JP2006094303A - Variable phase shifter - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、90°ハイブリッドカプラを有する可変位相器に関し、該90°ハイブリッドカプラから出力される出力信号の位相の変化量を増加させることができ、且つ、該位相を安定して変化させることができる可変位相器に関する。 The present invention relates to a variable phase shifter having a 90 ° hybrid coupler, which can increase the amount of change in the phase of an output signal output from the 90 ° hybrid coupler and stably change the phase. The present invention relates to a variable phase shifter.
従来より、高周波無線機器では、電力増幅器の前段に可変位相器を配置することにより、前記電力増幅器の出力信号における歪みを補償している(特許文献1参照)。 Conventionally, in a high-frequency wireless device, a distortion in an output signal of the power amplifier is compensated by arranging a variable phase shifter in front of the power amplifier (see Patent Document 1).
従来の可変位相器100は、図10に示すように、4つの端子(入力端子110、90°端子112、0°端子118及び出力端子126)を備えた90°ハイブリッドカプラ108を有する。
As shown in FIG. 10, the conventional
入力端子110と90°ハイブリッドカプラ108間にコンデンサ106が電気的に接続され、出力端子126と90°ハイブリッドカプラ108間にコンデンサ128が電気的に接続されている。
A
また、可変容量ダイオード116のカソードK1及び可変容量ダイオード122のカソードK2は、2つのコイル134、136を介して、電気的に接続されている。また、コイル134、136間には電圧制御端子132が電気的に接続され、該電圧制御端子132とアース(GND)との間には、コンデンサ138が電気的に接続されている。
The cathode K1 of the variable capacitance diode 116 and the cathode K2 of the
この場合、コンデンサ114、120は略同一の容量値を有するコンデンサを用いる。また、コイル134、136も略同一のインダクタンスを有するコイルを用いる。さらに、可変容量ダイオード116、122も略同一の電気的特性を有するダイオードを用いる。これにより、90°端子112及び0°端子118と前記アースとの間には、略同一のインピーダンスを有する位相制御回路が電気的に接続される。
In this case, the
次に、可変位相器100の動作について説明する。
Next, the operation of the
入力端子110に高周波入力信号Siが供給されると、高周波入力信号Siに対して異なる位相θを有する高周波出力信号Stが出力端子126から出力される。この位相θは、90°端子112及び0°端子118と前記アースとの間に電気的に接続されている前記位相制御回路の位相θである。
When the high frequency input signal Si is supplied to the
この場合、電圧制御端子132から可変容量ダイオード116、122に低周波の制御電圧Vcを印加すると、該制御電圧Vcの電圧値の変化に伴って、可変容量ダイオード116、122の接合容量Cが変化するので、前記位相制御回路のインピーダンス及び位相θが変化する。従って、前記制御電圧Vcを変化させることによって、高周波出力信号Stの位相θを所定の値に制御することができる。
In this case, when a low-frequency control voltage Vc is applied from the
制御電圧Vcによって可変容量ダイオード116、122の接合容量Cを変化させる場合、接合容量Cの理想的な可変範囲は、コイル134、136と可変容量ダイオード116、122との共振が発生して、前記位相制御回路がショート状態になるときの可変容量ダイオード116、122の容量値から、前記位相制御回路がオープン状態となるときの可変容量ダイオード116、122の容量値である0pFまでの範囲である。つまり、位相θの理想的な位相変化量は、前記位相制御回路のインピーダンスが抵抗分のみとなる位相(0°)から、前記位相制御回路のインピーダンスが最大となる位相(180°)までの範囲である。
When the junction capacitance C of the
しかしながら、実際の高周波無線機器では、可変位相器100が収容されるパッケージや、可変位相器100で構成されるチップに浮遊容量が存在し、この浮遊容量のリアクタンス分が前記インピーダンスに含まれる。これにより、位相θの位相変化量が減少するおそれがある。
However, in an actual high-frequency wireless device, a stray capacitance exists in a package in which the
そこで、実際の無線機器では、可変位相器100を複数個接続して、位相θの位相変化量を増加することにより、該位相変化量の減少を補償するようにしている。例えば、90°の位相変化量を有する可変位相器100を4個縦列接続すれば、当該無線機器は360°の位相変化量を確保することができる。しかしながら、複数個の可変位相器100を無線機器に実装すれば、該無線機器が大型化するという問題がある。
Therefore, in an actual wireless device, a plurality of
また、高周波出力信号Stの位相θを変化させても、上述した浮遊容量によって、位相θを安定して変化させることができないという問題もある。 There is also a problem that even if the phase θ of the high-frequency output signal St is changed, the phase θ cannot be changed stably due to the stray capacitance described above.
本発明はこのような課題を考慮してなされたものであり、出力信号の位相変化量を増加させることができ、しかも、出力信号の位相を安定して変化させることができる可変位相器を提供することを目的とする。 The present invention has been made in consideration of such problems, and provides a variable phase shifter capable of increasing the amount of phase change of an output signal and stably changing the phase of the output signal. The purpose is to do.
本発明に係る可変位相器は、少なくとも1つの可変容量素子を有する可変位相器において、前記可変容量素子にインダクタンス成分が接続されていることを特徴とする。可変容量素子による容量変化と、インダクタンス成分が有する位相量がプラスされるため、変化量を大きくとることができる。 A variable phase shifter according to the present invention is a variable phase shifter having at least one variable capacitance element, wherein an inductance component is connected to the variable capacitance element. Since the capacitance change due to the variable capacitance element and the phase amount of the inductance component are added, the change amount can be increased.
そして、入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラを具備する場合においては、前記0°端子とアースとの間に、第1の位相制御回路が電気的に接続され、前記90°端子と前記アースとの間に、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続され、前記第1の位相制御回路は、第1の可変容量素子と、該第1の可変容量素子に電気的に接続された第1のインダクタとを有し、前記第2の位相制御回路は、第2の可変容量素子と、該第2の可変容量素子に電気的に接続された第2のインダクタとを有するようにしてもよい。 When the 90 ° hybrid coupler having the input terminal, the output terminal, the 0 ° terminal, and the 90 ° terminal is provided, the first phase control circuit is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground. And a second phase control circuit having substantially the same impedance as the first phase control circuit is electrically connected between the 90 ° terminal and the ground, and the first phase control circuit Includes a first variable capacitance element and a first inductor electrically connected to the first variable capacitance element, and the second phase control circuit includes a second variable capacitance element, You may make it have the 2nd inductor electrically connected to this 2nd variable capacitance element.
この場合、前記第1及び第2の可変容量素子に供給される制御電圧によって、該第1及び第2の可変容量素子の静電容量が変化し、前記静電容量の変化によって、前記出力端子から出力される出力信号の位相が変化する。 In this case, the capacitances of the first and second variable capacitance elements are changed by the control voltage supplied to the first and second variable capacitance elements, and the output terminal is changed by the change in the capacitance. The phase of the output signal that is output from is changed.
