JP2006102640A - Method and apparatus for forming film, and film - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、成膜方法、成膜装置および膜に関するものである。 The present invention relates to a film forming method, a film forming apparatus, and a film.
従来、半導体ウエハのような基板の一方の面に膜を形成する方法として、高速回転する基板の中心部に液状の膜形成材料を滴下し、この滴下された膜形成材料を遠心力によって基板上に塗布することにより膜を形成するスピンコート法が知られている(例えば、特許文献1参照。)。
このスピンコート法により基板の一方の面に塗布(供給)された膜形成材料のうち、余剰に供給されたものは、遠心力により基板の縁部から飛散(滴下)して、基板から離脱する。この際、膜形成材料の一部は、基板の端面を伝って他方の面に浸入して付着する。
Conventionally, as a method of forming a film on one surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a liquid film forming material is dropped on the center of the substrate rotating at high speed, and the dropped film forming material is applied to the substrate by centrifugal force. A spin coating method is known in which a film is formed by applying to a film (see, for example, Patent Document 1).
Of the film forming material applied (supplied) to one surface of the substrate by this spin coating method, the excessively supplied material is scattered (dropped) from the edge of the substrate by centrifugal force and detached from the substrate. . At this time, a part of the film forming material penetrates and adheres to the other surface along the end surface of the substrate.
このように他方の面に付着した膜形成材料は、基板の見栄え品質を低下させるばかりでなく、パーティクルの発生要因ともなる。
そのため、このようなスピンコート法では、一般に、基板の一方の面に膜を形成した後に、リンス剤等により付着した膜形成材料を除去する等の処理を施すことが行われている。
しかしながら、このような処理を施すことにより、リンス剤が目的とする領域以外に飛散して形成された膜を侵すこと、リンス剤の廃液処理が必要となること、また、リンス剤による厚膜部の膜除去に時間を要し生産性が低下すること等の問題が生じる。
Thus, the film forming material adhering to the other surface not only deteriorates the appearance quality of the substrate but also causes generation of particles.
Therefore, in such a spin coating method, generally, after a film is formed on one surface of the substrate, a process such as removal of the film forming material attached by a rinse agent or the like is performed.
However, by performing such a treatment, the rinse agent scatters to a region other than the target region, and the waste solution treatment of the rinse agent is required, and the thick film portion by the rinse agent However, it takes time to remove the film, resulting in a decrease in productivity.
本発明の目的は、基板表面における膜形成において、生産性を低下させることなく、パーティクルの発生を防止できる成膜方法および成膜装置、かかる成膜方法により形成された膜を提供することにある。 An object of the present invention is to provide a film forming method and a film forming apparatus capable of preventing the generation of particles in a film formation on a substrate surface without reducing productivity, and a film formed by such a film forming method. .
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の成膜方法は、基板の一方の面に、液状の膜形成材料を塗布法により供給して膜を形成する成膜方法であって、
前記基板の一方の面に前記膜形成材料を供給するのに先立って、
前記基板の一方の面の縁部および他方の面の縁部に、撥液材料を供給して撥液膜を形成することにより、前記基板の他方の面側に前記膜形成材料が浸入するのを防止することを特徴とする。
これにより、生産性を低下させることなく、パーティクルが発生するのを確実に防止することができる。
Such an object is achieved by the present invention described below.
The film forming method of the present invention is a film forming method for forming a film on one surface of a substrate by supplying a liquid film forming material by a coating method,
Prior to supplying the film-forming material to one side of the substrate,
By forming a liquid repellent film by supplying a liquid repellent material to the edge of one surface and the edge of the other surface of the substrate, the film forming material enters the other surface side of the substrate. It is characterized by preventing.
Thereby, it is possible to reliably prevent the generation of particles without reducing the productivity.
本発明の成膜方法では、前記撥液膜を形成する際に、前記基板の端面にも前記撥液膜を形成することが好ましい。
これにより、生産性を低下させることなく、パーティクルが発生するのをより確実に防止することができる。
本発明の成膜方法では、前記撥液膜は、液状の撥液材料を前記基板に供給した後、乾燥させることにより形成されることが好ましい。
これにより、撥液膜を迅速に形成することができる。
In the film forming method of the present invention, it is preferable that the liquid repellent film is also formed on an end surface of the substrate when the liquid repellent film is formed.
Thereby, it can prevent more reliably that a particle | grain generate | occur | produces, without reducing productivity.
In the film forming method of the present invention, the liquid repellent film is preferably formed by supplying a liquid repellent material to the substrate and then drying it.
Thereby, a liquid repellent film can be formed rapidly.
本発明の成膜方法では、前記撥液膜の平均厚さをA[mm]とし、形成すべき前記膜の平均厚さをB[mm]としたとき、A/Bが1×10−4〜5×10−1なる関係を満足することが好ましい。
このように比較的薄い膜厚の撥液膜においても、十分に、一方の面から飛散する撥液材料が他方の面に浸入するのを抑制または防止することができる。
In the film forming method of the present invention, when the average thickness of the liquid repellent film is A [mm] and the average thickness of the film to be formed is B [mm], A / B is 1 × 10 −4. It is preferable to satisfy the relationship of ˜5 × 10 −1 .
Even in such a relatively thin liquid repellent film, it is possible to sufficiently suppress or prevent the liquid repellent material scattered from one surface from entering the other surface.
本発明の成膜方法では、前記液状の撥液材料は、フッ素系のカップリング剤を含有する液体であることが好ましい。
これにより、優れた撥液性を発揮する撥液膜を比較的容易に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記撥液膜は、ガス状の撥液材料を前記基板に供給することにより形成されることが好ましい。
これにより、撥液膜を迅速に形成することができる。
In the film forming method of the present invention, the liquid lyophobic material is preferably a liquid containing a fluorinated coupling agent.
As a result, a liquid repellent film exhibiting excellent liquid repellency can be formed relatively easily.
In the film forming method of the present invention, the liquid repellent film is preferably formed by supplying a gaseous liquid repellent material to the substrate.
Thereby, a liquid repellent film can be formed rapidly.
本発明の成膜方法では、前記ガス状の撥液材料は、フッ素化合物をプラズマ化したものであることが好ましい。
これにより、優れた撥液性を発揮する撥液膜を迅速に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記撥液膜は、前記基板を回転しつつ、所定の箇所を前記基板の縁部が通過する際に、前記所定の箇所において前記撥液材料を供給することにより形成されることが好ましい。
これにより、基板に向けて撥液剤を吐出する位置を移動させることなく基板の双方の面の縁部に撥液膜を形成することができるので、撥液膜の形成を効率良く行うことができる。
In the film forming method of the present invention, it is preferable that the gaseous liquid repellent material is a fluorine compound made into plasma.
As a result, a liquid repellent film exhibiting excellent liquid repellency can be rapidly formed.
In the film forming method of the present invention, the liquid repellent film rotates the substrate and supplies the liquid repellent material at the predetermined location when the edge of the substrate passes through the predetermined location. Preferably it is formed.
As a result, the liquid repellent film can be formed on the edges of both surfaces of the substrate without moving the position at which the liquid repellent is discharged toward the substrate, so that the liquid repellent film can be efficiently formed. .
