_7 and 53_8 illustrated in FIG. 6 respectively correspond to the set of the present invention. is doing.
The register transfer time TR corresponds to the first time length period of the present invention.
The maximum program time TPmax corresponds to the second time length of the present invention.
In the present embodiment, a case where the number n of memories is “8” will be described as an example.
図1は、データ処理システム10の全体構成図である。
図1に示すように、データ処理システム10は、例えば、コンピュータ2とメモリカード3とを有する。
先ず、データ処理システム10の概要を説明する。
コンピュータ2は、メモリカード3を装着する装着部(スロット)を備え、当該装着部に装着されたメモリカード3に対してデータの書き込みおよび読み出しを行う。
データ処理システム10では、図3および図5を用いて後述するように、制御回路35とメモリ回路36との間のデータ転送に用いるバスB_DIOを、メモリ回路36内のメモリ53_1〜53_8で共用する。そのため、当該バスを共用しない場合に比べて、図1に示すインタフェース16のピン数を少なくでき、小規模化を図れる。
また、データ処理システム10では、図6および図8に示すように、制御回路35は、各レジスタ転送時間TR内に2ページ分の書き込みデータをバスB_DIOに送出する。そして、SP変換回路60_1〜60_4は、制御回路35がバスB_DIOに送出した書き込みデータであるシリアルデータを、SP変換回路60_1〜60_4の各々に割り当てられた連続した異なる時間帯で取り込む。
すなわち、SP変換回路60_1〜60_4のうち単数のSP変換回路のみが各時間帯でバスB_DIOからシリアル形式の書き込みデータを取り込む。
その後、SP変換回路60_1〜60_4は、取り込んだ書き込みデータをパラレル形式に変換して後段のメモリ53_1〜53_8のデータレジスタ66に並列に転送する。
これにより、データ処理システム10によれば、コンピュータ2から見て、メモリカード3の書き込み動作の応答性を従来に比べて高めることができる。
FIG. 1 is an overall configuration diagram of a
As shown in FIG. 1, the
First, the outline of the
The
In the
In the
That is, only a single SP conversion circuit among the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 takes in serial format write data from the bus B_DIO in each time slot.
Thereafter, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 convert the fetched write data into a parallel format and transfer the converted data to the
Thereby, according to the
<コンピュータ2>
コンピュータ2は、パーソナルコンピュータ、携帯型オーディオ再生装置、携帯型ビデオ再生装置あるいは携帯電話などである。
<
The
図1に示すように、コンピュータ2は、例えば、信号処理回路11、リーダ・ライタ13およびインタフェース14を有する。
信号処理回路11は、クロック信号PCLKに基づいて動作して所定のデータを生成し、これをPCI(Peripheral Component Interconnect)バスを介してリーダ・ライタ13に出力する。
インタフェース14は、メモリカード3を装着する上述した装着部を備えている。
インタフェース14は、コンピュータ2において生成されたクロック信号SCLKと、リーダ・ライタ13から入力したデータWR_DATAとをメモリカード3のインタフェース16に出力する。データWR_DATAは、コンピュータ2がメモリカード3に書き込むデータである。
また、インタフェース14は、インタフェース16から入力したデータRD_DATAをリーダ・ライタ13に出力する。データRD_DATAは、コンピュータ2がメモリカード3から読み出したデータである。
As shown in FIG. 1, the
The
The
The
The
リーダ・ライタ13は、メモリカード本体17に対するデータ書き込みおよびデータ読み出しを制御する。
図2は、図1に示すリーダ・ライタ13の構成図である。
図2に示すように、リーダ・ライタ13は、例えば、SP変換/8−10デコード回路21、ECC(Error Correcting Code)デコーダ22、バス・インタフェース23、CRCC(Cyclic Redundancy Check Code)エンコーダ24、ECCエンコーダ25、スイッチ26および8−10エンコード/PS変換回路27を有する。
The reader / writer 13 controls data writing and data reading with respect to the memory card main body 17.
FIG. 2 is a block diagram of the reader / writer 13 shown in FIG.
As shown in FIG. 2, the reader / writer 13 includes, for example, an SP conversion / 8-10 decoding circuit 21, an ECC (Error Correcting Code)
SP変換/8−10デコード回路21は、信号処理回路11から入力したクロック信号PCLK、SCLKに基づいて動作する。
SP変換/8−10デコード回路21は、図1に示すメモリカード3のメモリカード本体17が出力した読み出しデータRD_DATAを、インタフェース16,14を介して入力する。
SP変換/8−10デコード回路21は、入力した読み出しデータRD_DATAを、シリアル形式からパラレル形式に変換後、もとの8ビットに変換し、変換後のデータDATA8[7:0]をECCデコーダ22に出力する。
ECCデコーダ22は、SP変換/8−10デコード回路21から入力したデータDATA8[7:0]にECC処理を施してデータRDATA[7:0]を生成し、これをバス・インタフェース23に出力する。
The SP conversion / 8-10 decode circuit 21 operates based on the clock signals PCLK and SCLK input from the
The SP conversion / 8-10 decoding circuit 21 inputs read data RD_DATA output from the memory card body 17 of the
The SP conversion / 8-10 decode circuit 21 converts the input read data RD_DATA from the serial format to the parallel format, and then converts it into the original 8 bits, and converts the converted data DATA8 [7: 0] to the
The
バス・インタフェース23は、信号処理回路11との間に設けられたPCIバスのインタフェースである。
バス・インタフェース23は、信号処理回路11からPCIバスを介して入力したデータのうち、メモリカード3に対する制御を規定したコマンドCOMMAND[7:0]をCRCCエンコーダ24に出力する。
また、バス・インタフェース23は、信号処理回路11からPCIバスを介して入力したデータのうち、メモリカード3に書き込むデータWDATA[7:0]をECCエンコーダ25に出力する。
また、バス・インタフェース23は、スイッチ26の切り換え信号MODEをスイッチ26に出力する。
The bus interface 23 is a PCI bus interface provided between the
The bus interface 23 outputs, to the
The bus interface 23 outputs data WDATA [7: 0] to be written to the
Further, the bus interface 23 outputs a switching signal MODE of the
CRCCエンコーダ24は、バス・インタフェース23から入力したコマンドCOMMAND[7:0]にCRCCのパリティデータを付加したコマンドENC_CMD[7:0]を生成し、これをスイッチ26に出力する。
ECCエンコーダ25は、バス・インタフェース23から入力したデータWDATA[7:0]にECCコードを付加した書き込みデータENC_DATA[7:0]を生成し、これをスイッチ26に出力する。
The
The
スイッチ26は、CRCCエンコーダ24から入力したコマンドENC_CMD[7:0]と、ECCエンコーダ25から入力した書き込みデータENC_DATA[7:0]とのうち何れかを、バス・インタフェース23から入力した切り換え信号MODEを基に選択してデータECC_ENC_DATAとして8−10エンコード/PS変換回路27に出力する。
8−10エンコード/PS変換回路27は、スイッチ26から入力したデータECC_ENC_DATAに8−10変換を施して直流成分(DC)が除去されたデータに変換した後に、これをパラレル形式からシリアル形式に変換し、同期コードを付加したデータWD_DATAを生成し、これを図1に示すインタフェース14を介してメモリカード3に出力する。
The
The 8-10 encoding / PS conversion circuit 27 performs 8-10 conversion on the data ECC_ENC_DATA input from the
<メモリカード3>
メモリカード3は、例えば、メモリスティック(登録商標)やSDメモリカード(登録商標)などである。
図1に示すように、メモリカード3は、インタフェース16およびメモリカード本体17を有する。
インタフェース16は、メモリカード3がコンピュータ2に装着された状態で、コンピュータ2のインタフェース14と接続され、インタフェース14からクロック信号SCLKを入力し、これをメモリカード本体17に出力する。
また、インタフェース16は、コンピュータ2がメモリカード3に対する書き込み動作を行うと、インタフェース14からデータWR_DATAを入力し、これをメモリカード本体17に出力する。
また、インタフェース16は、コンピュータ2がメモリカード3に対する読み出し動作を行うと、メモリカード本体17から出力した読み出しデータRD_DATAをコンピュータ2のインタフェース14に出力する。
<
The
As shown in FIG. 1, the
The
Further, the
The
図3は、図2に示すメモリカード本体17の構成図である。
図3に示すように、メモリカード本体17は、例えば、クロック分周回路31、SP変換/8−10デコード回路32、8−10エンコード/PS変換回路33、誤り検出回路34、制御回路35およびメモリ回路36を有する。
クロック分周回路31は、インタフェース16を介して入力したクロック信号SCLKを分周してクロック信号PCLKを生成し、これをSP変換/8−10デコード回路32、8−10エンコード/PS変換回路33、誤り検出回路34および制御回路35に出力する。
FIG. 3 is a block diagram of the memory card body 17 shown in FIG.