このように、前記第1及び第2の位相制御回路が可変のリアクタンス回路で構成され、該第1及び第2の位相制御回路の位相が、前記第1及び第2の可変容量素子の位相と前記第1及び第2のインダクタの位相とから構成されるので、該第1及び第2の位相制御回路の位相の変化範囲が拡張され、前記出力信号の位相変化量を増加させることができる。 As described above, the first and second phase control circuits are configured by variable reactance circuits, and the phases of the first and second phase control circuits are the same as the phases of the first and second variable capacitance elements. The phase change range of the first and second phase control circuits is expanded, and the phase change amount of the output signal can be increased.
前記第1及び第2の可変容量素子に第1及び第2の可変容量ダイオードを用いて、該第1及び第2の可変容量ダイオードの第1及び第2のカソード端子に前記制御電圧を供給することが好ましい。この場合、前記制御電圧は前記第1及び第2の可変容量ダイオードの逆バイアス電圧となる。前記逆バイアス電圧が変化することにより、前記第1及び第2の可変容量ダイオードの接合容量を変化させることができる。 Using the first and second variable capacitance diodes for the first and second variable capacitance elements, the control voltage is supplied to the first and second cathode terminals of the first and second variable capacitance diodes. It is preferable. In this case, the control voltage is a reverse bias voltage of the first and second variable capacitance diodes. By changing the reverse bias voltage, the junction capacitance of the first and second variable capacitance diodes can be changed.
前記第1の位相制御回路の具体的な回路構成は、前記0°端子に前記第1のカソード端子が電気的に接続され、前記第1の可変容量ダイオードの第1のアノード端子と前記アースとの間に、前記第1のインダクタが電気的に接続されるという回路構成であり、前記第2の位相制御回路の具体的な回路構成は、前記90°端子に前記第2のカソード端子が電気的に接続され、前記第2の可変容量ダイオードの第2のアノード端子と前記アースとの間に、前記第2のインダクタが電気的に接続されるという回路構成である。 A specific circuit configuration of the first phase control circuit is that the first cathode terminal is electrically connected to the 0 ° terminal, the first anode terminal of the first variable capacitance diode, and the ground. The first inductor is electrically connected between the 90 ° terminal and the second cathode terminal is electrically connected to the 90 ° terminal. The second inductor is electrically connected, and the second inductor is electrically connected between the second anode terminal of the second variable capacitance diode and the ground.
この場合、前記0°端子と前記第1のカソード端子の間に、さらに、第1のカップリングコンデンサを電気的に接続し、前記90°端子と前記第2のカソード端子の間に、さらに、第2のカップリングコンデンサを電気的に接続するようにしてもよい。これにより、前記制御電圧が前記0°端子及び90°端子を介して前記90°ハイブリッドカプラに進入することが阻止されて、前記出力信号に対する前記制御電圧の影響が抑制される。前記入力端子に供給される入力信号を前記制御電圧よりも高周波の信号とすれば、上述した抑制効果が顕著となる。また、90°ハイブリッドカプラと第1の可変容量素子とのマッチング並びに90°ハイブリッドカプラと第2の可変容量素子とのマッチングをとることができる。 In this case, a first coupling capacitor is further electrically connected between the 0 ° terminal and the first cathode terminal, and further between the 90 ° terminal and the second cathode terminal. The second coupling capacitor may be electrically connected. Accordingly, the control voltage is prevented from entering the 90 ° hybrid coupler via the 0 ° terminal and the 90 ° terminal, and the influence of the control voltage on the output signal is suppressed. If the input signal supplied to the input terminal is a signal having a frequency higher than that of the control voltage, the above-described suppression effect becomes significant. Further, matching between the 90 ° hybrid coupler and the first variable capacitance element and matching between the 90 ° hybrid coupler and the second variable capacitance element can be achieved.
また、前記制御電圧を前記第1及び第2のカソード端子に供給するための具体的な回路構成は、前記第1のカソード端子に第1のコイルの一端を電気的に接続し、前記第2のカソード端子に第2のコイルの一端を電気的に接続し、前記第1及び第2のコイルの他端に電圧制御端子を電気的に接続し、前記制御電圧を、前記電圧制御端子から前記第1及び第2のコイルを介して前記第1及び第2のカソード端子に供給するという回路構成にしてもよい。これにより、浮遊容量による高周波信号が前記第1及び第2の位相制御回路に進入しても、前記第1及び第2のコイルは前記高周波信号に対して高抵抗として機能するので、該高周波信号は前記第1及び第2のコイルにおいて減衰する。つまり、高周波ノイズに対して強く、前記出力信号の位相を安定して変化させることができる可変位相器を実現することができる。 Further, a specific circuit configuration for supplying the control voltage to the first and second cathode terminals is such that one end of a first coil is electrically connected to the first cathode terminal, and the second One end of a second coil is electrically connected to the cathode terminal of the first, and a voltage control terminal is electrically connected to the other end of the first and second coils, and the control voltage is supplied from the voltage control terminal to the cathode terminal. A circuit configuration may be adopted in which the first and second cathode terminals are supplied via the first and second coils. As a result, even if a high-frequency signal due to stray capacitance enters the first and second phase control circuits, the first and second coils function as a high resistance to the high-frequency signal. Is attenuated in the first and second coils. That is, it is possible to realize a variable phase shifter that is strong against high frequency noise and can stably change the phase of the output signal.
また、前記電圧制御端子と前記アースとの間に、バイパスコンデンサを電気的に接続すれば、上述した高周波信号をアースにバイパスすることができるので、前記高周波信号の前記電圧制御端子への進入を回避することができる。 Further, if a bypass capacitor is electrically connected between the voltage control terminal and the ground, the above-described high-frequency signal can be bypassed to the ground, so that the high-frequency signal can enter the voltage control terminal. It can be avoided.
また、前記入力端子に第3のカップリングコンデンサが電気的に接続され、前記出力端子に第4のカップリングコンデンサが電気的に接続され、前記入力信号が、前記第3のカップリングコンデンサを介して供給され、前記出力信号が、前記第4のカップリングコンデンサを介して出力させるようにしてもよい。この場合、前記入力信号とは異なる直流信号又は低周波信号の通過を阻止することができる。また、入力端子と該入力端子に接続される外部回路とのマッチング並びに出力端子と該出力端子に接続される外部回路とのマッチングをとることができる。 Further, a third coupling capacitor is electrically connected to the input terminal, a fourth coupling capacitor is electrically connected to the output terminal, and the input signal is passed through the third coupling capacitor. And the output signal may be output via the fourth coupling capacitor. In this case, it is possible to prevent a DC signal or a low frequency signal different from the input signal from passing. Further, matching between the input terminal and the external circuit connected to the input terminal and matching between the output terminal and the external circuit connected to the output terminal can be performed.