本発明の成膜方法では、前記撥液膜は、前記基板を搬送しつつ、所定の箇所を前記基板の縁部が通過する際に、前記所定の箇所において前記撥液材料を供給することにより形成されることが好ましい。
これにより、基板に向けて撥液剤を吐出する位置を移動させることなく基板の双方の面の縁部に撥液膜を形成することができるので、撥液膜の形成を効率良く行うことができる。
In the film forming method of the present invention, the liquid repellent film is configured to supply the liquid repellent material at the predetermined location when the edge of the substrate passes through the predetermined location while transporting the substrate. Preferably it is formed.
As a result, the liquid repellent film can be formed on the edges of both surfaces of the substrate without moving the position at which the liquid repellent is discharged toward the substrate, so that the liquid repellent film can be efficiently formed. .
本発明の成膜方法では、前記膜を形成した後に、前記撥液膜の少なくとも一部を除去することが好ましい。
これにより、パーティクルが発生するのをより確実に防止することができる。
本発明の膜は、本発明の成膜方法により形成されたことを特徴とする。
これにより、パーティクルの発生が防止された信頼性の高い膜が得られる。
In the film forming method of the present invention, it is preferable to remove at least a part of the liquid repellent film after forming the film.
Thereby, generation | occurrence | production of a particle can be prevented more reliably.
The film of the present invention is formed by the film forming method of the present invention.
Thereby, a highly reliable film in which generation of particles is prevented can be obtained.
本発明の膜では、当該膜は、中央部の厚さをC[mm]とし、縁部の厚さをD[mm]としたとき、D/Cが0.3〜2.0なる関係を満足することが好ましい。
これにより、クラックの発生が阻止されて、パーティクルの発生が確実に防止される。
本発明の成膜装置は、本発明の成膜方法に用いられる成膜装置であって、
前記膜形成材料を前記基板に塗布法により供給して膜を形成する膜形成材料供給部と、
前記撥液材料を前記基板に供給して前記撥液膜を形成する撥液膜形成部と、
前記膜形成材料供給部および前記撥液膜形成部に対して、前記基板を相対的に移動する移動手段とを有することを特徴とする。
これにより、生産性を低下させることなく、パーティクルが発生するのを確実に防止することができる。
In the film of the present invention, the film has a relationship in which D / C is 0.3 to 2.0 when the thickness of the central part is C [mm] and the thickness of the edge is D [mm]. It is preferable to satisfy.
Thereby, generation | occurrence | production of a crack is blocked | prevented and generation | occurrence | production of a particle is prevented reliably.
The film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus used in the film forming method of the present invention,
A film forming material supply unit for forming the film by supplying the film forming material to the substrate by a coating method;
A liquid repellent film forming part for supplying the liquid repellent material to the substrate to form the liquid repellent film;
It has a moving means for moving the substrate relative to the film forming material supply section and the liquid repellent film forming section.
Thereby, it is possible to reliably prevent the generation of particles without reducing the productivity.
以下、本発明の成膜方法、膜および成膜装置を図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
<第1実施形態>
まず、本発明の成膜方法および成膜装置の第1実施形態について説明する。
なお、以下では、膜を形成する基板として、ウエハを一例にして説明する。
Hereinafter, a film forming method, a film, and a film forming apparatus of the present invention will be described in detail based on the preferred embodiments shown in the drawings.
<First Embodiment>
First, a first embodiment of a film forming method and a film forming apparatus of the present invention will be described.
Hereinafter, a wafer will be described as an example of a substrate on which a film is formed.
図1は、本発明の成膜装置の第1実施形態を示す平面図、図2は、図1の線A−Aにおける縦断面図、図3は、図1における撥液膜形成ヘッドの概略構成を示す図であり、図3(A)は、撥液膜形成ヘッドの側面図であり、図3(B)は、図3(A)の線B−Bにおける縦断面図である。以下、図2中の上側を「上方」、下側を「下方」として説明する。
図1および図2に示すように、成膜装置1は、液状の膜形成材料が塗布されるウエハWを回転支持するウエハ支持部2と、ウエハWから飛散(滴下)する余剰の膜形成材料を回収する回収部3と、膜形成材料をウエハWに塗布法により供給して膜を形成する膜形成材料供給部4と、ウエハWの一方の面の縁部および他方の面の縁部に撥液材料を供給して撥液膜を形成する撥液膜形成部5とを備える。以下、これらの各構成要素について順次説明する。
1 is a plan view showing a first embodiment of a film forming apparatus of the present invention, FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line AA in FIG. 1, and FIG. 3 is an outline of a liquid repellent film forming head in FIG. FIG. 3A is a side view of the liquid repellent film forming head, and FIG. 3B is a longitudinal sectional view taken along line BB in FIG. 3A. In the following description, the upper side in FIG.
As shown in FIGS. 1 and 2, the film forming apparatus 1 includes a
ウエハ支持部2は、ウエハWの裏面の中央部に接してウエハWを水平に載置する円板状の載置板6と、この載置板6の中心から下方へ延設された回転伝達軸7と、この回転伝達軸7の下端に接続されかつ回転伝達軸7を中心軸周りに回転させるモータ8とを有し、モータ8を回転させることによってウエハWを水平面内において回転させる。すなわち、本実施形態において、ウエハ支持部2は、膜形成材料供給部4および撥液膜形成部5に対して、ウエハWを相対的に移動させる移動手段を構成している。
The
回収部3は、載置板6の下方に配置され、上方に向けてウエハWの直径より大きく開口する椀状の余剰膜形成材料キャッチ容器9と、この余剰膜形成材料キャッチ容器9の下面に接続されたシャフト11と、このシャフト11を介して余剰膜形成材料キャッチ容器9を支持し、シャフト11ごと余剰膜形成材料キャッチ容器9を昇降可能な2つのエアシリンダ10とを有する。
The
この回収部3は、後述する膜形成材料供給部4によりウエハWに膜形成材料を塗布する際に、余剰膜形成材料キャッチ容器9を上方に押し上げる。これにより、回転するウエハWの遠心力によってウエハWの縁部から飛散する余剰膜形成材料を確実に回収することができる。
なお、余剰膜形成材料キャッチ容器9が回収した余剰膜形成材料を、吸引ノズル(図示しない)などにより、膜形成材料供給部4に供給して、膜形成材料として再利用することもできる。
When the film forming material is applied to the wafer W by the film forming material supply unit 4 described later, the
The surplus film forming material collected by the surplus film forming
膜形成材料供給部4は、ウエハWの膜を形成する側の面(一方の面)の中心に向けて膜形成材料を吐出(供給)する膜形成材料吐出ノズル12と、ウエハ支持部2の外側に配置され、上下方向に沿って延設された回転伝達軸13と、この回転伝達軸13の下端に接続され、かつ回転伝達軸13を中心軸周りに回転させるモータ14と、水平方向に沿って延設され、かつ回転伝達軸13の上端および膜形成材料吐出ノズル12を連結するアーム15とを有する。
The film forming material supply unit 4 includes a film forming
この膜形成材料供給部4は、回転するウエハWの一方の面に膜形成材料を吐出(供給)し、遠心力を利用して吐出された膜形成材料をウエハWのこの面の表面上に覆わせることにより、膜形成材料をウエハWの表面に塗布する。
そして、塗布された膜形成材料に対して、必要に応じて焼成処理(加熱処理)等の所定の処理を施して、膜形成材料を硬化(乾燥)させることにより、ウエハWの一方の面に膜が形成される。なお、膜形成材料を適宜選択することにより、例えば、導体膜、絶縁膜、半導体膜、レジスト膜等の所望の機能を有する膜(機能膜)を形成することができる。
なお、ウエハWに膜形成材料を塗布(供給)しないときには、モータ14を図1中において時計回りに所定の角度だけ回転させることにより、膜形成材料吐出ノズル12をウエハWの上面領域から退避させることができる。
The film forming material supply unit 4 discharges (supplies) the film forming material onto one surface of the rotating wafer W, and the discharged film forming material using centrifugal force is placed on the surface of this surface of the wafer W. By covering, the film forming material is applied to the surface of the wafer W.