As shown in FIG. 3, the memory card body 17 includes, for example, a clock
The
SP変換/8−10デコード回路32は、インタフェース16を介して入力したデータWR_DATAをシリアル形式からパラレル形式に変換した後に、もとの8ビットに変換してデータDATA8[7:0]を生成し、これを誤り検出回路34に出力する。
SP変換/8−10デコード回路32は、クロック信号SCLK,PCLKに基づいて動作する。
8−10エンコード/PS変換回路33は、制御回路35がメモリ回路36から読み出した読み出しデータRDATA[7:0]を入力し、これに対して8−10変換を施して直流成分(DC)が除去されたデータに変換した後に、これをパラレル形式からシリアル形式に変換し、同期コードを付加したデータRD_DATAを生成し、これをインタフェース16に出力する。
8−10エンコード/PS変換回路33は、クロック信号SCLK,PCLKに基づいて動作する。
The SP conversion / 8-10 decode circuit 32 converts the data WR_DATA input via the
The SP conversion / 8-10 decode circuit 32 operates based on the clock signals SCLK and PCLK.
The 8-10 encode /
The 8-10 encode /
誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]の誤り検出を行い、その結果を制御回路35に出力する。
具体的には、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]がコマンドENC_CMD[7:0]である場合には、それをコマンドCOMMAND[7:0]として制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]が書き込みデータENC_DATA[7:0]である場合には、それを書き込みデータWDATA[7:0]として制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]のシンドロームであるデータECC_SYND[7:0]を検出し、これを制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]のシンドロームであるデータCRCC_SYND[7:0]を検出し、これを制御回路35に出力する。
The error detection circuit 34 detects an error in the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decoding circuit 32 and outputs the result to the
Specifically, when the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32 is the command ENC_CMD [7: 0], the error detection circuit 34 converts the data DATA [7: 0] into the command COMMAND [7 : 0] to the
Further, when the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32 is the write data ENC_DATA [7: 0], the error detection circuit 34 writes the write data WDATA [7: 0] to the
Further, the error detection circuit 34 detects data ECC_SYNC [7: 0], which is a syndrome of the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32, and outputs this to the
Further, the error detection circuit 34 detects data CRCC_SYNC [7: 0], which is a syndrome of the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decoding circuit 32, and outputs this to the
制御回路35は、誤り検出回路34から入力したコマンドCOMMAND[7:0]に基づいて、メモリ回路36に対する書き込み動作および読み出し動作を行う。
具体的には、制御回路35は、コマンドCOMMAND[7:0]が書き込みを示す場合に、誤り検出回路34から入力した書き込みデータWDATA[7:0]、データECC_SYND[7:0]およびデータCRCC_SYND[7:0]を関連付けてデータDIO[7:0]を生成し、これをメモリ回路36にバスB_DIOを介して出力する。
制御回路35は、コマンドCOMMAND[7:0]が書き込みを示す場合に、所定の規則に従って、データDIO[7:0]をメモリ回路36内の所定のアドレスに書き込む。
また、制御回路35は、コマンドCOMMAND[7:0]が読み出しを示す場合に、コマンドCOMMAND[7:0]を基に特定したメモリ回路36内の所定のアドレスからデータをバスB_DIOを介して読み出し、これをデータRDATA[7:0]として8−10エンコード/PS変換回路33に出力する。
The
Specifically, when the command COMMAND [7: 0] indicates writing, the
When the command COMMAND [7: 0] indicates writing, the
Further, when the command COMMAND [7: 0] indicates reading, the
図4は、図3に示す制御回路35の構成図である。
図4に示すように、制御回路35は、例えば、デコーダ41、FIFO(First In First Out)回路42、入出力回路43および8個のメモリ制御回路45_1〜45_8を有する。
本実施形態では、後述する図5に示すように、メモリ回路36が8個のメモリ53_1〜53_8を備えている場合を例示し、メモリ制御回路45_1〜45_8はメモリ53_1〜53_8のそれぞれに対応して設けられている。
FIG. 4 is a block diagram of the
As shown in FIG. 4, the
In the present embodiment, as shown in FIG. 5 to be described later, the case where the memory circuit 36 includes eight memories 53_1 to 53_8 is illustrated, and the memory control circuits 45_1 to 45_8 correspond to the memories 53_1 to 53_8, respectively. Is provided.
デコーダ41は、誤り検出回路34から入力したコマンドCOMMAND[7:0]に基づいて、FIFO回路42、入出力回路43およびメモリ制御回路45_1〜45_8を制御する。
具体的には、デコーダ41は、コマンドCOMMAND[7:0]が書き込みを示す場合に、上述したように生成したデータDIO[7:0]をFIFO回路42に出力する。
そして、デコーダ41が、FIFO回路42および入出力回路43を制御して、メモリ回路36との間に設けられたバスB_DIOを介して、データDIO[7:0]をメモリ回路36に出力する。
また、デコーダ41は、コマンドCOMMAND[7:0]が書き込みを示す場合に、メモリカード本体17における後述する書き込み動作が行われるようにメモリ制御回路45_1〜45_8を制御する。
メモリ制御回路45_1〜45_8は、デコーダ41からの制御に基づいて、メモリ回路36に後述する書き込み動作を行わせるための制御信号CTL1〜8を生成し、これをメモリ回路36に出力する。
また、デコーダ41は、メモリ回路36に後述する書き込み動作を行わせるための制御信号CTL11,12,13,14を生成し、これをメモリ回路36に出力する。
The decoder 41 controls the
Specifically, the decoder 41 outputs the data DIO [7: 0] generated as described above to the
Then, the decoder 41 controls the
In addition, when the command COMMAND [7: 0] indicates writing, the decoder 41 controls the memory control circuits 45_1 to 45_8 so that a writing operation described later in the memory card body 17 is performed.
Based on the control from the decoder 41, the memory control circuits 45_1 to 45_8 generate control signals CTL1 to CTL8 for causing the memory circuit 36 to perform a write operation to be described later, and output this to the memory circuit 36.
In addition, the decoder 41 generates
デコーダ41は、コマンドCOMMAND[7:0]が読み出しを示す場合に、メモリカード本体17からの読み出し動作を実現するようにメモリ制御回路45_1〜45_8を制御する。
また、デコーダ41は、バスB_DIOを介してメモリカード本体17から読み出されたデータRDATA0[7:0]を入出力回路43を介して入力するように、入出力回路43を制御する。
デコーダ41は、メモリカード本体17から読み出されたデータRDATA0[7:0]を、読み出しデータRDATA[7:0]として図3に示す8−10エンコード/PS変換回路33に出力する。
When the command COMMAND [7: 0] indicates reading, the decoder 41 controls the memory control circuits 45_1 to 45_8 so as to realize a reading operation from the memory card body 17.