また、本発明に係る可変位相器の具体的な構造は、複数の誘電体層から構成された誘電体基板内に、入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラと、第1及び第2のインダクタと、第1及び第2のカップリングコンデンサとが形成され、前記誘電体基板表面に形成される配線パターン上に、前記第1及び第2の可変容量ダイオードが実装され、前記0°端子とアースとの間には、前記第1のインダクタと前記第1の可変容量ダイオードと前記第1のカップリングコンデンサとを含む第1の位相制御回路が電気的に接続され、前記90°端子と前記アースとの間には、前記第2のインダクタと前記第2の可変容量ダイオードと前記第2のカップリングコンデンサとを含み、且つ、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続されていてもよい。 In addition, a specific structure of the variable phase shifter according to the present invention is a 90 ° including an input terminal, an output terminal, a 0 ° terminal, and a 90 ° terminal in a dielectric substrate composed of a plurality of dielectric layers. A hybrid coupler, first and second inductors, and first and second coupling capacitors are formed, and the first and second variable capacitors are formed on a wiring pattern formed on the surface of the dielectric substrate. A diode is mounted, and a first phase control circuit including the first inductor, the first variable capacitance diode, and the first coupling capacitor is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground. The second inductor, the second variable capacitance diode, and the second coupling capacitor between the 90 ° terminal and the ground, and the first phase control. Almost same as circuit A second phase control circuit having one impedance may be electrically connected.
また、本発明に係る可変位相器の他の具体的な構造は、複数の誘電体層から構成された回路基板の配線パターン上に、入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラと、第1及び第2の可変容量ダイオードと、第1及び第2のカップリングコンデンサとが実装され、前記配線パターンによって、第1及び第2のインダクタが形成され、前記0°端子とアースとの間には、前記第1のインダクタと前記第1の可変容量ダイオードと前記第1のカップリングコンデンサとを含む第1の位相制御回路が電気的に接続され、前記90°端子と前記アースとの間には、前記第2のインダクタと前記第2の可変容量ダイオードと前記第2のカップリングコンデンサとを含み、且つ、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続されていてもよい。 Another specific structure of the variable phase shifter according to the present invention includes an input terminal, an output terminal, a 0 ° terminal, and a 90 ° terminal on a wiring pattern of a circuit board constituted by a plurality of dielectric layers. The 90 ° hybrid coupler provided, the first and second variable capacitance diodes, and the first and second coupling capacitors are mounted, and the wiring pattern forms the first and second inductors, A first phase control circuit including the first inductor, the first variable capacitance diode, and the first coupling capacitor is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground. Between the terminal and the ground, includes the second inductor, the second variable capacitance diode, and the second coupling capacitor, and substantially the same impedance as the first phase control circuit. A second phase control circuit having impedance may be electrically connected.
さらに、前記第1及び第2のインダクタをそれぞれ可変インダクタとしてもよい。これにより、第1及び第2のインダクタの各インダクタンス長をスタブ等により調整することによって、出力信号の位相変化量を所望の特性に合わせ込むことができ、デバイス間のばらつき吸収や、同種のデバイスで違う規格(位相変化量)に調整する等を実現させることができる。 Furthermore, each of the first and second inductors may be a variable inductor. Thereby, by adjusting the inductance length of each of the first and second inductors with a stub or the like, the phase change amount of the output signal can be adjusted to a desired characteristic, and variations between devices can be absorbed. Can be adjusted to a different standard (phase change amount).
上述のように、本発明に係る可変位相器によれば、出力信号の位相変化量を増加させることができ、しかも、出力信号の位相を安定して変化させることができる。 As described above, according to the variable phase shifter according to the present invention, the phase change amount of the output signal can be increased, and the phase of the output signal can be changed stably.
以下、本発明に係る可変位相器の実施の形態例を、図1〜図9を参照しながら説明する。 Hereinafter, embodiments of a variable phase shifter according to the present invention will be described with reference to FIGS.
本実施の形態に係る可変位相器10は、図1に示すように、4つの端子(入力端子12、0°端子14、90°端子16及び出力端子18)を具備する90°ハイブリッドカプラ20を有する。90°ハイブリッドカプラ20は、上述した4つの端子12、14、16、18の入出力インピーダンスが、例えば50Ωであるようなハイブリッドカプラである。
As shown in FIG. 1, the
入力端子12と90°ハイブリッドカプラ20間にコンデンサ22が電気的に接続され、出力端子18と90°ハイブリッドカプラ20間にコンデンサ26が電気的に接続されている。0°端子14とアース(GND)との間には、コンデンサ30と可変容量ダイオード32とインダクタ34とが電気的に接続されている。90°端子16とアース(GND)との間には、コンデンサ36と可変容量ダイオード38とインダクタ40とが電気的に接続されている。
A
また、コンデンサ30と可変容量ダイオード32との接続点42と、コンデンサ36と可変容量ダイオード38との接続点44との間は、コイル46、48が直列に接続されている。
In addition, coils 46 and 48 are connected in series between a
さらに、コイル46とコイル48との接続点50と電圧制御端子52とが電気的に接続されている。また、電圧制御端子52とアース(GND)との間には、コンデンサ54が電気的に接続されている。
Further, the
この場合、コンデンサ30、36は略同一の容量値を有する。また、コイル46、48も略同一のインダクタンスを有する。さらに、可変容量ダイオード32、38は略同一の電気的特性を有するダイオードを用いる。さらにまた、インダクタ34、40も略同一のインダクタンスを有する。これにより、0°端子14及び90°端子16とアース(GND)との間には、略同一の反射係数とリアクタンスとを有する可変リアクタンス回路が電気的に接続されることになる。
In this case, the
次に、本実施の形態に係る可変位相器10の動作について説明する。
Next, the operation of the
入力端子12に高周波入力信号Siを供給すると、出力端子18には高周波出力信号Stが出力される。また、上述した反射係数によって、0°端子14には高周波信号S01、S02が生成され、90°端子16には高周波信号S901、S902が生成される。
When a high frequency input signal Si is supplied to the
この場合、高周波信号S01は、0°端子14から出力される高周波信号であり、高周波信号S02は、0°端子14から90°ハイブリッドカプラ20に入力される高周波信号である。また、高周波信号S901は、90°端子16から出力される高周波信号であり、高周波信号S902は、90°端子16から90°ハイブリッドカプラ20に入力される高周波信号である。
In this case, the high frequency signal S01 is a high frequency signal output from the 0 °
高周波信号S01の電圧値V01は、高周波入力信号Siの電圧値Viに対し1/√2倍の電圧値である。また、高周波信号S01の位相は、高周波入力信号Siの位相から−180°遅れた位相である。 The voltage value V01 of the high frequency signal S01 is a voltage value that is 1 / √2 times the voltage value Vi of the high frequency input signal Si. The phase of the high frequency signal S01 is a phase delayed by -180 ° from the phase of the high frequency input signal Si.
