JP2006108993A - Surface acoustic wave device and manufacturing method thereof - Google Patents

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Kunio Matsumoto
邦夫 松本
Mayumi Ite
真弓 射手
Hiroyuki Tenmyo
浩之 天明
Shinji Hasegawa
眞司 長谷川
Kazunari Kikuchi
一成 菊地
Etsumi Yamamoto
悦美 山本
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a micro surface acoustic wave device of high reliability which can be further miniaturized along with its manufacturing method. <P>SOLUTION: The surface acoustic wave device comprises a piezoelectric substrate 100, a comb-like electrode 110 formed on the piezoelectric substrate 100, and a void forming sealing layer which forms a void 310 on the comb-like electrode 110 and seals over the piezoelectric substrate 100. The void forming sealing layer comprises an ultraviolet ray sealing layer 210 and a laminated body of a comb electrode void forming layer 220 comprising photosensitive resin and a sealing layer 230. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、例えば携帯電話機などの移動通信機器などに使用する表面弾性波（以下、SAWと略記）デバイスの小型化パッケジング技術に関する。   The present invention relates to a downsizing packaging technique for a surface acoustic wave (hereinafter abbreviated as SAW) device used for mobile communication equipment such as a mobile phone.

携帯電話機などに搭載されるＳＡＷデバイスは、櫛歯電極（以下、IDTと略記）上に空隙が必要である。従来は、セラミック筐体にＳＡＷ素子チップをフェースアップでダイボンデイングし、ワイヤボンデイングで電気的に接続した後、金属キャップを被せてシーム溶接または半田付けで封止してパッケジングしていた。最近では、デバイスの小型化を図るためＳＡＷ素子チップをAuバンプまたは半田バンプにて配線基板にフリップチップボンデイング（フェースダウンボンデイング）し、樹脂等で封止して小型パッケージデバイスを構成している。   A SAW device mounted on a cellular phone or the like requires a gap on a comb electrode (hereinafter abbreviated as IDT). Conventionally, a SAW element chip is die-bonded face-up to a ceramic casing, electrically connected by wire bonding, and then covered with a metal cap and sealed by seam welding or soldering for packaging. Recently, in order to reduce the size of devices, SAW element chips are flip-chip bonded (face-down bonded) to a wiring board with Au bumps or solder bumps, and sealed with a resin or the like to form a small package device.

さらに小型低背化を図るため、IDT上に空隙を形成し、空隙を保ったままIDT側の圧電ウエハ全体を樹脂で封止し、外部接続電極を形成した後、ダイシングにより個別素子に分離してなる超小型のチップサイズパッケージデバイスが提案されている。   In order to further reduce the size and height, a gap is formed on the IDT, the entire piezoelectric wafer on the IDT side is sealed with resin while maintaining the gap, external electrodes are formed, and then separated into individual elements by dicing. An ultra-small chip size package device has been proposed.

特許文献1で開示されているSAWデバイスは、図４に示すようなパッケージ構造をしている。すなわち、IDT110が形成されているSAWチップ100の表面に感光性樹脂からなるIDT空隙形成層220が形成され、その上にプリント基板700を接着層240で接着し、IDT110部に空隙310を形成するとともに封止し、IDT110へは導電ビアホール420を通して外部接続電極430に電気的に接続されている。
特公表2002-532934号 The SAW device disclosed in Patent Document 1 has a package structure as shown in FIG. That is, the IDT gap forming layer 220 made of a photosensitive resin is formed on the surface of the SAW chip 100 on which the IDT 110 is formed, and the printed circuit board 700 is bonded thereon with the adhesive layer 240 to form the gap 310 in the IDT 110 portion. The IDT 110 is electrically connected to the external connection electrode 430 through the conductive via hole 420.
Special Publication 2002-532934

上記した図４に示す従来のパッケージ構造には、次のような問題点がある。
（1） 図５は図４に示した従来のパッケージ構造を実現するためのプロセスの一部を示す工
程図で、IDT空隙形成層220として感光性樹脂を用いた通常のパターニングプロセスを示している。 The conventional package structure shown in FIG. 4 has the following problems.
(1) FIG. 5 is a process diagram showing a part of the process for realizing the conventional package structure shown in FIG. 4, and shows a normal patterning process using a photosensitive resin as the IDT gap forming layer 220. .