Then, the applied film forming material is subjected to a predetermined process such as a baking process (heating process) as necessary, and the film forming material is cured (dried), whereby one surface of the wafer W is formed. A film is formed. Note that, by appropriately selecting a film forming material, for example, a film (functional film) having a desired function such as a conductor film, an insulating film, a semiconductor film, or a resist film can be formed.
When the film forming material is not applied (supplied) to the wafer W, the film forming
撥液膜形成部5は、ウエハWの一方の面の縁部および他方の面の縁部(以下、これらを総称して「双方の面の縁部」ということもある。)に撥液膜を形成する撥液膜形成ヘッド16と、ウエハ支持部2の外側かつ膜形成材料供給部4とウエハWの中心に関して対称に配置され、上下方向に沿って延設された回転伝達軸33と、この回転伝達軸33の下端に接続されかつ回転伝達軸33を中心軸周りに回転させるモータ21と、水平方向に沿って延設され、かつ回転伝達軸33の上端および撥液膜形成ヘッド16を連結するアーム34とを有する。
The liquid repellent
図3において、撥液膜形成ヘッド16は、直方体状の撥液材料吐出装置であり、一側面から水平方向に関して掘設された溝状の開口部17を有する。したがって、撥液膜形成ヘッド16は側面視においてコ字状を呈する。
開口部17における対向面18a,18b同士の距離、すなわち上下方向に関する溝幅は、ウエハWの厚さよりも大きく設定され、各対向面18a,18bには、それぞれスプレーノズル19とヒータ20とが並んで配置される。
それぞれのスプレーノズル19は、上方または下方に向かって液状の撥液材料を噴出する。これにより、ウエハWの双方の面の縁部に撥液材料を供給することができる。そして、この撥液材料を、ヒータ20により乾燥させて、これらの縁部に撥液膜を形成することができる。
In FIG. 3, a liquid repellent
The distance between the opposing
Each
液状の撥液材料としては、特に限定されないが、例えば、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−1,1,2,2テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシランのようなフッ素系のカップリング剤、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体(FEP)およびエチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体(ECTFE)のようなフッ素系有機材料、フッ化チタン酸カリウム、ケイフッ化カリウム、フッ化ジルコン酸カリウムおよびケイフッ酸のようなフッ素系無機材料等を含有する液体が挙げられ、これらの中でも、フッ素系のカップリング剤を含有する液体を用いるのが好ましい。これにより、優れた撥液性を発揮する撥液膜を比較的容易に形成することができる。 The liquid repellent material is not particularly limited. For example, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltriethoxysilane, tridecafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrimethoxysilane, Fluorine coupling agents such as decafluoro-1,1,2,2 tetrahydrooctyltrichlorosilane, octadecyltrimethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether Fluorine organic materials such as copolymer (PFA), ethylene-tetrafluoroethylene copolymer (ETFE), perfluoroethylene-propene copolymer (FEP) and ethylene-chlorotrifluoroethylene copolymer (ECTFE) , Examples include liquids containing fluorine-based inorganic materials such as potassium titanium titanate, potassium silicofluoride, potassium fluorozirconate, and silicofluoric acid. Among these, liquids containing fluorine-based coupling agents are used. Is preferred. As a result, a liquid repellent film exhibiting excellent liquid repellency can be formed relatively easily.
このようなフッ素系のカップリング剤、フッ素系有機材料およびフッ素系無機材料を溶媒に溶解または分散媒に分散する場合、用いる溶媒または分散媒としては、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン(MEK)、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン(MIBK)、メチルイソプロピルケトン(MIPK)、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール(DEG)、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン(DME)、1,4−ジオキサン、テトラヒドロフラン(THF)、テトラヒドロピラン(THP)、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル(ジグリム)、ジエチレングリコールエチルエーテル(カルビトール)等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、N,N−ジメチルホルムアミド(DMF)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMA)等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド(DMSO)、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等が挙げられる。 When such a fluorinated coupling agent, fluorinated organic material and fluorinated inorganic material are dissolved in a solvent or dispersed in a dispersion medium, examples of the solvent or dispersion medium used include nitric acid, sulfuric acid, ammonia, hydrogen peroxide. Inorganic solvents such as water, carbon disulfide, carbon tetrachloride, ethylene carbonate, ketone solvents such as methyl ethyl ketone (MEK), acetone, diethyl ketone, methyl isobutyl ketone (MIBK), methyl isopropyl ketone (MIPK), cyclohexanone, Alcohol solvents such as methanol, ethanol, isopropanol, ethylene glycol, diethylene glycol (DEG), glycerin, diethyl ether, diisopropyl ether, 1,2-dimethoxyethane (DME), 1,4-dioxane, tetrahydrofuran (TH ), Tetrahydropyran (THP), anisole, ether solvents such as diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), diethylene glycol ethyl ether (carbitol), cellosolv solvents such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, phenyl cellosolve, hexane, pentane, heptane, cyclohexane Aliphatic hydrocarbon solvents such as toluene, xylene, benzene, etc., aromatic heterocyclic compounds such as pyridine, pyrazine, furan, pyrrole, thiophene, methylpyrrolidone, N, N-dimethyl Amide solvents such as formamide (DMF) and N, N-dimethylacetamide (DMA), halogen compound solvents such as dichloromethane, chloroform and 1,2-dichloroethane, ethyl acetate, methyl acetate, formic acid Ester solvents such as chill, sulfur compound solvents such as dimethyl sulfoxide (DMSO) and sulfolane, nitrile solvents such as acetonitrile, propionitrile and acrylonitrile, organic acid solvents such as formic acid, acetic acid, trichloroacetic acid and trifluoroacetic acid Or a mixed solvent containing these.