In addition, the decoder 41 controls the input / output circuit 43 so that the data RDATA0 [7: 0] read from the memory card body 17 via the bus B_DIO is input via the input / output circuit 43.
The decoder 41 outputs the data RDATA0 [7: 0] read from the memory card body 17 to the 8-10 encode /
図5および図6は、図3に示すメモリ回路36の構成図である。
メモリ回路36は、例えば、フラッシュメモリである。
図5に示すように、メモリ回路36は、例えば、信号線51、メモリ53_1〜53_8および信号線55を有する。
図6に示すように、メモリ回路36は、SP変換回路60_1,60_2,60_3,60_4をさらに有する。
5 and 6 are configuration diagrams of the memory circuit 36 shown in FIG.
The memory circuit 36 is, for example, a flash memory.
As illustrated in FIG. 5, the memory circuit 36 includes, for example, a
As shown in FIG. 6, the memory circuit 36 further includes SP conversion circuits 60_1, 60_2, 60_3, and 60_4.
信号線51は、図4に示す制御回路35のメモリ制御回路45_1〜45_8からの制御信号CTL1〜CTL8を、それぞれメモリ53_1〜53_8に出力する。
メモリ53_1〜53_8は、それぞれ信号線51を介して制御信号CTL1〜CTL8を入力し、それぞれ制御信号CTL1〜CTL8に基づいてデータ書き込みおよび読み出しの動作を行う。
また、メモリ53_1〜53_8は、SP変換回路60_1〜60_4およびバスB_DIOを介して、制御回路35から書き込みデータを入力する。
また、メモリ53_1〜53_8は、読み出したデータをバスB_DIOを介して制御回路35に出力する。
本実施形態では、メモリ53_1〜53_8の間でバスB_DIOを共用している。
The
The memories 53_1 to 53_8 receive the control signals CTL1 to CTL8 through the signal lines 51, respectively, and perform data writing and reading operations based on the control signals CTL1 to CTL8, respectively.
The memories 53_1 to 53_8 receive write data from the
Further, the memories 53_1 to 53_8 output the read data to the
In the present embodiment, the bus B_DIO is shared between the memories 53_1 to 53_8.
SP変換回路60_1〜60_4は、制御回路35から入力したそれぞれ制御信号CTL11〜14に基づいて、バスB_DIOを伝送するシリアルデータを取り込んで、パラレル形式に変換する。
このとき、SP変換回路60_1〜60_4は、制御回路35がバスB_DIOに送出した書き込みデータであるシリアルデータを、SP変換回路60_1〜60_4の各々に割り当てられた連続した異なる時間帯で取り込む。すなわち、SP変換回路60_1〜60_4のうち単数のSP変換回路のみが各時間帯でバスB_DIOからシリアルデータを取り込む。
SP変換回路60_1は、書き込み動作において、バスB_DIOを伝送するシリアルデータである書き込みデータをパラレル形式に変換し、変換後の書き込みデータをメモリ53_1と53_2とに並列に書き込む。
SP変換回路60_2は、書き込み動作において、バスB_DIOを伝送するシリアルデータである書き込みデータをパラレル形式に変換し、変換後の書き込みデータをメモリ53_3と53_4とに並列に書き込む。
SP変換回路60_3は、書き込み動作において、バスB_DIOを伝送するシリアルデータである書き込みデータをパラレル形式に変換し、変換後の書き込みデータをメモリ53_5と53_6とに並列に書き込む。
SP変換回路60_4は、書き込み動作において、バスB_DIOを伝送するシリアルデータである書き込みデータをパラレル形式に変換し、変換後の書き込みデータをメモリ53_7と53_8とに並列に書き込む。
The SP conversion circuits 60_1 to 60_4 take in the serial data transmitted through the bus B_DIO based on the control signals CTL11 to 14 input from the
At this time, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 take in the serial data, which is the write data sent to the bus B_DIO by the
In the write operation, the SP conversion circuit 60_1 converts write data, which is serial data transmitted through the bus B_DIO, into a parallel format, and writes the converted write data in the memories 53_1 and 53_2 in parallel.
In the write operation, the SP conversion circuit 60_2 converts the write data that is serial data transmitted through the bus B_DIO into a parallel format, and writes the converted write data in the memories 53_3 and 53_4 in parallel.
In the write operation, the SP conversion circuit 60_3 converts write data, which is serial data transmitted through the bus B_DIO, into a parallel format, and writes the converted write data in the memories 53_5 and 53_6 in parallel.
In the write operation, the SP conversion circuit 60_4 converts the write data, which is serial data transmitted through the bus B_DIO, into a parallel format, and writes the converted write data in the memories 53_7 and 53_8 in parallel.
図7は、図5および図6に示すメモリ53_1の構成図である。
メモリ53_2〜53_8は、それぞれ制御信号CTL2〜CTL8を入力する点を除いて、メモリ53_1と同じ構成を有している。
図7に示すように、メモリ53_1は、例えば、制御回路61、アドレスレジスタ63、データレジスタ66、カラムバッファ67、カラムデコーダ68、ローアドレスバッファ69、ローアドレスデコーダ70、センスアンプ71、メモリセルアレイ72、高電圧発生回路73およびステータス生成回路75を有する。
FIG. 7 is a configuration diagram of the memory 53_1 shown in FIGS.
The memories 53_2 to 53_8 have the same configuration as the memory 53_1 except that the control signals CTL2 to CTL8 are input.
As shown in FIG. 7, the memory 53_1 includes, for example, a
制御回路61は、信号線51を介して図4に示すメモリ制御回路45_1から入力した制御信号CTL1に基づいて、メモリセルアレイ72への書き込みおよび読み出しを制御する。
アドレスレジスタ63には、制御回路61によってメモリセルアレイ72内のアクセスされる(読み出しあるいは書き込みが行われる)記憶素子のアドレスデータが設定される。
データレジスタ66は、メモリセルアレイ72に書き込まれるデータ、あるいはメモリセルアレイ72から読み出されたデータが書き込まれる。
書き込み動作時に、データレジスタ66には図4に示す入出力回路43からバスB_DIOに送出され、SP変換回路60_1でパラレル形式に変換された書き込みデータが転送される。
このとき、図4に示すデコーダ41は、制御信号CTL11〜14により、SP変換回路60_1〜60_4が、連続した異なる時間帯で書き込みデータを取り込んで、それをパラレル形式に変換して後段のメモリ53_1〜53_8に出力する。
すなわち、SP変換回路60_1がバスB_DIOから書き込みデータを取り込む時間帯が、メモリ53_1,53_2のレジスタ転送時間TRとなる。
また、SP変換回路60_2がバスB_DIOから書き込みデータを取り込む時間帯が、メモリ53_3,53_4のレジスタ転送時間TRとなる。
SP変換回路60_3がバスB_DIOから書き込みデータを取り込む時間帯が、メモリ53_5,53_6のレジスタ転送時間TRとなる。
SP変換回路60_4がバスB_DIOから書き込みデータを取り込む時間帯が、メモリ53_7,53_8のレジスタ転送時間TRとなる。
The
The
Data written to the
During the write operation, the write data sent to the data register 66 from the input / output circuit 43 shown in FIG. 4 to the bus B_DIO and converted into the parallel format by the SP conversion circuit 60_1 is transferred.
At this time, in the decoder 41 shown in FIG. 4, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 take in the write data in consecutive different time zones by the control signals CTL11 to 14, convert them into the parallel format, and convert the memory 53_1 in the subsequent stage. To 53_8.