まずa)においてIDT110および配線・パッド電極120が形成されたSAWウエハ100を準備し、b)においてそのSAWウエハ100上に感光性樹脂からなるIDT空隙形成層220をラミネートする。次にc)においてIDT110部を遮光するようなマスク10を用いて紫外線（以下UVと略記）光20を照射し、IDT110部以外の領域を露光し、d)において現像・露光・水洗し、e）においてO2アッシャーによるデスミヤ処理を行い、樹脂残渣35を除去してIDT空隙形成層220のパターニングを終了する。 First, in a), a SAW wafer 100 on which an IDT 110 and wiring / pad electrodes 120 are formed is prepared, and in b), an IDT gap forming layer 220 made of a photosensitive resin is laminated on the SAW wafer 100. Next, ultraviolet light (hereinafter abbreviated as UV) light 20 is irradiated using a mask 10 that shields the IDT 110 part in c) to expose the area other than the IDT 110 part, and in d) development, exposure, and water washing, e ), A desmear process using an O 2 asher is performed to remove the resin residue 35, and the patterning of the IDT gap forming layer 220 is completed.

しかし、SAWウエハ100はLiTaO3やLiNbO3などからなる圧電基板が用いられており、これはUV光20に対し透明であるとともに、SAWウエハ100の裏面は通常梨地状に粗面化されているため、図５ c)で図示したように照射したUV光20の一部はSAWウエハ100の裏面で乱反射し、マスク10による遮光部のパターン境界部近傍を露光する。その結果、デスミヤ処理後においてもパターンだれ70が起き、ファインパターン形成に限界があり、結果としてSAWデバイスの小型化の阻害要因となっていた。 However, the SAW wafer 100 uses a piezoelectric substrate made of LiTaO 3 or LiNbO 3 , which is transparent to the UV light 20 and the back surface of the SAW wafer 100 is usually roughened in a satin finish. Therefore, as shown in FIG. 5 c, a part of the irradiated UV light 20 is irregularly reflected on the back surface of the SAW wafer 100, and the vicinity of the pattern boundary portion of the light shielding portion by the mask 10 is exposed. As a result, even after desmear treatment, pattern dripping 70 occurred, and there was a limit to fine pattern formation, and as a result, this was an obstacle to miniaturization of SAW devices.

（2）また、上記した図４に示す従来のパッケージ構造は、ダイシングにより個別のSAWデバイスに分離するとき、SAWウエハ100とIDT空隙形成層220を同時に切断することになり、ダイシングによる機械的ストレスが両者の界面剥離を助長する恐れがある。 (2) Further, in the conventional package structure shown in FIG. 4 described above, when separating into individual SAW devices by dicing, the SAW wafer 100 and the IDT gap forming layer 220 are simultaneously cut, and mechanical stress due to dicing is obtained. However, there is a risk of promoting interfacial peeling between the two.

以上のように従来のパッケージ構造は、（1）で述べたようにIDT空隙形成層220のパターンだれ70による小型化の阻害、（2）で述べたSAWウエハ100とIDT空隙形成層220の間の界面剥離による信頼性の低下などの問題がある
本発明の目的は、このような従来技術の欠点を解消し、信頼性が高く、更なる小型化が可能な超小形表面弾性波デバイスならびにその製造方法を提供することにある。 As described above, in the conventional package structure, as described in (1), the downsizing of the IDT gap forming layer 220 is inhibited by the pattern dripping 70, and between the SAW wafer 100 and the IDT gap forming layer 220 described in (2). The object of the present invention is to eliminate such disadvantages of the prior art, to achieve a highly reliable ultra-small surface acoustic wave device that can be further miniaturized, and its It is to provide a manufacturing method.

上記目的を達成するため本発明の第１の手段は、圧電基板と、その圧電基板上に形成された櫛歯電極と、その櫛歯電極上に空隙を形成するとともに圧電基板上を封止する空隙形成封止層とを備えた表面弾性波デバイスにおいて、
前記空隙形成封止層が、紫外線遮光層と、感光性樹脂からなる櫛歯電極空隙形成層と封止層との積層体で構成されていることを特徴とするものである。 In order to achieve the above object, the first means of the present invention is to form a piezoelectric substrate, a comb electrode formed on the piezoelectric substrate, a gap on the comb electrode, and seal the piezoelectric substrate. In a surface acoustic wave device comprising a void-forming sealing layer,
The gap forming sealing layer is constituted by a laminate of an ultraviolet light shielding layer, a comb electrode gap forming layer made of a photosensitive resin, and a sealing layer.