また、高周波信号S02の電圧値V02は、高周波入力信号Siの電圧値Viに対し1/√2倍の電圧値である。また、高周波信号S02の位相は、可変容量ダイオード32とインダクタ34とコイル46とから構成される直列回路の位相θから−180°遅れた位相である。
The voltage value V02 of the high-frequency signal S02 is a voltage value that is 1 / √2 times the voltage value Vi of the high-frequency input signal Si. The phase of the high-frequency signal S02 is a phase delayed by −180 ° from the phase θ of the series circuit composed of the
一方、高周波信号S901の電圧値V901は、高周波入力信号Siの電圧値Viに対し1/√2倍の電圧値である。また、高周波信号S901の位相は、高周波入力信号Siの位相から−90°遅れた位相である。 On the other hand, the voltage value V901 of the high-frequency signal S901 is a voltage value that is 1 / √2 times the voltage value Vi of the high-frequency input signal Si. The phase of the high frequency signal S901 is a phase delayed by −90 ° from the phase of the high frequency input signal Si.
また、高周波信号S902の電圧値V902は、高周波入力信号Siの電圧値に対し1/√2倍の電圧値である。また、高周波信号S902の位相は、可変容量ダイオード38とインダクタ40とコイル48とから構成される直列回路の位相θから−90°遅れた位相である。
The voltage value V902 of the high-frequency signal S902 is a voltage value that is 1 / √2 times the voltage value of the high-frequency input signal Si. The phase of the high-frequency signal S902 is a phase that is delayed by −90 ° from the phase θ of the series circuit including the
従って、0°端子14及び90°端子16に生成される高周波信号S01、S02、S901、S902は、略同一の電圧値を有すると共に、高周波信号S01、S02と高周波信号S901、S902との位相差は90°であることが分かる。
Therefore, the high-frequency signals S01, S02, S901, and S902 generated at the 0 °
出力端子18から出力される高周波出力信号Stは、高周波信号S02、S902を合成した高周波信号が出力端子18で全反射することによって生成される高周波信号であり、高周波入力信号Siの電圧値Viと略同一の電圧値と、位相θから90°進んだ位相とを有する。
The high-frequency output signal St output from the
上述した可変位相器10において、コイル46、48を介して、電圧制御端子52から可変容量ダイオード32、38に制御電圧Vcを印加すると、可変容量ダイオード32、38の接合容量Cが変化する。
In the
具体的には、図2に示すように、制御電圧Vcの電圧値を増加すると、接合容量Cが減少する。これにより、コイル46、48と可変容量ダイオード32、38とインダクタ34、40との可変リアクタンス回路のリアクタンス(インピーダンス)及び位相θが変化する。すなわち、制御電圧Vcを変化することにより位相θを変化させることができる。
Specifically, as shown in FIG. 2, when the voltage value of the control voltage Vc is increased, the junction capacitance C is decreased. As a result, the reactance (impedance) and phase θ of the variable reactance circuit including the
上述した制御電圧Vcの周波数は、高周波入力信号Si、高周波出力信号St及び高周波信号S01、S02、S901、S902の周波数よりも低い周波数とする。その際、コンデンサ54は、上述した高周波の信号をアースにバイパスさせることにより、該信号の電圧制御端子52への漏洩を阻止するバイパスコンデンサとして機能する。また、コンデンサ30、36は、制御電圧Vcが0°端子14及び90°端子16を介して、90°ハイブリッドカプラ20に流れることを阻止するカップリングコンデンサとして機能する。さらに、コンデンサ22、26は、制御電圧Vcのような低周波信号あるいは直流信号の通過を阻止するカップリングコンデンサとして機能する。
The frequency of the control voltage Vc described above is lower than the frequencies of the high-frequency input signal Si, the high-frequency output signal St, and the high-frequency signals S01, S02, S901, and S902. At this time, the
次に、本実施の形態に係る可変位相器10(特性A)と従来の可変位相器100(特性B)とについて、制御電圧Vcの変化に対する高周波出力信号Stの位相θの変化を図3に示す。ここで、可変位相器10のインダクタ34、40は、高周波入力信号Siの波長λに対してその電気長LがL=λ/8(45°)であるような回路素子とした。
Next, with respect to the variable phase shifter 10 (characteristic A) according to the present embodiment and the conventional variable phase shifter 100 (characteristic B), the change in the phase θ of the high-frequency output signal St with respect to the change in the control voltage Vc is shown in FIG. Show. Here, the
従来の可変位相器100(特性B)では、制御電圧Vcを0〜25Vまで変化させても、位相θは0°〜150°までしか変化しない。つまり、150°以上の位相変化(150°〜180°)を得たい場合には、可変位相器100の出力端子に別の可変位相器100を接続する必要がある。これでは、可変位相器100を実装している無線機器の大型化を招くおそれがある。
In the conventional variable phase shifter 100 (characteristic B), even when the control voltage Vc is changed from 0 to 25 V, the phase θ changes only from 0 ° to 150 °. That is, in order to obtain a phase change of 150 ° or more (150 ° to 180 °), it is necessary to connect another
これに対して、本実施の形態に係る可変位相器10では、制御電圧Vcを0〜25Vまで変化させた際に、位相θは0°〜180°の範囲で変化させることができる。つまり、1個の可変位相器10でθ=0°〜180°の位相変化をカバーすることができる。このような位相変化量の増加は、図1に示す可変位相器10内にインダクタ34、40を設けることによって実現することができる。
On the other hand, in the
すなわち、Vc=0のときには、図2に示すように、可変容量ダイオード32、38の接合容量Cが最大となってそのリアクタンスが最小になると共に、インダクタ34、40には制御電圧Vcが印加されていないので、該インダクタ34、40のリアクタンスも最小となる。これにより、インダクタ34、40と可変容量ダイオード32、38とから構成される可変リアクタンス回路のリアクタンス(位相制御回路のインピーダンス)は最小となる。従って、Vc=0のときの可変位相器10における位相θは0となる。
That is, when Vc = 0, as shown in FIG. 2, the junction capacitance C of the