That is, the time period during which the SP conversion circuit 60_1 takes in the write data from the bus B_DIO is the register transfer time TR of the memories 53_1 and 53_2.
In addition, a time period during which the SP conversion circuit 60_2 takes in write data from the bus B_DIO is a register transfer time TR of the memories 53_3 and 53_4.
The time zone in which the SP conversion circuit 60_3 takes in the write data from the bus B_DIO is the register transfer time TR of the memories 53_5 and 53_6.
The time zone in which the SP conversion circuit 60_4 takes in the write data from the bus B_DIO is the register transfer time TR of the memories 53_7 and 53_8.
カラムバッファ67は、アドレスレジスタ63に記憶されたアドレスデータのうち、メモリセルアレイ72のカラムアドレスを規定するデータがアドレスレジスタ63から読み出される。
カラムデコーダ68は、カラムバッファ67から読み出されたデータをデコードしてメモリセルアレイ72内の読み出し対象となるデータ線をアクティブにする。
ローアドレスバッファ69は、アドレスレジスタ63に記憶されたアドレスデータのうち、メモリセルアレイ72のローアドレスを規定するデータがアドレスレジスタ63から読み出される。
ローアドレスデコーダ70は、ローアドレスバッファ69から読み出されたデータをデコードしてメモリセルアレイ72内の読み出し対象となるワード線をアクティブにする。
メモリ53_1では、書き込み動作時に、カラムデコーダ68およびローアドレスデコーダ70によってアクティブにされたデータ線とワード線によって規定される記憶素子に、データレジスタ66に記憶されたデータが書き込まれる。
また、メモリ53_1では、読み出し動作時に、カラムデコーダ68およびローアドレスデコーダ70によってアクティブにされたデータ線とワード線によって規定される記憶素子からデータをセンスアンプ71の作用によりデータレジスタ66に読み出す。
In the column buffer 67, data defining a column address of the
The column decoder 68 decodes the data read from the column buffer 67 and activates the data line to be read in the
The
The
In the memory 53_1, the data stored in the data register 66 is written to the storage element defined by the data line and the word line activated by the column decoder 68 and the
In the memory 53_1, data is read from the storage element defined by the data line and the word line activated by the column decoder 68 and the
センスアンプ71は、読み出し時に、メモリセルアレイ72内のアクティブにされたデータ線とワード線とによって規定される記憶素子の記憶データに応じたワード線の電位を増幅して読み出しデータとしてデータレジスタ66に書き込む。
メモリセルアレイ72は、ワード線とデータ線によって規定されるマトリクス状の位置に記憶素子を形成している。
高電圧発生回路73は、ローアドレスデコーダ70、センスアンプ71およびメモリセルアレイ72に駆動用電圧を供給する。
ステータス生成回路75は、制御回路61がデータレジスタ66からメモリセルアレイ72にデータへの書き込み中にBUSYを示し、それ以外の時間帯にREADYを示すステータス信号STATUSを生成し、これを図3に示す制御回路35に出力する。
At the time of reading, the
The
The high
The
データ処理システム10は、メモリカード3においてメモリ53_1〜53_8への書き込み動作を、2つのメモリへの並列書き込みを単位として、パイプライン処理で行うことを特徴の一つとしている。
当該パイプライン処理は、図3に示すメモリカード3の制御回路35、具体的には図4に示すデコーダ41が図5に示すメモリ53_1〜53_8および図6に示すSP変換回路60_1〜60_4を制御して行われる。
以下、デコーダ41が、1ブロック分の書き込みデータをメモリ53_1〜53_8のメモリセルアレイ72に書き込む処理を説明する。
本実施形態において、ブロックはメモリ53_1〜53_8の各々においてメモリセルアレイ72の記憶消去処理を行う単位である。1ブロックは複数のページで構成され、例えば、「4」個のページで構成される。1ページは、例えば、2048バイトのデータである。
本実施形態では、1ブロックを構成するページの数をBLKとも記す。また、メモリ53_1〜53_8の数をnとも記す。また、SP変換回路60_1〜60_4の各々に接続されたメモリ53_1〜53_8の数をkと記す。ここで、以下の例では、BLK=4、n=8、k=2である。
The
In the pipeline processing, the
Hereinafter, a process in which the decoder 41 writes write data for one block to the
In the present embodiment, the block is a unit for performing the memory erasure process of the
In this embodiment, the number of pages constituting one block is also referred to as BLK. The number of memories 53_1 to 53_8 is also denoted as n. The number of memories 53_1 to 53_8 connected to each of the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 is denoted as k. Here, in the following example, BLK = 4, n = 8, and k = 2.
すなわち、メモリ53_1〜53_8の制御回路61の各々が、デコーダ41の制御(それぞれ制御信号CTL1〜8)に基づいて、メモリセルアレイ72内のBLK個のページに相当する記憶領域の記憶消去を行う(記憶消去処理)。これにより、メモリ53_1〜53_8全体でn*BLK個のページ分の記憶領域の記憶消去が行われる。
具体的には、制御回路61は、メモリセルアレイ72内のBLK個のページに相当する記憶領域に第1の論理値(例えば「1」)を書き込み、これを読み出して検証(ベリファイ)する。そして、当該検証において消去に失敗したと判断すると、消去処理を再び行う。消去に失敗した場合にはステータス生成回路75からデコーダ41に失敗を示すステータス信号STATUSが図4に示すデコーダ41に出力される。一方、消去に成功した場合にはステータス生成回路75からデコーダ41に成功を示すステータス信号STATUSが図4に示すデコーダ41に出力される。
消去処理の繰り返し最大回数は、予め所定の数(例えば「4」)に規定される。
このように、デコーダ41による記憶消去処理に要する時間は消去処理の繰り返し回数に依存し、不確定である。本実施形態では、消去処理が最大回数行われた場合に要する時間を1ブロック最大消去時間TEmaxとして予め規定し、これを記憶消去処理EPに割り当てる。最大消去時間TEmaxは、例えば、4msである。
That is, each of the
Specifically, the
The maximum number of repetitions of the erasing process is defined in advance as a predetermined number (eg, “4”).
As described above, the time required for the memory erasing process by the decoder 41 depends on the number of times the erasing process is repeated and is uncertain. In the present embodiment, the time required when the erasing process is performed the maximum number of times is defined in advance as the one-block maximum erasing time TEmax, and this is assigned to the memory erasing process EP. The maximum erase time TEmax is, for example, 4 ms.
次に、デコーダ41は、2ページ分の書き込みデータをFIFO回路42および入出力回路43を介してバスB_DIOに送出する。
このとき、デコーダ41は、1レジスタ転送時間TRには、SP変換回路60_1〜60_4のうちバスB_DIOからのデータ取り込みを行うSP変換回路に対応付けられた2つのメモリ53_1〜53_8に転送する2ページのデータをシリアル形式でバスB_DIOに送出する。
具体的には、デコーダ41は、2つのメモリ53_1〜53_8のうち、一方のメモリに転送するページのバイトデータと、他方のメモリに転送するページのバイトデータとを交互にバスB_DIOに送出する。
Next, the decoder 41 sends write data for two pages to the bus B_DIO via the
At this time, the decoder 41 transfers two pages to the two memories 53_1 to 53_8 associated with the SP conversion circuit that takes in data from the bus B_DIO among the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 during one register transfer time TR. Are sent to the bus B_DIO in a serial format.
Specifically, of the two memories 53_1 to 53_8, the decoder 41 alternately sends the page byte data transferred to one memory and the page byte data transferred to the other memory to the bus B_DIO.