本発明の第２の手段は前記第１の手段において、前記紫外線遮光層がポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂またはカルド系樹脂からなり、前記櫛歯電極空隙形成層および封止層が感光性ポリイミド系樹脂または感光性カルド系樹脂からなることを特徴とするものである。   According to a second means of the present invention, in the first means, the ultraviolet light shielding layer is made of a polyimide resin, an epoxy resin or a cardo resin, and the comb electrode gap forming layer and the sealing layer are a photosensitive polyimide type. It consists of resin or photosensitive cardo type resin.

本発明の第3の手段は前記第１の手段において、前記圧電基板の前記空隙形成封止層と接する表面に例えばアルミニウムなどからなる金属パターン膜を形成したことを特徴とするものである。   A third means of the present invention is characterized in that, in the first means, a metal pattern film made of, for example, aluminum is formed on a surface of the piezoelectric substrate in contact with the gap forming sealing layer.

本発明の第４の手段は前記第３の手段において、前記金属パターン膜に例えば模様などによる微細な凹凸が形成されていることを特徴とするものである。   The fourth means of the present invention is characterized in that, in the third means, fine irregularities such as patterns are formed on the metal pattern film.

本発明の第５の手段は、圧電基板と、その圧電基板上に形成された櫛歯電極と、その櫛歯電極上に空隙を形成するとともに圧電基板上を封止する例えば櫛歯電極空隙形成層および封止層からなる空隙形成封止層とを備えた表面弾性波デバイスの製造方法において、
前記空隙形成封止層が感光性樹脂からなり、ダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記空隙形成封止層の部分をフォトリソグラフィー法により除去した後、前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離することを特徴とするものである。 The fifth means of the present invention is to form a piezoelectric substrate, a comb electrode formed on the piezoelectric substrate, and forming a gap on the comb electrode and sealing the piezoelectric substrate. In a method for manufacturing a surface acoustic wave device comprising a gap-forming sealing layer comprising a layer and a sealing layer,
The gap forming sealing layer is made of a photosensitive resin, and after removing the gap forming sealing layer portion covering the portion corresponding to the dicing area by photolithography, the dicing area is diced to obtain individual devices. It is characterized by separating.

本発明の第６の手段は、圧電基板上に櫛歯電極と配線・パッド電極を形成する工程と、
その櫛歯電極と配線・パッド電極を形成した側の圧電基板上に紫外線遮光層を形成する工程と、
その紫外線遮光層の上に櫛歯電極空隙形成層となる感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に紫外線を照射して櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所をパターニング除去して櫛歯電極空隙形成層を形成する工程と、
前記櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記紫外線遮光層を除去する工程と、
前記櫛歯電極空隙形成層上に封止層となる感光性樹脂フィルムをラミネートし、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所の感光性樹脂フィルムをパターニング除去して封止層を形成する工程と、
前記ビアホールにめっき工法で外部接続電極を形成する工程と、
前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離する工程とを含むことを特徴とするものである。 The sixth means of the present invention includes a step of forming comb electrodes and wiring / pad electrodes on a piezoelectric substrate,
Forming an ultraviolet light shielding layer on the piezoelectric substrate on the side where the comb electrodes and wiring / pad electrodes are formed;
A photosensitive resin layer is formed on the ultraviolet light shielding layer as a comb electrode gap forming layer, and the photosensitive resin layer is irradiated with ultraviolet rays to pattern areas corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area. Removing and forming a comb electrode gap forming layer;
Removing the ultraviolet light shielding layer covering a portion corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area;
Laminating a photosensitive resin film to be a sealing layer on the comb electrode gap forming layer, patterning and removing the photosensitive resin film at locations corresponding to via holes and dicing areas, and forming a sealing layer;
Forming an external connection electrode in the via hole by a plating method;
And dicing the dicing area into individual devices.