ヒータ20としては、特に限定されないが、例えば、電熱線や赤外線ヒータ等が挙げられる。スプレーノズル19によってウエハWに付着した液状の撥液材料を、このようなヒータ20を用いて乾燥させることにより、ウエハWの双方の面の縁部に撥液膜が形成される。
ここで、前述したように開口部17は、その上下方向に関する溝幅がウエハWの厚さよりも大きく設定される。これにより、撥液膜形成ヘッド16は、ウエハWを、より具体的には、ウエハWの縁部を開口部17内に収容可能である。
そして、撥液膜形成ヘッド16がウエハWの双方の面の縁部を開口部17内に収容した際に、対向面18a,18bは、それぞれウエハWの一方の面および他方の面と対向する。
Although it does not specifically limit as the
Here, as described above, the
When the liquid repellent
対向面18a,18bの各々は、それぞれ、スプレーノズル19とヒータ20とを有している。そして、これらのスプレーノズル19およびヒータ20は、それぞれの面において、ウエハWの縁部に沿うように配置されている。そのため、前述した移動手段によりウエハWを回転させることにより、撥液膜形成ヘッド16は、ウエハWの双方の面の縁部に対し、連続的に撥液膜を形成することができる。
なお、撥液膜形成部5は、ウエハWの双方の面の縁部に撥液膜を形成しないときには、モータ14を図1中において時計回りに所定の角度だけ回転させることにより、撥液膜形成ヘッド16をウエハWの縁部から脱離させることができる。
Each of the facing
The liquid repellent
本発明の成膜方法は、ウエハWの一方の面に膜形成材料を供給するのに先立って、ウエハWの一方の面の縁部および他方の面の縁部に、撥液材料を供給して撥液膜を形成することにより、ウエハWの他方の面側に膜形成材料が浸入するのを防止することを特徴とする。
以下に、本実施形態の成膜装置1が実行する成膜方法を順次説明する。
[1] まず、載置板6上にウエハWを設置した後に、ウエハ支持部2のモータ8を駆動させて、ウエハWを水平面内において回転させる。
[2] 次に、ウエハWの回転が安定したときに、膜形成材料供給部4のモータ21を図1において反時計回りに所望の角度だけ回転させる。これにより、撥液膜形成ヘッド16をウエハWの縁部へと移動させて、撥液膜形成ヘッド16の開口部17内にウエハWの縁部を収容する。
[3] 次に、ウエハWを回転させた状態で、撥液膜形成ヘッド16を、移動することなく一箇所において、ウエハWの双方の面の縁部に向けて各スプレーノズル19から液状の撥液材料を供給した後に、ヒータ20によってウエハWに付着した撥液材料を乾燥させる。これにより、ウエハWの双方の面の縁部に対し、連続的に撥液膜が形成される。
The film forming method of the present invention supplies a liquid repellent material to the edge of one surface of the wafer W and the edge of the other surface before supplying the film forming material to one surface of the wafer W. By forming the liquid repellent film, the film forming material is prevented from entering the other surface side of the wafer W.
Below, the film-forming method which the film-forming apparatus 1 of this embodiment performs is demonstrated sequentially.
[1] First, after placing the wafer W on the mounting
[2] Next, when the rotation of the wafer W is stabilized, the
[3] Next, in a state where the wafer W is rotated, the liquid repellent
また、本実施形態では、液状の撥液材料をヒータ20により乾燥させるので、撥液膜を迅速に形成することができる。
ここで、撥液膜の平均厚さは、後述する工程[6]で供給する液状の膜形成材料の粘度によっても若干異なるが、撥液膜の平均厚さをA[mm]とし、形成すべき膜の平均厚さをB[mm]としたとき、A/Bが1×10−4〜5×10−1なる関係を満足するのが好ましく、5×10−4〜1×10−1なる関係を満足するのがより好ましい。このように比較的薄い膜厚の撥液膜においても、十分に、一方の面から飛散する撥液材料が他方の面に浸入するのを抑制または防止することができる。
また、後述するように、膜を形成した後にこの撥液膜を除去する場合には、このように比較的薄い膜厚の撥液膜を形成することにより、容易かつ確実に撥液膜を除去することができる。
In the present embodiment, since the liquid repellent material is dried by the
Here, the average thickness of the liquid-repellent film varies slightly depending on the viscosity of the liquid film-forming material supplied in step [6] described later, but the average thickness of the liquid-repellent film is A [mm]. When the average thickness of the power film is B [mm], it is preferable that A / B satisfies the relationship of 1 × 10 −4 to 5 × 10 −1 , and 5 × 10 −4 to 1 × 10 −1. It is more preferable to satisfy the following relationship. Even in such a relatively thin liquid repellent film, it is possible to sufficiently suppress or prevent the liquid repellent material scattered from one surface from entering the other surface.
As will be described later, when removing the liquid repellent film after forming the film, the liquid repellent film can be easily and surely removed by forming the liquid repellent film having a relatively thin film thickness. can do.
[4] 次に、モータ21を時計回りに所望の角度だけ回転させて、撥液膜形成ヘッド16をウエハWの縁部から脱離させる。
[5] 次に、撥液膜形成部5のモータ14を所定の角度だけ図1において反時計回りに回転させる。これにより、膜形成材料吐出ノズル12をウエハWの中心部に対向させる。
[6] 次に、ウエハWの中心部に対向した膜形成材料吐出ノズル12から、回転するウエハWの一方の面の中心部に向けて液状の膜形成材料を吐出(供給)する。これにより、この供給された膜形成材料が遠心力によってウエハWの一方の面の表面上を覆うこととなる。そして、この膜形成材料を硬化させることにより、ウエハWの一方の面に膜が形成される。
[4] Next, the
[5] Next, the
[6] Next, a liquid film forming material is discharged (supplied) from the film forming
なお、膜形成材料を硬化させるのに際し、必要に応じて焼成処理(加熱処理)等の所定の処理を施すようにしてもよい。
遠心力により膜形成材料がウエハWの表面上を覆う際に、ウエハWの双方の面の縁部には撥液膜が形成されている。これにより、遠心力により一方の面の縁部から飛散した余剰の膜形成材料が、他方の面に浸入して、不本意に付着するのを好適に抑制または防止することができる。
In curing the film forming material, a predetermined process such as a baking process (heating process) may be performed as necessary.
When the film forming material covers the surface of the wafer W by centrifugal force, a liquid repellent film is formed on the edges of both surfaces of the wafer W. Thereby, it is possible to suitably suppress or prevent the surplus film forming material scattered from the edge of one surface from entering due to the centrifugal force and inadvertently adhering to the other surface.
また、供給された膜形成材料が遠心力によりウエハWの縁部に偏在することから、形成される膜の縁部には、厚膜部が発生する傾向を示す。このような厚膜部は、クラックが発生する原因となり、パーティクルが発生する要因ともなる。
しかしながら、本発明の成膜方法では、一方の面の縁部に撥液膜が形成されていることから、膜の縁部において、厚膜部が発生するのを好適に抑制または防止することができる。その結果、クラックが発生するのを確実に阻止することができる。
このようにして形成された膜において、中央部の厚さをC[mm]とし、縁部の厚さをD[mm]としたとき、D/Cが0.3〜2.0なる関係を満足するのが好ましく、0.5〜1.5なる関係を満足するのがより好ましい。かかる関係を満足するような膜においては、クラックの発生が阻止されることから、パーティクルの発生が確実に防止される。
Further, since the supplied film forming material is unevenly distributed at the edge of the wafer W due to centrifugal force, a thick film portion tends to be generated at the edge of the formed film. Such a thick film portion causes cracks and also causes particles.
However, in the film forming method of the present invention, since the liquid repellent film is formed on the edge of one surface, it is possible to suitably suppress or prevent the occurrence of a thick film portion at the edge of the film. it can. As a result, the occurrence of cracks can be reliably prevented.
In the film thus formed, when the thickness of the central portion is C [mm] and the thickness of the edge portion is D [mm], the relationship that D / C is 0.3 to 2.0. It is preferable to satisfy, and it is more preferable to satisfy the relationship of 0.5 to 1.5. In a film satisfying such a relationship, the generation of cracks is prevented, so that the generation of particles is reliably prevented.