制御電圧Vcの電圧値を増加すると、可変容量ダイオード32、38の接合容量Cが減少して該可変容量ダイオード32、38のリアクタンスが増加する。これにより、可変容量ダイオード32、38とインダクタ34、40とコイル46、48との前記可変リアクタンス回路のリアクタンスが増加し、高周波出力信号Stの位相θが増加する。
When the voltage value of the control voltage Vc is increased, the junction capacitance C of the
さらに、Vc=25Vでは、可変容量ダイオード32、38の接合容量Cが最小となって、そのリアクタンスが最大になる。これにより、前記可変リアクタンス回路のリアクタンスは最大となり、高周波出力信号Stの位相θも最大値(θ=180°)となる。
Further, when Vc = 25 V, the junction capacitance C of the
このように、本実施の形態に係る可変位相器10では、90°ハイブリッドカプラ20の0°端子14及び90°端子16とアース(GND)との間に、コンデンサ30、36と可変容量ダイオード32、38とインダクタ34、40とが電気的に接続されている。
Thus, in the
この場合、コイル46、48を介して、制御電圧Vcを可変容量ダイオード32、38に供給すると、該可変容量ダイオード32、38の接合容量Cが変化して、高周波出力信号Stの位相θを変化させることができるが、インダクタ34、40を可変容量ダイオード32、38と直列に接続することにより、位相θの位相量を増加させることができる。
In this case, when the control voltage Vc is supplied to the
また、コイル46、48を介して、制御電圧Vcが可変容量ダイオード32、38に供給されているので、例えば浮遊容量によって発生する高周波信号が可変位相器10に進入しても、該コイル46、48が前記高周波信号に対する高抵抗として機能する。これにより、前記高周波信号が減衰し、位相θの位相変化を安定して行うことができる。
Further, since the control voltage Vc is supplied to the
また、これらのインダクタ34、40が可変インダクタであれば、前記浮遊容量によって位相θの位相変化量が減少したとしても、該インダクタ34、40のインダクタンスを変化するだけで、前記位相変化量の減少を補償することができる。従って、位相θの特性(位相特性)を安定化させることができ、所望の位相特性を有する可変位相器10を実現することができる。
If these
次に、本実施の形態に係る可変位相器10の具体例(第1及び第2の具体例)について、図4〜図10を参照しながら説明する。なお、図1〜図3で説明した構成要素と同様の構成要素については、同一の参照符号を付して説明する。
Next, specific examples (first and second specific examples) of the
第1の具体例に係る可変位相器10Aは、図4に示すように、誘電体基板60A上に複数の配線パターンが形成され、該配線パターン上に可変容量ダイオード32、38及びコイル46、48が実装されると共に、上述した素子以外の回路素子は誘電体基板60A内に形成されている。
In the
誘電体基板60Aの表面である第1〜第4の側面62a〜62dには、表面アース電極64a〜64dが形成されている。また、第1の側面62aには入力電極66及び出力電極68が形成され、第3の側面62cには制御電圧用電極70が表面アース電極64cを挟んで2箇所に形成されている。これらの表面アース電極64a〜64dと入力電極66と出力電極68と制御電圧用電極70とは、第1〜第4の側面62a〜62dから上面62e及び底面62fに延在している。底面62fでは、ほぼ全面にわたって表面アース電極64eが形成されている。
また、上面62eには端子72a〜72hが、表面アース電極64a〜64d、入力電極66、出力電極68及び制御電圧用電極70と直接接触することなく、所定の間隔で並行して形成されている。そして、端子72a〜72hを有する前記上面62eには、上述したように可変容量ダイオード32、38及びコイル46、48が実装されている。この場合、可変容量ダイオード32、38のカソードK1、K2(図1参照)が端子72a、72dに接続され、アノードA1、A2(図1参照)が端子72e、72hに接続されている。また、コイル46、48は端子72b、72c、72f、72gに接続されている。
そして、第1の具体例に係る可変位相器10Aは、図5に示すように、複数の誘電体層(S1〜S10)が積層、焼成一体化されて前記誘電体基板60Aを形成している。
In the
誘電体基板60Aは、上から順に、第1の誘電体層S1〜第10の誘電体層S10が積み重ねられて構成されている。これら第1〜第10の誘電体層S1〜S10は1枚あるいは複数枚の層にて構成される。
The
誘電体基板60A内には、第4の誘電体層S4において第1のパターン74aが形成され、第5の誘電体層S5において第2のパターン74bが形成されている。これらの第1及び第2のパターン74a、74bは、いずれも、第1の側面62a寄りに配線パターンの始点及び終点が設けられた略コ字状の形状を有する。これらの第1及び第2のパターン74a、74bにより90°ハイブリッドカプラ20が構成される。
In the
なお、第1及び第2のパターン74a、74bに関し、始点とは第2の側面62b寄りにおける配線パターンの先端をいう。また、終点とは第4の側面62d寄りにおける配線ラインの先端をいう。
Regarding the first and
第5及び第7の誘電体層S5、S7には、第1の側面62aに近接し、且つ第2の側面62bに近接する位置から入力電極66に向い、該入力電極66に電気的に接続されるコンデンサ用電極76a、76bが形成されている。なお、コンデンサ用電極76aは第2のパターン74bと直接接触しないように形成されている。
The fifth and seventh dielectric layers S5 and S7 are electrically connected to the
一方、第4及び第6の誘電体層S4、S6には、第1の側面62aに近接し、且つ第2の側面62bに近接する位置から第3の側面62cに向い、コンデンサ用電極76c、76dが、コンデンサ用電極76a、76bと対向して形成されている。なお、コンデンサ用電極76cは第1のパターン74aと直接接触しないように形成されている。
On the other hand, in the fourth and sixth dielectric layers S4, S6, a
コンデンサ用電極76c、76d間は、図5及び図6に示すように、ビアホール78aを介して電気的に接続されている。また、コンデンサ用電極76cと第2のパターン74bの始点である入力端子12との間は、ビアホール78bを介して電気的に接続されている。そのため、コンデンサ用電極76a、76c間に形成される静電容量と、コンデンサ用電極76b、76d間に形成される静電容量とにより、コンデンサ22が構成される。
As shown in FIGS. 5 and 6, the
また、第5及び第7の誘電体層S5、S7には、第1の側面62aに近接し、且つ第4の側面62dに近接する位置から出力電極68に向って、該出力電極68に電気的に接続されるコンデンサ用電極76e、76fが形成されている。なお、コンデンサ用電極76eは第2のパターン74bと直接接触しないように形成されている。
Further, the fifth and seventh dielectric layers S5 and S7 are electrically connected to the
一方、第4及び第6の誘電体層S4、S6には、第1の側面62aに近接し、且つ第4の側面62dに近接する位置から第3の側面62cに向ってコンデンサ用電極76g、76hが、コンデンサ用電極76e、76fと対向して形成されている。さらに、コンデンサ用電極76gは、第2のパターン74bの終点である出力端子18に電気的に接続されている。コンデンサ用電極76g、76h間は、ビアホール78cを介して電気的に接続されている。そのため、コンデンサ用電極76e、76g間に形成される静電容量と、コンデンサ用電極76f、76h間に形成される静電容量とにより、コンデンサ26が構成される。
On the other hand, the fourth and sixth dielectric layers S4 and S6 are provided with
第8の誘電体層S8には、内層アース電極64fが形成されている。内層アース電極64fは略十字状に形成され、その中心部には電極が形成されていない部分を備えている。そして、内層アース電極64fと表面アース電極64a、64cとは直接接続されている。また、内層アース電極64fと表面アース電極64b、64dとの間では、4個のビアホール78d〜78gを介して電気的に接続されている。
An inner