本発明の第７の手段は、圧電基板上に櫛歯電極と配線・パッド電極とデバイス周縁金属パターン膜を形成する工程と、
その櫛歯電極、配線・パッド電極、デバイス周縁金属パターン膜を形成した側の圧電基板上に紫外線遮光層を形成する工程と、
その紫外線遮光層の上に櫛歯電極空隙形成層となる感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に紫外線を照射して櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所をパターニング除去して櫛歯電極空隙形成層を形成する工程と、
前記櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記紫外線遮光層を除去する工程と、
前記櫛歯電極空隙形成層上に封止層となる感光性樹脂フィルムをラミネートし、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所の感光性樹脂フィルムをパターニング除去して封止層を形成する工程と、
前記ビアホールにめっき工法で外部接続電極を形成する工程と、
前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離する工程とを含むことを特徴とするものである。 The seventh means of the present invention is a step of forming a comb-teeth electrode, a wiring / pad electrode, and a device peripheral metal pattern film on a piezoelectric substrate,
Forming a UV light shielding layer on the piezoelectric substrate on the side where the comb-teeth electrode, wiring / pad electrode, device peripheral metal pattern film is formed;
A photosensitive resin layer to be a comb electrode gap forming layer is formed on the ultraviolet light shielding layer, and the photosensitive resin layer is irradiated with ultraviolet rays to pattern the portions corresponding to the comb electrode gap, via hole, and dicing area. Removing and forming a comb electrode gap forming layer;
Removing the ultraviolet light shielding layer covering a portion corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area;
Laminating a photosensitive resin film to be a sealing layer on the comb electrode gap forming layer, patterning and removing the photosensitive resin film at locations corresponding to via holes and dicing areas, and forming a sealing layer;
Forming an external connection electrode in the via hole by a plating method;
And dicing the dicing area into individual devices.

本発明は前述のような構成になっており、IDT空隙形成層のパターンだれに対しては、ＵＶ遮光層を採用することにより、IDT空隙形成層のファインパターン化が可能になり、SAWデバイスの更なる小型化が可能となる。   The present invention is configured as described above. By adopting a UV light shielding layer for the IDT gap forming layer pattern, the IDT gap forming layer can be made into a fine pattern. Further downsizing is possible.

またダイシング時の機械的ストレスによるSAW ウエハとIDT空隙形成層との界面剥離は、空隙形成層（IDT空隙形成層および封止層）を感光性樹脂で構成し、ダイシングする前にダイシングエリアの空隙形成層（IDT空隙形成層および封止層）更にはＵＶ遮光層を予め除去し、ダイーサの刃がこれらの積層体を直接ダイシングしないようにして、各層の接着界面剥離を防止し、接着性が確保でき、高い信頼性が得られる。   In addition, interfacial delamination between the SAW wafer and the IDT void forming layer due to mechanical stress during dicing can be achieved by forming the void forming layer (IDT void forming layer and sealing layer) with a photosensitive resin, and forming a void in the dicing area before dicing. Forming layer (IDT gap forming layer and sealing layer) Furthermore, UV light shielding layer is removed in advance, so that the blade of the dicer does not dice these laminates directly, preventing adhesion interface peeling of each layer, and adhesion It can be secured and high reliability can be obtained.

上記課題（1）のIDT空隙形成層220のパターンだれ70に対しては、UV遮光層210を採用し、そのファインパターン化を図った。図６にその基本プロセスを示す。   The UV light shielding layer 210 was used for the pattern dripping 70 of the IDT void forming layer 220 in the above problem (1), and the fine patterning was achieved. FIG. 6 shows the basic process.

まずa)においてIDT110および配線・パッド電極120が形成されたSAWウエハ100を準備し、b)においてUV遮光層210を形成した後、感光性樹脂からなるIDT空隙形成層220をラミネートする。次にc)においてIDT110部を遮光するようなマスク10を用いてUV光20を照射し、IDT110部以外の領域を露光し、d)において現像・露光・水洗し、IDT空隙形成層220をパターニングする。次に、e）において反応性酸素イオンエッチング（O2RIE）40によりUV遮光層210を除去して、IDT空隙形成層220のパターニングを終了する。 First, in a), the SAW wafer 100 on which the IDT 110 and the wiring / pad electrode 120 are formed is prepared. In b), the UV light shielding layer 210 is formed, and then the IDT gap forming layer 220 made of a photosensitive resin is laminated. Next, UV light 20 is irradiated using a mask 10 that shields the IDT 110 part in c), and the area other than the IDT 110 part is exposed, and development, exposure, and water washing are performed in d), and the IDT gap forming layer 220 is patterned. To do. Next, in e), the UV light shielding layer 210 is removed by reactive oxygen ion etching (O 2 RIE) 40, and the patterning of the IDT gap forming layer 220 is completed.