[7] その後、モータ14を所定の角度だけ時計回りに回転させて、膜形成材料吐出ノズル12をウエハWの上面領域から退避させる。
なお、膜を形成した後に、ウエハWの双方の面の縁部に形成された撥液膜のうち、一方または双方の撥液膜を除去するようにしてもよい。これにより、この撥液膜がウエハWに形成されていることによる、パーティクルの発生を確実に防止することができる。
[7] Thereafter, the
Note that one or both of the liquid repellent films formed on the edges of both surfaces of the wafer W may be removed after the film is formed. Thereby, the generation of particles due to the liquid repellent film being formed on the wafer W can be reliably prevented.
撥液膜を除去する方法としては、特に限定されないが、例えば、紫外線や、Ne−Heレーザー、Arレーザー、CO2レーザー、ルビーレーザー、半導体レーザー、YAGレーザー、ガラスレーザー、YVO4レーザー、エキシマレーザーのような各種レーザーを照射する方法等が挙げられる。また、これらの他、例えば、ウエハWと撥液膜との間にウエハWとの密着力の弱い下地層を形成しておき、この下地層を、膜を形成した後に剥離除去するようにしてもよい。 The method for removing the liquid repellent film is not particularly limited. For example, ultraviolet light, Ne-He laser, Ar laser, CO 2 laser, ruby laser, semiconductor laser, YAG laser, glass laser, YVO 4 laser, and excimer laser are used. And a method of irradiating various lasers. In addition to these, for example, a base layer having a weak adhesion to the wafer W is formed between the wafer W and the liquid repellent film, and this base layer is peeled off after the film is formed. Also good.
以上説明したような本発明の成膜方法および成膜装置の第1実施形態によれば、ウエハWの双方の面の縁部に撥液膜が形成されるため、一方の面(膜が形成された面)から飛散する撥液材料が他方の面に浸入して付着するのを好適に抑制または防止することができる。
また、形成された膜の縁部において厚膜部が発生するのも好適に抑制または防止することができる。これらのことから、ウエハWの生産性を低下させることなく、パーティクルが発生するのを確実に防止することができる。
According to the first embodiment of the film forming method and the film forming apparatus of the present invention as described above, since the liquid repellent film is formed on the edges of both surfaces of the wafer W, one surface (the film is formed). It is possible to suitably suppress or prevent the liquid-repellent material scattered from the surface) from entering and adhering to the other surface.
In addition, the occurrence of a thick film portion at the edge of the formed film can be suitably suppressed or prevented. Therefore, it is possible to reliably prevent the generation of particles without reducing the productivity of the wafer W.
また、リンス剤を用いる必要がなくなることから、ウエハWの生産性を向上させることができるとともに、リンス剤が膜に飛散して、侵されるのを確実に防止することができる。
また、本実施形態では、スプレーノズル19から噴出(供給)されてウエハWの縁部に付着した撥液材料を乾燥させるヒータ20を備えているので、撥液膜を迅速に形成することができる。これにより、膜の生産性をさらに向上することができる。
さらに、撥液膜形成ヘッド16を移動させることなく一箇所において、ウエハWの双方の面の縁部に連続して撥液膜を形成できるので、撥液膜の形成を効率良く行うことができる。
Further, since it is not necessary to use a rinse agent, the productivity of the wafer W can be improved, and the rinse agent can be reliably prevented from being scattered and attacked by the film.
Further, in the present embodiment, since the
Furthermore, since the liquid repellent film can be continuously formed on the edges of both surfaces of the wafer W at one place without moving the liquid repellent
<第2実施形態>
次に、本発明の成膜装置の第2実施形態について説明する。
図4は、本発明の成膜装置の第2実施形態における撥液膜形成ヘッドの概略構成を示す図であり、図4(A)は、撥液膜形成ヘッドの側面図であり、図4(B)は、図4(A)の線C−Cにおける縦断面図である。
Second Embodiment
Next, a second embodiment of the film forming apparatus of the present invention will be described.
FIG. 4 is a diagram showing a schematic configuration of the liquid repellent film forming head in the second embodiment of the film forming apparatus of the present invention, and FIG. 4 (A) is a side view of the liquid repellent film forming head. FIG. 4B is a longitudinal sectional view taken along line CC in FIG.
以下、第2実施形態の成膜装置について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第2実施形態の成膜装置は、撥液膜形成ヘッドが異なり、それ以外は、前記第1実施形態と同様である。
図4において、撥液膜形成ヘッド22は、直方体状の撥液材料吐出装置であり、溝状の開口部25を有し、撥液膜形成ヘッド22は側面視においてコ字状を呈し、開口部25の上下方向に関する溝幅は、ウエハWの厚さよりも大きく設定されることは、上述した撥液膜形成ヘッド16と同様である。
Hereinafter, the film forming apparatus according to the second embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.
The film forming apparatus of the second embodiment is the same as the first embodiment except for the liquid repellent film forming head.
In FIG. 4, the liquid repellent film forming head 22 is a rectangular parallelepiped liquid repellent material discharge device having a groove-shaped
また、撥液膜形成ヘッド22は、各対向面24a,24bにおいて、ガス状の撥液材料を噴出(供給)するノズルとして、例えば、プラズマ噴射ノズル23を有する。
このプラズマ噴射ノズル23としては、各種のプラズマ装置が挙げられるが、例えば、リモートプラズマ装置を用いることができる。
リモートプラズマ装置によれば、高周波電界により、ガス状の撥液材料を比較的容易に発生させることができる。
The liquid repellent film forming head 22 has, for example, a
Examples of the
According to the remote plasma apparatus, a gaseous liquid repellent material can be generated relatively easily by a high-frequency electric field.
ガス状の撥液材料としては、特に限定されないが、例えば、四フッ化メタン(CF4)、四フッ化エチレン(C2F4)、六フッ化プロピレン(C2F4)、八フッ化ブチレン(C4F8)のようなフッ素化合物をプラズマ化したものが挙げられる。これらのものを用いて撥液膜を形成することにより、優れた撥液性を発揮する撥液膜を迅速に形成することができる。 The gaseous liquid repellent material is not particularly limited, for example, tetrafluoromethane (CF 4), tetrafluoroethylene (C 2 F 4), propylene hexafluoride (C 2 F 4), eight fluoride those plasma a fluorine compound such as butylene (C 4 F 8) and the like. By forming a liquid repellent film using these materials, a liquid repellent film exhibiting excellent liquid repellency can be rapidly formed.
ここで、リモートプラズマ装置を用いてフッ素化合物をプラズマ化することにより、活性フッ素ガス(フッ素プラズマ)が発生する。そして、この活性フッ素ガスがウエハWの双方の面の縁部の表面に照射され、ウエハWの表面に、例えば、吸着、結合等する。その結果、ウエハWの双方の面の縁部に撥液膜が形成される。
ここで、撥液膜形成ヘッド22の開口部25内に回転するウエハWの縁部を収容した際に、対向面24a,24bは、それぞれウエハWの一方の面および他方の面と対向する。
Here, active fluorine gas (fluorine plasma) is generated by converting the fluorine compound into plasma using a remote plasma apparatus. Then, this active fluorine gas is irradiated onto the surface of the edge of both surfaces of the wafer W, and adsorbs, bonds, etc. to the surface of the wafer W, for example. As a result, a liquid repellent film is formed on the edges of both surfaces of the wafer W.