そして、SP変換回路60_1〜60_4は、制御回路35がバスB_DIOに送出した書き込みデータであるシリアルデータを、SP変換回路60_1〜60_4の各々に割り当てられた連続した異なる時間帯(レジスタ転送時間TR)で取り込む。すなわち、SP変換回路60_1〜60_4は、相互に異なる時間帯でバスB_DIOから書き込みデータを取り込む。
バスB_DIOから書き込みデータを取り込んだSP変換回路60_x(xは、1≦x≦4を満たす整数)は、当該取り込んだ書き込みデータをパラレル形式に変換し、変換後の各々1ページ分の2つの書き込みデータを、SP変換回路60_xに接続された2つのメモリ53_y(yは、1≦y≦8を満たす整数)にそれぞれ出力する。
メモリ53_yは、SP変換回路60_xから入力した1ページ分の書き込みデータを、図7に示す制御回路61によって、データレジスタ66に転送する。
本実施形態において、制御回路35が書き込みデータをバスB_DIOに送出し、これが対応するメモリ53_xのデータレジスタ66に書き込む処理をレジスタ転送処理と呼ぶ。当該レジスタ転送処理に要する時間は確定しており、レジスタ転送時間TR(本発明の第1の時間長の時間帯)と記す。
デコーダ41は、レジスタ転送時間TRを各々が持つ連続した異なる時間帯に、SP変換回路60_1〜60_4がバスB_DIOから書き込みデータを取り込み、その後段のメモリ53_1〜53_8のデータレジスタ66に転送するように、制御信号CTL1〜8,CTL11〜14を生成する。
これにより、図8に示すように、メモリ53_1および53_2に対するレジスタ転送処理RPが同じ時間帯に行われ、メモリ53_3および53_4に対するレジスタ転送処理RPが同じ時間帯に行われ、メモリ53_5および53_6に対するレジスタ転送処理RPが同じ時間帯に行われ、メモリ53_7および53_8に対するレジスタ転送処理RPが同じ時間帯に行われる。
なお、図8において、P(数字)は、各レジスタ転送時間TRにおいて転送されるページを示している。
Then, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 convert the serial data, which is the write data sent from the
The SP conversion circuit 60_x (x is an integer satisfying 1 ≦ x ≦ 4) that takes in the write data from the bus B_DIO converts the fetched write data into a parallel format, and performs two writes for each converted page. The data is output to each of the two memories 53_y (y is an integer satisfying 1 ≦ y ≦ 8) connected to the SP conversion circuit 60_x.
The memory 53_y transfers write data for one page input from the SP conversion circuit 60_x to the data register 66 by the
In the present embodiment, the process in which the
In the decoder 41, the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 take in the write data from the bus B_DIO and transfer them to the data registers 66 of the subsequent memories 53_1 to 53_8 in different time zones each having a register transfer time TR. The control signals CTL1 to 8 and CTL11 to 14 are generated.
As a result, as shown in FIG. 8, the register transfer processing RP for the memories 53_1 and 53_2 is performed in the same time zone, the register transfer processing RP for the memories 53_3 and 53_4 is performed in the same time zone, and the registers for the memories 53_5 and 53_6 are performed. The transfer process RP is performed in the same time zone, and the register transfer process RP for the memories 53_7 and 53_8 is performed in the same time zone.
In FIG. 8, P (number) indicates a page transferred during each register transfer time TR.
次に、デコーダ41は、メモリ53_1〜53_8を制御してそれぞれの制御回路61が、データレジスタ66から書き込みデータを読み出してメモリセルアレイ72に書き込むように制御する(プログラム処理)。
デコーダ41は、メモリ53_1〜53_8の各々について、メモリセルアレイ72の指定されたページ分の記憶素子に対してデータレジスタ66から読み出したデータを書き込み、これを読み出して検証(ベリファイ)する。そして、当該検証において書き込みに失敗したと判断すると、書き込み処理を再び行う。書き込み処理の繰り返し最大回数は、予め(例えば「7」に)規定される。書き込みに失敗した場合にはステータス生成回路75からデコーダ41に失敗を示すステータス信号STATUSが図4に示すデコーダ41に出力される。一方、書き込みに成功した場合にはステータス生成回路75からデコーダ41に成功を示すステータス信号STATUSが図4に示すデコーダ41に出力される。
本実施形態では、デコーダ41によるプログラム処理PPに要する時間は書き込み処理の繰り返し回数に依存し、不確定である。本実施形態では、書き込み処理が最大回数行われた場合に要する時間を、最大プログラム時間TPmax(本発明の第2の時間長)として予め規定し、これをプログラム処理PPに割り当てる。最大プログラム時間TPmaxは、例えば、700μsである。
Next, the decoder 41 controls the memories 53_1 to 53_8 so that each
For each of the memories 53_1 to 53_8, the decoder 41 writes the data read from the data register 66 to the storage elements for the designated page of the
In the present embodiment, the time required for the program process PP by the decoder 41 depends on the number of repetitions of the write process and is uncertain. In the present embodiment, the time required when the write process is performed the maximum number of times is defined in advance as the maximum program time TPmax (second time length of the present invention), and this is assigned to the program process PP. The maximum program time TPmax is 700 μs, for example.
このように、図4に示すデコーダ41は、図8に示すように、図5および図6に示すメモリ53_1〜53_8の各々に対して、記憶消去処理に最大消去時間TEmaxを割り当て、レジスタ転送処理にレジスタ転送時間TRを割り当て、プログラム処理に最大プログラム時間TPmaxを割り当てる。
また、上述したように、デコーダ41は、図8に示すように、SP変換回路60_1〜60_4が、レジスタ転送時間TRを各々が持つ連続した異なる時間帯にバスB_DIOから書き込みデータを取り込むように制御する。
また、デコーダ41は、例えば、図8に示すように、メモリ53_1〜53_8の各々が自らに割り当てられたレジスタ転送時間TR内にレジスタ転送処理RPを行い、その終了後に続けてプログラム処理PPを行うように、メモリ制御回路45_1〜45_8を制御する。
また、デコーダ41は、プログラム処理PPを開始後、最大プログラム時間TPmaxが経過すると、続けて、次のレジスタ転送処理RPを開始するように、メモリ制御回路45_1〜45_8を制御する。
なお、デコーダ41は、4回連続してレジスタ転送処理RP終了後にプログラム処理PPを開始した場合に、4回目のプログラム処理PPを開始してから最大プログラム時間TPmax終了後に、記憶消去処理EPを行う。
As shown in FIG. 8, the decoder 41 shown in FIG. 4 assigns the maximum erase time TEmax to the memory erase process for each of the memories 53_1 to 53_8 shown in FIGS. Is assigned a register transfer time TR, and a maximum program time TPmax is assigned to program processing.
Further, as described above, the decoder 41 controls the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 to take in the write data from the bus B_DIO in consecutive different time zones each having the register transfer time TR, as shown in FIG. To do.
Further, for example, as shown in FIG. 8, the decoder 41 performs the register transfer process RP within the register transfer time TR assigned to each of the memories 53_1 to 53_8, and subsequently performs the program process PP after the end. Thus, the memory control circuits 45_1 to 45_8 are controlled.
In addition, the decoder 41 controls the memory control circuits 45_1 to 45_8 to start the next register transfer process RP when the maximum program time TPmax elapses after the program process PP is started.
When the decoder 41 starts the program process PP after the end of the register transfer process RP four times in succession, the decoder 41 performs the memory erase process EP after the end of the maximum program time TPmax after the start of the fourth program process PP. .