図５の従来技術で述べたIDT空隙形成層220のパターンだれ70はSAWウエハ100の裏面からの反射UV光60によるものであり、本発明によるUV遮光層210の採用により、反射UV光60を抑制することでIDT空隙形成層220のファインパターン化が可能となる。   The pattern droop 70 of the IDT gap forming layer 220 described in the prior art of FIG. 5 is due to the reflected UV light 60 from the back surface of the SAW wafer 100. By adopting the UV light shielding layer 210 according to the present invention, the reflected UV light 60 is reduced. By suppressing it, the IDT void forming layer 220 can be made into a fine pattern.

上記課題（2）のダイシング時の機械的ストレスによるSAWウエハ100とIDT空隙形成層220の界面剥離防止は次の手段を採った。すなわち、IDT空隙形成層220および封止層230に感光性樹脂を用い、ダイシングする以前にフォトリソグラフィー法などによりダイシングエリアのIDT空隙形成層220および封止層230を、更にはUV遮光層210を予め除去し、ダイサーの刃がこれらの積層体を直接ダイシングしないようにし、各層の接着界面剥離を防止した。   In order to prevent interfacial delamination between the SAW wafer 100 and the IDT gap forming layer 220 due to mechanical stress during dicing as described in the above problem (2), the following measures were taken. That is, a photosensitive resin is used for the IDT gap forming layer 220 and the sealing layer 230, and before the dicing, the IDT gap forming layer 220 and the sealing layer 230 in the dicing area are formed by photolithography, and the UV light shielding layer 210 is further formed. It was removed in advance and the dicer blade was prevented from dicing these laminates directly to prevent the adhesion interface peeling of each layer.

また、SAWウエハ100とUV遮光層210の接着端部、すなわちSAWデバイス周縁は接着力を確保するため、直接SAWウエハ100とUV遮光層210が接着するのではなく、デバイス周縁Alパターン130を介して接着するようにした。さらにそのデバイス周縁Alパターン130には微細な模様（凹凸）をパターニングし、そのアンカー効果により遮光層210の接着力を増加させた。なお、デバイス周縁Alパターン130およびその微細模様付けは、IDT110の形成および配線・パッド電極120の形成時に同時に行うことができるのでコスト高にはならない。   In addition, in order to secure adhesion between the SAW wafer 100 and the UV light shielding layer 210, that is, the SAW device periphery, the SAW wafer 100 and the UV light shielding layer 210 are not directly bonded, but via the device peripheral Al pattern 130. And glued. Further, a fine pattern (unevenness) was patterned on the device peripheral Al pattern 130, and the adhesive force of the light shielding layer 210 was increased by the anchor effect. The device peripheral Al pattern 130 and its fine patterning can be performed simultaneously with the formation of the IDT 110 and the formation of the wiring / pad electrode 120, so that the cost does not increase.

以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図1は、本発明による超小型ＳＡＷデバイスのパッケジングプロセスを説明するための工程図である。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a process diagram for explaining a packaging process of a micro SAW device according to the present invention.

a) 先ず、LiTaO3やLiNbO3などの圧電性単結晶材料からなるSAWウエハ100を準備する。SAWウエハ100上には、予めＡｌスパッタ膜をパターニングして形成したIDT110、配線・パッド電極120および必要に応じてデバイス周縁Alパターン130が形成されている。 a) First, a SAW wafer 100 made of a piezoelectric single crystal material such as LiTaO 3 or LiNbO 3 is prepared. On the SAW wafer 100, an IDT 110 previously formed by patterning an Al sputtered film, a wiring / pad electrode 120, and a device peripheral Al pattern 130 as necessary are formed.

b) 次に、上記SAWウエハ100のIDT110形成面上の全体にポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂またはカルド系樹脂からなるUV遮光層210をスピンコートし、加熱硬化させる。硬化後は各樹脂のUV透過率が低下し、UV光の遮光が可能となる。 b) Next, a UV light shielding layer 210 made of polyimide resin, epoxy resin or cardo resin is spin-coated on the entire surface of the SAW wafer 100 where the IDT 110 is formed, and is cured by heating. After curing, the UV transmittance of each resin decreases, and UV light can be blocked.

c) 更に、UV遮光層210上の全体に、IDT空隙形成層220となる感光性ポリイミド系樹脂または感光性カルド系樹脂をスピンコートまたはフィルムラミネートコートする。 c) Further, a photosensitive polyimide resin or a photosensitive cardo resin to be the IDT gap forming layer 220 is spin coated or film laminated coated on the entire UV light shielding layer 210.