第9の誘電体層S9には、コンデンサ用電極76iが形成されている。このコンデンサ用電極76iは、表面アース電極64a〜64dと接触しないように、内層アース電極64fに対向した略十字状に形成され、且つ、一部の配線パターンが第3の側面62cに向って形成され、2個の制御電圧用電極70と電気的に接続されている。これにより、電圧制御端子52が形成されている。そして、コンデンサ用電極76iと内層アース電極64fとの間及びコンデンサ用電極76iと表面アース電極64eとの間で静電容量が形成され、これにより、コンデンサ54が構成される。
Capacitor electrodes 76i are formed on the ninth dielectric layer S9. The capacitor electrode 76i is formed in a substantially cross shape facing the inner-
第2の誘電体層S2には、その中央部において接続用電極80が形成されている。そして、接続用電極80とコンデンサ用電極76iとの間は、内層アース電極64fの中で電極が形成されていない部分を通過するビアホール78hを介して電気的に接続されている。また、接続用電極80と端子72fとの間はビアホール78iを介して電気的に接続され、接続用電極80と端子72gとの間はビアホール78jを介して電気的に接続されている。これにより、接続用電極80は接続点50を構成する。
A
また、第2の誘電体層S2には、第1の側面62a寄りであって、第2の側面62bよりもやや中央部寄りにおいて、コンデンサ用電極76jが形成されている。一方、第3の誘電体層S3には、第1の側面62a寄りであって、第2の側面62bよりもやや中央部寄りにおいて、コンデンサ用電極76kが形成されている。このコンデンサ用電極76jとコンデンサ用電極76kとの間でコンデンサ30が構成される。
In the second dielectric layer S2, a
そして、コンデンサ用電極76jと端子72aとの間はビアホール78kで電気的に接続され、コンデンサ用電極76jと端子72bとの間はビアホール78lで電気的に接続されている。また、コンデンサ用電極76kと第1のパターン74aの始点である0°端子14との間はビアホール78mで電気的に接続されている。
The
さらに、第2の誘電体層S2には、第1の側面62a寄りであって、第4の側面62dよりもやや中央部寄りにおいて、コンデンサ用電極76lが形成されている。一方、第3の誘電体層S3には、第1の側面62a寄りであって、第4の側面62dよりもやや中央部寄りにおいて、コンデンサ用電極76mが形成されている。このコンデンサ用電極76lとコンデンサ用電極76mとの間でコンデンサ36が構成される。
Further, a capacitor electrode 76l is formed in the second dielectric layer S2 near the
そして、コンデンサ用電極76lと端子72cとの間はビアホール78nで電気的に接続され、コンデンサ用電極76lと端子72dとの間はビアホール78oで電気的に接続されている。また、コンデンサ用電極76mと第2のパターン74bの終点である90°端子16との間はビアホール78pで電気的に接続されている。
The capacitor electrode 76l and the terminal 72c are electrically connected by a via hole 78n, and the capacitor electrode 76l and the terminal 72d are electrically connected by a via hole 78o. Further, the
さらにまた、第2の誘電体層S2には、第3の側面62cに形成された表面アース電極64cから該第2の誘電体層S2の中心部に向うインダクタ34、40の配線パターンが形成されている。このインダクタ34、40の配線パターンは、その先端が第2及び第4の側面62b、62dに向かい湾曲した略J字状の形状を有している。前記インダクタ34の先端と端子72eとの間はビアホール78qを介して電気的に接続され、前記インダクタ40の先端と端子72hとの間はビアホール78rを介して電気的に接続されている。
Furthermore, the wiring pattern of the
第1の具体例に係る可変位相器10Aでは、誘電体基板60Aの第1〜第9の誘電体層S1〜S9において、各配線パターンを公知のパターン処理方法により形成すれば、各回路素子の回路定数(静電容量、インダクタンス)を精度よく構成することができる。これにより、高周波出力信号Stの位相θの位相変化範囲及び位相変化量をより精度よく設定することができる。
In the
また、可変容量ダイオード32、38及びコイル46、48を誘電体基板60A上に実装しているので、設計変更の際に交換が容易となる。
In addition, since the
次に、第2の具体例に係る可変位相器10Bは、図7及び図8に示すように、誘電体基板60B上に配線パターンが形成され、該配線パターン上に図1の回路図で示した回路素子が実装されている点で、第1の具体例に係る可変位相器10Aと異なる。
Next, in the variable phase shifter 10B according to the second specific example, as shown in FIGS. 7 and 8, a wiring pattern is formed on the
具体的には、図9に示すように、誘電体基板60Bは第1〜第4の側面82a〜82dを有し、その上面82の全体をほぼ覆うように略H字状の表面アース電極64gが形成されている。
Specifically, as shown in FIG. 9, the
すなわち、誘電体基板60Bの上面84の中央部において、該誘電体基板60Bの第2の側面82bから第4の側面82dにかけて表面アース電極64gの配線パターン86aが形成され、該配線パターン86aの両端から第1及び第3の側面82a、82cに向けて4個の配線パターン86b〜86eが形成されている。前記配線パターン86b〜86eの先端では、第1及び第3の側面82a、82cから外方に突出して1以上の接地用端子88aが設けられている。
That is, the
さらに、配線パターン86aから、第3の側面82cに向けて1個の配線パターン86fが形成され、その先端では第3の側面82cから外方に突出して3個の接地用端子88aが設けられている。一方、配線パターン86fの反対側では、配線パターン86aから第1の側面82aに向けてわずかに突出した1個の配線パターン86gが形成されている。
Further, one
また、配線パターン86aのうち、第2及び第4の側面82b、82d寄りから第1の側面82aに向けて配線パターン86h、86iが延在して形成されている。この配線パターン86h、86iは、その先端が対向するように湾曲された略J字状の形状を有する。
Of the
また、配線パターン86hの側部には、配線パターン86bと配線パターン86aから延在して形成された配線パターン86jとが並行して配置されている。この配線パターン86b、86jは、インダクタ34となる配線パターン86hのシールド電極として機能する。
A
一方、配線パターン86iの側部には、配線パターン86cと配線パターン86aから延在して形成された配線パターン86kとが並行して配置されている。この配線パターン86c、86kは、インダクタ40となる配線パターン86iのシールド電極として機能する。
On the other hand, on the side of the wiring pattern 86i, a
誘電体基板60Bの上面84には、配線パターン86d、86fに挟まれるようにして、配線パターン86l、86mが形成されている。配線パターン86lは第3の側面82cに向かい形成され、その先端には外方に突出する端子88bが設けられている。一方、配線パターン86mは配線パターン86f寄りに形成されている。
また、誘電体基板60Bの上面84には、配線パターン86e、86fに挟まれるようにして、配線パターン86n、86oが形成されている。配線パターン86nは第3の側面82cに向かい形成され、その先端には外方に突出する端子88が設けられている。一方、配線パターン86oは配線パターン86f寄りに形成されている。
Further,
さらに、誘電体基板60Bの上面84には、配線パターン86b、86cに挟まれるようにして、配線パターン86p〜86tが形成されている。配線パターン86pは、アースである配線パターン86gと直接接触しないようにして第1の側面82aに向かい形成された略T字状の配線パターンであり、その先端には外方に突出する端子88が設けられている。配線パターン86qは、配線パターン86g、86jで挟まれるようにして形成されている。配線パターン86rは、配線パターン86g、86kで挟まれるようにして形成されている。配線パターン86s、86tは、配線パターン86pを挟むようにして形成されている。
Furthermore,
さらに、配線パターン86s、86tよりも第1の側面82a寄りの箇所には、アースとなる配線パターン86u、86vが形成され、該配線パターン86u、86vから外方に向って接地用端子88aが形成されている。