これにより、デコーダ41は、メモリ制御回路45_1〜45_8の間で、記憶消去処理EPとプログラム処理PPとを擬似的にパイプライン処理することができる。
すなわち、上述したデコーダ41の制御により、図8に示すように、書き込み動作時に、図5および図6に示すメモリ53_7および53_8に対して図3に示す制御回路35から1ページ分のデータを転送した直後に、制御回路35はメモリ53_1および53_2に対して1ページ分のデータを転送することができ、制御回路35から見ればプログラム処理PPによる待ち時間が生じない。
As a result, the decoder 41 can perform pseudo-pipeline processing between the memory erase circuit EP and the program process PP between the memory control circuits 45_1 to 45_8.
That is, under the control of the decoder 41 described above, as shown in FIG. 8, during the write operation, data for one page is transferred from the
以下、記憶消去処理EPの後に、1ブロック分のデータをメモリ回路36に書き込む場合を考える。
この場合に、プログラム処理PPによる待ち時間が生じないので、記憶消去処理EPを介してから次に記憶消去処理EPを開始するまでの間に、図3に示す制御回路35から見て1ページ分のデータをメモリ回路36に書き込むことができる時間間隔(以下、最小データ到着間隔とも記す)Taは、下記式(1)のようになる。
Hereinafter, a case where data for one block is written in the memory circuit 36 after the memory erasing process EP will be considered.
In this case, there is no waiting time due to the program processing PP, so that one page is viewed from the
[数1]
Ta=(BLK*TR+TEmax)/(k*BLK)
…(1)
[Equation 1]
Ta = (BLK * TR + TEmax) / (k * BLK)
... (1)
パイプライン処理によりプログラム処理PPによる待ち時間が生じないので、(1)式にはTPmaxは現れない。上述した実施形態では、BLK=4、k=2であるため、上記式(1)に従うと、最小データ到達時間間隔Taは、下記式(2)のようになる。 Since the waiting time due to the program processing PP does not occur due to the pipeline processing, TPmax does not appear in the equation (1). In the above-described embodiment, since BLK = 4 and k = 2, according to the above equation (1), the minimum data arrival time interval Ta is represented by the following equation (2).
[数2]
Ta=(4*TR+TEmax)/(2*4)
…(2)
[Equation 2]
Ta = (4 * TR + TEmax) / (2 * 4)
... (2)
なお、実際のフラッシュメモリでは、例えばBLK=64となる。これを並列に2つ接続することで、制御回路35から見て、プログラム処理PPによる待ち時間はなくなる。
この場合、TR=0.1ms、TPmax=0.3ms、TEmax=4msとした場合、最小データ到達時間間隔Taは0.081ms となる。
また、制御回路35からメモリ回路36に対しての書き込みレートRATEは、下記式(3)で規定される。
なお、下記式(3)において、PAGEは、1ページのビット量(2048*8=16384ビット)を示している。
In an actual flash memory, for example, BLK = 64. By connecting these two in parallel, the waiting time due to the program processing PP is eliminated as seen from the
In this case, when TR = 0.1 ms, TPmax = 0.3 ms, and TEmax = 4 ms, the minimum data arrival time interval Ta is 0.081 ms.
The write rate RATE from the
In the following formula (3), PAGE indicates the bit amount of one page (2048 * 8 = 16384 bits).
[数3]
RATE=PAGE/Ta
…(3)
[Equation 3]
RATE = PAGE / Ta
... (3)
また、予め記憶消去処理EPが行われている場合には、最小データ到達時間間隔Taは、レジスタ転送時間TRを並列数kで割ったものとなるため、メモリ53_1〜53_8を2並列接続すると、Ta=TR/2=0.05ms、RATE=328Mbsとなる。 Further, when the memory erasing process EP is performed in advance, the minimum data arrival time interval Ta is obtained by dividing the register transfer time TR by the parallel number k. Therefore, when two memories 53_1 to 53_8 are connected in parallel, Ta = TR / 2 = 0.05 ms and RATE = 328 Mbs.
<データ処理システム10の全体動作例>
以下、データ処理システム10において、コンピュータ2からメモリカード3にデータを書き込む場合の全体動作例を説明する。
図1に示すコンピュータ2の信号処理回路11が所定の処理を行って生成したデータを、PCIバスを介してリーダ・ライタ13に出力する。
リーダ・ライタ13は、信号処理回路11から入力したデータを基に、書き込みを示すコマンドENC_CMD[7:0]と、書き込みデータENC_DATA[7:0]とデータWR_DATAとしてインタフェース14を介してメモリカード3に出力する。
また、コンピュータ2は、クロック信号SCLKをメモリカード3に出力する。
<Example of Overall Operation of
Hereinafter, an example of the overall operation when data is written from the
Data generated by the
Based on the data input from the
Further, the
メモリカード3は、コンピュータ2から入力したデータWR_DATAおよびクロック信号SCLKをインタフェース16で入力し、これをメモリカード本体17に出力する。
そして、図3に示すメモリカード本体17において、以下の処理が行われる。
The
Then, the following processing is performed in the memory card main body 17 shown in FIG.
クロック分周回路31が、インタフェース16を介して入力したクロック信号SCLKを分周してクロック信号PCLKを生成し、これをSP変換/8−10デコード回路32、8−10エンコード/PS変換回路33、誤り検出回路34および制御回路35に出力する。
そして、SP変換/8−10デコード回路32が、インタフェース16を介して入力したデータWR_DATAをシリアル形式からパラレル形式に変換した後に、もとの8ビットに変換してデータDATA8[7:0]を生成し、これを誤り検出回路34に出力する。
そして、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]がコマンドENC_CMD[7:0]である場合には、それをコマンドCOMMAND[7:0]として制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]が書き込みデータENC_DATA[7:0]である場合には、それを書き込みデータWDATA[7:0]として制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]のシンドロームであるデータECC_SYND[7:0]を検出し、これを制御回路35に出力する。
また、誤り検出回路34は、SP変換/8−10デコード回路32から入力したデータDATA[7:0]のシンドロームであるデータCRCC_SYND[7:0]を検出し、これを制御回路35に出力する。
The clock
The SP conversion / 8-10 decode circuit 32 converts the data WR_DATA input via the
When the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32 is the command ENC_CMD [7: 0], the error detection circuit 34 converts the data DATA [7: 0] into the command COMMAND [7: 0]. To the
Further, when the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32 is the write data ENC_DATA [7: 0], the error detection circuit 34 writes the write data WDATA [7: 0] to the
Further, the error detection circuit 34 detects data ECC_SYNC [7: 0], which is a syndrome of the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decode circuit 32, and outputs this to the
Further, the error detection circuit 34 detects data CRCC_SYNC [7: 0], which is a syndrome of the data DATA [7: 0] input from the SP conversion / 8-10 decoding circuit 32, and outputs this to the
そして、制御回路35は、書き込みを示すコマンドCOMMAND[7:0]に従って、図5〜図8を用いて前述した動作がメモリ回路36内で行われるように、メモリ回路36を制御する。
Then, the
以上説明したように、データ処理システム10によれば、図3および図6に示すように、制御回路35とメモリ回路36との間のデータ転送に用いるバスB_DIOを、メモリ回路36内のメモリ53_1〜53_8で共用する。そのため、当該バスを共用しない場合に比べて、図1に示すインタフェース16のピン数を少なくでき、小規模化を図れる。
また、データ処理システム10によれば、図6および図8を用いて説明したように、制御回路35は、各レジスタ転送時間TR内に2ページ分の書き込みデータをバスB_DIOに送出する。そして、SP変換回路60_1〜60_4は、制御回路35がバスB_DIOに送出した書き込みデータであるシリアルデータを、SP変換回路60_1〜60_4の各々に割り当てられた連続した異なる時間帯で取り込む。すなわち、SP変換回路60_1〜60_4のうち単数のSP変換回路のみが各時間帯でバスB_DIOからシリアル形式の書き込みデータを取り込む。その後、SP変換回路60_1〜60_4は、取り込んだ書き込みデータをパラレル形式に変換して後段のメモリ53_1〜53_8のデータレジスタ66に並列に転送する。
これにより、データ処理システム10は、図8に示すように、2つのメモリ53_1〜53_8を組として、レジスタ転送時間TR内に当該組に属する2つのメモリのレジスタ転送処理RPを行い、レジスタ転送処理RP後に直にプログラム処理PPを開始し、最大プログラム時間TPmax経過後に次の組のレジスタ転送処理RPを行うことで、図3に示す制御回路35から見てメモリ回路36に対する書き込み待ち時間を無くすことができる。
As described above, according to the
Further, according to the
As a result, as shown in FIG. 8, the
すなわち、従来では、前述したように、複数のフラッシュメモリの全てについてのレジスタ転送処理を異なる時間帯で実行した後に、当該複数のフラッシュメモリのプログラム処理を同時に開始し、最大プログラム時間経過後にレジスタ転送処理を再び行っていたため、プログラム処理が終了するまで最大プログラム時間の間、電子機器が半導体記憶装置に書き込みデータを転送できない(レジスタ転送処理を行えない)。これに対して、上述したデータ処理システム10は、上述した書き込み動作をおこなうことで、従来に比べて書き込み動作の応答性を高めることができる。
In other words, as described above, after executing register transfer processing for all of the plurality of flash memories in different time zones, program processing for the plurality of flash memories is started simultaneously, and register transfer is performed after the maximum program time has elapsed. Since the process has been performed again, the electronic device cannot transfer the write data to the semiconductor memory device during the maximum program time until the program process is completed (the register transfer process cannot be performed). On the other hand, the
本発明は上述した実施形態には限定されない。
上述した実施形態では、図5に示すように、メモリ回路36が8個のメモリ53_1〜53_8を備えた場合を例示したが、メモリ回路36が備えるメモリの数nは、下記式(4)を満たせば特に限定されない。
The present invention is not limited to the embodiment described above.