d) 上記ｃ）にてコートされた感光性ポリイミド系樹脂または感光性カルド系樹脂にマスクを用いて選択的にUV露光し、現像、水洗および加熱硬化させることにより、IDT空隙部310、ビアホール320およびダイシングエリア330のパターニングを行う。このとき照射したUV光はUV遮光層210により遮られるため、SAWウエハ100の裏面での乱反射は起きず、パターニング精度を高くすることができる。 d) The photosensitive polyimide resin or photosensitive cardo resin coated in c) above is selectively UV-exposed using a mask, developed, washed with water, and heat-cured to form the IDT gap 310 and via hole 320. Then, the dicing area 330 is patterned. Since the UV light irradiated at this time is blocked by the UV light blocking layer 210, irregular reflection on the back surface of the SAW wafer 100 does not occur, and the patterning accuracy can be increased.

e) 次に、反応性酸素イオンエッチング（O2RIE）40により前記IDT空隙部310、ビアホール320およびダイシングエリア330を覆っている前記UV遮光層210を除去する。 e) Next, the UV light shielding layer 210 covering the IDT gap 310, the via hole 320 and the dicing area 330 is removed by reactive oxygen ion etching (O 2 RIE) 40.

f) 次に、封止層230となる感光性ポリイミド系樹脂または感光性カルド系樹脂からなるフィルムをラミネートする。 f) Next, a film made of a photosensitive polyimide resin or a photosensitive cardo resin to be the sealing layer 230 is laminated.

g) その後、ビアホール320およびダイシングエリア330上の封止層230を通常のフォトリソグラフィー工法によりパターニング除去する。 g) Thereafter, the via hole 320 and the sealing layer 230 on the dicing area 330 are patterned and removed by a normal photolithography method.

h) 次に、外部へ電極を取出すため、ウエハ全体を覆うように、スパッタによりCrおよびCuなどで給電膜を形成し、ビアホール320および外部接続電極430部を除きパターニングしたレジスト膜で覆い、電気めっき工法を用いてCu、Ni、Auなどで構成される外部接続電極430を形成し、前記レジスト膜を溶剤で溶解除去した後、前記レジスト膜下部にあった前記給電膜をライトエッチング除去して外部接続電極430を形成する。 h) Next, in order to take out the electrode to the outside, a power supply film is formed by sputtering, such as Cr and Cu, so as to cover the entire wafer, and covered with a patterned resist film except for the via hole 320 and the external connection electrode 430 portion. After forming the external connection electrode 430 composed of Cu, Ni, Au, etc. using a plating method, the resist film is dissolved and removed with a solvent, and then the power supply film under the resist film is removed by light etching. External connection electrodes 430 are formed.

i) 最後に、ダイシングエリア330の中央をダイシングし（直線Ｘ）、個別の超小形表面弾性波デバイス1000を得る。 i) Finally, the center of the dicing area 330 is diced (straight line X) to obtain individual micro surface acoustic wave devices 1000.

図２は、上記した工程a)におけるSAWウエハ100の１素子分の斜視図である。IDT電極110、配線・パッド電極120およびデバイス周縁Alパターン130のパターン概念を示した図である。デバイス周縁はダイシングエリア330となっており、必要に応じてデバイス周縁Alパターン130が形成される。デバイス周縁Alパターン130は、SAWチップ100と遮光層210、IDT空隙形成層220および封止層230からなる封止樹脂との接着性を確保する。さらに、同図（ｂ）に示すように、デバイス周縁Alパターン130に微細な模様（凹凸）をパターニングし、そのアンカー効果により遮光層210との接着力を増加させることができる。   FIG. 2 is a perspective view of one element of the SAW wafer 100 in the above step a). FIG. 5 is a diagram showing a pattern concept of an IDT electrode 110, a wiring / pad electrode 120, and a device peripheral Al pattern 130. The device periphery is a dicing area 330, and a device periphery Al pattern 130 is formed as necessary. The device peripheral Al pattern 130 ensures adhesion between the SAW chip 100 and the sealing resin composed of the light shielding layer 210, the IDT gap forming layer 220, and the sealing layer 230. Furthermore, as shown in FIG. 5B, a fine pattern (unevenness) can be patterned on the device peripheral Al pattern 130, and the adhesive force with the light shielding layer 210 can be increased by the anchor effect.