Here, when the edge of the rotating wafer W is accommodated in the
対向面24a,24bの各々は、それぞれ、プラズマ噴射ノズル23を有している。そして、撥液膜形成ヘッド22は、それぞれの面において、ウエハWの縁部に沿うように配置されている。そのため、前述した移動手段によりウエハWを回転させることにより、撥液膜形成ヘッド22は、ウエハWの双方の面の縁部に対し、連続的に撥液膜を形成することができる。
Each of the facing
本発明の成膜装置の第2実施形態によれば、ウエハWの双方の面の縁部に撥液膜が形成されるため、前記第1実施形態の成膜装置1と同様の効果を得ることができる。
また、この成膜装置では、また、プラズマ噴射ノズル23が活性フッ素ガスを噴出して撥液を形成するので、乾燥等の処理を施すことなく、撥液膜を迅速に形成することができる。
According to the second embodiment of the film forming apparatus of the present invention, since the liquid repellent film is formed on the edges of both surfaces of the wafer W, the same effect as the film forming apparatus 1 of the first embodiment is obtained. be able to.
Further, in this film forming apparatus, since the
<第3実施形態>
次に、本発明の成膜方法および成膜装置の第3実施形態について説明する。
なお、以下では、膜を形成する基板として、FPD(Flat Panel Display)用基板を一例にして説明する。
図5は、本発明の成膜装置の第3実施形態を示す側面図、図6は図5の成膜装置の平面図である。以下、説明の都合上、図5の上側を「上方」、下側を「下方」、左側を「前方」、右側を「後方」といい、図6の上側を「右方」、下側を「左方」という。
<Third Embodiment>
Next, a film forming method and a film forming apparatus according to a third embodiment of the present invention will be described.
In the following description, an FPD (Flat Panel Display) substrate will be described as an example of a substrate on which a film is formed.
FIG. 5 is a side view showing a third embodiment of the film forming apparatus of the present invention, and FIG. 6 is a plan view of the film forming apparatus of FIG. Hereinafter, for convenience of explanation, the upper side in FIG. 5 is referred to as “upper”, the lower side is referred to as “lower”, the left side is referred to as “front”, the right side is referred to as “rear”, the upper side in FIG. It is called “Left”.
図5および図6に示すように、成膜装置26は、液状の膜形成材料が塗布されるFPD用基板32を搬送する基板搬送部28と、FPD用基板32の一方の面に膜形成材料を供給する膜形成材料供給スリット(膜形成材料供給部)29と、FPD用基板32の縁部に撥液膜を形成する撥液膜形成部30とを備える。以下、これらの各構成要素について順次説明する。
As shown in FIGS. 5 and 6, the film forming apparatus 26 includes a substrate transport unit 28 that transports an
基板搬送部28は、前方に配置された前方搬送部28aと、この前方搬送部28aから所定の間隔をおいて後方に配置された後方搬送部28bとを有する。前方搬送部28aおよび後方搬送部28bはそれぞれ水平面内において互いに平行に配置された複数の回転ローラ31を有する。これらの回転ローラ31は、FPD用基板32を載置する。基板搬送部28は、図5中において各回転ローラ31を反時計回りに回転させることにより、載置したFPD用基板32を図5中矢印の方向(前方)へ搬送する。すなわち、本実施形態において、基板搬送部28は、膜形成材料供給スリット(膜形成材料供給部)29および撥液膜形成部30に対して、FPD用基板32を相対的に移動させる移動手段を構成している。
なお、各回転ローラ31は、制御部(図示しない)によって回転・停止自在に制御される。
The substrate transport unit 28 includes a front transport unit 28a disposed in front and a rear transport unit 28b disposed rearward at a predetermined interval from the front transport unit 28a. Each of the front conveyance unit 28a and the rear conveyance unit 28b includes a plurality of
Each rotating
膜形成材料供給スリット29は、前方搬送部28aと対向して配置される。前方搬送部28aにおける各回転ローラ31と膜形成材料供給スリット29との上下方向に関する距離は、FPD用基板32の厚さとほぼ同じに設定される。そのため、FPD用基板32が基板搬送部28によって前方へ搬送されるとき、膜形成材料供給スリット29は、FPD用基板32の一方の面と対向する。
The film forming material supply slit 29 is disposed to face the front conveyance unit 28a. The distance in the vertical direction between each
FPD用基板32が基板搬送部28によって前方へ搬送されて、膜形成材料供給スリット29がFPD用基板32の一方の面と対向する際に、膜形成材料供給スリット29から、FPD用基板32の一方の面に向けて膜形成材料を供給する。
ここで、膜形成材料供給スリット29の左右方向に関する長さは、FPD用基板32の幅とほぼ同じに設定されている。そのため、膜形成材料は、FPD用基板32の一方の面のほぼ全面に亘って供給(塗布)されることとなる。
When the
Here, the length of the film forming material supply slit 29 in the left-right direction is set to be substantially the same as the width of the
そして、塗布された膜形成材料に対して、必要に応じて焼成処理(加熱処理)等の所定の処理を施して、膜形成材料を硬化(乾燥)させることにより、FPD用基板32の一方の面に膜が形成される。なお、膜形成材料を適宜選択することにより、例えば、導体膜、絶縁膜、半導体膜、レジスト膜等の所望の機能を有する膜(機能膜)を形成することができる。
Then, the applied film forming material is subjected to a predetermined process such as a baking process (heating process) as necessary, and the film forming material is cured (dried), whereby one of the
撥液膜形成部30は、前後方向に関して前方搬送部28aと後方搬送部28bとの間に配置される。
また、撥液膜形成部30は、FPD用基板32の搬送面より上方に配置される上側膜形成部35と、この上側膜形成部35と対向する下側膜形成部36とを有する。
上側膜形成部35と下側膜形成部36とは、互いに離間して配置される。そして、この離間距離は、FPD用基板32の厚さの数倍に設定される。そのため、FPD用基板32が基板搬送部28によって前方へ搬送されるとき、上側膜形成部35は、FPD用基板32の一方の面と対向し、下側膜形成部36は、FPD用基板32の他方の面と対向する。
The liquid repellent film forming unit 30 is disposed between the front transport unit 28a and the rear transport unit 28b in the front-rear direction.