In the above-described embodiment, as illustrated in FIG. 5, the case where the memory circuit 36 includes eight memories 53_1 to 53_8 is illustrated. However, the number n of memories included in the memory circuit 36 is expressed by the following equation (4). If it satisfies, it will not be specifically limited.
[数4]
n≧(TR+TPmax)/TR
…(4)
[Equation 4]
n ≧ (TR + TPmax) / TR
(4)
メモリ回路36が備えるメモリの数nを上記式(4)のように規定することで、図3、図4および図5に示すバスB_DIOを当該n個のメモリで共用した場合に、プログラム処理PPを開始するタイミングを全てのメモリについて同じタイミングする従来の手法に比べて、(n−1)個のメモリにおいて、プログラム処理PPを開始するタイミングを早めることができる。
ここで、「n=(TR+TPmax)/TR」がベストモードであり、「n>(TR+TPmax)/TR」とした場合、バスB_DIOを介したレジスタ転送処理がボトルネックとなり、「n=(TR+TPmax)/TR」の場合とコンピュータ2から見た書き込み時の応答性は同じである。
By defining the number n of memories included in the memory circuit 36 as in the above equation (4), when the bus B_DIO shown in FIGS. 3, 4, and 5 is shared by the n memories, the program processing PP Compared to the conventional method in which the timing of starting the program processing is the same for all the memories, the timing of starting the program processing PP can be advanced in (n−1) memories.
Here, when “n = (TR + TPmax) / TR” is the best mode and “n> (TR + TPmax) / TR”, register transfer processing via the bus B_DIO becomes a bottleneck, and “n = (TR + TPmax) / TR "and the response at the time of writing viewed from the
また、上述した実施形態では、SP変換回路60_1〜60_4の各々が2つのメモリ53_1〜53_8にデータを並列に書き込む場合(k=2の場合)を例示したが、SP変換回路が3つ以上のメモリにデータを書き込むようにしてもよい。すなわち、k≧3でもよい。
また、複数のSP変換回路の間で、並列にデータを書き込むメモリの数が異なってもよい。
In the above-described embodiment, each of the SP conversion circuits 60_1 to 60_4 writes data in the two memories 53_1 to 53_8 in parallel (when k = 2). However, the SP conversion circuits include three or more SP conversion circuits. Data may be written to the memory. That is, k ≧ 3 may be satisfied.
Further, the number of memories for writing data in parallel may be different among a plurality of SP conversion circuits.
以下、図3に示すメモリカード本体17の説明を補足する。
メモリ53_1〜53_8としてフラッシュメモリを用いた場合に、メモリセルアレイ72には出荷時から欠陥ブロックが存在し、代替ブロックを使うので、図1に示すコンピュータ2(ユーザ)が使用する論理アドレスとメモリセルアレイ72上の物理アドレスとが一致せず、そのアドレスを変換する変換テーブルが必要である。このような変換テーブルを用いたアドレス変換を論理物理アドレス変換などと呼ぶ。図3に示す制御回路35は、当該論理物理アドレス変換を行う。なお、論理物理アドレス変換は、メモリカード3内ではなくコンピュータ2で行ってもよい。
また、メモリセルアレイ72の記憶素子は、書き換えを繰り返すと、その記憶特性が徐々に劣化するので、書き換え回数が有限である。そのために、同じブロックばかりを書き換えないような管理(ウェア・レベリング処理)を行い、均等化させることが必要になる。さらに、読み出し誤りが生じるので、誤り訂正が必要である。図3に示す制御回路35は、このようなウェア・レベリング処理、並びに誤り訂正処理を行う。
Hereinafter, the description of the memory card main body 17 shown in FIG. 3 will be supplemented.
When flash memories are used as the memories 53_1 to 53_8, a defective block exists in the
Further, the memory element of the
制御回路35が行う上記誤り訂正は、例えば、“Simple ECC”と呼ばれる誤り訂正符号を用い、例えばハミング符号などである。また、制御回路35は、誤り訂正符号として、リードソロモン符号のような、バイト誤りの多重訂正ができる符号を用いてもよい。
すなわち、制御回路35は、高機能の誤り訂正符号を用いて、初期不良のブロック、経時劣化のブロック、読み出し誤り、読み出しや書き込みの時間不足、これらすべてのエラー要因をカバーする誤り訂正符号によって、フラッシュメモリであるメモリ53_1〜53_8に対しての書き込みおよび読み出しの誤り訂正を行う。
この場合には、メモリセルアレイ72の初期の不良ブロック検出、論物アドレス変換、ウェア・レベリング処理、書き込みと消去のステータス・モニターが不要となるという利点がある。
なお、この手法は、データ処理システム10が例えば、画像データのように単位サイズが大きいデータのみを扱う場合には、高機能の誤り訂正符合が構成しやすいので、特に有効である。
The error correction performed by the
That is, the
In this case, there is an advantage that initial defective block detection of the
Note that this method is particularly effective when the
本発明は、レジスタと当該レジスタから読み出されたデータを書き込む記憶領域とを各々が備えた複数のメモリに対して書き込み動作を行うシステムに適用可能である。 The present invention can be applied to a system that performs a write operation on a plurality of memories each including a register and a storage area in which data read from the register is written.