図３は、上記した工程e)におけるSAWウエハ100の１素子分の斜視図である。SAWウエハ100にUV遮光層210（薄いため図示を省略）およびIDT空隙形成層220が積層された状態を示す。IDT空隙部310、ビアホール320およびダイシングエリア330に位置するIDT空隙形成層220はフォトリソグラフィー法により除去され、同位置にあったUV遮光層210もO2RIE 40にて除去されている。 FIG. 3 is a perspective view of one element of the SAW wafer 100 in the above step e). A state in which a UV light shielding layer 210 (not shown because it is thin) and an IDT gap forming layer 220 are laminated on the SAW wafer 100 is shown. The IDT gap forming layer 220 located in the IDT gap 310, the via hole 320, and the dicing area 330 is removed by a photolithography method, and the UV light shielding layer 210 in the same position is also removed by the O 2 RIE 40.

本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイスのパッケジングプロセスを説明するための工程図である。FIG. 6 is a process diagram for explaining a SAW device packaging process according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイスのプロセス途中の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in the middle of the process of the SAW device which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイスのプロセス途中の状態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the state in the middle of the process of the SAW device which concerns on embodiment of this invention. 従来技術に係るSAWデバイスの断面図である。It is sectional drawing of the SAW device which concerns on a prior art. 従来技術に係るSAWデバイスのパッケジングプロセスの一部を説明するための工程図である。It is a flowchart for explaining a part of the packaging process of the SAW device according to the prior art. 本発明の実施形態に係るＳＡＷデバイスの基本パッケジングプロセスを説明するための工程図である。FIG. 5 is a process diagram for explaining a basic packaging process of a SAW device according to an embodiment of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

10：マスク、20： UV光、40：反応性酸素イオンエッチング（O2RIE）、100： SAWチップ、110：櫛歯電極（IDT）、120：配線・パッド電極、130：デバイス周縁Alパターン、210：UV遮光層、220：IDT空隙形成層、230：封止層、310：IDT空隙部、320：ビアホール、330：ダイシングエリア、430：外部接続電極、1000：超小形表面弾性波デバイス。 10: Mask, 20: UV light, 40: Reactive oxygen ion etching (O 2 RIE), 100: SAW chip, 110: Comb electrode (IDT), 120: Wiring / pad electrode, 130: Device peripheral Al pattern, 210: UV light shielding layer, 220: IDT gap forming layer, 230: sealing layer, 310: IDT gap, 320: via hole, 330: dicing area, 430: external connection electrode, 1000: ultra-small surface acoustic wave device.

Claims (7)