Further,
そして、上述した可変位相器10Bでは、図7及び図8に示すように、誘電体基板60B上に図1で示された回路素子が実装されている。
In the variable phase shifter 10B described above, as shown in FIGS. 7 and 8, the circuit element shown in FIG. 1 is mounted on the
すなわち、90°ハイブリッドカプラ20の入力端子12と配線パターン86m、0°端子14と配線パターン86q、90°端子16と配線パターン86r及び出力端子18と配線パターン86oが接合することにより、該90°ハイブリッドカプラ20が誘電体基板60B上に実装される。なお、実装方法としては、例えば半田付けのように公知の実装方法を用いることができる。
That is, the 90 °
配線パターン86l、86m間にはコンデンサ22が実装され、配線パターン86n、86o間にはコンデンサ26が実装される。配線パターン86q、86s間にはコンデンサ30が実装され、配線パターン86q、86p間にはコイル46が実装される。配線パターン86g、86p間にはコンデンサ54が実装される。配線パターン86r、86p間にはコイル48が実装され、配線パターン86r、86t間にはコンデンサ36が実装される。配線パターン86h、86s間には可変容量ダイオード32が実装され、配線パターン86i、86t間には可変容量ダイオード38が実装される。
The
上記した実装により、配線パターン86lの端子88bから高周波入力信号Siを入力すると、配線パターン86nの端子88bからは、位相θを有する高周波出力信号Stが出力される。そして、位相θを変化するには、配線パターン86pの端子88bから制御電圧Vcを印加すればよい。
With the mounting described above, when the high frequency input signal Si is input from the terminal 88b of the wiring pattern 86l, the high frequency output signal St having the phase θ is output from the terminal 88b of the
この第2の具体例に係る可変位相器10Bでは、第1の具体例に係る可変位相器10Aと同様に、全ての回路素子が集中定数の回路素子で構成されているので、回路設計が容易であり、位相θの位相変化量の拡張を容易に行うことができる。
In the variable phase shifter 10B according to the second specific example, as in the
特に、1枚の誘電体基板60Bに全ての回路素子が実装されているので、該回路素子の交換を容易に行うことができ、設計変更が容易である。また、第1の具体例に係る可変位相器10Aと比較して、第2の具体例に係る可変位相器10Bでは、インダクタ34、40である配線パターン86h、86iが誘電体基板60Bの上面84に露出している。そのため、位相θの変化範囲を変更したい場合には、前記配線パターン86h、86iの幅及び長さを変更してインダクタンスを変化させることにより実現できる。
In particular, since all the circuit elements are mounted on one
例えば、配線パターン86h、86iの側部を削って前記幅を減少すれば、インダクタ34、40のインダクタンスが減少する。これにより、インダクタ34、40のインピーダンスが変化するので、図2に示す位相θの変化範囲を容易に変更することができる。さらに、当該可変位相器10Bを無線機器に搭載した結果、パッケージの静電容量等の浮遊容量が発生し、それにより位相θの変化範囲に影響が及んだとしても、インダクタ34、40の配線パターン86h、86iの形状を適宜変更することにより、該位相θの位相変化量を補償することができる。
For example, if the width is reduced by cutting the side portions of the
なお、本発明に係る可変位相器は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることはもちろんである。 Of course, the variable phase shifter according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.
10…可変位相器 12…入力端子
14…0°端子 16…90°端子
18…出力端子 20…ハイブリッドカプラ
22、26、30、36、54…コンデンサ
32、38…可変容量ダイオード 34、40…インダクタ
42、44、50…接続点 46、48…コイル
52…電圧制御端子
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記可変容量素子にインダクタンス成分が接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 In a variable phase shifter having at least one variable capacitance element,
An inductance component is connected to the variable capacitor. A variable phase shifter.
入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラを具備し、
前記0°端子とアースとの間には、第1の位相制御回路が電気的に接続され、
前記90°端子と前記アースとの間には、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続され、
前記第1の位相制御回路は、第1の可変容量素子と、該第1の可変容量素子に電気的に接続された第1のインダクタとを有し、
前記第2の位相制御回路は、第2の可変容量素子と、該第2の可変容量素子に電気的に接続された第2のインダクタとを有する
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 1, wherein
A 90 ° hybrid coupler with an input terminal, an output terminal, a 0 ° terminal and a 90 ° terminal;
A first phase control circuit is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground,
A second phase control circuit having substantially the same impedance as that of the first phase control circuit is electrically connected between the 90 ° terminal and the ground.
The first phase control circuit has a first variable capacitance element and a first inductor electrically connected to the first variable capacitance element,
The second phase control circuit includes a second variable capacitance element and a second inductor electrically connected to the second variable capacitance element.
前記第1及び第2の可変容量素子に供給される制御電圧によって、該第1及び第2の可変容量素子の静電容量が変化し、
前記静電容量の変化によって、前記出力端子から出力される出力信号の位相が変化する
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 2, wherein
The capacitances of the first and second variable capacitance elements change according to the control voltage supplied to the first and second variable capacitance elements,
The variable phase shifter characterized in that the phase of the output signal output from the output terminal changes due to the change in the capacitance.