2…コンピュータ、3…メモリカード、11…信号処理回路、13…リーダ・ライタ、14…インタフェース、16…インタフェース、17…メモリカード本体、21…SP変換/8−10デコード回路、22…ECCデコーダ、23…バス・インタフェース、24…CRCCエンコーダ、25…ECCエンコーダ、26…スイッチ、27…8−10エンコード/PS変換回路、31…クロック分周回路、32…SP変換/8−10デコード回路、33…8−10エンコード/PS変換回路、34…誤り検出回路、35…制御回路、36…メモリ回路、41…デコーダ、42…FIFO回路、43…入出力回路、45_1〜45_8…メモリ制御回路、51…信号線、53_1〜53_8…メモリ、55…信号線、60_1〜60_4…SP変換回路、61…制御回路、63…アドレスレジスタ、66…データレジスタ、67…カラムバッファ、68…カラムデコーダ、69…ローアドレスバッファ、70…ローアドレスデコーダ、71…センスアンプ、72…メモリセルアレイ、73…高電圧発生回路、75…ステータス生成回路、B_DIO…バス
DESCRIPTION OF
Claims (8)
データを入力するインタフェースと、
前記複数のメモリの各々に対して、前記インタフェースから入力したデータを当該メモリの前記レジスタに転送するレジスタ転送処理と、前記レジスタから前記データを読み出して前記メモリ領域に書き込むメモリ書き込み処理とを行わせる制御回路と
を有し、
前記制御回路は、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせ、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる
記憶装置。 A plurality of memories each having a register and a memory area;
An interface for entering data;
Each of the plurality of memories is caused to perform a register transfer process for transferring data input from the interface to the register of the memory and a memory write process for reading the data from the register and writing the data to the memory area. Control circuit and
When the control circuit defines a plurality of the sets including one or a plurality of the memories so that each does not overlap with another set, the control circuit continuously and differently inputs the data input from the interface with the same first time length. Outputting to each of the plurality of sets in a time zone, causing the memory to perform the register transfer processing for transferring the output data in parallel to the registers of the plurality of memories included in the same set, The memory writing process is started in the memory continuously after the elapse of a time zone, and the next register transfer process is continued after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories for the memory writing process. A storage device for causing the memory to perform.
をさらに有する請求項1に記載の記憶装置。 A plurality of conversion circuits provided corresponding to each of the plurality of sets, converting serial format data input via the interface into parallel format, and outputting in parallel to the plurality of memories included in the set The storage device according to claim 1, further comprising:
をさらに有し、
前記第1の時間帯に前記バスを伝送する前記シリアル形式のデータを、当該第1の時間帯に対応付けられた単数の前記変換回路が入力して前記パラレル形式に変換する
請求項2に記載の記憶装置。 A bus that is shared by the plurality of conversion circuits and transmits data input through the interface to the plurality of conversion circuits;
3. The serial format data transmitted through the bus in the first time zone is input to the single conversion circuit associated with the first time zone and converted into the parallel format. 4. Storage device.
請求項3に記載の記憶装置。 The storage device according to claim 3, wherein the bus transmits data to be written by the memory write process once in the plurality of memories included in the single set in the first time zone.
前記第2の時間長は、前記メモリ書き込み処理に予め割り当てられている最大時間長であり、
前記複数のメモリの数nは、前記第1の時間長と前記第2の時間長との和を前記第1の時間長で除算した値以上の整数である
請求項1に記載の記憶装置。 The control circuit writes the data read from the register to the memory area, reads the written data from the memory area, compares the data read from the register with the data read from the memory area, and When the writing to the memory area is inappropriate, the memory is controlled to perform the memory writing process by rewriting the data read from the register to the memory area. The second time length is It is the maximum time length allocated in advance for the memory writing process,
The storage device according to claim 1, wherein the number n of the plurality of memories is an integer equal to or greater than a value obtained by dividing the sum of the first time length and the second time length by the first time length.
予め決められたBLK*n個のページについて前記レジスタ転送処理および前記メモリ書き込み処理を前記複数のメモリに行わせ、前記BLK*n個のページの最後のページの前記メモリ書き込み処理に割り当てた前記第2の時間長経過後に続けて、前記複数のメモリの前記メモリ領域の合計で前記BLK*n個のページ分の記憶消去処理を前記複数のメモリに行わせ、当該記憶消去処理に予め割り当てた第3の時間経過後に前記レジスタ転送処理を前記メモリに開始させる
請求項1に記載の記憶装置。 The control circuit causes the plurality of memories to perform the register transfer processing of data for a total of n pages in a continuous time zone composed of the time zones assigned to the plurality of sets,
The register transfer process and the memory write process are performed on the predetermined BLK * n pages to the plurality of memories, and the first page allocated to the memory write process of the last page of the BLK * n pages is performed. After the elapse of the time length of 2, the memory erasure process for the BLK * n pages in total for the memory areas of the plurality of memories is performed on the plurality of memories, and the memory erasure process previously assigned to the memory erasure process is performed. The storage device according to claim 1, wherein the register transfer process is started in the memory after the elapse of 3 time.
前記記憶装置にデータを書き込むデータ処理装置と
を有するデータ処理システムであって、
前記記憶装置は、
レジスタとメモリ領域とを各々が有する複数のメモリと、
前記データ処理装置から書き込み対象のデータを入力するインタフェースと、
前記複数のメモリの各々に対して、前記インタフェースから入力したデータを当該メモリの前記レジスタに転送するレジスタ転送処理と、前記レジスタから前記データを読み出して前記メモリ領域に書き込むメモリ書き込み処理とを行わせる制御回路と
を有し、
前記制御回路は、それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせ、前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させ、当該メモリ書き込み処理のために前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる
データ処理システム。 A storage device;
A data processing system having a data processing device for writing data to the storage device,
The storage device
A plurality of memories each having a register and a memory area;
An interface for inputting data to be written from the data processing device;
Each of the plurality of memories is caused to perform a register transfer process for transferring data input from the interface to the register of the memory and a memory write process for reading the data from the register and writing the data to the memory area. Control circuit and
When the control circuit defines a plurality of the sets including one or a plurality of the memories so that each does not overlap with another set, the control circuit continuously and differently inputs the data input from the interface with the same first time length. Outputting to each of the plurality of sets in a time zone, causing the memory to perform the register transfer processing for transferring the output data in parallel to the registers of the plurality of memories included in the same set, The memory writing process is started in the memory continuously after the elapse of a time zone, and the next register transfer process is continued after the elapse of a second time length defined in common for the plurality of memories for the memory writing process. A data processing system for causing the memory to perform.
それぞれが他の組と重複しないように単数または複数の前記メモリを含む複数の前記組を規定した場合に、
前記インタフェースから入力したデータを同じ第1の時間長の連続した異なる時間帯に、前記複数の組の各々に対して出力し、当該出力したデータを同じ組に含まれる複数の前記メモリの前記レジスタに並行して転送する前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる第1の工程と、
前記第1の工程で前記レジスタ転送処理を開始してから前記時間帯経過後に続けて前記メモリ書き込み処理を前記メモリに開始させる第2の工程と、
前記第2の工程で前記メモリ書き込み処理を開始してから前記複数のメモリに共通して規定した第2の時間長経過後に続けて次の前記レジスタ転送処理を前記メモリに行わせる第3の工程と
を有する記憶制御方法。
Each of a plurality of memories each having a register and a memory area and sharing an interface transfers a data input via the interface to the register of the memory, and reads the data from the register And a memory control method for performing a memory write process for writing to the memory area,
When a plurality of the sets including one or more of the memories are defined so that each does not overlap with another set,
Data input from the interface is output to each of the plurality of sets in different time zones having the same first time length, and the output data is stored in the registers of the plurality of memories included in the same set A first step of causing the memory to perform the register transfer process of transferring in parallel with
A second step of causing the memory to start the memory write processing after the time period has elapsed since the start of the register transfer processing in the first step;
A third step of causing the memory to perform the next register transfer processing after the second time length defined in common for the plurality of memories has elapsed since the memory writing processing was started in the second step. And a storage control method.
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- 2004-10-20 JP JP2004305787A patent/JP2006119830A/en active Pending
Cited By (2)
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