The liquid repellent film forming unit 30 includes an upper
The upper
上側膜形成部35は、前後端膜形成ヘッド37と、2つの側端膜形成ヘッド38a,38bとを有する。
前後端膜形成ヘッド37は、直方体状の撥液材料吐出装置であり、その左右方向に関する長さがFPD用基板32の幅とほぼ等しくなるように設定される。そして、その左右方向に関する位置と、FPD用基板32の左右方向に関する位置とが一致するように配置される。
また、前後端膜形成ヘッド37は、FPD用基板32に対向する面において、左右方向に関して直線状に配置された複数のプラズマ噴射ノズル39を有する。
The upper
The front and rear end
Further, the front and rear end
側端膜形成ヘッド38a、38bは、直方体状の撥液材料吐出装置である。そして、FPD用基板32の左右方向に関する縁部(以下、単に「側方縁部」という。)のそれぞれに、対向するように配置される。
側端膜形成ヘッド38a,38bも、それぞれFPD用基板32に対向する面において、1つのプラズマ噴射ノズル39を有する。
The side end film forming heads 38a and 38b are cuboid liquid repellent material discharge devices. And it arrange | positions so that each of the edge part (henceforth a "side edge part" only) regarding the left-right direction of the board |
The side end film forming heads 38 a and 38 b also have one plasma injection nozzle 39 on the surface facing the
各プラズマ噴射ノズル39は、前記第2実施形態におけるプラズマ噴射ノズル23と同様の構成であり、前述したのと同様の活性フッ素ガスを噴出する。
噴出された活性フッ素ガスはFPD用基板32に、例えば、吸着、結合等して、撥液膜を形成する。
また、下側膜形成部36も上側膜形成部35と同様の構成を有する。
Each plasma spray nozzle 39 has the same configuration as the
The ejected active fluorine gas is adsorbed and bonded to the
Further, the lower
FPD用基板32を基板搬送部28により前方に搬送する場合、上側膜形成部35がFPD用基板32の一方の面と対向し、さらに、下側膜形成部36がFPD用基板32の他方の面と対向することとなる。このとき、側端膜形成ヘッド38a,38bは、FPD用基板32の側方縁部の双方の面に向けてプラズマ噴射ノズル39から活性フッ素ガスを噴出する。これにより、側方縁部の双方の面にFPD用基板32の前端から後端に亘って連続して撥液膜を形成する。
When the
また、この場合、前後端膜形成ヘッド37は、FPD用基板32の前端における縁部(以下「前端縁部」という)および後端における縁部(以下「後端縁部」という)と対向するタイミングで、FPD用基板32の双方の面に向けてプラズマ噴射ノズル39から活性フッ素ガスを噴出する。これにより、前端縁部および後端縁部の双方の面に撥液膜を形成する。
Further, in this case, the front and rear end
以下に、本実施形態の成膜装置26が実行する成膜方法を順次説明する。
[1] まず、後方搬送部28b上にFPD用基板32を載置した後に、回転ローラ31を回転させてFPD用基板32を前方へ向けて搬送する。
[2] 次に、前後端膜形成ヘッド37がFPD用基板32の前端縁部と対向した際に、前後端膜形成ヘッド37が有する各プラズマ噴射ノズル39から前端縁部の双方の面に向けて活性フッ素ガスを噴出する。これにより、FPD用基板32の双方の面の前端縁部に撥液膜が形成される。
[3] その後、側端膜形成ヘッド38a,38bがFPD用基板32の側方縁部と対向したときから、この側方縁部と対向しなくなるまでの間、側端膜形成ヘッド38a,38bが有する各プラズマ噴射ノズル39から側方縁部に向けて活性フッ素ガスを噴出してする。これにより、FPD用基板32の双方の面の側方縁部に撥液膜が形成される。
[4] 次に、前後端膜形成ヘッド37がFPD用基板32の後端縁部と対向した際に、前後端膜形成ヘッド37が有する各プラズマ噴射ノズル39から後端縁部の双方の面に向けて活性フッ素ガスを噴出する。これにより、FPD用基板32の双方の面の後端縁部に撥液膜が形成される。
このようにして、FPD用基板32の双方の面の縁部に対し、連続的に撥液膜が形成される。
Below, the film-forming method which the film-forming apparatus 26 of this embodiment performs is demonstrated sequentially.
[1] First, after the
[2] Next, when the front and rear end
[3] After that, when the side end film forming heads 38a and 38b are opposed to the side edge of the
[4] Next, when the front and rear end
In this way, a liquid repellent film is continuously formed on the edges of both surfaces of the
[5] そして、膜形成材料供給スリット29がFPD用基板32の一方の面と対向したときから、この一方の面と対向しなくなるまでの間、膜形成材料供給スリット29から、FPD用基板32の一方の面に向けて膜形成材料を供給する。これにより、FPD用基板32の一方の面のほぼ全面に亘って膜形成材料が供給されることとなる。そして、この膜形成材料を硬化させることにより、FPD用基板32の一方の面のほぼ全面に亘って膜が形成される。
[5] Then, from when the film forming material supply slit 29 is opposed to one surface of the
なお、膜形成材料を硬化させるのに際し、必要に応じて焼成処理(加熱処理)等の所定の処理を施すようにしてもよい。
この膜形成材料がFPD用基板32の一方の面のほぼ全面に亘って供給される際に、FPD用基板32の双方の面の縁部には撥液膜が形成されている。これにより、一方の面の縁部から滴下した膜形成材料が、他方の面に浸入して、不本意に付着するのを好適に抑制または防止することができる。
以上説明したような本発明の第3実施形態に係る成膜装置によれば、FPD用基板32の双方の面の縁部に撥液膜が形成されるため、上述した第1実施形態の成膜装置1と同様の効果が得られる。
In curing the film forming material, a predetermined process such as a baking process (heating process) may be performed as necessary.
When this film-forming material is supplied over almost the entire surface of one side of the
According to the film forming apparatus according to the third embodiment of the present invention as described above, since the liquid repellent film is formed on the edges of both surfaces of the
また、FPD用基板32が前方に搬送される間、側端膜形成ヘッド38a,38bは、FPD用基板32の側方縁部に向けて、所定の一箇所からプラズマ噴射ノズル39により、活性フッ素ガスを噴出する。これにより、FPD用基板32に向けて活性フッ素ガスを噴出する位置を移動させることなくFPD用基板32の側方縁部の双方の面にFPD用基板32の前端から後端に亘って、連続して撥液膜を形成することができる。その結果、撥液膜の形成を効率良く行うことができる。
なお、本実施形態では、撥液膜形成部30が備えるノズルとしてプラズマ噴射ノズルを備える場合について説明したが、このような構成に限定されず、前記第1実施形態で説明したのと同様のノズルを備える構成であってもよい。
Further, while the
In the present embodiment, the case where a plasma spray nozzle is provided as the nozzle provided in the liquid repellent film forming unit 30 has been described. However, the present invention is not limited to such a configuration, and the same nozzle as described in the first embodiment is used. May be provided.
<第4実施形態>
次に、本発明の成膜装置の第4実施形態について説明する。
<Fourth embodiment>
Next, a fourth embodiment of the film forming apparatus of the present invention will be described.
図7は、本発明の成膜装置の第4実施形態における撥液膜形成ヘッドの概略構成を示す図であり、図7(A)は、撥液膜形成ヘッドの側面図であり、図7(B)は、図7(A)の線D−Dにおける縦断面図である。
以下、第4実施形態の成膜装置について、前記第1実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
FIG. 7 is a diagram showing a schematic configuration of the liquid repellent film forming head in the fourth embodiment of the film forming apparatus of the present invention, and FIG. 7A is a side view of the liquid repellent film forming head. FIG. 7B is a longitudinal sectional view taken along line DD in FIG.
Hereinafter, the film forming apparatus according to the fourth embodiment will be described with a focus on differences from the first embodiment, and description of similar matters will be omitted.
第4実施形態の成膜装置は、撥液膜形成ヘッドが備えるスプレーノズルおよびヒータの設置数と設置場所とが異なり、それ以外は、前記第1実施形態と同様である。
本実施形態の撥液膜形成ヘッド16’では、各対向面18a,18bに、それぞれスプレーノズル19とヒータ20とが並んで配置されるとともに、開口面18cにもスプレーノズル19とヒータ20とが並んで配置される。これにより、ウエハWの双方の面の縁部に対して、さらには、その端面に対しても、連続的に撥液膜を形成することができる。
The film forming apparatus of the fourth embodiment is the same as the first embodiment except that the number of spray nozzles and heaters provided in the liquid repellent film forming head and the installation location are different.