前記第1及び第2の可変容量素子は第1及び第2の可変容量ダイオードであり、
前記制御電圧は、該第1及び第2の可変容量ダイオードの第1及び第2のカソード端子に供給される
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 2 or 3,
The first and second variable capacitance elements are first and second variable capacitance diodes;
The variable phase shifter, wherein the control voltage is supplied to first and second cathode terminals of the first and second variable capacitance diodes.
前記0°端子には前記第1のカソード端子が電気的に接続され、前記第1の可変容量ダイオードの第1のアノード端子と前記アースとの間には、前記第1のインダクタが電気的に接続され、
前記90°端子には前記第2のカソード端子が電気的に接続され、前記第2の可変容量ダイオードの第2のアノード端子と前記アースとの間には、前記第2のインダクタが電気的に接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 4, wherein
The first cathode terminal is electrically connected to the 0 ° terminal, and the first inductor is electrically connected between the first anode terminal of the first variable capacitance diode and the ground. Connected,
The second cathode terminal is electrically connected to the 90 ° terminal, and the second inductor is electrically connected between the second anode terminal of the second variable capacitance diode and the ground. A variable phase shifter characterized by being connected.
前記0°端子と前記第1のカソード端子の間には、さらに、第1のカップリングコンデンサが電気的に接続され、
前記90°端子と前記第2のカソード端子の間には、さらに、第2のカップリングコンデンサが電気的に接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 5, wherein
A first coupling capacitor is further electrically connected between the 0 ° terminal and the first cathode terminal,
A variable phase shifter characterized in that a second coupling capacitor is further electrically connected between the 90 ° terminal and the second cathode terminal.
前記第1のカソード端子に第1のコイルの一端が電気的に接続され、
前記第2のカソード端子に第2のコイルの一端が電気的に接続され、
前記第1及び第2のコイルの他端には電圧制御端子が電気的に接続され、
前記制御電圧は、前記電圧制御端子から前記第1及び第2のコイルを介して前記第1及び第2のカソード端子に供給される
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to any one of claims 4 to 6,
One end of a first coil is electrically connected to the first cathode terminal;
One end of a second coil is electrically connected to the second cathode terminal;
A voltage control terminal is electrically connected to the other ends of the first and second coils,
The variable phase shifter, wherein the control voltage is supplied from the voltage control terminal to the first and second cathode terminals via the first and second coils.
前記電圧制御端子と前記アースとの間には、バイパスコンデンサが電気的に接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 7, wherein
A variable phase shifter, wherein a bypass capacitor is electrically connected between the voltage control terminal and the ground.
前記入力端子に供給される入力信号は、前記制御電圧よりも高周波の信号である
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to any one of claims 3 to 8,
The variable phase shifter, wherein the input signal supplied to the input terminal is a signal having a frequency higher than that of the control voltage.
前記入力端子には第3のカップリングコンデンサが電気的に接続され、
前記出力端子には第4のカップリングコンデンサが電気的に接続され、
前記入力信号は前記第3のカップリングコンデンサを介して供給され、
前記出力信号は前記第4のカップリングコンデンサを介して出力される
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 9, wherein
A third coupling capacitor is electrically connected to the input terminal,
A fourth coupling capacitor is electrically connected to the output terminal,
The input signal is supplied via the third coupling capacitor;
The variable phase shifter, wherein the output signal is output through the fourth coupling capacitor.
複数の誘電体層から構成された誘電体基板を有し、
前記誘電体基板内に、入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラと、第1及び第2のインダクタと、第1及び第2のカップリングコンデンサとが形成され、
前記誘電体基板表面に形成される配線パターン上に、前記第1及び第2の可変容量ダイオードが実装され、
前記0°端子とアースとの間には、前記第1のインダクタと前記第1の可変容量ダイオードと前記第1のカップリングコンデンサとを含む第1の位相制御回路が電気的に接続され、
前記90°端子と前記アースとの間には、前記第2のインダクタと前記第2の可変容量ダイオードと前記第2のカップリングコンデンサとを含み、且つ、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 1, wherein
Having a dielectric substrate composed of a plurality of dielectric layers;
A 90 ° hybrid coupler having an input terminal, an output terminal, a 0 ° terminal and a 90 ° terminal, a first and a second inductor, and a first and a second coupling capacitor in the dielectric substrate. Formed,
The first and second variable capacitance diodes are mounted on a wiring pattern formed on the dielectric substrate surface,
A first phase control circuit including the first inductor, the first variable capacitance diode, and the first coupling capacitor is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground,
Between the 90 ° terminal and the ground, includes the second inductor, the second variable capacitance diode, and the second coupling capacitor, and is substantially the same as the first phase control circuit. A variable phase shifter characterized in that a second phase control circuit having the following impedance is electrically connected.
複数の誘電体層から構成された回路基板を有し、
前記回路基板の配線パターン上に、入力端子と出力端子と0°端子と90°端子とを備えた90°ハイブリッドカプラと、第1及び第2の可変容量ダイオードと、第1及び第2のカップリングコンデンサとが実装され、
前記配線パターンによって、第1及び第2のインダクタが形成され、
前記0°端子とアースとの間には、前記第1のインダクタと前記第1の可変容量ダイオードと前記第1のカップリングコンデンサとを含む第1の位相制御回路が電気的に接続され、
前記90°端子と前記アースとの間には、前記第2のインダクタと前記第2の可変容量ダイオードと前記第2のカップリングコンデンサとを含み、且つ、前記第1の位相制御回路と略同一のインピーダンスを有する第2の位相制御回路が電気的に接続されている
ことを特徴とする可変位相器。 The variable phase shifter according to claim 1, wherein
A circuit board composed of a plurality of dielectric layers;
A 90 ° hybrid coupler having an input terminal, an output terminal, a 0 ° terminal, and a 90 ° terminal, a first and a second variable capacitance diode, and a first and a second cup on the wiring pattern of the circuit board; Ring capacitor is mounted,
First and second inductors are formed by the wiring pattern,
A first phase control circuit including the first inductor, the first variable capacitance diode, and the first coupling capacitor is electrically connected between the 0 ° terminal and the ground,
Between the 90 ° terminal and the ground, includes the second inductor, the second variable capacitance diode, and the second coupling capacitor, and is substantially the same as the first phase control circuit. A variable phase shifter characterized in that a second phase control circuit having the following impedance is electrically connected.
前記第1及び第2のインダクタは可変インダクタである
ことを特徴とする可変位相器。
The variable phase shifter according to any one of claims 1 to 12,
The variable phase shifter, wherein the first and second inductors are variable inductors.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152852A1 (en) * | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Kyocera Corporation | Current blocking circuit, hybrid circuit device, transmitter, receiver, transmitter-receiver, and radar device |
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-
2004
- 2004-09-27 JP JP2004279410A patent/JP2006094303A/en active Pending
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