圧電基板と、その圧電基板上に形成された櫛歯電極と、その櫛歯電極上に空隙を形成するとともに圧電基板上を封止する空隙形成封止層とを備えた表面弾性波デバイスにおいて、
前記空隙形成封止層が、紫外線遮光層と、感光性樹脂からなる櫛歯電極空隙形成層と封止層との積層体で構成されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。 In a surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate, a comb-tooth electrode formed on the piezoelectric substrate, and a void-forming sealing layer that forms a void on the comb-tooth electrode and seals the piezoelectric substrate.
The surface acoustic wave device, wherein the gap forming sealing layer is composed of a laminate of an ultraviolet light shielding layer, a comb electrode gap forming layer made of a photosensitive resin, and a sealing layer. 請求項1記載の表面弾性波デバイスにおいて、前記紫外線遮光層がポリイミド系樹脂、エポキシ系樹脂またはカルド系樹脂からなり、前記櫛歯電極空隙形成層および封止層が感光性ポリイミド系樹脂または感光性カルド系樹脂からなることを特徴とする表面弾性波デバイス。   2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein the ultraviolet light shielding layer is made of a polyimide resin, an epoxy resin, or a cardo resin, and the comb electrode gap forming layer and the sealing layer are a photosensitive polyimide resin or a photosensitive resin. A surface acoustic wave device comprising a cardo resin. 請求項1記載の表面弾性波デバイスにおいて、前記圧電基板の前記空隙形成封止層と接する表面に金属パターン膜を形成したことを特徴とする表面弾性波デバイス。   2. The surface acoustic wave device according to claim 1, wherein a metal pattern film is formed on a surface of the piezoelectric substrate in contact with the gap forming sealing layer. 請求項3記載の表面弾性波デバイスにおいて、前記金属パターン膜に微細な凹凸が形成されていることを特徴とする表面弾性波デバイス。   4. The surface acoustic wave device according to claim 3, wherein fine irregularities are formed on the metal pattern film. 圧電基板と、その圧電基板上に形成された櫛歯電極と、その櫛歯電極上に空隙を形成するとともに圧電基板上を封止する空隙形成封止層とを備えた表面弾性波デバイスの製造方法において、
前記空隙形成封止層が感光性樹脂からなり、ダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記空隙形成封止層の部分をフォトリソグラフィー法により除去した後、前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離することを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。 Manufacture of a surface acoustic wave device comprising a piezoelectric substrate, a comb-tooth electrode formed on the piezoelectric substrate, and a void-forming sealing layer that forms a void on the comb-tooth electrode and seals the piezoelectric substrate In the method
The gap forming sealing layer is made of a photosensitive resin, and after removing the gap forming sealing layer portion covering the portion corresponding to the dicing area by photolithography, the dicing area is diced to obtain individual devices. A method for producing a surface acoustic wave device, characterized by being separated into two. 圧電基板上に櫛歯電極と配線・パッド電極を形成する工程と、
その櫛歯電極と配線・パッド電極を形成した側の圧電基板上に紫外線遮光層を形成する工程と、
その紫外線遮光層の上に櫛歯電極空隙形成層となる感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に紫外線を照射して櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所をパターニング除去して櫛歯電極空隙形成層を形成する工程と、
前記櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記紫外線遮光層を除去する工程と、
前記櫛歯電極空隙形成層上に封止層となる感光性樹脂フィルムをラミネートし、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所の感光性樹脂フィルムをパターニング除去して封止層を形成する工程と、
前記ビアホールにめっき工法で外部接続電極を形成する工程と、
前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離する工程と
を含むことを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。 Forming a comb electrode and a wiring / pad electrode on the piezoelectric substrate;
Forming an ultraviolet light shielding layer on the piezoelectric substrate on the side where the comb electrodes and wiring / pad electrodes are formed;
A photosensitive resin layer is formed on the ultraviolet light shielding layer as a comb electrode gap forming layer, and the photosensitive resin layer is irradiated with ultraviolet rays to pattern areas corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area. Removing and forming a comb electrode gap forming layer;
Removing the ultraviolet light shielding layer covering a portion corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area;
Laminating a photosensitive resin film to be a sealing layer on the comb electrode gap forming layer, patterning and removing the photosensitive resin film at locations corresponding to via holes and dicing areas, and forming a sealing layer;
Forming an external connection electrode in the via hole by a plating method;
And dicing the dicing area into individual devices. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising: 圧電基板上に櫛歯電極と配線・パッド電極とデバイス周縁金属パターン膜を形成する工程と、
その櫛歯電極、配線・パッド電極、デバイス周縁金属パターン膜を形成した側の圧電基板上に紫外線遮光層を形成する工程と、
その紫外線遮光層の上に櫛歯電極空隙形成層となる感光性樹脂層を形成し、その感光性樹脂層に紫外線を照射して櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所をパターニング除去して櫛歯電極空隙形成層を形成する工程と、
前記櫛歯電極空隙部、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所を覆っている前記紫外線遮光層を除去する工程と、
前記櫛歯電極空隙形成層上に封止層となる感光性樹脂フィルムをラミネートし、ビアホールおよびダイシングエリアに相当する箇所の感光性樹脂フィルムをパターニング除去して封止層を形成する工程と、
前記ビアホールにめっき工法で外部接続電極を形成する工程と、
前記ダイシングエリアをダイシングして個別のデバイスに分離する工程と
を含むことを特徴とする表面弾性波デバイスの製造方法。 Forming a comb electrode, a wiring / pad electrode, and a device peripheral metal pattern film on the piezoelectric substrate;
Forming a UV light shielding layer on the piezoelectric substrate on the side where the comb-teeth electrode, wiring / pad electrode, device peripheral metal pattern film is formed;
A photosensitive resin layer is formed on the ultraviolet light shielding layer as a comb electrode gap forming layer, and the photosensitive resin layer is irradiated with ultraviolet rays to pattern areas corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area. Removing and forming a comb electrode gap forming layer;
Removing the ultraviolet light shielding layer covering a portion corresponding to the comb electrode gap, via hole and dicing area;
Laminating a photosensitive resin film to be a sealing layer on the comb electrode gap forming layer, patterning and removing the photosensitive resin film at locations corresponding to via holes and dicing areas, and forming a sealing layer;
Forming an external connection electrode in the via hole by a plating method;
And dicing the dicing area into individual devices. A method for manufacturing a surface acoustic wave device, comprising:
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