In the liquid repellent
その結果、本発明の成膜装置の第4実施形態によれば、ウエハWの双方の面の縁部に、膜形成材料が付着するのを好適に防止することができるとともに、その端面に膜形成材料が付着するのも好適に防止することができる。これにより、ウエハWの生産性を低下させることなく、パーティクルが発生するのをより確実に防止することができる。
なお、本実施形態では、第1実施形態の構成に加えて、ウエハWの端面にも撥液膜を形成について説明したが、これに限定されず、第2実施形態または第3実施形態の構成に本実施形態で説明した構成とを組み合わせて用いるようにしてもよい。
As a result, according to the fourth embodiment of the film forming apparatus of the present invention, it is possible to suitably prevent the film forming material from adhering to the edge portions of both surfaces of the wafer W, and to form the film on the end surface. It is also possible to suitably prevent the forming material from adhering. Thereby, the generation of particles can be prevented more reliably without reducing the productivity of the wafer W.
In the present embodiment, the formation of the liquid repellent film on the end surface of the wafer W is described in addition to the configuration of the first embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of the second embodiment or the third embodiment. In addition, the configuration described in this embodiment may be used in combination.
以上、成膜方法、成膜装置および膜を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、各部の構成は、同様の機能を有する任意の構成のものに置換することができる。また、本発明に、他の任意の構成物や、工程が付加されていてもよい。
また、前述した実施形態では、撥液膜を形成する際、撥液膜の形成ヘッドは移動しないが、撥液膜の形成ヘッドが基板の縁部を移動することによって撥液膜を縁部に形成してもよい。
As described above, the film forming method, the film forming apparatus, and the film have been described based on the illustrated embodiment. However, the present invention is not limited to this, and the configuration of each unit is an arbitrary configuration having the same function. Can be substituted. Moreover, other arbitrary structures and processes may be added to the present invention.
In the above-described embodiment, when the liquid repellent film is formed, the liquid repellent film formation head does not move, but the liquid repellent film formation head moves the edge of the substrate, so that the liquid repellent film becomes the edge. It may be formed.
前述した実施形態では、膜を形成する基板の一例として、その厚さがほぼ一定のものについて説明したが、基板としては、その厚さが端部において漸減するような構成のものであってもよい。
前述した実施形態では、本発明の成膜方法をスピンコート(第1実施形態、第2実施形態、第4実施形態)やスリットコート(第3実施形態)に適用したが、本発明が適用される成膜方法はこれらに限られず、液体材料を塗布する工程を含む成膜方法、具体的には、デバイス製造方法に適用することができ、例えば、ギャップコート、スプレーコーティング、インクジェットなどに適用してもよい。
本発明の成膜方法を適用可能なデバイス製造方法では、例えば、上述した半導体ウエハやFPD用基板に限られず、LCD(Liquid Crystal Display)用基板、EL(Electric Luminescence)素子、PDP(Plasma Display Panel)用基板なども製造することができる。
In the above-described embodiment, as an example of the substrate on which the film is formed, the substrate having a substantially constant thickness has been described. However, the substrate may have a configuration in which the thickness gradually decreases at the end. Good.
In the embodiment described above, the film forming method of the present invention is applied to spin coating (first embodiment, second embodiment, fourth embodiment) and slit coating (third embodiment), but the present invention is applied. The film forming method to be applied is not limited to these, and can be applied to a film forming method including a step of applying a liquid material, specifically, a device manufacturing method. For example, it can be applied to gap coating, spray coating, inkjet, etc. May be.
The device manufacturing method to which the film forming method of the present invention can be applied is not limited to the above-described semiconductor wafer and FPD substrate, for example, an LCD (Liquid Crystal Display) substrate, an EL (Electric Luminescence) element, and a PDP (Plasma Display Panel). ) Substrate and the like can also be manufactured.
W……ウエハ、1,26……成膜装置、2……ウエハ支持部、3……回収部、4……膜形成材料供給部、5,30……撥液膜形成部、6……載置板、7,13,33……回転伝達軸、8,14,21……モータ、9……余剰膜形成材料キャッチ容器、10……エアシリンダ、11……シャフト、12……膜形成材料吐出ノズル、15,34……アーム、16,16’,22……撥液膜形成ヘッド、17,25……開口部、18a,18b,24a,24b……対向面、18c……開口面、19……スプレーノズル、20……ヒータ、23,39……プラズマ噴射ノズル,28……基板搬送部、29……膜形成材料供給スリット、31……回転ローラ、32……FPD用基板、35……上側膜形成部、36……下側膜形成部、37……前後端膜形成ヘッド、38a,38b……側端膜形成ヘッド
W ... wafer, 1,26 ... deposition apparatus, 2 ... wafer support unit, 3 ... recovery unit, 4 ... film forming material supply unit, 5,30 ... liquid repellent film formation unit, 6 ... Placement plate, 7, 13, 33 ... Rotation transmission shaft, 8, 14, 21 ... Motor, 9 ... Catch container for surplus film forming material, 10 ... Air cylinder, 11 ... Shaft, 12 ... Film formation Material discharge nozzle, 15, 34 ... Arm, 16, 16 ', 22 ... Liquid repellent film forming head, 17, 25 ... Opening, 18a, 18b, 24a, 24b ... Opposing surface, 18c ... Opening surface , 19 ... Spray nozzle, 20 ... Heater, 23, 39 ... Plasma spray nozzle, 28 ... Substrate transport section, 29 ... Film forming material supply slit, 31 ... Rotating roller, 32 ... Substrate for FPD, 35... Upper film forming part, 36... Lower film forming part, 37. Forming head, 38a, 38b...
Claims (13)
前記基板の一方の面に前記膜形成材料を供給するのに先立って、
前記基板の一方の面の縁部および他方の面の縁部に、撥液材料を供給して撥液膜を形成することにより、前記基板の他方の面側に前記膜形成材料が浸入するのを防止することを特徴とする成膜方法。 A film forming method for forming a film on one surface of a substrate by supplying a liquid film forming material by a coating method,
Prior to supplying the film-forming material to one side of the substrate,
By forming a liquid repellent film by supplying a liquid repellent material to the edge of one surface and the edge of the other surface of the substrate, the film forming material enters the other surface side of the substrate. A film forming method characterized by preventing the above.
前記膜形成材料を前記基板に塗布法により供給して膜を形成する膜形成材料供給部と、
前記撥液材料を前記基板に供給して前記撥液膜を形成する撥液膜形成部と、
前記膜形成材料供給部および前記撥液膜形成部に対して、前記基板を相対的に移動する移動手段とを有することを特徴とする成膜装置。 A film forming apparatus for use in the film forming method according to claim 1,
A film forming material supply unit for forming the film by supplying the film forming material to the substrate by a coating method;
A liquid repellent film forming part for supplying the liquid repellent material to the substrate to form the liquid repellent film;
A film forming apparatus comprising: a moving unit that moves the substrate relative to the film forming material supply unit and the liquid repellent film forming unit.
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JP2017028201A (en) * | 2015-07-27 | 2017-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium |
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